TWI721584B - 顯示裝置 - Google Patents

Abstract

一種顯示裝置包括基板、多個第一金屬圖案層、多個第二金屬圖案層以及介電層。基板具有第一部、彎折部以及第二部，且彎折部連接於第一部與第二部之間。第一金屬圖案層設置於彎折部。第二金屬圖案層自第一部延伸至彎折部並自彎折部延伸至第二部，第二金屬圖案層各自具有複數個分支和互相分離的第一線路部及第二線路部，分支連接至第一金屬圖案層，且第一線路部及第二線路部透過分支連接至相同的第一金屬圖案層。介電層設置於基板與第二金屬圖案層之間，介電層之至少一部分與第一金屬圖案層重疊，並位於相鄰之分支之間。

Description

顯示裝置

本揭露是關於一種顯示裝置。

具有窄邊框的顯示裝置是顯示領域發展的一個趨勢，可透過將其邊緣的線路彎折到顯示面的背後來達成。然而，但是，由於線路製作在無機層上，無機層較不耐彎折，位於彎曲曲率最大處的無機層斷裂機率高，並可能會連帶使得其上方的線路斷線。

本揭露提供一種顯示裝置，其走線具有提升的良率或可靠度。

本揭露的顯示裝置包括基板、多個第一金屬圖案層、多個第二金屬圖案層以及介電層。基板具有第一部、彎折部以及第二部，且彎折部連接於第一部與第二部之間。第一金屬圖案層設置於彎折部。第二金屬圖案層自第一部延伸至彎折部並自彎折部延伸至第二部，第二金屬圖案層各自具有複數個分支和互相分離的第一線路部及第二線路部，分支連接至第一金屬圖案層，且第一線路部及第二線路部透過分支連接至相同 的第一金屬圖案層。介電層設置於基板與第二金屬圖案層之間，介電層之至少一部分與第一金屬圖案層重疊，並位於相鄰之分支之間。

在本揭露的一實施例中，上述的基板為可撓式基板。

在本揭露的一實施例中，上述的基板為異形基板。

本揭露的顯示裝置包括基板、多個第一金屬圖案層、多個第二金屬圖案層以及介電層。基板具有第一部、彎折部以及第二部，彎折部連接於第一部與第二部之間。第一金屬圖案層設置於彎折部。第二金屬圖案層自第一部延伸至彎折部並自彎折部延伸至第二部，第二金屬圖案層各自具有複數個分支和一線路部，分支連接至第一金屬圖案層，線路部為連續地自第一部經彎折部而延伸至第二部。介電層設置於基板與第二金屬圖案層之間，介電層之至少一部分與第一金屬圖案層重疊，並位於相鄰之分支之間。

在本揭露的一實施例中，上述的第一金屬圖案層的寬度介於1微米與10微米之間。

在本揭露的一實施例中，上述的顯示裝置更包括緩衝層。緩衝層位於第二金屬圖案層上，緩衝層具有開口，開口的寬度介於1微米與5微米之間。

在本揭露的一實施例中，上述的介電層之此部分的高度介於1微米與10微米之間。

本揭露的顯示裝置包括基板、多個第一金屬圖案層、多個第二金屬圖案層以及緩衝層。基板具有第一部、彎折 部以及第二部，且彎折部連接於第一部與第二部之間。第一金屬圖案層設置於彎折部。第二金屬圖案層自第一部延伸至彎折部並自彎折部延伸至第二部，其中第二金屬圖案層各自具有複數個分支和互相分離的第一線路部及第二線路部，分支連接至第一金屬圖案層，且第一線路部及第二線路部透過分支連接至相同的第一金屬圖案層。緩衝層設置於第二金屬圖案層上，緩衝層具有開口，開口的寬度大於分支之間的距離。

在本揭露的一實施例中，上述的分支之間的距離介於5微米與50微米之間。

在本揭露的一實施例中，上述的開口的寬度介於1微米與10微米之間。

基於上述，本揭露一實施例的顯示裝置的走線的第二金屬圖案層自第一部延伸至彎折部並自彎折部延伸至第二部，第二金屬圖案層各自具有複數個分支和一線路部，分支連接至第一金屬圖案層線路部還透過分支連接至第一金屬圖案層，藉此走線具有提高的良率或可靠度。

10、10a‧‧‧顯示裝置

102‧‧‧基板

102A‧‧‧第一部

102B‧‧‧彎折部

102C‧‧‧第二部

103‧‧‧間隙物

104‧‧‧畫素結構

106‧‧‧走線

106a、106b、106c‧‧‧子走線

106N‧‧‧非應力釋放區域

106R‧‧‧應力釋放區域

108‧‧‧視角

110‧‧‧區域

112、112a‧‧‧區域

113‧‧‧區域

114‧‧‧半導體圖案

114a‧‧‧源極摻雜區

114b‧‧‧汲極摻雜區

114c‧‧‧通道區

116‧‧‧絕緣層

118‧‧‧第一導電層

118a‧‧‧第一金屬圖案層

120‧‧‧介電層

122‧‧‧第二導電層

124‧‧‧緩衝層

126‧‧‧第二金屬圖案層

128‧‧‧分支

130‧‧‧線路部

130a‧‧‧第一線路部

130b‧‧‧第二線路部

132‧‧‧主體部

134‧‧‧輔助部

AA‧‧‧顯示區域

D‧‧‧汲極

D1‧‧‧第一方向

D2‧‧‧第二方向

G‧‧‧閘極

H1‧‧‧垂直高度

HL1、HL2‧‧‧接觸孔

O1、O1a‧‧‧開口

R1‧‧‧區域

R2‧‧‧區域

S‧‧‧源極

S1‧‧‧距離

T‧‧‧薄膜電晶體

V1‧‧‧波峰

V2‧‧‧波谷

W1‧‧‧寬度

W2‧‧‧寬度

W3‧‧‧寬度

W4‧‧‧寬度

閱讀以下詳細敘述並搭配對應之圖式，可了解本揭露之多個樣態。需留意的是，圖式中的多個特徵並未依照該業界領域之標準作法繪製實際比例。事實上，所述之特徵的尺寸可以任意的增加或減少以利於討論的清晰性。

第1A圖為本揭露一實施例之顯示裝置被彎折前的上視示意圖。

第1B圖第1A圖之區域R1的局部放大示意圖。

第2A圖及第2B圖為本揭露一實施例之走線的俯視示意圖。

第3圖為本揭露一實施例的顯示裝置的剖面示意圖。

第4A圖為顯示裝置彎折後的俯視示意圖。

第4B圖為沿著第4A圖的剖線4B-4B的剖面示意圖。

第4C圖為根據本揭露一實施例之第3圖的區域112彎折後的示意圖。

第5圖為根據本揭露另一實施例之第3圖的區域112彎折後的示意圖。

第6圖為本揭露另一實施例的顯示裝置的剖面示意圖。

第7圖繪示第6圖的區域112a彎折後的示意圖。

第8A圖至第8D圖為本揭露一實施例之顯示裝置的製造流程剖面示意圖。

第9A圖至第9D圖為本揭露另一實施例之顯示裝置的製造流程剖面示意圖。

以下將以圖式及詳細說明清楚說明本揭露之精神，任何所屬技術領域中具有通常知識者在瞭解本揭露之實施例後，當可由本揭露所教示之技術，加以改變及修飾，其並不脫離本揭露之精神與範圍。舉例而言，敘述「第一特徵形成於第二特徵上方或上」，於實施例中將包含第一特徵及第二特徵具有直接接觸；且也將包含第一特徵和第二特徵為非直接接 觸，具有額外的特徵形成於第一特徵和第二特徵之間。此外，本揭露在多個範例中將重複使用元件標號以和/或文字。重複的目的在於簡化與釐清，而其本身並不會決定多個實施例以和/或所討論的配置之間的關係。

此外，方位相對詞彙，如「在...之下」、「下面」、「下」、「上方」或「上」或類似詞彙，在本文中為用來便於描述繪示於圖式中的一個元件或特徵至另外的元件或特徵之關係。方位相對詞彙除了用來描述裝置在圖式中的方位外，其包含裝置於使用或操作下之不同的方位。當裝置被另外設置(旋轉90度或者其他面向的方位)，本文所用的方位相對詞彙同樣可以相應地進行解釋。

第1A圖為本揭露一實施例之顯示裝置10被彎折前的上視示意圖。第1B圖為第1A圖之區域R1的局部放大示意圖。請一併參照第1A圖及第1B圖，顯示裝置10包括基板102、畫素結構104以及多條走線106。基板102具有第一部102A、彎折部102B以及第二部102C，且彎折部102B連接於第一部102A與第二部102C之間。基板102為異形基板，異形等同非矩形。於本實施例中，基板102為圓形，使得顯示裝置10適用於穿戴式顯示器。舉例而言，第1A圖所繪的顯示裝置10可以是類似手錶樣式，用以向穿戴者提供影像資訊。於其他實施例中，基板102可為橢圓、扇形、蛋形或其他非矩形的形狀。基板102例如是可撓式基板，其材料例如是聚醯亞胺(PI)、聚乙烯對苯二甲酸酯(PET)或是聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)。可對基板102進行彎折步驟，以使基板102的受彎折部分產生變形， 從而形成彎折部102B，使顯示裝置10具有窄邊框的優點。

本實施例的顯示裝置10例如是液晶顯示面板、有機電致發光顯示面板等。畫素結構104位於基板102的第一部102A。顯示裝置10可具有位於第一部102A的異形的顯示區域AA，然本揭露不限於此。畫素結構104例如是液晶顯示面板的主動元件、畫素電極、液晶光閥以及彩色濾光層，或是有機電激發光顯示面板的陰極、有機發光層及陽極等。為了方便說明，圖中繪示了第一方向D1及第二方向D2，第一方向D1與第二方向D2相交。於本實施例中，第一方向D1實質上垂直於第二方向D2。畫素結構104例如是呈陣列排列，舉例而言，畫素結構104沿著第一方向D1及第二方向D2呈陣列配置。然而，本揭露並不限制畫素結構104的排列方式，其可依據實際的設計需求而變更。

基板102的彎折部102B可作為顯示裝置10的佈線區，基板102的第二部102C作為顯示裝置10的外接電路區。走線106位於彎折部102B及第二部102C，並用以連接相應的畫素結構104與外接電路的驅動電路或電路接點，以接收顯示時所需要的控制訊號與顯示資料。若走線106在彎折前為直線形狀，則彎折時，應力將集中在走線106的單一彎折點而容易斷裂。於本實施例中，走線106在彎折前為非直線形狀，例如走線106的延伸路徑為沿著第一方向D1延伸的S形圖案或蛇形圖案。換言之，自視角108觀看走線106的話，走線106具有至少一波峰V1及至少一波谷V2，其中視角108的方向實質上垂直於走線106的延伸方向，舉例而言，視角108的方向與第一方向 D1相交。由於波峰V1及波谷V2可作為應力集中處，從而走線106具有至少二個應力集中處。藉此，可以避免應力集中於走線106的單一點，提高走線106的良率或可靠度。

