CN103811530B - 柔性有机电致发光装置及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种柔性有机电致发光装置及其制造方法,该装置包括:基板,由包括多个像素区域的显示区域及非显示区域限定;在每个像素区域的开关和驱动薄膜晶体管;层间绝缘层,在基板上以暴露驱动薄膜晶体管的漏极;在非显示区域的分隔壁图案;第一电极,在每个像素区域并与所述漏极连接;堤部,在每个像素区域周围及非显示区域;有机发光层,在第一电极上对于每个像素区域分离形成;第二电极,在显示区域的整个表面上;第一钝化层,在基板整个表面上及分隔壁图案的上部;在第一钝化层上的有机层;第二钝化层,在有机层的上部及第一钝化层上,及分隔壁图案的上部;与基板相对的阻挡膜;以及粘结剂,夹在基板与阻挡膜之间以将基板粘附到阻挡膜。
Description
技术领域
本发明涉及一种有机电致发光装置(下文称作“OELD”),尤其涉及一种用于阻挡湿气渗透到有机电致发光装置中,以提高有机电致发光装置寿命的柔性有机电致发光装置及其制造方法。
背景技术
作为平板显示器(FPD)之一的有机电致发光装置具有高亮度和低操作电压的特性。此外,有机电致发光装置由于作为自身发光的自发光型显示器进行操作,所以具有高对比度,并可实现超薄显示器。此外,有机发光二极管具有如下优点:利于使用几微秒(μs)的响应时间实现运动图像、视角没有限制、即使在低温时也具有稳定性、以及以DC5到15V之间的低压驱动,因而利于其驱动电路的制造和设计。
此外,可仅使用沉积和封装设备执行有机电致发光装置的制造工艺,因此制造工艺非常简单。
具有这种特性的有机发光二极管主要可分为无源矩阵型和有源矩阵型。在无源矩阵型中,装置可构造为具有扫描线和信号线彼此交叉的矩阵形式,随着时间流逝扫描线被依次驱动,以驱动每个像素,因而需要与平均亮度乘以线数量一样多的瞬时亮度,以显示平均亮度。
然而,有源矩阵型具有下述结构,其中为每个像素区域设置作为用于导通或关断像素区域的开关装置的薄膜晶体管,且为每个像素区域形成与开关晶体管连接的驱动晶体管,驱动晶体管与电源线和有机发光二极管连接。
在此,在像素区域单元中与驱动晶体管连接的第一电极可导通或关断,与第一电极相对的第二电极可执行公共电极的功能,由此连同夹在两个电极之间的有机发光层一起实现有机发光二极管。
在具有这种特性的有源矩阵型中,可在存储电容器(Cst)充入施加给像素区域的电压,该电压可被施加一直到施加下一帧信号为止,因而不管扫描线数量如何,可连续驱动一屏。
因此,即使施加低电流,也可获得相同的亮度,由此具有提供低功耗、微间距和大尺寸屏幕显示器的优点,因而近年来已广泛使用有源矩阵型有机电致发光装置。
下面将参照附图描述这种有源矩阵型有机电致发光装置的基本结构和操作特性。
图1是根据现有技术的典型有源矩阵型有机电致发光装置中的一个像素区域的电路图。
参照图1,典型有源矩阵型有机电致发光装置10的一个像素区域可包括开关薄膜晶体管STr、驱动薄膜晶体管DTr、存储电容器Cst和有机发光二极管E。
在第一方向上形成栅极线GL,并形成设置在与第一方向交叉的第二方向上以与栅极线GL一起限定像素区域P的数据线DL,并形成与数据线DL分离以施加电源电压的电源线PL。
此外,在数据线DL和栅极线GL彼此交叉的部分形成开关薄膜晶体管STr,并在每个像素区域P内形成与开关薄膜晶体管STr电连接的驱动薄膜晶体管DTr。
在此,驱动薄膜晶体管DTr与有机发光二极管E电连接。换句话说,作为有机发光二极管E的一个侧端的第一电极与驱动薄膜晶体管DTr的漏极连接,作为其另一侧端的第二电极与电源线PL连接。在此,电源线PL向有机发光二极管E传输电源电压。此外,在驱动薄膜晶体管DTr的栅极与源极之间形成存储电容器Cst。
因此,当通过栅极线GL施加信号时,开关薄膜晶体管STr导通,数据线DL的信号传输到驱动薄膜晶体管DTr的栅极,以导通驱动薄膜晶体管DTr,由此通过有机发光二极管E发光。在此,当驱动薄膜晶体管DTr处于导通状态时,从电源线PL流经有机发光二极管E的电流大小被确定,由于此原因,有机发光二极管E可实现灰度级,并且当开关薄膜晶体管STr截止时,存储电容器Cst可执行恒定地保持驱动薄膜晶体管DTr的栅极电压的功能,由此即使当开关薄膜晶体管STr处于截止状态时,也可使流经有机发光二极管E的电流大小被恒定地保持到下一帧。
另一方面,图2是示意性图解根据现有技术的有机电致发光装置的平面图。
图3是根据现有技术的沿图2中的线III-III的有机电致发光装置的示意性剖面图。
参照图2,在根据现有技术的有机电致发光装置10中,在基板11上限定有显示区域AA,在显示区域AA外侧限定有非显示区域NA,在显示区域AA中设置有多个像素区域P,每个像素区域P被限定为由栅极线(未示出)和数据线(未示出)包围的区域,且在显示区域AA中与数据线(未示出)平行地设置有电源线(未示出)。
在此,在多个像素区域(SP)中分别形成(未示出)和驱动薄膜晶体管DTr(未示出),且开关薄膜晶体管STr与驱动薄膜晶体管DTr连接。
在根据现有技术的有机电致发光装置10中,通过钝化层(未示出)封装形成有驱动薄膜晶体管DTr和有机发光二极管E的基板11。
下面具体地描述根据现有技术的有机电致发光装置10。如图3中所示,基板11上限定有显示区域AA,在显示区域AA外侧限定有非显示区域NA,在显示区域AA中设置有多个像素区域P,每个像素区域P被限定为由栅极线(未示出)和数据线(未示出)包围的区域,且在显示区域AA中与数据线(未示出)平行地设置有电源线(未示出)。
在此,在基板11上设置有绝缘材料,例如由作为无机绝缘材料的硅氧化物(SiO2)或硅氮化物(SiNX)形成的缓冲层(未示出)。
此外,在缓冲层(未示出)上部的显示区域AA内的每个像素区域P,形成由纯多晶硅形成的半导体层13以分别对应于驱动区域(未示出)和开关区域(未示出),且半导体层13包括在其中心部分形成沟道的第一区域13a以及在第一区域13a的两个侧表面被掺杂高浓度杂质的第二区域13b,13c。
在包括半导体层13的缓冲层(未示出)上形成栅极绝缘层15,在栅极绝缘层15上设置驱动区域(未示出)和开关区域(未示出),因而对应于每个半导体层13的第一区域13a形成栅极17。
