CN114373790A - 显示装置 - Google Patents

显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN114373790A
CN114373790A CN202111196045.7A CN202111196045A CN114373790A CN 114373790 A CN114373790 A CN 114373790A CN 202111196045 A CN202111196045 A CN 202111196045A CN 114373790 A CN114373790 A CN 114373790A
Authority
CN
China
Prior art keywords
pixel electrode
layer
light
display device
upper substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202111196045.7A
Other languages
English (en)
Inventor
罗艺瑟
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN114373790A publication Critical patent/CN114373790A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/876—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/852—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8052—Cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/88—Dummy elements, i.e. elements having non-functional features
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/351—Thickness

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

提供了一种显示装置，所述显示装置包括：第一像素电极；堤层，限定暴露第一像素电极的至少一部分的第一开口；第一中间层，在第一开口中布置在第一像素电极上，并且发射包括第一波长的光的光；对电极，布置在第一中间层上，并且包括在平面图中与第一中间层叠置的第一区域；以及上基底，布置在对电极上。第一区域与上基底之间的第一光学距离满足以下等式：D1＝A+(λ1)/2×n，其中，D1表示第一光学距离，A表示在λ1的光具有最大强度的点处第一区域与上基底之间的最小光学距离，n是等于或大于0的整数，并且λ1表示第一波长。

Description

显示装置
本申请要求于2020年10月15日提交的第10-2020-0133732号韩国专利申请的优先权和从中获得的全部权益，该韩国专利申请的内容通过引用全部包含于此。
技术领域
一个或更多个实施例涉及显示装置和制造该显示装置的方法。
背景技术
有机发光显示装置可以在低电压下驱动，是薄且轻的，并且具有宽的视角、优异的对比度和快的响应速度，因此已经作为下一代显示装置而受到关注。
有机发光显示装置具有宽的发光波长，因此具有降低的发光效率和降低的颜色纯度。另外，由于从有机发射层发射的光不具有特定的方向性，因此在任意方向上发射的大量光子由于有机发光器件的全内反射而未到达实际观察者，从而使有机发光元件的光提取效率劣化。因此，使用通过控制有机发射层的厚度形成谐振结构来提高光提取效率的方法。然而，仅通过使用谐振结构，存在提高包括使用印刷方法形成的有机发射层的有机发光显示装置的光提取效率的限制。
发明内容
一个或更多个实施例包括具有改善的光提取效率的显示装置和制造该显示装置的方法。
附加的方面将在以下的描述中部分地阐述，并且部分地将通过描述明显，或者可以通过实践公开的所呈现的实施例来获知。
根据一个或更多个实施例，显示装置包括：基底；像素电路层，布置在基底上，并且包括至少一个薄膜晶体管；过孔绝缘层，布置在像素电路层上；第一像素电极，布置在过孔绝缘层上；堤层，布置在过孔绝缘层上，并且限定暴露第一像素电极的至少一部分的第一开口；第一中间层，在第一开口中布置在第一像素电极上，并且发射包括第一波长的光的光；对电极，布置在第一中间层上，并且包括在平面图中与第一中间层叠置的第一区域；以及上基底，布置在对电极上，其中，第一区域与上基底之间的第一光学距离满足以下等式：
D1＝A+(λ1)/2×n，其中，D1表示第一光学距离，A表示在λ1的光具有最大强度的点处第一区域与上基底之间的最小光学距离，n是等于或大于0的整数，并且λ1表示第一波长。
显示装置还可以包括：第二像素电极和第三像素电极，布置在过孔绝缘层上；以及第二中间层和第三中间层，第二中间层布置在第二像素电极上并且发射包括第二波长的光的光，第三中间层布置在第三像素电极上并且发射包括第三波长的光的光，其中，堤层限定分别暴露第二像素电极的一部分和第三像素电极的一部分的第二开口和第三开口，并且对电极还包括在平面图中分别与第二中间层和第三中间层叠置的第二区域和第三区域。
在厚度方向上第二区域与上基底之间的第二光学距离和第三区域与上基底之间的第三光学距离可以分别满足以下等式：
D2＝B+(λ2)/2×n2
D3＝C+(λ3)/2×n3
这里，D2表示第二光学距离，D3表示第三光学距离，B是在λ2的光具有最大强度的点处第二区域与上基底之间的最小光学距离，C是在λ3的光具有最大强度的点处第三区域与上基底之间的最小光学距离，n2和n3是等于或大于0的整数，并且λ2和λ3分别表示第二波长和第三波长。
第一波长的光、第二波长的光和第三波长的光可以分别包括红光、绿光和蓝光。
第一中间层、第二中间层和第三中间层可以具有彼此不同的厚度。
过孔绝缘层的分别与第一像素电极、第二像素电极和第三像素电极叠置的区域可以具有彼此不同的厚度。
过孔绝缘层的上表面的分别接触第一像素电极、第二像素电极和第三像素电极的部分可以具有圆顶形状。
显示装置还可以包括：虚设绝缘层，在第一像素电极、第二像素电极和第三像素电极中的至少一个与过孔绝缘层之间。
第一虚设绝缘层、第二虚设绝缘层和第三虚设绝缘层可以分别布置在第一像素电极、第二像素电极和第三像素电极与过孔绝缘层之间，并且第一虚设绝缘层、第二虚设绝缘层和第三虚设绝缘层可以具有彼此不同的厚度。
虚设绝缘层的上表面可以具有圆顶形状。
显示装置还可以包括：盖层，在对电极与上基底之间。
空气可以填充在对电极与上基底之间的空间中。
填料可以填充在对电极与上基底之间的空间中，并且第一区域与上基底之间的第一光学距离满足以下等式：
D1＝nf×D1p，其中，nf表示填料的折射率，并且D1p表示第一区域与上基底之间的物理距离。
根据一个或更多个实施例，制造显示装置的方法包括以下步骤：在基底上形成包括至少一个薄膜晶体管的像素电路层；在像素电路层上形成过孔绝缘层；在过孔绝缘层上形成第一像素电极；在过孔绝缘层上形成堤层，堤层限定暴露第一像素电极的至少一部分的第一开口；通过喷射包括发射包括第一波长的光的光的发光材料的墨在第一像素电极上形成第一中间层；在堤层和第一中间层上形成包括在平面图中与第一中间层叠置的第一区域的对电极；以及在对电极上形成上基底，其中，第一区域与上基底之间的第一光学距离满足以下等式：
