KR20150057739A - 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 - Google Patents
유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20150057739A KR20150057739A KR1020130141477A KR20130141477A KR20150057739A KR 20150057739 A KR20150057739 A KR 20150057739A KR 1020130141477 A KR1020130141477 A KR 1020130141477A KR 20130141477 A KR20130141477 A KR 20130141477A KR 20150057739 A KR20150057739 A KR 20150057739A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- insulating film
- light emitting
- organic light
- layer
- pixel defining
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 34
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 129
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 43
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 21
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 200
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 16
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 10
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 7
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Inorganic materials [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- -1 Polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000008570 general process Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
- H10K59/353—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
- H10K59/80515—Anodes characterised by their shape
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
- H10K59/80521—Cathodes characterised by their shape
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
본 발명은 시야각에 따른 색편차 및 휘도편차를 최소화 시킨 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법을 위하여, 본 발명의 일 관점에 따르면, 기판, 상기 기판 상에 배치된 박막 트랜지스터, 상기 박막트랜지스터 상부에 배치되며 개구를 갖는 제1화소정의막, 상기 제1화소정의막의 개구 내에 배치되며, 상면의 곡률반경이 일정한, 절연막 및 상기 절연막 상에 배치된 유기발광소자를 구비하는, 유기발광 디스플레이 장치를 제공한다.
Description
본 발명은 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 시야각에 따른 색편차 및 휘도 편차를 최소화시킨 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
디스플레이 장치들 중, 유기발광 디스플레이 장치는 시야각이 넓고 컨트라스트가 우수할 뿐만 아니라 응답속도가 빠르다는 장점을 가지고 있어 차세대 디스플레이 장치로서 주목을 받고 있다.
일반적으로 유기발광 디스플레이 장치는 기판 상에 박막트랜지스터 및 유기발광소자들을 형성하고, 유기발광소자들이 스스로 빛을 발광하여 작동한다. 이러한 유기발광 디스플레이 장치는 휴대폰 등과 같은 소형 제품의 디스플레이부로 사용되기도 하고, 텔레비전 등과 같은 대형 제품의 디스플레이부로 사용되기도 한다.
그러나 이러한 종래의 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법은, 유기발광 디스플레이 장치가 대형 제품의 디스플레이부로 사용되는 경우, 관찰자의 시야각에 따라 디스플레이 내에서 색편차가 발생하는 문제점이 존재하였다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 시야각에 따른 색편차 및 휘도 편차를 최소화시킨 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 관점에 따르면, 기판, 상기 기판 상에 배치된 박막 트랜지스터, 상기 박막트랜지스터 상부에 배치되며 개구를 갖는 제1화소정의막, 상기 제1화소정의막의 개구 내에 배치되며, 상면의 곡률반경이 일정한, 절연막 및 상기 절연막 상에 배치된 유기발광소자를 구비하는, 유기발광 디스플레이 장치가 제공된다.
상기 절연막은 원기둥의 일부에 대응하는 형상을 가질 수 있다.
상기 기판은 상호 수직으로 교차하는 장축과 단축을 갖고, 상기 절연막은 상기 단축을 따라 연장된 원기둥의 일부에 대응하는 형상을 가질 수 있다.
상기 절연막은 구의 일부에 대응하는 형상을 가질 수 있다.
상기 절연막의 상면의 곡률중심으로부터 상기 대향전극의 상면까지의 거리가 일정할 수 있다.
상기 유기발광소자는, 상기 절연막 상에 배치되며 상기 박막트랜지스터와 전기적으로 연결된 화소전극, 상기 화소전극 상에 배치된 발광층을 포함하는 중간층 및 상기 화소전극에 대응하도록 배치된 대향전극을 포함하며, 상기 제1화소정의막 상에 배치되며 상기 화소전극의 가장자리를 덮도록 배치된 제2화소정의막을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 관점에 따르면, 기판을 준비하는 단계, 기판 상에 박막트랜지스터를 형성하는 단계, 박막트랜지스터의 상부에 개구를 갖도록 제1화소정의막을 형성하는 단계, 제1화소정의막의 개구 내에 상면의 곡률반경이 일정한 절연막을 형성하는 단계 및 절연막 상에 유기발광소자를 형성하는 단계를 포함하는, 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법이 제공된다.
상기 절연막을 형성하는 단계는, 용액공정을 이용하여 절연막용 물질을 도포하는 단계 및 원기둥의 일부에 대응하는 형상으로 절연막용 물질을 건조시키는 단계를 포함할 수 있다.
상기 절연막을 형성하는 단계는, 용액공정을 이용하여 절연막용 물질을 도포하는 단계 및 구의 일부에 대응하는 형상으로 절연막용 물질을 건조시키는 단계를 포함할 수 있다.
상기 절연막을 건조시키는 단계는, 상기 절연막의 중앙부에서의 배기율이 가장자리에서의 배기율보다 높은 건조기를 이용하는 단계일 수 있다.
상기 절연막을 형성하는 단계는, 절연막 하부에 위치한 층의 화소정의막의 개구 내 부분에 있어서, 중앙부와가장자리에서의 친수성 또는 소수성이 상이하도록 표면처리하는 단계, 용액공정을 이용하여 절연막용 물질을 도포하는 단계 및 절연막용 물질을 건조시키는 단계를 포함할 수 있다.
상기 표면처리하는 단계는, 중앙부가 친수성을 갖도록 표면처리하는 단계일 수 있다.
상기 표면처리하는 단계는, 가장자리가 소수성을 갖도록 표면처리하는 단계일 수 있다.
상기 절연막의 상면의 곡률중심으로부터 상기 대향전극의 상면까지의 거리가 일정할 수 있다.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따르면, 시야각에 따른 색편차 및 휘도편차 를 최소화 시킨 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법을 구현할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 유기발광 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 2은 본 발명의 일 실시예에 관한 유기발광 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 관한 유기발광 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 4 내지 도 7은 본 발명의 일 실시예에 관한 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법을 개략적으로 도시하는 단면도들이다.
도 2은 본 발명의 일 실시예에 관한 유기발광 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 관한 유기발광 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 4 내지 도 7은 본 발명의 일 실시예에 관한 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법을 개략적으로 도시하는 단면도들이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있는 것으로, 이하의 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 또한 설명의 편의를 위하여 도면에서는 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
이하의 실시예에서, x축, y축 및 z축은 직교 좌표계 상의 세 축으로 한정되지 않고, 이를 포함하는 넓은 의미로 해석될 수 있다. 예를 들어, x축, y축 및 z축은 서로 직교할 수도 있지만, 서로 직교하지 않는 서로 다른 방향을 지칭할 수도 있다.
한편, 층, 막, 영역, 판 등의 각종 구성요소가 다른 구성요소 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 구성요소 "바로 상에" 있는 경우뿐 아니라 그 사이에 다른 구성요소가 개재된 경우도 포함한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 유기발광 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 단면도 이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치는 기판(100), 박막트랜지스터(TFT), 제1화소정의막(120), 절연막(150) 및 유기발광소자(200)를 포함할 수 있다. 상기 절연막(150)은 다른 절연막들과의 구분을 위해 이하 제3절연막(150)으로 표기 한다.
