JP4368769B2 - 薄膜トランジスタアレイとその製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は少なくとも次に記す二つの具体的な利点をもつものである:
1.薄膜トランジスタアレイにおいて、ストレージキャパシタのキャパシタンスと開孔比(aperture ratio)が向上する。
2.本発明の製造方法は、現行の製造プロセスに適合する。殊にストレージキャパシタのキャパシタンスが、現行の製造プロセスを実質的に修正することなしに、著しく向上する。
エッチング保護層350は多数の開孔352を有する(図4A,4B参照)。更に各ピクセル電極360はピクセル領域312の一つに設けられ、薄膜トランジスタ340の一つに対応して電気的に接続されている。この場合には各ピクセル電極360の一部分が走査線320の内の1本と開孔352を通じて接続されて、ストレージキャパシタを形成している。このストレージキャパシタはMIIタイプで、その断面は図6A〜6Hに示されている。上述のようにピクセル電極360の材質はインヂウム−スズ酸化物(ITO),インヂウム−亜鉛酸化物(IZO)または他の透明導電材料である。
電力消費量が少なく且つ放射線の危険性のない薄膜トランジスタ液晶表示装置(TFT−LCD)が、次第に表示機器の主流になってきている。
この発明は薄膜トランジスタ配列体(TFTアレイ)ならびにその製造方法に関するもので、特に強化されたストレージキャパシタを備えたTFTアレイならびにその製造方法を提供する。
明細書に添付された図面は発明を更に理解するために用意されている。これらの図面は本願明細書に組み込まれてその一部を構成している。図面は発明の態様を例示しており、明細書と共に発明の原理を説明するのに役立つものである。
110 ゲート絶縁
120 上部電極
130 不動態層
132 接続用ホール
140 ピクセル電極
200 共通線路
210 ゲート絶縁
220 不動態層
230 ピクセル電極
300 薄膜トランジスタアレイ
310 支持体
312 ピクセル領域
320 走査線
330 データ線
340 薄膜トランジスタ
342 ゲート
344 半導体材料層
346 ドレーン
350 エッチング保護層
350a 線条パターン
350b フレーム状パターン
352 開孔
360 ピクセル電極
370 共通線路
380 ゲート絶縁
382 導電材料層
384 オーミック接触層
390 不動態層
392 接続開口部
394 開孔
M1 導電パターン層
M2 導電パターン層
R 凹部
Claims (12)
- 支持体と、
前記支持体上に設けられた多数の走査線と、
前記支持体上に設けられた多数のデータ線とを有する薄膜トランジスタアレイにおいて、
前記支持体が前記走査線と前記データ線とにより多数のピクセル領域に分画され;
前記ピクセル領域の一つに対応して薄膜トランジスタがそれぞれ設けられると共に、多数の薄膜トランジスタが前記走査線と前記データ線によって駆動され、且つ薄膜トランジスタのそれぞれが半導体層とドレインとソースを備え;
前記多数の走査線上に前記薄膜トランジスタの半導体層と同一工程で設けられた半導体材料層と、前記走査線上の前記半導体材料層の上に設けられたエッチング保護層とを備え、且つ前記エッチング保護層と前記半導体材料層は多数の開孔を有し;
前記半導体材料層と前記走査線との間にゲート絶縁が設けられると共に、前記ゲート絶縁が多数の凹部を有し、凹部のそれぞれが前記エッチング保護層と前記半導体材料層の開孔の一つの下部に設けられ;
多数のピクセル電極を備え、ピクセル電極はそれぞれ前記ピクセル領域の一つに設けられ、前記一つの薄膜トランジスタのドレイン或いはソースと電気的に対応して接続されると共に、それぞれのピクセル電極の所定の部分が、開孔の一つを通じて前記走査線の一つに接続されてストレージキャパシタを形成し、且つピクセル電極のそれぞれが前記走査線上の前記エッチング保護層の上方を覆う事を特徴とする薄膜トランジスタアレイ。 - エッチング保護層とゲート絶縁の上、且つそれぞれのピクセルの電極の下に不動態層を備え、不動態層からエッチング保護層の開孔が露出していることをさらなる特徴とする請求項1記載の薄膜トランジスタアレイ。
- 支持体と、
前記支持体上に設けられた多数の走査線と、
前記支持体上に設けられた多数のデータ線とを有する薄膜トランジスタアレイにおいて、
前記支持体が前記走査線と前記データ線とにより多数のピクセル領域に分画され;
前記ピクセル領域の一つに対応して薄膜トランジスタがそれぞれ設けられると共に、多数の薄膜トランジスタが前記走査線と前記データ線によって駆動され、且つ薄膜トランジスタのそれぞれが半導体層とドレインとソースを備え;
前記支持体上に多数の共通線路が設けられ、共通線路のそれぞれは、2本の隣接する走査線の間に位置し;
前記多数の共通線路上に前記薄膜トランジスタの半導体層と同一工程で設けられた半導体材料層と、前記共通線路上の前記半導体材料層の上に設けられたエッチング保護層とを備え、且つ前記エッチング保護層と前記半導体材料層は多数の開孔を有し;
前記半導体材料層と前記共通線路との間にゲート絶縁が設けられると共に、前記ゲート絶縁が多数の凹部を有し、凹部のそれぞれが前記エッチング保護層と前記半導体材料層の開孔の一つの下部に設けられ;
且つ、多数のピクセル電極を備え、ピクセル電極のそれぞれは前記ピクセル領域の一つに設けられ、前記一つの薄膜トランジスタのドレイン或いはソースと電気的に対応して接続されると共に、それぞれのピクセル電極の所定の部分が、前記開孔の一つを通じて前記共通線路の一つと接続することにより、ストレージキャパシタを形成し、且つピクセル電極のそれぞれが前記共通線路上の前記エッチング保護層の上方を覆う事を特徴とする薄膜トランジスタアレイ。 - エッチング保護層およびゲート絶縁の上部に設けられ、エッチング保護層の開孔が露出している不動態層を設けたことをさらなる特徴とする請求項3記載の薄膜トランジスタアレイ。
- 支持体上に第1導電パターン層を形成し;
前記支持体と前記第1導電パターン層の上にゲート絶縁と半導体材料層とを順次形成し;
前記第1導電パターン層上で前記半導体材料層の所定部分の上部にエッチング保護層を形成し;
前記半導体材料層と前記エッチング保護層の上部に第2導電材料層を形成し;
前記第2導電材料層と前記半導体材料層とをパターン化処理して、第2導電パターン層と、前記エッチング保護層と前記第2導電パターン層の下部に位置する多数の半導体層とを同時に形成し;
前記第2導電パターン層、前記エッチング保護層と前記ゲート絶縁の上方に不動態層を形成し;
前記第2導電パターン層の上部に位置する前記不動態層の所定部分を除去して、多数の接続開口部を形成すると共に、前記第1導電パターン層上に位置する前記不動態層、前記エッチング保護層および前記半導体層の所定部分を同時に除去して、多数の開孔を形成し、且つ、
前記支持体上に多数のピクセル電極を形成すると共に、前記ピクセル電極をそれぞれ前記開口接続部の一つを通じて前記第2導電パターン層に電気的に接続し、更にそれぞれのピクセル電極の所定部分を前記開孔の一つを介して前記第1導電パターン層に接続することにより、ストレージキャパシタを形成することを特徴とする薄膜トランジスタアレイの製造方法。 - 第1導電パターン層の形成プロセスが、支持体上に第1導電材料層を形成した後、第1導電材料層をパターン化処理して多数の走査線と、走査線に接続された多数のゲートを形成する工程からなることを特徴とする請求項5記載の薄膜トランジスタアレイの製造方法。
- エッチング保護層がゲートおよび走査線の上に形成されることを特徴とする請求項6記載の薄膜トランジスタアレイの製造方法。
- 第1導電パターン層の形成プロセスが、支持体上に第1導電材料層を形成し、第1導電材料層をパターン化処理して多数の走査線と、走査線に接続された多数のゲート、および隣接する2本の走査線の間に設けられた多数の共通線路を形成する工程からなることを特徴とする請求項5記載の薄膜トランジスタアレイの製造方法。
- エッチング保護層がゲートおよび共通線路の上に形成されることを特徴とする請求項8記載の薄膜トランジスタアレイの製造方法。
- 第2導電材料層と半導体材料層とをパターン化処理するに際し、第2導電パターン層をマスクとして使用することによりエッチング保護層の厚みを部分的に除去する工程をさらに含むことを特徴とする請求項5記載の薄膜トランジスタアレイの製造方法。
- 開孔を形成する際に、ゲート絶縁の厚みを部分的に除去して開孔の下部に位置する多数の凹部を形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項5記載の薄膜トランジスタアレイの製造方法。
- 第2導電材料層を半導体材料層およびエッチング保護層の上に形成する前に、
半導体材料層およびエッチング保護層の上にオーミック接触層を形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項5記載の薄膜トランジスタアレイの製造方法。
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