此外,在栅极绝缘层15上形成与形成于开关区域(未示出)中的栅极17连接并在一个方向上延伸的栅极线(未示出)。
另一方面,在栅极17和栅极线(未示出)上部的显示区域的整个表面上形成层间绝缘层19。在此,在层间绝缘层19及其下方的栅极绝缘层15上设置半导体层接触孔(未示出),半导体层接触孔用于暴露分别位于每个半导体层的第一区域13a的两个侧表面的第二区域13b,13c。
此外,在包括半导体层接触孔(未示出)的层间绝缘层19的上部形成与栅极线(未示出)交叉以限定像素区域P并由第二金属材料形成的数据线(未示出)、以及与数据线分离的电源线(未示出)。在此,电源线(未示出)可在形成有栅极线(未示出)的层,即栅极绝缘层上,被形成为与栅极线(未示出)分离并平行。
此外,在层间绝缘层19上的每个驱动区域(未示出)和开关区域(未示出)中形成源极23a和漏极23b,其中源极23a和漏极23b与彼此分离并分别通过半导体层接触孔(未示出)暴露的第二区域13b,13c接触且由与数据线(未示出)相同的第二金属材料形成。在此,依次沉积在驱动区域(未示出)上的半导体层13、栅极绝缘层15、栅极17、层间绝缘层19以及形成为彼此分离的源极23a和漏极23b形成驱动薄膜晶体管DTr。
另一方面,在驱动薄膜晶体管DTr和开关薄膜晶体管(未示出)上形成有机绝缘层25,其中有机绝缘层25具有用于暴露驱动薄膜晶体管DTr的漏极23b的漏极接触孔(未示出)。
此外,在有机绝缘层25上形成通过漏极接触孔(未示出)与驱动薄膜晶体管DTr的漏极23b接触且对于每个像素区域P来说具有分离形式的第一电极31。
此外,在第一电极31上形成分隔每个像素区域P的堤部33。在此,堤部33设置在邻接的像素区域P之间。此外,不仅在邻接的像素区域P之间形成堤部33,而且在面板边缘部分,即非显示区域NA中形成一部分堤部33a。
在由堤部33包围的每个像素区域P内的第一电极31上形成由用于分别发射红色、绿色和蓝色光的有机发光图案(未示出)构成的有机发光层35。
此外,在有机发光层35和堤部33上部的显示区域AA的整个表面上形成第二电极37。在此,第一电极31和第二电极37以及夹在两个电极31,37之间的有机发光层35形成有机发光二极管E。
另一方面,在包括第二电极37的基板的整个表面上形成第一钝化层39,作为用于防止湿气渗透的绝缘层。
此外,在第一钝化层39上的显示区域AA中形成由诸如聚合物这样的高分子有机物质形成的有机层41。
此外,在包括有机层41的第一钝化层39上附加形成由绝缘材料,例如作为无机绝缘材料的硅氧化物(SiO2)或硅氮化物(SiNX)形成的第二钝化层43,以阻挡湿气透过有机层41。
此外,在包括第二钝化层43的基板的整个表面上设置与基板相对的用于封装有机发光二极管E并阻止上部湿气渗透的阻挡膜47,且压敏粘结剂(下文称作“PSA”)45完全粘附到基板11和阻挡膜47并夹在基板11与阻挡膜47之间,使得其间没有空气层。在此,第二钝化层43、压敏粘结剂45和阻挡膜47形成端面密封(face seal)结构。
以这种方式,基板11通过粘结剂45固定到阻挡膜47,以形成面板状态,由此构成根据现有技术的有机电致发光装置10。
然而,对于根据现有技术的有机电致发光装置10,在现有的端面密封结构中,例如在第二钝化层43、压敏粘结剂45和阻挡膜47的层结构中,第二钝化层43和阻挡膜47执行防止湿气渗透的阻挡功能,但压敏粘结剂45以相对低效的方式执行阻挡功能。作为材料问题,显示出湿气在侧表面渗透的可能性高于其在上部渗透的可能性。
当在端面密封结构中的每个薄膜之间不产生异物或裂纹时,不会以异常方式产生湿气渗透,但由于在工艺过程中产生的异物等,发生湿气渗透。
特别是,第一和第二钝化层43上不利的台阶覆层在异物周围形成界面,该界面用作湿气渗透通路。
因此,通过具有低阻挡能力的压敏粘结剂45渗透的湿气(H2O)通过异物的边界部分进行第一次湿气渗透,并通过薄膜晶体管的下部有机层,例如堤部、层间绝缘层(即平坦化层)等扩散第二次湿气渗透,由此使有机电致发光装置的阴极氧化。
图4是示意性图解根据现有技术通过在切割有机电致发光装置的划线时产生的裂纹而渗透的湿气(H2O)经由第一和第二钝化层传播的放大剖面图,其为图3的部分“A”的放大剖面图。
图5是示意性图解当使用切割刀轮切割根据现有技术的有机电致发光装置的划线时,裂纹经由第一和第二钝化层传播的现象的视图。
如图4和5中所示,当使用切割刀轮60切割有机电致发光装置的划线50时,由于刀轮刻划导致的玻璃破损会在检查工艺等过程中在被处理或移动的同时通过外部振动产生裂纹,该裂纹在经由第一和第二钝化层39,43传播的同时会成为湿气在侧表面渗透的通路。
此外,在压敏粘结剂45或阻挡膜47的外部被暴露的第一和第二钝化层39,43产生裂纹的过程中,湿气会经由有机层传播。
因此,湿气会由于由划线50引起的第一和第二钝化层39,43的裂纹而渗透,从而在显示区域部分AA中形成非发光区域。
此外,由于外部振动等,从面板边缘部分会产生第一和第二钝化层39,43的裂纹,且裂纹传播到发光部分,由此在显示区域部分AA中形成非发光区域。
发明内容
提出本发明以解决现有技术中的问题,本发明的一个目的是提供一种柔性有机电致发光装置及其制造方法,其中在非显示区域中形成包围显示区域周边的分隔壁图案,以防止裂纹传播,由此以可靠的环境抑制湿气渗透。
为了实现前述目的,根据本发明的有机电致发光装置可包括:基板,所述基板由包括多个像素区域的显示区域及位于所述显示区域的外侧的非显示区域限定;形成在所述基板上的每个像素区域的开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管;层间绝缘层,所述层间绝缘层形成在包括所述开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管的基板上以暴露所述驱动薄膜晶体管的漏极;分隔壁图案,所述分隔壁图案形成在所述基板的非显示区域中以包围所述显示区域的周边;第一电极,所述第一电极形成在所述层间绝缘层上的每个像素区域中并与所述驱动薄膜晶体管的漏极连接;堤部,所述堤部形成在每个像素区域周围以及形成在包括所述第一电极的基板的非显示区域中;有机发光层,所述有机发光层在所述第一电极上对于每个像素区域分离地形成;第二电极,所述第二电极形成在包括所述有机发光层的显示区域的整个表面上;第一钝化层,所述第一钝化层形成在包括所述第二电极的基板的整个表面上以及形成在所述分隔壁图案的上部;形成在所述显示区域的第一钝化层上的有机层;第二钝化层,所述第二钝化层形成在所述基板的整个表面上的有机层的上部及第一钝化层上,以及形成在所述分隔壁图案的上部;被设置成与所述基板相对的阻挡膜;以及粘结剂,所述粘结剂夹在所述基板与所述阻挡膜之间以将所述基板粘附到所述阻挡膜,以实现面板状态。
