JP5372184B2 - フルカラー画像薄膜太陽電池及びその製造方法 - Google Patents
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Description
S1:第1基板表面に光電変換膜を形成するステップ、
S2:該光電変換膜上にパターンが形成されたマスクを設置するステップ、
S3:光束を該マスクを通して該光電変換膜に照射して該光電変換膜を溶融させ並びに該光電変換膜に貫通領域を形成するステップ、
S4:第2基板と、該第1基板と該第2基板との間に設置する封止樹脂膜を製造するステップ、
S5:カラー顔料を利用して該第1基板と該第2基板の間の該貫通領域に対応する位置に色付けし、並びにカラーパターン層を形成するステップ、
S6:該封止樹脂膜を介して該第1基板と該第2基板を結合し、すなわち、該第1基板の該光電変換膜が接続された一面に、該封止樹脂膜を介して該第2基板と結合固定し、以上で太陽電池を形成するステップ、
以上を包含する。
一.マスクに光束を組み合わせて光電変換膜を溶融させることで、周知の技術における、長期にわたり何度もレーザーのオンオフを繰り返すことでレーザー寿命が短縮されすぐに損壊してしまう問題を回避する。
二.マスクに光束を組み合わせて光電変換膜を溶融させることで、グレースケールパターン表示の目的を達成し、並びに解析度をアップできる。
三.カラーパターン層の形成を組み合わせ、貫通領域を組み合わせることで、薄膜太陽電池にカラー画像表示を行え、薄膜太陽電池の窓への応用の付加価値と芸術性をアップする。
S1B:透明導電層(21)形成ステップ。このステップにおいて、該粗化表面に該透明導電層(21)を形成し、且つその材質は酸化インジウム錫或いは酸化亜鉛ガリウム等とする。
S1C:半導体層(22)形成ステップ。このステップにおいて、該透明導電層(21)の、該第1基板(10)と反対の一側に該半導体層(22)を形成し、該半導体層(22)は、光線を吸収して電気エネルギーに変換するのに用いられ、該半導体層(22)はPIN半導体とされ得て、光線の吸収と電気エネルギーへの変換を行える。
S1D:金属層(23)形成ステップ。このステップにおいて、該半導体層(22)の該透明導電層(21)と反対の一側に該金属層(23)を形成し、該金属層(23)の材質は銀或いはアルミニウム等とされ、該金属層(23)と該透明導電層(21)は、該半導体層(22)が変換した後の電気エネルギーの受け取りと伝導に用いられる。
S2:マスク(30)設置ステップ。このステップにおいて、該光電変換膜(20)上にパターンが形成されたマスク(30)を設置する。
S3:貫通領域(24)の形成ステップ。このステップにおいて、レーザービーム(40)或いはその他の破壊性を有する光束を該マスク(30)を通して該光電変換膜(20)に照射して該光電変換膜(20)を溶融させ、並びに該光電変換膜(20)上に該貫通領域(24)を形成する。説明が必要であることは、該マスク(30)の阻止により、レーザービーム(40)はただ逐一該マスク(30)をスウィープするだけでよく、該マスク(30)上のグレースケールパターン設計により、該マスク(30)を透過した後のレーザービーム(40)の強度を制御でき、これによりグレースケールパターンを有する表示を達成する。このほか、パターン表示の形状の違いに合わせて、溶融させられる面積も異なり、実験により分かったことは、レーザービーム(40)で該光電変換膜(20)の面積の約20%を溶融させると、明らかな透光と光照明の効果を達成でき、溶融前に較べると、本発明はもとの変換効率の90%以上を維持できる。ただし、溶融前に較べると、室内全体の光照度は明らかにアップする。
一.マスク(30)にレーザービーム(40)を組み合わせて光電変換膜(20)を溶融させることで、周知の技術における、長期にわたり何度もレーザーのオンオフを繰り返すことでレーザー寿命が短縮されすぐに損壊してしまう問題を回避する。
二.マスク(30)に光束を組み合わせて溶融させることで、グレースケールパターン表示の目的を達成し、並びに解析度をアップできる。
三.カラーパターン層(70)により、並びに貫通領域(24)が組み合わされることで、薄膜太陽電池にカラー画像表示を行わせられ、薄膜太陽電池の窓への応用の付加価値と芸術性をアップする。
四.簡単な印刷或いはインクジェットの方式でカラーパターン表示の目的を達成でき、その製造工程は簡易であり、製造に便利で、コストが低い長所を有し、これにより大量製造に適用可能である。
(20)光電変換膜
(21)透明導電層
(22)半導体層
(23)金属層
(24)貫通領域
(30)マスク
(40)レーザービーム
(50)第2基板
(60)封止樹脂膜
(70)カラーパターン層
(80)光線
Claims (9)
- フルカラー画像薄膜太陽電池において、
第1基板(10)、
該第1基板(10)の表面に形成された光電変換膜(20)であって、レーザーにグレースケールパターンを形成したマスク(30)を組み合わせて該光電変換膜(20)に対して溶融が実行されて該光電変換膜(20)の表面にグレースケールパターンを有する貫通領域(24)が形成された上記光電変換膜(20)、
第2基板(50)であって、該光電変換膜(20)の該第1基板(10)と反対の一側に設置された上記第2基板(50)、
該第2基板(50)と該光電変換膜(20)の間に設置された封止樹脂膜(60)であって、該封止樹脂膜(60)により該光電変換膜(20)が設置された該第1基板(10)と該第2基板(50)が結合される上記封止樹脂膜(60)、
カラーパターン層(70)であって、該第1基板(10)と該第2基板(50)の間に設置され、該カラーパターン層(70)の形状は該グレースケールパターンを有する貫通領域(24)と同じであり並びに該グレースケールパターンを有する貫通領域(24)の位置に対応して設置される上記カラーパターン層(70)、
以上を包含することを特徴とする、フルカラー画像薄膜太陽電池。 - 請求項1記載のフルカラー画像薄膜太陽電池において、該カラーパターン層(70)は印刷、インクジェット、レーザー或いは手作業による色付けの方式で、該封止樹脂膜(60)の表面に形成されることを特徴とする、フルカラー画像薄膜太陽電池。
- 請求項1記載のフルカラー画像薄膜太陽電池において、該封止樹脂膜(60)は弾性ゴム或いは熱可塑性樹脂とされることを特徴とする、フルカラー画像薄膜太陽電池。
- 請求項1記載のフルカラー画像薄膜太陽電池において、該光電変換膜(20)は該第1基板(10)と接続された透明導電層(21)、金属層(23)、及び該透明導電層(21)と該金属層(23)の間に形成された半導体層(22)を包含することを特徴とする、フルカラー画像薄膜太陽電池。
- フルカラー画像薄膜太陽電池の製造方法において、
S1:第1基板(10)の表面に光電変換膜(20)を形成するステップ、
S2:該光電変換膜(20)上にグレースケールパターンが形成されたマスク(30)を設置するステップ、
S3:光束を該マスク(30)を組み合わせて該光電変換膜(20)に照射して該光電変換膜(20)を溶融させ並びに該光電変換膜(20)にグレースケールパターンを有する貫通領域(24)を形成するステップ、
S4:第2基板(50)と、該第1基板(10)と該第2基板(50)との間に設置する封止樹脂膜(60)を製造するステップ、
S5:カラー顔料を利用して該第1基板(10)と該第2基板(50)の間の該グレースケールパターンを有する貫通領域(24)に対応する位置に色付けしてカラーパターン層(70)を形成し、且つ該カラーパターン層(70)の形状は該グレースケールパターンを有する貫通領域(24)と同じにするステップ、
S6:該封止樹脂膜(60)を介して該第1基板(10)と該第2基板(50)を結合し、すなわち、該第1基板(10)の該光電変換膜(20)が設けられた一面に、該封止樹脂膜(60)を介して該第2基板(50)を結合固定し、以上で太陽電池を形成するステップ、
以上を包含することを特徴とする、フルカラー画像薄膜太陽電池の製造方法。 - 請求項5記載のフルカラー画像薄膜太陽電池の製造方法において、ステップS5中、該カラー顔料で、該封止樹脂膜(60)に対して色付けして該カラーパターン層(70)を形成することを特徴とする、フルカラー画像薄膜太陽電池の製造方法。
- 請求項5記載のフルカラー画像薄膜太陽電池の製造方法において、ステップS4で製造される該封止樹脂膜(60)は弾性ゴム或いは熱可塑性樹脂とされることを特徴とする、フルカラー画像薄膜太陽電池の製造方法。
- 請求項5記載のフルカラー画像薄膜太陽電池の製造方法において、ステップS5中、該カラー顔料を印刷、インクジェット、レーザー或いは手作業による色付けの方式で色付けすることで該カラーパターン層(70)を形成することを特徴とする、フルカラー画像薄膜太陽電池の製造方法。
- 請求項5記載のフルカラー画像薄膜太陽電池の製造方法において、ステップS1は更に、
S1A:該第1基板(10)の表面を粗化処理し、粗化表面を形成するステップ、
S1B:該粗化表面に透明導電層(21)を形成するステップ、
S1C:該透明導電層(21)の、該第1基板(10)と反対の一側に、光線を吸収して電気エネルギーに変換するための半導体層(22)を形成するステップ、
S1D:該半導体層(22)の該透明導電層(21)と反対の一側に、該半導体層(22)が変換した後の電気エネルギーの受け取りと伝導のために金属層(23)を形成するステップ、
を包含することを特徴とする、フルカラー画像薄膜太陽電池の製造方法。
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JP3805996B2 (ja) * | 2001-04-20 | 2006-08-09 | シャープ株式会社 | 採光型合わせガラス構造太陽電池モジュール及び採光型複層構造太陽電池モジュール |
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JP2007287894A (ja) * | 2006-04-17 | 2007-11-01 | Showa Shell Sekiyu Kk | パターン表示機能付cis系薄膜太陽電池モジュール及びその製造方法 |
EP2212922A1 (en) * | 2007-11-07 | 2010-08-04 | Ming-Liang Shiao | Photovoltaic roofing elements and roofs using them |
KR100951778B1 (ko) * | 2008-05-28 | 2010-04-08 | 연세대학교 산학협력단 | 레이저 프린팅에 의한 박막 패터닝 방법 |
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