D1＝A+(λ1)/2×n，其中，D1表示第一光学距离，A表示在λ1的光具有最大强度的点处第一区域与上基底之间的最小光学距离，n是等于或大于0的整数，并且λ1表示第一波长。
该方法还可以包括以下步骤：在过孔绝缘层上形成第二像素电极和第三像素电极；以及形成布置在第二像素电极上并发射包括第二波长的光的光的第二中间层和布置在第三像素电极上并发射包括第三波长的光的光的第三中间层。
形成过孔绝缘层的步骤可以包括通过使用半色调掩模形成过孔绝缘层，过孔绝缘层在分别与第一像素电极、第二像素电极和第三像素电极叠置的部分中具有不同厚度。
在形成过孔绝缘层的步骤中，可以以圆顶形状形成过孔绝缘层的上表面的部分，所述部分分别接触第一像素电极、第二像素电极和第三像素电极。
该方法还可以包括以下步骤：在形成过孔绝缘层的步骤之后且在形成第一像素电极、第二像素电极和第三像素电极的步骤之前，在过孔绝缘层上形成第一虚设绝缘层、第二虚设绝缘层和第三虚设绝缘层，其中，第一虚设绝缘层在过孔绝缘层与第一像素电极之间，第二虚设绝缘层在过孔绝缘层与第二像素电极之间，并且第三虚设绝缘层在过孔绝缘层与第三像素电极之间，其中，第一虚设绝缘层、第二虚设绝缘层和第三虚设绝缘层的厚度彼此不同。
在形成第一虚设绝缘层、第二虚设绝缘层、第三虚设绝缘层的步骤中，可以以圆顶形状形成第一虚设绝缘层、第二虚设绝缘层和第三虚设绝缘层的上表面。
该方法还可以包括以下步骤：在形成上基底的步骤之后，在对电极与上基底之间填充填料。
附图说明
通过以下结合附图的描述，公开的特定实施例的以上和其他方面、特征和优点将更加明显，在附图中：
图1是根据实施例的显示装置的示意性透视图；
图2是包括在根据实施例的显示装置中的子像素的等效电路图；
图3是示意性地示出根据实施例的显示装置的剖视图；
图4是示意性地示出根据实施例的显示装置的子像素的剖视图；
图5是示意性地示出根据实施例的显示装置的像素的剖视图；
图6是示出第一波长、第二波长和第三波长的光的强度根据图5的对电极与上基底之间的距离的曲线图；
图7是示意性地示出根据另一实施例的显示装置的剖视图；
图8至图10是示意性地示出根据其他实施例的显示装置的剖视图；
图11A至图11D是示出制造图5的显示装置的方法的剖视图；以及
图12A至图12C是示出制造图8的显示装置的方法的一些操作的剖视图。
具体实施方式
现在将详细地参照实施例，在附图中示出了实施例的示例，在附图中同样的附图标记始终表示同样的元件。就此而言，本实施例可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于在这里阐述的描述。因此，下面仅通过参照附图来描述实施例，以解释本描述的方面。在这里使用的术语仅用于描述具体实施例的目的，而不意图进行限制。如在这里使用的，除非内容另外清楚地指出，否则单数形式“一”、“一个(种/者)”和“所述(该)”(包括“至少一个(种/者)”)意图包括复数形式。“或”表示“和/或”。如在这里使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任何组合和所有组合。贯穿公开，表述“a、b和c中的至少一个(种/者)”表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c中的全部或其变型。
由于本公开可以具有各种修改和若干实施例，因此在附图中示出了实施例并且将详细描述实施例。通过参照稍后将参照附图详细描述的实施例，本公开的效果和特征以及实现它们的方式将变得明显。然而，本公开不限于以下实施例，而是可以以各种形式实现。
在下文中，将参照附图详细描述本公开的实施例，并且在参照附图的描述中，同样的附图标记表示同样的元件，并且将省略其冗余描述。
将理解的是，尽管可以在这里使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。
在下面的实施例中，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式包括复数形式。
在本说明书中，将理解的是，诸如“包括”或“具有”的术语意图表示说明书中公开的特征或元件的存在，而不意图排除可以添加一个或更多个其他特征或元件的可能性。
在下面的实施例中，将理解的是，当诸如层、区域或元件的部分被称为“在”另一部分“上”或“上方”时，它可以直接在所述另一部分上或上方，或者也可以存在居间部分。
此外，在附图中，为了便于描述，可以夸大或缩小元件的尺寸。例如，由于为了便于解释而任意地示出了附图中的元件的尺寸和厚度，因此以下实施例不限于此。
当实施例是以另一种方式可实现的时，预定的工艺顺序可以与所描述的工艺顺序不同。例如，连续描述的两个工艺可以基本上同时地执行，或者可以以与描述的顺序相反的顺序执行。
在下面的实施例中，将理解的是，当诸如层、区域或元件的部分被称为“连接”到另一部分时，它可以直接连接到所述另一部分，或者也可以存在居间部分。例如，贯穿说明书，将理解的是，当诸如层、区域或元件的部分被称为“电连接”到另一部分时，它可以直接电连接到所述另一部分，或者它可以间接电连接且居间部分在它们之间。
显示装置是显示图像的装置，并且可以是诸如游戏机、多媒体装置和微型个人计算机(“PC”)的便携式移动装置。稍后描述的显示装置的示例可以包括液晶显示器、电泳显示器、有机发光显示器、无机电致发光(“EL”)显示器、场发射显示器、表面传导电子发射显示器、量子点显示器、等离子体显示器和阴极射线显示器。在下文中，有机发光显示装置将作为根据实施例的显示装置的示例被描述。然而，如上所述的各种类型的显示装置可以在实施例中使用。
图1是根据实施例的显示装置的示意性透视图。
参照图1，显示装置1可以包括基底100上的显示区域DA和非显示区域NDA。
显示区域DA可以显示图像。像素PX可以布置在显示区域DA中。可以使用从像素PX发射的光来提供图像。
非显示区域NDA是不提供图像的区域，像素PX未布置在非显示区域NDA中。非显示区域NDA可以完全围绕显示区域DA。非显示区域NDA可以包括例如用于向像素PX提供电信号或电力的驱动器。非显示区域NDA可以包括作为电子装置或印刷电路板可以电连接至其的区域的垫(pad，或被称为“焊盘”)部分(未示出)。
图2是包括在根据实施例的显示装置中的子像素的等效电路图。
参照图2，子像素PXsub可以包括像素电路PC和连接到像素电路PC的显示元件(例如，有机发光二极管OLED)。像素电路PC可以包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。每个子像素PXsub可以通过有机发光二极管OLED发射例如红色、绿色、蓝色或白色的光。
第二薄膜晶体管T2可以是开关薄膜晶体管并且连接到扫描线SL和数据线DL，并且可以被构造为基于从扫描线SL接收的开关电压或开关信号Sn向第一薄膜晶体管T1传输从数据线DL接收的数据电压或数据信号Dm。存储电容器Cst可以连接到第二薄膜晶体管T2和驱动电压线PL，并且可以存储与从第二薄膜晶体管T2接收的电压和供应到驱动电压线PL的驱动电压ELVDD之间的差对应的电压。
