KR102641816B1 - 디스플레이 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 디스플레이 영역이 최대화 되고 외부 투습에 강건한 디스플레이 장치를 위하여, 제1 영역 및 상기 제1 영역 외곽의 제2 영역을 갖는, 기판, 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역에 걸쳐 상기 기판 상에 배치되며, 상기 제1 영역에 인접한 가장자리를 따라 상기 제2 영역에 위치한 제1 개구부를 갖는, 절연부, 상기 절연부 상에 배치되며, 상기 제1 개구부의 외곽을 둘러싸도록 상기 제2 영역에 위치한, 댐부, 상기 절연부 상에 배치되며, 상기 제1 개구부의 내측면을 덮는 제1 유기절연층, 상기 제1 영역의 상기 절연부 상에 배치되며 화소전극을 포함하는 유기발광소자, 및 상기 유기발광소자를 덮으며, 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역에 걸쳐 상기 절연부 상에 배치되는 봉지층을 구비하는, 디스플레이 장치를 제공한다.

Description

디스플레이 장치{Display apparatus}
본 발명은 디스플레이 장치에 관한 것으로서, 더 상세하게는 디스플레이 영역이 최대화 되고 외부 투습에 강건한 디스플레이 장치에 관한 것이다.
디스플레이 장치들 중, 유기발광 디스플레이 장치는 시야각이 넓고 컨트라스트가 우수할 뿐만 아니라 응답속도가 빠르다는 장점을 가지고 있어 차세대 디스플레이 장치로서 주목을 받고 있다.
일반적으로 유기발광 디스플레이 장치는 기판 상에 박막트랜지스터 및 유기발광소자들을 형성하고, 유기발광소자들이 스스로 빛을 발광하여 작동한다. 이러한 유기발광 디스플레이 장치는 휴대폰 등과 같은 소형 제품의 디스플레이부로 사용되기도 하고, 텔레비전 등과 같은 대형 제품의 디스플레이부로 사용되기도 한다.
유기발광 디스플레이 장치는 화소전극과 대향전극 사이에 발광층을 포함하는 중간층이 개재된 유기발광소자를 각 (부)화소로 갖는다. 이러한 유기발광소자는 외부로부터 투습에 취약한 특성을 갖기 때문에, 유기발광소자 상부에 기판 상에 유기발광소자를 덮는 봉지층을 구비한다.
그러나 이러한 종래의 디스플레이 장치에는, 유기발광소자를 상부에 배치된 봉지층으로 인해 디스플레이 장치의 데드 스페이스가 확장되고, 측면에서 유입되는 외부 투습에 의해 유기발광소자 등에 불량이 야기된다는 문제점이 존재하였다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 디스플레이 영역이 최대화 되고 외부 투습에 강건한 디스플레이 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 관점에 따르면, 제1 영역 및 상기 제1 영역 외곽의 제2 영역을 갖는, 기판; 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역에 걸쳐 상기 기판 상에 배치되며, 상기 제1 영역에 인접한 가장자리를 따라 상기 제2 영역에 위치한 제1 개구부를 갖는, 절연부; 상기 절연부 상에 배치되며, 상기 제1 개구부의 외곽을 둘러싸도록 상기 제2 영역에 위치한, 댐부; 상기 절연부 상에 배치되며, 상기 제1 개구부의 내측면을 덮는 제1 유기절연층; 상기 제1 영역의 상기 절연부 상에 배치되며 화소전극을 포함하는 유기발광소자; 상기 유기발광소자를 덮으며, 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역에 걸쳐 상기 절연부 상에 배치되는 봉지층; 을 구비하는, 디스플레이 장치가 제공된다.
본 실시예에 따르면, 상기 봉지층은 제1 무기막, 제2 무기막 및 상기 제1 무기막과 상기 제2 무기막 사이에 개재되는 유기막을 포함하며, 상기 유기막의 적어도 일부는 상기 제1 개구부 내에 매립될 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 제1 무기막 및 상기 제2 무기막은 상기 기판의 가장자리까지 연장되어 상기 제2 영역 상에서 직접 면접촉할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 유기막은 상기 제2 무기막에 의해 밀봉될 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 제1 무기막은 상기 절연부 및 상기 유기절연층을 덮을 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 기판과 상기 절연부 사이에 개재되는 제1 물질층을 더 포함하고, 상기 제1 개구부는 상기 제1 물질층의 적어도 일부를 노출시킬 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 유기절연층은 상기 제1 물질층의 적어도 일부를 노출시킬 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 제1 무기막은 상기 제1 물질층의 적어도 일부와 직접 컨택할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 제1 영역에 배치되며, 반도체층, 게이트 전극을 포함하는 박막트랜지스터를 더 구비하고, 상기 제1 물질층은 상기 반도체층과 동일 물질을 포함할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 절연부는 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역에 걸쳐 상기 기판 상에 배치되고, 상기 제1 개구부에 대응하는 제1 개구를 갖는 제1 절연층 및 상기 제1 개구부에 대응하는 제2 개구를 갖는 제2 절연층을 포함할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 제2 영역의 상기 제1 절연층과 상기 제2 절연층 사이에 개재되며 상기 제1 개구부에 대응하는 제3 개구를 갖는 제1 금속층을 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 제2 영역의 상기 제2 절연층 상에 배치되며 상기 제1 개구부에 대응하는 제4 개구를 갖는 제2 금속층을 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 유기절연층은 상기 제1 개구, 상기 제2 개구, 제3 개구 및 상기 제4 개구의 내측면을 덮을 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 제1 영역에 배치되며, 반도체층, 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막트랜지스터를 더 구비하고, 상기 제1 금속층은 상기 게이트 전극과 동일 물질을 포함하고, 상기 제2 금속층은 소스 전극 또는 드레인 전극과 동일 물질을 포함할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 제1 영역의 상기 절연부와 상기 화소전극 사이에 배치되는 비아층 및 상기 화소전극의 가장자리를 덮으며 중앙부를 노출시키는 화소정의막을 더 포함하고, 상기 유기절연층은 상기 비아층 또는 상기 화소정의막과 동일 물질을 포함할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 댐부는 상기 비아층 또는 상기 화소정의막과 동일 물질을 포함할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 절연부는 상기 댐부의 외곽을 둘러싸도록 위치한 제2 개구부를 더 가질 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 절연부 상에 배치되며, 상기 제2 개구부의 내측면을 덮는 제2 유기절연층을 더 포함하고, 상기 제2 유기절연층은 상기 제1 물질층의 적어도 일부를 노출시킬 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 기판과 상기 절연부 사이에 개재되는 제2 물질층을 더 포함하고, 상기 제2 개구부는 상기 제2 물질층의 적어도 일부를 노출시킬 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 제1 영역에 배치되며, 반도체층, 게이트 전극을 포함하는 박막트랜지스터를 더 구비하고, 상기 제2 물질층은 상기 반도체층 또는 상기 게이트 전극과 동일 물질을 포함할 수 있다.
전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점이 이하의 도면, 특허청구범위 및 발명의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따르면, 디스플레이 영역이 최대화 되고 외부 투습에 강건한 디스플레이 장치를 구현할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 2는 도 1A의 디스플레이 장치에 있어서 A1-A1' 선을 따라 취한 단면을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 일 실시예에 관한 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 관한 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 단면도이다.도 5는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 관한 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 6은 도 5의 디스플레이 장치에 있어서 A2-A2' 선을 따라 취한 단면을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 관한 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 8은 도 7의 디스플레이 장치에 있어서 A3-A3' 선을 따라 취한 단면을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 관한 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 10은 도 9의 디스플레이 장치에 있어서 A4-A4' 선을 따라 취한 단면을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 11은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 관한 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 12는 도 11의 디스플레이 장치에 있어서 A5-A5' 선을 따라 취한 단면을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 13은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 관한 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 14는 도 13의 디스플레이 장치에 있어서 A6-A6' 선을 따라 취한 단면을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 15는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 관한 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 16은 도 15의 디스플레이 장치에 있어서 B-B' 선을 따라 취한 단면을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다. 또한, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
한편, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다. 또한, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 다른 부분의 "바로 위에" 또는 "바로 상에" 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
x축, y축 및 z축은 직교 좌표계 상의 세 축으로 한정되지 않고, 이를 포함하는 넓은 의미로 해석될 수 있다. 예를 들어, x축, y축 및 z축은 서로 직교할 수도 있지만, 서로 직교하지 않는 서로 다른 방향을 지칭할 수도 있다.
어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 평면도이고, 도 2는 도 1A의 디스플레이 장치에 있어서 A1-A1본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다. 또한, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
한편, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다. 또한, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 다른 부분의 "바로 위에" 또는 "바로 상에" 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
x축, y축 및 z축은 직교 좌표계 상의 세 축으로 한정되지 않고, 이를 포함하는 넓은 의미로 해석될 수 있다. 예를 들어, x축, y축 및 z축은 서로 직교할 수도 있지만, 서로 직교하지 않는 서로 다른 방향을 지칭할 수도 있다.
어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 평면도이고, 도 2는 도 1A의 디스플레이 장치에 있어서 A1-A1' 선을 따라 취한 단면을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치는 기판(100), 기판(100) 상에 배치되며 제1 개구부(155a)를 갖는 절연부(155), 절연부(155) 상에 배치되며 제1 개구부(155a) 외곽을 둘러싸도록 위치한 댐부(172), 제1 개구부(155a)의 내측면을 덮는 제1 유기절연층(174), 절연부(155) 상에 배치되는 유기발광소자(200) 및 유기발광소자(200)를 덮는 봉지층(300)을 구비한다.
기판(100)은 글라스재, 금속재, 또는 PET(Polyethylen terephthalate), PEN(Polyethylen naphthalate), 폴리이미드(Polyimide) 등과 같은 플라스틱재 등, 다양한 재료로 형성된 것일 수 있다. 이러한 기판(100)이 박형의 글라스재 또는 금속재로 형성되거나, 플라스틱재로 형성되는 경우에는 플렉서블한 특성을 가질 수 있다. 도 1에 도시된 것과 같이, 기판(100)은 사각 형태를 가질 수도 있고, 디스플레이부의 형상에 따라 원형, 타원형 등 다양한 형상으로 형성될 수도 있다.
이러한 기판(100)은 제1 영역(1A)과, 이 제1 영역(1A)의 외곽을 감싸는 제2 영역(2A)을 가질 수 있다. 제1 영역(1A)은 복수개의 유기발광소자(200)들이 배치되는 영역으로 디스플레이 영역으로 이해될 수 있다. 제2 영역(2A)은 제1 영역(1A)의 주변 영역으로 발광소자들이 배치되지 않으며, 배선 또는 회로부 등이 배치될 수 있고, 기판(100) 또는 기판(100) 상에 절연막 만이 배치될 수도 있다. 도 1을 참조하면 제1 영역(1A)은 기판(100)의 중앙부에 위치하고, 제2 영역(2A)은 제1 영역(1A)의 외곽을 둘러싸며 기판(100)의 가장자리를 포함한 영역으로 도시되어 있으나, 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
도 2를 참조하면 기판(100) 상에는 절연부(155)가 배치될 수 있으며, 절연부(155)는 기판(100)의 제1 영역(1A) 및 제2 영역(2A)에 걸쳐 기판(100)의 전면(全面)에 배치될 수 있다. 절연부(155)는 도 2에 도시된 것과 같이 복수개의 절연막들을 포함할 수 있으며, 예컨대 버퍼층을 비롯하여 제1 절연층(130) 및 제2 절연층(150)을 포함할 수 있다. 이때 제1 절연층(130)은 제1 영역(1A)에서 후술할 박막트랜지스터의 반도체층과 게이트 전극 사이를 절연시키는 게이트 절연막으로 이해될 수 있으며, 제2 절연층(150)은 제1 영역(1A)에서 후술할 박막트랜지스터의 게이트 전극과 소스 전극 또는 게이트 전극과 드레인 전극 사이를 절연시키는 층간 절연막으로 이해될 수 있다.
먼저 기판(100)의 제1 영역(1A)에 대하여 설명한다.
기판(100) 상에는 기판(100)의 면을 평탄화하기 위해 또는 박막트랜지스터(TFT)의 반도체층(120)으로 불순물 등이 침투하는 것을 방지하기 위해, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드 및/또는 실리콘옥시나이트라이드 등으로 형성된 버퍼층(110)이 배치되고, 이 버퍼층(110) 상에 반도체층(120)이 위치하도록 할 수 있다. 상기 버퍼층(110)은 단일층 또는 다중층으로 구성될 수 있다. 예컨대, 버퍼층(110)은 이중층으로 구성될 수 있다.
그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 다른 실시예에 따르면, 버퍼층(110)은 도 4에 도시된 바와 같이 생략될 수도 있다. 이 경우, 기판(110) 상에 기판(110)과 접하도록 반도체층(120)이 배치될 수 있다.
반도체층(120)의 상부에는 게이트 전극(140)이 배치되는데, 이 게이트 전극(140)에 인가되는 신호에 따라 소스 전극(160a) 및 드레인 전극(160b)이 전기적으로 소통된다. 게이트 전극(140)은 인접층과의 밀착성, 적층되는 층의 표면 평탄성 그리고 가공성 등을 고려하여, 예컨대 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중 하나 이상의 물질로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.
이때 반도체층(120)과 게이트 전극(140)과의 절연성을 확보하기 위하여, 실리콘옥사이드 및/또는 실리콘나이트라이드 등으로 형성되는 제1 절연층(130)이 반도체층(120)과 게이트 전극(140) 사이에 개재될 수 있다.
게이트 전극(140)의 상부에는 제2 절연층(150)이 배치될 수 있는데, 이는 실리콘옥사이드 또는 실리콘나이트라이드 등의 물질로 단층으로 형성되거나 또는 다층으로 형성될 수 있다.
제2 절연층(150)의 상부에는 소스 전극(160a) 및 드레인 전극(160b)이 배치된다. 소스 전극(160a) 및 드레인 전극(160b)은 제2 절연층(150)과 제1 절연층(130)에 형성되는 컨택홀을 통하여 반도체층(120)에 각각 전기적으로 연결된다. 소스 전극(160a) 및 드레인 전극(160b)은 도전성 등을 고려하여 예컨대 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중 하나 이상의 물질로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.
한편 도시되지는 않았으나, 이러한 구조의 박막트랜지스터(TFT)의 보호를 위해 박막트랜지스터(TFT)를 덮는 보호막(미도시)이 배치될 수 있다. 보호막은 예컨대 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드 또는 실리콘옥시나이트라이드 등과 같은 무기물로 형성될 수 있다.
한편, 기판(100)의 상에 비아층(170)이 배치될 수 있다. 이 경우 비아층(170)은 평탄화막일 수도 있고 보호막일 수도 있다. 이러한 비아층(170)은 박막트랜지스터(TFT) 상부에 유기발광소자(200)가 배치되는 경우 박막트랜지스터(TFT) 의 상면을 대체로 평탄화하게 하고, 박막트랜지스터(TFT) 및 각종 소자들을 보호하는 역할을 한다. 이러한 비아층(170) 은 예컨대 아크릴계 유기물 또는 BCB(Benzocyclobutene) 등으로 형성될 수 있다.
한편, 박막트랜지스터(TFT) 상부에는 화소정의막(180)이 배치될 수 있다. 화소정의막(180)은 상술한 비아층(170) 상에 위치할 수 있으며, 화소 영역을 정의하는 개구를 가질 수 있다. 이러한 화소정의막(180)은 상기 개구를 통해 각 화소의 화소영역을 정의하는 역할을 한다.
이러한 화소정의막(180)은 예컨대 유기 절연막으로 구비될 수 있다. 그러한 유기 절연막으로는 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA)와 같은 아크릴계 고분자, 폴리스티렌(PS), phenol그룹을 갖는 고분자 유도체, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 혼합물 등을 포함할 수 있다.
한편, 비아층(170) 상에는 유기발광소자(200)가 배치될 수 있다. 유기발광소자(200)는 화소 전극(210), 발광층(EML: Emission Layer)을 포함하는 중간층(220) 및 대향 전극(230)을 포함할 수 있다.
화소 전극(210)은 (반)투명 전극 또는 반사형 전극으로 형성될 수 있다. (반)투명 전극으로 형성될 때에는 예컨대 ITO, IZO, ZnO, In2O3, IGO 또는 AZO로 형성될 수 있다. 반사형 전극으로 형성될 때에는 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물 등으로 형성된 반사막과, ITO, IZO, ZnO, In2O3, IGO 또는 AZO로 형성된 층을 가질 수 있다. 물론 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니고 다양한 재질로 형성될 수 있으며, 그 구조 또한 단층 또는 다층이 될 수 있는 등 다양한 변형이 가능하다.
화소정의막(180)에 의해 정의된 화소영역에는 중간층(220)이 각각 배치될 수 있다. 이러한 중간층(220)은 전기적 신호에 의해 빛을 발광하는 발광층(EML: Emission Layer)을 포함하며, 발광층(EML)을 이외에도 발광층(EML)과 화소 전극(210) 사이에 배치되는 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer), 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer) 및 발광층(EML)과 대향 전극(230) 사이에 배치되는 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer), 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer) 등이 단일 혹은 복합의 구조로 적층되어 형성될 수 있다. 물론 중간층(220)은 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 다양한 구조를 가질 수도 있음은 물론이다.
발광층(EML)을 포함하는 중간층(220)을 덮으며 화소 전극(210)에 대향하는 대향 전극(230)이 기판(100) 전면(全面)에 걸쳐서 배치될 수 있다. 대향 전극(230)은 (반)투명 전극 또는 반사형 전극으로 형성될 수 있다.
이러한 중간층(220)은 저분자 유기물 또는 고분자 유기물일 수 있다.
중간층(220)이 저분자 유기물일 경우, 발광층(EML)을 중심으로 홀 수송층(hole transport layer: HTL), 홀 주입층(hole injection layer: HIL), 전자 수송층(electron transport layer: ETL) 및 전자 주입층(electron injection layer: EIL) 등이 적층될 수 있다. 이외에도 필요에 따라 다양한 층들이 적층 될 수 있다. 이때, 사용 가능한 유기 재료로 구리 프탈로시아닌(CuPc: copper phthalocyanine), N'-디(나프탈렌-1-일)-N(N'-Di(naphthalene-1-yl)-N), N'-디페닐-벤지딘(N'-diphenyl-benzidine: NPB), 트리스-8-하이드록시퀴놀린 알루미늄(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3) 등을 비롯하여 다양하게 적용 가능하다.
중간층(220)이 고분자 유기물일 경우, 중간층(220) 외에 홀 수송층(HTL)이 포함될 수 있다. 홀 수송층은 폴리에틸렌 디히드록시티오펜 (PEDOT: poly-(2,4)-ethylene-dihydroxy thiophene)이나, 폴리아닐린(PANI: polyaniline) 등을 사용할 수 있다. 이때, 사용 가능한 유기 재료로 PPV(Poly-Phenylenevinylene)계 및 폴리플루오렌(Polyfluorene)계 등의 고분자 유기물을 사용할 수 있다. 또한, 중간층(220)과 화소 전극(210) 및 대향 전극(230) 사이에는 무기 재료가 더 구비될 수도 있다.
이때 홀 수송층(HTL), 홀 주입층(HIL), 전자 수송층(ETL) 및 전자 주입층(EIL)은 기판(100) 전면(全面)에 일체(一體)로 형성될 수 있고, 발광층만 잉크젯 프린팅 공정으로 화소별로 형성될 수 있다. 이 경우에도 홀 수송층(HTL), 홀 주입층(HIL), 전자 수송층(ETL) 및 전자 주입층(EIL)등이 인입부 내에도 위치할 수 있다.
대향 전극(230)이 (반)투명 전극으로 형성될 때에는 일함수가 작은 금속 즉, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg 및 이들의 화합물로 형성된 층과 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3 등의 (반)투명 도전층을 가질 수 있다. 대향 전극(230)이 반사형 전극으로 형성될 때에는 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg 및 이들의 화합물로 형성된 층을 가질 수 있다. 물론 대향 전극(230)의 구성 및 재료가 이에 한정되는 것은 아니며 다양한 변형이 가능함은 물론이다.
한편 유기발광소자(200) 상부에서는 유기발광소자(200)를 덮도록 봉지층(300)이 위치할 수 있다. 도시되어 있지는 않으나 다른 실시예로, 대향 전극(230)과 봉지층(300) 사이에는 편광층 등의 기능층들이 더 배치될 수도 있다.
봉지층(300)은 제1 무기막(310), 제2 무기막(330) 및 제1 무기막(310)과 제2 무기막(330) 사이에 개재되는 유기막(320)을 포함할 수 있다. 이러한 봉지층(300)은 외부 투습에 취약한 유기발광소자(200)를 밀봉하는 기능을 할 수 있다. 또한 봉지층(300)은 밀봉 효과를 높이기 위해 무기막 및 유기막(320)이 서로 교번하여 적층되는 다층 구조를 가질 수 있다. 또한 봉지층(300)의 유기막(320)은 제1 무기막(310) 및 제2 무기막(330) 보다 두껍게 형성될 수 있다.
제1 무기막(310) 및 제2 무기막(330)은 제1 영역(1A) 및 제2 영역(2A)에 걸쳐 기판(100)의 전면(全面)에 위치할 수 있다. 이러한 제1 무기막(310) 및 제2 무기막(330)은 예컨대, 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 주석 산화물, 세륨 산화물 및 실리콘 산화질화물(SiON)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다. 이 때, 제1 무기막(310)과 제2 무기막(330)을 형성하는 물질은 동일할 수도 있고 상이할 수도 있다.
제1 무기막(310)과 제2 무기막(330) 사이에는 봉지층(300)의 유연성을 위해 유기막(320)이 개재될 수 있다. 유기막(320)은 제1 무기막(310)과 제2 무기막(330)에 의해 밀봉될 수 있다. 즉, 유기막(320)의 측면은 제1 무기막(310) 및 제2 무기막(330)에 의해 커버될 수 있으며, 다시 말해 유기막(320)은 유기막(320) 상에 배치되는 제2 무기막(330)에 의해 완전히 덮힐 수 있다. 유기막(320)의 측면을 커버라는 제1 무기막(310)과 제2 무기막(330)의 가장자리는 서로 직접 컨택할 수 있다. 이는 유기막(320)은 외부 투습의 경로가 되므로, 유기막(320)은 제1 무기막(310)과 제2 무기막(330)에 의해 완전히 밀봉된다. 이러한 유기막(320)은 예컨대, 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지 및 페릴렌계 수지로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다. 이러한 제1 유기막과 제2 유기막을 형성하는 물질은 서로 동일할 수도 있고, 상이할 수도 있다.
한편 계속해서 도 2를 참조하여 기판(100)의 제2 영역(2A)에 대하여 설명한다.
기판(100)의 제2 영역(2A)은 제1 영역(1A)의 외곽을 둘러싸며 기판(100)의 가장자리를 포함하는 영역으로 이해될 수 있다. 이러한 제2 영역(2A)에는 유기발광소자(200)를 제외한, 회로부, 배선 등이 배치될 수 있고, 기판(100) 또는 기판(100) 상에 절연막 만이 배치될 수도 있다. 본 실시예에서는 절연부(155)가 기판(100)의 제1 영역(1A) 및 제2 영역(2A)에 걸쳐 위치할 수 있다. 또한 제1 영역(1A)에 위치한 비아층의 일부가 제2 영역(2A)까지 연장될 수 있다. 또한 제1 영역(1A)에 위치한 봉지층(300)의 일부가 제2 영역(2A)까지 연장될 수 있다.
제2 영역(2A)에 위치한 절연부(155)는 제1 영역(1A)의 가장자리를 따라 형성된 제1 개구부(155a)를 가질 수 있다. 즉, 제1 개구부(155a)는 제1 영역(1A)에 인접한 가장자리를 따라 제2 영역(2A)에 위치할 수 있다. 제1 개구부(155a)는 제1 영역(1A)을 따라 폐루프로 형성될 수도 있고, 다른 실시예로 개방형으로 형성될 수도 있다. 제1 개구부(155a)는 도 2에 도시된 것과 같이 버퍼층의 적어도 일부를 노출시킬 수 있다.
이러한 제1 개구부(155a)는 각각 제1 개구부(155a)에 대응하는 제1 개구(130a) 및 제2 개구(150a)를 포함할 수 있다. 즉, 절연부(155)는 버퍼층을 비롯하여, 버퍼층 상에 배치되는 제1 절연층(130) 및 제2 절연층(150)을 포함하고, 제1 절연층(130)은 제1 개구부(155a)에 대응하는 제1 개구(130a)를 갖고, 제2 절연층(150)은 마찬가지로 제1 개구부(155a)에 대응하는 제2 개구(150a)를 가질 수 있다. 도 2에서는 제1 개구(130a)의 내측면과 제2 개구(150a)의 내측면이 서로 일치하는 것으로 도시되어 있으나, 제1 개구(130a)와 제2 개구(150a)의 단면은 서로 일치할 수도 있고 일치하지 않을 수도 있다. 예컨대 제1 절연층(130)과 제2 절연층(150)은 무기물을 포함하는데, 제1 절연층(130)과 제2 절연층(150)이 동일 무기물을 포함하는 경우에는 동일 마스크를 이용한 에칭을 통해 서로의 내측면이 일치할 수 있으나, 제1 절연층(130)과 제2 절연층(150)이 다른 무기물을 포함하는 경우에는 동일 마스크를 이용한 에칭을 통해 서로의 내측면이 일치하지 않을 수 있다. 이와 같이 제1 절연층(130)과 제2 절연층(150)의 내측면이 서로 일치하지 않는 경우, 제2 영역(2A)까지 연장되어 배치되는 봉지층(300)의 제1 무기막(310)이 제1 개구부(155a)의 내측면을 용이하게 덮지 못하는 문제점이 발생할 수 있다. 제1 무기막(310)이 제1 개구부(155a)의 내측면을 용이하게 덮지 못하는 경우 제1 무기막(310)이 불연속적으로 형성된 부분으로 외부의 습기가 디스플레이 장치 내로 침투하는 경로가 될 수 있다. 따라서 후술할 제1 유기절연층(174)으로 제1 개구부(155a)의 내측면을 커버함으로써 제1 무기막(310)의 스텝 커버리지(step coverage)를 향상시킬 수 있다.
제1 개구부(155a)에 위치한 절연부(155) 상에는 제1 개구부(155a)의 내측면을 덮는 제1 유기절연층(174)이 위치할 수 있다. 도 2에 도시된 것과 같이 제1 유기절연층(174)은 제1 개구부(155a)의 내측면을 덮으며 제1 개구부(155a)가 위치한 절연부(155)의 상면의 적어도 일부를 덮을 수 있다. 제1 유기절연층(174)은 제1 개구부(155a)의 내측면을 덮되, 버퍼층(110)의 적어도 일부를 노출시킬 수 있다. 이러한 제1 유기절연층(174)은 비아층(170)과 동일 물질을 포함할 수도 있고, 도 3 에 도시된 것과 같이 화소정의막(180)과 동일 물질을 포함할 수도 있다.
한편, 절연부(155) 상에는 제1 개구부(155a)의 외곽을 둘러싸도록 제2 영역(2A)에 댐부(172)가 배치될 수 있다. 댐부(172)는 제1 개구부(155a)와 마찬가지로 폐루프로 형성될 수도 있고, 다른 실시예로 개방형으로 형성될 수도 있다. 댐부(172)는 봉지층(300)의 유기막(320)이 기판(100)의 가장자리로 넘치는 것(over flow)을 방지하는 역할을 하며, 유기막(320)이 제1 무기막(310) 및 제2 무기막(330)에 의해 용이하게 밀봉될 수 있도록 한다.
이러한 댐부(172)는 비아층(170)과 동일 물질을 포함할 수도 있고, 도 3에 도시된 것과 같이 화소정의막(180)과 동일 물질을 포함할 수도 있다. 댐부(172)가 비아층(170)과 동일 물질을 포함하는 경우, 댐부(172)의 높이는 비아층(170)과 동일하거나 비아층(170)보다 낮을 수 있다. 다른 실시예로 댐부(172)가 화소정의막(180)과 동일 물질을 포함하는 경우 댐부(172)의 높이는 화소정의막(180)과 동일하거나 화소정의막(180)보다 낮을 수 있다. 댐부(172)가 비아층(170) 또는 화소정의막(180) 보다 낮게 형성되는 경우에는 제조 과정에서 하프톤 마스크 등을 이용하여 댐부(172)의 높이를 조절할 수 있다. 본 실시예에서는 댐부(172)가 단층 구조로 형성되었으나, 다른 실시예로 댐부(172)는 다층 구조를 가질 수도 있다. 이 경우 댐부(172)는 비아층(170)과 동일 물질을 포함하는 층과, 화소정의막(180)과 동일 물질을 포함하는 층의 다층 구조일 수 있다.
제2 영역(2A)에 위치한 절연부(155) 상에는 상술한 것과 같이 봉지층(300)이 제1 영역(1A)으로부터 제2 영역(2A)까지 연장되어 위치할 수 있다. 도 2에 도시된 것과 같이 제1 무기막(310)은 제1 영역(1A)에서 대향 전극 상에 배치되며, 제2 영역(2A)까지 연장되어 제1 개구부(155a), 제1 개구부(155a)의 내측면을 덮도록 배치된 제1 유기절연층(174), 댐부(172) 상에 배치될 수 있다. 제1 무기막(310)은 기판(100)의 전면을 덮으며 기판(100)의 가장자리까지 연장되어 배치될 수 있다.
유기막(320)은 제1 무기막(310) 상에 배치될 수 있으며, 제1 영역(1A) 및 제2 영역(2A)의 일부에 위치할 수 있다. 이 경우 제2 영역(2A)의 일부에 유기막(320)이 위치한다고 함은, 제2 영역(2A)에 위치한 댐부(172)까지 유기막(320)이 위치하는 것을 의미할 수 있다. 즉, 유기막(320)은 댐부(172)에 의해 넘치는 것을 방지하여 기판(100)의 가장자리까지 형성되는 것을 방지한다. 이러한 유기막(320)은 절연부(155)에 형성된 제1 개구부(155a) 내에 매립될 수 있다. 제1 개구부(155a) 내에 매립된 유기막(320)의 상면은 대체적으로 평탄한 형상을 가질 수 있다.
유기막(320) 상에는 제2 무기막(330)이 배치될 수 있다. 제2 무기막(330)은 유기막(320) 상에 배치되어, 유기막(320)이 형성된 영역에서 유기막(320)과 직접 면접촉하도록 구비될 수 있다. 상술한 것과 같이 유기막(320)은 제2 영역(2A)의 댐부(172)에 의해 영역이 정의되기 때문에, 댐부(172) 직전까지는 유기막(320)과 컨택하고, 댐부(172)의 상면에서 기판(100)의 가장자리까지는 제1 무기막(310)과 직접 면접촉하도록 구비될 수 있다. 즉 댐부(172)의 상면에서 기판(100)의 가장자리까지는 유기막(320)이 위치하지 않고, 제1 무기막(310)이 기판(100)의 가장자리까지 연장되도록 구비되기 때문이다.
종래에는 외부 투습에 의한 디스플레이 장치의 손상을 방지하기 위해 일정 폭 이상의 제2 영역(2A)을 확보할 필요가 있었다. 즉, 외부 투습 방지의 주요 역할을 하는 봉지층(300)에 있어서, 제1 무기막(310)과 제2 무기막(330)이 서로 직접 컨택하는 영역을 일정 폭 이상으로 확보하는 것이 중요한 역할을 하였다. 하지만 이 경우 화소들이 배치되는 제1 영역(1A) 이외에 제1 영역(1A)의 주변에 제2 영역(2A)의 폭이 커짐에 따라 디스플레이 장치의 비디스플레이 영역, 즉 데드 스페이스(dead space)가 확장되는 결과를 야기했다.
이에 본 발명의 일 실시예와 같은 디스플레이 장치에서는, 상술한 것과 같이 제2 영역(2A)에 위치한 절연부(155)가 제1 개구부(155a)를 가지며, 이러한 제1 개구부(155a)에 유기막(320)의 일부가 매립됨에 따라 절연막의 측면을 통한 외부 투습 경로가 차단되어 투습에 강건한 디스플레이 장치를 구현할 수 있다. 또한 이러한 제1 개구부(155a)의 내측면을 덮는 제1 유기절연층(174)을 배치하여 제1 무기막(310)의 스텝 커버리지(step coverage)를 향상시킬 수 있다. 또한 투습 경로를 차단하는 제1 개구부(155a)에 의해 디스플레이 장치의 비디스플레이 영역, 즉 데드 스페이스(dead space)를 획기적으로 좁힐 수 있다.
도 5는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 관한 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 평면도이고, 도 6은 도 5의 디스플레이 장치에 있어서 A2-A2' 선을 따라 취한 단면을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치는 기판(100), 기판(100) 상에 배치되며 제1 개구부(155a)를 갖는 절연부(155), 절연부(155) 상에 배치되며 제1 개구부(155a) 외곽을 둘러싸도록 위치한 댐부(172), 제1 개구부(155a)의 내측면을 덮는 유기절연층, 절연부(155) 상에 배치되는 유기발광소자(200), 유기발광소자(200)를 덮는 봉지층(300) 및 기판(100)과 절연부(155) 사이에 개재되는 제1 물질층(122)을 구비한다.
도 6의 실시예에서는 제1 개구부(155a)가 위치한 부분에 제1 물질층(122)이 구비되는 것 이외에 다른 구성을 전술한 도 2의 실시예와 동일한 바, 이하에서는 제1 물질층(122)을 중심으로 도 2의 실시예와의 차이점에 대하여 설명하도록 한다.
도 6을 참조하면, 기판(100)과 제2 영역(2A)의 절연부(155) 사이에 제1 물질층(122)이 개재될 수 있다. 구체적으로 제1 물질층(122)은 버퍼층 상에 위치할 수 있으며, 버퍼층과 제1 절연층(130) 사이에 개재될 수 있다. 제1 개구부(155a)는 이러한 제1 물질층(122)의 적어도 일부를 노출하도록 형성될 수 있다. 이러한 제1 물질층(122)은 박막트랜지스터의 반도체층과 동일 물질을 포함할 수 있으나, 반도체층과 같은 도핑 공정을 거치지 않아도 무방하다.
제1 물질층(122)은 제1 개구부(155a)를 형성하는 제조 과정에 있어서, 에칭을 통해 제1 개구부(155a)를 형성할 때, 제1 개구부(155a)가 형성되는 깊이를 조절하는 에칭 보호막(Etch Stopper)의 역할을 할 수 있다. 이와 같은 제1 물질층(122)을 어떠한 층 상에 배치하는가에 따라서 제1 개구부(155a)의 깊이를 제어할 수 있다.
이와 같이 제1 개구부(155a)가 제1 물질층(122)의 적어도 일부를 노출하도록 형성됨에 따라, 제1 개구부(155a)의 내측면을 덮는 제1 유기절연층(174)은 제1 물질층(122)의 적어도 일부를 노출하도록 구비될 수 있다. 이때 제1 유기절연층(174)의 적어도 일부는 제1 물질층(122)에 컨택할 수 있다. 따라서 제1 유기절연층(174)이 제1 물질층(122)을 노출시키는 영역은 제1 개구부(155a)가 제1 물질층(122)을 노출하는 영역보다 작을 수 있다.
봉지층(300)의 제1 무기막(310)은 제1 유기절연층(174)을 덮도록 절연부(155) 상부에 위치할 수 있으며, 제1 개구부(155a) 및 제1 유기절연층(174)에 의해 적어도 일부가 노출된 제1 물질층(122)과 직접 컨택할 수 있다.
이에 본 발명의 일 실시예와 같은 디스플레이 장치에서는, 상술한 것과 같이 제2 영역(2A)에 위치한 절연부(155)가 제1 개구부(155a)를 가지며, 이러한 제1 개구부(155a)에 유기막(320)의 일부가 매립됨에 따라 절연막의 측면을 통한 외부 투습 경로가 차단되어 투습에 강건한 디스플레이 장치를 구현할 수 있다. 또한 이러한 제1 개구부(155a)의 내측면을 덮는 제1 유기절연층(174)을 배치하여 제1 무기막(310)의 스텝 커버리지(step coverage)를 향상시킬 수 있다. 또한 투습 경로를 차단하는 제1 개구부(155a)에 의해 디스플레이 장치의 비디스플레이 영역, 즉 데드 스페이스(dead space)를 획기적으로 좁힐 수 있다.
도 7은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 관한 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 평면도이고, 도 8은 도 7의 디스플레이 장치에 있어서 A3-A3' 선을 따라 취한 단면을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치는 기판(100), 기판(100) 상에 배치되며 제1 개구부(155a)를 갖는 절연부(155), 절연부(155) 상에 배치되며 제1 개구부(155a) 외곽을 둘러싸도록 위치한 댐부(172), 제1 개구부(155a)의 내측면을 덮는 유기절연층, 절연부(155) 상에 배치되는 유기발광소자(200), 유기발광소자(200)를 덮는 봉지층(300), 기판(100)과 절연부(155) 사이에 개재되는 제1 물질층(122) 및 제1 금속층(142)을 구비한다.
도 8의 실시예에서는 절연부(155)가 포함하는 제1 절연층(130)과 제2 절연층(150) 사이에 개재되는 제1 금속층(142)이 구비되는 것 이외에 다른 구성은 전술한 도 2 및 도 6의 실시예와 동일한 바, 이하에서는 전술한 실시예들과의 차이점을 중심으로 설명하도록 한다.
도 8을 참조하면, 기판(100) 상에 배치된 절연부(155)는 버퍼층을 비롯하여, 제1 절연층(130)과 제2 절연층(150)을 포함할 수 있다. 전술한 것과 같이 제1 절연층(130)은 제1 개구부(155a)에 대응하는 제1 개구(130a)를 갖고, 제2 절연층(150)은 제1 개구부(155a)에 대응하는 제2 개구(150a)를 가질 수 있다. 본 실시예에서는 제1 절연층(130)과 제2 절연층(150) 사이에 개재되는 제1 금속층(142)을 더 구비한다. 제1 금속층(142)은 제1 절연층(130)의 제1 개구(130a) 및 제2 절연층(150)의 제2 개구(150a)와 마찬가지로 제1 개구부(155a)에 대응하는 제3 개구(142a)를 가질 수 있다. 도 7에서는 제1 개구(130a), 제2 개구(150a) 및 제3 개구(142a)가 동일한 내측면을 갖는 것으로 도시되어 있으나, 다른 실시예로 제1 개구(130a), 제2 개구(150a) 및 제3 개구(142a) 각각의 내측면은 서로 동일하지 않을 수 있다. 즉, 제1 개구(130a), 제2 개구(150a) 및 제3 개구(142a) 각각의 크기는 서로 다르게 형성될 수 있으며, 이 경우 제1 개구(130a), 제2 개구(150a) 및 제3 개구(142a) 각각의 내측면은 서로 상이할 수 있다.
이와 같은 제1 금속층(142)은 제1 영역(1A)에 위치한 박막트랜지스터의 게이트 전극과 동일 물질을 포함할 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
제1 개구(130a), 제2 개구(150a) 및 제3 개구(142a)를 포함하는 제1 개구부(155a)의 내측면을 덮도록 제1 유기절연층(174)이 구비될 수 있다. 이러한 제1 유기절연층(174)은 상술한 것과 같이 제1 개구(130a), 제2 개구(150a) 및 제3 개구(142a) 각각이 서로 다른 내측면을 갖는 경우라도 하더라도, 제1 개구부(155a)의 내측면 전체를 덮도록 구비됨에 따라, 제1 개구부(155a)를 덮도록 배치되는 제1 무기막(310)의 불연속적으로 형성되는 것을 방지할 수 있다.
제1 개구부(155a)에 대응하도록 제3 개구(142a)를 갖는 제1 금속층(142)을 더 구비함에 따라 제1 금속층(142)의 두께만큼 제1 개구부(155a)의 깊이를 증가시킬 수 있다. 이와 같이 제1 개구부(155a)의 깊이가 깊어짐에 따라 제1 개구부(155a)를 덮는 제1 무기막(310)이 면적이 넓어지고, 제1 개구부(155a)에 매립되는 유기막(320)의 깊이를 깊게 형성할 수 있어, 외부 투습 경로 차단에 더욱 효과적이다.
이에 본 발명의 일 실시예와 같은 디스플레이 장치에서는, 상술한 것과 같이 제2 영역(2A)에 위치한 절연부(155)가 제1 개구부(155a)를 가지며, 이러한 제1 개구부(155a)에 유기막(320)의 일부가 매립됨에 따라 절연막의 측면을 통한 외부 투습 경로가 차단되어 투습에 강건한 디스플레이 장치를 구현할 수 있다. 또한 이러한 제1 개구부(155a)의 내측면을 덮는 제1 유기절연층(174)을 배치하여 제1 무기막(310)의 스텝 커버리지(step coverage)를 향상시킬 수 있다. 또한 투습 경로를 차단하는 제1 개구부(155a)에 의해 디스플레이 장치의 비디스플레이 영역, 즉 데드 스페이스(dead space)를 획기적으로 좁힐 수 있다.
도 9는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 관한 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 평면도이고, 도 10은 도 9의 디스플레이 장치에 있어서 A4-A4' 선을 따라 취한 단면을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 9 및 도 10을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치는 기판(100), 기판(100) 상에 배치되며 제1 개구부(155a)를 갖는 절연부(155), 절연부(155) 상에 배치되며 제1 개구부(155a) 외곽을 둘러싸도록 위치한 댐부(172), 제1 개구부(155a)의 내측면을 덮는 유기절연층, 절연부(155) 상에 배치되는 유기발광소자(200), 유기발광소자(200)를 덮는 봉지층(300), 기판(100)과 절연부(155) 사이에 개재되는 제1 물질층(122), 제1 금속층(142) 및 제2 금속층(162)을 구비한다.
도 10의 실시예에서는 제1 개구부(155a)가 형성된 절연부(155)의 상면에 제2 금속층(162)이 더 배치되는 것 이외에 다른 구성은 전술한 도 2 및 도 8의 실시예와 동일한 바, 이하에서는 전술한 실시예들과의 차이점을 중심으로 설명하도록 한다.
도 10을 참조하면, 기판(100) 상에 배치된 절연부(155)는 버퍼층을 비롯하여, 제1 절연층(130)과 제2 절연층(150)을 포함할 수 있다. 전술한 것과 같이 제1 절연층(130)은 제1 개구부(155a)에 대응하는 제1 개구(130a)를 갖고, 제2 절연층(150)은 제1 개구부(155a)에 대응하는 제2 개구(150a)를 가질 수 있다. 본 실시예에서는 제1 절연층(130)과 제2 절연층(150) 사이에 개재되는 제1 금속층(142) 및 제2 절연층(150) 상에 위치한 제2 금속층(162)을 더 구비한다.
제1 금속층(142)은 제1 절연층(130)의 제1 개구(130a) 및 제2 절연층(150)의 제2 개구(150a)와 마찬가지로 제1 개구부(155a)에 대응하는 제3 개구(142a)를 가질 수 있다. 또한 제2 금속층(162)은 제1 개구부(155a)에 대응하는 제4 개구(162a)를 가질 수 있다. 도 9에서는 제1 개구(130a), 제2 개구(150a), 제3 개구(142a) 및 제4 개구(162a)가 동일한 내측면을 갖는 것으로 도시되어 있으나, 다른 실시예로 제1 개구(130a), 제2 개구(150a), 제3 개구(142a) 및 제4 개구(162a) 각각의 내측면은 서로 동일하지 않을 수 있다. 즉, 제1 개구(130a), 제2 개구(150a), 제3 개구(142a) 및 제4 개구(162a) 각각의 크기는 서로 다르게 형성될 수 있으며, 이 경우 제1 개구(130a), 제2 개구(150a), 제3 개구(142a) 및 제4 개구(162a) 각각의 내측면은 서로 상이할 수 있다.
이와 같은 제1 금속층(142)은 제1 영역(1A)에 위치한 박막트랜지스터의 게이트 전극과 동일 물질을 포함할 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 또한 제2 금속층(162)은 박막트랜지스터의 소스 전극 또는 드레인 전극과 동일 물질을 포함할 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
제3 개구(142a) 및 제4 개구(162a)를 더 포함하는 제1 개구부(155a)의 내측면을 덮도록 제1 유기절연층(174)이 구비될 수 있다. 이러한 제1 유기절연층(174)은 상술한 것과 같이 제1 개구(130a), 제2 개구(150a), 제3 개구(142a) 및 제4 개구(162a) 각각이 서로 다른 내측면을 갖는 경우라도 하더라도, 제1 개구부(155a)의 내측면 전체를 덮도록 구비됨에 따라, 제1 개구부(155a)를 덮도록 배치되는 제1 무기막(310)의 불연속적으로 형성되는 것을 방지할 수 있다.
제1 개구부(155a)에 대응하도록 제3 개구(142a)를 갖는 제1 금속층(142) 및 제4 개구(162a)를 갖는 제2 금속층(162)을 더 구비함에 따라, 제1 금속층(142) 및 제2 금속층(162)의 두께만큼 제1 개구부(155a)의 깊이를 증가시킬 수 있다. 이와 같이 제1 개구부(155a)의 깊이가 깊어짐에 따라 제1 개구부(155a)를 덮는 제1 무기막(310)이 면적이 넓어지고, 제1 개구부(155a)에 매립되는 유기막(320)의 깊이를 깊게 형성할 수 있어, 외부 투습 경로 차단에 더욱 효과적이다.
이에 본 발명의 일 실시예와 같은 디스플레이 장치에서는, 상술한 것과 같이 제2 영역(2A)에 위치한 절연부(155)가 제1 개구부(155a)를 가지며, 이러한 제1 개구부(155a)에 유기막(320)의 일부가 매립됨에 따라 절연막의 측면을 통한 외부 투습 경로가 차단되어 투습에 강건한 디스플레이 장치를 구현할 수 있다. 또한 이러한 제1 개구부(155a)의 내측면을 덮는 제1 유기절연층(174)을 배치하여 제1 무기막(310)의 스텝 커버리지(step coverage)를 향상시킬 수 있다. 또한 투습 경로를 차단하는 제1 개구부(155a)에 의해 디스플레이 장치의 비디스플레이 영역, 즉 데드 스페이스(dead space)를 획기적으로 좁힐 수 있다.
도 11은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 관한 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 평면도이고, 도 12는 도 11의 디스플레이 장치에 있어서 A5-A5' 선을 따라 취한 단면을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 11 및 도 12를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치는 기판(100), 기판(100) 상에 배치되며 제1 개구부(155a) 및 제2 개구부(155b)를 갖는 절연부(155), 절연부(155) 상에 배치되며 제1 개구부(155a) 외곽을 둘러싸도록 위치한 댐부(172), 제1 개구부(155a)의 내측면을 덮는 제1 유기절연층(174), 절연부(155) 상에 배치되는 유기발광소자(200), 유기발광소자(200)를 덮는 봉지층(300)을 구비한다.
도 12의 실시예에서는 제1 개구부(155a) 이외에 제2 개구부(155b)를 더 구비하는 것에서 전술한 실시예들과 차이가 있다. 이하에서는 전술한 실시예들과의 차이점을 중심으로 설명하도록 한다.
도 12를 참조하면, 기판(100) 상에 배치된 절연부(155)는 제2 영역(2A)에 위치한 제1 개구부(155a) 및, 제1 개구부(155a)의 외곽을 둘러싸도록 위치한 제2 개구부(155b)를 가질 수 있다. 제1 개구부(155a)와 제2 개구부(155b) 사이에는 댐부(172)가 위치할 수 있다. 즉, 제2 개구부(155b)는 댐부(172)의 외곽을 둘러싸도록 위치할 수 있다.
제2 개구부(155b)와 대응되는 위치에 제2 물질층(124)이 위치할 수 있다. 제2 물질층(124)은 버퍼층과 제1 절연층(130) 사이에 개재될 수 있다. 따라서 제2 개구부(155b)는 제2 물질층(124)의 적어도 일부를 노출시킬 수 있으며, 제1 절연층(130)이 제2 물질층(124)의 가장자리를 덮도록 형성될 수 있다. 이러한 제2 물질층(124)은 전술한 제1 물질층(122)과 마찬가지로, 제1 개구부(155a)를 형성하는 제조 과정에 있어서 에칭을 통해 제2 개구부(155b)를 형성할 때, 제2 개구부(155b)가 형성되는 깊이를 조절하는 에칭 보호막(Etch Stopper)의 역할을 할 수 있다. 이와 같은 제2 물질층(124)을 어떠한 층 상에 배치하는가에 따라서 제2 개구부(155b)의 깊이를 제어할 수 있다.
제2 물질층(124)은 박막트랜지스터의 반도체층과 동일 물질을 포함할 수 있으나, 반도체층과 같은 도핑 공정을 거치지 않아도 무방하다. 다른 실시예로 제2 개구부(155b)의 깊이를 상대적으로 얕게 형성하는 경우 제2 물질층(124)은 박막트랜지스터의 게이트 전극과 동일 물질을 포함할 수 있으며, 이 경우 제2 물질층(124)은 제1 절연막 상에 위치할 수 있다.
제2 개구부(155b)의 내측면을 덮도록 절연부(155) 상에 제2 유기절연층(176)이 배치될 수 있다. 제2 유기절연층(176)은 제2 개구부(155b)의 내측면을 덮음으로써, 제2 개구부(155b)의 내측면이 매끄럽지 않게 형성되는 경우에도 제2 개구부(155b)의 내측면 상부에 위치하는 제1 무기막(310)이 불연속적으로 형성되는 것을 방지하는 역할을 한다.
상술한 것과 같이 제2 유기절연층(176)으로 덮힌 제2 개구부(155b)의 내측면 및 제2 개구부(155b)에 의해 적어도 일부가 노출된 제1 물질층(122)은 덮도록 제1 무기막(310)이 배치될 수 있다. 도면에 도시된 것과 같이 제1 무기막(310)은 제1 영역(1A) 및 제2 영역(2A)에 걸쳐 기판(100) 전면에 배치될 수 있다.
제2 개구부(155b)가 위치한 절연부(155) 상에 있어서, 제1 무기막(310) 상에는 제2 무기막(330)이 직접 배치될 수 있다. 즉, 댐부(172)로부터 기판(100)의 가장자리까지의 절연막 상이 있어서, 제1 무기막(310)과 제2 무기막(330)은 면접촉할 수 있다.
도 13은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 관한 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 평면도이고, 도 14는 도 13의 디스플레이 장치에 있어서 A6-A6' 선을 따라 취한 단면을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 13 및 도 14를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치는 기판(100), 기판(100) 상에 배치되며 제1 개구부(155a), 제2 개구부(155b) 및 제3 개구부(155c)를 갖는 절연부(155), 절연부(155) 상에 배치되며 제1 개구부(155a) 외곽을 둘러싸도록 위치하며 제1 개구부(155a)와 제2 개구부(155b) 사이에 배치된 댐부(172), 제1 개구부(155a)의 내측면을 덮는 제1 유기절연층(174), 제2 개구부(155b)의 내측면을 덮는 제2 유기절연층(176), 제3 개구부(155c)의 내측면을 덮는 제1 유기절연층(178), 절연부(155) 상에 배치되는 유기발광소자(200), 유기발광소자(200)를 덮는 봉지층(300)을 구비한다.
도 14의 실시예에서는 제1 개구부(155a) 및 제2 개구부(155b) 이외에 제3 개구부(155c)를 더 구비하는 것에서 전술한 실시예들과 차이가 있다. 이하에서는 전술한 실시예들과의 차이점을 중심으로 설명하도록 한다.
절연부(155)는 제1 개구부(155a), 제2 개구부(155b) 이외에 제3 개구부(155c)를 더 가질 수 있다. 제3 개구부(155c)는 제2 개구부(155b)의 외곽을 둘러싸도록 위치할 수 있다. 즉, 화소들이 위치하는 제1 영역(1A)의 외곽을 둘러싸도록 제1 영역(1A)에 가장 인접한 부분에 제1 개구부(155a)가 위치하고, 제1 개구부(155a)의 외곽을 둘러싸도록 댐부(172)가 위치하며, 댐부(172)를 둘러싸도록 제2 개구부(155b)가 위치하고, 제2 개구부(155b)를 둘러싸도록 제3 개구부(155c)가 위치할 수 있다.
제3 개구부(155c)는 도 13에 도시된 것과 같이 제2 절연막(150)에 형성된 개구를 포함할 수 있다. 이 경우 제1 절연막(130) 상에는 제3 물질층(126)이 더 배치될 수 있으며, 제3 개구부(155c)는 이러한 제3 물질층(126)의 적어도 일부를 노출시킬 수 있다. 제3 물질층(126)은 박막트랜지스터(TFT)의 게이트 전극(140)과 동일 물질을 포함할 수 있다.
다른 실시예로 제2 개구부(155b)와 같이 제1 절연막(130)에 형성된 개구를 더 포함할 수도 있다. 이 경우 제3 물질층은 버퍼층(110) 상에 위치할 수 있으며, 박막트랜지스터(TFT)의 반도체층(120)과 동일 물질을 포함할 수 있다.
또 다른 실시예로 제3 개구부(155c)는 제3 물질층을 구비하지 않을 수도 있다. 이 경우 제3 개구부(155c)는 버퍼층(110)의 적어도 일부를 노출시킬 수 있다.
도 15는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 관한 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 평면도이고, 도 16은 도 15의 디스플레이 장치에 있어서 B-B' 선을 따라 취한 단면을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 15를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치는 복수개의 화소들이 배치된 디스플레이 영역으로서의 제1 영역(1A)과 제1 영역(1A)의 주변을 둘러싸는 비디스플레이 영역으로서의 제2 영역(2A)을 구비할 수 있다. 본 실시예에서는 일 영역에 홀(h)을 갖는 기판(100)을 구비할 수 있다. 홀(h)은 디스플레이 영'역 내에 위치할 수도 있다. 이러한 홀(h)이 형성된 기판(100)의 가장자리 기준으로 하여, 본 실시예에서는 홀(h)을 둘러싸도록 제2 영역(2A) 상에 배치된 댐부(172) 및 댐부(172)를 둘러싸도록 제2 영역(2A) 상에 배치된 개구부(155a)를 구비할 수 있다.
도 15 및 도 16을 함께 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치는 기판(100), 기판(100) 상에 배치되며 제1 개구부(155a)를 갖는 절연부(155), 절연부(155) 상에 배치되며 제1 개구부(155a) 외곽을 둘러싸도록 위치한 댐부(172), 제1 개구부(155a)의 내측면을 덮는 제1 유기절연층(174), 절연부(155) 상에 배치되는 유기발광소자(200) 및 유기발광소자(200)를 덮는 봉지층(300)을 구비한다.
도 16에 도시된 단면 구조는 실질적으로 도 2에 도시된 단면 구조와 동일한 구조를 갖는다. 따라서 도 16의 설명은 도 2의 설명을 원용한다.
또한 도 15의 디스플레이 장치에 있어서 B-B' 선을 따라 취한 단면의 구조는 도 16에 한정되는 것은 아니다. 다른 실시예로 도 15에서 B-B' 선을 따라 취한 단면의 구조는 전술한 도 2를 비롯하여, 도 3, 도 4, 도 6, 도 8, 도 10, 도 12 또는 도 14의 단면 구조를 가질 수도 있다.
종래에는 외부 투습에 의한 디스플레이 장치의 손상을 방지하기 위해 일정 폭 이상의 제2 영역(2A)을 확보할 필요가 있었다. 즉, 외부 투습 방지의 주요 역할을 하는 봉지층(300)에 있어서, 제1 무기막(310)과 제2 무기막(330)이 서로 직접 컨택하는 영역을 일정 폭 이상으로 확보하는 것이 중요한 역할을 하였다. 하지만 이 경우 화소들이 배치되는 제1 영역(1A) 이외에 제1 영역(1A)의 주변에 제2 영역(2A)의 폭이 커짐에 따라 디스플레이 장치의 비디스플레이 영역, 즉 데드 스페이스(dead space)가 확장되는 결과를 야기했다.
이에 본 발명의 일 실시예와 같은 디스플레이 장치에서는, 상술한 것과 같이 제2 영역(2A)에 위치한 절연부(155)가 제1 개구부(155a)를 가지며, 이러한 제1 개구부(155a)에 유기막(320)의 일부가 매립됨에 따라 절연막의 측면을 통한 외부 투습 경로가 차단되어 투습에 강건한 디스플레이 장치를 구현할 수 있다. 또한 이러한 제1 개구부(155a)의 내측면을 덮는 제1 유기절연층(174)을 배치하여 제1 무기막(310)의 스텝 커버리지(step coverage)를 향상시킬 수 있다. 또한 투습 경로를 차단하는 제1 개구부(155a)에 의해 디스플레이 장치의 비디스플레이 영역, 즉 데드 스페이스(dead space)를 획기적으로 좁힐 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것 이다.
100: 기판
110: 버퍼층
130: 제1 절연층
150: 제2 절연층
155: 절연부
155a: 제1 개구부
155b: 제2 개구부
170: 비아층
172: 댐부
174: 제1 유기절연층
200: 유기발광소자
300: 봉지층

Claims (20)

  1. 제1 영역 및 상기 제1 영역 외곽의 제2 영역을 갖는, 기판;
    상기 제1 영역에 배치되며, 반도체층, 게이트 전극을 포함하는 박막트랜지스터;
    상기 제1 영역 및 상기 제2 영역에 걸쳐 상기 기판 상에 배치되며, 상기 제1 영역에 인접한 가장자리를 따라 상기 제2 영역에 위치한 제1 개구부를 갖는, 절연부;
    상기 기판과 상기 절연부 사이에 개재되며, 상기 박막트랜지스터의 반도체층과 동일한 물질을 포함하고, 상기 제1 개구부에 의해 적어도 일부가 노출되는 제1 물질층;
    상기 절연부 상에 배치되며, 상기 제1 개구부의 외곽을 둘러싸도록 상기 제2 영역에 위치한, 댐부;
    상기 절연부 상에 배치되며, 상기 제1 개구부의 내측면을 덮는 제1 유기절연층;
    상기 제1 영역의 상기 절연부 상에 배치되며 화소전극을 포함하는 유기발광소자; 및
    상기 유기발광소자를 덮으며, 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역에 걸쳐 상기 절연부 상에 배치되는 봉지층;을 구비하는, 디스플레이 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 봉지층은 제1 무기막, 제2 무기막 및 상기 제1 무기막과 상기 제2 무기막 사이에 개재되는 유기막을 포함하며, 상기 유기막의 적어도 일부는 상기 제1 개구부 내에 매립되는, 디스플레이 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1 무기막 및 상기 제2 무기막은 상기 기판의 가장자리까지 연장되어 상기 제2 영역 상에서 직접 면접촉하는, 디스플레이 장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 유기막은 상기 제2 무기막에 의해 밀봉되는, 디스플레이 장치.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 제1 무기막은 상기 절연부 및 상기 유기절연층을 덮는, 디스플레이 장치.
  6. 삭제
  7. 제2항에 있어서,
    상기 유기절연층은 상기 제1 물질층의 적어도 일부를 노출시키는, 디스플레이 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제1 무기막은 상기 제1 물질층의 적어도 일부와 직접 컨택하는, 디스플레이 장치.
  9. 삭제
  10. 제1 영역 및 상기 제1 영역 외곽의 제2 영역을 갖는, 기판;
    상기 제1 영역 및 상기 제2 영역에 걸쳐 상기 기판 상에 배치되며, 상기 제1 영역에 인접한 가장자리를 따라 상기 제2 영역에 위치한 제1 개구부를 갖는, 절연부;
    상기 절연부 상에 배치되며, 상기 제1 개구부의 외곽을 둘러싸도록 상기 제2 영역에 위치한, 댐부;
    상기 절연부 상에 배치되며, 상기 제1 개구부의 내측면을 덮는 제1 유기절연층;
    상기 제1 영역의 상기 절연부 상에 배치되며 화소전극을 포함하는 유기발광소자;
    상기 유기발광소자를 덮으며, 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역에 걸쳐 상기 절연부 상에 배치되는 봉지층;을 구비하며,
    상기 절연부는 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역에 걸쳐 상기 기판 상에 배치되고, 상기 제1 개구부에 대응하는 제1 개구를 갖는 제1 절연층 및 상기 제1 개구부에 대응하는 제2 개구를 갖는 제2 절연층을 포함하는, 디스플레이 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제2 영역의 상기 제1 절연층과 상기 제2 절연층 사이에 개재되며 상기 제1 개구부에 대응하는 제3 개구를 갖는 제1 금속층을 더 포함하는, 디스플레이 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제2 영역의 상기 제2 절연층 상에 배치되며 상기 제1 개구부에 대응하는 제4 개구를 갖는 제2 금속층을 더 포함하는, 디스플레이 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 유기절연층은 상기 제1 개구, 상기 제2 개구, 제3 개구 및 상기 제4 개구의 내측면을 덮는, 디스플레이 장치.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 제1 영역에 배치되며, 반도체층, 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막트랜지스터를 더 구비하고, 상기 제1 금속층은 상기 게이트 전극과 동일 물질을 포함하고, 상기 제2 금속층은 소스 전극 또는 드레인 전극과 동일 물질을 포함하는, 디스플레이 장치.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 제1 영역의 상기 절연부와 상기 화소전극 사이에 배치되는 비아층 및 상기 화소전극의 가장자리를 덮으며 중앙부를 노출시키는 화소정의막을 더 포함하고,
    상기 유기절연층은 상기 비아층 또는 상기 화소정의막과 동일 물질을 포함하는, 디스플레이 장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 댐부는 상기 비아층 또는 상기 화소정의막과 동일 물질을 포함하는, 디스플레이 장치.
  17. 제1항에 있어서,
    상기 기판과 상기 절연부 사이에 개재되며, 상기 박막트랜지스터의 상기 반도체층 또는 상기 게이트 전극과 동일한 물질을 포함하는 제2 물질층;을 더 포함하고,
    상기 절연부는 상기 댐부의 외곽을 둘러싸도록 위치한 제2 개구부를 더 갖고, 상기 제2 개구부는 상기 제2 물질층의 적어도 일부를 노출시키는, 디스플레이 장치.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 절연부 상에 배치되며, 상기 제2 개구부의 내측면을 덮는 제2 유기절연층을 더 포함하고, 상기 제2 유기절연층은 상기 제2 물질층의 적어도 일부를 노출시키는, 디스플레이 장치.
  19. 삭제
  20. 삭제
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