CN102354695B - 显示器及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种具有感光元件的显示器及其制作方法，其中感光元件可被整合于显示器的有源元件阵列基板的架构以及既有工艺中，不会造成制作成本的负担。可以选择感光富硅介电层或其他具有类似的感光特性的感光材料层，例如感光半导体层来与下电极以及透明上电极形成感光元件。如此，有助于将感光元件的感光面积最大化，并可消除背光源对感光元件造成的噪声影响。

Description

显示器及其制作方法
技术领域
本发明涉及一种显示器及其制作方法，且特别是涉及一种具有感光元件的显示器及其制作方法。
背景技术
随着液晶与等离子体显示器的普及化，平面显示器除了观赏影像之外，已经变成所谓的「多媒体平台(Multimedia Board)」，内嵌式触控面板(TouchPanel Integration On Glass)为目前显示技术的一种新提案。其制作方法是在有源元件阵列基板中新增感光元件(Photo Sensor)的构造，将触控面板的触控功能(Touch-input function)整合进入显示面板中，让显示面板具备触控面板的触控功能。
另一方面，在显示器面板技术不断发展下，光学及影像的感测也逐渐出现在显示器面板的应用上，由于低温多晶硅(LTPS)技术提供薄膜晶体管更好的元件特性，使得将影像感测电路转移至LTPS显示面板上的可行性也大为增加。然而，LTPS工艺中多晶硅薄膜(Poly-Si film)的厚度不足(＜50nm)，使得P-I-N感光二极管的光电特性不佳且易受面板强烈背光源照射的影响。
发明内容
本发明提供一种显示器，其整合了感光元件的制作，以达成内嵌式光学触控或其他各种影像感测的应用。
本发明提供一种具有感光元件的显示器，其中感光元件可直接相容并整合于有源元件(如LTPS-TFT或a-Si TFT)的工艺，且可具有良好的光电特性、大感光面积，并可遮蔽背景光照射。
本发明提供一种具有感光元件的显示器，其中感光元件采用感光富硅介电层，以提供良好的光电特性、可对吸收光谱进行调变以及高度工艺整合能力等优点。
为具体描述本发明的内容，在此提出一种显示器，包括基板、有源元件、像素电极以及感光元件。有源元件配置于基板上，且有源元件具有沟道层。像素电极配置于基板上，且电性连接有源元件。感光元件配置于基板上，且感光元件包括下电极、感光叠层以及透明上电极。下电极配置于基板上。感光叠层配置于下电极上，且感光叠层包括堆叠的感光富硅介电层以及辅助层，其中沟道层与辅助层为同一层，且由氧化物半导体所构成。此外，透明上电极配置于感光叠层上。
在本发明的实施例中，所述氧化物半导体可包括铟镓锌氧化物(IGZO)。
在本发明的实施例中，所述辅助层位于感光富硅介电层与下电极之间。
在本发明的实施例中，所述辅助层位于感光富硅介电层与透明上电极之间。
在本发明的实施例中，所述像素电极与透明上电极由同一层所构成。
在本发明的实施例中，所述有源元件包括栅极、栅极介电层、源极与漏极以及所述沟道层。栅极与栅极介电层配置于基板上，且栅极介电层覆盖栅极。源极与漏极配置于栅极介电层上，且位于栅极两侧。沟道层配置于栅极介电层上且位于栅极上方，且沟道层位于源极与漏极之间。
在本发明的实施例中，下电极与栅极由同一层所构成。
在本发明的实施例中，下电极跟源极与漏极由同一层所构成。
在本发明的实施例中，所述显示器还包括保护层，其覆盖栅极介电层、源极与漏极以及氧化物半导体层。保护层具有接触窗。像素电极经由接触窗跟漏极电性连接。此外，保护层还具有开口，而透明上电极经由开口跟感光叠层电性连接。
在本发明的实施例中，沟道层位于源极与漏极之间，且位于部分源极与漏极上。
在本发明的实施例中，沟道层位于源极与漏极之间，且位于部分源极与漏极下。
在本发明的实施例中，所述显示器具有显示区以及位于显示区外围的周边电路区。有源元件位于显示区内，而感光元件位于周边电路区内。
在本发明的实施例中，所述显示器具有多个像素区，呈阵列排列，且有源元件与感光元件位于同一个像素区内。
在本发明的实施例中，所述显示器还包括显示材料层与对向电极。显示材料层设置于像素电极上，且对向电极设置在显示材料层上。
在本发明的实施例中，显示材料层包括液晶层、有机发光层或电泳材料层。
本发明还提出另一种显示器，包括基板、有源元件、像素电极以及感光元件。有源元件配置于基板上，且有源元件具有沟道层。像素电极配置于基板上，且电性连接有源元件。感光元件配置于基板上，且感光元件包括下电极、感光叠层以及透明上电极。下电极配置于基板上。感光叠层配置于下电极上。感光叠层包括堆叠的感光材料层以及辅助层，其中沟道层与辅助层为同一层，且由氧化物半导体所构成。透明上电极配置于感光叠层上。
在本发明的实施例中，感光材料层包括感光富硅介电层或感光半导体层。
本发明还提出一种显示器的制作方法，包括下列步骤：提供基板；在基板上制作有源元件，有源元件具有沟道层；于基板上形成下电极；于下电极上形成感光叠层，感光叠层包括堆叠的感光富硅介电层以及辅助层，其中沟道层与辅助层为同一层，且由氧化物半导体所构成；于感光叠层上形成透明上电极；以及，在基板上形成像素电极，且电性连接有源元件。
在本发明的实施例中，所述显示器的制作方法包括：形成第一图案化金属层于基板上，以构成有源元件的栅极；形成栅极介电层于基板上，以覆盖第一图案化金属层；形成第二图案化金属层于栅极介电层上，以构成下电极以及有源元件的源极以及漏极；形成氧化物半导体层于第二图案化金属层上，以构成有源元件的沟道层以及辅助层，且沟道层位于源极与漏极之间且位于栅极上方；形成保护层于栅极介电层上，以覆盖第二图案化金属层以及氧化物半导体层，保护层具有接触窗以及开口，接触窗暴露出漏极的至少一部分，而开口暴露出辅助层的至少一部分；形成感光富硅介电层于开口内并且覆盖辅助层；以及，形成透明导电层于保护层上，以构成像素电极以及透明上电极，像素电极经由接触窗连接有源元件的漏极，而透明上电极经由开口连接感光富硅介电层。
