TWI741789B - 顯示面板及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種顯示面板，其包括基板、第一金屬層、第一絕緣層、第二金屬層、第二絕緣層以及第三金屬層。第一金屬層設置於基板上且包括第一儲存電極。第一絕緣層設置於第一金屬層上。第二金屬層設置於第一絕緣層上且包括第二儲存電極。第二絕緣層設置於第二金屬層上。第三金屬層設置於第二絕緣層上且包括第三儲存電極。第一儲存電極與第二儲存電極以及位於其之間的第一絕緣層構成第一儲存電容，且第二儲存電極與第三儲存電極以及位於其之間的第二絕緣層構成第二儲存電容。本發明另提供一種顯示面板的製造方法。

Description

顯示面板及其製造方法
本發明是有關於一種顯示面板，且特別是有關於一種其儲存電容經提升的顯示面板。
請參照圖5，在非方形(例如圓形)顯示面板10的設計中，掃描線20例如為第一金屬層的一部分，而資料線30則例如為第二金屬層的一部分。由於在顯示區10a外的部分的資料線30會位於掃描線20上方，因此若採用習知方形顯示面板的設計而使共用電壓線亦由形成資料線30的第二金屬層來製成，其將使得部分的在非顯示區10b中環繞顯示面板10的共用電壓線與資料線30連接而短路，使得顯示面板10無法據以實施。
然而，若額外設置一層僅作為共用電壓線用途的第三金屬層，由於其雖解決上述問題但並未提升顯示面板的性能，其將明顯地增加製造成本。因此，在設置有第三金屬層的情況下，如何有效地利用此第三金屬層來額外增加顯示面板的性能為現今的目標之一。
本發明提供一種顯示面板，其具有的儲存電容經提升而具有良好的電性。
本發明的顯示面板包括基板、第一金屬層、第一絕緣層、第二金屬層、第二絕緣層以及第三金屬層。第一金屬層設置於基板上且包括閘極、第一儲存電極、掃描線以及第一共用電壓供應線，閘極與掃描線連接，且第一儲存電極與第一共用電壓供應線連接。第一絕緣層設置於第一金屬層上。第二金屬層設置於第一絕緣層上且包括源極、汲極、第二儲存電極以及資料線，源極與資料線連接，汲極與第二儲存電極電性連接，且掃描線與資料線相交。第二絕緣層設置於第二金屬層上。第三金屬層設置於第二絕緣層上且包括第三儲存電極、共用電壓線以及第二共用電壓供應線，且第三儲存電極與第二共用電壓供應線連接。共用電壓線位於非顯示區且與第一共用電壓供應線以及第二共用電壓供應線電性連接。第一儲存電極與第二儲存電極以及位於第一儲存電極與第二儲存電極之間的第一絕緣層構成第一儲存電容，且第二儲存電極與第三儲存電極以及位於第二儲存電極與第三儲存電極之間的第二絕緣層構成第二儲存電容。
在本發明的一實施例中，上述的顯示面板更包括半導體層，所述半導體層位於所述第一絕緣層與所述第二金屬層之間，且所述源極以及所述汲極部分覆蓋所述半導體層。
在本發明的一實施例中，上述的共用電壓線與第一共用電壓供應線藉由貫穿第一絕緣層以及第二絕緣層的第一接觸窗電性連接。
在本發明的一實施例中，上述的第一絕緣層的厚度為0.1微米~1微米。
在本發明的一實施例中，上述的第二絕緣層的厚度為0.1微米~2微米。
在本發明的一實施例中，上述的顯示面板更包括第三絕緣層，第三絕緣層設置於第三金屬層上，且第三絕緣層的厚度為1微米~5微米。
在本發明的一實施例中，上述的顯示面板更包括畫素電極以及反射電極。畫素電極設置於第三絕緣層上且與汲極電性連接。反射電極設置於畫素電極上且與畫素電極電性連接。
在本發明的一實施例中，上述的畫素電極與反射電極藉由貫穿第三絕緣層的第二接觸窗電性連接。
在本發明的一實施例中，上述的第三儲存電極與第二接觸窗之間的距離為1微米~10微米。
在本發明的一實施例中，上述的顯示面板包括異形顯示面板。
本發明提供一種顯示面板的製造方法，其藉由形成第三儲存電極而使顯示面板具有的儲存電容經提升而具有良好的電性。
本發明的顯示面板的製造方法包括以下步驟。形成第一金屬層於基板上。第一金屬層包括閘極、第一儲存電極、掃描線以及第一共用電壓供應線，閘極與掃描線連接，且第一儲存電極與第一共用電壓供應線連接。形成第一絕緣層於第一金屬層上。第一絕緣層覆蓋第一金屬層。形成第二金屬層於第一絕緣層上。第二金屬層包括源極、汲極、第二儲存電極以及資料線，源極與資料線連接，汲極與第二儲存電極電性連接，且掃描線與資料線相交。形成第二絕緣層於第二金屬層上。第二絕緣層包括暴露部分的第二儲存電極的開口。形成第三金屬層於第二絕緣層上。第三金屬層包括第三儲存電極、共用電壓線以及第二共用電壓供應線，且第三儲存電極與第二共用電壓供應線連接。共用電壓線位於非顯示區且與第一共用電壓供應線以及第二共用電壓供應線電性連接。第一儲存電極與第二儲存電極以及位於第一儲存電極與第二儲存電極之間的第一絕緣層構成第一儲存電容，且第二儲存電極與第三儲存電極以及位於第二儲存電極與第三儲存電極之間的第二絕緣層構成第二儲存電容。
在本發明的一實施例中，上述的在形成第三金屬層於第二絕緣層上之前，形成貫穿第一絕緣層以及第二絕緣層的第一接觸窗以暴露部份的第一共用電壓供應線，且共用電壓線與第一共用電壓供應線藉由第一接觸窗電性連接。
在本發明的一實施例中，上述的形成第二絕緣層於第二金屬層上包括以下步驟。形成第二絕緣材料層於第二金屬層上， 其中第二絕緣材料層覆蓋第二金屬層。圖案化第二絕緣材料層，以形成包括開口的第二絕緣層。
在本發明的一實施例中，上述的第二絕緣層以及第二金屬層藉由同一光罩進行圖案化製程形成。
在本發明的一實施例中，上述的在形成第二金屬層於第一絕緣層上之前，形成半導體層於第一絕緣層上，且源極以及汲極部分覆蓋半導體層。
在本發明的一實施例中，上述的在形成第三金屬層於第二絕緣層上之後，更包括進行以下步驟。形成第三絕緣層於第三金屬層上，其中第三絕緣層包括暴露部分的第二儲存電極的第二接觸窗。形成畫素電極於第三絕緣層上，其中畫素電極藉由第二接觸窗與汲極電性連接。形成反射電極於畫素電極上。
基於上述，本發明的顯示面板及其製造方法藉由使第三儲存電極與第二儲存電極以及位於其之間的第二絕緣層構成另一儲存電容，因此，本發明的顯示面板的一個畫素結構中具有的儲存電容可提升而可儲存具有較大的電壓，藉此可使本發明的顯示面板具有良好的電性。再者，本發明的顯示面板及其製造方法藉由將第三金屬層的一部份設置於非顯示區中作為共用電壓線使用，其可避免共用電壓線因與資料線或掃描線連接而使得本發明的顯示面板無法據以實施。
1:顯示面板的製造方法
10、100:顯示面板
10a、DA:顯示區
10b、NDA:非顯示區
20、SL:掃描線
30、DL:資料線
A-A’:剖線
C1:第一接觸窗
C2:第二接觸窗
CH:半導體層
Cst1:第一儲存電容
Cst2:第二儲存電容
d:距離
D:汲極
D1:第一方向
D2:第二方向
G:閘極
IL1:第一絕緣層
IL2:第二絕緣層
IL3:第三絕緣層
M1:第一金屬層
M2:第二金屬層
M3:第三金屬層
OP:開口
PE:畫素電極
RE:反射電極
S:源極
S00、S10、S20、S30、S40、S50、S60、S70、S80、S90:步驟
SB:基板
SE1:第一儲存電極
SE2:第二儲存電極
SE3:第三儲存電極
t1、t2、t3:厚度
T:主動元件
VC:共用電壓線
VCL1:第一共用電壓供應線
VCL2:第二共用電壓供應線
X:區域
圖1為依照本發明的一實施例的顯示面板的俯視示意圖。
圖2為圖1的區域X的經放大的俯視示意圖。
圖3為依據圖2的剖線A-A’的剖面示意圖。
