CN114975543A - 显示面板、显示装置及显示面板的制作方法 - Google Patents
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Abstract
本申请实施例公开了一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法。显示面板包括依次设置的衬底基板、遮光层、缓冲层、薄膜晶体管层和阳极层,薄膜晶体管层与遮光层电连接,薄膜晶体管层包括控制区和像素区,薄膜晶体管层对应像素区的位置开设有第一开口,阳极层则至少部分位于第一开口底部,且位于缓冲层背离衬底基板的一侧,阳极层与遮光层电连接。本申请将衬底基板和缓冲层共同作为平坦化层,由于缓冲层自身表面的粗糙度小且平整性好,通过将阳极层至少部分设置在第一开口内且位于缓冲层背离衬底基板的一侧,有助于提高该部分阳极层的平坦度,从而有利于提高制作在该部分阳极层上的后续膜层的厚度均一性,进而改善显示面板的显示均一性。
Description
技术领域
本申请涉及显示领域,具体涉及一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法。
背景技术
现有显示面板在制作过程中,通常采用在阵列基板上制作平坦化层以对阵列基板表面进行平坦化处理,然后在平坦化层上形成阳极层和发光层。但是现有技术中的平坦化层自身表面的粗糙度较大,使得在其表面沉积而成的阳极层的平整度较差,从而影响发光层的厚度均匀性,最终导致显示面板整体显示不均。
发明内容
本申请实施例提供一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法,可以解决现有显示面板因阳极层平整度较差导致显示不均的问题。
本申请实施例提供一种显示面板,包括:
衬底基板;
遮光层,设置在所述衬底基板上;
缓冲层,设置在所述遮光层背离所述衬底基板的一侧;
薄膜晶体管层,设置在所述缓冲层背离所述衬底基板的一侧,所述薄膜晶体管层与所述遮光层电连接;所述薄膜晶体管层包括控制区和像素区,所述薄膜晶体管层对应所述像素区的位置开设有第一开口;
阳极层,至少部分位于所述第一开口底部,所述阳极层位于所述缓冲层背离所述衬底基板的一侧,所述阳极层与所述遮光层电连接。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述第一开口露出部分所述缓冲层,所述阳极层设置在所述第一开口露出的缓冲层上。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述薄膜晶体管层包括沿远离所述缓冲层的方向依次设置的有源层、第一绝缘层、栅极层、第二绝缘层和源漏极层;所述第一开口露出部分所述有源层,所述阳极层设置在所述第一开口露出的有源层上。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述缓冲层上开设有第二开口,所述第二开口露出部分所述遮光层,所述第一开口露出的有源层上对应所述第二开口的位置开设有第三开口,所述阳极层通过所述第二开口和所述第三开口与所述遮光层电连接。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述显示面板包括钝化层,所述钝化层设置在所述源漏极层上,所述钝化层上对应所述第一开口的位置开设有第四开口,所述阳极层沿所述第一开口和所述第四开口的侧壁延伸至所述钝化层背离所述衬底基板的一侧;所述源漏极层包括源极,所述源极与所述遮光层电连接,所述钝化层上对应所述源极的位置开设有第五开口,所述阳极层通过所述第五开口与所述源极电连接。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述显示面板还包括像素定义层和发光层,所述像素定义层位于所述薄膜晶体管层背离所述衬底基板的一侧,所述像素定义层上对应所述像素区的位置开设有像素开口,所述像素开口露出部分所述阳极层;所述发光层位于所述像素开口露出的阳极层上。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述缓冲层的材质包括氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的一种或多种;所述缓冲层的厚度大于或等于50nm且小于或等于10000nm。
相应的,本申请实施例还提供一种显示装置,所述显示装置包括上述任一项所述的显示面板。
相应的,本申请实施例还提供一种显示面板的制作方法,所述方法包括:
提供一衬底基板;
在所述衬底基板上形成遮光层;
在所述遮光层背离所述衬底基板的一侧形成缓冲层;
