CN106129069B - 一种指纹识别器、其制作方法及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种指纹识别器、其制作方法及显示装置,由于在薄膜晶体管的漏极与光敏部之间设置有第一导电连接部,光敏部通过该第一导电连接部与薄膜晶体管的漏极相连,因此即使当在绝缘层中形成第一过孔时会使漏极的表面变粗糙,但是由于与光敏部电连接的是第一导电连接部,而该第一导电连接部的表面是光滑的,因此与现有的指纹识别器相比可以避免由于在绝缘层中形成第一过孔导致的对光敏部的光学特性的影响,从而提高指纹识别器的性能。
Description
技术领域
本发明涉及指纹识别技术领域,尤指一种指纹识别器、其制作方法及显示装置。
背景技术
随着显示技术的飞速发展,触摸屏(Touch Screen Panel)已经逐渐遍及人们的生活中。目前,触摸屏按照工作原理可以分为:电阻式、电容式、红外线式以及表面声波式、电磁式、振波感应式以及受抑全内反射光学感应式等。
而在触摸屏基于安全性的个人验证系统中,使用指纹进行识别的方法得到了广泛的使用。目前实现指纹识别的设计有很多中,现有的一种指纹识别器的结构如图1所示,包括衬底基板01,位于衬底基板上的薄膜晶体管02,位于薄膜晶体管02上的绝缘层03,位于绝缘层上的光敏部04,位于光敏部04上且与光敏部04电连接的连接部05,与连接部05电连接的参考信号线06,其中光敏部04通过贯穿绝缘层03的过孔与薄膜晶体管02的漏极相连。
上述指纹识别器在制作时,绝缘层中的过孔是通过干刻工艺形成的,但是干刻工艺会使漏极的表面粗糙不平,从而影响光敏部的光学特性,最终影响指纹识别器的识别效果。
发明内容
有鉴于此,本发明实施例提供了一种指纹识别器、其制作方法及显示装置,用于避免由于干刻工艺导致的对光敏部的光学特性的影响,从而提高指纹识别器的性能。
因此,本发明实施例提供的一种指纹识别器,包括:衬底基板、位于所述衬底基板上的多个薄膜晶体管、覆盖各所述薄膜晶体管的绝缘层以及位于所述绝缘层上方且与各所述薄膜晶体管一一对应的光敏部;还包括:位于各所述薄膜晶体管的漏极与对应的光敏部之间的第一导电连接部;其中,
所述绝缘层在与各所述薄膜晶体管的漏极对应的区域设置有贯穿所述绝缘层的第一过孔,所述第一导电连接部位于所述第一过孔中,且所述光敏部通过所述第一导电连接部与对应的薄膜晶体管的漏极电连接。
较佳地,在本发明实施例提供的上述指纹识别器中,还包括:位于所述绝缘层上方且覆盖各所述薄膜晶体管的有源层的遮挡层;
所述遮挡层与所述第一导电连接部设置为同层同材质。
较佳地,在本发明实施例提供的上述指纹识别器中,各所述薄膜晶体管呈矩阵排列;所述指纹识别器还包括:
与各行所述薄膜晶体管一一对应且与对应行中的各薄膜晶体管的栅极电连接的扫描线;与各列所述薄膜晶体管一一对应且与对应列中的各薄膜晶体管的源极电连接的指纹识别线;与各所述光敏部一一对应且电连接的参考信号线。
较佳地,在本发明实施例提供的上述指纹识别器中,所述参考信号线与所述薄膜晶体管的栅极同层设置。
较佳地,在本发明实施例提供的上述指纹识别器中,还包括:覆盖所述光敏部和所述遮挡层的绝缘保护层、位于所述绝缘保护层上方且与各所述光敏部一一对应的第二导电连接部;其中,
所述第二导电连接部通过贯穿所述绝缘保护层的第二过孔与所述光敏部电连接,所述光敏部通过对应的所述第二导电连接部与所述参考信号线电连接。
较佳地,在本发明实施例提供的上述指纹识别器中,所述薄膜晶体管中的源极和漏极均位于有源层的上方,栅绝缘层和栅极依次位于有源层的下方;
所述指纹识别器还包括:位于所述参考信号线与所述第二导电连接部之间的第三导电连接部;
所述第二导电连接部通过所述第三导电连接部与所述参考信号线电连接。
较佳地,在本发明实施例提供的上述指纹识别器中,所述第三导电连接部与所述遮挡层设置为同层同材质;
所述第二导电连接部通过贯穿所述绝缘保护层的第三过孔与所述第三导电连接部电连接;
所述第三导电连接部通过贯穿所述绝缘层和所述栅绝缘层的第四过孔与所述参考信号线电连接。
较佳地,在本发明实施例提供的上述指纹识别器中,还包括位于所述薄膜晶体管的有源层与漏极之间的刻蚀阻挡层;
所述第三导电连接部包括第一子连接部和第二子连接部;其中,所述第一子连接部与所述遮挡层设置为同层同材质,所述第二子连接部与所述薄膜晶体管的漏极设置为同层同材质;
所述第二导电连接部通过贯穿所述绝缘保护层的第三过孔与所述第一子连接部电连接,所述第一子连接部通过贯穿所述绝缘层的第五过孔与所述第二子连接部电连接,所述第二子连接部通过贯穿所述刻蚀阻挡层和所述栅绝缘层的第四过孔与所述参考信号线电连接。
相应地,本发明实施例还提供了一种指纹识别器的制作方法,包括:在衬底基板上形成包括多个薄膜晶体管的图形;形成覆盖各所述薄膜晶体管的绝缘层的图形,其中述绝缘层在与各所述薄膜晶体管的漏极对应的区域设置有贯穿所述绝缘层的第一过孔;在所述绝缘层上形成与各所述薄膜晶体管一一对应的光敏部的图形,且所述光敏部通过所述第一过孔与对应的薄膜晶体管的漏极电连接;在形成所述绝缘层的图形之后,在形成所述光敏部的图形之前,还包括:
在各所述第一过孔内形成第一导电连接部的图形,且所述第一导电连接部与所述薄膜晶体管的漏极电连接。
较佳地,在本发明实施例提供的上述制作方法中,形成所述第一导电连接部的图形,具体包括:
