TWI804431B

TWI804431B - 主動元件基板

Info

Publication number: TWI804431B
Application number: TW111133580A
Authority: TW
Inventors: 宋文清; 黃國有; 林容甫; 陳茂松
Original assignee: 友達光電股份有限公司
Priority date: 2022-09-05
Filing date: 2022-09-05
Publication date: 2023-06-01
Also published as: TW202412108A; CN115863365A

Abstract

一種主動元件基板，包括基板、主動元件層、第一有機絕緣層、第一無機絕緣層以及第二有機絕緣層。基板具有主動區與周邊區。主動元件層位於基板之上。第一有機絕緣層位於主動元件層之上，且具有第一溝渠。第一溝渠橫向地位於基板的邊緣與主動區之間。第一無機絕緣層位於第一有機絕緣層上方，且部分填入第一溝渠。第一無機絕緣層覆蓋第一溝渠的側壁。第二有機絕緣層位於第一無機絕緣層上方，且部分填入第一溝渠。

Description

主動元件基板

本發明是有關於一種主動元件基板。

隨著顯示技術的快速發展，市場對大尺寸顯示器（large format display，LFD）的需求也越來越多。目前，拼接技術是實現大尺寸顯示器的主要方式之一。拼接技術是將多個尺寸較小的顯示面板進行拼接而組成大尺寸顯示器。相較於大尺寸的顯示面板，小尺寸的顯示面板具有製程量率高以及生產成本低等優點。

在現有的面板模組中，大多是將小尺寸的顯示面板固定於拼接構件上，接著再將拼接構件彼此組裝在一起以組成大尺寸顯示器。然而，在顯示面板被液體潑到時（例如是於清潔顯示面板時），液體或水氣容易從顯示面板與拼接構件之間的間隙進入顯示面板內部，導致顯示面板受到損害。因此，目前亟需一種能解決前述問題的方法。

本發明提供一種主動元件基板，能減少被水氣侵入的問題。

本發明的至少一實施例提供一種主動元件基板。主動元件基板包括基板、主動元件層、第一有機絕緣層、第一無機絕緣層以及第二有機絕緣層。基板具有主動區與周邊區。主動元件層位於基板之上。第一有機絕緣層位於主動元件層之上，且具有第一溝渠。第一溝渠橫向地位於基板的邊緣與主動區之間。第一無機絕緣層位於第一有機絕緣層上方，且部分填入第一溝渠。第一無機絕緣層覆蓋第一溝渠的側壁。第二有機絕緣層位於第一無機絕緣層上方，且部分填入第一溝渠。

基於上述，藉由第一有機絕緣層、第一無機絕緣層以及第二有機絕緣層的設置，水氣可以被阻隔在第一溝渠外。

圖1A是依照本發明的一實施例的一種主動元件基板10的上視示意圖。圖1B是沿著圖1A的線A-A’以及線B-B’的剖面示意圖。請參考圖1A與圖1B，主動元件基板10包括基板100、主動元件層110、第一有機絕緣層124、第一無機絕緣層132以及第二有機絕緣層136。在本實施例中，主動元件基板10還包括第一無機覆蓋層122、第二無機覆蓋層134、第二無機絕緣層142以及第三無機絕緣層144。

基板100具有主動區AA與周邊區PA。在本實施例中，周邊區PA環繞主動區AA。基板100之材質可為玻璃、石英、有機聚合物或不透光/反射材料（例如：導電材料、金屬、晶圓、陶瓷或其他可適用的材料）或是其他可適用的材料。

主動元件層110位於基板100之上。在一些實施例中，主動元件層110包括第一導電層M0、緩衝層112、半導體圖案113、閘極絕緣層114、第二導電層M1、層間介電層118以及第三導電層M2。

第一導電層M0包括遮光層111。緩衝層112位於第一導電層M0上，且覆蓋遮光層111。半導體圖案113位於緩衝層111上。

閘極絕緣層114位於半導體圖案113。第二導電層M1位於閘極絕緣層114上。第二導電層M1包括閘極115，其中閘極115在基板100的頂面的法線方向ND上重疊於半導體圖案113。

層間介電層118位於第二導電層M1以及閘極絕緣層114上。第三導電層M2位於層間介電層118上。第三導電層M2包括第一源極/汲極116以及第二源極/汲極117。第一源極/汲極116以及第二源極/汲極117電性連接至半導體圖案113。在本實施例中，主動元件T位於主動區AA中，且包括閘極115、半導體圖案113、第一源極/汲極116以及第二源極/汲極117。在一些實施例中，主動區AA上設置有排成陣列的多個主動元件T，每個主動元件T電性連接至對應的訊號線（未繪出）。在一些實施例中，當主動元件基板10適用於顯示面板時，主動元件T例如被配置成用於控制畫素。在本實施例中，主動元件T為頂閘極型薄膜電晶體，但本發明不以此為限。在其他實施例中，主動元件T為底閘極型薄膜電晶體、雙閘極型薄膜電晶體或其他類型的薄膜電晶體。

在一些實施例中，第一導電層M0、第二導電層M1以及第三導電層M2的材料包括金屬，但本發明不以此為限。在其他實施例中，第一導電層M0、第二導電層M1以及第三導電層M2也可以使用其他導電材料。例如：金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物或其他合適的材料或是金屬材料與其他導電材料的堆疊層。

在一些實施例中，半導體圖案113為單層或多層結構，其包含非晶矽、多晶矽、微晶矽、單晶矽、有機半導體材料、氧化物半導體材料（例如：銦鋅氧化物、銦鎵鋅氧化物或是其他合適的材料、或上述材料之組合）或其他合適的材料或上述材料之組合。

在一些實施例中，緩衝層112、閘極絕緣層114以及層間介電層118的材料包括氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、氧化鋁、氧化鉿、氧化鋯、有機絕緣材料或其他合適的材料或前述材料的組合。

第一無機覆蓋層122以及第一有機絕緣層124位於主動元件層110之上，其中第一無機覆蓋層122位於第一有機絕緣層124與主動元件層110之間。第一有機絕緣層122具有位於主動區AA之上的一或多個第一接觸孔CH1以及位於周邊區PA之上的第一溝渠TR1。第一溝渠TR1橫向地位於基板100的邊緣與主動區AA之間。第一接觸孔CH1重疊於部分第三導電層M2（例如第二源極/汲極117）。

第一無機絕緣層132位於第一有機絕緣層124上方。第一無機絕緣層132部分填入第一溝渠TR1，並覆蓋第一溝渠TR1的側壁與底面。此外，第一無機絕緣層132亦部分填入第一接觸孔CH1，並覆蓋第一接觸孔CH1的側壁。然而，在第一接觸孔CH1的底面，第一無機絕緣層132以及第一無機覆蓋層122具有第一通孔TH1。

第四導電層M3位於第一無機絕緣層132上，且部分第四導電層M3透過第一接觸孔CH1以及第一通孔TH1而電性連接至部分第三導電層M2。

第二無機覆蓋層134以及第二有機絕緣層136位於第一無機絕緣層132之上，其中第二無機覆蓋層134位於第一無機絕緣層132與第二有機絕緣層136之間。在一些實施例中，第四導電層M3位於二無機覆蓋層134以及第一無機絕緣層132之間。第二無機覆蓋層134部分填入第一溝渠TR1，並覆蓋第一溝渠TR1中的第一無機絕緣層132。第二有機絕緣層136亦部分填入第一溝渠TR1，並覆蓋第一溝渠TR1中的第二無機覆蓋層134。

第二有機絕緣層136位於主動區AA之上的一或多個第二接觸孔CH2以及位於周邊區PA之上的第二溝渠TR2。第二溝渠TR2橫向地位於基板100的邊緣與主動區AA之間。第二溝渠TR2在基板100的表面的法線方向ND上不重疊於第一溝渠TR1。在本實施例中，第二溝渠TR2橫向地位於第一溝渠TR1與主動區AA之間。換句話說，在水平方向上，第二溝渠TR2相較於第一溝渠TR1更靠近主動區AA。在其他實施例中，第一溝渠TR1橫向地位於第二溝渠TR2與主動區AA之間。換句話說，在其他實施例中，第一溝渠TR1相較於第二溝渠TR2更靠近主動區AA。第二接觸孔CH2重疊於部分第四導電層M3。

