JP2013258314A - 撮像装置および撮像表示システム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】光電変換素子21と電界効果型のトランジスタとを含む複数の画素を有し、光電変換素子21の周辺領域に、信号線213、214等の配線層に対向して、所定の電位に保持され、遮光性を有するグリッドメタル層211が設けられている。
【選択図】図5
Description
1.第1の実施の形態(光電変換素子よりも下層にグリッドメタル層を有する撮像装置の例)
2.変形例1(グリッドメタル層をトランジスタのゲート電極と同層とした例)
3.変形例2(グリッドメタル層をトランジスタの形成領域にも配置した例)
4.第2の実施の形態(光電変換素子よりも上層にグリッドメタル層を有する撮像装置の例)
5.変形例3(光電変換層の下層および上層にグリッドメタル層を有する場合の例)
6.変形例4−1,4−2(パッシブ型の画素回路の他の例)
7.変形例5−1,5−2(アクティブ型の画素回路の例)
8.変形例6−1,6−2(間接変換型撮像装置の例)
9.変形例7(直接変換型撮像装置の例)
10.適用例(撮像表示システムの例)
[構成]
図1は、本開示の第1の実施形態に係る撮像装置(撮像装置1)の全体のブロック構成を表すものである。撮像装置1は、入射光(撮像光)に基づいて被写体の情報を読み取る(被写体を撮像する)ものである。この撮像装置1は、例えば、撮像部11、行走査部13、A/D変換部14、列走査部15およびシステム制御部16を備えている。
撮像部11は、入射光(撮像光)に応じて電気信号を発生させるものである。この撮像部11では、画素(撮像画素,単位画素)20が、行列状(マトリクス状)に2次元配置されており、各画素20は、入射光の光量に応じた電荷量の光電荷を発生して内部に蓄積する光電変換素子(後述の光電変換素子21)を有している。尚、図1中に示したように、以下、撮像部11内における水平方向(行方向)を「H」方向とし、垂直方向(列方向)を「V」方向として説明する。
図4は、画素20の要部の平面構成例を表したものである。図5は、図4のA−A’線に対応する領域の断面構成、図6はB−A’線に対応する領域の断面構成をそれぞれ表したものである。このように、画素20には、光電変換素子21と、トランジスタ22とが配置されるが、図4には、簡便化のため、光電変換素子21の形成領域として、p型半導体層215Bのみを示し、他の構成要素の図示を省略している(図9以降の要部平平面構成例についても同様)。
このような光電変換素子21の周辺領域には、グリッドメタル層211(遮光層)が設けられている。p型半導体層215Bを囲む領域に設けられている。ここで、各画素20では、図4に示したように、例えば略矩形状(あるいは方形状)の領域の角部にトランジスタ22が配設され、このトランジスタ22の形成領域を除いた領域に光電変換素子21が形成されている。本実施の形態では、グリッドメタル層211は、この光電変換素子21の周辺領域に、その面形状に沿って、光電変換素子21(p型半導体層215B)を囲むように設けられている。また、各画素20では、これらの光電変換素子21およびトランジスタ22の形成領域を格子状に囲むように、配線層(信号線Lsig、読み出し制御線LreadおよびGND線214B)が設けられている。グリッドメタル層211の少なくとも一部は、そのような配線層に対向して設けられていることが望ましい。図4では、グリッドメタル層211の各辺と、信号線220および読み出し制御線213Aとを並行するように図示しているが、実際には、グリッドメタル層211と配線層とは対向して(重畳して)配置されている。但し、グリッドメタル層211は、信号線220とは非対向の領域に(重畳せずに)設けられることが望ましい。特にFPD(フラットパネルディスプレイ)用途では、グリッドメタル層211と信号線220との間のカップリングが増えると、いわゆるジョンソンノイズが増加するため、グリッドメタル層211と信号線220とは非重畳であることが望ましい。
本実施の形態の撮像装置1では、撮像光Linが撮像部11へ入射すると、各画素20内の光電変換素子21において、この撮像光Linが信号電荷に変換(光電変換)される。このとき、蓄積ノードNでは、光電変換により発生した信号電荷の蓄積によって、ノード容量に応じた電圧変化が生じる。具体的には、蓄積ノード容量をCs、発生した信号電荷をqとすると、蓄積ノードNでは(q/Cs)の分だけ電圧が変化(ここでは低下)する。このような電圧変化に応じて、トランジスタ22のドレインには信号電荷に対応した電圧が印加される。そして、読み出し制御線Lread(Lread1,Lread2)から供給される行走査信号に応じてトランジスタ22がオン状態になると、蓄積ノードNに蓄積された信号電荷(トランジスタ22のドレインに印加された上記信号電荷に対応した電圧)が画素20から信号線Lsigへ読み出される。
