JP2015041629A - 放射線撮像装置および放射線撮像表示システム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】放射線撮像装置は、放射線に基づく信号電荷を発生する複数の画素と、複数の画素から信号電荷を読み出すための電界効果型のトランジスタとを備え、トランジスタは、活性層と活性層に隣接して形成された低濃度不純物層とを含む半導体層と、活性層を間にして対向配置された第1および第2のゲート電極とを有し、第1および第2のゲート電極の少なくとも一方は、低濃度不純物層と非対向の領域に設けられているものである。
【選択図】図1
Description
1.実施の形態(2つのゲート電極がLDD層に非対向な領域に設けられたTFTを用いた放射線撮像装置の例)
2.変形例1,2(パッシブ型の画素回路の他の例)
3.変形例3,4(アクティブ型の画素回路の例)
4.適用例(放射線撮像表示システムの例)
[構成]
図1は、本開示の一実施の形態に係る放射線撮像装置(放射線撮像装置1)の全体のブロック構成を表すものである。放射線撮像装置1は、例えば入射する放射線Rrad(例えばα線,β線,γ線,X線等)に基づいて被写体の情報を読み取る(被写体を撮像する)ものである。この放射線撮像装置1は、画素部11を備えると共に、この画素部11の駆動回路(周辺回路部)として、行走査部13、A/D変換部14、列走査部15およびシステム制御部16を備えている。
画素部11は、放射線に基づいて信号電荷を発生させる複数の画素(撮像画素,単位画素)20を備えたものである。複数の画素20は、行列状(マトリクス状)に2次元配置されている。尚、図1に示したように、画素部11内における水平方向(行方向)を「H」方向とし、垂直方向(列方向)を「V」方向とする。放射線撮像装置1は、画素部11(画素20)からの信号電荷の読み出しのためのスイッチング素子として後述のトランジスタ22を用いるものであれば、間接変換型および直接変換型のいずれのタイプであってもよい。図2Aに、間接変換型の場合の画素部11の構成、図2Bに、直接変換型の場合の画素部11の構成をそれぞれ示す。
行走査部13は、後述のシフトレジスタ回路や所定の論理回路等を含んで構成されており、画素部11内の複数の画素20に対して行単位(水平ライン単位)での駆動(線順次走査)を行う画素駆動部(行走査回路)である。具体的には、各画素20の読み出し動作やリセット動作等の撮像動作を例えば線順次走査により行う。尚、この線順次走査は、読み出し制御線Lreadを介して前述した行走査信号を各画素20へ供給することによって行われる。
A/D変換部14は、複数(ここでは4つ)の信号線Lsigごとに1つ設けられた複数の列選択部17を有しており、信号線Lsigを介して入力された信号電圧(信号電荷に応じた電圧)に基づいてA/D変換(アナログ/デジタル変換)を行うものである。これにより、デジタル信号からなる出力データDout(撮像信号)が生成され、外部へ出力される。
列走査部15は、例えば図示しないシフトレジスタやアドレスデコーダ等を含んで構成されており、上記した列選択部17内の各スイッチSW2を走査しつつ順番に駆動するものである。このような列走査部15による選択走査によって、信号線Lsigの各々を介して読み出された各画素20の信号(上記出力データDout)が、順番に外部へ出力されるようになっている。
システム制御部16は、行走査部13、A/D変換部14および列走査部15の各動作を制御するものである。具体的には、システム制御部16は、前述した各種のタイミング信号(制御信号)を生成するタイミングジェネレータを有しており、このタイミングジェネレータにおいて生成される各種のタイミング信号を基に、行走査部13、A/D変換部14および列走査部15の駆動制御を行う。このシステム制御部16の制御に基づいて、行走査部13、A/D変換部14および列走査部15がそれぞれ画素部11内の複数の画素20に対する撮像駆動(線順次撮像駆動)を行うことにより、画素部11から出力データDoutが取得されるようになっている。
本実施の形態の放射線撮像装置1では、例えばX線などの放射線Rradが画素部11へ入射すると、各画素20(ここでは、光電変換素子21)において、入射光に基づく信号電荷が発生する。このとき、詳細には、図3に示した蓄積ノードNにおいて、発生した信号電荷の蓄積により、ノード容量に応じた電圧変化が生じる。これにより、トランジスタ22のドレインには入力電圧Vin(信号電荷に対応した電圧)が供給される。この後、読み出し制御線Lreadから供給される行走査信号に応じてトランジスタ22がオン状態になると、上記した信号電荷が信号線Lsigへ読み出される。
