TW202403974A - 電子裝置 - Google Patents
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Abstract
本揭露提供了一種電子裝置，其包括一第一主要結構、鄰近於所述第一主要結構的一第二主要結構、連接所述第一主要結構和所述第二主要結構的一連接結構、設置在所述第一主要結構上的一第一半導體、以及設置在所述第一半導體與所述第一主要結構之間的一第一絕緣結構，其中所述第一絕緣結構具有一第一凹槽。
Description
本揭露涉及一種電子裝置，特別是涉及一種可拉伸的電子裝置。
可拉伸電子裝置可貼附到任何適合的曲面上，而具有較多的使用情境。例如，可拉伸電子裝置可貼附到車用面板作為車用顯示器或車用感測器，或可貼附到人體皮膚作為穿戴顯示器或穿戴感測器。然而，在可拉伸電子裝置變形的過程中，其基板可能產生斷裂或裂痕，進而影響可拉伸電子裝置的使用壽命。因此，如何改善可拉伸電子裝置的設計以降低斷裂或裂痕產生的可能性對於本領域來說仍是一項重要的議題。
在一些實施例中，本揭露提供了一種電子裝置。電子裝置包括一第一主要結構、一第二主要結構，鄰近於第一主要結構、一連接結構，連接第一主要結構和第二主要結構、一第一半導體，設置在第一主要結構上、以及一第一絕緣結構，設置在第一半導體與第一主要結構之間，其中第一絕緣結構具有一第一凹槽。
通過參考以下的詳細描述並同時結合附圖可以理解本揭露，須注意的是，為了使讀者能容易瞭解及為了附圖的簡潔，本揭露中的多張附圖只繪出電子裝置的一部分，且附圖中的特定元件並非依照實際比例繪圖。此外，圖中各元件的數量及尺寸僅作為示意，並非用來限制本揭露的範圍。
本揭露通篇說明書與所附的申請專利範圍中會使用某些詞彙來指稱特定元件。本領域技術人員應理解，電子設備製造商可能會以不同的名稱來指稱相同的元件。本文並不意在區分那些功能相同但名稱不同的元件。
在下文說明書與申請專利範圍中，「含有」與「包括」等詞為開放式詞語，因此其應被解釋為「含有但不限定為…」之意。
應了解到，當元件或膜層被稱為「設置在」另一個元件或膜層「上」或「連接到」另一個元件或膜層時，它可以直接在此另一元件或膜層上或直接連接到此另一元件或膜層，或者兩者之間存在有插入的元件或膜層(非直接情況)。相反地，當元件被稱為「直接」在另一個元件或膜層「上」或「直接連接到」另一個元件或膜層時，兩者之間不存在有插入的元件或膜層。當元件或膜層被稱為「電連接」到另一個元件或膜層時，其可解讀為直接電連接或非直接電連接。本揭露中所敘述之電連接或耦接皆可以指直接連接或間接連接，於直接連接的情況下，兩電路上組件的端點直接連接或以一導體線段互相連接，而於間接連接的情況下，兩電路上組件的端點之間具有開關、二極體、電容、電感、電阻、其他適合的組件、或上述組件的組合，但不限於此。
雖然術語「第一」、「第二」、「第三」…可用以描述多種組成元件，但組成元件並不以此術語為限。此術語僅用於區別說明書內單一組成元件與其他組成元件。申請專利範圍中可不使用相同術語，而依照申請專利範圍中元件宣告的順序以第一、第二、第三…取代。因此，在下文說明書中，第一組成元件在申請專利範圍中可能為第二組成元件。
在本揭露中，厚度、長度與寬度的量測方式可以是採用光學顯微鏡量測而得，厚度或寬度則可以由電子顯微鏡中的剖面影像量測而得，但不以此爲限。
另外，任兩個用來比較的數值或方向，可存在著一定的誤差。術語「大約」、「等於」、「相等」或「相同」、「實質上」或「大致上」一般解釋為在所給定的值的正負20%範圍以內，或解釋為在所給定的值的正負10%、正負5%、正負3%、正負2%、正負1%或正負0.5%的範圍以內。
此外，用語“給定範圍爲第一數值至第二數值”、“給定範圍落在第一數值至第二數值的範圍內”表示所述給定範圍包括第一數值、第二數值以及它們之間的其它數值。
若第一方向垂直於第二方向，則第一方向與第二方向之間的角度可介於80度至100度之間；若第一方向平行於第二方向，則第一方向與第二方向之間的角度可介於0度至10度之間。
除非另外定義，在此使用的全部用語(包含技術及科學用語)具有與本揭露所屬技術領域的技術人員通常理解的相同涵義。能理解的是，這些用語例如在通常使用的字典中定義用語，應被解讀成具有與相關技術及本揭露的背景或上下文一致的意思，而不應以一理想化或過度正式的方式解讀，除非在本揭露實施例有特別定義。
須知悉的是，以下所舉實施例可以在不脫離本揭露的精神下，可將數個不同實施例中的技術特徵進行替換、重組、混合以完成其他實施例。
本揭露的電子裝置可包括顯示裝置、感測裝置、背光裝置、天線裝置、拼接裝置或其他適合的電子裝置，但不以此為限。電子裝置可為可彎折、可撓曲或可拉伸的電子裝置。例如，本揭露的電子裝置可包括可拉伸電子裝置。顯示裝置可例如應用於筆記型電腦、公共顯示器、拼接顯示器、車用顯示器、觸控顯示器、電視、監視器、智慧型手機、平板電腦、光源模組、照明設備或例如為應用於上述產品的電子裝置，但不以此為限。感測裝置可包括生物感測器、觸控感測器、指紋感測器、其他適合的感測器或上述類型的感測器的組合。天線裝置可例如包括液晶天線裝置，但不以此為限。拼接裝置可例如包括顯示器拼接裝置或天線拼接裝置，但不以此為限。電子裝置的外型可為矩形、圓形、多邊形、具有彎曲邊緣的形狀或其他適合的形狀。電子裝置可包括電子單元，其中電子單元可包括被動元件與主動元件，例如電容、電阻、電感、二極體、電晶體、感測器等。二極體可包括發光二極體或光電二極體。發光二極體可例如包括有機發光二極體(organic light emitting diode，OLED)或無機發光二極體(in-organic light emitting diode)，無機發光二極體可例如包括次毫米發光二極體(mini LED)、微發光二極體(micro LED)或量子點發光二極體(quantum dot LED)，但不以此為限。須注意的是，本揭露的電子裝置可為上述裝置的各種組合，但不以此為限。下文將以電子裝置包括顯示裝置為例說明本揭露內容，但本揭露不以此為限。
請參考圖1、圖2A和圖2B，圖1為本揭露第一實施例的電子裝置的俯視示意圖，圖2A為本揭露第一實施例的電子裝置的局部放大俯視示意圖，而圖2B為本揭露第一實施例的電子裝置沿切線A-A’的剖視示意圖。為了簡化附圖，圖2A僅示出了電子裝置的部分膜層和元件，而電子裝置的詳細結構可參考圖2B，但不以此為限。根據本實施例，電子裝置100可包括支撐基板LSB、基板SB、電路層CL以及電子元件EL，其中基板SB可設置在支撐基板LSB上，電路層CL可設置在基板SB上，而電子元件EL可設置在電路層CL上。以下將詳細介紹電子裝置100中所包括的元件和/或膜層。
支撐基板LSB可包括可撓曲基板，其中“可撓曲”表示可被彎曲、彎折、捲曲、拉伸或以其他任意方式變形。例如，支撐基板LSB可為可拉伸(stretchable)基板，但不以此為限。可撓曲基板的材料可包括聚醯亞胺(polyimide，PI)、聚碳酸(polycarbonate，PC)、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、其他適合的材料、或上述材料的組合。支撐基板LSB可用於支撐位於其上的其他膜層和/或結構。如圖2B所示，支撐基板LSB可例如透過黏著層ADH貼附到基板SB的表面，但不以此為限。
基板SB可包括可撓曲基板或至少部分為可撓曲基板。例如，基板SB可為可拉伸基板，但不以此為限。基板SB的材料可參考上述支撐基板LSB的材料，故不再贅述。根據本實施例，基板SB可被圖案化，並包括複數個主要結構MP以及複數個連接結構CP，其中複數個連接結構CP中的至少一個可連接相鄰兩個主要結構MP。具體來說，如圖2A所示，電子裝置100的基板SB可包括第一主要結構MP1以及鄰近於第一主要結構MP1的第二主要結構MP2，其中連接結構CP可位於第一主要結構MP1和第二主要結構MP2之間並連接第一主要結構MP1和第二主要結構MP2，但不以此為限。在本實施例中，主要結構MP可具有島狀結構，而連接結構CP可具有條狀結構，但不以此為限。根據本實施例，主要結構MP可配置為能在其上設置電子元件EL或其他主動元件，例如(但不限於)電路層CL(如圖2B所示)中的薄膜電晶體的通道區。換言之，電子元件EL和/或電路層CL中的主動元件可對應於主要結構MP設置。上述“電子元件EL和/或電路層CL中的主動元件對應於主要結構MP設置”可代表電子元件EL和/或主動元件在電子裝置100的俯視方向(例如方向Z，之後不再贅述)上重疊於或至少部分重疊於主要結構MP，但不以此為限。上述術語“對應於”的定義可應用到本揭露各實施例中，故之後不再贅述。根據本實施例，連接結構CP可改變其所連接的相鄰的主要結構MP之間的距離。舉例來說，當電子裝置100產生形變(例如被拉伸)時，連接結構CP可產生變形，而連接結構CP的尺寸(例如長度)可因形變而改變，因而改變主要結構MP之間的距離。在另一例子中，當電子裝置100產生形變(例如被拉伸)時，連接結構CP與其所連接的主要結構MP之間的夾角（例如夾角α）可以經由外力而改變，進而改變與其相鄰的兩個主要結構MP之間的相對位置關係，例如使兩者的最短距離變大。在又一例子中，藉由不同的圖案化設計，可設計出具不同尺寸的連接結構CP，進而改變相鄰的主要結構MP之間的距離。
根據本實施例，電路層CL可被圖案化，其中電路層CL可設置在基板SB的主要結構MP上，但不以此為限。電路層CL可包括各種可應用於電子裝置100的導線、電路、主動元件和/或被動元件。例如，電路層CL可包括複數個電晶體TS作為電子元件EL的驅動單元及/或開關單元，但不以此為限。詳言之，電路層CL可包括半導體SM、導電層M1、導電層M2和導電層M3，其中半導體SM可形成電晶體TS的通道區CR、源極區SR以及汲極區DR，而導電層M1可形成電晶體TS的閘極電極GE。此外，導電層M2可位於導電層M1上，例如可形成分別電連接到源極區SR和汲極區DR的源極電極SE和汲極電極DE。導電層M3可位於導電層M2上，例如可形成電連接於源極電極SE和汲極電極DE的接觸件CT，但不以此為限。半導體SM的材料例如包括矽或金屬氧化物，例如為低溫多晶矽(low temperature polysilicon，LTPS)半導體或非晶矽(amorphous silicon，a-Si)半導體、低溫多晶氧化物（low temperature polysilicon oxide，LTPO）、氧化銦鎵鋅(indium gallium zinc oxide，IGZO)半導體，但不以此為限。導電層M1、導電層M2和導電層M3可包括任何適合的導電材料，例如金屬材料，但不以此為限。如上文所述，本實施例的電路層CL中的主動元件(例如電晶體TS)可設置在基板SB的主要結構MP上。因此，電晶體TS中的半導體SM可設置在主要結構MP上。如圖2B所示，電路層CL還可包括位於半導體SM和導電層M1之間的絕緣層IL1、位於導電層M1和導電層M2之間的絕緣層IL2以及位於導電層M2和導電層M3之間的絕緣層IL3。絕緣層IL1和絕緣層IL2可包括任何適合的無機絕緣材料，但不以此為限。絕緣層IL1可例如為電晶體TS中的閘極絕緣層。絕緣層IL3可包括任何適合的有機材料，例如四氟乙烯-全氟烷氧基乙烯基醚共聚物(Polyfluoroalkoxy，PFA)，但不以此為限。須注意的是，圖2B所示的電路層CL的結構僅為示例性的，本實施例並不以此為限。
本實施例的電子元件EL可包括發光元件LE，例如發光二極體，但不以此為限。在一些實施例中，電子元件EL可包括感測器、二極體、其他適合的元件或上述元件的組合。以下以發光元件LE包括無機發光二極體為例說明發光元件LE的結構，但本實施例並不以此為限。如圖2B所示，電子裝置100還可包括設置在電路層CL上的絕緣層IL4，其中絕緣層IL4可覆蓋電路層CL的導電層M3，但不以此為限。絕緣層IL4可包括任何適合的有機絕緣材料。在本實施例中，絕緣層IL4的一部分可被移除以形成至少一個開口OPE，其中開口OPE可暴露出電路層CL的部分導電層M3，而發光元件LE可設置在開口OPE中，並電連接到電晶體TS。即，絕緣層IL4可例如作為電子裝置100中的像素定義層(pixel defining layer)。詳言之，發光元件LE可包括半導體C1、半導體C2、位於半導體C1和半導體C2之間的主動層AL、連接到半導體C1的電極E1和連接到半導體C2的電極E2，其中電極E1和電極E2可分別透過接合材料B1和接合材料B2電連接到導電層M3，並透過由導電層M3所形成的接觸件CT將發光元件LE電連接到電晶體TS或其他電子元件。接合材料B1和接合材料B2例如包括異方性導電膜(Anisotropic conductive film，ACF)、錫(Sn)、金-錫合金(Au-Sn alloy)、銀膠、其他適合的材料或上述材料的組合，但不以此為限。如上文所述，本實施例的發光元件LE(電子元件EL)可設置在基板SB的主要結構MP上，或是說對應於主要結構MP設置。在一些實施例中，一個主要結構MP上可設置有一個發光元件LE。在一些實施例中，如圖2A所示，一個主要結構MP上可設置有多個發光單元LE，而該些發光單元LE可各自發射不同顏色的光，並形成一像素PX，即一個主要結構MP可對應一個像素PX。在一些實施例中，一個主要結構MP上可設置有多個發光單元LE，而該些發光單元LE可形成多個像素PX，即一個主要結構MP可對應多個像素PX。此外，如圖2B所示，電子裝置100還可包括保護層PL，其中保護層PL可設置在發光元件LE上並覆蓋發光元件LE，以提供保護功能，但不以此為限。
如圖2A和圖2B所示，電子裝置100還包括第一絕緣結構IS1，其中第一絕緣結構IS1可設置在基板SB與電路層CL之間。第一絕緣結構IS1可包括單層結構或多層結構。此外，第一絕緣結構IS1可包括任何適合的有機材料和/或無機材料。有機材料可例如包括壓克力樹酯、環氧樹酯、矽氧烷材料、矽膠材料、其他適合的材料或上述材料的組合。無機材料可包括氮化矽、氧化矽、液態玻璃、玻璃膠、二氧化鈦、氧化鋁、其他適合的材料或上述材料的組合。當第一絕緣結構IS1包括單層結構時，第一絕緣結構IS1可例如包括無機材料；而當第一絕緣結構IS1包括多層結構時，第一絕緣結構IS1可例如包括由無機層、有機層、無機層依序堆疊所形成的堆疊結構，但不以此為限。根據本實施例，第一絕緣結構IS1可例如作為電子裝置100的緩衝層，以阻擋來自外部的水氣和/或氧氣，進而降低電子裝置100中的元件受到水氣和/或氧氣影響而損壞的可能性。
在本實施例中，第一絕緣結構IS1可被圖案化，使得第一絕緣結構IS1可設置在基板SB的主要結構MP上，或是說對應於主要結構MP設置。詳言之，如圖2A所示，第一絕緣結構IS1可被圖案化以分成複數個島狀部分P1，而一個島狀部分P1對應於一個主要結構MP設置，但不以此為限。在此情形下，第一絕緣結構IS1的島狀部分P1可為各自獨立的，而不與其他的島狀部分P1相連接。因此，第一絕緣結構IS1的島狀部分P1可具有島狀結構，但不以此為限。上述的“島狀部分P1不與其他的島狀部分P1相連接”可表示兩個島狀部分P1在電子裝置100的俯視方向上未透過與第一絕緣結構IS1的材料相同的部件來彼此連接，第一絕緣結構IS1在俯視方向上具有不連續的圖案。此外，第一絕緣結構IS1可設置在主要結構MP與半導體SM之間，但不以此為限。例如，第一絕緣結構IS1的一個島狀部分P1可設置在第一主要結構MP1與一半導體SM之間，而另一個島狀部分P1可設置在第二主要結構MP2與另一半導體SM之間。此外，在本實施例中，不同的主要結構MP上的半導體SM可包括不同的材料或為不同材料的半導體，但不以此為限。例如，第一主要結構MP1上的半導體SM與第二主要結構MP2上的半導體SM可為不同材料的半導體。須注意的是，圖2A和圖2B所示的第一絕緣結構IS1的結構僅為示例性的，本揭露並不以此為限。在一些實施例中，一個主要結構MP可對應到多個島狀部分P1。在一些實施例中，主要結構MP的一部分可不對應到島狀部分P1。在一些實施例中，第一絕緣結構IS1可設置在基板SB的主要結構MP和連接結構CP上，即第一絕緣結構IS1可大致上與基板SB具有相同的圖案。在此情形下，第一絕緣結構IS1可設置在一主要結構MP(例如第一主要結構MP1)與一半導體SM之間，還可設置在另一主要結構MP(例如第二主要結構MP)與另一半導體SM之間。
根據本實施例，第一絕緣結構IS1可具有至少一凹槽GR，其中凹槽GR可例如藉由移除第一絕緣結構IS1的至少一部分而形成。具體來說，本實施例的第一絕緣結構IS1可包括複數個島狀部分P1，而該些島狀部分P1中的至少一個可具有至少一個凹槽GR。例如，如圖2A所示，第一絕緣結構IS1的一個島狀部分P1可具有兩個凹槽GR，但不以此為限。由於第一絕緣結構IS1的島狀部分P1可設置在主要結構MP上，因此凹槽GR可設置在主要結構MP上，或是說對應於主要結構MP設置，但不以此為限。凹槽GR可具有環狀結構，且在電子裝置100的俯視方向上可圍繞電子元件EL，並可具有任何適合的形狀，但不以此為限。例如，如圖2A所示，第一絕緣結構IS1的一個島狀部分P1可具有兩個環狀的凹槽GR，其中該些凹槽GR在電子裝置100的俯視方向上可圍繞該島狀部分P1上的發光元件LE(電子元件EL)。須注意的是，圖2A所示的凹槽GR的數量和形狀僅為示例性的，本揭露並不以此為限。在一些實施例中，一個島狀部分P1可具有一個、三個或更多個凹槽GR。此外，雖然圖2A示出了凹槽GR在電子裝置100的俯視方向上圍繞由複數個發光元件LE所形成的一個像素PX的結構，但本實施例並不以此為限。根據電子裝置100的設計需求，一個主要結構MP上可設置有任意數量的電子元件EL，而對應於該主要結構MP的島狀部分P1的凹槽GR在電子裝置100的俯視方向上可圍繞該些電子元件。在一些實施例中，凹槽GR在電子裝置100的俯視方向上可圍繞一個發光元件LE(或電子元件EL)；而在另一些實施例中，凹槽GR在電子裝置100的俯視方向上可圍繞由複數個發光元件LE所形成的複數個像素PX，但不以此為限。上述的 “凹槽GR在電子裝置100的俯視方向上圍繞電子元件EL”可表示在電子裝置100的俯視方向上，電子元件EL可位於凹槽GR所圍成的區域中，但不以此為限。換言之，凹槽GR在電子裝置100的俯視方向上可不重疊於電子元件EL。此外，如圖2B所示，在本實施例中，第一絕緣結構IS1的島狀部分P1的凹槽GR在電子裝置100的俯視方向上還可圍繞位於該島狀部分P1上的電晶體TS和/或導電元件，但不以此為限。換言之，電晶體TS和/或導電元件在電子裝置100的俯視方向上可位於凹槽GR所圍成的區域中。
如圖2B所示，本實施例的凹槽GR可貫穿第一絕緣結構IS1，或是說，凹槽GR可暴露出基板SB的主要結構MP，但不以此為限。在一些實施例中，凹槽GR可不貫穿第一絕緣結構IS1。此外，在本實施例中，電路層CL的絕緣層IL1和絕緣層IL2可分別具有凹槽GRa和凹槽GRb，其中凹槽GRa和凹槽GRb可分別藉由移除絕緣層IL1和絕緣層IL2對應於凹槽GR的一部分所形成。據此，凹槽GR、凹槽GRa和凹槽GRb在電子裝置100的俯視方向上可彼此至少部分重疊，而可形成一凹槽GR’，其中凹槽GR’可貫穿絕緣層IL1、絕緣層IL2和至少一部分的第一絕緣結構IS1。在此情形下，設置在絕緣層IL2上的絕緣層IL3可填入凹槽GR’中，即凹槽GR中可填入絕緣層IL3的有機材料，但不以此為限。在一些實施例中，絕緣層IL3對應於凹槽GR的一部分可被移除以形成對應於凹槽GR的凹槽，而凹槽GR’還可包括絕緣層IL3的凹槽。在此情形下，設置在絕緣層IL3上的絕緣層IL4可填入凹槽GR’中，即凹槽GR中可填入絕緣層IL4的有機材料。換言之，在本實施例中，電路層CL的無機絕緣層(例如絕緣層IL1和絕緣層IL2)中對應於凹槽GR的至少一部分可被移除，而有機絕緣層(例如絕緣層IL3和絕緣層IL4)可填入凹槽GR中，但不以此為限。須注意的是，圖2B所示結構僅為示例性的，本揭露並不以此為限。在一些實施例中，絕緣層IL1和絕緣層IL2的任何適合的部分可被移除以暴露出凹槽GR的至少一部分，而絕緣層IL3可填入凹槽GR中。
當電子裝置100產生形變(例如被拉伸)時，基板SB和/或其上的膜層(例如第一絕緣結構IS1)的邊緣可能因應力而產生裂痕，進而形成水氣和/或氧氣的傳導路徑。根據本實施例，由於電子裝置100的第一絕緣結構IS1可包括凹槽GR，因此可降低裂痕朝電子裝置100內部延伸的可能性。具體來說，設置在第一絕緣結構IS1上的凹槽GR可用於阻擋裂痕，以降低裂痕從凹槽GR處向內延伸的情形。此外，由於凹槽GR在電子裝置100的俯視方向上可圍繞電子裝置100中的電子元件EL和/或主動元件(例如電晶體TS)設置，因此可降低裂痕延伸到電子元件EL和/或主動元件的可能性。據此，可降低電子元件EL和/或主動元件受到水氣和/或氧氣的影響，進而改善電子裝置100的性能或使用壽命。再者，由於凹槽GR中可填入包括有機材料的絕緣層，因此可降低凹槽GR中的絕緣層產生裂痕的可能性，進而改善凹槽GR阻擋裂痕的效果。
