KR20160098606A - 유기 발광 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는, 제1 방향으로 연장되며, 빛을 발광하는 유기 발광 소자와 연결된 제1 연결 라인, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되는 리페어 라인 및 상기 제1 연결 라인과 상기 리페어 라인 사이에 위치하여, 상기 제1 연결 라인과 상기 리페어 라인을 서로 절연하는 절연층을 포함하며, 상기 리페어 라인에는, 상기 제1 방향으로 돌출되며, 일부가 상기 제1 연결 라인의 일부와 중첩하는 접합부가 형성될 수 있다.

Description

유기 발광 표시 장치{ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY}
본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것으로, 보다 자세히 리페어될 수 있는 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.
현재 알려져 있는 평판 표시 장치에는 액정 표시 장치(liquid crystal display: LCD), 플라스마 표시 장치(plasma display panel, PDP), 유기 발광 표시 장치(organic light emitting display, OLED), 전계 효과 표시 장치(field effect display, FED), 전기 영동 표시 장치(eletrophoretic display device)등이 있다.
이 중 유기 발광 표시 장치는 화소 전극과 공통 전극 그리고 그 사이에 위치하는 유기 발광층을 포함하며, 하나의 전극으로부터 주입된 전자(electron)와 다른 전극으로부터 주입된 정공(hole)이 유기 발광층에서 결합하여 여기자(exciton)를 형성하고, 여기자가 에너지를 방출하면서 발광한다.
이때, 유기 발광 표시 장치에서는 각 화소들에 구비된 소자들의 특성 편차나 화소 회로 내에서의 단선 또는 단락 등에 기인하여, 정상적인 구동전류보다 큰 과전류가 일부 화소에 흐르면서 명점으로 발현되는 화소불량이 발생될 수 있다.
또한, 이물유입 등에 의해서도 얼룩이 발생하는 등의 다양한 화소불량이 발생할 수 있다. 이러한 경우, 유기 발광 표시 장치 내에 더미선을 이용하여 화소 불량을 수리하게 된다.
상기한 바와 같은 기술적 배경을 바탕으로, 본 발명은 불량이 발생된 화소를 용이하게 수리할 수 있는 유기 발광 표시 장치를 제공하고자 한다.
또한, 불량이 발생된 화소를 수리하는 과정에서, 서로 다른 배선을 접합시킴에 따라 저항이 증가하는 것을 방지할 수 있는 유기 발광 표시 장치를 제공하고자 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는, 제1 방향으로 연장되며, 빛을 발광하는 유기 발광 소자와 연결된 제1 연결 라인, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되는 리페어 라인 및 상기 제1 연결 라인과 상기 리페어 라인 사이에 위치하여, 상기 제1 연결 라인과 상기 리페어 라인을 서로 절연하는 절연층을 포함하며, 상기 리페어 라인에는, 상기 제1 방향으로 돌출되며, 일부가 상기 제1 연결 라인의 일부와 중첩하는 접합부가 형성될 수 있다.
상기 접합부는 사각 형상으로 이루어질 수 있다.
상기 접합부의 상기 제2 방향으로의 폭의 절반 이상이 상기 제1 연결 라인과 중첩할 수 있다.
상기 접합부와 상기 리페어 라인은 일체로 형성될 수 있다.
상기 제1 연결 라인이 상기 리페어 라인 아래에 위치할 수 있다.
상기 제1 연결 라인이 상기 리페어 라인 위에 위치할 수 있다.
상기 유기 발광 소자, 상기 제1 연결 라인 및 상기 유기 발광 소자와 연결된 제1 화소 회로를 포함하는 복수의 발광 화소 및 상기 발광 화소와 이격되며, 제2 화소 회로를 포함하는 적어도 하나 이상의 더미 화소를 더 포함할 수 있다.
상기 더미 화소는, 상기 제2 화소 회로와 연결되어 상기 리페어 라인과 절연 교차하는 제2 연결 라인을 더 포함할 수 있다.
상기 리페어 라인은, 상기 제1 및 제2 화소 회로에 각각 포함되는 박막 트랜지스터의 게이트 전극과 동일한 층에 위치하며, 상기 제1 연결 라인은, 상기 박막 트랜지스터의 소스 및 드레인 전극과 동일한 층에 위치할 수 있다.
상기 리페어 라인은, 상기 제1 및 제2 화소 회로에 각각 포함되는 박막 트랜지스터의 소스 및 드레인 전극과 동일한 층에 위치하며, 상기 제1 연결 라인은, 상기 박막 트랜지스터의 게이트 전극과 동일한 층에 위치할 수 있다.
상기 발광 화소는 화상을 표시하는 표시 영역에 위치하며, 상기 더미 화소는 상기 표시 영역의 주변에 위치하는 비표시 영역에 위치할 수 있다.
상기 절연층은, 상기 제1 연결 라인과 상기 리페어 라인이 중첩되는 영역의 두께가, 상기 중첩되는 영역의 주변 영역의 두께보다 작을 수 있다.
상기 절연층은 적어도 하나 이상의 층으로 이루어질 수 있다.
상기한 바와 같은 유기 발광 표시 장치에 의하면, 불량이 발생된 화소를 용이하게 수리할 수 있다.
또한, 불량이 발생된 화소를 수리하기 위해, 서로 다른 배선을 용융시켜 접합함에 따라 저항이 증가하는 것을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 발광 화소 및 더미 화소의 연결 구조를 나타낸 도면이다.
도 3은 리페어되지 않은 유기 발광 표시 장치의 발광 화소와 더미 화소를 나타낸 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제1 연결 라인과 리페어 라인을 나타낸 평면도이다.
도 5는 도 4의 Ⅴ-Ⅴ를 따라 자른 단면도이다.
도 6은 제1 연결 라인이 접합부에 의해 가려진 상태를 나타낸 도면이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 리페어 방법을 나타낸 도면이다.
도 8은 리페어된 유기 발광 표시 장치의 발광 화소와 더미 화소를 나타낸 도면이다.
첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
도면들에 있어서, 층 및 영역들의 두께는 명확성을 기하기 위하여 과장된 것이다. 또한, 층이 다른 층 또는 기판 "상"에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 층 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 층이 개재될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 의미한다.
이하, 도 1 내지 도 4를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 나타낸 도면이고, 도 2는 발광 화소 및 더미 화소의 연결 구조를 나타낸 도면이고, 도 3은 리페어되지 않은 유기 발광 표시 장치의 발광 화소와 더미 화소를 나타낸 단면도이고, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제1 연결 라인과 리페어 라인을 나타낸 평면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는, 기판(SUB), 복수의 스캔 라인(SL1~SLn), 복수의 데이터 라인(DL1~DLm), 복수의 리페어 라인(RL1~RLm), 복수의 발광 화소(EP) 및 복수의 더미 화소(DP)를 포함한다. 여기서, 화소는 이미지를 표시하는 최소 단위를 의미한다.
도 1에서는, 기판(SUB), 스캔 라인(SLn), 데이터 라인(DLm), 리페어 라인(RLm), 발광 화소(EP), 더미 화소(DP)만을 도시하였으나, 이에 한정되지 않고, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 구동 전원 라인, 초기화 전원 라인 등의 신호 라인을 더 포함할 수 있다.
기판(SUB)은, 폴리이미드(Polyimide), 폴리아미드(Polyamide), 폴리아크릴계(polyacrylates), 유리 또는 스테인리스 강 등을 포함하는 절연성 기판일 수 있다. 기판(SUB)은 이미지를 표시하는 표시 영역(Display Area, DA) 및 표시 영역(DA)과 이웃하는 비표시 영역(Non-Display Area, NDA)을 포함한다. 기판(SUB)의 표시 영역(DA)에는 복수의 발광 화소(EP)가 위치하고 있으며, 기판(SUB)의 비표시 영역(NDA)에는 복수의 더미 화소(DP)가 위치하고 있다.
복수의 스캔 라인(SLn) 각각은, 행 방향인 제1 방향으로 연장되어, 열 방향인 제2 방향으로 이격되어 배치될 수 있다. 그러나, 상기 복수의 스캔 라인(SLn) 각각의 연장 방향 및 배치 방향은 한정되지 않고, 다양한 방향으로 형성될 수 있다.
이때, 상기 복수의 스캔 라인(SLn)은 발광 화소(EP) 및 더미 화소(DP) 각각의 박막 트랜지스터에 연결될 수 있으며, 스캔 라인(SLn)의 신호에 따라 발광 화소(EP)의 유기 발광 소자(organic light emitting diode)가 발광할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서는, 하나의 발광 화소(EP) 및 하나의 더미 화소(DP) 각각에 하나의 스캔 라인(SLn)이 연결되어 있으나, 이에 한정되지 않고 복수의 스캔 라인(SLn)이 하나의 발광 화소(EP) 및 하나의 더미 화소(DP) 각각에 연결될 수 있다.
한편, 복수의 데이터 라인(DLm) 각각은 열 방향인 제2 방향으로 연장되어, 행 방향인 제1 방향으로 이격되어 배치될 수 있다. 복수의 스캔 라인(SLn)과 마찬가지로, 상기 복수의 데이터 라인(DLm) 각각의 연장 방향 및 배치 방향은 한정되지 않고, 다양한 방향으로 형성될 수 있다.
복수의 데이터 라인(DLm) 각각은 복수의 스캔 라인(SLn)과 절연 교차한다. 복수의 데이터 라인(DLm)은 각각은 발광 화소(EP) 및 더미 화소(DP) 각각의 박막 트랜지스터에 연결될 수 있으며, 데이터 라인(DLm)의 신호에 따라 발광 화소(EP)의 유기 발광 소자가 발광할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서는, 하나의 발광 화소(EP) 및 하나의 더미 화소(DP) 각각에 하나의 데이터 라인(DLm)이 연결되어 있으나, 이에 한정되지 않고 복수의 데이터 라인(DLm)이 하나의 발광 화소(EP) 및 하나의 더미 화소(DP) 각각에 연결될 수 있다. 이 경우, 복수의 데이터 라인(DLm)은 데이터 라인 및 구동 전원 라인 등을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 복수의 리페어 라인(RLm)은 열 방향인 제2 방향으로 연장되며, 행 방향인 제1 방향으로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 복수의 리페어 라인(RLm) 각각의 연장 방향 및 배치 방향은 이에 한정되지 않고, 다양한 방향으로 형성될 수 있다.
복수의 리페어 라인(RLm) 각각은 복수의 스캔 라인(SLn) 각각과 절연 교차한다. 복수의 리페어 라인(RLm)은 발광 화소(EP) 및 더미 화소(DP)와 이웃하고 있다.
이때, 하나의 리페어 라인(RLm)과 이웃하는 복수의 발광 화소(EP) 중 특정 발광 화소(EP)에 불량이 발생되면, 상기 불량 발광 화소(EP)는 리페어 라인(RLm)과 연결될 수 있다. 상기 불량 발광 화소(EP)와 연결된 리페어 라인(RLm)은 더미 화소(DP)와 연결될 수 있다. 불량이 발생된 특정 발광 화소(EP)와 리페어 라인(RLm) 사이의 연결 및 리페어 라인(RLm)과 더미 화소(DP) 사이의 연결은 후술하기로 한다.
복수의 리페어 라인(RLm)은, 스캔 라인(SLn)과 동일한 층에 위치하거나, 데이터 라인(DLm)과 동일한 층에 위치하거나, 스캔 라인(SLn) 및 데이터 라인(DLm) 각각과는 서로 다른 층에 위치할 수 있다.
복수의 발광 화소(EP)는 기판(SUB)의 표시 영역(DA)에 위치하고 있으며, 이미지를 표시한다. 발광 화소(EP)는, 복수의 박막 트랜지스터 및 하나 이상의 커패시터를 포함하는 제1 화소 회로 및 상기 제1 화소 회로와 연결된 유기 발광 소자를 포함한다. 복수의 발광 화소(EP) 각각은 스캔 라인(SLn) 및 데이터 라인(DLm)과 연결되어 있으며, 스캔 라인(SLn) 및 데이터 라인(DLm) 각각을 통하는 신호에 의해 발광할 수 있다.
복수의 더미 화소(DP)는, 복수의 발광 화소(EP)와 이격되어 기판(SUB)의 비표시 영역(NDA)에 위치하고 있다. 더미 화소(DP)는 복수의 박막 트랜지스터 및 하나 이상의 커패시터를 포함하는 제2 화소 회로를 포함한다. 복수의 더미 화소(DP) 각각은 스캔 라인(SLn) 및 데이터 라인(DLm)과 연결되어 있으며, 스캔 라인(SLn) 및 데이터 라인(DLm) 각각을 통해 발광 화소(EP)와 동일한 신호가 전달될 수 있다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 발광 화소(EP)는, 제1 화소 회로(PC1), 상기 제1 화소 회로(PC1)와 연결된 유기 발광 소자(OLED) 및 상기 유기 발광 소자(OLED)와 연결되며 리페어 라인(RLm)과 절연 교차하는 제1 연결 라인(CL1)을 포함한다.
제1 연결 라인(CL1)은 박막 트랜지스터(TFT)의 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)과 일체로 형성될 수 있다. 그러나, 이에 한정되지 않고 제1 연결 라인(CL1)은 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)과는 다른 층으로 형성될 수 있다.
제1 연결 라인(CL1)의 하부에는 리페어 라인(RLm)이 위치하고 있다. 전술한 바와 같이, 리페어 라인(RLm)은 제1 연결 라인(CL1)의 하부에 위치하여 제1 연결 라인(CL1)과 절연 교차한다. 발광 화소(EP)가 불량이 발생하는 경우, 리페어 라인(RLm)은 제1 연결 라인(CL1)과 연결될 수 있다. 이에 대한 상세한 설명은 후술하는 리페어 방법에서 상술하기로 한다.
리페어 라인(RLm)은, 제1 화소 회로(PC1) 및 제2 화소 회로(PC2) 각각을 구성하는 박막 트랜지스터(TFT)의 게이트 전극(GE)과 동일한 층에 위치하나, 이에 한정되지 않고 게이트 전극(GE)과 다른 층에 위치할 수 있다.
더미 화소(DP)는, 제2 화소 회로(PC2) 및 상기 제2 화소 회로(PC2)와 연결되어 리페어 라인(RLm)과 절연 교차하는 제2 연결 라인(CL2)을 포함한다. 상기 제2 연결 라인(CL2)은 박막 트랜지스터(TFT)의 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)과 일체로 형성되나, 이에 한정되지 않고 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)과는 다른 층으로 형성될 수 있다.
제2 연결 라인(CL2)의 하부에는 전술한 리페어 라인(RLm)이 위치하고 있다. 발광 화소(EP)에 불량이 발생하는 경우, 리페어 라인(RLm)은 제2 연결 라인(CL2)과 연결될 수 있다. 이에 대한 상세한 설명은 후술하는 리페어 방법에서 상술하기로 한다.
발광 화소(EP)의 제1 화소 회로(PC1) 및 더미 화소(DP)의 제2 화소 회로(PC2) 각각은, 액티브층(AC), 게이트 전극(GE), 소스 전극(SE), 드레인 전극(DE)을 포함하는 복수의 박막 트랜지스터(TFT) 및 하나 이상의 커패시터를 포함한다. 게이트 전극(GE)과 액티브층(AC) 사이에는 제1 절연층(IL1)이 위치하며, 게이트 전극(GE)과 소스 전극(SE) 사이에는 제2 절연층(IL2)이 위치하며, 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 제3 절연층(IL3)에 덥혀 있다. 제1 절연층(IL1), 제2 절연층(IL2), 제3 절연층(IL3) 각각은 유기 재료 또는 무기 재료를 포함하는 단층 또는 복층으로 형성될 수 있다.
유기 발광 소자(OLED)는 박막 트랜지스터(TFT)와 연결된 제1 전극(E1), 제1 전극(E1) 상에 위치하는 유기 발광층(EL), 유기 발광층(EL)을 사이에 두고 제1 전극(E1) 상에 위치하는 제2 전극(E2)을 포함한다. 제1 전극(E1) 및 제2 전극(E2) 하나 이상은 광투과성 전극으로 형성되며, 유기 발광층(EL)으로부터 발광된 빛은 제1 전극(E1) 및 제2 전극(E2) 하나 이상의 전극 방향으로 방출될 수 있다. 즉, 유기 발광 표시 장치는 전면 발광형 또는 배면 발광형으로 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 연결 라인(CL1)과 리페어 라인(RLm) 사이에 위치하는 제2 절연층(IL2)은, 두께가 위치에 따라 다를 수 있다. 보다 자세히, 제2 절연층(IL2)은, 제1 연결 라인(CL1)과 리페어 라인(RLm)이 중첩하는 영역(Ⅰ)과 제1 연결 라인(CL1)과 리페어 라인(RLm)이 중첩하지 않는 영역(Ⅱ)으로 구분할 수 있다. 제2 절연층(IL2)은, Ⅰ 영역의 두께(T1)가 Ⅱ 영역의 두께(T2)보다 작다. 제2 절연층(IL2)의 Ⅰ 영역의 두께(T1)가 작게 형성됨으로써, 리페어 과정에서 제1 연결 라인(CL1)과 리페어 라인(RLm)을 레이저를 이용하여 용이하게 접합시킬 수 있다. 즉, 제1 연결 라인(CL1)과 리페어 라인(RLm) 사이의 제2 절연층(IL2)의 두께가 다른 부분의 두께 보다 작기 때문에, 제1 연결 라인(CL1)과 리페어 라인(RLm)을 서로 접합하기 용이해진다.
또한, 제2 연결 라인(CL2)과 리페어 라인(RLm) 사이에 위치하는 제2 절연층(IL2)도, 전술한 바와 같이 두께가 위치에 따라 다를 수 있다. 즉, 제2 연결 라인(CL2)과 리페어 라인(RLm)이 중첩하는 영역의 제2 절연층(IL2)의 두께가, 제2 연결 라인(CL2)과 리페어 라인(RLm)이 중첩하지 않는 영역의 두께보다 작게 형성될 수 있다.
이때, 제2 절연층(IL2)은 하프-톤 마스크(Half-tone mask)를 이용하여 절연층의 두께를 서로 다르게 형성할 수 있다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 리페어 라인(RLm)에는, 제1 방향으로 돌출된 접합부(CN)가 형성된다. 상기 접합부(CN)는 리페어 작업시 제1 연결 라인(CL1)과 접합되는 리페어 라인(RLm)의 일 영역이다. 접합부(CN)는 사각 형상으로 이루어질 수 있다. 그러나, 접합부(CN)의 형상은 이에 한정되지 않고, 반원 형상, 원형, 삼각형, 오각형 등 다각 형상으로 이루어질 수도 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 접합부(CN)의 일부가 제1 연결 라인(CL1)의 일부와 중첩될 수 있다. 도 6에서 후술하는 바와 같이, 제1 연결 라인(CL1)의 제2 방향으로의 폭 일부만 접합부(CN)의 일부와 중첩된다. 보다 자세히, 접합부(CN)의 폭(W1)의 절반 이상이 제1 연결 라인(CL1)과 중첩될 수 있다. 즉, 접합부(CN)와 제1 연결 라인(CL1)의 중첩된 폭(W2)이 접합부(CN)의 폭(W1)의 절반 이상이 된다.
리페어 과정에서는, 제1 연결 라인(CL1)의 하부에 위치한 리페어 라인(RLm) 뒷면에서 레이저를 조사하여, 리페어 라인(RLm)과 제1 연결 라인(CL1)을 용융시켜 서로 접합한다. 그러나, 도 6에 도시된 바와 같이, 일반적으로 제1 연결 라인(CL1)의 폭이 리페어 라인(RLm)의 접합부(CN)의 폭 보다 작기 때문에, 제1 연결 라인(CL1)의 일부와 접합부(CN)의 일부가 중첩되지 않으면, 리페어 라인(RLm)에 가려 제1 연결 라인(CL1)이 보이지 않는다. 즉, 제1 연결 라인(CL1) 전체가 리페어 라인(RLm)의 일부와 중첩되면, 제1 연결 라인(CL1)이 리페어 라인(RLm)에 의해 가려지게 된다.
도 6에서, 제4 접합 라인(WL4)을 따라 레이저를 조사하면, 제1 연결 라인(CL1)과 리페어 라인(RLm)을 안전하게 접합시킬 수 있다. 그러나, 리페어 라인(RLm) 뒷면에서는 제1 연결 라인(CL1)이 리페어 라인(RLm)에 의해 가려져 제4 접합 라인(WL4)을 따라 접합시킬 수가 없다. 또한, 도 6에서, 제3 접합 라인(WL3)을 따라 레이저를 조사하면, 제1 연결 라인(CL1)이 레이저에 의해 절단될 위험이 있다.
따라서, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 도 4에 도시된 바와 같이, 리페어 라인(RLm)의 접합부(CN)의 일부가 제1 연결 라인(CL1)의 일부와 중첩되면, 제1 접합 라인(WL1)을 따라 레이저를 조사할 수 있다. 또한, 제2 접합 라인(WL2)를 따라 레이저를 조사할 수도 있다. 다만, 제2 접합 라인(WL2)을 따라 접합하면, 제1 접합 라인(WL1)을 따라 접합한 경우보다 접합 영역의 폭이 작아 저항이 상승할 수가 있다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 제1 접합 라인(WL1)을 따라 접합하면 저항의 증가를 최소화하여 제1 연결 라인(CL1)과 리페어 라인(RLm)을 접합할 수 있다.
한편, 접합부(CN)의 돌출부의 길이가 길어질수록, 제1 접합 라인(WL1)의 길이가 길어진다. 이에 따라, 접합 영역의 저항을 감소시킬 수 있다. 즉, 접합부(CN)의 제1 방향으로의 길이가 길어질수록, 접합 영역의 저항을 감소시킬 수 있다.
하기에서는, 도 7 및 도 8을 참조하여, 발광 화소(EP)에 불량이 발생한 경우 이를 리페어하는 과정을 설명하기로 한다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 리페어 방법을 나타낸 도면이고, 도 8은 리페어된 유기 발광 표시 장치의 발광 화소와 더미 화소를 나타낸 도면이다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 우선 복수의 발광 화소(EP) 중 하나의 발광 화소(EP)의 제1 화소 회로(PC1)가 불량인 경우, 제1 화소 회로(PC1)와 유기 발광 소자(OLED) 사이의 절단 영역(CA)을 절단(cut)한다. 이러한 절단은 레이저 빔을 이용해 수행할 수 있다. 일례로, 레이저빔을 이용해 박막 트랜지스터(TFT)의 드레인 전극(DE)과 유기 발광 소자(OLED)의 제1 전극(E1) 사이에 위치하는 도전 패턴을 절단하여 제1 화소 회로(PC1)와 유기 발광 소자(OLED) 사이를 분리한다.
즉, 유기 발광 소자(OLED)는 제1 화소 회로(PC1)와 단선되며, 이러한 단선은 레이저에 의해 수행될 수 있다.
다음, 도 7의 (b) 및 도 8에 도시된 바와 같이, 발광 화소(EP)의 제1 연결 라인(CL1)과 리페어 라인(RLm)의 접합부(CN)을 직접 연결하여 리페어 라인(RLm)과 발광 화소(EP)의 유기 발광 소자(OLED)를 연결하고, 더미 화소(DP)의 제2 연결 라인(CL2)과 리페어 라인(RLm)을 직접 연결하여 유기 발광 소자(OLED)가 연결된 리페어 라인(RLm)에 더미 화소(DP)의 제2 화소 회로(PC2)를 연결한다.
이로 인해, 복수의 발광 화소(EP) 중 일 발광 화소(EP)의 유기 발광 소자(OLED)는 제1 연결 라인(CL1)에 연결된 리페어 라인(RLm)을 통해 더미 화소(DP)의 제2 화소 회로(PC2)와 연결된다. 또한, 더미 화소(DP)의 제2 화소 회로(PC2)와 연결된 유기 발광 소자(OLED)는 발광 화소(EP)의 제1 화소 회로(PC1)와 단선된다.
상술한 바와 같이, 불량이 발생된 발광 화소(EP)의 제1 화소 회로(PC1)와 유기 발광 소자(OLED)를 단선하고, 리페어 라인(RLm)을 이용해 발광 화소(EP)의 유기 발광 소자(OLED)를 더미 화소(DP)의 제2 화소 회로(PC2)와 연결하여 더미 화소(DP)의 제2 화소 회로(PC2)를 이용해 발광 화소(EP)의 유기 발광 소자(OLED)를 발광시키는 리페어를 수행할 수 있다.
한편, 이러한 리페어는 유기 발광층(EL)을 형성하기 전에 수행하거나 또는 유기 발광층(EL)을 형성한 후 수행할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는, 리페어 라인(RLm)의 접합부(CN)와 제1 연결 라인(CL1)의 상기 배치에 의해, 리페어 공정시 레이저에 의해 제1 연결 라인(CL1)을 절단하는 것을 방지할 수 있으며, 접합된 영역에서의 저항의 증가를 방지할 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
OLED 유기 발광 소자 CL1 제1 연결 라인
RLm 리페어 라인 CN 접합부
CA 절단 영역 EP 발광 화소
DP 더미 화소 PC1 제1 화소 회로
PC2 제2 화소 회로

Claims (13)

  1. 제1 방향으로 연장되며, 빛을 발광하는 유기 발광 소자와 연결된 제1 연결 라인;
    상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되는 리페어 라인; 및
    상기 제1 연결 라인과 상기 리페어 라인 사이에 위치하여, 상기 제1 연결 라인과 상기 리페어 라인을 서로 절연하는 절연층을 포함하며,
    상기 리페어 라인에는,
    상기 제1 방향으로 돌출되며, 일부가 상기 제1 연결 라인의 일부와 중첩하는 접합부가 형성되는, 유기 발광 표시 장치.
  2. 제 1 항에서,
    상기 접합부는 사각 형상으로 이루어지는, 유기 발광 표시 장치.
  3. 제 1 항에서,
    상기 접합부의 상기 제2 방향으로의 폭의 절반 이상이 상기 제1 연결 라인과 중첩하는, 유기 발광 표시 장치.
  4. 제 1 항에서,
    상기 접합부와 상기 리페어 라인은 일체로 형성되는, 유기 발광 표시 장치.
  5. 제 1 항에서,
    상기 제1 연결 라인이 상기 리페어 라인 아래에 위치하는, 유기 발광 표시 장치.
  6. 제 1 항에서,
    상기 제1 연결 라인이 상기 리페어 라인 위에 위치하는, 유기 발광 표시 장치.
  7. 제 1 항에서,
    상기 유기 발광 소자, 상기 제1 연결 라인 및 상기 유기 발광 소자와 연결된 제1 화소 회로를 포함하는 복수의 발광 화소 및
    상기 발광 화소와 이격되며, 제2 화소 회로를 포함하는 적어도 하나 이상의 더미 화소를 더 포함하는, 유기 발광 표시 장치.
  8. 제 7 항에서,
    상기 더미 화소는, 상기 제2 화소 회로와 연결되어 상기 리페어 라인과 절연 교차하는 제2 연결 라인을 더 포함하는, 유기 발광 표시 장치.
  9. 제 7 항에서,
    상기 리페어 라인은, 상기 제1 및 제2 화소 회로에 각각 포함되는 박막 트랜지스터의 게이트 전극과 동일한 층에 위치하며,
    상기 제1 연결 라인은, 상기 박막 트랜지스터의 소스 및 드레인 전극과 동일한 층에 위치하는, 유기 발광 표시 장치.
  10. 제 7 항에서,
    상기 리페어 라인은, 상기 제1 및 제2 화소 회로에 각각 포함되는 박막 트랜지스터의 소스 및 드레인 전극과 동일한 층에 위치하며,
    상기 제1 연결 라인은, 상기 박막 트랜지스터의 게이트 전극과 동일한 층에 위치하는, 유기 발광 표시 장치.
  11. 제 7 항에서,
    상기 발광 화소는 화상을 표시하는 표시 영역에 위치하며,
    상기 더미 화소는 상기 표시 영역의 주변에 위치하는 비표시 영역에 위치하는, 유기 발광 표시 장치.
  12. 제 1 항에서,
    상기 절연층은,
    상기 제1 연결 라인과 상기 리페어 라인이 중첩되는 영역의 두께가, 상기 중첩되는 영역의 주변 영역의 두께보다 작은, 유기 발광 표시 장치.
  13. 제 1 항에서,
    상기 절연층은 적어도 하나 이상의 층으로 이루어지는, 유기 발광 표시 장치.
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