为了实现前述目的,根据本发明的制造柔性有机电致发光装置的方法可包括:提供基板,所述基板由包括多个像素区域的显示区域及位于所述显示区域的外侧的非显示区域限定;在所述基板上的每个像素区域形成开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管;在包括所述开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管的基板上形成层间绝缘层,以暴露所述驱动薄膜晶体管的漏极;在所述基板的非显示区域中形成分隔壁图案,以包围所述显示区域的周边;在所述层间绝缘层上的每个像素区域中形成与所述驱动薄膜晶体管的漏极连接的第一电极;在每个像素区域周围以及在包括所述第一电极的基板的非显示区域中形成堤部;在所述第一电极上对于每个像素区域分离地形成有机发光层;在包括所述有机发光层的显示区域的整个表面上形成第二电极;在包括所述第二电极的基板的整个表面上以及在所述分隔壁图案的上部以分离的形式形成第一钝化层;在所述显示区域的第一钝化层上形成有机层;在所述基板的整个表面上的有机层的上部及第一钝化层上,以及在所述分隔壁图案的上部,以分离的形式形成第二钝化层;以及将设置成与所述基板相对的阻挡膜粘附到所述第二钝化层上,以实现面板状态。
对于根据本发明的柔性有机电致发光装置及其制造方法,可在作为有机电致发光装置的面板边缘部分的非显示区域中形成倒锥形的分隔壁图案,以在与形成在显示区域中的有机层分离的同时包围作为面板部分的显示区域的周边,从而层叠在分隔壁图案上的钝化层与形成在基板的整个表面上的钝化层分离,以防止在使用切割刀轮切割划线时在暴露到外部的钝化层上产生的裂纹传播到面板,由此以可靠的环境抑制湿气渗透。
特别是,暴露到面板外部的钝化层可与形成在倒锥形的分隔壁图案上部的钝化层分离地形成并与形成在面板内部的钝化层分离,因而由于分离的钝化层,可阻挡由外部振动产生的裂纹传播到面板,由此以可靠的环境抑制湿气渗透。
此外,在根据本发明的柔性有机电致发光装置及其制造方法中,可使用具有不同蚀刻速率的层形成倒锥形的分隔壁图案,从而形成在分隔壁图案上部的钝化层与形成在倒锥形的分隔壁图案的侧壁处的钝化层分离,因而由于分离的钝化层,可阻挡由外部振动产生的裂纹传播到面板,由此以可靠的环境抑制湿气渗透。
因此,在产生湿气渗透(原因在于:通常在进行随后工艺的同时力会施加到由于划线产生的细微裂纹,从而将裂纹从最外侧边缘传播并传递到显示区域)的过程中,根据本发明的柔性有机电致发光装置及其制造方法可防止裂纹传播,由此减少可靠性故障。
附图说明
给本发明提供进一步理解并且并入本申请中组成本申请一部分的附图图解了本发明的实施方式,并与说明书一起用于说明本发明的原理。
在附图中:
图1是根据现有技术的典型有源矩阵型有机电致发光装置中的一个像素区域的电路图;
图2是示意性图解根据现有技术的有机电致发光装置的平面图;
图3是根据现有技术的有机电致发光装置的示意性剖面图,其为沿图2中的线III-III的剖面图;
图4是示意性图解通过在切割根据现有技术的有机电致发光装置的划线时产生的裂纹而渗透的湿气(H2O)经由第一和第二钝化层传播的放大剖面图,其为图3的部分“A”的放大剖面图;
图5是示意性图解当使用切割刀轮切割根据现有技术的有机电致发光装置的划线时,裂纹经由第一和第二钝化层传播的现象的视图;
图6是示意性图解根据本发明的有机电致发光装置的平面图;
图7是根据本发明的有机电致发光装置的示意性剖面图,其为沿图6的线VII-VII的剖面图;
图8是示意性图解通过在切割根据本发明的有机电致发光装置的划线时产生的裂纹而渗透的湿气(H2O)被分隔壁图案上部的分离的钝化层阻挡的放大剖面图,其为图7的部分“B”的放大剖面图;
图9是示意性图解当使用切割刀轮切割根据本发明的有机电致发光装置的划线时,由于分隔壁图案上部的分离的钝化层,裂纹没有传播的现象的视图;以及
图10A到10L是图解根据本发明的有机电致发光装置的制造工艺剖面图。
具体实施方式
下文,将参照附图详细描述根据本发明实施方式的有机电致发光装置。
图6是示意性图解根据本发明的有机电致发光装置的平面图。
图7是根据本发明的有机电致发光装置的示意性剖面图,其为沿图6的线VII-VII的剖面图。
图8是示意性图解通过在切割根据本发明的有机电致发光装置的划线时产生的裂纹而渗透的湿气(H2O)被分隔壁图案上部的分离的钝化层阻挡的放大剖面图,其为图7的部分“B”的放大剖面图。
按照发射光的传输方向,根据本发明的柔性有机电致发光装置分为顶发光型和底发光型,下面根据本发明,将描述顶发光型作为一个例子。
参照图6到8,在根据本发明的柔性有机电致发光装置中,形成有驱动薄膜晶体管DTr和有机发光二极管E的基板101通过阻挡膜137封装。
下面具体地描述根据本发明的柔性有机电致发光装置。如图6到8中所示,在具有柔性特性的基板101上限定有显示区域AA,在显示区域AA外侧限定有非显示区域NA,在显示区域AA中设置有多个像素区域P,每个像素区域P被限定为由栅极线(未示出)和数据线(未示出)包围的区域,且在显示区域AA中与数据线平行地设置有电源线(未示出)。
在此,柔性基板101由柔性玻璃基板或具有柔性特性的塑料材料形成,从而即使当柔性有机电致发光装置(OELD)像纸张一样弯曲时也能原样地保持显示性能。
此外,在基板101上设置由绝缘材料,例如作为无机绝缘材料的硅氧化物(SiO2)或硅氮化物(SiNX)形成的缓冲层(未示出)。在此,缓冲层(未示出)形成于在随后工艺过程中形成的半导体层103的下部,以防止半导体层103的特性由于在半导体层103的结晶过程中从基板101内部发射的碱离子而劣化。
