TWI797768B - 可拉伸基板以及可拉伸顯示裝置 - Google Patents

可拉伸基板以及可拉伸顯示裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI797768B
TWI797768B TW110137192A TW110137192A TWI797768B TW I797768 B TWI797768 B TW I797768B TW 110137192 A TW110137192 A TW 110137192A TW 110137192 A TW110137192 A TW 110137192A TW I797768 B TWI797768 B TW I797768B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
groove
layer
insulating layer
parts
device parts
Prior art date
Application number
TW110137192A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202316698A (zh
Inventor
江丞偉
何毅達
Original Assignee
友達光電股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 友達光電股份有限公司 filed Critical 友達光電股份有限公司
Priority to TW110137192A priority Critical patent/TWI797768B/zh
Priority to CN202210215660.6A priority patent/CN114582919A/zh
Priority to US17/954,414 priority patent/US20230105157A1/en
Application granted granted Critical
Publication of TWI797768B publication Critical patent/TWI797768B/zh
Publication of TW202316698A publication Critical patent/TW202316698A/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/301—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements flexible foldable or roll-able electronic displays, e.g. thin LCD, OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/129—Chiplets
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Percussion Or Vibration Massage (AREA)

Abstract

一種可拉伸基板，包括圖案化絕緣結構、多條導線、多個顯示元件以及多個覆蓋層。圖案化絕緣結構包括多個裝置部以及多個線路部。各裝置部的表面具有至少一第一凹槽。裝置部中之至少兩個被凹部隔開。各線路部的寬度小於各裝置部的寬度。相鄰的裝置部經由對應的線路部而相連。導線位於線路部中。顯示元件位於裝置部上。各裝置部的至少一第一凹槽至少部分環繞對應的顯示元件。各覆蓋層位於對應的一個裝置部上，且覆蓋對應的顯示元件。

Description

可拉伸基板以及可拉伸顯示裝置
本發明是有關於一種可拉伸基板以及可拉伸顯示裝置。
隨著電子技術的高度發展，電子產品不斷推陳出新。為使電子產品能應用於各種不同的領域，可拉伸、輕薄及外型不受限的特性逐漸受到重視。也就是說，電子產品逐漸被要求依據不同的應用方式以及應用環境而具有不同的外型，因此電子產品需具有可拉伸性。舉例來說，可拉伸顯示裝置可以整合於球面上，藉此獲得球形的顯示裝置。
本發明提供一種可拉伸基板，可以改善顯示元件上之覆蓋層溢流所導致的問題。
本發明提供一種可拉伸顯示裝置，可以改善顯示元件上之覆蓋層溢流所導致的問題。
本發明的至少一實施例提供一種可拉伸基板，包括圖案化絕緣結構、多條導線、多個顯示元件以及多個覆蓋層。圖案化絕緣結構包括多個裝置部以及多個線路部。各裝置部的表面具有至少一第一凹槽。裝置部中之至少兩個被凹部隔開。各線路部的寬度小於各裝置部的寬度。相鄰的裝置部經由對應的線路部而相連。導線位於線路部中。顯示元件位於裝置部上。各裝置部的至少一第一凹槽至少部分環繞對應的顯示元件。各覆蓋層位於對應的一個裝置部上，且覆蓋對應的顯示元件。
本發明的至少一實施例提供一種可拉伸顯示裝置，包括圖案化絕緣結構、多個顯示元件、多條導線以及多個覆蓋層。圖案化絕緣結構包括多個裝置部以及多個線路部。裝置部沿著第一方向以及第二方向排成陣列。各線路部的寬度小於各裝置部的寬度，且相鄰的裝置部經由對應的線路部而相連。顯示元件位於裝置部上。各裝置部的表面具有至少部分環繞對應的顯示元件的至少一第一凹槽。導線電性連接至顯示元件。各覆蓋層位於對應的一個裝置部上，且覆蓋對應的顯示元件。
圖1A是依照本發明的一實施例的一種可拉伸基板的局部上視示意圖，其中圖1A繪示了圖案化基底以及圖案化絕緣結構，並省略其他構件。
請參考圖1A，可拉伸基板10（亦可稱為可拉伸顯示裝置）包括圖案化基底100、圖案化絕緣結構110、多個顯示元件（圖1A省略繪示）、多條導線（圖1A省略繪示）以及多個覆蓋層（圖1A省略繪示）。在圖1A中，可拉伸基板10沿著箭頭F的方向向外拉伸。換句話說，圖1A為拉伸後之可拉伸基板10的示意圖。
圖案化基底100具有彈性及可延展性。換言之，圖案化基底100可拉伸。舉例而言，在本實施例中，圖案化基底100的材質可包括聚醯亞胺（polyimide；PI）、聚萘二甲酸乙醇酯（polyethylene naphthalate；PEN）、聚對苯二甲酸乙二酯（polyethylene terephthalate；PET）、聚碳酸酯（polycarbonates；PC）、聚醚碸（polyether sulfone；PES）或聚芳基酸酯（polyarylate）、其它合適的材料或前述至少二種材料之組合，但本發明不以此為限。
圖案化基底100具有多個貫孔TH2。在本實施例中，各貫孔TH2為啞鈴狀。在本實施例中，部分貫孔TH2沿著第一方向E1延伸，且另一部分貫孔TH2沿著第二方向E2延伸。沿著第一方向E1延伸的部分貫孔TH2以及沿著第二方向E2延伸的另一部分貫孔TH2交替排列，藉此提升可拉伸基板的可伸縮性。
圖案化絕緣結構110位於圖案化基底100上。圖案化絕緣結構110例如為單層或多層結構。
圖案化絕緣結構110包括多個裝置部TP以及多個線路部CP。各線路部WP的寬度W1小於各裝置部TP的寬度W2。裝置部TP沿著第一方向E1以及第二方向E2排成陣列。相鄰的裝置部TP經由對應的線路部WP而相連。換句話說，至少部分線路部WP的兩端分別連接至對應的兩個裝置部TP。裝置部TP中之至少兩個被凹部TH1隔開。在本實施例中，凹部TH1為圖案化絕緣結構110的開口，且每個凹部TH1被四個裝置部TP以及四個線路部WP所環繞。在本實施例中，圖案化絕緣結構110的凹部TH1重疊於圖案化基底100的貫孔TH2。在本實施例中，各凹部TH1為啞鈴狀，部分凹部TH1沿著第一方向E1延伸，且另一部分凹部TH1沿著第二方向E2延伸。沿著第一方向E1延伸的部分凹部TH1以及沿著第二方向E2延伸的另一部分凹部TH1交替排列，藉此提升可拉伸基板的可伸縮性。
各裝置部TP的表面具有至少一第一凹槽GV1。在本實施例中，各裝置部TP的表面具有多個開口O、至少部分環繞開口O的第一凹槽GV1以及至少部分環繞第一凹槽GV1的第二凹槽GV2。
圖1B是依照本發明的一實施例的一種可拉伸基板的剖面示意圖，其中圖1B對應了圖1A線a-a’的位置。
請參考圖1A與圖1B，可拉伸基板10位於載板CS上。載板CS例如為玻璃載板、半導體載板、金屬載板或其他可適用的載板。
可拉伸基板10的圖案化絕緣結構110位於圖案化基底100上，且包括第一絕緣層PL1、第二絕緣層PL2以及第三絕緣層PL3。
第一絕緣層PL1位於圖案化基底100上方。在一些實施例中，第一絕緣層PL1與圖案化基底100之間選擇性地包括第一緩衝層BP1。
第二絕緣層PL2位於第一絕緣層PL1上方。在一些實施例中，第二絕緣層PL2與第一絕緣層PL1之間選擇性地包括第二緩衝層BP2。
第三絕緣層PL3位於第二絕緣層PL2上方。在一些實施例中，第三絕緣層PL3與第二絕緣層PL2之間選擇性地包括第三緩衝層BP3。在本實施例中，第三絕緣層PL3具有多個開口O、第一凹槽GV1以及第二凹槽GV2。開口O、第一凹槽GV1以及第二凹槽GV2位於裝置部TP的表面。在一些實施例中，第三絕緣層PL3的厚度t1等於0.5微米至10微米，且開口O、第一凹槽GV1以及第二凹槽GV2的深度d1等於0.5微米至10微米。在一些實施例中，第一凹槽GV1的寬度w1以及第二凹槽GV2的寬度w2等於0.5微米至10微米。
在一些實施例中，圖案化絕緣結構110包括有機及無機絕緣材料，形成圖案化絕緣結構110的方法包括微影製程及蝕刻製程。舉例來說，第一絕緣層PL1、第二絕緣層PL2以及第三絕緣層PL3皆包括固化後的光阻材料，第一緩衝層BP1、第二緩衝層BP2以及第三緩衝層BP3包括固化後的光阻材料或是經蝕刻以圖案化的無機材料。在本實施例中，第三絕緣層PL3是形成於形成第三緩衝層BP3以及第二絕緣層PL2之後，因此，第三絕緣層PL3中的開口O、第一凹槽GV1以及第二凹槽GV2不會延伸進第三緩衝層BP3以及第二絕緣層PL2。具體地說，在執行微影製程以形成包含開口O、第一凹槽GV1以及第二凹槽GV2的第三絕緣層PL3時，第三絕緣層PL3下方的其他光阻層已經固化，因此前述微影製程所使用的顯影劑不會移除第三絕緣層PL3下方的其他光阻層，使開口O、第一凹槽GV1以及第二凹槽GV2不會延伸進第三絕緣層PL3下方的其他光阻層中。
在本實施例中，圖案化絕緣結構110的第一絕緣層PL1、第一緩衝層BP、第二絕緣層PL2、第二緩衝層BP2、第三絕緣層PL3以及第三緩衝層BP3位於裝置部TP，且第一絕緣層PL1、第一緩衝層BP、第二絕緣層PL2、第二緩衝層BP2、第三絕緣層PL3以及第三緩衝層BP3選擇性地延伸進線路部WP。在一些實施例中，線路部WP的厚度小於裝置部TP的厚度，藉此提升可拉伸基板的可伸縮性。舉例來說，裝置部TP包括比線路部WP更多層的絕緣層及/或更多層的緩衝層，但本發明不以為限。
在一些實施例中，線路部WP的偏移地設置於圖案化基底100上。具體地說，線路部WP的其中一個側面與圖案化基底100的貫孔TH2之間的距離L1大於線路部WP的另一個側面與圖案化基底100的貫孔TH2之間的距離L2。藉由將線路部WP偏移地設置於圖案化基底100上方，可以避免應力集中造成線路部WP中之導線斷裂的問題。然而，雖然在本實施例中，線路部WP偏移地設置於圖案化基底100上方，但本發明不以此為限。在其他實施例中，距離L1選擇性地可以等於距離L2。
第一導電層M1、第二導電層M2以及第三導電層M3位於圖案化絕緣結構110中。在本實施例中，第一導電層M1位於圖案化基底100上方以及選擇性地位於第一緩衝層BP1上方。第二導電層M2位於第一絕緣層PL1上方以及選擇性地位於第二緩衝層BP2上方，且第二導電層M2選擇性地電性連接至第一導電層M1。舉例來說，部分第二導電層M2透過第一絕緣層PL1中的導通孔V1而電性連接至第一導電層M1。第二導電層M2與導通孔V1例如為一起形成。第三導電層M3位於第二絕緣層PL2上方以及選擇性地位於第三緩衝層BP3上方，且第三導電層M3選擇性地電性連接至第二導電層M2。舉例來說，部分第三導電層M3透過第二絕緣層PL2中的導通孔V2而電性連接至第二導電層M2。第三導電層M3與導通孔V2例如為一起形成。
在本實施例中，第一導電層M1、第二導電層M2以及第三導電層M3中的至少一者包括位於線路部WP中的導線，導線自線路部WP延伸進裝置部TP中。
在一些實施例中，第一導電層M1、第二導電層M2以及第三導電層M3的材料包括鉻、金、銀、銅、錫、鉛、鉿、鎢、鉬、釹、鈦、鉭、鋁、鋅等金屬、上述合金、上述金屬氧化物、上述金屬氮化物或上述之組合或其他導電材料。在一些實施例中，第一導電層M1、第二導電層M2以及第三導電層M3各自包括單層或多層結構，舉例來說，第一導電層M1、第二導電層M2以及第三導電層M3各自包括鈦/鋁/鈦堆疊結構、鉬/鋁/鉬堆疊結構或其他合適的導電材料堆疊結構。
在本實施例中，第三絕緣層PL3的開口O重疊於第三導電層M3。換句話說，開口O暴露出部分第三導電層M3。在本實施例中，第一凹槽GV1以及第二凹槽GV2不重疊於第三導電層M3，換句話說，第三導電層M3不被第一凹槽GV1以及第二凹槽GV2所暴露出來，但本發明不以此為限。在其他實施例中，第三導電層M3的部分頂面被第一凹槽GV1及/或第二凹槽GV2所暴露出來，但第三導電層M3的側面不會被第一凹槽GV1及/或第二凹槽GV2所暴露出來。需注意的是，在圖1A與圖1B中，開口O的位置僅是用於示意，開口O可以位於第一凹槽GV1所環繞之區域中的任意位置，且開口O的實際位置可以因應需求而進行調整。
多個電極E形成於開口O中，且覆蓋開口O底部的第三導電層M3。在一些實施例中，電極E包括金屬氧化物，例如銦錫氧化物，但本發明不以此為限。電極E可以包括其他適用於保護開口O所暴露之部分第三導電層M3的導電材料。
在本實施例中，由於第三導電層M3不會被第一凹槽GV1及/或第二凹槽GV2所暴露出來，因此，形成電極E時所使用的蝕刻液不會侵蝕到第三導電層M3，避免第三導電層M3被侵蝕而影響導電性質。在一些實施例中，第三導電層M3包括多層結構，例如鈦層、鋁層以及鈦層的堆疊結構，其中位於兩個鈦層之間的鋁層比較容易受形成電極E時所使用的蝕刻液（例如草酸）所侵蝕，而位於第三導電層M3頂面之鈦層則不容易受形成電極E時所使用的蝕刻液所侵蝕，因此，即使第三導電層M3的頂面的鈦層被第一凹槽GV1及/或第二凹槽GV2所暴露出來，形成電極E時所使用的蝕刻液也不容易侵蝕第三導電層M3。換句話說，只要將第三導電層M3有可能會暴露出鋁層的側面包覆起來就可以避免第三導電層M3受形成電極E時所使用的蝕刻液所侵蝕。
顯示元件LD位於裝置部TP上，並電性連接至電極E。在一些實施例中，藉由巨量轉移製程將顯示元件LD放置於電極E上。顯示元件LD透過電極E而電性連接至第三導電層M3，並進一步電性連接至第三導電層M3、第二導電層M2及/或第一導電層M1位於線路部WP中的導線。在一些實施例中，顯示元件LD包括有機發光二極體、微型發光二極體或其他發光元件。顯示元件LD例如透過共晶接合、導電膠接合、焊接或其他類似的方式電性連接至電極E。在本實施例中，每個裝置部TP上方設置有不同顏色的顯示元件LD，以構成一個彩色畫素。舉例來說，每個裝置部TP上方設置有紅色顯示元件R、綠色顯示元件G以及藍色顯示元件B。
第一凹槽GV1至少部分環繞對應的顯示元件LD。在本實施例中，第一凹槽GV1至少部分環繞三個顯示元件LD。第二凹槽GV2至少部分環繞第一凹槽GV1。
多個覆蓋層OC位於多個裝置部TP上，各覆蓋層OC位於對應的一個裝置部TP上。覆蓋層OC覆蓋對應的顯示元件LD。覆蓋層OC例如為透明光學膠（或透明封裝膠），且適用於保護顯示元件LD。在一些實施例中，覆蓋層OC的形成方式包括噴墨印刷或其他合適的方式。在本實施例中，藉由第一凹槽GV1與第二凹槽GV2可以作為覆蓋層OC的溢流溝槽，藉此有助於將覆蓋層OC限制於裝置部TP上，避免覆蓋層OC溢流至其他位置。在本實施例中，各覆蓋層OC填入對應的第一凹槽GV1中，且各覆蓋層OC選擇性地填入對應的第二凹槽GV2中。
在一些實施例中，形成圖案化絕緣結構110、第一導電層M1、第二導電層M2、第三導電層M3以及電極E於尚未圖案化的基底上之後，圖案化前述基底（例如藉由蝕刻）以形成圖案化基底100。然後，將顯示元件LD接合至電極E，並於顯示元件LD上形成覆蓋層OC。最後將圖案化基底100及位於其上之其他構件自載板CS上提起。將圖案化基底100及位於其上之其他構件自載板CS上提起例如包括雷射舉離（Laser lift off）或其他合適的方式。
在本實施例中，藉由第一凹槽GV1以及第二凹槽GV2的設置，覆蓋層OC不容易溢流至裝置部TP的外面，因此，可以避免覆蓋層OC流至凹部TH1與貫孔TH2中而接觸載板CS。藉此，可以避免覆蓋層OC黏至載板CS，並提高將圖案化基底100自載板CS上提起的製程良率。
圖2是依照本發明的一實施例的一種可拉伸基板的局部上視示意圖，其中圖2繪示了圖案化基底100、圖案化絕緣結構110、第二導電層M2、第三導電層M3以及顯示元件LD，並省略繪示其他構件。在此必須說明的是，圖2的實施例沿用圖1A和圖1B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
請參考圖2，圖2為可拉伸基板20拉伸前的示意圖，可拉伸基板20（亦可稱為可拉伸顯示裝置）包括圖案化基底100、圖案化絕緣結構110、多個顯示元件LD、多條導線以及多個覆蓋層（圖2省略繪示）。在本實施例中，第二導電層M2以及第三導電層M3包括導線。在本實施例中，導線包括多條第一導線SL1以及多條第二導線SL2。
多條第一導線SL1沿著第一方向E1延伸，且電性連接至在第一方向E1上排列的裝置部TP上的顯示元件LD。舉例來說，在本實施例中，第一導線SL1包括屬於第二導電層M2的傳輸部SL1a以及屬於第三導電層M3的連接部SL1b。傳輸部SL1a位於圖案化絕緣結構110的線路部WP中，並延伸進圖案化絕緣結構110的裝置部TP。連接部SL1b位於圖案化絕緣結構110的裝置部TP中，並透過導通孔V2而電性連接至傳輸部SL1a。
在一些實施例中，各裝置部TP上的對應的至少三個顯示元件LD電性連接至同一條對應的第一導線SL1。舉例來說，第三絕緣層具有重疊於連接部SL1b的三個開口（圖2省略繪示），三個電極（圖2省略繪示）分別形成於前述三個開口中。三個顯示元件LD透過前述三個電極而電性連接至連接部SL1b。第一導線SL1例如適用於傳輸接地電壓訊號或共用電壓訊號。
多條第二導線SL2沿著第二方向E2延伸，且電性連接至在第二方向E2上排列的裝置部TP上的顯示元件LD。舉例來說，在本實施例中，第二導線SL2包括屬於第二導電層M2的傳輸部SL2a以及屬於第三導電層M3的連接部SL2b。傳輸部SL2a位於圖案化絕緣結構110的線路部WP中，並延伸進圖案化絕緣結構110的裝置部TP。連接部SL2b位於圖案化絕緣結構110的裝置部TP中，並透過導電通孔V2而電性連接至傳輸部SL2a。在本實施例中，第一導線SL1的寬度大於第二導線SL2的寬度。
在一些實施例中，各裝置部TP上的對應的至少三個顯示元件LD分別電性連接至至少三條對應的第二導線SL2。舉例來說，第三絕緣層具有重疊於連接部SL2b的三個開口（圖2省略繪示），三個電極（圖2省略繪示）分別形成於前述三個開口中。三個顯示元件LD透過前述三個電極而電性連接至連接部SL2b。各裝置部TP表面的多個第一凹槽GV1部分環繞對應的顯示元件LD。
在本實施例中，為了避免第一凹槽GV1暴露出第三導電層M3的側面，各裝置部TP的表面設置多個互相分離的第一凹槽GV1。部分第一凹槽GV1重疊於第三導電層M3，但不延伸至第三導電層M3的側面。舉例來說，第一凹槽GV1位於第三絕緣層中，其中第三絕緣層（例如圖1B的第三絕緣層PL3）覆蓋導線中的第一導線SL1的側面，且第一凹槽GV1暴露出導線中的第一導線SL1的部分頂面。具體地說，第三絕緣層覆蓋連接部SL2b的側面，並暴露出連接部SL2b的部分頂面。
基於上述，藉由多個第一凹槽GV1的設置，可以避免覆蓋層溢流所導致的問題。
需注意的是，圖2的可拉伸基板20為一種被動式顯示裝置，且圖案化絕緣結構110中未設置主動元件，但本發明並不限於此。在其他實施例中，可拉伸基板的圖案化絕緣結構中設置有主動元件，且可拉伸基板為主動式顯示裝置。
圖3A是依照本發明的一實施例的一種可拉伸基板的局部上視示意圖，其中圖3A繪示了第三導電層M3、第三絕緣層PL3以及顯示元件LD，並省略繪示其他構件。圖3B與圖3C是依照本發明的一實施例的一種可拉伸基板的剖面示意圖，其中圖3B與圖3C分別對應了圖3A中線a-a’以及b-b’的位置。在此必須說明的是，圖3A至圖3C的實施例沿用圖2的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
請參考圖3A至圖3C，可拉伸基板30（亦可稱為可拉伸顯示裝置）包括圖案化基底100、圖案化絕緣結構110、多個顯示元件LD、多條導線以及多個覆蓋層（圖3A省略繪示）。
可拉伸基板30的各裝置部的表面具有多個開口O、彼此分離的多個第一凹槽GV1以及彼此分離的多個第二凹槽GV2。第二凹槽GV2相較於第一凹槽GV1更遠離對應的顯示元件LD。多個第二凹槽GV2部分環繞多個第一凹槽GV1，且多個第一凹槽GV1部分環繞多個開口O。
在本實施例中，部分第二導線SL2’延伸進裝置部中。相鄰的兩個第二凹槽GV2之間的第三絕緣層PL3包覆導線中的第二導線SL2’的側面與頂面。換句話說，在本實施例中，第二導線SL2’的側面與頂面沒有被第二凹槽GV2所暴露出來。
在本實施例中，第二導線SL2’自相鄰的兩個第二凹槽GV2之間的位置延伸至第二凹槽GV2與第一凹槽GV1之間的位置，且橫向地位於第二凹槽GV2與第一凹槽GV1之間。在本實施例中，第二導線SL2’選擇性地電性連接至顯示元件LD或裝置部中的其他元件。舉例來說，第二導線SL2’的傳輸部SL2a’透過位於第二導電層（圖3A至圖3C未繪出）中的導電結構而電性連接至開口O下方的連接部，並透過連接部電性連接至顯示元件LD。
在本實施例中，第三絕緣層PL3覆蓋第一導線SL1的側面，且部分第一凹槽GV1以及部分第二凹槽GV2暴露出第一導線SL1的部分頂面。
圖4A是依照本發明的一實施例的一種可拉伸基板的局部上視示意圖，其中圖4A繪示了第三導電層的導線SL3、第三絕緣層PL3以及顯示元件LD，並省略繪示其他構件。圖4B是依照本發明的一實施例的一種可拉伸基板的剖面示意圖，其中圖4B對應了圖4A中線a-a’的位置。在此必須說明的是，圖4A與圖4B的實施例沿用圖3A至圖3C的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
請參考圖4A與圖4B，在本實施例中，可拉伸基板40（亦可稱為可拉伸顯示裝置）包括圖案化基底100、圖案化絕緣結構110、多個顯示元件LD、多條導線以及多個覆蓋層（圖4A省略繪示）。
可拉伸基板40的各裝置部的表面具有多個開口O、圍繞多個開口O的第一凹槽GV1以及彼此分離的多個第二凹槽GV2。第二凹槽GV2相較於第一凹槽GV1更遠離對應的顯示元件LD。多個第二凹槽GV2部分環繞第一凹槽GV1。
在本實施例中，第三導電層M3的導線SL3自裝置部TP的其中一側延伸至相鄰於前述其中一側的另一側。舉例來說，在圖4A中，其中一個導線SL3自裝置部TP的左側延伸至裝置部TP的下側，且另一個導線SL3自裝置部TP的上側延伸至裝置部TP的右側。換句話說，在本實施例中，並未限制導線自裝置部TP的一側延伸至前述一側的相對側。意即，並不限制導線自裝置部TP的左側延伸至右側，或自上側延伸至下側。
在本實施例中，為了避免第二凹槽GV2暴露出導線SL3的側面，各裝置部TP的表面設置多個互相分離的第二凹槽GV2。舉例來說，第二凹槽GV2位於第三絕緣層PL3中，第三絕緣層PL3覆蓋導線SL3的頂面與側面。在本實施例中，部分導線SL3延伸進裝置部中。相鄰的兩個第二凹槽GV2之間的第三絕緣層PL3包覆導線SL3的側面與頂面。換句話說，在本實施例中，導線SL3的側面與頂面沒有被第二凹槽GV2所暴露出來。
在本實施例中，覆蓋層OC填入第一凹槽GV1，且選擇性地填入或不填入第二凹槽GV2中。
基於上述，藉由多個第一凹槽GV1與第二凹槽GV2的設置，可以避免覆蓋層OC溢流所導致的問題。
圖5是依照本發明的一實施例的一種可拉伸基板的局部上視示意圖，其中圖5繪示了第三導電層的導線SL3以及第三絕緣層PL3，並省略繪示其他構件。在此必須說明的是，圖5的實施例沿用圖4A與圖4B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
請參考圖5，在本實施例中，可拉伸基板50（亦可稱為可拉伸顯示裝置）的導線SL3在裝置部TP中具有多個轉折。在本實施例中，第一凹槽GV1與第二凹槽GV2除了在對應於裝置部TP的四個角落具有轉折以外，第一凹槽GV1與第二凹槽GV2還可以包括對應於導線SL3的轉折，藉此增加第一凹槽GV1的長度與第二凹槽GV2的長度。
在本實施例中，藉由增加第一凹槽GV1的長度與第二凹槽GV2的長度，可以進一步提升第一凹槽GV1及第二凹槽GV2接觸覆蓋層（圖5未繪出）的面積，藉此有助於將覆蓋層侷限於裝置部TP上，避免覆蓋層溢流至裝置部TP外。
圖6是依照本發明的一實施例的一種可拉伸基板的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖6的實施例沿用圖1A與圖1B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
請參考圖6，在本實施例中，可拉伸基板60（亦可稱為可拉伸顯示裝置）還包括主動元件TFT。主動元件TFT位於圖案化絕緣結構110a中，且電性連接至顯示元件LD。
在本實施例中，圖案化絕緣結構110a包括阻隔層BF、閘絕緣層GI、層間介電層ILD、第一絕緣層PL1、第二絕緣層PL2以及第三絕緣層PL3。在本實施例中，圖案化絕緣結構110a選擇性地包括第一緩衝層BP1、第二緩衝層BP2、第三緩衝層BP3以及第四緩衝層BP4。
在一些實施例中，阻隔層BF、閘絕緣層GI、層間介電層ILD、第一緩衝層BP1、第一絕緣層PL1、第二緩衝層BP2、第二絕緣層PL2、第三緩衝層BP3、第三絕緣層PL3以及第四緩衝層BP4包括有機或無機絕緣材料。
阻隔層BF位於圖案化基底100上。半導體通道層CH位於阻隔層BF上。閘絕緣層GI位於半導體通道層CH上。第一導電層M1中的閘極GE位於閘絕緣層GI上，且重疊於半導體通道層CH。層間介電層ILD位於第一導電層M1以及閘絕緣層GI上。第二導電層M2的汲極D與源極S位於層間介電層ILD上，且電性連接至半導體通道層CH。在本實施例中，主動元件TFT包括閘極GE、半導體通道層CH、汲極D與源極S。在本實施例中，主動元件TFT為頂部閘極型薄膜電晶體，但本發明不以此為限。在其他實施例中，主動元件TFT為底部閘極型薄膜電晶體或其他類型的薄膜電晶體。
第一緩衝層BP1、第一絕緣層PL1以及第二緩衝層BP2位於第二導電層M2以及層間介電層ILD上。第三導電層M3位於第二緩衝層BP2上，至少部分第三導電層M3電性連接至主動元件TFT。第二絕緣層PL2以及第三緩衝層BP3位於第三導電層M3以及第二緩衝層BP2上。第四導電層M4位於第三緩衝層BP3上，且至少部分第四導電層M4電性連接至第三導電層M3。第三絕緣層PL3以及第四緩衝層BP4位於第四導電層M4上。電極E位於第四緩衝層BP4上，且至少部分電極E透過第三導電層M3以及第四導電層M4而電性連接至主動元件TFT。顯示元件LD透過導電連接結構CC而電性連接至電極E。在一些實施例中，導電連接結構CC例如包括銦、錫、鉍、導電膠、上述材料的組合或其他合適的材料。
裝置部TP的表面設置有第一凹槽GV1以及第二凹槽GV2。在本實施例中，第一凹槽GV1以及第二凹槽GV2位於第三絕緣層PL3中，第四緩衝層BP4覆蓋第一凹槽GV1以及第二凹槽GV2的表面，且第四緩衝層BP4不填滿第一凹槽GV1以及第二凹槽GV2。第一凹槽GV1至少部分環繞顯示元件LD，且第二凹槽GV2至少部分環繞第一凹槽GV1。在本實施例中，第一凹槽GV1以及第二凹槽GV2不會暴露出第四導電層M4的頂面與側面，藉此避免第四導電層M4的頂面與側面被形成電極E時所使用的蝕刻劑所蝕刻。在一些實施例中，第一凹槽GV1以及第二凹槽GV2暴露出第四導電層M4的部分頂面，但第一凹槽GV1以及第二凹槽GV2不暴露出第四導電層M4的側面。
綜上所述，於圖案化絕緣結構之裝置部的表面設置凹槽，有助於避免覆蓋層溢流，藉此提升可拉伸基板的生產良率。
10, 20, 30, 40, 50, 60:可拉伸基板 100:圖案化基底 110, 110a:圖案化絕緣結構 B:藍色顯示元件 BF:阻隔層 BP1:第一緩衝層 BP2:第二緩衝層 BP3:第三緩衝層 BP4:第四緩衝層 CC:導電連接結構 CH:半導體通道 CS:載板 D:汲極 E:電極 E1:第一方向 E2:第二方向 F:箭頭 G:綠色顯示元件 GE:閘極 GI:閘絕緣層 GV1:第一凹槽 GV2:第二凹槽 ILD:層間介電層 LD:顯示元件 M1:第一導電層 M2:第二導電層 M3:第三導電層 M4:第四金屬層 O:開口 OC:覆蓋層 PL1:第一絕緣層 PL2:第二絕緣層 PL3:第三絕緣層 R:紅色顯示元件 S:源極 SL1:第一導線 SL1a, SL2a:傳輸部 SL1b, SL2b:連接部 SL2:第二導線 SL3:導線 t1:厚度 TH1:凹部 TH2:貫孔 TFT:主動元件 TP:裝置部 V1, V2:導通孔 w1, w2:寬度 WP:線路部
圖1A是依照本發明的一實施例的一種可拉伸基板的局部上視示意圖。 圖1B是依照本發明的一實施例的一種可拉伸基板的剖面示意圖。 圖2是依照本發明的一實施例的一種可拉伸基板的局部上視示意圖。 圖3A是依照本發明的一實施例的一種可拉伸基板的局部上視示意圖。 圖3B是依照本發明的一實施例的一種可拉伸基板的剖面示意圖。 圖3C是依照本發明的一實施例的一種可拉伸基板的剖面示意圖。 圖4A是依照本發明的一實施例的一種可拉伸基板的局部上視示意圖。 圖4B是依照本發明的一實施例的一種可拉伸基板的剖面示意圖。 圖5是依照本發明的一實施例的一種可拉伸基板的局部上視示意圖。 圖6是依照本發明的一實施例的一種可拉伸基板的剖面示意圖。
40:可拉伸基板
100:圖案化基底
110:圖案化絕緣結構
BP1:第一緩衝層
BP2:第二緩衝層
BP3:第三緩衝層
CS:載板
E:電極
GV1:第一凹槽
GV2:第二凹槽
LD:顯示元件
M1:第一導電層
M2:第二導電層
M3:第三導電層
O:開口
OC:覆蓋層
PL1:第一絕緣層
PL2:第二絕緣層
PL3:第三絕緣層

Claims (8)

  1. 一種可拉伸基板，包括：一圖案化絕緣結構，包括：多個裝置部，其中各該裝置部的表面具有至少一第一凹槽，其中該些裝置部中之至少兩個被一凹部隔開；以及多個線路部，各該線路部的寬度小於各該裝置部的寬度，且相鄰的該些裝置部經由對應的該些線路部而相連；多條導線，位於該些線路部中；多個顯示元件，位於該些裝置部上，其中各該裝置部的該至少一第一凹槽環繞對應的該顯示元件；以及多個覆蓋層，各該覆蓋層位於對應的一個該裝置部上，且覆蓋對應的該顯示元件，其中各該覆蓋層填入對應的該至少一第一凹槽中。
  2. 如請求項1所述的可拉伸基板，其中各該裝置部的表面具有彼此分離的多個第二凹槽，該些第二凹槽相較於該至少一第一凹槽更遠離對應的該顯示元件，且該些第二凹槽部分環繞該至少一第一凹槽。
  3. 如請求項2所述的可拉伸基板，其中該些導線中的至少一者自該些線路部延伸進該些裝置部中，且橫向地位於該些第二凹槽與該至少一第一凹槽之間。
  4. 如請求項1所述的可拉伸基板，其中該凹部為該圖案化絕緣結構的開口。
  5. 如請求項1所述的可拉伸基板，其中該圖案化絕緣結構包括：一第一絕緣層，位於一圖案化基底上方；一第二絕緣層，位於該第一絕緣層上方；以及一第三絕緣層，位於該第二絕緣層上方，且該至少一第一凹槽位於該第三絕緣層中，其中該第三絕緣層覆蓋該些導線中的至少一者的側面，且該至少一第一凹槽暴露出該些導線中的該至少一者的部分頂面。
  6. 如請求項1所述的可拉伸基板，其中該圖案化絕緣結構包括：一第一絕緣層，位於一圖案化基底上方；一第二絕緣層，位於該第一絕緣層上方；以及一第三絕緣層，位於該第二絕緣層上方，且該至少一第一凹槽以及彼此分離的多個第二凹槽位於該第三絕緣層中，其中該些第二凹槽環繞該至少一第一凹槽，且相鄰的兩個該些第二凹槽之間的該第三絕緣層包覆該些導線中的至少一者的側面與頂面。
  7. 如請求項1所述的可拉伸基板，其中各該裝置部上設置有對應的至少三個該些顯示元件，其中該些裝置部沿著一第一方向以及一第二方向排成陣列，且該些導線包括：多條第一導線，沿著該第一方向延伸，且電性連接至在該第一方向上排列的該些裝置部上的該些顯示元件；以及多條第二導線，沿著該第二方向延伸，且電性連接至在該第 二方向上排列的該些裝置部上的該些顯示元件，其中各該裝置部上的對應的至少三個該些顯示元件分別電性連接至至少三條對應的該些第二導線，且各該裝置部上的對應的至少三個該些顯示元件電性連接至同一條對應的該第一導線。
  8. 一種可拉伸顯示裝置，包括：一圖案化絕緣結構，包括：多個裝置部，沿著一第一方向以及一第二方向排成陣列；以及多個線路部，各該線路部的寬度小於各該裝置部的寬度，且相鄰的該些裝置部經由對應的該些線路部而相連；多個顯示元件，位於該些裝置部上，其中各該裝置部的表面具有環繞對應的該些顯示元件的至少一第一凹槽；多條導線，電性連接至該些顯示元件；以及多個覆蓋層，各該覆蓋層位於對應的一個該裝置部上，且覆蓋對應的該些顯示元件，其中各該覆蓋層填入對應的該至少一第一凹槽中。
TW110137192A 2021-10-06 2021-10-06 可拉伸基板以及可拉伸顯示裝置 TWI797768B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW110137192A TWI797768B (zh) 2021-10-06 2021-10-06 可拉伸基板以及可拉伸顯示裝置
CN202210215660.6A CN114582919A (zh) 2021-10-06 2022-03-07 可拉伸基板以及可拉伸显示装置
US17/954,414 US20230105157A1 (en) 2021-10-06 2022-09-28 Stretchable substrate and stretchable display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW110137192A TWI797768B (zh) 2021-10-06 2021-10-06 可拉伸基板以及可拉伸顯示裝置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TWI797768B true TWI797768B (zh) 2023-04-01
TW202316698A TW202316698A (zh) 2023-04-16

Family

ID=81772719

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW110137192A TWI797768B (zh) 2021-10-06 2021-10-06 可拉伸基板以及可拉伸顯示裝置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20230105157A1 (zh)
CN (1) CN114582919A (zh)
TW (1) TWI797768B (zh)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW202114471A (zh) * 2019-08-29 2021-04-01 日商日本顯示器股份有限公司 顯示裝置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW202114471A (zh) * 2019-08-29 2021-04-01 日商日本顯示器股份有限公司 顯示裝置

Also Published As

Publication number Publication date
US20230105157A1 (en) 2023-04-06
TW202316698A (zh) 2023-04-16
CN114582919A (zh) 2022-06-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11322670B2 (en) Pixel array substrate including flux structure layer for improving LED contact and method of manufacturing thereof
US11302822B2 (en) Thin film transistor and fabrication method thereof, array substrate and fabrication method thereof
US20130168707A1 (en) Array substrate structure of display panel and method of making the same
TWI648573B (zh) 陣列基板
US11251257B2 (en) Manufacturing method of display panel having pad comprising embedded part and protruded part
TWI696868B (zh) 顯示面板及顯示面板製作方法
WO2019120168A1 (zh) 基板及其制作方法、电子装置
US9977304B2 (en) Display device
TWI679788B (zh) 畫素結構
TWI797768B (zh) 可拉伸基板以及可拉伸顯示裝置
TW202318364A (zh) 可拉伸顯示面板
WO2021190285A1 (zh) 显示基板、显示基板母板及其制作方法、显示装置
US20210183895A1 (en) Electronic device
US8299707B2 (en) Display panel
WO2021232238A1 (zh) 显示基板及其制造方法、显示面板和显示装置
TW202307530A (zh) 可拉伸顯示面板
US12125870B2 (en) Stretchable display panel
TWI804431B (zh) 主動元件基板
TWI856711B (zh) 顯示裝置
TWI796079B (zh) 元件基板及其製造方法
TWI721584B (zh) 顯示裝置
CN113421903B (zh) 显示基板及其制备方法、显示面板、显示装置
JP2018156850A (ja) 表示装置
TW202403974A (zh) 電子裝置
JP2022177722A (ja) 表示装置の製造方法