CN101494256B - X射线感测器及其制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种X射线感测器及其制作方法，所述感测器包括：具有光感应区域的基板；图案化第一导电层，其至少包括设于光感应区域内的栅极；栅极介电层；图案化半导体层；图案化第二导电层，至少包括一源极与一漏极；介电层，所述介电层具有第一过孔，其暴露出部分漏极；图案化第三导电层，包括设于光感应区域内的感应下电极，并通过第一过孔而电连接于漏极；图案化富硅介电层；图案化透明导电层；覆盖图案化透明导电层的保护层；以及设于保护层上的闪烁发光层，其对准于图案化富硅介电层。所述感测器是以富硅介电材料作为感光层，增进感光灵敏度。此发明可使用较少的光刻暨刻蚀工艺，并降低薄膜层的总厚度，达到简化工艺与降低成本的目的。

Description

X射线感测器及其制作方法

技术领域

本发明有关于一种X射线(X-ray)感测器以及制作所述X射线感测器的方法，尤指一种以富硅(silicon-rich，Si-rich)介电层当作感光材料的X射线感测器及其制作方法。

背景技术

相较于传统底片式X射线感光系统，数字X射线平面间接感测系统，具有低辐射剂量、电子图像成像快速以及图像易于检视、重制、撷取、传送及分析等优点，为目前数字医学图像发展的趋势。数字X射线平面间接感测系统包括感应像素阵列，而各感应像素包括薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)、感光元件以及将X射线转换为可见光的发光材料。传统数字X射线平面间接感测系统的感光元件通常以非晶硅材料制成的PIN(P-type\intrinsic\N-type)二极管(photodiode)为主，然而PIN二极管的厚度非常厚，约为1～2微米，且由于PIN二极管本身具有导电性，因此必须在其周围形成多层介电层，以避免PIN二极管与周围元件(例如感应电极)发生短路现象。所以，整合PIN二极管与包括薄膜晶体管等元件的感应像素阵列的工艺需包括12至13道薄膜沉积和光刻暨刻蚀步骤，不只耗费工艺时间，且工艺成本亦非常昂贵。由上述可知，X射线感光系统业者仍须持续研究，找出能有效替代PIN二极管的感光材料，并利用简单的工艺来制作出数字X射线平面间接感测系统。

发明内容

本发明的目的之一在于提供一种利用富硅介电材料作为感光元件的X射线感测器，以解决已知X射线感测器的工艺技术中，因整合PIN二极管与薄膜晶体管等元件而造成工艺繁复和成本昂贵等问题。

本发明提供一种X射线感测器的制作方法，所述方法包括提供具有光感应区域的基板，并在基板上形成图案化第一导电层，其中图案化第一导电层至少包括设于光感应区域内的栅极，接着于基板上形成栅极介电层，覆盖于栅极表面。然后，于栅极介电层上形成图案化半导体层与图案化第二导电层，依序设于栅极介电层表面，其中图案化半导体层包括半导体沟道区，其设于栅极上方的栅极介电层表面，而图案化第二导电层包括源极与漏极，设于半导体层上且分别位于半导体沟道区两侧。接着，于基板上形成图案化介电层，其具有至少一第一过孔，暴露部分漏极，之后再于基板上形成图案化第三导电层，其包括设于光感应区域内的感应下电极，且经由第一过孔而电连接于漏极，且图案化第三导电层位于图案化半导体层上方。随后在基板上形成图案化富硅介电层，设于感应下电极的表面，再于基板上形成图案化透明导电层，其至少包括覆盖图案化富硅介电层的感应上电极，接着再于基板上形成保护层，覆盖图案化透明导电层。最后，于基板上形成闪烁发光层，设于保护层之上，且闪烁发光层对准于图案化富硅介电层。

