KR20220050298A - 표시 장치 및 표시 장치의 제조방법 - Google Patents

표시 장치 및 표시 장치의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 일 실시예는, 기판; 상기 기판 상에 배치되며 적어도 하나의 박막트랜지스터를 포함하는 화소회로층; 상기 화소회로층 상에 배치된 비아절연층; 상기 비아절연층 상에 배치된 제1화소전극; 상기 비아절연층 상에 배치되며, 상기 제1화소전극의 적어도 일부를 노출하는 제1개구부를 포함하는 뱅크층; 상기 제1개구부 내의 상기 제1화소전극 상에 배치되며 제1파장을 포함하는 광을 방출하는 제1중간층; 상기 제1중간층 상에 배치되며, 상기 제1중간층과 중첩하는 제1영역을 포함하는 대향전극; 및 상기 대향전극 상에 배치된 상부기판;을 포함하며, 상기 제1영역과 상기 상부기판 사이의 광학 거리(D1)는 다음의 식을 만족하는 표시 장치를 제공한다.
D1 = A + (λ1)/2 × n
여기서, A는 λ1의 광이 최초로 최대 세기를 갖는 지점에서의 상기 제1영역과 상기 상부기판 사이의 광학 거리, n은 0 이상의 정수, λ1은 상기 제1파장을 나타낸다.

Description

표시 장치 및 표시 장치의 제조방법{Display device and manufacturing method thereof}
본 발명은 표시 장치 및 표시 장치의 제조방법에 관한 것이다.
유기 발광 표시 장치는 저전압으로 구동이 가능하고, 경량의 박형이며, 시야각이 넓고 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라 응답속도가 빠르다는 장점으로 인해 차세대 디스플레이 장치로서 주목받고 있다.
이러한 유기 발광 표시 장치는 넓은 발광 파장을 가지며, 이에 따라 발광 효율이 떨어지고 색순도가 저하된다. 또한, 유기 발광층에서 방출되는 빛은 특정한 방향성이 없으므로, 임의의 방향으로 방출되는 광자 중 상당수가 유기 발광 소자의 내부 전반사에 의해 실제 관측자에게 도달하지 못하여 유기 발광 소자의 광 추출 효율을 떨어뜨린다. 이에, 유기 발광층의 두께를 조절하여 공진 구조를 형성하여 광 추출 효율을 높이는 방법이 이용되고 있다. 그러나, 프린팅 방법에 의해 유기 발광층을 형성하는 유기 발광 표시 장치는 이러한 공진 구조만으로 광 추출 효율을 높이는 데 한계가 존재한다.
본 발명의 실시예들은 광추출 효율이 향상된 표시 장치 및 표시 장치의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 실시예는, 기판; 상기 기판 상에 배치되며 적어도 하나의 박막트랜지스터를 포함하는 화소회로층; 상기 화소회로층 상에 배치된 비아절연층; 상기 비아절연층 상에 배치된 제1화소전극; 상기 비아절연층 상에 배치되며, 상기 제1화소전극의 적어도 일부를 노출하는 제1개구부를 포함하는 뱅크층; 상기 제1개구부 내의 상기 제1화소전극 상에 배치되며 제1파장을 포함하는 광을 방출하는 제1중간층; 상기 제1중간층 상에 배치되며, 상기 제1중간층과 중첩하는 제1영역을 포함하는 대향전극; 및 상기 대향전극 상에 배치된 상부기판;을 포함하며, 상기 제1영역과 상기 상부기판 사이의 광학 거리(D1)는 다음의 식을 만족하는 표시 장치를 제공한다.
D1 = A + (λ1)/2 × n
여기서, A는 λ1의 광이 최초로 최대 세기를 갖는 지점에서의 상기 제1영역과 상기 상부기판 사이의 광학 거리, n은 0 이상의 정수, λ1은 상기 제1파장을 나타낸다.
상기 비아절연층 상에 배치된 제2화소전극 및 제3화소전극; 상기 제2화소전극 상에 배치되며 제2파장을 포함하는 광을 방출하는 제2중간층 및 상기 제3화소전극 상에 배치되며 제3파장을 포함하는 광을 방출하는 제3중간층;을 더 포함하며, 상기 뱅크층은 상기 제2화소전극 및 상기 제2화소전극 각각의 적어도 일부를 노출하는 제2개구부 및 제3개구부를 포함하고, 상기 대향전극은 상기 제2중간층 및 상기 제3중간층 각각과 중첩하는 제2영역 및 제3영역을 포함할 수 있다.
상기 제2영역 및 상기 제3영역 각각과 상기 상부기판 사이의 광학 거리(D2, D3)는, 다음의 식을 만족할 수 있다.
D2 = B + (λ2)/2 × n
D3 = C + (λ3)/2 × n
여기서, B는 λ2의 광이 최초로 최대 세기를 갖는 지점에서의 상기 제2영역과 상기 상부기판 사이의 광학 거리, C는 λ3의 광이 최초로 최대 세기를 갖는 지점에서의 상기 제3영역과 상기 상부기판 사이의 광학 거리, n은 0 이상의 정수, λ2 및 λ3은 각각 상기 제2파장 및 상기 제3파장을 나타낸다.
상기 제1파장, 상기 제2파장 및 상기 제3파장의 광은 각각 적색광, 녹색광 및 청색광일 수 있다.
상기 제1중간층, 상기 제2중간층 및 제3중간층은 서로 다른 두께를 갖는, 표시 장치.
상기 비아절연층은 상기 제1화소전극, 상기 제2화소전극 및 상기 제3화소전극과 중첩하는 영역에서 각각 다른 두께를 가질 수 있다.
상기 비아절연층의 상기 제1화소전극, 상기 제2화소전극 및 상기 제3화소전극과 각각 접하는 상면은 돔 형상을 가질 수 있다.
상기 비아절연층과 상기 제1화소전극, 상기 제2화소전극 및 상기 제3화소전극 중 적어도 하나 사이에 배치된 더미절연층을 더 포함할 수 있다.
상기 비아절연층과 상기 제1화소전극, 상기 제2화소전극 및 상기 제3화소전극 사이에 각각 제1더미절연층, 제2더미절연층 및 제3더미절연층이 배치되며, 상기 제1더미절연층, 상기 제2더미절연층 및 상기 제3더미절연층은 서로 다른 두께를 가질 수 있다.
상기 더미절연층의 상면은 돔 형상을 가질 수 있다.
상기 대향전극과 상기 상부기판 사이에 배치된 캡핑층을 더 포함할 수 있다.
상기 대향전극과 상기 상부기판 사이의 공간에는 공기(air)가 충진될 수 있다.
상기 대향전극과 상기 상부기판 사이의 공간에는 충진재가 충진되며, 상기 제1영역과 상기 상부기판 사이의 광학 거리는 다음의 식을 만족할 수 있다.
D1 = nf × D1p
여기서, 상기 nf는 상기 충진재의 굴절률, D1p는 상기 제1영역과 상기 상부기판 사이의 물리적 거리를 나타낸다.
본 발명의 다른 실시예는, 기판 상에 적어도 하나의 박막트랜지스터를 포함하는 화소회로층을 형성하는 단계; 상기 화소회로층 상에 비아절연층을 형성하는 단계; 상기 비아절연층 상에 제1화소전극을 형성하는 단계; 상기 비아절연층 상에 상기 제1화소전극의 적어도 일부를 노출하는 제1개구부를 포함하는 뱅크층을 형성하는 단계; 상기 제1화소전극 상에 제1파장을 포함하는 광을 방출하는 발광 물질을 포함하는 잉크를 토출하여 제1중간층을 형성하는 단계; 사이 뱅크층 및 상기 제1중간층 상에, 상기 제1중간층과 중첩하는 제1영역을 포함하는 대향전극을 형성하는 단계; 및 상기 대향전극 상에 상부기판을 형성하는 단계;를 포함하며, 상기 제1영역과 상기 상부기판 사이의 광학 거리(D1)는 다음의 식을 만족하는 표시 장치의 제조방법을 제공한다.
D1 = A + (λ1)/2 × n
여기서, A는 λ1의 광이 최초로 최대 세기를 갖는 지점에서의 상기 제1영역과 상기 상부기판 사이의 광학 거리, n은 0 이상의 정수, λ1은 상기 제1파장을 나타낸다.
상기 비아절연층 상에 제2화소전극 및 제3화소전극을 형성하는 단계; 상기 제2화소전극 상에 배치되며 제2파장을 포함하는 광을 방출하는 제2중간층 및 상기 제3화소전극 상에 배치되며 제3파장을 포함하는 광을 방출하는 제3중간층을 형성하는 단계;를 더 포함할 수 있다.
상기 비아절연층을 형성하는 단계는, 하프톤 마스크를 이용하여, 상기 제1화소전극, 상기 제2화소전극 및 상기 제3화소전극에 중첩하는 영역에서 각각 다른 두께를 갖는 상기 비아절연층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 비아절연층을 형성하는 단계에서, 상기 제1화소전극, 상기 제2화소전극, 상기 제3화소전극과 접하는 상면이 각각 돔 형상을 갖도록 상기 비아절연층을 형성할 수 있다.
상기 비아절연층을 형성하는 단계 후에, 상기 비아절연층과 상기 제1화소전극 사이에 제1더미절연층, 상기 비아절연층과 상기 제2화소전극 사이에 제2더미절연층, 상기 비아절연층과 상기 제3화소전극 사이에 제3더미절연층을 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 제1더미절연층, 상기 제2더미절연층 및 상기 제3더미절연층은 각각 서로 다른 두께로 형성될 수 있다.
상기 제1더미절연층, 상기 제2더미절연층 및 상기 제3더미절연층을 형성하는 단계에서, 상기 상기 제1더미절연층, 상기 제2더미절연층 및 상기 제3더미절연층은 상면이 각각 돔 형상을 갖도록 형성될 수 있다.
상기 상부기판을 형성하는 단계 후에, 상기 대향전극과 상기 상부기판 사이에 충진재를 충진하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상술한 바와 같은 실시예들에 관한 표시 장치 및 이의 제조 방법은, 상부기판과 상부기판 사이에 공진구조를 적용함으로써 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 포함된 일 서브화소의 등가 회로도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일 서브화소를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일 화소를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 6은 도 5의 대향전극과 상부기판 사이의 거리에 따른 제1파장, 제2파장 및 제3파장 각각의 광의 세기를 나타낸 그래프이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 8 내지 도 10은 각각 본 발명의 또 다른 실시예들에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 11a 내지 도 11d는 도 5의 표시 장치의 제조방법을 개략적으로 나타낸 단면도들이다.
도 12a 내지 도 12c는 도 8의 표시 장치의 제조방법의 일부 단계를 개략적으로 나타낸 단면도들이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.
이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등이 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소들이 직접적으로 연결된 경우뿐만 아니라 막, 영역, 구성요소들 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소들이 개재되어 간접적으로 연결된 경우도 포함한다. 예컨대, 본 명세서에서 막, 영역, 구성 요소 등이 전기적으로 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소 등이 직접 전기적으로 연결된 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 간접적으로 전기적 연결된 경우도 포함한다.
표시 장치는 화상을 표시하는 장치로서, 게임기, 멀티미디어기기, 초소형 PC와 같이 휴대가 가능한 모바일 기기일 수 있다. 후술할 표시 장치는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display), 전기영동 표시 장치(Electrophoretic Display), 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display), 무기 EL 표시 장치(Inorganic Light Emitting Display), 전계 방출 표시 장치(Field Emission Display), 표면 전도 전자 방출 표시 장치(Surface-conduction Electron-emitter Display), 양자점 표시 장치(Quantum dot display), 플라즈마 표시 장치(Plasma Display), 음극선관 표시 장치(Cathode Ray Display) 등을 포함할 수 있다. 이하에서는, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치로서, 유기 발광 표시 장치를 예로 하여 설명하지만, 본 발명의 실시예들은 전술한 바와 같은 다양한 방식의 표시 장치가 사용될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(1)를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 1을 참조하면, 표시 장치(1)는 기판(100) 상에 표시영역(DA) 및 비표시영역(NDA)을 포함할 수 있다.
표시영역(DA)은 이미지를 구현할 수 있다. 표시영역(DA)에는 화소(PX)들이 배치될 수 있다. 이 때, 화소(PX)들에서 방출되는 빛을 이용하여 이미지를 제공할 수 있다.
비표시영역(NDA)은 이미지를 제공하지 않는 영역으로, 화소(PX)가 배치되지 않는다. 비표시영역(NDA)은 표시영역(DA)을 전체적으로 둘러쌀 수 있다. 비표시영역(NDA)은 화소(PX)들에 전기적 신호나 전원을 제공하기 위한 드라이버 등이 배치될 수 있다. 비표시영역(NDA)에는 전자소자나 인쇄회로기판 등이 전기적으로 연결될 수 있는 영역인 패드부(미도시)를 포함할 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 포함된 일 화소(PX)의 등가 회로도이다.
도 2를 참조하면, 화소(PX)는 화소회로(PC), 및 화소회로(PC)에 연결된 표시요소, 예를 들어, 유기발광다이오드(OLED)를 포함할 수 있다. 화소회로(PC)는 제1박막트랜지스터(T1), 제2박막트랜지스터(T2), 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다. 각 화소(PX)는 유기발광다이오드(OLED)를 통해 예컨대, 적색, 녹색, 또는 청색의 빛을 방출할 수 있다.
제2박막트랜지스터(T2)는 스위칭 박막트랜지스터로서, 스캔선(SL) 및 데이터선(DL)에 연결되며, 스캔선(SL)으로부터 입력되는 스위칭 전압 또는 스위칭 신호(Sn)에 따라 데이터선(DL)으로부터 입력된 데이터 전압 또는 데이터 신호(Dm)를 제1박막트랜지스터(T1)로 전달할 수 있다. 스토리지 커패시터(Cst)는 제2박막트랜지스터(T2)와 구동전압선(PL)에 연결되며, 제2박막트랜지스터(T2)로부터 전달받은 전압과 구동전압선(PL)에 공급되는 제1전원전압(ELVDD)의 차이에 해당하는 전압을 저장할 수 있다.
제1박막트랜지스터(T1)는 구동 박막트랜지스터로서, 구동전압선(PL)과 스토리지 커패시터(Cst)에 연결되며, 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 전압 값에 대응하여 구동전압선(PL)으로부터 유기발광다이오드(OLED)를 흐르는 구동 전류를 제어할 수 있다. 유기발광다이오드(OLED)는 구동 전류에 의해 소정의 휘도를 갖는 빛을 방출할 수 있다. 유기발광다이오드(OLED)의 대향전극(예를 들어, 캐소드)는 제2전원전압(ELVSS)을 공급받을 수 있다.
도 2는 화소회로(PC)가 2개의 박막트랜지스터와 1개의 스토리지 커패시터를 포함하는 것을 설명하고 있으나, 다른 실시예에서 박막트랜지스터의 개수 및 스토리지 커패시터의 개수는 화소회로(PC)의 설계에 따라 다양하게 변경될 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(1)를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 3을 참조하면, 표시 장치(1)의 기판(100) 상에는 표시층(DPL)이 배치될 수 있다. 표시층(DPL)은 화소회로와 절연층들을 포함하는 화소회로층(PCL) 및 화소회로층(PCL) 상에 복수의 표시요소들을 포함하는 표시요소층(DEL)을 포함할 수 있다.
기판(100)은 글라스이거나 폴리에테르술폰(polyethersulfone), 폴리아릴레이트(polyarylate), 폴리에테르 이미드(polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트, 셀룰로오스 트리 아세테이트(TAC), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate) 등과 같은 고분자 수지를 포함할 수 있다.
표시요소층(DEL)은 표시요소들, 예를 들어, 유기발광소자를 포함할 수 있다. 화소회로층(PCL)은 유기발광소자에 연결된 화소회로와 절연층들을 포함할 수 있다.
표시 장치(1)의 표시층(DPL) 상에는 상부기판(200)이 배치될 수 있다. 상부기판(200)은 밀봉부재(300)로 결합되어 기판(100)과 상부기판(200) 사이의 내부공간이 밀봉되는 구조일 수 있다. 이 때, 내부공간에는 공기, 흡습제 또는 충진재 등이 위치할 수 있다.
일부 실시예에서, 표시층(DPL)은 적어도 하나의 무기봉지층과 적어도 하나의 유기봉지층을 포함하는 박막봉지층(TFE; thin film encapsulation)에 의해 덮일 수 있다. 즉, 표시층(DPL)은 박막봉지층 및 상부기판(200)에 의해 밀봉될 수 있다.
도 3에서는, 표시층(DPL)과 상부기판(200)이 이격되어 있는 것으로 도시되었으나, 이에 한정되지 않는다. 도 4에 도시된 바와 같이, 표시층(DPL)과 상부기판(200)은 부분적으로 서로 연결되도록 배치될 수 있다.
상부기판(200) 상에는 도시하지는 않았으나, 터치전극층이 배치될 수 있으며, 터치전극층 상에는 광학기능층이 배치될 수 있다. 터치전극층은 외부의 입력, 예컨대 터치 이벤트에 따른 좌표정보를 획득할 수 있다. 광학기능층은 외부로부터 표시 장치(1)를 향해 입사하는 빛(외부광)의 반사율을 감소시킬 수 있고, 및/또는 표시 장치(1)에서 방출되는 빛의 색 순도를 향상시킬 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일 서브화소를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 4를 참조하면, 도 3과 동일한 참조부호는 동일부재를 의미하므로, 중복된 설명은 생략하기로 한다.
일 실시예에 따른 표시 장치는, 기판(100), 기판(100) 상에 배치된 화소회로층(PCL), 및 화소회로층(PCL) 상에 배치된 비아절연층(1120), 비아절연층(1120) 상에 배치된 유기발광소자(OLED)를 포함한다. 유기발광소자(OLED)는 비아절연층(1120) 상에 배치된 제1화소전극(LE1), 제1화소전극(LE1) 상에 배치되며 제1파장(λ1)을 포함하는 광을 방출하는 제1중간층(IM1), 제1중간층 상에 배치된 대향전극(UE)을 포함한다.
비아절연층(1120) 상에는 제1화소전극(LE1)의 적어도 일부를 노출하는 제1개구부(H1)를 포함하는 뱅크층(130)이 배치되며, 대향전극(UE) 상에는 상부기판(200)이 배치될 수 있다.
화소회로층(PCL)은 기판(100) 상에 배치된 적어도 하나의 박막트랜지스터(TFT) 및 복수의 절연층(111, 113, 115)을 포함한다.
기판(100)과 박막트랜지스터(TFT) 사이에는 버퍼층(111)이 배치될 수 있다. 버퍼층(111)은 실리콘질화물, 실리콘산질화물 및 실리콘산화물과 같은 무기 절연물을 포함할 수 있으며, 전술한 무기 절연물을 포함하는 단층 또는 다층일 수 있다.
박막트랜지스터(TFT)는 반도체층(112)을 포함하며, 반도체층(112)은 폴리 실리콘, 비정질(amorphous) 실리콘, 산화물 반도체 또는 유기 반도체 등을 포함할 수 있다. 반도체층(112)은 채널영역 및 채널영역의 양측에 각각 배치된 드레인영역 및 소스영역을 포함할 수 있다.
반도체층(112) 상에는 게이트전극(114)이 배치되며, 게이트전극(114)은 저저항 금속 물질을 포함할 수 있다. 게이트전극(114)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 상기의 재료를 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다.
반도체층(112)과 게이트전극(114) 사이의 게이트절연층(113)은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNX), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 아연산화물(ZnO2)등과 같은 무기 절연물을 포함할 수 있다.
게이트 전극(114) 상에는 층간절연층(115)이 배치되며, 층간절연층(115)은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNX), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 아연산화물(ZnO2) 등을 포함할 수 있다. 층간절연층(115)은 전술한 무기 절연물을 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다.
드레인전극(116a) 및 소스전극(116b)은 층간절연층(115) 상에 위치할 수 있다. 드레인전극(116a) 및 소스전극(116b)은 각각 게이트절연층(113) 및 층간절연층(115)에 구비된 컨택홀을 통해 반도체층(112)의 드레인영역 및 소스영역에 연결될 수 있다. 드레인전극(116a) 및 소스전극(116b)은 전도성이 좋은 재료를 포함할 수 있다. 드레인전극(116a) 및 소스전극(116b)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 상기의 재료를 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 일 실시예로, 드레인전극(116a) 및 소스전극(116b)은 Ti/Al/Ti의 다층 구조를 가질 수 있다.
화소회로층(PCL) 상에는 박막트랜지스터(TFT)를 덮는 비아절연층(1120)이 배치될 수 있다. 비아절연층(1120)은 유기절연물을 포함하며, 예컨대, polymethylmethacrylate(PMMA)나 polystyrene(PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 또는 이들의 조합으로 구성될 수 있다.
비아절연층(1120) 상에는 제1화소전극(LE1) 및 뱅크층(130)이 배치되며, 뱅크층(130)은 제1화소전극(LE1)의 적어도 일부를 노출하는 제1개구부(H1)를 포함할 수 있다. 뱅크층(130)은 포토레지스트 즉, 감광성 수지를 포함할 수 있다. 예컨대, 뱅크층(130)은 폴리이미드(polyimide), 아크릴(acrylic), 디아조나프토퀴논류, 무수말레인산/노르보넨 공중합체, 히드록시스티렌/아크릴레이트 공중합체, 메타크릴레이트 공중합체, 디아조나프토퀴논(diazonaphthoquinone, DNQ) 또는 노볼락 수지(novolac resin) 등을 포함할 수 있다. 뱅크층(130)은 친액성 또는 친수성을 갖는 물질을 포함할 수 있다.
제1화소전극(LE1)은 비아절연층(1120)에 형성된 비아홀을 통해 화소회로층(PCL)에 포함된 박막트랜지스터(TFT)와 같은 회로부와 전기적으로 연결될 수 있다. 제1화소전극(LE1)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr) 또는 이들의 화합물을 포함하는 반사막을 포함할 수 있으며, 반사막의 상부 및/또는 하부에는 인듐틴산화물(ITO; indium tin oxide), 인듐징크산화물(IZO; indium zinc oxide), 징크산화물(ZnO; zinc oxide), 인듐산화물(In2O3: indium oxide), 인듐갈륨산화물(IGO; indium gallium oxide) 또는 알루미늄징크산화물(AZO; aluminum zinc oxide)와 같은 도전성 산화물이 더 배치될 수 있다. 제1화소전극(LE1)은 반사전극으로 구성되며, 유기발광소자(OLED)은 상부기판(200)으로 광을 방출하는 전면발광형일 수 있다.
제1중간층(IM1)은 제1화소전극(LE1) 상에 배치될 수 있다. 제1중간층(IM1)은 뱅크층(130)의 제1개구부(H1)에 배치되며, 제1중간층(IM1)의 두께는 중앙 영역보다 가장자리 영역에서 더 두꺼울 수 있다. 가장자리 영역이 중앙 영역보다 두꺼울 수 있다. 제1중간층(IM1)은 유기 물질을 포함하는 잉크를 제1화소전극(LE1) 상에 토출한 후 건조시켜 형성될 수 있다.
제1중간층(IM1)은 소정의 색상을 광을 방출하는 고분자 또는 저분자 유기물을 포함 발광층(IM1c)을 포함하며, 발광층(IM1c)의 하부에는 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer, IM1a) 및/또는 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer, IM1b)이 배치되고, 발광층(IM1c)의 상부에는 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer, IM1d) 및/또는 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer, IM1e)이 배치될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 홀 주입층(IM1a), 홀 수송층(IM1b), 전자 수송층(IM1d) 및 전자 주입층(IM1e) 중 적어도 하나는 제1화소전극(LE1)과 대향전극(UE) 사이의 공진거리를 조절하기 위한 거리 조절층으로 기능할 수 있다. 다른 실시예에서는, 추가적인 거리 조절층이 제1화소전극(LE1)과 대향전극(UE) 사이에 배치될 수 있다.
대향전극(UE)은 제1중간층(IM1) 및 뱅크층(130) 상에 배치될 수 있다. 대향전극(UE)은 일함수가 낮은 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 예컨대, 대향전극(UE)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca) 또는 이들의 합금 등을 포함하는 (반)투명층을 포함할 수 있다.
제1화소전극(LE1)과 대향전극(UE) 사이의 거리는 대향전극(UE) 방향으로 방출하고자 하는 특징 파장의 광을 증폭하기 위한 공진조건을 만족하도록 설정될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 유기발광소자(OLED)는 제1파장(λ1)을 포함하는 광을 방출하며 제1파장(λ1)의 광이 가장 큰 세기를 갖는 조건으로 제1화소전극(LE1)과 대향전극(UE) 사이의 거리가 설정될 수 있다.
구체적으로, 발광층(IM1c)은 제1파장(λ1)을 포함하는 광을 방출하는 유기물일 수 있으며, 발광층(IM1c)으로부터 방출되는 광은 넓은 반치폭의 스펙트럼을 갖는다. 즉, 발광층(IM1c)으로부터 방출되는 광은 제1파장(λ1)뿐만 아니라, 제1파장(λ1)을 포함하는 소정의 파장대의 광들을 포함한다.
그러나, 표시 장치의 광의 효율을 향상시키고 화질을 향상시키기 위해서는, 유기발광소자(OLED)로부터 방출되는 광의 스펙트럼은 좁은 반치폭을 가져야 한다. 원하는 특정 파장, 예컨대 제1파장(λ1)의 광을 증폭시키고 이외의 파장의 광의 세기를 감소시키기 위해 제1화소전극(LE1)과 대향전극(UE) 사이의 거리는 제1파장(λ1)을 증폭시키기 위한 공진조건을 만족하여야 한다.
그럼에도 불구하고, 유기발광소자(OLED)이 오직 제1파장(λ1)의 광만을 방출하는 것을 불가능하며, 대향전극(UE)을 통해 방출되는 광 또한 소정의 파장대를 갖는다. 특히, 프린팅 방법을 이용하여 제1중간층(IM1)을 형성하는 경우, 제1중간층(IM1)의 두께 조절이 용이하지 않아 상기 공정조건을 완벽하게 맞추는 데에는 한계가 있다.
대향전극(UE) 상에는 상부기판(200)이 배치되며, 대향전극(UE)과 상부기판(200) 사이에는 캡핑층(CPL)이 추가로 배치될 수 있다. 또한, 도시하지는 않았으나, 다른 실시예에서, 캡핑층(CPL) 상에는 박막봉지층이 추가로 배치될 수 있다. 대향전극(UE)은 복수의 화소(PX)에 걸쳐 일체로 형성될 수 있으며, 제1중간층(IM1)과 접하는 영역을 제1영역(UEa)으로 정의할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 대향전극(UE)과 상부기판(200) 사이의 거리(D1)는 다음의 식을 만족할 수 있다.
<식>
D1 = A + (λ1)/2 × n
여기서, A는 λ1의 광이이 최초로 최대 세기를 갖는 지점에서의 대향전극(UE)의 제1영역(UEa)과 상부기판(200) 사이의 광학 거리, n은 0 이상의 정수, λ1은 제1파장을 나타낸다.
상술한 바와 같이, 제1파장(λ1)은 유기발광소자(OLED)로부터 방출되는 광의 파장대에서 선택된 일 파장일 수 있다. 제1파장(λ1)은 표시 장치에서 해당 서브화소(PXsub)에서 최대 세기로 방출되도록 의도한 파장일 수 있다.
A는 λ1이 최초로 최대 세기를 갖는 지점에서의 대향전극(UE)의 제1영역(UEa)과 상부기판(200) 사이의 광학 거리를 나타낸다. 제1영역(UEa)의 거리의 기준이 되는 지점은 제1중간층(IM1)의 중심에 대응되는 영역일 수 있으며, 거리는 제1영역(UEa)의 상면과 상부기판(200)의 하면 사이의 거리일 수 있다. 상기 광학 거리는 제1영역(Ea)과 상부기판(200) 사이의 물리적 거리에 제1영역(Ea)과 상부기판(200) 사이에 배치된 물질의 굴절률을 곱한 거리일 수 있다. A에 대해서는 후술한다.
일 실시예에 따르면, 대향전극(UE)과 상부기판(200) 사이에는 공기가 충진될 수 있다. 이 경우, 공기의 굴절률은 1이므로 광학 거리와 물리적 거리가 동일할 수 있다. 도 4에 도시된 바와 같이 캡핑층(CPL)이 대향전극(UE)과 상부기판(200) 사이에 추가로 배치된 경우, 광학 거리는 캡핑층(CPL)의 굴절률와 캡핑층(CPL)의 두께를 곱한 거리에 캡핑층(CPL)과 상부기판(200) 사이의 거리를 합한 값일 수 있다.
상부기판(200)의 하면에서 유기발광소자(OLED)로부터 방출된 광이 반사될 수 있으며, 반사된 광은 대향전극(UE)의 상면에서 재반사될 수 있다. 즉, 상부기판(200)과 대향전극(UE) 사이에서 광의 일부가 반사 및 재반사를 반복할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 대향전극(UE)과 상부기판(200) 사이의 거리를 공진조건에 맞도록 설정함으로써, 표시 장치의 광 효율을 향상시킬 수 있다. 상술한 바와 같이, 제1화소전극(LE1)과 대향전극(UE) 사이에 공진 구조가 형성될 수 있으며, 이에 더하여 대향전극(UE)과 상부기판(200) 사이에도 공진 구조를 형성함으로써 표시 장치의 광 효율을 더욱 향상시킬 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일 화소를 개략적으로 나타낸 단면도이고, 도 6은 도 5의 대향전극과 상부기판 사이의 거리에 따른 제1파장, 제2파장 및 제3파장 각각의 광의 세기를 나타낸 그래프이다. 도 5의 표시 장치에 있어서, 도 4와 동일한 참조부호는 동일부재를 의미하는 바 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 5를 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 장치의 일 화소(PX)는, 기판(100), 기판(100) 상에 배치되며 적어도 하나의 박막트랜지스터(TFT)를 포함하는 화소회로층(PCL), 및 화소회로층(PCL) 상에 배치된 비아절연층(2120), 비아절연층(2120) 상에 배치된 제1화소전극(LE1), 제2화소전극(LE2) 및 제3화소전극(LE2)을 포함한다. 비아절연층(2120) 상에는 제1화소전극(LE1), 제2화소전극(LE2) 및 제3화소전극(LE3) 각각의 적어도 일부를 노출하는 제1개구부(H1), 제2개구부(H2) 및 제3개구부(H3)를 포함하는 뱅크층(130)이 배치되며, 제1개구부(H1), 제2개구부(H2) 및 제3개구부(H3) 내에는 각각 제1중간층(IM1), 제2중간층(IM2) 및 제3중간층(IM3)이 배치된다.
제1중간층(IM1)은 제1화소전극(LE1) 상에 배치되며, 제1파장(λ1)을 포함하는 광을 방출할 수 있다. 제2중간층(IM2)은 제2화소전극(LE2) 상에 배치되며 제2파장(λ2)을 포함하는 광을 방출하며, 제3중간층(IM3)은 제3화소전극(LE3) 상에 배치되며 제3파장(λ3)을 포함하는 광을 방출할 수 있다.
일 실시예에서, 제1파장(λ1), 제2파장(λ2), 제3파장(λ3)의 광은 각각 적색광, 녹색광 및 청색광일 수 있다. 제1파장(λ1)은 제1중간층(IM1)으부터 방출되는 광의 파장대에서 선택된 일 파장일 수 있으며, 제1파장(λ1)은 적색 서브화소에서 최대 세기로 방출되도록 의도한 파장일 수 있다. 제2파장(λ2) 및 제3파장(λ3)은 제2중간층(IM2) 및 제3중간층(IM3) 각각으로부터 방출되는 광의 파장대에서 선택된 일 파장일 수 있으며, 녹색 서브화소 및 청색 서브화소에서 최대 세기로 방출되도록 의도한 파장일 수 있다.
상술한 바와 같이, 화소전극(LE1, LE2, LE3)과 대향전극(UE) 사이의 거리는 공진조건에 맞도록 설정될 수 있으며, 따라서 제1중간층(IM1), 제2중간층(IM2) 및 제3중간층(IM3)의 두께(t1, t2, t3)은 서로 다를 수 있다.
뱅크층(130), 제1중간층(IM1), 제2중간층(IM2) 및 제3중간층(IM3) 상에는 대향전극(UE)이 배치되며, 대향전극(UE)은 제1중간층(IM1)과 중첩하는 제1영역(UEa), 제2중간층(IM1)과 중첩하는 제2영역(UEb) 및 제3중간층(IM1)과 중첩하는 제3영역(UEc)을 포함할 수 있다. 여기서, 중첩은 기판(100)의 주요면에 수직한 방향에서 봤을 때 중첩된다는 것을 의미한다. 대향전극(UE) 상에는 상부기판(200)이 배치될 수 있다. 대향전극(UE)과 상부기판(200) 사이의 공간에는 공기(1300)가 충진될 수 있다. 도시하진 않았지만, 도 4와 같이 대향전극(UE) 상에는 캡핑층(CPL)이 더 배치될 수 있다.
상기 제1영역(UEa)과 상부기판(200) 사이의 거리(D1), 제2영역(UEb)과 상부기판(200) 사이의 거리(D2) 및 제3영역(UEc)과 상부기판(200) 사이의 거리(D3)는 다음의 수학식을 만족할 수 있다. 이하, D1, D2 및 D3을 각각 제1광학거리, 제2광학거리 및 제3광학거리로 지칭한다.
<식>
D1 = A + (λ1)/2 × n
D2 = B + (λ2)/2 × n
D3 = C + (λ3)/2 × n
여기서, A는 λ1의 광이 최초로 최대 세기를 갖는 지점에서의 대향전극(UE)의 제1영역(UEa)과 상부기판(200) 사이의 광학 거리, B는 λ2의 광이 최초로 최대 세기를 갖는 지점에서의 대향전극(UE)의 제2영역(UEb)과 상부기판(200) 사이의 광학 거리, C는 λ3의 광이 최초로 최대 세기를 갖는 지점에서의 대향전극(UE)의 제3영역(UEc)과 상부기판(200) 사이의 광학 거리를 나타낸다. n은 0 이상의 정수를 나타내며 상기 3개의 수학식에서 n은 동일한 정수를 의미하지는 않는다. λ1, λ2 및 λ3은 각각 제1파장, 제2파장 및 제3파장을 나타낸다.
상기 제1영역(UEa), 제2영역(UEb) 및 제3영역(UEc)의 거리의 기준이 되는 지점은 각각 제1중간층(IM1), 제2중간층(IM2) 및 제3중간층(IM3)의 중심에 대응되는 영역일 수 있으며, 상기 거리는 제1영역(UEa), 제2영역(UEb) 및 제3영역(UEc)의 상면과 상부기판(200)의 하면 사이의 거리일 수 있다
도 6을 참조하면, 대향전극(UE)과 상부기판(200) 사이의 거리(D)에 따른 제1파장(λ1), 제2파장(λ2) 및 제3파장(λ3) 각각의 광의 세기를 나타낸 것이다. A, B, C는 각각 제1파장, 제2파장 및 제3파장의 광이 최초로 최대 세기를 갖는 지점에서의 거리를 나타낸다. 광의 세기는 임의의 단위(arbitrary unit)로 나타내었다.
상기 수학시에서 n이 0인 경우, A, B 및 C는 각각 D1, D2 및 D3과 동일할 수 있다. n의 값은 D1, D2 및 D3에 관한 식에서 서로 다를 수 있다.
도 5에서는 제2광학거리(D2)가 가장 크고 제1광학거리(D1)이 가장 작은 것으로 도시하고 있으나 본 발명은 이에 한정되지 않는다. n 값에 따라 제1 내지 제3광학거리(D1, D2, D3)의 크기는 달라질 수 있다.
일 실시예에 따르면, 제1중간층(IM1), 제2중간층(IM2) 및 제3중간층(IM3)의 두께(t1, t2, t3)는 서로 다를 수 있으며, 제1광학거리(D1), 제2광학거리(D2) 및 제3광학거리(D3) 또한 서로 다를 수 있다. 제1 내지 제3광학거리(D1, D2, D3)를 공진조건에 맞도록 설정하기 위해 비아절연층(2120)이 제1화소전극(LE1), 제2화소전극(LE2) 및 제3화소전극(LE3)에 대응되는 영역에서 각각 서로 다른 두께를 가질 수 있다. 따라서, 비아절연층(2120)의 상면은 편평하지 않을 수 있다. 도 5에서는 비아절연층(2120)이 제1화소전극(LE1) 하부에서 가장 얇고 제3화소전극(LE3) 하부에서 가장 두꺼운 구성을 도시하고 있지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 즉, 원하는 제1 내지 제3광학거리(D1, D2, D3)를 설정하기 위해 비아절연층(2120)의 각 서브화소에 대응되는 영역의 두께가 달라질 수 있다.
일 실시예에 따르면, 대향전극(UE)과 상부기판(200) 사이의 거리를 적색 서브화소, 녹색 서브화소 및 청색 서브화소 각각에서 공진조건에 맞도록 설정함으로써, 표시 장치의 광의 효율 및 품질을 향상시킬 수 있다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다. 도 7의 표시 장치에 있어서, 도 5와 동일한 참조부호는 동일부재를 의미하는 바 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 7을 참조하면, 다른 구성은 모두 도 5의 표시 장치와 동일하며 대향전극(UE)과 상부기판(200) 사이에 공기가 아닌 충진재(2300)가 충진되어 있다는 차이만 존재한다.
충진재(2300)는 소정의 굴절률을 가질 수 있으며, 따라서 대향전극(UE)과 상부기판(200) 사이의 광학 거리는 충진재(2300)의 굴절률을 대향전극(UE)과 상부기판(200) 사이의 물리적 거리를 곱함으로써 정해질 수 있다.
예컨대, 대향전극(UE)의 제1영역(UEa)과 상부기판(200) 사이의 광학 거리(D1)는 다음의 수학식을 만족할 수 있다.
<식>
D1 = nf × D1p
여기서, 상기 nf는 충진재(2300)의 굴절률, D1p는 제1영역(UEa)과 상부기판(200) 사이의 물리적 거리를 나타낸다.
물론, 대향전극(UE)과 상부기판(200) 사이에 다른 층이 개재된 경우 다른 층에 의한 광학 거리를 고려하여야 한다.
도 8 내지 도 10은 각각 본 발명의 또 다른 실시예들에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다. 도 8 내지 도 10의 표시 장치에 있어서, 도 5와 동일한 참조부호는 동일부재를 의미하는 바 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 8을 참조하면, 다른 구성은 모두 도 5의 표시 장치와 동일하며 비아절연층(3120)의 상면이 편평하며 비아절연층(3120) 상에 제1더미절연층(410), 제2더미절연층(420) 및 제3더미절연층(430)이 배치되어 있다는 차이만 존재한다.
제1더미절연층(410)은 비아절연층(3120)과 제1화소전극(LE1) 사이, 제2더미절연층(420)은 비아절연층(3120)과 제2화소전극(LE2) 사이, 제3더미절연층(430)은 비아절연층(3120)과 제3화소전극(LE3) 사이에 배치될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 제1더미절연층(410), 제2더미절연층(420) 및 제3더미절연층(430)은 서로 다른 두께(Ga, Gb, Gc)를 가질 수 있다. 도 8에서는 제1 내지 제3더미절연층(410, 420, 430)이 모두 배치된 구성을 도시하고 있지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 다른 실시예에서, 제1 내지 제3더미절연층(410, 420, 430) 중 하나 또는 두 개만 배치될 수도 있다. 도 8에서는 제1더미절연층(410)의 두께(Ga)가 가장 얇고 제3더미절연층(430)의 두께(Gc)가 가장 두꺼운 것으로 도시하고 있지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 제1 내지 제3더미절연층(410)의 두께(Ga, Gb, Gc)는 설정된 제1 내지 제3광학거리(D1, D2, D3)에 따라 달라질 수 있다.
제1 내지 제3더미절연층(410, 420, 430)은 무기 또는 유기 절연물질로 형성될 수 있으며 제조 시 두께 조절이 용이한 물질로 형성될 수 있다. 제1 내지 제3더미절연층(410, 420, 430)은 제1 내지 제3화소전극(LE1, LE2, LE3)과 마찬가지로 서브화소마다 아일랜드 형태로 배치될 수 있다.
도 9를 참조하면, 다른 구성은 모두 도 5의 표시 장치와 동일하며 비아절연층(4120)이 제1화소전극(LE1'), 제2화소전극(LE2') 및 제3화소전극(LE3')의 하부에서 돔 형상을 갖는다는 차이만 존재한다.
비아절연층(4120)은 제1화소전극(LE1'), 제2화소전극(LE2') 및 제3화소전극(LE3') 하부에서 각각 서로 다른 두께를 가질 수 있으며, 제1화소전극(LE1'), 제2화소전극(LE2') 및 제3화소전극(LE3')의 하부에서 돔 형상을 갖는다. 돔 형상의 가장 볼록한 부분은 제1중간층(IM1'), 제2중간층(IM2') 및 제3중간층(IM3') 각각의 중앙부와 중첩할 수 있으며, 돔 영역은 서브화소마다 서로 분리되어 아일랜드 형태로 배치된다.
돔 형상에 의해 제1 내지 제3화소전극(LE1', LE2', LE3') 각각 또한 중앙부가 볼록한 돔 형태로 배치된다. 제1중간층(IM1'), 제2중간층(IM2') 및 제3중간층(IM3')은 상술한 바와 같이 중앙부보다 가장자리에서 큰 두께를 가질 수 있다. 도 9에 도시된 바와 같이 제1 내지 제3화소전극(LE1', LE2', LE3')의 볼록한 형상으로 인해 제1중간층(IM1'), 제2중간층(IM2') 및 제3중간층(IM3')의 상면을 실질적으로 편평하게 형성할 수 있다.
이러한 구성을 통해, 서브화소 전체에 걸쳐 균일한 광이 방출되도록 함으로써 표시 장치의 광 품질을 향상시킬 수 있다.
도 10을 참조하면, 다른 구성은 모두 도 8의 표시 장치와 동일하며 제1더미절연층(410'), 제2더미절연층(420') 및 제3더미절연층(430')의 상면이 돔 형상을 갖는다는 차이만 존재한다.
제1 내지 제3더미절연층(410', 420', 430')의 상면을 돔 형태로 구성함으로써, 제1 내지 제3화소전극(LE1', LE2', LE3') 각각 또한 중앙부가 볼록한 돔 형태를 가지며 제1중간층(IM1'), 제2중간층(IM2') 및 제3중간층(IM3')의 상면을 실질적으로 편평하게 구성할 수 있다. 여기서, 편평하다는 것은 도 5 및 도 8의 제1중간층(IM1), 제2중간층(IM2) 및 제3중간층(IM3)의 상면보다 편평하다는 것을 의미한다.
도 11a 내지 도 11d는 도 5의 표시 장치의 제조방법을 개략적으로 나타낸 단면도들이다.
도 11a를 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조방법은 기판(100) 상에 적어도 하나의 박막트랜지스터(TFT)를 포함하는 화소회로층(PCL, 도 4)을 형성하는 단계 및 화소회로층(PCL) 상에 예비 비아절연층(2120')을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
예비 비아절연층(2120') 상에 하프톤마스크(HM)를 배치한 후, 하프톤마스크(HM)을 통해 광을 조사할 수 있다. 하프톤마스크(HM)은 광 투과도가 가장 큰 제1부분(S1), 제1부분(S1)보다 낮은 광 투과도를 갖는 제2부분(S2) 및 광을 차단하는 제3부분(S3)을 포함할 수 있다. 광을 조사한 후 현상(developing) 공정을 통해 예비 비아절연층(2120')의 일부를 제거할 수 있다.
이러한 방법은 예비 비아절연층(2120')이 포지티브 감광성 물질로 형성된 경우를 예시한 것으로, 다른 실시예에서, 예비 비아절연층(2120')이 감광성 물질이 아닌 경우 별도의 감광성 물질을 예비 비아절연층(2120') 상에 형성한 후 노광을 수행할 수 있다.
도 11b를 참조하면, 예비 비아절연층(2120')을 노광 및 현상함으로써, 서로 다른 두께를 갖는 영역들을 포함하는 비아절연층(2120)을 형성할 수 있다.
도 11c를 참조하면, 비아절연층(2120)에 비아홀을 형성한 후 비아절연층(2120) 상에 제1화소전극(LE1), 제2화소전극(LE2) 및 제3화소전극(LE3)을 형성할 수 있다.
비아절연층(2120)의 두께 차이로 인해, 제1화소전극(LE1), 제2화소전극(LE2) 및 제3화소전극(LE3)은 기판(100)으로부터 각각 서로 다른 높이에 배치될 수 있다.
비아절연층(2120) 상에 제1화소전극(LE1), 제2화소전극(LE2) 및 제3화소전극(LE3) 각각의 적어도 일부를 노출하는 제1개구부(H1), 제2개구부(H2) 및 제3개구부(H3)를 포함하는 뱅크층(130)을 형성할 수 있다.
도 11d를 참조하면, 제1개구부(H1) 내의 제1화소전극(LE1) 상에 제1파장(λ1)의 광을 방출하는 발광 물질을 포함하는 잉크를 토출하여 제1중간층(IM1)을 형성할 수 있다. 제1중간층(IM1)은 광을 방출하는 발광층(IM1c, 도 4) 외에 다른 기능층들을 포함할 수 있다. 제2개구부(H2) 내의 제2화소전극(LE2) 상에는 제2파장(λ2)의 광을 방출하는 제2중간층(IM1)을 형성하며, 제3개구부(H3) 내의 제3화소전극(LE3) 상에는 제3파장(λ3)의 광을 방출하는 제3중간층(IM3)을 형성할 수 있다.
제1중간층(IM1), 제2중간층(IM2) 및 제3중간층(IM3)은 서로 다른 두께를 가질 수 있으며, 제1 내지 제3중간층(IM1, IM2, IM3)의 두께(t1, t2, t3)를 조절함으로써 제1 내지 제3화소전극(LE1, LE2, LE3)과 대향전극(UE) 사이의 거리를 조절할 수 있다.
뱅크층(130) 및 제1 내지 제3중간층(IM1, IM2, IM3) 상에 대향전극(UE)을 형성하고 대향전극(UE) 상에 상부기판(200, 도 5)을 형성할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상부기판(200)을 형성하기 전에 캡핑층(CPL, 도 4)을 형성하는 단계를 더 수행할 수 있다. 대향전극(UE)은 제1중간층(IM1), 제2중간층(IM2) 및 제3중간층(IM3) 각각과 중첩하는 제1영역(UEa), 제2영역(UEb) 및 제3영역(UEc)을 포함할 수 있다.
다시 도 5를 참조하면, 대향전극(UE)의 제1영역(UEa), 제2영역(UEb), 제3영역(UEc) 각각과 상부기판(200) 사이의 광학 거리(D1, D2, D3)는 다음의 수학식을 만족할 수 있다.
<식>
D1 = A + (λ1)/2 × n
D2 = B + (λ2)/2 × n
D3 = C + (λ3)/2 × n
여기서, A는 λ1의 광이 최초로 최대 세기를 갖는 지점에서의 제1영역(UEa)과 상부기판(200) 사이의 광학 거리, B는 λ2의 광이 최초로 최대 세기를 갖는 지점에서의 제2영역(UEb)과 상부기판(200) 사이의 광학 거리, C는 λ3의 광이 최초로 최대 세기를 갖는 지점에서의 제3영역(UEc)과 상부기판(200) 사이의 광학 거리, n은 0 이상의 정수, λ1, λ2, λ3은 각각 제1파장, 제2파장 및 제3파장을 나타낸다.
이에 대해서는 상술하였으므로 자세한 설명은 생략한다.
다시 도 7을 참조하면, 도 11d의 단계 후에 대향전극(UE) 상에 상부기판(200, 도 7)을 형성한 후, 대향전극(UE)과 상부기판(200) 사이에 충진재(2300)를 충진하는 단계를 더 포함할 수 있다.
다시 도 9를 참조하면, 도 11a 및 도 11b의 비아절연층(2120)을 형성하는 단계에서, 추가 마스크를 이용하거나 리플로우(reflow) 등의 방법을 통해 예비 비아절연층(2120)의 상면의 일부를 돔 형태로 형성함으로써 비아절연층(4120, 도 9)을 형성할 수 있다.
도 12a 및 도 12c는 도 8의 표시 장치의 제조방법의 일부 단계를 개략적으로 나타낸 단면도들이다.
도 12a를 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조방법은 기판(100) 상에 적어도 하나의 박막트랜지스터(TFT)를 포함하는 화소회로층(PCL, 도 4)을 형성하는 단계 및 화소회로층(PCL) 상에 비아절연층(3120)을 형성하는 단계를 수행할 수 있다.
도 12b를 참조하면, 비아절연층(3120) 상에 제1더미절연층(410), 제2더미절연층(420) 및 제3더미절연층(430)을 형성할 수 있다. 제1 내지 제3더미절연층(410, 420, 430)은 각각 서로 다른 두께(Ga, Gb, Gc)로 형성될 수 있다. 제1 내지 제3더미절연층(410, 420, 430)은 별도의 마스크 공정을 통해 형성되거나 하프톤마스크를 이용하여 하나의 공정을 통해 형성될 수 있다.
도 12c를 참조하면, 제1 내지 제3더미절연층(410, 420, 430)을 형성한 후, 제1 내지 제3화소전극(LE1, LE2, LE3), 뱅크층(130), 제1 내지 제3중간층(IM1, IM2, IM3) 및 대향전극(UE)을 형성할 수 있다.
다시 도 8을 참조하면, 대향전극(UE) 상에 상부전극(200)을 형성할 수 있으며, 대향전극(UE)과 상부전극(200) 사이의 거리는 파장에 따른 공진조건을 만족하도록 설정될 수 있다. 상기 거리에 따라 제1 내지 제3더미절연층(410, 420, 430)의 두께(Ga, Gb, Gc)가 정해질 수 있다.
다시 도 10을 참조하면, 도 12b의 제1 내지 제3더미절연층(410, 420, 430)을 형성하는 단계에서, 마스크를 이용하거나 리플로우(reflow) 등의 방법을 통해 제1 내지 제3더미절연층(410, 420, 430)의 상면을 돔 형태로 형성함으로써 도 10의 제1 내지 제3더미절연층(410', 420', 430')을 형성할 수 있다.
상술한 바와 같이, 실시예들에 따른 표시 장치는, 대향전극(UE)과 상부기판(200) 사이의 거리를 파장에 따른 공진조건에 부합하도록 설정할 수 있다.
즉, 상부기판(200)과 대향전극(UE) 사이에서 유기발광소자(OLED)로부터 방출된 광의 일부가 반사 및 재반사를 반복할 수 있으며, 대향전극(UE)과 상부기판(200) 사이의 거리를 공진조건에 맞게 설정함으로써 표시 장치의 광 효율을 향상시킬 수 있다.
이와 같은 본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
LE1, LE2, LE3, LE1', LE2', LE3': 제1 내지 제3화소전극
IM1, IM2, IM3, IM1', IM2', IM3': 제1 내지 제3중간층
UE: 대향전극
CPL: 캡핑층
100: 기판
130: 뱅크층
200: 상부기판
410, 420, 430, 410', 420', 430': 제1 내지 제3더미절연층
1120, 2120, 3120, 4120: 비아절연층
1300: 공기
2300: 충진재

Claims (20)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 배치되며 적어도 하나의 박막트랜지스터를 포함하는 화소회로층;
    상기 화소회로층 상에 배치된 비아절연층;
    상기 비아절연층 상에 배치된 제1화소전극;
    상기 비아절연층 상에 배치되며, 상기 제1화소전극의 적어도 일부를 노출하는 제1개구부를 포함하는 뱅크층;
    상기 제1개구부 내의 상기 제1화소전극 상에 배치되며 제1파장을 포함하는 광을 방출하는 제1중간층;
    상기 제1중간층 상에 배치되며, 상기 제1중간층과 중첩하는 제1영역을 포함하는 대향전극; 및
    상기 대향전극 상에 배치된 상부기판;을 포함하며,
    상기 제1영역과 상기 상부기판 사이의 광학 거리(D1)는, 다음의 식을 만족하는, 표시 장치.
    D1 = A + (λ1)/2 × n
    여기서, A는 λ1의 광이 최초로 최대 세기를 갖는 지점에서의 상기 제1영역과 상기 상부기판 사이의 광학 거리, n은 0 이상의 정수, λ1은 상기 제1파장을 나타낸다.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 비아절연층 상에 배치된 제2화소전극 및 제3화소전극;
    상기 제2화소전극 상에 배치되며 제2파장을 포함하는 광을 방출하는 제2중간층 및 상기 제3화소전극 상에 배치되며 제3파장을 포함하는 광을 방출하는 제3중간층;을 더 포함하며,
    상기 뱅크층은 상기 제2화소전극 및 상기 제2화소전극 각각의 적어도 일부를 노출하는 제2개구부 및 제3개구부를 포함하고,
    상기 대향전극은 상기 제2중간층 및 상기 제3중간층 각각과 중첩하는 제2영역 및 제3영역을 포함하는, 표시 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제2영역 및 상기 제3영역 각각과 상기 상부기판 사이의 광학 거리(D2, D3)는, 다음의 식을 만족하는, 표시 장치.
    D2 = B + (λ2)/2 × n
    D3 = C + (λ3)/2 × n
    여기서, B는 λ2의 광이 최초로 최대 세기를 갖는 지점에서의 상기 제2영역과 상기 상부기판 사이의 광학 거리, C는 λ3의 광이 최초로 최대 세기를 갖는 지점에서의 상기 제3영역과 상기 상부기판 사이의 광학 거리, n은 0 이상의 정수, λ2 및 λ3은 각각 상기 제2파장 및 상기 제3파장을 나타낸다.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 제1파장, 상기 제2파장 및 상기 제3파장의 광은 각각 적색광, 녹색광 및 청색광인, 표시 장치.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 제1중간층, 상기 제2중간층 및 제3중간층은 서로 다른 두께를 갖는, 표시 장치.
  6. 제2항에 있어서,
    상기 비아절연층은 상기 제1화소전극, 상기 제2화소전극 및 상기 제3화소전극과 중첩하는 영역에서 각각 다른 두께를 갖는, 표시 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 비아절연층의 상기 제1화소전극, 상기 제2화소전극 및 상기 제3화소전극과 각각 접하는 상면은 돔 형상을 갖는, 표시 장치.
  8. 제2항에 있어서,
    상기 비아절연층과 상기 제1화소전극, 상기 제2화소전극 및 상기 제3화소전극 중 적어도 하나 사이에 배치된 더미절연층을 더 포함하는, 표시 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 비아절연층과 상기 제1화소전극, 상기 제2화소전극 및 상기 제3화소전극 사이에 각각 제1더미절연층, 제2더미절연층 및 제3더미절연층이 배치되며,
    상기 제1더미절연층, 상기 제2더미절연층 및 상기 제3더미절연층은 서로 다른 두께를 갖는, 표시 장치.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 더미절연층의 상면은 돔 형상을 갖는, 표시 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 대향전극과 상기 상부기판 사이에 배치된 캡핑층을 더 포함하는, 표시 장치.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 대향전극과 상기 상부기판 사이의 공간에는 공기(air)가 충진된, 표시 장치.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 대향전극과 상기 상부기판 사이의 공간에는 충진재가 충진되며,
    상기 제1영역과 상기 상부기판 사이의 광학 거리는 다음의 식을 만족하는, 표시 장치.
    D1 = nf × D1p
    여기서, 상기 nf는 상기 충진재의 굴절률, D1p는 상기 제1영역과 상기 상부기판 사이의 물리적 거리를 나타낸다.
  14. 기판 상에 적어도 하나의 박막트랜지스터를 포함하는 화소회로층을 형성하는 단계;
    상기 화소회로층 상에 비아절연층을 형성하는 단계;
    상기 비아절연층 상에 제1화소전극을 형성하는 단계;
    상기 비아절연층 상에 상기 제1화소전극의 적어도 일부를 노출하는 제1개구부를 포함하는 뱅크층을 형성하는 단계;
    상기 제1화소전극 상에 제1파장을 포함하는 광을 방출하는 발광 물질을 포함하는 잉크를 토출하여 제1중간층을 형성하는 단계;
    사이 뱅크층 및 상기 제1중간층 상에, 상기 제1중간층과 중첩하는 제1영역을 포함하는 대향전극을 형성하는 단계; 및
    상기 대향전극 상에 상부기판을 형성하는 단계;를 포함하며,
    상기 제1영역과 상기 상부기판 사이의 광학 거리(D1)는, 다음의 식을 만족하는, 표시 장치의 제조방법.
    D1 = A + (λ1)/2 × n
    여기서, A는 λ1의 광이 최초로 최대 세기를 갖는 지점에서의 상기 제1영역과 상기 상부기판 사이의 광학 거리, n은 0 이상의 정수, λ1은 상기 제1파장을 나타낸다.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 비아절연층 상에 제2화소전극 및 제3화소전극을 형성하는 단계;
    상기 제2화소전극 상에 배치되며 제2파장을 포함하는 광을 방출하는 제2중간층 및 상기 제3화소전극 상에 배치되며 제3파장을 포함하는 광을 방출하는 제3중간층을 형성하는 단계;를 더 포함하는, 표시 장치의 제조방법
  16. 제15항에 있어서,
    상기 비아절연층을 형성하는 단계는,
    하프톤 마스크를 이용하여, 상기 제1화소전극, 상기 제2화소전극 및 상기 제3화소전극에 중첩하는 영역에서 각각 다른 두께를 갖는 상기 비아절연층을 형성하는 단계를 포함하는, 표시 장치의 제조방법.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 비아절연층을 형성하는 단계에서,
    상기 제1화소전극, 상기 제2화소전극, 상기 제3화소전극과 접하는 상면이 각각 돔 형상을 갖도록 상기 비아절연층을 형성하는, 표시 장치의 제조방법.
  18. 제15항에 있어서,
    상기 비아절연층을 형성하는 단계 후에,
    상기 비아절연층과 상기 제1화소전극 사이에 제1더미절연층, 상기 비아절연층과 상기 제2화소전극 사이에 제2더미절연층, 상기 비아절연층과 상기 제3화소전극 사이에 제3더미절연층을 형성하는 단계를 더 포함하며,
    상기 제1더미절연층, 상기 제2더미절연층 및 상기 제3더미절연층은 각각 서로 다른 두께로 형성되는, 표시 장치의 제조방법.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 제1더미절연층, 상기 제2더미절연층 및 상기 제3더미절연층을 형성하는 단계에서,
    상기 제1더미절연층, 상기 제2더미절연층 및 상기 제3더미절연층은 상면이 각각 돔 형상을 갖도록 형성되는, 표시 장치의 제조방법.
  20. 제13항에 있어서,
    상기 상부기판을 형성하는 단계 후에,
    상기 대향전극과 상기 상부기판 사이에 충진재를 충진하는 단계를 더 포함하는, 표시 장치의 제조방법.
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KR100968191B1 (ko) 2004-11-16 2010-07-06 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 유전체 캐핑층들을 포함하는 유기 발광 소자들
KR100852111B1 (ko) * 2005-07-13 2008-08-13 삼성에스디아이 주식회사 평판 디스플레이 장치 및 그 제조방법
TWI330998B (en) * 2007-01-16 2010-09-21 Chimei Innolux Corp Top emitter organic electroluminescent display
JP2010518557A (ja) * 2007-02-05 2010-05-27 エルジー・ケム・リミテッド 発光効率に優れた有機発光素子およびその製造方法
EP2172990A1 (en) 2008-10-03 2010-04-07 Thomson Licensing OLED or group of adjacent OLEDs with a light-extraction enhancement layer efficient over a large range of wavelengths
JP2010232163A (ja) * 2009-03-03 2010-10-14 Fujifilm Corp 発光表示装置の製造方法、発光表示装置、及び発光ディスプレイ
US20120188215A1 (en) 2011-01-24 2012-07-26 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Electromechanical devices with variable mechanical layers
KR101830301B1 (ko) * 2011-10-24 2018-02-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101464270B1 (ko) * 2012-08-24 2014-11-21 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 및 그 제조 방법
JP6164402B2 (ja) * 2013-03-27 2017-07-19 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ装置の製造方法、および有機ｅｌ装置
KR102067159B1 (ko) 2013-05-24 2020-01-16 삼성전자주식회사 색 변화 저감용 광학 필름 및 이를 채용한 유기발광 표시장치
KR102151754B1 (ko) * 2013-11-20 2020-09-04 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR102335812B1 (ko) * 2014-09-19 2021-12-09 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
CN105161631B (zh) * 2015-07-21 2019-01-22 上海和辉光电有限公司 一种有机发光二极管器件及制备方法以及有机发光显示面板
KR102513910B1 (ko) * 2017-12-18 2023-03-23 엘지디스플레이 주식회사 전계발광 표시장치

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