TWI684266B - 可撓式面板及其製作方法 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種可撓式面板及其製作方法。上述的可撓式面板包括可撓式基底、第一絕緣層、第一層間絕緣層、第二層間絕緣層、元件陣列、多個接墊及多個緩衝圖案。第一絕緣層位於可撓式基底上。第一層間絕緣層及第二層間絕緣層位於第一絕緣層上。元件陣列位於可撓式基底上。多個接墊分別電性連接於元件陣列。多個緩衝圖案不與多個接墊接觸且包括位於可撓式基底上的第一圖案及第二圖案。第一圖案的延伸方向與第二圖案的延伸方向形成大於0度且小於180度的夾角。

Description

可撓式面板及其製作方法

本發明是有關於一種半導體及其製作方法，且特別是有關於一種可撓式面板及其製作方法。

隨著携帶式面板被廣泛地應用，針對可撓性面板之開發也越趨積極，以實現於不同曲面下仍可顯示的目的。一般來說，可撓性面板所使用的基板為可撓性基板，然而，於製造可撓性面板的過程時，將可撓性基板與載板分離後通常會因其產生的應力造成可撓性基板上的接墊之間距發生過大的變化量，以致於在後續進行封裝時會使得在晶片與接墊接合的過程中發生對位不佳以及接合的良率不佳等問題。

因此，如何解決上述問題實已成目前亟欲解決的課題。

本發明之至少一實施例提供一種可撓式面板，其具有高的可靠度以及低的製造成本。

本發明之至少一實施例提供一種可撓式面板的製造方法，其可提升製造可撓式面板的良率及可靠度，且可降低製造可撓式面板的成本。

本發明之至少一實施例的可撓式面板包括可撓式基底、第一絕緣層、第一層間絕緣層、第二層間絕緣層、元件陣列、多個接墊及多個緩衝圖案。第一絕緣層位於可撓式基底上。第一層間絕緣層位於第一絕緣層上。第二層間絕緣層位於第一絕緣層上。元件陣列位於可撓式基底上。多個接墊分別電性連接於元件陣列且包括第一金屬層以及第二金屬層。第一金屬層位於第一絕緣層上。第二金屬層位於第二層間絕緣層上。第二金屬層藉由開口與第一金屬層電性連接。各個緩衝圖案不與多個接墊接觸且包括第一圖案以及第二圖案。第一圖案以及第二圖案位於可撓式基底上第一圖案的延伸方向與第二圖案的延伸方向形成夾角，且夾角為大於0度且小於180度。

本發明之至少一實施例的可撓式面板的製作方法包括以下步驟。提供載板。形成基底材料層於載板上。形成第一絕緣層於基底材料層上。形成第一層間絕緣層位於第一絕緣層上。形成第二層間絕緣層位於第一絕緣層上。形成元件陣列於基底材料層上。形成多個接墊。各個接墊分別電性連接於元件陣列且包括第一金屬層以及第二金屬層。第一金屬層位於第一絕緣層上。第二金屬層位於第二層間絕緣層上。第二金屬層藉由開口與第一金屬層電性連接。形成多個緩衝圖案。各個緩衝圖案不與多個接墊接觸且包括第一圖案以及第二圖案。第一圖案以及第二圖案位於可撓式基底上，第一圖案的延伸方向與第二圖案的延伸方向形成夾角，且夾角為大於0度且小於180度。進行剝離製程分離基底材料層與載板以形成前述實施例的可撓式面板。將電路元件與可撓式面板的多個接墊接合。

基於上述，本發明之至少一實施方式的可撓性面板及其製造方法透過於可撓性基底上設置包括第一圖案與第二圖案的緩衝圖案，且第一圖案的延伸方向與第二圖案的延伸方向形成夾角，藉此可於後續進行封裝時提高晶片與多個接墊接合的良率及可靠度，且可使雷射射束的提供方向更具有彈性，進而縮短可撓式面板的製造時間。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

以下將參照本實施例之圖式以更全面地闡述本發明。然而，本發明亦可以各種不同的形式體現，而不應限於本文中所述之實施例。圖式中的層與區域的厚度會為了清楚起見而放大。相同或相似之參考號碼表示相同或相似之元件，以下段落將不再一一贅述。另外，實施例中所提到的方向用語，例如：上、下、左、右、前或後等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用來說明並非用來限制本發明。

圖1A為本發明第一實施例之可撓式面板的上視示意圖。圖1B為本發明第一實施例之可撓式面板的剖面示意圖。在此需說明的是，圖1B是對應於圖1A的剖線A1-A1’。圖1C是圖1A中的區域R的放大圖。

請同時參照圖1A、圖1B以及圖1C，在本實施方式中，可撓式面板10包括可撓式基底100、第一絕緣層BL1、第一層間絕緣層IL1、第二層間絕緣層IL2、元件陣列110、多個接墊120以及多個緩衝圖案130。

在本實施方式中，可撓式基底100的材料可例如為有機聚合物。舉例而言，可撓式基底100的材料可為聚醯亞胺（polyimide；PI）、聚萘二甲酸乙醇酯（polyethylene naphthalate；PEN）、聚對苯二甲酸乙二酯（polyethylene terephthalate；PET）、聚碳酸酯（polycarbonates；PC）、聚醚碸（polyether sulfone；PES）或聚芳基酸酯（polyarylate），或其它合適的材料、或前述至少二種材料之組合。

在本實施方式中，第一絕緣層BL1位於可撓式基底100上。第一絕緣層BL1的材料可為無機材料（例如：氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、或上述至少二種材料的堆疊層）、有機材料（例如：聚醯亞胺系樹脂、環氧系樹脂或壓克力系樹脂）或上述之組合，但本發明不以此為限。在本實施方式中，第一絕緣層BL1可為單層結構或多層結構。舉例而言，第一絕緣層BL1可為由氧化矽與氮化矽交錯堆疊組成的多層結構，但不以此為限。

在本實施方式中，第一層間絕緣層IL1位於第一絕緣層BL1上。第一層間絕緣層IL1的材料可為無機材料（例如：氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、或上述至少二種材料的堆疊層）、有機材料（例如：聚醯亞胺系樹脂、環氧系樹脂或壓克力系樹脂）或上述之組合，但本發明不以此為限。在本實施方式中，第一層間絕緣層IL1可為單層結構或多層結構。舉例而言，第一層間絕緣層IL1可為包括氧化矽的單層結構，但不以此為限。

在本實施方式中，第二層間絕緣層IL2位於第一絕緣層BL1上。第二層間絕緣層IL2的材料可為無機材料（例如：氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、或上述至少二種材料的堆疊層）、有機材料（例如：聚醯亞胺系樹脂、環氧系樹脂或壓克力系樹脂）或上述之組合，但本發明不以此為限。在本實施方式中，第二層間絕緣層IL2可為單層結構或多層結構。舉例而言，第二層間絕緣層IL2可為由氧化矽與氮化矽堆疊組成的雙層結構，但不以此為限。

在本實施方式中，元件陣列110位於可撓式基底100上，元件陣列110例如位於可撓式基底100的顯示區102。元件陣列110例如為畫素陣列，畫素陣列例如為有機發光二極體畫素陣列，但不以此為限。元件陣列110可包括多個主動元件T、多條掃描線SL、多條資料線DL以及多個畫素電極PE。主動元件T可為頂部閘極型薄膜電晶體或底部閘極型薄膜電晶體。各個主動元件T例如包括閘極G、源極S、半導體層SE以及汲極D。多條掃描線SL分別與對應的閘極G電性連接，多條資料線DL分別與對應的源極S電性連接，源極S以及汲極D各自與半導體層SE電性連接，且多個畫素電極PE分別與對應的汲極D電性連接。在本實施方式中，畫素電極PE可藉由開口H4與汲極D電性連接。在本實施方式中，主動元件T的材料可包括（但不限於）：金屬、合金、金屬材料之氮化物、金屬材料之氧化物、金屬材料之氮氧化物、透明導電材料、其他非金屬但具導電特性的材料、或是其它合適的材料。畫素電極PE的材料可包括透明導電材料或不透明導電材料。所述透明導電材料可包括（但不限於）：金屬氧化物導電材料，例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、其他合適的氧化物、或者是上述至少二者之堆疊層。所述不透明導電材料可包括（但不限於）：金屬。

在本實施方式中，多個接墊120分別電性連接於元件陣列110，多個接墊120例如位於可撓式基底100的周邊區104。周邊區104舉例係圍繞顯示區102，但本發明不以此為限。多個接墊120例如位於第一絕緣層BL1上。各個接墊120包括依序堆疊的第一金屬圖案122以及第二金屬圖案124，第一金屬圖案122位於第一絕緣層BL1上，且第二金屬圖案124位於第二層間絕緣層IL2上。第二金屬圖案124例如藉由設置於第一層間絕緣層IL1以及第二層間絕緣層IL2中的開口H1與第一金屬圖案122電性連接。第一金屬圖案122以及第二金屬圖案124的材料例如是鋁、鉬、鈦、金、銦、錫或其組合。然而，本發明不以此為限，在其他實施方式中，第一金屬圖案122以及第二金屬圖案124的材料例如是合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物等的其他導電材料。

在本實施方式中，掃描線SL以及主動元件T的閘極G例如與第一金屬圖案122由同層金屬層所形成，且資料線DL以及主動元件T的源極S與汲極D例如與第二金屬圖案124由另一同層金屬層形成。

在本實施方式中，多個緩衝圖案130不與多個接墊120接觸，多個緩衝圖案130例如位於可撓式基底100的周邊區104。各個緩衝圖案130包括彼此連接並接觸的第一圖案132以及第二圖案134。多個第一圖案132以及多個第二圖案134的材料分別例如為金屬、多晶矽半導體或其組合。多個第一圖案132以及多個第二圖案134例如位於可撓式基底100上。在本實施方式中，多個第一圖案132以及多個第二圖案134皆位於可撓式基底100與第一絕緣層BL1之間，且第一圖案132與對應的第二圖案134接觸。從另一個方向來看，多個第一圖案132以及多個第二圖案134位於兩相鄰接墊120之間。在本實施方式中，各個第一圖案132的延伸方向與各個第二圖案134的延伸方向形成夾角，上述夾角可為大於0度且小於180度，而在較佳的實施方式中，上述夾角為大於0度且小於或等於90度。

在本實施方式中，由於將多個第一圖案132以及多個第二圖案134設置於多個接墊120中的相鄰二者之間，因此可減少由應力造成的接墊120之間的間距改變。在藉由進行雷射剝除製程而將可撓式基底100由載板（未繪示）上剝除時，避免其產生的應力使得可撓式基底100彎曲而造成的多個接墊120之間的間距變化，以在後續進行封裝時提高晶片與多個接墊120接合的良率及可靠度。

此外，在本實施方式中，第一圖案132的延伸方向與第二圖案134的延伸方向形成夾角，因此多個第一圖案132與多個第二圖案134中的至少一者不與多個接墊120的延伸方向平行，在進行前述雷射剝除製程時，可不需刻意使雷射方向與可撓式基底100的延伸方向具有特定角度，藉此可使雷射射束的提供方向更具有彈性，進而縮短可撓式面板10的製造時間。

圖2A為本發明第二實施例之可撓式面板的上視示意圖。圖2B為本發明第二實施例之可撓式面板的剖面示意圖。在此需說明的是，圖2B是對應於圖2A的剖線A2-A2’。此外，圖2A以及圖2B的實施例分別沿用圖1A以及圖1B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。值得一提的是，圖2A省略了顯示區102的繪示。

請同時參照圖2A以及圖2B，圖2A所繪示之可撓式面板20與圖1A所繪示之可撓式面板10的主要差異在於：多個第一圖案132中的一者不與對應的第二圖案134接觸。

在本實施方式中，多個第一圖案132中的一者不與對應的第二圖案134接觸且具有間距S1。第一圖案132與第二圖案134之間的間距S1例如為大於0微米且小於或等於16微米，在較佳的實施方式中，第一圖案132與第二圖案134之間的間距S1為大於0微米且小於或等於8微米。

在本實施方式中，由於將多個第一圖案132以及多個第二圖案134設置於多個接墊120中的相鄰二者之間，因此可減少由應力造成的多個接墊120之間的間距改變。在藉由進行雷射剝除製程而將可撓式基底100由載板（未繪示）上剝除時，避免其產生的應力使得可撓式基底100彎曲而造成的多個接墊120之間的間距變化，以在後續進行封裝時提高晶片與多個接墊120接合的良率及可靠度。

此外，在本實施方式中，第一圖案132的延伸方向與第二圖案134的延伸方向形成夾角，因此多個第一圖案132與多個第二圖案134中的至少一者不與多個接墊120的延伸方向平行，在進行前述雷射剝除製程時，可不需刻意使雷射方向與可撓式基底100的延伸方向具有特定角度，藉此可使雷射射束的提供方向更具有彈性，進而縮短可撓式面板20的製造時間。

圖3A為本發明第三實施例之可撓式面板的上視示意圖。圖3B為本發明第三實施例之可撓式面板的剖面示意圖。在此需說明的是，圖3B是對應於圖3A的剖線A3-A3’。此外，圖3A以及圖3B的實施例分別沿用圖1A以及圖1B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。值得一提的是，圖3A省略了顯示區102的繪示。

請同時參照圖3A以及圖3B，圖3A所繪示之可撓式面板30與圖1A所繪示之可撓式面板10的主要差異在於：多個第一圖案132與多個第二圖案134中的至少一者於垂直投影方向D1上重疊於多個接墊120中的一者。

在本實施方式中，多個第一圖案132與多個第二圖案134中的至少一者例如對應著接墊120設置，且位於接墊120與可撓式基底100之間。在本實施方式中，第一圖案132與第二圖案134接觸，但不以此為限。在其他實施方式中，多個第一圖案132可不與多個第二圖案134接觸。

在本實施方式中，由於多個第一圖案132與多個第二圖案134中的至少一者於垂直投影方向D1上重疊於多個接墊120中的一者，因此可減少由應力造成的多個接墊120之間的間距改變。在藉由進行雷射剝除製程而將可撓式基底100由載板（未繪示）上剝除時，避免其產生的應力使得可撓式基底100彎曲而造成的多個接墊120之間的間距變化，以在後續進行封裝時提高晶片與多個接墊120接合的良率及可靠度。

此外，在本實施方式中，第一圖案132的延伸方向與第二圖案134的延伸方向形成夾角，因此多個第一圖案132與多個第二圖案134中的至少一者不與多個接墊120的延伸方向平行，在進行前述雷射剝除製程時，可不需刻意使雷射方向與可撓式基底100的延伸方向具有特定角度，藉此可使雷射射束的提供方向更具有彈性，進而縮短可撓式面板30的製造時間。

圖4A為本發明第四實施例之可撓式面板的上視示意圖。圖4B為本發明第四實施例之可撓式面板的剖面示意圖。在此需說明的是，圖4B是對應於圖4A的剖線A4-A4’。此外，圖4A以及圖4B的實施例分別沿用圖1A以及圖1B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。值得一提的是，圖4A省略了顯示區102的繪示。

請同時參照圖4A以及圖4B，圖4A所繪示之可撓式面板40與圖1A所繪示之可撓式面板10的主要差異在於：第一圖案132位於第一絕緣層BL1以及第一層間絕緣層IL1之間，且第二圖案134位於第二層間絕緣層IL2上。

第一圖案132例如與第一金屬圖案122是由同層金屬層所形成，且第二圖案134例如與第二金屬圖案124是由另一同層金屬層所形成。亦即，在本實施方式中，第一圖案132的材料與第一金屬圖案122的材料相同，且第二圖案134的材料與第二金屬圖案124的材料相同，但不以此為限。在其他實施方式中，第二圖案134可位於第一絕緣層BL1以及第一層間絕緣層IL1之間，且第一圖案132可位於第二層間絕緣層IL2上。在本實施方式中，第一圖案132與第二圖案134於垂直投影方向D1上不重疊，但不以此為限。在其他實施方式中，第一圖案132與第二圖案134於垂直投影方向上D1可部分重疊，舉例來說，第一圖案132之側邊與第二圖案134之側邊於垂直投影方向上D1重疊，且第一圖案132與第二圖案134不形成重疊面積。

在本實施方式中，由於將多個第一圖案132以及多個第二圖案134設置於多個接墊120中的相鄰二者之間，因此可減少由應力造成的多個接墊120之間的間距改變。在藉由進行雷射剝除製程而將可撓式基底100由載板（未繪示）上剝除時，避免其產生的應力使得可撓式基底100彎曲而造成的多個接墊120之間的間距變化，以在後續進行封裝時提高晶片與多個接墊120接合的良率及可靠度。

此外，在本實施方式中，第一圖案132的延伸方向與第二圖案134的延伸方向形成夾角，因此多個第一圖案132與多個第二圖案134中的至少一者不與多個接墊120的延伸方向平行，在進行前述雷射剝除製程時，可不需刻意使雷射方向與可撓式基底100的延伸方向具有特定角度，藉此可使雷射射束的提供方向更具有彈性，進而縮短可撓式面板40的製造時間。

圖5A為本發明第五實施例之可撓式面板的上視示意圖。圖5B為本發明第五實施例之可撓式面板的剖面示意圖。在此需說明的是，圖5B是對應於圖5A的剖線A5-A5’。此外，圖5A以及圖5B的實施例分別沿用圖4A以及圖4B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。值得一提的是，圖5A省略了顯示區102的繪示。

請同時參照圖5A以及圖5B，圖5A所繪示之可撓式面板50與圖4A所繪示之可撓式面板40的主要差異在於：由第一圖案132的延伸方向與第二圖案134的延伸方向形成的夾角為90度。

在本實施方式中，由第一圖案132的延伸方向與第二圖案134的延伸方向形成的夾角為90度，且第二圖案134的延伸方向與接墊120的延伸方向平行，但不以此為限。在其他實施方式中，第一圖案132的延伸方向與接墊120的延伸方向平行。其餘部分請參考前述實施例，在此不贅述。

圖6A為本發明第六實施例之可撓式面板的上視示意圖。圖6B為本發明第六實施例之可撓式面板的剖面示意圖。在此需說明的是，圖6B是對應於圖6A的剖線A6-A6’。此外，圖6A以及圖6B的實施例分別沿用圖1A以及圖1B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。值得一提的是，圖6A省略了顯示區102的繪示。

請同時參照圖6A以及圖6B，圖6A所繪示之可撓式面板60與圖1A所繪示之可撓式面板10的主要差異在於：(a)可撓式面板60更包括第二絕緣層BL2，且(b)各個緩衝圖案130的第一圖案132與第二圖案134相交並於垂直投影方向D1上與接墊120重疊。

在本實施方式中，第二絕緣層BL2位於第一絕緣層BL1上且位於緩衝圖案130與接墊120之間。第二絕緣層BL2的材料可為無機材料（例如：氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、或上述至少二種材料的堆疊層）、有機材料（例如：聚醯亞胺系樹脂、環氧系樹脂或壓克力系樹脂）或上述之組合，但本發明不以此為限。在本實施方式中，第二絕緣層BL2可為單層結構或多層結構。舉例而言，第二絕緣層BL2可為包括氧化矽的單層結構，但不以此為限。

在本實施方式中，各個緩衝圖案130的第一圖案132與第二圖案134相交並於垂直投影方向D1上與接墊120重疊，且第一圖案132與第二圖案134之間具有第一絕緣層BL1。各個緩衝圖案130的第一圖案132與第二圖案134舉例係構成十字。在本實施方式中，第一圖案132可與兩個第二圖案134相交，第二圖案134可與兩個第一圖案132相交，第一圖案132與第二圖案134相交處可於垂直投影方向D1上與接墊120重疊。多個第一圖案132與多個第二圖案134構成網狀圖案，網狀圖案的延伸方向與接墊120的延伸方向垂直，網狀圖案於垂直投影方向D1上與多個接墊120重疊，但不以此為限。其餘部分請參考前述實施例，在此不贅述。

圖7為本發明第七實施例之可撓式面板的剖面示意圖。在此需說明的是，圖7是對應於圖1A的剖線A1-A1’。此外，圖7的實施例分別沿用圖1B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

請同時參照圖1A以及圖7，在本實施方式中，緩衝圖案130的第一圖案132以及第二圖案134位於第一絕緣層BL1以及第一層間絕緣層IL1之間。第一圖案132以及第二圖案134例如與第一金屬圖案122是由同層金屬層所形成。亦即，在本實施方式中，第一圖案132以及第二圖案134的材料與第一金屬圖案122的材料相同。在本實施方式中，第一圖案132與第二圖案134接觸，但不以此為限。在其他實施方式中，第一圖案132可不與第二圖案134接觸。其餘部分請參考前述實施例，在此不贅述。

圖8A為本發明第八實施例之可撓式面板的上視示意圖。圖8B為本發明第八實施例之可撓式面板的剖面示意圖。在此需說明的是，圖8B是對應於圖8A的剖線A7-A7’。此外，圖8A以及圖8B的實施例分別沿用圖1A以及圖1B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

請同時參照圖8A以及圖8B，圖8A所繪示之可撓式面板80與圖1A所繪示之可撓式面板10的主要差異在於：緩衝圖案130位於第二層間絕緣層IL2上。值得一提的是，圖8A省略了顯示區102的繪示。

在本實施方式中，緩衝圖案130的第一圖案132以及第二圖案134位於第二層間絕緣層IL2上。第一圖案132以及第二圖案134例如與第二金屬圖案124是由同層金屬層所形成。亦即，在本實施方式中，第一圖案132以及第二圖案134的材料與第二金屬圖案124的材料相同。在本實施方式中，第一圖案132與第二圖案134接觸，但不以此為限。在其他實施方式中，第一圖案132可不與第二圖案134接觸。其餘部分請參考前述實施例，在此不贅述。

為了詳細說明本實施方式之陣列基板的技術內容，以下更搭配圖9A至圖9F來說明本實施方式之陣列基板的製造方法。

圖9A至圖9F為依照本發明一實施之可撓性顯示器的製造方法的剖面示意圖。在此需說明的是，儘管圖9A至圖9F所繪示的可撓性顯示器的製造方法是以本發明的第八實施例之可撓性顯示器80為例進行說明，但不以此為限。

