CN107863319A - 一种阵列基板及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种阵列基板及其制造方法，该制造方法包括步骤：在基板上形成栅极金属，并在栅极金属上形成栅极绝缘层；对应栅极金属，在栅极绝缘层的上依次形成非晶硅层、N型非晶硅层以及在同一层的源极金属和漏极金属；在栅极绝缘层的延伸部上形成光传感下金属层；在源极金属、漏极金属和光传感下金属层上依次形成光感层、钝化层和光阻层；通过同一个半色调掩膜光罩蚀刻形成位于源极金属和漏极金属的第一光传感层和第一钝化层以形成开关组件，以及形成位于光传感下金属层上的第二光传感层和第二钝化层以形成光传感器。本发明的第一光传感层和第二光传感层通过同一道光罩制程形成，节约了光罩制程，提高了生产效率。

Description

一种阵列基板及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种显示器技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法。
背景技术
随着科技的发展和进步，液晶显示器由于具备机身薄、省电和辐射低等热点而成为显示器的主流产品，得到了广泛应用。现有市场上的液晶显示器大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶面板及背光模组(backlightmodule)。液晶面板的工作原理是在两片平行的基板当中放置液晶分子，并在两片基板上施加驱动电压来控制液晶分子的旋转方向，以将背光模组的光线折射出来产生画面。
而为了能够让阵列基板能够感知外界的光线强弱而进行自主调节亮度和对比度，在某些阵列基板中设置了光传感器，但是光传感器和开关组件的区别使得，两者难以通用光罩，从而增加了光罩制程，使得生产效率不高。
应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本申请的背景技术部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。
发明内容
有鉴于现有技术的上述缺陷，本发明所要解决的技术问题是提供一种节约光罩制程和提高生产效率的阵列基板和阵列基板的制造方法。
为实现上述目的，本发明提供了本发明还公开了一种阵列基板的制造方法，包括步骤：
在基板上形成栅极金属，并在栅极金属上形成栅极绝缘层；
对应栅极金属，在栅极绝缘层的上依次形成非晶硅层、N型非晶硅层以及在同一层的源极金属和漏极金属；
在栅极绝缘层的延伸部上形成光传感下金属层；
在源极金属、漏极金属和光传感下金属层上依次形成光感层、钝化层和光阻层；
通过同一个半色调掩膜光罩蚀刻形成位于源极金属和漏极金属的第一光传感层和第一钝化层以形成开关组件，以及形成位于光传感下金属层上的第二光传感层和第二钝化层以形成光传感器。
进一步的，所述通过同一个半色调掩膜光罩蚀刻形成位于源极金属和漏极金属的第一光传感层和第一钝化层，以及形成位于光传感下金属层上的第二光传感层和第二钝化层的步骤还包括：
通过同一个半色调掩膜光罩将开关组件和光传感器之间的光传感层和钝化层蚀刻清除，形成位于源极金属和漏极金属的第一光传感层和第一钝化层，以及形成位于光传感下金属层上的第二光传感层和第二钝化层；
在所述第一钝化层对应所述漏极金属上蚀刻出一个洞穿所述第一光传感层并延伸至所述漏极金属上表面的凹槽；
将所述第二钝化层蚀刻形成位于所述第二光传感层上表面两端，通过通槽间隔对应设置的第一钝化块和第二钝化块；
清除所述光阻层，在所述第一钝化层上形成第一电极层，并在所述第二钝化层的上形成第二电极层。本实施方案中，该第一钝化层上设置有一凹槽，该凹槽洞穿该第一光传感层便延伸至该漏极金属的上表面，如此，该第一电极层除了本来功能不变以外，由于将该第一电极层与漏极金属连通，使得该第一传感层、漏极金属和第一电极层不会形成光传感器功能，避免增加太多功能，而影响开关组件的原有功能；另外，该光传感器的功能实现包括第二光传感层、第二电极层和光传感下金属层，通过感知该第二电极层和光传感层的电信号变化，可以判断出外界环境的光线变化，从而完成阵列基板亮度和对比度的调节；而，该光传感下金属层除了作为光传感器的下电极以外，还用做遮光部，避免背光光线照射到第二光传感层中，从而出现误判的情况；至于该第一光传感层和第二光传感层的具体组成不是本发明的主要发明点，不予赘述，只需能够完成光线强度的检测即可；另外，本发明的半色调掩膜光罩，在蚀刻光传感层、钝化层、凹槽和通槽时，对应通槽的位置，该处的半透膜与其他镂空处的半透膜的穿透率不同，从而实现，该通槽和其他位置的蚀刻程度的区别；该区别的实现，使得一道光罩制程实现上述位置的形成是可行的，提高了生产效率。