기판(100)은 유리 기판(100)뿐만 아니라, PET(Polyethylen terephthalate), PEN(Polyethylen naphthalate), 폴리이미드(Polyimide) 등을 포함하는 플라스틱 기판(100) 등 투명 기판(100)으로 구비될 수 있다. 다만, 본 발명은 배면 발광에만 한정되지 않는다. 따라서, 기판(100)은 필요에 따라 금속재 등으로 형성될 수도 있다.
기판(100) 상에는 박막트랜지스터(TFT)가 배치될 수 있다. 박막트랜지스터(TFT)는 비정질실리콘, 다결정실리콘 또는 유기반도체물질을 포함하는 반도체층(103), 게이트전극(105) 및 소스/드레인전극(107)을 포함한다. 이하 박막트랜지스터(TFT)의 일반적인 구성을 자세히 설명한다.
기판(100) 상에는 기판(100)의 면을 평탄화하기 위해 또는 반도체층(103)으로 불순물 등이 침투하는 것을 방지하기 위해, 실리콘옥사이드 또는 실리콘나이트라이드 등으로 형성된 버퍼층(102)이 배치되고, 이 버퍼층(102) 상에 반도체층(103)이 위치하도록 할 수 있다.
반도체층(103)의 상부에는 게이트전극(105)이 배치되는데, 이 게이트전극(105)에 인가되는 신호에 따라 소스/드레인전극(107)이 전기적으로 소통된다. 게이트전극(105)은 인접층과의 밀착성, 적층되는 층의 표면 평탄성 그리고 가공성 등을 고려하여, 예컨대 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중 하나 이상의 물질로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.
이때 반도체층(103)과 게이트전극(105)과의 절연성을 확보하기 위하여, 실리콘옥사이드 및/또는 실리콘나이트라이드 등으로 형성되는 게이트절연막(104)이 반도체층(103)과 게이트전극(105) 사이에 개재될 수 있다.
게이트전극(105)의 상부에는 층간절연막(106)이 배치될 수 있는데, 이는 실리콘옥사이드 또는 실리콘나이트라이드 등의 물질로 단층으로 형성되거나 또는 다층으로 형성될 수 있다.
층간절연막(106)의 상부에는 소스/드레인전극(107)이 배치된다. 소스/드레인전극(107)은 층간절연막(106)과 게이트절연막(104)에 형성되는 컨택홀을 통하여 반도체층(103)에 각각 전기적으로 연결된다. 소스/드레인전극(107)은 도전성 등을 고려하여 예컨대 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중 하나 이상의 물질로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.
이러한 구조의 박막트랜지스터(TFT)의 보호를 위해 보호막으로서 박막트랜지스터(TFT)를 덮는 제1절연막(108)이 배치될 수 있다. 제1절연막(108)은 예컨대 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드 또는 실리콘옥시나이트라이드 등과 같은 무기물로 형성될 수 있다. 도 1에는 제1절연막(108)이 단층으로 도시되어 있으나 다층구조를 가질 수도 있는 등 다양한 변형이 가능하다.
한편, 기판(100)의 상에 제2절연막(110)이 배치될 수 있다. 이 경우 제2절연막(110)은 평탄화막일 수도 있고 보호막일 수도 있다. 예컨대 도 1에 도시된 것과 같이 박막트랜지스터(TFT) 상부에 유기발광소자(200)가 배치되는 경우 박막트랜지스터(TFT)를 덮는 제1절연막(108)의 상면을 대체로 평탄화하게 하기 위한 평탄화막으로서 제2절연막(110)이 배치될 수 있다. 이러한 제1절연막(108)과 제2절연막(110)은 예컨대 아크릴계 유기물 또는 BCB(Benzocyclobutene) 등으로 형성될 수 있다. 이때 도 1에 도시된 것과 같이, 게이트절연막(104), 층간절연막(106), 제1절연막(108), 제2절연막(110)은 기판(100)의 전면(全面)에 형성될 수 있다.
한편 도 1을 참조하면, 박막트랜지스터(TFT) 상부에는 제1화소정의막(120)이 배치될 수 있다. 제1화소정의막(120)은 상술한 제2절연막(110) 상에 위치할 수 있으며, 개구를 가질 수 있다. 제1화소정의막(120)의 개구는 후술하는 제3절연막(150)이 배치되는 영역을 정의하는 역할을 한다.
상술한 것과 같이 제1화소정의막(120)은 개구를 갖고, 개구 내부에는 제3절연막(150)이 배치될 수 있다. 제3절연막(150)은 상면의 곡률반경이 일정한 곡면의 형상 일 수 있다. 상면의 곡률반경이 일정하다는 것은, 다시 말해 제3절연막(150)의 x-z 평면 상에 단면이 원의 일부에 대응하는 형상을 갖는 것으로 이해될 수 있다. 이러한 제3절연막(150)은 예컨대 아크릴계 유기물 또는 BCB(Benzocyclobutene) 등으로 형성될 수 있다.
도 1에 도시된 것과 같이 제3절연막(150)은 제1화소정의막(120)의 개구 내에 배치되며, 제1화소정의막(120)의 개구의 내측면의 일부를 덮으며 배치될 수 있다. 다만 반드시 그런 것은 아니고, 제3절연막(150)의 단면(x-z 평면)이 원의 일부에 대응하는 형상이기만 하면 제1화소정의막(120)의 개구의 내측면의 일부를 덮지 않도록 제2절연막(110) 상에 배치될 수도 있다.
한편, 제3절연막(150) 상에는 유기발광소자(200)가 배치될 수 있다. 유기발광소자(200)는 화소전극(210), 발광층을 포함하는 중간층(220) 및 대향전극(230)을 포함할 수 있다.
도 1에 도시된 것과 같이, 화소전극(210)은 제3절연막(150)을 덮도록 제1화소정의막(120) 상에 배치될 수 있다. 이때 제1화소정의막(120), 제2절연막(110) 및 제1절연막(108)에는 박막트랜지스터(TFT)의 소스/드레인전극(107) 중 적어도 어느 하나를 노출시키는 개구부가 존재하며, 이 개구부를 통해 화소전극(210)은 박막트랜지스터(TFT)의 소스/드레인전극(107) 중 어느 하나와 컨택하여 박막트랜지스터(TFT)와 전기적으로 연결될 수 있다.
한편 도 1에서는 화소전극(210)과 박막트랜지스터(TFT)의 소스/드레인전극(107) 중 어느 하나와 연결되는 개구가 제1화소정의막(120), 제2절연막(110) 및 제1절연막(108)을 관통하여 위치했으나, 도 1에 도시된 것과 달리 화소전극(210)과 박막트랜지스터(TFT)의 소스/드레인전극(107) 중 어느 하나와 연결되는 개구부는 제1화소정의막(120)의 개구 내에 배치된 제3절연막(150)을 관통하여 위치할 수 있다.
즉, 화소전극(210)과 박막트랜지스터(TFT)의 소스/드레인전극(107) 중 어느 하나와 연결되는 개구부는 제3절연막(150), 제2절연막(110) 및 제1절연막(108)을 관통하여 위치할 수 있다. 다만, 전술한 것과 같이 제3절연막(150)은 단면이 원의 일부에 대응하는 형상을 갖는데, 제3절연막(150)을 관통하는 개구를 형성하면 제3절연막(150)의 형상이 손상될 우려가 있다. 따라서 화소전극(210)과 박막트랜지스터(TFT)의 소스/드레인전극(107) 중 어느 하나가 전기적으로 연결되는 개구부는 제3절연막(150)이 아닌 제1화소정의막(120)을 관통하는 위치에 배치되는 것이 바람직하다.
화소전극(210) 은 (반)투명 전극 또는 반사형 전극으로 형성될 수 있다. (반)투명 전극으로 형성될 때에는 예컨대 ITO, IZO, ZnO, In2O3, IGO 또는 AZO로 형성될 수 있다. 반사형 전극으로 형성될 때에는 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물 등으로 형성된 반사막과, ITO, IZO, ZnO, In2O3, IGO 또는 AZO로 형성된 층을 가질 수 있다. 물론 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니고 다양한 재질로 형성될 수 있으며, 그 구조 또한 단층 또는 다층이 될 수 있는 등 다양한 변형이 가능하다.
화소전극(210)이 배치된 제1화소정의막(120) 상부에는 제2화소정의막(130)이 위치할 수 있다. 제2화소정의막(130)은 화소전극(210)의 가장자리를 덮도록 배치될 수 있다. 도 1에서는 화소전극(210)이 제1화소정의막(120)의 전면(全面)에 걸쳐 배치된 것처럼 도시되었으나, 화소전극(210)은 제3절연막(150)을 덮으며 이에 연장되어 제1화소정의막(120)의 일부를 덮도록 배치될 수 있다. 따라서 제1화소정의막(120) 상부에 배치되는 제2화소정의막(130)은 화소전극(210)의 가장자리의 일부를 덮도록 배치될 수 있다.
제1화소정의막(120) 상부에 배치되는 제2화소정의막(130)은 각 부화소에 대응하는 개구들, 즉 화소전극(210)의 가장자리를 덮으며 중앙부가 노출되는 개구를 가짐으로써 화소를 정의하는 역할을 한다. 또한 제2화소정의막(130)은 화소전극(210)의 단부와 화소전극(210) 상부의 대향전극(230)과의 사이의 거리를 증가시킴으로써 화소전극(210)의 단부에서 아크 등이 발생하는 것을 방지하는 역할을 한다. 이와 같은 제1화소정의막(120) 및 제2화소정의막(130)은 예컨대 폴리이미드 등과 같은 유기물로 형성될 수 있다.
제2화소정의막(130)의 개구에 의해 정의된 화소영역에는 발광층을 포함하는 중간층(220)이 배치될 수 있다. 유기발광소자(200)의 중간층(220)은 저분자 또는 고분자 물질을 포함할 수 있다.
유기발광소자(200)의 중간층(220)이 저분자 물질을 포함할 경우 발광층(EML: Emission Layer) 및 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer), 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer), 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer), 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer) 등이 단일 혹은 복합의 구조로 적층되어 형성될 수 있으며, 사용 가능한 유기 재료도 구리 프탈로시아닌(CuPc: copper phthalocyanine), N,N-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐-벤지딘 (N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine: NPB) , 트리스-8-하이드록시퀴놀린 알루미늄(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3) 등을 비롯해 다양한 물질이 사용될 수 있다.
중간층(220)이 고분자 물질을 포함할 경우에는 대개 홀 수송층(HTL) 및 발광층(EML)을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 이 때, 홀 수송층으로 PEDOT를 사용하고, 발광층으로PPV(Poly-Phenylenevinylene)계 및 폴리플루오렌(Polyfluorene)계 등 고분자 물질을 사용할 수 있다. 물론 중간층(220)은 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 다양한 구조를 가질 수도 있음은 물론이다.
발광층을 포함하는 중간층(220)을 덮으며 화소전극(210)에 대향하는 대향전극(230)이 기판(100) 전면(全面)에 걸쳐서 배치될 수 있다. 대향전극(230)은 (반)투명 전극 또는 반사형 전극으로 형성될 수 있다.
대향전극(230)이 (반)투명 전극으로 형성될 때에는 일함수가 작은 금속 즉, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg 및 이들의 화합물로 형성된 층과 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3 등의 (반)투명 도전층을 가질 수 있다. 대향전극(230)이 반사형 전극으로 형성될 때에는 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg 및 이들의 화합물로 형성된 층을 가질 수 있다. 물론 대향전극(230)의 구성 및 재료가 이에 한정되는 것은 아니며 다양한 변형이 가능함은 물론이다.
도 2 내지 도 3은 본 발명의 일 실시예에 관한 유기발광 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 단면도들이다.
도 2를 참조하면, 상술한 것과 같이 제3절연막(150)은 단면(x-z 평면)이 원의 일부에 대응하는 형상을 갖는다. 따라서 제3절연막(150) 상에 배치되는 유기발광소자(200)의 단면(x-z 평면) 역시 원의 일부에 대응하는 형상을 갖게 된다.
제3절연막(150)의 단면에 대응하는 원의 곡률중심(O)으로부터 유기발광소자(200)의 대향전극(230)의 상면까지의 거리가 일정할 수 있다. 도 2에 도시된 것과 같이, 제3절연막(150)의 단면에 대응하는 원의 곡률중심(O)으로부터 대향전극(230)의 상면까지 수직으로 연장된 거리(d1)와 제3절연막(150)의 단면에 대응하는 원의 곡률중심(O)으로부터 대향전극(230)의 상면까지 수직으로 연장된 축을 중심으로 특정 각도로 연장된 거리(d2)는 동일할 수 있다.
다시 말해 제3절연막(150)의 단면에 대응하는 원의 곡률중심(O)으로부터 제3절연막(150)의 상면까지의 거리는 원의 반지름에 해당하므로 항상 일정하기 때문에, 제3절연막(150)의 단면에 대응하는 원의 곡률중심(O)으로부터 대향전극(230)의 상면까지 수직으로 연장된 거리(d1)와 제3절연막(150)의 단면에 대응하는 원의 곡률중심(O)으로부터 대향전극(230)의 상면까지 수직으로부터 측면으로 연장된 거리(d2)가 동일하다는 것은, 제3절연막(150)의 상면으로부터 대향전극(230)의 상면까지의 거리가 동일하다는 것으로 이해될 수 있다.
이처럼 제3절연막(150)의 단면에 대응하는 원의 곡률중심(O)으로부터 대향전극(230)의 상면까지 수직으로 연장된 거리(d1)와 제3절연막(150)의 단면에 대응하는 원의 곡률중심(O)으로부터 대향전극(230)의 상면까지 수직으로 연장된 축을 중심으로 특정 각도로 연장된 거리(d2)는 동일하다는 것은, 곡률중심(O)을 기준으로 바라본 유기발광소자(200)의 광경로가 일정하다는 것으로 이해될 수 있다.
종래의 유기발광소자(200)의 경우에는 박막트랜지스터(TFT) 상면을 평탄화 시킨 평탄화막 상에 유기발광소자(200)가 배치되어 유기발광소자(200)도 플랫(flat)한 형상으로 형성되었다. 이는 관찰자가 유기발광소자(200)에 대해 수직으로 바라볼 때와 수직을 기준으로 특정 시야각에서 바라볼 때의 유기발광소자(200) 내부의 광경로가 차이가 나게 된다.
즉 종래의 유기발광소자(200)의 경우, 유기발광소자(200)의 특정 지점에서 발광하는 빛을 수직으로 바라볼 때와 특정 시야각에서 바라볼 때는 빛의 광로차(光路差, optical path difference)에 의해 빛의 파장이 차이가 나게 된다. 만약 수직으로 발광되는 빛의 파장이 λ인 경우, 특정 시야각(θ)으로 나오는 빛의 파장은 λcosθ 이기 때문에 빛의 밝기는 수직으로 발광하는 경우보다 작아지게 된다. 이는 시야각에 따른 디스플레이부의 색편차를 확연하게 발생시킨다.
그러나 본 발명의 일 실시예에 관한 유기발광 디스플레이 장치의 경우에는 3절연막의 단면에 대응하는 원의 곡률중심(O)으로부터 대향전극(230)의 상면까지 수직으로 연장된 거리(d1)와 제3절연막(150)의 단면에 대응하는 원의 곡률중심(O)으로부터 대향전극(230)의 상면까지 수직으로 연장된 축을 중심으로 특정 각도로 연장된 거리(d2)는 동일하기 때문에, 곡률중심(O)을 기준으로 바라본 유기발광소자(200)의 광경로 역시 항상 일정하게 된다. 따라서 곡률중심(O)을 기준으로 빛을 항상 수직으로 발광되므로 시야각 차이가 존재하는 경우에도 색편차를 획기적으로 줄일 수 있다.
한편, 제3절연막(150)의 단면이 원의 일부에 대응하는 형상을 갖는다는 것은, 3차원적인 관점에서 제3절연막(150)이 원기둥의 일부에 대응하는 형상을 갖는 것으로 이해될 수 있다.
자세하게는 기판(100)은 상호 수직으로 교차하는 장축(x축 방향)과 단축(y축 방향)을 갖고, 제3절연막(150)은 기판(100)의 단축(y축 방향)을 따라 연장된 원기둥의 일부에 대응하는 형상을 가질 수 있다. 즉 디스플레이 장치가 지면으로부터 수직으로 세워진 경우 각각의 부화소들은 지면으로부터 수직방향으로 연장된 원기둥의 일부에 대응하는 형상일 수 있다.
도 2에 도시된 것과 같이 제3절연막(150)의 3차원적인 형상이 원기둥의 일부에 대응하는 형상인 경우, 제3절연막(150)의 단면을 이루는 원의 곡률중심(O)으로부터 대향전극(230)의 상면까지의 거리가 항상 일정하게 된다.
이와 같이 제3절연막(150)의 3차원적인 형상이 원기둥의 일부에 대응하는 형상인 경우에는, x-y 평면 상에 곡률중심(O)이 위치하고 있는 것으로 가정하면, 동일한 x-y 평면 상에서 시야각에 따라 관찰자가 바라보는 곡률중심(O)으로부터의 대향전극(230)의 상면까지의 거리가 일정하게 된다.
이는 종래의 유기발광 디스플레이 장치를 적용한 대형 디스플레이 장치의 경우에 가로의 길이가 세로의 길이보다 길게 형성됨에 따라 상하에서 바라보는 시야각에 비해 좌우에서 바라보는 시야각이 더 커지게 되며 이에 따른 색편차 또는 무라(mura)현상 등이 발생하게 된다. 따라서 본 발명의 일 실시예에 관한 유기발광 디스플레이 장치를 대형 디스플레이 장치에 적용할 경우, 동일한 x-y 평면 상에서 시야각에 따라 관찰자가 바라보는 곡률중심(O)으로부터의 대향전극(230)의 상면까지의 거리가 일정하기 때문에, 디스플레이 장치를 좌우에서 바라보는 시야각에 따른 색편차 및 및 휘도편차가 획기적으로 줄어들게 된다.
또한 제3절연막(150)의 3차원적인 형상이 구의 일부에 대응하는 형상을 가질 수 있다. 도 2에 도시된 것과 같이 제3절연막(150)의 3차원적인 형상이 구의 일부에 대응하는 형상인 경우, 제3절연막(150)의 단면을 이루는 원의 곡률중심(O)으로부터 대향전극(230)의 상면까지의 거리가 항상 일정하게 된다.
제3절연막(150)의 3차원적인 형상이 구의 일부에 대응하는 형상인 경우 어느 시야각에서든지 관찰자가 바라보는 곡률중심(O)으로부터 대향전극(230)의 상면까지의 거리는 항상 일정하게 된다. 따라서 디스플레이 장치를 상하, 좌우 등 어떠한 시야각에서 바라보든지 항상 일정한 광경로를 나타내게되어 디스플레이 장치를 바라보는 시야각에 따른 색편차 및 휘도편차가 획기적으로 줄어들게 된다.
한편, 도 2에서는 제3절연막(150)의 단면에 대응하는 원의 곡률중심(O)이 층간절연막과 제1절연막(108) 사이에 위치하는 것으로 도시되어 있으나, 반드시 그러한 것은 아니고 원의 곡률이 변함에 따라 원의 곡률중심(O)은 다른 위치로 이동이 얼마든지 가능하다. 즉 원의 곡률중심(O)은 제3절연막(150)의 단면에 대응하는 원의 곡률에 따라 이동 가능한 것이며, 도 2와 같이 기판(100) 상에 배치된 박막트랜지스터(TFT) 중 어느 한 부분에 위치할 수도 있고 기판(100) 외부에 위치할 수도 있는 등 다양한 변형이 가능하다.
한편, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 관한 유기발광 디스플레이 장치의 단면을 개략적으로 도시한 단면도로서, 관찰자의 입장에서 관찰자의 위치에 따른 시야각의 변화를 도시하고 있다.
즉 A지점에 있는 관찰자가 복수개의 부화소들을 바라보는 경우, A지점에서 수직으로 연장된 방향에 위치한 부화소의 곡률중심(O1)을 바라볼 때의 유기발광소자(200) 내의 거리(h1)와 A지점에서 특정각도로 연장된 방향에 위치한 부화소의 곡률중심(O2)을 바라볼 때의 유기발광소자(200) 내의 거리(h3)가 동일하다. 또한 B지점에 있는 관찰자가 복수개의 부화소들을 바라보는 경우, B지점에서 수직으로 연장된 방향에 위치한 부화소의 곡률중심(O2)을 바라볼 때의 유기발광소자(200) 내의 거리(h4)와 B지점에서 특정각도로 연장된 방향에 위치한 부화소의 곡률중심(O1)을 바라볼 때의 유기발광소자(200) 내의 거리(h2)가 동일하다.
종래의 유기발광소자(200)의 경우에는 박막트랜지스터(TFT) 상면을 평탄화 시키는 평탄화막 상에 유기발광소자(200)가 배치되어 유기발광소자(200)도 플랫(flat)한 형상을 가지게 된다. 이는 관찰자가 유기발광소자(200)에 대해 수직으로 바라볼 때와 수직을 기준으로 특정 각도에서 바라볼 때의 유기발광소자(200) 내부의 거리가 차이가 나게 된다. 즉 유기발광소자(200)의 특정 지점에서 발광하는 빛을 수직으로 바라보는 경우와 특정 시야각에서 바라보는 경우는 빛의 광로차(光路差, optical path difference)에 의해 빛의 파장이 차이가 나게 된다. 만약 수직으로 발광되는 빛의 파장이 λ인 경우, 특정 시야각(θ)으로 나오는 빛의 파장은 λcosθ 이기 때문에 빛의 밝기는 수직으로 발광하는 경우보다 작아지게 된다. 이는 시야각에 따른 디스플레이부의 색 및 밝기의 편차를 확연하게 발생시킨다.
하지만 본 발명의 일 실시예에 관한 유기발광 디스플레이 장치에서는 유기발광소자(200)가 단면이 원의 일부에 대응하는 형상을 갖는 제3절연막(150) 상에 배치된다. 따라서 어떠한 시야각에서도 원의 곡률중심(O)까지의 거리가 일정하기 때문에 곡률중심(O)으로부터 빛이 발광하는 거리가 항상 동일해 다양한 시야각에서 색편차가 없는 동일한 빛을 발광할 수 있다.
다시 말해 특정 위치에서 바라본 복수개의 부화소들 각각의 광로(光路)가 동일하여 광로차(光路差, optical path difference)가 발생하지 않는 것으로 이해될 수 있고, 이를 통해 유기발광소자(200)에서 발광하는 빛이 관찰자에게 항상 동일한 색 및 밝기로 발광되어 색편차 및 휘도편차를 획기적으로 최소화 시킬 수 있다.
지금까지는 유기발광 디스플레이 장치에 대해서만 주로 설명하였으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 이러한 유기발광 디스플레이 장치를 제조하는 제조방법 역시 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.
도 4 내지 도 7은 본 발명의 일 실시예에 관한 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법을 개략적으로 도시하는 단면도들이다.
도 4를 참조하면, 먼저 기판(100)을 준비하는 단계를 거쳐 기판(100) 상에 박막트랜지스터(TFT)를 형성하는 단계를 거친다. 박막트랜지스터(TFT) 상에는 보호막 및 평탄화막이 더 형성될 수 있다.
기판(100)은 글라스재, 금속재 및/또는 플라스틱재 등으로 형성할 수 있으며, 기판(100) 상에 형성되는 박막트랜지스터(TFT)는 비정질실리콘, 다결정실리콘 또는 유기반도체물질을 포함하는 반도체층(103), 게이트전극(105) 및 소스/드레인전극(107)을 포함한다.
박막트랜지스터(TFT)를 형성하는 단계를 자세히 설명하면, 기판(100) 상에는 기판(100)의 면을 평탄화하기 위해 또는 반도체층(103)으로 불순물 등이 침투하는 것을 방지하기 위해, 버퍼층(102)을 형성하고, 이 버퍼층(102) 상에 반도체층(103)을 형성 할 수 있다.
반도체층(103)의 상부에는 게이트전극(105)이 형성되는데, 이 게이트전극(105)에 인가되는 신호에 따라 소스/드레인전극(107)이 전기적으로 소통된다.
이때 반도체층(103)과 게이트전극(105)과의 절연성을 확보하기 위하여, 게이트절연막(104)이 반도체층(103)과 게이트전극(105) 사이에 개재되도록 형성할 수 있다.
게이트전극(105)의 상부에는 층간절연막(106)이 형성될 수 있으며, 층간절연막(106)의 상부에는 소스/드레인전극(107)이 배치된다. 소스/드레인전극(107)은 층간절연막(106)과 게이트절연막(104)에 형성되는 컨택홀을 통하여 반도체층(103)에 각각 전기적으로 연결된다.
이러한 구조의 박막트랜지스터(TFT) 의 보호를 위해 보호막으로서 박막트랜지스터(TFT)를 덮는 제1절연막(108)을 형성하는 단계를 거칠 수 있으며, 도 4에는 제1절연막(108)이 단층으로 도시되어 있으나 다층구조를 가질 수도 있는 등 다양한 변형이 가능하다.
또한, 제1절연막(108)을 형성하는 단계를 거친 후에 제1절연막(108) 상에 제2절연막(110)을 형성할 수있다. 이 경우 제2절연막(110)은 평탄화막일 수도 있고 보호막일 수도 있다. 예컨대 도 4에 도시된 것과 같이 박막트랜지스터(TFT) 상부에 유기발광소자(200)가 배치되는 경우 박막트랜지스터(TFT)를 덮는 제1절연막(108)의 상면을 대체로 평탄화하게 하기 위한 평탄화막으로서 제2절연막(110)을 형성할 수 있다. 이때 도 4에 도시된 것과 같이, 게이트절연막(104), 층간절연막(106), 제1절연막(108) 및 제2절연막(110)은 기판(100)의 전면(全面)에 형성될 수 있다.
그 후, 도 5를 참조하면, 제2절연막(110) 상에 제1화소정의막(120)을 형성하는 단계를 거칠 수 있다. 제1화소정의막(120)은 개구를 가지며 제1화소정의막(120)의 개구 내부 제3절연막(150)을 형성할 수 있다.
제1화소정의막(120)은 제2절연막(110) 상에 PR을 도포한 후 개구에 해당하는 부분의 PR을 식각하여 형성하는 포토리소그래피(Photolithography) 공정으로 형성할 수 있다. 다만 반드시 이에 한정되는 것은 아니고 일반적인 다양한 공정으로 형성할 수도 있다. 제1화소정의막(120)은 개구를 갖는데 이는 후술하는 제3절연막(150)이 형성되는 영역을 정의하는 역할을 한다.
제1화소정의막(120)의 개구 내부에는 상술한 것과 같이 제3절연막(150)이 형성될 수 있다. 도 5를 참조하면 제3절연막(150)은 상면의 곡률반경이 일정한 형상으로 형성될 수 있다. 다시 말해 제3절연막(150)의 단면이 곡률반경이 일정한 원의 일부에 대응하는 형상으로 형성되는 것으로 이해될 수 있다.
제3절연막(150)을 형성하는 단계는, 자세하게는 잉크젯 프린팅(Ink-jet printing) 또는 노즐 프린팅(Nozzle printing) 등을 이용한 용액공정을 이용하여 제1화소정의막(120)의 개구에 의해 노출된 제2절연막(110) 상에 제3절연막(150)용 물질을 도포하는 단계를 거친다. 그 후 도 5에 도시된 것과 같이 건조장치(400)를 이용하여 제3절연막(150) 상면의 곡률반경이 일정한 형상으로 건조시키는 단계를 거칠 수 있다. 이때 제3절연막(150)을 건조시키는 단계에서 사용되는 건조장치(400)로는 LPD(Low Pressure Dry)를 이용할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 관한 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법에서는LPD 장치의 일부를 변형시켜 사용할 수 있다. 종래의 LPD 장치는 LPD 장치 전면에 걸쳐 배기율이 일정한 것을 이용하여 중간층(220) 등을 형성하는 물질을 균일하게 건조시킨다.
그러나 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법에서는 상술한 PDL의 원리를 역으로 이용하여, 제3절연막(150)을 건조시키는 단계에서 제3절연막(150)의 중앙부에서의 배기율이 제3절연막(150)의 가장자리에서의 배기율보다 높은 건조장치(400)를 이용할 수 있다.
도 5에 도시된 것과 같이 건조장치(400)는 복수개의 배기구들(410)을 갖고, 건조장치(400)의 복수개의 배기구들(410)의 간격이 달리 배치될 수 있다. 즉 제3절연막(150) 상부에 배치된 복수개의 배기구들(410)은 제3절연막(150)의 중앙부가 제일 크고 가장자리도 갈수록 작아지는 형태를 갖는다. 이러한 건조장치(400)를 이용하면 제3절연막(150) 형성용 물질이 건조되는 과정에서 중앙부의 배기율이 더 높기 때문에, 제3절연막(150)의 중앙으로 제3절연막(150) 형성용 물질이 몰리게 되는 현상이 발생하여 제3절연막(150)의 중앙부가 볼록해지는 형태를 형성할 수 있다.
상술한 것과 같이 건조장치(400)의 배기율에 따라 제3절연막(150)의 상면의 곡률반경이 일정한 형상을 형성할 수 있다. 이때 건조장치(400)의 배기율을 제어하는 방법에 따라 제3절연막(150)의 3차원적인 형상을 원기둥의 일부에 대응하는 형상으로 형성하는 것도 가능하다. 또한 제3절연막(150)의 3차원적인 형상을 구의 일부에 대응하는 형상으로 형성할 수도 있다.
한편 도 5에 도시된 방법과는 별개로, 도 6에 도시된 것과 같은 방법으로 제3절연막(150)을 형성할 수도 있다.
도 6을 참조하면 제3절연막(150)을 형성하는 단계는, 제3절연막(150) 배치되는 개구 내부 면을 표면 처리하는 단계를 거쳐, 표면 처리된 면 상에 용액공정을 이용하여 절연막용 물질을 도포하는 단계를 거친다. 그 후 절연막용 물질을 건조시키는 단계를 거칠 수 있다.
자세히 설명하면, 표면 처리하는 단계는 제3절연막(150) 하부에 위치한 제2절연막(110)의 화소정의막의 개구 내 부분에 있어서, 중앙부와 가장자리에서의 친수성 또는 소수성이 상이하도록 표면 처리하는 것으로 이해될 수 있다. 도 6에 도시된 것과 같이, 제1화소정의막(120)의 개구에 의해 노출된 제2절연막(110)의 상면에 친수성물질(150a)를 도포하여 표면처리 할 수 있다. 친수성물질(150a)은 제1화소정의막(120)의 개구에 의해 노출된 제2절연막(110)의 상면의 중앙부에 집중되어 도포될 수 있고 가장자리로 갈수록 친수성물질(150a)의 양이 적게 분포될 수 있다.
상술한 것과 같은 선택적 표면처리는 포토리소그래피 공정을 통해 형성할 수 있다. 다만 반드시 이에 한정되는 것은 아니고 다양한 공정으로 형성이 가능하다.
도 6에서는 선택적 표면처리를 친수성물질(150a)을 이용하여 형성하는 것으로 도시되었으나, 소수성물질(미도시)을 이용하여 선택적 표면처리를 하는 것도 가능하다. 이 경우 소수성물질은 제1화소정의막(120)의 개구에 의해 노출된 제2절연막(110)의 상면의 가장자리에 집중되어 도포될 수 있고 중앙부로 갈수록 소수성물질의 양이 적게 분포될 수 있다.
이러한 선택적 표면처리 단계를 거친 후, 잉크젯 프린팅 또는 노즐 프린팅 방식의 용액공정을 통해 제1화소정의막(120)의 개구에 의해 노출된 제2절연막(110) 상에 제3절연막(150)용 물질을 도포하는 단계를 거친다. 이때 제1화소정의막(120)의 개구에 의해 노출된 제2절연막(110) 상의 중앙부에 친수성물질(150a)이 가장자리에 비해 상대적으로 많이 분포되어 있기 때문에 제3절연막(150) 형성용 물질이 중앙부로 몰리게 되면서 제3절연막(150)은 상면의 곡률반경이 일정한 형태로 형성될 수 있다.
제3절연막(150) 형성용 물질을 선택적 표면처리를 거친 제1화소정의막(120) 개구 내에 도포한 후, 제3절연막(150) 형성용 물질을 건조시키는 단계를 거칠 수 있다. 상술한 것과 같이 제3절연막(150) 형성용 물질을 제1화소정의막(120)의 개구에 의해 노출된 제2절연막(110) 상에 선택적 표면처리 단계를 거친 후 도포하였기 때문에 제3절연막(150)의 상면의 곡률반경이 일정한 형태로 도포되었는바 제3절연막(150) 형성용 물질을 도포된 그대로 건조시키는 단계를 거칠 수 있다.
상술한 방법으로 제1화소정의막(120)의 개구에 의해 노출될 제2절연막(110) 상면의 표면처리 방법에 따라 제3절연막(150)의 상면의 곡률반경이 일정한 형상을 형성할 수 있다. 이때 선택적 표면처리를 제어하는 방법에 따라 제3절연막(150)의 3차원적인 형상을 원기둥의 일부에 대응하는 형상으로 형성하는 것도 가능하다. 또한 제3절연막(150)의 3차원적인 형상을 구의 일부에 대응하는 형상으로 형성할 수도 있다.
한편 도 7을 참조하면, 도 5 또는 도 6의 방법으로 제3절연막(150)을 형성하는 단계를 거친 후에, 제3절연막(150) 상에 유기발광소자(200)를 형성하는 단계를 거친다.
자세하게는, 제3절연막(150)을 형성한 후에 제3절연막(150)을 덮으며 제1화소정의막(120)의 일부를 덮도록 제3절연막(150) 상에 화소전극(210)을 형성한다. 화소전극(210)은 (반)투명 전극 또는 반사형 전극으로 형성될 수 있다. 화소전극(210)은 전술한 것과 같이 다양한 재질로 형성될 수 있으며, 그 구조 또한 단층 또는 다층이 될 수 있는 등 다양한 변형이 가능하다.
화소전극(210)을 형성한 후, 제1화소정의막(120) 상부에는 제2화소정의막(130)을 형성할 수 있다. 제2화소정의막(130)은 화소전극(210)의 가장자리를 덮도록 형성될 수 있다. 도 7에서는 화소전극(210)이 제1화소정의막(120) 상면 전면(全面)에 형성된 것처럼 도시되었으나, 화소전극(210)은 제3절연막(150)을 덮도록 형성되고 이에 연장되어 제1화소정의막(120)의 일부를 덮도록 형성될 수 있다. 따라서 제1화소정의막(120) 상부에 형성되는 제2화소정의막(130)은 화소전극(210)의 가장자리의 일부를 덮도록 형성될 수 있다.
제1화소정의막(120) 상부에 형성되는 제2화소정의막(130)은 각 부화소에 대응하는 개구들, 즉 화소전극(210)의 가장자리를 덮으며 중앙부가 노출되는 개구를 가짐으로써 화소를 정의하는 역할을 한다. 또한 제2화소정의막(130)은 화소전극(210)의 단부와 화소전극(210) 상부의 대향전극(230)과의 사이의 거리를 증가시킴으로써 화소전극(210)의 단부에서 아크 등이 발생하는 것을 방지하는 역할을 한다.
제2화소정의막(130)의 개구에 의해 정의된 화소영역 상에 발광층을 포함하는 중간층(220)을 형성하는 단계를 거칠 수 있다. 유기발광소자(200)의 중간층(220)은 저분자 또는 고분자 물질을 포함할 수 있다. 그 후, 발광층을 포함하는 중간층(220)을 덮으며 화소전극(210)에 대향하는 대향전극(230)을 기판(100) 전면(全面)에 걸쳐서 형성하는 단계를 거칠 수 있다. 대향전극(230)은 (반)투명 전극 또는 반사형 전극으로 형성될 수 있다. 대향전극(230)은 전술한 것과 마찬가지로 다양한 재료로 형성이 가능하다. 다만 대향전극(230)의 구성 및 재료가 이에 한정되는 것은 아니며 다양한 변형이 가능함은 물론이다.
이처럼 제3절연막(150) 상에 형성된 유기발광소자(200) 역시 원의 일부에 대응하는 형상을 갖게 된다. 즉 제3절연막(150)의 단면에 대응하는 원의 곡률중심(O)으로부터 유기발광소자(200)의 대향전극(230)의 상면까지의 거리가 일정할 수 있다. 따라서 어떠한 시야각에서도 원의 곡률중심(O)까지의 거리가 일정하기 때문에 곡률중심(O)으로부터 빛이 발광하는 거리가 항상 동일해 다양한 시야각에서 색편차 및 휘도편차가 없는 동일한 빛을 발광할 수 있다.
다시 말해 특정 위치에서 바라본 복수개의 부화소들 각각의 광로(光路)가 동일하여 광로차(光路差, optical path difference)가 발생하지 않는 것으로 이해될 수 있고, 이를 통해 유기발광소자(200)에서 발광하는 빛이 관찰자에게 항상 동일한 색 및 밝기로 발광되어 색편차 및 휘도편차를 획기적으로 최소화 시킬 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것 이다.
100: 기판 102: 버퍼층
103: 반도체층 104: 게이트절연막
105: 게이트전극 106: 층간절연막
107: 소스/드레인전극 108: 제1절연막
110: 제2절연막 120: 제1화소정의막
130: 제2화소정의막 150: 제3절연막
150a: 친수성물질 200: 유기발광소자
210: 화소전극 220: 중간층
230: 대향전극 400: 건조장치
410: 배기구
103: 반도체층 104: 게이트절연막
105: 게이트전극 106: 층간절연막
107: 소스/드레인전극 108: 제1절연막
110: 제2절연막 120: 제1화소정의막
130: 제2화소정의막 150: 제3절연막
150a: 친수성물질 200: 유기발광소자
210: 화소전극 220: 중간층
230: 대향전극 400: 건조장치
410: 배기구
Claims (14)
- 기판;
상기 기판 상에 배치된 박막트랜지스터;
상기 박막트랜지스터 상부에 배치되며 개구를 갖는 제1화소정의막;
상기 제1화소정의막의 개구 내에 배치되며, 상면의 곡률반경이 일정한, 절연막; 및
상기 절연막 상에 배치된 유기발광소자;
를 구비하는, 유기발광 디스플레이 장치. - 제1항에 있어서,
상기 절연막은 원기둥의 일부에 대응하는 형상을 갖는, 유기발광 디스플레이 장치. - 제2항에 있어서,
상기 기판은 상호 수직으로 교차하는 장축과 단축을 갖고, 상기 절연막은 상기 단축을 따라 연장된 원기둥의 일부에 대응하는 형상을 갖는, 유기발광 디스플레이 장치. - 제1항에 있어서,
상기 절연막은 구의 일부에 대응하는 형상을 갖는, 유기발광 디스플레이 장치. - 제1항에 있어서,
상기 유기발광소자는,
상기 절연막 상에 배치되며 상기 박막트랜지스터와 전기적으로 연결된 화소전극;
상기 화소전극 상에 배치된 발광층을 포함하는 중간층; 및
상기 화소전극에 대응하도록 배치된 대향전극;을 포함하며,
상기 절연막의 상면의 곡률중심으로부터 상기 대향전극의 상면까지의 거리가 일정한, 유기발광 디스플레이 장치. - 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 유기발광소자는,
상기 절연막 상에 배치되며 상기 박막트랜지스터와 전기적으로 연결된 화소전극;
상기 화소전극 상에 배치된 발광층을 포함하는 중간층; 및
상기 화소전극에 대응하도록 배치된 대향전극;을 포함하며,
상기 제1화소정의막 상에 배치되며 상기 화소전극의 가장자리를 덮도록 배치된 제2화소정의막;
을 더 포함하는, 유기발광 디스플레이 장치. - 기판을 준비하는 단계;
기판 상에 박막트랜지스터를 형성하는 단계;
박막트랜지스터의 상부에 개구를 갖도록 제1화소정의막을 형성하는 단계;
제1화소정의막의 개구 내에 상면의 곡률반경이 일정한 절연막을 형성하는 단계; 및
절연막 상에 유기발광소자를 형성하는 단계;
를 포함하는, 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법. - 제7항에 있어서,
상기 절연막을 형성하는 단계는,
용액공정을 이용하여 절연막용 물질을 도포하는 단계; 및
원기둥의 일부에 대응하는 형상으로 절연막용 물질을 건조시키는 단계;
를 포함하는, 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법. - 제7항에 있어서,
상기 절연막을 형성하는 단계는,
용액공정을 이용하여 절연막용 물질을 도포하는 단계; 및
구의 일부에 대응하는 형상으로 절연막용 물질을 건조시키는 단계;
를 포함하는, 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법. - 제8항 또는 제9항에 있어서,
상기 절연막을 건조시키는 단계는, 상기 절연막의 중앙부에서의 배기율이 가장자리에서의 배기율보다 높은 건조장치를 이용하는 단계인, 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법. - 제7항에 있어서,
상기 절연막을 형성하는 단계는,
화소정의막의 개구에 의해 노출된 절연막 하부에 위치한 층에 있어서, 중앙부와 가장자리에서의 친수성 또는 소수성이 상이하도록 표면처리하는 단계;
용액공정을 이용하여 절연막용 물질을 도포하는 단계; 및
절연막용 물질을 건조시키는 단계;를 포함하는, 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법. - 제11항에 있어서
상기 표면처리하는 단계는, 중앙부가 친수성을 갖도록 표면처리하는 단계인, 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법. - 제11항에 있어서,
상기 표면처리하는 단계는, 가장자리가 소수성을 갖도록 표면처리하는 단계인, 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법. - 제8항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 유기발광소자를 형성하는 단계는,
박막트랜지스터와 전기적으로 연결되도록 절연막 상에 화소전극을 형성하는 단계;
화소전극 상에 발광층을 포함하는 중간층을 형성하는 단계; 및
화소전극에 대응하도록 대향전극을 형성하는 단계;를 포함하며,
상기 절연막의 상면의 곡률중심으로부터 상기 대향전극의 상면까지의 거리가 일정한, 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020130141477A KR102151754B1 (ko) | 2013-11-20 | 2013-11-20 | 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
| US14/462,228 US9318543B2 (en) | 2013-11-20 | 2014-08-18 | Organic light-emitting diode (OLED) display and method of manufacturing the same |
| CN201410582370.0A CN104659059B (zh) | 2013-11-20 | 2014-10-27 | 有机发光二极管显示器及其制造方法 |
| TW103139676A TWI660534B (zh) | 2013-11-20 | 2014-11-14 | 有機發光二極體(oled)顯示器及其製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020130141477A KR102151754B1 (ko) | 2013-11-20 | 2013-11-20 | 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20150057739A true KR20150057739A (ko) | 2015-05-28 |
| KR102151754B1 KR102151754B1 (ko) | 2020-09-04 |
Family
ID=53172364
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020130141477A KR102151754B1 (ko) | 2013-11-20 | 2013-11-20 | 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9318543B2 (ko) |
| KR (1) | KR102151754B1 (ko) |
| CN (1) | CN104659059B (ko) |
| TW (1) | TWI660534B (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190130106A (ko) * | 2018-05-11 | 2019-11-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
| US10707285B2 (en) | 2016-09-13 | 2020-07-07 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104167430B (zh) * | 2014-08-08 | 2017-04-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置 |
| KR102516054B1 (ko) * | 2015-11-13 | 2023-03-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 유기발광표시장치의 제조 방법 |
| CN105742521B (zh) * | 2016-04-27 | 2018-11-09 | 南京先进激光技术研究院 | 一种微腔oled器件 |
| KR20180077767A (ko) | 2016-12-29 | 2018-07-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 보조 전극을 포함하는 디스플레이 장치 |
| CN107706222B (zh) * | 2017-09-28 | 2021-01-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法、显示面板 |
| KR102095910B1 (ko) * | 2017-12-13 | 2020-04-01 | 엘지디스플레이 주식회사 | 곡면형 표시장치와 그의 제조방법 |
| CN108831916B (zh) * | 2018-06-25 | 2020-06-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
| CN109285865A (zh) * | 2018-09-17 | 2019-01-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制造方法、显示装置 |
| US20200135799A1 (en) * | 2018-10-24 | 2020-04-30 | Innolux Corporation | Display device |
| CN109659338A (zh) | 2018-12-10 | 2019-04-19 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示装置 |
| CN109860239B (zh) * | 2018-12-13 | 2021-03-16 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
| CN109920825B (zh) * | 2019-03-14 | 2022-04-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素界定结构及其制作方法、显示面板及显示装置 |
| CN110164944A (zh) * | 2019-06-03 | 2019-08-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制造方法、掩膜版、显示装置 |
| CN110571255B (zh) * | 2019-09-10 | 2021-09-07 | 昆山国显光电有限公司 | 膜层结构、显示面板、显示装置及膜层结构制备方法 |
| KR20220050298A (ko) * | 2020-10-15 | 2022-04-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조방법 |
| CN113990899A (zh) * | 2021-09-28 | 2022-01-28 | 北海惠科光电技术有限公司 | 显示面板制备方法及显示面板 |
| CN114300636B (zh) * | 2021-12-27 | 2023-11-10 | 湖畔光电科技（江苏）有限公司 | 一种阳极结构、阳极结构制作方法及显示器 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20100084063A (ko) * | 2009-01-15 | 2010-07-23 | 포항공과대학교 산학협력단 | 표면처리된 잉크젯 프린트용 기판 |
| KR20110132816A (ko) * | 2010-06-03 | 2011-12-09 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법 |
| KR20120037738A (ko) * | 2010-10-12 | 2012-04-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광소자 |
| KR20120069157A (ko) * | 2010-12-20 | 2012-06-28 | 서울시립대학교 산학협력단 | 종이를 기판으로 하는 트랜지스터와 메모리 장치 및 이들의 제조방법 |
| US20130057143A1 (en) * | 2010-05-31 | 2013-03-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Organic el device, electronic device, and process for production of organic el device |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100504530B1 (ko) | 2003-06-23 | 2005-08-01 | 엘지전자 주식회사 | 유기 전계 소자 및 그 제조 방법 |
| JP4702516B2 (ja) | 2003-05-07 | 2011-06-15 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | 有機ｅｌ素子及びその製造方法 |
| TWI315162B (en) * | 2003-12-08 | 2009-09-21 | Chi Mei Optoelectronics Corporatio | Organic electroluminescent device |
| KR100635062B1 (ko) | 2004-01-27 | 2006-10-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 |
| KR20070038789A (ko) | 2005-10-06 | 2007-04-11 | 삼성전자주식회사 | 유기 ｅｌ 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| KR101326135B1 (ko) | 2006-11-27 | 2013-11-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| CN101950794A (zh) * | 2009-07-10 | 2011-01-19 | 群康科技(深圳)有限公司 | 显示装置及其显示面板装置 |
| US8890187B2 (en) * | 2010-04-16 | 2014-11-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device with an insulating partition |
| KR101202352B1 (ko) * | 2010-07-19 | 2012-11-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| TWM407406U (en) * | 2011-01-12 | 2011-07-11 | Winstar Display Co Ltd | OLED display panel equipped with color axis correction functionality |
| KR101339955B1 (ko) | 2011-08-02 | 2013-12-10 | (주)에코플럭스 | 광추출 구조가 개선된 가요성 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 및 그 제조 장치 |
-
2013
- 2013-11-20 KR KR1020130141477A patent/KR102151754B1/ko active IP Right Grant
-
2014
- 2014-08-18 US US14/462,228 patent/US9318543B2/en active Active
- 2014-10-27 CN CN201410582370.0A patent/CN104659059B/zh active Active
- 2014-11-14 TW TW103139676A patent/TWI660534B/zh active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20100084063A (ko) * | 2009-01-15 | 2010-07-23 | 포항공과대학교 산학협력단 | 표면처리된 잉크젯 프린트용 기판 |
| US20130057143A1 (en) * | 2010-05-31 | 2013-03-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Organic el device, electronic device, and process for production of organic el device |
| KR20110132816A (ko) * | 2010-06-03 | 2011-12-09 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법 |
| KR20120037738A (ko) * | 2010-10-12 | 2012-04-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광소자 |
| KR20120069157A (ko) * | 2010-12-20 | 2012-06-28 | 서울시립대학교 산학협력단 | 종이를 기판으로 하는 트랜지스터와 메모리 장치 및 이들의 제조방법 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10707285B2 (en) | 2016-09-13 | 2020-07-07 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
| US11183548B2 (en) | 2016-09-13 | 2021-11-23 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
| US11895875B2 (en) | 2016-09-13 | 2024-02-06 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
| KR20190130106A (ko) * | 2018-05-11 | 2019-11-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US9318543B2 (en) | 2016-04-19 |
| US20150137090A1 (en) | 2015-05-21 |
| TWI660534B (zh) | 2019-05-21 |
| CN104659059B (zh) | 2020-04-03 |
| CN104659059A (zh) | 2015-05-27 |
| TW201526332A (zh) | 2015-07-01 |
| KR102151754B1 (ko) | 2020-09-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102151754B1 (ko) | 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 | |
| KR102552267B1 (ko) | 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 | |
| US11101446B2 (en) | Display apparatus and method of manufacturing the display apparatus | |
| KR102401013B1 (ko) | 플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제조방법 | |
| KR102357393B1 (ko) | 디스플레이 장치 | |
| US8829495B2 (en) | Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same | |
| US10424759B2 (en) | Method of manufacturing an organic light-emitting display | |
| KR102641816B1 (ko) | 디스플레이 장치 | |
| CN107799536B (zh) | 显示装置 | |
| KR20180076429A (ko) | 디스플레이 장치 및 그 제조방법 | |
| KR20120035040A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR102490890B1 (ko) | 디스플레이 장치 | |
| KR20150146059A (ko) | 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 | |
| KR20160076007A (ko) | 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 | |
| KR20180049469A (ko) | 디스플레이 장치 | |
| KR20150017612A (ko) | 유기발광 디스플레이 장치 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기발광 디스플레이 장치 | |
| KR20150019392A (ko) | 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 | |
| KR20150024729A (ko) | 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 | |
| KR102310902B1 (ko) | 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 | |
| KR102481386B1 (ko) | 유기발광 디스플레이 장치 | |
| KR20160027609A (ko) | 유기발광 디스플레이 장치 | |
| KR102556021B1 (ko) | 디스플레이 장치 및 그 제조방법 | |
| KR20150125889A (ko) | 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 | |
| KR102322018B1 (ko) | 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 | |
| KR20220106261A (ko) | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right |