走線106具有至少一應力釋放區域106R，應力釋放區域106R以外的區域為非應力釋放區域106N，應力釋放區域106R位於走線106的應力集中處(例如為走線106的波峰V1、波谷V2處)，可在彎折時有效釋放應力。於其他實施例中，走線106呈網狀(見第2A圖及第2B圖)，各條走線106可由兩條延伸路徑為沿著第一方向D1延伸的S形圖案或蛇形圖案的子走線106a、106b及一條延伸路徑為沿著第二方向D2延伸的子走線106c所構成，子走線106c的兩端各位於一條子走線106a的波峰V1及另一條子走線106b的波谷V2，兩條子走線106a、106b傳遞相同的控制訊號與顯示資料，可使走線106具有提高的良率或可靠度。子走線106a、106b、106c可共同構成沙漏形狀的空間SP1(見第2A圖)。或者，子走線106c可不平行於第一方向D1及第二方向D2(見第2B圖)，可提供製程彈性化的優點。

第3圖為本揭露一實施例的顯示裝置10的剖面示意圖。第3圖的區域110是對應第1A圖的部分畫素結構104，第3圖的區域112是對應第1B圖的彎折部102B的多個應力釋放區域106R及多個非應力釋放區域106N的沿著剖線I-I的剖面示意圖，第3圖的區域113是對應第1A圖的第二部102C的區域R2，請一併參照第1A圖、第1B圖及第3圖，顯示裝置10包括依序設置在基板102上的半導體圖案114、絕緣層116、第一導 電層118、介電層120、第二導電層122以及緩衝層124。半導體圖案114位於區域110，半導體圖案114的材料例如非晶矽、多晶矽、微晶矽、單晶矽、有機半導體材料、氧化物半導體材料(例如銦錫氧化物、銦鍺鋅氧化物、或是其它合適的材料、或上述之組合)、或其它合適的材料。半導體圖案114並具有源極摻雜區114a、汲極摻雜區114b及通道區114c，其中源極摻雜區114a與汲極摻雜區114b位於通道區114c的兩端。半導體圖案114可以透過摻雜(doping)而定義出源極摻雜區114a、汲極摻雜區114b及通道區114c，其中所述的摻雜可以是重摻雜或是輕摻雜。此外，源極摻雜區114a以及汲極摻雜區114b可以是透過重摻雜定義，且通道區114c與源極摻雜區114a之間或通道區114c與汲極摻雜區114b之間存在輕摻雜的區域。

絕緣層116設置於半導體圖案114上，使半導體圖案114被夾於基板102與絕緣層116之間。絕緣層116的材質例如為氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、其它合適的材料、或上述至少二種材料的堆疊層，但本揭露不以此為限。第一導電層118包括閘極G與多個第一金屬圖案層118a。閘極G配置於絕緣層116上，多個第一金屬圖案層118a設置於區域112上且彼此分離。閘極G在基板102的正投影會與通道區114c在基板102的正投影至少部分重疊。介電層120設置於絕緣層116、閘極G以及部分的基板102上。

第二導電層122配置於介電層120上，第二導電層122包括源極S、汲極D與多個第二金屬圖案層126。源極S與汲極D和半導體圖案114電性連接。在本實施例中，半導體圖案 114、絕緣層116、閘極G、源極S與汲極D可視為一個薄膜電晶體T。第二金屬圖案層126自第一部102A延伸至彎折部102B並自彎折部102B延伸至第二部102C，第二金屬圖案層126各自具有複數個分支128和一線路部130，分支128連接至第一金屬圖案層118a，介電層120位於基板102與第二金屬圖案層126之間。

於一實施例中，第一導電層118的材料不同於第二導電層122的材料。也就是說，第一金屬圖案層118a的材料不同於第二金屬圖案層126的材料。在一實施例中，第一金屬圖案層118a的材質包括多層結構，例如鉬-鋁-鉬結構，第二金屬圖案層126的材質包括多層結構，例如鈦-鋁-鈦結構。於其他實施例中，第一導電層118的材料相同於第二導電層122的材料。也就是說，第一金屬圖案層118a的材料相同於第二金屬圖案層126的材料，舉例而言，第一金屬圖案層118a與第二金屬圖案層126的材質包括鈦-鋁-鈦結構。可理解的是，於第一金屬圖案層118a與第二金屬圖案層126包括相同材料的實施例中，分支128與第一金屬圖案層118a之間可不具有介面。

緩衝層124位於部分的介電層120及第二導電層122上。舉例而言，緩衝層124覆蓋源極S、汲極D以及線路部130。緩衝層124具有開口O1，開口O1露出位於第一金屬圖案層118a上方的線路部130。

第4A圖為顯示裝置10彎折後的俯視示意圖，第4B圖為沿著第4A圖的剖線4B-4B的剖面示意圖。請一併參照第3圖、第4A圖及第4B圖，為了不使圖式過於複雜，第1A圖 所繪示的畫素結構104及走線106未繪於第4A圖及第4B圖之中。顯示裝置10還包括間隙物103，基板102的第一部102A、彎折部102B及第二部102C共同形成容置空間，間隙物103位於容置空間中，其中基板102的彎折部102B會與間隙物103的曲形輪廓共形。間隙物103作為支撐結構。為了不使圖式過於複雜，第4B圖僅繪示基板102、線路部130及間隙物103，其中第二金屬圖案層126(見第3圖)的線路部130(見第3圖)為連續地自第一部102A經彎折部102B而延伸至第二部102C。

第4C圖為根據本揭露一實施例之第3圖的區域112彎折後的示意圖。請一併參照第1B圖及第4C圖，彎曲的線路會因受到應力具有拉伸應變(tensile strain)，介電層120可承受的最大拉伸應變值小於第二金屬圖案層126可承受的最大拉伸應變值，若介電層120斷裂，則位於其上方的線路部130也會有斷裂的風險。於本實施例中，線路部130具有至少兩個導通路徑。舉例而言，線路部130為連續地自第一部102A經彎折部102B而延伸至第二部102C(見第4B圖)，線路部130還透過分支128連接至第一金屬圖案層118a，藉此線路部130具有提高的良率或可靠度。第一金屬圖案層118a的寬度W1介於1微米與10微米之間(見第3圖)，可在走線106彎折後仍良好地與分支128連接，藉此可提高走線106的良率或可靠度。

於本實施例中，介電層120之至少一部分與第一金屬圖案層118a重疊，並位於相鄰之第二金屬圖案層126之分支128之間。舉例而言，介電層120具有多個主體部132與多個輔助部134，主體部132與輔助部134間隔排列。主體部132位 於基板102上，第二金屬圖案層126的線路部130位於主體部132上。輔助部134位於第一金屬圖案層118a上。換言之，輔助部134在基板102的正投影與第一金屬圖案層118a在基板102的正投影部分重疊。於本實施例中，輔助部134在基板102的正投影位於第一金屬圖案層118a在基板102的正投影之內。介電層120的主體部132主要位於走線106的非應力釋放區域106N，因此主體部132不易斷裂，使介電層120的良率或可靠度得以提高。

第5圖為根據本揭露另一實施例之第3圖的區域112彎折後的示意圖。第5圖與第4C圖之差異主要在於：顯示裝置10彎折後，輔助部134斷裂為兩個部分，從而位於輔助部134上的線路部130(見第3圖)跟著斷裂。具體而言，使得第二金屬圖案層126各自具有複數個分支128和互相分離的第一線路部130a及第二線路部130b，分支128連接至第一金屬圖案層118a，且第一線路部130a及第二線路部130b透過分支128連接至相同的第一金屬圖案層118a。請一併參照第1B圖及第5圖，由於介電層120的輔助部134位於應力釋放區域106R，並且，介電層120的楊氏模數(Young’s modulus，E)介於0.1GPa與4GPa之間。輔助部134(見第3圖)的寬度W2介於1微米與5微米之間，輔助部134的垂直高度H1介於1微米與10微米之間(見第3圖)，藉此輔助部134具有足夠小的面積，可提高輔助部134的斷裂機率。並且，緩衝層124的開口O1可進一步提高輔助部134的斷裂機率。舉例而言，開口O1的寬度W3介於1微米與5微米之間。輔助部134斷裂有助於釋放應力，可降低走線106 的非應力釋放區域106N的斷裂的風險。並且，即使輔助部134斷裂，第一線路部130a及第二線路部130b仍可透過分支128連接至相同的第一金屬圖案層118a而互相導通，如此一來，走線106具有提高的良率或可靠度。