在本发明的实施例中，所述显示器的制作方法包括：形成第一图案化金属层于基板上，以构成有源元件的栅极；形成栅极介电层于基板上，以覆盖第一图案化金属层；形成第二图案化金属层于栅极介电层上，以构成下电极以及有源元件的源极以及漏极；形成感光富硅介电层于下电极上；形成氧化物半导体层于第二图案化金属层上，以构成有源元件的沟道层以及辅助层，且沟道层位于源极与漏极之间且位于栅极上方，辅助层位于感光富硅介电层上；形成保护层于栅极介电层上，以覆盖第二图案化金属层以及氧化物半导体层，保护层具有接触窗以及开口，接触窗暴露出漏极的至少一部分，而开口暴露出辅助层的至少一部分；以及，形成透明导电层于保护层上，以构成像素电极以及透明上电极，像素电极经由接触窗连接有源元件的漏极，而透明上电极经由开口连接感光富硅介电层。
在本发明的实施例中，所述显示器的制作方法，包括：于基板上形成第一图案化金属层，以构成下电极以及有源元件的栅极；形成栅极介电层于基板上，以覆盖第一图案化金属层，栅极介电层具有第一开口，且第一开口暴露出下电极的至少一部分；形成感光富硅介电层于第一开口内并且覆盖下电极；形成第二图案化金属层于栅极介电层上，以构成有源元件的源极以及漏极；形成氧化物半导体层于第二图案化金属层上，以构成有源元件的沟道层以及辅助层，且沟道层位于源极与漏极之间且位于栅极上方，辅助层配置于感光富硅介电层上；形成保护层于栅极介电层上，以覆盖第二图案化金属层以及氧化物半导体层，保护层具有接触窗以及第二开口，接触窗暴露出漏极的至少一部分，而第二开口暴露出辅助层的至少一部分；以及，形成透明导电层于保护层上，以构成像素电极以及透明上电极，像素电极经由接触窗连接有源元件的漏极，而透明上电极经由第二开口连接辅助层。
在本发明的实施例中，所述显示器的制作方法包括：形成第一图案化金属层于基板上，以构成有源元件的栅极以及下电极；形成栅极介电层于基板上，以覆盖第一图案化金属层，栅绝缘层具有第一开口，且第一开口暴露出下电极的至少一部分；形成感光富硅介电层于第一开口内并且覆盖下电极；形成氧化物半导体层于栅极介电层上，以构成有源元件的沟道层以及辅助层，沟道层位于栅极上方，辅助层配置于感光富硅介电层上；形成第二图案化金属层于栅极介电层上，以构成有源元件的源极以及漏极，源极与漏极覆盖沟道层的相对两侧；形成保护层于栅极介电层上，以覆盖第二图案化金属层以及氧化物半导体层，保护层具有接触窗以及第二开口，接触窗暴露出漏极的至少一部分，而第二开口暴露出辅助层的至少一部分；形成透明导电层于保护层上，以构成该像素电极以及该透明上电极，该像素电极经由该接触窗连接该有源元件的该漏极，而该透明上电极经由该第二开口连接该辅助层。
本发明还提出另一种显示器的制作方法，包括：提供基板；在基板上制作有源元件，有源元件具有沟道层，其中沟道层由氧化物半导体所构成；于基板上形成下电极；于下电极上形成感光富硅介电层；于感光叠层上形成透明上电极；以及，在基板上形成像素电极，且电性连接有源元件。
在本发明的实施例中，所述显示器的制作方法，包括：形成第一图案化金属层于基板上，以构成下电极以及有源元件的栅极；形成栅极介电层于基板上，以覆盖第一图案化金属层，栅极介电层具有第一开口，且第一开口暴露出下电极的至少一部分；形成感光富硅介电层于第一开口内并且覆盖下电极；形成第二图案化金属层于栅极介电层上，以构成有源元件的源极以及漏极；形成氧化物半导体层于第二图案化金属层上，以构成有源元件的沟道层，且沟道层位于源极与漏极之间且位于栅极上方；形成保护层于栅极介电层上，以覆盖第二图案化金属层、氧化半导体层以及感光富硅介电层，保护层具有接触窗以及第二开口，接触窗暴露出漏极的至少一部分，而第二开口暴露出感光富硅介电层的至少一部分；以及，形成透明导电层于保护层上，以构成像素电极以及透明上电极，像素电极经由接触窗连接有源元件的漏极，而透明上电极经由第二开口连接感光富硅介电层。
在本发明的实施例中，所述显示器的制作方法包括：形成第一图案化金属层于基板上，以构成有源元件的栅极；形成栅极介电层于基板上，以覆盖第一图案化金属层；形成第二图案化金属层于栅极介电层上，以构成下电极以及有源元件的源极以及漏极；形成氧化半导体层于第二图案化金属层上，以构成有源元件的沟道层，且沟道层位于源极与漏极之间且位于栅极上方；形成保护层于栅极介电层上，以覆盖第二图案化金属层以及氧化半导体层，保护层具有接触窗以及开口，接触窗暴露出漏极的至少一部分，而开口暴露出下电极的至少一部分；形成感光富硅介电层于开口内并且覆盖下电极；以及，形成透明导电层于保护层上，以构成像素电极以及透明上电极，像素电极经由接触窗连接有源元件的漏极，而透明上电极经由开口连接感光富硅介电层。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
附图说明
图1绘示依据本发明的实施例的一种将感光元件应用于内嵌式光学触控的显示器。
图2绘示依据本发明的另一实施例的一种具有环境光线传感器的显示器。
图3A-3F绘示依照本发明的实施例的一种显示器的制作方法。
图4绘示依照本发明的实施例的一种显示器的完整架构。
图5A-5F绘示依照本发明的另一实施例的一种显示器的制作方法。
图6A-6G绘示依照本发明的另一实施例的一种显示器的制作方法。
图7A-7G绘示依照本发明的另一实施例的一种显示器的制作方法。
图8A-8G绘示依照本发明的另一实施例的一种显示器的制作方法。
图9A-9F绘示依照本发明的另一实施例的一种显示器的制作方法。
附图标记说明
100：显示器
110：显示区
120：周边电路区
112：像素区
130：有源元件
140：感光元件
200：显示器
210：显示区
220：周边电路区
240：感光元件
300：有源元件阵列基板
310、510、610、710、810、910：基板
320、520、620、720、820、920：第一图案化金属层
322、522、622、722、822、922：栅极
330、530、630、730、830、930：栅极介电层
340、540、640、740、840、940：第二图案化金属层
342、542、624、724、824、942：下电极
344、544、644、744、844、944：源极
346、546、646、746、846、946：漏极
350、550、650、750、850、950：氧化物半导体层
352、552、652、752：辅助层
354、554、654、754、854、954：沟道层
360、560、660、760、860、960：保护层
362、562、632、662、732、762、832、862、962：开口
364、564、664、764、864、964：接触窗
370、570、670、770、870、970：感光富硅介电层
380、580、680、780、880、980：透明导电层
382、582、682、782、882、982：透明上电极
384、584、684、784、884、984：像素电极
390、590、690、790、890、990：薄膜晶体管
398、598、698、798、898、998：感光元件
400：显示器
910：显示材料层
920：对向电极
具体实施方式
本发明提出的显示器可将感光元件应用于多种用途，例如内嵌式光学触控或者作为显示器的环境光线传感器。
图1绘示依据本发明的实施例的一种将感光元件应用于内嵌式光学触控的显示器。如图1所示，显示器100包括显示区110以及周边电路区120。显示区110内具有阵列排列的多个像素区112，用以显示图框画面。在特定的像素区112中，同时设置有有源元件(如薄膜晶体管)130与感光元件140。感光元件140可以感测使用者手指覆盖时所反射的背光源，由此得知使用者触碰面板的位置，以达成各项触控操作。
图2绘示依据本发明的另一实施例的一种具有环境光线传感器的显示器。如图2所示，显示器200包括显示区210以及周边电路区220。本实施例是将感光元件240设置于显示器200的显示区210以外的周边电路区220内。运作时，感光元件240接收环境光线，并对应输出感测信号，以依据此控制信号对显示器200进行各项操作。例如，调节背光源的亮度，达到省电的效果。或是，依据环境光线的强弱，自动调节显示器显示的亮度和对比度，如此有助于减缓高亮度和反光造成的眼睛疲劳，也能降低显示器200的能量消耗。
不论应用于前述何种架构下，本发明皆可选择将感光元件整合于显示器的有源元件的工艺。以下将举多个实施例来说明本发明将感光元件整合于显示器的结构与工艺。
图3A-3F绘示依照本发明的实施例的一种显示器的制作方法。首先，如图3A所示，形成第一图案化金属层320于基板310上，以构成栅极322。接着，如图3B所示，形成栅极介电层330于基板310上，以覆盖栅极322。并且，形成第二图案化金属层340于栅极介电层330上，以构成同一层的下电极342以及源极344与漏极346。
然后，如图3C所示，形成氧化物半导体层350于第二图案化金属层340上，以构成同一层的沟道层354以及辅助层352，且沟道层354位于源极344与漏极346之间且位于栅极322上方。在此，氧化物半导体层350的材料例如是铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓氧化物(IGO)、铟锌氧化物(IZO)、锌锡氧化物(ZTO)等，但不限于此。此外，栅极322、栅极介电层330、源极344与漏极346以及沟道层354构成薄膜晶体管390，以作为有源元件。
接着，如图3D所示，形成保护层360于栅极介电层330上，以覆盖第二图案化金属层340以及氧化物半导体层350。保护层360具有接触窗364以及开口362。接触窗364暴露出漏极346的至少一部分，而开口362暴露出辅助层352的至少一部分。
之后，如图3E所示，形成感光富硅介电层370于开口362内并且覆盖辅助层352。并且，如图3F所示，形成透明导电层380于保护层360上，可以构成同一层的像素电极384以及透明上电极382。像素电极384经由接触窗364连接漏极346，而透明上电极382经由开口362连接感光富硅介电层370。
至此，大致完成显示器的有源元件阵列基板的制作。实际上，如图4所示，本实施例的有源元件阵列基板300上还可能配置显示材料层910以及对向电极920，以成为显示器400。在本实施例所示的显示器400中，显示材料层910设置于像素电极384上，且对向电极920设置在显示材料层910上。随着显示器400的类型不同，所述显示材料层910可以是液晶层、有机发光层、电泳材料层或其他可能的显示介质。其详细的结构与制造方法为本领域一般技术人员所熟知，因此不再赘述。
在本实施例中，感光富硅介电层370与辅助层352堆叠，以构成感光叠层。此感光富硅介电层370中的硅原子受入射光激发而产生电子空穴对，并可在有外加偏压(或外加电场)的情况下来分离这些受光激发而产生的电子空穴对，以形成光电流。感光富硅介电层370的材料为硅的化学当量(Stoichiometry)大于其他成份的化学当量。例如是富硅氧化硅(SiOx)、富硅氮化硅(SiNy)、富硅碳化硅(SiCz)富硅氮氧化硅(SiOxNy)、富硅碳氧化硅(SiOxCz)、氢化富硅氧化硅(SiHwOx)、氢化富硅氮氧化硅(SiHwOxNy)等或是其叠层，其中w＜4，x＜2，y＜1.34，z＜1，但是并不限于此，亦可以其他适当成分替代。所述感光富硅介电层370的光电特性可由其本身膜层中的硅元素含量、膜层厚度等，来调变与控制，以得到良好的光电转换效率。
此外，本实施例以氧化物半导体来制作辅助层352有助于提高感光富硅介电层370的电子空穴传输效果，可进一步提高光电转换效率。
另外，本实施例由感光富硅介电层370与辅助层352堆叠形成的感光叠层可与下电极342以及透明上电极382构成感光元件398。此感光元件398属于金属-介电-金属(Metal-Insulation-Metal，MIM)架构，可被整合于显示器400的有源元件阵列基板300的架构中。尤其，本实施例的设置方式有助于将感光元件的感光面积(Fill Factor)最大化，并可通过下电极342来遮蔽背光源，以降低背光源对感光元件造成的噪声影响。
以下将再就本发明提出的其他几种整合了感光元件的显示器结构及其制作方法进行说明，其中与前述实施例相同或相近的技术描述可能被省略或简化。另一方面，当相关的实施例采用相同或近似的技术手段时，亦可以达成等效或类似的技术效果。因此，以下实施例不再重复说明相同或近似的技术手段可能达成的技术效果。本领域中普通技术人员在对照前述实施例与下述多个实施例的内容之后，当可依现有技术水平来引用、合并或省略相关的技术手段，以符合实际需求。
图5A-5F绘示依照本发明的另一实施例的一种显示器的制作方法。本实施例与前述图3A-3F所示的实施例的差异在于：辅助层与感光富硅介电层的上下顺序颠倒。
首先，如图5A所示，形成第一图案化金属层520于基板510上，以构成栅极522。接着，如图5B所示，形成栅极介电层530于基板510上，以覆盖栅极522。并且，形成第二图案化金属层540于栅极介电层530上，以构成下电极542以及源极544与漏极546。
然后，如图5C所示，形成感光富硅介电层570于下电极542上。并且，如图5D所示，形成氧化物半导体层550于第二图案化金属层540上，以构成沟道层554以及辅助层552。沟道层554位于源极544与漏极546之间且位于栅极522上方。此外，辅助层552位于感光富硅介电层570上。在此，氧化物半导体层550的材料可包括铟镓锌氧化物(IGZO)。此外，栅极522、栅极介电层530、源极544与漏极546以及沟道层554构成薄膜晶体管590，以作为有源元件。
接着，如图5E所示，形成保护层560于栅极介电层530上，以覆盖第二图案化金属层540以及氧化物半导体层550。保护层560具有接触窗564以及开口562。接触窗564暴露出漏极546的至少一部分，而开口562暴露出辅助层552的至少一部分。
之后，如图5F所示，形成透明导电层580于保护层560上，以构成像素电极584以及透明上电极582。像素电极584经由接触窗564连接漏极546，而透明上电极582经由开口562连接辅助层552。如此，感光富硅介电层570与辅助层552堆叠形成的感光叠层可与下电极542以及透明上电极582构成感光元件。
基于上述，本实施例与前述实施例的差异在于先形成感光富硅介电层570，而后才将辅助层552形成于感光富硅介电层570上，以构成感光叠层。因此，本实施例的感光叠层(辅助层552/感光富硅介电层570)与前述实施例的感光叠层(感光富硅介电层370/辅助层352)的膜层上下顺序颠倒。
此外，本实施例亦可如同图4所示，在像素电极上配置显示材料层以及对向电极等，以成为完整的显示器。然而，本实施例不再对该多个膜层与元件进行重复说明，相关内容可参考前述实施例。
图6A-6G绘示依照本发明的另一实施例的一种显示器的制作方法。本实施例与前述图4A-4F所示的实施例的差异在于：本实施例以第一图案化金属层来制作下电极，即本实施例的下电极与栅极为同一层。
首先，如图6A所示，形成第一图案化金属层620于基板610上，以构成栅极622以及下电极624。接着，如图6B所示，形成栅极介电层630于基板610上，以覆盖第一图案化金属层620，其中栅极介电层630具有第一开口632，以暴露出下电极624的至少一部分。
然后，如图6C所示，形成第二图案化金属层640于栅极介电层630上，以构成源极644与漏极646。并且，如图6D所示，形成感光富硅介电层670于第一开口632内，并且覆盖下电极624。之后，如图6E所示，形成氧化物半导体层650于第二图案化金属层640上，以构成沟道层654以及辅助层652。沟道层654位于源极644与漏极646之间且位于栅极622上方。此外，辅助层652位于感光富硅介电层670上。在此，氧化物半导体层650的材料可包括铟镓锌氧化物(IGZO)。此外，栅极622、栅极介电层630、源极644与漏极646以及沟道层654构成薄膜晶体管690，以作为有源元件。
接着，如图6F所示，形成保护层660于栅极介电层630上，以覆盖第二图案化金属层640以及氧化物半导体层650。保护层660具有接触窗664以及第二开口662。接触窗664暴露出漏极646的至少一部分，而第二开口662暴露出辅助层652的至少一部分。
之后，如图6G所示，形成透明导电层680于保护层660上，以构成像素电极684以及透明上电极682。像素电极684经由接触窗664连接漏极646，而透明上电极682经由第二开口662连接辅助层652。如此，感光富硅介电层670与辅助层652堆叠形成的感光叠层可与下电极642以及透明上电极682构成感光元件。
基于上述，本实施例与前述实施例的差异在于本实施例以第一图案化金属层来制作下电极，而前述实施例是以第二图案化金属层来制作下电极。换言之，本实施例的下电极与栅极是由同一层所形成，而前述实施例的下电极跟源极与漏极是由同一层所形成。
此外，本实施例亦可如同图4所示，在像素电极上配置显示材料层以及对向电极等，以成为完整的显示器。然而，本实施例不再对该多个膜层与元件进行重复说明，相关内容可参考前述实施例。
图7A-7G绘示依照本发明的另一实施例的一种显示器的制作方法。本实施例与前述图6A-6G所示的实施例的差异在于：有源元件的结构不同。
首先，如图7A所示，形成第一图案化金属层720于基板710上，以构成栅极722以及下电极724。接着，如图7B所示，形成栅极介电层730于基板710上，以覆盖第一图案化金属层720，其中栅极介电层730具有第一开口732，以暴露出下电极724的至少一部分。
然后，如图7C所示，形成感光富硅介电层770于第一开口732内并且覆盖下电极724。并且，如图7D所示，形成氧化物半导体层750于栅极介电层730上，以构成沟道层754以及辅助层752。沟道层754位于栅极722上方，辅助层752配置于感光富硅介电层770上。在此，氧化物半导体层750的材料可包括铟镓锌氧化物(IGZO)。
接着，如图7E所示，形成第二图案化金属层740于栅极介电层730上，以构成源极744以及漏极746。源极744与漏极746覆盖沟道层754的相对两侧。栅极722、栅极介电层730、源极744与漏极746以及沟道层754构成薄膜晶体管790，以作为有源元件。
接着，如图7F所示，形成保护层760于栅极介电层730上，以覆盖第二图案化金属层740以及氧化物半导体层750。保护层760具有接触窗764以及第二开口762。接触窗764暴露出漏极746的至少一部分，而第二开口762暴露出辅助层752的至少一部分。
之后，如图7G所示，形成透明导电层780于保护层760上，以构成像素电极784以及透明上电极782。像素电极784经由接触窗764连接漏极746，而透明上电极782经由第二开口762连接辅助层752。如此，感光富硅介电层770与辅助层752堆叠形成的感光叠层可与下电极742以及透明上电极782构成感光元件。
基于上述，本实施例与前述实施例的差异在于本实施例的沟道层位于部分源极与漏极下，而前述实施例的沟道层位于部分源极与漏极上。
此外，本实施例亦可如同图4所示，在像素电极上配置显示材料层以及对向电极等，以成为完整的显示器。然而，本实施例不再对该多个膜层与元件进行重复说明，相关内容可参考前述实施例。
图8A-8G绘示依照本发明的另一实施例的一种显示器的制作方法。本实施例与前述图6A-6G所示实施例的主要差异在于：本实施例的感光元件中不具有辅助层。
首先，如图8A所示，形成第一图案化金属层820于基板810上，以构成下电极824以及栅极822。接着，如图8B所示，形成栅极介电层830于基板810上，以覆盖第一图案化金属层820，其中栅极介电层830具有第一开口832，以暴露出下电极824的至少一部分。
然后，如图8C所示，形成第二图案化金属层840于栅极介电层830上，以构成源极844与漏极846。并且，如图8D所示，形成感光富硅介电层870于第一开口832内，并且覆盖下电极824。
之后，如图8E所示，形成氧化物半导体层850于第二图案化金属层840上，以构成沟道层854。沟道层854位于源极844与漏极846之间且位于栅极822上方。在此，氧化物半导体层850的材料可包括铟镓锌氧化物(IGZO)。此外，栅极822、栅极介电层830、源极844与漏极846以及沟道层854构成薄膜晶体管890，以作为有源元件。
接着，如图8F所示，形成保护层860于栅极介电层830上，以覆盖第二图案化金属层840、氧化物半导体层850以及感光富硅介电层870。保护层860具有接触窗864以及第二开口862。接触窗864暴露出漏极846的至少一部分，而第二开口862暴露出感光富硅介电层870的至少一部分。
之后，如图8G所示，形成透明导电层880于保护层860上，以构成像素电极884以及透明上电极882。像素电极884经由接触窗864连接漏极846，而透明上电极882经由第二开口862连接感光富硅介电层870。如此，感光富硅介电层870可与下电极842以及透明上电极882构成感光元件。
基于上述，本实施例与前述图6A-6G所示实施例的差异在于本实施例的感光元件是由感光富硅介电层、下电极以及透明上电极所构成。此外，本实施例亦可如同图4所示，在像素电极上配置显示材料层以及对向电极等，以成为完整的显示器。然而，本实施例不再对该多个膜层与元件进行重复说明，相关内容可参考前述实施例。
图9A-9F绘示依照本发明的另一实施例的一种显示器的制作方法。本实施例与前述图5A-5F所示的实施例的差异在于：本实施例的感光元件中不具有辅助层。
首先，如图9A所示，形成第一图案化金属层920于基板910上，以构成栅极922。接着，如图9B所示，形成栅极介电层930于基板910上，以覆盖栅极922。并且，形成第二图案化金属层940于栅极介电层930上，以构成下电极942以及源极944与漏极946。
然后，如图9C所示，形成感光富硅介电层970于下电极942上。并且，如图9D所示，形成氧化物半导体层950于第二图案化金属层940上，以构成沟道层954。沟道层954位于源极944与漏极946之间且位于栅极922上方。在此，氧化物半导体层950的材料可包括铟镓锌氧化物(IGZO)。此外，栅极922、栅极介电层930、源极944与漏极946以及沟道层954构成薄膜晶体管990，以作为有源元件。
接着，如图9E所示，形成保护层960于栅极介电层930上，以覆盖第二图案化金属层940、氧化物半导体层950以及感光富硅介电层970。保护层960具有接触窗964以及开口962。接触窗964暴露出漏极946的至少一部分，而开口962暴露出感光富硅介电层970的至少一部分。其中，图9D与9E的步骤顺序可以互换，即本实施例也可以选择先形成保护层960，再于保护层的开口962中形成感光富硅介电层970。
之后，如图9F所示，形成透明导电层980于保护层960上，以构成像素电极984以及透明上电极982。像素电极984经由接触窗964连接漏极946，而透明上电极982经由开口962连接感光富硅介电层970。如此，感光富硅介电层970可与下电极942以及透明上电极982构成感光元件。
上述多个实施例披露了几种本发明可能的显示器结构，其中采用感光富硅介电层与辅助层堆叠形成的感光叠层与透明上电极以及下电极来构成感光元件，以获得良好的光电转换效率。其中，由于以氧化物半导体来制作辅助层，因此有助于提高感光富硅介电层的电子空穴传输效果。
本发明也可以选择省略辅助层，而仅以感光富硅介电层来与透明上电极以及下电极构成感光元件。此外，有源元件的结构也可以随实际状况变更。
另一方面，本发明并非限定必须选择感光富硅介电层，亦可选用其他具有类似的感光特性的感光材料层，例如感光半导体层来取代前述多个实施例中的感光富硅介电层，以达到类似的技术效果。
本发明提出的任何一种感光元件结构皆可被整合于显示器的有源元件阵列基板的架构以及既有工艺中，不会造成制作成本的负担。尤其，本实施例的设置方式有助于将感光元件的感光面积(Fill Factor)最大化，并可通过下电极来遮蔽背光源，以降低背光源对感光元件造成的噪声影响。
本发明提出的显示器可应用感光元件来形成内嵌式光学触控架构，或是将感光元件作为环境光线传感器，其可具有良好的光电特性、可对吸收光谱进行调变，并具有高度工艺整合能力。
虽然本发明已以实施例披露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围当视权利要求所界定为准。

Claims (23)

1.一种显示器，包括：
基板；
有源元件，配置于该基板上，该有源元件具有沟道层；
像素电极，配置于该基板上，且电性连接该有源元件；
感光元件，配置于该基板上，该感光元件包括：
下电极，配置于该基板上；
感光叠层，配置于该下电极上，该感光叠层包括堆叠的感光富硅介电层以及辅助层，其中该沟道层与该辅助层为同一层，且由氧化物半导体所构成；以及
透明上电极，配置于该感光叠层上，
其中该辅助层位于该感光富硅介电层与该下电极之间，或该辅助层位于该感光富硅介电层与该透明上电极之间。
2.如权利要求1所述的显示器，其中该氧化物半导体包括铟镓锌氧化物。
3.如权利要求1所述的显示器，其中该像素电极与该透明上电极由同一层所构成。
4.如权利要求1所述的显示器，其中该有源元件包括：
栅极，配置于该基板上；
栅极介电层，配置于该基板上，并且覆盖该栅极；
源极与漏极，配置于该栅极介电层上，且位于该栅极两侧；以及
该沟道层，配置于该栅极介电层上且位于该栅极上方，且该沟道层位于该源极与该漏极之间。
5.如权利要求4所述的显示器，其中该下电极与该栅极由同一层所构成。
6.如权利要求4所述的显示器，其中该下电极跟该源极与该漏极由同一层所构成。
7.如权利要求4所述的显示器，还包括保护层，该保护层覆盖该栅极介电层、该源极与该漏极以及该氧化物半导体层，该保护层具有接触窗，该像素电极经由该接触窗跟该漏极电性连接，且该保护层具有开口，该透明上电极经由该开口跟该感光叠层电性连接。
8.如权利要求4所述的显示器，其中该沟道层位于该源极与该漏极之间，且位于部分该源极与该漏极上。
9.如权利要求5所述的显示器，其中该沟道层位于该源极与该漏极之间，且位于部分该源极与该漏极下。
10.如权利要求1所述的显示器，其中，该显示器具有显示区以及位于显示区外围的周边电路区，其中该有源元件位于该显示区内，而该感光元件位于该周边电路区内。
11.如权利要求1所述的显示器，其中，该显示器具有多个像素区，呈阵列排列，且该有源元件与该感光元件位于同一个像素区内。
12.如权利要求1所述的显示器，还包括显示材料层与对向电极，该显示材料层设置于该像素电极上，且该对向电极设置在该显示材料层上。
13.如权利要求12所述的显示器，其中该显示材料层包括液晶层、有机发光层或电泳材料层。
14.一种显示器，包括：
基板；
有源元件，配置于该基板上，该有源元件具有沟道层；
像素电极，配置于该基板上，且电性连接该有源元件；
感光元件，配置于该基板上，该感光元件包括：
下电极，配置于该基板上；
感光叠层，配置于该下电极上，该感光叠层包括堆叠的感光材料层以及辅助层，其中该沟道层与该辅助层为同一层，且由氧化物半导体所构成；以及
透明上电极，配置于该感光叠层上，
其中该辅助层位于该感光富硅介电层与该下电极之间，或该辅助层位于该感光富硅介电层与该透明上电极之间。
15.如权利要求14所述的显示器，其中该感光材料层包括感光富硅介电层或感光半导体层。
16.一种显示器的制作方法，包括：
提供基板；
在该基板上制作有源元件，该有源元件具有沟道层；
于该基板上形成下电极；
于该下电极上形成感光叠层，该感光叠层包括堆叠的感光富硅介电层以及辅助层，其中该沟道层与该辅助层为同一层，且由氧化物半导体所构成，该辅助层位于该感光富硅介电层与该下电极之间，或该辅助层位于该感光富硅介电层上；
于该感光叠层上形成透明上电极；以及
于该基板上形成像素电极，且电性连接该有源元件。
17.如权利要求16所述的显示器的制作方法，包括：
形成第一图案化金属层于该基板上，以构成该有源元件的栅极；
形成栅极介电层于该基板上，以覆盖该第一图案化金属层；
形成第二图案化金属层于该栅极介电层上，以构成该下电极以及该有源元件的源极以及漏极；
形成氧化物半导体层于该第二图案化金属层上，以构成该有源元件的该沟道层以及该辅助层，且该沟道层位于该源极与该漏极之间且位于该栅极上方；
形成保护层于该栅极介电层上，以覆盖该第二图案化金属层以及该氧化物半导体层，该保护层具有接触窗以及开口，该接触窗暴露出该漏极的至少一部分，而该开口暴露出该辅助层的至少一部分；
形成该感光富硅介电层于该开口内并且覆盖该辅助层，其中该辅助层位于该感光富硅介电层与该下电极之间；以及
形成透明导电层于该保护层上，以构成该像素电极以及该透明上电极，该像素电极经由该接触窗连接该有源元件的该漏极，而该透明上电极经由该开口连接该感光富硅介电层。
18.如权利要求16所述的显示器的制作方法，包括：
形成第一图案化金属层于该基板上，以构成该有源元件的栅极；
形成栅极介电层于该基板上，以覆盖该第一图案化金属层；
形成第二图案化金属层于该栅极介电层上，以构成该下电极以及该有源元件的源极以及漏极；
形成该感光富硅介电层于该下电极上；
形成氧化物半导体层于该第二图案化金属层上，以构成该有源元件的该沟道层以及该辅助层，且该沟道层位于该源极与该漏极之间且位于该栅极上方，该辅助层位于该感光富硅介电层上；
形成保护层于该栅极介电层上，以覆盖该第二图案化金属层以及该氧化物半导体层，该保护层具有接触窗以及开口，该接触窗暴露出该漏极的至少一部分，而该开口暴露出该辅助层的至少一部分；以及
形成透明导电层于该保护层上，以构成该像素电极以及该透明上电极，该像素电极经由该接触窗连接该有源元件的该漏极，而该透明上电极经由该开口连接该辅助层。
19.如权利要求16所述的显示器的制作方法，包括：
于该基板上形成第一图案化金属层，以构成该下电极以及该有源元件的栅极；
形成栅极介电层于该基板上，以覆盖该第一图案化金属层，该栅极介电层具有第一开口，且该第一开口暴露出该下电极的至少一部分；
形成该感光富硅介电层于该第一开口内并且覆盖该下电极；
形成第二图案化金属层于该栅极介电层上，以构成该有源元件的源极以及漏极；
形成氧化物半导体层于该第二图案化金属层上，以构成该有源元件的该沟道层以及该辅助层，且该沟道层位于该源极与该漏极之间且位于该栅极上方，该辅助层配置于该感光富硅介电层上；
形成保护层于该栅极介电层上，以覆盖该第二图案化金属层以及该氧化物半导体层，该保护层具有接触窗以及第二开口，该接触窗暴露出该漏极的至少一部分，而该第二开口暴露出该辅助层的至少一部分；以及
形成透明导电层于该保护层上，以构成该像素电极以及该透明上电极，该像素电极经由该接触窗连接该有源元件的该漏极，而该透明上电极经由该第二开口连接该辅助层。
20.如权利要求16所述的显示器的制作方法，包括：
形成第一图案化金属层于该基板上，以构成该有源元件的栅极以及该下电极；
形成栅极介电层于该基板上，以覆盖该第一图案化金属层，该栅极介电层具有第一开口，且该第一开口暴露出该下电极的至少一部分；
形成该感光富硅介电层于该第一开口内并且覆盖该下电极；
形成氧化物半导体层于该栅极介电层上，以构成该有源元件的该沟道层以及该辅助层，该沟道层位于该栅极上方，该辅助层配置于该感光富硅介电层上；
形成第二图案化金属层于该栅极介电层上，以构成该有源元件的源极以及漏极，该源极与该漏极覆盖该沟道层的相对两侧；
形成保护层于该栅极介电层上，以覆盖该第二图案化金属层以及该氧化物半导体层，该保护层具有接触窗以及第二开口，该接触窗暴露出该漏极的至少一部分，而该第二开口暴露出该辅助层的至少一部分；
形成透明导电层于该保护层上，以构成该像素电极以及该透明上电极，该像素电极经由该接触窗连接该有源元件的该漏极，而该透明上电极经由该第二开口连接该辅助层。
21.一种显示器的制作方法，包括：
提供基板；
在该基板上制作有源元件，该有源元件具有沟道层，其中该沟道层由氧化物半导体所构成；
于该基板上形成下电极；
于该下电极上形成感光叠层，该感光叠层包括堆叠的感光富硅介电层以及辅助层，其中该沟道层与该辅助层为同一层，且由氧化物半导体所构成，该辅助层位于该感光富硅介电层与该下电极之间，或该辅助层位于该感光富硅介电层上；
于该感光叠层上形成透明上电极；以及
于该基板上形成像素电极，且电性连接该有源元件。
22.如权利要求21所述的显示器的制作方法，包括：
形成第一图案化金属层于该基板上，以构成该下电极以及该有源元件的栅极；
形成栅极介电层于该基板上，以覆盖该第一图案化金属层，该栅极介电层具有第一开口，且该第一开口暴露出该下电极的至少一部分；
形成该感光富硅介电层于该第一开口内并且覆盖该下电极；
形成第二图案化金属层于该栅极介电层上，以构成该有源元件的源极以及漏极；
形成氧化物半导体层于该第二图案化金属层上，以构成该有源元件的沟道层，且该沟道层位于该源极与该漏极之间且位于该栅极上方，该辅助层位于该感光富硅介电层上；
形成保护层于该栅极介电层上，以覆盖该第二图案化金属层、该氧化半导体层以及该感光富硅介电层，该保护层具有接触窗以及第二开口，该接触窗暴露出该漏极的至少一部分，而该第二开口暴露出该辅助层的至少一部分；以及
形成透明导电层于该保护层上，以构成该像素电极以及该透明上电极，该像素电极经由该接触窗连接该有源元件的该漏极，而该透明上电极经由该第二开口连接该辅助层。
23.如权利要求21所述的显示器的制作方法，包括：
形成第一图案化金属层于该基板上，以构成该有源元件的栅极；
形成栅极介电层于该基板上，以覆盖该第一图案化金属层；
形成第二图案化金属层于该栅极介电层上，以构成该下电极以及该有源元件的源极以及漏极；
形成氧化半导体层于该第二图案化金属层上，以构成该有源元件的沟道层以及该辅助层，且该沟道层位于该源极与该漏极之间且位于该栅极上方；
形成保护层于该栅极介电层上，以覆盖该第二图案化金属层以及该氧化半导体层，该保护层具有接触窗以及开口，该接触窗暴露出该漏极的至少一部分，而该开口暴露出该辅助层的至少一部分；
形成该感光富硅介电层于该开口内并且覆盖该辅助层，其中该辅助层位于该感光富硅介电层与该下电极之间；以及
形成透明导电层于该保护层上，以构成该像素电极以及该透明上电极，该像素电极经由该接触窗连接该有源元件的该漏极，而该透明上电极经由该开口连接该感光富硅介电层。
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Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5780402B2 (ja) * 2011-12-27 2015-09-16 ソニー株式会社 半導体素子、半導体素子の製造方法、固体撮像装置および電子機器
TWI483036B (zh) * 2012-11-19 2015-05-01 Au Optronics Corp 陣列基板及其製作方法
US9798372B2 (en) 2013-06-03 2017-10-24 Qualcomm Incorporated Devices and methods of sensing combined ultrasonic and infrared signal
TWI552321B (zh) 2014-09-30 2016-10-01 群創光電股份有限公司 顯示面板及顯示裝置
CN104635988A (zh) * 2015-02-10 2015-05-20 京东方科技集团股份有限公司 触摸基板及其制作方法、触摸显示面板和显示装置
CN104659072B (zh) 2015-03-16 2017-07-28 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板和阵列基板制作方法
TWI573056B (zh) * 2015-05-29 2017-03-01 錼創科技股份有限公司 觸控感測顯示裝置
TWI591841B (zh) * 2015-06-10 2017-07-11 友達光電股份有限公司 感測器與感測器的製作方法
CN104867948B (zh) 2015-06-10 2018-01-19 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、控制方法、控制组件和显示装置
CN105070738B (zh) * 2015-08-13 2018-06-29 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置及其控制方法
TWI574374B (zh) 2015-09-09 2017-03-11 友達光電股份有限公司 製作光學感測元件與薄膜電晶體元件的方法
TWI581149B (zh) * 2015-11-02 2017-05-01 友達光電股份有限公司 觸控顯示面板
CN106711168A (zh) * 2015-11-13 2017-05-24 小米科技有限责任公司 Oled面板、终端
CN105679961A (zh) 2016-01-26 2016-06-15 京东方科技集团股份有限公司 一种oled封装结构、显示设备及封装方法
CN106708323B (zh) * 2017-01-06 2019-09-24 京东方科技集团股份有限公司 一种触控显示基板及其制作方法
CN107390406B (zh) * 2017-06-20 2019-06-18 惠科股份有限公司 一种显示面板、显示面板的制造方法和显示装置
CN107515488B (zh) * 2017-08-01 2020-06-23 惠科股份有限公司 一种显示面板
CN107863353A (zh) 2017-09-25 2018-03-30 惠科股份有限公司 一种阵列基板和阵列基板的制造方法
CN107863319B (zh) * 2017-09-25 2021-04-02 惠科股份有限公司 一种阵列基板及其制造方法
CN107894671B (zh) * 2017-11-03 2021-01-08 惠科股份有限公司 一种阵列基板和阵列基板的制造方法
CN108336100A (zh) * 2018-04-12 2018-07-27 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置
CN108376688A (zh) * 2018-04-28 2018-08-07 京东方科技集团股份有限公司 一种感光组件及其制备方法、阵列基板、显示装置
TWI689090B (zh) 2018-05-29 2020-03-21 友達光電股份有限公司 感光元件及其製造方法
CN110890428B (zh) 2018-09-07 2023-03-24 联华电子股份有限公司 氧化物半导体场效晶体管及其形成方法
CN109638079A (zh) * 2018-11-30 2019-04-16 武汉华星光电技术有限公司 一种阵列基板及显示面板
US11856814B2 (en) * 2019-04-12 2023-12-26 HKC Corporation Limited Display panel and manufacturing method thereof
CN112071872B (zh) * 2020-09-04 2023-09-05 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种传感器组件、传感器组件制程方法及显示面板
TWI804279B (zh) * 2020-12-09 2023-06-01 友達光電股份有限公司 顯示裝置及掃描影像的方法
CN112947787A (zh) * 2021-02-23 2021-06-11 北京京东方显示技术有限公司 触控面板、显示装置、显示系统及触控方法
TWI805346B (zh) * 2022-05-03 2023-06-11 友達光電股份有限公司 陣列基板與其製造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101281887A (zh) * 2008-05-27 2008-10-08 友达光电股份有限公司 制作光感应器的方法
CN101328181A (zh) * 2007-06-15 2008-12-24 山东轩竹医药科技有限公司 新的培南化合物
CN101604085A (zh) * 2009-07-22 2009-12-16 友达光电股份有限公司 平面显示面板、紫外光传感器及其制造方法
CN101614896A (zh) * 2009-06-22 2009-12-30 友达光电股份有限公司 薄膜晶体管数组基板、显示面板、液晶显示装置及其制作方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI333275B (en) * 2008-05-09 2010-11-11 Au Optronics Corp Method for fabricating light sensor
TWI328283B (en) * 2008-05-16 2010-08-01 Au Optronics Corp Manufacturing method of thin film transistor array substrate and liquid crystal display panel
KR101307862B1 (ko) * 2008-08-05 2013-09-12 삼성전자주식회사 냉장고 도어 및 냉장고 도어의 제조 방법
TWI381534B (zh) * 2009-03-24 2013-01-01 Au Optronics Corp 光學感測器與其製作方法以及具有光學感測器之顯示面板
CN101521243B (zh) * 2009-04-02 2014-10-15 友达光电股份有限公司 光学传感器与其制作方法以及具有光学传感器的显示面板
TWI389329B (zh) * 2009-06-29 2013-03-11 Au Optronics Corp 平面顯示面板、紫外光感測器及其製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101328181A (zh) * 2007-06-15 2008-12-24 山东轩竹医药科技有限公司 新的培南化合物
CN101281887A (zh) * 2008-05-27 2008-10-08 友达光电股份有限公司 制作光感应器的方法
CN101614896A (zh) * 2009-06-22 2009-12-30 友达光电股份有限公司 薄膜晶体管数组基板、显示面板、液晶显示装置及其制作方法
CN101604085A (zh) * 2009-07-22 2009-12-16 友达光电股份有限公司 平面显示面板、紫外光传感器及其制造方法

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Publication number Publication date
CN102354695A (zh) 2012-02-15
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