第二無機絕緣層142位於第二有機絕緣層136上方。第二無機絕緣層142部分填入第二溝渠TR2，並覆蓋第二溝渠TR2的側壁與底面。此外，第二無機絕緣層142亦部分填入第二接觸孔CH2，並覆蓋第二接觸孔CH2的側壁。然而，在第二接觸孔CH2的底面，第二無機絕緣層142以及第二無機覆蓋層134具有第二通孔TH2。

第五導電層M4位於第二無機絕緣層142上，且部分第五導電層M4透過第二接觸孔CH2以及第二通孔TH2而電性連接至部分第四導電層M3。

第三無機絕緣層144位於第五導電層M4以及第二無機絕緣層142之上。在一些實施例中，第四導電層M3位於第三無機絕緣層144以及第二無機絕緣層142之間。第三無機絕緣層144部分填入第二溝渠TR2，並覆蓋第二溝渠TR2中的第二無機絕緣層142。第三無機絕緣層144具有重疊於部分第四導電層M3的第三通孔TH3。

第六導電層M5位於第三無機絕緣層144上，且透過第三通孔TH3而電性連接至部分第五導電層M4。在一些實施例中，第六導電層M5例如包括銅、鎢、鎳或前述金屬的合金或前述材料的組合。在一些實施例中，第六導電層M5適用於連接發光元件（例如發光二極體）。舉例來說，發光元件透過導電膠、錫球或其他材料而與第六導電層M5電性連接。

在一些實施例中，第一有機絕緣層124與第二有機絕緣層136的材料包括聚甲基丙烯酸甲酯、環氧樹脂或其他合適的材料或上述材料的組合，且第一有機絕緣層124與第二有機絕緣層136可以為固化後的光阻材料。在一些實施例中，第一有機絕緣層124與第二有機絕緣層136各自的厚度為1微米至8微米。在一些實施例中，第一無機絕緣層132、第一無機覆蓋層122、第二無機覆蓋層134、第二無機絕緣層142以及第三無機絕緣層144的材料包括氧化矽、氮化矽、氮氧化矽或其他合適的材料或上述材料的組合。在一些實施例中，第一無機絕緣層132、第一無機覆蓋層122、第二無機覆蓋層134、第二無機絕緣層142以及第三無機絕緣層144各自的厚度為500埃至3000埃。

在本實施例中，藉由第一有機絕緣層124之第一溝渠TR1以及第一溝渠TR1中之第一無機絕緣層132可以阻擋水氣進入主動區AA上方之第一有機絕緣層124中，藉此避免主動區AA上方之第一有機絕緣層124被水氣侵害而產生黑點。此外，藉由第二有機絕緣層136之第二溝渠TR2以及第二溝渠TR2中之第二無機絕緣層142可以阻擋水氣進入主動區AA上方之第二有機絕緣層136中，藉此避免主動區AA上方之第二有機絕緣層136被水氣侵害而產生黑點。另外，第一溝渠TR1中之第一覆蓋層134以及第二溝渠TR2中之第三無機絕緣層144可以進一步的阻擋水氣進入主動區AA上方之第一有機絕緣層124以及第二有機絕緣層136中。此外，第一溝渠TR1與第二溝渠TR2交錯設置，可以達到雙重防護的目的，進一步提升對水氣的防護能力。在一些實施例中，第一溝渠TR1與第二溝渠TR2各自的寬度W皆為3.0微米至50微米，且第一溝渠TR1與第二溝渠TR2之間的水平間距PH為3.0微米至50微米。

在一些實施例中，接合結構DR位於第一溝渠TR1與基板100的邊緣之間。接合結構DR被配置成用於與外部電路接合。舉例來說，接合結構DR透過導電膠、錫球或其他導電接合件而與晶片、薄膜覆晶封裝或其他電路板接合。在本實施例中，接合結構DR設置於第一溝渠TR1與第二溝渠TR2內側，藉此避免外界的水氣損害到接合結構DR。

圖2A至圖2J是圖1B的主動元件基板10的製造方法的剖面示意圖。

請參考圖2A，於基板10上形成主動元件層110。在一些實施例中，主動元件層110自主動區AA延伸進周邊區PA（請參考圖1A）。

請參考圖2B，於主動元件層110上毯覆地形成第一無機覆蓋層122以及第一有機絕緣層124。在一些實施例中，形成第一無機覆蓋層122的方法包括物理氣相沉積、化學氣相沉積、原子層沉積或其他合適的方法。在一些實施例中，形成第一有機絕緣層124的方法包括旋轉塗佈、印刷、噴塗或其他合適的方法。在一些實施例中，第一有機絕緣層124為單層或多層結構。

請參考圖2C，對第一有機絕緣層124執行圖案化製程，以形成第一溝渠TR1以及第一接觸孔CH1。舉例來說，當第一有機絕緣層124為光阻材料時，對第一有機絕緣層124執行微影製程。

請參考圖2D，於第一有機絕緣層124上形成第一無機絕緣層132，並對第一無機絕緣層132以及第一無機覆蓋層122執行圖案化製程，以於第一接觸孔CH1底面的第一無機絕緣層132以及第一無機覆蓋層122中形成暴露出部分第三導電層M2的第一通孔TH1。

請參考圖2E，於第一無機絕緣層132上形成第四導電層M3，且部分第四導電層M3填入第一接觸孔CH1以及第一通孔TH1中並電性連接至部分第三導電層M2。

請參考圖2F，於第四導電層M3以及第一無機絕緣層132上毯覆地形成第二無機覆蓋層124以及第二有機絕緣層136。在一些實施例中，形成第二無機覆蓋層124的方法包括物理氣相沉積、化學氣相沉積、原子層沉積或其他合適的方法。在一些實施例中，形成第二有機絕緣層136的方法包括旋轉塗佈、印刷、噴塗或其他合適的方法。在一些實施例中，第二有機絕緣層136為單層或多層結構。

請參考圖2G，對第二有機絕緣層136執行圖案化製程，以形成第二溝渠TR2以及第二接觸孔CH2。舉例來說，當第二有機絕緣層136為光阻材料時，對第二有機絕緣層136執行微影製程。

請參考圖2H，於第二有機絕緣層136上形成第二無機絕緣層142，並對第二無機絕緣層142以及第二無機覆蓋層134執行圖案化製程，以於第二接觸孔CH2底面的第二無機絕緣層142以及第二無機覆蓋層134中形成暴露出部分第四導電層M3的第二通孔TH2。

請參考圖2I，於第二無機絕緣層142上形成第五導電層M4，且部分第五導電層M4填入第二接觸孔CH2以及第二通孔TH2中並電性連接至部分第四導電層M3。

請參考圖2J，於第五導電層M4上形成第三無機絕緣層144，並對第三無機絕緣層144執行圖案化製程，以於第三無機絕緣層144中形成暴露出部分第五導電層M4的第三通孔TH3。

最後，請回到圖1B，於第三無機絕緣層144上形成第六導電層M5。第六導電層M5部分填入第三通孔TH3中以電性連接至部分第五導電層M4。

圖3是依照本發明的一實施例的一種主動元件基板20的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖3的實施例沿用圖1A和圖1B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

圖3的主動元件基板20與圖1B的主動元件基板10的主要差異在於：主動元件基板20的主動元件層110更包括訊號線SL。

請參考圖3，在本實施例中，第三導電層M2包括訊號線SL、第一源極/汲極116以及第二源極/汲極117。訊號線SL橫跨第一溝渠TR1的底部以及第二溝渠TR2的底部。在本實施例中，第一無機覆蓋層122直接覆蓋訊號線SL以使訊號線SL在形成第一溝渠TR1的製程中不會被第一溝渠TR1暴露出來。在一些實施例中，主動元件基板20用於與外部電路接合的接合結構設置於第一溝渠TR1與第二溝渠TR2的外側，而訊號線SL可以將接合結構電性連接至主動區AA上的主動元件T。

圖4是依照本發明的一實施例的一種主動元件基板30的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖4的實施例沿用圖1A和圖1B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