第6圖為本揭露另一實施例的顯示裝置10a的剖面示意圖。第6圖的區域110是對應第1A圖的部分第一部102A，第6圖的區域112a是對應第1B圖的彎折部102B的多個應力釋放區域106R及多個非應力釋放區域106N的沿著剖線I-I的剖面示意圖，圖中的區域113是對應第1A圖的第二部102C的區域R2。第6圖與第3圖之差異主要在於：第二金屬圖案層126在彎折前各自具有複數個分支128和互相分離的第一線路部130a及第二線路部130b，分支128連接至第一金屬圖案層118a，且第一線路部130a及第二線路部130b透過分支128連接至相同的第一金屬圖案層118a。請一併參照第1B圖及第6圖，介電層120具有多個位於走線106的非應力釋放區域106N的主體部132，分支128共形於主體部132的側壁，分支128之間具有溝槽TH，溝槽TH露出第一金屬圖案層118a。緩衝層124設置於第二金屬圖案層126上。緩衝層124具有開口O1a，開口O1a的寬度W4大於分支128之間的距離S1，換言之，開口O1a的寬度W4大於溝槽TH的寬度。舉例而言，開口O1a的寬度W4介於1微米與10微米之間。藉此，有助於釋放應力，降低走線106的非應力釋放區域106N的斷裂的風險。

第7圖繪示第6圖的區域112a彎折後的示意圖，第一線路部130a與第二線路部130b可藉由分支128連接至相同 的第一金屬圖案層118a，因此，走線106具有提高的良率或可靠度。

第8A圖至第8D圖為依照本揭露一實施例之第3圖的區域110、112、113的製造流程剖面示意圖。請參照第8A圖，首先，依序形成半導體圖案114、絕緣層116及第一導電層118於基板102上。第一導電層118包括閘極G及多個第一金屬圖案層118a。於形成半導體圖案114後，可透過摻雜而定義出半導體圖案114的源極摻雜區114a、汲極摻雜區114b與通道區114c。於形成第一導電層118的製程中，可透過一道圖案化製程形成閘極G與多個第一金屬圖案層118a，即閘極G與第一金屬圖案層118a是透過對同一金屬膜材進行圖案化所形成。

請參照第8B圖，接著，形成介電層120於半導體圖案114、閘極G與部分的基板102上。介電層120具有接觸孔HL1、HL2，接觸孔HL1、HL2暴露出半導體圖案114的兩側。介電層120具有位於基板102的彎折部102B上的多個主體部132及多個輔助部134，輔助部134與第一金屬圖案層118a重疊，其餘結構可參考先前對第3圖的描述。

請參照第8C圖，接著，形成第二導電層122於介電層120上，第二導電層122包括源極S、汲極D以及多個第二金屬圖案層126。源極S與汲極D與半導體圖案114電性連接。詳言之，在本實施例中，源極S與汲極D配置於介電層120上並填入接觸孔HL1、HL2，以和半導體圖案114電性連接。在本實施例中，源極S、汲極D、閘極G、半導體圖案114可視為一個薄膜電晶體T。於形成第二導電層122的製程中，可透過一 道圖案化製程形成源極S、汲極D以及多個第二金屬圖案層126，即源極S、汲極D以及多個第二金屬圖案層126是透過對同一金屬膜材進行圖案化所形成。於本實施例中，以頂閘型薄膜電晶體為範例，但不限於此。於其他實施例中，薄膜電晶體T亦可為底閘型薄膜電晶體。舉例而言，可將閘極G先形成於基板102上，接著形成半導體圖案114，即閘極G位於半導體圖案114下，後續的膜層可參閱前述的描述。第二金屬圖案層126各自具有複數個分支128和一線路部130，分支128連接至第一金屬圖案層118a，且線路部130為連續地自第一部102A經彎折部102B而延伸至第二部102C，同前所述，在此不再贅述。

