CN112071872B - 一种传感器组件、传感器组件制程方法及显示面板 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 50
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 103
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 49
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 30
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 27
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 27
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims description 14
- -1 molybdenum oxide compound Chemical class 0.000 claims description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 11
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 8
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 5
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 318
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 12
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N stibanylidynetin;hydrate Chemical compound O.[Sn].[Sb] SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- DZLPZFLXRVRDAE-UHFFFAOYSA-N [O--].[O--].[O--].[O--].[Al+3].[Zn++].[In+3] Chemical compound [O--].[O--].[O--].[O--].[Al+3].[Zn++].[In+3] DZLPZFLXRVRDAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZXTFQUMXDQLMBY-UHFFFAOYSA-N alumane;molybdenum Chemical compound [AlH3].[Mo] ZXTFQUMXDQLMBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N gallium tin Chemical compound [Ga].[Sn] YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N indium;oxozinc;tin Chemical compound [In].[Sn].[Zn]=O HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N oxotin;zinc Chemical compound [Zn].[Sn]=O KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/1443—Devices controlled by radiation with at least one potential jump or surface barrier
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
- H01L27/1461—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements characterised by the photosensitive area
-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
- H01L27/14612—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
- H01L27/14612—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor
- H01L27/14614—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor having a special gate structure
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
-
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- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14692—Thin film technologies, e.g. amorphous, poly, micro- or nanocrystalline silicon
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
本发明提供一种传感器组件、传感器组件制程方法及显示面板，该传感器组件包括：基板、栅极层、第一半导体层、第一源漏电极层和薄膜晶体管。栅极层包括第一部分和第二部分，第一部分包括连接部和两个以上子栅极层，子栅极层之间具有间隙，子栅极层的一端部通过连接部连接。第一半导体层设置在第一部分远离第一面的一侧且嵌入间隙。第一源漏电极层设置在第一半导体层远离栅极层的一侧。其中，第一部分、第一半导体层及第一源漏电极层形成光感PN结。通过集成光感PN结和底栅结构的薄膜晶体管，避免了顶栅结构薄膜晶体管光敏传感器在集成时存在的局限性，解决了底面照光的光敏传感器与显示面板集成时增加模组厚度和开发成本的问题。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种传感器组件、传感器组件制程方法及显示面板。
背景技术
在弱光条件下，顶栅结构薄膜晶体管光敏传感器(Top-gate TFT sensor)在关态电流(Ioff)段的光敏性能要明显优于顶部照光的常规反向通道蚀刻(BCE,Back ChannelEtch)薄膜晶体管光敏传感器。这主要得益于有源层受光照面积的提升，但是底面照光的Sensor在与显示面板(Display)集成时存在一定的局限性，只能集成于液晶显示器(LCD,Liquid Crystal Display)的彩膜(CF,color filter)基板或者集成于主动显示的盖板，不仅增加了模组的厚度，还增加了开发的成本。
发明内容
本发明提供一种传感器组件、传感器组件制程方法及显示面板，通过与底栅结构薄膜晶体管集成，避免增加显示面板的厚度，降低了开发成本。
本发明提供一种传感器组件，包括：
基板，所述基板包括相对设置的第一面和第二面；
栅极层，所述栅极层部分覆盖所述第一面，所述栅极层包括第一部分和第二部分，所述第一部分包括连接部和两个以上子栅极层，所述子栅极层之间具有间隙，所述子栅极层的一端部通过所述连接部连接；
第一半导体层，所述第一半导体层设置在所述第一部分远离所述第一面的一侧且嵌入所述间隙；
第一源漏电极层，所述第一源漏电极层设置在所述第一半导体层远离所述栅极层的一侧；其中，所述第一部分、所述第一半导体层及所述第一源漏电极层形成光感PN结；
薄膜晶体管，所述薄膜晶体管与所述光感PN结相邻设置在所述第一面上，所述第二部分为所述薄膜晶体管的栅极。
在一些实施例中，所述第一源漏电极层包括第一P型材料层和第一电极材料层，所述第一P型材料层设置在靠近所述第一半导体层的一侧，所述第一电极材料层设置在远离所述第一半导体层的一侧；其中，所述第一P型材料层采用的材料为钼氧化合物、锡氧化合物或以上材料的组合，所述第一电极材料层采用的材料为金属或金属氧化物。
在一些实施例中，所述第一源漏电极层的厚度为至/>
在一些实施例中，所述第一源漏电极层设置在所述第一半导体层的正投影区域内，且所述第一源漏电极层的覆盖面积小于所述第一半导体层的覆盖面积。
在一些实施例中，所述薄膜晶体管还包括栅极绝缘层、第二半导体层以及第二源漏电极层，所述栅极绝缘层设置在所述第二部分远离所述第一面的一侧并延伸至所述第一面，所述第二半导体层部分覆盖所述栅极绝缘层远离所述第二部分的一侧，所述第二源漏电极层部分覆盖所述第二半导体层远离所述栅极绝缘层的一侧，并延伸至所述栅极绝缘层，所述第二源漏电极层覆盖所述第二半导体层的部分设置有第一通孔。
在一些实施例中，还包括钝化层和像素电极层，所述钝化层覆盖所述光感PN结和所述薄膜晶体管，并延伸至所述第一面，所述钝化层通过所述第一通孔与所述第二半导体层连接，所述钝化层上设置有第二通孔，所述像素电极层部分覆盖所述钝化层远离所述第一面的一侧，且通过所述第二通孔与所述第二源漏电极层连接。
本发明提供一种传感器组件制程方法，包括：
提供一基板，所述基板包括相对设置的第一面和第二面；
在所述第一面上设置栅极层，所述栅极层部分覆盖所述第一面，所述栅极层包括第一部分和第二部分，所述第一部分包括连接部和两个以上子栅极层，所述子栅极层之间具有间隙，所述子栅极层的一端部通过所述连接部连接；
在所述子栅极层远离所述第一面的一侧设置第一半导体层，所述第一半导体层嵌入所述间隙；
在所述第一半导体层远离所述栅极层的一侧设置第一源漏电极层；
所述第一部分、所述第一半导体层及所述第一源漏电极层形成光感PN结；
在所述第一面上与所述光感PN结相邻设置薄膜晶体管，所述第二部分为所述薄膜晶体管的栅极。
在一些实施例中，所述在所述第一面上设置栅极层，包括：
在所述第一面上采用沉积的方法设置栅极膜层；
对所述栅极膜层进行黄光工艺和刻蚀工艺，形成两个以上具有间隙的子栅极层、连接部和图案化的栅极膜层，所述子栅极层的一端部通过所述连接部连接，所述子栅极层与所述连接部形成第一部分，所述图案化的栅极膜层形成第二部分；
所述第一部分和所述第二部分形成所述栅极层。
在一些实施例中，所述在所述第一面上与所述光感PN结相邻设置薄膜晶体管，包括：
在所述第二部分远离所述第一面的一侧设置栅极绝缘层，所述栅极绝缘层延伸至所述第一面；
在所述子栅极层远离所述第一面的一侧设置第一半导体层时，在所述栅极绝缘层远离所述第二部分的一侧设置第二半导体层；
在所述第一半导体层远离所述栅极层的一侧设置第一源漏电极层时，在所述第二半导体层远离所述栅极绝缘层的一侧设置第二源漏电极层，所述源漏电极层延伸至所述栅极绝缘层；
所述第二部分、所述栅极绝缘层、所述第二半导体层以及所述第二源漏电极层形成所述薄膜晶体管。
本发明提供一种显示面板，包括以上所述的传感器组件。
本发明所提供的传感器组件，包括基板、栅极层、第一半导体层、第一源漏电极层和薄膜晶体管。基板包括相对设置的第一面和第二面。所述栅极层部分覆盖所述第一面，所述栅极层包括第一部分和第二部分，所述第一部分包括连接部和两个以上子栅极层，所述子栅极层之间具有间隙，所述子栅极层的一端部通过所述连接部连接。所述第一半导体层设置在所述第一部分远离所述第一面的一侧且嵌入所述间隙。所述第一源漏电极层设置在所述第一半导体层远离所述栅极层的一侧。其中，所述第一部分、所述第一半导体层及所述第一源漏电极层形成光感PN结。所述薄膜晶体管与所述光感PN结相邻设置在所述第一面上，所述第二部分为所述薄膜晶体管的栅极。通过集成光感PN结和底栅结构的薄膜晶体管，避免了顶栅结构薄膜晶体管光敏传感器在集成时存在的局限性，解决了底面照光的光敏传感器与显示面板集成时增加模组厚度和开发成本的问题。
附图说明
为了更清楚地说明本发明中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明提供的传感器组件的第一种膜层结构示意图；
图2为本发明提供的光感PN结的一种俯视结构示意图；
图3为本发明提供的传感器组件的第二种膜层结构示意图；
图4为本发明提供的传感器组件的第三种膜层结构示意图；
图5为本发明提供的传感器组件制程方法的第一种工艺流程示意图；
图6为本发明提供的传感器组件制程方法的第二种工艺流程示意图；
图7至图12为本发明提供的传感器组件制程方法的制程步骤示意图；
图13为本发明提供的显示面板的一种结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明中的附图，对本发明中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明的是，在本发明的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