在所述缓冲层背离所述衬底基板的一侧形成薄膜晶体管层,所述薄膜晶体管层包括控制区和像素区,并在所述薄膜晶体管层上对应所述像素区的位置形成第一开口;所述薄膜晶体管层与所述遮光层电连接;
在所述缓冲层背离所述衬底基板的一侧形成阳极层,使所述阳极层至少部分位于所述第一开口底部,并使所述阳极层与所述遮光层电连接。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述在所述缓冲层背离所述衬底基板的一侧形成薄膜晶体管层,所述薄膜晶体管层包括控制区和像素区,并在所述薄膜晶体管层对应所述像素区的位置形成第一开口,包括:
在所述缓冲层上依次形成有源层、第一绝缘层、栅极层、第二绝缘层和源漏极层,以构成薄膜晶体管层;所述薄膜晶体管层包括控制区和像素区;
在所述第二绝缘层上对应所述像素区的位置形成第一开口,使所述第一开口露出部分所述有源层。
本申请实施例中显示面板包括依次设置的衬底基板、遮光层、缓冲层、薄膜晶体管层和阳极层,其中,薄膜晶体管层与遮光层电连接,薄膜晶体管层包括控制区和像素区,薄膜晶体管层对应像素区的位置开设有第一开口,阳极层则至少部分位于第一开口底部,且阳极层位于缓冲层背离衬底基板的一侧,阳极层与遮光层电连接。本申请将衬底基板和缓冲层共同作为平坦化层,由于缓冲层自身表面的粗糙度小且平整性好,通过将阳极层至少部分设置在第一开口底部且位于缓冲层背离衬底基板的一侧,有助于提高该部分阳极层的平坦度,从而有利于提高制作在该部分阳极层上的后续膜层的厚度均一性,进而改善显示面板的显示均一性。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的一种显示面板的结构示意图;
图2是本申请实施例提供的另一种显示面板的结构示意图;
图3是本申请实施例提供的又一种显示面板的结构示意图
图4是本申请实施例提供的一种显示装置的结构示意图;
图5是本申请实施例提供的一种显示面板的制作方法的流程图;
图6是本申请实施例提供的图5中步骤S400的结构示意图;
图7是本申请实施例提供的图5中步骤S500的结构示意图。
附图标记说明:
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。此外,应当理解的是,此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请,并不用于限制本申请。在本申请中,在未作相反说明的情况下,使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下,具体为附图中的图面方向;而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
本申请实施例提供一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法。以下分别进行详细说明。需要说明的是,以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
首先,本申请实施例提供一种显示面板,如图1至图3所示,显示面板100包括衬底基板110,衬底基板110作为显示面板100的支撑结构,用于支撑设置在衬底基板110上的其他功能结构层,以保证显示面板100整体的结构稳定性。其中,衬底基板110可以为玻璃基板或其他材质类型的基板,此处不做限制。
显示面板100包括遮光层120,遮光层120设置在衬底基板110上,遮光层120用于对外界环境光进行遮挡,避免外界环境光直接照射至衬底基板110上的其他功能结构层,从而影响显示面板100的正常使用。其中,遮光层120能够根据衬底基板110上其他功能结构层的设计需求进行图案化处理,以满足不同显示面板100结构的遮光需求。
显示面板100包括缓冲层130,缓冲层130设置在遮光层120背离衬底基板110的一侧,缓冲层130用于将遮光层120与衬底基板110上的其他功能结构层进行隔绝,避免遮光层120与其他功能结构层之间出现相互干扰;此外,由于衬底基板110中含有多种杂质离子,缓冲层130的设置还能够避免衬底基板110中的杂质离子进入其他功能结构层内,从而影响显示面板100的显示效果。
显示面板100包括薄膜晶体管层140,薄膜晶体管层140设置在缓冲层130背离衬底基板110的一侧,且薄膜晶体管层140与遮光层120电连接,薄膜晶体管层140作为显示面板100的功能结构层,用于控制显示面板100中发光像素的发光方式,以对显示面板100的显示方式进行调控。通过将薄膜晶体管层140与遮光层120电连接,有助于其他膜层与薄膜晶体管层140之间连接方式的设计,同时还能够通过遮光层120上的走线设计实现对薄膜晶体管层140上信号输入的调控。
其中,薄膜晶体管层140包括控制区141和像素区142,控制区141对应设置有薄膜晶体管,用于与其他功能结构层,如发光像素进行连接,以控制发光像素的发光方式,从而实现对显示面板100显示方式的调控。像素区142则用于发光像素的制作,通过控制区141与像素区142位置的设计调整,能够满足不同显示面板100的结构设计需求。
显示面板100还包括阳极层160,阳极层160至少部分位于第一开口1421底部,且阳极层160位于缓冲层130背离衬底基板110的一侧。其中,衬底基板110和缓冲层130能够共同作为平坦化层,相较于传统的平坦化层而言,缓冲层130自身表面的粗糙度小且平整性好,通过将阳极层160至少部分设置在第一开口1421底部且位于缓冲层130背离衬底基板110的一侧,有助于提高该部分阳极层160的平坦度,从而有利于提高制作在该部分阳极层160上的后续膜层的厚度均一性,进而改善显示面板100的显示均一性。
此外,此种结构设计能够省略平坦化层的制作,从而节省一道光罩,简化显示面板100的制作流程;同时,平坦化层的减少还能够减小显示面板100的整体厚度,有利于显示面板100的轻薄化设计。
其中,阳极层160与遮光层120电连接,而遮光层120与薄膜晶体管层140电连接,即阳极层160与薄膜晶体管层140电连接,通过控制薄膜晶体管层140中薄膜晶体管的导通与断开,能够实现对阳极层160上信号的导通与断开的控制,从而实现对像素区142中发光像素发光方式的调控。
本申请实施例中显示面板100包括依次设置的衬底基板110、遮光层120、缓冲层130、薄膜晶体管层140和阳极层160,其中,薄膜晶体管层140与遮光层120电连接,薄膜晶体管层140包括控制区141和像素区142,薄膜晶体管层140对应像素区142的位置开设有第一开口1421,阳极层160则至少部分位于第一开口1421底部,且阳极层160位于缓冲层130背离衬底基板110的一侧,阳极层160与遮光层120电连接。本申请将衬底基板110和缓冲层130共同作为平坦化层,由于缓冲层130自身表面的粗糙度小且平整性好,通过将阳极层160至少部分设置在第一开口1421底部且位于缓冲层130背离衬底基板110的一侧,有助于提高该部分阳极层160的平坦度,从而有利于提高制作在该部分阳极层160上的后续膜层的厚度均一性,进而改善显示面板100的显示均一性。
可选的,如图2所示,薄膜晶体管层140上的第一开口1421露出部分缓冲层130,即第一开口1421贯穿薄膜晶体管层140的厚度方向,阳极层160则直接设置在第一开口1421露出的缓冲层130上。此时,衬底基板110和缓冲层130能够共同作为平坦化层,而相较于传统的平坦化层而言,缓冲层130自身表面的粗糙度小且平整性好,将阳极层160直接设置在缓冲层130上,有助于提高阳极层160底部的平坦度,从而改善阳极层160表面的平整性,有利于后续膜层在阳极层160上的制作,以提高显示面板100整体的显示均一性。
可选的,薄膜晶体管层140包括沿远离缓冲层130的方向依次设置的有源层143、第一绝缘层144、栅极层145、第二绝缘层146和源漏极层147。在显示面板100制作过程中,会根据显示面板100的设计需求对薄膜晶体管层140中各膜层进行图案化处理,其中,控制区141同时包括图案化的有源层143、第一绝缘层144、栅极层145、第二绝缘层146和源漏极层147,以形成对应的薄膜晶体管;像素区142则不包括栅极层145和源漏极层147等金属层,通过在薄膜晶体管层140对应像素区142的位置开设第一开口1421,并将阳极层160设置在第一开口1421内,使得在改善阳极层160底部平坦度的同时,能够避免阳极层160与薄膜晶体管层140中的薄膜晶体管之间出现相互干扰。
在一些实施例中,如图1所示,第一开口1421露出部分有源层143,即像素区142仅包括图案化的有源层143,阳极层160则设置在第一开口1421露出的有源层143上,此种结构设计使得有源层143能够对缓冲层130起到隔离作用,避免在通过刻蚀形成第一开口1421的过程中对缓冲层130表面产生影响,以保证缓冲层130表面的平坦度,从而进一步改善阳极层160表面的平整性,有利于后续膜层在阳极层160上的制作,提高显示面板100整体的显示均一性。
在另一些实施例中,第一开口1421露出部分第一绝缘层144,即像素区142包括图案化的第一绝缘层144,阳极层160则设置在第一开口1421露出的第一绝缘层144上,此种结构设计使得衬底基板110、缓冲层130和第一绝缘层144共同组成平坦化层,在改善阳极层160底部平坦度的同时能够减小第一开口1421的深度,有助于后续封装结构的制作,避免封装结构在第一开口1421侧壁发生断裂,从而提高显示面板100的封装效果。
在又一些实施例中,第一开口1421形成在第二绝缘层146上,且第一开口1421底部仍保留部分第二绝缘层146,即像素区142包括图案化的第二绝缘层146,阳极层160则设置在第一开口1421底部的第二绝缘层146上,此种结构设计使得衬底基板110、缓冲层130和第二绝缘层146共同组成平坦化层,在改善阳极层160底部平坦度的同时能够进一步减小第一开口1421的深度,有助于后续封装结构的制作,改善显示面板100的封装效果。
需要说明的是,本申请实施例中的缓冲层130、第一绝缘层144和第二绝缘层146均为无机材料,相对于传统平坦化层的有机材料而言,无机材料自身表面的粗糙度小且平整性好,因此在将阳极层160设置在对应膜层上时,能够改善阳极层160底部的平坦度,从而改善阳极层160表面的平整性,有利于后续膜层在阳极层160上的制作,以提高显示面板100整体的显示均一性。
可选的,如图1和图6所示,在将阳极层160设置在第一开口1421露出的有源层143上时,缓冲层130上开设有第二开口131,第二开口131露出部分遮光层120,以便于后续膜层与遮光层120的连接。第一开口1421露出的有源层143上对应第二开口131的位置开设有第三开口1431,阳极层160则通过第二开口131和第三开口1431与遮光层120电连接。此种结构设计使得阳极层160能够全部位于第一开口1421露出的有源层143上而无需进行爬坡设计,有助于保证阳极层160的结构稳定性,且阳极层160只需通过在有源层143和缓冲层130上挖孔即可实现与遮光层120的电连接,从而实现与控制区141的薄膜晶体管的电连接。
在一些实施例中,如图3和图7所示,显示面板100包括钝化层150,钝化层150设置在源漏极层147上,以将源漏极层147与后续膜层隔开。钝化层150上对应第一开口1421的位置开设有第四开口151,且第四开口151与第一开口1421连通,阳极层160则沿第一开口1421和第四开口151的侧壁延伸至钝化层150背离衬底基板110的一侧。其中,源漏极层147包括源极,且源极与遮光层120电连接,钝化层150上对应源极的位置开设有第五开口152,阳极层160则通过第五开口152与源极电连接。
此种结构设计使得阳极层160能够直接与薄膜晶体管中的源极电连接,相对于通过遮光层120与源极电连接而言,能够减小阳极层160与薄膜晶体管之间的接触电阻,从而有助于改善显示面板100的显示效果。
需要说明的是,当第一开口1421底部为第一绝缘层144或第二绝缘层146时,将阳极层160沿第一开口1421和第四开口151的侧壁延伸至钝化层150背离衬底基板110的一侧,并通过钝化层150上的第五开口152与源极电连接,相对于直接与遮光层120电连接而言,能够减小用于电连接的开孔深度,从而有助于提高阳极层160的结构稳定性。
其中,阳极层160的具体结构、设置位置以及与遮光层120的电连接方式能够根据实际设计以及使用需求进行相应调整,只需保证阳极层160表面的平整性以及结构稳定性即可,此处不做特殊限制。
可选的,如图1至图3所示,显示面板100还包括像素定义层170和发光层180,像素定义层170位于薄膜晶体管层140背离衬底基板110的一侧,像素定义层170上对应像素区142的位置开设有像素开口171,像素开口171露出部分阳极层160,以限定发光像素所在的区域。发光层180则位于像素开口171露出的阳极层160上,通过在阳极层160上输入控制信号,能够实现对发光层180发光方式的调控。
其中,当在像素定义层170上形成像素开口171时,像素开口171仅露出位于第一开口1421底部的部分阳极层160,即像素定义层170覆盖第一开口1421和第四开口151的侧壁,使得发光层180仅与位于第一开口1421底部的部分阳极层160接触。由于本申请实施例中阳极层160表面平整度较好,使得发光层180的厚度均匀性较好,从而有助于改善显示面板100显示不均的问题。
在一些实施例中,像素定义层170上开设的像素开口171的侧壁呈阶梯状,且像素开口171沿远离衬底基板110的方向逐渐扩张;此外,像素定义层170所用的材质呈疏水性,使得在采用喷墨打印的方式在阳极层160上形成发光层180时,即使打印喷嘴的位置存在一定偏差,打印墨水也能够沿着像素开口171的侧壁流入第四开口151内,从而保证发光层180整体的厚度均匀性,改善显示面板100的显示效果。
可选的,缓冲层130的材质包括氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的一种或多种,采用此种类型的无机材料制作缓冲层130,在保证缓冲层130自身表面的粗糙度小且平整度高的同时,能够避免衬底基板110中的杂质离子进入有源层143或阳极层160中,从而避免衬底基板110中的杂质离子对显示面板100的显示效果产生影响。
需要说明的是,本申请实施例中的缓冲层130能够为单层或者多层结构,其中,当缓冲层130为多层结构设计时,每层结构的材质可以不相同,以进一步避免衬底基板110中的杂质离子进入有源层143或阳极层160中,提高显示面板100整体结构的稳定性。