此外,在缓冲层(未示出)上部的显示区域AA内的每个像素区域P,形成由纯多晶硅形成的半导体层103,以分别对应于驱动区域(未示出)和开关区域(未示出),且半导体层103包括在其中心部分形成沟道的第一区域103a以及在第一区域103a的两个侧表面被掺杂高浓度杂质的第二区域103b,103c。
在包括半导体层103的缓冲层(未示出)上形成栅极绝缘层105,并在栅极绝缘层105上与驱动区域(未示出)和开关区域(未示出)中的每个半导体层103的第一区域103a对应地形成栅极107。
此外,在栅极绝缘层105上形成与形成于开关区域(未示出)中的栅极(未示出)连接并在一个方向上延伸的栅极线(未示出)。在此,栅极107和栅极线(未示出)可具有由具有低电阻特性的第一金属材料,例如铝(Al)、铝合金(AlNd)、铜(Cu)、铜合金、钼(Mo)和钼钛(MoTi)中的任意一种形成的单层结构,或者可具有由两种或更多种第一金属材料形成的双层或三层结构。根据附图,图解了栅极107和栅极线(未示出)具有单层结构。
另一方面,在包括栅极107和栅极线(未示出)的基板的显示区域的整个表面上形成由绝缘材料,例如作为无机绝缘材料的硅氧化物(SiO2)或硅氮化物(SiNX)形成的绝缘层109。在此,在绝缘层109及其下方的栅极绝缘层105上设置半导体层接触孔(未示出),半导体层接触孔用于暴露分别位于每个半导体层的第一区域103a的两个侧表面的第二区域103b,103c。
在包括半导体层接触孔(未示出)的绝缘层109的上部形成与栅极线(未示出)交叉以限定像素区域P的数据线(未示出)以及与数据线分离的电源线(未示出),其中数据线由第二金属材料,例如铝(Al)、铝合金(AlNd)、铜(Cu)、铜合金、钼(Mo)、钼钛(MoTi)、铬(Cr)和钛(Ti)中的任意一种或两种或更多种形成。在此,电源线(未示出)可在形成有栅极线(未示出)的层,即栅极绝缘层105上,被形成为与栅极线(未示出)分离并平行。
图9是示意性图解当使用切割刀轮切割根据本发明的有机电致发光装置的划线时,由于分隔壁图案上部的分离的钝化层,裂纹没有传播的现象的视图。
如图9中所示,在基板101的非显示区域中形成包围显示区域周边的分隔壁图案110。在此,分隔壁图案110由包括下层和上层的层结构形成,例如由包括倒锥形的金属图案107a和垂直剖面形状的绝缘层109a的层结构形成。金属图案107a由与栅极107相同的金属层形成,绝缘图案109a由与绝缘层109相同的绝缘层形成;与绝缘材料层相比,金属层具有蚀刻速率更快的特性。此外,尽管在本发明中作为例子描述了分隔壁图案110形成有包括由与栅极107相同的金属层形成的金属图案107a及由与绝缘层109相同的绝缘层形成的绝缘图案109a的层结构,但并不限于此,分隔壁图案110可由包括用于形成源极和漏极的金属层以及形成在金属层上的层间绝缘层115的层结构形成。
另一方面,当分隔壁图案110使用具有比上层快的蚀刻速率的下层时,任何适当的材料可分别用于上、下层。其目的是,形成在分隔壁图案110上部的部分和形成在分隔壁图案110下部的部分与在随后工艺中形成的第一和第二钝化层129,133分离地形成。换句话说,一部分第一和第二钝化层129,133在形成在构成分隔壁图案110的倒锥形的金属图案107a的侧表面部分的内侧的同时,与形成在分隔壁图案110上部的另一部分第一和第二钝化层129,133分离地形成。
因此,即使由于外部振动在非显示区域中的一部分第一和第二钝化层129a,133a中产生裂纹,因为形成在分隔壁图案110上的一部分第一和第二钝化层129b,133b与另一部分第一和第二钝化层129a,133a分离,所以由于外部振动在一部分第一和第二钝化层129a,133a中产生的裂纹不会传播到显示区域。
此外,如图7和8中所示,在绝缘层109上的每个驱动区域(未示出)和开关区域(未示出)中形成源极113a和漏极113b,其中源极113a和漏极113b与彼此分离并分别通过半导体层接触孔(未示出)暴露的第二区域103b,103c接触且由与数据线(未示出)相同的第二金属材料形成。在此,依次沉积在驱动区域(未示出)上的半导体层103、栅极绝缘层105、栅极107、绝缘层109以及形成为彼此分离的源极113a和漏极113b形成驱动薄膜晶体管DTr。
另一方面,尽管附图中作为例子显示了数据线(未示出)以及源极113a和漏极113b全部具有单层结构,但组成元件可具有双层或三层结构。
在此,尽管附图中未示出,但在开关区域(未示出)中也形成与驱动薄膜晶体管DTr具有相同层结构的开关薄膜晶体管(未示出)。在此,开关薄膜晶体管(未示出)与驱动薄膜晶体管DTr、栅极线(未示出)和数据线(未示出)电连接。换句话说,栅极线(未示出)和数据线(未示出)分别与开关薄膜晶体管(未示出)的栅极(未示出)和源极(未示出)连接,开关薄膜晶体管(未示出)的漏极(未示出)与驱动薄膜晶体管DTr的栅极107电连接。
另一方面,对于用于根据本发明的有机电致发光装置的基板101,作为例子显示出驱动薄膜晶体管DTr和开关薄膜晶体管(未示出)具有多晶硅的半导体层103并由顶栅型构成,但本领域技术人员应当理解,驱动薄膜晶体管DTr和开关薄膜晶体管(未示出)也可由具有非晶硅的半导体层的底栅型构成。
当驱动薄膜晶体管DTr和开关薄膜晶体管(未示出,STr)由底栅型构成时,层结构包括栅极、栅极绝缘层、纯非晶硅的有源层、彼此分离并由掺杂有杂质的非晶硅的欧姆接触层形成的半导体层、以及彼此分离的源极和漏极。在此,具有如下特征:栅极线在形成有栅极的层上被形成为与开关薄膜晶体管的栅极连接,数据线在形成有开关薄膜晶体管的源极的层上被形成为与源极连接。
另一方面,在驱动薄膜晶体管DTr和开关薄膜晶体管(未示出)上形成具有用于暴露驱动薄膜晶体管DTr的漏极113b的漏极接触孔(未示出)的层间绝缘层115。在此,层间绝缘层115使用绝缘材料,例如作为无机绝缘材料的硅氧化物(SiO2)或硅氮化物(SiNX)。
此外,在层间绝缘层上的每个像素区域中形成与驱动薄膜晶体管的漏极连接的第一电极。例如,在层间绝缘层115上形成第一电极121a,其中第一电极121a通过漏极接触孔(未示出)与驱动薄膜晶体管DTr的漏极113b接触且对于每个像素区域P来说具有分离形式。
