CN104635988A - 触摸基板及其制作方法、触摸显示面板和显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种触摸基板及其制作方法、触摸显示面板和显示装置，属于显示技术领域。其中，触摸基板包括：第一信号线；与所述第一信号线交叉绝缘设置的第二信号线；位于所述第一信号线和所述第二信号线交叉处的光感应薄膜晶体管，所述光感应薄膜晶体管的栅极连接到所述第一信号线，所述光感应薄膜晶体管的源极连接到所述第二信号线，所述光感应薄膜晶体管的有源层的材料为光感应材料。本发明的技术方案能够实现触摸显示面板的远距离触控功能。

Description

触摸基板及其制作方法、触摸显示面板和显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是指一种触摸基板及其制作方法、触摸显示面板和显示装置。

背景技术

随着多媒体信息查询的与日俱增和显示技术的广泛应用，人们越来越多的接触到了触摸屏。触摸屏具有坚固耐用、反应速度快、节省空间、易于交流等许多优点，用户只要用手指轻轻地触碰触摸屏上的图符或文字就能实现对主机操作，从而使人机交互更为直截了当，这种技术极大方便了用户与显示屏的交互对话。目前市场上的触摸屏包括外挂式触摸屏和集成触摸屏，集成触摸屏是在生产液晶显示面板的同时把触摸板集成进去。集成触摸屏的集成方式有两种，一种是将触摸板的功能集成在液晶显示面板的彩膜基板上方(也称为on-cell集成方式)，另一种是将触摸板的功能集成在液晶显示面板的彩膜基板和阵列基板之间，一般是直接集成在彩膜基板的内侧(也称为in-cell集成方式)。

但是现阶段不管是on-cell集成方式的触控屏，还是in-cell集成方式的触控屏，都还不能实现远距离的触控。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种触摸基板及其制作方法、触摸显示面板和显示装置，能够实现触摸显示面板的远距离触控功能。

为解决上述技术问题，本发明的实施例提供技术方案如下：

一方面，提供一种触摸基板，包括：

第一信号线；

与所述第一信号线交叉绝缘设置的第二信号线；

位于所述第一信号线和所述第二信号线交叉处的光感应薄膜晶体管，所述光感应薄膜晶体管的栅极连接到所述第一信号线，所述光感应薄膜晶体管的源极连接到所述第二信号线，所述光感应薄膜晶体管的有源层的材料为光感应材料。

进一步地，所述触摸基板为阵列基板，所述第一信号线为所述阵列基板的栅线，所述第二信号线为所述阵列基板的数据线。

进一步地，所述触摸基板为阵列基板，所述第一信号线为所述阵列基板的公共电极线，所述第二信号线为所述阵列基板的数据线。

进一步地，所述光感应薄膜晶体管的有源层的材料为氧化物半导体。

本发明实施例还提供了一种触摸显示面板，包括上述的触摸基板。

本发明实施例还提供了一种显示装置，包括上述的触摸显示面板。

本发明实施例还提供了一种触摸基板的制作方法，包括：

形成第一信号线；

形成与所述第一信号线交叉绝缘设置的第二信号线；

形成位于所述第一信号线和所述第二信号线交叉处的光感应薄膜晶体管，所述光感应薄膜晶体管的栅极连接到所述第一信号线，所述光感应薄膜晶体管的源极连接到所述第二信号线，所述光感应薄膜晶体管的有源层的材料为光感应材料。