如圖2B所示，電子裝置100可包括至少一突出部分PP，其中突出部分PP可位於基板SB的主要結構MP上。本實施例的突出部分PP可例如藉由凹槽GR’所形成，但不以此為限。由於突出部分PP會根據凹槽GR’的形狀所形成。因此，可設計凹槽GR’的構造而使突出部分PP具有不同結構或包括不同膜層。舉例來說，本實施例的凹槽GR’可藉由移除第一絕緣結構IS1、絕緣層IL1和絕緣層IL2的一部分所形成，而藉由凹槽GR’所形成的突出部分PP可包括第一絕緣結構IS1、絕緣層IL1和絕緣層IL2的一部分，但不以此為限。換言之，本實施例的突出部分PP可由第一絕緣結構IS1、絕緣層IL1和絕緣層IL2所形成。根據本實施例，突出部分PP可具有一邊緣EG，其中邊緣EG可為弧形、曲形或具有任何適合的非尖角設計，但不以此為限。由於突出部分PP的邊緣EG可不包括尖角設計，因此可降低突出部分PP所受的應力，藉此減少突出部分PP產生裂痕的可能性，進而改善電子裝置100的性能或使用壽命。本實施例的突出部分PP的設計可應用到下述各實施例中，故之後不再贅述。須注意的是，圖2B所示的突出部分PP的結構僅為示例性的，本揭露並不以此為限。
如圖2A和圖2B所示，電子裝置100還可包括至少一條導線CW，其中導線CW可設置在連接結構CP上，而在連接結構CP上延伸。此外，導線CW的兩端可分別延伸到兩個相鄰的主要結構MP(例如第一主要結構MP1和第二主要結構MP2)，並分別電連接到該兩個相鄰的主要結構MP上的電子元件EL，藉此電連接位於不同的主要結構MP上的兩個電子元件EL。即，可透過導線CW在不同的主要結構MP上的電晶體TS之間傳遞電訊號，但不以此為限。詳言之，在經過上述的基板SB的圖案化製程和/或第一絕緣結構IS1的圖案化製程後，基板SB、第一絕緣結構IS1、絕緣層IL1、絕緣層IL2、絕緣層IL3和絕緣層IL4的一部分可被移除，以在電子裝置100中形成一凹陷區域RR。凹陷區域RR可藉由基板SB和/或第一絕緣結構IS1的圖案化製程所形成。凹陷區域RR可包括對應到連接結構CP的第一區R1以及未對應到連接結構CP的第二區R2，其中第一區R1可藉由移除絕緣層IL1、絕緣層IL2、絕緣層IL3和絕緣層IL4的一部分所形成，而第二區R2可藉由移除絕緣層IL1、絕緣層IL2、絕緣層IL3、絕緣層IL4和基板SB的一部分所形成，但不以此為限。具體來說，基板SB對應到第一區R1的一部分可不被移除，並可形成連接結構CP，而基板SB對應到第二區R2的一部分可被移除，並暴露出黏著層ADH或支撐基板LSB。在本實施例中，導線CW可延伸進入對應到連接結構CP的第一區R1，或是說，導線CW的一部分可沿著第一區R1的側壁和底面延伸。此外，導線CW的兩端可分別在相鄰的兩個主要結構MP上延伸，並透過接觸件CT1電連接到主要結構MP中的元件，例如電晶體TS，但不以此為限。據此，導線CW的至少一部分可設置在第一絕緣結構IS1上，並從主要結構MP延伸到連接結構CP。如圖2B所示，由於第一絕緣結構IS1包括凹槽GR，因此導線CW從主要結構MP(例如第一主要結構MP1)延伸到連接結構CP時可跨越凹槽GR，但不以此為限。上述的“導線CW跨越凹槽GR”可表示導線CW在電子裝置100的俯視方向上可經過凹槽GR，但不以此為限。
如圖2B所示，除了上述的元件和/或膜層外，電子裝置100還可包括絕緣層INL，其中絕緣層INL可用於將絕緣層INL與支撐基板LSB之間的膜層及電子元件予以封裝，例如電子元件EL、導線CW…等，藉此提供保護功能，但不以此為限。絕緣層INL的材料可參考上述絕緣層IL1的材料，故不再贅述。
如圖1所示，電子裝置100可包括主動區域AA以及周邊區域PR。主動區域AA可為電子裝置100中包括電子元件EL的區域。例如，主動區域AA可被定義為複數個電子元件EL中位於最外圍的電子元件EL的外緣所圍成的區域，而主動區域AA以外的區域則可被定義為周邊區域PR，但不以此為限。周邊區域PR可包括扇出(fan out)區域FO以及虛設(dummy)區域DUM，但不以此為限。扇出區域FO可包括導線、走線或其他適合的電子元件，以將電子元件EL的訊號線(例如導線CW)向外拉出並與外部電子元件連接。虛設區域DUM可為電子裝置100中不包括導電元件(例如電子元件、導線等)的區域。例如，虛設區域DUM可包括支撐基板LSB，但不以此為限。此外，周邊區域PR還可包括一周邊電路區域PC，其中周邊電路區域PC中可設置有至少一個接合墊BP，而電子裝置100中的訊號線(例如導線CW)可電連接到接合墊BP，並透過接合墊BP電連接到外部電子元件OE。外部電子元件OE可例如包括軟性印刷電路板(flexible printed circuit board，FPCB)，但不以此為限。須注意的是，圖1標示出的主動區域AA和周邊區域PR的範圍僅為示例性的，本揭露並不以此為限。再者，電子裝置100還可選擇性地包括靜電放電(electrostatic discharge，ESD)保護元件ESS，其中ESD保護元件ESS可例如設置在周邊電路區域PC中，但不以此為限。ESD保護元件ESS可例如包括連接元件CE以及導電層SEL，其中接合墊BP和導線CW可電連接到連接元件CE，而連接元件CE可電連接到導電層SEL。即，可透過連接元件CE將接合墊BP和導線CW電連接到導電層SEL。導電層SEL可包括任何適合的導電材料，例如金屬材料(例如鈦、鋁、銅或其他適合的金屬材料)或半導體，但不以此為限。ESD保護元件ESS可排除累積在接合墊BP和/或導線CW上的靜電，或防止靜電荷在接合墊BP和/或導線CW上累積。如此一來，可降低電子裝置100中的電子元件因靜電放電而損壞的可能性。
須注意的是，本揭露的電子裝置的結構並不以上述的電子裝置100為限。下文中將描述本揭露更多的實施例。為了簡化說明，下述實施例中相同的膜層或元件會使用相同的標註，且其特徵不再贅述，而各實施例之間的差異將會於下文中詳細描述。