ここで、図6Aおよび図7Aに、本実施の形態の比較例(比較例1,2)に係る素子構造について示す。尚、上記トランジスタ22の素子構造と同様の要素には同一の符号を付している。まず、比較例1に係る素子構造では、本実施の形態と同様、半導体層126を間にして2つのゲート電極(ゲート電極101A,101B)が対向配置されている。また、第1ゲート絶縁膜129、第2ゲート絶縁膜130、ソース・ドレイン電極128および層間絶縁膜131の各構成についても、本実施の形態と同様である。但し、比較例1では、本実施の形態と異なり、ゲート電極101A,101Bが、半導体層126のLDD層126bにオーバーラップして設けられると共に、ゲート電極101A,101Bが、互いに同一の幅d100を有している。このような素子構造は、例えば半導体層126における不純物ドープ工程(活性層126a,LDD層126b,N+層126cの形成工程)を、第2ゲート電極101Bの形成前に行うことにより形成される。
ゲート電極120AとLDD層126bとのオーバーラップ量(オーバーラップ領域の幅)は理想的には0(ゼロ)である。但し、実際には、位置合わせずれなどのプロセス上の誤差等を考慮して、例えば−0.2μm〜+0.1μm程度の範囲まで許容される。
他方、ゲート電極120BとLDD層126bとのオーバーラップ量は、第2ゲート絶縁膜130の厚みが第1のゲート絶縁膜129よりも大きい場合、特性に影響を与えにくい。例えば、図11に示したように、オーバーラップ量が0.21μmである場合と、0.11μmである場合との間において、特性にほとんど差はみられなかった。ゲート電極120Bの形成後にセルフアラインでLDD層126b等が形成されることから、ゲート電極120Bとの間では大きなオーバーラップは生じにくいが、仮に生じた場合であっても、そのオーバーラップ量は、上記ゲート電極120Aよりも広い範囲で許容される。
図13は、変形例1に係る画素(画素20A)の回路構成を、チャージアンプ回路171の回路構成例と共に表したものである。この画素20Aは、上記実施の形態の画素20と同様、パッシブ型の画素回路を有し、1つの光電変換素子21と1つのトランジスタ22とを有している。また、この画素20Aには読み出し制御線Lread(Lread1,Lread2)と、信号線Lsigとが接続されている。
図14は、変形例2に係る画素(画素20B)の回路構成を、チャージアンプ回路171の回路構成例と共に表したものである。この画素20Bは、上記実施の形態の画素20と同様、パッシブ型の回路構成となっており、読み出し制御線Lread(Lread1,Lread2)と、信号線Lsigとに接続されている。
図15は、変形例3に係る画素(画素20C)の回路構成を、アンプ回路171Aの回路構成例とともに表したものである。図16は、変形例4に係る画素(画素20D)の回路構成を、アンプ回路171Aの回路構成例とともに表したものである。これらの画素20C,20Dはそれぞれ、これまで説明した画素20,20A,20Bとは異なり、いわゆるアクティブ型の画素回路を有している。
上記実施の形態および変形例に係る放射線撮像装置は、以下に説明するような放射線撮像表示システムへ適用可能である。
(1)
放射線に基づく信号電荷を発生する複数の画素と、
前記複数の画素から前記信号電荷を読み出すための電界効果型のトランジスタとを備え、
前記トランジスタは、
活性層と前記活性層に隣接して形成された低濃度不純物層とを含む半導体層と、
前記活性層を間にして対向配置された第1および第2のゲート電極とを有し、
前記第1および第2のゲート電極の少なくとも一方は、前記低濃度不純物層と非対向の領域に設けられている
放射線撮像装置。
(2)
基板側から順に、前記第1のゲート電極、第1のゲート絶縁膜、前記半導体層、第2のゲート絶縁膜および前記第2のゲート電極が設けられ、
前記第1のゲート電極は、前記第2のゲート電極よりも小さい幅を有する
上記(1)に記載の放射線撮像装置。
(3)
前記第2のゲート電極は、前記活性層に正対して配置されると共に前記活性層と略同一の幅を有する
上記(2)に記載の放射線撮像装置。
(4)
前記第2のゲート絶縁膜の厚みは、前記第1のゲート絶縁膜の厚みよりも大きい
上記(2)または(3)に記載の放射線撮像装置。
(5)
少なくとも前記第1ゲート電極が前記低濃度不純物層と非対向の領域に設けられている
上記(4)に記載の放射線撮像装置。
(6)
前記第1および第2のゲート電極の両方が前記低濃度不純物層と非対向の領域に設けられている
上記(1)に記載の放射線撮像装置。
(7)
前記第1および第2のゲート電極は、前記複数の画素を有する画素部と前記画素部の周辺回路部とのうち前記画素部に形成されたものである
上記(1)〜(6)のいずれかに記載の放射線撮像装置。
(8)
前記低濃度不純物層における不純物濃度は、前記複数の画素を有する画素部において前記画素部の周辺回路部よりも高くなっている
上記(1)〜(7)のいずれかに記載の放射線撮像装置。
(9)
前記活性層は、ソース電極およびドレイン電極に電気的に接続される2つの端部を有し、