在形成有绝缘层的图形的衬底基板上形成遮挡层薄膜;
对遮挡层薄膜进行构图工艺,形成位于各所述薄膜晶体管的有源层所在区域内的遮挡层的图形和位于各所述第一过孔内的第一导电连接部的图形。
较佳地,在本发明实施例提供的上述制作方法中,各所述薄膜晶体管呈矩阵排列;所述制作方法还包括:
形成与各行所述薄膜晶体管一一对应且与对应行中的各薄膜晶体管的栅极电连接的扫描线的图形、与各列所述薄膜晶体管一一对应且与对应列中的各薄膜晶体管的源极电连接的指纹识别线的图形、与各所述光敏部一一对应且电连接的参考信号线的图形。
较佳地,在本发明实施例提供的上述制作方法中,形成多个所述薄膜晶体管的图形和多条所述参考信号线的图形,具体包括:
在所述衬底基板上形成包括多个栅极和多条参考信号线的图形;
形成覆盖所述栅极和所述参考信号线的栅绝缘层;
在所述栅绝缘层上形成包括与各所述栅极对应的有源层的图形;
在所述有源层上形成源极和漏极的图形。
较佳地,在本发明实施例提供的上述制作方法中,在形成所述绝缘层的图形的同时还形成贯穿所述绝缘层和所述栅绝缘层的多个第四过孔,且各所述第四过孔位于与各所述参考信号线对应的区域;
在对遮挡层薄膜进行构图工艺时还形成与各所述参考信号线一一对应的第三导电连接部的图形,且所述第三导电连接部通过所述第四过孔与对应的所述参考信号线电连接;
在形成所述光敏部的图形之后还包括:
形成绝缘保护层;
通过一次构图工艺在与各所述光敏部对应的区域形成贯穿所述绝缘保护层的第二过孔,在与各所述第三导电连接部对应的区域形成贯穿所述绝缘保护层的第三过孔;
在所述绝缘保护层上形成与各所述光敏部一一对应的第二导电连接部的图形,且所述第二导电连接部通过所述第二过孔与所述光敏部电连接,所述第二导电连接部通过所述第三过孔与所述第三导电连接部电连接。
较佳地,在本发明实施例提供的上述制作方法中,在形成所述有源层的图形之后,在形成所述源极和漏极的图形之前,还依次形成刻蚀阻挡层、在与各所述参考信号线对应的区域形成贯穿所述刻蚀阻挡层和所述栅绝缘层的第四过孔;
在形成源极和漏极的图形的同时还形成与各所述第四过孔一一对应的第二子连接部的图形,且所述第二子连接部通过所述第四过孔与所述参考信号线电连接;
在形成所述绝缘层的图形时还在与所述第二子连接部对应的区域形成贯穿所述绝缘层的第五过孔;
在对遮挡层薄膜进行构图工艺时还形成与各所述第二子连接部一一对应电连接的第一子连接部的图形,且所述第一子连接部通过所述第五过孔与所述第二子连接部电连接;
在形成光敏部的图形之后还包括:
形成绝缘保护层;
通过一次构图工艺在与各所述光敏部对应的区域形成贯穿所述绝缘保护层的第二过孔,在与各所述第一子连接部对应的区域形成贯穿所述绝缘保护层和所述绝缘层的第三过孔;
在所述绝缘保护层上形成与各所述光敏部一一对应的第二导电连接部的图形,且所述第二导电连接部通过所述第二过孔与所述光敏部电连接,所述第二导电连接部通过所述第三过孔与所述第一子电连接部电连接。
相应地,本发明实施例还提供了一种显示装置,包括本发明实施例提供的上述任一种指纹识别器。
本发明有益效果如下:
本发明实施例提供的上述指纹识别器、其制作方法及显示装置,由于在薄膜晶体管的漏极与光敏部之间设置有第一导电连接部,光敏部通过该第一导电连接部与薄膜晶体管的漏极相连,因此即使当在绝缘层中形成第一过孔时会使漏极的表面变粗糙,但是由于与光敏部电连接的是第一导电连接部,而该第一导电连接部的表面是光滑的,因此与现有的指纹识别器相比可以避免由于在绝缘层中形成第一过孔导致的对光敏部的光学特性的影响,从而提高指纹识别器的性能。
附图说明
图1为现有的指纹识别器的结构示意图;
图2为本发明实施例提供的指纹识别器的结构示意图之一;
图3为本发明实施例提供的指纹识别器的结构示意图之二;
图4为本发明实施例提供的指纹识别器的结构示意图之三;
图5为本发明实施例提供的指纹识别器的结构示意图之四;
图6为本发明实施例提供的指纹识别器的制作方法的流程图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面结合附图,对本发明实施例提供的指纹识别器、其制作方法及显示装置的具体实施方式进行详细地说明。
附图中各膜层的形状和大小不反映指纹识别器的真实比例,且仅为指纹识别器的局部结构,目的只是示意说明本发明内容。
本发明实施例提供的一种指纹识别器,如图2和图3所示,包括:衬底基板1、位于衬底基板1上的多个薄膜晶体管2、覆盖各薄膜晶体管2的绝缘层3以及位于绝缘层3上方且与各薄膜晶体管2一一对应的光敏部4;还包括:位于各薄膜晶体管2的漏极21与对应的光敏部4之间的第一导电连接部5;其中,
绝缘层3在与各薄膜晶体管2的漏极21对应的区域设置有贯穿绝缘层3的第一过孔V1,第一导电连接部5位于第一过孔V1中,且光敏部4通过第一导电连接部5与对应的薄膜晶体管2的漏极21电连接。
本发明实施例提供的上述指纹识别器,由于在薄膜晶体管的漏极与光敏部之间设置有第一导电连接部,光敏部通过该第一导电连接部与薄膜晶体管的漏极相连,因此即使当在绝缘层中形成第一过孔时会使漏极的表面变粗糙,但是由于与光敏部电连接的是第一导电连接部,而该第一导电连接部的表面是光滑的,因此与现有的指纹识别器相比可以避免由于在绝缘层中形成第一过孔导致的对光敏部的光学特性的影响,从而提高指纹识别器的性能。