本发明另提供一种X射线感测器，所述X射线感测器包括：具有光感应区域的基板；设于基板上的图案化第一导电层，其至少包括设于光感应区域内的栅极；设于基板上且覆盖栅极的栅极介电层；图案化半导体层，设于栅极上的栅极介电层表面，包括一半导体沟道区；图案化第二导电层，至少包括一源极与一漏极，设于图案化半导体层上且分别位于半导体沟道区两侧；介电层，设于基板表面且覆盖部分图案化第二导电层与半导体沟道区，且介电层具有第一过孔，其暴露出部分漏极；图案化第三导电层，其包括设于光感应区域内的感应下电极，位于图案化半导体层上方，并通过第一过孔而电连接于漏极；设于感应下电极表面的图案化富硅介电层；图案化透明导电层，包括位于图案化富硅介电层表面的感应上电极；覆盖图案化透明导电层的保护层；以及设于保护层上的闪烁发光层，其对准于图案化富硅介电层。

本发明又另提供一种X射线感测器的制作方法，首先提供包括光感应区域的基板，再于基板上形成薄膜晶体管，其包括栅极、栅极介电层、图案化半导体层、源极与漏极。接着，于基板上形成图案化介电层，其具有至少一第一过孔暴露出部分漏极，然后于基板上形成图案化第三导电层，其包括设于光感应区域内的感应下电极，经由第一过孔而电连接于漏极，且图案化第三导电层位于图案化半导体层上方。之后，于基板上形成图案化富硅介电层，设于感应下电极的表面，再于基板上形成图案化透明导电层，其至少包括一感应上电极，覆盖图案化富硅介电层。最后，于基板上形成保护层，覆盖图案化透明导电层，再于基板上形成闪烁发光层，设于保护层之上，且闪烁发光层对准图案化富硅介电层。

由于本发明X射线感测器利用富硅介电材料当作感光材料，因此不需再额外制作介电层来隔离图案化富硅介电层，可以节省工艺步骤与时间。此外，图案化富硅介电层的厚度可小于0.5微米，能缩小X射线感测器的整体薄膜层厚度与节省材料成本。

附图说明

图1为本发明X射线感测器的等效电路的布局示意图。

图2为图1所示本发明X射线感测器的剖面示意图。

图3至图8为本发明X射线感测器的第一实施例的制作方法的剖面示意图。

图9至图12为本发明X射线感测器的第二实施例的制作方法的剖面示意图。

图13为本发明X射线感测器的第三实施例的剖面示意图。

附图标号

10、10’、100X射线感测器    12、94基板

14光感应区域          16周边区域

18感应像素            20扫描线

22信号读取线          24薄膜晶体管

26感光元件            28上电极导线

30第一连接垫          32第二连接垫

33第三连接垫          34图案化第一导电层

36栅极                38栅极介电层

40图案化半导体层      40’半导体层

42半导体通道区        44图案化掺杂半导体层

44’掺杂半导体层      46图案化第二导电层

46’第二导电层        48光刻胶层

50半色调掩膜          50a透光区

50b不透光区           50c半透区

52漏极                54源极

56图案化介电层        58第一过孔

60第二过孔            62第三过孔

64第四过孔            66图案化第三导电层

68感应下电极          70接触元件

72第一连接元件        74第二连接元件

76感测单元            78图案化富硅介电层

82图案化透明导电层    84感应上电极

86无机保护层          88有机平坦层

90保护层              92闪烁发光层

具体实施方式

以下为有关本发明的详细说明与附图。然而所附附图仅供参考与辅助说明用，并非用来对本发明加以限制。

请参考图1，图1为本发明X射线感测器10的等效电路布局示意图。本发明X射线感测器10包括基板12，其上包括光感应区域14以及周边区域16设于光感应区域14的一侧。在光感应区域14内，包括多个感应像素18，其是由互相垂直交错的多条扫描线20与信号读取线22所定义，排列成一阵列。各感应像素18包括至少一薄膜晶体管24与一感光元件26。基板12上另包括多条平行于信号读取线22的上电极导线28，分别穿越多个感应像素18且电连接所经过的感应像素18内的感光元件26的感应上电极。另一方面，周边区域16内设置有多个第一连接垫30与第二连接垫32，其中第一连接垫30可电连接于扫描线20，而第二连接垫32可电连接于信号读取线22，第三连接垫33可电连接于上电极导线28。

