JP5739359B2 - 撮像装置およびその製造方法ならびに撮像表示システム - Google Patents

撮像装置およびその製造方法ならびに撮像表示システム Download PDF

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Description

本開示は、光電変換素子を含むセンサー基板を有する撮像装置およびその製造方法、ならびにそのような撮像装置を備えた撮像表示システムに関する。
従来、各画素（撮像画素）に光電変換素子（フォトダイオード）を内蔵する撮像装置として、種々のものが提案されている。そのような光電変換素子を有する撮像装置の一例としては、いわゆる光学式のタッチパネルや、放射線撮像装置（例えば、特許文献１参照）などが挙げられる。
特開２００９−２３１３９９号公報
ところで、上記したような撮像装置では一般に、複数の画素を駆動（撮像駆動）することによって撮像画像が得られる。このようにして得られる撮像画像の画質を向上させるための手法についても従来より種々のものが提案されているが、更なる改善手法の提案が望まれる。
本開示はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、撮像画像の画質を向上させることが可能な撮像装置およびその製造方法、ならびにそのような撮像装置を備えた撮像表示システムを提供することにある。
本開示の撮像装置は、センサー基板を備えたものである。このセンサー基板は、基板上に形成された複数の光電変換素子およびその駆動素子と、光電変換素子において得られた撮像信号を駆動素子を介して読み出すための信号線と、駆動素子と信号線との間を電気的に接続して中継する中継電極とを有している。第一の態様に係る撮像装置では、前記光電変換素子は、下部電極、光電変換層および上部電極がこの順に積層されてなり、前記中継電極は、前記下部電極と同一層に形成されている。第二の態様に係る撮像装置では、前記駆動素子が、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を有する薄膜トランジスタであり、前記ソース電極が前記中継電極と電気的に接続されると共に、前記ドレイン電極が前記光電変換素子と電気的に接続されており、前記信号線は、前記ゲート電極と同一層に形成されている。第三の態様に係る撮像装置では、前記中継電極と前記駆動素子との間、および、前記中継電極と前記信号線との間はそれぞれ、コンタクト部を介して電気的に接続されている。
本開示の撮像表示システムは、上記本開示の撮像装置と、この撮像装置により得られた撮像信号に基づく画像表示を行う表示装置とを備えたものである。
本開示の撮像装置の製造方法は、センサー基板を形成する工程を含むようにしたものである。このセンサー基板を形成する工程は、基板上に複数の光電変換素子およびその駆動素子を形成する工程と、光電変換素子において得られた撮像信号を前記駆動素子を介して読み出すための信号線を形成する工程と、駆動素子と信号線との間を電気的に接続して中継する中継電極を形成する工程とを含んでいる。
本開示の撮像装置およびその製造方法ならびに撮像表示システムでは、センサー基板において、光電変換素子の駆動素子と、この光電変換素子において得られた撮像信号を駆動素子を介して読み出すための信号線との間を電気的に接続して中継する中継電極が設けられる。このような中継電極により、光電変換素子と信号線との間に形成されるカップリング容量が小さくなり、撮像信号におけるノイズ成分が低減する。
本開示の撮像装置およびその製造方法ならびに撮像表示システムによれば、センサー基板において、光電変換素子の駆動素子と、この光電変換素子において得られた撮像信号を駆動素子を介して読み出すための信号線との間を電気的に接続して中継する中継電極を設けるようにしたので、撮像信号におけるノイズ成分を低減することができる。よって、撮像画像の画質を向上させることが可能となる。
本開示の一実施の形態に係る放射線撮像装置の構成例を表す断面図である。 図１に示したセンサー基板の構成例を表すブロック図である。 図１に示したセンサー基板の構成例を表す平面図である。 図３中に示したＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面構成例を表す図である。 図３に示したセンサー基板における一部分を拡大して表す平面模式図である。 図５中に示したＩＶ−ＩＶ線に沿った断面構成の一部分を表す模式図である。 図１に示した放射線撮像装置の製造方法における一工程を表す断面図である。 図７に続く工程を表す断面図である。 図８に続く工程を表す断面図である。 図９に続く工程を表す断面図である。 図１０に続く工程を表す断面図である。 図１１に続く工程を表す断面図である。 比較例に係る放射線撮像装置の構成および作用を表す断面図である。 図１３に示したセンサー基板における平面構成の一部分を拡大して表す模式図である。 図１４中に示したＶ−Ｖ線に沿った断面構成の一部分を表す模式図である。 変形例に係る放射線撮像装置におけるセンサー基板の断面構成例を表す模式図である。 適用例に係る放射線撮像表示システムの概略構成を表す模式図である。 その他の変形例に係る撮像装置の概略構成を表す模式図である。
以下、本開示の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。

１．実施の形態（連続的に形成された中継電極を有する放射線撮像装置の例）
２．変形例（分離部を介して一対の中継電極が形成されている放射線撮像装置の例）
３．適用例（放射線撮像表示システムへの適用例）
４．その他の変形例（放射線撮像装置以外の撮像装置の例等）
＜実施の形態＞
［放射線撮像装置１の断面構成］
図１は、本開示の一実施の形態に係る撮像装置（放射線撮像装置１）の断面構成例を表すものである。放射線撮像装置１は、α線、β線、γ線、Ｘ線に代表される放射線を波長変換して受光し、放射線に基づく画像情報を読み取る（被写体を撮像する）ものである。この放射線撮像装置１は、医療用をはじめ、手荷物検査等のその他の非破壊検査用のＸ線撮像装置として好適に用いられるものである。