进一步地,在本发明实施例提供的上述指纹识别器中,为了避免光照对薄膜晶体管的影响,如图2和图3所示,还包括:位于绝缘层3上方且覆盖各薄膜晶体管2的有源层的遮挡层6。
较佳地,在本发明实施例提供的上述指纹识别器中,如图2和图3所示,遮挡层6与第一导电连接部5设置为同层同材质。这样在制作时,遮挡层和第一导电连接部可以通过一次构图工艺形成,从而能够简化制作工艺,进而降低生产成本。
进一步地,在本发明实施例提供的上述指纹识别器中,各薄膜晶体管呈矩阵排列;指纹识别器还包括:
与各行薄膜晶体管一一对应且与对应行中的各薄膜晶体管的栅极电连接的扫描线;与各列薄膜晶体管一一对应且与对应列中的各薄膜晶体管的源极电连接的指纹识别线;与各光敏部一一对应且电连接的参考信号线。
这样在具体实施时,向所有参考信号线施加固定电压,当扫描线控制薄膜晶体管打开时,通过指纹识别线向薄膜晶体管的漏极提供电压,使光敏部处于反偏状态,当扫描线下一次控制薄膜晶体管打开时,检测指纹识别线上的信号,当手指触控发生时,指纹不同部位会使对应区域的光敏部接收到的光的强度不相同,从而导致光敏部两端的电压差不同,因此通过检测各指纹识别线上的信号,可以实现指纹触控。
在具体实施时,在本发明实施例提供的上述指纹识别器中,光敏部为光敏二极管结构,在此不作限定。
进一步地,在本发明实施例提供的上述指纹识别器中,当光敏部为光敏二极管结构时,光敏二极管结构的P极为低电位,N极为高电位时,光敏二极管结构处于反偏状态。
需要说明的是,在本发明实施例提供的上述指纹识别器中,定义扫描线延伸的方向为行方向,定义指纹识别线的延伸方向为列方向。
较佳地,为了简化制作工艺,在本发明实施例提供的上述指纹识别器中,扫描线与薄膜晶体管的栅极设置为同层同材质,在此不作限定。
较佳地,为了简化制作工艺,在本发明实施例提供的上述指纹识别器中,指纹识别线与与薄膜晶体管的源极设置为同层同材质,在此不作限定。
较佳地,为了简化制作工艺,在本发明实施例提供的上述指纹识别器中,如图2和图3所示,参考信号线7与薄膜晶体管2的栅极23同层设置。
进一步地,在本发明实施例提供的上述指纹识别器中,为了致密保护光敏部的侧面,如图2和图3所示,还包括:覆盖光敏部4和遮挡层6的绝缘保护层8。
在具体实施时,为了实现光敏部4与参考信号线7的电连接,在本发明实施例提供的上述指纹识别器中,如图2和图3所示,还包括:位于绝缘保护层8上方且与各光敏部4一一对应的第二导电连接部9;其中,
第二导电连接部9通过贯穿绝缘保护层8的第二过孔V2与光敏部4电连接,光敏部4通过对应的第二导电连接部9与参考信号线7电连接。
在具体实施时,第二导电连接部可以通过贯穿位于第二导电连接部与参考信号线之间的多层膜层的过孔实现电连接,在此不作限定。
由于设置贯穿多层膜层的过孔的工艺难度比较大,因此较佳地,在本发明实施例提供的上述指纹识别器中,如图2和图3所示,薄膜晶体管2中的源极22和漏极21均位于有源层24的上方,栅绝缘层25和栅极23依次位于有源层24的下方;
指纹识别器还包括:位于参考信号线7与第二导电连接部9之间的第三导电连接部10;
第二导电连接部9通过第三导电连接部10与参考信号线7电连接。
下面通过两个具体的实施例说明本发明实施例提供的上述指纹识别器中,第二导电连接部通过第三导电连接部与参考信号线电连接的具体实施方式。
实施例一、
较佳地,在发明实施例提供的上述指纹识别器中,如图2所示,第三导电连接部10与遮挡层6设置为同层同材质;
第二导电连接9部通过贯穿绝缘保护层8的第三过孔V3与第三导电连接部10电连接;
第三导电连接部10通过贯穿绝缘层3和栅绝缘层25的第四过孔V4与参考信号线7电连接。
这样在形成遮挡层时通过一次构图工艺同时形成第三导电连接部,在形成第一过孔时通过一次构图工艺同时形成第四过孔,在形成第二过孔时通过一次构图工艺同时形成第三过孔,因此整体不需要单独增加掩膜次数,为了简化制作工艺,进而降低生产成本。
实施例二、
进一步地,在本发明实施例提供的上述指纹识别器中,为了避免想成源极和漏极时光刻工艺会影响有源层,因此较佳地,如图3所示,还包括位于薄膜晶体管2的有源层24与漏极21之间的刻蚀阻挡层26;
第三导电连接部10包括的第一子连接部101和第二子连接部102;其中,第一子连接部101与遮挡层6设置为同层同材质,第二子连接部102与薄膜晶体管2的漏极21设置为同层同材质;
第二导电连接部9通过贯穿绝缘保护层8的第三过孔V3与第一子连接部101电连接,第一子连接部101通过贯穿绝缘层3的第五过孔V5与第二子连接部102电连接,第二子连接部102通过贯穿刻蚀阻挡层26和栅绝缘层25的第四过孔V4与参考信号线7电连接。
这样在形成遮挡层时通过一次构图工艺同时形成第一子连接部,在形成源极和漏极时通过一次构图工艺同时形成第二子连接部,在形成用于电连接有源层与源极和漏极的过孔的同时通过一次构图工艺形成第五过孔,在形成第一过孔时通过一次构图工艺同时形成第五过孔,在形成第二过孔时通过一次构图工艺同时形成第三过孔,因此整体不需要单独增加掩膜次数,为了简化制作工艺,进而降低生产成本。
在具体实施时,在本发明实施例提供的上述指纹识别器中,薄膜晶体管的有源层可以是多晶硅材料,当然也可以是金属氧化物材料,在此不作限定。
需要说明的是,本发明实施例提供的上述指纹识别器,由于光敏部需要与薄膜晶体管中的漏极电连接,因此上述实施例均是以薄膜晶体管为底栅型结构为例进行说明的,这样方便光敏部与漏极实现电连接。当然在具体实施时,本发明实施例同样适应与顶栅型结构的薄膜晶体管,在此不作限定。