前記低濃度不純物層は、前記活性層の前記2つの端部のうちの少なくとも一方に隣接して形成されている
上記(1)〜(8)のいずれかに記載の放射線撮像装置。
(10)
前記半導体層は、非晶質シリコン、多結晶シリコンまたは微結晶シリコンを含む
上記(1)〜(9)のいずれかに記載の放射線撮像装置。
(11)
前記半導体層が低温多結晶シリコンを含む
上記(1)〜(10)のいずれかに記載の放射線撮像装置。
(12)
前記複数の画素がそれぞれ光電変換素子を有し、
前記複数の画素の光入射側に、前記放射線を前記光電変換素子の感度域の波長に変換する波長変換層を備えた
上記(1)〜(11)のいずれかに記載の放射線撮像装置。
(13)
前記複数の画素はそれぞれ、前記放射線を吸収して前記信号電荷を発生させる変換層を備えた
上記(1)〜(11)のいずれかに記載の放射線撮像装置。
(14)
前記放射線はX線である
上記(1)〜(13)のいずれかに記載の放射線撮像装置。
(15)
放射線撮像装置と、この放射線撮像装置により得られた撮像信号に基づく画像表示を行う表示装置とを備え、
前記放射線撮像装置は、
放射線に基づく信号電荷を発生する複数の画素と、
前記複数の画素から前記信号電荷を読み出すための電界効果型のトランジスタとを備え、
前記トランジスタは、
活性層と前記活性層に隣接して形成された低濃度不純物層とを含む半導体層と、
前記活性層を間にして対向配置された第1および第2のゲート電極とを有し、
前記第1および第2のゲート電極の少なくとも一方は、前記低濃度不純物層と非対向の領域に設けられている
放射線撮像表示システム。
Claims (15)
- 放射線に基づく信号電荷を発生する複数の画素と、
前記複数の画素から前記信号電荷を読み出すための電界効果型のトランジスタとを備え、
前記トランジスタは、
活性層と前記活性層に隣接して形成された低濃度不純物層とを含む半導体層と、
前記活性層を間にして対向配置された第1および第2のゲート電極とを有し、
前記第1および第2のゲート電極の少なくとも一方は、前記低濃度不純物層と非対向の領域に設けられている
放射線撮像装置。 - 基板側から順に、前記第1のゲート電極、第1のゲート絶縁膜、前記半導体層、第2のゲート絶縁膜および前記第2のゲート電極が設けられ、
前記第1のゲート電極は、前記第2のゲート電極よりも小さい幅を有する
請求項1に記載の放射線撮像装置。 - 前記第2のゲート電極は、前記活性層に正対して配置されると共に前記活性層と略同一の幅を有する
請求項2に記載の放射線撮像装置。 - 前記第2のゲート絶縁膜の厚みは、前記第1のゲート絶縁膜の厚みよりも大きい
請求項2に記載の放射線撮像装置。 - 少なくとも前記第1ゲート電極が前記低濃度不純物層と非対向の領域に設けられている
請求項4に記載の放射線撮像装置。 - 前記第1および第2のゲート電極の両方が前記低濃度不純物層と非対向の領域に設けられている
請求項1に記載の放射線撮像装置。 - 前記第1および第2のゲート電極は、前記複数の画素を有する画素部と前記画素部の周辺回路部とのうち前記画素部に形成されたものである
請求項1に記載の放射線撮像装置。 - 前記低濃度不純物層における不純物濃度は、前記複数の画素を有する画素部において前記画素部の周辺回路部よりも高くなっている
請求項1に記載の放射線撮像装置。 - 前記活性層は、ソース電極およびドレイン電極に電気的に接続される2つの端部を有し、
前記低濃度不純物層は、前記活性層の前記2つの端部のうちの少なくとも一方に隣接して形成されている
請求項1に記載の放射線撮像装置。 - 前記半導体層は、非晶質シリコン、多結晶シリコンまたは微結晶シリコンを含む
請求項1に記載の放射線撮像装置。 - 前記半導体層が低温多結晶シリコンを含む
請求項10に記載の放射線撮像装置。 - 前記複数の画素がそれぞれ光電変換素子を有し、
前記複数の画素の光入射側に、前記放射線を前記光電変換素子の感度域の波長に変換する波長変換層を備えた
請求項1に記載の放射線撮像装置。 - 前記複数の画素はそれぞれ、前記放射線を吸収して前記信号電荷を発生させる変換層を備えた
請求項1に記載の放射線撮像装置。 - 前記放射線はX線である
請求項1に記載の放射線撮像装置。 - 放射線撮像装置と、この放射線撮像装置により得られた撮像信号に基づく画像表示を行う表示装置とを備え、
前記放射線撮像装置は、
放射線に基づく信号電荷を発生する複数の画素と、
前記複数の画素から前記信号電荷を読み出すための電界効果型のトランジスタとを備え、
前記トランジスタは、
活性層と前記活性層に隣接して形成された低濃度不純物層とを含む半導体層と、
前記活性層を間にして対向配置された第1および第2のゲート電極とを有し、
前記第1および第2のゲート電極の少なくとも一方は、前記低濃度不純物層と非対向の領域に設けられている
放射線撮像表示システム。
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