放射線撮像装置１は、センサー基板１０上に後述する波長変換部材２０が配設されたものである。これらのセンサー基板１０および波長変換部材２０は、別々のモジュールとして作製されたものである。
センサー基板１０は、複数の画素（後述する単位画素Ｐ）を有している。このセンサー基板１０は、基板１１の表面に、複数のフォトダイオード１１１Ａ（光電変換素子）と、このフォトダイオード１１１Ａの駆動素子としての薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）１１１Ｂとを含む画素回路が形成されたものである。本実施の形態では、これらのフォトダイオード１１１Ａおよび薄膜トランジスタ１１１Ｂは、ガラス等よりなる基板１１上に並設されており、それらの一部（ここでは、後述のゲート絶縁膜１２１，第１層間絶縁膜１１２Ａ，第２層間絶縁膜１１２Ｂ）が互いに共通の層となっている。
ゲート絶縁膜１２１は、基板１１上に設けられており、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ2）膜、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）膜および窒化シリコン膜（ＳｉＮ）のうちの１種よりなる単層膜またはそれらのうちの２種以上よりなる積層膜により構成されている。
第１層間絶縁膜１１２Ａは、ゲート絶縁膜１２１上に設けられており、例えば酸化シリコン膜または窒化シリコン膜等の絶縁膜からなる。この第１層間絶縁膜１１２Ａはまた、後述する薄膜トランジスタ１１１Ｂ上を覆う保護膜（パッシベーション膜）としても機能するようになっている。
（フォトダイオード１１１Ａ）
フォトダイオード１１１Ａは、入射光の光量（受光量）に応じた電荷量の電荷（光電荷）を発生して内部に蓄積する光電変換素子であり、例えばＰＩＮ（Positive Intrinsic Negative Diode）型のフォトダイオードからなる。フォトダイオード１１１Ａでは、その感度域が例えば可視域となっている（受光波長帯域が可視域である）。このフォトダイオード１１１Ａは、例えば、基板１１上の選択的な領域に、ゲート絶縁膜１２１および第１層間絶縁膜１１２Ａを介して配設されている。
具体的には、フォトダイオード１１１Ａは、第１層間絶縁膜１１２Ａ上に、下部電極１２４、ｎ型半導体層１２５Ｎ、ｉ型半導体層１２５Ｉ、ｐ型半導体層１２５Ｐおよび上部電極１２６がこの順に積層されてなる。これらのうち、ｎ型半導体層１２５Ｎ、ｉ型半導体層１２５Ｉおよびｐ型半導体層１２５Ｐが、本開示における「光電変換層」の一具体例に対応する。なお、ここでは、基板側（下部側）にｎ型半導体層１２５Ｎ、上部側にｐ型半導体層１２５Ｐをそれぞれ設けた例を挙げたが、これと逆の構造、すなわち下部側（基板側）をｐ型半導体層、上部側をｎ型半導体層とした構造であってもよい。
下部電極１２４は、光電変換層（ｎ型半導体層１２５Ｎ，ｉ型半導体層１２５Ｉ，ｐ型半導体層１２５Ｐ）から信号電荷を読み出すための電極であり、ここでは薄膜トランジスタ１１１Ｂにおける後述するドレイン電極１２３Ｄに接続されている。このような下部電極１２４は、例えば、モリブデン（Ｍｏ），アルミニウム（Ａｌ），モリブデンが積層された３層構造（Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ）からなる。
ｎ型半導体層１２５Ｎは、例えば非晶質シリコン（アモルファスシリコン：ａ−Ｓｉ）により構成され、ｎ＋領域を形成するものである。このｎ型半導体層１２５Ｎの厚みは、例えば１０ｎｍ〜５０ｎｍ程度である。
ｉ型半導体層１２５Ｉは、ｎ型半導体層１２５Ｎおよびｐ型半導体層１２５Ｐよりも導電性の低い半導体層、例えばノンドープの真性半導体層であり、例えば非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）により構成されている。このｉ型半導体層１２５Ｉの厚みは、例えば４００ｎｍ〜１０００ｎｍ程度であるが、厚みが大きい程、光感度を高めることができる。
ｐ型半導体層１２５Ｐは、例えば非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）により構成され、ｐ＋領域を形成するものである。このｐ型半導体層１２５Ｐの厚みは、例えば４０ｎｍ〜５０ｎｍ程度である。
上部電極１２６は、例えば光電変換の際の基準電位（バイアス電位）を前述した光電変換層へ供給するための電極であり、基準電位供給用の電源配線である配線層１２７に接続されている。この上部電極１２６は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電膜により構成されている。
（薄膜トランジスタ１１１Ｂ）
薄膜トランジスタ１１１Ｂは、例えば電界効果トランジスタ（ＦＥＴ：Field Effect Transistor）からなる。この薄膜トランジスタ１１Ｂでは、基板１１上に、例えばチタン（Ｔｉ），Ａｌ，Ｍｏ，タングステン（Ｗ），クロム（Ｃｒ）等からなるゲート電極１２０が形成され、このゲート電極１２０上に前述したゲート絶縁膜１２１が形成されている。
また、ゲート絶縁膜１２１上には半導体層１２２が形成されており、この半導体層１２２はチャネル領域を有している。半導体層１２２は、例えば多結晶シリコン、微結晶シリコンまたは非晶質シリコンにより構成されている。あるいは、酸化インジウムガリウム亜鉛（ＩｎＧａＺｎＯ）または酸化亜鉛（ＺｎＯ）等の酸化物半導体により構成されていてもよい。
このような半導体層１２２上には、ソース電極１２３Ｓおよびドレイン電極１２３Ｄが形成されている。具体的には、ここでは、ドレイン電極１２３Ｄがフォトダイオード１１１Ａにおける下部電極１２４に接続され、ソース電極１２３Ｓが、図１中に示した後述する中継電極１２８等を介して後述する垂直信号線１８（図１中に図示せず）に接続されている。これらのソース電極１２３Ｓおよびドレイン電極１２３Ｄはそれぞれ、例えば、Ｔｉ，Ａｌ，Ｍｏ，Ｗ，Ｃｒ等により構成されている。また、詳細は後述するが、上記した中継電極１２８は、ここでは図１に示したように、フォトダイオード１１１Ａにおける下部電極１２４と同一層（第１層間絶縁膜１１２Ａ上）に同一材料にて形成されている。
センサー基板１０ではまた、このようなフォトダイオード１１１Ａおよび薄膜トランジスタ１１１Ｂの上層に、第２層間絶縁膜１１２Ｂ、第１平坦化膜１１３Ａ、保護膜１１４および第２平坦化膜１１３Ｂがこの順に設けられている。
第２層間絶縁膜１１２Ｂは、中継電極１２８上および薄膜トランジスタ１１１Ｂ上と、フォトダイオード１１１Ａにおける側面および上面（上部電極１２７上）の端部とを覆うように設けられている。この第２層間絶縁膜１１２Ｂは、例えば酸化シリコン膜または窒化シリコン膜等の絶縁膜からなる。
第１平坦化膜１１３Ａは、フォトダイオード１１１Ａおよび薄膜トランジスタ１１１Ｂの上層側に配設されており、例えばポリイミド等の透明樹脂材料からなる。この第１平坦化膜１１３Ａの厚みは、フォトダイオード１１１Ａの形成領域を除いた部分（平坦部）において、例えば２．１μｍ程度以下である。この第１平坦化膜１１３Ａにはまた、フォトダイオード１１１Ａの形成領域付近に対応して、開口部Ｈ１が形成されている。この開口部Ｈ１の側面はテーパ状となっており、この側面はフォトダイオード１１１Ａの上部電極１２６上に配置されている。
保護膜１１４は、上部電極１２６、配線層１２７および第１平坦化膜１１３Ａ上の全面に設けられており、例えば酸化シリコン膜または窒化シリコン膜等の絶縁膜からなる。
第２平坦化膜１１３Ｂは、保護膜１１４上の全面に設けられており、例えばポリイミド等の透明樹脂材料からなる。
（波長変換部材２０）
波長変換部材２０は、前述したように、センサー基板１０とは別のモジュールとして作製されたものであり、例えばシンチレータプレート（シンチレータパネル）等からなる。つまり、この波長変換部材２０は平板状（プレート状）の部材であり、例えばガラスなどの透明な基板上にシンチレータ層（波長変換層）が設けられたものである。このシンチレータ層上には、更に防湿性を有する保護膜が形成されていてもよく、あるいはシンチレータ層および基板の全体を覆うように保護膜が設けられていてもよい。
このような波長変換部材２０には、例えば放射線（Ｘ線）を可視光に変換するシンチレータ（蛍光体）が用いられる。換言すると、波長変換部材２０は、外部から入射した放射線（Ｘ線）を光電変換素子１１１Ａの感度域（可視域）に波長変換する機能を有している。このような蛍光体としては、例えば、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）にタリウム（Ｔｌ）を添加したもの（ＣｓＩ；Ｔｌ）、酸化硫黄カドミウム（Ｇｄ2Ｏ2Ｓ）にテルビウム（Ｔｂ）を添加したもの、ＢａＦＸ（ＸはＣｌ，Ｂｒ，Ｉ等）等が挙げられる。シンチレータ層の厚みは１００μｍ〜６００μｍであることが望ましい。例えば蛍光体材料としてＣｓＩ；Ｔｌを用いた場合には、厚みは例えば６００μｍである。なお、このシンチレータ層は、透明基板上に例えば真空蒸着法を用いて成膜することができる。ここでは、波長変換部材２０として上記のようなシンチレータプレートを例示したが、放射線をフォトダイオード１１１Ａの感度域に波長変換可能な波長変換部材であればよく、上述の材料に特に限定されない。
［センサー基板１０の詳細構成］
図２は、上記のようなセンサー基板１０の機能ブロック構成を表したものである。センサー基板１０は、基板１１上に、撮像領域（撮像部）としての画素部１２を有すると共に、この画素部１２の周辺領域に、例えば行走査部１３、水平選択部１４、列走査部１５およびシステム制御部１６からなる周辺回路（駆動回路）を有している。
（画素部１２）
画素部１２は、例えば行列状に２次元配置された単位画素Ｐ（以下、単に「画素」と記述する場合もある）を有し、単位画素Ｐは、前述のフォトダイオード１１１Ａおよび薄膜トランジスタ１１１Ｂを含んでいる。この単位画素Ｐには、例えば画素行ごとに画素駆動線１７（例えば行選択線およびリセット制御線等：ゲート線）が配線され、画素列ごとに垂直信号線１８が配線されている。画素駆動線１７は、単位画素Ｐから撮像信号を読み出すための駆動信号を伝送するものである。この画素駆動線１７の一端は、行走査部１３の各行に対応した出力端に接続されている。一方、垂直信号線１８は、単位画素Ｐ内のフォトダイオード１１１Ａから薄膜トランジスタ１１１Ｂ（および後述する中継電極１２８等）を介して撮像信号を読み出すためのものである。なお、この垂直信号線１８が、本開示における「信号線」の一具体例に対応する。
ここで図３は、センサー基板１０（画素部１２）における単位画素Ｐの平面構成例を表したものである。このように単位画素Ｐでは、薄膜トランジスタ１１１Ｂ（駆動素子）におけるドレイン電極１２３Ｄが、フォトダイオード１１１Ａにおける下部電極１２４に接続されている。また、ソース電極１２３Ｓが、コンタクト部ＣＴ１を介して後述する中継電極１２８と電気的に接続され、更にこの中継電極１２８がコンタクト部ＣＴ２を介して垂直信号線１８と電気的に接続されている。すなわち、垂直信号線１８は、中継電極１８およびコンタクト部ＣＴ１，ＣＴ２を介して、薄膜トランジスタ１１１Ｂにおけるソース電極１２３Ｓと電気的に接続されている。なお、この図３中に示したＩＩ−ＩＩ線に沿った断面構成例が、図１に示したセンサー基板１０の断面構成に対応している。
一方、図４は、図３中に示したＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った、センサー基板１０の断面構成例を表したものである。この図４に示した断面構成は、基本的には図１に示した断面構成と同様であるが、基板１１上において薄膜トランジスタ１１１Ｂの代わりに垂直信号線１８が形成されている。具体的には、基板１１とゲート絶縁膜１２１との間の選択的な領域（図１における薄膜トランジスタ１１１Ｂの形成領域に対応）に、垂直信号線１８が設けられている。つまり、ここでは垂直信号線１８は、ゲート電極１２０およびこれに接続された画素駆動線１７（ゲート線）と、同一層に同一材料にて形成されている。
また、図５は、図３に示したセンサー基板１０の平面構成の一部分を拡大して模式的に表したものであり、図６は、図５中のＩＶ−ＩＶ線に沿った断面構成の一部分を模式的に表したものである。図３〜図６に示したように、本実施の形態のセンサー基板１０では、薄膜トランジスタ１１１Ｂと垂直信号線１８との間を電気的に接続して中継する中継電極（ブリッジ電極）１２８が設けられている。この中継電極１２８は、各画素Ｐ内のフォトダイオード１１１Ａに対応して設けられた薄膜トランジスタ１１１Ａごとに、この薄膜トランジスタ１１１Ａの形成領域付近（近傍）に局所的に形成されている。また、ここでは中継電極１２８は、各画素Ｐごとに連続的（一体的）に形成された構造となっている。この中継電極１２８は、垂直信号線１８、ソース電極１２３Ｓおよびドレイン電極１２３Ｄ、ならびにゲート電極１２０の各々よりも上層側（具体的には、フォトダイオード１１１Ａの下部電極１２４と同一層）に、垂直信号線１８に沿って延在するように形成されている。このような中継電極１２８は、後述するように、例えば下部電極１２４と同一工程にて同一の材料（例えば、Ｍｏ，Ａｌ，Ｍｏが積層された３層構造（Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ））により形成されるようになっている。
（周辺回路）
図２に示した行走査部１３は、シフトレジスタやアドレスデコーダ等によって構成され、画素部１２の各画素Ｐを、例えば行単位で駆動する画素駆動部である。行走査部１３によって選択走査された画素行の各画素Ｐから出力される信号（撮像信号）は、垂直信号線１８の各々を通して水平選択部１４に供給される。
水平選択部１４は、垂直信号線１８ごとに設けられたアンプや水平選択スイッチ等によって構成されている。
列走査部１５は、シフトレジスタやアドレスデコーダ等によって構成され、水平選択部１４の各水平選択スイッチを走査しつつ順番に駆動するものである。この列走査部１５による選択走査により、垂直信号線１８の各々を通して伝送される各画素の信号が順番に水平信号線１９に出力され、この水平信号線１９を通して基板１１の外部へ伝送されるようになっている。
なお、これらの行走査部１３、水平選択部１４、列走査部１５および水平信号線１９からなる回路部分は、基板１１上に直に形成されていてもよいし、あるいは外部制御ＩＣ（Integrated Circuit）に配設されたものであってもよい。また、それらの回路部分は、ケーブル等により接続された他の基板に形成されていてもよい。
システム制御部１６は、基板１１の外部から与えられるクロックや、動作モードを指令するデータなどを受け取り、また、放射線撮像装置１の内部情報などのデータを出力するものである。システム制御部１６は更に、各種のタイミング信号を生成するタイミングジェネレータを有し、このタイミングジェネレータで生成された各種のタイミング信号を基に、行走査部１３、水平選択部１４および列走査部１５などの周辺回路の駆動制御を行うようになっている。
［撮像装置１の製造方法］
上記のような放射線撮像装置１は、例えば次のようにして製造することができる。図７〜図１２は、放射線撮像装置１の製造方法（特にセンサー基板１０の製造方法）の一例を、工程順に断面図で表したものである。
最初に、センサー基板１０を作製する。具体的には、まず図７（Ａ）に示したように、例えばガラスよりなる基板１１上に、薄膜トランジスタ１１１Ｂを、公知の薄膜プロセスにより形成する。続いて、この薄膜トランジスタ１１１Ｂ上に、前述した材料からなる第１層間絶縁膜１１２Ａを、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition：化学気相成長）法およびフォトリソグラフィ法を用いて形成する。そののち、薄膜トランジスタ１１１Ｂにおけるドレイン電極１２３Ｄと電気的に接続するようにして、前述した材料からなる下部電極１２４を、例えばスパッタ法およびフォトリソグラフィ法を用いて形成する。
また、このとき図７（Ｂ）に示したように、垂直信号線１８を、例えば薄膜トランジスタ１１１Ｂにおけるゲート電極１２０および画素駆動線１７（ゲート線）と、同一工程にて同一の材料により形成する。更に、このとき図７（Ａ）に示したように、中継電極１２８を、例えばフォトダイオード１１１Ａにおける下部電極１２４と同一工程にて同一の材料により形成する。そして前述したように、中継電極１８およびコンタクト部ＣＴ１，ＣＴ２を介して、垂直信号線１８と薄膜トランジスタ１１１Ｂにおけるソース電極１２３Ｓとが電気的に接続されるようにする。
次いで、図８に示したように、第１層間絶縁膜１１２Ａ上の全面に、前述した材料からなるｎ型半導体層１２５Ｎ、ｉ型半導体層１２５Ｉおよびｐ型半導体層１２５Ｐをこの順に、例えばＣＶＤ法により成膜する。そののち、ｐ型半導体層１２５Ｐ上のフォトダイオード１１１Ａの形成予定領域に、前述した材料からなる上部電極１２６を、例えばスパッタ法およびフォトリソグラフィ法を用いて形成する。
続いて、図９に示したように、形成したｎ型半導体層１２５Ｎ、ｉ型半導体層１２５Ｉおよびｐ型半導体層１２５Ｐの積層構造を、例えばドライエッチング法を用いて、所定の形状にパターニングする。これにより、基板１１上にフォトダイオード１１１Ａが形成される。
次いで、図１０に示したように、前述した材料からなる第２層間絶縁膜１１２Ｂを、例えばＣＶＤ法およびフォトリソグラフィ法を用いて、中継電極１２８上および薄膜トランジスタ１１１Ｂ上と、フォトダイオード１１１Ａにおける側面および上面（上部電極１２７上）の端部とを覆うように形成する。そののち、この第２層間絶縁膜１１２Ｂ上（フォトダイオード１１１Ａおよび薄膜トランジスタ１１１Ｂの上層側）の全面に、前述した材料からなる第１平坦化膜１１３Ａを、例えばＣＶＤ法を用いて成膜する。そして、例えばフォトリソグラフィ法を用いてエッチング（ドライエッチング等）を行うことにより、この第１平坦化膜１１３Ａにおけるフォトダイオード１１１Ａの形成領域に対応して開口部Ｈ１を形成する。
続いて、図１１に示したように、第１平坦化膜１１３Ａにおける開口部Ｈ１内（上部電極１２６上）に、例えばＡｌ，Ｃｕ等からなる配線層１２７を、例えばスパッタ法およびフォトリソグラフィ法を用いて形成する。
そののち、図１２に示したように、第１平坦化膜１１３Ａ、上部電極１２６および配線層１２７上の全面に、前述した材料からなる保護膜１１４および第２平坦化膜１１３Ｂをこの順に、例えばＣＶＤ法を用いて成膜する。これにより、図１に示したセンサー基板１０が完成する。
最後に、前述した製法にて別途作製した波長変換部材２０を、センサー基板１０上に貼り合わせる（例えば、画素部１２の周辺領域をシール材等により接着するか、または、画素部１２周辺あるいはパネル全面を押さえて固定する）。これにより、図１に示した放射線撮像装置１が完成する。
［撮像装置１の作用・効果］
（１．撮像動作）
この放射線撮像装置１では、例えば図示しない放射線源（例えばＸ線源）から照射され、被写体（検出体）を透過した放射線が入射すると、この入射した放射線が波長変換後に光電変換され、被写体の画像が電気信号（撮像信号）として得られる。詳細には、放射線撮像装置１に入射した放射線は、まず、波長変換部材２０において、フォトダイオード１１１Ａの感度域（ここでは可視域）の波長に変換される（波長変換部材２０において可視光を発光する）。このようにして波長変換部材２０から発せられた可視光は、センサー基板１０へ入射する。
センサー基板１０では、フォトダイオード１１１Ａの一端（例えば、上部電極１２６）に、配線１２７を介して所定の基準電位（バイアス電位）が印加されると、上部電極１２６の側から入射した光が、その受光量に応じた電荷量の信号電荷に変換される（光電変換がなされる）。この光電変換によって発生した信号電荷は、フォトダイオード１１１Ａの他端（例えば、下部電極１２４）側から光電流として取り出される。
詳細には、フォトダイオード１１１Ａにおける光電変換によって発生した電荷は光電流として読み出され、薄膜トランジスタ１１１Ｂから撮像信号として出力される。このようにして出力された撮像信号は、行走査部１３から画素駆動線１７を介して伝送される行走査信号に従って、垂直信号線１８に出力される（読み出される）。垂直信号線１８に出力された撮像信号は、垂直信号線１８を通じて画素列ごとに、水平選択部１４へ出力される。そして、列走査部１５による選択走査により、垂直信号線１８の各々を通して伝送される各画素の撮像信号が順番に水平信号線１９に出力され、この水平信号線１９を通して基板１１の外部へ伝送される（出力データＤoutが外部へ出力される）。以上のようにして、放射線撮像装置１において放射線を用いた撮像画像が得られる。
（２．中継電極１２８の作用）
ここで、図１，図３〜図６，図１３〜図１５を参照して、本実施の形態の放射線撮像装置１における中継電極１２８の作用について、比較例と比較しつつ詳細に説明する。
（比較例）
図１３は、比較例に係る放射線撮像装置（放射線撮像装置１００）の断面構成を表したものである。この比較例の放射線撮像装置１００は、図４に示した本実施の形態の放射線撮像装置１において、前述した中継電極１２８を有するセンサー基板１０の代わりに、このような中継電極１２８を有さないセンサー基板１０１が設けられたものである。
また、図１４は、この比較例のセンサー基板１０１における平面構成の一部分を拡大して模式的に表したものであり、図１５は、図１４中のＶ−Ｖ線に沿った断面構成の一部分を模式的に表したものである。図１３〜図１５に示したように、センサー基板１０１では、垂直信号線１８が、薄膜トランジスタ１１１Ｂにおけるソース電極１２３Ｓと同一層に形成され、このソース電極１２３Ｓと直接接続されている。つまり、垂直信号線１８がソース線として機能している。
このようにして放射線撮像装置１００では、センサー基板１０１において中継電極１２８が設けられていない（薄膜トランジスタ１１１Ｂのソース電極１２３Ｓと垂直信号線１８とが直接接続されている）ため、以下の理由により撮像画像の画質劣化が生じてしまう。
すなわち、まず、例えば図１４中に示したように、フォトダイオード１１１Ａと垂直信号線１８との距離ｄpsが、相対的に短くなる（垂直信号線１８が、フォトダイオード１１１Ａと相対的に近い位置に配置されることとなる）。このため、例えば図１３中に模式的に示したように、フォトダイオード１１１Ａ（具体的には下部電極１２４）と垂直信号線１８との間に、大きなカップリング容量Ｃ１０１が形成される。そして、この大きなカップリング容量Ｃ１０１に起因して、垂直信号線１８上を伝達する撮像信号（フォトダイオード１１１Ａから薄膜トランジスタ１１１Ｂを介して読み出された信号）におけるノイズ成分が増大してしまう。その結果、撮像信号におけるＳ／Ｎ比が低下し、撮像画像の画質劣化につながるのである。
（本実施の形態）
これに対して本実施の形態の放射線撮像装置１では、センサー基板１０において、薄膜トランジスタ１１１Ｂ（ソース電極１２３Ｓ）と垂直信号線１８との間を電気的に接続して中継する中継電極１２８が設けられている。
これにより、図５中に示したフォトダイオード１１１Ａと垂直信号線１８との距離ｄpsが、上記比較例（図１４参照）と比べて相対的に長くなる（垂直信号線１８が、フォトダイオード１１１Ａと相対的に離れた位置に配置されることとなる）。したがって、このような中継電極１２８が設けられていない上記比較例と比べ、フォトダイオード１１１Ａ（下部電極１２４）と垂直信号線１８との間に形成されるカップリング容量が小さくなり、垂直信号線１８上を伝達する撮像信号におけるノイズ成分が低減する。このようにして撮像信号におけるノイズ成分が低減する結果、上記比較例と比べてＳ／Ｎ比が向上し、撮像画像の画質が向上する。
また、ここではこのような中継電極１２８が、フォトダイオード１１１Ａの下部電極１２４と同一層に形成されている（下部電極１２４と同一工程にて同一の材料により形成される）。これにより、製造の際の工程数を増加させることなく中継電極１２８の形成が可能となり、製造コストの増加が回避される。更に、ここでは垂直信号線１８が、ゲート電極１２０および画素駆動線１７（ゲート線）と同一層に形成（同一工程にて同一の材料にて形成）されている。すなわち、垂直信号線１８がソース電極１２３Ｓおよびドレイン電極１２３Ｄと同一層に形成されている上記比較例とは、異なる層に垂直信号線１８が形成されている。
以上のように本実施の形態では、センサー基板１０において、フォトダイオード１１１Ａの駆動素子（薄膜トランジスタ１１１Ｂ）と、このフォトダイオード１１１Ａにおいて得られた撮像信号を薄膜トランジスタ１１１Ｂを介して読み出すための垂直信号線１８との間を電気的に接続して中継する中継電極１２８を設けるようにしたので、撮像信号におけるノイズ成分を低減することができる。よって、撮像画像の画質を向上させることが可能となる。
＜変形例＞
