JP2009147203A - フォトセンサー、及びフォトセンサーの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明に係るフォトセンサーは、薄膜トランジスタ101をアレイ状に配置した素子領域102を有するTFTアレイ基板を備えたフォトセンサーであって、薄膜トランジスタ101の上部に設けられ、コンタクトホールCH1が形成されたパッシベーション膜8と、コンタクトホールCH1を介して薄膜トランジスタ101のドレイン電極7と接続するフォトダイオード100とを備え、TFTアレイ基板の素子領域の外側の周辺領域103では、パッシベーション膜8及びゲート絶縁膜3が除去され、周辺領域103のパッシベーション膜8のエッヂは、基板周辺のゲート絶縁膜3のエッヂと同じ位置、又はゲート絶縁膜3のエッヂより外側に形成されている。
【選択図】図4
Description
以下、本発明の実施の形態を示す図面に基づき具体的に説明する。図1は、本実施の形態にかかるフォトセンサーに備えられるTFTアレイ基板の平面図を示したものである。図2は、図1においてII−IIで示された箇所における断面図である。TFTアレイ基板には、受光画素がアレイ状に配列されている。各画素には、1つのフォトダイオード100と1つの薄膜トランジスタ(以下、TFTという。)101が設けられている。従って、基板上には、フォトダイオード100及びTFT101がアレイ状に配列されている。ここで、フォトダイオード100及びTFT101がアレイ状に形成された領域を素子領域とし、その外側の領域を周辺領域とする。例えば、素子領域は矩形状に形成され、周辺領域は額縁状に形成されている。そして、周辺領域は、素子領域に形成されている配線の端子部分よりも外側に形成される。従って、基板の中央に素子領域が配置され、素子領域の外側に配線の端子が形成された端子領域が配置される。さらに、端子領域の外側に周辺領域が配置される。
本実施の形態1において、フォトダイオード100の下部電極となるドレイン電極7とアモルファスシリコン膜9とを接続するコンタクトホールCH1を形成する際に、エッチング条件によっては、エッチングガスの成分がポリマーを形成し、ドレイン電極7上に再付着する場合がある。このような状態においては、フォトダイオードを構成するP(リン)をドープしたアモルファスシリコン膜9、イントリンシックのアモルファスシリコン膜10、B(ボロン)をドープしたアモルファスシリコン膜11を成膜する際に、ドレイン電極7との密着性が悪く、アモルファスシリコン膜の膜はがれが発生することがある。
実施の形態1、2において、第一パッシベーション膜8上にクリーンルーム中の雰囲気による有機汚染などにより、部分的に第一パッシベーション膜8とアモルファスシリコン膜9、10、11との密着力が低くなる場合がまれに発生する。その結果、アモルファスシリコン膜の膜剥れが発生し不良率が高くなる場合がある。
5 オーミックコンタクト層 6 ソース電極 7 ドレイン電極
8 第一パッシベーション膜 9 アモルファスシリコン膜
10 アモルファスシリコン膜 11 アモルファスシリコン膜 12 透明電極
13 第二パッシベーション膜 14 データ配線 15 バイアス配線
16 遮光層 17 第三パッシベーション膜
18 第四パッシベーション膜 20 端部
21 導電パターン 22 電極 23 ショートリング配線 24 端部
25 下部電極 26 領域 27 基板端 28〜32 エッヂ
33、34 痕跡 100 フォトダイオード 602 ゲート絶縁膜
605 ソース電極層 605 ソース電極 606 ドレイン電極層
609 カソード電極層 CH1〜CH7 コンタクトホール W1、W2 幅
102 素子領域 103 周辺領域 104 端子領域
Claims (10)
- 薄膜トランジスタをアレイ状に配置した素子領域を有するTFTアレイ基板を備えたフォトセンサーであって、
前記薄膜トランジスタの上部に設けられ、コンタクトホールが形成されたパッシベーション膜と、
前記コンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタのドレイン電極と接続するフォトダイオードとを備え、
前記TFTアレイ基板の前記素子領域の外側の周辺領域では、基板端の前記パッシベーション膜及び前記ゲート絶縁膜が除去され、
前記周辺領域の前記パッシベーション膜のエッヂは、前記周辺領域の前記ゲート絶縁膜のエッヂと同じ位置、又は前記ゲート絶縁膜のエッヂより外側に形成されているフォトセンサー。 - 前記コンタクトホールにおいて前記ドレイン電極上に形成された下部電極をさらに備え、
前記フォトダイオードは、前記下部電極を介して前記ドレイン電極に接続する請求項1に記載のフォトセンサー。 - 前記下部電極は、前記コンタクトホールの内部から前記パッシベーション膜上まで延在され、
前記フォトダイオードは、前記コンタクトホールに内包される請求項2記載のフォトセンサー。 - 前記下部電極は、前記コンタクトホールの内部から前記パッシベーション膜上まで延在され、
前記フォトダイオードは、前記コンタクトホールの外側に形成されている請求項2記載のフォトセンサー。 - 前記パッシベーション膜よりも上層にシンチレーターが形成されており、
少なくとも低ノイズアンプとA/Dコンパレータを有するデジタルボード、前記薄膜トランジスタを駆動するドライバーボード、および電荷を読み出す読み出しボードが接続されている請求項1乃至4のうちいずれか1項に記載のフォトセンサー。 - X線を前記シンチレーターにより可視光に変換することによりX線撮像表示を行う機能を有する請求項5に記載のフォトセンサー。
- 薄膜トランジスタをアレイ状に配置した素子領域及び前記素子領域の外側の周辺領域を有するTFTアレイ基板を備えたフォトセンサーの製造方法であって、
基板上に薄膜トランジスタを形成する工程と、
前記薄膜トランジスタのドレイン電極上にコンタクトホールを有するパッシべーショシ膜を形成する工程と、
前記パッシベーション膜の上にフォトセンサーを形成する工程と、を備え、
前記基板の前記薄膜トランジスタが形成された前記素子領域の外側の周辺領域では、基板端の前記パッシベーション膜及び前記ゲート絶縁膜が除去され、
前記周辺領域の前記パッシベーション膜のエッヂは、前記基板周辺の前記ゲート絶縁膜のエッヂと同じ位置、又は前記ゲート絶縁膜のエッヂより外側に形成されているフォトセンサーの製造方法。 - 前記薄膜トランジスタの上に前記パッシベーション膜を形成する工程の後に、前記パッシベーション膜をパターニングするマスクパターンにより、前記周辺領域の前記ゲート絶縁膜を除去する工程と、を更に備えた請求項7に記載のフォトセンサーの製造方法。
- 前記薄膜トランジスタのドレイン電極上にコンタクトホールを有するパッシべーショシ膜を形成する工程の後に、前記コンタクトホールの内部から前記パッシベーション膜上まで延在するよう下部電極を形成する工程を更に有し、
前記コンタクトホールにおいて、前記下部電極の上に前記フォトダイオードが内包されている請求項7又は8に記載のフォトセンサーの製造方法。 - 前記薄膜トランジスタのドレイン電極上にコンタクトホールを有するパッシべーショシ膜を形成する工程の後に、前記コンタクトホールの内部から前記パッシベーション膜上まで延在するよう下部電極を形成する工程を更に有し、
前記フォトダイオードは、前記コンタクトホールの外側に形成されている請求項7又は8に記載のフォトセンサーの製造方法。
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