図8は、変形例1に係る画素の断面構造を表したものである。上記第1の実施の形態では、グリッドメタル層211を、p型半導体層215Bよりも下層であって、読み出し制御線213Aと基板210との間の層に設けたが、本変形例のように、グリッドメタル層(グリッドメタル層211a)が、読み出し制御線213Aと同層に設けられていてもよい。尚、グリッドメタル層211aは、上記第1の実施の形態のグリッドメタル層211と同様、光電変換素子21の周辺領域において、信号線220(Lsig)等を含む配線層に対向配置されると共に、コンタクト部a3を介してGND線214Bに接続され、p型半導体層215Bと同電位(グランド電位)に保持されている。また、グリッドメタル層211aの平面レイアウト構成についても、上記グリッドメタル層211と同様である。
図9は、変形例2に係る画素の要部平面構成を表したものである。図10は、図9のA−A’線における断面構造を表したものである。上記第1の実施の形態では、グリッドメタル層211を、光電変換素子21(p型半導体層215B)の面形状に沿って設け、トランジスタ22に対向する領域には非形成としたが、本変形例のように、グリッドメタル層211bは、トランジスタ22に対向する領域にわたって形成されていてもよい。
図11は、本開示の第2の実施形態に係る撮像装置の各画素の要部平面構成を表したものである。図12は、図11のA−A’線における断面構成を表したものである。本実施の形態における画素は、上記第1の実施の形態の画素20と同様、撮像部11に複数設けられ、1つの光電変換素子21と1つのトランジスタ22とを有している。また、光電変換素子21の周辺領域には、配線層に対向してグリッドメタル層211cが設けられている。
図13は、本開示の変形例3に係る画素の要部平面構成を表したものである。図14は、図13のA−A’線における断面構成を表したものである。尚、図14では、グリッドメタル層211の各辺と、信号線220および読み出し制御線213Aとを並行するように図示しているが、実際には、グリッドメタル層211と配線層とは対向して(重畳して)配置されている。本変形例のように、上記第1の実施の形態のグリッドメタル層211と、上記第2の実施の形態のグリッドメタル層211cとを組み合わせて用いてもよい。グリッドメタル層211は、GND線214Bに接続され、p型半導体層215Bと同じグランド電位に保持されている。一方、グリッドメタル層211cは、図示しないコンタクト部を介してGND線に接続されていてもよいし、上述したような信号線22および読み出し制御線213Aに印加される電圧パルスに応じた所定の電位に保持されていてもよい。
図15は、変形例4−1に係る画素(画素20A)の回路構成を、チャージアンプ回路171の回路構成例と共に表したものである。この画素20Aは、上記実施の形態の画素20と同様、パッシブ型の画素回路を有し、1つの光電変換素子21と1つのトランジスタ22とを有している。また、この画素20Aには読み出し制御線Lreadと、信号線Lsigとが接続されている。
図16は、変形例4−2に係る画素(画素20B)の回路構成を、チャージアンプ回路171の回路構成例と共に表したものである。この画素20Bは、上記実施の形態の画素20と同様、パッシブ型の回路構成となっており、読み出し制御線Lreadと、信号線Lsigとに接続されている。
図17は、変形例4−3に係る画素(画素20C)の回路構成を、アンプ回路171Aの回路構成例とともに表したものである。図18は、変形例4−4に係る画素(画素20D)の回路構成を、アンプ回路171Aの回路構成例とともに表したものである。これらの画素20C,20Dはそれぞれ、これまで説明した画素20,20A,20Bとは異なり、いわゆるアクティブ型の画素回路を有している。
図19は、変形例5−1に係る画素の断面構成を表したものである。本変形例では、撮像部11上(保護層219上)に、更に波長変換層112を有している。波長変換層112は、放射線Rrad(α線,β線,γ線,X線等)を、光電変換素子21の感度域に波長変換するものであり、これにより光電変換素子21では、この放射線Rradに基づく情報を読み取ることが可能となっている。この波長変換層112は、例えばX線などの放射線を可視光に変換する蛍光体(例えば、シンチレータ)からなる。このような波長変換層112は、例えば保護層219上に、有機平坦化膜、スピンオングラス材料等からなる平坦化膜を形成し、その上部に蛍光体膜(CsI、NaI、CaF2等)を形成することにより得られる。このような画素構造は、例えばいわゆる間接型の放射線撮像装置に適用される。この場合、上記第2の実施の形態において説明したグリッドメタル層211cを設けることが好適である。
図20は、変形例5−2に係る画素の断面構成を表したものである。本変形例では、基板210の裏面に、波長変換層112を有しており、基板210の裏面側から入射した放射線Rradを、波長変換層112において波長変換した後、光電変換素子21において検出するようになっている。この画素構造も、間接型の放射線撮像装置に適用される。この場合、上記第1の実施の形態において説明したグリッドメタル層211を設けることが好適である。また、この変形例5−2の画素構造は、p型半導体層215Bに低温ポリシリコンを用いた場合に成し得る構造である。上述したように、低温ポリシリコンを用いた場合には、十分な導電性が得られることから、別途金属電極を形成しなくともよいため、基板210裏面側からの光取り込みが可能となる。尚、本変形例のように、基板210の裏面側から光を取り込む場合には、基板210には、ガラス等の透明基板が用いられる。
図21は、変形例5−3に係る撮像部(撮像部11A)の概略構成を模式的に表したものである。撮像部11Aは、これまでに説明した実施の形態等と異なり、入射した放射線Rradを電気信号に変換する光電変換素子を有するものである。このような光電変換素子は、例えば、アモルファスセレン(a−Se)半導体や、カドミニウムテルル(CdTe)半導体などにより構成されている。このような構造は、例えばいわゆる直接型の放射線撮像装置に適用される。また、直接型の放射線撮像装置では、光電変換素子のリフレッシュ光(直接変換膜である半導体には残留電荷が生じるため、この残留電荷を除去するための光)として紫外線UV等を照射することがある。このような直接型の放射線撮像装置にグリッドメタル層211を採用することにより、放射線Rradの入射側とは反対側から効率的にリフレッシュ光を取り込むことが可能となる。
上記実施の形態および変形例に係る撮像装置は、以下に説明するような撮像表示システムへ適用可能である。
(1)
各々が光電変換素子と電界効果型のトランジスタとを含む複数の画素を有し、
各画素は、前記光電変換素子の周辺領域に、所定の電位に保持された遮光層を含む
撮像装置。
(2)
前記周辺領域には、信号線および読み出し制御線を含む配線層が設けられ、
前記遮光層は、前記配線層に対向配置されている
上記(1)に記載の撮像装置。
(3)
前記光電変換素子は、基板上に設けられると共に、前記基板側から順に第1の導電型半導体層、真性半導体層および第2の導電型半導体層を有し、
前記遮光層は、前記光電変換素子の周辺領域であって、前記第1の導電型半導体層と前記基板との間の層に設けられ、前記第1の導電型半導体層と同電位に保持されている
上記(2)に記載の撮像装置。
(4)
前記遮光層および前記第1の導電型半導体層は所定のDC電位に保持されている
上記(3)に記載の撮像装置。
(5)
前記遮光層は、前記トランジスタのゲート電極と前記基板との間の層に設けられている
上記(3)または(4)に記載の撮像装置。
(6)
前記遮光層は、前記トランジスタのゲート電極と同層に設けられている
上記(3)または(4)に記載の撮像装置。
(7)
前記第1の導電型半導体層は低温ポリシリコンを含む
上記(3)〜(6)のいずれかに記載の撮像装置。
(8)
前記遮光層は、前記配線層および前記トランジスタに対向する領域にわたって設けられている
上記(2)に記載の撮像装置。
(9)
前記光電変換素子は、基板上に設けられると共に、前記基板側から順に第1の導電型半導体層、真性半導体層および第2の導電型半導体層を有し、
前記遮光層は、前記光電変換素子の周辺領域であって、前記第2の導電型半導体層よりも上層に設けられ、グランド電位に保持されている
上記(2)に記載の撮像装置。
(10)
前記光電変換素子は、基板上に設けられると共に、前記基板側から順に第1の導電型半導体層、真性半導体層および第2の導電型半導体層を有し、
前記遮光層は、前記光電変換素子の周辺領域であって、前記第2の導電型半導体層よりも上層に設けられ、走査線および信号線へそれぞれ印加される電圧パルスに応じて設定された電位に保持されている
上記(2)に記載の撮像装置。
(11)
前記光電変換素子は、基板上に設けられると共に、前記基板側から順に第1の導電型半導体層、真性半導体層および第2の導電型半導体層を有し、