続いて、上記実施の形態の変形例について説明する。なお、実施の形態における構成要素と同一のものには同一の符号を付し、適宜説明を省略する。
図１６は、変形例に係る放射線撮像装置に適用されるセンサー基板（センサー基板１０Ａ）の断面構成例を模式的に表したものである。本変形例の放射線撮像装置は、上記実施の形態の放射線撮像装置１において、センサー基板１０の代わりに以下説明するセンサー基板１０Ａが設けられたものである。
センサー基板１０Ａは、基本的にはセンサー基板１０と同様の構成となっているが、以下説明する中継電極１２８ａ，１２８ｂの構造（形状）が、センサー基板１０における中継電極１２８の構造とは異なっている。
すなわち、このセンサー基板１０Ａでは、分離部１２０（間隙部）を介して一対の中継電極１２８ａ，１２８ｂが形成されており、この点が、単一の中継電極１２８が連続的（一体的）に形成されているセンサー基板１０とは異なっている。具体的には、一方側の垂直信号線１８は、コンタクト部ＣＴ２、中継電極１２８ａおよびコンタクト部ＣＴ１を介して、ソース電極１２３Ｓと電気的に接続されている。つまり、中継電極１２８ａは、一方側の垂直信号線１８とソース電極１２３Ｓとを電気的に接続して中継している。また、他方側の垂直信号線１８は、コンタクト部ＣＴ２、中継電極１２８ｂおよびコンタクト部ＣＴ１を介して、ソース電極１２３Ｓと電気的に接続されている。つまり、中継電極１２８ｂは、他方側の垂直信号線１８とソース電極１２３Ｓとを電気的に接続して中継している。
このような構成の本変形例においても、上記実施の形態と同様の作用により同様の効果を得ることが可能である。なお、本変形例では、２つの中継電極１２８ａ，１２８ｂに切断（分断）されているため、これら中継電極１２８ａ，１２８ｂの双方側に個別にコンタクト部ＣＴ１が設けられている必要がある。一方、上記実施の形態では、単一の中継電極１２８となっていることから、垂直信号線１８の一方側にのみコンタクト部ＣＴ１が設けられているようにしてもよい。
＜適用例＞
続いて、上記実施の形態および変形例に係る撮像装置（放射線撮像装置）の、撮像表示システム（放射線撮像表示システム）への適用例について説明する。
図１７は、適用例に係る撮像表示システム（放射線撮像表示システム５）の概略構成例を模式的に表したものである。この放射線撮像表示システム５は、放射線を用いた撮像表示システムであり、上記実施の形態等に係る画素部１２等を有する放射線撮像装置１（センサー基板１０またはセンサー基板１０Ａを含む放射線撮像装置）と、画像処理部５２と、表示装置４とを備えている。
画像処理部５２は、放射線撮像装置１から出力される出力データＤout（撮像信号）に対して所定の画像処理を施すことにより、画像データＤ１を生成するものである。表示装置４は、画像処理部５２において生成された画像データＤ１に基づく画像表示を、所定のモニタ画面４０上で行うものである。
このような構成からなる放射線撮像表示システム５では、放射線撮像装置１が、光源（ここではＸ線源等の放射線源５１）から被写体５０に向けて照射された照射光（ここでは放射線）に基づき、被写体５０の画像データＤoutを取得し、画像処理部５２へ出力する。画像処理部５２は、入力された画像データＤoutに対して上記した所定の画像処理を施し、その画像処理後の画像データ（表示データ）Ｄ１を表示装置４へ出力する。表示装置４は、入力された画像データＤ１に基づいて、モニタ画面４０上に画像情報（撮像画像）を表示する。
このように、本適用例の放射線撮像表示システム５では、放射線撮像装置１において被写体５０の画像を電気信号として取得可能であるため、取得した電気信号を表示装置４へ伝送することによって画像表示を行うことができる。すなわち、従来のような放射線写真フィルムを用いることなく、被写体５０の画像を観察することが可能となり、また、動画撮影および動画表示にも対応することが可能となる。
＜その他の変形例＞
以上、実施の形態、変形例および適用例を挙げて本開示の技術を説明したが、本技術はこれらの実施の形態等に限定されず、種々の変形が可能である。
例えば、上記実施の形態等では、フォトダイオード１１１Ａや薄膜トランジスタ１１１Ｂにおける半導体層が、主に非晶質半導体（非晶質シリコン等）により構成されている場合を例に挙げて説明したが、これには限られない。すなわち、上記した半導体層が、例えば、多結晶半導体（多結晶シリコン等）や微結晶半導体（微結晶シリコン等）により構成されているようにしてもよい。
また、上記実施の形態等では、中継電極１２８，１２８ａ，１２８ｂがフォトダイオード１１１Ａの下部電極１２４と同一層に形成されている場合を例に挙げて説明したが、これには限られない。すなわち、駆動素子（薄膜トランジスタ１１１Ｂ）と垂直信号線１８との間を電気的に接続して中継するのであれば、中継電極１２８，１２８ａ，１２８ｂが、下部電極１２４とは異なる層に形成されているようにしてもよい。
更に、上記実施の形態等では、撮像装置が放射線撮像装置として構成されている場合を例に挙げて説明したが、本開示は、放射線撮像装置以外の撮像装置（および放射線撮像表示システム以外の撮像表示システム）にも適用することが可能である。具体的には、例えば図１８に示した撮像装置３のように、上記実施の形態等で説明したセンサー基板１０，１０Ａを備えると共に波長変換部材２０を省いた（設けないようにした）構成としてもよい。このように構成した場合であっても、センサー基板１０，１０Ａ内に上記実施の形態等で説明した中継電極１２８，１２８ａ，１２８ｂが設けられていることにより、同様の効果を得ることが可能である。
なお、本技術は以下のような構成を取ることも可能である。
（１）
センサー基板を備え、
前記センサー基板は、
基板上に形成された複数の光電変換素子およびその駆動素子と、
前記光電変換素子において得られた撮像信号を前記駆動素子を介して読み出すための信号線と、
前記駆動素子と前記信号線との間を電気的に接続して中継する中継電極と
を有する撮像装置。
（２）
前記光電変換素子は、下部電極、光電変換層および上部電極がこの順に積層されてなり、
前記中継電極は、前記下部電極と同一層に形成されている
請求項１に記載の撮像装置。
（３）
前記駆動素子が、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を有する薄膜トランジスタであり、
