KR20140053631A - 표시 장치 및 표시 장치의 리페어 방법 - Google Patents

표시 장치 및 표시 장치의 리페어 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20140053631A
KR20140053631A KR1020120119798A KR20120119798A KR20140053631A KR 20140053631 A KR20140053631 A KR 20140053631A KR 1020120119798 A KR1020120119798 A KR 1020120119798A KR 20120119798 A KR20120119798 A KR 20120119798A KR 20140053631 A KR20140053631 A KR 20140053631A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
line
sub
pixel
pixels
electrode
Prior art date
Application number
KR1020120119798A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101990550B1 (ko
Inventor
김나영
강기녕
김금남
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020120119798A priority Critical patent/KR101990550B1/ko
Priority to US13/798,694 priority patent/US9167663B2/en
Priority to TW102114103A priority patent/TWI589955B/zh
Priority to CN201310148415.9A priority patent/CN103794175B/zh
Priority to EP13182483.1A priority patent/EP2725415B1/en
Publication of KR20140053631A publication Critical patent/KR20140053631A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101990550B1 publication Critical patent/KR101990550B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136259—Repairing; Defects
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136259—Repairing; Defects
    • G02F1/136263—Line defects
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/50—Repairing or regenerating used or defective discharge tubes or lamps
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/861—Repairing
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/50—Protective arrangements
    • G02F2201/506—Repairing, e.g. with redundant arrangement against defective part
    • G02F2201/508—Pseudo repairing, e.g. a defective part is brought into a condition in which it does not disturb the functioning of the device
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2330/00—Aspects of power supply; Aspects of display protection and defect management
    • G09G2330/08—Fault-tolerant or redundant circuits, or circuits in which repair of defects is prepared
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2330/00—Aspects of power supply; Aspects of display protection and defect management
    • G09G2330/10—Dealing with defective pixels

Abstract

본 발명은 복수의 부화소로 구성된 복수의 단위 화소; 상기 각 단위 화소 마다, 하나의 공통라인에서 부화소의 개수만큼 제1방향으로 분기되어, 이웃하는 단위 화소의 동일색을 방출하는 부화소들을 연결하는 제1라인; 상기 제1라인과 교차하는 제2방향으로 연장되어 상기 부화소에 연결된 제2라인; 및 상기 제2라인에 인접하게 배치되어 상기 제2방향으로 연장되며 상기 제1라인과 교차하는 부분에 구비된 홀을 포함하며 상기 부화소에 연결된 제3라인; 을 포함하는 표시 장치를 개시하여 리페어를 용이하게 한다.

Description

표시 장치 및 표시 장치의 리페어 방법{Display device and the method for repairing the display device}
본 발명은 리페어가 가능한 배선 구조를 구비한 표시 장치 및 표시 장치의 리페어 방법에 관한 것이다.
유기발광표시장치, 액정 디스플레이 장치 등과 같은 평판 표시 장치는 복수개의 화소들을 포함한다. 각 화소들은 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor: TFT) 및 커패시터를 포함하는 화소 회로부를 포함하며, 각각의 화소 회로부들은 배선들과 연결된다.
평판 표시 장치가 고해상도화 될수록 배선들의 숫자가 많아지고, 집적도가 향상된다. 또한, 평판 표시 장치가 대형화될수록 배선들 간에 쇼트 불량 또는 오픈 불량이 발생할 확률이 높아진다. 특히, 대형화된 평판 표시 장치는 모 기판(mother substrate)에 형성할 수 있는 패널의 개수가 적으므로, 불량이 발생한 패널이 포함된 모 기판을 모두 폐기할 시 생산 수율에 큰 영향을 미치게 된다. 따라서, 고해상도 및 대형화된 평판 표시 장치에 적합한 배선들의 리페어(repair) 구조 및 방법이 요구된다.
본 발명은 상술한 문제점 및 그 밖의 다른 문제점을 해결하기 위하여, 리페어가 가능한 배선 구조를 포함하는 표시 장치 및 표시 장치의 리페어 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 측면에 의하면, 복수의 부화소로 구성된 복수의 단위 화소; 상기 각 단위 화소 마다, 하나의 공통라인에서 부화소의 개수만큼 제1방향으로 분기되어, 이웃하는 단위 화소의 동일색을 방출하는 부화소들을 연결하는 제1라인; 상기 제1라인과 교차하는 제2방향으로 연장되어 상기 부화소에 연결된 제2라인; 및 상기 제2라인에 인접하게 배치되어 상기 제2방향으로 연장되며 상기 제1라인과 교차하는 부분에 구비된 홀을 포함하며 상기 부화소에 연결된 제3라인; 을 포함한다.
상기 제3라인의 폭은 상기 제2라인의 폭보다 넓다.
상기 제3라인은 상기 부화소에 전원을 공급하는 라인이다.
상기 홀은 상기 제2라인에 인접하게 구비된다.
상기 제1방향으로 연장되어 상기 제3라인에 연결되며, 적어도 상기 단위 화소의 각 부화소에 연결된 상기 제1라인들 사이에 연속적으로 배치된 제4라인; 을 더 포함한다.
상기 제4라인은 상기 부화소에 전원을 공급하는 라인이다.
상기 부화소는 상기 제1방향으로 동일색을 방출하고, 상기 제2방향으로 다른색을 방출하도록 배치된다.
상기 각 부화소는 제1전극과 제2전극, 및 상기 제1전극과 제2전극 사이에 배치된 유기발광층을 포함한다.
상기 제1전극은 투명전극이고, 상기 제2전극은 반사전극이다
본 발명의 일 측면에 의하면, 복수의 화소; 제1방향으로 연장되어 상기 화소에 연결된 제1라인;상기 제1라인과 교차하는 제2방향으로 연장되어 상기 화소에 연결된 제2라인; 및상기 제2라인에 인접하게 배치되어 상기 제2방향으로 연장되며 상기 제1라인과 교차하는 부분에 구비된 홀을 포함하며 상기 화소에 연결된 제3라인;을 포함한다
본 발명의 일 측면에 의하면, 복수의 부화소로 구성된 복수의 단위 화소와 상기 각 단위 화소 마다, 하나의 공통라인에서 부화소의 개수만큼 제1방향으로 분기되어, 이웃하는 단위 화소의 동일색을 방출하는 부화소들을 연결하는 제1라인, 상기 제1라인과 교차하는 제2방향으로 연장되어 상기 부화소에 연결된 제2라인, 및 상기 제2라인에 인접하게 배치되어 상기 제2방향으로 연장되며 상기 제1라인과 교차하는 부분에 구비된 홀을 포함하며 상기 부화소에 연결된 제3라인, 을 포함하는 표시 장치의 리페어 방법으로서, 상기 제1라인과 상기 제2라인이 단락된 부분을 검출하는 단계; 상기 제3라인의 홀을 이용하여 아일랜드 형상의 리페어 패턴을 형성하는 단계; 검출된 상기 단락된 부분을 상기 제2라인으로부터 단선시키는 단계; 및 상기 리페어 패턴과 단선된 상기 제2라인을 연결하여 우회 경로를 형성하는 단계;를 포함하는 표시 장치의 리페어 방법을 제공한다.
상기 리페어 패턴을 형성하는 단계는,상기 제3라인의 홀 주변을 절단하여 상기 제2라인에 인접한 상기 리페어 패턴을 형성한다.
상기 홀 주변은 레이저로 절단하고, 상기 리페어 패턴과 단선된 상기 제2라인은 CVD(Chemical Vapor Deposition) 를 이용하여 연결한다.
제1방향으로 연장되는 제1라인, 상기 제1라인과 교차하는 제2방향으로 연장되는 제2라인, 및 상기 제2라인과 인접하게 배치되어 상기 제2방향으로 연장되며 상기 제1라인과 교차하는 부분에 구비된 홀을 구비하는 제3라인,을 포함하는 표시 장치의 리페어 방법으로서, 상기 제1라인과 상기 제2라인이 단락된 부분을 검출하는 단계;상기 제3라인의 홀을 이용하여 아일랜드 형상의 리페어 패턴을 형성하는 단계;검출된 상기 단락된 부분을 상기 제2라인으로부터 단선시키는 단계; 및상기 리페어 패턴과 단선된 상기 제2라인을 연결하여 우회 경로를 형성하는 단계;를 포함하는 표시 장치의 리페어 방법을 제공한다.
상기와 같은 본 발명에 따른 표시 장치 및 표시 장치의 리페어 방법에 따르면 다음과 같은 효과를 제공한다.
먼저, 배선에 구비된 홀을 이용하여 인접한 배선을 리페어함으로써, 리페어를 위한 별도의 공간을 구비하지 않아도 되어 배선들간에 밀집도가 향상할 수 있는 효과가 있다. 또한, 배선들 사이의 간격이 좁은 경우에도 불량을 용이하게 수리할 수 있는 장점이 있다. 결국, 대형화된 표시 장치에서 배선의 불량을 용이하게 수리할 수 있으므로, 생산 수율의 향상을 기대할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 2는 도 1의 Ⅱ의 배선 구조를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 3은 도 2에 포함된 화소를 개략적으로 도시한 회로도이다.
도 4는 도 1의 Ⅱ영역의 또 다른 배선 구조를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 5는 도 1의 Ⅱ영역의 또 다른 배선 구조를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 6은 도 1 및 도 4의 Ⅵ영역을 확대한 도면이다.
도 7은 도 5의 Ⅶ영역을 확대한 도면이다.
도 8 및 도 9는 도 6의 리페어 방법을 도시한 도면이다.
도 10은 본 실시예에 따른 표시 장치의 화소의 일부 구성요소를 개략적으로 도시한 단면도이다.
이하, 첨부된 도면들에 도시된 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(1)를 개략적으로 도시한 평면도, 도 2는 도 1의 Ⅱ의 배선 구조를 개략적으로 도시한 도면이다.
이하에서는 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치가 유기 발광 표시 장치인 경우를 설명한다. 그러나 본 발명의 일 실시예는 유기 발광 표시 장치에 한정되는 것은 아니며, 무기 발광 표시 장치, 액정 표시 장치 등을 포함한 다양한 표시 장치에 적용될 수 있다.
도 1을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(1)는 기판(10) 상에 표시 영역(A1) 및 비표시 영역(A2)이 정의된다.
표시 영역(A1)은 영상을 표시하는 영역으로서 기판(10)의 중앙을 포함하는 영역에 형성되고, 비표시 영역(A2)은 표시 영역(A1)의 주변에 배치될 수 있다.
표시 영역(A1)에는 영상이 구현되는 복수의 화소(P)가 포함된다.
각 화소(P)는 제1 방향(X)으로 연장된 스캔 라인(S)과, 제1 방향(X)에 직교하는 제2 방향(Y)으로 연장된 데이터 라인(D)으로 정의될 수 있다. 데이터 라인(D)은 비표시 영역(A2)에 구비된 데이터 구동부(미도시)가 제공하는 데이터 신호를 각 화소(P)에 인가하고, 스캔 라인(S)은 비표시 영역(A2)에 구비된 스캔 구동부(미도시)가 제공하는 스캔 신호를 각 화소(P)에 인가한다. 도 2에는 데이터 라인(D)이 제2 방향(Y)으로 연장되고, 스캔 라인(S)이 제1 방향(X)으로 연장된 것으로 도시되어 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 즉, 데이터 라인(D)과 스캔 라인(S)의 연장 방향은 서로 바뀔 수도 있다.
각 화소(P)는 제2 방향(Y)으로 연장된 제1 전원 공급 라인(V1)에 연결된다. 제1 전원 공급 라인(V1)은 데이터 라인(D)에 인접하게 배치된다. 제1 전원 공급 라인(V1)은 비표시 영역(A2)에 구비된 제1 전원 구동부(미도시)가 제공하는 제1 전원(ELVDD, 도 3 참조)을 각 화소(P)에 인가한다. 한편, 도 2에는 도시되어 있지 않으나, 각 화소(P)는 제2 전원(ELVSS, 도 3 참조)을 공급받는다. 각 화소(P)는 데이터 신호에 대응하여 제1 전원(ELVDD)으로부터 유기 발광 소자(OLED, 도 3 참조)를 경유하여 제2 전원(ELVSS)으로 공급되는 전류량을 제어한다. 그러면, 유기 발광 소자(OLED)에서 소정 휘도의 빛이 생성된다.
제1 전원 공급 라인(V1)은 화소(P)로 제1 전원(ELVDD)을 전달하는 배선이므로 전압 강하(IR drop)가 적어야 화질을 균일하게 유지할 수 있다. 따라서, 제1 전원 공급 라인(V1)의 선폭은 데이터 라인(D)의 선폭보다 두껍게 형성된다. 그래야만, 제1 전원 구동부(미도시)에 가깝게 위치하는 화소(P)들과 멀게 위치하는 화소(P)들 사이의 배선 길이에 의해 발생하는 전원의 차이가 줄어들어 표시 영역(A1) 전체에서 균일한 화질을 표시할 수 있게 된다.
한편, 제1 방향(X)으로 연장된 제2 전원 공급 라인(V2)이 제1 전원 공급 라인(V1)에 연결된다. 예를 들어, 제1 전원 공급 라인(V1)과 제2 전원 공급 라인(V2)은 메시(mesh) 형태로 연결될 수 있다. 제2 전원 공급 라인(V2)은 제1 전원 공급 라인(V1)의 저항으로 인하여 길이에 따른 전압 강하(IR drop)문제를 보완한다.
도 3은 도 2의 하나의 화소(P)에 대한 회로도이다.
도 3을 참조하면, 화소(P)는 유기 발광 소자(organic light emitting device, OLED)와, 유기 발광 소자(OLED)로 전류를 공급하기 위한 화소 회로(PC)를 구비한다.
유기 발광 소자(OLED)의 화소 전극은 화소 회로(PC)에 접속되고, 대향 전극은 제 2전원(ELVSS)에 접속된다. 유기 발광 소자(OLED)는 화소 회로(PC)로부터 공급되는 전류에 대응하여 소정 휘도의 빛을 생성한다.
액티브 매트릭스 방식의 유기 발광 표시 장치는, 적어도 2개의 박막 트랜지스터(TFT) 및 적어도 1개의 커패시터를 구비하는데, 구체적으로 데이터 신호를 전달하기 위한 스위칭 박막 트랜지스터, 데이터 신호에 따라 유기 발광 소자를 구동시키기 위한 구동 박막 트랜지스터 및 데이터 전압을 유지시키기 위한 하나의 커패시터를 포함한다.
제1 트랜지스터(TR1)의 게이트 전극은 스캔 라인(S, 도 2 참조)에 접속되고, 제1 트랜지스터(TR1)의 제1 전극은 데이터 라인(D, 도 2 참조)에 접속되고, 제1 트랜지스터(TR1)의 제2 전극은 제1 노드(N1)에 접속된다. 즉, 상기 제 1트랜지스터(TR1)의 게이트 전극에는 스캔신호(Sn)가 입력되고, 제1 트랜지스터(TR1)의 제1 전극으로는 데이터신호(Dm)가 입력된다.
제2 트랜지스터(TR2)의 게이트 전극은 제1 노드(N1)에 접속되고, 제2 트랜지스터(TR2)의 제1 전극은 제1 전원(ELVDD)에 접속되고, 제2 트랜지스터(TR2)의 제2 전극은 유기 발광 소자(OLED)의 화소 전극에 접속된다. 여기서, 상기 제 2 트랜지스터(TR2)는 구동 트랜지스터로서의 역할을 수행한다.
제1 노드(N1) 및 제2 트랜지스터(TR2)의 제1 전극 즉, 제 1전원(ELVDD) 사이에 제1 커패시터(C1)가 접속된다.
도 4는 도 1의 Ⅱ영역의 또 다른 배선 구조를 개략적으로 도시한 도면이다.
표시 영역(A1)에는 화상이 구현되는 복수의 단위 화소(UP)가 포함된다.
각 단위 화소(UP)는 서로 다른 색을 방출하는 복수의 부화소(SP1, SP2, SP3)를 포함한다. 예를 들어, 각 단위 화소(UP)는 적색을 방출하는 부화소, 녹색을 방출하는 부화소, 및 청색을 방출하는 부화소들을 포함할 수 있다. 본 실시예에서는 3개의 부화소(SP1, SP2, SP3)가 단위 화소(UP)를 구성하는 것을 일 예로 설명하지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 즉, 복수의 부화소에서 방출된 광을 혼합하여 백색 또는 특정색을 방출할 수 있는 것이라면 단위 화소(UP)를 구성하는 부화소의 개수는 더 증가하거나 감소할 수 있다. 예를 들어, 각 단위 화소는 적색, 녹색, 청색의 부화소 외에도 백색의 부화소를 더 포함할 수도 있다.
표시 영역(A1)의 제1방향(X)으로는 동일한 색을 방출하는 부화소들(SP1)이 배치된다. 제1방향(X)에 직교하는 제2방향(Y)으로는 서로 다른 색을 방출하는 부화소들(SP1, SP2, SP3)이 반복 배치되고, 서로 다른 색을 방출하는 부화소들(SP1, SP2, SP3)은 하나의 단위 화소(UP)를 구성한다.
각 단위 화소(UP)에는 하나의 스캔 라인(scan line)(S)에서 분기된 제1 내지 제3 스캔 라인(S1, S2, S3)이 제1방향(X)으로 연장되어 배치된다. 제1스캔 라인(S1)은 이웃하는 단위 화소(UP)의 제1색을 방출하는 부화소들(SP1)에 연결되고, 제2스캔 라인(S2)은 이웃하는 단위 화소(UP)의 제2색을 방출하는 부화소들(SP2)에 연결되고, 제3스캔 라인(S3)은 이웃하는 단위 화소(UP)의 제3색을 방출하는 부화소들(SP3)에 연결된다. 하나의 단위 화소(UP)를 구성하는 각 부화소들(SP1, SP2, SP3)은 각각 다른 스캔 라인(S1, S2, S3)과 연결되지만, 이 스캔 라인(S1, S2, S3)은 하나의 스캔 라인(S)에서 분기된 것이므로 각 단위 화소(UP)에 입력되는 스캔 신호는 동일하다.
각 단위 화소(UP)에는 제2방향(Y)으로 연장되어 다른 색을 방출하는 부화소(SP1, SP2, SP3)에 각각 독립적으로 연결되는 복수의 데이터 라인(data line)(D1, D2, D3)이 배치된다. 즉, 제1색을 방출하는 부화소(SP1)에는 제1데이터 라인(D1)이 연결되고, 제2색을 방출하는 부화소(SP2)에는 제2데이터 라인(D2)이 연결되고, 제3색을 방출하는 부화소(SP3)에는 제3데이터 라인(D3)이 각각 독립적으로 연결된다. 따라서, 각 단위 화소(UP)에 포함된 각 부화소(SP1, SP2, SP3)에 서로 다른 데이터 신호를 입력할 수 있다.
본 실시예에서, 데이터 라인(D1, D2, D3)의 길이는 스캔 라인(S1, S2, S3)의 길이보다 짧게 형성된다. 데이터 라인(D1, D2, D3)의 길이가 길어지면, 길이에 따른 배선 저항에 의해 부화소에 입력되는 데이터 신호의 강도가 저하된다. 통상, 유기 발광 표시 장치는 스캔 신호보다 데이터 신호에 더 민감하게 영향을 받는다. 따라서, 본 실시예에 따르면, 유기 발광 표시 장치에 입력되는 데이터 신호의 불균형을 방지할 수 있다.
표시 영역(A1)의 각 부화소(SP1, SP2, SP3)에는 제1전원(ELVDD)을 공급하기 위한 제1전원 공급 라인(V1)이 제2방향(Y)으로 연장되어 연결된다. 제1전원 공급 라인(V1)은 데이터 라인(D)에 인접하여 형성된다. 한편, 제1전원 공급 라인(V1)은 각 부화소로 제1전원(ELVDD)을 전달하는 배선이므로 전압 강하(IR drop)가 적어야 화질을 균일하게 유지할 수 있다. 따라서, 제1 전원 공급 라인(V1)의 선폭은 데이터 라인(D)보다 두껍게 형성된다.
한편, 제1전원 공급 라인(V1)의 전압 강하 문제를 해결하기 위하여, 부화소(SP1, SP2, SP3)에 여분의 전원 공급 라인을 더 연결시킬 수 있다. 본 실시예에서, 하나의 단위 화소(UP)에 포함된 각 부화소(SP1, SP2, SP3)에는 제1전원 공급 라인(V1)에 연결되고 제1방향(X)으로 연장된 제2전원 공급 라인(V2-1, V2-2, V2-3)이 더 구비된다.
제2전원 공급 라인(V2-1, V2-2, V2-3)은 하나의 단위 화소(UP)의 각 부화소(SP1, SP2, SP3)에 연결된 스캔 라인들(S1, S2, S3) 사이에 연속적으로 배치될 수 있다. 본 실시예에서, 제2전원 공급 라인(V2-1, V2-2, V2-3)은 단위 화소(UP)의 각 부화소(SP1, SP2, SP3)에 전부에 연결된다. 물론, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 제2전원 공급 라인(V2-1, V2-2)은 단위 화소(UP)의 각 부화소(SP1, SP2, SP3)에 연결된 스캔 라인들(S1, S2, S3) 사이에 적어도 두 개가 연속적으로 배치될 수도 있다.
도 5는 도 1의 Ⅱ영역의 또 다른 배선 구조를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 5에 도시된 배선 구조는 도 4에 도시된 배선 구조에 비하여, 제1전원 공급 라인(V1)의 양쪽에 인접하여, 제2방향(Y)으로 연장된 추가의 라인들(L1,L2)이 더 형성되는 것에 특징이 있다. 그 외에 도 5에 도시된 구성 요소 중에서 도 4에 도시된 구성 요소와 동일한 참조 부호를 가지는 구성 요소는 그 기능 및 동작이 동일하므로, 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
제1 신호 라인(L1) 및 제2 신호 라인(L2)은 각 부화소에 신호를 공급하기 위한 라인으로, 제2방향(Y)으로 연장된다. 제1신호 라인(L1) 및 제2신호 라인(L2)은 제1전원 공급 라인(V1)에 인접하게 각각 배치된다. 제1신호 라인(L1)은 제1전원 공급 라인(V1)의 일측에 배치되는 라인이며, 제2신호 라인(L2)은 제1전원 공급 라인(V1)의 타측에 배치되는 라인이다. 또한, 표시 장치(1)에는 도시된 바와 같이 제1신호 라인(L1) 및 제2신호 라인(L2)이 모두 구비될 수 있으나, 이에 한정되지 않고 제1신호 라인(L1) 또는 제2신호 라인(L2) 중 어느 하나만 구비될 수도 있다. 한편 제1신호 라인(L1) 및 제2신호 라인(L2)은 신호를 전달하는 라인이므로, 제1전원 공급 라인(V1)은 통상 제1신호 라인(L1) 및 제2신호 라인(L2)에 비하여 넓은 폭으로 형성된다.
제1 신호 라인(L1) 또는 제2 신호 라인(L2)은 각 부화소에 포함된 박막 트랜지스터의 문턱 전압을 보상하는 보상 제어 신호 라인(GC)일 수 있다. 즉, 보상 제어 신호 라인(GC)에서 신호가 인가되며, 부화소에 포함된 박막 트랜지스터가 턴온되고, 구동 박막 트랜지스터를 다이오드 연결시켜, 구동 박막 트랜지스터의 문턱 전압을 보상하게 된다. 이렇게 보상 제어 신호 라인(GC)이 추가되는 경우, 각 부화소에는 도 3에 도시된 화소 회로에 보강 제어 신호 라인(GC)이 접속된 추가의 박막 트랜지스터가 더 포함될 수 있다.
한편, 제1 신호 라인(L1) 또는 제2 신호 라인(L2)은 각 부화소에 포함된 커패시터를 동시에 초기화 시키는 공통 초기화 제어 라인(GI) 일 수 있다. 즉, 공통 초기화 제어 라인(GI)에서 신호가 인가되며, 부화소에 포함된 박막 트랜지스터가 턴 온되고, 이 박막 트랜지스터에 연결된 커패시터에 초기화 전압을 인가하게 된다. 이렇게 공통 초기화 제어 라인이 추가되는 경우, 각 부화소에는 도 3에 도시된 화소 회로에 공통 초기화 제어 라인(GI)이 접속된 추가의 박막 트랜지스터 및 이 추가의 박막 트랜지스터와 제1전원 공급 라인(V1) 사이에 형성된 커패시터가 더 포함될 수 있다.
한편, 제1 신호 라인(L1) 또는 제2 신호 라인(L2)은 각 부화소에 데이터 신호를 동시에 전달할 수 있게 하는 데이터 입력 제어 라인(GW) 일 수 있다. 즉, 데이터 입력 제어 라인(GW)에서 신호가 인가되며, 부화소에 포함된 박막 트랜지스터가 턴 온되고, 이로 인해 구동 박막 트랜지스터를 다이오드 연결시켜, 구동 박막 트랜지스터의 문턱 전압을 보상하게 된다. 이렇게 데이터 입력 제어 라인(GW)이 추가되는 경우, 각 부화소에는 도 3에 도시된 화소 회로에 데이터 입력 제어 라인(GW)이 접속된 추가의 박막 트랜지스터가 더 포함될 수 있다.
한편, 상술한 종류 이외에도 제1신호 라인(L1) 또는 제2 신호 라인(L2)은 다양한 신호를 전달할 수 있으며, 이는 부화소에 포함된 박막 트랜지스터 및 커패시터의 숫자, 연결 방식 및 구동 방식 등에 따라 다양하게 변형될 수 있다. 따라서, 제1신호 라인(L1) 및 제2신호 라인(L2)이 전달하는 신호의 종류 및 내용은 상술한 바에 한정되지 않는다.
한편, 도 4 및 도 5 본 실시예에 따른 배선들의 복잡한 관계를 설명을 위하여 배선들을 간략히 도시한 것에 불과하다. 도 4 및 도 5에서 도트(·)를 가지고 교차하는 배선은 서로 전기적으로 연결되었음을 의미하고, 도트(·) 없이 교차하는 배선은 서로 전기적으로 연결되지 않음을 의미한다. 일 예로, 1전원 공급 라인(V1)은 각 부화소(SP1, SP2, SP3)에서 제2전원 공급 라인(V2-1, V2-2, V2-3)과 전기적으로 연결된 것이다.
한편 도 4 및 도 5에 도시된 배선 구조의 경우, 제2방향(Y)으로 연장되는 배선들을 몰아서 배치하는 특징이 있다. 이는 표시 장치(1)가 기판(10)의 방향으로 발광하는 배면 발광 타입(bottom emission type)의 경우 개구율을 확보하기 위한 필수적인 배치이다. 그런데, 이와 같은 구조에서 제1신호 라인(L1), 제2신호 라인(L2) 및 데이터 배선(D)에 쇼트 불량 또는 오픈 불량이 발생하는 경우, 배선들이 밀집되어 있어 리페어를 할 만한 공간이 확보되지 않는 문제가 있다. 예를 들어, 쇼트 불량이 발생한 경우, 불량이 발생한 부분을 절단하고 신호의 우회 경로를 형성할 만한 공간이 확보되기 어렵다. 또한, 오픈 불량이 발생한 경우 인접 배선과 소정의 이격 거리가 확보되지 않아 오픈 부분을 연결할 때 인접한 같은 층의 배선끼리 또 다른 쇼트 불량을 발생시킬 문제가 있다. 이와 같이, 밀집된 배선들 사이에 불량이 발생한 경우 근본적으로 리페어가 어려운 문제가 있다.
그러나, 본 발명의 일 실시예에 의하면 다른 배선에 비해 선폭이 넓은 제1전원 공급 라인(V1)에 리페어를 위한 홀(RH)이 형성되어 있어 밀집된 배선에 발생한 불량을 리페어 할 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 제1전원 공급 라인(V1)에 리페어를 위한 홀(RH)이 형성되어 있어 인접한 배선의 불량을 보다 용이하게 리페어할 수 있다. 이로부터, 생산 수율이 향상되는 효과가 있다.
도 6은 도 1 및 도 4의 Ⅵ영역을 확대한 도면이다. 도 7은 도 5의 Ⅶ영역을 확대한 도면이다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 제1전원 공급 라인(V1)은 스캔 라인(S)과 교차하는 부분에 리페어를 위한 홀(RH)을 구비하는 것을 특징으로 한다. 상술한 대로 제1전원 공급 라인(V1)은 데이터 라인(D)에 비해 통상 폭이 넓다. 한편, 홀(RH)은 데이터 라인(D)과 인접하게 구비된다. 그래야만, 데이터 라인(D)이 스캔 라인(S)과 오버랩 되는 부분에서 불량이 발생하였을 때 홀(RH)을 이용하여 용이하게 수리할 수 있기 때문이다.
도 7을 참조하면, 제1전원 공급 라인(V1)은 스캔 라인(S)과 교차하는 부분에 리페어를 위한 홀(RH)을 복수개 구비하는 것을 특징으로 한다. 여기서 제1홀(RH1)은 제1신호 라인(L1)에 인접하게 구비되고, 제2홀(RH2)은 제2신호 라인(L2)에 인접하게 구비된다. 이로써, 제1홀(RH1)은 제1신호 라인(L1)의 불량을 리페어 하는데 이용되고, 제2홀(RH2)은 제2신호 라인(L2)을 불량을 리페어 하는데 이용된다.
제1전원 공급 라인(V1)의 경우 선폭이 충분히 넓기 때문에 일부분에 홀을 형성한다고 하더라도 배선 저항이 크게 증가하지는 않는다. 또한, 본 발명의 일 실시예에 의한 제1전원 공급 라인(V1)은 배선 저항으로 인한 전압 강하 문제를 해결하기 위하여, 제2전원 공급 라인(V2-1, V2-2, V2-3)이 더 구비한다. 따라서, 리페어를 위한 홀이 전압 강하에 악영향을 미치지는 않는다.
도 8 및 도 9는 도 6의 리페어 방법을 도시한 도면이다. 도 8 및 도 9에서는 도 6에 도시된 배선 구조의 리페어 방법을 대표적으로 도시한 것이다. 도 7에 도시된 배선 구조의 리페어 방법은 도 6에 도시된 배선 구조의 리페어 방법과 동일하며, 리페어 횟수만 증가시킨 것이다. 따라서, 도 7에 도시된 배선 구조의 리페어 방법에 대한 설명은 별도로 기재하지 않고, 도 6에 도시된 배선 구조의 리페어 방법에 대한 설명으로 대신하기로 한다.
한편, 도 8 및 도 9는 데이터 라인(D)과 스캔 라인(S)이 오버랩 되는 위치에서 쇼트 불량이 발생한 경우를 도시한 것이다. 서로 다른 층에 배치된 라인들은 중첩 영역의 파티클 등의 이물로 인해 쉽게 쇼트 불량이 발생한다. 한편, 도 8 및 도 9에서는 데이터 라인(D)과 스캔 라인(S)이 오버랩 되는 위치에서 쇼트 불량이 발생한 경우를 도시하였으나, 이는 일 실시예에 해당하며 제1신호 라인(L1)과 스캔 라인(S)이 오버랩 되는 위치 및 제2신호 라인(L2)과 스캔 라인(S)이 오버랩 되는 위치에서 쇼트 불량이 발생한 경우도 동일한 방식으로 리페어 할 수 있다.
쇼트 불량의 리페어를 수행하기 이전에, 쇼트 불량이 발생한 위치를 검출한다. 쇼트 불량의 위치를 검출하는 방법으로는 육안이나, 장비를 통한 모니터링으로 불량 위치를 검출하는 방법, 급전 부재 및 수전 부재를 이용하여 라인에 순차로 전압을 인가하여 전위차를 모니터링하여 불량 위치를 검출하는 방법 등이 있다.
도 8을 참조하면, 제1전원 공급 라인(V1)의 홀(RH)을 이용하여 리페어 패턴을 형성한다. 또한, 쇼트 불량이 발생한 부분은 데이터 라인(D)으로부터 단선시켜 분리한다.
상세히, 제1전원 공급 라인(V1)의 홀(RH) 주변을 절단하여 수리할 배선에 인접한 홀(RH) 일측을 아일랜드 형상의 리페어 패턴(RP)으로 형성한다. 이 때, 레이저 빔을 제1커팅라인(CUT1)에 조사하여 리페어 패턴을 형성한다. 한편, 레이저 빔을 제2커팅라인(CUT2)에 조사하여 데이터 라인(D)을 단선시켜 쇼트 불량 부분을 제거한다.
도 9를 참조하면, 리페어 패턴(RP)과 단선된 데이터 라인(D)을 연결하여 우회 경로를 형성하여 리페어를 수행한다. 상세히, 리페어 패턴(RP)과 데이터 라인(D)은 CVD(Chemical Vapor Deposition) 장치을 이용하여 전기적으로 연결한다. CVD 장치는 진공 챔버 내에 기판(10)을 배치시킨 후에 기판(10)의 표면에 레이저빔을 조사하고 원료 가스를 투입한다. 이 CVD 공정에서, 레이저빔은 원료가스의 광분해를 유도하여 레이저빔이 조사되는 위치에 제1 및 제2 금속 패턴(CNT1, CNT2)을 형성할 수 있다. CVD 장치는 크롬(Cr), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo) 등의 금속으로 제1 및 제2 금속 패턴(CNT1, CNT2)을 형성할 수 있다. 제1 금속 패턴(CNT1)은 데이터 라인(D)의 단선 부분의 일측과 리페어 패턴(RP)의 일측이 중첩되도록 제3절연층(도 10의 18) 상에 증착된다. 제2 금속 패턴(CNT1)은 데이터 라인(D)의 단선 부분의 타측과 리페어 패턴(RP)의 타측이 중첩되도록 제3절연층(도 10의 18) 상에 증착된다. 마지막으로, 리페어 공정은 금속 패턴들(CNT1, CNT2)과 데이터 라인(D)이 중첩되는 부분과, 금속 패턴들(CNT1, CNT2)과 리페어 패턴(RP)이 중첩되는 부분에 레이저 빔을 조사한다. 그 결과, 레이저 웰딩(laser welding)에 의해 금속패턴들(CNT1, CNT2)이 제3절연층(도 10의 18)을 관통하여 금속 패턴들(CNT1, CNT2)이 데이터 라인(D)과 연결되고 또한, 리페어 패턴(RP)과 연결된다. 따라서, 데이터 라인(D)의 단선 부분은 금속 패턴들(CNT1, CNT2)과 리페어 패턴(RP)으로 다시 연결된다.
이와 같이 본 발명의 일 실시예에 의하면, 제1전원 공급 라인(V1)에 형성된 홀(RP)로 인하여 보다 용이하게 인접한 배선의 리페어를 수행할 수 있는 장점이 있다.
한편, 도시되지 않았으나 데이터 라인(D)과 스캔 라인(S)이 오버랩 되는 위치에서 데이터 라인(D)의 오픈 불량이 발생한 경우에, 오픈된 데이터 라인(D)들을 CVD 장치를 이용하여 서로 연결하는 과정에서 리페어 공간의 부족으로 인접한 같은 층의 배선끼리 쇼트 불량이 발생하는 문제가 있다. 그러나 본 발명의 일 실시예에 의하면, 리페어시 수리된 데이터 라인(D)과 제1전원 공급 라인(V1)사이에 쇼트 불량이 발생한 경우 제1전원 공급 라인(V1)의 홀(RH)을 이용하여 쇼트 불량 부분을 제1전원 공급 라인(V1)에서 쉽게 분리할 수 있으므로, 상술한 문제점을 쉽게 해결할 수 있다.
도 10은 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(1)에 포함된 화소의 일부 구성요소를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 10을 참조하면, 기판(10) 상에 구동용 박막 트랜지스터인 제2 트랜지스터(T2), 커패시터(C1), 및 유기 발광 소자(OLED)가 구비되어 있다. 전술한 바와 같이, 부화소는 추가의 박막 트랜지스터 및 커패시터들을 더 구비하고, 다양한 배선들을 포함하고 있으나, 도 10에서는 일부 구성요소에 대해서만 간략히 설명한다.
기판(10)은 SiO2를 주성분으로 하는 투명한 유리 재질로 이루어질 수 있다. 기판(10)은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며 투명한 플라스틱 재로 형성할 수도 있다.
기판(10) 상에 버퍼층(11)이 더 형성될 수 있다. 버퍼층(11)은 기판(10)의 상부에 평탄한 면을 제공하고 수분 및 이물이 침투하는 것을 방지한다.
버퍼층(11)상에 제2 트랜지스터(T2)의 활성층(212)이 형성된다. 활성층(212)은 아모퍼스 실리콘 또는 폴리 실리콘과 같은 무기 반도체로 형성될 수 있다. 또한 활성층(212)은 유기 반도체 또는 산화물 반도체 기타 다양한 물질로 형성될 수 있다. 활성층(212)은 소스영역(212b), 드레인영역(212a) 및 채널영역(212c)을 포함한다.
활성층(212) 상에는 게이트 절연막인 제1절연층(13)을 사이에 두고 활성층(212)의 채널영역(212c)에 대응되는 위치에 투명도전물을 포함하는 게이트전극 제1층(214) 및 게이트전극 제2층(215)이 차례로 구비된다.
게이트전극 제2층(215) 상에는 층간 절연막인 제2절연층(15)을 사이에 두고 활성층(212)의 소스영역(212b) 및 드레인영역(212a)에 각각 접속하는 소스전극(216b) 및 드레인전극(216a)이 구비된다.
제2절연층(15) 상에는 상기 소스전극(216b) 및 드레인전극(216a)을 덮도록 제3절연층(18)이 구비된다. 제3절연층(18)은 유기 절연막으로 구비될 수 있다.
버퍼층(11) 및 제1절연층(13) 상에 게이트전극 제1층(214)과 동일한 투명도전물로 형성된 화소전극 제1층(114)이 형성된다. 투명도전물로는 인듐틴옥사이드(indium tin oxide: ITO), 인듐징크옥사이드(indium zinc oxide: IZO), 징크옥사이드(zinc oxide: ZnO), 인듐옥사이드(indium oxide: In2O3), 인듐갈륨옥사이드(indium gallium oxide: IGO), 및 알루미늄징크옥사이드(aluminum zinc oxide: AZO)을 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다.
화소전극 제1층(114) 상에는 발광층(119)이 형성되고, 발광층(119)에서 방출된 광은 투명도전물로 형성된 화소전극 제1층(114)을 통하여 기판(10) 측으로 방출된다.
발광층(119)은 저분자 유기물 또는 고분자 유기물일 수 있다. 발광층(119)이 저분자 유기물일 경우, 발광층(119)을 중심으로 홀 수송층(hole transport layer: HTL), 홀 주입층(hole injection layer: HIL), 전자 수송층(electron transport layer: ETL) 및 전자 주입층(electron injection layer: EIL) 등이 적층될 수 있다. 이외에도 필요에 따라 다양한 층들이 적층 될 수 있다. 이때, 사용 가능한 유기 재료로 구리 프탈로시아닌(CuPc: copper phthalocyanine), N`-디(나프탈렌-1-일)-N(N'-Di(naphthalene-1-yl)-N), N'-디페닐-벤지딘(N'-diphenyl-benzidine: NPB), 트리스-8-하이드록시퀴놀린 알루미늄(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3) 등을 비롯하여 다양하게 적용 가능하다.
한편, 발광층(119)이 고분자 유기물일 경우, 발광층(119) 외에 홀 수송층(HTL)이 포함될 수 있다. 홀 수송층은 폴리에틸렌 디히드록시티오펜 (PEDOT: poly-(3,4)-ethylene-dihydroxy thiophene)이나, 폴리아닐린(PANI: polyaniline) 등을 사용할 수 있다. 이때, 사용 가능한 유기 재료로 PPV(Poly-Phenylenevinylene)계 및 폴리플루오렌(Polyfluorene)계 등의 고분자 유기물을 사용할 수 있다.
발광층(119) 상에는 공통 전극으로 대향전극(20)이 증착된다. 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 경우, 화소전극 제1층(114)은 애노드로 사용되고, 대향전극(20)은 캐소드로 사용된다. 물론 전극의 극성은 반대로 적용될 수 있음은 물론이다.
대향전극(20)은 반사 물질을 포함하는 반사 전극으로 구성될 수 있다. 이때 상기 대향전극(20)은 Al, Mg, Li, Ca, LiF/Ca, 및 LiF/Al에서 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다.
대향전극(20)이 반사전극으로 구비됨으로써, 발광층(119)에서 방출된 빛은 대향전극(20)에 반사되어 투명도전물로 구성된 화소전극 제1층(114)을 투과하여 기판(10) 측으로 방출된다.
본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(1)는 기판(10) 측으로 광이 방출되는 배면 발광형 표시 장치이기 때문에, 화소전극 제1층(114)과 전술한 스캔 라인(S1, S2, S3), 데이터 라인(D1, D2, D3), 제1전원 공급 라인(V1) 및 제2전원 공급 라인(V2-1, V2-2, V2-3)(도 2 참조)과 오버랩되지 않도록 형성하는 것이 바람직하다.
기판(10) 및 버퍼층(11) 상에는, 박막 트랜지스터의 활성층(212)과 동일 재료로 형성된 커패시터(C1)의 하부전극(312), 화소전극 제1층(114)과 동일 재료로 형성된 투명도전물을 포함하는 커패시터(C1)의 상부전극(314), 및 상기 하부전극(312)과 상부전극(314) 사이에 제1절연층(13)이 구비된다.
제1절연층(13)은 하부전극(312) 상부에는 위치하지만, 상부전극(314)의 외곽에는 배치되지 않는다. 제1절연층(13) 상부에 제2절연층(15)이 구비되고, 제2절연층(15)은 커패시터(C1)의 상부전극(314) 전체를 노출시켜, 상부전극(314) 전체가 제3절연층(18)과 콘택되도록 형성한다.
도시하지 않았으나 기판(10)의 일 면에 대향하도록 대향전극(20)의 상부에 밀봉 부재(미도시)가 배치될 수 있다. 밀봉 부재(미도시)는 외부의 수분이나 산소 등으로부터 발광층(119)등을 보호하기 위해 형성하는 것으로 글라스 또는 플라스틱으로 형성할 수 있고, 또는 유기물과 무기물의 복수의 중첩된 구조일 수도 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시 예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
V1: 제1 전원 공급 라인
D, D1, D2, D3: 데이터 라인
S, S1, S2, S3: 스캔 라인

Claims (19)

  1. 복수의 부화소로 구성된 복수의 단위 화소;
    상기 각 단위 화소 마다, 하나의 공통라인에서 부화소의 개수만큼 제1방향으로 분기되어, 이웃하는 단위 화소의 동일색을 방출하는 부화소들을 연결하는 제1라인;
    상기 제1라인과 교차하는 제2방향으로 연장되어 상기 부화소에 연결된 제2라인; 및
    상기 제2라인에 인접하게 배치되어 상기 제2방향으로 연장되며 상기 제1라인과 교차하는 부분에 구비된 홀을 포함하며 상기 부화소에 연결된 제3라인;
    을 포함하는 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제3라인의 폭은 상기 제2라인의 폭보다 넓은 표시 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제3라인은 상기 부화소에 전원을 공급하는 라인인 표시 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 홀은 상기 제2라인에 인접하게 구비되는 표시 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1방향으로 연장되어 상기 제3라인에 연결되며, 적어도 상기 단위 화소의 각 부화소에 연결된 상기 제1라인들 사이에 연속적으로 배치된 제4라인;
    을 더 포함하는 표시 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제4라인은 상기 부화소에 전원을 공급하는 라인인 표시 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 부화소는 상기 제1방향으로 동일색을 방출하고, 상기 제2방향으로 다른색을 방출하도록 배치된 표시 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 각 부화소는 제1전극과 제2전극, 및 상기 제1전극과 제2전극 사이에 배치된 유기발광층을 포함하는 표시 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1전극은 투명전극이고, 상기 제2전극은 반사전극인 표시 장치.
  10. 복수의 화소;
    제1방향으로 연장되어 상기 화소에 연결된 제1라인;
    상기 제1라인과 교차하는 제2방향으로 연장되어 상기 화소에 연결된 제2라인; 및
    상기 제2라인에 인접하게 배치되어 상기 제2방향으로 연장되며 상기 제1라인과 교차하는 부분에 구비된 홀을 포함하며 상기 화소에 연결된 제3라인;
    을 포함하는 표시 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제3라인의 폭은 상기 제2라인의 폭보다 넓은 표시 장치.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 제3라인은 상기 화소에 전원을 공급하는 라인인 표시 장치.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 홀은 상기 제2라인에 인접하게 구비되는 표시 장치.
  14. 복수의 부화소로 구성된 복수의 단위 화소와 상기 각 단위 화소 마다, 하나의 공통라인에서 부화소의 개수만큼 제1방향으로 분기되어, 이웃하는 단위 화소의 동일색을 방출하는 부화소들을 연결하는 제1라인, 상기 제1라인과 교차하는 제2방향으로 연장되어 상기 부화소에 연결된 제2라인, 및 상기 제2라인에 인접하게 배치되어 상기 제2방향으로 연장되며 상기 제1라인과 교차하는 부분에 구비된 홀을 포함하며 상기 부화소에 연결된 제3라인, 을 포함하는 표시 장치의 리페어 방법으로서,
    상기 제1라인과 상기 제2라인이 단락된 부분을 검출하는 단계;
    상기 제3라인의 홀을 이용하여 아일랜드 형상의 리페어 패턴을 형성하는 단계;
    검출된 상기 단락된 부분을 상기 제2라인으로부터 단선시키는 단계; 및
    상기 리페어 패턴과 단선된 상기 제2라인을 연결하여 우회 경로를 형성하는 단계;
    를 포함하는 표시 장치의 리페어 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 리페어 패턴을 형성하는 단계는,
    상기 제3라인의 홀 주변을 절단하여 상기 제2라인에 인접한 상기 리페어 패턴을 형성하는 표시 장치의 리페어 방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 홀 주변은 레이저로 절단하고, 상기 리페어 패턴과 단선된 상기 제2라인은 CVD(Chemical Vapor Deposition) 를 이용하여 연결하는 표시 장치의 리페어 방법.
  17. 제1방향으로 연장되는 제1라인, 상기 제1라인과 교차하는 제2방향으로 연장되는 제2라인, 및 상기 제2라인과 인접하게 배치되어 상기 제2방향으로 연장되며 상기 제1라인과 교차하는 부분에 구비된 홀을 구비하는 제3라인,을 포함하는 표시 장치의 리페어 방법으로서,
    상기 제1라인과 상기 제2라인이 단락된 부분을 검출하는 단계;
    상기 제3라인의 홀을 이용하여 아일랜드 형상의 리페어 패턴을 형성하는 단계;
    검출된 상기 단락된 부분을 상기 제2라인으로부터 단선시키는 단계; 및
    상기 리페어 패턴과 단선된 상기 제2라인을 연결하여 우회 경로를 형성하는 단계;
    를 포함하는 표시 장치의 리페어 방법.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 리페어 패턴을 형성하는 단계는,
    상기 제3라인의 홀 주변을 절단하여 상기 제2라인에 인접한 상기 리페어 패턴을 형성하는 표시 장치의 리페어 방법.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 홀 주변은 레이저로 절단하고, 상기 리페어 패턴과 단선된 상기 제2라인은 CVD(Chemical Vapor Deposition) 를 이용하여 연결하는 표시 장치의 리페어 방법.
KR1020120119798A 2012-10-26 2012-10-26 표시 장치 및 표시 장치의 리페어 방법 KR101990550B1 (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120119798A KR101990550B1 (ko) 2012-10-26 2012-10-26 표시 장치 및 표시 장치의 리페어 방법
US13/798,694 US9167663B2 (en) 2012-10-26 2013-03-13 Display apparatus and method of repairing the same
TW102114103A TWI589955B (zh) 2012-10-26 2013-04-22 顯示裝置及其修復方法
CN201310148415.9A CN103794175B (zh) 2012-10-26 2013-04-25 显示装置及修复该显示装置的方法
EP13182483.1A EP2725415B1 (en) 2012-10-26 2013-08-30 Display apparatus and method of repairing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120119798A KR101990550B1 (ko) 2012-10-26 2012-10-26 표시 장치 및 표시 장치의 리페어 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140053631A true KR20140053631A (ko) 2014-05-08
KR101990550B1 KR101990550B1 (ko) 2019-06-19

Family

ID=49084836

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120119798A KR101990550B1 (ko) 2012-10-26 2012-10-26 표시 장치 및 표시 장치의 리페어 방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9167663B2 (ko)
EP (1) EP2725415B1 (ko)
KR (1) KR101990550B1 (ko)
CN (1) CN103794175B (ko)
TW (1) TWI589955B (ko)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160092183A (ko) * 2015-01-27 2016-08-04 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자
KR20160098606A (ko) * 2015-02-09 2016-08-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20160130073A (ko) * 2015-04-30 2016-11-10 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 리페어 방법
KR20160135001A (ko) * 2015-05-14 2016-11-24 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20190027634A (ko) * 2017-09-07 2019-03-15 엘지디스플레이 주식회사 리페어 트랜지스터를 포함하는 유기 발광 표시 장치

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102208918B1 (ko) * 2013-10-22 2021-01-29 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치
KR20160011248A (ko) * 2014-07-21 2016-02-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
KR20160059530A (ko) 2014-11-18 2016-05-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판의 제조 방법, 표시 기판의 리페어 방법 및 이에 의해 리페어된 표시 기판
KR102561113B1 (ko) 2015-08-13 2023-07-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
WO2017038999A1 (ja) * 2015-09-04 2017-03-09 シャープ株式会社 表示パネルの製造方法
KR102401983B1 (ko) * 2015-09-30 2022-05-25 엘지디스플레이 주식회사 투명표시장치 및 투명표시패널
KR20180079512A (ko) * 2016-12-30 2018-07-11 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
TWI778072B (zh) * 2017-06-22 2022-09-21 以色列商奧寶科技有限公司 用於在超高解析度面板中偵測缺陷之方法
CN107731878B (zh) * 2017-10-27 2020-04-28 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其修复方法和显示面板
CN108598094B (zh) * 2018-05-25 2020-09-11 友达光电（昆山）有限公司 一种显示装置及该显示装置的薄膜晶体管的修补检测方法
CN109584776B (zh) * 2019-01-21 2021-12-24 武汉天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
CN110333631B (zh) * 2019-06-28 2021-02-26 惠科股份有限公司 驱动阵列基板、显示面板和显示设备
CN110459699B (zh) * 2019-08-30 2022-07-15 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010049823A (ko) * 1999-11-19 2001-06-15 아끼구사 나오유끼 표시 장치 및 그 결함 복구 방법
KR20010100378A (ko) * 2000-05-01 2001-11-14 구본준, 론 위라하디락사 액정표시장치의 리페어 구조 및 리페어 방법
KR20030067547A (ko) * 2002-02-06 2003-08-14 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 유기 발광 표시 장치
KR20090053401A (ko) * 2007-11-23 2009-05-27 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법
KR20100021131A (ko) * 2008-08-14 2010-02-24 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광 표시장치의 배선수리구조 및 그 수리방법
KR20110112380A (ko) * 2009-02-04 2011-10-12 소니 주식회사 화상 표시 장치 및 단락 사고의 수복 방법

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3310600B2 (ja) 1997-10-14 2002-08-05 シャープ株式会社 アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその欠陥修正方法
US7030847B2 (en) * 2000-11-07 2006-04-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic device
US7365494B2 (en) * 2004-12-03 2008-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
US8619007B2 (en) * 2005-03-31 2013-12-31 Lg Display Co., Ltd. Electro-luminescence display device for implementing compact panel and driving method thereof
JP2007012359A (ja) * 2005-06-29 2007-01-18 Hitachi Displays Ltd 有機ｅｌ表示装置
JP2007317384A (ja) * 2006-05-23 2007-12-06 Canon Inc 有機ｅｌ表示装置、その製造方法、リペア方法及びリペア装置
KR20080041015A (ko) 2006-11-06 2008-05-09 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이의 수리 방법, 이를 포함하는액정 표시 장치
US8188942B2 (en) * 2007-03-08 2012-05-29 Lg Electronics Inc. Light emitting device
KR20090068756A (ko) * 2007-12-24 2009-06-29 삼성에스디아이 주식회사 발광장치 및 이를 이용한 표시장치, 발광장치의 구동방법
JP5245879B2 (ja) 2008-03-26 2013-07-24 ソニー株式会社 画像表示装置及び短絡事故の修復方法
KR101695025B1 (ko) 2010-07-29 2017-01-10 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치와 그 리페어 방법

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010049823A (ko) * 1999-11-19 2001-06-15 아끼구사 나오유끼 표시 장치 및 그 결함 복구 방법
KR20010100378A (ko) * 2000-05-01 2001-11-14 구본준, 론 위라하디락사 액정표시장치의 리페어 구조 및 리페어 방법
KR20030067547A (ko) * 2002-02-06 2003-08-14 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 유기 발광 표시 장치
KR20090053401A (ko) * 2007-11-23 2009-05-27 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법
KR20100021131A (ko) * 2008-08-14 2010-02-24 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광 표시장치의 배선수리구조 및 그 수리방법
KR20110112380A (ko) * 2009-02-04 2011-10-12 소니 주식회사 화상 표시 장치 및 단락 사고의 수복 방법

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160092183A (ko) * 2015-01-27 2016-08-04 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자
KR20160098606A (ko) * 2015-02-09 2016-08-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20160130073A (ko) * 2015-04-30 2016-11-10 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 리페어 방법
KR20160135001A (ko) * 2015-05-14 2016-11-24 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20190027634A (ko) * 2017-09-07 2019-03-15 엘지디스플레이 주식회사 리페어 트랜지스터를 포함하는 유기 발광 표시 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US9167663B2 (en) 2015-10-20
US20140117860A1 (en) 2014-05-01
CN103794175A (zh) 2014-05-14
KR101990550B1 (ko) 2019-06-19
TW201416756A (zh) 2014-05-01
TWI589955B (zh) 2017-07-01
EP2725415B1 (en) 2018-03-21
CN103794175B (zh) 2017-08-25
EP2725415A1 (en) 2014-04-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101990550B1 (ko) 표시 장치 및 표시 장치의 리페어 방법
US10186680B2 (en) Organic light emitting display device
US11264432B2 (en) Display device
KR101878333B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 리페어 방법
US11276747B2 (en) Display device
US20190288052A1 (en) Display device
KR101880719B1 (ko) 표시 장치 및 표시 장치의 리페어 방법
KR101959976B1 (ko) 표시 장치 및 표시 장치의 단락 불량 검출 방법
KR20160030009A (ko) 고 개구율 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법
CN107978620B (zh) 具有高孔径比的超高密度显示装置
KR20150005108A (ko) 표시장치
KR102092703B1 (ko) 표시 장치 및 표시 장치의 리페어 방법
KR101881084B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 검사 방법
KR20140059573A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 검사 방법
US20210351252A1 (en) Display device and method of manufacturing display device
KR20150034462A (ko) 고 개구율 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법
KR20240018016A (ko) 디스플레이 장치
KR20230157577A (ko) 디스플레이 장치
KR20080047821A (ko) 유기전계발광소자 및 이의 화소 구조
KR20160071880A (ko) 유기발광 표시소자

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant