CN105550662A - 一种指纹识别装置及其制作方法、阵列基板、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例提供一种指纹识别装置及其制作方法、阵列基板、显示装置，涉及显示技术领域，能够解决现有的光学式指纹识别装置的厚度较大的问题。该指纹识别装置包括第一栅线和读取信号线，第一栅线和读取信号线交叉界定多个指纹识别单元，每个指纹识别单元中设置有光敏器件和第一晶体管；光敏器件包括第一电极层，以及依次位于第一电极层表面第一掺杂半导体层、第二掺杂半导体层以及第二电极层；第一电极层与第二电极层之间用于形成电场；第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层之间形成PN结；第一晶体管的栅极连接第一栅线，第一晶体管的第一极连接读取信号线，第一晶体管的第二极与第二电极层相连接。

Description

一种指纹识别装置及其制作方法、阵列基板、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种指纹识别装置及其制作方法、阵列基板、显示装置。
背景技术
随着现代社会的进步，个人身份识别以及个人信息安全的重要性逐步受到人们的关注。由于人体指纹具有唯一性和不变性，因此指纹识别技术具有安全性好，可靠性高，使用简单方便的特点，使得指纹识别技术被广泛应用于保护个人信息安全的各种领域，尤其是移动终端领域，例如手机、笔记本电脑、平板的电脑、数码相机等，对于信息安全性的需求更为突出。指纹识别功能是目前电子设备常用的功能之一，其对于增强电子设备的安全性，扩展其应用范围等均有重要意义。
现有的光学式指纹识别装置的感知方式，如图1所示，光源100发出的光经棱镜101透射到手指凹凸不平的皮肤纹路上后，经手指反射后再次进入棱镜101传播后到达聚焦透镜102(英文全称：Charge-CoupledDevice，英文简称：CCD；或者，英文全称：ComplementaryMetalOxideSemiconductor，英文简称：CMOS)，并通过聚焦透镜102聚焦后成像到图像处理器103上。其中，由于手指纹路上谷线和脊线折射的角度及反射回去的光线强度不同，将其投射在图像处理器103上后，可形成指纹图像。
然而，由于上述指纹识别装置中，棱镜101、聚焦透镜102、图像处理器103本身需占用较大空间，此外为保证成像棱镜101与聚焦透镜102之间的需设置一定的距离，聚焦透镜102与图像处理器103之间也需设置一定的距离。
发明内容
本发明的实施例提供一种指纹识别装置及其制作方法、阵列基板、显示装置，能够解决现有的光学式指纹识别装置的厚度较大的问题。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
本发明实施例的一方面，提供一种指纹识别装置，其特征在于，包括第一栅线和读取信号线，所述第一栅线和所述读取信号线交叉界定多个指纹识别单元，每个指纹识别单元中设置有光敏器件和第一晶体管；所述光敏器件包括第一电极层，以及依次位于所述第一电极层表面第一掺杂半导体层、第二掺杂半导体层以及第二电极层；所述第一电极层与所述第二电极层之间用于形成电场；所述第一掺杂半导体层和所述第二掺杂半导体层之间形成PN结；所述第一晶体管的栅极连接所述第一栅线，所述第一晶体管的第一极连接所述读取信号线，所述第一晶体管的第二极与所述第二电极层相连接。
优选的，所述光敏器件还包括位于所述第一掺杂半导体层与所述第二掺杂半导体层之间的耗尽层。
优选的，所述耗尽层与所述第一晶体管的有源层同层同材料。
优选的，所述第一电极层与所述第一晶体管的栅极的同层同材料。
优选的，构成所述第二电极层的材料包括透明导电材料。
优选的，还包括与所述第一栅线平行的电极信号线，所述电极信号线与所述第一电极层相连接，用于向所述第一电极层提供电信号。
优选的，所述第一电极层的厚度为10nm-100nm。
优选的，所述第一掺杂半导体层或所述第二掺杂半导体层的厚度为20nm-70nm。
优选的，所述耗尽层的厚度为500nm-1500nm。
优选的，所述第二电极层的厚度为10nm-500nm。
本发明实施例的另一方面，提供一种阵列基板，包括如上述所述的任意一种指纹识别装置。
优选的，包括显示区域，指纹识别装置设置于所述显示区域。
优选的，所述显示区域包括多个亚像素，一个所述亚像素内设置有一个指纹识别单元。
优选的，所述显示区域包括构成像素单元的第一颜色亚像素、第二颜色亚像素、第三颜色亚像素以及白色亚像素；所述第一颜色、第二颜色以及所述第三颜色构成三基色；所述白色亚像素内设置有指纹识别单元。
优选的，包括横纵交叉的第二栅线和数据线；第一栅线与所述第二栅线相平行，读取信号线与所述数据线相平行。
优选的，包括周边区域，所述指纹识别装置位于所述周边区域。
本发明实施例的又一方面，提供一种显示装置包括如上所述的任意一种阵列基板。
本发明实施例的另一方面，提供一种指纹识别装置的制作方法，包括在衬底基板上形成第一晶体管的栅极、第一栅线以及第一电极层；在形成有所述第一晶体管的栅极、所述第一栅线以及所述第一电极层的基板表面，形成所述第一晶体管的栅极绝缘层；在形成有所述栅极绝缘层的基板表面，形成第一掺杂半导体层；在形成有所述第一掺杂半导体层的基板表面，形成所述第一晶体管的有源层；在形成有所述第一晶体管的有源层的基板表面，形成读取信号线、所述第一晶体管的第一极和第二极；所述第一晶体管的第一极与所述读取信号线相连接；在形成有所述读取信号线、所述第一晶体管的第一极和第二极的基板表面，形成第二掺杂半导体层；在形成有所述第一晶体管的第一极和第二极的基板表面，形成钝化层，以及在所述钝化层表面对应所述第一晶体管第二极的位置形成过孔；在形成所述第二掺杂半导体层的基板表面，形成第二电极层，所述第二电极层通过所述过孔与所述第一晶体管的第二极相连接。
优选的，在形成有所述第一掺杂半导体层的基板表面，形成所述第一晶体管的有源层的同时，形成位于所述第一掺杂半导体层表面的耗尽层。
本发明实施例提供一种指纹识别装置及其制作方法、阵列基板、显示装置，该指纹识别装置包括第一栅线和读取信号线，第一栅线和读取信号线交叉界定多个指纹识别单元，每个指纹识别单元中设置有光敏器件和第一晶体管。光敏器件包括第一电极层，以及依次位于第一电极层表面第一掺杂半导体层、第二掺杂半导体层以及第二电极层。第一电极层与第二电极层之间用于形成电场，第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层之间形成PN结。第一晶体管的栅极连接第一栅线，第一晶体管的第一极连接读取信号线，第一晶体管的第二极与第二电极层相连接。