此外,在第一电极121a上的每个像素区域P的边界(也即在每个像素区域周围)和非显示区域NA中形成堤部123,123a,其中堤部123,123a由绝缘材料,特别地,例如苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺或光学压克力形成。在此,堤部123在显示区域AA中以包围每个像素区域P的形式被形成为与第一电极121a的边缘重叠,且作为整体形成具有多个开口部的栅格形状。此外,堤部123a形成在作为面板边缘部分的非显示区域中。
另一方面,在由堤部123,123a包围的每个像素区域P内的第一电极121a上形成由用于分别发射红色、绿色和蓝色光的有机发光图案(未示出)构成的有机发光层125。有机发光层125可通过由有机发光材料形成的单层构成,或者尽管附图中未示出,有机发光层125可通过空穴注入层、空穴传输层、发光材料层、电子传输层和电子注入层的多层构成。
此外,在有机发光层125和堤部123,123a上部的显示区域AA的整个表面上形成第二电极127。在此,第一电极121a和第二电极127以及夹在两个电极121a,127之间的有机发光层125形成有机发光二极管E。
因此,对于有机发光二极管E来说,当根据选择的颜色信号向第一电极121a和第二电极127施加预定电压时,从第一电极121a注入的空穴和从第二电极127提供的电子传输到有机发光层125,以形成激子,并且当激子从激发态跃迁到基态时,以可见光的形式产生并发射光。此时,发射的光通过透明的第二电极127发射到外部,因而柔性有机电致发光装置实现任意图像。
另一方面,在包括第二电极127的基板的整个表面上形成由绝缘材料,特别地,作为无机绝缘材料的硅氧化物(SiO2)或硅氮化物(SiNX)形成的第一钝化层129。在此,仅通过第二电极127不能完全抑制湿气渗透到有机发光层125,因而在第二电极127上形成第一钝化层129,以完全抑制湿气渗透到有机发光层125。
此外,如图8和9中所示,一部分第一钝化层129,例如第一部分129a形成在倒锥形的分隔壁图案110的侧表面上和非显示区域NA中,第二部分129b仅形成在分隔壁图案110的上部。在此,第一部分129a和第二部分129b彼此分离地形成。分隔壁图案110由倒锥形的金属图案107a和垂直剖面形状的绝缘图案109a形成。
因此,第一钝化层129的第一部分129a形成在分隔壁图案110的金属图案107a的侧表面,第二部分129b形成在分隔壁图案110的绝缘图案109a的上部。因为一部分第一钝化层129形成在构成分隔壁图案110的倒锥形的金属图案107a的侧表面的内侧,而不是形成在绝缘图案109a的侧表面,所以能够实现第一钝化层129的第一部分129a和第二部分129b之间的分离。
此外,在第一钝化层129上的显示区域AA中形成由诸如聚合物这样的高分子有机物质形成的有机层131。在此,烯烃聚合物(聚乙烯、聚丙烯)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、环氧树脂、氟树脂、聚硅氧烷等可用于构成有机层131的高分子层。
此外,在包括有机层131和第一钝化层129,129a,129b的基板101的整个表面上附加形成由绝缘材料,例如作为无机绝缘材料的硅氧化物(SiO2)或硅氮化物(SiNX)形成的第二钝化层133,以阻挡湿气通过有机层131渗透。在此,一部分第二钝化层133,例如第一部分133a形成在倒锥形的分隔壁图案110的侧表面部分上以及非显示区域NA上的第一钝化层的第一部分129a上,第二部分133b仅形成在分隔壁图案110上部的第一钝化层的第二部分129b上。在此,与第一钝化层的第一部分129a和第二部分129b类似,第二钝化层的第一部分133a和第二部分133b被形成为彼此分离。
因此,如图9中所示,第一和第二钝化层129,133的第一部分129,133a形成在分隔壁图案110的金属图案107a的侧表面部分,第二部分129b,133b形成在分隔壁图案110的绝缘图案109a的上部。因为一部分第一和第二钝化层129,133形成在构成分隔壁图案110的倒锥形的金属图案107a侧表面的内侧,而不是形成在绝缘图案109a的侧表面,所以能够实现第一和第二钝化层129,133的第一部分129a,133a和第二部分129b,133b之间的分离。
如图7和8中所示,尽管附图中未标示,但在包括第二钝化层133的基板的整个表面上设置粘结剂,粘结剂与用于封装有机发光二极管E的阻挡膜137相对。由具有透明粘结特性的釉料、有机绝缘材料和高分子物质中的任意一种形成的粘结剂135完全粘附到基板101和阻挡膜137,使得在基板101和阻挡膜137之间没有空气层,且粘结剂135夹在基板101和阻挡膜137之间。在此,根据本发明,将描述粘结剂(未示出)使用压敏粘结剂(PSA)的情形作为一个例子。
以这种方式,基板101通过粘结剂135固定到阻挡膜137,以形成面板状态,由此构成根据本发明的有机电致发光装置。
因此,在根据本发明的柔性有机电致发光装置100中,可在作为有机电致发光装置的面板边缘部分的非显示区域中形成倒锥形的分隔壁图案110,以在与形成在显示区域中的有机层分离的同时包围作为面板部分的显示区域的周边,从而层叠在分隔壁图案110上的钝化层的第二部分129b,133b与形成在基板的整个表面上的第一和第二钝化层129,133分离,以防止在使用切割刀轮160切割划线150时在暴露到外部的第一和第二钝化层129,133上产生的裂纹传播到面板,如图9中所示,由此以可靠的环境抑制湿气渗透。
特别是,暴露到面板外部的第一和第二钝化层129,133的第一部分129a,133a可与形成在倒锥形的分隔壁图案110上部的第一和第二钝化层129,133的第二部分129b,133b分离地形成,并与形成在面板内部的第一和第二钝化层129,133分离,因而由于分离的第一和第二钝化层129,133,可阻挡由外部振动产生的裂纹传播到面板内,由此以可靠的环境抑制湿气渗透。
另一方面,下面将参照图10A到10L描述根据本发明的制造柔性有机电致发光装置的方法。
图10A到10L是示意性图解根据本发明的制造柔性有机电致发光装置的方法的工艺剖面图。