前記ソース電極が前記中継電極と電気的に接続されると共に、前記ドレイン電極が前記光電変換素子と電気的に接続されている
上記（１）または（２）に記載の撮像装置。
（４）
前記信号線は、前記ゲート電極と同一層に形成されている
上記（３）に記載の撮像装置。
（５）
前記中継電極は、前記信号線、前記ソース電極および前記ドレイン電極、ならびに前記ゲート電極の各々よりも上層側に形成されている
上記（３）または（４）に記載の撮像装置。
（６）
前記中継電極は、各光電変換素子の前記駆動素子に対応して局所的に形成されている
上記（１）ないし（５）のいずれかに記載の撮像装置。
（７）
前記中継電極と前記駆動素子との間、および、前記中継電極と前記信号線との間はそれぞれ、コンタクト部を介して電気的に接続されている
上記（１）ないし（６）のいずれかに記載の撮像装置。
（８）
前記光電変換素子が、ＰＩＮ型のフォトダイオードからなる
上記（１）ないし（７）のいずれかに記載の撮像装置。
（９）
前記センサー基板上に配設され、入射した放射線を前記光電変換素子の感度域に波長変換する波長変換部材を更に備え、
放射線撮像装置として構成されている
上記（１）ないし（８）のいずれかに記載の撮像装置。
（１０）
前記放射線がＸ線である
上記（９）に記載の撮像装置。
（１１）
センサー基板を有する撮像装置と、この撮像装置により得られた撮像信号に基づく画像表示を行う表示装置とを備え、
前記センサー基板は、
基板上に形成された複数の光電変換素子およびその駆動素子と、
前記光電変換素子において得られた撮像信号を前記駆動素子を介して読み出すための信号線と、
前記駆動素子と前記信号線との間を電気的に接続して中継する中継電極と
を有する撮像表示システム。
（１２）
センサー基板を形成する工程を含み、
前記センサー基板を形成する工程は、
基板上に複数の光電変換素子およびその駆動素子を形成する工程と、
前記光電変換素子において得られた撮像信号を前記駆動素子を介して読み出すための信号線を形成する工程と、
前記駆動素子と前記信号線との間を電気的に接続して中継する中継電極を形成する工程と
を含む撮像装置の製造方法。
１…放射線撮像装置、１０，１０Ａ…センサー基板、１１…基板、１１１Ａ…フォトダイオード（光電変換素子）、１１１Ｂ…薄膜トランジスタ、１１２Ａ…第１層間絶縁膜、１１２Ｂ…第２層間絶縁膜、１１３Ａ…第１平坦化膜、１１３Ｂ…第２平坦化膜、１１４…保護膜、１２…画素部、１２０…分離部、１２８，１２８ａ，１２８ｂ…中継電極、１７…画素駆動線、１８…垂直信号線、２０…波長変換部材、３…撮像装置、４…表示装置、５…放射線撮像表示システム、５０…被写体、５１…放射線源、Ｈ１…開口部、Ｐ…単位画素、ＣＴ１，ＣＴ２…コンタクト部。

Claims (14)

  1. センサー基板を備え、
    前記センサー基板は、
    基板上に形成された複数の光電変換素子およびその駆動素子と、
    前記光電変換素子において得られた撮像信号を前記駆動素子を介して読み出すための信号線と、
    前記駆動素子と前記信号線との間を電気的に接続して中継する中継電極と
    を有し、
    前記光電変換素子は、下部電極、光電変換層および上部電極がこの順に積層されてなり、
    前記中継電極は、前記下部電極と同一層に形成されている
    撮像装置。
  2. センサー基板を備え、
    前記センサー基板は、
    基板上に形成された複数の光電変換素子およびその駆動素子と、
    前記光電変換素子において得られた撮像信号を前記駆動素子を介して読み出すための信号線と、
    前記駆動素子と前記信号線との間を電気的に接続して中継する中継電極と
    を有し、
    前記駆動素子が、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を有する薄膜トランジスタであり、
    前記ソース電極が前記中継電極と電気的に接続されると共に、前記ドレイン電極が前記光電変換素子と電気的に接続されており、
    前記信号線は、前記ゲート電極と同一層に形成されている
    撮像装置。
  3. 前記中継電極は、前記信号線、前記ソース電極および前記ドレイン電極、ならびに前記ゲート電極の各々よりも上層側に形成されている
    請求項２に記載の撮像装置。
  4. センサー基板を備え、
    前記センサー基板は、
    基板上に形成された複数の光電変換素子およびその駆動素子と、
    前記光電変換素子において得られた撮像信号を前記駆動素子を介して読み出すための信号線と、
    前記駆動素子と前記信号線との間を電気的に接続して中継する中継電極と
    を有し、
    前記中継電極と前記駆動素子との間、および、前記中継電極と前記信号線との間はそれぞれ、コンタクト部を介して電気的に接続されている
    撮像装置。
  5. 前記中継電極は、各光電変換素子の前記駆動素子に対応して局所的に形成されている
    請求項１ないし４のいずれか１項に記載の撮像装置。
  6. 前記光電変換素子が、ＰＩＮ型のフォトダイオードからなる
    請求項１ないし５のいずれか１項に記載の撮像装置。
  7. 前記センサー基板上に配設され、入射した放射線を前記光電変換素子の感度域に波長変換する波長変換部材を更に備え、
    放射線撮像装置として構成されている
    請求項１ないし６のいずれか１項に記載の撮像装置。
  8. 前記放射線がＸ線である
    請求項７に記載の撮像装置。
  9. センサー基板を有する撮像装置と、この撮像装置により得られた撮像信号に基づく画像表示を行う表示装置とを備え、
    前記センサー基板は、
    基板上に形成された複数の光電変換素子およびその駆動素子と、
    前記光電変換素子において得られた撮像信号を前記駆動素子を介して読み出すための信号線と、
    前記駆動素子と前記信号線との間を電気的に接続して中継する中継電極と
    を有し、
    前記光電変換素子は、下部電極、光電変換層および上部電極がこの順に積層されてなり、
    前記中継電極は、前記下部電極と同一層に形成されている
    撮像表示システム。