进一步的，所述第一电极层填满所述凹槽并延伸至所述第一钝化层的上表面；
所述第二电极层形成在所述第一钝化块、第二钝化块和通槽上；
所述第一电极层和第二电极层在同一层。本实施方案中，该第一电极层和第二电极层在同一层，即该第一电极层和第二电极层可以通过一道制程形成，减少了制程的浪费，提高了生产效率。
本发明还提供了一种阵列基板，包括：
一基板；
开关组件，设置在基板上；
光传感器，设置在所述基板上、开关组件的一侧；
第一光传感层，形成在所述开关组件处；
第二光传感层，形成在所述光传感器处，与所述第一光传感层在同一层；
所述第一光传感层上形成有第一钝化层；所述第二光传感层上形成有第二钝化层；所述第一钝化层和第二钝化层在同一层；
所述开关组件包括源极金属和漏极金属；所述第一光传感层形成在所述源极金属和漏极金属上；
所述光传感器形成在所述栅极绝缘层的延伸部上；所述光传感器包括形成在所述栅极绝缘层的延伸部上的光传感下金属层，所述第二光传感层形成在所述光传感下金属层上；
所述第一钝化层对应所述漏极金属上形成有第一电极层；所述第一钝化层对应漏极金属上设置有凹槽，所述凹槽从所述第一钝化层的上表面开始，洞穿所述第一光传感层，并延伸至所述漏极金属的上表面；所述第一电极层填满所述凹槽并延伸至所述第一钝化层的上表面；
所述第二钝化层上形成有第二电极层；所述第二钝化层包括在所述第二光传感层上表面两端，通过通槽间隔对应设置的第一钝化块和第二钝化块；所述第二电极层形成在所述第一钝化块、第二钝化块和通槽上。
本发明还公开了一种阵列基板，包括：
基板；
开关组件，设置在基板上；
光传感器，设置在所述基板上、开关组件的一侧；
第二光传感层，形成在所述光传感器处。
进一步的，所述阵列基板还包括设置在所述开关组件处、与所述第二光传感层同层设置的第一光传感层；
所述第一光传感层上形成有第一钝化层；所述第二光传感层上形成有第二钝化层；
所述第一钝化层和第二钝化层在同一层。本实施方案中，该第一光传感层，而光传感器包括第二光传感层，且两者在同一层，如此，在进行基板的制程的时候，便可以将两者一次成型，可以减少光罩的使用，以及减少制程步骤，提高生产效率；另外，该开关组件包括第一钝化层，而该光传感器包括第二钝化层，且两者同一层设置，如此，在形成该第一钝化层和第二钝化层时，可以通过一道光罩制程完成，减少了制程浪费，提高生产效率。
进一步的，所述开关组件包括栅极金属，所述栅极金属上形成有栅极绝缘层，所述栅极绝缘层上依次形成有非晶硅层和N型非晶硅层，所述N型非晶硅层上形成有相对设置有源极金属和漏极金属；
所述第一光传感层形成在所述源极金属和漏极金属上。本实施方案中，介绍了该开关组件的其他组成部位，该开关组件用于完成基板的控制功能，能够根据该光传感器的外界环境感知而进行自主调节，配合背光等模块，最终完成对阵列基板亮度和对比度等的调节，提高显示效果。
进一步的，所述光传感器形成在所述栅极绝缘层的延伸部上；
所述光传感器包括形成在所述栅极绝缘层的延伸部上的光传感下金属层，所述第二光传感层形成在所述光传感下金属层上。本实施方案中，介绍了包括第一光传感层在内的整个光传感器的结构，该光传感器用于感知外界环境变化，特别是光线强度变化，并通过电信号的感知从而判断外界光线强度情况，从而给控制电路提供参考，进而完成对阵列基板亮度和对比度的调节，提高显示效果；另外，该光传感下金属层除了作为光传感器的下电极以外，还用做遮光部，避免背光光线照射到第二光传感层中，从而出现误判的情况；至于该第一光传感层和第二光传感层的具体组成不是本发明的主要发明点，不予赘述，只需能够完成光线强度的检测即可。
进一步的，所述第一钝化层对应所述漏极金属上形成有第一电极层；
所述第一钝化层对应漏极金属上设置有凹槽，所述凹槽从所述第一钝化层的上表面开始，洞穿所述第一光传感层，并延伸至所述漏极金属的上表面；
所述第一电极层填满所述凹槽并延伸至所述第一钝化层的上表面。本实施方案中，该第一钝化层上设置有一凹槽，该凹槽洞穿该第一光传感层便延伸至该漏极金属的上表面，如此，该第一电极层除了本来功能不变以外，由于将该第一电极层与漏极金属连通，使得该第一传感层、漏极金属和第一电极层不会形成光传感器功能，避免增加太多功能，而影响开关组件的原有功能。
进一步的，所述第二钝化层上形成有第二电极层；
所述第二钝化层包括在所述第二光传感层上表面两端，通过通槽间隔对应设置的第一钝化块和第二钝化块；
所述第二电极层形成在所述第一钝化块、第二钝化块和通槽上。本实施方案中，该光传感器的功能实现包括第二光传感层、第二电极层和光传感下金属层，通过感知该第二电极层和光传感层的电信号变化，可以判断出外界环境的光线变化，从而完成阵列基板亮度和对比度的调节。
进一步的，所述第一钝化层上形成有第一电极层，所述第二钝化层上形成有第二电极层；
所述第一电极层和第二电极层在同一层。本实施方案中，该第一电极层和第二电极层在同一层，即该第一电极层和第二电极层可以通过一道制程形成，减少了制程的浪费，提高了生产效率。
本发明中，该光传感器设置在开关组件旁，并且该光传感器包括第二光传感层，如此，该阵列基板便能够通过该光传感器的感知其所在环境的变化情况，特别的，可以感知外界的光线强弱的变化情况，如此，光线强时，显示器可以自动调节提高亮度，避免显示画面太暗而看不清的情况；而光线弱，也能够对应将亮度调暗，避免画面太亮刺眼而伤眼睛。
附图说明
所包括的附图用来提供对本申请实施例的进一步的理解，其构成了说明书的一部分，用于例示本申请的实施方式，并与文字描述一起来阐释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：
图1是本发明一种阵列基板的示意图；
图2是本发明阵列基板制程过程示意图；
图3是本发明阵列基板的制造方法流程图。
附图说明，10、开关组件；11、第一光传感层；12、第一钝化层；13、栅极金属；14、栅极绝缘层；15、第一非晶硅层；16、第一N型非晶硅层；17、源极金属；18、漏极金属；19、第一电极层；20、光传感器；21、第二光传感层；22、第二钝化层；23、光传感下金属层；24、第二电极层；25、通槽；100、基板；191、凹槽；200、光阻；300、半色调掩膜光罩；301、遮挡部；302、第一部；303、第二部；304、第三部。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本申请中的技术方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都应当属于本申请保护的范围。
图1是本发明一种阵列基板，包括：
基板100；
开关组件10，设置在基板100上；
光传感器20，设置在所述基板100上、开关组件10的一侧；
第二光传感层21，形成在所述光传感器20处。
本发明中，该光传感器设置在开关组件旁，并且该光传感器包括第二光传感层，如此，该阵列基板便能够通过该光传感器的感知其所在环境的变化情况，特别的，可以感知外界的光线强弱的变化情况，如此，光线强时，显示器可以自动调节提高亮度，避免显示画面太暗而看不清的情况；而光线弱，也能够对应将亮度调暗，避免画面太亮刺眼而伤眼睛。
本实施例可选的，所述阵列基板还包括设置在所述开关组件10处、与所述第二光传感层21同层设置的第一光传感层11；第一光传感层11上形成有第一钝化层12；所述第二光传感层21上形成有第二钝化层22；
所述第一钝化层12和第二钝化层22在同一层。本实施方案中，该第一光传感层，而光传感器包括第二光传感层，且两者在同一层，如此，在进行基板的制程的时候，便可以将两者一次成型，可以减少光罩的使用，以及减少制程步骤，提高生产效率；另外，该开关组件包括第一钝化层，而该光传感器包括第二钝化层，且两者同一层设置，如此，在形成该第一钝化层和第二钝化层时，可以通过一道光罩制程完成，减少了制程浪费，提高生产效率。
本实施例可选的，开关组件10包括栅极金属13，所述栅极金属13上形成有栅极绝缘层14，所述栅极绝缘层14上依次形成有非晶硅层15和N型非晶硅层16，所述N型非晶硅层16上形成有相对设置有源极金属17和漏极金属18；
所述第一光传感层11形成在所述源极金属17和漏极金属18上。本实施方案中，介绍了该开关组件的其他组成部位，该开关组件用于完成基板的控制功能，能够根据该光传感器的外界环境感知而进行自主调节，配合背光等模块，最终完成对阵列基板亮度和对比度等的调节，提高显示效果。
本实施例可选的，光传感器20形成在所述栅极绝缘层14的延伸部上；
所述光传感器20包括形成在所述栅极绝缘层14的延伸部上的光传感下金属层23，所述第二光传感层21形成在所述光传感下金属层23上。本实施方案中，介绍了包括第一光传感层在内的整个光传感器的结构，该光传感器用于感知外界环境变化，特别是光线强度变化，并通过电信号的感知从而判断外界光线强度情况，从而给控制电路提供参考，进而完成对阵列基板亮度和对比度的调节，提高显示效果；；另外，该光传感下金属层除了作为光传感器的下电极以外，还用做遮光部，避免背光光线照射到第二光传感层中，从而出现误判的情况；至于该第一光传感层和第二光传感层的具体组成不是本发明的主要发明点，不予赘述，只需能够完成光线强度的检测即可。
本实施例可选的，第一钝化层12对应所述漏极金属18的上形成有第一电极层19；
所述第一钝化层12对应漏极金属18上设置有凹槽191，所述凹槽191从所述第一钝化层12的上表面开始，洞穿所述第一光传感层11，并延伸至所述漏极金属18的上表面；
所述第一电极层19填满所述凹槽191并延伸至所述第一钝化层12的上表面。本实施方案中，该第一钝化层上设置有一凹槽，该凹槽洞穿该第一光传感层便延伸至该漏极金属的上表面，如此，该第一电极层除了本来功能不变以外，由于将该第一电极层与漏极金属连通，使得该第一传感层、漏极金属和第一电极层不会形成光传感器功能，避免增加太多功能，而影响开关组件的原有功能。
本实施例可选的，第二钝化层22上形成有第二电极层24；
所述第二钝化层22包括在所述第二光传感层21上表面两端，通过通槽25间隔对应设置的第一钝化块和第二钝化块；
所述第二电极层24形成在所述第一钝化块、第二钝化块和通槽25上。本实施方案中，该光传感器的功能实现包括第二光传感层、第二电极层和光传感下金属层，通过感知该第二电极层和光传感层的电信号变化，可以判断出外界环境的光线变化，从而完成阵列基板亮度和对比度的调节。
本实施例可选的，第一钝化层12上形成有第一电极层19，所述第二钝化层22上形成有第二电极层24；
所述第一电极层19和第二电极层24在同一层。本实施方案中，该第一电极层和第二电极层在同一层，即该第一电极层和第二电极层可以通过一道制程形成，减少了制程的浪费，提高了生产效率。
其中，在图2中，该第二半色调掩膜光罩300和光阻200发挥了重要作用；其中，该遮挡部301防止不需要蚀刻的位置被蚀刻，而该第一部302用于蚀刻该凹槽191，而该第二部303用于蚀刻该开关组件10和光传感器20之间的间隔部，该第三部304用于蚀刻通槽25，其中，该第三部304与第一部302以及第二部303的穿透率是不相同的，从而能够实现通槽25处与其他部位的蚀刻程度的不同。
图3是本发明一种阵列基板的制造方法流程图，该制造方法包括步骤：
S1:在基板上形成栅极金属13，并在栅极金属13上形成栅极绝缘层14；
S2:对应栅极金属13，在栅极绝缘层14上依次形成非晶硅层、N型非晶硅层以及在同一层的源极金属17和漏极金属18；
S3:在栅极绝缘层14的延伸部上形成光传感下金属层23；
S4:在源极金属17、漏极金属18和光传感下金属层23的上依次形成光感层、钝化层和光阻层；
S5:通过同一个半色调掩膜光罩300蚀刻形成位于源极金属17和漏极金属18的第一光传感层11和第一钝化层12以形成开关组件10，以及形成位于光传感下金属层23上的第二光传感层21和第二钝化层22以形成光传感器20。
本发明的制造方法中，制程的到的阵列基板，其中，该开关组件包括第一光传感层，而光传感器包括第二光传感层，且两者在同一层，如此，在进行基板的制程的时候，便可以将两者一次成型，可以减少光罩的使用，以及减少制程步骤，提高生产效率；另外，该光传感器设置在开关组件旁，如此，该阵列基板便能够通过该光传感器的感知其所在环境的变化情况，特别的，可以感知外界的光线强弱的变化情况，如此，光线强时，显示器可以自动调节提高亮度，避免显示画面太暗而看不清的情况；而光线弱，也能够对应将亮度调暗，避免画面太亮刺眼而伤眼睛。
本实施例可选的，通过同一个半色调掩膜光罩30蚀刻形成位于源极金属17和漏极金属18的第一光传感层11和第一钝化层12，以及形成位于光传感下金属层23上的第二光传感层21和第二钝化层22的步骤还包括：
通过同一个半色调掩膜光罩300将开关组件10和光传感器20之间的光传感层和钝化层蚀刻清除，形成位于源极金属17和漏极金属18的第一光传感层11和第一钝化层12，以及形成位于光传感下金属层23上的第二光传感层21和第二钝化层22；
在所述第一钝化层12对应所述漏极金属18的上蚀刻出一个洞穿所述第一光传感层11并延伸至所述漏极金属18上表面的凹槽191；
将所述第二钝化层22蚀刻形成位于所述第二光传感层21上表面两端，通过通槽25间隔对应设置的第一钝化块和第二钝化块；
清除所述光阻层200，在所述第一钝化层12上形成第一电极层19，并在所述第二钝化层22上形成第二电极层24。本实施方案中，该第一钝化层上设置有一凹槽，该凹槽洞穿该第一光传感层便延伸至该漏极金属的上表面，如此，该第一电极层除了本来功能不变以外，由于将该第一电极层与漏极金属连通，使得该第一传感层、漏极金属和第一电极层不会形成光传感器功能，避免增加太多功能，而影响开关组件的原有功能；另外，该光传感器的功能实现包括第二光传感层、第二电极层和光传感下金属层，通过感知该第二电极层和光传感层的电信号变化，可以判断出外界环境的光线变化，从而完成阵列基板亮度和对比度的调节；而，该光传感下金属层除了作为光传感器的下电极以外，还用做遮光部，避免背光光线照射到第二光传感层中，从而出现误判的情况；至于该第一光传感层和第二光传感层的具体组成不是本发明的主要发明点，不予赘述，只需能够完成光线强度的检测即可；另外，本发明的半色调掩膜光罩，在蚀刻光传感层、钝化层、凹槽和通槽时，对应通槽的位置，该处的半透膜与其他镂空处的半透膜的穿透率不同，从而实现，该通槽和其他位置的蚀刻程度的区别；该区别的实现，使得一道光罩制程实现上述位置的形成是可行的，提高了生产效率。
本实施例可选的，第一电极层19填满所述凹槽191并延伸至所述第一钝化层12的上表面；
所述第二电极层24形成在所述第一钝化块、第二钝化块和通槽25上；
所述第一电极层19和第二电极层24在同一层。本实施方案中，该第一电极层和第二电极层在同一层，即该第一电极层和第二电极层可以通过一道制程形成，减少了制程的浪费，提高了生产效率。
在上述实施例中，阵列基板包括液晶面板、OLED(Organic Light-EmittingDiode)面板、QLED(Quantum Dot Light Emitting Diodes)面板、等离子面板、平面型面板、曲面型面板等。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括步骤：
在基板上形成栅极金属，并在栅极金属上形成栅极绝缘层；
对应栅极金属，在栅极绝缘层的上依次形成非晶硅层、N型非晶硅层以及在同一层的源极金属和漏极金属；
在栅极绝缘层的延伸部上形成光传感下金属层；
在源极金属、漏极金属和光传感下金属层上依次形成光感层、钝化层和光阻层；
通过同一个半色调掩膜光罩蚀刻形成位于源极金属和漏极金属的第一光传感层和第一钝化层以形成开关组件，以及形成位于光传感下金属层上的第二光传感层和第二钝化层以形成光传感器。
2.如权利要求1所述的一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述通过同一个半色调掩膜光罩蚀刻形成位于源极金属和漏极金属的第一光传感层和第一钝化层，以及形成位于光传感下金属层上的第二光传感层和第二钝化层的步骤还包括：
通过同一个半色调掩膜光罩将开关组件和光传感器之间的光传感层和钝化层蚀刻清除，形成位于源极金属和漏极金属的第一光传感层和第一钝化层，以及形成位于光传感下金属层上的第二光传感层和第二钝化层；
在所述第一钝化层对应所述漏极金属的上蚀刻出一个洞穿所述第一光传感层并延伸至所述漏极金属上表面的凹槽；
将所述第二钝化层蚀刻形成位于所述第二光传感层上表面两端，通过通槽间隔对应设置的第一钝化块和第二钝化块；
清除所述光阻层，在所述第一钝化层上形成第一电极层，并在所述第二钝化层上形成第二电极层。
3.如权利要求2所述的一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第一电极层填满所述凹槽并延伸至所述第一钝化层的上表面；
所述第二电极层形成在所述第一钝化块、第二钝化块和通槽上；
所述第一电极层和第二电极层在同一层。
4.一种阵列基板，其特征在于，包括：
一基板；
开关组件，设置在基板上；
光传感器，设置在所述基板上、开关组件的一侧；
第一光传感层，形成在所述开关组件处；
第二光传感层，形成在所述光传感器处，与所述第一光传感层在同一层；
所述第一光传感层上形成有第一钝化层；所述第二光传感层上形成有第二钝化层；所述第一钝化层和第二钝化层在同一层；
所述开关组件包括源极金属和漏极金属；所述第一光传感层形成在所述源极金属和漏极金属上；
所述光传感器形成在所述栅极绝缘层的延伸部上；所述光传感器包括形成在所述栅极绝缘层的延伸部上的光传感下金属层，所述第二光传感层形成在所述光传感下金属层上；
所述第一钝化层对应所述漏极金属上形成有第一电极层；所述第一钝化层对应漏极金属上设置有凹槽，所述凹槽从所述第一钝化层的上表面开始，洞穿所述第一光传感层，并延伸至所述漏极金属的上表面；所述第一电极层填满所述凹槽并延伸至所述第一钝化层的上表面；
所述第二钝化层上形成有第二电极层；所述第二钝化层包括在所述第二光传感层上表面两端，通过通槽间隔对应设置的第一钝化块和第二钝化块；所述第二电极层形成在所述第一钝化块、第二钝化块和通槽上。
5.一种阵列基板，其特征在于，包括：
一基板；
开关组件，设置在基板上；
光传感器，设置在所述基板上、开关组件的一侧；
第二光传感层，形成在所述光传感器处。
6.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于：所述阵列基板还包括设置在所述开关组件处、与所述第二光传感层同层设置的第一光传感层；
所述第一光传感层上形成有第一钝化层；所述第二光传感层上形成有第二钝化层；
所述第一钝化层和第二钝化层在同一层；
所述开关组件包括栅极金属，所述栅极金属上形成有栅极绝缘层，所述栅极绝缘层上依次形成有非晶硅层和N型非晶硅层，所述N型非晶硅层上形成有相对设置有源极金属和漏极金属；
所述第一光传感层形成在所述源极金属和漏极金属上。
7.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于：所述光传感器形成在所述栅极绝缘层的延伸部上；
所述光传感器包括形成在所述栅极绝缘层的延伸部上的光传感下金属层，所述第二光传感层形成在所述光传感下金属层上。
8.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于：所述第一钝化层对应所述漏极金属上形成有第一电极层；
所述第一钝化层对应漏极金属上设置有凹槽，所述凹槽从所述第一钝化层的上表面开始，洞穿所述第一光传感层，并延伸至所述漏极金属的上表面；
所述第一电极层填满所述凹槽并延伸至所述第一钝化层的上表面。
9.如权利要求8所述的阵列基板，其特征在于：所述第二钝化层上形成有第二电极层；
所述第二钝化层包括在所述第二光传感层上表面两端，通过通槽间隔对应设置的第一钝化块和第二钝化块；
所述第二电极层形成在所述第一钝化块、第二钝化块和通槽上。
10.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于：所述第一钝化层上形成有第一电极层，所述第二钝化层上形成有第二电极层；
所述第一电极层和第二电极层在同一层。
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