圖4的主動元件基板30與圖1B的主動元件基板10的主要差異在於：主動元件基板30的主動元件層110更包括訊號線SL。

請參考圖4，在本實施例中，第二導電層M1包括訊號線SL以及閘極115。訊號線SL橫跨第一溝渠TR1的底部以及第二溝渠TR2的底部。在本實施例中，第一無機覆蓋層122直接覆蓋訊號線SL以使訊號線SL在形成第一溝渠TR1的製程中不會被第一溝渠TR1暴露出來。在一些實施例中，主動元件基板20用於與外部電路接合的接合結構設置於第一溝渠TR1與第二溝渠TR2的外側，而訊號線SL可以將接合結構電性連接至主動區AA上的主動元件T。

圖5是依照本發明的一實施例的一種主動元件基板40的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖5的實施例沿用圖1A和圖1B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

圖5的主動元件基板40與圖1B的主動元件基板10的主要差異在於：主動元件基板40的主動元件層110更包括第三有機絕緣層146。

請參考圖5，第三有機絕緣層146位於第三無機絕緣層144上方，且部分填入第二溝渠TR2。第三有機絕緣層146具有第三溝渠TR3。第三溝渠TR3在基板100的表面的法線方向ND上不重疊於第二溝渠TR2。在一些實施例中，第三溝渠TR3在基板100的表面的法線方向ND上重疊於第一溝渠TR1，藉此節省溝渠的佈局空間，但本發明不以此為限。在其他實施例中，第三溝渠TR3在法線方向ND不重疊於第一溝渠TR1與第二溝渠TR2。

第四無機絕緣層152位於第三有機絕緣層146上方。第四無機絕緣層152部分填入第二溝渠TR2，並覆蓋第二溝渠TR2的側壁與底面。

基於上述，第一溝渠TR1、第二溝渠TR2以及第三溝渠TR3交錯設置，可以達到多重防護的目的，進一步提升對水氣的防護能力。在一些實施例中，第一溝渠TR1、第二溝渠TR2以及第三溝渠TR3各自的寬度W皆為3.0微米至50微米，且第一溝渠TR1、第二溝渠TR2以及第三溝渠TR3之中相鄰兩者間的水平間距PH為3.0微米至50微米。在一些實施例中，在水平方向上，第二溝渠TR2相較於第一溝渠TR1以及第三溝渠TR3更靠近主動區，但本發明不以此為限。在其他實施例中，在水平方向上，第一溝渠TR1以及第三溝渠TR3相較於第二溝渠TR2更靠近主動區，但本發明不以此為限。

圖6是依照本發明的一實施例的一種主動元件基板40的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖6的實施例沿用圖5的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

圖6的主動元件基板50與圖5的主動元件基板40的主要差異在於：在主動元件基板50中，在水平方向上第三溝渠TR3相較於第二溝渠TR2更靠近主動區，且第二溝渠TR2相較於第一溝渠TR1更靠近主動區。

圖7是依照本發明的一實施例的一種主動元件基板50的上視示意圖。在此必須說明的是，圖7的實施例沿用圖1A和圖1B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

圖7的主動元件基板60與圖1A的主動元件基板10的主要差異在於：在主動元件基板60中，部分的接合結構DR將第一溝渠TR1與第二溝渠TR2斷開。

請參考圖7，位於上側的接合結構DR將第一溝渠TR1與第二溝渠TR2斷開。換句話說，部分的接合結構DR設置於第一溝渠TR1與第二溝渠TR2的延伸路徑上。

10, 20, 30, 40, 50:主動元件基板 100:基板 110:主動元件層 111:遮光層 112:緩衝層 113:半導體圖案 114:閘極絕緣層 115:閘極 116:第一源極/汲極 117:第二源極/汲極 118:層間介電層 122:第一無機覆蓋層 124:第一有機絕緣層 132:第一無機絕緣層 134:第二無機覆蓋層 136:第二有機絕緣層 142:第二無機絕緣層 144:第三無機絕緣層 152:第四無機絕緣層 A-A’, B-B’:線 AA:主動區 CH1:第一接觸孔 CH2:第二接觸孔 DR:接合結構 M0:第一導電層 M1:第二導電層 M2:第三導電層 M3:第四導電層 M4:第五導電層 M5:第六導電層 ND:法線方向 PA:周邊區 PH:間距 SL:訊號線 T:主動元件 TH1:第一通孔 TH2:第二通孔 TH3:第三通孔 TR1:第一溝渠 TR2:第二溝渠 TR3:第三溝渠 W:寬度