請參考圖3A和圖3B，圖3A為本揭露第二實施例的電子裝置的局部放大俯視示意圖，而圖3B為本揭露第二實施例的電子裝置沿切線B-B’的剖視示意圖。為了簡化附圖，圖3A僅示出了電子裝置的部分膜層和元件，而電子裝置的詳細結構可參考圖3B，但不以此為限。本實施例的電子裝置200的第一絕緣結構IS1可包括複數個島狀部分P1，分別對應於主要結構MP設置，但不以此為限。根據本實施例，第一絕緣結構IS1的一個島狀部分P1可具有複數個凹槽GR，該些凹槽GR的其中兩個之間可具有一間隔SP，而導線CW可從主要結構MP經過該間隔SP並延伸到連接結構MP，但不以此為限。具體來說，相較於上述第一實施例，本實施例的導線CW可經過位於凹槽GR之間的間隔SP，而不跨越凹槽GR。例如，如圖3A所示，在電子裝置200中，第一絕緣結構IS1的一個島狀部分P1可具有八個凹槽GR，該些凹槽GR可以兩個一組的方式沿著該島狀部分P1的四個邊緣設置，並可位於該島狀部分P1上的電子元件EL的外圍，但不以此為限。據此，可藉由凹槽GR降低裂痕從邊緣(例如主要結構MP的邊緣和/或島狀部分P1的邊緣，但不以此為限)延伸到電子元件EL和/或主動元件的可能性。此外，一個島狀部分P1中的兩個凹槽GR(例如凹槽GR1和凹槽GR2)之間可具有間隔SP，將該兩個凹槽GR分隔開，而導線CW可經過間隔SP，並從主要結構MP延伸到連接結構CP，但不以此為限。在本實施例中，間隔SP的位置可鄰近於連接結構CP，使得導線CW可經過間隔SP並延伸到連接結構CP，但不以此為限。須注意的是，雖然圖3B所示的結構中導線CW延伸到連接結構CP並接觸於連接結構CP，但本揭露並不以此為限。在一些實施例中，絕緣層IL3可延伸到連接結構CP並接觸於連接結構CP，而導線CW可設置在絕緣層IL3上。在此情形下，絕緣層IL3可位於導線CW與連接結構CP之間，藉此降低導線CW因應力而產生損壞的可能性。如圖3B所示，由於導線CW可不跨越凹槽GR，因此導線CW在電子裝置200的俯視方向上可不重疊於凹槽GR，但不以此為限。根據本實施例，藉由使導線CW經過凹槽GR之間的間隔SP而不跨越凹槽GR，可降低凹槽GR的製程對於導線CW設置的影響，進而降低導線CW產生損壞的可能性。須注意的是，圖3A僅示例性地示出了導線CW經過凹槽CR之間的間隔SP的結構，而本實施例的島狀部分P1的凹槽GR的數量和設置位置以及間隔SP的位置並不以圖3A所示為限。根據產品設計需求，島狀部分P1的凹槽GR可具有任何適合的數量和/或設置位置，並可藉由凹槽GR的位置定義出間隔SP的位置。此外，在一些實施例中，不同的島狀部分P1的凹槽GR可具有不同數量和/或不同的設置位置。
此外，如圖3B所示，本實施例的第一絕緣結構IS1可包括多層結構，而凹槽GR可不貫穿第一絕緣結構IS1，但不以此為限。具體來說，本實施例的凹槽GR可藉由移除第一絕緣結構IS1的多層結構中的部分膜層所形成。例如，如圖3B所示，第一絕緣結構IS1可包括第一絕緣層IS11、第二絕緣層IS12和第三絕緣層IS13，而凹槽GR可藉由移除第三絕緣層IS13的一部分所形成，並暴露出第二絕緣層IS12，但不以此為限。在一些實施例中，凹槽GR可藉由移除第二絕緣層IS12和第三絕緣層IS13的一部分所形成，並暴露出第一絕緣層IS11。第一絕緣層IS11和第三絕緣層IS13可例如包括氧化矽，而第二絕緣層IS12可例如包括氮化矽，但不以此為限。在一些實施例中，第一絕緣結構IS1可根據產品設計需求包括任何適合的單層結構或多層結構。上述第一絕緣結構IS1包括多層結構的特徵可應用到本揭露各實施例中。
此外，在本實施例中，絕緣層IL1和絕緣層IL2位於凹槽GR上的一部分可被移除以形成一凹陷區域RR’，其中凹陷區域RR’可暴露出凹槽GR。換言之，相較於上述的第一實施例，本實施例的絕緣層IL1和絕緣層IL2可不包括對應於第一絕緣結構IS1的凹槽GR的凹槽。在形成凹陷區域RR’之後，絕緣層IL3可向下延伸並填入凹陷區域RR’以及凹槽GR中，但不以此為限。在一些實施例中，凹陷區域RR’的形成還可包括移除絕緣層IL3位於凹槽GR上的一部分，即凹陷區域RR’可藉由移除絕緣層IL1、絕緣層IL2和絕緣層IL3的一部分所形成，而絕緣層IL4可向下延伸並填入凹陷區域RR’以及凹槽GR中。由於本實施例的絕緣層IL1和/或絕緣層IL2可不包括凹槽，而第一絕緣結構IS1的凹槽GR可藉由移除第一絕緣結構IS1的第三絕緣層IS13的一部分所形成，因此位於主要結構MP上的突出部分PP可包括第三絕緣層IS13的一部分，或是說突出部分PP可由第三絕緣層IS13所形成，但不以此為限。上述絕緣層IL1、絕緣層IL2和突出部分PP的結構特徵可應用到本揭露各實施例中。
根據本實施例，如圖3B所示，突出部分PP的側壁SW與底面S1之間可具有一夾角θ1，其中夾角θ1可大於或等於80度且小於90度(即，80°≦θ1＜90°)，但不以此為限。換言之，夾角θ1可為大於或等於80度的銳角。在本實施例中，夾角θ1可定義為延伸線L1和延伸線L2之間的銳角，其中延伸線L1可為突出部分PP的側壁SW上的點PO1與點PO2所連成的延伸線，而延伸線L2可為通過突出部分PP的底面S1(亦為第二絕緣層IS12的上表面或基板SB的上表面)的延伸線。點PO1可定義為突出部分PP的側壁SW在突出部分PP的高度H1的10%處的點，而點PO2可定義為突出部分PP的側壁SW在突出部分PP的高度H1的50%處的點，但不以此為限。在定義出點PO1和點PO2後，可將點PO1與點PO2相連以定義出延伸線L1，而延伸線L1與延伸線L2 之間的銳角可定義為夾角θ1。藉由使突出部分PP的側壁與底面之間的夾角θ1在上述範圍中，可分散突出部分PP所受的應力，進而降低突出部分PP產生裂痕的可能性。
請參考圖4A和圖4B，圖4A為本揭露第三實施例的電子裝置的局部放大俯視示意圖，而圖4B為本揭露第三實施例的電子裝置沿切線C-C’的剖視示意圖。為了簡化附圖，圖4A僅示出了電子裝置300的部分膜層和元件，而電子裝置300的詳細結構可參考圖4B，但不以此為限。本實施例的電子裝置300的第一絕緣結構IS1可包括複數個島狀部分P1，分別對應於主要結構MP設置，但不以此為限。根據本實施例，在電子裝置300的俯視方向上，島狀部分P1的一部分可突出於主要結構MP，並延伸到連接結構CP。換言之，島狀部分P1在電子裝置300的俯視方向上可至少部分重疊於連接結構CP，但不以此為限。須注意的是，圖4A所示的島狀部分P1的圖案僅為示例性的，本揭露並不以此為限。
在本實施例中，第一絕緣結構IS1的一個島狀部分P1可具有複數個凹槽GR，該些凹槽GR 的兩個凹槽GR之間可具有間隔SP，而導線CW可經過間隔SP從主要結構MP延伸到連接結構CP。關於導線CW經過間隔SP的特徵可參考圖2A和圖2B所示的結構，在此不再贅述。由於本實施例的導線CW可不跨越凹槽GR，因此可降低凹槽GR對於導線CW的設置位置的影響。根據本實施例，導線CW可設置在電路層CL的絕緣層(例如絕緣層IL1、絕緣層IL2或絕緣層IL3)上，但不以此為限。換言之，導線CW可在電路層CL的絕緣層上延伸。例如，如圖4B所示，由於導線CW可不跨越凹槽GR，因此導線CW可在絕緣層IL2上延伸(或是說設置在絕緣層IL2與絕緣層IL3之間)，並從主要結構MP延伸到連接結構CP。在此情形下，導線CW可例如由導電層M2所形成，但不以此為限。藉由使導線CW設置在絕緣層IL2與絕緣層IL3之間，可降低對應到主要結構MP的導線CW的一部分與對應到連接結構CP的導線CW的另一部分的高度差，藉此降低導線CW產生斷裂的可能性。須注意的是，圖4B所示的結構僅為示例性的，本揭露並不以此為限。在一些實施例中，導線CW可在絕緣層IL1或絕緣層IL3上延伸。