請參照圖9A，依續形成基底材料層100a、第一絕緣層BL1、半導體層SE、閘極絕緣層GI以及第一金屬層M1於載板200上。載板200可為硬質基板（rigid substrate），其在製造過程中不易受外力影響而變形。在本實施方式中，載板200的材料例如是玻璃、聚碳酸酯（polycarbonate，PC）、不銹鋼板或其組合。基底材料層100a的材料例如是聚醯亞胺（polyimide；PI）、聚萘二甲酸乙醇酯（polyethylene naphthalate；PEN）、聚對苯二甲酸乙二酯（polyethylene terephthalate；PET）、聚碳酸酯（polycarbonates；PC）、聚醚碸（polyether sulfone；PES）或聚芳基酸酯（polyarylate），或其它合適的材料、或前述至少二種材料之組合。基底材料層100a的形成方法例如是利用狹縫塗佈法（slit coating）、旋塗法（spin coating）或其組合。基底材料層100a例如具有顯示區102以及周邊區104。

第一絕緣層BL1的形成方法例如是利用物理氣相沉積法或化學氣相沉積法而形成。在本實施方式中，第一絕緣層BL1的材料及結構組成可參照前述實施方式，於此不再贅述。

半導體層SE形成於基底材料層100a的顯示區102中。半導體層SE的形成方法例如是利用微影蝕刻製程而形成。舉例來說，可先利用物理氣相沉積法或金屬化學氣相沉積法全面性地形成半導體材料層（未繪示）以覆蓋第一絕緣層BL1。接著，於半導體材料層上形成光阻材料層（未繪示）。利用光罩（未繪示）對光阻材料層（未繪示）進行微影製程，以形成圖案化光阻層（未繪示）。之後，以圖案化光阻層為罩幕，對半導體材料層進行蝕刻製程，以形成半導體層SE。半導體層SE的材料可為多晶矽，但本發明不以此為限。半導體層SE的材料亦可為非晶矽、微晶矽、單晶矽、奈米晶矽、金屬氧化物半導體、或其它具有不同晶格排列之半導體材料。

閘極絕緣層GI的形成方法例如是利用物理氣相沉積法或化學氣相沉積法而形成。閘極絕緣層GI的材料可為無機材料（例如：氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、或上述至少二種材料的堆疊層）、有機材料（例如：聚醯亞胺系樹脂、環氧系樹脂或壓克力系樹脂）或上述之組合，但本發明不以此為限。在本實施方式中，閘極絕緣層GI可為單層結構或多層結構。舉例而言，閘極絕緣層GI可為由氧化矽及氮化矽組成的雙層結構，但不以此為限。

第一金屬層M1的形成方法例如是利用物理氣相沉積法或金屬化學氣相沉積法後再進行微影蝕刻製程而形成。舉例來說，可先利用物理氣相沉積法或金屬化學氣相沉積法於閘極絕緣層GI上全面性地形成第一金屬材料層（未繪示）。接著，於第一金屬材料層上形成光阻材料層（未繪示）。利用光罩（未繪示）對光阻材料層（未繪示）進行微影製程，以形成圖案化光阻層（未繪示）。之後，以圖案化光阻層為罩幕，對第一金屬材料層進行蝕刻製程，以形成第一金屬層M1。在本實施例中，第一金屬層M1的材料及結構組成可參照前述實施例，於此不再贅述。請同時參照圖8A以及圖9A，形成於顯示區102中的第一金屬層M1可例如作為可撓式面板80的掃描線SL以及閘極G，形成於周邊區104中的第一金屬層M1則可例如作為接墊120的第一金屬圖案122。此外，形成於顯示區102中的閘極G例如對應著半導體層SE設置。

請參照圖9B，依續形成第一層間絕緣層IL1以及第二層間絕緣層IL2於第一絕緣層BL1上。舉例來說，第一層間絕緣層IL1形成於閘極絕緣層GI上且覆蓋第一金屬層M1，且第二層間絕緣層IL2形成於第一層間絕緣層IL1。第一層間絕緣層IL1以及第二層間絕緣層IL2的形成方法例如是利用物理氣相沉積法或化學氣相沉積法而形成。第一層間絕緣層IL1以及第二層間絕緣層IL2的材料可為無機材料（例如：氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、或上述至少二種材料的堆疊層）、有機材料（例如：聚醯亞胺系樹脂、環氧系樹脂或壓克力系樹脂）或上述之組合，但本發明不以此為限。在本實施方式中，第一層間絕緣層IL1以及第二層間絕緣層IL2的材料及結構組成可參照前述實施方式，於此不再贅述。

請參照圖9C，形成第二金屬層M2於第二層間絕緣層IL2上。第二金屬層M2的形成方法例如是利用物理氣相沉積法或金屬化學氣相沉積法後再進行微影蝕刻製程而形成。舉例來說，可先利用物理氣相沉積法或金屬化學氣相沉積法於第二層間絕緣層IL2上全面性地形成第二金屬材料層（未繪示）。接著，於第二金屬材料層上形成光阻材料層（未繪示）。利用光罩（未繪示）對光阻材料層（未繪示）進行微影製程，以形成圖案化光阻層（未繪示）。之後，以圖案化光阻層為罩幕，對第一金屬材料層進行蝕刻製程，以形成第二金屬層M2。在本實施例中，第二金屬層M2的材料及結構組成可參照前述實施例，於此不再贅述。在形成第二金屬層M2之前，可移除部分的閘極絕緣層GI、第一層間絕緣層IL1以及第二層間絕緣層IL2，以分別於周邊區104與顯示區102中形成開口H1與開口H2、H3，且第二金屬層M2填入開口H1與開口H2、H3。形成於顯示區102中且填入開口H2、H3的第二金屬層M2可分別作為可撓式面板80的源極S以及汲極D，且源極S以及汲極D分別與半導體層SE電性連接。形成於周邊區104中的第二金屬層M2則可作為接墊120的第二金屬圖案124以及緩衝層130的第一圖案132與第二圖案134。亦即，在本實施方式中，第一圖案132以及第二圖案134的材料與第二金屬圖案124的材料相同。在本實施方式中，第一圖案132與第二圖案134接觸，但不以此為限。在其他實施方式中，第一圖案132可不與第二圖案134接觸。

請參照圖9D，依續形成第三層間絕緣層IL3、平坦層PL以及導電層140於第二層間絕緣層IL2上。第三層間絕緣層IL3的形成方法例如是利用物理氣相沉積法或化學氣相沉積法而形成。第三層間絕緣層IL3的材料可為無機材料（例如：氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、或上述至少二種材料的堆疊層）、有機材料（例如：聚醯亞胺系樹脂、環氧系樹脂或壓克力系樹脂）或上述之組合，但本發明不以此為限。第三層間絕緣層IL3的材料可為無機材料（例如：氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、或上述至少二種材料的堆疊層）、有機材料（例如：聚醯亞胺系樹脂、環氧系樹脂或壓克力系樹脂）或上述之組合，但本發明不以此為限。在本實施方式中，第三層間絕緣層IL3可為單層結構或多層結構。舉例而言，第三層間絕緣層IL3可為包含氮化矽堆疊的單層結構，但不以此為限。

上述的平坦層PL的形成方法例如是利用物理氣相沉積法或化學氣相沉積法而形成。在本實施方式中，平坦層PL的材料可為無機材料（例如：氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、或上述至少二種材料的堆疊層）、有機材料（例如：聚醯亞胺系樹脂、環氧系樹脂或壓克力系樹脂）或上述之組合，但本發明不以此為限。平坦層PL可為單層結構，但本發明並不限於此。在其他實施方式中，平坦層PL也可為多層結構。平坦層PL可提供較佳的平整度，以利後續導電層140的形成。

上述的導電層140的形成方法可例如是利用濺鍍法而形成。導電層140的材料可為金屬氧化物導電材料（例如：銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物）、其它合適的氧化物、或者是上述至少二者之堆疊層。在形成導電層140之前，可移除部分的第三層間絕緣層IL3以及平坦層PL，以於顯示區102中形成開口H4而暴露出部分的汲極D的頂表面，且於周邊區104中形成開口H5而暴露出部分的接墊120的第二金屬圖案124的頂表面。導電層140包括多個畫素電極PE以及多個連接電極142，形成於顯示區102中的畫素電極PE可藉由開口H4與汲極D電性連接，形成於周邊區104中的連接電極142可藉由開口H5與接墊120的第二金屬圖案124電性連接。

請參照圖9E，進行剝離製程300，以分離基底材料層100a與載板200以形成包括圖8A以及圖8B所繪示的可撓式面板80的結構。在本實施方式中，剝離製程400例如是雷射剝離製程。提供雷射射束於載板200的外側並使雷射能量朝基底材料層100a的方向傳遞，以弱化基底材料層100a與載板200之間的接合性，接下來，將基底材料層100a由載板200上剝除，以分離基底材料層100a與載板200。雷射射束的能量例如是200~310 mJ/cm ²。在較佳的實施方式中，使基底材料層100a與載板200分離的雷射射束的能量例如是240 mJ/cm ²。值得一提的是，通常在進行雷射剝離製程時的雷射射束的行進方向會平行或垂直於接墊120的延伸方向。由於第一圖案132的延伸方向與第二圖案134的延伸方向形成夾角，且第一圖案132與第二圖案134中的至少一者的延伸方向不與接墊120的延伸方向平行。舉例而言，第一圖案132與第二圖案134中的一者的延伸方向與接墊120的延伸方向所形成之夾角為大於0度且小於180度。因此，在進行雷射剝離製程而將載板200至基底材料層100a上剝除時，由於雷射射束的行進方向不與第一圖案132或第二圖案134的延伸方向平行，其產生的應力可較小而可不使因基底材料層100a彎曲而造成的多個接墊120之間的間距變化，藉此可順利地分離載板200與基底材料層100a。在將基底材料層100a自載板200上取下後，可形成可撓性基底100。

請參照圖9F，將電路元件400與可撓式面板80的多個接墊120接合以形成可撓式裝置。在本實施方式中，電路元件400之多個端子（未繪示）分別與多個連接電極142接合並與對應的接墊120電性連接。在本實施方式中，電路元件400可為可撓性印刷電路板（FPCB）或薄膜覆晶封裝（COF）。在電路元件400為可撓性印刷電路板時，可例如藉由導電膠將可撓性印刷電路板設置於周邊區104且使可撓性印刷電路板與對應的接墊120電性連接。在電路元件400為薄膜覆晶封裝時，可將於其上壓合有驅動晶片的電路板與對應的接墊120電性連接。

綜上所述，本發明之至少一實施方式的可撓性面板及其製造方法透過於可撓性基底上設置多個緩衝圖案，藉此可減少因應力造成的相鄰兩接墊的間距的變化量，以在後續進行封裝時提高晶片與多個接墊接合的良率及可靠度。並且，在藉由進行雷射剝除製程將載板至可撓式基底上剝除時，由於多個緩衝圖案中的第一圖案與第二圖案的延伸方向形成特定夾角，藉此可於後續進行封裝時提高晶片與多個接墊接合的良率及可靠度，且可使雷射射束的提供方向更具有彈性，進而縮短可撓式面板的製造時間。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

10、20、30、40、50、60、70、80：可撓式面板 100：可撓式基底 100a：基底材料層 102：顯示區 104：周邊區 110：元件陣列 120：接墊 122：第一金屬圖案 124：第二金屬圖案 130：緩衝圖案 132：第一圖案 134：第二圖案 140：導電層 142：連接電極 200：載板 300：剝離製程 400：電路元件 A1-A1’、A2-A2’、A3-A3’、A4-A4’、A5-A5’、A6-A6’、A7-A7’：剖線 BL1：第一絕緣層 BL2：第二絕緣層 D：汲極 D1：垂直投影方向 DL：資料線 G：閘極 GI：閘極絕緣層 H1、H2、H3、H4、H5：開口 IL1：第一層間絕緣層 IL2：第二層間絕緣層 IL3：第三層間絕緣層 M1：第一金屬層 M2：第二金屬層 PE：畫素電極 PL：平坦層 R：區域 S：源極 SE：半導體層 SL：掃描線 S1：間距 T：主動元件

圖1A為本發明第一實施例及第七實施例之可撓式面板的上視示意圖。 圖1B為本發明第一實施例之可撓式面板的剖面示意圖。 圖1C是圖1A中的區域R的放大圖。 圖2A為本發明第二實施例之可撓式面板的上視示意圖。 圖2B為本發明第二實施例之可撓式面板的剖面示意圖。 圖3A為本發明第三實施例之可撓式面板的上視示意圖。 圖3B為本發明第三實施例之可撓式面板的剖面示意圖。 圖4A為本發明第四實施例之可撓式面板的上視示意圖。 圖4B為本發明第四實施例之可撓式面板的剖面示意圖。 圖5A為本發明第五實施例之可撓式面板的上視示意圖。 圖5B為本發明第五實施例之可撓式面板的剖面示意圖。 圖6A為本發明第六實施例之可撓式面板的上視示意圖。 圖6B為本發明第六實施例之可撓式面板的剖面示意圖。 圖7為本發明第七實施例之可撓式面板的剖面示意圖。 圖8A為本發明第八實施例之可撓式面板的上視示意圖。 圖8B為本發明第八實施例之可撓式面板的剖面示意圖。 圖9A至圖9F為依照本發明一實施之可撓性顯示器的製造方法的剖面示意圖。

10：可撓式面板 100：可撓式基底 102：顯示區 104：周邊區 110：元件陣列 120：接墊 130：緩衝圖案 132：第一圖案 134：第二圖案 A1-A1’：剖線 R：區域

Claims (14)