本发明提供一种传感器组件、传感器组件制程方法及显示面板，以下对传感器组件做详细介绍。
请参阅图1和图2，图1是本发明中的传感器组件10的第一种膜层结构示意图，图2是本发明中的光感PN结的一种俯视结构示意图。其中，传感器组件10包括基板101、栅极层102、第一半导体层1041、第一源漏电极层1051和薄膜晶体管10b。基板101包括相对设置的第一面101a和第二面101b。栅极层102部分覆盖第一面101，栅极层102包括第一部分102a和第二部分102b，第一部分102a包括连接部1021a和两个以上子栅极层1021b，子栅极层1021b之间具有间隙1021c，子栅极层1021b的一端部通过连接部1021a连接。第一半导体层1041设置在第一部分1021远离第一面101a的一侧且嵌入间隙1021c。第一源漏电极层1051设置在第一半导体层1041远离栅极层102的一侧。其中，第一部分1021、第一半导体层1041及第一源漏电极层1051形成光感PN结10a。薄膜晶体管10b与光感PN结10a相邻设置在第一面101a上，第二部分1022为薄膜晶体管10b的栅极。
本发明开发了一种与底栅结构TFT集成的光敏传感器，可以避免顶栅结构光敏传感器在集成于显示装置时增加模组厚度和开发成本的问题。本发明采用PN结的形式产生光电二级管(光电池)，光照在PN结两端产生电动势，相当于在PN结两端加正向电压。在光照的作用下，电流通过电路使光敏PN结10a起到光敏传感器的作用。
需要说明的是，第一面101a可以为基板101的上表面，第二面101b可以为基板101的下表面。当然，第一面101a也可以为基板101的下表面，第二面101b可以为基板101的上表面。本发明中不做特殊说明的情况下，默认为第一面101a为基板101的上表面，第二面101b为基板101的下表面。
其中，栅极层102采用的材料为金属或金属合金，具体地，可以为钼(Mo)、铝(Al)或钼铝合金。其中，栅极层102的厚度为至/>具体地，栅极层102的厚度为或/>
其中，第一部分102a包括连接部1021a和两个以上子栅极层1021b，子栅极层1021b之间具有间隙1021c，子栅极层1021b的一端部通过连接部1021a连接。即，第一部分102a掏空制作，设置为如图2所示的梳状结构，这样设置可以增大受光面积，提高光感PN结10a对光线的敏感性，增大光线利用效率。如不掏空，则光线无法透过栅极层102和第一半导体层1041照射至光感PN结10a形成电动势。
其中，第一半导体层1041采用的材料为透明金属氧化物，具体地，可以为铟镓锌氧化物(IGZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟镓锌锡氧化物(IGZTO)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)或锑锡氧化物(ATO)中的任一种。以上材料具有很好的导电性和透明性，并且厚度较小，不会影响显示面板的整体厚度。同时，还可以减少对人体有害的电子辐射及紫外、红外光。第一半导体层1041的厚度为至具体地，第一半导体层1041的厚度为/> 或
其中，第一源漏电极层1051的厚度为至/>具体地，第一源漏电极层1051的厚度为/>或/>
其中，第一源漏电极层1051设置在第一半导体层1041的正投影区域内，且第一源漏电极层1051的覆盖面积小于第一半导体层1041的覆盖面积。由于光感PN结10a的结构中没有设置栅极绝缘层，因此将第一半导体层1041的覆盖面积设置为比第一源漏电极层1051的覆盖面积稍大，可以避免第一源漏电极层1051与栅极层102接触造成器件短路。
其中，薄膜晶体管10b为底栅结构的薄膜晶体管，例如，反向通道刻蚀(BackChannel Etch,BCE)薄膜晶体管。BCE TFT结构工艺制程简单，生产成本低，接触电阻低，并且具有高迁移率、高稳定性和高兼容性。BCE TFT还可以减少背光遮挡进而降低功耗。
其中，薄膜晶体管10b还包括栅极绝缘层103、第二半导体层1042以及第二源漏电极层1052，栅极绝缘层103设置在第二部分1022远离第一面101a的一侧并延伸至第一面101a，第二半导体层1042部分覆盖栅极绝缘层103远离第二部分1022的一侧，第二源漏电极层105部分覆盖第二半导体层1042远离栅极绝缘层103的一侧，并延伸至栅极绝缘层103，第二源漏电极层1052覆盖第二半导体层1042的部分设置有第一通孔。
其中，栅极绝缘层103可以为单层或多层结构，栅极绝缘层103采用的材料为硅氧化合物、硅氮化合物或以上材料的组合。例如在栅极绝缘层103多层结构中，可以采用一层硅氧化合物与一层硅氮化合物的多层结构。栅极绝缘层103的厚度为至/>具体地，栅极绝缘层103的厚度为/> 或
其中，第二半导体层1042与第一半导体层1041的材料和厚度相同，第二源漏电极层1052与第一源漏电极层1051的材料和厚度相同。
请参阅图3，图3是本发明中的传感器组件10的第二种膜层结构示意图。第一源漏电极层1051包括第一P型材料层1051a和第一电极材料层1051b，第一P型材料层1051a设置在靠近第一半导体层1041的一侧，第一电极材料层1051b设置在远离第一半导体层1041的一侧。其中，第一P型材料层1051a采用的材料为钼氧化合物、锡氧化合物或以上材料的组合，第一电极材料层1051b采用的材料为金属或金属氧化物。第二源漏电极层1052包括第二P型材料层1052a和第二电极材料层1052b，第二P型材料层1052a设置在靠近第二半导体层1042的一侧，第二电极材料层1052b设置在远离第二半导体层1042的一侧。其中，第二P型材料层1051a采用的材料为钼氧化合物、锡氧化合物或以上材料的组合，第二电极材料层1051b采用的材料为金属或金属氧化物。具体地，第一电极材料层1051b和第二电极材料层1051b采用的材料可以为铜(Cu)、钼(Mo)或钼氧化合物(MoOx)。
第二源漏电极层1052也设置P型材料层可以将第二源漏电极层1052与第一源漏电极层1051采用一步制程制作，能够节约设备成本和材料成本，节省生产时间，提高生产效率。并且，由于薄膜晶体管10b中设置有栅极绝缘层103，因此，在第二源漏电极层1052的底层设置P型材料不会对薄膜晶体管10b产生太大影响。
请参阅图4，图4是本发明中的传感器组件10的第三种膜层结构示意图。其中，传感器组件10还包括钝化层106和像素电极层107，钝化层覆盖光感PN结10a和薄膜晶体管10b，并延伸至第一面101a，钝化层106通过第一通孔与第二半导体层1042连接，钝化层106上设置有第二通孔，像素电极层107部分覆盖钝化层106远离第一面101a的一侧，且通过第二通孔与所述第二源漏电极层1052连接。
其中，钝化层106可以为单层或多层结构，钝化层106采用的材料为硅氧化合物、硅氮化合物或以上材料的组合。例如在钝化层106多层结构中，可以采用一层硅氧化合物与一层硅氮化合物的多层结构。钝化层106的厚度为至/>具体地，栅极绝缘层103的厚度为/>或/>
请参阅图5，图5是本发明中的传感器组件制程方法的第一种工艺流程示意图。其中，本发明提供一种传感器组件制程方法，具体包括如下步骤：
201、提供一基板，基板包括相对设置的第一面和第二面。
202、在第一面上设置栅极层，栅极层部分覆盖第一面，栅极层包括第一部分和第二部分，第一部分包括连接部和两个以上子栅极层，子栅极层之间具有间隙，子栅极层的一端部通过连接部连接。
具体地，在第一面上采用沉积的方法设置栅极膜层。然后对栅极膜层进行黄光工艺和刻蚀工艺，形成两个以上具有间隙的子栅极层、连接部和图案化的栅极膜层，子栅极层的一端部通过连接部连接，子栅极层与连接部形成第一部分，图案化的栅极膜层形成第二部分。第一部分和第二部分形成栅极层。采用沉积的方法，速度快，膜层致密，附着性好，很适合于大批量，高效率工业生产。进一步地，可以采用物理气相沉积的方法沉积栅极层。
203、在子栅极层远离第一面的一侧设置第一半导体层，第一半导体层嵌入间隙。
具体地，在栅极层上采用沉积的方法设置半导体膜层，半导体膜层嵌入间隙。然后对半导体膜层在预设退火温度下进行退火处理，退火处理之后对半导体膜层进行黄光工艺和刻蚀工艺，只留下在子栅极层上方的半导体膜层，以形成第一半导体层。具体地，可以采用物理气相沉积的方法沉积第一半导体层，预设退火温度为150℃至450℃。进一步地，预设退火温度为150℃、200℃、300℃、400℃或450℃。
204、在第一半导体层远离栅极层的一侧设置第一源漏电极层。
具体地，在第一半导体层上采用沉积的方法设置源漏电极膜层。然后对源漏电极膜层进行黄光工艺和刻蚀工艺，只留下在第一半导体层上方的源漏电极膜层，以形成第一源漏电极层。具体地，可以采用物理气相沉积的方法沉积第一源漏电极层。
205、第一部分、第一半导体层及第一源漏电极层形成光感PN结。
206、在第一面上与光感PN结相邻设置薄膜晶体管，第二部分为薄膜晶体管的栅极。
具体地，在第二部分远离第一面的一侧设置栅极绝缘层，栅极绝缘层延伸至第一面。在第一部分远离第一面的一侧设置第一半导体层时，在栅极绝缘层远离所述第二部分的一侧设置第二半导体层。在第一半导体层远离栅极层的一侧设置第一源漏电极层时，在第二半导体层远离栅极绝缘层的一侧设置第二源漏电极层，源漏电极层延伸至栅极绝缘层。第二部分、栅极绝缘层、第二半导体层以及第二源漏电极层形成薄膜晶体管。
本实施例提供的是BCE结构薄膜晶体管的设置方法，但不作为对本发明的限制，本发明提供的集成方法还可适用于其他底栅结构的薄膜晶体管，具体的薄膜晶体管设置方式为本领域技术人员所熟知的技术手段，在此不再赘述。
请参阅图6至图12，图6是本发明中的传感器组件制程方法的第二种工艺流程示意图。图7至图12是本发明中的传感器组件制程方法的制程步骤示意图。其中，本发明提供一种传感器组件制程方法，具体包括如下步骤：
301、提供一基板，基板包括相对设置第一面和第二面。
302、在第一面上设置栅极层，栅极层部分覆盖第一面，栅极层包括第一部分和第二部分，第一部分包括连接部和两个以上子栅极层，子栅极层之间具有间隙，子栅极层的一端部通过连接部连接。
请参阅图7，图7是本发明中设置栅极层的制程步骤示意图。在一种实施例中，采用物理气相沉积(Physical Vapor Deposition,PVD)工艺沉积形成至/>的栅极膜层，再依次利用黄光工艺和刻蚀工艺制得具有图形的栅极层102，其中光敏传感器(即本发明中的光感PN结)栅极掏空制作，形成两块或两块以上子栅极层连接一起组成图7中第一部分1021。
303、在第二部分上设置栅极绝缘层，栅极远离第一面的一侧设置栅极绝缘层，栅极绝缘层延伸至第一面。
请参阅图8，图8是本发明中设置栅极绝缘层的制程步骤示意图。在一种实施例中，通过等离子增强化学气相沉积工艺沉积栅极绝缘层，然后利用黄光工艺和刻蚀工艺进行图案化，留下部分覆盖第二部分1022的栅极绝缘层103，且栅极绝缘层103延伸至第一面101a。
304、在子栅极层远离所述第一面的一侧设置第一半导体层，所述第一半导体层嵌入所述间隙，同时在所述栅极绝缘层远离所述第二部分的一侧设置第二半导体层。
请参阅图9，图9是本发明中设置第一半导体层和第二半导体层的制程步骤示意图。在一种实施例中，通过物理气相沉积(Physical Vapor Deposition,PVD)工艺沉积厚度为至/>的铟镓锌氧化物(IGZO)材料。然后对IZGO进行退火处理，退火温度为150℃至450℃，再依次利用黄光工艺和刻蚀工艺制得具有图形的半导体层。其中，保留在第一部分1021上方的为第一半导体层1041，保留在栅极绝缘层103上方的为第二半导体层1042。
305、在所述第一半导体层远离所述栅极层的一侧设置第一源漏电极层，同时在所述第二半导体层远离所述第二半导体层的一侧设置第二源漏电极层，所述源漏电极层延伸至所述栅极绝缘层。
请参阅图10，图10是本发明中设置第一源漏电极层和第二源漏电极层的制程步骤示意图。在一种实施例中，通过物理气相沉积(Physical Vapor Deposition,PVD)工艺沉积厚度为至/>的源漏电极膜层。其中，先沉积一层P型材料，例如钼氧化合物或锡氧化合物。然后在P型材料上方沉积金属电极材料。沉积完成后进行黄光刻蚀工艺，保留在第一半导体层1041上方的为第一源漏电极层1051，保留在第二半导体层1042上方且延伸至栅极绝缘层103的为第二源漏电极层1052，并且第二源漏电极层1052上设置有第一通孔。另外，薄膜晶体管10b的具体结构可以根据具体的器件需求设置，本发明提供的只是一种示例，不作为对本发明薄膜晶体管10b结构的限制。
306、在光感PN结和薄膜晶体管上设置钝化层，钝化层延伸至第一面。
请参阅图11，图11是本发明中设置钝化层的制程步骤示意图。在一种实施例中，通过等离子增强化学气相沉积工艺沉积厚度为至/>的钝化层，再依次利用黄光工艺和刻蚀工艺制进行设置第二通孔。钝化层通过第二源漏电极层1052上的第一通孔与第二半导体层1042连接，并隔绝第二源漏电极层1052的两个部分，即源极和漏极(附图中均未做区分)。
307、在钝化层上设置像素电极层，像素电极层部分覆盖钝化层远离第一面的一侧，且通过第二通孔与第二源漏电极层连接。
请参阅图12，图12是本发明中设置像素电极层的制程步骤示意图。在钝化层上设置像素电极层107之后，形成如图12的传感器组件10。
本发明提供一种显示面板100，图13为本发明中显示面板100的一种结构示意图。其中，显示面板100包括以上所述的传感器组件10和发光模块20，显示面板100还可以包括其他装置。本发明中发光模块20和其他装置及其装配是本领域技术人员所熟知的相关技术，在此不做过多赘述。
本发明提供的显示面板100，通过集成光感PN结和底栅结构的薄膜晶体管，由于采用光感PN结替代了传统结构中的光敏薄膜晶体管(photo TFT)、信号薄膜晶体管(ampTFT)，能够减少一个薄膜晶体管的设置，因此，简化了器件结构，节省了像素结构中的布局空间，增大了开口率。还可避免顶栅结构薄膜晶体管光敏传感器在集成时存在的局限性，并解决了底面照光的光敏传感器与显示面板集成时增加模组厚度和开发成本的问题。本发明提供的显示面板100可以开发应用光感书写、红外触控、距离感应以及远程光互动等多项功能。
以上对本发明提供的传感器组件、传感器组件制程方法及显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明。同时，对于本领域的技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
Claims (7)
1.一种传感器组件，其特征在于，包括：
基板，所述基板包括相对设置的第一面和第二面；
栅极层，所述栅极层部分覆盖所述第一面，所述栅极层包括第一部分和第二部分，所述第一部分包括连接部和两个以上子栅极层，所述子栅极层之间具有间隙，所述子栅极层的一端部通过所述连接部连接；
第一半导体层，所述第一半导体层设置在所述第一部分远离所述第一面的一侧且嵌入所述间隙；
第一源漏电极层，所述第一源漏电极层设置在所述第一半导体层远离所述栅极层的一侧；其中，所述第一部分、所述第一半导体层及所述第一源漏电极层形成光感PN结；
薄膜晶体管，所述薄膜晶体管与所述光感PN结相邻设置在所述第一面上，所述第二部分为所述薄膜晶体管的栅极；所述第一部分和所述第二部分相连；所述薄膜晶体管还包括栅极绝缘层、第二半导体层以及第二源漏电极层，所述栅极绝缘层设置在所述第二部分远离所述第一面的一侧并延伸至所述第一面，所述第二半导体层部分覆盖所述栅极绝缘层远离所述第二部分的一侧，所述第二源漏电极层部分覆盖所述第二半导体层远离所述栅极绝缘层的一侧，并延伸至所述栅极绝缘层，所述第二源漏电极层覆盖所述第二半导体层的部分设置有第一通孔；
钝化层和像素电极层，所述钝化层覆盖所述光感PN结和所述薄膜晶体管，并延伸至所述第一面，所述钝化层通过所述第一通孔与所述第二半导体层连接，所述钝化层上设置有第二通孔，所述像素电极层部分覆盖所述钝化层远离所述第一面的一侧，且通过所述第二通孔与所述第二源漏电极层连接。
2.根据权利要求1所述的传感器组件，其特征在于，所述第一源漏电极层包括第一P型材料层和第一电极材料层，所述第一P型材料层设置在靠近所述第一半导体层的一侧，所述第一电极材料层设置在远离所述第一半导体层的一侧；其中，所述第一P型材料层采用的材料为钼氧化合物、锡氧化合物或以上材料的组合，所述第一电极材料层采用的材料为金属或金属氧化物。
3.根据权利要求2所述的传感器组件，其特征在于，所述第一源漏电极层的厚度为300Å至800Å。
4.根据权利要求1所述的传感器组件，其特征在于，所述第一源漏电极层设置在所述第一半导体层的正投影区域内，且所述第一源漏电极层的覆盖面积小于所述第一半导体层的覆盖面积。
5.一种传感器组件制程方法，其特征在于，包括：
提供一基板，所述基板包括相对设置的第一面和第二面；
在所述第一面上设置栅极层，所述栅极层部分覆盖所述第一面，所述栅极层包括第一部分和第二部分，所述第一部分包括连接部和两个以上子栅极层，所述子栅极层之间具有间隙，所述子栅极层的一端部通过所述连接部连接；
在所述第二部分远离所述第一面的一侧设置栅极绝缘层，所述栅极绝缘层延伸至所述第一面；
在所述子栅极层远离所述第一面的一侧设置第一半导体层，在所述栅极绝缘层远离所述第二部分的一侧设置第二半导体层，所述第一半导体层嵌入所述间隙；
在所述第一半导体层远离所述栅极层的一侧设置第一源漏电极层，在所述第二半导体层远离所述栅极绝缘层的一侧设置第二源漏电极层，所述第二源漏电极层延伸至所述栅极绝缘层；
所述第一部分、所述第一半导体层及所述第一源漏电极层形成光感PN结；所述第二部分、所述栅极绝缘层、所述第二半导体层以及所述第二源漏电极层形成薄膜晶体管，所述第二部分为所述薄膜晶体管的栅极，所述第一部分和所述第二部分相连；
在所述光感PN结和所述薄膜晶体管上设置钝化层，钝化层延伸至第一面；
在所述钝化层上设置像素电极层，所述像素电极层部分覆盖所述钝化层远离所述第一面的一侧，且通过第二通孔与所述第二源漏电极层连接。
6.根据权利要求5所述的传感器组件制程方法，其特征在于，所述在所述第一面上设置栅极层，包括：
在所述第一面上采用沉积的方法设置栅极膜层；
对所述栅极膜层进行黄光工艺和刻蚀工艺，形成两个以上具有间隙的子栅极层、连接部和图案化的栅极膜层，所述子栅极层的一端部通过所述连接部连接，所述子栅极层与所述连接部形成第一部分，所述图案化的栅极膜层形成第二部分；
所述第一部分和所述第二部分形成所述栅极层。
7.一种显示面板，其特征在于，包括传感器组件，所述传感器组件为权利要求1至4任一项所述的传感器组件。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010919067.0A CN112071872B (zh) | 2020-09-04 | 2020-09-04 | 一种传感器组件、传感器组件制程方法及显示面板 |
| US17/252,274 US20220320153A1 (en) | 2020-09-04 | 2020-10-22 | Sensor module, method for manufacturing same, and display panel |
| PCT/CN2020/122923 WO2022047918A1 (zh) | 2020-09-04 | 2020-10-22 | 一种传感器组件、传感器组件制程方法及显示面板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010919067.0A CN112071872B (zh) | 2020-09-04 | 2020-09-04 | 一种传感器组件、传感器组件制程方法及显示面板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112071872A CN112071872A (zh) | 2020-12-11 |
| CN112071872B true CN112071872B (zh) | 2023-09-05 |
Family
ID=73666409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010919067.0A Active CN112071872B (zh) | 2020-09-04 | 2020-09-04 | 一种传感器组件、传感器组件制程方法及显示面板 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20220320153A1 (zh) |
| CN (1) | CN112071872B (zh) |
| WO (1) | WO2022047918A1 (zh) |
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- 2020-09-04 CN CN202010919067.0A patent/CN112071872B/zh active Active
- 2020-10-22 US US17/252,274 patent/US20220320153A1/en active Pending
- 2020-10-22 WO PCT/CN2020/122923 patent/WO2022047918A1/zh active Application Filing
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN112071872A (zh) | 2020-12-11 |
| WO2022047918A1 (zh) | 2022-03-10 |
| US20220320153A1 (en) | 2022-10-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |