CN101604085A - 平面显示面板、紫外光传感器及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种平面显示面板、紫外光传感器及其制造方法，所述UV光传感器，其是以折射率范围为约1.7至约2.5的富硅介电层当作感光材料，设于UV光感测下电极与UV光感测上电极之间。本发明UV光传感器的制作方法可整合于半导体或平面显示面板的工艺中。

Description

平面显示面板、紫外光传感器及其制造方法

技术领域

本发明是有关于一种平面显示面板、紫外(ultraviolet，UV)光传感器及其制造方法，尤指一种含有富硅(silicon-rich，Si-rich)介电材料的UV光传感器及其制作方法。

背景技术

UV光传感器目前已广泛应用于火灾监测、污染分析、天文观测、医疗仪器，甚至军事用途上。近来UV光传感器(UV sensor，UVS)更被应用于搭配氮化铟镓(InGaN)等发光二极管或激光组件，以形成紫外-蓝光数据存取系统。

另一方面，由于大气中的臭氧层长期受人为排放的氟氯碳化合物(chloroflurocaaarbons，CFCs)或其他因素所破坏，造成近地面UV光辐射逐年增加。然而，长期暴露于UV光的照射可能会造成皮肤的病变，因此若可利用UV光传感器实时检测UV光强度，便可提醒人们要适时地注意自身的健康安全，不至于暴露于强烈的UV光下而不自知，并于UV光较强的时候，避免不必要的外出或预先做好防范动作。

一般而言，UV光可分成三种类型：紫外光A(UV-A)、紫外光B(UV-B)以及紫外光C(UV-C)，其中UV-A、UV-B、UV-C的波长范围分别为315～400纳米、280～315纳米以及100～280纳米。在这三类中，波长最短的UV-C对人体的危害最大，然而，UV-C比较不容易抵达地球表面。因此，目前紫外光传感器的感测对象主要以感测UV-A与UV-B为主。

已知UV光传感器多使用例如氮化镓(gallium nitride，GaN)或氮化铝镓(AlGaN)等三五族(III-V)金属来当作感光材料，然而上述材料的价格昂贵，使得UV光传感器的制造成本无法有效降低，且以GaN或AlGaN材料制作的UV光传感器具有高污染以及不易整合于半导体工艺的问题，又容易发生在检测过程中使得组件温度上升以致影响感测效能等问题，因此应用性较低。此外，若欲将光传感器整合于显示面板上，虽然传统已使用非晶硅薄膜或多晶硅薄膜作为可见光传感器的感光材料，然而因为非晶硅与多晶硅材料对于可见光与红外光的敏感度高于对UV光的敏感度，且非晶硅与多晶硅材料对UV光具有极差的光电转换效率，又具有稳定性差等问题，因此无法有效应用于UV光传感器产品上。综上所述，业界仍须研发适用于UV光传感器的感光材料与结构，以及提供适合整合于半导体工艺或显示面板上的UV光传感器结构与制造方法。

发明内容

本发明的目的之一在于提供一种包含折射率范围为约1.7至约2.5的富硅介电层的UV光传感器以及平面显示面板，以解决上述已知UV光传感器感测效能低或不易整合于半导体工艺的问题。

为达上述目的，本发明提供一种平面显示面板，其包括下基板、上基板平行设于下基板之上、以及显示材料层设于上基板与下基板之间，其中下基板包括显示区域与外围区域。本发明平面显示面板还包括至少一像素结构设于显示区域内以及至少一UV光感测结构设于外围区域内。UV光感测结构包括UV光感测下电极设于上基板表面、图案化第一富硅介电层设置于UV光感测下电极的表面、以及UV光感测上电极设置于图案化第一富硅介电层表面，其中图案化第一富硅介电层是用于吸收一UV光，且其折射率范围为约1.7至约2.5。

为达上述目的，本发明还提供一种UV光传感器，其包括一基板以及至少一UV光感测结构设于基板上。UV光感测结构包括UV光感测下电极设于该基板表面、图案化第一富硅介电层设置于UV光感测下电极的表面、以及UV光感测上电极，设置于图案化第一富硅介电层表面。其中图案化第一富硅介电层是用于吸收UV光，且折射率范围为约1.7至约2.5。

为达上述目的，本发明更提供一种平面显示面板的制造方法，首先提供一下基板，其包括一显示区域与一外围区域，接着于下基板表面形成图案化第一导电层，其包括UV光感测下电极设于外围区域。然后于下基板表面形成图案化第一富硅介电层，设于UV光感测下电极表面，且图案化第一富硅介电层的折射率范围为约1.7至约2.5。之后，于下基板表面形成图案化第二导电层，其包括UV光感测上电极设于图案化第一富硅介电层的表面，其中UV光感测下电极、图案化第一富硅介电层以及UV光感测上电极是构成一UV光感测结构。此外，本发明方法还包括提供一上基板，平行设于下基板之上，并提供一显示材料层，设于上基板与下基板之间。

为达上述目的，本发明又另提供一UV光传感器的制造方法，其包括先提供一基板，然后于基板表面形成图案化第一导电层，其包括UV光感测下电极，接着于基板表面形成图案化第一富硅介电层，设于UV光感测下电极表面，且图案化第一富硅介电层的折射率范围为约1.7至约2.5。然后于基板表面形成图案化第二导电层，其包括UV光感测上电极，设于图案化第一富硅介电层的表面，其中UV光感测下电极、图案化第一富硅介电层以及UV光感测上电极是构成本发明的UV光感测结构。

由于本发明的UV光传感器是以富硅介电材料作为感光材料，因此其具有高稳定性、低成本及整合性高等优点，非常适合应用于包括薄膜晶体管或半导体组件的产品中，例如平面显示器，能有效提高产品的附加价值。

附图说明

图1为本发明平面显示面板的俯视示意图；

图2至图4为图1所示本发明平面显示面板的制造方法的部分剖面示意图；

图5为本发明UV光传感器的输出信号曲线图；

图6为本发明包含UV光传感器与可见光传感器的平面显示面板的感光信号曲线图；

图7为本发明UV光感测结构的图案化第一富硅介电层对不同波长光线的光电响应光谱图；

图8为本发明UV光传感器的第二实施例的剖面示意图；

图9为本发明平面显示面板的第三实施例的剖面示意图；

图10为本发明平面显示面板的第四实施例的剖面示意图。

附图标号

10、76、100、158    平面显示面板

12    显示区域                    13            晶体管预定区

14    外围区域                    16、102       下基板

18、104    上基板                 20、108       UV光传感器

21    UV光感测结构预定区          22、160       可见光传感器

23    可见光感测结构预定区        24            电路板

26    图案化第一导电层            28、130、140  栅极

30、114  UV光感测下电极           32、162    可见光感测下电极

34、120  图案化第一富硅介电层     36、170    图案化第二富硅介电层

38、134  栅极介电层               40    第一介层洞

42    第二介层洞                  44    图案化半导体层

46    图案化奥姆接触层            48    图案化第二导电层

48a、148  源极                    48b、150    漏极

50    图案化保护层                52    第三介层洞

54    第四介层洞                  56    第五介层洞

58    图案化第三导电层            60、138    像素电极

62、118     UV光感测上电极        64、166    可见光感测上电极

66、122、124、174    薄膜晶体管

68、112     UV光感测结构          70、168    可见光感测结构

72、110     像素结构              74、106    显示材料层

116         UV光感测组件          126、128、144、146  离子掺杂区

132、142    半导体信道区          136        图案化低温多晶硅层

152         层间介电层            154        接触组件

156、172    图案化导电层          157        平坦层

159         保护层                164        可见光感测组件

具体实施方式

请参考图1，图1为本发明一平面显示面板10的俯视示意图。平面显示面板10包括显示区域12与外围区域14，其中外围区域14是设于平面显示面板10的外缘。一般而言，平面显示面板10包括下基板16与上基板18，而显示区域12是位于上基板18与下基板16的部分重叠区域。平面显示面板10另包括UV光传感器20与可见光传感器(visible light sensor，VLS)22设于外围区域14内，且外围区域14表面可选择性设置电路板24，例如软性印刷电路板(flexible printed circuit，FPC)，以将外部信号或电路链接于平面显示面板10。