  10. センサー基板を有する撮像装置と、この撮像装置により得られた撮像信号に基づく画像表示を行う表示装置とを備え、
    前記センサー基板は、
    基板上に形成された複数の光電変換素子およびその駆動素子と、
    前記光電変換素子において得られた撮像信号を前記駆動素子を介して読み出すための信号線と、
    前記駆動素子と前記信号線との間を電気的に接続して中継する中継電極と
    を有し、
    前記駆動素子が、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を有する薄膜トランジスタであり、
    前記ソース電極が前記中継電極と電気的に接続されると共に、前記ドレイン電極が前記光電変換素子と電気的に接続されており、
    前記信号線は、前記ゲート電極と同一層に形成されている
    撮像表示システム。
  11. センサー基板を有する撮像装置と、この撮像装置により得られた撮像信号に基づく画像表示を行う表示装置とを備え、
    前記センサー基板は、
    基板上に形成された複数の光電変換素子およびその駆動素子と、
    前記光電変換素子において得られた撮像信号を前記駆動素子を介して読み出すための信号線と、
    前記駆動素子と前記信号線との間を電気的に接続して中継する中継電極と
    を有し、
    前記中継電極と前記駆動素子との間、および、前記中継電極と前記信号線との間はそれぞれ、コンタクト部を介して電気的に接続されている
    撮像表示システム。
  12. センサー基板を形成する工程を含み、
    前記センサー基板を形成する工程は、
    基板上に複数の光電変換素子およびその駆動素子を形成する工程と、
    前記光電変換素子において得られた撮像信号を前記駆動素子を介して読み出すための信号線を形成する工程と、
    前記駆動素子と前記信号線との間を電気的に接続して中継する中継電極を形成する工程と
    を含み、
    前記光電変換素子は、下部電極、光電変換層および上部電極がこの順に積層されてなり、
    前記中継電極は、前記下部電極と同一層に形成されている
    撮像装置の製造方法。
  13. センサー基板を形成する工程を含み、
    前記センサー基板を形成する工程は、
    基板上に複数の光電変換素子およびその駆動素子を形成する工程と、
    前記光電変換素子において得られた撮像信号を前記駆動素子を介して読み出すための信号線を形成する工程と、
    前記駆動素子と前記信号線との間を電気的に接続して中継する中継電極を形成する工程と
    を含み、
    前記駆動素子が、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を有する薄膜トランジスタであり、
    前記ソース電極が前記中継電極と電気的に接続されると共に、前記ドレイン電極が前記光電変換素子と電気的に接続されており、
    前記信号線は、前記ゲート電極と同一層に形成されている
    撮像装置の製造方法。
  14. センサー基板を形成する工程を含み、
    前記センサー基板を形成する工程は、
    基板上に複数の光電変換素子およびその駆動素子を形成する工程と、
    前記光電変換素子において得られた撮像信号を前記駆動素子を介して読み出すための信号線を形成する工程と、
    前記駆動素子と前記信号線との間を電気的に接続して中継する中継電極を形成する工程と
    を含み、
    前記中継電極と前記駆動素子との間、および、前記中継電極と前記信号線との間はそれぞれ、コンタクト部を介して電気的に接続されている
    撮像装置の製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6367655B2 (ja) * 2013-09-13 2018-08-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
WO2015141777A1 (ja) * 2014-03-20 2015-09-24 シャープ株式会社 光検出装置
CN110100311B (zh) * 2016-12-27 2023-06-27 夏普株式会社 摄像面板及其制造方法
CN107104108B (zh) * 2017-05-19 2020-08-21 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、平板探测器及影像设备
JP2019145594A (ja) * 2018-02-16 2019-08-29 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板及びそれを備えた撮像パネルと製造方法
JP2019145596A (ja) * 2018-02-16 2019-08-29 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板及びそれを備えたｘ線撮像パネルと製造方法
JP7362385B2 (ja) * 2019-09-19 2023-10-17 株式会社ジャパンディスプレイ 検出装置
CN210429817U (zh) * 2019-11-26 2020-04-28 北京京东方传感技术有限公司 平板探测器
JP2022070073A (ja) * 2020-10-26 2022-05-12 株式会社ジャパンディスプレイ 半導体基板及び表示装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3447947B2 (ja) * 1998-03-20 2003-09-16 株式会社東芝 Ｘ線撮像装置
CN101281916B (zh) * 2007-04-06 2010-05-26 群康科技(深圳)有限公司 光感测器和显示装置
JP5262212B2 (ja) 2008-03-20 2013-08-14 三菱電機株式会社 フォトセンサーアレイ基板
JP5293197B2 (ja) * 2009-01-07 2013-09-18 セイコーエプソン株式会社 光電変換装置、電気光学装置、電子機器

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