如图10A中所示,制备限定有显示区域AA和显示区域AA外侧的非显示区域NA的具有柔性特性的基板101。在此,柔性基板101由柔性玻璃基板或具有柔性特性的塑料材料形成,从而即使当柔性有机电致发光装置(OELD)像纸张一样弯曲时也能原样地保持显示性能。
接着,在基板101上形成由绝缘材料,例如作为无机绝缘材料的硅氧化物(SiO2)或硅氮化物(SiNX)形成的缓冲层(未示出)。在此,缓冲层(未示出)形成于在随后工艺过程中形成的半导体层103的下部,以防止半导体层103的特性由于在半导体层103的结晶过程中从基板101内部发射的碱离子而劣化。
随后,在缓冲层(未示出)上部的显示区域AA内的每个像素区域P,形成由纯多晶硅形成的半导体层103,以分别对应于驱动区域(未示出)和开关区域(未示出),且半导体层103包括在其中心部分形成沟道的第一区域103a以及在第一区域103a的两个侧表面被掺杂高浓度杂质的第二区域103b,103c。
接着,如图10B中所示,在包括半导体层103的缓冲层(未示出)上形成栅极绝缘层105,并在栅极绝缘层105上与驱动区域(未示出)和开关区域(未示出)中的每个半导体层103的第一区域103a对应地形成栅极107。在此,在栅极绝缘层105上形成与形成于开关区域(未示出)中的栅极107连接并在一个方向上延伸的栅极线(未示出),并在非显示区域NA中形成构成分隔壁图案(未示出,参照图10D中的参考标记110)的金属图案107a。在此,栅极107、栅极线(未示出)和金属图案107a可具有由具有低电阻特性的第一金属材料,例如铝(Al)、铝合金(AlNd)、铜(Cu)、铜合金、钼(Mo)和钼钛(MoTi)中的任意一种形成的单层结构,或者可具有由两种或更多种第一金属材料形成的双层或三层结构。根据附图,作为例子图解了栅极107和栅极线(未示出)具有单层结构。
接着,如图10C中所示,在包括栅极107、栅极线(未示出)和金属图案107a的基板的整个表面上形成由绝缘材料,例如作为无机绝缘材料的硅氧化物(SiO2)或硅氮化物(SiNX)形成的绝缘层109。
随后,如图10D中所示,将绝缘层109及其下方的栅极绝缘层105选择性图案化,以形成用于暴露分别位于每个半导体层的第一区域103a的两个侧表面的第二区域103b,103c的半导体层接触孔111a,111b。在此,在形成半导体层接触孔111a,111b的过程中同时形成绝缘层109a。包括金属图案107a和绝缘层109a的层结构形成分隔壁图案110。在此,绝缘层109a的宽度被形成为小于金属图案107a的宽度。
接着,如图10E中所示,在包括半导体层接触孔111a,111b的绝缘层109和绝缘层109a的上部形成与栅极线(未示出)交叉以限定像素区域P的第二金属材料层113。在此,第二金属材料层113由铝(Al)、铝合金(AlNd)、铜(Cu)、铜合金、钼(Mo)、钼钛(MoTi)、铬(Cr)和钛(Ti)中的任意一种或两种或更多种形成。
随后,将第二金属材料层113选择性图案化,以形成与栅极线(未示出)交叉以限定像素区域P的数据线(未示出)、以及与数据线分离的电源线(未示出)。在此,电源线(未示出)可在形成有栅极线(未示出)的层,即栅极绝缘层上,被形成为与栅极线(未示出)分离并平行。
此外,如图10F中所示,在形成数据线(未示出)的过程中,在绝缘层109上的每个驱动区域(未示出)和开关区域(未示出)中同时形成源极113a和漏极113b,其中源极113a和漏极113b与彼此分离并分别通过半导体层接触孔111a,111b暴露的第二区域103b,103c接触且由与数据线(未示出)相同的第二金属材料形成。在此,依次沉积在驱动区域(未示出)上的半导体层103、栅极绝缘层105、栅极107、绝缘层109以及形成为彼此分离的源极113a和漏极113b形成驱动薄膜晶体管(未示出,DTr)。
此外,在蚀刻第二金属材料层113的过程中,金属图案107a的侧表面被同时湿蚀刻,以形成倒锥形的侧表面。这是因为金属图案107a的蚀刻速率比绝缘层109a快。
另一方面,尽管附图中作为例子显示了数据线(未示出)以及源极113a和漏极113b全部具有单层结构,但组成元件可具有双层或三层结构。
在此,尽管附图中未示出,但在开关区域(未示出)中也形成与驱动薄膜晶体管DTr具有相同层结构的开关薄膜晶体管(未示出)。在此,开关薄膜晶体管(未示出)与驱动薄膜晶体管DTr、栅极线(未示出)和数据线(未示出)电连接。换句话说,栅极线和数据线(未示出)分别与开关薄膜晶体管(未示出)的栅极(未示出)和源极(未示出)连接,开关薄膜晶体管(未示出)的漏极(未示出)与驱动薄膜晶体管DTr的栅极107电连接。
另一方面,对于用于根据本发明的有机电致发光装置的基板101,作为例子显示出驱动薄膜晶体管DTr和开关薄膜晶体管(未示出)具有多晶硅的半导体层103并由顶栅型构成,但本领域技术人员应当理解,驱动薄膜晶体管DTr和开关薄膜晶体管(未示出)也可由具有非晶硅的半导体层的底栅型构成。
当驱动薄膜晶体管(未示出,DTr)和开关薄膜晶体管(未示出,STr)由底栅型构成时,层结构包括栅极、栅极绝缘层、纯非晶硅的有源层、彼此分离并由掺杂有杂质的非晶硅的欧姆接触层形成的半导体层、以及彼此分离的源极和漏极。栅极线在形成有栅极的层上被形成为与开关薄膜晶体管的栅极连接,数据线在形成有开关薄膜晶体管的源极的层上被形成为与源极连接。
接着,如图10G中所示,在驱动薄膜晶体管DTr和开关薄膜晶体管(未示出)上沉积层间绝缘层115。在此,层间绝缘层115使用绝缘材料,例如作为无机绝缘材料的硅氧化物(SiO2)或硅氮化物(SiNX)。
随后,将层间绝缘层115同时选择性图案化,以形成用于暴露驱动薄膜晶体管DTr的漏极113b的漏极接触孔(未示出)。在此,在层间绝缘层115的图案化过程中,同时蚀刻非显示区域中的层间绝缘层部分。
接着,如图10H中所示,在层间绝缘层115上沉积第三金属材料层121,然后将第三金属材料层121选择性图案化,以形成通过漏极接触孔(未示出)与驱动薄膜晶体管DTr的漏极113b接触且对于每个像素区域P来说具有分离形式的第一电极121a。在此,第三金属材料层121由铝(Al)、铝合金(AlNd)、铜(Cu)、铜合金、钼(Mo)、钼钛(MoTi)、铬(Cr)和钛(Ti)中的任意一种或两种或更多种形成。此外,在第三金属材料层121的图案化过程中,在非显示区域中形成的第三金属材料层部分被蚀刻,下方的金属图案107a的侧表面部分同时也被蚀刻,因而金属图案107a具有倒锥形的侧表面。换句话说,倒锥形的侧表面表示随着从金属图案107a的下部侧表面到其上部侧表面时,宽度越来越窄。
因此,分隔壁图案110由包括倒锥形的金属图案107a和垂直剖面形状的绝缘层109a的层结构形成。金属图案107a由与栅极107相同的金属层形成,绝缘图案109a由与绝缘层109相同的绝缘层形成,并且与绝缘材料层相比,金属层具有蚀刻速率更快的特性。此外,尽管在本发明中作为例子描述了分隔壁图案110形成有包括由与栅极107相同的金属层形成的金属图案107a及由与绝缘层109相同的绝缘层形成的绝缘图案109a的层结构,但并不限于此,分隔壁图案110可由包括用于形成源极和漏极的金属层以及形成在金属层上的层间绝缘层115的层结构形成。
随后,尽管在附图中未示出,但在第一电极121a上的每个像素区域P的边界和非显示区域NA中形成由苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺或光学压克力形成的绝缘材料层(未示出)。
接着,如图10I中所示,将绝缘材料层(未示出)选择性图案化,以形成堤部123,123a。在此,堤部123以包围每个像素区域P的形式被形成为与第一电极121a的边缘重叠,且显示区域AA作为整体形成具有多个开口部的栅格形状。此外,堤部123a形成在作为面板边缘部分的非显示区域中。
随后,在由堤部123,123a包围的每个像素区域P内的第一电极121a上形成由用于分别发射红色、绿色和蓝色光的有机发光图案(未示出)构成的有机发光层125。在此,有机发光层125可通过由有机发光材料形成的单层构成,或者尽管附图中未示出,有机发光层125可通过空穴注入层、空穴传输层、发光材料层、电子传输层和电子注入层的多层构成。
接着,如图10J中所示,在包括有机发光层125及第一和第二堤部123,123a的上部的显示区域AA的整个表面上形成第二电极127。在此,用于透射光的透明导电材料,例如包括ITO和IZO的导电材料中的任意一种可被选择用于第二电极127。以这种方式,第一电极121a和第二电极127以及夹在两个电极121a,127之间的有机发光层125形成有机发光二极管E。
因此,对于有机发光二极管E来说,当根据选择的颜色信号向第一电极121a和第二电极127施加预定电压时,从第一电极121a注入的空穴和从第二电极127提供的电子传输到有机发光层125,以形成激子,并且当激子从激发态跃迁到基态时,以可见光的形式产生并发射光。此时,发射的光通过透明的第二电极127发射到外部,因而柔性有机电致发光装置实现任意图像。
随后,如图10L中所示,在包括第二电极127的基板的整个表面上形成由绝缘材料,特别地,作为无机绝缘材料的硅氧化物(SiO2)或硅氮化物(SiNX)形成的第一钝化层129。在此,仅通过第二电极127不能完全抑制湿气渗透到有机发光层125,因而在第二电极127上形成第一钝化层129,以完全抑制湿气渗透到有机发光层125。
此外,一部分第一钝化层129,例如第一部分129a形成在倒锥形的分隔壁图案110的侧表面上和非显示区域NA中,第二部分129b仅形成在分隔壁图案110的上部。在此,第一部分129a和第二部分129b彼此分离地形成。分隔壁图案110由倒锥形的金属图案107a和垂直剖面形状的绝缘图案109a形成。
因此,第一钝化层129的第一部分129a形成在分隔壁图案110的金属图案107a的侧表面,第二部分129b形成在分隔壁图案110的绝缘图案109a的上部。因为一部分第一钝化层129形成在构成分隔壁图案110的倒锥形的金属图案107a侧表面的内侧,而不是形成在绝缘图案109a的侧表面,所以能够实现第一钝化层129的第一部分129a和第二部分129b之间的分离。
接着,在第一钝化层129上的显示区域AA中形成由诸如聚合物这样的高分子有机物质形成的有机层131。在此,烯烃聚合物(聚乙烯、聚丙烯)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、环氧树脂、氟树脂、聚硅氧烷等可用于构成有机层131的高分子层。
随后,在包括有机层131和第一钝化层129,129a,129b的基板101的整个表面上附加形成由绝缘材料,例如作为无机绝缘材料的硅氧化物(SiO2)或硅氮化物(SiNX)形成的第二钝化层133,以阻挡湿气通过有机层131渗透。在此,一部分第二钝化层133,例如第一部分133a形成在倒锥形的分隔壁图案110的侧表面部分上以及非显示区域NA上的第一钝化层的第一部分129a上,第二部分133b仅形成在分隔壁图案110上部的第一钝化层的第二部分129b上。在此,与第一钝化层的第一部分129a和第二部分129b类似,第二钝化层的第一部分133a和第二部分133b被形成为彼此分离。
因此,第一和第二钝化层129,133的第一部分129a,133a形成在分隔壁图案110的金属图案107a的侧表面部分,第二部分129b,133b形成在分隔壁图案110的绝缘图案109a的上部。因为一部分第一和第二钝化层129,133形成在构成分隔壁图案110的倒锥形的金属图案107a侧表面的内侧,而不是形成在绝缘图案109a的侧表面,所以能够实现第一和第二钝化层129,133的第一部分129a,133a和第二部分129b,133b之间的分离。
接着,在包括第二钝化层133的基板的整个表面上设置粘结剂,粘结剂与用于封装有机发光二极管E的阻挡膜137相对。由具有透明粘结特性的釉料、有机绝缘材料和高分子物质中的任意一种形成的粘结剂135完全粘附到基板101和阻挡膜137,使得在基板101和阻挡膜137之间没有空气层,且粘结剂135夹在基板101和阻挡膜137之间。在此,根据本发明,将描述粘结剂135使用压敏粘结剂(PSA)的情形作为一个例子。
以这种方式,基板101通过粘结剂135固定到阻挡膜137,以形成面板状态,由此完成根据本发明的有机电致发光装置100的制造工艺。