请参考图2至图4，其显示了本发明平面显示面板第一实施例的制造方法的部分剖面示意图。如图2所示，在制作本发明平面显示面板10时，首先提供下基板16，然后在下基板16表面形成图案化第一导电层26，其包括栅极28、UV光感测下电极30以及可见光感测下电极32。其中图案化第一导电层26的形成方法可包括先在下基板16表面沉积第一导电层(图未示)，然后对第一导电层进行图案化工艺，例如光刻和刻蚀工艺，以移除部分第一导电层，剩下的图案化第一导电层26即包括栅极28、UV光感测下电极30以及可见光感测下电极32，分别位于下基板16上的晶体管预定区13、UV光感测结构预定区21以及可见光感测结构预定区23。此外，图案化第一导电层26较佳包括金属材料。

然后，在下基板16表面形成图案化第一富硅介电层34，其包括设于UV光感测下电极30的表面。在较佳实施例中，图案化第一富硅介电层34的材料可包括富硅氧化硅(SiOx)、富硅氮化硅(SiNy)、富硅氮氧化硅(SiOxNy)、富硅碳氧化硅(SiOxCz)、氢化富硅氮化硅(SiNy:H)、氢化富硅氧化硅(SiOx:H)、氢化富硅氮氧化硅(SiOxNy:H)、氢化富硅碳氧化硅(SiOxCz:H)或上述材料的组合，其中，0＜x＜2、0＜y＜1.33、0＜z＜1。此外，图案化第一富硅介电层34的折射率范围为约1.7至约2.5，其厚度较佳为约50纳米(nanometer，nm)至约500纳米。再者，形成图案化第一富硅介电层34的工艺较佳包括进行第一化学汽相沉积(chemical vapor deposition，CVD)工艺，以在下基板16表面沉积形成第一富硅介电层(图未示)，再利用光掩膜进行光刻和刻蚀工艺而形成图案化第一富硅介电层34，其中第一CVD工艺包括在CVD工艺反应室中通入硅甲烷(SiH₄)、氨(NH₃)以及氢，且硅甲烷对氨的气体流量比较佳为约0.5至10，而氢对硅甲烷的气体流量比较佳为约0至8。图案化第一富硅介电层34设于UV光感测下电极30表面的部分是当作UV光感测组件，而UV光感测下电极30的面积较佳大于UV光感测组件的面积，使得UV光感测下电极30能遮蔽由下基板16下方射入的光线。

接着，利用第二CVD工艺与光刻和刻蚀工艺而在下基板表面16形成图案化第二富硅介电层36，其包括设于可见光感测下电极32的表面，用来当作可见光感测组件。图案化第二富硅介电层36的折射率范围为约2.5至约3.3。此外，第二CVD工艺的硅甲烷对氧化亚氮(N₂O)的气体流量比较佳为约1.2至10.0，而氢对硅甲烷的气体流量比较佳为约0至8。此外，图案化第二富硅介电层36的材料可类似于图案化第一富硅介电层34，例如包括富硅氧化硅、富硅氮化硅、富硅氮氧化硅、富硅碳氧化硅、氢化富硅氮化硅、氢化富硅氧化硅、氢化富硅氮氧化硅、氢化富硅碳氧化硅或上述材料的组合。值得注意的是，在其他实施例中，也可先制作图案化第二富硅介电层36，再制作图案化第一富硅介电层34。

接着，请参考第3图，在下基板16表面形成图案化的栅极介电层38，覆盖部分图案化第一富硅介电层34、部分UV光感测下电极30、部分图案化第二富硅介电层36与部分可见光感测下电极32。此外，栅极介电层38具有第一介层洞40与第二介层洞42，分别暴露大部分的图案化第一富硅介电层34与图案化第二富硅介电层36，并覆盖栅极28。然后依序在栅极28之上形成图案化半导体层44、图案化奥姆接触层46以及图案化第二导电层48，以形成薄膜晶体管66。其中，图案化第二导电层48较佳包含金属材料，且可包括源极48a与漏极48b，分别设于图案化奥姆接触层46与图案化半导体层44之上方两侧，而图案化半导体层44是设于栅极28上的部分栅极介电层38表面。在本实施例中，薄膜晶体管66是为非晶硅薄膜晶体管。