圖1A是依照本發明的一實施例的一種主動元件基板的上視示意圖。圖1B是沿著圖1A的線A-A’以及線B-B’的剖面示意圖。圖2A至圖2J是圖1B的主動元件基板的製造方法的剖面示意圖。圖3是依照本發明的一實施例的一種主動元件基板的剖面示意圖。圖4是依照本發明的一實施例的一種主動元件基板的剖面示意圖。圖5是依照本發明的一實施例的一種主動元件基板的剖面示意圖。圖6是依照本發明的一實施例的一種主動元件基板的剖面示意圖。圖7是依照本發明的一實施例的一種主動元件基板的上視示意圖。

10:主動元件基板

100:基板

110:主動元件層

111:遮光層

112:緩衝層

113:半導體圖案

114:閘極絕緣層

115:閘極

116:第一源極/汲極

117:第二源極/汲極

118:層間介電層

122:第一無機覆蓋層

124:第一有機絕緣層

132:第一無機絕緣層

134:第二無機覆蓋層

136:第二有機絕緣層

142:第二無機絕緣層

144:第三無機絕緣層

A-A’,B-B’:線

CH1:第一接觸孔

CH2:第二接觸孔

M0:第一導電層

M1:第二導電層

M2:第三導電層

M3:第四導電層

M4:第五導電層

M5:第六導電層

ND:法線方向

T:主動元件

TH1:第一通孔

TH2:第二通孔

TH3:第三通孔

TR1:第一溝渠

TR2:第二溝渠

Claims

一種主動元件基板，包括：一基板，具有一主動區以及一周邊區；一主動元件層，位於該基板之上；一第一有機絕緣層，位於該主動元件層之上，且具有一第一溝渠，該第一溝渠橫向地位於該基板的邊緣與該主動區之間；一第一無機絕緣層，位於該第一有機絕緣層上方，且部分填入該第一溝渠，並覆蓋該第一溝渠的側壁；一第二有機絕緣層，位於該第一無機絕緣層上方，且部分填入該第一溝渠；以及一接合結構，位於該第一溝渠與該基板的該邊緣之間。
如請求項1所述的主動元件基板，更包括：一第二無機絕緣層，位於該第二有機絕緣層上方，其中該第二有機絕緣層具有一第二溝渠，且該第二無機絕緣層覆蓋該第二溝渠的側壁。
如請求項2所述的主動元件基板，其中該第二溝渠在該基板的表面的一法線方向上不重疊於該第一溝渠。
如請求項2所述的主動元件基板，更包括：一第一無機覆蓋層，位於該第一有機絕緣層與該主動元件層之間；以及一第二無機覆蓋層，位於該第一無機絕緣層與該第二有機絕緣層之間，其中該第二無機覆蓋層部分填入該第一溝渠。
如請求項2所述的主動元件基板，更包括：一第三無機絕緣層，位於該第二無機絕緣層上方，且部分填入該第二溝渠。
如請求項2所述的主動元件基板，更包括：一第三有機絕緣層，位於該第二無機絕緣層上方，且部分填入該第二溝渠，其中該第三有機絕緣層具有一第三溝渠，且該第三溝渠在該基板的表面的一法線方向上重疊於該第一溝渠。
如請求項1所述的主動元件基板，其中該主動元件層包括一訊號線，且該訊號線橫跨該第一溝渠的底部。
如請求項7所述的主動元件基板，更包括：一第一無機覆蓋層，位於該第一有機絕緣層與該主動元件層之間，且該第一無機覆蓋層直接覆蓋該訊號線。
一種主動元件基板，包括：一基板，具有一主動區以及一周邊區；一主動元件層，位於該基板之上；一第一有機絕緣層，位於該主動元件層之上，且具有一第一溝渠，該第一溝渠橫向地位於該基板的邊緣與該主動區之間；一第一無機絕緣層，位於該第一有機絕緣層上方，且部分填入該第一溝渠，並覆蓋該第一溝渠的側壁；一第二有機絕緣層，位於該第一無機絕緣層上方，且部分填入該第一溝渠；以及一接合結構，其中該接合結構將該第一溝渠斷開。