CN108666348A - 显示基板及显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种显示基板及显示装置，以提高显示装置的屏占比，实现更佳的全面屏显示效果。显示基板的显示区域包括透光显示部分，透光显示部分包括呈阵列排布的多个子像素，每行子像素包括循环排列的第一颜色子像素、第二颜色子像素、第三颜色子像素和透明子像素。本发明实施例的显示基板可应用于全面屏显示装置中，摄像头、光线感应器等采光器件设置在显示基板的背侧并与显示基板的透光显示部分位置相对，透光显示部分既可以与屏幕的其它部分一起正常显示，又可以使光线透过投射在采光器件上，相比现有技术，屏占比大大提高，从而使全面屏显示效果更加出色。

Description

显示基板及显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示基板及显示装置。

背景技术

OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管，简称OLED)显示基板依据驱动方式的不同，可分为无源矩阵驱动(Passive Matrix，简称PM)PMOLED显示基板与有源矩阵驱动(Active Matrix，简称AM)AMOLED显示基板两种。其中，AMOLED显示基板采用独立的开关器件去控制每个子像素，每个子像素皆可以连续且独立的被驱动发光，具有驱动电压低，寿命长的优势，尤其适用于柔性显示和透明显示产品。

随着科技的高速发展，全面屏技术已被移动终端商家普遍采用。全面屏，从字面上解释就是移动终端的正面全部都是屏幕，追求接近100％的屏占比。然而，在实际产品中，以手机为例，前置摄像头、光线感应器等功能模块，由于需要从手机前侧采光，因此通常设置在屏幕的顶侧，屏幕的边缘则绕开这些功能模块呈现出类似齐刘海的形状。可见，现有技术手机的屏占比受前置摄像头、光线感应器等功能模块的制约，无法得到进一步提升，并且屏幕的视觉效果也不够完美。

发明内容

本发明实施例的目的是提供一种显示基板及显示装置，以提高显示装置的屏占比，实现更佳的全面屏显示效果。

本发明实施例所提供的显示基板，其显示区域包括透光显示部分，所述透光显示部分包括呈阵列排布的多个子像素，每行所述子像素包括循环排列的第一颜色子像素、第二颜色子像素、第三颜色子像素和透明子像素。

本发明实施例的显示基板可应用于全面屏显示装置中，摄像头、光线感应器等采光器件设置在显示基板的背侧并与显示基板的透光显示部分位置相对，透光显示部分既可以与屏幕的其它部分一起正常显示，又可以使光线透过投射在采光器件上，从而实现采光器件的相关功能。相比现有技术，显示装置的屏幕可以避免“齐刘海”设计，屏占比大大提高，从而使全面屏显示效果更加出色。此外，本发明实施例的显示基板也可以应用于透明显示装置中，即透光显示部分布满显示区域。

可选的，所述透明子像素包括：沿远离所述显示基板的衬底方向依次设置的有机发光材料层和透明电极材料层。有机发光材料层和透明电极材料层呈现透明态，从而允许光线穿过。

可选的，所述第一颜色子像素、所述第二颜色子像素和所述第三颜色子像素均包括：沿远离所述显示基板的衬底方向依次设置的薄膜晶体管和顶发射型OLED，所述薄膜晶体管的漏极与所述顶发射型OLED的底电极电性连接；所述有机发光材料层与所述第三颜色子像素的顶发射型OLED的有机发光层材质相同且同层连接；所述透明电极材料层与所述第一颜色子像素、所述第二颜色子像素和所述第三颜色子像素的顶发射型OLED的顶电极材质相同且同层连接。

采用该设计，有机发光材料层与第三颜色子像素的有机发光层可以同层制作，透明电极材料层与各个顶发射型OLED的顶电极可以同层制作，因而显示基板制作工艺较为简便，成本较低。

可选的，所述第一颜色子像素、所述第二颜色子像素和所述第三颜色子像素分别为红色子像素、蓝色子像素和绿色子像素；所述绿色子像素的面积小于所述蓝色子像素的面积，所述透明子像素的面积大于所述蓝色子像素的面积。

由于绿光OLED比蓝光OLED的发光效率高，因此，可以将绿色子像素的面积设计的相对较小，从而使透明子像素的面积设计的相对较大，一方面可以使不同颜色子像素的发光效率相匹配，另一方面也可以提高显示基板的透明显示部分的光透过率，使摄像头等采光器件的性能更加突出。

可选的，所述薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管、非晶硅薄膜晶体管或金属氧化物薄膜晶体管。

可选的，所述显示基板还包括位于所述顶发射型OLED的顶电极和所述透明电极材料层远离所述显示基板衬底一侧的薄膜封装层。

可选的，所述透光显示部分与显示装置的采光器件位置相对设置；或者，所述透光显示部分布满所述显示区域。

本发明实施例还提供一种显示装置，包括前述任一技术方案所述的显示基板。当显示装置为全面屏显示装置时，屏占比较高，全面屏显示效果更加出色。

可选的，显示装置还包括位于显示基板背侧的采光器件，透光显示部分与采光器件位置相对设置。透光显示部分既可以与屏幕的其它部分一起正常显示，又可以使光线透过投射在采光器件上，从而实现采光器件的相关功能。

可选的，所述采光器件包括摄像头或光线传感器。

附图说明

图1为本发明一实施例显示基板主视图；

图2为本发明一实施例显示基板与采光器件侧视图；

图3为本发明一实施例显示基板局部截面图；

图4为本发明另一实施例显示基板主视图。

附图标记：

1-显示基板

10-显示区域

101-透光显示部分

1a-第一颜色子像素

1b-第二颜色子像素

1c-第三颜色子像素

1d-透明子像素

11-有机发光材料层

12-透明电极材料层

13-薄膜晶体管

14-顶发射型OLED

2-采光器件

100-衬底

131-栅极

132-低温多晶硅半导体层

133-源极

134-漏极

16-第一绝缘层

17-第二绝缘层

141-底电极

142-有机发光层

143-顶电极

具体实施方式

为了提高显示装置的屏占比，实现更佳的全面屏显示效果，本发明实施例提供了一种显示基板及显示装置。为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，以下举实施例对本发明作进一步详细说明。

如图1所示，本发明实施例提供了一种显示基板1，其显示区域10包括透光显示部分101，透光显示部分101包括呈阵列排布的多个子像素，每行子像素包括循环排列的第一颜色子像素1a、第二颜色子像素1b、第三颜色子像素1c和透明子像素1d。

显示区域10除透光显示部分101之外的其它显示部分，则包括循环排列的第一颜色子像素、第二颜色子像素和第三颜色子像素，这与常规显示基板的结构相类似，因此图中未予示出。

如图1和图2所示，在本发明的该可选实施例中，透光显示部分101与显示装置的采光器件2位置相对设置，采光器件2可以是摄像头或光线感应器等，其具体类型不限。透光显示部分101的具体设置位置不限，可以设置在整个显示区域10靠近边缘的位置。此外，根据采光器件2的数量不同，透光显示部分101的数量也可以相应设置。值得一提的是，透光显示部分101的轮廓形状除矩形外，也可以设计为异性形状，例如，圆形、椭圆形等等。

该实施例显示基板1的设计应用于全面屏显示装置中，摄像头、光线感应器等采光器件2设置在显示基板1的背侧并与显示基板1的透光显示部分101位置相对，透光显示部分101既可以与屏幕的其它部分一起正常显示，又可以使光线透过投射在采光器件2上，从而使采光器件2能够实现相关功能。相比现有技术，显示装置的屏幕可以避免“齐刘海”设计，屏占比大大提高，从而使全面屏显示效果更加出色。

值得一提的是，基于相同构思的显示基板也可以应用于透明显示装置中，如图4所示，该实施例中，透光显示部分101布满显示区域10，从而使整个显示区域10能够实现透明显示。

如图1和图3所示，在本发明的一个可选实施例中，显示基板1为AMOLED显示基板，第一颜色子像素1a、第二颜色子像素1b和第三颜色子像素1c均包括：沿远离显示基板1的衬底100方向依次设置的薄膜晶体管13和顶发射型OLED 14，薄膜晶体管13的漏极134与顶发射型OLED 14的底电极141电性连接。相应的，透明子像素1d包括：沿远离显示基板1的衬底100方向依次设置的有机发光材料层11和透明电极材料层12。有机发光材料层11和透明电极材料层12呈现透明态，从而允许光线穿过。

顶发射型OLED 14中，顶电极143为透明电极，OLED发光由顶部穿出。在一个可选实施例方式中，有机发光材料层11与第三颜色子像素1c的顶发射型OLED 14的有机发光层142材质相同且同层连接；透明电极材料层12与第一颜色子像素1a、第二颜色子像素1b和第三颜色子像素1c的顶发射型OLED 14的顶电极143材质相同且同层连接。采用该设计，有机发光材料层11与第三颜色子像素1c的有机发光层142可以同层制作，透明电极材料层12与各个顶发射型OLED 14的顶电极143可以同层制作，因而显示基板1的制作工艺较为简便，成本较低。

在本发明实施例中，薄膜晶体管13的具体类型不限，可以为图3所示的低温多晶硅薄膜晶体管(Low Temperature Poly-silicon,LTPS)、也可以为非晶硅薄膜晶体管或金属氧化物薄膜晶体管等。

请继续参照图3所示，该实施例中，薄膜晶体管13具体为低温多晶硅薄膜晶体管。具体的，薄膜晶体管13包括栅极131、低温多晶硅半导体层132、源极133和漏极134，栅极131与栅线连接，源极133与数据线连接，低温多晶硅半导体层132与栅极131通过第一绝缘层16间隔；顶发射型OLED 14包括底电极141、有机发光层142和顶电极143，底电极141与漏极134通过第二绝缘层17上的过孔连接。当栅线向栅极131输送扫描信号时，源极133和漏极134导通，数据线向底电极141输送数据信号，在底电极141和顶电极143之间电场的驱动下，作为载流子的电子和空穴分别从顶电极143和底电极141迁移到有机发光层142，并在有机发光层142中相遇辐合形成激子，激子退激活放出能量，释放的能量使有机发光层142的发光分子激发，激发后的发光分子经过辐射弛豫而发出可见光。

此外，显示基板1的结构还包括位于顶发射型OLED 14的顶电极143和透明电极材料层12远离显示基板1的衬底100一侧的薄膜封装层(图中未示出)，薄膜封装层可以有效防止水氧渗入，从而对OLED进行封装保护。

可选的，参考图1所示，第一颜色子像素1a、第二颜色子像素1b和第三颜色子像素1c分别为红色子像素、蓝色子像素和绿色子像素；绿色子像素的面积小于蓝色子像素的面积，透明子像素1d的面积大于蓝色子像素的面积。

由于绿光OLED比蓝光OLED的发光效率高，因此，可以将绿色子像素的面积设计的相对较小，从而使透明子像素1d的面积设计的相对较大，一方面可以使不同颜色子像素的发光效率相匹配，另一方面也可以提高显示基板1的透明显示部分101的光透过率，使摄像头等采光器件的性能更加突出。

在上述实施例中，透明子像素1d与绿色子像素相邻，值得一提的是，在本发明的其它实施例中，透明子像素也可以与其它颜色子像素相邻。

本发明实施例还提供一种显示装置，包括前述任一技术方案的显示基板。

当显示装置为全面屏显示装置时，显示装置还包括位于显示基板背侧的采光器件，透光显示部分与采光器件位置相对设置。采光器件可以为摄像头或光线传感器等。

透光显示部分既可以与屏幕的其它部分一起正常显示，又可以使光线透过投射在采光器件上，从而实现采光器件的相关功能。该设计显示装置的屏占比较高，全面屏显示效果更加出色。显示装置的具体产品类型不限，例如可以为手机、平板、笔记本等等。

此外，显示装置也可以为透明显示装置，显示基板的透光显示部分布满了整个显示区域，从而使整个显示区域实现透明显示。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种显示基板，其特征在于，所述显示基板的显示区域包括透光显示部分，所述透光显示部分包括呈阵列排布的多个子像素，每行所述子像素包括循环排列的第一颜色子像素、第二颜色子像素、第三颜色子像素和透明子像素。

2.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述透明子像素包括：沿远离所述显示基板的衬底方向依次设置的有机发光材料层和透明电极材料层。

3.如权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第一颜色子像素、所述第二颜色子像素和所述第三颜色子像素均包括：沿远离所述显示基板的衬底方向依次设置的薄膜晶体管和顶发射型OLED，所述薄膜晶体管的漏极与所述顶发射型OLED的底电极电性连接；

所述有机发光材料层与所述第三颜色子像素的顶发射型OLED的有机发光层材质相同且同层连接；

所述透明电极材料层与所述第一颜色子像素、所述第二颜色子像素和所述第三颜色子像素的顶发射型OLED的顶电极材质相同且同层连接。

4.如权利要求3所述的显示基板，其特征在于，

所述第一颜色子像素、所述第二颜色子像素和所述第三颜色子像素分别为红色子像素、蓝色子像素和绿色子像素；

所述绿色子像素的面积小于所述蓝色子像素的面积，所述透明子像素的面积大于所述蓝色子像素的面积。

5.如权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管、非晶硅薄膜晶体管或金属氧化物薄膜晶体管。

6.如权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括位于所述顶发射型OLED的顶电极和所述透明电极材料层远离所述显示基板衬底一侧的薄膜封装层。

7.如权利要求1～6任一项所述的显示基板，其特征在于，所述透光显示部分与显示装置的采光器件位置相对设置；或者，所述透光显示部分布满所述显示区域。

8.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1～7任一项所述的显示基板。

9.如权利要求8所述的显示装置，其特征在于，还包括位于所述显示基板背侧的采光器件，所述透光显示部分与所述采光器件位置相对设置。

10.如权利要求9所述的显示装置，其特征在于，所述采光器件包括摄像头或光线传感器。