1. 一種可撓式面板，包括：一可撓式基底；一第一絕緣層，位於該可撓式基底上；一第一層間絕緣層位於該第一絕緣層上；一第二層間絕緣層位於該第一絕緣層上；一元件陣列，位於該可撓式基底上；多個接墊，分別電性連接於該元件陣列，各該接墊包括：一第一金屬圖案，位於該第一絕緣層上；以及一第二金屬圖案，位於該第二層間絕緣層上，其中該第二金屬圖案藉由一開口與該第一金屬圖案電性連接；以及多個緩衝圖案，不與該些接墊接觸，各該緩衝圖案包括：一第一圖案，位於該可撓式基底上；以及一第二圖案，位於該可撓式基底上，其中該第一圖案的一延伸方向與該第二圖案的一延伸方向形成一夾角，該夾角為大於0度且小於180度，以及其中各該緩衝圖案之該第一圖案與該第二圖案係位於該可撓式基底以及該第一絕緣層之間且實質上位於兩相鄰接墊之間。
2. 如申請專利範圍第1項所述的可撓式面板，其中各該緩衝圖案之該第一圖案與該第二圖案接觸且該第一圖案與該第二圖案之材料包含金屬或多晶矽半導體。
3. 如申請專利範圍第1項所述的可撓式面板，其中各該緩衝圖案之該第一圖案與該第二圖案不接觸且其間距為大於0微米且小於或等於8微米。
4. 一種可撓式面板，包括：一可撓式基底：一第一絕緣層，位於該可撓式基底上；一第一層間絕緣層位於該第一絕緣層上；一第二層間絕緣層位於該第一絕緣層上；一元件陣列，位於該可撓式基底上；多個接墊，分別電性連接於該元件陣列，各該接墊包括：一第一金屬圖案，位於該第一絕緣層上；以及一第二金屬圖案，位於該第二層間絕緣層上，其中該第二金屬圖案藉由一開口與該第一金屬圖案電性連接；以及多個緩衝圖案，不與該些接墊接觸，各該緩衝圖案包括：一第一圖案，位於該可撓式基底上；以及一第二圖案，位於該可撓式基底上，其中該第一圖案的一延伸方向與該第二圖案的一延伸方向形成一夾角，該夾角為大於0度且小於180度，以及其中各該緩衝圖案之該第一圖案與該第二圖案係位於該可撓式基底以及該第一絕緣層之間，該些緩衝圖案中之至少一者於一垂直投影方向上係重疊於該些接墊中之一者，各該緩衝圖案之該第一圖案與該第二 圖案接觸且該第一圖案與該第二圖案之材料包含金屬或多晶矽半導體。
5. 一種可撓式面板，包括：一可撓式基底；一第一絕緣層，位於該可撓式基底上；一第一層間絕緣層位於該第一絕緣層上；一第二層間絕緣層位於該第一絕緣層上；一元件陣列，位於該可撓式基底上；多個接墊，分別電性連接於該元件陣列，各該接墊包括：一第一金屬圖案，位於該第一絕緣層上；以及一第二金屬圖案，位於該第二層間絕緣層上，其中該第二金屬圖案藉由一開口與該第一金屬圖案電性連接；以及多個緩衝圖案，不與該些接墊接觸，各該緩衝圖案包括：一第一圖案，位於該可撓式基底上；以及一第二圖案，位於該可撓式基底上，其中該第一圖案的一延伸方向與該第二圖案的一延伸方向形成一夾角，該夾角為大於0度且小於180度，以及其中該些第一金屬圖案位於該第一絕緣層以及該第二層間絕緣層之間，各該緩衝圖案之：該第一圖案位於該第一絕緣層以及該第一層間絕緣層之間；且該第二圖案係位於該第二層間絕緣層上。
6. 如申請專利範圍第5項所述的可撓式面板，其中各該緩衝圖案實質上位於兩相鄰接墊之間，其中各該緩衝圖案之：該第一圖案之材料與該第一金屬圖案之材料相同；且該第二圖案之材料與該第二金屬圖案之材料相同。
7. 如申請專利範圍第6項所述的可撓式面板，其中該夾角為90度，各該緩衝圖案之該第一圖案之該延伸方向或該第二圖案之該延伸方向垂直於該些接墊中之一者的一延伸方向。
8. 一種可撓式面板，包括：一可撓式基底；一第一絕緣層，位於該可撓式基底上；一第一層間絕緣層位於該第一絕緣層上；一第二層間絕緣層位於該第一絕緣層上；一元件陣列，位於該可撓式基底上；多個接墊，分別電性連接於該元件陣列，各該接墊包括：一第一金屬圖案，位於該第一絕緣層上；以及一第二金屬圖案，位於該第二層間絕緣層上，其中該第二金屬圖案藉由一開口與該第一金屬圖案電性連接；多個緩衝圖案，不與該些接墊接觸，各該緩衝圖案包括：一第一圖案，位於該可撓式基底上；以及一第二圖案，位於該可撓式基底上，其中該第一圖案的一延伸方向與該第二圖案的一延伸方向形成一夾角，該夾角為大於0度且小於180度；以及 一第二絕緣層位於該些緩衝圖案與該些接墊之間，兩相鄰緩衝圖案於一垂直投影方向上重疊。
9. 如申請專利範圍第8項所述的可撓式面板，其中各該緩衝圖案之該第一圖案及該第二圖案構成十字。
10. 一種可撓式面板，包括：一可撓式基底；一第一絕緣層，位於該可撓式基底上；一第一層間絕緣層位於該第一絕緣層上；一第二層間絕緣層位於該第一絕緣層上；一元件陣列，位於該可撓式基底上；多個接墊，分別電性連接於該元件陣列，各該接墊包括：一第一金屬圖案，位於該第一絕緣層上；以及一第二金屬圖案，位於該第二層間絕緣層上，其中該第二金屬圖案藉由一開口與該第一金屬圖案電性連接；以及多個緩衝圖案，不與該些接墊接觸，各該緩衝圖案包括：一第一圖案，位於該可撓式基底上；以及一第二圖案，位於該可撓式基底上，其中該第一圖案的一延伸方向與該第二圖案的一延伸方向形成一夾角，該夾角為大於0度且小於180度，以及其中各該緩衝圖案實質上位於兩相鄰接墊之間且位於該第一絕緣層及該第一層間絕緣層之間，其中各該緩衝圖案之該第一圖案與該第二圖案之材料相同於該第一金屬圖案之材料。
11. 一種可撓式面板，包括：一可撓式基底；一第一絕緣層，位於該可撓式基底上；一第一層間絕緣層位於該第一絕緣層上；一第二層間絕緣層位於該第一絕緣層上；一元件陣列，位於該可撓式基底上；多個接墊，分別電性連接於該元件陣列，各該接墊包括：一第一金屬圖案，位於該第一絕緣層上；以及一第二金屬圖案，位於該第二層間絕緣層上，其中該第二金屬圖案藉由一開口與該第一金屬圖案電性連接；以及多個緩衝圖案，不與該些接墊接觸，各該緩衝圖案包括：一第一圖案，位於該可撓式基底上；以及一第二圖案，位於該可撓式基底上，其中該第一圖案的一延伸方向與該第二圖案的一延伸方向形成一夾角，該夾角為大於0度且小於180度，以及其中各該緩衝圖案實質上位於兩相鄰接墊之間且位於該第二層間絕緣層上，其中各該緩衝圖案之該第一圖案與該第二圖案之材料相同於該第二金屬圖案之材料。
12. 一種可撓式裝置的製作方法，包括：提供一載板；形成一基底材料層於該載板上；形成一第一絕緣層於該基底材料層上； 形成一第一層間絕緣層位於該第一絕緣層上；形成一第二層間絕緣層位於該第一絕緣層上；形成一元件陣列於該基底材料層上；形成多個接墊，分別電性連接於該元件陣列，各該接墊包括：一第一金屬圖案，位於該第一絕緣層上；以及一第二金屬圖案，位於該第二層間絕緣層上，其中該第二金屬圖案藉由一開口與該第一金屬圖案電性連接；形成多個緩衝圖案，不與該些接墊接觸，各該緩衝圖案包括：一第一圖案，位於該基底材料層上；以及一第二圖案，位於該基底材料層上，其中該第一圖案的一延伸方向與該第二圖案的一延伸方向之間形成一夾角，該夾角為大於0度且小於180度；進行一剝離製程分離該基底材料層與該載板以形成如申請專利範圍第1項所述的可撓式面板；以及將一電路元件與該可撓式面板的該些接墊接合。
13. 如申請專利範圍第12項所述的可撓式面板的製作方法，其中進行該剝離製程的步驟包括：沿一掃描方向提供一雷射射束於遠離該基底材料層之該載板的一表面，其中該掃描方向與各該接墊之一延伸方向形成一角度。
14. 如申請專利範圍第12項所述的可撓式面板的製作方法，其中該電路元件包括一薄膜覆晶封裝或一可撓性印刷電路板，該元件陣列包含一有機發光二極體畫素陣列。

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