这样一来，由于第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层的交界面处具有耗尽区，该耗尽区内会形成半导体PN结，此时该光敏器件在光线激发作用下，在耗尽区会产生大量的空穴-电子对。在第一电极层与第二电极层之间形成的电场作用下，空穴和电子会分别向能级较高的价带和能级较低的导带移动，从而形成电流。此时当用户的手指按压该指纹识别装置时，手指上脊线和谷线反射的光线强度不同，从而激发光敏器件产生的电流大小不同。在此情况下，第一栅线可以将第一晶体管导通，从而使得与光敏器件的第二电极相连接的读取信号线可以采集上述电流，以对手指的脊线和谷线进行识别。由于上述指纹识别单元中未使用棱镜、CCD或CMOS，从而可以减小厚度。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术提供的一种指纹识别装置的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的一种指纹识别装置的结构示意图；
图3a为图2中光敏器件的侧视图；
图3b为图3a中第一掺杂半导体层与第二掺杂半导体层之间的耗尽区的示意图；
图4为图3a所示的光敏器件中设置有耗尽层的结构示意图；
图5为图2中第一晶体管和光敏器件的截面图；
图6为本发明实施例提供的一种阵列基板的区域划分图；
图7为在图6所示的显示区域设置图2所示的指纹识别单元的一种结构示意图；
图8为在图6所示的显示区域设置图2所示的指纹识别单元的另一种结构示意图；
图9为本发明实施例提供的一种指纹识别装置的制作方法流程图。
附图标记：
100-光源；101-棱镜；102-聚焦透镜；103-图像处理器；01-亚像素；110-第一颜色亚像素；111-第二颜色亚像素；112-第三颜色亚像素；113-白色亚像素；02-指纹识别单元；03-耗尽区；20-光敏器件；201-第一电极层；202-第一掺杂半导体层；203-第二掺杂半导体层；204-第二电极层；205-耗尽层；301-有源层；302-第一晶体管的栅极；303-第一晶体管的栅极绝缘层；304-第一晶体管的第一极；304’-第一晶体管的第二极；305-钝化层；306-过孔；40-显示区域；50-周边区域；G1-第一栅线；G2-第二栅线；S-电极信号线；D-数据线；RL-读取信号线。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供一种指纹识别装置，如图2所示，第一栅线G1和读取信号线RL。该第一栅线G1和读取信号线RL交叉界定多个指纹识别单元02，每个指纹识别单元02中设置有光敏器件20、第一晶体管T1。
其中，该光敏器件20，如图3a所示，可以包括第一电极层201，以及依次位于第一电极层201表面第一掺杂半导体层202、第二掺杂半导体层203以及第二电极层204。第一电极层201与第二电极层204之间用于形成电场。第一掺杂半导体层202和第二掺杂半导体层203之间形成PN结。
第一晶体管T1的栅极连接第一栅线G1，第一晶体管T1的第一极连接读取信号线RL，第一晶体管T1的第二极与第二电极层相连接204。
需要说明的是，第一、上述指纹识别装置可以包括N条第一栅线G1(分别为G1_1、G1_2、G1_3……G1_N)和M条读取信号线RL(分别为RL_1、RL_2、RL_3……RL_M)。其中N和M为大于或等于1的正整数。
第二、第一电极层201与第二电极层204之间形成电场的过程具体为，此时，通过第一电极层201可以为上述光敏器件20提供固定电位V0。具体的，如图3a所示，上述指纹识别装置还可以包括与第一栅线G1平行的电极信号线S，该电极信号线S与第一电极层201相连接，用于向第一电极层201提供电信号，即上述固定电位V0。
此外，在第一栅线G1的控制下，可以将第一晶体管T1导通，从而通过第一晶体管T1时将读取信号线RL与第二电极层204相连接，从而可以通过读取信号线RL向第二电极层204提供电信号。这样一来，第一电极层201与第二电极层204之间可以形成电场。
第三、第一掺杂半导体层202和第二掺杂半导体层203之间形成PN结是指，在第一掺杂半导体层202和第二掺杂半导体层203之间的交界面具有如图3b所示的耗尽区03，该耗尽区03内形成有该半导体的PN结。为了形成上述PN结，构成上述第一掺杂半导体层202的材料可以包括P型半导体材料，构成上述第二掺杂半导体层203的材料可以包括N型半导体材料。在此情况下，第一电极层201可以施加负电压，第二电极层204可以施加正电压。
或者，构成上述第一掺杂半导体层202的材料可以包括N型半导体材料，构成上述第二掺杂半导体层203的材料可以包括P型半导体材料。第一电极层201可以施加正电压，第二电极层204可以施加负电压。
其中，为了方便说明，本发明以下实施例均是以第一掺杂半导体层202为P型半导体，而第二掺杂半导体层203为N型半导体为例进行的说明。
在此情况下，上述光敏器件20的工作原理为，P型的第一掺杂半导体层202和N型的第二掺杂半导体层203之间具有半导体PN结，此时该光敏器件20在光线激发作用下，在耗尽区03会产生大量的空穴-电子对。在第一电极层201与第二电极层202形成的电场作用下，一部分电子会移动到能级较低的N型导带，即由第二掺杂半导体层203构成的N型区，而一部分空穴会移动到能级较高的P型价带，即由第一掺杂半导体层202构成的P型区。这样一来，N型区的负电荷增加，而P型区的正电荷增加，从而产生电流。基于此，由于人们手指表面的皮肤由凸出的脊线和凹陷的谷线构成，当手指按压上述光敏器件20时，脊线和谷线反射的光线强度不同，从而在上述耗尽区03激发出的空穴-电子对的数量不同，产生的电流不同。在此情况下，不同指纹识别单元02产生的电流可以通过不同的读取信号线RL进行读取，然后再通过图2所示的芯片IC对上述电流进行处理，最终便可以判断出各个指纹识别单元02对应的位置处的指纹是谷线或脊线，进而可以勾画出整个指纹图案。
第四、在第一掺杂半导体层202为P型半导体，而第二掺杂半导体层203为N型半导体的情况下，可以通过离子掺杂工艺，在本征半导体，例如单晶硅、多晶硅或者非晶硅中掺杂三价杂质元素，例如硼离子或镓离子，然后对上述离子进行活化处理，便可以形成P型半导体。此外，通过离子掺杂工艺，在上述本征半导体中掺杂五价杂质元素，例如磷离子或砷离子，便可以形成N型半导体。为了方便说明，以下实施例均是以在本征半导体中掺杂硼离子以形成P型半导体，掺杂磷离子以形成N型半导体为例进行的说明。
其中，第一掺杂半导体层202或第二掺杂半导体层203的厚度可以为20nm-70nm。当第一掺杂半导体层202或第二掺杂半导体层203的厚度小于20nm时，由于薄膜层的厚度太小，从而对设备制备精度的要求较高，这样将会导致制作成本的上升。此外，当第一掺杂半导体层202或第二掺杂半导体层203的厚度大于70nm时，由于薄膜层的厚度太大，一方面，会不利于光敏器件20的超薄化设计；另一方面，制作较厚的薄膜层会增加制作工序的时长，从而会降低生产效率。
