TWI589955B - 顯示裝置及其修復方法 - Google Patents

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TWI589955B TW102114103A TW102114103A TWI589955B TW I589955 B TWI589955 B TW I589955B TW 102114103 A TW102114103 A TW 102114103A TW 102114103 A TW102114103 A TW 102114103A TW I589955 B TWI589955 B TW I589955B
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康起寧
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Description

顯示裝置及其修復方法
相關申請案之交互參照
本申請案「顯示裝置及其修復方法」主張於2012年10月26日向韓國智慧財產局提出之韓國專利申請號第10-2012-0119798號之優先權及效益，其全部內容係於此併入作為參考。
本發明係有關於一種含有可修復之線路結構的顯示裝置以及修復顯示裝置的方法。
平面顯示裝置係有複數個像素，例如有機發光顯示器裝置與液晶顯示裝置。每一像素包含含有薄膜電晶體（TFT）與電容的像素電路單元，而每一像素電路單元係連接至複數條線路。
當此平面顯示裝置之解析度增加時，線路之數量增加且集成電路之數量增加。而且，當平面顯示裝置變得越大，發生缺陷之可能性，例如線路之間的短路或開路，亦增加。特別的是，為了形成大尺寸的平面顯示裝置，可形成在主基板上的面板之數量係減少。如此，當丟棄含有缺陷面板的主基板時，很大程度上會影響生產良率。因此，極需要適合有高解析度與大尺寸之平面顯示裝置的修復線路之構造與方法。
本發明係提供一種含有可修復線路結構的顯示裝置以及修復該顯示裝置之方法。
根據本發明的一態樣，提供一種顯示裝置，包含﹕複數個單元像素，每一單元像素含有複數個子像素；第一路線，係通常在一第一方向上從一共同線延伸，且數量係與每一單元像素中的子像素數量相同藉此將相鄰之單元像素中發出相同顏色光的複數個子像素彼此連接；第二線路，係通常在與第一方向交錯的第二方向上延伸且連接至複數個子像素；以及第三線路，係通常鄰近第二線路，在第二方向上延伸，且含有安置於接近第一線路與第三線路彼此交錯之處的孔洞，且連接至複數個子像素。
第三線路的寬度可大於第二線路的寬度。
第三線路可供給電源給複數個子像素。
孔洞可鄰近第二線路。
顯示裝置可進一步包含第四線路，其通常在第一方向上延伸以連接至第三線路，且連續地安置在連接至單元像素之複數個子像素的複數條第一線路之間。
第四線路可為用於供應電源給複數個子像素的線路。
發出相同顏色光的子像素係配置在該第一方向上，而發出不同顏色光的子像素係配置在第二方向上。
每一子像素可包含第一電極、第二電極、以及安置在第一電極與第二電極之間的有機發光層。
第一電極可為透明電極，而第二電極可為反射電極。
根據本發明的另一態樣，提供一種顯示裝置，包含﹕複數個像素；第一線路，係通常在第一方向上延伸以待連接複數個像素；第二線路，係通常在與第一方向交錯的第二方向上延伸以連接至複數個像素；以及第三線路，通常在第二方向上延伸以鄰近第二線路，且含有安置於接近第一線路與第三線路彼此交錯之處的孔洞，且連接至複數個像素。
根據本發明的另一態樣，提供一種修復顯示裝置之方法，該顯示裝置包含﹕複數個單元像素，每一單元像素含有複數個子像素；第一路線，通常在第一方向上從共同線延伸，且數量係與每一單元像素中的子像素數量相同，藉此將相鄰之單元像素中發出相同顏色光的複數個子像素彼此連接；第二線路，係通常在與第一方向交錯的第二方向上延伸且連接至複數個子像素；以及第三線路，係鄰近第二線路，通常在第二方向上延伸，且含有安置於鄰近第一線路與第三線路彼此交錯之處的孔洞，且連接至複數個子像素，該方法包含﹕偵測第一線路與第二線路之短路部分；使用在第三線路中的孔洞形成島狀之修復圖樣；將短路部分與第二線路分離；以及藉由將修復圖樣與第二線路彼此連接，以形成旁路路徑。
修復圖樣之形成可包含切割第三線路中的孔洞之周邊以形成鄰近第二線路的修復圖樣。
孔洞之周邊可藉由雷射光束切割，而使用化學氣相沉積（CVD）方法將修復圖樣與分離之第二線路彼此連接。
根據本發明的另一態樣，提供一種修復顯示裝置之方法，該顯示裝置包含﹕複數個像素；第一線路，係通常在第一方向上延伸；第二線路，係通常在與第一方向交錯的第二方向上延伸；以及第三線路，通常在第二方向上延伸以鄰近第二線路，且含有安置於接近第一線路與第三線路彼此交錯之處的孔洞，該方法包含﹕偵測第一線路與第二線路之短路部分；使用在第三線路中的孔洞形成島狀之修復圖樣；將短路部分與第二線路分離；以及藉由將修復圖樣與第二線路彼此連接，以形成旁路路徑。
1．．．顯示裝置
10．．．基板
11．．．緩衝層
114．．．像素電極
119．．．發光層
13．．．第一絕緣層
15．．．第二絕緣層
18．．．第三絕緣層
20．．．對面電極
212．．．主動層
212a．．．汲極區
212b．．．源極區
212c．．．通道區
214．．．閘極電極第一層
215．．．閘極電極第二層
216a．．．汲極電極
216b．．．源極電極
312．．．下電極
314．．．上電極
A1．．．顯示區
A2．．．非顯示區
P．．．像素
D．．．數據線
D1．．．第一數據線
D2．．．第二數據線
D3．．．第三數據線
Dm．．．數據訊號
S、S1、S2、S3．．．掃描線
Sn．．．掃描訊號
T1．．．第一電晶體
T2．．．第二電晶體
N1．．．第一節點
C1．．．電容
PC．．．像素電路
OLED．．．有機發光二極體
UP．．．單元像素
SP1、SP2、SP3．．．子像素
V1．．．第一電源供應線
V2、V2-1、V2-2、V2-3．．．第二電源供應線
L1．．．第一訊號線
L2．．．第二訊號線
RH、RH1、RH2．．．修復孔
RP．．．修復圖樣
CUT1．．．第一切割線
CUT2．．．第二切割線
CNT1．．．第一金屬圖樣
CNT2．．．第二金屬圖樣
II、VI、VII．．．部分
ELVDD．．．第一電源
ELVSS．．．第二電源
W1、W2．．．線寬
X．．．第一方向
Y．．．第二方向
藉由參考附圖詳細描述例示性實施例本發明的上述內容與其他特性以及優點將變成更清楚明顯，其中﹕
第1圖係為根據本發明的實施例之顯示裝置之示意平面圖；
第2圖係為顯示第1圖之部分II的線路結構的示意圖；
第3圖係為大略地顯示第2圖所示之像素的電路圖；
第4圖係為顯示第1圖之部分II的另一線路結構的示意圖；
第5圖係為顯示第1圖之部分II的另一線路結構的示意圖；
第6圖係第2圖與第4圖所示之部分VI的放大圖；
第7圖係為第5圖所示之部分VII的放大圖；
第8圖與第9圖係繪示第6圖之修復線路結構之方法的圖表；以及
第10圖係為根據本發明的實施例之顯示裝置中的像素之部分元件的示意剖面圖。
下文中，揭露將參考附圖以詳細說明本發明之實施例。
第1圖係為根據本發明的實施例之顯示裝置1之示意平面圖，以及第2圖係為第1圖之部分II的線路結構的示意圖。
下文中，係假設根據本發明的實施例之顯示裝置1係為有機發光顯示裝置。然而，本發明之實施例非受限於有機發光顯示裝置，而可應用含有無機發光顯示裝置、液晶顯示裝置以及其他相似裝置的各種顯示裝置。
請參閱第1圖與第2圖，根據本實施例之顯示裝置1包含基板10，其上係定義有顯示區A1以及非顯示區A2。
顯示區A1係為顯示影像的區域，以及形成在包含基板10之中心的區域上。非顯示區A2可安置在顯示區A1之外圍部分上。
顯示區A1包含實現影像的複數個像素P。
每一像素P可藉由在第一方向X上延伸的掃描線S以及在通常垂直第一方向X之第二方向Y上延伸的數據線D而定義。數據線D係施加安置在非顯示區A2上之數據驅動單元（圖中未顯示）所提供的數據訊號至每一像素P，而且掃描線S施加安置在非顯示區A2上之掃描驅動單元（圖中未顯示）所提供的掃描訊號給每一像素P。在第2圖中，數據線D在第二方向Y上延伸，而掃描線S在第一方向X上延伸；然而，本發明不因此受限制。亦即，數據線D與掃描線S延伸的方向可能可以改變。