請參照第8D圖，接著，形成緩衝層124於第二導電層122上。緩衝層124具有開口O1，開口O1重疊於第一金屬圖案層118a，於此，便完成了本實施例的顯示裝置10。於緩衝層124形成之後，同前所述，可進行彎折步驟，以使第8D圖的區域112成為如第4C圖(或第5圖)的結構，於此不再贅述。

第9A圖至第9D圖為依照本揭露一實施例之第6圖的區域110、112a、113的製造流程剖面示意圖。第9A圖至第9D圖之區域110、112a、113的製造流程與第8A圖至第8D圖之區域110、112、113的製造流程類似，因此相同或相對應的元件以相同或相對應的標號表示。第9A圖至第9D圖之區域110、112a、113的製造流程與第8A圖至第8D圖之區域110、112、113的製造流程的差異在於：第9A圖至第9D圖之第二金屬圖案層126的分支128之間不具有介電層120的輔助部134。以下主要就此差異點做說明，兩者相同處還請參照前述說明， 於此便不再重述。其中第9A圖的區域110、112a、113的製造流程與第8A圖的區域110、112、113的製造流程類似，故於此不再贅述。

請參照第9B圖，形成介電層120覆蓋閘極G、絕緣層116及部分的基板102。介電層120具有多個互相分隔的主體部132，第一金屬圖案層118a位於主體部132之間，換言之，主體部132藉由第一金屬圖案層118a分隔開。舉例而言，主體部132在基板102的正投影與第一金屬圖案層118a在基板102的正投影間隔排列。

請參照第9C圖，接著，形成第二導電層122於介電層120上，第二導電層122包括源極S、汲極D以及多個第二金屬圖案層126。源極S與汲極D與半導體圖案114電性連接。第二金屬圖案層126自第一部102A延伸至彎折部102B並自彎折部102B延伸至第二部102C，第二金屬圖案層126各自具有複數個分支128和互相分離的第一線路部130a及第二線路部130b，第一線路部130a及第二線路部130b位於主體部132上方。分支128連接至第一金屬圖案層118a，且第一線路部130a及第二線路部130b透過分支128連接至相同的第一金屬圖案層118a。分支128共形於主體部132的側壁，使得分支128之間形成溝槽TH。

請參照第9D圖，接著，設置緩衝層124於第二金屬圖案層126上，緩衝層124具有開口O1a，於此，便完成了本實施例的顯示裝置10a。開口O1a的寬度W4大於分支128之間的距離S1，換言之，開口O1a的寬度W4大於溝槽TH的寬度。 於緩衝層124形成後，同前所述，可進行彎折步驟，以使第9D圖的區域112a成為如第7圖的結構，於此不再贅述。

綜上所述，本揭露一實施例的顯示裝置的走線的延伸路徑為沿著第一方向延伸的S形圖案或蛇形圖案，換言之，走線具有至少一波峰及至少一波谷，由於波峰及波谷可作為應力集中處，從而走線具有至少二個應力集中處。藉此，可以避免應力集中於走線的單一點，提高走線的良率或可靠度。走線有至少一應力釋放區域，應力釋放區域位於走線的應力集中處(例如為走線的波峰、波谷處)，可在彎折時有效釋放應力。第二金屬圖案層自第一部延伸至彎折部並自彎折部延伸至第二部，第二金屬圖案層各自具有複數個分支和一線路部。線路部透過分支連接至第一金屬圖案層，藉此走線具有提高的良率或可靠度。

以上概述數個實施方式或實施例的特徵，使所屬領域中具有通常知識者可以從各個方面更加瞭解本揭露。本技術領域中具有通常知識者應可理解，且可輕易地以本揭露為基礎來設計或修飾其他製程及結構，並以此達到相同的目的及/或達到在此介紹的實施方式或實施例相同之優點。本技術領域中具有通常知識者也應了解這些相等的結構並未背離本揭露的揭露精神與範圍。在不背離本揭露的精神與範圍之前提下，可對本揭露進行各種改變、置換或修改。

10‧‧‧顯示裝置

102‧‧‧基板

102A‧‧‧第一部

102B‧‧‧彎折部

102C‧‧‧第二部

104‧‧‧畫素結構

106‧‧‧走線

AA‧‧‧顯示區域

D1‧‧‧第一方向

D2‧‧‧第二方向

R1‧‧‧區域

R2‧‧‧區域

Claims (11)

1. 一種顯示裝置，包含：一基板，具有一第一部、一彎折部位於一顯示區域外以及一第二部，且該彎折部連接於該第一部與該第二部之間，該彎折部被彎折後，於該基板之一法線方向上實質上位於該第一部以及該第二部之間；多個第一金屬圖案層，設置於該彎折部；多個第二金屬圖案層，自該第一部延伸至該彎折部並自該彎折部延伸至該第二部，其中該第二金屬圖案層各自具有複數個分支和互相分離的一第一線路部及一第二線路部，該些分支連接至該些第一金屬圖案層，且該第一線路部及該第二線路部透過該些分支連接至相同的該第一金屬圖案層；以及一介電層，設置於該基板與該些第二金屬圖案層之間，其中該介電層之至少一部分與該些第一金屬圖案層重疊，並位於相鄰之該些分支之間。
2. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該基板為可撓式基板。
3. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該基板為異形基板。
4. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該介電層 之該部分斷裂為互相分離的一第一輔助部及一第二輔助部。
5. 一種顯示裝置，包含：一基板，具有一第一部、一彎折部以及一第二部，且該彎折部連接於該第一部與該第二部之間；多個第一金屬圖案層，設置於該彎折部；多個第二金屬圖案層，自該第一部延伸至該彎折部並自該彎折部延伸至該第二部，其中該些第二金屬圖案層各自具有複數個分支和一線路部，該些分支連接至該些第一金屬圖案層，且該線路部為連續地自該第一部經該彎折部而延伸至該第二部；以及一介電層，設置於該基板與該第二金屬圖案層之間，其中該介電層之至少一部分與該些第一金屬圖案層重疊，並位於相鄰之該些分支之間。
6. 如請求項5所述之顯示裝置，其中該第一金屬圖案層的寬度介於1微米與10微米之間。
7. 如請求項5所述之顯示裝置，更包含：一緩衝層，位於該第二金屬圖案層上，其中該緩衝層具有一開口，該開口的寬度介於1微米與5微米之間。
8. 如請求項5所述之顯示裝置，其中該介電層之該部分的高度介於1微米與10微米之間。
9. 一種顯示裝置，包含：一基板，具有一第一部、一彎折部以及一第二部，且該彎折部連接於該第一部與該第二部之間；多個第一金屬圖案層，設置於該彎折部；多個第二金屬圖案層，自該第一部延伸至該彎折部並自該彎折部延伸至該第二部，其中該第二金屬圖案層各自具有複數個分支和互相分離的一第一線路部及一第二線路部，該些分支連接至該些第一金屬圖案層，且該第一線路部及該第二線路部透過該些分支連接至相同的該第一金屬圖案層；以及一緩衝層，設置於該第二金屬圖案層上，其中該緩衝層具有一開口，該開口的寬度大於該些分支之間的距離。
10. 如請求項9所述之顯示裝置，其中該些分支之間的距離介於5微米與50微米之間。
11. 如請求項9所述之顯示裝置，其中該開口的寬度介於1微米與10微米之間。

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