可选的,缓冲层130的厚度大于或等于50nm且小于或等于10000nm。若缓冲层130的厚度过小,则可能无法有效起到平坦化的作用,以及对衬底基板110中杂质离子的隔绝作用;若缓冲层130的厚度过大,则会导致显示面板100的整体厚度过大,不利于显示面板100的轻薄化设计。
在实际制作过程中,能够将缓冲层130的厚度设置为50nm、100nm、500nm、1000nm、5000nm或者10000nm等,既能保证缓冲层130的平坦化作用,以及对衬底基板110中杂质离子的隔绝作用,也能避免显示面板100的整体厚度过大。其中,缓冲层130的厚度的具体值能够根据实际情况进行相应调整,此处不做特殊限制。
其次,本申请实施例还提供一种显示装置,该显示装置包括显示面板,该显示面板的具体结构参照上述实施例,由于本显示装置采用了上述所有实施例的全部技术方案,因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果,在此不再一一赘述。
如图4所示,显示装置10包括显示面板100、控制电路200及壳体300。其中,壳体300与显示面板100连接以对显示面板100进行支撑和固定,控制电路200设置在壳体300内,且控制电路200与显示面板100电连接,以控制显示面板100进行画面显示。
其中,显示面板100可以固定到壳体300上,与壳体300形成一个整体,显示面板100和壳体300形成密闭空间,用以容纳控制电路200。控制电路200可以为显示装置10的主板,同时,控制电路200上还可以集成有电池、天线结构、麦克风、扬声器、耳机接口、通用串行总线接口、摄像头、距离传感器、环境光传感器以及处理器等功能组件中的一个或多个,以使显示装置10能适应于各种应用领域。
需要说明的是,显示装置10并不限于以上内容,其还可以包括其他器件,比如还可以包括摄像头、天线结构、指纹解锁模块等,以扩大其使用范围,此处不作限制。
本申请实施例中的显示装置10应用范围十分广泛,包括电视机、电脑、移动电话、可折叠以及可卷曲显示屏等柔性显示及照明,以及可穿戴设备如智能手环、智能手表等,均在本申请实施例中的显示装置10所属应用领域范围内。
最后,本申请实施例还提供一种显示面板的制作方法,能够用于制作上述实施例中的显示面板100,如图5所示,显示面板的制作方法主要包括以下步骤:
S100、提供一衬底基板110。
在制作显示面板100时,首先需要提供一衬底基板110,并对衬底基板110进行清洗,以便于在衬底基板110上进行其他功能结构层的制作。衬底基板110作为显示面板100的支撑结构,用于支撑设置在衬底基板110上的其他功能结构层,以保证显示面板100整体的结构稳定性。其中,衬底基板110可以为玻璃基板或其他材质类型的基板,此处不做限制。
S200、在衬底基板110上形成遮光层120。
衬底基板110准备完毕后,在衬底基板110上沉积一层遮光层120,遮光层120用于对外界环境光进行遮挡,避免外界环境光直接照射至衬底基板110上的其他功能结构层,从而影响显示面板100的正常使用。其中,遮光层120能够根据衬底基板110上其他功能结构层的设计需求进行图案化处理,以满足不同显示面板100结构的遮光需求。
S300、在遮光层120背离衬底基板110的一侧形成缓冲层130。
在衬底基板110上沉积一层遮光层120之后,再在遮光层120背离衬底基板110的一侧沉积一层缓冲层130,缓冲层130用于将遮光层120与衬底基板110上的其他功能结构层进行隔绝,避免遮光层120与其他功能结构层之间出现相互干扰;此外,由于衬底基板110中含有多种杂质离子,缓冲层130的设置还能够避免衬底基板110中的杂质离子进入其他功能结构层内,从而影响显示面板100的显示效果。
S400、在缓冲层130背离衬底基板110的一侧形成薄膜晶体管层140,薄膜晶体管层140包括控制区141和像素区142,并在薄膜晶体管层140上对应像素区142的位置形成第一开口1421;薄膜晶体管层140与遮光层120电连接。
如图6所示,制作完缓冲层130之后,在缓冲层130背离衬底基板110的一侧形成薄膜晶体管层140,且使薄膜晶体管层140与遮光层120电连接,薄膜晶体管层140作为显示面板100的功能结构层,用于控制显示面板100中发光像素的发光方式,以对显示面板100的显示方式进行调控。通过将薄膜晶体管层140与遮光层120电连接,有助于其他膜层与薄膜晶体管层140之间连接方式的设计,同时还能够通过遮光层120上的走线设计实现对薄膜晶体管层140上信号输入的调控。
其中,薄膜晶体管层140包括控制区141和像素区142,控制区141对应设置有薄膜晶体管,用于与其他功能结构层,如发光像素进行连接,以控制发光像素的发光方式,从而实现对显示面板100显示方式的调控。像素区142则用于发光像素的制作,通过控制区141与像素区142位置的设计调整,能够满足不同显示面板100的结构设计需求。
S500、在缓冲层130背离衬底基板110的一侧形成阳极层160,使阳极层160至少部分位于第一开口1421底部,并使阳极层160与遮光层120电连接。
如图7所示,完成薄膜晶体管层140的制作后,继续沉积一层阳极层160,使阳极层160至少部分位于第一开口1421底部,且阳极层160位于缓冲层130背离衬底基板110的一侧。其中,衬底基板110和缓冲层130能够共同作为平坦化层,相较于传统的平坦化层而言,缓冲层130自身表面的粗糙度小且平整性好,通过将阳极层160至少部分设置在第一开口1421底部且位于缓冲层130背离衬底基板110的一侧,有助于提高该部分阳极层160的平坦度,从而有利于提高制作在该部分阳极层160上的后续膜层的厚度均一性,进而改善显示面板100的显示均一性。
此外,此种结构设计能够省略平坦化层的制作,从而节省一道光罩,简化显示面板100的制作流程;同时,平坦化层的减少还能够减小显示面板100的整体厚度,有利于显示面板100的轻薄化设计。
其中,阳极层160与遮光层120电连接,而遮光层120与薄膜晶体管层140电连接,即阳极层160与薄膜晶体管层140电连接,通过控制薄膜晶体管层140中薄膜晶体管的导通与断开,能够实现对阳极层160上信号的导通与断开的控制,从而实现对像素区142中发光像素发光方式的调控。
可选的,本申请实施例步骤S400中在形成薄膜晶体管层140时主要包括以下内容:
首先在缓冲层130上依次形成有源层143、第一绝缘层144、栅极层145、第二绝缘层146和源漏极层147,以构成薄膜晶体管层140,且薄膜晶体管层140包括控制区141和像素区142;然后在第二绝缘层146上对应像素区142的位置形成第一开口1421,使第一开口1421露出部分有源层143。
在显示面板100制作过程中,会根据显示面板100的设计需求对薄膜晶体管层140中各膜层进行图案化处理,其中,控制区141同时包括图案化的有源层143、第一绝缘层144、栅极层145、第二绝缘层146和源漏极层147,以形成对应的薄膜晶体管。本申请实施例中在第二绝缘层146上对应像素区142的位置形成第一开口1421,使第一开口1421露出部分有源层143,即像素区142仅包括图案化的有源层143。此时,在第一开口1421内沉积形成阳极层160时,阳极层160位于第一开口1421露出的有源层143上。
此种结构设计使得有源层143能够对缓冲层130起到隔离作用,避免在通过刻蚀形成第一开口1421的过程中对缓冲层130表面产生影响,以保证缓冲层130表面的平坦度,从而进一步改善阳极层160表面的平整性,有利于后续膜层在阳极层160上的制作,提高显示面板100整体的显示均一性。
对应的,在遮光层120背离衬底基板110的一侧沉积形成缓冲层130时,在缓冲层130上开设第二开口131,使第二开口131露出部分遮光层120,以便于后续膜层与遮光层120的连接。在缓冲层130上沉积形成有源层143时,在第一开口1421露出的有源层143上对应第二开口131的位置开设第三开口1431,使得阳极层160能够通过第二开口131和第三开口1431与遮光层120电连接。
此种结构设计使得阳极层160能够全部位于第一开口1421露出的有源层143上而无需进行爬坡设计,有助于保证阳极层160的结构稳定性,且阳极层160只需通过在有源层143和缓冲层130上挖孔即可实现与遮光层120的电连接,从而实现与控制区141的薄膜晶体管的电连接。
在一些实施例中,在第二绝缘层146上对应像素区142的位置形成第一开口1421时,第一开口1421露出部分第一绝缘层144,即像素区142包括图案化的第一绝缘层144,此时,在第一开口1421内沉积形成阳极层160时,阳极层160位于第一开口1421露出的第一绝缘层144上,此种结构设计使得衬底基板110、缓冲层130和第一绝缘层144共同组成平坦化层,在改善阳极层160底部平坦度的同时能够减小第一开口1421的深度,有助于后续封装结构的制作,避免封装结构在第一开口1421侧壁发生断裂,从而提高显示面板100的封装效果。
在另一些实施例中,在第二绝缘层146上对应像素区142的位置形成第一开口1421时,第一开口1421底部仍保留部分第二绝缘层146,即像素区142包括图案化的第二绝缘层146,此时,在第一开口1421内沉积形成阳极层160时,阳极层160位于第一开口1421底部的第二绝缘层146上,此种结构设计使得衬底基板110、缓冲层130和第二绝缘层146共同组成平坦化层,在改善阳极层160底部平坦度的同时能够进一步减小第一开口1421的深度,有助于后续封装结构的制作,改善显示面板100的封装效果。
可选的,在完成薄膜晶体管层140的制作后,还包括钝化层150的形成,钝化层150沉积在源漏极层147背离衬底基板110的一侧,以将源漏极层147与后续膜层隔开。通过对钝化层150进行刻蚀,使钝化层150上对应第一开口1421的位置形成第四开口151,且第四开口151与第一开口1421连通。
此时,在第一开口1421内沉积形成阳极层160时,能够使阳极层160沿第一开口1421和第四开口151的侧壁延伸至钝化层150背离衬底基板110的一侧。钝化层150上对应源漏极层147中源极的位置开设有第五开口152,阳极层160则通过第五开口152与源极电连接。此种结构设计使得阳极层160能够直接与薄膜晶体管中的源极电连接,相对于通过遮光层120与源极电连接而言,能够减小阳极层160与薄膜晶体管之间的接触电阻,从而有助于改善显示面板100的显示效果。
需要说明的是,阳极层160的具体结构、设置位置以及与遮光层120的电连接方式能够根据实际设计以及使用需求进行相应调整,只需保证阳极层160表面的平整性以及结构稳定性即可,此处不做特殊限制。
可选的,本申请实施例中显示面板100的制作方法还包括像素定义层170和发光层180的制作,具体包括:先在薄膜晶体管层140背离衬底基板110的一侧形成像素定义层170,并在像素定义层170上对应像素区142的位置形成像素开口171,使像素开口171露出部分阳极层160;然后在像素开口171露出的阳极层160上打印一层发光层180。
其中,当在像素定义层170上形成像素开口171时,像素开口171仅露出位于第一开口1421底部的部分阳极层160,即像素定义层170覆盖第一开口1421和第四开口151的侧壁,使得发光层180仅与位于第一开口1421底部的部分阳极层160接触。由于本申请实施例中阳极层160表面平整度较好,使得发光层180的厚度均匀性较好,从而有助于改善显示面板100显示不均的问题。
在一些实施例中,像素定义层170上开设的像素开口171的侧壁呈阶梯状,且像素开口171沿远离衬底基板110的方向逐渐扩张;此外,像素定义层170所用的材质呈疏水性,使得在采用喷墨打印的方式在阳极层160上形成发光层180时,即使打印喷嘴的位置存在一定偏差,打印墨水也能够沿着像素开口171的侧壁流入第四开口151内,从而保证发光层180整体的厚度均匀性,改善显示面板100的显示效果。
以上对本申请实施例所提供的一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想;同时,对于本领域的技术人员,依据本申请的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (10)
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
衬底基板;
遮光层,设置在所述衬底基板上;
缓冲层,设置在所述遮光层背离所述衬底基板的一侧;
薄膜晶体管层,设置在所述缓冲层背离所述衬底基板的一侧,所述薄膜晶体管层与所述遮光层电连接;所述薄膜晶体管层包括控制区和像素区,所述薄膜晶体管层对应所述像素区的位置开设有第一开口;
阳极层,至少部分位于所述第一开口底部,所述阳极层位于所述缓冲层背离所述衬底基板的一侧,所述阳极层与所述遮光层电连接。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一开口露出部分所述缓冲层,所述阳极层设置在所述第一开口露出的缓冲层上。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述薄膜晶体管层包括沿远离所述缓冲层的方向依次设置的有源层、第一绝缘层、栅极层、第二绝缘层和源漏极层;所述第一开口露出部分所述有源层,所述阳极层设置在所述第一开口露出的有源层上。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述缓冲层上开设有第二开口,所述第二开口露出部分所述遮光层,所述第一开口露出的有源层上对应所述第二开口的位置开设有第三开口,所述阳极层通过所述第二开口和所述第三开口与所述遮光层电连接。
5.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板包括钝化层,所述钝化层设置在所述源漏极层上,所述钝化层上对应所述第一开口的位置开设有第四开口,所述阳极层沿所述第一开口和所述第四开口的侧壁延伸至所述钝化层背离所述衬底基板的一侧;所述源漏极层包括源极,所述源极与所述遮光层电连接,所述钝化层上对应所述源极的位置开设有第五开口,所述阳极层通过所述第五开口与所述源极电连接。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括像素定义层和发光层,所述像素定义层位于所述薄膜晶体管层背离所述衬底基板的一侧,所述像素定义层上对应所述像素区的位置开设有像素开口,所述像素开口露出部分所述阳极层;所述发光层位于所述像素开口露出的阳极层上。