接着，请参考图4，在下基板16表面形成图案化保护层50，覆盖源极48a、部分漏极48b、部分图案化第一富硅介电层34与部分图案化第二富硅介电层36。图案化保护层50包括第三介层洞52、第四介层洞54以及选择性包括第五介层洞56，分别暴露出大部分图案化第一富硅介电层34、大部分图案化第二富硅介电层36以及部分漏极48b。随后于下基板16表面形成图案化第三导电层58，其包括UV光感测上电极62与可见光感测上电极64，其中UV光感测上电极62是填于第三介层洞52内且覆盖部分栅极介电层38与部分保护层50，并与图案化第一富硅介电层34的表面相接触，而可见光感测上电极64则填于第四介层洞54内，且与图案化第二富硅介电层36相接触。如此，便完成了UV光感测结构68与可见光感测结构70的制作，其中UV光感测结构68由下至上依序包括UV光感测下电极30、图案化第一富硅介电层34以及UV光感测上电极62，且图案化第一富硅介电层34是作为UV光感测结构68的UV光感测组件。另一方面，可见光感测结构70由下而上依序包括可见光感测下电极32、图案化第二富硅介电层36以及可见光感测上电极64，而图案化第二富硅介电层36是作为可见光感测结构70的可见光感测组件。

此外，图案化第三导电层58另可选择性包括至少一导线或像素电极，如图4中所示的像素电极60，填于第五介层洞56内，与漏极48b相电性连接。在此设计下，图案化第三导电层58较佳包含透明导电材料，例如氧化铟锡。因此，薄膜晶体管66与像素电极60可构成显示区域12中的一像素结构72，且薄膜晶体管66可当作像素结构72的像素晶体管。然而，在其他实施例中，薄膜晶体管66也可电性连接于UV光感测下电极30，或者当作外围区域14的一开关晶体管使用，此时漏极48b可电性连接于一导线。当制作完下基板16表面的电子组件或像素结构72后，另提供上基板18，使上基板18的下表面与下基板16之上表面平行相对，并选择性于上基板18与下基板16之间提供显示材料层74，例如为液晶材料层，便完成平面显示面板10的制作。在其他实施例中，本发明并不限于液晶显示面板，也可为电泳显示面板、有机电发光二极管显示面板或其他可整合薄膜晶体管组件的平面显示面板。

请参考图5，图5为使用前述图案化第一富硅介电层34的材料来制作本发明UV光传感器20的输出信号曲线图。在以UV光发光二极管(发光波长约310nm)照射本发明UV光传感器20时，其输出电流对操作电压的相对关是以圆形标记绘示，而在没有提供照光的情形下，本发明UV光传感器20的漏电流是以矩形标记绘示，其中输出电流的单位为安培(ampere，图中以符号“A”表示)，而操作电压的单位为伏特(volt，图中以符号“V”表示)。由图5可知，本发明UV光传感器20的信噪比(signal/noise，S/N)是大于2200，具有良好的UV光感测效能。

请参考图6，图6绘示出了本发明同时包含UV光传感器20与可见光传感器22的平面显示面板10的感光信号曲线图。由图中可知，本发明可见光传感器22的信噪比大于400，而UV光传感器20对可见光传感器22的输出相对信噪比大于约60至100，因此不论是UV光传感器20或可见光传感器22皆具有良好的感光效果，且UV光传感器20的效能更优于可见光传感器22。

再请参考图7，图7显示前述本发明UV光感测结构68所使用的图案化第一富硅介电层34对不同波长的光线的光电响应光谱图(photo-responsitivityspectrum)。如图所示，本发明UV光感测结构68对于波长约300至400nm的UV光具有很强的光电响应，且对于波长约200至400nm的UV光与可见光的光电响应相对比率大于50。因此，由图5至图7可知，本发明UV光感测结构68对于UV光具有良好的感测效果，且当平面显示面板10同时包括本发明UV光传感器20与可见光传感器22时，其对于UV光与可见光的感测皆具有良好的信噪比。

请参考图8，图8为本发明UV光传感器的另一实施例的剖面示意图，其中相同的组件是沿用图1至图4的组件符号。在本实施例中，本发明UV光传感器20为一内嵌式传感器，其包括至少一UV光感测结构68设于平面显示面板76中，且平面显示面板76可还包括薄膜晶体管66与像素电极60，设于其显示区域(图未示)，也可包含其他薄膜晶体管，设于平面显示面板76的外围区域或电性连接于UV光感测结构68。本实施例与前一实施例不同的地方在于UV光感测下电极30是由图案化第二导电层48所构成，且位于栅极介电层38之上，因此UV光感测下电极30与源极48a、漏极48b是通过同样的工艺步骤所制作。之后，再形成图案化第一富硅介电层34当作UV光感测结构68的UV光感测组件，随后形成图案化保护层50，暴露部分漏极48b与大部分图案化第一富硅介电层34。接着，在下基板16表面形成图案化第三导电层58，包括电性连接于漏极48b的像素电极60与设于图案化第一富硅介电层34表面的UV光感测上电极62。

请参考图9，图9为本发明平面显示面板的第三实施例的示意图。本实施例的平面显示面板100是为低温多晶硅显示面板，其包括下基板102、上基板104以及设于下基板102与上基板104之间的液晶材料层106。平面显示面板100包括UV光传感器108与多个像素结构110，分别设于平面显示面板100的外围区域与显示区域。UV光传感器108包括至少一UV光感测结构112，其由下至上包括UV光感测下电极114、UV光感测组件116以及UV光感测上电极118，其中UV光感测组件116由图案化第一富硅介电层120所构成，其折射率范围为约1.7至约2.5，材料较佳包括富硅氧化硅、富硅氮化硅、富硅氮氧化硅、富硅碳氧化硅、氢化富硅氮化硅、氢化富硅氧化硅、氢化富硅氮氧化硅、氢化富硅碳氧化硅或上述材料的组合。相同于本发明的第一实施例，在制作图案化第一富硅介电层120时，可先进行CVD工艺而于下基板102之上沉积第一富硅介电层，其中该CVD工艺的硅甲烷对氧化亚氮的气体流量比为约1.2至约10.0，而氢对硅甲烷的气体流量比为约0至约8。接着，再选择性对该第一富硅介电层进行激光退火工艺而使其具有硅纳米晶粒结构。在较佳实施例中，图案化第一富硅介电层120的厚度为约50至约500内米。

此外，UV光传感器108另可选择性包括薄膜晶体管124，设于UV光感测结构112的下方，并电性连接于UV光感测下电极114。薄膜晶体管124包括部分的图案化低温多晶硅层136设于下基板102的表面、栅极介电层134覆盖图案化低温多晶硅层136、以与栅极130设于栅极介电层134之上，其中薄膜晶体管124内的图案化低温多晶硅层136包括半导体通道区132与离子掺杂区(doped region)126、128，例如为n+掺杂区，且离子掺杂区126、128可分别当作薄膜晶体管124的漏极与源极，两者之一电性连接于UV光感测下电极114。

另一方面，像素结构110包含薄膜晶体管122与像素电极138，其中薄膜晶体管122也包括部分的图案化低温多晶硅层136、栅极介电层134、栅极140设在该部分图案化低温多晶硅层136上的部分栅极介电层134表面、层间介电层152覆盖栅极140与栅极介电层134、以及源极148与漏极150设于栅极介电层134与层间介电层152之上。类似地，薄膜晶体管122所包含的图案化低温多晶硅层136具有半导体通道区142与离子掺杂区144、146，而层间介电层152是暴露部分离子掺杂区144、146，使其分别电性连接于源极148与漏极150。因此，薄膜晶体管122与124皆为低温多晶硅薄膜晶体管。在薄膜晶体管122之上可选择性另设有保护层159与平坦层157，分别暴露部分漏极150，因此漏极150通过设在平坦层157与保护层159内的接触组件154而电性连接于设在平坦层157上的像素电极138。在较佳实施例中，离子掺杂区144、146、126、128可通过相同的离子注入工艺所形成，而像素电极138、接触组件154以及UV光感测上电极118可由同一图案化导电层156所构成，且包含透明导电材料。值得注意的是，层间介电层152也同时设于UV光感测结构112的下方，用来隔绝UV光感测结构112与薄膜晶体管124，因此UV光感测下电极144是覆盖部分层间介电层152。

请参考图10，图10为本发明平面显示面板的第四实施例的剖面示意图，其沿用图9的组件符号。本实施例的平面显示面板158同时包括UV光传感器108、可见光传感器160以及像素结构110，其中UV光传感器108与像素结构110的结构类似于前一实施例，故不在此赘述。可见光传感器160包括至少一可见光感测结构168，其由下至上依序包括可见光感测下电极162、可见光感测组件164以及可见光感测上电极166。可见光感测组件164是由图案化第二富硅介电层170所构成，其形成方法、工艺条件与材料可类似于第一实施例中的图案化第二富硅介电层36，且折射率范围为约2.5至约3.3。再者，形成图案化第二富硅介电层36的步骤可包括一激光退火工艺，以使图案化第二富硅介电层36具有硅纳米晶粒结构。可见光感测下电极162与源极148、漏极150以及UV光感测下电极144由相同的图案化导电层172所构成，而可见光感测上电极166则与像素电极138和UV光感测上电极118由相同的图案化导电层156所构成。值得注意的是，在制作平面显示面板158时，形成图案化第二富硅介电层170与图案化第一富硅介电层120的顺序并没有特殊限制，仅需待图案化第二富硅介电层170与图案化第一富硅介电层120皆制作完成后，再于下基板102表面形成图案化导电层156。此外，本实施例的可见光传感器160还包括至少一薄膜晶体管174设于可见光感测结构168之下，且电性连接于可见光感测下电极162。薄膜晶体管174的制作方式类似于薄膜晶体管124，且可于相同的工艺步骤中制作完成，因此不在此赘述。

相比于已知技术，由于本发明UV光传感器所使用的富硅介电材料具有较高的能隙(band gap)，且其具有特定的折射率范围(约1.7至约2.5)，因此对于UV光波段的光线具有良好的光电响应。此外，本发明UV光传感器也可与含有富硅介电材料的可见光传感器一同整合应用于薄膜晶体管基板上，仅需调整UV光传感器与可见光传感器中的感光材料，例如使两者的富硅介电材料具有不同的折射率范围或材料，便可制作出对UV光与可见光分别具有良好感测效果的传感器。因此，本发明包含UV光传感器与可见光传感器的平面显示面板具有高工艺整合性、低成本、可大面积生产以及信赖性高等优点，有效改善已知UV光传感器材料成本过高、稳定性差或整合不易的问题，也增加了平面显示面板等产品的附加价值。

以上所述仅为本发明的较佳实施例，凡依本发明权利要求书范围所做的均等变化与修饰，皆应属本发明的涵盖范围。

Claims (31)

1.一种平面显示面板，其特征在于，所述平面显示面板包括：

一下基板，其包括一显示区域与一外围区域；

一上基板，平行设于所述下基板之上；

一显示材料层，设于所述上基板与所述下基板之间；

至少一像素结构，设于所述显示区域内；以及

至少一紫外光感测结构，设于所述外围区域内，所述UV光感测结构包括：

一UV光感测下电极，设于所述上基板表面；

一图案化第一富硅介电层，设置于所述UV光感测下电极的表面，用于吸收一UV光，且所述图案化第一富硅介电层的折射率范围为约1.7至约2.5；以及

一UV光感测上电极，设置于所述图案化第一富硅介电层表面。

2.如权利要求1所述的平面显示面板，其特征在于，所述图案化第一富硅介电层的材料包括富硅氧化硅、富硅氮化硅、富硅氮氧化硅、富硅碳氧化硅、氢化富硅氮化硅、氢化富硅氧化硅、氢化富硅氮氧化硅、氢化富硅碳氧化硅或上述材料的组合。

3.如权利要求1所述的平面显示面板，其特征在于，所述图案化第一富硅介电层的厚度为约50纳米至约500纳米。

4.如权利要求1所述的平面显示面板，其特征在于，所述平面显示面板还包括至少一可见光感测结构设于所述外围区域内。

5.如权利要求4所述的平面显示面板，其特征在于，所述可见光感测结构包括：

一可见光感测下电极；

一图案化第二富硅介电层，设置于所述可见光感测下电极表面，用于吸收一可见光，且所述图案化第二富硅介电层的折射率范围为约2.5至约3.3；以及

一可见光感测下电极，设置于所述图案化第二富硅介电层表面。

6.如权利要求1所述的平面显示面板，其特征在于，所述UV光感测下电极的面积是大于所述图案化第一富硅介电层的面积。

7.如权利要求1所述的平面显示面板，其特征在于，所述像素结构包括一像素电极，且所述像素电极与所述UV光感测上电极是由相同的透明导电材料所构成。

8.如权利要求7所述的平面显示面板，其特征在于，所述像素结构还包括一薄膜晶体管，其包括：

一栅极设于所述下基板表面；

一栅极介电层覆盖所述栅极；

一图案化半导体层，设于所述栅极上的部分所述栅极介电层表面；

一源极与一漏极，设于所述图案化半导体层表面，且所述漏极电性连接于所述像素电极；以及

一保护层，覆盖所述源极与部分所述漏极；

其中所述栅极介电层覆盖部分所述图案化第一富硅介电层与部分所述UV光感测下电极，而所述UV光感测上电极覆盖部分所述栅极介电层与部分所述保护层。

9.如权利要求7所述的平面显示面板，其特征在于，所述像素结构另包括一薄膜晶体管，其包括：

一图案化低温多晶硅层，设于所述下基板表面；

一栅极介电层覆盖所述图案化多晶硅层表面；

一栅极设于所述图案化低温多晶硅层上的部分所述栅极介电层表面；

一层间介电层覆盖所述栅极以及所述栅极介电层，并暴露部分所述图案化低温多晶硅层；以及

一源极与一漏极，分别电性连接于所述图案化低温多晶硅层，且所述漏极另电性连接于所述像素电极；

其中所述UV光感测下电极包括覆盖部分所述层间介电层。

10.如权利要求9所述的平面显示面板，其特征在于，所述图案化第一富硅介电层包括硅纳米晶粒结构。

11.如权利要求1所述的平面显示面板，其特征在于，所述UV光感测结构还包括一薄膜晶体管，电性连接于所述UV光感测下电极。

12.如权利要求1所述的平面显示面板，其特征在于，所述平面显示面板以包括一液晶显示面板、一电泳显示面板以及一有机电发光二极管显示面板。

13.一种UV光传感器，其特征在于，所述UV光传感器包括：

一基板；以及

至少一UV光感测结构，设于所述基板上，所述UV光感测结构包括：

一UV光感测下电极设于所述基板表面；

一图案化第一富硅介电层，设置于所述UV光感测下电极的表面，用于吸收一UV光，且所述图案化第一富硅介电层的折射率范围为约1.7至约2.5；以及

一UV光感测上电极，设置于所述图案化第一富硅介电层表面。

14.如权利要求13所述的UV光传感器，其特征在于，所述图案化第一富硅介电层的材料包括富硅氧化硅、富硅氮化硅、富硅氮氧化硅、富硅碳氧化硅、氢化富硅氮化硅、氢化富硅氧化硅、氢化富硅氮氧化硅、氢化富硅碳氧化硅或上述材料的组合。

15.如权利要求13所述的UV光传感器，其特征在于，所述图案化第一富硅介电层的厚度为约50纳米至约500纳米。

16.如权利要求13所述的UV光传感器，其特征在于，所述UV光感测结构还包括一薄膜晶体管，电性连接于所述UV光感测下电极。

17.一种平面显示面板的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

提供一下基板，其包括一显示区域与一外围区域；

于所述下基板表面形成一图案化第一导电层，其包括一UV光感测下电极设于所述外围区域；

于所述下基板表面形成一图案化第一富硅介电层，设于所述UV光感测下电极表面，且所述图案化第一富硅介电层的折射率范围为约1.7至约2.5；

于所述下基板表面形成一图案化第二导电层，其包括一UV光感测上电极，设于所述图案化第一富硅介电层的表面，其中所述UV光感测下电极、所述图案化第一富硅介电层以及所述UV光感测上电极是构成一UV光感测结构；

提供一上基板，平行设于所述下基板之上；以及

提供一显示材料层，设于所述上基板与所述下基板之间。

18.如权利要求17所述的制造方法，其特征在于，所述图案化第一富硅介电层的材料包括富硅氧化硅、富硅氮化硅、富硅氮氧化硅、富硅碳氧化硅、氢化富硅氮化硅、氢化富硅氧化硅、氢化富硅氮氧化硅、氢化富硅碳氧化硅或上述材料的组合。

19.如权利要求17所述的制造方法，其特征在于，所述图案化第一富硅介电层的厚度为约50纳米至约500纳米。

20.如权利要求17所述的制造方法，其特征在于，形成所述图案化第一富硅介电层的工艺包括一化学汽相沉积工艺，且所述CVD工艺的硅甲烷对氨的气体流量比为约0.5至10，氢对硅甲烷的气体流量比为约0至8。

21.如权利要求17所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括制作一可见光感测结构设于所述平面显示面板中，且所述图案化第一导电层还包括一可见光感测下电极设于所述外围区域，所述第二图案化导电层另包括一可见光感测上电极设于所述可见光感测下电极之上，而制作所述可见光感测结构的方法包括另形成一图案化第二富硅介电层设于所述可见光感测上电极与所述可见光感测下电极之间。

22.如权利要求21所述的制造方法，其特征在于，所述图案化第二富硅介电层的折射率范围为约2.5至约3.3。

23.如权利要求21所述的制造方法，其特征在于，所述形成所述图案化第二富硅介电层的工艺包括一CVD工艺，且所述CVD工艺的硅甲烷对氧化亚氮的气体流量比为约1.2至10.0，氢对硅甲烷的气体流量比为约0至8。

24.如权利要求17所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括于所述基板上形成至少一像素结构位于所述显示区域内，所述像素结构包括：

一薄膜晶体管，其包括一栅极、一栅极介电层、一图案化半导体层、一漏极以及一源极；以及

一像素电极，电性连接于所述漏极，且所述像素电极与所述UV光感测上电极是由相同的透明导电材料所构成。

25.如权利要求24所述的制造方法，其特征在于，所述薄膜晶体管为一非晶硅薄膜晶体管或一低温多晶硅薄膜晶体管。

26.如权利要求25所述的制造方法，其特征在于，所述图案化第一富硅介电层具有硅纳米晶粒结构。

27.如权利要求26所述的制造方法，其特征在于，所述形成所述图案化硅纳米晶粒结构的步骤包括一激光退火工艺。

28.一种UV光传感器的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

提供一基板；

于所述基板表面形成一图案化第一导电层，其包括一UV光感测下电极；

于所述基板表面形成一图案化第一富硅介电层，设于所述UV光感测下电极表面，且所述图案化第一富硅介电层的折射率范围为约1.7至约2.5；以及

于所述基板表面形成一图案化第二导电层，其包括一UV光感测上电极，设于所述图案化第一富硅介电层的表面；

其中所述UV光感测下电极、所述图案化第一富硅介电层以及所述UV光感测上电极是构成一UV光感测结构。

29.如权利要求28所述的制造方法，其特征在于，所述图案化第一富硅介电层的材料包括富硅氧化硅、富硅氮化硅、富硅氮氧化硅、富硅碳氧化硅、氢化富硅氮化硅、氢化富硅氧化硅、氢化富硅氮氧化硅、氢化富硅碳氧化硅或上述材料的组合。

30.如权利要求28所述的制造方法，其特征在于，所述图案化第一富硅介电层的厚度为约50纳米至约500纳米。

31.如权利要求28所述的制造方法，其特征在于，所述形成所述图案化第一富硅介电层的工艺包括一CVD工艺，且所述CVD工艺的硅甲烷对氨的气体流量比为约0.5至10，氢对硅甲烷的气体流量比为约0至8。

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