CN106717114A - 电致发光装置、电子器件及电致发光装置的制造方法 - Google Patents
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Abstract
在包括柔性的TFT基板(基板)(2)、设置在该TFT基板(2)上的有机EL元件(电致发光元件)(4)和密封有机EL元件(4)的密封膜(14)的有机EL显示装置(电致发光装置)(1)中,设置可折弯的弯曲部(K)。另外,使密封膜(14)在弯曲部(K)的膜厚变薄。
Description
技术领域
本发明涉及具有EL(电致发光)元件的电致发光装置和使用该电致发光装置的电子器件以及电致发光装置的制造方法。
背景技术
近年来,在各种各样的商品和领域中使用平板显示器,要求平板显示器的进一步大型化、高画质化、低耗电化。
在这样的状况下,具备利用有机材料的电场发光(Electro Luminescence)的有机EL(电致发光)元件的有机EL显示装置作为全固体型且在能够低电压驱动、高速响应性、自发光性等方面优异的平板显示器,受到高度关注。
另外,这种有机EL显示装置被作为电子书阅读器、个人电脑或平板电脑等电子器件的显示部使用。
另外,例如,在有源矩阵方式的有机EL显示装置中,在设置有TFT(薄膜晶体管)的基板上设置有薄膜状的有机EL元件。在有机EL元件中,在一对电极之间层叠有包含发光层在内的有机EL层。TFT与一对电极中的一个电极连接。而且,通过对一对电极间施加电压使发光层发光来进行图像显示。
另外,在上述那种有机EL显示装置中,提出了通过在有机EL元件上设置密封膜而由该密封膜密封有机EL元件,来防止由水分或氧引起的有机EL元件的劣化的技术。
另外,在上述那种现有的有机EL显示装置中,例如,如下述专利文献1所述,提出了在有机EL元件上设置将有机膜和无机膜交替地层叠而成的密封膜的技术。而且,在该现有的有机EL显示装置中,利用密封膜,能够防止由水分或氧引起的有机EL元件的劣化。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:特开2009-37812号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
此外,在上述那样的现有的有机EL显示装置中,通过使用柔性的基板作为上述基板而构成可折弯的显示部的技术正在被实用化。
可是,在上述那样的现有的有机EL显示装置中,在折弯时,有在上述密封膜发生膜剥离的情况。该结果是,在现有的有机EL显示装置中,产生了其可靠性大幅度下降之类的问题。
鉴于上述技术问题,本发明的目的在于,提供一种即使在折弯时也能够防止在密封膜发生膜剥离的可靠性优异的电致发光装置和使用该电致发光装置的电子器件以及电致发光装置的制造方法。
解决技术问题的技术方案
为了实现上述目的,本发明的电致发光装置包括:柔性的基板;设置在所述基板上的电致发光元件;密封所述电致发光元件的密封膜,该电致发光装置的特征在于:
设置有可折弯的弯曲部,并且,
使所述密封膜在所述弯曲部的膜厚变薄。
在上述那样构成的电致发光装置中,设置有可折弯的弯曲部。另外,在该弯曲部,使上述密封膜的膜厚变薄。由此,与上述现有例不同,能够构成即使在折弯时也能够防止在密封膜发生膜剥离的可靠性优异的电致发光装置。
另外,在上述电致发光装置中,也可以设置有多个所述弯曲部,并且在所述多个弯曲部中的各弯曲部,使所述密封膜的膜厚变薄。
在这种情况下,电致发光装置在多个弯曲部中的各弯曲部能够折弯。
另外,在上述电致发光装置中,也可以包括:
与所述基板相对的对置基板;和
框状的密封件,其设置于所述基板与所述对置基板之间,并且与该基板及对置基板一起将所述电致发光元件封入。
在这种情况下,能够更可靠地防止电致发光元件的劣化。
另外,在上述电致发光装置中,也可以是:在所述密封膜中,在所述弯曲部,多个凸起状部分被薄膜化,并且形成为网(mesh)状。
在这种情况下,利用上述多个凸起部分,能够容易地将弯曲部弯曲。
另外,在上述电致发光装置中,也可以是:在所述密封膜中,在所述弯曲部,多个凸起状部分被薄膜化,并且彼此隔开规定间隔地平行地形成。
在这种情况下,利用上述多个凸起部分,能够容易地将弯曲部弯曲。
另外,在上述电致发光装置中,优选所述密封膜至少包含无机膜。
在这种情况下,能够更可靠地防止水分对电致发光元件的不良影响。
另外,在上述电致发光装置中,所述密封膜优选由无机膜和有机膜的层叠构造构成。
在这种情况下,能够容易地提高密封膜的密封性。
另外,在上述电致发光装置中,也可以在所述密封膜中,以夹着所述弯曲部的方式设置有有机膜。
在这种情况下,在密封膜中,有机膜不设置于弯曲部,在该弯曲部,能够容易地防止发生密封膜的膜剥离。
另外,在上述电致发光装置中,也可以在所述弯曲部,在所述密封膜上设置有具有弹性的树脂材料。
在这种情况下,既能够抑制弯曲部的折弯性下降,又能够容易地提高电致发光装置的强度。
另外,本发明的电子器件的特征在于,使用上述任一电致发光装置。
在上述那样构成的电子器件中,由于使用即使在折弯时也能够防止在密封膜发生膜剥离的可靠性优异的电致发光装置,因此能够构成具有高可靠性的寿命长的电子器件。
另外,本发明的电致发光装置的制造方法是包括柔性的基板、设置在所述基板上的电致发光元件和密封所述电致发光元件的密封膜,并且设置有可折弯的弯曲部的电致发光装置的制造方法,该电致发光装置的制造方法的特征在于,包括:
在所述基板上形成所述电致发光元件的工序;和
在所述电致发光元件上形成所述密封膜的工序,
在形成所述密封膜的工序时,以所述密封膜在所述弯曲部的膜厚变薄的方式形成该密封膜。
在上述那样构成的电致发光装置的制造方法中,在形成密封膜的工序时,以密封膜在弯曲部的膜厚变薄的方式形成该密封膜。由此,与上述现有例不同,能够构成即使在折弯时也能够防止在密封膜发生膜剥离的可靠性优异的电致发光装置。
发明效果
根据本发明,能够提供一种即使在折弯时也能够防止在密封膜发生膜剥离的可靠性优异的电致发光装置和使用该电致发光装置的电子器件以及电致发光装置的制造方法。
附图说明
图1是表示本发明的第一实施方式的有机EL显示装置的剖面的剖面图。
图2是对折弯后的状态的上述有机EL显示装置进行说明的说明图。
图3的(a)及图3的(b)是对设置于上述有机EL显示装置的弯曲部进行说明的图。
图4是对上述有机EL显示装置的主要制造工序进行说明的图,图4的(a)及图4的(b)对一系列的主要制造工序进行说明。
图5是对上述有机EL显示装置的主要制造工序进行说明的图,图5的(a)是表示图4的(b)所示的制造工序后的密封膜的上表面的图,图5的(b)是图5的(a)的Vb-Vb线剖面图,图5的(c)对接着图4(b)所示的制造工序的制造工序进行说明。
图6的(a)是对在图4的(b)所示的制造工序中使用其他掩模时的制造工序进行说明的图,图6的(b)是表示图6的(a)所示的制造工序后的另一密封膜的上表面的图,图6的(c)是图6的(b)的VIc-VIc线剖面。
图7的(a)是表示图6的(a)所示的制造工序后的另一密封膜的上表面的图,图7的(b)是图7的(a)的VIIb-VIIb线剖面图,图7的(c)是表示图6的(a)所示的制造工序后的另一密封膜的上表面的图,图7的(d)是图7的(c)的VIId-VIId线剖面图。
图8是本发明第二实施方式的有机EL显示装置的剖面图。
图9是本发明第三实施方式的有机EL显示装置的剖面图。
图10是本发明第三实施方式的有机EL显示装置的变形例的剖面图。
图11是本发明第四实施方式的有机EL显示装置的剖面图。
图12是对折弯后的状态的图11所示的有机EL显示装置进行说明的说明图。
图13是本发明第五实施方式的有机EL显示装置的剖面图。
具体实施方式
下面,参照附图对示出本发明的电致发光装置和电子器件以及电致发光装置的制造方法的优选实施方式进行说明。此外,在下面的说明中,以将本发明应用于有机EL显示装置的情况为例进行说明。另外,各图中的构成部件的尺寸未忠实地表示实际构成部件的尺寸及各构成部件的尺寸比率等。
[第一实施方式]
图1是表示本发明第一实施方式的有机EL显示装置的剖面的剖面图。在图1中,本实施方式的有机EL显示装置1具备作为基板的TFT基板2及设置于该TFT基板2上的作为电致发光(Electro Luminescence)元件的有机EL元件4。
另外,本实施方式的有机EL显示装置1例如是构成为能够作为电子阅读器、个人电脑或平板电脑等电子器件的显示部使用的显示装置,作为该电子器件的显示部,能够进行各种信息的显示。
另外,在本实施方式的有机EL显示装置1中,有机EL元件4构成具有多个像素(包含多个子像素)的矩形状的像素区域PA,该有机EL元件4由后述的密封膜14密封。另外,上述像素区域PA构成有机EL显示装置1的显示部,进行信息显示。即,在该像素区域PA中,多个像素(多个子像素)配置为矩阵状,有机EL元件4构成为按每个子像素发光,由此进行信息显示。另外,作为多个子像素,例如设置有分别区分为红色(R)、绿色(G)及蓝色(B)的RGB的子像素。
另外,在本实施方式的有机EL显示装置1中,例如在像素区域PA的中央部(即,有机EL显示装置1的左右方向上的中央部)设置有可折弯的弯曲部K,如后所述,本实施方式的有机EL显示装置1构成为在以弯曲部K为中心折弯的状态下,能够进行信息显示。
另外,在图1中,TFT基板2由例如具有柔性(弯曲性)的薄膜等构成。另外,在TFT基板2上,以覆盖其整个面的方式设置有基底膜(绝缘膜)6。另外,如图1所示,在有机EL显示装置1中,在基底膜6上,对像素区域PA的每个子像素设置有TFT(薄膜晶体管)7。另外,在基底膜6上形成有设置为矩阵状的包含多个源极线(信号线)及多个栅极线在内的配线8。在源极线及栅极线上分别连接有源极驱动器及栅极驱动器(未图示),根据从外部输入的图像信号,驱动每个子像素的TFT7。另外,TFT7作为控制对应的子像素的发光的开关元件发挥功能,对由有机EL元件4构成的红色(R)、绿色(G)及蓝色(B)中的任一颜色的子像素的发光进行控制。
此外,基底膜6是用于防止TFT7的特性因从TFT基板2向TFT7的杂质扩散而劣化的膜,如果不担心这种劣化,则可省略设置。
另外,在TFT基板2为具有柔性的薄膜的情况下,为了防止从外部渗透(渗入)水分或氧而使TFT7或有机EL元件4劣化,也可以预先在TFT基板2上形成有由氮化硅或氮氧化硅等无机膜构成的防湿层。
另外,如图1所示,在TFT基板2上形成有层间绝缘膜9、边缘罩10及有机EL元件4的第一电极11。层间绝缘膜9也作为平坦化膜发挥功能,以覆盖TFT7及配线8的方式设置于基底膜6上。边缘罩10以覆盖第一电极11的图案端部的方式形成于层间绝缘膜9上。另外,边缘罩10也作为用于防止第一电极11和后述的第二电极13的短路的绝缘层发挥功能。另外,第一电极11经由形成于层间绝缘膜9的接触孔与TFT7连接。
另外,边缘罩10的开口部即第一电极11露出的部分实质上构成有机EL元件4的发光区域,如上所述,本实施方式的有机EL显示装置1以发出RGB中的任一色的光而能够进行全彩显示的方式构成。另外,本实施方式的有机EL显示装置1构成具有TFT(薄膜晶体管)7的有源矩阵式显示装置。
另外,如图1所示,在第一电极11上形成有有机EL层12及第二电极13,由这些第一电极11、有机EL层12及第二电极13构成有机EL元件4。即,有机EL元件4例如是能够进行由低电压直流驱动实现的高亮度发光的发光元件,具备第一电极11、有机EL层12及第二电极13。
具体地说,在第一电极11为阳极的情况下,从第一电极11侧起依次层叠有空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层、电子注入层等作为有机EL层12(未图示),还形成有作为阴极的第二电极13。另外,除该说明以外,也可以采用如空穴注入层兼空穴输送层等那样单一层具有两个以上功能的结构。另外,也可以在有机EL层12中适当插入载流子阻挡层等。
另一方面,在第二电极13为阳极的情况下,有机EL层12的层顺序与上述的层顺序相反。
另外,在由透明电极或半透明电极构成第一电极11,且由反射电极构成第二电极13的情况下,有机EL显示装置1成为从TFT基板2侧出射光的底部发光型。即,在该底部发光型的有机EL显示装置1中,第一电极11的TFT基板2侧的表面构成有机EL元件4的实质性的发光面,向外部出射光。
反之,在由反射电极构成第一电极11,且由透明电极或半透明电极构成第二电极13的情况下,有机EL显示装置1成为从密封膜14出射光的顶部发光型。即,在该顶部发光型的有机EL显示装置1中,第一电极11的密封膜14侧的表面构成有机EL元件4的实质性的发光面,向外部出射光。
另外,在本实施方式的有机EL显示装置1中,如上所述,有机EL元件4由密封膜14密封,构成为通过密封膜14来防止水分或氧等从外部渗透(渗入),从而防止有机EL元件4的劣化。
另外,该密封膜14例如由氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或氧化铝等无机膜构成。另外,在该密封膜14中,上述弯曲部K的膜厚比弯曲部K以外的部分的膜厚薄。具体地说,密封膜14利用例如CVD法、蒸镀法或溅射法等形成,在密封膜14中,如图1所示,其膜厚以随着从左右两端部向弯曲部K去而逐渐变薄的方式设置,形成为在弯曲部K最薄(详细情况在后面叙述)。像这样,在密封膜14中,由于使得弯曲部K的膜厚变薄,因此即使在以弯曲部K为中心折弯时,也能够防止在密封膜14发生膜剥离。
另外,在本实施方式的有机EL显示装置1中,如图1所示,对于薄膜化后的密封膜14的凹部,树脂材料15以填充该凹部的方式设置于密封膜14上。作为该树脂材料15,例如使用环氧树脂、丙烯酸树脂等具有弹性的树脂材料,具有充满上述凹部内而将密封膜14平坦化的功能。
另外,作为树脂材料15,在有机EL显示装置1为顶部发光型的情况下,使用透明材料。另一方面,在有机EL显示装置1为底部发光型的情况下,作为树脂材料15,使用透明及透明以外的材料。进而,作为该树脂材料15,例如能够使用在树脂内分散有如氢氧化铝、氧化钙等金属氧化物及活性炭那样的具有吸湿功能的颗粒的材料。
这里,参照图2及图3对本实施方式的有机EL显示装置1的弯曲部K进行具体说明。
图2是对折弯后的状态的上述有机EL显示装置进行说明的说明图。图3的(a)及图3的(b)是对设置于上述有机EL显示装置的弯曲部进行说明的图。
如图2所示,在本实施方式的有机EL显示装置1中,构成为能够以弯曲部K为中心例如以使得密封膜14成为内侧的方式折弯。
另外,除该说明以外,也能够以使得密封膜14成为外侧的方式以弯曲部K为中心将有机EL显示装置1折弯。
另外,如图3的(a)及图3的(b)所示,在本实施方式的有机EL显示装置1中,弯曲部K设定于该有机EL显示装置1的中央部。另外,在本实施方式的有机EL显示装置1中,在折弯的情况下,弯曲部K例如以几mm程度的曲率半径(图2中用“r1”表示)折弯。
另外,在本实施方式的有机EL显示装置1中,由于密封膜14的膜厚局部变薄,因此如图3的(a)中例示的那样,即使在有机EL显示装置1折弯的情况下,也能够防止在该密封膜14产生膜剥离。即,在使得密封膜的膜厚在密封膜的整体上薄时,在有机EL显示装置在弯曲部折弯的情况下,在密封膜14中,由折弯引起的应力以弯曲部的部分为中心集中,有从该弯曲部的部分产生膜剥离的情况。
与此相对,在本实施方式中,由于密封膜14的膜厚在弯曲部K局部变薄,因此即使在有机EL显示装置1折弯而在密封膜14产生了应力的情况下,也能够防止产生该密封膜14的膜剥离。另外,因为树脂材料15使用具有弹性的材料构成,因此即使在有机EL显示装置1折弯的情况下,也不会促进在密封膜14发生膜剥离。
接着,参照图4至图7对本实施方式的有机EL显示装置1的制造方法进行具体说明。
图4是对上述有机EL显示装置的主要制造工序进行说明的图,图4的(a)及图4的(b)对一系列的主要制造工序进行说明。图5是对上述有机EL显示装置的主要制造工序进行说明的图,图5的(a)是表示图4的(b)所示的制造工序后的密封膜的上表面的图,图5的(b)是图5的(a)的Vb-Vb线剖面图,图5的(c)对接着图4的(b)所示的制造工序的制造工序进行说明。图6的(a)是对在图4的(b)所示的制造工序中使用其他掩模时的制造工序进行说明的图,图6的(b)是表示图6的(a)所示的制造工序后的另一密封膜的上表面的图,图6的(c)是图6的(b)的VIc-VIc线剖面图。图7的(a)是表示图6的(a)所示的制造工序后的另一密封膜的上表面的图,图7的(b)是图7的(a)的VIIb-VIIb线剖面图,图7的(c)是表示图6的(a)所示的制造工序后的另一密封膜的上表面的图,图7的(d)是图7的(c)的VIId-VIId线剖面图。
如图4的(a)所示,在本实施方式的有机EL显示装置1中,首先,在TFT基板2上形成有机EL元件4。即,在形成于TFT基板2上的基底膜6上,以规定的顺序形成有机EL元件4的各构成元件,从而在TFT基板2上形成有机EL元件4。
接着,如图4的(b)所示,密封膜14以覆盖有机EL元件4的方式形成于该有机EL元件4上。另外,在该密封膜14的形成工序中,密封膜14使用例如CVD法、蒸镀法或溅射法等而形成,但如图4的(b)所示,在有机EL显示装置1的中央部即弯曲部K,在上方设置有掩模M1的状态下,进行密封膜14的形成工序。由此,弯曲部K的密封膜14的膜厚形成得比未设置有掩模M1的其他部分的膜厚薄。
具体地说,如图4的(b)所示,掩模M1由彼此隔开规定的间隔地配置的多个凸起状的部件构成。由此,在密封膜14中,如图5的(a)及图5的(b)所示,在弯曲部K,多个凸起状部分A1被薄膜化,并且形成为网状。另外,在这多个凸起状部分A1之间,网状地形成有比该凸起状部分A1更加薄膜化的例如厚度为凸起状部分A1的厚度的约1/2的多个凸起状部分A2。这样,在密封膜14中,在弯曲部K,由于多个凸起状部分A1及A2彼此形成为台阶状,因此能够不使有机EL元件4露出地容易地将弯曲部K弯曲。
然后,如图5的(c)所示,利用例如液晶滴注法将树脂材料15涂敷于密封膜14上,完成有机EL显示装置1。另外,该树脂材料15被填充到由凸起状部分A1和A2包围的部分(即,在图5的(b)中,凸起状部分A2的上方的空隙所示的部分)的内部。
另外,密封膜14的形成工序不局限于上述的工序,例如也能够如图6的(a)所示,在该密封膜14的形成工序中,在将例如箱形的掩模M2设置于弯曲部K的上方的状态下形成密封膜14。另外,在使用这种掩模M2的情况下,根据该掩模M2的构造,能够形成各种各样图案的密封膜14的被薄膜化的部分。
具体地说,如图6的(b)及图6的(c)所示,在密封膜14中,也可以是:在弯曲部,多个凸起状部分A3被薄膜化并且彼此隔开规定间隔地与密封膜14的纵向(即,有机EL显示装置1的纵向)平行地形成。另外,也可以是:在相邻的两个凸起状部分A3之间,彼此隔开规定间隔地与密封膜14的纵向平行地形成比该凸起状部分A3更薄膜化的厚度为例如凸起状部分A3的厚度的约1/2的多个凸起状部分A4。这样,在密封膜14中,由于在弯曲部K,多个凸起状部分A3及A4彼此形成为台阶状,因此能够不使有机EL元件4露出地容易地将弯曲部K弯曲。
另外,上述树脂材料15被填充到由凸起状部分A3和A4包围的部分(即,在图6的(c)中,凸起状部分A4的上方的空隙所示的部分)的内部。
另外,如图7的(a)及图7的(b)所示,在密封膜14中,也可以是:在弯曲部,多个凸起状部分A5被薄膜化并且彼此隔开规定间隔地与密封膜14的横向(即,有机EL显示装置1的横向)平行地形成。另外,也可以是:在相邻的两个凸起状部分A5之间,彼此隔开规定间隔地与密封膜14的横向平行地形成比该凸起状部分A5更薄膜化的厚度为例如凸起状部分A5的厚度的约1/2的多个凸起状部分A6。像这样,在密封膜14中,由于在弯曲部K,多个凸起状部分A5及A6彼此形成为台阶状,因此能够不使有机EL元件4露出地容易地将弯曲部K弯曲。
另外,上述树脂材料15被填充到由凸起状部分A5和A6包围的部分(即,在图7的(b)中,凸起状部分A6的上方的空隙所示的部分)的内部。
另外,如图7的(c)及图7的(d)所示,薄膜化后的部分A7也可以形成为矩形状。
在以上那样构成的本实施方式的有机EL显示装置1中,设置有可折弯的弯曲部K。另外,在该弯曲部K,使密封膜14的膜厚变薄。由此,在本实施方式中,与上述现有例不同,即使是折弯时,也能够防止在密封膜14发生膜剥离,能够构成可靠性优异的有机EL显示装置(电致发光装置)1。
另外,在本实施方式中,由于使用即使折弯时也能够防止在密封膜14发生膜剥离的可靠性优异的有机EL显示装置1,因此能够构成具有高可靠性的寿命长的电子器件。
[第二实施方式]
图8是本发明第二实施方式的有机EL显示装置的剖面图。
在图中,本实施方式与上述第一实施方式的主要不同点是使用由无机膜和有机膜的层叠构造构成的密封膜这一点。此外,对与上述第一实施方式通用的元件标注相同的标记,省略其重复的说明。
即,如图8所示,在本实施方式的有机EL显示装置1中,密封膜14由例如设置于有机EL元件4侧的无机膜14a、设置于该无机膜14a上的有机膜14b和以覆盖该有机膜14b的方式设置的无机膜14c的层叠构造构成。
无机膜14a及14c与第一实施方式的膜同样,例如使用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或氧化铝。另外,作为有机膜14b,例如使用碳氧化硅、丙烯酸酯、聚脲、聚对二甲苯、聚酰亚胺或聚酰胺。
另外,在本实施方式的有机EL显示装置1中,由于无机膜14a设置于有机EL元件4侧,因此利用该无机膜14a,能够更可靠地防止水分给有机EL元件4带来的不良影响。另外,由于有机膜14b设置于无机膜14a上,因此即使在无机膜14a上产生了小孔等缺陷,也能够由有机膜14b来覆盖,能够更可靠地防止密封膜14的密封性下降。
另外,在本实施方式的有机EL显示装置1中,与第一实施方式同样,在像素区域PA的中央部设置有可折弯的弯曲部K。进而,在本实施方式的有机EL显示装置1中,密封膜14与第一实施方式的密封膜同样地,膜厚局部地变薄。即,如图8所示,在密封膜14中,无机膜14a、有机膜14b及无机膜14c的各膜厚以随着从左右两端部起向弯曲部K去逐渐变薄的方式设置,形成为在弯曲部K最薄。
另外,在本实施方式的有机EL显示装置1中,与第一实施方式同样,如图8所示,对于薄膜化后的密封膜14的凹部,树脂材料15以填充该凹部的方式设置于密封膜14的无机膜14c上。
通过以上的结构,在本实施方式中,能够实现与上述第一实施方式同样的作用、效果。另外,在本实施方式中,由于密封膜14由无机膜14a及14c和有机膜14b的层叠构造构成,因此能够容易地提高密封膜14的密封性。
[第三实施方式]
图9是本发明第三实施方式的有机EL显示装置的剖面图。
在图中,本实施方式与上述第二实施方式的主要不同点是在密封膜中以夹着弯曲部的方式设置有有机膜这一点。此外,对与上述第二实施方式通用的元件标注相同的标记,省略其重复的说明。
即,如图9所示,在本实施方式的有机EL显示装置1中,密封膜14例如由设置于有机EL元件4侧的无机膜14a、设置于该无机膜14a上的有机膜14b、以覆盖该有机膜14b的方式设置的无机膜14c、设置于该无机膜14c上的有机膜14d、设置于该有机膜14d上的无机膜14e的层叠构造构成。
无机膜14e与第一实施方式的同样,例如使用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或氧化铝。另外,作为有机膜14d,与第二实施方式的同样,例如使用碳氧化硅、丙烯酸酯、聚脲、聚对二甲苯、聚酰亚胺或聚酰胺。
另外,在本实施方式的有机EL显示装置1中,与第一实施方式同样,在像素区域PA的中央部设置有可折弯的弯曲部K。进而,在本实施方式的有机EL显示装置1中,密封膜14与第一实施方式的同样地,膜厚局部地变薄。即,如图9所示,在密封膜14中,有机膜14d以夹着弯曲部K的方式设置,并且在弯曲部K中,无机膜14c及14e被薄膜化并形成为一体。
另外,在本实施方式的有机EL显示装置1中,与第一实施方式的同样,如图9所示,对于薄膜化后的密封膜14的凹部,树脂材料15以填充该凹部的方式设置于密封膜14的无机膜14e上。
通过以上的结构,在本实施方式中,能够实现与上述第二实施方式同样的作用、效果。另外,在本实施方式中,由于在密封膜14中以夹着弯曲部K的方式设置有有机膜14d,因此在密封膜14中,有机膜14d未设置于弯曲部K,在该弯曲部K,能够容易地防止发生密封膜14的膜剥离。
[第三实施方式的变形例]
图10是表示本发明第三实施方式的有机EL显示装置的变形例的剖面图。
在图中,本实施方式与上述第三实施方式的主要不同点是在密封膜中以夹着弯曲部的方式设置全部有机膜这一点。此外,对与上述第三实施方式通用的元件标注相同的标记,省略其重复的说明。
即,如图10所示,在本变形例的有机EL显示装置1中,不仅有机膜14d,有机膜14b也以夹着弯曲部K的方式设置。另外,在本实施方式的密封膜14中,在弯曲部K,无机膜14a、14c及14e被薄膜化并形成为一体。
通过以上的结构,在本实施方式中,能够实现与上述第三实施方式同样的作用、效果。
[第四实施方式]
图11是本发明第四实施方式的有机EL显示装置的剖面图。图12是对折弯后的状态的图11所示的有机EL显示装置进行说明的说明图。
在图中,本实施方式与上述第一实施方式的主要不同点是设置有多个弯曲部并且在多个弯曲部中的各个弯曲部减薄了密封膜的膜厚这一点。此外,对与上述第一实施方式通用的元件标注相同的标记,省略其重复的说明。
即,如图11所示,在本实施方式的有机EL显示装置1中,在像素区域PA内设置有多个例如两个弯曲部K。另外,在密封膜14中,其膜厚以在两个各弯曲部K局部地变薄的方式设置。另外,这些各弯曲部K设置于有机EL显示装置1的左右方向的大致1/3的位置。
另外,如图12所示,在本实施方式的有机EL显示装置1中,在以各弯曲部K为中心折弯后的状态下,能够进行信息显示。即,在本实施方式的有机EL显示装置1中,在图12的左侧的弯曲部K,以使得密封膜14成为内侧的方式折弯,在同图12的右侧的弯曲部K,以使得密封膜14成为外侧的方式折弯。另外,在图11的左侧的弯曲部K,例如以几mm程度的曲率半径(图12中,用“r2”表示)进行折弯。同样,在图12的右侧的弯曲部K,例如以几mm程度的曲率半径(图12中,用“r3”表示)进行折弯。
通过以上的结构,在本实施方式中,能够实现与上述第一实施方式同样的作用、效果。另外,在本实施方式中,由于设置有两个弯曲部K,并且在两个各弯曲部K减薄了密封膜14的膜厚,因此有机EL显示装置1能够在防止在该密封膜14产生膜剥离的状态下,如图12所例示的那样,在多个弯曲部中的各弯曲部K折弯。
[第五实施方式]
图13是本发明第五实施方式的有机EL显示装置的剖面图。
在图中,本实施方式与上述第一实施方式的主要不同点是设置有与TFT基板对置的对置基板以及在TFT基板与对置基板之间封入有机EL元件的框状的密封件这一点。此外,对与上述第一实施方式通用的元件标注相同的标记,省略其重复的说明。
即,如图13所示,在本实施方式的有机EL显示装置1中,有机EL元件4由TFT基板2、以与该TFT基板2相对的方式设置的对置基板3、设置于TFT基板2与对置基板3之间的框状密封件5封入。
另外,作为对置基板3,与TFT基板2同样,例如使用具有柔性(弯曲性)的薄膜等。
上述密封件5例如由在环氧树脂等树脂中分散有规定TFT基板2与对置基板3之间的组件间隙的间隔物及无机颗粒的材料构成,密封件5在像素区域PA的周围形成为框状。另外,在密封件5中,通过分散有无机颗粒,能够使透湿性进一步降低。
另外,在本实施方式的有机EL显示装置1中,与第二实施方式的同样,设置有弯曲部K,并且弯曲部K的密封膜14的膜厚局部地薄。由此,在本实施方式的有机EL显示装置1中,与第二实施方式的同样,能够以弯曲部K为中心折弯。
另外,在本实施方式的有机EL显示装置1中,树脂材料15以覆盖密封膜14的方式设置在TFT基板2、对置基板3及密封件5之间。
通过以上的结构,在本实施方式中,能够实现与上述第一实施方式同样的作用、效果。另外,在本实施方式中,由于具备与TFT基板2相对的对置基板3以及在TFT基板2与对置基板3之间封入有机EL元件4的密封件5,因此能够更可靠地防止有机EL元件4的劣化。
另外,上述的实施方式都是一种例示,不是限制性的内容。本发明的技术范围由权利要求书规定,与权利要求书记载的方案均等的范围内的所有变更也包含在本发明的技术范围内。
例如,在上述的说明中,对使用有机EL元件作为电致发光元件的情况进行了说明,但本发明不局限于此,例如也可以使用具有无机化合物的无机EL元件。
另外,在上述的说明中,对在弯曲部在密封膜上设置有具有弹性的树脂材料的情况进行了说明,但本发明只要是减薄了可折弯的弯曲部处的密封膜的膜厚的发明,就没有任何限定,也可以采用省略了上述树脂材料的设置的结构。但是,如上所述,将具有弹性的树脂材料设置于密封膜上的情况在能够抑制弯曲部的折弯性下降同时能够容易地使电致发光装置的强度提高方面优选。
另外,在上述第一实施方式、第二实施方式、第三实施方式及第五实施方式中,对设置有一个弯曲部的情况进行了说明,在第四实施方式中,对设置有两个弯曲部的情况进行了说明。但是,本发明的弯曲部不局限于此,只要在电致发光装置中形成于大致两重对称的位置即可,即,形成于即使使电致发光装置旋转180°弯曲部也为相同位置的位置即可。具体地说,例如,如上述的各实施方式所示,也可以将弯曲部设置于电致发光装置的左右方向上的中央部或左右方向上的大致1/3的各位置,或者设置于例如电致发光装置的左右方向上的大致1/4的各位置。
另外,在上述第一实施方式的说明中,对使用由无机膜构成的密封膜的情况进行了说明,在上述的第二至第五实施方式中的各实施方式的说明中,对使用由无机膜和有机膜的三层以上的层叠构造构成的密封膜的情况进行了说明。但是,本发明的密封膜没有任何限定。其中,如上述各实施方式那样使用至少包含无机膜的密封膜的情况,在能够更可靠地防止水分对电致发光元件的不良影响这一方面优选。另外,如上述的第二至第五实施方式中的各实施方式那样使用由无机膜和有机膜的层叠构造构成的密封膜的情况,在能够容易地提高密封膜的密封性这方面优选。
另外,在上述的说明中,对应用于具有TFT(薄膜晶体管)7的有源矩阵式的有机EL显示装置的情况进行了说明,但本发明不局限于此,也可应用于未设置薄膜晶体管的无源矩阵式的有机EL显示装置。
另外,在上述的说明中,对应用于有机EL显示装置的情况进行了说明,但本发明不局限于此,例如,也可以应用于背光源装置等照明装置。
另外,除上述的说明以外,也可以适当组合上述第一实施方式~第五实施方式。
产业上的可利用性
本发明对于即使在折弯时也能够防止在密封膜发生膜剥离的可靠性优异的电致发光装置和使用该电致发光装置的电子器件以及电致发光装置的制造方法有用。
附图标记说明
1 有机EL显示装置(电致发光装置)
2 TFT基板(基板)
3 对置基板
4 有机EL元件(电致发光元件)
5 密封件
14、14a、14b、14c、14d、14e 密封膜
15 树脂材料
K 弯曲部
A1~A6 凸起状部分
Claims (11)
1.一种电致发光装置,其包括:柔性的基板;设置在所述基板上的电致发光元件;和密封所述电致发光元件的密封膜,该电致发光装置的特征在于:
设置有可折弯的弯曲部,并且,
使所述密封膜在所述弯曲部的膜厚变薄。
2.如权利要求1所述的电致发光装置,其特征在于:
设置有多个所述弯曲部,并且,
在所述多个弯曲部中的各弯曲部,使所述密封膜的膜厚变薄。
3.如权利要求1或2所述的电致发光装置,其特征在于,包括:
与所述基板相对的对置基板;和
框状的密封件,其设置于所述基板与所述对置基板之间,并且与该基板及对置基板一起将所述电致发光元件封入。
4.如权利要求1~3中任一项所述的电致发光装置,其特征在于:
在所述密封膜中,在所述弯曲部,多个凸起状部分被薄膜化,并且形成为网状。
5.如权利要求1~3中任一项所述的电致发光装置,其特征在于:
在所述密封膜中,在所述弯曲部,多个凸起状部分被薄膜化,并且彼此隔开规定间隔地平行地形成。
6.如权利要求1~5中任一项所述的电致发光装置,其特征在于:
所述密封膜至少包含无机膜。
7.如权利要求1~5中任一项所述的电致发光装置,其特征在于:
所述密封膜由无机膜和有机膜的层叠构造构成。
8.如权利要求6或7所述的电致发光装置,其特征在于:
在所述密封膜中,以夹着所述弯曲部的方式设置有有机膜。
9.如权利要求1~8中任一项所述的电致发光装置,其特征在于:
在所述弯曲部,在所述密封膜上设置有具有弹性的树脂材料。
10.一种电子器件,其特征在于:
使用权利要求1~9中任一项所述的电致发光装置。
11.一种电致发光装置的制造方法,该电致发光装置包括:柔性的基板;设置在所述基板上的电致发光元件;和密封所述电致发光元件的密封膜,并且设置有可折弯的弯曲部,该电致发光装置的制造方法的特征在于,包括:
在所述基板上形成所述电致发光元件的工序;和
在所述电致发光元件上形成所述密封膜的工序,
在形成所述密封膜的工序时,以所述密封膜在所述弯曲部的膜厚变薄的方式形成该密封膜。
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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CN (1) | CN106717114A (zh) |
WO (1) | WO2016043255A1 (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109461378A (zh) * | 2017-09-06 | 2019-03-12 | 三星显示有限公司 | 可折叠显示设备及其制造方法 |
CN113555394A (zh) * | 2021-07-05 | 2021-10-26 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017033879A1 (ja) * | 2015-08-27 | 2017-03-02 | シャープ株式会社 | エレクトロルミネッセンス装置 |
KR102454082B1 (ko) * | 2015-12-11 | 2022-10-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 백플레이트 및 이를 포함하는 폴더블 표시장치 |
KR102095910B1 (ko) * | 2017-12-13 | 2020-04-01 | 엘지디스플레이 주식회사 | 곡면형 표시장치와 그의 제조방법 |
CN109004013B (zh) * | 2018-08-06 | 2021-01-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled显示面板、显示装置及oled显示面板的制作方法 |
JP2020113437A (ja) * | 2019-01-11 | 2020-07-27 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20100293782A1 (en) * | 2009-05-21 | 2010-11-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing light-emitting device |
CN101908555A (zh) * | 2009-06-04 | 2010-12-08 | 三星移动显示器株式会社 | 有机发光二极管显示器及其制造方法 |
CN102544060A (zh) * | 2010-12-14 | 2012-07-04 | 三星移动显示器株式会社 | 有机发光显示装置及其制造方法 |
JP4982976B2 (ja) * | 2005-06-29 | 2012-07-25 | 住友化学株式会社 | フレキシブル基板の製造方法及びディスプレイ素子 |
US20130119352A1 (en) * | 2011-11-14 | 2013-05-16 | Deeder Mohammad Aurongzeb | Multi-structure cathode for flexible organic light emitting diode (oled) device and method of making same |
WO2014017075A1 (ja) * | 2012-07-26 | 2014-01-30 | パナソニック株式会社 | 有機el装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3761843B2 (ja) * | 2001-07-03 | 2006-03-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及び電子機器 |
JP2003017244A (ja) | 2001-07-05 | 2003-01-17 | Sony Corp | 有機電界発光素子およびその製造方法 |
JP2005251671A (ja) * | 2004-03-08 | 2005-09-15 | Fuji Photo Film Co Ltd | 表示装置 |
JP2008159309A (ja) * | 2006-12-21 | 2008-07-10 | Sony Corp | 発光装置およびその製造方法、ならびに表示装置 |
JP2009037812A (ja) | 2007-07-31 | 2009-02-19 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 有機el装置およびその製造方法 |
KR101971201B1 (ko) * | 2012-08-20 | 2019-04-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 양면 표시 장치 및 이의 제작 방법 |
KR102117890B1 (ko) * | 2012-12-28 | 2020-06-02 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시 장치 및 플렉서블 표시 장치 제조 방법 |
-
2015
- 2015-09-17 WO PCT/JP2015/076401 patent/WO2016043255A1/ja active Application Filing
- 2015-09-17 CN CN201580050502.8A patent/CN106717114A/zh active Pending
- 2015-09-17 US US15/511,740 patent/US10043999B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4982976B2 (ja) * | 2005-06-29 | 2012-07-25 | 住友化学株式会社 | フレキシブル基板の製造方法及びディスプレイ素子 |
US20100293782A1 (en) * | 2009-05-21 | 2010-11-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing light-emitting device |
CN101908555A (zh) * | 2009-06-04 | 2010-12-08 | 三星移动显示器株式会社 | 有机发光二极管显示器及其制造方法 |
CN102544060A (zh) * | 2010-12-14 | 2012-07-04 | 三星移动显示器株式会社 | 有机发光显示装置及其制造方法 |
US20130119352A1 (en) * | 2011-11-14 | 2013-05-16 | Deeder Mohammad Aurongzeb | Multi-structure cathode for flexible organic light emitting diode (oled) device and method of making same |
WO2014017075A1 (ja) * | 2012-07-26 | 2014-01-30 | パナソニック株式会社 | 有機el装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109461378A (zh) * | 2017-09-06 | 2019-03-12 | 三星显示有限公司 | 可折叠显示设备及其制造方法 |
US11631830B2 (en) | 2017-09-06 | 2023-04-18 | Samsung Display Co., Ltd. | Foldable display apparatus and manufacturing method thereof |
CN113555394A (zh) * | 2021-07-05 | 2021-10-26 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2016043255A1 (ja) | 2016-03-24 |
US20170263892A1 (en) | 2017-09-14 |
US10043999B2 (en) | 2018-08-07 |
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