7.根据权利要求1至6任一项所述的显示面板,其特征在于,所述缓冲层的材质包括氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的一种或多种;所述缓冲层的厚度大于或等于50nm且小于或等于10000nm。
8.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括权利要求1至7任一项所述的显示面板。
9.一种显示面板的制作方法,其特征在于,所述方法包括:
提供一衬底基板;
在所述衬底基板上形成遮光层;
在所述遮光层背离所述衬底基板的一侧形成缓冲层;
在所述缓冲层背离所述衬底基板的一侧形成薄膜晶体管层,所述薄膜晶体管层包括控制区和像素区,并在所述薄膜晶体管层上对应所述像素区的位置形成第一开口;所述薄膜晶体管层与所述遮光层电连接;
在所述缓冲层背离所述衬底基板的一侧形成阳极层,使所述阳极层至少部分位于所述第一开口底部,并使所述阳极层与所述遮光层电连接。
10.根据权利要求9所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述在所述缓冲层背离所述衬底基板的一侧形成薄膜晶体管层,所述薄膜晶体管层包括控制区和像素区,并在所述薄膜晶体管层对应所述像素区的位置形成第一开口,包括:
在所述缓冲层上依次形成有源层、第一绝缘层、栅极层、第二绝缘层和源漏极层,以构成薄膜晶体管层;所述薄膜晶体管层包括控制区和像素区;
在所述第二绝缘层上对应所述像素区的位置形成第一开口,使所述第一开口露出部分所述有源层。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115411216A (zh) * | 2022-09-15 | 2022-11-29 | 惠科股份有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108598145A (zh) * | 2018-06-29 | 2018-09-28 | 上海天马微电子有限公司 | 一种有机发光显示面板和有机发光显示装置 |
CN110098227A (zh) * | 2019-04-24 | 2019-08-06 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及其制作方法 |
CN110444567A (zh) * | 2019-07-26 | 2019-11-12 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法 |
CN111129084A (zh) * | 2019-12-11 | 2020-05-08 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板的制造方法及显示面板 |
-
2022
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108598145A (zh) * | 2018-06-29 | 2018-09-28 | 上海天马微电子有限公司 | 一种有机发光显示面板和有机发光显示装置 |
CN110098227A (zh) * | 2019-04-24 | 2019-08-06 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及其制作方法 |
CN110444567A (zh) * | 2019-07-26 | 2019-11-12 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法 |
CN111129084A (zh) * | 2019-12-11 | 2020-05-08 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板的制造方法及显示面板 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115411216A (zh) * | 2022-09-15 | 2022-11-29 | 惠科股份有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
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