圖4為依照本發明的一實施例的顯示面板的製造方法的流程圖。
圖5是習知的顯示面板的俯視示意圖。
以下將參照本實施例之圖式以更全面地闡述本發明。然而，本發明亦可以各種不同的形式體現，而不應限於本文中所述之實施例。圖式中的層與區域的厚度會為了清楚起見而放大。相同或相似之參考號碼表示相同或相似之元件，以下段落將不再一一贅述。另外，實施例中所提到的方向用語，例如：上、下、左、右、前或後等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用來說明並非用來限制本發明。
圖1為依照本發明的一實施例的顯示面板的俯視示意圖，圖2為圖1的區域X的經放大的俯視示意圖，圖3為依據圖2的剖線A-A’的剖面示意圖，且圖4為依照本發明的一實施例的顯示面板的製造方法的流程圖。
請同時參照圖1至圖4，在步驟S00中，提供基板SB。基板SB例如為可撓性基板，其可為聚合物基板或塑膠基板，但本 發明不限於此。在其他實施例中，基板SB也可例如為剛性基板，其可為玻璃基板、石英基板或矽基板。
在步驟S10中，形成第一金屬層M1於基板SB上。第一金屬層M1的形成方法例如是利用物理氣相沉積法或化學氣相沉積法後再進行微影蝕刻製程而形成。舉例來說，可先利用物理氣相沉積法或化學氣相沉積法於基板SB上形成第一金屬材料層(未繪示)。接著，於第一金屬材料層上形成圖案化光阻層(未繪示)。之後，以圖案化光阻層為罩幕，對第一金屬材料層進行蝕刻製程，以形成第一金屬層M1。在一實施例中，第一金屬層M1包括閘極G、第一儲存電極SE1、掃描線SL以及第一共用電壓供應線VCL1。閘極G例如與對應的掃描線SL連接以接收相應的閘極電壓。第一儲存電極SE1與第一共用電壓供應線VCL1連接以接收相應的共用電壓。第一共用電壓供應線VCL1可例如用於傳輸來自後續將介紹共用電壓線VC供應的共用電壓，以將此共用電壓提供給第一儲存電極SE1。
在步驟S20中，形成第一絕緣層IL1於第一金屬層M1上。第一絕緣層IL1例如設置於基板SB上且覆蓋第一金屬層M1。亦即，第一絕緣層IL1可覆蓋閘極G、第一儲存電極SE1、掃描線SL以及第一共用電壓供應線VCL1。第一絕緣層IL1的形成方法例如是利用物理氣相沉積法或化學氣相沉積法而形成。在本實施例中，第一絕緣層IL1的材料可為無機材料(例如：氧化矽、氮化矽、氮氧化矽或上述至少二種材料的堆疊層)、有機材料(例 如：聚醯亞胺系樹脂、環氧系樹脂或壓克力系樹脂)或上述之組合，但本發明不限於此。第一絕緣層IL1可為單層結構，但本發明不限於此。在其他實施例中，第一絕緣層IL1也可為多層結構。
在步驟S30中，形成半導體層CH於第一絕緣層IL1上。半導體層CH的形成方法例如是利用微影蝕刻製程而形成。舉例來說，可先利用物理氣相沉積法或金屬化學氣相沉積法於第一絕緣層IL1上形成半導體材料層(未繪示)。接著，於半導體材料層上形成圖案化光阻層(未繪示)。之後，以圖案化光阻層為罩幕，對半導體材料層進行蝕刻製程，以形成半導體層CH。半導體層CH的材料可例如為非晶矽，但本發明不以此為限。半導體層CH的材料亦可例如為多晶矽、微晶矽、單晶矽、奈米晶矽或其它具有不同晶格排列之半導體材料或金屬氧化物半導體材料。
在步驟S40中，形成第二金屬層M2於第一絕緣層IL1上。第二金屬層M2的形成方法例如是利用物理氣相沉積法或化學氣相沉積法後再進行微影蝕刻製程而形成。舉例來說，可先利用物理氣相沉積法或化學氣相沉積法於第一絕緣層IL1上形成第二金屬材料層(未繪示)。接著，於第二金屬材料層上形成圖案化光阻層(未繪示)。之後，以圖案化光阻層為罩幕，對第二金屬材料層進行蝕刻製程，以形成第二金屬層M2。在一實施例中，第二金屬層M2包括源極S、汲極D、第二儲存電極SE2以及資料線DL。源極S例如與對應的資料線DL連接以接收相應的資料電壓。汲極D例如與第二儲存電極SE2連接，以使第二儲存電極SE2亦接收 相應的資料電壓。在本實施例中，第二儲存電極SE2可與第一儲存電極SE1以及夾置於其間的第一絕緣層IL1構成第一儲存電容Cst1。第一儲存電容Cst1可用於儲存電壓，其儲存的電壓大小可影響液晶分子(未繪示)的偏轉狀態。
在本實施例中，閘極G、源極S、汲極D以及半導體層CH可構成主動元件T。半導體層CH例如可與閘極G對應地設置，且被源極S以及汲極D部分地覆蓋。未被源極S以及汲極D覆蓋的半導體層CH可作為主動元件T的通道層(未繪示)。主動元件T例如為所屬領域中具有通常知識者所周知的任一種底部閘極型薄膜電晶體。然而，本實施例雖然是以底部閘極型薄膜電晶體為例，但本發明不限於此。在其他實施例中，主動元件T也例如為頂部閘極型薄膜電晶體或是其它合適類型的薄膜電晶體。
在步驟S50中，形成第二絕緣層IL2於第二金屬層M2上。第二絕緣層IL2例如設置於第一絕緣層IL1上且部份地覆蓋第二金屬層M2。詳細地說，第二絕緣層IL2可覆蓋源極S、汲極D以及資料線DL且部份地覆蓋第二儲存電極SE2。在本實施例中，第二絕緣層IL2包括暴露部分的第一儲存電極SE1的開口OP，其中開口OP位於顯示區DA中。第二絕緣層IL2的形成方法例如是利用物理氣相沉積法或化學氣相沉積法後再進行微影蝕刻製程而形成。舉例來說，可先利用物理氣相沉積法或化學氣相沉積法於第一絕緣層IL1形成覆蓋第二金屬層M2的第二絕緣材料層(未繪示)。接著，於第二絕緣材料層上形成圖案化光阻層(未繪 示)。之後，以圖案化光阻層為罩幕，對第二絕緣材料層進行蝕刻製程，以形成包括開口OP的第二絕緣層IL2。值得說明的是，第二絕緣層IL2的開口OP與上述主動元件T的通道層是利用同一道光罩定義出，即，第二絕緣層IL2是與第二金屬層M2使用同一道光罩形成，因此，形成第二絕緣層IL2的開口OP並未增加任何的製造成本。在本實施例中，第二絕緣層IL2的材料可為無機材料(例如：氧化矽、氮化矽、氮氧化矽或上述至少二種材料的堆疊層)、有機材料(例如：聚醯亞胺系樹脂、環氧系樹脂或壓克力系樹脂)或上述之組合，但本發明不限於此。第二絕緣層IL2可為單層結構，但本發明不限於此。在其他實施例中，第二絕緣層IL2也可為多層結構。
另外，第二絕緣層IL2與第一絕緣層IL1還包括暴露部分的第一共用電壓供應線VCL1的第一接觸窗C1，其中第一接觸窗C1位於非顯示區NDA中。值得說明的是，第二絕緣層IL2的第一接觸窗C1亦與開口OP以及上述主動元件T的通道層是利用同一道光罩定義出。
在步驟S60中，形成第三金屬層M3於第二絕緣層IL2上。第三金屬層M3的形成方法例如是利用物理氣相沉積法或化學氣相沉積法後再進行微影蝕刻製程而形成。舉例來說，可先利用物理氣相沉積法或化學氣相沉積法於第二絕緣層IL2上形成第三金屬材料層(未繪示)。接著，於第三金屬材料層上形成圖案化光阻層(未繪示)。之後，以圖案化光阻層為罩幕，對第三金屬材料 層進行蝕刻製程，以形成第三金屬層M3。在一實施例中，第三金屬層M3包括第三儲存電極SE3、共用電壓線VC以及第二共用電壓供應線VCL2。詳細地說，第三儲存電極SE3位於顯示區DA，共用電壓線VC位於非顯示區NDA，且第二共用電壓供應線VCL2連接第三儲存電極SE3與共用電壓線VC。基於此，與第二共用電壓供應線VCL2連接的第三儲存電極SE3可接收來自共用電壓線VC提供的相應的共用電壓，使得第三儲存電極SE3可與第二儲存電極SE2以及夾置於其間的第二絕緣層IL2構成第二儲存電容Cst2。第二儲存電容Cst2可用於儲存電壓，其儲存的電壓大小可影響液晶分子(未繪示)的偏轉狀態。另外，在本實施例中，共用電壓線VC藉由第一接觸窗C1與第一共用電壓供應線VCL1電性連接，以使與第一共用電壓供應線VCL1連接的第一儲存電極SE1可接收來自共用電壓線VC提供的相應的共用電壓。
在步驟S70中，形成第三絕緣層IL3於第三金屬層M3上。第三絕緣層IL3例如設置於第二絕緣層IL2上，且覆蓋第三金屬層M3並部份地覆蓋第二金屬層M2。詳細地說，第三絕緣層IL3包括暴露出部份的汲極D的第二接觸窗C2。第三絕緣層IL3的形成方法例如是利用物理氣相沉積法或化學氣相沉積法後再進行微影蝕刻製程而形成。舉例來說，可先利用物理氣相沉積法或化學氣相沉積法於第二絕緣層IL2上形成覆蓋第三金屬層M3的第三絕緣材料層(未繪示)。接著，於第三絕緣材料層上形成圖案化光阻層(未繪示)。之後，以圖案化光阻層為罩幕，對第三絕緣材 料層進行蝕刻製程，以形成包括第二接觸窗C2的第三絕緣層IL3。值得說明的是，形成於第三絕緣層IL3中的第二接觸窗C2會與形成於第二絕緣層IL2中的開口OP重疊，使得第三絕緣層IL3可暴露出部份的汲極D。在本實施例中，第三絕緣層IL3的材料可為無機材料(例如：氧化矽、氮化矽、氮氧化矽或上述至少二種材料的堆疊層)、有機材料(例如：聚醯亞胺系樹脂、環氧系樹脂或壓克力系樹脂)或上述之組合，但本發明不限於此。第三絕緣層IL3可為單層結構，但本發明不限於此。在其他實施例中，第三絕緣層IL3也可為多層結構。
在步驟S80中，形成畫素電極PE於第三絕緣層IL3上。畫素電極PE的形成方法例如是利用物理氣相沉積法或金屬化學氣相沉積法後再進行微影蝕刻製程而形成。舉例來說，可先利用物理氣相沉積法或金屬化學氣相沉積法於第三絕緣層IL3上形成畫素電極材料層(未繪示)。接著，於畫素電極材料層上形成圖案化光阻層(未繪示)。之後，以圖案化光阻層為罩幕，對畫素電極材料層進行蝕刻製程，以形成畫素電極PE。畫素電極PE的材料可例如是金屬氧化物導電材料(例如：銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物)。在本實施例中，畫素電極PE藉由第二接觸窗C2與主動元件T的汲極D電性連接。
在步驟S90中，形成反射電極RE於畫素電極PE上，其中反射電極RE與畫素電極PE電性連接。反射電極RE的形成方法例如是利用物理氣相沉積法或金屬化學氣相沉積法後再進行微 影蝕刻製程而形成。舉例來說，可先利用物理氣相沉積法或金屬化學氣相沉積法於畫素電極PE上形成反射電極材料層(未繪示)。接著，於反射電極材料層上形成圖案化光阻層(未繪示)。之後，以圖案化光阻層為罩幕，對反射電極材料層進行蝕刻製程，以形成反射電極RE。反射電極RE可例如選用反射率
Figure 109131890-A0305-02-0016-1
90%的金屬材料來形成。在本實施例中，反射電極RE的材料為鋁、銀或其合金，但本發明不限於此。
至此，完成本發明的顯示面板的製作。
本實施例的顯示面板的製造方法1雖然是以上述方法為例進行說明，然而本發明的顯示面板的形成方法並不以此為限。
綜上所述，本發明的顯示面板的製造方法藉由將第三金屬層的一部份設置於顯示區中作為第三儲存電極使用，使得第三儲存電極可與第二儲存電極以及位於其之間的第二絕緣層構成另一儲存電容，因此，本發明的顯示面板的一個畫素結構中具有的儲存電容可提升而可儲存具有較大的電壓，藉此可使本發明的顯示面板具有良好的電性。再者，本發明的顯示面板的製造方法藉由將第三金屬層的一部份設置於非顯示區中作為共用電壓線使用，其可避免共用電壓線因與資料線或掃描線連接而使得本發明的顯示面板無法據以實施。另外，連接第三儲存電極與共用電壓線的第二共用電壓供應線亦屬第三金屬層的一部份，因此可不需額外設置另一金屬層來作為第二共用電壓供應線，藉此可降低製造成本。
請繼續參照圖1至圖3，如圖1至圖3所示，本發明實施例的顯示面板100包括基板SB、第一金屬層M1、第一絕緣層IL1、第二金屬層M2、第二絕緣層IL2、第三金屬層M3、第三絕緣層IL3、畫素電極PE以及反射電極RE。在一實施例中，顯示面板100包括異形顯示面板。即，顯示面板100具有非方形的形狀，舉例而言，本實施例的顯示面板100具有圓形的形狀，但本發明不以此為限。在此必須說明的是，以下省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例描述與效果，下述實施例不再重複贅述，而至少一部份未省略的描述可參閱後續內容。
基板SB具有顯示區DA以及非顯示區NDA，其中非顯示區NDA設置以鄰近於顯示區DA。在一實施例中，非顯示區NDA環繞顯示區DA。在本實施例中，顯示區DA包括多個畫素的陣列，且非顯示區NDA包括用於控制電路的周邊元件。基板SB包括的材料的說明可參考前述實施例描述與效果，於此不再重複贅述。
第一金屬層M1例如設置於基板SB上，且包括閘極G、第一儲存電極SE1、掃描線SL以及第一共用電壓供應線VCL1。在一實施例中，閘極G與掃描線SL連接，且第一儲存電極SE1與第一共用電壓供應線VCL1連接。掃描線SL以及第一共用電壓供應線VCL1例如朝第一方向D1延伸。
第一絕緣層IL1例如設置於第一金屬層M1上。在一實施例中，位於非顯示區NDA中的第一絕緣層IL1包括暴露出部份的共用電壓供應線VCL1的第一接觸窗C1，以使共用電壓供應線 VCL1可與後續將介紹的第三金屬層M3的共用電壓線VC電性連接。在一實施例中，第一絕緣層IL1的厚度t1為0.1微米~1微米。
第二金屬層M2例如設置於第一絕緣層IL1上，包括源極S、汲極D、第二儲存電極SE2以及資料線DL，源極S與資料線DL連接，且汲極D與第二儲存電極SE2連接。資料線DL例如朝與第一方向D1正交的第二方向D2延伸，即，掃描線SL與資料線DL相交。
半導體層CH例如設置於第一絕緣層IL1與第二金屬層M2之間。在一實施例中，第二金屬層M2中的源極S以及汲極D部分覆蓋半導體層CH。
第二絕緣層IL2例如設置於第二金屬層M2上。在一實施例中，位於非顯示區NDA中的第二絕緣層IL2包括暴露出部份的第一共用電壓供應線VCL1的第一接觸窗C1，以使第一共用電壓供應線VCL1可與後續將介紹的第三金屬層M3的共用電壓線VC電性連接。即，第一接觸窗C1是貫穿第一絕緣層IL1以及第二絕緣層IL2。另外，在一實施例中，位於顯示區DA中的第二絕緣層IL2包括暴露出部份的汲極D的開口OP，以使汲極D可與後續將介紹的畫素電極PE電性連接。在一實施例中，第二絕緣層IL2的厚度t2為0.1微米~2微米。
第三金屬層M3例如設置於第二絕緣層IL2上，且包括第三儲存電極SE3、共用電壓線VC以及第二共用電壓供應線VCL2，且第三儲存電極SE3與第二共用電壓供應線VCL2連接。 第三儲存電極SE3位於顯示區DA中，共用電壓線VC位於非顯示區NDA中，且第二共用電壓供應線VCL2例如朝第一方向D1延伸且連接第三儲存電極SE3與共用電壓線VC。另外，共用電壓線VC可藉由上述的第一接觸窗C1與第一共用電壓供應線VCL1電性連接。由於本實施例藉由將第三金屬層M3的一部份作為共用電壓線VC使用，其可避免習知共用電壓線是由第一金屬層M1或第二金屬層M2製成而將與資料線DL或掃描線SL連接造成短路，使得異形顯示面板無法據以實施。
在本實施例中，第一儲存電極SE1與第二儲存電極SE2以及位於第一儲存電極SE1與第二儲存電極SE2之間的第一絕緣層IL1構成第一儲存電容Cst1，且第二儲存電極SE2與第三儲存電極SE3以及位於第二儲存電極SE2與第三儲存電極SE3之間的第二絕緣層IL2構成第二儲存電容Cst2。基於此，本實施例的顯示面板100的一個畫素結構中具有的儲存電容為第一儲存電容Cst1與第二儲存電容Cst2的總和，其使得儲存電容可儲存具有較大的電壓，藉此可使本實施例的顯示面板100具有良好的電性。另外，位於第二儲存電極SE2與第三儲存電極SE3之間的第二絕緣層IL2的厚度t2可根據需求調整其大小，使得本實施例的顯示面板100具有提升的製程裕度。
第三絕緣層IL3例如設置於第三金屬層M3上。在一實施例中，位於顯示區DA中的第三絕緣層IL3包括暴露出部份的汲極D的第二接觸窗C2，以使汲極D可與後續將介紹的畫素電極PE 電性連接。在一實施例中，第三絕緣層IL3的厚度t3為1微米~5微米。另外，第三儲存電極SE3與第二接觸窗C2之間具有特定間隔，以避免第三儲存電極SE3與汲極D連接造成短路。在一實施例中，第三儲存電極SE3與第二接觸窗C2之間的距離d為1微米~10微米。
畫素電極PE例如設置於第三絕緣層IL3上且與汲極D電性連接，反射電極RE例如設置於畫素電極PE上且與畫素電極PE電性連接。在一實施例中，畫素電極PE與反射電極RE藉由貫穿第三絕緣層IL3的第二接觸窗C2電性連接。
綜上所述，本發明藉由將第三金屬層的一部份設置於顯示區中作為第三儲存電極使用，使得第三儲存電極可與第二儲存電極以及位於其之間的第二絕緣層構成另一儲存電容，因此，本發明的顯示面板的一個畫素結構中具有的儲存電容可提升而可儲存具有較大的電壓，藉此可使本發明的顯示面板具有良好的電性。再者，本發明藉由將第三金屬層的一部份設置於非顯示區中作為共用電壓線使用，其可避免共用電壓線因與資料線或掃描線連接而使得本發明的顯示面板無法據以實施。另外，連接第三儲存電極與共用電壓線的第二共用電壓供應線亦屬第三金屬層的一部份，因此可不需額外設置另一金屬層來作為第二共用電壓供應線，藉此可降低製造成本。
A-A’:剖線
C1:第一接觸窗
C2:第二接觸窗
CH:半導體層
D:汲極
D1:第一方向
D2:第二方向
DL:資料線
G:閘極
M1:第一金屬層
M2:第二金屬層
M3:第三金屬層
S:源極
SE1:第一儲存電極
SE2:第二儲存電極
SE3:第三儲存電極
SL:掃描線
T:主動元件
VC:共用電壓線
VCL1:第一共用電壓供應線
VCL2:第二共用電壓供應線

Claims (16)

  1. 一種顯示面板，具有顯示區及環繞所述顯示區的非顯示區，包括：基板；第一金屬層，設置於所述基板上，包括閘極、第一儲存電極、掃描線以及第一共用電壓供應線，所述閘極與所述掃描線連接，且所述第一儲存電極與所述第一共用電壓供應線連接；第一絕緣層，設置於所述第一金屬層上；第二金屬層，設置於所述第一絕緣層上，包括源極、汲極、第二儲存電極以及資料線，所述源極與所述資料線連接，所述汲極與所述第二儲存電極電性連接，所述掃描線與所述資料線相交；第二絕緣層，設置於所述第二金屬層上；以及第三金屬層，設置於所述第二絕緣層上，包括第三儲存電極、共用電壓線以及第二共用電壓供應線，所述第三儲存電極與所述第二共用電壓供應線連接，其中所述共用電壓線位於所述非顯示區且與所述第一共用電壓供應線以及所述第二共用電壓供應線電性連接，其中所述第一儲存電極與所述第二儲存電極以及位於所述第一儲存電極與所述第二儲存電極之間的所述第一絕緣層構成第一儲存電容，且所述第二儲存電極與所述第三儲存電極以及位於所述第二儲存電極與所述第三儲存電極之間的所述第二絕緣層構成第二儲存電容。
  2. 如請求項1所述的顯示面板，其更包括半導體層，所述半導體層位於所述第一絕緣層與所述第二金屬層之間，且所述源極以及所述汲極部分覆蓋所述半導體層。
  3. 如請求項1所述的顯示面板，其中所述共用電壓線與所述第一共用電壓供應線藉由貫穿所述第一絕緣層以及所述第二絕緣層的第一接觸窗電性連接。
  4. 如請求項1所述的顯示面板，其中所述第一絕緣層的厚度為0.1微米~1微米。
  5. 如請求項1所述的顯示面板，其中所述第二絕緣層的厚度為0.1微米~2微米。
  6. 如請求項1所述的顯示面板，其更包括第三絕緣層，其中所述第三絕緣層設置於所述第三金屬層上，且所述第三絕緣層的厚度為1微米~5微米。
  7. 如請求項6所述的顯示面板，其更包括：畫素電極，設置於所述第三絕緣層上且與所述汲極電性連接；以及反射電極，設置於所述畫素電極上，且與所述畫素電極電性連接。
  8. 如請求項7所述的顯示面板，其中所述畫素電極與所述反射電極藉由貫穿所述第三絕緣層的第二接觸窗電性連接。
  9. 如請求項8所述的顯示面板，其中所述第三儲存電極與所述第二接觸窗之間的距離為1微米~10微米。
  10. 如請求項1所述的顯示面板，其中所述顯示面板包括異形顯示面板。
  11. 一種顯示面板的製造方法，包括：提供基板；形成第一金屬層於所述基板上，其中所述第一金屬層包括閘極、第一儲存電極、掃描線以及第一共用電壓供應線，所述閘極與所述掃描線連接，且所述第一儲存電極與所述第一共用電壓供應線連接；形成第一絕緣層於所述第一金屬層上，其中所述第一絕緣層覆蓋所述第一金屬層；形成第二金屬層於所述第一絕緣層上，其中所述第二金屬層包括源極、汲極、第二儲存電極以及資料線，所述源極與所述資料線連接，所述汲極與所述第二儲存電極電性連接，所述掃描線與所述資料線相交；形成第二絕緣層於所述第二金屬層上，其中所述第二絕緣層包括暴露部分的所述第二儲存電極的開口；形成第三金屬層於所述第二絕緣層上，其中所述第三金屬層包括第三儲存電極、共用電壓線以及第二共用電壓供應線，所述第三儲存電極與所述第二共用電壓供應線連接，其中所述共用電壓線位於非顯示區且與所述第一共用電壓供應線以及所述第二共用電壓供應線電性連接， 其中所述第一儲存電極與所述第二儲存電極以及位於所述第一儲存電極與所述第二儲存電極之間的所述第一絕緣層構成第一儲存電容，且所述第二儲存電極與所述第三儲存電極以及位於所述第二儲存電極與所述第三儲存電極之間的所述第二絕緣層構成第二儲存電容。
  12. 如請求項11所述的顯示面板的製造方法，其中在形成所述第三金屬層於所述第二絕緣層上之前，形成貫穿所述第一絕緣層以及所述第二絕緣層的第一接觸窗以暴露部份的第一共用電壓供應線，且所述共用電壓線與所述第一共用電壓供應線藉由所述第一接觸窗電性連接。
  13. 如請求項11所述的顯示面板的製造方法，其中形成所述第二絕緣層於所述第二金屬層上的步驟包括：形成第二絕緣材料層於所述第二金屬層上，其中所述第二絕緣材料層覆蓋所述第二金屬層；以及圖案化所述第二絕緣材料層，以形成包括所述開口的所述第二絕緣層。
  14. 如請求項13所述的顯示面板的製造方法，其中所述第二絕緣層以及所述第二金屬層藉由同一光罩進行圖案化製程形成。
  15. 如請求項11所述的顯示面板的製造方法，其中在形成所述第二金屬層於所述第一絕緣層上之前，形成半導體層 於所述第一絕緣層上，且所述源極以及所述汲極部分覆蓋所述半導體層。
  16. 如請求項11所述的顯示面板的製造方法，其中在形成所述第三金屬層於所述第二絕緣層上之後，更包括：形成第三絕緣層於所述第三金屬層上，其中所述第三絕緣層包括暴露部分的所述第二儲存電極的第二接觸窗；形成畫素電極於所述第三絕緣層上，其中所述畫素電極藉由所述第二接觸窗與所述汲極電性連接；以及形成反射電極於所述畫素電極上。
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