CN101740561A

CN101740561A - 有机电致发光显示器件及其制造方法和制造设备

Info

Publication number: CN101740561A
Application number: CN200910146691A
Authority: CN
Inventors: 金明燮; 徐正大; 李钟茂; 崔贤柱; 韩敞旭; 卓润兴
Original assignee: LG Display Co Ltd
Current assignee: LG Display Co Ltd
Priority date: 2008-11-21
Filing date: 2009-06-11
Publication date: 2010-06-16
Anticipated expiration: 2029-06-11
Also published as: KR101301180B1; US8928222B2; EP2190021B1; US20100127615A1; EP2190021A2; EP2190021A3; CN101740561B; KR20100057410A

Abstract

提供一种有机电致发光显示器件及其制造方法和制造设备。该有机电致发光显示器件包括：阵列基板，其包括在第一基板上的像素区域中的驱动薄膜晶体管；对向基板，其包括在第二基板上的像素区域中的有机电致发光二极管；填充所述阵列基板与所述对向基板之间的空间的粘接层；和将所述有机电致发光二极管与所述驱动薄膜晶体管电连接的连接衬垫料。

Description

有机电致发光显示器件及其制造方法和制造设备

本申请要求2008年12月21日提交的韩国专利申请No.2008-0116444的优先权，为了所有目的在此援引该专利申请作为参考，就像在这里全部列出一样。

技术领域

本发明涉及一种有机电致发光显示器件，更具体地，涉及一种有机电致发光显示(OELD)器件及其制造方法和制造设备。

背景技术

一直到近年来，显示器件一般都使用阴极射线管(CRT)。目前，作为CRT的替代品，正在进行一些努力和研究来开发各种类型的平板显示器，如液晶显示(LCD)器件、等离子体显示面板(PDP)、场发射显示器和电致发光显示器(ELD)。在这些平板显示器中，有机电致发光显示(OELD)器件是自发光显示器件。OELD器件以低电压操作并具有较薄的外形。此外，OELD器件具有较快的响应时间、较高的亮度和较宽的视角。

图1是图解根据现有技术的OELD器件的电路图。

参照图1，OELD器件包括彼此交叉以限定像素区域P的栅极线GL和数据线DL。

在像素区域P中，形成有开关薄膜晶体管Ts、驱动薄膜晶体管Td、存储电容器Cst和有机电致发光二极管E。开关薄膜晶体管Ts的栅极和源极分别与栅极线GL和数据线DL连接。驱动薄膜晶体管Td的栅极与开关薄膜晶体管Ts的漏极连接。存储电容器Cst的电极分别与驱动薄膜晶体管Td的栅极和源极连接。驱动薄膜晶体管Td的源极与电源线PL连接。有机电致发光二极管E的阳极与驱动薄膜晶体管Td的漏极连接，有机电致发光二极管E的阴极接地。

当给栅极线GL施加ON栅极电压时，开关薄膜晶体管Ts导通，并给数据线D施加数据电压。数据电压流过导通的开关薄膜晶体管Ts并施加到驱动薄膜晶体管Td的栅极。根据施加给驱动薄膜晶体管Td的数据电压调整流过驱动薄膜晶体管Td的电流，电流在有机电致发光二极管E上流动。在开关薄膜晶体管Ts切断时，存储电容器Cst存储施加给驱动薄膜晶体管的数据电压。

开关和驱动薄膜晶体管Ts和Td以及有机电致发光二极管E通常形成在OELD器件的同一基板上。然而，近年来已经研究和开发了在不同基板上形成薄膜晶体管和有机电致发光二极管。这种类型的OELD器件称作双板型OELD器件。

图2A是图解根据现有技术的双板型OELD器件的横截面图。

参照图2A，OELD器件1包括彼此面对的阵列基板和对向基板。OELD器件1包括显示图像的显示区域AA和非显示区域NAA。

阵列基板包括形成在第一基板5上并彼此交叉以在显示区域AA中限定像素区域P的栅极线(没有示出)和数据线DL。在第一基板5上形成有开关薄膜晶体管(没有示出)和驱动薄膜晶体管Td。数据线DL形成在数据区域D中，驱动薄膜晶体管Td形成在驱动区域Dr中。

驱动薄膜晶体管Td包括与栅极线连接的栅极25、半导体层42、源极32和漏极34。在栅极25和栅极线上形成有栅极绝缘层45。半导体层42包括由本征非晶硅形成的有源层40和由掺有杂质的非晶硅形成的欧姆接触层41。

钝化层55形成在驱动薄膜晶体管Td上并具有暴露漏极34的漏极接触孔DCH。连接电极70通过漏极接触孔DCH与漏极34连接。

对向基板包括形成在第二基板10上的有机电致发光二极管E。有机电致发光二极管E包括第一电极80、有机发光层82和第二电极84。

在第二基板10上形成有辅助电极60。第一电极80在辅助电极60上。在第一电极80上形成有缓冲层62。在缓冲层62上形成有分隔体64和图案化的衬垫料50。

分隔体64具有锥形，图案化的衬垫料50具有倒锥形。有机发光层82和第二电极84形成在像素区域P中的第一电极80和图案化的衬垫料50上。

图案化的衬垫料50上的一部分第二电极80与连接电极70接触，从而第二基板10上的有机电致发光二极管E与第一基板5上的驱动薄膜晶体管Td电连接。

沿阵列基板和对向基板的外围区域形成有密封图案90，从而接合阵列基板和对向基板。此外，密封图案90用于保持OELD器件的单元间隙，即阵列基板与对向基板之间的间隙。阵列基板与对向基板之间的空间处于真空。

图2B是图解根据现有技术的另一OELD器件的横截面图。图2B的OELD器件与图2A的类似，因此省略与图2A的部件类似的部件的解释。

参照图2B，OELD器件1不包括连接电极和图案化的衬垫料(图2A的70和50)。导电衬垫料52连接漏极34与有机电致发光二极管E。

通过图2A和图2B中各自沿外围部分的密封剂90，阵列基板与对向基板之间的空间相对于外部密封。因此，阵列基板与对向基板之间的空间是处于真空下的中空。然而，具有中空空间的OELD器件对外部撞击或压力具有较弱的抵抗力，因而频繁导致有机电致发光二极管E与驱动薄膜晶体管Td之间的接触缺陷。因此，降低了显示质量和生产效率。

此外，在其中OELD器件1处于大约80℃和大约95％的湿度条件下的实验中，湿气通过密封剂90与基板5和10之间的界面渗透到空间内部，因而在大约200小时之后产生发光缺陷。因此，OELD器件1很难获得较长的寿命。

为了解决由于湿气渗透而导致的这种问题，提出了在第二电极84上形成钝化层或钙(Ca)、镁(Mg)或铝(Al)的金属层。然而，钝化层或金属层并不完全覆盖有机电致发光二极管E。例如，接近分隔体64的一部分有机电致发光二极管E没有被钝化层或金属层覆盖。因此，湿气渗透进有机电致发光二极管E的未被覆盖的部分，因而产生缺陷。

此外，在形成钝化层或金属层的工序中，几微米的杂质常常粘附到对向基板。粘附杂质的部分变为黑点，使得显示质量和生产效率降低。

此外，随着OELD尺寸增加，由于OELD器件的中心部分与外围部分之间的曝光量的差别，所以在OELD器件的整个平面上形成厚度均匀的图案化衬垫料变得更加困难。因此，导致一些像素中的有机电致发光二极管E与驱动薄膜晶体管之间的接触缺陷，由此降低了显示质量和生产效率。

发明内容

因此，本发明旨在提供基本上克服了由于现有技术的限制和缺点而导致的一个或多个问题的有机电致发光显示器件及其制造方法和制造设备。

本发明的一个优点是提供了一种能提高显示质量和生产效率的有机电致发光显示器件及其制造方法和制造设备。

在下面的描述中将阐述本发明其它的特征和优点，这些特征和优点的一部分从所述描述将是显而易见的，或者可从本发明的实践中领会到。通过说明书、权利要求以及附图中特别指出的结构可实现和获得本发明的这些和其他优点。

为了获得这些和其它的优点并根据本发明的目的，如这里具体表示和广义描述的，有机电致发光显示器件包括：阵列基板，其包括在第一基板上的像素区域中的驱动薄膜晶体管；对向基板，其包括在第二基板上的像素区域中的有机电致发光二极管；填充所述阵列基板与所述对向基板之间的空间的粘接层；和将所述有机电致发光二极管与所述驱动薄膜晶体管电连接的连接衬垫料。

在另一个方面中，制造有机电致发光显示器件的设备包括：包含第一空间的第一腔室，其中阵列基板和对向基板在所述第一腔室中，且其中所述第一空间的第一气压是可调的；包含第二空间的第二腔室；和将所述第一空间和所述第二空间分离的衬垫，其中所述衬垫是柔性的，使得在所述第一气压小于所述第二气压时，所述衬垫挤压所述阵列基板和所述对向基板之一，以用其间的粘接层接合所述阵列基板和所述对向基板。

在又一个方面中，制造有机电致发光显示器件的方法包括：在第一腔室中放置阵列基板和对向基板；以及调整第一腔室的第一空间的第一气压小于第二腔室的第二空间的第二气压，由此用于分离所述第一和第二空间的柔性衬垫挤压所述阵列基板和所述对向基板之一，以用其间的粘接层接合所述阵列基板和所述对向基板。

应当理解，本发明前面的一般性描述和下面的详细描述都是示例性的和解释性的，意在提供对所要求保护的本发明进一步的解释。

附图说明

对本发明提供进一步理解并且并入到说明书中以组成说明书一部分的附图例示了本发明的实施方式，并与说明书一起用于解释本发明的原理。

在附图中：

图1是例示根据现有技术的OELD器件的电路图；

图2A是例示根据现有技术的双板型OELD器件的横截面图；

图2B是例示根据现有技术的另一OELD器件的横截面图；

图3是例示根据本发明第一个实施方式的双板型OELD器件的横截面图；

图4A到4B是根据本发明第一个实施方式的为实验目的而制造的OELD器件的SEM图片；

图4C是例示根据本发明第一个实施方式的OELD器件的驱动薄膜晶体管的I-V曲线的图表；

图4D是根据本发明第一个实施方式的OELD器件的发光状态的图片；

图5A到5D是例示根据本发明第一个实施方式的接合阵列基板和对向基板的方法的横截面图；

图6A到6C是例示根据本发明第二个实施方式的双板型OELD器件的样品的横截面图；

图7A是例示根据本发明第二个实施方式的OELD器件的示意性平面图；

图7B和7C是在OELD器件上进行可靠性检测时图7A的OELD器件的第一到第四区域的图片；

图8A和8B是例示根据本发明第三个实施方式的双板型OELD器件的样品的横截面图；

图9A和9B是在OELD器件上进行可靠性检测时根据本发明第三个实施方式的每个OELD器件的两个角区域的图片；

图10是在OELD器件上进行可靠性检测时根据本发明第三个实施方式的OELD器件的每个显示区域的角区域的图片。

具体实施方式

现在结合附图详细描述本发明的多个实施方式。

图3是例示根据本发明第一个实施方式的双板型OELD器件的横截面图。

参照图3，OELD器件101包括阵列基板和对向基板。OELD器件101包括显示图像的显示区域AA和非显示区域NAA。非显示区域NAA是OELD器件101的外围区域。非显示区域NAA可包围显示区域AA。显示区域AA可包括矩阵形式的多个像素区域P。

阵列基板包括在第一基板105上的彼此交叉以限定像素区域P的栅极线(没有示出)和数据线DL。数据线DL形成在数据区域D中。在像素区域P中，形成有开关薄膜晶体管(没有示出)和驱动薄膜晶体管Td。开关薄膜晶体管与相应的栅极线和数据线DL连接。驱动薄膜晶体管Td形成在驱动区域Dr中。即使图3中没有示出，驱动薄膜晶体管Td的栅极125与开关薄膜晶体管的漏极连接。驱动薄膜晶体管Td包括栅极125、半导体层142以及彼此间隔开的源极和漏极132和134。开关薄膜晶体管可具有与驱动薄膜晶体管Td的结构类似的结构。半导体层142包括本征非晶硅的有源层140，以及掺有杂质的非晶硅的欧姆接触层141。

在栅极125和栅极线上形成有栅极绝缘层145。栅极绝缘层145可由无机绝缘材料形成。无机绝缘材料可包括硅氮化物(SiNx)和硅氧化物(SiO₂)。

在开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管Td上形成有钝化层155。钝化层155包括暴露漏极134的漏极接触孔DCH。钝化层155可由有机绝缘材料或无机绝缘材料形成。有机绝缘材料可包括苯并环丁烯(BCB)和感光丙烯。无机绝缘材料可包括硅氮化物(SiNx)和硅氧化物(SiO₂)。

在像素区域P中的钝化层155上形成有连接电极170。连接电极170通过漏极接触孔DCH与漏极134连接。连接电极170可具有双层结构。例如，连接电极170具有第一层和第一层上的第二层。第一层可由诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)和氧化铟锡锌(ITZO)这样的透明导电材料形成。第二层可由具有低电阻的材料，例如钼(Mo)或诸如钼钕(MoNd)这样的钼合金形成。

对向基板包括第二基板110上的辅助电极160。辅助电极160可形成在相邻像素区域P之间。辅助电极160可对应于数据区域D。在具有辅助电极160的第二基板110上形成有第一电极180。辅助电极160可由具有低电阻的材料，例如钼(Mo)或诸如钼钕(MoNd)这样的钼合金形成。第一电极180可由诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)和氧化铟锡锌(ITZO)这样的透明导电材料形成。因为辅助电极160具有低电阻，所以辅助电极160用于补偿透明导电材料的第一电极180的高电阻。可选择地，可移除辅助电极160。

在第一电极180上形成有缓冲图案162。缓冲图案162可覆盖辅助电极160。在缓冲图案162上形成有分隔体164和图案化的衬垫料150。分隔体164形成在相邻像素区域P之间。图案化的衬垫料150可形成在像素区域P中。

图案化的衬垫料150可具有与分隔体164的横截面形状相反的横截面形状。例如，分隔体164具有锥形，使得分隔体164的宽度在从第二基板110到第一基板105的垂直方向上增加。与此相反，图案化的衬垫料150具有相反的锥形，使得图案化的衬垫料150的宽度在从第二基板110到第一基板105的垂直方向上减小。

在像素区域P中的第一电极180上顺序形成有有机发光层182和第二电极184。第二电极184在图案化的衬垫料150上延伸。有机发光层182可在图案化的衬垫料150上延伸。由于分隔体164呈锥形，有机发光层182和第二电极184可按每个像素区域P分隔，而不需要单独的图案化工序。R(红色)，G(绿色)和B(蓝色)像素区域中的有机发光层182可由分别发射R，G和B光的有机材料形成。第一电极180、有机发光层182和第二电极184形成有机电致发光二极管E。

第二电极184可具有多层结构。例如，第二电极184可具有第一到第三层。第一层可由铝(Al)或诸如铝钕(AlNd)这样的铝合金形成，第二层可由银(Ag)形成，第三层可由钙(Ca)形成。第一到第三层在从第二基板110到第一基板105的垂直方向上顺序设置。第二电极184的功函数可小于第一电极182的功函数。

有机电致发光二极管E例如还可包括在第一电极180与有机发光层182之间的空穴注入层和空穴传输层、以及在第二电极184与有机发光层182之间的电子注入层和电子传输层。

图案化的衬垫料150上的一部分第二电极184与连接电极170接触，从而有机电致发光二极管E与驱动薄膜晶体管Td电连接。图案化的衬垫料150和所述一部分第二电极184可称作连接有机电致发光二极管E与驱动薄膜晶体管Td的连接衬垫料。

阵列基板与对向基板之间的空间由粘接层120填充。粘接层120可以是固相的。粘接层120包括导电材料，从而可稳定地形成有机电致发光二极管E与连接电极170之间的电连接。此外，粘接层120可进一步包括具有胶粘特性的材料。

粘接层120可由包括无机化合物材料的基材以及有机化合物材料或有机/无机化合物材料的添加材料的混合物形成。无机化合物材料具有导电性，在有机电致发光二极管E与连接电极170之间形成稳定的电连接。

无机化合物材料可包括碳黑、碳纳米管、半导体纳米晶和金属纳米晶中的至少一种。有机化合物材料可包括并五苯族材料和PPV(聚<p-聚苯乙烯撑>)族材料中的至少一种。

有机化合物材料或有机/无机化合物材料与无机化合物材料的重量％等于或大于1重量％。优选粘接层120具有等于或小于6×10⁶Ωcm的电阻率、等于或大于0.19W/mK的导热率、以及等于或小于一天1000g/m²的水蒸气透过率(WVTR)。优选粘接层120具有等于或大于10nm的厚度。

因为粘接层120填充阵列基板与对向基板之间的空间，所以可牢固地接合阵列基板与对向基板，并能提高OELD器件的耐用性。此外，因为粘接层120防止湿气渗透，所以能增加OELD器件的寿命。此外，例如通过在粘接层120中分布导电纳米颗粒的方法，有机电致发光二极管E能稳定地与连接电极170电连接。因此，可稳定地确保电连接。因此，即使OELD器件具有较大的尺寸，大尺寸的OELD器件也能具有可靠性。因此，能提高显示质量和生产效率。

更具体地，无机化合物的导电颗粒遍布在粘接层120上并彼此间隔开。因此，在正常状态中，粘接层120中不形成电通路。当给粘接层120施加压力以接合阵列基板和对向基板时，导电颗粒在施加压力的方向上彼此靠近地聚集。特别是，在接合阵列基板和对向基板时，如果第二基板184不与连接电极170直接接触，则在假定第二电极184与连接电极170接触的接触区域处的粘接层120具有非常小的厚度并被施加有压力。因此，在所述接触区域处的导电颗粒如此彼此靠近地聚集并在压力施加的方向上彼此接触。由此，这些颗粒在第二电极184与连接电极170之间形成电连接通路。这样，即使在一些像素区域P中由于一些原因，例如图案化的衬垫料150的厚度不均匀而导致第二电极184不与连接电极170直接接触，也能稳定地形成电连接。

同时，因为在除所述接触区域之外的像素区域P的其他区域处的粘接层120具有比在所述接触区域处的粘接层120厚很多的厚度，所以在其他区域处的大部分导电颗粒沿压力施加的方向不彼此接触。因此，这些导电颗粒在其他区域处不形成电连接通路。由此，相邻像素区域P不彼此电连接。

图4A到4B是根据本发明第一个实施方式的为实验目的而制造的OELD器件的SEM图片，图4C是例示根据本发明第一个实施方式的OELD器件的驱动薄膜晶体管的I-V曲线的图表，图4D是根据本发明第一个实施方式的OELD器件的发光状态的图片。

为了实验目的而简单制造图4A和4B中所示的OELD器件。换句话说，对向基板具有在第二基板110上的第一电极180以及在第一电极180上的图案化的衬垫料150和分隔体164，阵列基板具有第一基板105，粘接层120填充对向基板与阵列基板之间的空间。在该OELD器件中，分隔体164具有大约2μm的第一厚度t1，柱状衬垫料150具有大约3μm的第二厚度。

参照图4A和4B，阵列基板和对向基板用其间的粘接层120接合。在接合之后，图案化的衬垫料150接触阵列基板，分隔体164与阵列基板间隔开大约1μm。在阵列基板和对向基板的接合工序中，给阵列基板和对向基板施加压力。因此，参照图4A和4B，粘接层120紧密地填充阵列基板与对向基板之间的空间，参照图4B，在图案化的衬垫料150与阵列基板之间的接触区域处的粘接层120被挤出。

参照图4C，电流大致与电压成线性比例增加。

图4D显示了发射B(蓝色)光的有机发光层的发光状态。参照图4D，在发光检测中，正常发射光。

如上所述，根据第一个实施方式的OELD器件能正常操作。

在前述第一个实施方式中，主要描述了使用连接电极以及包括一部分第二电极和图案化的衬垫料的连接衬垫料来连接有机电致发光二极管与驱动薄膜晶体管。然而，可使用其他结构。例如，可使用与图2B的结构类似的包括导电连接衬垫料的结构。可选择地，可使用将图3的结构进行修改的结构，即不使用钝化层和连接电极，漏极在侧方向上延伸并与图案化的衬垫料上的一部分第二电极接触。可选择地，可使用下述结构，即在阵列基板中形成图案化的衬垫料，从漏极延伸的一部分在图案化的衬垫料上并与第二电极接触。换句话说，可使用通过其间的连接衬垫料来连接有机电致发光二极管与驱动薄膜晶体管的各种结构。

图5A到5D是例示根据本发明第一个实施方式的接合阵列基板和对向基板的方法的横截面图。在图5A到5D中，为了方便，参考标号105表示包括驱动薄膜晶体管的阵列基板，参考标号110表示包括有机电致发光二极管的对向基板。

参照图5A，接合设备103包括其中具有第一空间A1的第一腔室135和其中具有第二空间A2的第二腔室136。接合设备103可称作SPE(固相封装)设备，根据第一个实施方式的接合阵列基板和对向基板的方法可称作SPE方法。

接合设备103进一步包括柔性的位于第一和第二腔室135和136之间并分离第一空间A1和第二空间A2的衬垫165。

第一腔室135的气压是可以是可调的。例如，第一腔室135可根据位于第一腔室135一侧的第一端口R1的操作而处于大气状态中或真空状态中。此外，第二腔室136的气压可以是可调的。例如，第二腔室136可根据位于第二腔室136一侧的第二端口R2的操作而处于大气状态中或真空状态中。

第一腔室135和第二腔室136每个都可由石英形成，衬垫165可由硅形成。加热装置112可位于第一腔室135下面，以加热第一腔室135。可使用线圈或感应加热器作为加热装置112。

阵列基板105和对向基板110设置在第一腔室135中，并对阵列基板105和对向基板110进行位置对准。阵列基板105与对向基板110间隔开。第一腔室135处于大气状态中，而第二腔室136处于真空状态中。

在第一腔室135中进行在阵列基板105和对向基板110中的一个上涂布粘接层120的工序。例如，粘接层120涂布在阵列基板105上。可使用旋涂方法、喷墨方法或丝网印刷方法涂布粘接层120。可选择地，粘接层120可以以薄膜型制造，可通过层叠方法涂布薄膜型粘接层120。应当理解，可在将阵列基板105装载到第一腔室135中之前进行涂布粘接层120的工序。

参照图5B，在阵列基板105上涂布粘接层120之后，进行将对向基板110和粘接层120接触的工序。例如，将对向基板110放置在粘接层120上。在该工序中，第一腔室135保持大气状态，第二腔室136保持真空状态。

参照图5C，在将对向基板110和粘接层120接触之后，通过经由第一端口R1泵吸空气进行改变第一腔室135的气压的工序。例如，从第一空间A1泵出空气，因而大气状态变为真空状态。因此，第一腔室135可具有大约几毫托(mTorr)的气压。

参照图5D，在将第一腔室135的大气状态变为真空状态之后，通过经由第二端口R2泵吸空气进行将第二腔室136的真空状态变为大气状态的工序。例如，将空气泵吸到第二空间A2中，因而真空状态变为大气状态。因此，在第一腔室135的气压与第二腔室136的气压之间产生气压差。换句话说，第二空间A2的气压大于第一空间A1的气压。由于该气压差，衬垫165被推向第一空间A1，衬垫165突出并具有弯曲的形状。此外，重力可影响衬垫165的变形。

突出的衬垫165挤压对向基板110。换句话说，所述气压差用作挤压对向基板110的压力。因此，用其间的粘接层120可将对向基板110稳固地接合到阵列基板105。

此外，当衬垫165挤压对向基板110时，加热装置112可加热阵列基板105。例如，阵列基板105可具有大约60℃到大约150℃的温度。该加热使粘接层120被加热并具有流动性。这样，由于衬垫165的挤压和加热，粘接层120中几乎不具有任何气体空间，因而粘接层120可以变密集并尽可能的变薄。可选择地，在通过衬垫165的挤压之后，可在与接合设备103分离的设备例如烤箱中进行加热。

通过前述工序，可稳固地接合其间具有粘接层的阵列基板和对向基板。

图6A到6C是例示根据本发明第二个实施方式的双板型OELD器件的样品的横截面图。在图6A到6C中，为了方便，示意性地描述了OELD器件。省略了与第一个实施方式的部件类似的部件的解释。

参照图6A到6C，第一到第三样品的OELD器件每个都包括阵列基板、对向基板和填充阵列基板与对向基板之间的空间的粘接层220。阵列基板包括第一基板210上的阵列元件A，阵列元件A可包括驱动薄膜晶体管、开关薄膜晶体管、栅极和数据线、连接电极等。对向基板包括在第二基板210上的有机电致发光二极管E。图案化的衬垫料250从对向基板突出，从而在图案化的衬垫料250上的有机电致发光二极管E的第二电极与驱动薄膜晶体管电连接。

在每个OELD器件的非显示区域中形成有密封图案290。例如，密封图案290沿包围每个OELD器件的显示区域的外围区域。粘接层220填充在阵列基板与对向基板之间的并被密封图案290包围的空间。密封图案290与粘接层220一起用于接合阵列基板和对向基板并在阵列基板与对向基板之间保持单元间隙。此外，密封图案290与粘接层220一起防止湿气渗透到OELD器件的组件中。第一到第三样品的OELD器件的密封图案290可彼此不同。

更具体地，参照图6A，第一样品的OELD器件的密封图案290形成在阵列基板与对向基板之间且密封图案290的两端分别接触阵列基板的内表面和对向基板的内表面。

参照图6B，第二样品的OELD器件的密封图案290包围OELD器件的多个侧面。例如，密封图案290包括第一到第三部分290a到290c。第一部分290a覆盖OELD器件的多个侧面，第二和第三部分290b和290c分别覆盖阵列基板的外表面和对向基板的外表面。图6B的密封图案290可比图6A更稳固地密封OELD器件的内部。因此，图6B的OELD器件可比图6A更有效地防止湿气渗透。

参照图6C，与图6A的第一样品的OELD器件相比，第三样品的OELD器件包括在对向基板的内表面处的第一沟槽H1和在阵列基板的内表面处的第二沟槽H2。第一和第二沟槽H1和H2可沿OELD器件的外围区域。第一和第二沟槽H1和H2彼此对应。与第一样品的OELD器件的密封图案290类似，第三样品的OELD器件的密封图案290形成在阵列基板与对向基板之间，且密封图案290的两端分别接触阵列基板的内表面和对向基板的内表面。此外，密封图案290填充第一和第二沟槽H1和H2。由于第一和第二沟槽H1和H2，密封图案290接触阵列基板和对向基板的区域的面积比图6A的大。换句话说，图6C的湿气的渗透路径比图6A的长。因此，图6C的OELD器件可比图6A更有效地防止湿气渗透。

图7A是例示根据本发明第二个实施方式的OELD器件的示意性平面图，图7B和7C是在OELD器件上进行可靠性检测时图7A的OELD器件的第一到第四区域的图片。

参照图7A，OELD器件包括其间具有粘接层的阵列基板和对向基板。OELD器件包括显示区域AA和包围显示区域AA的非显示区域NAA。密封图案290位于非显示区域NAA处。

图7B显示了在将OELD器件转移进温度大约为80℃，湿度大约为95％的条件下的腔室中之后过了第一时间时，OELD器件的第一到第四区域(1)到(4)的发光状态，图7C显示了在将OELD器件转移进温度大约为80℃，湿度大约为95％的条件下的腔室中之后过了第二时间时，OELD器件的第一到第四区域(1)到(4)的发光状态。第一和第二时间分别为大约500小时和大约600小时。

参照图7B和7C，显示出直到过了第一时间(500小时)为止，发光状态是满意的，但是在过了第二时间(600小时)时，产生了不发光的像素。当对现有技术的OELD器件进行同样检测时，在大约过了200小时时产生发光缺陷。因此，OLED器件的寿命延长为现有技术OELD器件的寿命的大约两倍或三倍。

图8A和8B是例示根据本发明第三个实施方式的双板型OELD器件的样品的横截面图。在图8A和8B中，为了方便，示意性描述了OELD器件的外围区域。OELD器件具有与第一个实施方式类似的显示区域的结构。省略与第一个实施方式的部件类似的部件的解释。

参照图8A，对向基板包括在第二基板310上的至少一个遮蔽图案386。用粘接层填充阵列基板与对向基板之间的空间。遮蔽图案386可沿包围显示区域的非显示区域。当具有多个遮蔽图案386时，遮蔽图案386可彼此间隔开并彼此平行。可以在与图案化的衬垫料(图3的150)相同的工序中并由与图案化的衬垫料相同的材料形成遮蔽图案386。遮蔽图案386可与阵列基板间隔开。

可在遮蔽图案386上涂布金属材料，从而金属层396可覆盖遮蔽图案386。金属层396用于防止遮蔽图案386与外部的湿气或氧气(O₂)发生反应。金属层396可在与第二电极(图3的184)相同的工序中并由与第二电极相同的材料形成。

参照图8B，对向基板包括在第二基板310上的至少一个第二遮蔽图案386，第二金属层396覆盖第二遮蔽图案386。此外，阵列基板包括在第一基板305上的至少一个第一遮蔽图案385，第一金属层395覆盖第二遮蔽图案385。第一和第二遮蔽图案385和386交替并呈可咬合的状态。该结构的优点是比图8A更能防止湿气渗透。第一遮蔽图案385可与对向基板间隔开，第二遮蔽图案386可与阵列基板间隔开。

在图8A和8B的OELD器件中，粘接层可形成在其中形成有遮蔽图案的区域中。此外，第二个实施方式的密封图案可位于外部并包围遮蔽图案。当随同遮蔽图案和粘接层一起在第三个实施方式的OELD器件中进一步包括密封图案时，可更有效地防止湿气渗透。

图9A和9B是在OELD器件上进行可靠性检测时根据本发明第三个实施方式的每个OELD器件的两个角区域的图片。

对具有宽度为大约60μm的三个遮蔽图案386的OELD器件进行图9A的检测，两个角(1)和(2)是OELD器件的四个角中的两个。当使用三个遮蔽图案386时，在过了大约1000小时之后从显示区域的外部到内部产生由于湿气渗透而导致的像素上的缺陷。

对具有宽度为大约60μm的六个遮蔽图案386的OELD器件进行图9B的检测，两个角(1)和(2)是OELD器件的四个角中的两个。当使用六个遮蔽图案386时，在过了大约1600小时之后从显示区域的外部到内部产生由于湿气渗透而导致的像素上的缺陷。

对具有遮蔽图案并且不具有金属层的OELD器件进行图10(1)的检测，对具有由金属层覆盖的遮蔽图案的OELD器件进行图10(2)的检测。在温度大约为80℃，湿度大约为95％的条件下进行图10(1)和10(2)的检测。

参照图10(1)，当遮蔽图案不被金属层覆盖时，显示出在过了大约105小时之后从显示区域的顶部开始出现由于湿气渗透而导致的像素400上的缺陷。换句话说，湿气通过遮蔽图案渗透，因而渗透的湿气进入内部，像素400产生缺陷并随着时间的推移像素面积减小。像素400的尺寸减小意味着由于湿气渗透，用以发光的像素400的有效面积减小，这可以在图10(1)中看到。

参照图10(2)，当遮蔽图案被金属层覆盖时，由于覆盖遮蔽图案的金属层，湿气几乎不渗透过遮蔽图案。因此，即使在大约154小时和174小时之后，像素400也基本上不具有缺陷。因此，可以看出用金属层覆盖遮蔽图案在提高OELD器件的寿命方面具有卓越的优点。请注意，在图10(2)中像素400上的一些暗点不是由湿气渗透导致的，而是由检测时的误差导致的。

在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在本发明中可进行各种修改和变化，这对于所属领域普通技术人员来说是显而易见的。因而，本发明意在覆盖落入所附权利要求及其等效范围内的对本发明的修改和变化。

Claims

1.一种有机电致发光显示器件，包括：

阵列基板，其包括在第一基板上的像素区域中的驱动薄膜晶体管；

对向基板，其包括在第二基板上的像素区域中的有机电致发光二极管；

填充所述阵列基板与所述对向基板之间的空间的粘接层；和

将所述有机电致发光二极管与所述驱动薄膜晶体管电连接的连接衬垫料。

2.根据权利要求1所述的器件，其中所述粘接层包括导电颗粒。

3.根据权利要求2所述的器件，其中所述粘接层包括无机化合物材料，和有机化合物材料或有机/无机化合物材料，其中所述无机化合物材料具有导电性。

4.根据权利要求3所述的器件，其中所述无机化合物材料包括碳黑、碳纳米管、半导体纳米晶和金属纳米晶中的至少一种。

5.根据权利要求3所述的器件，其中所述有机化合物材料包括并五苯族材料和PPV(聚<p-聚苯乙烯撑>)族材料中的至少一种。

6.根据权利要求3所述的器件，其中所述有机化合物材料或所述有机/无机化合物材料与所述无机化合物材料的重量％等于或大于1重量％。

7.根据权利要求1所述的器件，其中所述粘接层具有等于或小于6×10⁶Ωcm的电阻率。

8.根据权利要求1所述的器件，其中所述粘接层具有等于或大于0.19W/mK的导热率。

9.根据权利要求1所述的器件，其中所述粘接层具有等于或小于一天1000g/m²的水蒸气透过率(WVTR)。

10.根据权利要求1所述的器件，其中所述粘接层具有等于或大于10nm的厚度。

11.根据权利要求1所述的器件，还包括包围所述器件的显示区域的密封图案，其中所述密封图案的两端分别与所述阵列基板的内表面和所述对向基板的内表面接触。

12.根据权利要求11所述的器件，其中所述阵列基板的内表面和所述对向基板的内表面分别具有第一和第二沟槽，其中所述密封图案填充所述第一和第二沟槽。

13.根据权利要求1所述的器件，还包括覆盖所述器件的多个侧面、所述阵列基板的外表面和所述对向基板的外表面的密封图案。

14.根据权利要求1所述的器件，还包括在所述第一基板的内表面和所述第二基板的内表面之一上的至少一个第一遮蔽图案，其中所述至少一个第一遮蔽图案包围所述器件的显示区域。

15.根据权利要求14所述的器件，还包括覆盖所述至少一个第一遮蔽图案的金属层。

16.根据权利要求14所述的器件，还包括在所述第一基板的内表面和所述第二基板的内表面另一个上的至少一个第二遮蔽图案，其中所述至少一个第二遮蔽图案包围所述器件的显示区域并与所述第一遮蔽图案交替。

17.根据权利要求16所述的器件，还包括覆盖所述至少一个第二遮蔽图案的金属层。

18.根据权利要求1所述的器件，其中所述阵列基板在所述像素中还包括开关薄膜晶体管和连接电极，其中所述连接电极将所述驱动薄膜晶体管与所述有机电致发光二极管电连接。

19.根据权利要求18所述的器件，其中所述有机电致发光二极管包括在所述第二基板的内表面上的第一电极、在所述第一电极上的有机发光层、和在所述有机发光层上的第二电极，其中所述连接衬垫料包括图案化的衬垫料和在所述图案化的衬垫料上的一部分所述第二电极，且其中所述一部分第二电极与所述连接电极接触。

20.根据权利要求1所述的器件，其中所述有机电致发光二极管包括在所述第二基板的内表面上的第一电极、在所述第一电极上的有机发光层、和在所述有机发光层上的第二电极，其中所述连接衬垫料将所述第二电极与所述驱动薄膜晶体管的漏极连接。

21.一种制造有机电致发光显示器件的设备，包括：

包含第一空间的第一腔室，其中阵列基板和对向基板在所述第一腔室中，且其中所述第一空间的第一气压是可调的；

包含第二空间的第二腔室；和

将所述第一空间和所述第二空间分离的衬垫，

其中所述衬垫是柔性的，使得在所述第一气压小于所述第二气压的条件下所述衬垫挤压所述阵列基板和所述对向基板之一，以用其间的粘接层接合所述阵列基板和所述对向基板。

22.根据权利要求21所述的设备，其中所述衬垫由硅形成。

23.根据权利要求21所述的设备，其中所述第二气压是可调的，其中所述第一腔室包括调整所述第一气压的第一端口，所述第二腔室包括调整所述第二气压的第二端口。

24.根据权利要求21所述的设备，还包括加热所述粘接层的加热装置。

25.一种制造有机电致发光显示器件的方法，包括如下步骤：

在第一腔室中放置阵列基板和对向基板；以及

调整所述第一腔室的第一空间的第一气压小于第二腔室的第二空间的第二气压，由此用于分离所述第一和第二空间的柔性衬垫挤压所述阵列基板和所述对向基板之一，以用其间的粘接层接合所述阵列基板和所述对向基板。

26.根据权利要求25所述的方法，调整所述第一气压小于所述第二气压的步骤包括将所述第一空间的大气状态变为真空状态并将所述第二空间的真空状态变为大气状态。

27.根据权利要求25所述的方法，还包括当所述衬垫挤压所述阵列基板和所述对向基板之一时加热所述粘接层。