进一步地，所述触摸基板为阵列基板，形成光感应薄膜晶体管具体为：

在形成所述阵列基板的像素薄膜晶体管的同时，形成所述光感应薄膜晶体管。

进一步地，所述第一信号线为所述阵列基板的栅线，所述第二信号线为所述阵列基板的数据线，所述制作方法包括：

通过一次构图工艺利用栅金属层形成栅线、所述像素薄膜晶体管的栅极以及所述光感应薄膜晶体管的栅极，所述光感应薄膜晶体管的栅极与对应的栅线连接。

进一步地，所述第一信号线为所述阵列基板的公共电极线，所述第二信号线为所述阵列基板的数据线，所述制作方法包括：

通过一次构图工艺利用栅金属层形成栅线、公共电极线、所述像素薄膜晶体管的栅极以及所述光感应薄膜晶体管的栅极，所述光感应薄膜晶体管的栅极与对应的公共电极线连接。

进一步地，所述制作方法还包括：

通过一次构图工艺利用源漏金属层形成数据线、所述像素薄膜晶体管的源极和漏极、所述光感应薄膜晶体管的源极和漏极，所述光感应薄膜晶体管的源极与对应的数据线连接。

本发明的实施例具有以下有益效果：

上述方案中，在第一信号线和第二信号线交叉处利用光感应材料制作光感应薄膜晶体管，在外界紫外光的照射下，光感应薄膜晶体管的电压电流特性会发生较大的变化，这样通过外围电路检测电压或电流变化可以确定出紫外光照射的位置，从而使采用该阵列基板的触摸显示面板实现远距离触控功能。

附图说明

图1为本发明实施例三触摸基板的平面示意图；

图2为本发明实施例四触摸基板的平面示意图；

图3为本发明实施例在衬底基板上形成栅金属层的图形之后的截面示意图；

图4为本发明实施例形成有源层的图形之后的截面示意图；

图5为本发明实施例形成刻蚀阻挡层的图形之后的截面示意图；

图6为本发明实施例形成源漏金属层的图形之后的截面示意图；

图7为本发明实施例形成像素电极之后的截面示意图；

图8为本发明实施例形成钝化层的图形之后的截面示意图；

图9为本发明实施例形成公共电极之后的截面示意图；

图10为本发明实施例像素薄膜晶体管的截面示意图。

附图标记

1衬底基板  2栅金属层  3栅绝缘层  4有源层

5刻蚀阻挡层  6源漏金属层  7像素电极

8钝化层  9公共电极  11栅线  12公共电极线

13像素薄膜晶体管   14光感应薄膜晶体管

具体实施方式

为使本发明的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。

本发明的实施例提供一种触摸基板及其制作方法、触摸显示面板和显示装置，能够实现触摸显示面板的远距离触控功能。

实施例一

本实施例提供了一种触摸基板，包括：

第一信号线；

与所述第一信号线交叉绝缘设置的第二信号线；

位于所述第一信号线和所述第二信号线交叉处的光感应薄膜晶体管，所述光感应薄膜晶体管的栅极连接到所述第一信号线，所述光感应薄膜晶体管的源极连接到所述第二信号线，所述光感应薄膜晶体管的有源层的材料为光感应材料。

本实施例的触摸基板中，在第一信号线和第二信号线交叉处形成有利用光感应材料制作的光感应薄膜晶体管，在外界紫外光的照射下，光感应薄膜晶体管的电压电流特性会发生较大的变化，这样通过外围电路检测电压或电流变化可以确定出紫外光照射的位置，从而使采用该阵列基板的触摸显示面板实现远距离触控功能。

一具体实施例中，所述触摸基板为阵列基板，所述第一信号线为所述阵列基板的栅线，所述第二信号线为所述阵列基板的数据线。

另一具体实施例中，所述触摸基板为阵列基板，所述第一信号线为所述阵列基板的公共电极线，所述第二信号线为所述阵列基板的数据线。

进一步地，所述光感应薄膜晶体管的有源层的材料为氧化物半导体，氧化物半导体层的材料可以选择非晶IZO、ZnO、TiO₂、CdSnO、MgZnO或IGZO中的一种或多种。

实施例二

本发明实施例还提供了一种触摸基板的制作方法，包括：

形成第一信号线；

形成与所述第一信号线交叉绝缘设置的第二信号线；

形成位于所述第一信号线和所述第二信号线交叉处的光感应薄膜晶体管，所述光感应薄膜晶体管的栅极连接到所述第一信号线，所述光感应薄膜晶体管的源极连接到所述第二信号线，所述光感应薄膜晶体管的有源层的材料为光感应材料。

本实施例制作的触摸基板中，在第一信号线和第二信号线交叉处形成有利用光感应材料制作的光感应薄膜晶体管，在外界紫外光的照射下，光感应薄膜晶体管的电压电流特性会发生较大的变化，这样通过外围电路检测电压或电流变化可以确定出紫外光照射的位置，从而使采用该阵列基板的触摸显示面板实现远距离触控功能。

进一步地，所述触摸基板为阵列基板，为了减少构图次数，形成光感应薄膜晶体管具体为：

在形成所述阵列基板的像素薄膜晶体管的同时，形成所述光感应薄膜晶体管。

进一步地，所述第一信号线为所述阵列基板的栅线，所述第二信号线为所述阵列基板的数据线，所述制作方法包括：

通过一次构图工艺利用栅金属层形成栅线、所述像素薄膜晶体管的栅极以及所述光感应薄膜晶体管的栅极，所述光感应薄膜晶体管的栅极与对应的栅线连接。

进一步地，所述第一信号线为所述阵列基板的公共电极线，所述第二信号线为所述阵列基板的数据线，所述制作方法包括：

通过一次构图工艺利用栅金属层形成栅线、公共电极线、所述像素薄膜晶体管的栅极以及所述光感应薄膜晶体管的栅极，所述光感应薄膜晶体管的栅极与对应的公共电极线连接。

进一步地，所述制作方法还包括：

通过一次构图工艺利用源漏金属层形成数据线、所述像素薄膜晶体管的源极和漏极、所述光感应薄膜晶体管的源极和漏极，所述光感应薄膜晶体管的源极与对应的数据线连接。

实施例三

下面结合附图对本实施例的触摸基板及其制作方法进行详细介绍，本实施例的触摸基板的制作方法具体包括以下步骤：

步骤a1：提供一衬底基板1，在衬底基板1上通过一次构图工艺形成栅线11、公共电极线12、像素薄膜晶体管13的栅极以及光感应薄膜晶体管14的栅极，光感应薄膜晶体管14的栅极与对应的公共电极线12连接；

其中，衬底基板1可为玻璃基板或石英基板。具体地，如图3所示，可以采用溅射或热蒸发的方法在衬底基板1上沉积一层厚度为的栅金属层2，栅金属层2可以是Cu，Al，Ag，Mo，Cr，Nd，Ni，Mn，Ti，Ta，W等金属以及这些金属的合金，栅金属层2可以为单层结构或者多层结构，多层结构比如Cu\Mo，Ti\Cu\Ti，Mo\Al\Mo等。在栅金属层2上涂覆一层光刻胶，采用掩膜板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶保留区域对应于栅金属层的图形所在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；进行显影处理，光刻胶未保留区域的光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的光刻胶厚度保持不变；通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶未保留区域的栅金属薄膜，剥离剩余的光刻胶，形成栅金属层的图形，栅金属层的图形包括栅线11、公共电极线12、像素薄膜晶体管13的栅极以及光感应薄膜晶体管14的栅极，光感应薄膜晶体管14的栅极与对应的公共电极线12连接。

步骤a2：在经过步骤a1的衬底基板1上形成栅绝缘层3和有源层4的图形；

具体地，如图4所示，可以采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法，在经过步骤a1的衬底基板1上沉积厚度约为的栅绝缘层3，其中，栅绝缘层材料可以选用氧化物、氮化物或者氮氧化物，栅绝缘层3可以为单层、双层或多层结构。具体地，栅绝缘层可以采用SiNx，SiOx或Si(ON)x。

在栅绝缘层3上采用磁控溅射、热蒸发或其它成膜方法沉积一层厚度约为的氧化物半导体材料，氧化物半导体可以采用非晶IZO、ZnO、TiO₂、CdSnO、MgZnO或IGZO中的一种或多种，在氧化物半导体层上涂覆光刻胶，进行曝光、显影，刻蚀氧化物半导体层，并剥离光刻胶，形成由氧化物半导体层组成的有源层4的图形，有源层4的图形包括像素薄膜晶体管13的有源层以及光感应薄膜晶体管14的有源层。

步骤a3：在经过步骤a2的衬底基板1上形成刻蚀阻挡层5的图形；

具体地，如图5所示，可以在经过步骤a2的衬底基板1上采用磁控溅射、热蒸发、PECVD或其它成膜方法沉积厚度为的刻蚀阻挡层5，其中，刻蚀阻挡层材料可以选用氧化物、氮化物或氮氧化物，具体地，可以采用SiNx，SiOx或Si(ON)x。刻蚀阻挡层5可以是单层结构，也可以是采用氮化硅和氧化硅构成的两层结构，具体地，刻蚀阻挡层5可以为厚度为的SiNx。

在刻蚀阻挡层5上涂敷一层光刻胶；采用掩膜板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶保留区域对应于刻蚀阻挡层5的图形所在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；进行显影处理，光刻胶未保留区域的光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的光刻胶厚度保持不变；通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶未保留区域的刻蚀阻挡层5，剥离剩余的光刻胶，形成包括有过孔的刻蚀阻挡层5的图形。

步骤a4：在经过步骤a3的衬底基板1上通过一次构图工艺利用源漏金属层6形成数据线、像素薄膜晶体管13的源极和漏极、光感应薄膜晶体管14的源极和漏极，光感应薄膜晶体管14的源极与对应的数据线连接。

具体地，如图6所示，可以在经过步骤a3的衬底基板1上采用磁控溅射、热蒸发或其它成膜方法沉积一层厚度约为的源漏金属层6，源漏金属层6可以是Cu，Al，Ag，Mo，Cr，Nd，Ni，Mn，Ti，Ta，W等金属以及这些金属的合金。源漏金属层6可以是单层结构或者多层结构，多层结构比如Cu\Mo，Ti\Cu\Ti，Mo\Al\Mo等。在源漏金属层6上涂覆一层光刻胶，采用掩膜板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶保留区域对应于源漏金属层6的图形所在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；进行显影处理，光刻胶未保留区域的光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的光刻胶厚度保持不变；通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶未保留区域的源漏金属薄膜，剥离剩余的光刻胶，形成源漏金属层6的图形，源漏金属层6的图形包括数据线、像素薄膜晶体管13的源极和漏极、光感应薄膜晶体管14的源极和漏极，光感应薄膜晶体管14的源极与对应的数据线连接，像素薄膜晶体管13的源极和漏极分别通过刻蚀阻挡层的过孔与像素薄膜晶体管13的有源层连接，光感应薄膜晶体管14的源极和漏极分别通过刻蚀阻挡层的过孔与光感应薄膜晶体管14的有源层连接。

步骤a5：在经过步骤a4的衬底基板1上形成像素电极7；

具体地，如图7所示，可以在经过步骤a4的衬底基板1上采用磁控溅射、热蒸发或其它成膜方法沉积一层厚度约为的透明导电层，透明导电层可以选用ITO。在透明导电层上涂覆光刻胶，进行曝光、显影，刻蚀透明导电层，并剥离光刻胶，形成由透明导电层组成的像素电极7的图形，像素电极7与像素薄膜晶体管的漏电极连接。

步骤a6：在经过步骤a5的衬底基板1上形成钝化层8的图形；

具体地，如图8所示，可以在经过步骤a5的衬底基板1上采用磁控溅射、热蒸发、PECVD或其它成膜方法沉积厚度为的钝化层8，其中，钝化层材料可以选用氧化物、氮化物或氮氧化物，具体地，可以采用SiNx，SiOx或Si(ON)x。钝化层8可以是单层结构，也可以是采用氮化硅和氧化硅构成的两层结构，具体地，钝化层8可以为厚度为的SiNx。

在钝化层8上涂敷一层光刻胶；采用掩膜板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶保留区域对应于钝化层8的图形所在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；进行显影处理，光刻胶未保留区域的光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的光刻胶厚度保持不变；通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶未保留区域的钝化层8，剥离剩余的光刻胶，形成包括钝化层过孔的钝化层8的图形。

步骤a7：在经过步骤a6的衬底基板1上形成公共电极9。

具体地，如图9所示，可以在经过步骤a6的衬底基板1上采用磁控溅射、热蒸发或其它成膜方法沉积一层厚度约为的透明导电层，透明导电层可以选用ITO。在透明导电层上涂覆光刻胶，进行曝光、显影，刻蚀透明导电层，并剥离光刻胶，形成由透明导电层组成的公共电极9的图形，公共电极9通过钝化层过孔以及刻蚀阻挡层的过孔与公共电极线连接。

经过上述步骤a1-a7即可制作得到如图1所示的触摸基板，该触摸基板的工作周期划分为触控阶段和显示阶段，在触控阶段公共电极线用于传输光感应信号，在显示阶段公共电极线用于提供公共电压。本实施例利用氧化物薄膜晶体管对紫外光敏感的特性，在阵列基板上以氧化物半导体为有源层制作光感应薄膜晶体管，在外界紫外光的照射下，光感应薄膜晶体管的电压电流特性会发生较大的变化，这样通过外围电路检测电压或电流变化可以确定出紫外光照射的位置，从而使采用该阵列基板的触摸显示面板实现远距离触控功能。进一步地，本实施例中的光感应薄膜晶体管可以与像素薄膜晶体管一起制作，不需要在触摸显示面板上另外制作触控屏，可以降低触摸显示面板的厚度；另外还可以节省制作时间，降低生产成本。

进一步地，本实施例触摸基板的像素薄膜晶体管的有源层还可以不采用氧化物半导体材料形成，在像素薄膜晶体管的有源层不采用氧化物半导体材料形成时，像素薄膜晶体管的截面示意图如图10所示，在像素薄膜晶体管的有源层上未覆盖有刻蚀阻挡层。

实施例四

下面结合附图对本实施例的触摸基板及其制作方法进行详细介绍，本实施例的触摸基板的制作方法具体包括以下步骤：

步骤b1：提供一衬底基板1，在衬底基板1上通过一次构图工艺形成栅线11、公共电极线12、像素薄膜晶体管13的栅极以及光感应薄膜晶体管14的栅极，光感应薄膜晶体管14的栅极与对应的栅线11连接；

其中，衬底基板1可为玻璃基板或石英基板。具体地，如图3所示，可以采用溅射或热蒸发的方法在衬底基板1上沉积一层厚度为的栅金属层2，栅金属层2可以是Cu，Al，Ag，Mo，Cr，Nd，Ni，Mn，Ti，Ta，W等金属以及这些金属的合金，栅金属层2可以为单层结构或者多层结构，多层结构比如Cu\Mo，Ti\Cu\Ti，Mo\Al\Mo等。在栅金属层2上涂覆一层光刻胶，采用掩膜板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶保留区域对应于栅金属层的图形所在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；进行显影处理，光刻胶未保留区域的光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的光刻胶厚度保持不变；通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶未保留区域的栅金属薄膜，剥离剩余的光刻胶，形成栅金属层的图形，栅金属层的图形包括栅线11、公共电极线12、像素薄膜晶体管13的栅极以及光感应薄膜晶体管14的栅极，光感应薄膜晶体管14的栅极与对应的栅线11连接。

步骤b2：在经过步骤b1的衬底基板1上形成栅绝缘层3和有源层4的图形；

具体地，如图4所示，可以采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法，在经过步骤b1的衬底基板1上沉积厚度约为的栅绝缘层3，其中，栅绝缘层材料可以选用氧化物、氮化物或者氮氧化物，栅绝缘层3可以为单层、双层或多层结构。具体地，栅绝缘层可以采用SiNx，SiOx或Si(ON)x。

在栅绝缘层3上采用磁控溅射、热蒸发或其它成膜方法沉积一层厚度约为的氧化物半导体材料，氧化物半导体可以采用非晶IZO、ZnO、TiO₂、CdSnO、MgZnO或IGZO中的一种或多种，在氧化物半导体层上涂覆光刻胶，进行曝光、显影，刻蚀氧化物半导体层，并剥离光刻胶，形成由氧化物半导体层组成的有源层4的图形，有源层4的图形包括像素薄膜晶体管13的有源层以及光感应薄膜晶体管14的有源层。

步骤b3：在经过步骤b2的衬底基板1上形成刻蚀阻挡层5的图形；

具体地，如图5所示，可以在经过步骤b2的衬底基板1上采用磁控溅射、热蒸发、PECVD或其它成膜方法沉积厚度为的刻蚀阻挡层5，其中，刻蚀阻挡层材料可以选用氧化物、氮化物或氮氧化物，具体地，可以采用SiNx，SiOx或Si(ON)x。刻蚀阻挡层5可以是单层结构，也可以是采用氮化硅和氧化硅构成的两层结构，具体地，刻蚀阻挡层5可以为厚度为的SiNx。

在刻蚀阻挡层5上涂敷一层光刻胶；采用掩膜板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶保留区域对应于刻蚀阻挡层5的图形所在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；进行显影处理，光刻胶未保留区域的光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的光刻胶厚度保持不变；通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶未保留区域的刻蚀阻挡层5，剥离剩余的光刻胶，形成包括有过孔的刻蚀阻挡层5的图形。

步骤b4：在经过步骤b3的衬底基板1上通过一次构图工艺利用源漏金属层6形成数据线、像素薄膜晶体管13的源极和漏极、光感应薄膜晶体管14的源极和漏极，光感应薄膜晶体管14的源极与对应的数据线连接。

具体地，如图6所示，可以在经过步骤b3的衬底基板1上采用磁控溅射、热蒸发或其它成膜方法沉积一层厚度约为的源漏金属层6，源漏金属层6可以是Cu，Al，Ag，Mo，Cr，Nd，Ni，Mn，Ti，Ta，W等金属以及这些金属的合金。源漏金属层6可以是单层结构或者多层结构，多层结构比如Cu\Mo，Ti\Cu\Ti，Mo\Al\Mo等。在源漏金属层6上涂覆一层光刻胶，采用掩膜板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶保留区域对应于源漏金属层6的图形所在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；进行显影处理，光刻胶未保留区域的光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的光刻胶厚度保持不变；通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶未保留区域的源漏金属薄膜，剥离剩余的光刻胶，形成源漏金属层6的图形，源漏金属层6的图形包括数据线、像素薄膜晶体管13的源极和漏极、光感应薄膜晶体管14的源极和漏极，光感应薄膜晶体管14的源极与对应的数据线连接，像素薄膜晶体管13的源极和漏极分别通过刻蚀阻挡层的过孔与像素薄膜晶体管13的有源层连接，光感应薄膜晶体管14的源极和漏极分别通过刻蚀阻挡层的过孔与光感应薄膜晶体管14的有源层连接。

步骤b5：在经过步骤b4的衬底基板1上形成像素电极7；

具体地，如图7所示，可以在经过步骤b4的衬底基板1上采用磁控溅射、热蒸发或其它成膜方法沉积一层厚度约为的透明导电层，透明导电层可以选用ITO。在透明导电层上涂覆光刻胶，进行曝光、显影，刻蚀透明导电层，并剥离光刻胶，形成由透明导电层组成的像素电极7的图形，像素电极7与像素薄膜晶体管的漏电极连接。

步骤b6：在经过步骤b5的衬底基板1上形成钝化层8的图形；

具体地，如图8所示，可以在经过步骤b5的衬底基板1上采用磁控溅射、热蒸发、PECVD或其它成膜方法沉积厚度为的钝化层8，其中，钝化层材料可以选用氧化物、氮化物或氮氧化物，具体地，可以采用SiNx，SiOx或Si(ON)x。钝化层8可以是单层结构，也可以是采用氮化硅和氧化硅构成的两层结构，具体地，钝化层8可以为厚度为的SiNx。

在钝化层8上涂敷一层光刻胶；采用掩膜板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶保留区域对应于钝化层8的图形所在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；进行显影处理，光刻胶未保留区域的光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的光刻胶厚度保持不变；通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶未保留区域的钝化层8，剥离剩余的光刻胶，形成包括钝化层过孔的钝化层8的图形。

步骤b7：在经过步骤b6的衬底基板1上形成公共电极9。

具体地，如图9所示，可以在经过步骤b6的衬底基板1上采用磁控溅射、热蒸发或其它成膜方法沉积一层厚度约为的透明导电层，透明导电层可以选用ITO。在透明导电层上涂覆光刻胶，进行曝光、显影，刻蚀透明导电层，并剥离光刻胶，形成由透明导电层组成的公共电极9的图形，公共电极9通过钝化层过孔以及刻蚀阻挡层的过孔与公共电极线连接。

经过上述步骤b1-b7即可制作得到如图2所示的触摸基板，该触摸基板的工作周期划分为触控阶段和显示阶段，在触控阶段栅线用于传输光感应信号，在显示阶段栅线用于打开像素薄膜晶体管。本实施例利用氧化物薄膜晶体管对紫外光敏感的特性，在阵列基板上以氧化物半导体为有源层制作光感应薄膜晶体管，在外界紫外光的照射下，光感应薄膜晶体管的电压电流特性会发生较大的变化，这样通过外围电路检测电压或电流变化可以确定出紫外光照射的位置，从而使采用该阵列基板的触摸显示面板实现远距离触控功能。进一步地，本实施例中的光感应薄膜晶体管可以与像素薄膜晶体管一起制作，不需要在触摸显示面板上另外制作触控屏，可以降低触摸显示面板的厚度；另外还可以节省制作时间，降低生产成本。

进一步地，本实施例触摸基板的像素薄膜晶体管的有源层还可以不采用氧化物半导体材料形成，在像素薄膜晶体管的有源层不采用氧化物半导体材料形成时，像素薄膜晶体管的截面示意图如图10所示，在像素薄膜晶体管的有源层上未覆盖有刻蚀阻挡层。