前記遮光層は、前記光電変換素子の周辺領域であって、前記第1の導電型半導体層と前記基板との間の層と、前記第2の導電型半導体層よりも上層にそれぞれ設けられている
上記(2)に記載の撮像装置。
(12)
前記光電変換素子は基板上に設けられ、
前記基板の裏面に、放射線を前記光電変換素子の感度域の波長に変換する波長変換層を備えた
上記(2)〜(11)のいずれかに記載の撮像装置。
(13)
前記光電変換素子は基板上に設けられ、
前記光電変換素子上に、放射線を前記光電変換素子の感度域の波長に変換する波長変換層を備えた
上記(2)〜(11)のいずれかに記載の撮像装置。
(14)
前記光電変換素子は、入射した放射線に基づいて電気信号を発生するものである
上記(2)〜(11)のいずれかに記載の撮像装置。
(15)
前記放射線はX線である
上記(12)〜(14)のいずれかに記載の撮像装置。
(16)
撮像装置と、この撮像装置により得られた撮像信号に基づく画像表示を行う表示装置とを備え、
前記撮像装置は、
各々が光電変換素子と電界効果型のトランジスタとを含む複数の画素を有し、
各画素は、前記各光電変換素子の周辺領域に、所定の電位に保持された遮光層を含む
撮像表示システム。
Claims (16)
- 各々が光電変換素子と電界効果型のトランジスタとを含む複数の画素を有し、
各画素は、前記光電変換素子の周辺領域に、所定の電位に保持された遮光層を含む
撮像装置。 - 前記周辺領域には、信号線および読み出し制御線を含む配線層が設けられ、
前記遮光層は、前記配線層に対向配置されている
請求項1に記載の撮像装置。 - 前記光電変換素子は、基板上に設けられると共に、前記基板側から順に第1の導電型半導体層、真性半導体層および第2の導電型半導体層を有し、
前記遮光層は、前記光電変換素子の周辺領域であって、前記第1の導電型半導体層と前記基板との間の層に設けられ、前記第1の導電型半導体層と同電位に保持されている
請求項2に記載の撮像装置。 - 前記遮光層および前記第1の導電型半導体層は所定のDC電位に保持されている
請求項3に記載の撮像装置。 - 前記遮光層は、前記トランジスタのゲート電極と前記基板との間の層に設けられている
請求項3に記載の撮像装置。 - 前記遮光層は、前記トランジスタのゲート電極と同層に設けられている
請求項3に記載の撮像装置。 - 前記第1の導電型半導体層は低温ポリシリコンを含む
請求項3に記載の撮像装置。 - 前記遮光層は、前記配線層および前記トランジスタに対向する領域にわたって設けられている
請求項2に記載の撮像装置。 - 前記光電変換素子は、基板上に設けられると共に、前記基板側から順に第1の導電型半導体層、真性半導体層および第2の導電型半導体層を有し、
前記遮光層は、前記光電変換素子の周辺領域であって、前記第2の導電型半導体層よりも上層に設けられ、グランド電位に保持されている
請求項2に記載の撮像装置。 - 前記光電変換素子は、基板上に設けられると共に、前記基板側から順に第1の導電型半導体層、真性半導体層および第2の導電型半導体層を有し、
前記遮光層は、前記光電変換素子の周辺領域であって、前記第2の導電型半導体層よりも上層に設けられ、走査線および信号線へそれぞれ印加される電圧パルスに応じて設定された電位に保持されている
請求項2に記載の撮像装置。 - 前記光電変換素子は、基板上に設けられると共に、前記基板側から順に第1の導電型半導体層、真性半導体層および第2の導電型半導体層を有し、
前記遮光層は、前記光電変換素子の周辺領域であって、前記第1の導電型半導体層と前記基板との間の層と、前記第2の導電型半導体層よりも上層にそれぞれ設けられている
請求項2に記載の撮像装置。 - 前記光電変換素子は基板上に設けられ、
前記基板の裏面に、放射線を前記光電変換素子の感度域の波長に変換する波長変換層を備えた
請求項2に記載の撮像装置。 - 前記光電変換素子は基板上に設けられ、
前記光電変換素子上に、放射線を前記光電変換素子の感度域の波長に変換する波長変換層を備えた
請求項2に記載の撮像装置。 - 前記光電変換素子は、入射した放射線に基づいて電気信号を発生するものである
請求項2に記載の撮像装置。 - 前記放射線はX線である
請求項12に記載の撮像装置。 - 撮像装置と、この撮像装置により得られた撮像信号に基づく画像表示を行う表示装置とを備え、
前記撮像装置は、
各々が光電変換素子と電界効果型のトランジスタとを含む複数の画素を有し、
各画素は、前記各光電変換素子の周辺領域に、所定の電位に保持された遮光層を含む
撮像表示システム。
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