每一像素P係連接至在第二方向Y上延伸的第一電源供應線V1。第一電源供應線V1係鄰近數據線D。第一電源供應線V1施加安置在非顯示區A2上之第一電源驅動單元（圖中未顯示）所提供的第一電源ELVDD（參見第3圖）給每一像素P。雖然未顯示在第2圖中，每一像素P係接收第二電源ELVSS（參見第3圖）。每一像素P係回應於數據訊號，控制從第一電源ELVDD經由有機發光二極體（有機發光二極體，參考第3圖）至第二電源ELVSS供應的電流量。然後，有機發光二極體係產生預設照明度的光。
第一電源供應線V1係用於供應第一電源ELVDD至像素P的線路，如此，為了維持一致的影像品質，電壓降（IR drop）必須是小的。因此，第一電源供應線V1的線寬係大於數據線D的線寬。然後，可減少到鄰近第一電源驅動單元（圖中未顯示）之像素P的線以及到遠離第一電源驅動單元（圖中未顯示）之像素P的線之間的長度差異而產生的電源之間的差異。
同時，通常在該第一方向X上延伸的第二電源供應線V2係連接至第一電源供應線V1。第二電源供應線V2係為用於供應第一電源ELVDD的線路。例如，第一電源供應線V1與第二電源供應線V2可彼此連接成網孔型。第二電源供應線V2可補償因第一電源供應線V1之電阻造成根據長度的電壓降。
第3圖係為第2圖所示之像素P的電路圖。
請參閱第3圖，像素P包含有機發光二極體以及用於供應電流給有機發光二極體的像素電路PC。
有機發光二極體之像素電極係連接至像素電路PC，而有機發光二極體之對面電極係連接至第二電源ELVSS。有機發光二極體係回應於從像素電路PC供應的電流而產生預設照明度的光。
主動矩陣型有機發光顯示裝置包含至少二個薄膜電晶體以及至少一個電容，特別的是，用於傳送數據訊號的開關薄膜電晶體、根據數據訊號驅動有機發光二極體的驅動薄膜電晶體、以及用於維持數據電壓的電容。
第一電晶體T1之閘極電極係連接至掃描線S（參見第2圖），第一電晶體T1之第一電極係連接至數據線D（參見第2圖），以及第一電晶體T1之第二電極係連接至第一節點N1。亦即，掃描訊號Sn係輸入至第一電晶體T1之閘極電極，而數據訊號Dm係輸入至第一電晶體T1之第一電極。
第二電晶體T2之閘極電極係連接至第一節點N1，第二電晶體T2之第一電極係連接至第一電源ELVDD，而第二電晶體T2之第二電極係連接至有機發光二極體之像素電極。在此，第二電晶體T2係作用為驅動薄膜電晶體。
電容C1係連接在第一節點N1與第二電晶體T2之第一電極之間，其係第一電源ELVDD。
第4圖係為顯示根據本發明的另一實施例之第1圖之部分II中的線路結構的示意圖。
顯示區A1包含實現影像的複數個單元像素UP。
每一單元像素UP包含發出不同顏色光的複數個子像素SP1、SP2與SP3。例如，每一單元像素UP可包含發出紅色光的子像素、發出綠色光的子像素、以及發出藍色光的子像素。在本實施例中，三個子像素SP1、SP2與SP3係配置成一個單元像素UP；然而，本發明不因此受限制。亦即，用於單元像素UP的子像素數量可增加或減少，從複數個子像素發出的光係混合以產生白光或特定顏色的光。例如，除了發出紅色光、綠色光與藍色光的子像素，可進一步包含發出白光的子像素。
在顯示區A1上，發出相同顏色光的複數個子像素SP1係配置在第一方向X上。發出不同顏色光的複數個子像素SP1、SP2與SP3係在垂直第一方向X的第二方向Y上重複地配置，而發出不同顏色光的複數個子像素SP1、SP2與SP3係配置成一單元像素UP。
在每一單元像素UP中，從一條掃描線S分支出的第一至第三掃描線S1、S2與S3係配置且通常在第一方向X上延伸。第一掃描線S1係連接至在相鄰單元像素UP中發第一顏色光的複數個子像素SP1，第二掃描線S2係連接至在相鄰單元像素UP中發第二顏色光的複數個子像素SP2，以及第三掃描線S3係連接至在相鄰單元像素UP中發第三顏色光的複數個子像素SP3。用於一個單元像素UP的複數個子像素SP1、SP2與SP3係分别地連接至不同掃描線S1、S2與S3。然而，因為第一至第三掃描線S1至S3係從一條掃描線S分支出，輸入至單元像素UP的複數個掃描訊號係彼此相同。
通常在第二方向Y上延伸以分别連接至彼此發出不同顏色光的複數個子像素SP1、SP2與SP3的第一至第三數據線D1、D2與D3係安置於每一單元像素UP。亦即，第一數據線D1係連接至發出第一顏色光的子像素SP1，第二數據線D2係連接至發出第二顏色光的子像素SP2，而第三數據線D3係連接至發出第三顏色光的子像素SP3。因此，彼此不相同的數據訊號可輸入至包含在每一單元像素UP的複數個子像素SP1、SP2與SP3。
在本實施例中，第一至第三數據線D1至D3係短於第一至第三掃描線S1至S3。當第一至第三數據線D1至D3之長度增加時，輸入至複數個子像素的數據訊號之強度係因為根據長度之線電阻值而減少。一般而言，比起掃描訊號，有機發光顯示裝置對於數據訊號係更為敏感。因此，根據本實施例，可避免輸入至有機發光顯示裝置的複數個數據訊號之間的失衡。
用於施加第一電源ELVDD至第一電源供應線V1係在第二方向Y上延伸以連接至顯示區A1上的每一複數個子像素SP1、SP2與SP3。第一電源供應線V1係鄰近數據線D。因為第一電源供應線V1係為用於供應第一電源ELVDD至每一子像素SP1至SP3的線，為了維持一致的影像品質，電壓降（IR drop）必須是小的。因此，第一電源供應線V1的線寬係大於數據線D的線寬。
同時，為了防止在第一電源供應線V1上電壓下降，額外的電源供應線可進一步連接至每一子像素SP1至SP3。在本實施例中，連接至第一電源供應線V1而通常在第一方向X上延伸的第二電源供應線V2-1、V2-2與V2-3係進一步分别地連接至一個單元像素UP所包含的子像素SP1至SP3。
第二電源供應線V2-1、V2-2與V2-3可陸續地配置在連接至一單元像素UP之子像素SP1、SP2與SP3的第一至第三掃描線S1、S2與S3之間。在本實施例中，第二電源供應線V2-1、V2-2與V2-3係連接至每一單元像素UP包含的所有子像素SP1、SP2與SP3。然而，本發明不因此受限制，其係至少二條第二電源供應線V2-1與V2-2可陸續地配置在連接至單元像素UP之子像素SP1、SP2與SP3的第一至第三掃描線S1、S2與S3之間。
第5圖係為顯示第1圖之部分II中線路結構之另一範例的示意圖。
相較於第4圖之結構，第5圖所示之線路結構進一步包含額外的第一訊號線L1與第二訊號線L2，其係鄰近第一電源供應線V1之兩相對側且在第二方向Y上延伸。以與第4圖相同之參考符號標示的其他構件有與第4圖之構件相同的功能與操作，故在此不提供其描述。
第一訊號線L1與第二訊號線L2係用於供應訊號給每一子像素SP1至SP3的線，且在第二方向Y上延伸。第一訊號線L1與第二訊號線L2係通常安置鄰近第一電源供應線V1。第一訊號線L1係安置在第一電源供應線V1之一側上，而第二訊號線L2係安置在第一電源供應線V1之其他側上。而且，顯示裝置1可具有如第5圖所示的第一訊號線L1與第二訊號線L2兩者；然而，顯示裝置1可包含第一訊號線L1與第二訊號線L2之任何一條。因為第一訊號線L1與第二訊號線L2係為傳輸訊號的線，第一電源供應線V1之寬度通常寬於第一訊號線L1與第二訊號線L2之寬度。
第一訊號線L1或第二訊號線L2可為補償控制訊號線，其補償每一子像素SP1至SP3所包含的薄膜電晶體的臨界電壓。亦即，當訊號透過補償控制訊號線被施加時，每一子像素SP1至SP3所包含的薄膜電晶體係導通，而驅動薄膜電晶體係為二極體連接以補償驅動薄膜電晶體的臨界電壓。因此，如果補償控制訊號線係另外形成，每一子像素SP1至SP3可包含額外的薄膜電晶體，且補償控制訊號線係連接至第3圖所示之像素電路。
同時，第一訊號線L1或第二訊號線L2可為共同初始化控制線，其係初始化子像素SP1至SP3所包含的電容。亦即，當訊號從共同初始化控制線施加時，每一子像素SP1至SP3所包含的薄膜電晶體係導通以施加初始化電壓至連接至薄膜電晶體的電容。如上所述，在共同初始化控制線係另外形成之情形中，每一子像素SP1至SP3可進一步包含額外的薄膜電晶體，且共同初始化控制線係連接至第3圖所示之像素電路，而一電容係形成在額外的薄膜電晶體與第一電源供應線V1之間。
反之，第一訊號線L1或第二訊號線L2可為數據輸入控制線，其讓數據訊號同步地傳送至子像素SP1至SP3。亦即，當訊號透過數據輸入控制線施加時，每一子像素SP1至SP3所包含的薄膜電晶體係導通，而驅動薄膜電晶體係為二極體連接以補償驅動薄膜電晶體的臨界電壓。因此，當數據輸入控制線係額外形成時，每一子像素SP1至SP3可包含額外的薄膜電晶體，其中數據輸入控制線係連接至第3圖所示之像素電路。
除了上述訊號，第一訊號線L1與第二訊號線L2可傳送各種種類之訊號，訊號之種類係依據子像素包含的薄膜電晶體與電容之數量、連接類型以及驅動類型而決定變化。因此，透過第一訊號線L1與第二訊號線L2傳送的訊號之種類與內容係不受以上範例的限制。
第4圖與第5圖係為了描述根據本發明的實施例之複數條線路之間的複雜關係而簡略地顯示線路。在第4圖與第5圖中，彼此交錯而有標示點（●）的線路係彼此電性連接，而彼此交錯而沒有標示點（●）的線路係彼此不電性連接。例如，在每一子像素SP1、SP2與SP3中第一電源供應線V1係電性連接至第二電源供應線V2-1、V2-2與V2-3。
此外，根據第4圖與第5圖之線路結構，在第二方向Y上延伸的線路係分支設置。如果顯示裝置1為朝向基板10發光的底發光型顯示裝置，為了確保孔洞上述配置係必要的。然而，在上述結構中，如果發生缺陷，例如在第一訊號線L1與第二訊號線L2、以及複數條數據線D中短路或開路，因為線路彼此接近所以其難以確保用於執行修復操作的空間。例如，如果發生短路，其難以確保用於切割缺陷部分且形成訊號旁路（bypass）的空間。而且，如果發生開路缺陷，係無法確保的與鄰近線路的分隔距離，如此，其有可能當開路部分連接時在相同水平的線路之間產生另一短路。如上所述，如果在鄰近線路之間有缺陷，其難以執行修復。
然而，根據本發明的實施例，修復孔RH（顯示於第6圖）係形成在比其他線路有較廣線寬的有第一電源供應線V1中，如此，能夠修復發生在相鄰近線路中的缺陷。而且，根據本發明的實施例，因為修復孔RH係形成在第一電源供應線V1中，所以相鄰近線路之缺陷可容易地修復。如此，可改進生產良率。
第6圖係第2圖與第4圖所示之部分VI的放大圖，以及第7圖係為第5圖之部分VII的放大圖。
請參閱第6圖，本實施例之第一電源供應線V1包含在第一電源供應線V1與掃描線彼此交錯的一部分上或是靠近該部分的修復孔RH。如上所述，比起數據線D之線寬（W2），第一電源供應線V1通常有較大線寬（W1）。同時，修復孔RH係接近數據線D，因為當缺陷出現在數據線D與掃描線S重疊之部分上時，可透過修復孔RH容易地修復缺陷。
請參閱第7圖，第一電源供應線V1包含在第一電源供應線V1與掃描線S交錯的部分上或是靠近該部分的複數個修復孔RH1與RH2。在此，第一修復孔RH1係通常鄰近第一訊號線L1，而第二修復孔RH2係通常鄰近第二訊號線L2。因此，第一修復孔RH1係用於修復第一訊號線L1之缺陷，而第二修復孔RH2係用於修復第二訊號線L2之缺陷。
因為第一電源供應線V1具有充分地寬的線寬，所以即使當孔洞形成在其一些部分中，線電阻值不會大幅地增加。而且，為了防止因線電阻造成的電壓下降問題，本實施例之第一電源供應線V1進一步包含第二電源供應線V2-1、V2-2與V2-3。因此，修復孔RH1與RH2不影響電壓下降。
第8圖與第9圖係為繪示第6圖之修復結構之方法的圖式。雖然第8圖與第9圖例示性繪示修復第6圖所示之線路結構的方法，但是除了修復操作之增加之外，修復第7圖所示結構的方法基本上係與修復第6圖之結構的方法相同。因此，在此不提供修復第7圖所示線路結構之方法的相關描述。
第8圖與第9圖係顯示短路缺陷出現在數據線D與掃描線S彼此重疊之部分上的情形。由於雜質，例如粒子，短路缺陷係容易地產生在安置於不同層上之複數條線路之間。在第8圖與第9圖，短路缺陷係產生在數據線D與掃描線S彼此重疊之部分上；然而，本發明不因此受限制。亦即，如果短路缺陷產生在第一訊號線L1與掃描線S彼此重疊的部分上，以及產生在第二訊號線L2與掃描線S彼此重疊的部分上，可執行本實施例之修復方法。
在執行短路缺陷之修復之前，係偵測短路缺陷出現的位置。可藉由裸眼或監視器偵測缺陷的方法，以及藉由依序地施加電壓至複數條線路並使用電源輸入構件與電源接收構件來監測電位差異的偵測缺陷位置之方法，來偵測短路缺陷。
請參閱第8圖，使用在第一電源供應線V1中的修復孔RH形成修復圖樣。此外，短路缺陷出現的部分係與數據線D分離。
更詳細地說，第一電源供應線V1之修復孔RH之周邊係切割以形成修復圖樣RP之一側，其係鄰近待修復的線路，而成為島型的修復圖樣RP。在此，係藉由照射雷射光束於第一切割線CUT1以形成修復圖樣RP。同時，數據線D係藉由照射雷射光束於第二切割線CUT2而分離以除去缺陷部分。
請參閱第9圖，為了執行修復操作，修復圖樣RP與分離的數據線D係彼此連接以形成旁路路徑。更詳細地說，修復圖樣RP與數據線D係使用化學氣相沉積（CVD）設備以彼此電性連接。在安置基板10於真空室後，CVD設備發射雷射光束至基板10之表面，並注入原料氣體。在CVD製程中，雷射光束引發原料氣體之光分解以在雷射光束照射的部分上形成第一金屬圖樣CNT1與第二金屬圖樣CNT2。CVD設備可使用金屬，例如鉻（Cr）、鎢（W）與鉬（Mo），以形成第一金屬圖樣CNT1與第二金屬圖樣CNT2。第一金屬圖樣CNT1係安置在第三絕緣層18上（如第10圖所示），致使數據線D之分離部分之一側與修復圖樣RP之一側彼此重疊。第二金屬圖樣CNT2係安置在第三絕緣層18上（參考第10圖），致使數據線D之分離部分之其他側與修復圖樣RP之其他側彼此重疊。接著，雷射光束係照射第一金屬圖樣CNT1與第二金屬圖樣CNT2與數據線D彼此重疊的部分，以及第一金屬圖樣CNT1、第二金屬圖樣CNT2與修復圖樣RP彼此重疊的部分。然後，第一金屬圖樣CNT1與第二金屬圖樣CNT2係透過雷射焊接操作而滲透第三絕緣層18（參考第10圖）以連接至數據線D以及連接至修復圖樣RP。因此，數據線D之分離部分係經由第一金屬圖樣CNT1與第二金屬圖樣CNT2而連接至修復圖樣RP。
根據本發明的實施例，由於形成在第一電源供應線V1中的修復孔RP，可執行鄰近線路之修復。
雖然未顯示在第8圖與第9圖，在出現在數據線D與掃描線S彼此重疊之位置上的數據線D之開路缺陷之情形中，在使用CVD設備將開路之數據線D彼此連接的期間，由於缺乏修復空間，使得短路缺陷可能會發生在相同水平之鄰近線路之間。然而，根據本發明的實施例，如果短路缺陷出現在已修復之數據線D以及第一電源供應線V1之間，使用第一電源供應線V1之修復孔RH可容易地將短路部分與第一電源供應線V1分隔，如此，能夠解決上述的問題。
第10圖係為根據本發明的實施例之有機發光顯示裝置1所包含的像素的示意剖面圖。
請參閱第10圖，作為驅動薄膜電晶體的第二電晶體T2、電容C1以及有機發光二極體（OLED）係安置在基板10上。如上所述，複數個子像素進一步包含額外的薄膜電晶體與電容，以及各種線路。然而，為了方便描述，第10圖係顯示一些構件。
基板10可用主要地含有二氧化矽的透明玻璃材料形成；然而本發明不因此受限制，亦即，基板10可用透明塑膠材料形成。
緩衝層11可進一步形成在基板10上。緩衝層11提供基板10上的平坦表面，且避免濕氣與雜質滲透至基板10。
第二電晶體T2之主動層212係形成在緩衝層11上。主動層212可用無機半導體形成，例如非晶矽或多晶矽。而且，主動層212可用有機半導體氧化物半導體、或其他各種材料形成。主動層212包含源極區212b、汲極區212a以及通道區212c。
含有透明導電性材料的閘極電極第一層214與閘極電極第二層215係依序地在對應於主動層212的通道區212c之位置上形成於主動層212上，而第一絕緣層13係為介於主動層212與閘極電極第一層214之間的閘極絕緣層。
分别地連接至主動層的源極區212b與汲極區212a的源極電極216b與汲極電極216a係形成在閘極電極第二層215上，而第二絕緣層15係為介於兩者之間的層間介電層。
覆蓋源極電極216b與汲極電極216a的第三絕緣層18係安置在第二絕緣層15上。第三絕緣層18可為有機絕緣層。
由與閘極電極第一層214相同的透明導電性材料形成的像素電極114係形成在緩衝層11與第一絕緣層13上。透明導電性材料可選自氧化銦錫（ITO）、氧化銦鋅（IZO）、氧化鋅（ZnO）、氧化銦（In2O3）、氧化銦鎵（IGO）與鋁氧化鋅（AZO）所組成的群組中之至少一種。
發光層119係形成在像素電極114上，而從發光層發出的光係透過由透明導電性材料形成的像素電極114射向基板10。
發光層119可用低分子量有機材料或高分子量有機材料形成。當使用低分子量有機材料時，發光層119可具有含有選自電洞注入層（HIL）、電洞傳輸層（HTL）、電子傳輸層（ETL）與電子注入層（EIL）所組成的群組中之至少一種的多層結構。可用的有機材料之範例可包含銅酞菁（CuPc）、N,N'-雙（萘-1-基）-N,N'-二苯基-聯苯胺（NPB）、三8羥基喹啉鋁（Alq3）以及其他相似材料。
在另一方面，當使用高分子量有機層時發光層119可具有至少含有HTL的結構。在此情形中，HTL可用聚-（3,4）-二氧乙基噻吩（PEDOT）或聚苯胺（polyaniline，PANI）形成。在此，可使用的高分子量有機材料係為高分子有機材料，例如聚苯撑乙烯(polyphenylenevinylenes，PPVs）或聚芴（polyfluorenes）。
對面電極20係安置在發光層119上，以作為共同電極。在根據本實施例之有機發光顯示裝置1中，像素電極114可用作陽極，而對面電極20可用作陰極。另一選擇，像素電極114與對面電極20之極性可相反於上述範例。
對面電極20可形成為含有反射性材料的反射電極。在此，對面電極20可包含選自鋁、鎂、鋰、鈣、氟化鋰/鈣、與氟化鋰/鋁所組成的群組中一或更多材料。
因為對面電極20為反射電極，所以從發光層119發出的光係被對面電極20反射，然後穿透由透明導電性材料形成的像素電極114而射向基板10。
因為本實施例之有機發光顯示裝置1為底發光型顯示裝置，所以光係朝向基板10發出，像素電極114可形成不重疊第一至第三掃描線S1、S2與S3、第一至第三數據線D1、D2與D3、第一電源供應線V1、以及第二電源供應線V2-1、V2-2與V2-3（參考第4圖或第5圖）。
由與薄膜電晶體之主動層212相同的材料形成的電容C1之下電極312，以及包含透明導電性材料並由與像素電極114相同的材料形成的電容C1之上電極314，以及安置在下電極312與上電極314之間的第一絕緣層13係形成在基板10與緩衝層11上。
雖然第一絕緣層13係位於下電極312上，第一絕緣層13不安置在上電極314之外部部分。第二絕緣層15係安置在第一絕緣層13上，而第二絕緣層15係露出電容C1之全部上電極314致使全部上電極314可接觸第三絕緣層18。
雖然未顯示在第10圖，但是密封構件（圖中未顯示）可安置在對面電極20上以面對基板10之表面。密封構件（圖中未顯示）係形成以保護發光層119對抗外部濕氣或氧氣，且可用玻璃或塑膠形成以具有複數個有機材料與無機材料堆疊的結構。
根據顯示裝置與修復顯示裝置之方法，能夠獲得下列效果。
首先，使用形成在線路中的孔洞來修復鄰近線路，如此，不需要形成額外的空間來執行修復，而可改進線路之間的集成。此外，甚至當線路之間的間隙非常狹窄時，仍可容易地修復缺陷。亦即，在大尺寸顯示裝置上有缺陷的線路可容易地修復，可改進生產良率。
本發明已參考其例示性實施例而特別地顯示及描述，此技術領域中的通常知識者將理解的是在未脫離下列的申請專利範圍與其等效範圍所定義之精神與範籌下形式與細節上的各種改變皆為可行。
D．．．數據線
S．．．掃描線
V1．．．第一電源供應線
V2．．．第二電源供應線
VI．．．部分
X．．．第一方向
Y．．．第二方向
P．．．像素

Claims (19)

  1. 一種顯示裝置，包含﹕
    複數個單元像素，每一該單元像素含有複數個子像素；
    一條或更多條第一線路，係在一第一方向上從一共同線延伸出，該第一線路之數量係與每一該單元像素中的該複數個子像素之數量相同，且連接在相鄰之該單元像素中發出相同顏色光的該複數個子像素；
    一第二線路，係在與該第一方向交錯的一第二方向上延伸，且連接至該複數個子像素；以及
    一第三線路，係鄰近該第二線路，並在該第二方向上延伸，且含有安置於接近該第一線路與該第三線路彼此交錯之處的一孔洞，而該第三線路係連接至該複數個子像素。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該第三線路的寬度係大於該第二線路的寬度。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該第三線路係供應電源給該複數個子像素。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該孔洞係安置鄰近該第二線路。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，進一步包含一第四線路，該第四線路係在該第一方向上延伸，連接至該第三線路，且係安置在連接至該單元像素之該複數個子像素的該複數條第一線路之間。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之顯示裝置，其中該第四線路係供應電源給該複數個子像素。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中發出相同顏色光的該複數個子像素係在該第一方向上，而發出不同顏色光的該複數個子像素係在該第二方向上。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中每一該子像素包含一第一電極、一第二電極、以及安置在該第一電極與該第二電極之間的一有機發光層。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之顯示裝置，其中該第一電極係為透明電極，而該第二電極係為反射電極。
  10. 一種顯示裝置，包含﹕
    複數個像素；
    一第一線路，係在一第一方向上延伸，連接至該像素；
    一第二線路，係在與該第一方向交錯的一第二方向上延伸，連接至該像素；以及
    一第三線路，係在該第二方向延伸且通常鄰近該第二線路，且含有安置於接近該第一線路與該第三線路彼此交錯之處的一孔洞，該第三線路係連接至該像素。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之顯示裝置，其中該第三線路的寬度係大於該第二線路的寬度。
  12. 如申請專利範圍第10項所述之顯示裝置，其中該第三線路係供應一電源給該像素。
  13. 如申請專利範圍第10項所述之顯示裝置，其中該孔洞係安置鄰近該第二線路。
  14. 一種修復如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置的方法，該方法包含﹕
    偵測該第一線路與該第二線路之一短路部分；
    使用在該第三線路中的該孔洞以形成島狀之一修復圖樣；
    將該短路部分與該第二線路分離；以及
    藉由將該修復圖樣與該第二線路彼此連接，以形成一旁路路徑。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之方法，其中該修復圖樣之形成包含切割該第三線路中的該孔洞之一周邊以形成鄰近該第二線路的該修復圖樣。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之方法，其中該孔洞之該周邊係藉由一雷射光束切割，而使用一化學氣相沉積（CVD）方法將該修復圖樣與分離之該第二線路彼此連接。
  17. 一種修復如申請專利範圍第10項所述之顯示裝置的方法，該方法包含﹕
    偵測該第一線路與該第二線路之一短路部分；
    使用在該第三線路中的該孔洞以形成島狀之一修復圖樣；
    將該短路部分與該第二線路分離；以及
    藉由將該修復圖樣與該第二線路彼此連接，以形成一旁路路徑。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之方法，其中該修復圖樣之形成包含切割該第三線路中的該孔洞之一周邊以形成鄰近該第二線路的該修復圖樣。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之方法，其中該孔洞之該周邊係藉由一雷射光束切割，而使用一化學氣相沉積（CVD）方法將該修復圖樣與分離之該第二線路彼此連接。
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