该指纹识别装置包括第一栅线和读取信号线，第一栅线和读取信号线交叉界定多个指纹识别单元，每个指纹识别单元中设置有光敏器件和第一晶体管。光敏器件包括第一电极层，以及依次位于第一电极层表面第一掺杂半导体层、第二掺杂半导体层以及第二电极层。第一电极层与第二电极层之间用于形成电场，第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层之间形成PN结。第一晶体管的栅极连接第一栅线，第一晶体管的第一极连接读取信号线，第一晶体管的第二极与第二电极层相连接。
这样一来，由于第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层的交界面处具有耗尽区，该耗尽区内形成有半导体PN结，此时该光敏器件在光线激发作用下，在耗尽区会产生大量的空穴-电子对。在第一电极层与第二电极层之间形成的电场作用下，空穴和电子会分别向能级较高的价带和能级较低的导带移动，从而形成电流。此时当用户的手指按压该指纹识别装置时，手指上脊线和谷线反射的光线强度不同，从而激发光敏器件产生的电流大小不同。在此情况下，第一栅线可以将第一晶体管导通，从而使得与光敏器件的第二电极相连接的读取信号线可以采集上述电流，以对手指的脊线和谷线进行识别。由于上述指纹识别单元中未使用棱镜、CCD或CMOS，从而可以减小厚度。此外，由于本申请提供的指纹识别装置无需设置CCD或CMOS，从而可以降低生产升本。
进一步的，由于上述耗尽区03位于第一掺杂半导体层202和第二掺杂半导体层203的交界面处，因此该耗尽区03的厚度较薄，从而降低了光敏器件20在光线激发作用下产生的空穴-电子对的数量，该光敏器件20产生的电流的稳定性有待提高。
为了解决上述问题，如图4所示，该所述光敏器件20还可以包括位于第一掺杂半导体层202与第二掺杂半导体层203之间的耗尽层205。这样一来，通过耗尽层205可以增加上述耗尽区03的厚度，从而使得光敏器件20在光线激发作用下，能够增加耗尽区03的空穴-电子对数量，以提高光敏器件20产生的电流的稳定性，从而提高该光敏器件20的光电流特性。
其中，构成上述耗尽层205的材料为本征半导体材料，即无掺杂的纯净半导体材料，例如单晶硅、多晶硅或非晶硅。由于上述第一晶体管T1的有源层301(如图5所示)可以由单晶硅、多晶硅或非晶硅构成。因此为了简化制作工艺，可以在制备上述第一晶体管T1有源层301的同时完成上述耗尽层205的制备。因此优选的，耗尽层205与第一晶体管T1的有源层301可以同层同材料。
需要说明的是，第一、由于非晶硅或多晶硅相对于单晶硅而言，更利于大面积制备，且成本较低，因此当上述指纹识别装置应用于尺寸较大的显示装置时，优选的构成上述第一晶体管T1有源层301和耗尽层205的材料可以为非晶硅(A-si)或者多晶硅。
第二、由于在制备第一掺杂半导体层202的过程中，需要对掺杂的离子，例如硼离子进行活化处理，该活化处理的温度大约在550～650℃左右。而A-siTFT(英文全称：ThinFilmTransistor，中文全称：薄膜晶体管)即有源层301由非晶硅构成的TFT，其制备温度大约在350℃，因此当上述第一晶体管T1的有源层301与耗尽层205同时形成时，由于耗尽层205的形成位于第一掺杂半导体层202之后，从而使得有源层301在第一掺杂半导体层202形成之后才进行制备，因此可以避免制备第一掺杂半导体层202中离子活化时的高温对第一晶体管T1的有源层301造成的损坏。
第三、耗尽层205的厚度可以为500nm-1500nm。当耗尽层205的厚度小于500nm时，由于薄膜层的厚度太小，从而对设备制备精度的要求较高，这样将会导致制作成本的上升。此外，当耗尽层205的厚度大于1500nm时，由于薄膜层的厚度太大，一方面，会不利于光敏器件20的超薄化设计；另一方面，制作较厚的薄膜层会增加制作工序的时长，从而会降低生产效率。
通过上述描述可知，为了简化制作工艺可以在制备上述第一晶体管T1的过程中完成光敏器件20的制备。在此情况下，优选的，第一电极层201可以与第一晶体管T1的栅极302(如图5所示)同层同材料。具体的，可以采用常用的栅极金属材料，例如金属钼，或者钼钛合金等。这样一来，可以通过一次构图工艺，在制备栅极302的同时，可以完成第一电极层201的制备。
其中，优选的，第一电极层201的厚度可以为10nm-100nm。当第一电极层201的厚度小于10nm时，由于薄膜层的厚度太小，从而对设备制备精度的要求较高，这样将会导致制作成本的上升。此外，当第一电极层201的厚度大于100nm时，由于薄膜层的厚度太大，一方面，会不利于光敏器件20的超薄化设计；另一方面，制作较厚的薄膜层会增加制作工序的时长，从而会降低生产效率。
需要说明的是，在本发明实施例中的构图工艺，可指包括光刻工艺，或，包括光刻工艺以及刻蚀步骤，同时还可以包括打印、喷墨等其他用于形成预定图形的工艺；光刻工艺，是指包括成膜、曝光、显影等工艺过程的利用光刻胶、掩模板、曝光机等形成图形的工艺。可根据本发明中所形成的结构选择相应的构图工艺。
其中，本发明实施例中的一次构图工艺，是以通过一次掩膜曝光工艺形成不同的曝光区域，然后对不同的曝光区域进行多次刻蚀、灰化等去除工艺最终得到预期图案为例进行的说明。
此外，为了提高手指反射的光线的输出率，使得更多的光线能够进入到光敏器件20中，以激发空穴-电子。因此构成第二电极层204的材料包括可以采用透明导电材料。例如，氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌、聚乙撑二氧噻吩、碳纳米管、银纳米线以及石墨烯等
其中，优选的，第二电极层204的厚度为可以为10nm-500nm。当第二电极层204的厚度小于10nm时，由于薄膜层的厚度太小，从而对设备制备精度的要求较高，这样将会导致制作成本的上升。此外，当第二电极层204的厚度大于500nm时，由于薄膜层的厚度太大，一方面，会不利于光敏器件20的超薄化设计；另一方面，制作较厚的薄膜层会增加制作工序的时长，从而会降低生产效率。
本发明实施例提供一种阵列基板，包括如上所述的任意一种指纹识别装置，具有与前述实施例提供的指纹识别装置的结构和有益效果相同。由于前述实施例已经对指纹识别装置的结构和有益效果进行详细的描述，此处不再赘述。
在此技术上，阵列基板如图6所示可以包括显示区域40和位于显示区域周围的周边区域50。
具体的，显示区域40上设置有多条横纵交叉的第二栅线G2(G2_1、G2_2、G2_3……)以及数据线D(D_1、D_2、D_3……)。
此外，该显示区域40还包括多个亚像素01，该亚像素01由上述第二栅线G2与数据线D交叉界定。每个亚像素01设置有一个第二晶体管T2，该第二晶体管T2的栅极与第二栅线G2相连接，第一极与数据线D相连接，另一极与该亚像素01中的像素电极PX相连接。通过第二栅线G2可以控制第二晶体管T2开启，从而将数据线D输入的数据电压通过第二晶体管T2向像素电极PX充电。
此外，上述多个亚像素可以为第一颜色亚像素110、第二颜色亚像素111或第三颜色亚像素112能够分别用于构成三基色的单色光。例如第一颜色亚像素110发红光(R)，第二颜色亚像素111发绿光(G)，第三颜色亚像素112发蓝光(B)。上述第一颜色亚像素110、第二颜色亚像素111以及第三颜色亚像素112可以构成一个像素单元。此外，本发明对构成上述三基色的光线不做限定，还可以为青色光、品红光以及黄光。
以下通过具体的实施例，对设置有指纹识别装置的阵列基板进行详细的举例说明。
实施例一
本实施例中，上述指纹识别装置设置于上述显示区域40。
例如，可以在如图6所示的每一个亚像素01内设置一个如图2所示的指纹识别单元02。具体的，如图7所示，将指纹识别单元02中的第一晶体管T1和光敏器件20设置于一个亚像素01中。
这样一来，可以再显示区域40实现指纹识别。
此外，由于第二栅线G2和数据线D能够交叉界定亚像素01，而第一栅线G1和读取信号线RL能够界定指纹识别单元02。因此，为了使得整个阵列基板上布线结构整齐，优选的，第一栅线G1可以与第二栅线G2相平行，读取信号线RL可以与数据线D相平行。
实施例二
本实施例中，上述指纹识别装置同样设置于显示区域40，与实施例一不同的是，本实施例中并不是每个亚像素01中均设置有上述指纹识别单元02。
具体的，可以再构成像素单元中的一个亚像素中设置上述指纹识别单元02。例如，当构成像素单元的亚像素包括第一颜色亚像素110、第二颜色亚像素111、第三颜色亚像素112时，该指纹识别单元02可以设置于第一颜色亚像素110、第二颜色亚像素111或第三颜色亚像素112中。其中，上述第一颜色、第二颜色以及第三颜色构成三基色。
或者，当该显示区域40包括构成像素单元的如图8所示的，第一颜色亚像素110、第二颜色亚像素111、第三颜色亚像素112以及白色亚像素113时，该白色亚像素113内可以设置有指纹识别单元02。
具体的，该白色亚像素113用于透过背光源提供的白色光源，因此对于无需对液晶施加电压就可以透过背光的显示装置而言，该白色亚像素113中可以无需制备像素电极和与该像素电极相连接的第二晶体管T2。在此情况下，该白色亚像素113内可以如图8所示，仅设置有第一晶体管T1和光敏器件20。
综上所述，实施例一和实施例二均是将指纹识别装置设置于显示区域。这样一来，可以对显示区域40显示的某些指令需要通过指纹识别后才能够被触发，例如银行交易信息需要点击确定按钮时，可以再用户按压屏幕上显示的虚拟确定按钮时，对指纹进行识别，从而可以提高移动终端操作的安全性。
而实施例二相对于实施例一而言，由于只需要在白色亚像素113中设置指纹识别单元02，因此不会对其它亚像素例如第一颜色亚像素110、第二颜色亚像素111以及第三颜色亚像素112的开口率造成影响。而实施例一相对于实施例二而言，由于每个亚像素中均设置有上述指纹识别单元02，因此指纹采集精度较高。
除此之外，该指纹识别装置还可以设置于如图6所示的周边区域50。从而不会对显示区域40的开口率以及显示效果造成影响。其中，上述周边区域50用于设置驱动电路，例如用于对第一栅线G1、第二栅线G2进行逐行扫描的栅极驱动电路、用于对数据线D输出数据信号的源极驱动电路以及与图2所示的与读取信号线RL相连接的驱动IC等等驱动电路和元件。
一种显示装置，包括如上所述的任意一种阵列基板，具有与前述实施例提供的阵列基板相同的结构和有益效果，由于前述实施例已经对阵列基板的结构和有益效果进行了详细的举例说明，此处不再赘述。
本发明实施例提供一种指纹识别装置的制作方法，如图9所述包括：
S101、在衬底基板上形成如图5所示的第一晶体管T1的栅极302、如图3a所示的第一栅线G1以及第一电极层201。
具体的，上述衬底基板可以为透明的玻璃基板或者树脂基板。通过在上述衬底基板上涂覆一层栅极金属层，然后再通过一次构图工艺形成上述栅极302、第一栅线G1以及第一电极层201的图案。
此外，当该指纹识别装置包括如图3a所示的电极信号线S时，该电极信号线S也可以在执行上述步骤S101的过程中同时形成。
其中，优选的，第一电极层201的厚度可以为10nm-100nm。
S102、在形成有第一晶体管T1的栅极302、第一栅线G1以及第一电极层201的基板表面，形成第一晶体管T1的栅极绝缘层303。
S103、在形成有栅极绝缘层303的基板表面，形成第一掺杂半导体层202。其中，优选的，第一掺杂半导体层202的厚度为20nm-70nm。
具体的，在形成有栅极绝缘层303的基板表面涂覆A-si金属层，然后通过一次构图工艺形成未掺杂的半导体层的图案。接下来，通过离子掺杂工艺，对上述半导体层进行硼离子掺杂。由于硼离子为三价离子，与硅原子形成共价键时，会夺去硅原子的一个电子，使得硅原子多一个空穴，从而使得掺杂后的A-si金属层成为P型半导体层。
接下来对诸如的离子进行活化处理，其中活化处理的温度在550℃～650℃之间。
S104、在形成有第一掺杂半导体层202的基板表面，形成第一晶体管T1的有源层301。
具体的，可以在形成有第一掺杂半导体层202的基板表面形成一层A-si金属层，然后通过一次构成工艺形成有源层301的图案。由于TFT的有源层301形成于第一掺杂半导体层202的步骤之后，因此上述步骤S103中对离子进行活化时需要的高温也不会对第一晶体管T1的有源层301造成影响。
S105、在形成有第一晶体管T1的有源层301的基板表面，形成读取信号线RL、第一晶体管T1的第一极304和第二极304’。其中，如图3a所示，第一晶体管T1的第一极304与读取信号线RL相连接。
具体的，可以再形成有有源层301的基板表面形成一层源极金属层，然后通过一次构图工艺形成读取信号线RL、第一晶体管T1的第一极304和第二极304’的图案。
需要说明的是，本发明实施例中晶体管的第一极可以为源极，第二极可以为漏极；或者，第一极可以为漏极，第二极为源极。本发明对此不做限定。
S106、在形成有读取信号线RL、第一晶体管T1的第一极304和第二极304’的基板表面，形成第二掺杂半导体层203。其中，优选的，第二掺杂半导体层203的厚度为20nm-70nm。
具体的，在形成有读取信号线RL、第一晶体管T1的第一极304和第二极304’的基板表面，形成一层A-si金属薄膜层，然后通过一次构成工艺形成未掺杂的半导体层的图案。接下来，通过离子掺杂工艺对上述半导体层进行磷离子掺杂。由于磷离子为五价离子，因此与硅原子形成共价键时，会使得硅原子多出一个电子，从而使得该半导体层成为N型半导体层。
S107、在形成有第一晶体管T1的第一极304和第二极304’的基板表面，形成钝化层305，以及在钝化层305表面对应第一晶体管T1第二极304’的位置形成过孔306。
具体的，可以通过构图工艺形成钝化层305的图案，并通过刻蚀工艺形成上述过程306。
其中，上述步骤可以再步骤S106之后进行，也可以在步骤S105之后，步骤S106之前进行。
S108、在形成第二掺杂半导体层203的基板表面，形成第二电极层204，第二电极层204通过过孔306与第一晶体管T1的第二极304’相连接。其中，优选的第二电极层204的厚度为10nm-500nm。
具体的，可以通过一次构图工艺在形成第二掺杂半导体层203的基板表面形成第二电极层204的图案。
这样一来，由于第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层的交界面处具有耗尽区，该耗尽区内形成有半导体PN结，此时该光敏器件在光线激发作用下，在耗尽区会产生大量的空穴-电子对。在第一电极层与第二电极层之间形成的电场作用下，空穴和电子会分别向能级较高的价带和能级较低的导带移动，从而形成电流。此时当用户的手指按压该指纹识别装置时，手指上脊线和谷线反射的光线强度不同，从而激发光敏器件产生的电流大小不同。在此情况下，第一栅线可以将第一晶体管导通，从而使得与光敏器件的第二电极相连接的读取信号线可以采集上述电流，以对手指的脊线和谷线进行识别。由于上述指纹识别单元中未使用棱镜和CCD，从而可以减小厚度。
进一步的，由于上述耗尽区03位于第一掺杂半导体层202和第二掺杂半导体层203的交界面处，因此该耗尽区03的厚度较薄，从而降低了光敏器件20在光线激发作用下产生的空穴-电子对的数量，该光敏器件20产生的电流的稳定性有待提高。
为了解决上述问题，如图4所示，该所述光敏器件20还可以包括位于第一掺杂半导体层202与第二掺杂半导体层203之间的耗尽层205。这样一来，通过耗尽层205可以增加上述耗尽区03的厚度，从而使得光敏器件20在光线激发作用下，能够增加耗尽区03的空穴-电子对数量，以提高光敏器件20产生的电流的稳定性，从而提高该光敏器件20的光电流特性。
具体的，可以在进行上述步骤S104同时，形成位于第一掺杂半导体层202表面的耗尽层205。其中，优选的，耗尽层205的厚度可以为500nm-1500nm。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (19)

1.一种指纹识别装置，其特征在于，包括第一栅线和读取信号线，所述第一栅线和所述读取信号线交叉界定多个指纹识别单元，每个指纹识别单元中设置有光敏器件和第一晶体管；
所述光敏器件包括第一电极层，以及依次位于所述第一电极层表面第一掺杂半导体层、第二掺杂半导体层以及第二电极层；所述第一电极层与所述第二电极层之间用于形成电场；所述第一掺杂半导体层和所述第二掺杂半导体层之间形成PN结；
所述第一晶体管的栅极连接所述第一栅线，所述第一晶体管的第一极连接所述读取信号线，所述第一晶体管的第二极与所述第二电极层相连接。
2.根据权利要求1所述的指纹识别装置，其特征在于，所述光敏器件还包括位于所述第一掺杂半导体层与所述第二掺杂半导体层之间的耗尽层。
3.根据权利要求2所述的指纹识别装置，其特征在于，所述耗尽层与所述第一晶体管的有源层同层同材料。
4.根据权利要求1所述的指纹识别装置，其特征在于，
所述第一电极层与所述第一晶体管的栅极的同层同材料。
5.根据权利要求1所述的指纹识别装置，其特征在于，
构成所述第二电极层的材料包括透明导电材料。
6.根据权利要求1所述的指纹识别装置，其特征在于，还包括与所述第一栅线平行的电极信号线，所述电极信号线与所述第一电极层相连接，用于向所述第一电极层提供电信号。
7.根据权利要求1所述的指纹识别装置，其特征在于，所述第一电极层的厚度为10nm-100nm。
8.根据权利要求1所述的指纹识别装置，其特征在于，所述第一掺杂半导体层或所述第二掺杂半导体层的厚度为20nm-70nm。
9.根据权利要求3所述的指纹识别装置，其特征在于，所述耗尽层的厚度为500nm-1500nm。
10.根据权利要求1所述的指纹识别装置，其特征在于，所述第二电极层的厚度为10nm-500nm。
11.一种阵列基板，其特征在于，包括如权利要求1-10任一项所述的指纹识别装置。
12.根据权利要求11所述的阵列基板，其特征在于，包括显示区域，指纹识别装置设置于所述显示区域。
13.根据权利要求12所述的阵列基板，其特征在于，所述显示区域包括多个亚像素，一个所述亚像素内设置有一个指纹识别单元。
14.根据权利要求12所述的阵列基板，其特征在于，所述显示区域包括构成像素单元的第一颜色亚像素、第二颜色亚像素、第三颜色亚像素以及白色亚像素；所述第一颜色、第二颜色以及所述第三颜色构成三基色；
所述白色亚像素内设置有指纹识别单元。
15.根据权利要求12所述的阵列基板，其特征在于，包括横纵交叉的第二栅线和数据线；
第一栅线与所述第二栅线相平行，读取信号线与所述数据线相平行。
16.根据权利要求11所述的阵列基板，其特征在于，包括周边区域，所述指纹识别装置位于所述周边区域。
17.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求11-16任一项所述的阵列基板。
18.一种指纹识别装置的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上形成第一晶体管的栅极、第一栅线以及第一电极层；
在形成有所述第一晶体管的栅极、所述第一栅线以及所述第一电极层的基板表面，形成所述第一晶体管的栅极绝缘层；
在形成有所述栅极绝缘层的基板表面，形成第一掺杂半导体层；
在形成有所述第一掺杂半导体层的基板表面，形成所述第一晶体管的有源层；
在形成有所述第一晶体管的有源层的基板表面，形成读取信号线、所述第一晶体管的第一极和第二极；所述第一晶体管的第一极与所述读取信号线相连接；
在形成有所述读取信号线、所述第一晶体管的第一极和第二极的基板表面，形成第二掺杂半导体层；
在形成有所述第一晶体管的第一极和第二极的基板表面，形成钝化层，以及在所述钝化层表面对应所述第一晶体管第二极的位置形成过孔；
在形成所述第二掺杂半导体层的基板表面，形成第二电极层，所述第二电极层通过所述过孔与所述第一晶体管的第二极相连接。
19.根据权利要求18所述的指纹识别装置的制作方法，其特征在于，在形成有所述第一掺杂半导体层的基板表面，形成所述第一晶体管的有源层的同时，形成位于所述第一掺杂半导体层表面的耗尽层。
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Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105789226A (zh) * 2016-05-10 2016-07-20 京东方科技集团股份有限公司 指纹采集器件及其制作方法、指纹采集面板及显示面板
CN105956584A (zh) * 2016-06-30 2016-09-21 京东方科技集团股份有限公司 指纹识别模组及其制作方法和驱动方法、显示装置
CN105975963A (zh) * 2016-06-30 2016-09-28 京东方科技集团股份有限公司 一种指纹识别基板及其制备方法、显示面板和显示装置
CN106129069A (zh) * 2016-07-26 2016-11-16 京东方科技集团股份有限公司 一种指纹识别器、其制作方法及显示装置
CN106250888A (zh) * 2016-09-19 2016-12-21 汕头超声显示器（二厂）有限公司 一种具有大面积识别区域的指纹识别感应器及其应用
CN106292108A (zh) * 2016-09-08 2017-01-04 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及显示面板
CN106295527A (zh) * 2016-07-29 2017-01-04 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、显示面板、显示装置及工作方法
CN106326845A (zh) * 2016-08-15 2017-01-11 京东方科技集团股份有限公司 指纹识别单元及制作方法、阵列基板、显示装置及指纹识别方法
CN106355136A (zh) * 2016-07-11 2017-01-25 京东方科技集团股份有限公司 一种指纹识别显示装置、其制作方法及驱动方法
WO2017118060A1 (zh) * 2016-01-05 2017-07-13 京东方科技集团股份有限公司 指纹识别装置及其制作方法、阵列基板、显示装置
CN107132947A (zh) * 2017-04-27 2017-09-05 北京小米移动软件有限公司 一种具有指纹识别功能的终端
CN107463911A (zh) * 2017-08-10 2017-12-12 京东方科技集团股份有限公司 一种指纹识别装置、阵列基板及显示装置
CN108122501A (zh) * 2016-11-30 2018-06-05 乐金显示有限公司 嵌入有光学图像传感器的平板显示器
CN109031825A (zh) * 2018-07-31 2018-12-18 Oppo广东移动通信有限公司 阵列基板、显示屏及电子设备
CN109690566A (zh) * 2018-12-04 2019-04-26 深圳市汇顶科技股份有限公司 一种光学指纹识别模组及电子装置
CN110287808A (zh) * 2019-06-03 2019-09-27 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法，以及显示面板和显示装置
WO2020042262A1 (zh) * 2018-08-30 2020-03-05 武汉华星光电技术有限公司 内嵌式面部识别显示面板、方法及液晶显示装置
CN112071872A (zh) * 2020-09-04 2020-12-11 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种传感器组件、传感器组件制程方法及显示面板
CN112102727A (zh) * 2020-09-28 2020-12-18 厦门天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
CN113486864A (zh) * 2018-12-13 2021-10-08 深圳市汇顶科技股份有限公司 指纹识别装置、方法和电子设备

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109994063B (zh) * 2018-01-02 2021-02-09 京东方科技集团股份有限公司 一种光强检测单元及其控制方法、显示装置
CN108550525A (zh) * 2018-05-28 2018-09-18 武汉新芯集成电路制造有限公司 浮栅制备方法
CN109117733B (zh) * 2018-07-17 2020-06-30 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种指纹识别oled显示面板及显示装置
WO2022087987A1 (zh) * 2020-10-29 2022-05-05 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、液晶显示面板及显示装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104882457A (zh) * 2014-02-28 2015-09-02 精工爱普生株式会社 光电转换装置、光电转换装置的制造方法以及电子设备
CN204808361U (zh) * 2015-07-29 2015-11-25 京东方科技集团股份有限公司 一种基板、指纹识别传感器、指纹识别装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050072956A (ko) * 2004-01-08 2005-07-13 전자부품연구원 지문 인식 센서와 일체로 구동소자용 박막 트랜지스터를제조하는 방법
US9168016B2 (en) * 2010-01-29 2015-10-27 Fujifilm Corporation Radiographic image capturing apparatus, radiographic image capturing system, and method of supplying electric power to radiographic image capturing apparatus
JP6232914B2 (ja) * 2013-10-16 2017-11-22 セイコーエプソン株式会社 半導体装置およびその製造方法
CN104112120B (zh) * 2014-06-26 2018-09-18 京东方科技集团股份有限公司 指纹识别显示驱动电路和显示装置
CN105095855B (zh) * 2015-06-26 2018-11-20 京东方科技集团股份有限公司 一种指纹识别器件、触控面板、输入设备及指纹识别方法
CN104934008A (zh) * 2015-07-09 2015-09-23 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其驱动方法、显示面板、显示装置
US10438046B2 (en) * 2015-11-02 2019-10-08 Shenzhen GOODIX Technology Co., Ltd. Multifunction fingerprint sensor having optical sensing against fingerprint spoofing
CN106709405B (zh) * 2015-11-16 2021-01-01 小米科技有限责任公司 移动设备及其屏幕模组、指纹采集方法、装置及电子设备
CN105550662B (zh) * 2016-01-05 2019-03-15 京东方科技集团股份有限公司 一种指纹识别装置及其制作方法、阵列基板、显示装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104882457A (zh) * 2014-02-28 2015-09-02 精工爱普生株式会社 光电转换装置、光电转换装置的制造方法以及电子设备
CN204808361U (zh) * 2015-07-29 2015-11-25 京东方科技集团股份有限公司 一种基板、指纹识别传感器、指纹识别装置

Cited By (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017118060A1 (zh) * 2016-01-05 2017-07-13 京东方科技集团股份有限公司 指纹识别装置及其制作方法、阵列基板、显示装置
US10579852B2 (en) 2016-01-05 2020-03-03 Boe Technology Group Co., Ltd. Fingerprint identification device and manufacturing method thereof, array substrate and display apparatus
CN105789226A (zh) * 2016-05-10 2016-07-20 京东方科技集团股份有限公司 指纹采集器件及其制作方法、指纹采集面板及显示面板
CN105789226B (zh) * 2016-05-10 2019-04-05 京东方科技集团股份有限公司 指纹采集器件及其制作方法、指纹采集面板及显示面板
US10713464B2 (en) 2016-06-30 2020-07-14 Boe Technology Group Co., Ltd. Fingerprint identification substrate and fabrication method thereof, display panel and display apparatus
WO2018001002A1 (zh) * 2016-06-30 2018-01-04 京东方科技集团股份有限公司 指纹识别模组及其制作方法和驱动方法、显示装置
US10546174B2 (en) 2016-06-30 2020-01-28 Boe Technology Group Co., Ltd. Fingerprint identifying module, fabrication method and driving method for the same, and display device
CN105956584A (zh) * 2016-06-30 2016-09-21 京东方科技集团股份有限公司 指纹识别模组及其制作方法和驱动方法、显示装置
JP2019532362A (ja) * 2016-06-30 2019-11-07 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司Ｂｏｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｇｒｏｕｐ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 指紋認識モジュール及びその作製方法並びに駆動方法、表示装置
CN105975963A (zh) * 2016-06-30 2016-09-28 京东方科技集团股份有限公司 一种指纹识别基板及其制备方法、显示面板和显示装置
CN105975963B (zh) * 2016-06-30 2019-06-07 京东方科技集团股份有限公司 一种指纹识别基板及其制备方法、显示面板和显示装置
JP7274818B2 (ja) 2016-06-30 2023-05-17 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司 指紋認識モジュール及びその作製方法並びに駆動方法、表示装置
WO2018010303A1 (en) * 2016-07-11 2018-01-18 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate, display panel and display apparatus having the same, and driving method thereof
CN106355136A (zh) * 2016-07-11 2017-01-25 京东方科技集团股份有限公司 一种指纹识别显示装置、其制作方法及驱动方法
US10176360B2 (en) 2016-07-11 2019-01-08 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate, display panel and display apparatus having the same, and driving method thereof
WO2018018996A1 (zh) * 2016-07-26 2018-02-01 京东方科技集团股份有限公司 指纹识别器件、其制作方法及显示装置
US10489628B2 (en) 2016-07-26 2019-11-26 Boe Technology Group Co., Ltd. Fingerprint recognition device, method for fabricating the same and display device
CN106129069A (zh) * 2016-07-26 2016-11-16 京东方科技集团股份有限公司 一种指纹识别器、其制作方法及显示装置
CN106129069B (zh) * 2016-07-26 2019-11-05 京东方科技集团股份有限公司 一种指纹识别器、其制作方法及显示装置
CN106295527B (zh) * 2016-07-29 2019-10-15 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、显示面板、显示装置及工作方法
CN106295527A (zh) * 2016-07-29 2017-01-04 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、显示面板、显示装置及工作方法
US10534951B2 (en) 2016-08-15 2020-01-14 Boe Technology Group Co., Ltd. Fingerprint identification unit and manufacturing method thereof, array substrate, display device and fingerprint identification method
WO2018032855A1 (zh) * 2016-08-15 2018-02-22 京东方科技集团股份有限公司 指纹识别单元及制作方法、阵列基板、显示装置及指纹识别方法
CN106326845A (zh) * 2016-08-15 2017-01-11 京东方科技集团股份有限公司 指纹识别单元及制作方法、阵列基板、显示装置及指纹识别方法
CN106292108A (zh) * 2016-09-08 2017-01-04 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及显示面板
CN106250888A (zh) * 2016-09-19 2016-12-21 汕头超声显示器（二厂）有限公司 一种具有大面积识别区域的指纹识别感应器及其应用
US10943944B2 (en) 2016-11-30 2021-03-09 Lg Display Co., Ltd. Flat panel display having embedded optical imaging sensor located at rear surface of display
CN108122501A (zh) * 2016-11-30 2018-06-05 乐金显示有限公司 嵌入有光学图像传感器的平板显示器
CN107132947A (zh) * 2017-04-27 2017-09-05 北京小米移动软件有限公司 一种具有指纹识别功能的终端
US11216117B2 (en) 2017-08-10 2022-01-04 Boe Technology Group Co., Ltd. Fingerprint identification device, array substrate, display device and fingerprint identification method
WO2019029229A1 (zh) * 2017-08-10 2019-02-14 京东方科技集团股份有限公司 指纹识别装置、阵列基板、显示装置及指纹识别方法
CN107463911A (zh) * 2017-08-10 2017-12-12 京东方科技集团股份有限公司 一种指纹识别装置、阵列基板及显示装置
CN107463911B (zh) * 2017-08-10 2020-02-07 京东方科技集团股份有限公司 一种指纹识别装置、阵列基板及显示装置
CN109031825A (zh) * 2018-07-31 2018-12-18 Oppo广东移动通信有限公司 阵列基板、显示屏及电子设备
WO2020042262A1 (zh) * 2018-08-30 2020-03-05 武汉华星光电技术有限公司 内嵌式面部识别显示面板、方法及液晶显示装置
CN109690566A (zh) * 2018-12-04 2019-04-26 深圳市汇顶科技股份有限公司 一种光学指纹识别模组及电子装置
CN113486864A (zh) * 2018-12-13 2021-10-08 深圳市汇顶科技股份有限公司 指纹识别装置、方法和电子设备
CN113486864B (zh) * 2018-12-13 2023-09-12 深圳市汇顶科技股份有限公司 指纹识别装置、方法和电子设备
CN110287808A (zh) * 2019-06-03 2019-09-27 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法，以及显示面板和显示装置
CN110287808B (zh) * 2019-06-03 2022-01-14 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法，以及显示面板和显示装置
CN112071872A (zh) * 2020-09-04 2020-12-11 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种传感器组件、传感器组件制程方法及显示面板
WO2022047918A1 (zh) * 2020-09-04 2022-03-10 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种传感器组件、传感器组件制程方法及显示面板
CN112071872B (zh) * 2020-09-04 2023-09-05 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种传感器组件、传感器组件制程方法及显示面板
CN112102727A (zh) * 2020-09-28 2020-12-18 厦门天马微电子有限公司 显示面板和显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US10579852B2 (en) 2020-03-03
US20180150668A1 (en) 2018-05-31
CN105550662B (zh) 2019-03-15
WO2017118060A1 (zh) 2017-07-13

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