结果,对于根据本发明的柔性有机电致发光装置及其制造方法,可在有机电致发光装置的作为面板边缘部分的非显示区域中形成倒锥形的分隔壁图案,以在与形成在显示区域中的有机层分离的同时包围作为面板部分的显示区域的周边,从而层叠在分隔壁图案上的钝化层与形成在基板的整个表面上的钝化层分离,以防止在使用切割刀轮切割划线时在暴露到外部的钝化层上产生的裂纹传播到面板,由此以可靠的环境抑制湿气渗透。
特别地,暴露到面板外部的钝化层可与形成在倒锥形的分隔壁图案上部的钝化层分离地形成并与形成在面板内部的钝化层分离,因而由于分离的钝化层,可阻挡由外部振动产生的裂纹传播到面板,由此以可靠的环境抑制湿气渗透。
此外,对于根据本发明的柔性有机电致发光装置及其制造方法,可使用具有不同蚀刻速率的层形成倒锥形的分隔壁图案,使得形成在分隔壁图案上部的钝化层与形成在倒锥形的分隔壁图案的侧壁处的钝化层分离,因而由于分离的钝化层,可阻挡由外部振动产生的裂纹传播到面板,由此以可靠的环境抑制湿气渗透。
因此,在产生湿气渗透(原因在于:通常在进行随后工艺的同时力会施加到由于划线产生的细微裂纹,从而将裂纹从最外侧边缘传播并传递到显示区域)的过程中,根据本发明的柔性有机电致发光装置及其制造方法可防止裂纹传播,由此减少可靠性故障。
然而,本领域技术人员应当理解,在不改变本发明技术原理及实质特性的情况下,可以以其他具体形式实现前述本发明。
因此,应当理解,前述实施方式在所有方面仅仅是示例性的,而不是限制性的。本发明的范围由所附权利要求书限定而不是由详细说明限定,源于权利要求的含义、范围及等同概念的所有改变或修改都应解释为包含在本发明的范围内。
Claims (11)
1.一种柔性有机电致发光装置,包括:
基板,所述基板由包括多个像素区域的显示区域及位于所述显示区域的外侧的非显示区域限定;
形成在所述基板上的每个像素区域的开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管;
层间绝缘层,所述层间绝缘层形成在包括所述开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管的基板上以暴露所述驱动薄膜晶体管的漏极;
分隔壁图案,所述分隔壁图案形成在所述基板的非显示区域中以包围所述显示区域的周边;
第一电极,所述第一电极形成在所述层间绝缘层上的每个像素区域中并与所述驱动薄膜晶体管的漏极连接;
堤部,所述堤部形成在每个像素区域周围以及形成在包括所述第一电极的基板的非显示区域中;
有机发光层,所述有机发光层在所述第一电极上对于每个像素区域分离地形成;
第二电极,所述第二电极形成在包括所述有机发光层的显示区域的整个表面上;
第一钝化层,所述第一钝化层形成在包括所述第二电极的基板的整个表面上以及形成在所述分隔壁图案的上部;
形成在所述显示区域的第一钝化层上的有机层;
第二钝化层,所述第二钝化层形成在所述基板的整个表面上的有机层的上部及第一钝化层上,以及形成在所述分隔壁图案的上部;
被设置成与所述基板相对的阻挡膜;以及
粘结剂,所述粘结剂夹在所述基板与所述阻挡膜之间以将所述基板粘附到所述阻挡膜,以实现面板状态,
其中仅形成在所述分隔壁图案上部的一部分所述第一钝化层和第二钝化层与形成在所述显示区域和非显示区域中的另一部分所述第一钝化层和第二钝化层分离地形成。
2.根据权利要求1所述的柔性有机电致发光装置,其中所述分隔壁图案由包括金属图案和绝缘图案的层结构形成。
3.根据权利要求2所述的柔性有机电致发光装置,其中所述金属图案具有倒锥形的侧表面部分,所述绝缘图案具有垂直剖面形状的侧表面部分。
4.根据权利要求1所述的柔性有机电致发光装置,其中所述分隔壁图案由包括所述薄膜晶体管的栅极和形成在所述栅极上的绝缘层的层结构形成或者由包括所述漏极和所述层间绝缘层的层结构形成。
5.根据权利要求1所述的柔性有机电致发光装置,其中所述基板由选自柔性玻璃基板和塑料材料中的任意一种构成。
6.一种制造柔性有机电致发光装置的方法,所述方法包括:
提供基板,所述基板由包括多个像素区域的显示区域及位于所述显示区域的外侧的非显示区域限定;
在所述基板上的每个像素区域形成开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管;
在包括所述开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管的基板上形成层间绝缘层,以暴露所述驱动薄膜晶体管的漏极;
在所述基板的非显示区域中形成分隔壁图案,以包围所述显示区域的周边;
在所述层间绝缘层上的每个像素区域中形成与所述驱动薄膜晶体管的漏极连接的第一电极;
在每个像素区域周围以及在包括所述第一电极的基板的非显示区域中形成堤部;
在所述第一电极上对于每个像素区域分离地形成有机发光层;
在包括所述有机发光层的显示区域的整个表面上形成第二电极;
在包括所述第二电极的基板的整个表面上以及在所述分隔壁图案的上部以分离的形式形成第一钝化层;
在所述显示区域的第一钝化层上形成有机层;
在所述基板的整个表面上的有机层的上部及第一钝化层上,以及在所述分隔壁图案的上部,以分离的形式形成第二钝化层;以及
将设置成与所述基板相对的阻挡膜粘附到所述第二钝化层上,以实现面板状态,
其中仅形成在所述分隔壁图案的上部的一部分所述第一钝化层和第二钝化层与形成在所述显示区域和非显示区域中的另一部分所述第一钝化层和第二钝化层分离地形成。
7.根据权利要求6所述的方法,其中所述分隔壁图案由包括金属图案和绝缘图案的层结构形成。
8.根据权利要求7所述的方法,其中所述金属图案具有倒锥形的侧表面部分,所述绝缘图案具有垂直剖面形状的侧表面部分。
9.根据权利要求6所述的方法,其中所述分隔壁图案由包括所述薄膜晶体管的栅极和形成在所述栅极上的绝缘层的层结构形成或者由包括所述漏极和所述层间绝缘层的层结构形成。
10.根据权利要求6所述的方法,其中所述分隔壁图案由包括下层和上层的层结构形成,其中所述下层的蚀刻速率比所述上层的蚀刻速率快。
11.根据权利要求6所述的方法,其中所述基板由选自柔性玻璃基板和塑料材料中的任意一种构成。
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