JP4211644B2 - 電気光学装置の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明の電気光学装置の製造方法は上記課題を解決するために、下地上に、薄膜トランジスタの半導体膜を形成する工程と、ダミー膜を、前記半導体膜の表面を覆うように形成するダミー膜形成工程と、前記ダミー膜を介して前記半導体膜に対して、不純物を第1注入量で注入して前記薄膜トランジスタのチャネル領域に隣接する低濃度領域を形成する第1注入工程と、前記ダミー膜を介して前記半導体膜に対して、不純物を前記第1注入量より多い第2注入量で注入して前記薄膜トランジスタのソース領域及びドレイン領域を前記低濃度領域に隣接して形成する第2注入工程と、前記ダミー膜を、前記チャネル領域と前記低濃度領域が露出するように除去するとともに、前記ダミー膜を、前記ソース領域及び前記ドレイン領域の少なくとも一部が露出するように除去するダミー膜除去工程と、前記半導体膜のうち前記ダミー膜が除去されて露出した部分の表面を少なくとも覆うように、前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜を形成するゲート絶縁膜形成工程と、前記薄膜トランジスタのゲート電極を、前記ゲート絶縁膜上における前記チャネル領域に重畳する領域に形成するとともに、前記ゲート電極を前記低濃度領域の少なくとも一部に重畳する領域に形成するゲート電極形成工程とを含むことを特徴とする。
本発明の電気光学装置の製造方法は上記課題を解決するために、前記半導体膜をパターニングすることにより、蓄積容量の下部容量電極の前駆膜を形成する工程を含み、前記ダミー膜形成工程で、前記ダミー膜を、前記前駆膜の表面も覆うように形成し、前記第1注入工程で、前記ダミー膜を介して前記前駆膜に対しても、不純物を前記第1注入量で注入し、前記第2注入工程で、前記ダミー膜を介して前記前駆膜に対しても、不純物を前記第2注入量で注入することにより前記前駆膜を前記下部容量電極にし、前記ダミー膜除去工程で、前記ダミー膜を、前記下部容量電極が露出するように除去し、前記ゲート絶縁膜形成工程で、前記ゲート絶縁膜と同一材料を用いて、前記蓄積容量の第1誘電体膜を前記下部容量電極上に形成し、前記ゲート電極形成工程で、前記ゲート電極と同一材料を用いて、前記蓄積容量の上部容量電極を、前記第1誘電体膜上に形成することを特徴とする。
本発明の電気光学装置の製造方法は上記課題を解決するために、前記半導体膜をパターニングすることにより、蓄積容量の下部容量電極の前駆膜を形成する工程とを含み、前記ダミー膜形成工程で、前記ダミー膜を、前記前駆膜の表面も覆うように形成し、前記第1注入工程で、前記ダミー膜を介して前記前駆膜に対しても、不純物を前記第1注入量で注入し、前記第2注入工程で、前記ダミー膜を介して前記前駆膜に対しても、不純物を前記第2注入量で注入することにより前記前駆膜を前記下部容量電極にし、前記ダミー膜除去工程で、前記ダミー膜を、前記下部容量電極は露出しないように除去し、前記ダミー膜を前記蓄積容量の第2誘電体とし、前記蓄積容量のスタック電極を、前記第2誘電体膜上に形成する工程とをさらに含み、前記ゲート絶縁膜形成工程で、前記ゲート絶縁膜と同一材料を用いて、前記蓄積容量の第1誘電体膜を前記スタック電極上に形成し、前記ゲート電極形成工程で、前記ゲート電極と同一材料を用いて、前記蓄積容量の上部容量電極を、前記第1誘電体膜上に形成することを特徴とする。
先ず、本発明の電気光学装置に係る第1実施形態について、図1から図10を参照して説明する。
本発明の電気光学装置の全体構成について、図1及び図2を参照して説明する。ここに、図1は、TFTアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た電気光学装置の平面図であり、図2は、図1のH−H’断面図である。ここでは、電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のTFTアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
以下では、本実施形態における電気光学装置の画素部の構成について、図3から図5を参照して説明する。ここに図3は、電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路であり、図4は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたTFTアレイ基板の任意の画素部の平面図であり、図5は図4に示す画素部のA−A’断面図である。なお、図5においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。
上述した電気光学装置の製造方法について、図6から図9を参照して、以下に説明する。以下では、図4及び図5に示すTFTアレイ基板10上の各構成要素に係る製造工程について特に詳しく説明し、図1及び図2に示す他の構成要素に係る製造工程の説明に関しては省略する。
次に、本発明の電気光学装置に係る第2実施形態について説明する。第2実施形態では、画素部における蓄積容量の構成が第1実施形態と異なる。よって、第1実施形態と異なる点についてのみ、図11から図15を参照して詳細に説明する。
上述した第2実施形態の変形例について、図13及び図14に加えて図16を参照して説明する。
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。
まず、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。図17は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。この図に示されるように、プロジェクタ1100内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット1102が設けられている。このランプユニット1102から射出された投射光は、ライトガイド1104内に配置された4枚のミラー1106および2枚のダイクロイックミラー1108によってRGBの3原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル1110R、1110Bおよび1110Gに入射される。
次に、液晶装置を、モバイル型のパーソナルコンピュータに適用した例について説明する。図18は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。図において、コンピュータ1200は、キーボード1202を備えた本体部1204と、液晶表示ユニット1206とから構成されている。この液晶表示ユニット1206は、先に述べた液晶装置1005の背面にバックライトを付加することにより構成されている。
さらに、液晶装置を、携帯電話に適用した例について説明する。図19は、この携帯電話の構成を示す斜視図である。図において、携帯電話1300は、複数の操作ボタン1302とともに、反射型の液晶装置1005を備えるものである。この反射型の液晶装置1005にあっては、必要に応じてその前面にフロントライトが設けられる。
Claims (11)
- 下地上に、薄膜トランジスタの半導体膜を形成する工程と、
ダミー膜を、前記半導体膜の表面を覆うように形成するダミー膜形成工程と、
前記ダミー膜を介して前記半導体膜に対して、不純物を第1注入量で注入して前記薄膜トランジスタのチャネル領域に隣接する低濃度領域を形成する第1注入工程と、
前記ダミー膜を介して前記半導体膜に対して、不純物を前記第1注入量より多い第2注入量で注入して前記薄膜トランジスタのソース領域及びドレイン領域を前記低濃度領域に隣接して形成する第2注入工程と、
前記ダミー膜を、前記チャネル領域と前記低濃度領域が露出するように除去するとともに、前記ダミー膜を、前記ソース領域及び前記ドレイン領域の少なくとも一部が露出するように除去するダミー膜除去工程と、
前記半導体膜のうち前記ダミー膜が除去されて露出した部分の表面を少なくとも覆うように、前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜を形成するゲート絶縁膜形成工程と、
前記薄膜トランジスタのゲート電極を、前記ゲート絶縁膜上における前記チャネル領域に重畳する領域に形成するとともに、前記ゲート電極を前記低濃度領域の少なくとも一部に重畳する領域に形成するゲート電極形成工程と
を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。 - 前記半導体膜を形成する工程は、前記半導体膜として低温ポリシリコン膜を形成すること
を特徴とする請求項1に記載の電気光学装置の製造方法。 - 前記半導体膜をパターニングすることにより、蓄積容量の下部容量電極の前駆膜を形成する工程を含み、
前記ダミー膜形成工程で、前記ダミー膜を、前記前駆膜の表面も覆うように形成し、
前記第1注入工程で、前記ダミー膜を介して前記前駆膜に対しても、不純物を前記第1注入量で注入し、
前記第2注入工程で、前記ダミー膜を介して前記前駆膜に対しても、不純物を前記第2注入量で注入することにより前記前駆膜を前記下部容量電極にし、
前記ダミー膜除去工程で、前記ダミー膜を、前記下部容量電極が露出するように除去し、
前記ゲート絶縁膜形成工程で、前記ゲート絶縁膜と同一材料を用いて、前記蓄積容量の第1誘電体膜を前記下部容量電極上に形成し、
前記ゲート電極形成工程で、前記ゲート電極と同一材料を用いて、前記蓄積容量の上部容量電極を、前記第1誘電体膜上に形成すること
を特徴とする請求項2に記載の電気光学装置の製造方法。 - 前記半導体膜をパターニングすることにより、蓄積容量の下部容量電極の前駆膜を形成する工程と
を含み、
前記ダミー膜形成工程で、前記ダミー膜を、前記前駆膜の表面も覆うように形成し、
前記第1注入工程で、前記ダミー膜を介して前記前駆膜に対しても、不純物を前記第1注入量で注入し、
前記第2注入工程で、前記ダミー膜を介して前記前駆膜に対しても、不純物を前記第2注入量で注入することにより前記前駆膜を前記下部容量電極にし、
前記ダミー膜除去工程で、前記ダミー膜を、前記下部容量電極は露出しないように除去し、前記ダミー膜を前記蓄積容量の第2誘電体とし、
前記蓄積容量のスタック電極を、前記第2誘電体膜上に形成する工程と
を更に含み、
前記ゲート絶縁膜形成工程で、前記ゲート絶縁膜と同一材料を用いて、前記蓄積容量の第1誘電体膜を前記スタック電極上に形成し、
前記ゲート電極形成工程で、前記ゲート電極と同一材料を用いて、前記蓄積容量の上部容量電極を、前記第1誘電体膜上に形成すること
を特徴とする請求項2に記載の電気光学装置の製造方法。 - 前記ダミー膜形成工程は、前記ダミー膜を前記下地とエッチングレートが同等となるように形成すること
を特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。 - 前記ダミー膜形成工程は、前記ダミー膜を前記下地とエッチングレートが異なるように形成すること
を特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。 - 前記ダミー膜形成工程は、前記ダミー膜を前記下地よりもエッチングレートが大きくなるように形成すること
を特徴とする請求項6に記載の電気光学装置の製造方法。 - 前記ダミー膜形成工程は、前記ダミー膜をシリコン窒化膜として形成すること
を特徴とする請求項7に記載の電気光学装置の製造方法。 - 前記ダミー膜形成工程は、前記ダミー膜を前記下地に含まれる膜と同一の材料を用いて形成すること
を特徴とする請求項5から7のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。 - 前記第1注入工程及び前記第2注入工程は、n型の不純物を用いて行うこと
を特徴とする請求項1から9のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。 - 前記第1注入工程及び前記第2注入工程は、p型の不純物を用いて行うこと
を特徴とする請求項1から9のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
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