进一步地,在本发明实施例提供的上述指纹识别器中,如图4和图5所示,还包括覆盖第二导电连接部10的树脂层11,这样不仅可以保护第二导电连接部10,而且树脂层11可以增加后续膜层的附着力,另外还可以降低漏电流。
较佳地,在本发明实施例提供的上述指纹识别器中,如图4和图5所示,还包括位于第二导电连接部10与光敏部4之间,且位于绝缘保护层8下方的第四导电连接部12,这样可以避免在绝缘保护层8中形成第二过孔V2时使光敏部4的上表面变粗糙从而影响光敏部4的光学特性。
在具体实施,在本发明实施例提供的上述指纹识别器中,第二导电连接部的材料为透明导电氧化物,在此不作限定。
在具体实施,在本发明实施例提供的上述指纹识别器中,第四导电连接部的材料为透明导电氧化物,在此不作限定。
基于同一发明构思,本发明实施例还提供了一种指纹识别器的制作方法,如图6所示,包括:
S601、在衬底基板上形成包括多个薄膜晶体管的图形;
S602、形成覆盖各薄膜晶体管的绝缘层的图形,其中述绝缘层在与各薄膜晶体管的漏极对应的区域设置有贯穿绝缘层的第一过孔;
S603、在各第一过孔内形成第一导电连接部的图形,且第一导电连接部与薄膜晶体管的漏极电连接;
S604、在绝缘层上形成与各薄膜晶体管一一对应的光敏部的图形,且光敏部通过第一过孔中的第一导电连接部与薄膜晶体管的漏极电连接。
本发明实施例提供的上述指纹识别器的制作方法,由于在形成绝缘层的图像之后,在形成光敏部的图形之前,还包括在各第一过孔内形成第一导电连接部的图形,且第一导电连接部与薄膜晶体管的漏极电连接,因此即使当在绝缘层中形成第一过孔时会使漏极的表面变粗糙,但是由于与光敏部电连接的是第一导电连接部,而该第一导电连接部的表面是光滑的,因此与现有的指纹识别器相比可以避免由于在绝缘层中形成第一过孔导致的对光敏部的光学特性的影响,从而提高指纹识别器的性能。
在具体实施时,为了简化制作工艺,在本发明实施例提供的上述制作方法中,形成第一导电连接部的图形,具体包括:
在形成有绝缘层的图形的衬底基板上形成遮挡层薄膜;
对遮挡层薄膜进行构图工艺,形成位于各薄膜晶体管的有源层所在区域内的遮挡层的图形和位于各第一过孔内的第一导电连接部的图形。
在具体实施时,为了简化制作工艺,在本发明实施例提供的上述制作方法中,各薄膜晶体管呈矩阵排列;制作方法还包括:
形成与各行薄膜晶体管一一对应且与对应行中的各薄膜晶体管的栅极电连接的扫描线的图形、与各列薄膜晶体管一一对应且与对应列中的各薄膜晶体管的源极电连接的指纹识别线的图形、与各光敏部一一对应且电连接的参考信号线的图形;其中,
扫描线为扫描线,指纹识别线为指纹识别读取线;或指纹识别线为扫描线,扫描线为指纹识别读取线。
在具体实施时,为了简化制作工艺,在本发明实施例提供的上述制作方法中,形成多个薄膜晶体管的图形和多条参考信号线的图形,具体包括:
在衬底基板上形成包括多个栅极和多条参考信号线的图形;
形成覆盖栅极和参考信号线的栅绝缘层;
在栅绝缘层上形成包括与各栅极对应的有源层的图形;
在有源层上形成源极和漏极的图形。
在具体实施时,为了简化制作工艺,在本发明实施例提供的上述制作方法中,在形成绝缘层的图形的同时还形成贯穿绝缘层和栅绝缘层的多个第四过孔,且各第四过孔位于与各参考信号线对应的区域;
在对遮挡层薄膜进行构图工艺时还形成与各参考信号线一一对应的第三导电连接部的图形,且第三导电连接部通过第四过孔与对应的参考信号线电连接;
在形成光敏部的图形之后还包括:
形成绝缘保护层;
通过一次构图工艺在与各光敏部对应的区域形成贯穿绝缘保护层的第二过孔,在与各第三导电连接部对应的区域形成贯穿绝缘保护层的第三过孔;
在绝缘保护层上形成与各光敏部一一对应的第二导电连接部的图形,且第二导电连接部通过第二过孔与光敏部电连接,第二导电连接部通过第三过孔与第三导电连接部电连接。
或者,在具体实施时,为了简化制作工艺,在本发明实施例提供的上述制作方法中,在形成有源层的图形之后,在形成源极和漏极的图形之前,还依次形成刻蚀阻挡层、在与各参考信号线对应的区域形成贯穿刻蚀阻挡层和栅绝缘层的第四过孔;
在形成源极和漏极的图形的同时还形成与各第四过孔一一对应的第二子连接部的图形,且第二子连接部通过第四过孔与参考信号线电连接;
在形成绝缘层的图形时还在与第二子连接部对应的区域形成贯穿绝缘层的第五过孔;
在对遮挡层薄膜进行构图工艺时还形成与各第二子连接部一一对应电连接的第一子连接部的图形,且第一子连接部通过第五过孔与第二子连接部电连接;
在形成光敏部的图形之后还包括:
形成绝缘保护层;
通过一次构图工艺在与各光敏部对应的区域形成贯穿绝缘保护层的第二过孔,在与各第一子连接部对应的区域形成贯穿绝缘保护层和绝缘层的第三过孔;
在绝缘保护层上形成与各光敏部一一对应的第二导电连接部的图形,且第二导电连接部通过第二过孔与光敏部电连接,第二导电连接部通过第三过孔与第一子电连接部电连接。
进一步地,在本发明实施例提供的上述制作方法中,在形成第二导电连接部的图形之后还包括形成覆盖第二导电连接部的树脂层。
较佳地,在本发明实施例提供的上述制作方法中,在形成光敏部之后,形成绝缘保护层之前,还包括在光敏部上方形成第四导电连接部的图形,这样可以避免在绝缘保护层形成第二过孔时使光敏部的上表面变粗糙从而影响光敏部的光学特性。
下面分别以图2至图5的指纹识别器为例详细说明本发明实施例提供的上述指纹识别器的制作方法。
实施例三、
以图2所示的指纹识别器为例,该指纹识别器的制作方法包括:
(1)通过一次构图工艺在衬底基板1上形成栅极23和参考信号线7的图形;
(2)形成覆盖栅极23和参考信号线7的栅绝缘层25;
(3)在栅绝缘层25上形成有源层24的图形;
(4)通过一次构图工艺在有源层24上形成源极22和漏极21的图形;
(5)形成覆盖源极22和漏极21的绝缘层3;
(6)通过一次构图工艺在与漏极21对应的区域形成贯穿绝缘层3的第一过孔V1,在与参考信号线7对应的区域形成贯穿绝缘层3和栅绝缘层25的第四过孔V4;
(7)通过一次构图工艺形成遮挡层6、第一导电连接部5和第三导电连接部10的图形,其中第一导电连接部5通过第一过孔V1与漏极21电连接,第三导电连接部10通过第四过孔V4与参考信号线7电连接;
(8)在第一导电连接部5上形成光敏部4的图形,其中光敏部4与第一导电连接部5电连接;
(9)形成覆盖光敏部4的绝缘保护层8;
(10)通过一次构图工艺在与光敏部4对应的区域形成贯穿绝缘保护层8的第二过孔V2,在与第三导电连接部10对应的区域形成贯穿绝缘保护层8的第三过孔V3;
(11)形成第二导电连接部9的图形,其中第二导电连接部9通过第二过孔V2与光敏部4电连接,第二导电连接部9通过第三过孔V3与第三导电连接部10电连接。
通过上述步骤(1)~(11)形成图2所示结构的指纹识别器。
实施例四、
以图4所示的指纹识别器为例,该指纹识别器的制作方法除了包括上述实施例三中的步骤(1)~(8),还包括:
(9)在光敏部4上形成第四导电连接部12的图形,其中第四导电连接部12与光敏部4电连接;
(10)形成覆盖第四导电连接部12的绝缘保护层8;
(11)通过一次构图工艺在与第四导电连接部12对应的区域形成贯穿绝缘保护层8的第二过孔V2,在与第三导电连接部10对应的区域形成贯穿绝缘保护层8的第三过孔V3;
(12)形成第二导电连接部9的图形,其中第二导电连接部9通过第二过孔V2与第四导电连接部12电连接,第二导电连接部9通过第三过孔V3与第三导电连接部10电连接;
(13)形成覆盖第二导电连接部9的树脂层11。
通过上述步骤(1)~(13)形成图4所示结构的指纹识别器。
实施例五、
以图3所示的指纹识别器为例,该指纹识别器的制作方法包括:
(1)通过一次构图工艺在衬底基板1上形成栅极23和参考信号线7的图形;
(2)形成覆盖栅极23和参考信号线7的栅绝缘层25;
(3)在栅绝缘层25上形成有源层24的图形;
(4)形成覆盖有源层24的刻蚀阻挡层26;
(5)通过一次构图工艺在与漏极21和源极22对应的区域形成贯穿刻蚀阻挡层26的过孔,在与参考信号线7对应的区域形成贯穿刻蚀阻挡层26和栅绝缘层25的第四过孔V4;
(6)通过一次构图工艺在有源层24上形成源极22、漏极21和第二子连接部102的图形,其中第二子连接部102通过第四过孔V4与参考信号线7电连接;
(7)形成覆盖源极22、漏极21和第二子连接部102的绝缘层3;
(8)通过一次构图工艺在与漏极21对应的区域形成贯穿绝缘层3的第一过孔V1,在与第二子连接部102对应的区域形成贯穿绝缘层3的第五过孔V5;
(9)通过一次构图工艺形成遮挡层6、第一导电连接部5和第一子连接部101的图形,其中第一导电连接部5通过第一过孔V1与漏极21电连接,第一子连接部101通过第五过孔V5与第二子连接部102电连接;
(10)在第一导电连接部5上形成光敏部4的图形,其中光敏部4与第一导电连接部5电连接;
(11)形成覆盖光敏部4的绝缘保护层8;
(12)通过一次构图工艺在与光敏部4对应的区域形成贯穿绝缘保护层8的第二过孔V2,在与第一子连接部101对应的区域形成贯穿绝缘保护层8的第三过孔V3;
(13)形成第二导电连接部9的图形,其中第二导电连接部9通过第二过孔V2与光敏部4电连接,第二导电连接部9通过第三过孔V3与第一子连接部101电连接。
通过上述步骤(1)~(13)形成图3所示结构的指纹识别器。
实施例六、
以图5所示的指纹识别器为例,该指纹识别器的制作方法除了包括上述实施例五中的步骤(1)~(10),还包括:
(11)在光敏部4上形成第四导电连接部12的图形,其中第四导电连接部12与光敏部4电连接;
(12)形成覆盖第四导电连接部12的绝缘保护层8;
(13)通过一次构图工艺在与第四导电连接部12对应的区域形成贯穿绝缘保护层8的第二过孔V2,在与第一子连接部101对应的区域形成贯穿绝缘保护层8的第三过孔V3;
(15)形成第二导电连接部9的图形,其中第二导电连接部9通过第二过孔V2与第四导电连接部12电连接,第二导电连接部9通过第三过孔V3与第一子连接部101电连接;
(16)形成覆盖第二导电连接部9的树脂层11。
通过上述步骤(1)~(16)形成图5所示结构的指纹识别器。
基于同一发明构思,本发明实施例还提供了一种显示装置,包括本发明实施例提供的上述任一种指纹识别器。该显示装置可以为:手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。该显示装置的实施可以参见上述指纹识别器的实施例,重复之处不再赘述。
本发明实施例提供的上述指纹识别器、其制作方法及显示装置,由于在薄膜晶体管的漏极与光敏部之间设置有第一导电连接部,光敏部通过该第一导电连接部与薄膜晶体管的漏极相连,因此即使当在绝缘层中形成第一过孔时会使漏极的表面变粗糙,但是由于与光敏部电连接的是第一导电连接部,而该第一导电连接部的表面是光滑的,因此与现有的指纹识别器相比可以避免由于在绝缘层中形成第一过孔导致的对光敏部的光学特性的影响,从而提高指纹识别器的性能。
显然,本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样,倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内,则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (13)
1.一种指纹识别器,包括:衬底基板、位于所述衬底基板上的多个薄膜晶体管、覆盖各所述薄膜晶体管的绝缘层以及位于所述绝缘层上方且与各所述薄膜晶体管一一对应的光敏部;其特征在于,还包括:位于各所述薄膜晶体管的漏极与对应的光敏部之间的第一导电连接部;其中,
所述第一导电连接部的表面是光滑的;
所述绝缘层在与各所述薄膜晶体管的漏极对应的区域设置有贯穿所述绝缘层的第一过孔,所述第一导电连接部位于所述第一过孔中,且所述光敏部通过所述第一导电连接部与对应的薄膜晶体管的漏极电连接;
各所述薄膜晶体管呈矩阵排列;
还包括:位于所述绝缘层上方且覆盖各所述薄膜晶体管的有源层的遮挡层;所述遮挡层与所述第一导电连接部设置为同层同材质。
2.如权利要求1所述指纹识别器,其特征在于,各所述薄膜晶体管呈矩阵排列;所述指纹识别器还包括:
与各行所述薄膜晶体管一一对应且与对应行中的各薄膜晶体管的栅极电连接的扫描线;与各列所述薄膜晶体管一一对应且与对应列中的各薄膜晶体管的源极电连接的指纹识别线;与各所述光敏部一一对应且电连接的参考信号线。
3.如权利要求2所述指纹识别器,其特征在于,所述参考信号线与所述薄膜晶体管的栅极同层设置。
4.如权利要求3所述的指纹识别器,其特征在于,还包括:覆盖所述光敏部和所述遮挡层的绝缘保护层、位于所述绝缘保护层上方且与各所述光敏部一一对应的第二导电连接部;其中,
所述第二导电连接部通过贯穿所述绝缘保护层的第二过孔与所述光敏部电连接,所述光敏部通过对应的所述第二导电连接部与所述参考信号线电连接。
5.如权利要求4所述的指纹识别器,其特征在于,所述薄膜晶体管中的源极和漏极均位于有源层的上方,栅绝缘层和栅极依次位于有源层的下方;
所述指纹识别器还包括:位于所述参考信号线与所述第二导电连接部之间的第三导电连接部;
所述第二导电连接部通过所述第三导电连接部与所述参考信号线电连接。
6.如权利要求5所述的指纹识别器,其特征在于,所述第三导电连接部与所述遮挡层设置为同层同材质;
所述第二导电连接部通过贯穿所述绝缘保护层的第三过孔与所述第三导电连接部电连接;
所述第三导电连接部通过贯穿所述绝缘层和所述栅绝缘层的第四过孔与所述参考信号线电连接。
7.如权利要求5所述的指纹识别器,其特征在于,还包括位于所述薄膜晶体管的有源层与漏极之间的刻蚀阻挡层;
所述第三导电连接部包括第一子连接部和第二子连接部;其中,所述第一子连接部与所述遮挡层设置为同层同材质,所述第二子连接部与所述薄膜晶体管的漏极设置为同层同材质;
所述第二导电连接部通过贯穿所述绝缘保护层的第三过孔与所述第一子连接部电连接,所述第一子连接部通过贯穿所述绝缘层的第五过孔与所述第二子连接部电连接,所述第二子连接部通过贯穿所述刻蚀阻挡层和所述栅绝缘层的第四过孔与所述参考信号线电连接。
8.一种指纹识别器的制作方法,包括:在衬底基板上形成包括多个薄膜晶体管的图形;形成覆盖各所述薄膜晶体管的绝缘层的图形,其中所 述绝缘层在与各所述薄膜晶体管的漏极对应的区域设置有贯穿所述绝缘层的第一过孔;在所述绝缘层上形成与各所述薄膜晶体管一一对应的光敏部的图形,且所述光敏部通过所述第一过孔与对应的薄膜晶体管的漏极电连接;其特征在于:
在形成所述绝缘层的图形之后,在形成所述光敏部的图形之前,还包括:
在形成有绝缘层的图形的衬底基板上形成遮挡层薄膜;
对遮挡层薄膜进行构图工艺,形成位于各所述薄膜晶体管的有源层所在区域内的遮挡层的图形和位于各所述第一过孔内的第一导电连接部的图形,且所述第一导电连接部与所述薄膜晶体管的漏极电连接,且所述第一导电连接部的表面是光滑的,各所述薄膜晶体管呈矩阵排列。
9.如权利要求8所述的制作方法,其特征在于,各所述薄膜晶体管呈矩阵排列;所述制作方法还包括:
形成与各行所述薄膜晶体管一一对应且与对应行中的各薄膜晶体管的栅极电连接的扫描线的图形、与各列所述薄膜晶体管一一对应且与对应列中的各薄膜晶体管的源极电连接的指纹识别线的图形、与各所述光敏部一一对应且电连接的参考信号线的图形。
10.如权利要求9所述的制作方法,其特征在于,形成多个所述薄膜晶体管的图形和多条所述参考信号线的图形,具体包括:
在所述衬底基板上形成包括多个栅极和多条参考信号线的图形;
形成覆盖所述栅极和所述参考信号线的栅绝缘层;
在所述栅绝缘层上形成包括与各所述栅极对应的有源层的图形;
在所述有源层上形成源极和漏极的图形。
11.如权利要求10所述的制作方法,其特征在于,在形成所述绝缘层的图形的同时还形成贯穿所述绝缘层和所述栅绝缘层的多个第四过孔,且各所述第四过孔位于与各所述参考信号线对应的区域;
在对遮挡层薄膜进行构图工艺时还形成与各所述参考信号线一一对应的第三导电连接部的图形,且所述第三导电连接部通过所述第四过孔与对应的所述参考信号线电连接;
在形成所述光敏部的图形之后还包括:
形成绝缘保护层;
通过一次构图工艺在与各所述光敏部对应的区域形成贯穿所述绝缘保护层的第二过孔,在与各所述第三导电连接部对应的区域形成贯穿所述绝缘保护层的第三过孔;
在所述绝缘保护层上形成与各所述光敏部一一对应的第二导电连接部的图形,且所述第二导电连接部通过所述第二过孔与所述光敏部电连接,所述第二导电连接部通过所述第三过孔与所述第三导电连接部电连接。
12.如权利要求10所述的制作方法,其特征在于,在形成所述有源层的图形之后,在形成所述源极和漏极的图形之前,还依次形成刻蚀阻挡层、在与各所述参考信号线对应的区域形成贯穿所述刻蚀阻挡层和所述栅绝缘层的第四过孔;
在形成源极和漏极的图形的同时还形成与各所述第四过孔一一对应的第二子连接部的图形,且所述第二子连接部通过所述第四过孔与所述参考信号线电连接;
在形成所述绝缘层的图形时还在与所述第二子连接部对应的区域形成贯穿所述绝缘层的第五过孔;
在对遮挡层薄膜进行构图工艺时还形成与各所述第二子连接部一一对应电连接的第一子连接部的图形,且所述第一子连接部通过所述第五过孔与所述第二子连接部电连接;
在形成光敏部的图形之后还包括:
形成绝缘保护层;
通过一次构图工艺在与各所述光敏部对应的区域形成贯穿所述绝缘保护层的第二过孔,在与各所述第一子连接部对应的区域形成贯穿所述绝缘保护层和所述绝缘层的第三过孔;
在所述绝缘保护层上形成与各所述光敏部一一对应的第二导电连接部的图形,且所述第二导电连接部通过所述第二过孔与所述光敏部电连接,所述第二导电连接部通过所述第三过孔与所述第一子电连接部电连接。
13.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-7任一项所述的指纹识别器。
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CN110739327B (zh) | 2018-07-20 | 2022-06-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法、显示装置 |
CN111937153B (zh) * | 2018-11-20 | 2024-07-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板、显示设备和制造显示基板的方法 |
CN109994498B (zh) * | 2019-04-09 | 2021-01-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种指纹识别传感器及其制备方法、以及显示装置 |
CN109993156B (zh) * | 2019-04-24 | 2022-09-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 超声波指纹识别面板及显示装置 |
CN110197834A (zh) * | 2019-06-19 | 2019-09-03 | 厦门天马微电子有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示面板和指纹识别显示装置 |
CN110596979B (zh) * | 2019-09-27 | 2022-07-08 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种阵列基板及显示装置 |
CN110676297B (zh) | 2019-09-30 | 2022-10-18 | 福州京东方光电科技有限公司 | 一种基板及其制备方法、显示装置 |
CN111275001A (zh) * | 2020-02-18 | 2020-06-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 指纹识别单元及其制作方法、显示基板和显示装置 |
CN111753778B (zh) * | 2020-06-30 | 2022-08-05 | 厦门天马微电子有限公司 | 显示模组、显示模组的制造方法及显示装置 |
TWI764449B (zh) * | 2020-12-18 | 2022-05-11 | 友達光電股份有限公司 | 顯示裝置 |
CN112817485B (zh) * | 2021-02-19 | 2022-09-23 | 联想(北京)有限公司 | 透明盖板及其制作方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09213801A (ja) * | 1996-01-29 | 1997-08-15 | Sony Corp | 接続孔の形成工程を有する半導体装置の製造方法 |
CN102790096A (zh) * | 2012-07-20 | 2012-11-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置 |
CN104867878A (zh) * | 2015-05-26 | 2015-08-26 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种ltps阵列基板及其制作方法 |
CN105095872A (zh) * | 2015-07-29 | 2015-11-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种基板及其制备方法、指纹识别传感器、指纹识别装置 |
CN105550662A (zh) * | 2016-01-05 | 2016-05-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种指纹识别装置及其制作方法、阵列基板、显示装置 |
CN105789226A (zh) * | 2016-05-10 | 2016-07-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 指纹采集器件及其制作方法、指纹采集面板及显示面板 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5619033A (en) * | 1995-06-07 | 1997-04-08 | Xerox Corporation | Layered solid state photodiode sensor array |
KR100436376B1 (ko) * | 2002-03-29 | 2004-06-19 | 테스텍 주식회사 | 접촉발광소자와 tft 지문입력기를 이용한 슬림형지문인식장치 |
US8237163B2 (en) * | 2008-12-18 | 2012-08-07 | Lg Display Co., Ltd. | Array substrate for display device and method for fabricating the same |
CN102403311B (zh) | 2010-09-16 | 2015-07-15 | 北京京东方光电科技有限公司 | 阵列基板及其制造方法和液晶显示器 |
KR20150029129A (ko) | 2013-09-09 | 2015-03-18 | 크루셜텍 (주) | 지문 인식 센서 |
CN105304656B (zh) * | 2014-06-23 | 2018-06-22 | 上海箩箕技术有限公司 | 光电传感器 |
TWI601301B (zh) | 2015-07-31 | 2017-10-01 | 友達光電股份有限公司 | 光學偵測裝置及其製作方法 |
CN106129069B (zh) | 2016-07-26 | 2019-11-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种指纹识别器、其制作方法及显示装置 |
-
2016
- 2016-07-26 CN CN201610595758.3A patent/CN106129069B/zh active Active
-
2017
- 2017-05-12 WO PCT/CN2017/084051 patent/WO2018018996A1/zh active Application Filing
- 2017-05-12 US US15/570,166 patent/US10489628B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09213801A (ja) * | 1996-01-29 | 1997-08-15 | Sony Corp | 接続孔の形成工程を有する半導体装置の製造方法 |
CN102790096A (zh) * | 2012-07-20 | 2012-11-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置 |
CN104867878A (zh) * | 2015-05-26 | 2015-08-26 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种ltps阵列基板及其制作方法 |
CN105095872A (zh) * | 2015-07-29 | 2015-11-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种基板及其制备方法、指纹识别传感器、指纹识别装置 |
CN105550662A (zh) * | 2016-01-05 | 2016-05-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种指纹识别装置及其制作方法、阵列基板、显示装置 |
CN105789226A (zh) * | 2016-05-10 | 2016-07-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 指纹采集器件及其制作方法、指纹采集面板及显示面板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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