请参考图2，图2为图1所示本发明X射线感测器10的剖面示意图。本发明X射线感测器10包括图案化第一导电层34设于基板12表面，其包括各感应像素18内的薄膜晶体管24的栅极36，以及设于周边区域16的第一连接垫30。X射线感测器10另包括一栅极介电层38，设于基板12表面且覆盖栅极36与部分第一连接垫30。栅极介电层38上设有图案化半导体层40，其包括一半导体沟道区42，设于栅极36上的栅极介电层38表面，其材料可包括非晶硅材料。

X射线感测器10还包括图案化第二导电层46依序设于栅极介电层38上，覆盖部分图案化半导体层40。在图案化半导体层40与图案化第二导电层46之间更可以选择性地设置图案化掺杂半导体层44，其材质例如是掺杂非晶硅材料。此外，图案化第二导电层46包括漏极52、源极54、上电极导线28、第二连接垫32以及第三连接垫33(示于图1)，其中漏极52与源极54位于半导体沟道区42的两侧上方，与栅极36、栅极介电层38与半导体沟道区42构成薄膜晶体管24。上电极导线28设于薄膜晶体管24的一侧，第二连接垫32则设于周边区域16内。基板12之上另设有图案化介电层56，覆盖薄膜晶体管24、第一连接垫30、第二连接垫32以及上电极导线28，图案化介电层56包括第一过孔58暴露出部分漏极52、第二过孔60暴露出上电极导线28、第三过孔62暴露出第一连接垫30以及第四过孔64暴露出第二连接垫32以及第三连接垫33。此外，X射线感测器10包括图案化第三导电层66设于图案化介电层56表面，且填于第一过孔58、第二过孔60、第三过孔62以及第四过孔64。图案化第三导电层66包括多个感应下电极68，分别设于一感应像素18内，通过第一过孔58而电连接于漏极52。图案化第三导电层66设于第二过孔60内的部分，可当作一接触元件70，用以电连接上电极导线28与感应上电极84。然而，在其他实施例中，X射线感测器10可不包括图2所示的上电极导线28，而直接以电连接于感应上电极84的部分图案化第三导电层66当作上电极导线。此外，设于第三过孔62内的图案化第三导电层66当作第一连接元件72，用来电连接外部电路与第一连接垫30。设于第四过孔64内的图案化第三导电层66当作第二连接元件74，用来电连接第二连接垫32与第三连接垫33。

再者，X射线感测器10包括图案化富硅介电层78，设于感应下电极68的表面，用以当作感光材料，其包括多个感测单元76，设于各感应像素18内。图案化富硅介电层78的材料可包括硅、氧、氮、碳或氢的组合，例如是富硅氧化硅(SiOx)、富硅氮化硅(SiNy)、富硅氮氧化硅(SiOxNy)、富硅碳化硅(SiCz)、富硅碳氧化硅(SiOxCz)、氢化富硅氧化硅(SiHwOx)、氢化富硅氮化硅(SiHwNy)、氢化富硅氮氧化硅(SiHwOxNy)或上述材料的组合。其中，0＜w＜4、0＜x＜2、0＜y＜1.67、0＜z＜1。在图案化富硅介电层78表面上，设置有图案化透明导电层82，其包括多个感应上电极84，分别设于各感应像素18内，且经由接触元件70而电连接于其对应的上电极导线28。因此，各感应像素18内的感光元件26即由感应下电极68、感测单元76以及感应上电极84所构成。X射线感测器10另包括保护层90与闪烁发光层92，其中保护层90覆盖图案化透明导电层82和部分图案化第三导电层66。在本实施例中，保护层90包括厚度较薄的无机保护层86与厚度较厚的有机平坦层88，设于无机保护层86之上。闪烁发光层92设于有机平坦层88的表面，对应于图案化富硅介电层78，且较佳覆盖整个光感应区域14。闪烁发光层92的材料可包括碘化铯或其相关化合物。如图2所示，当X射线由上方照射X射线感测器10时，闪烁发光层92会将X射线转换成可见光(波长包括450～650纳米的可见光)向下照射，而感测单元76在可见光的照射下，会产生光感应电流，经由感应下电极68、薄膜晶体管24及扫描线20的作用，便可由信号读取线22输出感测信号，进而读出所感测到的X射线图像。

本发明X射线感测器10的制作方法请参考图3至图8。首先，如图3所示，提供一基板12，其包括周边区域16与光感应区域14，其中光感应区域14包括多个感应像素18，呈阵列排列于光感应区域14中。接着，在基板12表面形成图案化第一导电层34，其包括设于各光感应像素18内的栅极34与至少一第一连接垫30设于周边区域16。

然后如图4所示，在基板12上依序形成栅极介电层38、半导体层40’、掺杂半导体层44’(例如是掺杂非晶硅层)以及第二导电层46’。之后，在第二导电层46’之上形成光刻胶层48，再使用半色调(half-tone)掩膜50，对基板12上的材料层进行一光刻暨刻蚀工艺。半色调掩膜50包括透光区50a、不透光区50b、以及半透区50c，其中不透光区50b对应于图2所示的图案化第二导电层46的图案，例如第二连接垫32、第三连接垫33、上电极导线28、漏极52与源极54，透光区50a对应于欲移除的第二导电层46’，而半透区50c则对应于漏极52与源极54之间的部分半导体沟道区42。经光刻后，剩下的光刻胶层48图案如图4所示。

接着，请参考图5，以图案化的光刻胶层48当作刻蚀遮罩以进行刻蚀工艺，移除部分第二导电层46’、掺杂半导体层44’以及半导体层40’，直至栅极介电层38的表面，形成图案化第二导电层46、图案化的掺杂半导体层44与图案化半导体层40。图案化第二导电层46包括漏极52与源极54设于栅极34上方两侧，而位于栅极34与漏极52、源极54之间的图案化半导体层40是当作半导体沟道区42。此外，位于漏极52与源极54下方的掺杂半导体层44当作欧姆接触(ohmic contact)层。

请参考图6，接着在基板12上形成图案化介电层56，其包括第一过孔58、第二过孔60、第三过孔62以及第四过孔64，分别暴露部分漏极52、上电极导线28、第一连接垫30，以及第二连接垫32与第三连接垫33。然后如图7所示，于基板12上形成图案化第三导电层66，其包括多个感应下电极68设于各感应像素18内、设于第二过孔60的接触元件70、设于第三过孔62的第一连接元件72以及设于第四过孔的第二连接元件74，分别电连接于漏极52、上电极导线28、第一连接垫30以及第二连接垫32。

接着，于基板12上形成图案化富硅介电层78，设于感应下电极68的表面，用以当作感光材料，其包括多个感测单元76，设于各感应像素18内。图案化富硅介电层78的材料可包括硅、氧、氮、碳或氢的组合，例如是富硅氧化硅、富硅氮化硅、富硅氮氧化硅、富硅碳化硅、富硅碳氧化硅、氢化富硅氧化硅、氢化富硅氮化硅、氢化富硅氮氧化硅或上述材料的组合。

然后，如图8所示，在图案化富硅介电层78表面上，设置有图案化透明导电层82，其包括多个感应上电极84，分别设于各感应像素18内，且经由接触元件70而电连接于其对应的上电极导线28。因此，各感应像素18内的感光元件26即由感应下电极68、感测单元76以及感应上电极84所构成。

然后，在基板12上形成保护层90，其包括无机保护层86与有机平坦层88，覆盖住光感应区域14，暴露出第一连接元件72与第二连接元件74。接着，请参考图2，在有机平坦层86上形成闪烁发光层92，覆盖光感应区域14，其中闪烁发光层92的工艺可包括涂布工艺或蒸发工艺，在其他实施例中，闪烁发光层92亦可经由贴合工艺所形成。在形成闪烁发光层92之后，便完成本发明X射线感测器10的第一实施例的制作。由上述可知，X射线感测器10仅需7道光刻暨刻蚀工艺(photolithography-etching-processes)。

请参考图9至图12，其为本发明X射线感测器的第二实施例的制作方法的剖面示意图。本实施例和前一实施例的不同处，在于工艺中并未使用半色调掩膜来，因此会较第一实施例多一道光刻暨刻蚀工艺，且本实施例的闪烁发光层92制作于另一基板上。请参考图9，本实施例X射线感测器10’与第一实施例的相同元件是以同样的元件标号标示。首先，以类似前一实施例的方式依序制作图案化第一导电层34与栅极介电层38于基板12上，然后，再依序于基板12上整面沉积形成半导体层与掺杂半导体层(图未示)，经由光刻暨刻蚀工艺，同时移除部分半导体层与掺杂半导体层而形成图案化半导体层40与图案化的掺杂半导体层44。

接着，如图10所示，在基板12上形成第二导电层(图未示)，再进行光刻暨刻蚀工艺，移除部分第二导电层与部分掺杂半导体层44，以形成图案化第二导电层46，其包括设于栅极36两侧上方的漏极52与源极54、设于栅极36一侧的上电极导线28以及设于周边区域16的第二连接垫32。

请参考图11，接着在基板12上形成图案化介电层56，其具有第一过孔58、第二过孔60、第三过孔62以及第四过孔64，分别暴露部分漏极52、上电极导线28、第一连接垫62与第二连接垫64。然后如图12所示，利用类似于第一实施例的工艺，依序于基板12上形成图案化第三导电层66、图案化富硅介电层78及图案化透明导电层82，以形成感应下电极68、感测单元76及感应上电极84等元件。然后，形成保护层86覆盖基板12上的元件，暴露出部分第一与第二连接垫30、32。此外，本发明X射线感测器10’的制作方法另包括提供一基板94，在基板94上形成闪烁发光层92，其形成方式包括涂布、蒸发或贴合工艺，例如将包括碘化铯的薄膜贴附于基板94表面。最后，再组合基板94与基板12，使闪烁发光层92对应于光感应区域14或图案化富硅介电层78。因此，当X射线由基板94的上侧照射到闪烁发光层92时，闪烁发光层92会将X射线转换为可见光，以供下方的感光元件26进行光感应。在本实施例中，仅需利用8道光刻暨刻蚀工艺。

请参考图13，图13为本发明X射线感测器的第三实施例的剖面示意图。在本实施例中，X射线感测器100的薄膜晶体管是使用三道光刻暨刻蚀工艺所完成，闪烁发光层92直接形成于保护层90表面。值得注意的是，图案化透明导电层82另包括覆盖于第一与第二连接元件72、74表面，由于ITO材料的稳定性较高，因此可以提供保护第一与第二连接元件72、74的效果。

此外，在其他实施例中，图案化第二导电层46可不包括上电极导线28，而以部分图案化第三导电层66当作上电极导线。再者，在本发明的其他实施例中，亦可省略接触元件70的设计，而让感应上电极84处的图案化透明导电层82填于第二过孔60内，直接电连接于上电极导线28。或者，也可直接以部分图案化透明导电层82当作上电极导线，不需再以图案化第二导电层46和图案化第三导电层66制作图中所示的上电极导线28和接触元件70。

由上述可知，本发明X射线感测器属于X射线平面间接感测系统，经由闪烁发光层将X射线转换为可见光，并以富硅介电材料当作感光元件的感光材料以进行感光。相较于已知技术，本发明X射线感测器仅需使用7至8道光刻暨刻蚀工艺来制作各薄膜元件，能大幅减少掩膜数量与工艺成本，且富硅介电材料的厚度可小于0.5微米，因此具有低成本与高产率的优势。此外，本发明X射线感测器除了可应用于医学X射线摄影系统外，亦可应用于电子显微镜等其他需要以X射线进行摄影或图像扫瞄的感测装置中。

以上所述仅为本发明的较佳实施例，凡依本发明权利要求所做的均等变化与修饰，皆应属本发明的涵盖范围。

Claims (30)

1.一种X射线感测器的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一基板，所述基板包括一光感应区域；

于所述基板上形成一图案化第一导电层，所述图案化第一导电层至少包括一栅极，设于所述光感应区域内；

于所述基板上形成一栅极介电层，覆盖所述栅极表面；

于所述栅极介电层上形成一图案化半导体层与一图案化第二导电层，依序设于所述栅极介电层表面，且所述图案化半导体层包括一半导体沟道区设于所述栅极上方的所述栅极介电层表面，而所述图案化第二导电层包括一源极与一漏极设于所述图案化半导体层上且分别位于所述半导体沟道区两侧；

于所述基板上形成一图案化介电层，所述图案化介电层具有至少一第一过孔，暴露部分所述漏极；

于所述基板上形成一图案化第三导电层，所述图案化第三导电层包括一感应下电极设于所述光感应区域内，且经由所述第一过孔而电连接所述漏极，并且所述图案化第三导电层位于所述图案化半导体层上方；

于所述基板上形成一图案化富硅介电层，设于所述感应下电极的表面；

于所述基板上形成一图案化透明导电层，所述图案化透明导电层至少包括一感应上电极，覆盖所述图案化富硅介电层；

于所述基板上形成一保护层，覆盖所述图案化透明导电层；以及

于所述基板上形成一闪烁发光层，设于所述保护层之上，所述闪烁发光层对准所述图案化富硅介电层。

2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述图案化第二导电层另包括一上电极导线，电连接于所述感应上电极。

3.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述图案化介电层另包括至少一第二过孔，暴露部分所述上电极导线；且所述图案化第三导电层包括设于所述第二过孔内的部分，用以电连接所述感应上电极与所述上电极导线。

4.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述基板另包括一周边区域，设于所述光感应区域的一侧，且所述图案化第一导电层包括一第一连接垫设于所述周边区域内。

5.如权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述图案化第二导电层包括一第二连接垫与一第三连接垫设于所述周边区域内。

6.如权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述图案化介电层暴露出部分所述第一连接垫与所述第二连接垫，且所述图案化第三导电层包括一第一连接元件与一第二连接元件，分别电连接于所述第一连接垫与所述第二连接垫。

7.如权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述保护层暴露出部分所述第一与第二连接元件。

8.如权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述图案化透明导电层包括覆盖所述第一连接元件与所述第二连接元件。

9.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成所述图案化半导体层与所述图案化第二导电层的步骤包括：

依序于所述栅极介电层上形成一非晶硅层与一第二导电层；

在所述第二导电层上形成一光刻胶层；以及

使用一半色调掩膜，进行一光刻暨刻蚀工艺，同时移除部分所述非晶硅层与部分所述第二导电层，以形成所述图案化半导体层与所述图案化第二导电层。

10.如权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述半色调掩膜包括：

至少一半透区对应于部分所述半导体沟道区；以及

至少一不透光区对应于所述源极与所述漏极。

11.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成所述图案化半导体层与所述图案化第二导电层的步骤包括：

所述栅极介电层上形成一非晶硅层；

进行一光刻暨刻蚀工艺，移除部分所述非晶硅层，留下设于所述栅极上方的所述非晶硅层，以形成所述半导体沟道区；

于所述基板上形成一第二导电层；以及

进行一光刻暨刻蚀工艺，移除部分所述第二导电层，至少留下设于所述栅极上方两侧的所述第二导电层，并且形成所述半导体沟道区。

12.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述保护层包括一无机保护层与一有机平坦层，依序设于所述图案化透明导电层的表面。

13.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述闪烁发光层的材料包括碘化铯。

14.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成所述闪烁发光层的工艺包括一涂布工艺、一蒸发工艺或一贴合工艺。

15.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述方法更包括在所述图案化半导体层与所述图案化第二导电层中间形成一图案化掺杂半导体层。

16.一种X射线感测器，其特征在于，所述X射线感测器包括：

一基板，具有一光感应区域；

一图案化第一导电层，设于所述基板上，所述图案化第一导电层至少包括一栅极，设于所述光感应区域内；

一栅极介电层，设于所述基板上且覆盖所述栅极；

一图案化半导体层，设于所述栅极上的所述栅极介电层表面，包括一半导体沟道区；

一图案化第二导电层，所述图案化第二导电层至少包括一源极与一漏极，设于所述图案化半导体层上且分别位于所述半导体沟道区两侧；

一图案化介电层，设于所述基板表面并覆盖所述半导体沟道区与部分所述图案化第二导电层，且所述图案化介电层具有一第一过孔，暴露部分所述漏极；

一图案化第三导电层，所述图案化第三导电层包括一感应下电极设于所述光感应区域内，且位于所述图案化半导体层上方，所述感应下电极通过所述第一过孔而电连接所述漏极；

一图案化富硅介电层，设于所述感应下电极的表面；

一图案化透明导电层，所述图案化透明导电层包括一感应上电极，设于所述图案化富硅介电层表面；

一保护层，覆盖至少部分所述图案化透明导电层；以及

一闪烁发光层，设于所述保护层之上，且对准所述图案化富硅介电层。

17.如权利要求16所述的X射线感测器，其特征在于，所述X射线感测器另包括一上电极导线设于所述基板上，电连接于所述图案化透明导电层。

18.如权利要求17所述的X射线感测器，其特征在于，所述图案化介电层具有一第二过孔，暴露部分所述上电极导线。

19.如权利要求18所述的X射线感测器，其特征在于，所述图案化第三导电层另包括设于所述第二过孔内的部分，用以电连接所述上电极导线与所述感应上电极。

20.如权利要求17所述的X射线感测器，其特征在于，所述上电极导线为所述图案化第二导电层的一部分。

21.如权利要求16所述的X射线感测器，其特征在于，所述基板另包括一周边区域，设于所述光感应区域的一侧，且所述图案化第一导电层包括一第一连接垫设于所述周边区域内。

22.如权利要求21所述的X射线感测器，其特征在于，所述图案化第二导电层另包括一第二连接垫与一第三连接垫设于所述周边区域内。

23.如权利要求22所述的X射线感测器，其特征在于，所述图案化介电层暴露出部分所述第一连接垫与所述第二连接垫，且所述图案化第三导电层另包括一第一连接元件与一第二连接元件，分别电连接于所述第一连接垫与所述第二连接垫。

24.如权利要求23所述的X射线感测器，其特征在于，所述保护层暴露出部分所述第一与第二连接元件。

25.如权利要求23所述的X射线感测器，其特征在于，所述图案化透明导电层包括覆盖所述第一连接元件与所述第二连接元件。

26.如权利要求16所述的X射线感测器，其特征在于，所述保护层包括一无机保护层与一有机平坦层，依序设于所述图案化透明导电层的表面。

27.如权利要求16所述的X射线感测器，其特征在于，所述闪烁发光层的材料包括碘化铯。

28.如权利要求16所述的X射线感测器，其特征在于，所述闪烁发光层将一X射线转换成一可见光，照射到所述富硅介电层，藉以感测所述X射线。

29.如权利要求16所述的X射线感测器，其特征在于，所述图案化半导体层与所述图案化第二导电层中间包括一图案化掺杂半导体层。

30.一种X射线感测器的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一基板，所述基板包括一光感应区域；

于所述基板上形成一薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括一栅极、一栅极介电层、一图案化半导体层、一源极与一漏极；

于所述基板上形成一图案化介电层，所述图案化介电层具有至少一第一过孔，暴露部分所述漏极；

于所述基板上形成一图案化第三导电层，所述图案化第三导电层包括一感应下电极设于所述光感应区域内，且经由所述第一过孔而电连接所述漏极，并且所述图案化第三导电层位于所述图案化半导体层上方；

于所述基板上形成一图案化富硅介电层，设于所述感应下电极的表面；

于所述基板上形成一图案化透明导电层，所述图案化透明导电层至少包括一感应上电极，覆盖所述图案化富硅介电层；

于所述基板上形成一保护层，覆盖所述图案化透明导电层；以及

于所述基板上形成一闪烁发光层，设于所述保护层之上，所述闪烁发光层对准所述图案化富硅介电层。

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