此外，在本實施例中，第一絕緣結構IS1(或島狀部分P1)的凹槽GR可具有不同的深度。例如，如圖4B所示，本實施例的第一絕緣結構IS1可包括第一絕緣層IS11、第二絕緣層IS12和第三絕緣層IS13，其中第一絕緣結構IS1的凹槽GR3可藉由移除第二絕緣層IS12和第三絕緣層IS13的一部分所形成，而第一絕緣結構IS1的凹槽GR4可藉由移除第三絕緣層IS13的一部分所形成，但不以此為限。據此，凹槽GR3的深度T2可與凹槽GR4的深度T1不同，其中深度T2可大於深度T1。須注意的是，本實施例的第一絕緣結構IS1並不以多層結構為限。在一些實施例中，第一絕緣結構IS1可包括一單層結構，而複數個凹槽GR可藉由以不同程度移除該單層結構所形成，使得該些凹槽GR可具有不同深度。凹槽GR的深度可例如藉由凹槽GR在電子顯微鏡中的剖面影像量測而得，但不以此為限。本實施例中凹槽GR具有不同深度的特徵可應用到本揭露各實施例中，故之後不再贅述。此外，在本實施例中，不同的突起部分PP可包括不同的膜層，或是說可具有不同結構。例如，如圖4B所示，突起部分PP1可包括第二絕緣層IS12和第三絕緣層IS13的一部分，而不包括絕緣層IL1和絕緣層IL2；而突起部分PP2可包括第三絕緣層IS13、絕緣層IL1和絕緣層IL2的一部分，但不以此為限。
請參考圖5A和圖5B，圖5A為本揭露第四實施例的電子裝置的局部放大俯視示意圖，而圖5B為本揭露第四實施例的電子裝置沿切線D-D’的剖視示意圖。為了簡化附圖，圖5A僅示出了電子裝置的部分膜層和元件。此外，圖5B示出了電子裝置400在主要結構MP的邊緣處的一部分的剖視結構。根據本實施例，電子裝置400除了上述的元件和/或膜層外還可包括第二絕緣結構IS2，其中第二絕緣結構IS2可設置在第一絕緣結構IS1上。例如，如圖5B所示，電子裝置400的第二絕緣結構IS2可設置在第一絕緣結構IS1上，並接觸於第一絕緣結構IS1，但不以此為限。具體來說，電子裝置400的電路層CL(圖未示)的絕緣層IL1和絕緣層IL2(圖未示)的一部分可被移除，並暴露出第一絕緣結構IS1的一部分，而第二絕緣結構IS2可設置在第一絕緣結構IS1被暴露出的一部分上，並接觸於第一絕緣結構IS1，但不以此為限。此外，在移除絕緣層IL1和絕緣層IL2的一部分之後，可暴露出絕緣結構IS1的凹槽GR。本實施例的第二絕緣結構IS2可具有絕緣部分IP，或是說可由絕緣部分IP所形成。即，絕緣部分IP可設置在第一絕緣結構IS1上。絕緣部分IP可包括任何適合的有機材料，但不以此為限。換言之，第二絕緣結構IS2可包括有機材料。須注意的是，圖5B所示的結構僅為示例性的，本揭露並不以此為限。在一些實施例中，圖5B所示的第一絕緣結構IS1中未對應到凹槽GR和第二絕緣結構IS2的一部分上的絕緣層IL1和/或絕緣層IL2可不被移除。
如圖5B所示，電子裝置400還可包括一絕緣層IL5，其中絕緣層IL5可設置在第二絕緣結構IS2上，並覆蓋第二絕緣結構IS2，但不以此為限。換言之，第二絕緣結構IS2(或絕緣部分IP)可設置在絕緣層IL5與第一絕緣結構IS1之間。絕緣層IL5可包括任何適合的無機材料，但不以此為限。此外，在本實施例中，對應於凹槽GR和第二絕緣結構IS2的絕緣層IL1和絕緣層IL2的一部分可被移除，而絕緣層IL3可填入凹槽GR中，並設置在第二絕緣結構IS2上，但不以此為限。具體來說，絕緣層IL3可覆蓋絕緣層IL5，而絕緣層IL5可位於第二絕緣結構IS2與絕緣層IL3之間。換言之，絕緣層IL5可將第二絕緣結構IS2與絕緣層IL3分隔開。在本實施例中，第二絕緣結構IS2和絕緣層IL3可包括有機材料，而第二絕緣結構IS2的材料可與絕緣層IL3的材料相同或不同。須注意的是，雖然圖5B示出了第二絕緣結構IS2上設置有一層絕緣層IL5的結構，但本揭露並不以此為限。在一些實施例中，電子裝置400可包括兩層或更多層的絕緣層，設置在第二絕緣結構IS2上並覆蓋第二絕緣結構IS2。
根據本實施例，如圖5A所示，在電子裝置400的俯視方向上，第二絕緣結構IS2(或絕緣部分IP)可被圖案化而具有環狀結構，而第二絕緣結構IS2可圍繞電子元件EL設置，但不以此為限。即，電子元件EL在電子裝置400的俯視方向上可位於第二絕緣結構IS2的環狀結構所圍成的區域中。須注意的是，雖然圖5A未示出，第二絕緣結構IS2在電子裝置400的俯視方向上可圍繞電子裝置400中的主動元件(例如電晶體TS)設置，但不以此為限。此外，在電子裝置400的俯視方向上，第二絕緣結構IS2可設置在電子元件EL與第一絕緣結構IS1的凹槽GR之間，即凹槽GR相較於第二絕緣結構IS2可較遠離電子元件EL，但不以此為限。須注意的是，本實施例的凹槽GR的結構及排列方式並不以圖5A所示為限，而可參考上述各實施例的凹槽GR的結構及排列方式。根據本實施例，由於電子裝置400可包括第二絕緣結構IS2，其中第二絕緣結構IS2在電子裝置400的俯視方向上可圍繞電子元件EL，因此可藉由第二絕緣結構IS2降低電子裝置400中的有機層(例如絕緣層IL3，但不以此為限)的有機材料溢流至電子裝置400外並產生水氣和/或氧氣的傳遞路徑的可能性，進而降低電子裝置400的電子元件EL和/或主動元件受到水氣和/或氧氣的影響而產生異常的情形。具體來說，具有環狀結構的第二絕緣結構IS2可例如作為擋牆(dam)，以降低有機層的有機材料溢流的可能性。本實施例中電子裝置400包括第二絕緣結構IS2的特徵可應用到本揭露各實施例中。
如圖5A和圖5B所示，電子裝置400的主要結構MP可具有邊緣ED，其中主要結構MP的邊緣ED可位於第二絕緣結構IS2之外。此處“邊緣ED位於第二絕緣結構IS2之外”可表示邊緣ED相較於第二絕緣結構IS2可較遠離電子元件EL，但不以此為限。因此，邊緣ED與第二絕緣結構IS2(或絕緣部分IP)之間可具有一距離D1，其中距離D1可大於0。距離D1可例如為絕緣部分IP的外緣與邊緣ED在平行於基板SB表面(例如XY平面)的方向(例如方向X)上的最小距離，但不以此為限。上述的絕緣部分IP的外緣可指絕緣部分IP在電子裝置400的俯視圖中的最外側或是在電子裝置400的剖視圖中的下底的最外側，但不以此為限。根據本實施例，邊緣ED與第二絕緣結構IS2之間的距離D1可大於或等於3.6微米(μm)且小於或等於360μm(即3.6μm≦D1≦360μm)，但不以此為限。當距離D1小於3.6μm時，第二絕緣結構IS2可與主要結構MP的邊緣ED過近，使得有機材料溢流時較容易延伸至邊緣ED，並形成水氣和/或氧氣的傳遞路徑以影響電子元件EL和/或主動元件的功能。當距離D1大於360μm時，第二絕緣結構IS2可與主要結構MP的邊緣ED過遠，進而減少電子元件ED和/或主動元件的設置空間，或者，第二絕緣結構IS2阻擋有機材料的溢流的功能可被減弱。因此，藉由使邊緣ED與第二絕緣結構IS2之間的距離D1位於上述範圍內，可在降低對於電子元件EL和/或主動元件的設置空間的影響的情形下減少有機材料溢流至電子裝置400外以形成水氣和/或氧氣的傳遞路徑的可能性。須注意的是，雖然圖5B示出了主要結構MP的邊緣ED可突出於第一絕緣結構IS1的結構，但其僅為示例性的，本實施例並不以此為限。
如圖5B所示，本實施例的電子裝置400的第一絕緣結構IS1可包括由第一絕緣層IS11、第二絕緣層IS12和第三絕緣層IS3依序堆疊的多層結構，其中第三絕緣層IS3可位於在第一絕緣層IS11和第二絕緣層IS12上。根據本實施例，第三絕緣層IS13鄰近於主要結構MP的邊緣(例如邊緣ED)的一部分可被移除，並暴露出第二絕緣層IS12的一部分，但不以此為限。換言之，第三絕緣層IS13可朝遠離主要結構MP的邊緣ED的方向減少面積。藉由移除第三絕緣層IS13鄰近於主要結構MP的邊緣ED的一部分，可降低第一絕緣結構IS1的邊緣因應力而產生裂痕的可能性，進而降低裂痕從第一絕緣結構IS1的邊緣延伸到電子元件EL和/或主動元件的情形。須注意的是，本實施例的第一絕緣結構IS1的結構並不以圖5B所示為限。在一些實施例中，第一絕緣層IS11和/或第二絕緣層IS12鄰近於主要結構MP的邊緣ED的一部分亦可被移除。
如圖5B所示，本實施例的第一絕緣結構IS1可包括一末端部分EP，其中末端部分EP可鄰近於主要結構MP的邊緣ED。末端部分EP可藉由凹槽GR所定義。具體來說，本實施例的第一絕緣結構IS1的凹槽GR可藉由移除第三絕緣層IS13的一部分所形成，而凹槽GR可將第三絕緣層IS13分成至少兩個部分，其中第三絕緣層IS13鄰近於主要結構MP的邊緣ED的一部分可定義為第一絕緣結構IS1的末端部分EP，但不以此為限。在一些實施例中，凹槽GR可藉由移除第二絕緣層IS12和第三絕緣層IS13的一部分所形成，而末端部分EP可包括第二絕緣層IS12和第三絕緣層IS13鄰近於主要結構MP的邊緣ED的一部分。根據本實施例，由於第三絕緣層IL3鄰近於主要結構MP的邊緣ED的一部分可被移除，因此主要結構MP的邊緣ED可位於第一絕緣結構的末端部分EP之外，而末端部分EP與主要結構MP的邊緣ED之間可具有距離D2，其中距離D2可大於0。此處“邊緣ED位於末端部分EP之外”可表示邊緣ED相較於末端部分EP可較遠離電子元件EL，但不以此為限。此外，距離D2可表示第三絕緣層IS13朝遠離邊緣ED的方向縮小的長度，但不以此為限。距離D2可例如定義為末端部分EP的外緣與邊緣ED在平行於基板SB表面(例如XY平面)的方向(例如方向X)上之間的最小距離，但不以此為限。上述的末端部分EP的外緣可指末端部分EP在電子裝置400的俯視圖中的最外側或是在電子裝置400的剖視圖中的下底的最外側，但不以此為限。根據本實施例，末端部分EP與邊緣ED之間的距離D2可大於0且小於或等於180μm (即0＜D2≦180μm)，但不以此為限。當距離D2為0時，末端部分EP可切齊於主要結構MP的邊緣ED，而末端部分EP產生裂痕的可能性可增加。當距離D2大於180μm時，末端部分EP可與主要結構MP的邊緣ED過遠，進而減少電子緣件EL和/或主動元件的設置空間，或者，在形成凹槽GR時可能會破壞電子元件EL和/或主動元件或導致電子元件EL和/或主動元件的結構不穩。因此，藉由使末端部分EP與邊緣ED之間的距離D2位於上述範圍中，可在降低對於電子元件EL和/或主動元件的影響的情形下減少第一絕緣結構IS1的邊緣產生裂痕的可能性。
此外，本實施例的基板SB可包括多層結構，但不以此為限。例如，如圖5B所示，基板SB可包括第一層LR1、第二層LR2以及第三層LR3，其中第二層LR2可設置在第一層LR1與第三層LR3之間。在圖案化基板SB以形成主要結構MP與連接結構CP時，第一層LR1、第二層LR2和第三層LR3可皆被圖案化，但不以此為限。第一層LR1和第三層LR3可例如包括聚醯亞胺(polyimide，PI)，而第二層LR2可包括任何適合的氧化物，但不以此為限。藉由使基板SB的材料包括氧化物，可降低水氣和/或氧氣從基板SB側進入電子裝置400的可能性，進而降低電子元件EL和/或主動元件受到水氣和/或氧氣的影響而產生異常的可能性。本實施例中基板SB包括多層結構的特徵可應用到本揭露各實施例中。
請參考圖6，圖6為本揭露第五實施例的電子裝置的局部放大剖視示意圖。具體來說，圖6示出了電子裝置500在主要結構MP的邊緣處的一部分的剖視結構。本實施例的電子裝置500與圖5A和圖5B所示的電子裝置400主要的差異之一在於第二絕緣結構IS2的設計。根據本實施例，如圖6所示，電子裝置500可包括設置在第一絕緣結構IS1上的第二絕緣結構IS2，而第二絕緣結構IS2可具有絕緣部分IP，其中絕緣部分IP在電子裝置500的俯視方向上可重疊於第一絕緣部分IS1的凹槽GR。須注意的是，此處“絕緣部分IP在電子裝置500的俯視方向上可重疊於第一絕緣部分IS1的凹槽GR”可包括絕緣部分IP與第一絕緣部分IS1的至少一個凹槽GR重疊或至少部分重疊的實施例。由於絕緣部分IP在電子裝置500的俯視方向上可重疊於凹槽GR，因此絕緣部分IP的一部分可填入凹槽GR中，或是說絕緣部分IP的一部分可設置在凹槽GR中，但不以此為限。根據本實施例，藉由使第二絕緣結構IS2的絕緣部分IP在電子裝置500的俯視方向上重疊於凹槽GR，可降低凹槽GR和第二絕緣結構IS2的空間需求，進而改善電子裝置500的其他元件(例如電子元件EL)的空間配置。圖6所示的電子裝置500的其他元件和/或膜層的特徵可參考上述各實施例的內容，在此不再贅述。
此外，在本實施例中，主要結構MP的邊緣ED可在第一絕緣結構IS1的凹槽GR之外，而第一絕緣結構IS1的凹槽GR與主要結構MP的邊緣ED之間可具有一距離D3。此處“邊緣ED位於凹槽GR之外”可表示邊緣ED相較於凹槽GR可較遠離電子元件EL，但不以此為限。距離D3可例如定義為凹槽GR的外緣與邊緣ED在平行於基板SB表面(例如XY平面)的方向(例如方向X)上之間的最小距離，但不以此為限。上述的凹槽GR的外緣可指凹槽GR在電子裝置500的俯視圖中的最外側或是在電子裝置500的剖視圖中的下底的最外側，但不以此為限。須注意的是，當第一絕緣結構IS1具有複數個凹槽GR時，距離D3可定義為鄰近於主要結構MP的邊緣ED的凹槽GR的外緣與邊緣ED在平行於基板SB表面(例如X-Y平面)的方向(例如方向X)上之間的最小距離，但不以此為限。根據本實施例，距離D3可大於或等於1.2μm且小於或等於180μm(即1.2μm≦D3≦180μm)，但不以此為限。當距離D3小於1.2μm時，凹槽GR可與主要結構MP的邊緣ED過近，進而降低阻擋水氣和/或氧氣的效果。當距離D3大於180μm時，凹槽GR可與主要結構MP的邊緣ED過遠，進而減少電子緣件EL和/或主動元件的設置空間，或者，在形成凹槽GR時可能會破壞電子元件EL和/或主動元件或導致電子元件EL和/或主動元件的結構不穩。因此，藉由使凹槽GR與邊緣ED之間的距離D3位於上述範圍中，可在降低對於電子元件EL和/或主動元件的影響的情形下藉由凹槽GR降低水氣和/或氧氣進入電子裝置500的可能性。本實施例的凹槽GR與主要結構MP的邊緣ED之間的距離D3的範圍特徵可應用到本揭露各實施例中。
請參考圖7，圖7為本揭露第六實施例的電子裝置的局部放大俯視示意圖。具體來說，圖7示出了電子裝置600的第一絕緣結構IS1的凹槽GR的數個例子。根據本實施例，第一絕緣結構IS1可具有複數個凹槽GR，其中凹槽GR可藉由以任何適合的方式移除第一絕緣結構IS1的一部分所形成。換言之，凹槽GR可具有任何適合的形狀。在一些實施例中，第一絕緣結構IS1可具有凹槽GR5，其中凹槽GR5在電子裝置600的俯視方向上可具有圓形結構，而複數個凹槽GR5可排列以圍繞電子元件EL。相鄰的兩個凹槽GR5之間可定義出間隔SP。在一些實施例中，第一絕緣結構IS1可具有凹槽GR6，其中凹槽GR6在電子裝置600的俯視方向上可具有多個圓圈相連所形成的形狀，而複數個凹槽GR6可排列以圍繞電子元件EL。在一些實施例中，如圖7所示，第一絕緣結構IS1可與基板(未示出)具有相同的圖案，而第一絕緣結構IS1可設置在基板的主要結構和連接結構(未示出)上，其中第一絕緣結構IS1可具有凹槽GR7，而凹槽GR7可沿著第一絕緣結構IS1的邊緣設置。在此情形下，凹槽GR7可設置在基板的主要結構和連接結構上。本實施例的凹槽GR的結構可應用到本揭露各實施例。須注意的是，圖7所示的凹槽GR的結構僅為示例性的，本揭露並不以此為限。
綜上所述，本揭露提供了一種電子裝置，其包括基板和設置在基板上的第一絕緣結構。由於第一絕緣結構可具有至少一個凹槽，因此可降低裂痕從基板邊緣朝電子裝置內部延伸的可能性。如此一來，可降低電子裝置中的電子元件和/或主動元件受到水氣和/或氧氣的影響，進而改善電子裝置的性能或使用壽命。此外，電子裝置還可包括設置在第一絕緣結構上的第二絕緣結構，其中第二絕緣結構可降低電子裝置中的有機層的有機材料溢流至電子裝置外並產生水氣和/或氧氣的傳遞路徑的可能性，進而降低電子裝置的電子元件和/或主動元件受到水氣和/或氧氣的影響而產生異常的情形。
以上所述僅為本揭露之實施例，凡依本揭露申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本揭露之涵蓋範圍。
100,200,300,400,500,600:電子裝置
AA:主動區域
ADH:黏著層
AL:主動層
B1,B2:接合材料
BP:接合墊
C1,C2,SM:半導體
CE:連接元件
CL:電路層
CP:連接結構
CR:通道區
CT:接觸件
CW:導線
D1,D2,D3:距離
DE:汲極電極
DR:汲極區
DUM:虛設區域
E1,E2:電極
EG,ED:邊緣
EL:電子元件
EP:末端部分
ESS:靜電放電保護元件
FO:扇出區域
GE:閘極電極
GR,GRa,GRb,GR1,GR2,GR3,GR4,GR5,GR6,GR7,GR’:凹槽
H1:高度
IL1,IL2,IL3,IL4,INL,IL5:絕緣層
IP:絕緣部分
IS1:第一絕緣結構
IS11:第一絕緣層
IS12:第二絕緣層
IS13:第三絕緣層
IS2:第二絕緣結構
L1,L2:延伸線
LE:發光元件
LR1:第一層
LR2:第二層
LR3:第三層
LSB:支撐基板
MP:主要結構
MP1:第一主要結構
MP2:第二主要結構
OE:外部電子元件
OPE:開口
P1:島狀部分
PC:周邊電路區域
PL:保護層
PO1,PO2:點
PP:突出部分
PP1,PP2:突起部分
PR:周邊區域
PX:像素
R1:第一區
R2:第二區
RR,RR’:凹陷區域
S1:底面
SB:基板
SE:源極電極
SEL,M1,M2,M3:導電層
SP:間隔
SR:源極區
SW:側壁
T1,T2:深度
TS :電晶體
α,θ1:夾角
X,Y,Z:方向
A-A’,B-B’,C-C’,D-D’:切線
圖1為本揭露第一實施例的電子裝置的俯視示意圖。
圖2A為本揭露第一實施例的電子裝置的局部放大俯視示意圖。
圖2B為本揭露第一實施例的電子裝置沿切線A-A’的剖視示意圖。
圖3A為本揭露第二實施例的電子裝置的局部放大俯視示意圖。
圖3B為本揭露第二實施例的電子裝置沿切線B-B’的剖視示意圖。
圖4A為本揭露第三實施例的電子裝置的局部放大俯視示意圖。
圖4B為本揭露第三實施例的電子裝置沿切線C-C’的剖視示意圖。
圖5A為本揭露第四實施例的電子裝置的局部放大俯視示意圖。
圖5B為本揭露第四實施例的電子裝置沿切線D-D’的剖視示意圖。
圖6為本揭露第五實施例的電子裝置的局部放大剖視示意圖。
圖7為本揭露第六實施例的電子裝置的局部放大俯視示意圖。
100:電子裝置
CP:連接結構
CW:導線
EL:電子元件
GR:凹槽
IS1:第一絕緣結構
LE:發光元件
MP:主要結構
MP1:第一主要結構
MP2:第二主要結構
P1:島狀部分
PX:像素
RR:凹陷區域
SB:基板
α:夾角
X,Y,Z:方向
A-A’:切線
Claims (13)
- 一種電子裝置，包括： 一第一主要結構； 一第二主要結構，鄰近於所述第一主要結構； 一連接結構，連接所述第一主要結構和所述第二主要結構； 一第一半導體，設置在所述第一主要結構上；以及 一第一絕緣結構，設置在所述第一半導體與所述第一主要結構之間，所述第一絕緣結構具有一第一凹槽。
- 根據請求項1所述的電子裝置，其中，所述第一絕緣結構具有一第一末端部分，鄰近於所述第一主要結構的一邊緣，所述邊緣在所述第一末端部分之外，所述第一末端部分與所述第一主要結構的所述邊緣之間具有一距離，所述距離大於0。
- 根據請求項2所述的電子裝置，其中，所述距離小於或等於180微米。
- 根據請求項1所述的電子裝置，其中，所述第一主要結構的一邊緣在所述第一凹槽之外，所述第一凹槽與所述邊緣之間具有一距離，所述距離大於或等於1.2微米且小於或等於180微米。
- 根據請求項1所述的電子裝置，還包括一導線，設置在所述第一絕緣結構上，所述導線從所述第一主要結構延伸到所述連接結構並跨越所述第一凹槽。
- 根據請求項1所述的電子裝置，其中，所述第一絕緣結構具有一第二凹槽，位於所述第一主要結構上，且所述第一凹槽與所述第二凹槽藉由一間隔分隔開。
- 根據請求項6所述的電子裝置，其中，所述第一凹槽的深度與所述第二凹槽的深度不同。
- 根據請求項6所述的電子裝置，還包括一導線，設置在所述第一絕緣結構上，所述導線從所述第一主要結構延伸到所述連接結構並經過所述間隔。
- 根據請求項1所述的電子裝置，還包括一第二絕緣結構，設置在所述第一絕緣結構上，所述第二絕緣結構具有一絕緣部分，所述絕緣部分重疊於所述第一凹槽。
- 根據請求項9所述的電子裝置，其中，所述絕緣部分的一部分設置在所述第一凹槽中。
- 根據請求項1所述的電子裝置，還包括一第二絕緣結構，設置在所述第一絕緣結構上，所述第二絕緣結構具有一絕緣部分，所述第一主要結構的一邊緣在所述第二絕緣結構之外，所述絕緣部分與所述邊緣之間具有一距離，所述距離大於0。
- 根據請求項11所述的電子裝置，其中，所述距離大於或等於3.6微米且小於或等於360微米。
- 根據請求項1所述的電子裝置，還包括一第二半導體，設置在所述第二主要結構上，所述第一絕緣結構還設置在所述第二半導體與所述第二主要結構之間。
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