实施例五

本实施例还提供了一种触摸显示面板，包括上述的触摸基板。

实施例六

本发明实施例还提供了一种显示装置，包括上述的触摸显示面板。所述显示装置可以为：液晶面板、液晶电视、液晶显示器、数码相框、手机、平板电脑、导航仪、电子纸等任何具有显示功能的产品或部件。如图2所示，该显示装置还包括：与光感应薄膜晶体管的栅极连接、用于检测光感应薄膜晶体管的电流或电压变化的光感应检测电路；与光感应检测电路连接、用于根据光感应检测电路的检测信号确定触摸位置并发出控制指令的光感应控制器；与光感应控制器连接、用于将控制指令输出至数据线的光感应反馈电路。

本实施例利用氧化物薄膜晶体管对紫外光敏感的特性，在阵列基板上以氧化物半导体为有源层制作光感应薄膜晶体管，在外界紫外光的照射下，光感应薄膜晶体管的电压电流特性会发生较大的变化，这样通过光感应检测电路检测电压或电流变化可以确定出紫外光照射的位置，从而使采用该阵列基板的触摸显示面板实现远距离触控功能。

在本发明各方法实施例中，所述各步骤的序号并不能用于限定各步骤的先后顺序，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，对各步骤的先后变化也在本发明的保护范围之内。

以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (11)

1.一种触摸基板，其特征在于，包括：

第一信号线；

与所述第一信号线交叉绝缘设置的第二信号线；

位于所述第一信号线和所述第二信号线交叉处的光感应薄膜晶体管，所述光感应薄膜晶体管的栅极连接到所述第一信号线，所述光感应薄膜晶体管的源极连接到所述第二信号线，所述光感应薄膜晶体管的有源层的材料为光感应材料。

2.根据权利要求1所述的触摸基板，其特征在于，所述触摸基板为阵列基板，所述第一信号线为所述阵列基板的栅线，所述第二信号线为所述阵列基板的数据线。

3.根据权利要求1所述的触摸基板，其特征在于，所述触摸基板为阵列基板，所述第一信号线为所述阵列基板的公共电极线，所述第二信号线为所述阵列基板的数据线。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的触摸基板，其特征在于，所述光感应薄膜晶体管的有源层的材料为氧化物半导体。

5.一种触摸显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-4中任一项所述的触摸基板。

6.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求5所述的触摸显示面板。

7.一种触摸基板的制作方法，其特征在于，包括：

形成第一信号线；

形成与所述第一信号线交叉绝缘设置的第二信号线；

形成位于所述第一信号线和所述第二信号线交叉处的光感应薄膜晶体管，所述光感应薄膜晶体管的栅极连接到所述第一信号线，所述光感应薄膜晶体管的源极连接到所述第二信号线，所述光感应薄膜晶体管的有源层的材料为光感应材料。

8.根据权利要求7所述的触摸基板的制作方法，其特征在于，所述触摸基板为阵列基板，形成光感应薄膜晶体管具体为：

在形成所述阵列基板的像素薄膜晶体管的同时，形成所述光感应薄膜晶体管。

9.根据权利要求8所述的触摸基板的制作方法，其特征在于，所述第一信号线为所述阵列基板的栅线，所述第二信号线为所述阵列基板的数据线，所述制作方法包括：

通过一次构图工艺利用栅金属层形成栅线、所述像素薄膜晶体管的栅极以及所述光感应薄膜晶体管的栅极，所述光感应薄膜晶体管的栅极与对应的栅线连接。

10.根据权利要求8所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一信号线为所述阵列基板的公共电极线，所述第二信号线为所述阵列基板的数据线，所述制作方法包括：

通过一次构图工艺利用栅金属层形成栅线、公共电极线、所述像素薄膜晶体管的栅极以及所述光感应薄膜晶体管的栅极，所述光感应薄膜晶体管的栅极与对应的公共电极线连接。

11.根据权利要求9或10所述的触摸基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：

通过一次构图工艺利用源漏金属层形成数据线、所述像素薄膜晶体管的源极和漏极、所述光感应薄膜晶体管的源极和漏极，所述光感应薄膜晶体管的源极与对应的数据线连接。