第一薄膜晶体管T1可以是驱动薄膜晶体管并且连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可以根据存储在存储电容器Cst中的电压值来控制从驱动电压线PL流到有机发光二极管OLED的驱动电流。有机发光二极管OLED可以根据驱动电流发射特定亮度的光。有机发光二极管OLED的对电极(例如，阴极)可以接收第二电力电压ELVSS。
尽管图2示出了像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器，但是在另一实施例中，可以根据像素电路PC的设计不同地改变薄膜晶体管的数量和存储电容器的数量。
图3是示意性地示出根据实施例的显示装置的剖视图。
参照图3，显示层DPL可以布置在显示装置1的基底100上。显示层DPL可以包括像素电路层PCL(见图4)和像素电路层PCL上的显示元件层，像素电路层PCL包括像素电路和绝缘层，显示元件层包括多个显示元件。
在实施例中，例如，基底100可以包括玻璃或聚合物树脂，诸如聚醚砜、聚芳酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三乙酸纤维素(“TAC”)或乙酸丙酸纤维素。
显示元件层可以包括显示元件，例如，有机发光二极管。像素电路层PCL可以包括连接到有机发光二极管的像素电路和绝缘层。
上基底200可以布置在显示装置1的显示层DPL上。上基底200可以通过使用封装构件300来结合到基底100，以封装基底100与上基底200之间的内部空间。在内部空间中，可以定位有空气、吸湿剂、填料等。
在一些实施例中，可以使用包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层的薄膜封装层来覆盖显示层DPL。也就是说，可以使用薄膜封装层和/或上基底200来封装显示层DPL。
在图3中，显示层DPL和上基底200被示出为彼此分开，但是根据发明的本公开不限于此。如图4中所示，在另一实施例中，显示层DPL和上基底200可以彼此部分地连接。
尽管未示出，但是触摸电极层可以布置在上基底200上，并且光功能层可以布置在触摸电极层上。触摸电极层可以根据外部输入(例如，触摸事件)获取坐标信息。光功能层可以降低从外部朝向显示装置1入射的光(外部光)的反射率，并且/或者可以改善从显示装置1发射的光的颜色纯度。
图4是示意性地示出根据实施例的显示装置的子像素的剖视图。
参照图4，与图3的附图标记相同的附图标记表示相同的元件，因此将省略重复的描述。
根据实施例的显示装置1包括基底100、布置在基底100上的像素电路层PCL、布置在像素电路层PCL上的过孔绝缘层1120和布置在过孔绝缘层1120上的有机发光二极管OLED。有机发光二极管OLED包括布置在过孔绝缘层1120上的第一像素电极LE1、布置在第一像素电极LE1上并发射包括第一波长λ1的光的光的第一中间层IM1和布置在第一中间层IM1上的对电极UE。
限定暴露第一像素电极LE1的至少一部分的第一开口H1的堤层130可以布置在过孔绝缘层1120上，上基底200可以布置在对电极UE上方。
像素电路层PCL包括布置在基底100上的至少一个薄膜晶体管TFT和多个绝缘层111、113和115。
缓冲层111可以在基底100与薄膜晶体管TFT之间。缓冲层111可以包括诸如氮化硅、氮氧化硅和氧化硅的无机绝缘材料，并且可以具有包括上述无机绝缘材料的单层结构或多层结构。
薄膜晶体管TFT包括半导体层112，半导体层112可以包括多晶硅、非晶硅、氧化物半导体或有机半导体。半导体层112可以包括沟道区以及分别布置在沟道区的相对侧处的漏区和源区。
栅电极114可以布置在半导体层112上方，并且栅电极114可以包括低电阻金属材料。栅电极114可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电材料，并且可以形成为包括以上材料的多层结构或单层结构。
半导体层112与栅电极114之间的栅极绝缘层113可以包括诸如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNX)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnOX)的无机绝缘材料。氧化锌(ZnOX)可以是ZnO和/或ZnO2。
层间绝缘层115可以布置在栅电极114上，层间绝缘层115可以包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNX)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)、氧化锌(ZnOX)等。氧化锌(ZnOX)可以是ZnO和/或ZnO2。层间绝缘层115可以形成为包括上述无机绝缘材料的多层或单层。
漏电极116a和源电极116b可以位于层间绝缘层115上。漏电极116a和源电极116b可以分别通过限定在栅极绝缘层113和层间绝缘层115中的接触孔连接到半导体层112的漏区和源区。漏电极116a和源电极116b可以包括具有高导电性的材料。漏电极116a和源电极116b可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电材料，并且可以形成为包括以上材料的多层结构或单层结构。根据实施例，漏电极116a和源电极116b可以具有Ti/Al/Ti的多层结构。
覆盖薄膜晶体管TFT的过孔绝缘层1120可以布置在像素电路层PCL上。过孔绝缘层1120可以包括有机绝缘材料，并且可以包括例如通用聚合物(诸如聚甲基丙烯酸甲酯(“PMMA”)或聚苯乙烯(“PS”))、具有酚基团的聚合物衍生物、丙烯酰类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或其组合。
第一像素电极LE1和堤层130可以布置在过孔绝缘层1120上，堤层130可以限定暴露第一像素电极LE1的至少一部分的第一开口H1。堤层130可以包括光致抗蚀剂，即，光敏树脂。例如，堤层130可以包括聚酰亚胺、亚克力、马来酸酐/降冰片烯共聚物、羟基苯乙烯/丙烯酸酯共聚物、甲基丙烯酸酯共聚物、重氮萘醌酯(“DNQ”)或线型酚醛树脂。堤层130可以包括具有亲液性或亲水性的材料。
第一像素电极LE1可以通过限定在过孔绝缘层1120中的过孔电连接到诸如包括在像素电路层PCL中的薄膜晶体管TFT的电路单元。第一像素电极LE1可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或其化合物或混合物的反射层，并且诸如氧化铟锡(“ITO”)、氧化铟锌(“IZO”)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(“IGO”)或氧化铝锌(“AZO”)的导电氧化物可以进一步布置在反射层上方和/或下方。第一像素电极LE1可以包括反射电极，有机发光二极管OLED可以是朝向上基底200发射光的顶发射型有机发光二极管。
第一中间层IM1可以布置在第一像素电极LE1上。第一中间层IM1可以布置在堤层130的第一开口H1中，第一中间层IM1在厚度方向(即，z方向)上的厚度在边缘区域中可以比在中心区域中大。也就是说，第一中间层IM1的边缘区域可以比其中心区域厚。第一中间层IM1可以通过将包括有机材料的墨喷射到第一像素电极LE1上然后使墨干燥来形成。
第一中间层IM1可以包括发射层IM1c、空穴注入层(“HIL”)IM1a和/或空穴传输层(“HTL”)IM1b以及电子传输层(“ETL”)IM1d和/或电子注入层(“EIL”)IM1e。发射层IM1c可以包括发射特定颜色的光的聚合物或低分子量有机材料，空穴注入层IM1a和/或空穴传输层IM1b可以布置在发射层IM1c下面，电子传输层IM1d和/或电子注入层IM1e可以布置在发射层IM1c上。
根据实施例，空穴注入层IM1a、空穴传输层IM1b、电子传输层IM1d和电子注入层IM1e中的至少一个可以用作用于控制第一像素电极LE1与对电极UE之间的谐振距离的距离控制层。根据另一实施例，附加的距离控制层可以布置在第一像素电极LE1与对电极UE之间。
对电极UE可以布置在第一中间层IM1和堤层130上。对电极UE可以包括具有低功函数的导电材料。例如，对电极UE可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或其合金的(半)透明层。
第一像素电极LE1与对电极UE之间在厚度方向上的距离可以被设定为满足用于放大将朝向对电极UE发射的具有特定波长的光的谐振条件。从在平面图中与第一像素电极LE1叠置的对电极UE的中心测量第一像素电极LE1与对电极UE之间的距离。例如，在图4中D1的箭头点处测量距离。根据实施例，有机发光二极管OLED可以发射包括第一波长λ1的光的光，可以在第一波长λ1的光具有最大强度的条件下设定第一像素电极LE1与对电极UE之间的距离。
详细地，发射层IM1c可以是发射包括第一波长λ1的光的光的有机材料，从发射层IM1c发射的光具有宽的半峰全宽的光谱。也就是说，从发射层IM1c发射的光不仅包括第一波长λ1的光，而且包括包含第一波长λ1的特定波长带的光。
然而，为了改善显示装置的光效率和图像质量，期望从有机发光二极管OLED发射的光的光谱具有窄的半峰全宽。为了放大期望的特定波长(例如，第一波长λ1)的光并降低其他波长的光的强度，期望第一像素电极LE1与对电极UE之间的距离满足用于放大第一波长λ1的谐振条件。
然而，有机发光二极管OLED不能仅发射第一波长λ1的光，并且通过对电极UE发射的光也具有特定波长。具体地，当使用印刷方法形成第一中间层IM1时，难以调节第一中间层IM1的厚度，因此在完美地调节上述工艺条件方面存在限制。
上基底200可以布置在对电极UE上方，盖层CPL可以附加地布置在对电极UE与上基底200之间。另外，尽管未示出，但是在另一实施例中，薄膜封装层可以进一步布置在盖层CPL上。对电极UE可以一体地遍及多个子像素PXsub形成，对电极UE的接触第一中间层IM1的区域可以被限定为第一区域UEa。
材料的光学距离被限定为通过将材料的对应物理长度乘以材料的折射率而获得的长度。根据实施例，对电极UE与上基底200之间的光学距离D1可以满足以下等式：
<等式>
D1＝A+(λ1)/2×n
这里，A表示在λ1的光第一次具有最大强度的点处对电极UE的第一区域UEa与上基底200之间的光学距离(换言之，A表示在λ1的光具有最大强度的点处对电极UE的第一区域UEa与上基底200之间的最小光学距离)，n是等于或大于0的整数，λ1表示第一波长。
如上所述，第一波长λ1可以是选自从有机发光二极管OLED发射的光的波长范围的波长。第一波长λ1可以是意图从显示装置1中的对应子像素PXsub以最大强度发射的波长。
A表示在λ1的光第一次具有最大强度的点处对电极UE的第一区域UEa与上基底200之间的光学距离。也就是说，A表示在λ1的光具有最大强度的点处对电极UE的第一区域UEa与上基底200之间的最小光学距离。第一区域UEa相对于光学距离D1的参考点可以是第一区域UEa的与第一中间层IM1的中心对应的区域，光学距离D1可以是第一区域UEa的上表面的中心与上基底200的下表面之间的光学距离。稍后将描述光学距离。
根据实施例，空气可以填充在对电极UE与上基底200之间。在这种情况下，由于空气的折射率为1，所以光学距离和物理距离可以彼此相等。如图4中所示，当盖层CPL附加地布置在对电极UE与上基底200之间时，光学距离可以是通过将盖层CPL与上基底200之间的距离与通过将盖层CPL的折射率乘以盖层CPL在厚度方向(即，z方向)上的厚度而获得的距离相加而获得的值。
从有机发光二极管OLED发射的光可以在上基底200的下表面上反射，并且反射光可以在对电极UE的上表面上再次反射。也就是说，光的一部分可以在上基底200与对电极UE之间重复地反射和再反射。
根据实施例，可以通过将对电极UE与上基底200之间的距离设定为满足谐振条件来改善显示装置的效率。如上所述，谐振结构可以形成在第一像素电极LE1与对电极UE之间，此外，谐振结构也可以形成在对电极UE与上基底200之间，从而进一步改善显示装置的光效率。
图5是示意性地示出根据实施例的显示装置的像素的剖视图。图6是示出第一波长、第二波长和第三波长的光的强度根据图5的对电极与上基底之间的距离的曲线图。关于图5的显示装置，与图4的附图标记相同的附图标记表示相同的元件，因此将省略重复描述。
参照图5，根据实施例的显示装置的像素PX包括基底100、布置在基底100上并且包括至少一个薄膜晶体管TFT的像素电路层PCL、布置在像素电路层PCL上的过孔绝缘层2120以及布置在过孔绝缘层2120上的第一像素电极LE1、第二像素电极LE2和第三像素电极LE3。限定分别暴露第一像素电极LE1、第二像素电极LE2和第三像素电极LE3中的每个的至少一部分的第一开口H1、第二开口H2和第三开口H3的堤层130布置在过孔绝缘层2120上。第一中间层IM1、第二中间层IM2和第三中间层IM3分别布置在第一开口H1、第二开口H2和第三开口H3中。
第一中间层IM1可以布置在第一像素电极LE1上并发射包括第一波长λ1的光的光。第二中间层IM2可以布置在第二像素电极LE2上并发射包括第二波长λ2的光的光，第三中间层IM3可以布置在第三像素电极LE3上并发射包括第三波长λ3的光的光。
根据实施例，第一波长λ1、第二波长λ2和第三波长λ3可以分别与红光、绿光和蓝光对应。第一波长λ1可以是选自从第一中间层IM1发射的光的波长范围的波长，第一波长λ1可以是意图在红色子像素中以最大强度发射的波长。第二波长λ2和第三波长λ3可以是分别选自从第二中间层IM2和第三中间层IM3发射的光的波长范围的波长，并且可以是意图分别在绿色子像素和蓝色子像素中以最大强度发射的波长。
如上所述，第一像素电极LE1、第二像素电极LE2和第三像素电极LE3与对电极UE之间的距离可以被设定为满足谐振条件，因此第一中间层IM1、第二中间层IM2和第三中间层IM3的厚度t1、t2和t3可以彼此不同。
对电极UE可以布置在堤层130、第一中间层IM1、第二中间层IM2和第三中间层IM3上，对电极UE可以包括与第一中间层IM1叠置的第一区域UEa、与第二中间层IM2叠置的第二区域UEb和与第三中间层IM3叠置的第三区域UEc。这里，“叠置”是指当在与基底100的主表面垂直的方向(即，z方向)上观察(即，在平面图中观察)时，对应的元件叠置。上基底200可以布置在对电极UE上。空气1300可以填充在对电极UE与上基底200之间的空间中。尽管未示出，但是如图4中所示，盖层CPL可以进一步布置在对电极UE上。
第一区域UEa与上基底200之间的光学距离D1、第二区域UEb与上基底200之间的光学距离D2和第三区域UEc与上基底200之间的光学距离D3可以分别满足以下等式。在下文中，D1、D2和D3分别被称为第一光学距离、第二光学距离和第三光学距离。
<等式>
D1＝A+(λ1)/2×n1
D2＝B+(λ2)/2×n2
D3＝C+(λ3)/2×n3
这里，A表示在λ1的光第一次具有最大强度的点处对电极UE的第一区域UEa与上基底200之间的光学距离(换言之，A表示在λ1的光具有最大强度的点处对电极UE的第一区域UEa与上基底200之间的最小光学距离)，B表示在λ2的光第一次具有最大强度的点处对电极UE的第二区域UEb与上基底200之间的光学距离(换言之，B表示在λ2的光具有最大强度的点处对电极UE的第二区域UEb与上基底200之间的最小光学距离)，C表示在λ3的光第一次具有最大强度的点处对电极UE的第三区域UEc与上基底200之间的光学距离(换言之，C表示在λ3的光具有最大强度的点处对电极UE的第三区域UEc与上基底200之间的最小光学距离)。n1、n2和n3表示等于或大于0的整数，n1、n2和n3可以是彼此不同的整数。λ1、λ2和λ3分别表示第一波长、第二波长和第三波长。
第一区域UEa、第二区域UEb和第三区域UEc的相对于第一光学距离D1至第三光学距离D3的参考点可以是第一区域UEa、第二区域UEb和第三区域UEc中的每个的分别与第一中间层IM1、第二中间层IM2和第三中间层IM3的中心对应的部分。第一光学距离D1至第三光学距离D3可以分别是第一区域UEa的上表面与上基底200的下表面之间的距离、第二区域UEb的上表面与上基底200的下表面之间的距离和第三区域UEc的上表面与上基底200的下表面之间的距离。
参照图6，示出了根据对电极UE与上基底200之间的距离的第一波长λ1、第二波长λ2和第三波长λ3的光的强度。A、B和C分别表示第一波长λ1的光、第二波长λ2的光和第三波长λ3的光第一次具有最大强度的点处的距离。光的强度以任意单位表示。
当在以上等式中n1、n2和n3为0时，A、B和C可以分别等于D1、D2和D3。
在图5中，第二光学距离D2是最大的，而第一光学距离D1是最小的，但是根据发明的本公开不限于此。第一光学距离D1、第二光学距离D2和第三光学距离D3的大小可以根据n1、n2和n3的值而变化。
根据实施例，第一中间层IM1、第二中间层IM2和第三中间层IM3的厚度t1、t2和t3可以彼此不同，并且第一光学距离D1、第二光学距离D2和第三光学距离D3也可以彼此不同。为了将第一光学距离D1、第二光学距离D2和第三光学距离D3设定为满足谐振条件，过孔绝缘层2120可以在其分别与第一像素电极LE1、第二像素电极LE2和第三像素电极LE3对应的部分中具有不同的厚度。因此，过孔绝缘层2120的上表面可以不是平坦的。在图5中，过孔绝缘层2120在第一像素电极LE1下面最薄，在第三像素电极LE3下面最厚。然而，根据发明的本公开不限于此。也就是说，为了将第一光学距离D1、第二光学距离D2和第三光学距离D3设定为期望距离，过孔绝缘层2120的与各个子像素对应的区域的厚度可以变化。
根据实施例，通过设定对电极UE与上基底200之间的距离以满足红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素中的每个中的谐振条件，可以改善显示装置的光效率和质量。
图7是示意性地示出根据另一实施例的显示装置的剖视图。关于图7的显示装置，与图5的附图标记相同的附图标记表示相同的元件，因此将省略重复描述。
参照图7，除了是填料2300而不是空气填充在对电极UE与上基底200之间之外，图7的显示装置包括与图5的显示装置的组件相同的组件。
填料2300可以具有其值大于1的特定折射率，因此，可以通过将填料2300的折射率乘以对电极UE与上基底200之间的物理距离来确定对电极UE与上基底200之间的光学距离。
在实施例中，例如，对电极UE的第一区域UEa与上基底200之间的第一光学距离D1可以满足以下等式。
<等式>
D1＝nf×D1p
这里，nf表示填料2300的折射率，D1p表示第一区域UEa与上基底200之间在厚度方向(即，z方向)上的物理距离。
当另一层在对电极UE与上基底200之间时，要考虑由于另一层的光学距离。
图8至图10是示意性地示出根据其他实施例的显示装置的剖视图。关于图8至图10的显示装置，与图5的附图标记相同的附图标记表示相同的元件，因此将省略重复描述。
参照图8，除了过孔绝缘层3120的上表面是平坦的并且第一虚设绝缘层410、第二虚设绝缘层420和第三虚设绝缘层430布置在过孔绝缘层3120上之外，图8的显示装置包括与图5的显示装置的组件相同的组件。
第一虚设绝缘层410可以布置在过孔绝缘层3120与第一像素电极LE1之间，第二虚设绝缘层420可以布置在过孔绝缘层3120与第二像素电极LE2之间，第三虚设绝缘层430可以布置在过孔绝缘层3120与第三像素电极LE3之间。
根据实施例，第一虚设绝缘层410、第二虚设绝缘层420和第三虚设绝缘层430可以具有彼此不同的厚度Ga、Gb和Gc。虽然在图8中布置了第一虚设绝缘层410、第二虚设绝缘层420和第三虚设绝缘层430中的全部，但是本公开不限于此。根据另一实施例，可以布置第一虚设绝缘层410、第二虚设绝缘层420和第三虚设绝缘层430中的一个或两个。虽然在图8中第一虚设绝缘层410的厚度Ga被示出为最薄，而第三虚设绝缘层430的厚度Gc被示出为最厚，但是本公开不限于此。第一虚设绝缘层410、第二虚设绝缘层420和第三虚设绝缘层430的厚度Ga、Gb和Gc可以根据设定的第一光学距离D1、第二光学距离D2和第三光学距离D3而变化。
第一虚设绝缘层410、第二虚设绝缘层420和第三虚设绝缘层430可以包括无机绝缘材料或有机绝缘材料，并且可以使用其厚度在制造工艺期间易于调节的材料形成。与第一像素电极LE1、第二像素电极LE2和第三像素电极LE3一样，第一虚设绝缘层410、第二虚设绝缘层420和第三虚设绝缘层430可以在每个子像素中以岛形状布置。
参照图9，除了过孔绝缘层4120在第一像素电极LE1'、第二像素电极LE2'和第三像素电极LE3'下面具有圆顶形状之外，其他元件与图5的显示装置的其他元件相同。
过孔绝缘层4120可以在第一像素电极LE1'、第二像素电极LE2'和第三像素电极LE3'下面具有不同的厚度，并且可以在第一像素电极LE1'、第二像素电极LE2'和第三像素电极LE3'下面具有圆顶形状。过孔绝缘层4120的圆顶形状的最凸出部分可以与第一中间层IM1'、第二中间层IM2'和第三中间层IM3'中的每个的中心部分叠置，圆顶区域可以分开地位于每个子像素中并以岛形式布置。
由于过孔绝缘层4120的圆顶形状，第一像素电极LE1'、第二像素电极LE2'和第三像素电极LE3'中的每个也以具有凸出中心部分的圆顶形状布置。如上所述，第一中间层IM1'、第二中间层IM2'和第三中间层IM3'可以在其边缘部分中具有比在其中心部分中大的厚度。如图9中所示，由于第一像素电极LE1'、第二像素电极LE2'和第三像素电极LE3'的凸出形状，第一中间层IM1'、第二中间层IM2'和第三中间层IM3'的上表面可以是基本上平坦的。
根据上述构造，光可以遍及全部的子像素均匀地发射，从而改善显示装置的光质量。
参照图10，除了第一虚设绝缘层410'、第二虚设绝缘层420'和第三虚设绝缘层430'的上表面具有圆顶形状之外，其他元件与图8的显示装置的其他元件相同。
通过以圆顶形状形成第一虚设绝缘层410'、第二虚设绝缘层420'和第三虚设绝缘层430'的上表面，第一像素电极LE1'、第二像素电极LE2'和第三像素电极LE3'中的每个也可以具有拥有凸出中心部分的圆顶形状，并且第一中间层IM1'、第二中间层IM2'和第三中间层IM3'的上表面可以是基本上平坦的。这里，术语“平坦的”是指第一中间层IM1'、第二中间层IM2'和第三中间层IM3'的上表面比图5和图8的第一中间层IM1、第二中间层IM2和第三中间层IM3的上表面平坦。
图11A至图11D是示出制造图5的显示装置的方法的剖视图。
参照图11A，根据实施例的制造显示装置的方法可以包括在基底100上形成包括至少一个薄膜晶体管TFT的像素电路层PCL(见图4)以及在像素电路层PCL上形成初始过孔绝缘层2120'。
在初始过孔绝缘层2120'上布置半色调掩模HM之后，可以通过半色调掩模HM照射光。半色调掩模HM可以包括具有最高透光率的第一部分S1、具有比第一部分S1低的透光率的第二部分S2和阻挡光的第三部分S3。在照射光之后，可以通过显影工艺去除初始过孔绝缘层2120'的一部分。
该方法是其中使用正性光敏材料形成初始过孔绝缘层2120'的示例，在另一实施例中，当初始过孔绝缘层2120'不是光敏材料时，可以在初始过孔绝缘层2120'上附加地形成光敏材料，然后可以执行曝光。
参照图11B，可以通过曝光和显影初始过孔绝缘层2120'来形成包括具有不同厚度的区域的过孔绝缘层2120。
参照图11C，在过孔绝缘层2120中形成过孔之后，可以在过孔绝缘层2120上形成第一像素电极LE1、第二像素电极LE2和第三像素电极LE3。
由于过孔绝缘层2120包括不同厚度的区域，因此第一像素电极LE1、第二像素电极LE2和第三像素电极LE3可以布置在距基底100不同的高度处。
可以在过孔绝缘层2120上形成限定分别暴露第一像素电极LE1、第二像素电极LE2和第三像素电极LE3中的每个的至少一部分的第一开口H1、第二开口H2和第三开口H3的堤层130。
参照图11D，可以通过将包括发射第一波长λ1的光的发光材料的墨喷射到第一开口H1中的第一像素电极LE1上来形成第一中间层IM1。除了发射光的发射层IM1c(见图4)之外，第一中间层IM1还可以包括其他功能层。可以在第二开口H2中的第二像素电极LE2上形成发射第二波长λ2的光的第二中间层IM2，可以在第三开口H3中的第三像素电极LE3上形成发射第三波长λ3的光的第三中间层IM3。
第一中间层IM1、第二中间层IM2和第三中间层IM3可以在厚度方向(即，z方向)上具有彼此不同的厚度，可以通过分别调节第一中间层IM1、第二中间层IM2和第三中间层IM3的厚度t1、t2和t3来调节第一像素电极LE1、第二像素电极LE2和第三像素电极LE3与对电极UE之间的距离。
可以在堤层130以及第一中间层IM1、第二中间层IM2和第三中间层IM3上形成对电极UE，可以在对电极UE上形成上基底200(见图5)。根据实施例，在形成上基底200之前，还可以执行形成盖层CPL(见图4)的操作。对电极UE可以包括分别与第一中间层IM1、第二中间层IM2和第三中间层IM3叠置的第一区域UEa、第二区域UEb和第三区域UEc。
返回参照图5，上基底200与对电极UE的第一区域UEa、第二区域UEb和第三区域UEc中的每个之间的光学距离D1、D2和D3可以满足以下等式。
<等式>
D1＝A+(λ1)/2×n1
D2＝B+(λ2)/2×n2
D3＝C+(λ3)/2×n3
这里，A是在λ1的光第一次具有最大强度的点处第一区域UEa与上基底200之间的光学距离(换言之，A是在λ1的光具有最大强度的点处第一区域UEa与上基底200之间的最小光学距离)；B是在λ2的光第一次具有最大强度的点处第二区域UEb与上基底200之间的光学距离(换言之，B是在λ2的光具有最大强度的点处第二区域UEb与上基底200之间的最小光学距离)；C是在λ3的光第一次具有最大强度的点处第三区域UEc与上基底200之间的光学距离(换言之，C是在λ3的光具有最大强度的点处第三区域UEc与上基底200之间的最小光学距离)；n1、n2和n3是等于或大于0的整数；λ1、λ2和λ3分别表示第一波长、第二波长和第三波长。
上面已经提供了以上描述，因此将省略其详细描述。
返回参照图7，在图11D的操作之后，该方法还可以包括在对电极UE上形成上基底200(见图7)然后用填料2300填充对电极UE与上基底200之间的空间的操作。
返回参照图9，在形成图11A和图11B的初始过孔绝缘层2120'和过孔绝缘层2120的步骤中，可以通过使用附加掩模或回流方法等以圆顶形状形成初始过孔绝缘层2120'的上表面的一部分来形成过孔绝缘层4120(见图9)。
图12A至图12C是示出制造图8的显示装置的方法的一些操作的剖视图。
参照图12A，根据实施例的制造显示装置的方法可以包括在基底100上形成包括至少一个薄膜晶体管TFT的像素电路层PCL(见图4)以及在像素电路层PCL上形成过孔绝缘层3120。
参照图12B，可以在过孔绝缘层3120上形成第一虚设绝缘层410、第二虚设绝缘层420和第三虚设绝缘层430。第一虚设绝缘层410、第二虚设绝缘层420和第三虚设绝缘层430可以具有彼此不同的厚度Ga、Gb和Gc。可以在分开的掩模工艺中或在使用半色调掩模的单个工艺中形成第一虚设绝缘层410、第二虚设绝缘层420和第三虚设绝缘层430。
参照图12C，在形成第一虚设绝缘层410、第二虚设绝缘层420和第三虚设绝缘层430之后，可以形成第一像素电极LE1、第二像素电极LE2和第三像素电极LE3、堤层130、第一中间层IM1、第二中间层IM2和第三中间层IM3以及对电极UE。
返回参照图8，可以在对电极UE上形成上基底200，对电极UE与上基底200之间的距离可以被设定为满足根据波长的谐振条件。可以根据以上距离确定第一虚设绝缘层410、第二虚设绝缘层420和第三虚设绝缘层430的厚度Ga、Gb和Gc。
返回参照图10，在形成图12B的第一虚设绝缘层410、第二虚设绝缘层420和第三虚设绝缘层430时，可以通过使用掩模或回流方法等以圆顶形状形成第一虚设绝缘层410、第二虚设绝缘层420和第三虚设绝缘层430的上表面来形成图10的第一虚设绝缘层410'、第二虚设绝缘层420'和第三虚设绝缘层430'。
如上所述，在根据实施例的显示装置中，可以将对电极UE与上基底200之间的距离设定为满足根据波长的谐振条件。
也就是说，从有机发光二极管OLED发射的光的一部分在上基底200与对电极UE之间可以被重复地反射和再反射，对电极UE与上基底200之间的距离可以被设定为满足谐振条件，从而改善显示装置的光效率。
根据如上所述的实施例的显示装置和制造该显示装置的方法，通过在上基底与对电极之间施用谐振结构，可以改善光提取效率。
应理解的是，在这里描述的实施例应仅在描述性意义上考虑，而不是为了限制的目的。每个实施例内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其他实施例中的其他类似特征或方面。虽然已经参照附图描述了一个或更多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如由权利要求限定的精神和范围的情况下，可以在其中进行形式和细节上的各种改变。

Claims (13)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底；
像素电路层，布置在所述基底上，并且包括至少一个薄膜晶体管；
过孔绝缘层，布置在所述像素电路层上；
第一像素电极，布置在所述过孔绝缘层上；
堤层，布置在所述过孔绝缘层上，并且限定暴露所述第一像素电极的至少一部分的第一开口；
第一中间层，在所述第一开口中布置在所述第一像素电极上，并且发射包括第一波长的光的光；
对电极，布置在所述第一中间层上，并且包括在平面图中与所述第一中间层叠置的第一区域；以及
上基底，布置在所述对电极上，
其中，所述第一区域与所述上基底之间的第一光学距离满足以下等式：
D1＝A+(λ1)/2×n，
其中，D1表示所述第一光学距离，A表示在λ1的光具有最大强度的点处所述第一区域与所述上基底之间的最小光学距离，n是等于或大于0的整数，并且λ1表示所述第一波长。
2.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第二像素电极和第三像素电极，布置在所述过孔绝缘层上；以及
第二中间层和第三中间层，所述第二中间层布置在所述第二像素电极上并且发射包括第二波长的光的光，所述第三中间层布置在所述第三像素电极上并且发射包括第三波长的光的光，
其中，所述堤层限定分别暴露所述第二像素电极的一部分和所述第三像素电极的一部分的第二开口和第三开口，并且
所述对电极还包括在平面图中分别与所述第二中间层和所述第三中间层叠置的第二区域和第三区域。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，在厚度方向上所述第二区域与所述上基底之间的第二光学距离和所述第三区域与所述上基底之间的第三光学距离分别满足以下等式：
D2＝B+(λ2)/2×n2
D3＝C+(λ3)/2×n3，
其中，D2表示所述第二光学距离，D3表示所述第三光学距离，B是在λ2的光具有最大强度的点处所述第二区域与所述上基底之间的最小光学距离，C是在λ3的光具有最大强度的点处所述第三区域与所述上基底之间的最小光学距离，n2和n3是等于或大于0的整数，并且λ2和λ3分别表示所述第二波长和所述第三波长。
4.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一波长的所述光、所述第二波长的所述光和所述第三波长的所述光分别包括红光、绿光和蓝光。
5.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一中间层、所述第二中间层和所述第三中间层具有彼此不同的厚度。
6.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述过孔绝缘层的分别与所述第一像素电极、所述第二像素电极和所述第三像素电极叠置的区域具有彼此不同的厚度。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述过孔绝缘层的上表面的分别接触所述第一像素电极、所述第二像素电极和所述第三像素电极的部分具有圆顶形状。
8.根据权利要求2所述的显示装置，所述显示装置还包括：虚设绝缘层，在所述第一像素电极、所述第二像素电极和所述第三像素电极中的至少一个与所述过孔绝缘层之间。
9.根据权利要求2所述的显示装置，其中，第一虚设绝缘层、第二虚设绝缘层和第三虚设绝缘层分别布置在所述第一像素电极、所述第二像素电极和所述第三像素电极与所述过孔绝缘层之间，并且
其中，所述第一虚设绝缘层、所述第二虚设绝缘层和所述第三虚设绝缘层具有彼此不同的厚度。
10.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述虚设绝缘层的上表面具有圆顶形状。
11.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：盖层，在所述对电极与所述上基底之间。
12.根据权利要求1所述的显示装置，其中，空气填充在所述对电极与所述上基底之间的空间中。
13.根据权利要求1所述的显示装置，其中，填料填充在所述对电极与所述上基底之间的空间中，并且
所述第一区域与所述上基底之间的所述第一光学距离满足以下等式：
D1＝nf×D1p，
其中，nf表示所述填料的折射率，并且D1p表示所述第一区域与所述上基底之间的物理距离。
CN202111196045.7A 2020-10-15 2021-10-14 显示装置 Pending CN114373790A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2020-0133732 2020-10-15
KR1020200133732A KR20220050298A (ko) 2020-10-15 2020-10-15 표시 장치 및 표시 장치의 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114373790A true CN114373790A (zh) 2022-04-19

Family

ID=81138492

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111196045.7A Pending CN114373790A (zh) 2020-10-15 2021-10-14 显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (2) US11910639B2 (zh)
KR (1) KR20220050298A (zh)
CN (1) CN114373790A (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11980046B2 (en) 2020-05-27 2024-05-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for forming an isolation structure having multiple thicknesses to mitigate damage to a display device

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008521165A (ja) 2004-11-16 2008-06-19 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 有機発光デバイス、それを製造するための方法、および複数の有機発光デバイスを備えるアレイ
KR100852111B1 (ko) * 2005-07-13 2008-08-13 삼성에스디아이 주식회사 평판 디스플레이 장치 및 그 제조방법
TWI330998B (en) * 2007-01-16 2010-09-21 Chimei Innolux Corp Top emitter organic electroluminescent display
JP2010518557A (ja) * 2007-02-05 2010-05-27 エルジー・ケム・リミテッド 発光効率に優れた有機発光素子およびその製造方法
EP2172990A1 (en) 2008-10-03 2010-04-07 Thomson Licensing OLED or group of adjacent OLEDs with a light-extraction enhancement layer efficient over a large range of wavelengths
JP2010232163A (ja) * 2009-03-03 2010-10-14 Fujifilm Corp 発光表示装置の製造方法、発光表示装置、及び発光ディスプレイ
US20120188215A1 (en) 2011-01-24 2012-07-26 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Electromechanical devices with variable mechanical layers
KR101830301B1 (ko) * 2011-10-24 2018-02-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101464270B1 (ko) * 2012-08-24 2014-11-21 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 및 그 제조 방법
JP6164402B2 (ja) * 2013-03-27 2017-07-19 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ装置の製造方法、および有機ｅｌ装置
KR102067159B1 (ko) 2013-05-24 2020-01-16 삼성전자주식회사 색 변화 저감용 광학 필름 및 이를 채용한 유기발광 표시장치
KR102151754B1 (ko) * 2013-11-20 2020-09-04 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR102335812B1 (ko) * 2014-09-19 2021-12-09 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
CN105161631B (zh) * 2015-07-21 2019-01-22 上海和辉光电有限公司 一种有机发光二极管器件及制备方法以及有机发光显示面板
KR102513910B1 (ko) 2017-12-18 2023-03-23 엘지디스플레이 주식회사 전계발광 표시장치

Also Published As

Publication number Publication date
US11910639B2 (en) 2024-02-20
US20240155866A1 (en) 2024-05-09
KR20220050298A (ko) 2022-04-25
US20220123265A1 (en) 2022-04-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11251235B2 (en) Display panel
KR102453420B1 (ko) 투명 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조방법
US10937838B2 (en) Organic light emitting display device
EP2500946B1 (en) Organic light-emitting display and method of manufacturing the same
US10186569B2 (en) Display device having an auxiliary electrode on the substrate with an end surface contacting an electrode of the organic light emitting element
US11335759B2 (en) Display device
WO2019080564A1 (en) DISPLAY APPARATUS, AND DISPLAY SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
JP6223070B2 (ja) 有機ｅｌ表示装置及び有機ｅｌ表示装置の製造方法
US20240155866A1 (en) Display device and method of manufacturing the same
JP2015076262A (ja) 表示装置および電子機器
US9048458B2 (en) Method of fabricating pixel structure for organic light-emitting display
US11088233B2 (en) Display device
WO2014136150A1 (ja) Ｅｌ表示装置
US11690262B2 (en) Display apparatus
US11183547B2 (en) Display device
US11137525B2 (en) Display device and manufacturing method thereof
KR102089248B1 (ko) 유기발광다이오드소자 및 그의 제조방법
KR20210002285A (ko) 표시장치 및 그 제조방법
KR102242982B1 (ko) 유기전계 발광표시장치 및 그 제조방법
US20230380219A1 (en) Display apparatus and method of manufacturing the same
US20240090304A1 (en) Display device and method of manufacturing the same
US20240107825A1 (en) Resonance structure of display device and method of providing the same
US20240049508A1 (en) Display device and method of manufacturing the same
US20210328107A1 (en) Light emitting display device and manufacturing method thereof
EP3940809A1 (en) Display apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination