KR20150113530A - 유기 발광 표시 장치 - Google Patents

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KR20150113530A
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박미경
조기술
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엘지디스플레이 주식회사
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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치가 제공된다. 유기 발광 표시 장치는 복수의 서브 화소를 포함한다. 복수의 서브 화소 각각은 구동 박막 트랜지스터가 형성된 소자 영역을 갖고, 애노드, 유기 발광층 및 캐소드로 구성된 유기 발광 소자가 각각 형성된 복수의 발광 영역을 갖는다. 연결 패턴은 복수의 서브 화소 중 동일한 서브 화소 내의 애노드를 전기적으로 연결시킨다. 더미 패턴은 복수의 서브 화소 중 이웃하는 서브 화소 내의 애노드와 중첩된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서는 구동 박막 트랜지스터의 불량이 발생하는 경우 유기 발광 소자의 애노드에 정상적인 전기적 연결을 제공하기 위한 더미 패턴이 애노드와 중첩되도록 배치되어, 구동 박막 트랜지스터 불량 시에도 유기 발광 소자의 정상 구동이 가능하다.

Description

유기 발광 표시 장치{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE}
본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 유기 발광 표시 장치 제조 과정에서 발생되는 이물에 의한 화소 불량 및 박막 트랜지스터 불량을 리페어(repair)할 수 있는 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.
유기 발광 표시 장치(OLED)는 자체 발광형 표시 장치로서, 액정 표시 장치(LCD)와는 달리 별도의 광원이 필요하지 않아 경량 박형으로 제조 가능하다. 또한, 유기 발광 표시 장치는 저전압 구동에 의해 소비 전력 측면에서 유리할 뿐만 아니라, 색상 구현, 응답 속도, 시야각, 명암 대비비(contrast ratio; CR)도 우수하여, 차세대 디스플레이로서 연구되고 있다.
유기 발광 표시 장치를 제조하는 공정은 유기 발광 소자의 구동을 위한 박막 트랜지스터 및 커패시터, 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 유기 발광 소자의 애노드, 발광 영역을 정의하고 애노드를 노출시키는 뱅크층, 유기 발광 소자의 유기 발광층 및 캐소드를 순차적으로 형성하도록 구성되는 것이 일반적이다. 상술한 제조 공정 중 애노드가 뱅크층에 의해 노출된 상태에서 유기 발광층 및 캐소드를 순차적으로 형성하는 과정에서 이물이 발생할 수 있으며, 특히, 유기 발광층을 형성하는 과정에서 이물이 발생하는 경우가 많다. 상술한 바와 같이 발생된 이물에 의해 애노드 상에 형성되는 유기 발광층이 끊어지거나 두께가 얇아지므로, 애노드가 유기 발광층 상에 형성되는 캐소드와 단락(short)되는 현상이 발생하고, 애노드와 캐소드에 전압을 인가하여도 유기 발광 소자가 발광하지 않는 소위 암점(dark spot) 불량이 발생할 수 있다.
한편, 유기 발광 표시 장치의 각종 절연층들 및 유기 발광 소자를 형성하는 공정에는 고온 공정들이 포함된다. 즉, 유기 발광 표시 장치 제조 공정에는 고온에서 수행되는 공정이 존재하고, 이러한 고온 공정에 의해 박막 트랜지스터, 특히, 구동 박막 트랜지스터의 성능에 문제가 발생할 수 있다. 또한, 유기 발광 표시 장치 제조 과정에서 구동 박막 트랜지스터에 습기가 침투하는 경우에도 구동 박막 트랜지스터의 성능에 문제가 발생할 수 있다. 상술한 바와 같은 고온 및 습기에 의해, 발생되는 구동 박막 트랜지스터의 성능 불량에 의해 구동 박막 트랜지스터의 문턱 전압(Vth)의 네거티브 시프트(negative shift) 현상이 발생되거나 쇼트(short)성 오프 전류가 증가하는 현상이 발생될 수 있고, 이는 휘점 불량으로 이어지게 된다.
이와 같은 유기 발광 표시 장치의 암점 불량 및 휘점 불량에 의해 유기 발광 표시 장치의 신뢰성이 저하된다.
또한, 최근 들어서는 풀HD(full HD) 또는 UHD(Ultra High Definition) 등의 고해상도를 갖는 고 품위의 표시 품질을 갖는 제품이 출시되고 있으며, 고객들의 유기 발광 표시 장치에 대한 눈높이가 향상됨으로써 정상 구동하지 않는 화소가 전혀 없는 무결점화 제품이 요구되거나, 또는 암점화된 화소의 개수를, 예를 들어, 5개 이하로 최소화한 제품이 요구되고 있는 실정이다. 따라서, 유기 발광 표시 장치에 암점 불량 및 휘점 불량이 다수 발생하는 경우, 유기 발광 표시 장치가 제품성을 상실하여 폐기되어야 하는 문제점이 존재한다.
[관련기술문헌]
1. 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법(특허출원번호 제10-2012-0027319호)
2. 유기전계발광소자의 제조 방법 및 수리방법(특허출원번호 제10-2010-0090750호)
본 발명의 발명자들은 유기 발광 표시 장치에 발생될 수 있는 암점 불량 및 휘점 불량의 원인을 인식하였으며, 암점 불량 및 휘점 불량이 발생하여 유기 발광 표시 장치의 신뢰성이 저하되고 제품성이 상실되는 경우 유기 발광 표시 장치의 수율을 향상시키는데 한계가 존재한다는 문제점을 인식하였다. 이에, 본 발명의 발명자들은 유기 발광 표시 장치에 발생된 암점 불량 및 휘점 불량을 용이하게 리페어(repair)할 수 있는 새로운 구조의 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법을 발명하였다.
이에, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 유기 발광 표시 장치 제조 과정에서 발생하는 이물에 의한 유기 발광 표시 장치의 암점 불량이 발생한 경우 암점 불량에 의해 발광하지 않는 영역을 최소화할 수 있는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 구동 박막 트랜지스터의 성능 불량에 의한 유기 발광 표시 장치의 휘점 불량이 발생한 경우, 해당 구동 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되었던 유기 발광 소자를 인접하는 구동 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결시킬 수 있는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 구동 박막 트랜지스터 불량 시 유기 발광 소자의 애노드에 대한 정상적인 전기적 연결을 제공할 수 있는 유기 발광 표시 장치가 제공된다. 유기 발광 표시 장치는 복수의 서브 화소를 포함한다. 복수의 서브 화소 각각은 구동 박막 트랜지스터가 형성된 소자 영역을 갖고, 애노드, 유기 발광층 및 캐소드로 구성된 유기 발광 소자가 각각 형성된 복수의 발광 영역을 갖는다. 연결 패턴은 복수의 서브 화소 중 동일한 서브 화소 내의 애노드를 전기적으로 연결시킨다. 더미 패턴은 복수의 서브 화소 중 이웃하는 서브 화소 내의 애노드와 중첩된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서는 구동 박막 트랜지스터의 불량이 발생하는 경우 유기 발광 소자의 애노드에 정상적인 전기적 연결을 제공하기 위한 더미 패턴이 애노드와 중첩되도록 배치되어, 구동 박막 트랜지스터 불량 시에도 유기 발광 소자의 정상 구동이 가능하다.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 동일한 서브 화소 내의 발광 영역은 서로 이격된 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 연결 패턴은 애노드와 동일한 물질로 형성된 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 발광 영역에 각각 형성된 유기 발광 소자는 모두 구동 박막 트랜지스터에 의해 구동되도록 형성된 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 더미 패턴은 구동 박막 트랜지스터를 구성하는 도전성 물질 중 하나와 동일한 물질로 형성된 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 더미 패턴은 애노드와 절연된 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 정상적인 전기적 연결은 불량인 구동 박막 트랜지스터가 형성된 서브 화소와 이웃하는 서브 화소에 형성된 구동 박막 트랜지스터에 의해 제공되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치가 제공된다. 기판은 소자 영역, 제1 발광 영역 및 제2 발광 영역을 각각 포함하고 서로 이웃하는 제1 서브 화소 및 제2 서브 화소를 갖는다. 제1 서브 화소 및 제2 서브 화소 각각의 소자 영역에 구동 박막 트랜지스터가 형성된다. 구동 박막 트랜지스터는 게이트 전극, 액티브층, 소스 전극 및 드레인 전극으로 구성된다. 제1 서브 화소 및 제2 서브 화소 각각의 제1 발광 영역 및 제2 발광 영역에 제1 유기 발광 소자 및 제2 유기 발광 소자가 각각 형성된다. 제1 유기 발광 소자 및 제2 유기 발광 소자는 애노드, 유기 발광층 및 캐소드를 포함한다. 복수의 연결 패턴이 제1 서브 화소 및 제2 서브 화소 각각의 구동 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되고, 더미 패턴이 제1 서브 화소의 제2 유기 발광 소자 및 제2 서브 화소의 제1 유기 발광 소자와 중첩된다. 제1 서브 화소에 형성된 연결 패턴은 제1 서브 화소의 제1 유기 발광 소자의 애노드 및 제1 서브 화소의 제2 유기 발광 소자의 애노드 중 적어도 하나와 분리된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 유기 발광 표시 장치에서는 암점 불량 및/또는 휘점 불량을 개선하여, 정상적으로 구동하는 화소를 최대화할 수 있다.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 제1 서브 화소의 제1 유기 발광 소자의 애노드와 캐소드는 단락(short)되고, 제1 서브 화소에 형성된 연결 패턴은 제1 서브 화소의 제1 유기 발광 소자의 애노드와 분리된 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제1 서브 화소에 형성된 연결 패턴과 제1 서브 화소의 제1 유기 발광 소자의 애노드는 레이저 컷팅(laser cutting)에 의해 분리된 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 동일 서브 화소의 연결 패턴, 제1 유기 발광 소자의 애노드 및 제2 유기 발광 소자의 애노드는 동일한 물질로 형성된 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 더미 패턴은 구동 박막 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극과 동일한 물질로 형성된 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제1 서브 화소에 형성된 구동 박막 트랜지스터가 불량인 경우, 제1 서브 화소에 형성된 연결 패턴은 제1 서브 화소의 제1 유기 발광 소자의 애노드 및 제1 서브 화소의 제2 유기 발광 소자의 애노드 둘 모두와 분리된 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 유기 발광 표시 장치는 구동 박막 트랜지스터 상에 형성된 오버 코팅층을 더 포함하고, 오버 코팅층은 더미 패턴에 대응하는 위치에 형성된 개구부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제1 서브 화소의 제2 유기 발광 소자의 애노드 및 제2 서브 화소의 제1 유기 발광 소자의 애노드는 개구부의 측면 및 더미 패턴과 중첩된 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제1 서브 화소의 제2 유기 발광 소자의 애노드 및 제2 서브 화소의 제1 유기 발광 소자의 애노드는 더미 패턴을 통해 전기적으로 연결된 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제1 서브 화소의 제2 유기 발광 소자의 애노드 및 제2 서브 화소의 제1 유기 발광 소자의 애노드는 레이저 웰딩(welding)에 의해 더미 패턴과 전기적으로 연결된 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 유기 발광 표시 장치는 제1 서브 화소 및 제2 서브 화소를 가로지르는 복수의 스캔 라인을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제1 서브 화소와 제2 서브 화소는 동일한 색의 광을 발광하는 것을 특징으로 한다.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명은 유기 발광 소자의 유기 발광층 또는 캐소드 제조 과정에서 발생하는 이물에 의해 애노드 및 캐소드가 단락되어 발생하는 암점 불량에 의한 비발광 영역의 크기를 최소화할 수 있다.
또한, 본 발명은 고온 또는 습기 등에 의해 발생된 구동 박막 트랜지스터의 성능 불량에 기인하여 유기 발광 표시 장치에 휘점이 생기는 경우, 더미 패턴을 사용한 새로운 전기적 연결을 제공하고, 그에 의해 유기 발광 표시 장치의 신뢰성 및 수율을 향상시킬 수 있다.
본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 불량이 발생되지 않은 서브 화소를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 개략적인 평면도이다.
도 2는 도 1의 II-II’, II’’-II’’’에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 암점 불량이 발생된 서브 화소를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 개략적인 평면도이다.
도 4는 도 3의 IV-IV’, IV’’-IV’’’에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 구동 박막 트랜지스터 불량이 발생된 서브 화소를 포함하는 유기 발광 표시 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 평면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 ‘직접’이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.
소자 또는 층이 다른 소자 또는 층 "위 (on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.
명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 도시된 것이며, 본 발명이 도시된 구성의 크기 및 두께에 반드시 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하며, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시 가능할 수도 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시예들을 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 불량이 발생되지 않은 서브 화소를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 개략적인 평면도이다. 도 2는 도 1의 II-II’, II’’-II’’’에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다. 도 1 및 도 2를 참조하면, 유기 발광 표시 장치(100)는 소자 영역(DA), 제1 발광 영역(EA1), 제2 발광 영역(EA2)을 각각 포함하는 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3)를 갖는 기판(102), 소자 영역(DA)에 형성된 스위칭 박막 트랜지스터(120), 구동 박막 트랜지스터(130) 및 커패시터(140), 유기 발광 소자(150), 연결 패턴(170), 및 더미 패턴(175)을 포함한다. 도 2에서는 설명의 편의상 유기 발광 표시 장치(100)를 바텀 에미션(bottom emission) 방식의 유기 발광 표시 장치로 도시하였으나, 이에 제한되지 않고 유기 발광 표시 장치는 탑 에미션(top emission) 방식으로 동작할 수도 있다.
기판(102)은 유기 발광 표시 장치(100)의 여러 엘리먼트들을 지지하고 보호하기 위한 기판(102)이다. 기판(102)은 절연 물질로 구성될 수 있고, 예를 들어, 유리 또는 플라스틱 등으로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되지 않고, 다양한 물질로 형성될 수 있다.
기판(102) 상에는 일방향으로 배열된 데이터 라인(110), 데이터 라인(110)과 서로 절연되면서 교차하는 스캔 라인(112) 및 스캔 라인(112)과 서로 절연되면서 교차하고 데이터 라인(110)과 평행한 공통 전원 전압 라인(114)이 형성된다. 도 1에 도시된 데이터 라인(110), 스캔 라인(112) 및 공통 전원 전압 라인(114)의 배열은 임의적인 것이며, 각각의 라인은 각각의 기능을 유지하는 한 다른 배열로 배치될 수도 있다.
기판(102)은 특정 색의 광을 각각 발광하는 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3)를 갖는다. 도 1 및 도 2에서는 설명의 편의를 위해 세로 방향으로 서로 이웃하는 제1 서브 화소(SP1), 제2 서브 화소(SP2) 및 제3 서브 화소(SP3)만이 도시되었다. 도 1을 참조하면, 데이터 라인(110)과 공통 전원 전압 라인(114)이 각각의 서브 화소(SP1, SP2, SP3)의 좌측 경계 및 우측 경계에 대응하도록 형성되고, 스캔 라인(112)은 각각의 서브 화소(SP1, SP2, SP3)를 가로지르도록 형성된다.
제1 서브 화소(SP1), 제2 서브 화소(SP2) 및 제3 서브 화소(SP3) 각각은 백색광, 적색광, 녹색광 및 청색광 중 하나를 발광하는 제1 발광 영역(EA1) 및 제2 발광 영역(EA2)과, 제1 발광 영역(EA1) 및 제2 발광 영역(EA2)에 형성된 유기 발광 소자(150)를 구동하기 위한 엘리먼트들이 배치된 소자 영역(DA)을 포함한다. 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 동일한 서브 화소 내에서 제1 발광 영역(EA1)과 제2 발광 영역(EA2)은 서로 이격되어 형성되고, 제1 발광 영역(EA1)과 제2 발광 영역(EA2) 사이에 소자 영역(DA)이 위치한다. 도 1에서는 설명의 편의를 위해, 제2 서브 화소(SP2)는 제1 발광 영역(EA1) 및 소자 영역(DA)만이 도시되었고, 제3 서브 화소(SP3)는 제2 발광 영역(EA2)만이 도시되었다. 또한, 도 1에서는 각각의 서브 화소(SP1, SP2, SP3)가 2개의 발광 영역을 갖는 것으로 도시되었으나, 각각의 서브 화소(SP1, SP2, SP3)에 포함될 수 있는 발광 영역의 개수에는 제한이 없다.
도 1을 참조하면, 소자 영역(DA)에는 스위칭 박막 트랜지스터(120), 구동 박막 트랜지스터(130) 및 커패시터(140)가 형성된다. 스위칭 박막 트랜지스터(120)는 스캔 라인(112)에 인가되는 스캔 신호에 의해 구동되며, 데이터 라인(110)에 인가되는 데이터 신호를 구동 박막 트랜지스터(130)로 전달한다. 구동 박막 트랜지스터(130)는 게이트 전극(132), 액티브층(131), 소스 전극(133) 및 드레인 전극(134)을 포함하며, 스위칭 박막 트랜지스터(120)로부터 전달된 데이터 신호와 공통 전원 전압 라인(114)으로부터 전달된 신호, 즉, 게이트 전극(132)과 소스 전극(133) 간의 전압 차에 의해 유기 발광 소자(150)를 통해 흐르는 전류량을 결정한다. 커패시터(140)는 스위칭 박막 트랜지스터(120)를 통해 전달된 데이터 신호를 한 프레임 동안 저장한다.
구동 박막 트랜지스터(130) 및 커패시터(140)에 대한 보다 상세한 설명을 위해 도 2를 참조하면, 기판(102) 상에 구동 박막 트랜지스터(130)의 채널이 형성되는 액티브층(131)이 형성된다. 액티브층(131)은 도 2에 도시된 바와 같이 기판(102) 상에 바로 형성될 수도 있고, 버퍼층이 사용되는 경우 기판(102) 상에 형성된 버퍼층 상에 형성될 수도 있다. 액티브층(131) 상에 액티브층(131)과 게이트 전극(132)을 절연시키기 위하여 게이트 절연층(190)이 형성된다. 게이트 절연층(190) 상에는 게이트 전극(132)이 형성된다. 게이트 전극(132) 상에 층간 절연층(191)이 형성된다. 게이트 절연층(190) 및 층간 절연층(191)은 기판(102) 전면에 형성되고, 액티브층(131)의 일부 영역을 개구시키는 컨택홀을 갖도록 형성된다. 층간 절연층(191) 상에 소스 전극(133) 및 드레인 전극(134)이 형성되고, 소스 전극(133)과 드레인 전극(134) 각각은 컨택홀을 통해 액티브층(131)과 전기적으로 연결된다. 소스 전극(133) 및 드레인 전극(134) 상에 구동 박막 트랜지스터(130)를 보호하기 위한 패시베이션층(192)이 형성된다. 커패시터(140)는 게이트 전극(132)과 동일한 물질로 형성된 전극, 소스 전극(133) 및 드레인 전극(134)과 동일한 물질로 형성된 전극 및 전극들 사이를 충진하는 절연체로 구성된다. 도 2에서는 설명의 편의를 위해 구동 박막 트랜지스터(130)가 코플래너(coplanar) 구조인 것으로 도시하였으나, 이에 제한되지 않고 구동 박막 트랜지스터(130)는 인버티드 스태거드(inverted staggered) 구조로 형성될 수도 있다.
제1 발광 영역(EA1) 및 제2 발광 영역(EA2)에는 유기 발광 소자(150)가 형성된다. 유기 발광 소자(150)는 제1 발광 영역(EA1)에 형성된 유기 발광 소자 및 제2 발광 영역(EA2)에 형성된 유기 발광 소자를 포함한다. 유기 발광 소자(150)는 구동 박막 트랜지스터(130) 상부를 평탄화하기 위한 오버 코팅층(193) 상에 형성된 애노드(151), 애노드(151) 및 뱅크층(194) 상에 형성된 유기 발광층(152), 및 유기 발광층(152) 상에 형성된 캐소드(153)를 포함한다. 애노드(151)는 평면 상에서 제1 발광 영역(EA1) 및 제2 발광 영역(EA2)에 대응하는 형상으로 형성된다. 유기 발광층(152)은 백색광을 발광하기 위한 발광층으로서 기판(102) 전면에 형성되고, 캐소드(153) 또한 기판(102) 전면에 형성된다. 도 2에 도시된 바와 같이 유기 발광 표시 장치(100)가 바텀 에미션 방식의 유기 발광 표시 장치인 경우, 애노드(151)는 일함수가 낮은 투명 도전성 물질로 형성되고, 캐소드(153)는 일함수가 높은 금속 물질로 형성된다. 도면에 도시되지는 않았으나, 유기 발광 표시 장치(100)가 탑 에미션 방식의 유기 발광 표시 장치인 경우, 애노드(151)는 반사율이 우수한 도전층 및 도전층 상에 형성된 일함수가 낮은 도전성 물질로 형성되고, 캐소드(153) 일함수가 높은 물질로 매우 얇은 두께를 갖도록 형성된다.
본 발명의 실시예들에서 사용되는 유기 발광층(152)이 백색광을 발광하기 위한 발광층이므로, 유기 발광 표시 장치(100)에는 컬러 필터(180)가 채용된다. 컬러 필터(180)의 위치는 유기 발광 표시 장치(100)가 광을 발광하는 방향에 따라 다양하게 결정된다. 도 2에 도시된 바와 같이 유기 발광 표시 장치(100)가 바텀 에미션 방식의 유기 발광 표시 장치인 경우, 컬러 필터(180)는 기판(102)과 애노드(151) 사이에 형성되고, 예를 들어, 패시베이션층(192) 상에 형성된다. 도면에 도시되지는 않았으나, 유기 발광 표시 장치(100)가 탑 에미션 방식의 유기 발광 표시 장치인 경우, 컬러 필터(180)는 캐소드(153) 상에 형성될 수 있다.
제1 서브 화소(SP1), 제2 서브 화소(SP2) 및 제3 서브 화소(SP3) 각각의 제1 발광 영역(EA1) 및 제2 발광 영역(EA2)에 형성된 컬러 필터(180)는 모두 동일한 색을 나타내기 위한 컬러 필터(180)이다. 즉, 제1 서브 화소(SP1), 제2 서브 화소(SP2) 및 제3 서브 화소(SP3) 각각의 제1 발광 영역(EA1) 및 제2 발광 영역(EA2)에 형성된 컬러 필터(180)는 모두 적색 컬러 필터이거나, 녹색 컬러 필터이거나, 청색 컬러 필터이다.
도 1 및 도 2에서는 유기 발광 표시 장치(100)가 백색광을 발광하는 유기 발광층(152) 및 컬러 필터(180)를 포함하는 것으로 도시되었으나, 유기 발광 표시 장치(100)는 적색광, 녹색광 및 청색광을 각각 발광하는 복수의 유기 발광층을 포함하여 화상을 표시할 수도 있다.
오버 코팅층(193) 상에는 암점 불량 발생 시 비발광하는 영역을 최소화하기 위한 복수의 연결 패턴(170)이 형성된다. 연결 패턴(170)은 하나의 서브 화소 내의 애노드(151)를 전기적으로 연결시키기 위한 패턴이다. 즉, 연결 패턴(170)은 제1 서브 화소(SP1)의 제1 발광 영역(EA1)에 형성된 애노드(151)와 제1 서브 화소(SP1)의 제2 발광 영역(EA2)에 형성된 애노드(151)를 전기적으로 연결시킨다. 도 1을 참조하면, 제1 서브 화소(SP1)의 제1 발광 영역(EA1)과 제1 서브 화소(SP1)의 제2 발광 영역(EA2) 사이에 소자 영역(DA)이 형성되어 있으므로, 연결 패턴(170)은 소자 영역(DA)과 중첩하도록 형성되어 제1 서브 화소(SP1)의 제1 발광 영역(EA1)에 형성된 애노드(151)와 제1 서브 화소(SP1)의 제2 발광 영역(EA2)에 형성된 애노드(151)를 전기적으로 연결시킨다.
연결 패턴(170)은 동일한 서브 화소에서 제1 발광 영역(EA1)에 형성된 애노드(151) 및 제2 발광 영역(EA2)에 형성된 애노드(151)와 동일한 물질로 형성된다. 즉, 연결 패턴(170)과 애노드(151)는 동일한 공정에서 동일한 물질로 동시에 형성될 수 있다.
연결 패턴(170)은 구동 박막 트랜지스터(130)와 전기적으로 연결된다. 구동 박막 트랜지스터(130) 상에 형성된 패시베이션층(192) 및 오버 코팅층(193)에는 구동 박막 트랜지스터(130)의 소스 전극(133)을 오픈시키는 컨택홀이 형성되고, 컨택홀을 통해 연결 패턴(170)은 구동 박막 트랜지스터(130)와 전기적으로 연결된다. 도 2에서는 설명의 편의를 위해 연결 패턴(170)이 구동 박막 트랜지스터(130)의 소스 전극(133)과 접하는 것으로 도시하였다. 연결 패턴(170)은 구동 박막 트랜지스터(130)로부터 공급된 전압을 제1 발광 영역(EA1)에 형성된 애노드(151) 및 제2 발광 영역(EA2)에 형성된 애노드(151)에 전달하여, 제1 발광 영역(EA1)에 형성된 유기 발광 소자(150)와 제2 발광 영역(EA2)에 형성된 유기 발광 소자(150)가 소자 영역(DA)에 형성된 동일한 구동 박막 트랜지스터(130)에 의해 구동되도록 한다.
구동 박막 트랜지스터(130) 불량 시 애노드(151)에 대한 정상적인 전기적 연결을 제공하기 위한 더미 패턴(175)이 서로 이웃하는 서브 화소 내의 애노드(151)와 중첩되도록 형성된다. 도 1을 참조하면, 유기 발광 표시 장치(100)는 제1 서브 화소(SP1)의 제1 발광 영역(EA1)에 형성된 애노드(151) 및 제3 서브 화소(SP3)의 제2 발광 영역(EA2)에 형성된 애노드(151)와 중첩하는 더미 패턴(175), 및 제1 서브 화소(SP1)의 제2 발광 영역(EA2)에 형성된 애노드(151) 및 제2 서브 화소(SP2)의 제1 발광 영역(EA1)에 형성된 애노드(151)와 중첩하는 더미 패턴(175)을 포함한다.
더미 패턴(175)은 구동 박막 트랜지스터(130)를 구성하는 도전성 물질 중 하나와 동일한 물질로 형성된다. 즉, 더미 패턴(175)은 구동 박막 트랜지스터(130)의 게이트 전극(132)과 동일한 물질로 형성되거나, 소스 전극(133) 및 드레인 전극(134)과 동일한 물질로 형성될 수 있다. 도 2에 도시된 바와 같이 더미 패턴(175)이 소스 전극(133) 및 드레인 전극(134)과 동일한 물질로 형성된 경우, 더미 패턴(175)은 층간 절연층(191) 상에 형성되고, 더미 패턴(175) 상에 패시베이션층(192)이 형성된다.
더미 패턴(175) 상에 형성된 오버 코팅층(193)은 더미 패턴(175)에 대응하는 위치에 형성된 개구부를 포함한다. 따라서, 제1 서브 화소(SP1)의 제2 유기 발광 소자(150)의 애노드(151) 및 제2 서브 화소(SP2)의 제1 유기 발광 소자(150)의 애노드(151)는 오버 코팅층(193)의 개구부의 측면 및 더미 패턴(175) 상의 패시베이션층(192)에 형성되어 더미 패턴(175)과 중첩되고, 더미 패턴(175)과 절연된다.
본 발명의 일 실시예에서는 유기 발광 표시 장치(100)에 발생할 수 있는 암점 불량 및 휘점 불량과 같은 다양한 불량을 복구할 수 있는 새로운 화소 구조를 갖는 유기 발광 표시 장치(100)를 제공한다. 즉, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)는 유기 발광 표시 장치(100) 불량 시 애노드(151)에 대한 정상적인 전기적 연결을 제공하기 위한 더미 패턴(175) 및 암점 불량 발생 시 비발광하는 영역을 최소화하기 위한 연결 패턴(170)을 채용하여, 유기 발광 표시 장치(100)의 신뢰성 및 수율 등이 개선될 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)에서는 유기 발광 표시 장치(100) 불량 시에 사용될 수 있는 더미 패턴(175) 및 연결 패턴(170)이 별도의 추가적인 제조 공정을 사용함이 없이 유기 발광 표시 장치(100) 제조 공정 시에 동시에 형성된다. 즉, 더미 패턴(175)은 구동 박막 트랜지스터(130)를 구성하는 도전성 물질 중 하나와 동일한 물질로 형성되므로, 구동 박막 트랜지스터(130) 제조 공정 시에 동시에 형성될 수 있다. 또한, 연결 패턴(170)은 애노드(151)와 동일한 물질로 형성되므로, 애노드(151) 제조 공정 시에 동시에 형성될 수 있다.
이하에서는, 도 3 및 도 4를 참조하여 유기 발광 표시 장치에서 암점 불량이 발생한 경우의 연결 패턴의 활용에 대해 설명한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 암점 불량이 발생된 서브 화소를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 개략적인 평면도이다. 도 4는 도 3의 IV-IV’, IV’’-IV’’’에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다. 도 3에서는 제1 서브 화소(SP1)의 제1 발광 영역(EA1)의 애노드(351)와 캐소드(153)가 단락되어 암점(DP)이 발생한 경우, 암점 불량을 해결한 유기 발광 표시 장치(300)의 화소 구조를 도시하였다.
일반적인 화소 구조를 갖는 유기 발광 표시 장치에서는 특정 서브 화소에 배치된 애노드와 캐소드가 단락되는 경우 해당 서브 화소는 암점이 되고, 해당 서브 화소의 사용은 불가능하다. 이와 같이 암점 불량이 발생한 유기 발광 표시 장치의 경우 신뢰성이 저하되고 제품성이 상실되어 유기 발광 표시 장치 수율 저하로 이어진다. 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(300)는 특정 서브 화소에 배치된 애노드(351)와 캐소드(153)가 단락되어 암점 불량이 발생되는 경우 비발광되는 영역을 최소화할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서는 유기 발광 표시 장치(300)의 패널 제조 공정이 완료된 후, 유기 발광 표시 장치(300)에 암점 불량이나 휘점 불량과 같은 불량이 발생하였는지 여부를 검사하는 공정이 수행된다. 검사 공정에서 제1 서브 화소(SP1)의 제1 발광 영역(EA1)의 애노드(351)와 캐소드(153)가 단락되어 발생한 암점(DP)이 발견되면, 제1 서브 화소(SP1)의 제1 발광 영역(EA1)의 애노드(351)와 제1 서브 화소(SP1)의 연결 패턴(370)의 경계에 레이저를 조사하는 레이저 컷팅(laser cutting) 공정을 수행하여 제1 서브 화소(SP1)의 제1 발광 영역(EA1)의 애노드(351)와 제1 서브 화소(SP1)의 연결 패턴(370)을 분리시킨다. 레이저 컷팅 공정에서는, 레이저 광원의 전력, 레이저의 파장, 레이저 조사 횟수, 레이저 포인트의 위치, 레이저의 사이즈 등을 조정하여, 제1 서브 화소(SP1)의 제1 발광 영역(EA1)의 애노드(351)와 제1 서브 화소(SP1)의 연결 패턴(370)만이 분리되게 하고, 유기 발광층(152)이나 박막 트랜지스터 등의 유기 발광 표시 장치(300)의 다른 엘리먼트들이 손상되는 것을 방지한다. 레이저 조사를 통한 제1 서브 화소(SP1)의 제1 발광 영역(EA1)의 애노드(351)와 제1 서브 화소(SP1)의 연결 패턴(370)의 용이한 분리를 위해, 연결 패턴(370) 중 애노드(351)와 접하는 부분의 폭이 애노드(351)와 접하지 않는 부분의 폭보다 좁도록 연결 패턴(370)이 형성될 수 있다.
레이저 컷팅 공정 결과, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이 제1 서브 화소(SP1)의 제1 발광 영역(EA1)의 애노드(351)와 연결 패턴(370)은 분리된다. 이에, 제1 서브 화소(SP1)의 소자 영역(DA)에 형성된 구동 박막 트랜지스터(130)는 제1 서브 화소(SP1)의 제2 발광 영역(EA2)에 형성된 애노드(351)와만 전기적으로 연결되고, 제1 서브 화소(SP1)의 제1 발광 영역(EA1)에 형성된 애노드(351)와는 분리된다.
제1 서브 화소(SP1)의 제1 발광 영역(EA1)의 애노드(351)와 캐소드(153)가 단락되었으나 제1 서브 화소(SP1)의 제1 발광 영역(EA1)의 애노드(351)와 연결 패턴(370)이 연결된 경우, 제1 서브 화소(SP1)의 제1 발광 영역(EA1)뿐만 아니라 제2 발광 영역(EA2)도 암점이 된다. 따라서, 일반적인 구조의 유기 발광 표시 장치(300)와 같이 제1 서브 화소(SP1)는 모두 암점이 되고 제1 서브 화소(SP1)는 정상적으로 동작하지 않는다. 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(300)에서는 제1 서브 화소(SP1)를 구성하는 복수의 발광 영역 중 제1 발광 영역(EA1)의 애노드(351)와 캐소드(153)가 단락된 경우, 제1 서브 화소(SP1) 모두가 암점화되는 것을 방지하기 위해 제1 서브 화소(SP1)의 제1 발광 영역(EA1)의 애노드(351)와 제1 서브 화소(SP1)의 연결 패턴(370)을 분리시킨다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(300)에서는 제1 서브 화소(SP1) 모두가 비발광하는 것이 방지되고, 제1 서브 화소(SP1)의 비발광 영역이 최소화될 수 있다.
이하에서는, 도 5를 참조하여 유기 발광 표시 장치에서 구동 박막 트랜지스터 불량이 발생한 경우의 더미 패턴 및 연결 패턴의 활용에 대해 설명한다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 구동 박막 트랜지스터 불량이 발생된 서브 화소를 포함하는 유기 발광 표시 장치를 설명하기 위한 단면도이다. 도 5에서는 제2 서브 화소(SP2)의 소자 영역(DA)에 형성된 구동 박막 트랜지스터(130) 불량이 발생한 경우, 구동 박막 트랜지스터(130) 불량에 의해 제2 서브 화소(SP2)가 휘점화되는 것을 해결한 유기 발광 표시 장치(500)의 화소 구조를 도시하였다.
일반적인 화소 구조를 갖는 유기 발광 표시 장치의 경우, 유기 발광 표시 장치 제조 공정의 고온 공정 및 외부로부터 침투한 습기에 의해 구동 박막 트랜지스터의 성능 불량이 발생하면, 구동 박막 트랜지스터의 문턱 전압(Vth)의 네거티브 시프트 현상이 발생되거나 쇼트성 오프 전류가 증가하는 현상이 발생될 수 있다. 이러한 구동 박막 트랜지스터의 성능 불량은 해당 화소의 휘점 불량으로 이어지고, 유기 발광 표시 장치의 신뢰성 저하, 제품성 상실 및 유기 발광 표시 장치 수율 저하로까지 이어진다. 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(500)는 특정 서브 화소에 배치된 구동 박막 트랜지스터(130)의 성능 불량이 발생되는 경우에도 해당 서브 화소를 정상적으로 구동할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서는 유기 발광 표시 장치(500)의 패널 제조 공정이 완료된 후, 유기 발광 표시 장치(500)에 암점 불량이나 휘점 불량과 같은 불량이 발생하였는지 여부를 검사하는 공정이 수행된다. 검사 공정에서 제2 서브 화소(SP2)의 구동 박막 트랜지스터(130)의 성능 불량에 의한 휘점이 발견되면, 제2 서브 화소(SP2)의 제1 발광 영역(EA1)의 애노드(551)와 제2 서브 화소(SP2)의 연결 패턴(570)의 경계 및 제2 서브 화소(SP2)의 제2 발광 영역(EA2)의 애노드(551)와 제2 서브 화소(SP2)의 연결 패턴(570)의 경계에 레이저를 조사하는 레이저 컷팅 공정을 수행한다. 레이저 컷팅 공정에 의해, 제2 서브 화소(SP2)의 제1 발광 영역(EA1)의 애노드(551), 제2 서브 화소(SP2)의 연결 패턴(570) 및 제2 서브 화소(SP2)의 제2 발광 영역(EA2)의 애노드(551)를 분리시킨다.
레이저 컷팅 공정 결과, 도 5에 도시된 바와 같이 제2 서브 화소(SP2)의 제1 발광 영역(EA1)의 애노드(551)와 연결 패턴(570)은 분리되고, 도 5에 도시되지는 않았으나 제2 서브 화소(SP2)의 제2 발광 영역(EA2)의 애노드(551)와 연결 패턴(570)도 분리된다. 이에, 제2 서브 화소(SP2)의 소자 영역(DA)에 형성된 구동 박막 트랜지스터(130)는 어떠한 애노드(551)와도 전기적으로 연결되지 않는다.
레이저 컷팅 공정 후, 제1 서브 화소(SP1)와 제2 서브 화소(SP2)의 경계에 위치한 더미 패턴(575)을 제1 서브 화소(SP1)의 제2 발광 영역(EA2)의 애노드(551) 및 제2 서브 화소(SP2)의 제1 발광 영역(EA1)의 애노드(551)와 전기적으로 연결시키기 위한 레이저 웰딩 공정이 수행된다. 레이저 웰딩 공정 결과, 도 5에 도시된 바와 같이 더미 패턴(575), 제1 서브 화소(SP1)의 제2 발광 영역(EA2)의 애노드(551) 및 제2 서브 화소(SP2)의 제1 발광 영역(EA1)의 애노드(551)는 전기적으로 연결된다. 또한, 도 5에 도시되지는 않았으나, 동일한 공정을 사용하여 제2 서브 화소(SP2)의 제2 발광 영역(EA2)의 애노드(551) 또한 더미 패턴(575)을 통해 이웃하는 다른 서브 화소의 발광 영역의 애노드(551)와 전기적으로 연결될 수 있다. 도 5에서는 더미 패턴(575)이 제1 서브 화소(SP1)의 제2 발광 영역(EA2)의 애노드(551) 및 제2 서브 화소(SP2)의 제1 발광 영역(EA1)의 애노드(551)와 직접 접하는 것으로 도시되었으나, 레이저 웰딩 공정에 의해 더미 패턴(575), 제1 서브 화소(SP1)의 제2 발광 영역(EA2)의 애노드(551) 및 제2 서브 화소(SP2)의 제1 발광 영역(EA1)의 애노드(551) 각각으로부터 분산된 입자들이 패시베이션층(192)에 분산되는 방식으로 더미 패턴(575)이 제1 서브 화소(SP1)의 제2 발광 영역(EA2)의 애노드(551) 및 제2 서브 화소(SP2)의 제1 발광 영역(EA1)의 애노드(551)와 전기적으로 연결될 수도 있다.
상술한 바와 같이 레이저 컷팅 공정이 수행된 후에 레이저 웰딩 공정이 수행될 수도 있으나, 이에 제한되지 않고, 레이저 웰딩 공정이 레이저 컷팅 공정보다 먼저 수행될 수도 있고, 레이저 웰딩 공정과 레이저 컷팅 공정이 동시에 수행될 수도 있다.
제2 서브 화소(SP2)의 구동 박막 트랜지스터(130)에 휘점을 발생시키는 성능 불량이 발생하는 경우, 일반적인 구조의 유기 발광 표시 장치에서와 같이 구동 박막 트랜지스터(130)에 의해 구동되는 제2 서브 화소(SP2)는 휘점화된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(500)에서는 제2 서브 화소(SP2)를 구동하는 구동 박막 트랜지스터(130)에 휘점을 발생시키는 성능 불량이 발생하는 경우, 제2 서브 화소(SP2)의 제1 발광 영역(EA1)의 애노드(551)와 제2 서브 화소(SP2)의 제2 발광 영역(EA2)의 애노드(551)가 제2 서브 화소(SP2)의 연결 패턴(570)으로부터 분리된다. 또한, 제1 발광 영역(EA1)의 애노드(551)와 제2 서브 화소(SP2)의 제2 발광 영역(EA2)의 애노드(551) 각각은 더미 패턴(575)을 통해 정상적으로 구동하는 이웃하는 서브 화소의 애노드(551)와 전기적으로 연결된다. 즉, 도 5에 도시된 바와 같이, 더미 패턴(575)이 제1 서브 화소(SP1)의 제2 발광 영역(EA2)의 애노드(551) 및 제2 서브 화소(SP2)의 제1 발광 영역(EA1)의 애노드(551)와 전기적으로 연결됨에 따라, 제1 서브 화소(SP1)의 구동 박막 트랜지스터(130)에 의해 제1 서브 화소(SP1)의 유기 발광 소자(150)가 구동되는 경우, 제2 서브 화소(SP2)의 제1 발광 영역(EA1)의 유기 발광 소자(150)도 동시에 구동될 수 있다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(500)에서는 구동 박막 트랜지스터(130)의 성능 불량에 따른 서브 화소의 휘점화가 방지될 수 있다.
상술한 바와 같이, 제1 서브 화소(SP1)의 구동 박막 트랜지스터(130)에 의해 제2 서브 화소(SP2)의 제1 발광 영역(EA1)의 유기 발광 소자(150)가 구동되므로, 제1 서브 화소(SP1)에 형성된 컬러 필터(180)와 제2 서브 화소(SP2)에 형성된 컬러 필터(180)는 동일한 색을 나타내기 위한 컬러 필터(180)이고, 제1 서브 화소(SP1)와 제2 서브 화소(SP2)는 동일한 색의 광을 발광한다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 평면도이다. 유기 발광 표시 장치(600)는 소자 영역(DA), 제1 발광 영역(EA1), 제2 발광 영역(EA2)을 각각 포함하는 복수의 서브 화소(SP1, SP2)를 갖고, 게이트 라인, 데이터 라인(610) 및 스캔 라인(612)이 형성된 기판, 소자 영역(DA)에 형성된 스위칭 박막 트랜지스터(620), 구동 박막 트랜지스터(630) 및 커패시터(640), 유기 발광 소자(650), 연결 패턴(670), 및 더미 패턴(675)을 포함한다. 도 6에서는 설명의 편의를 위해 기판은 도시되지 않았고, 유기 발광 소자(650)의 애노드(651)만이 도시되었다. 도 6의 데이터 라인(610), 스캔 라인(612), 공통 전원 전압 라인(614), 스위칭 박막 트랜지스터(620), 구동 박막 트랜지스터(630) 및 애노드(651)는 도 1의 데이터 라인(110), 스캔 라인(112), 공통 전원 전압 라인(114), 스위칭 박막 트랜지스터(120), 구동 박막 트랜지스터(130) 및 애노드(151)와 실질적으로 동일하므로 중복 설명을 생략한다.
도 6을 참조하면, 제1 서브 화소(SP1)와 제2 서브 화소(SP2)는 가로 방향으로 이웃하고, 제1 서브 화소(SP1)의 제1 발광 영역(EA1), 제2 발광 영역(EA2) 및 제2 서브 화소(SP2)의 제1 발광 영역(EA1) 제2 발광 영역(EA2) 또한 가로 방향으로 이웃한다.
애노드(651)는 제1 서브 화소(SP1)와 제2 서브 화소(SP2) 각각의 발광 영역에 대응되도록 형성된다. 예를 들어, 제2 서브 화소(SP2)의 제1 발광 영역(EA1)에 형성된 애노드(651)와 제2 서브 화소(SP2)의 제2 발광 영역(EA2)에 형성된 애노드(651)는 발광 영역의 형상에 대응되는 형상으로 형성된다. 제2 서브 화소(SP2)의 제1 발광 영역(EA1)에 형성된 애노드(651)와 제2 서브 화소(SP2)의 제2 발광 영역(EA2)에 형성된 애노드(651)는 제2 서브 화소(SP2)의 연결 패턴(670)을 통해 구동 박막 트랜지스터(630)에 전기적으로 연결된다. 1 서브 화소와 제2 서브 화소(SP2)는 가로 방향으로 이웃함에 따라 더미 패턴(675)은 제1 서브 화소(SP1)의 제2 발광 영역(EA2)의 유기 발광 소자(650) 및 제2 서브 화소(SP2)의 제1 발광 영역(EA1)의 유기 발광 소자(650)와 중첩하는 동시에, 데이터 라인(610) 및 공통 전원 전압 라인(614)과도 중첩한다.
도 6에서는 불량이 발생되지 않은 유기 발광 표시 장치(600)를 도시하였으나, 암점 불량이 발생하거나 구동 박막 트랜지스터(630) 불량이 발생하는 경우, 도 3 내지 도 5에서 설명한 바와 동일한 방식으로 화소 구조가 변경될 수 있다. 먼저, 제2 서브 화소(SP2)의 제2 발광 영역(EA2)에 암점 불량이 발생된 경우, 레이저 컷팅 공정을 통해 제2 서브 화소(SP2)의 연결 패턴(670)과 제2 서브 화소(SP2)의 제2 발광 영역(EA2)의 애노드(651)를 분리시켜, 제2 서브 화소(SP2) 전체가 암점화되는 것을 방지하고 비발광 영역을 최소화할 수 있다. 다음으로, 제2 서브 화소(SP2)의 구동 박막 트랜지스터(630)의 성능 불량이 발생된 경우, 레이저 컷팅 공정을 통해 제2 서브 화소(SP2)의 연결 패턴(670)을 제2 서브 화소(SP2)의 제1 발광 영역(EA1)의 애노드(651) 및 제2 서브 화소(SP2)의 제2 발광 영역(EA2)의 애노드(651)와 분리시킨다. 또한 레이저 웰딩 공정을 통해 제2 서브 화소(SP2)의 제1 발광 영역(EA1)의 애노드(651)를 더미 패턴(675)을 통해 제1 서브 화소(SP1)의 제2 발광 영역(EA2)의 애노드(651)와 전기적으로 연결시키고, 제2 서브 화소(SP2)의 제2 발광 영역(EA2)의 애노드(651) 또한 더미 패턴(675)을 통해 이웃하는 서브 화소의 애노드(651)와 전기적으로 연결시킨다. 따라서, 구동 박막 트랜지스터(630)의 성능 불량에 따른 서브 화소의 휘점화가 방지될 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야 한다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
102: 기판
110, 610: 데이터 라인
112, 612: 스캔 라인
114, 614: 공통 전원 전압 라인
120, 620: 스위칭 박막 트랜지스터
130, 630: 구동 박막 트랜지스터
131: 액티브층
132: 게이트 전극
133: 소스 전극
134: 드레인 전극
140, 640: 커패시터
150: 유기 발광 소자
151, 351, 551, 651: 애노드
152: 유기 발광층
153: 캐소드
170, 370, 570, 670: 연결 패턴
175, 575, 675: 더미 패턴
180: 컬러 필터
190: 게이트 절연층
191: 층간 절연층
192: 패시베이션층
193: 오버 코팅층
194: 뱅크층
100, 300, 500, 600: 유기 발광 표시 장치
EA1: 제1 발광 영역
EA2: 제2 발광 영역
DA: 소자 영역
SP1: 제1 서브 화소
SP2: 제2 서브 화소
SP3: 제3 서브 화소
DP: 암점

Claims (19)

  1. 구동 박막 트랜지스터가 형성된 소자 영역, 및 애노드, 유기 발광층 및 캐소드로 구성된 유기 발광 소자가 각각 형성된 복수의 발광 영역을 포함하는 복수의 서브 화소;
    상기 복수의 서브 화소 중 동일한 서브 화소 내의 애노드를 전기적으로 연결시키는 연결 패턴; 및
    상기 복수의 서브 화소 중 이웃하는 서브 화소 내의 애노드와 중첩된 더미 패턴을 포함하고,
    상기 연결 패턴은 암점 불량 발생 시 비발광하는 영역을 최소화하기 위한 것이고,
    상기 더미 패턴은 상기 구동 박막 트랜지스터 불량 시 애노드에 대한 정상적인 전기적 연결을 제공하기 위한 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 동일한 서브 화소 내의 발광 영역은 서로 이격된 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 연결 패턴은 상기 애노드와 동일한 물질로 형성된 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 발광 영역에 각각 형성된 유기 발광 소자는 모두 상기 구동 박막 트랜지스터에 의해 구동되도록 형성된 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 더미 패턴은 상기 구동 박막 트랜지스터를 구성하는 도전성 물질 중 하나와 동일한 물질로 형성된 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 더미 패턴은 상기 애노드와 절연된 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 정상적인 전기적 연결은 불량인 상기 구동 박막 트랜지스터가 형성된 서브 화소와 이웃하는 서브 화소에 형성된 상기 구동 박막 트랜지스터에 의해 제공되는 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치.
  8. 소자 영역, 제1 발광 영역 및 제2 발광 영역을 각각 포함하고, 서로 이웃하는 제1 서브 화소 및 제2 서브 화소를 갖는 기판;
    상기 제1 서브 화소 및 상기 제2 서브 화소 각각의 소자 영역에 형성되고, 게이트 전극, 액티브층, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 구동 박막 트랜지스터;
    상기 제1 서브 화소 및 상기 제2 서브 화소 각각의 제1 발광 영역 및 제2 발광 영역에 각각 형성된 제1 유기 발광 소자 및 제2 유기 발광 소자;
    상기 제1 서브 화소 및 상기 제2 서브 화소 각각의 구동 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결된 복수의 연결 패턴; 및
    상기 제1 서브 화소의 제2 유기 발광 소자 및 상기 제2 서브 화소의 제1 유기 발광 소자와 중첩된 더미 패턴을 포함하고,
    상기 제1 유기 발광 소자 및 상기 제2 유기 발광 소자는 애노드, 유기 발광층 및 캐소드를 포함하고,
    상기 제1 서브 화소에 형성된 연결 패턴은 상기 제1 서브 화소의 제1 유기 발광 소자의 애노드 및 상기 제1 서브 화소의 제2 유기 발광 소자의 애노드 중 적어도 하나와 분리된 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1 서브 화소의 제1 유기 발광 소자의 애노드와 캐소드는 단락(short)되고,
    상기 제1 서브 화소에 형성된 연결 패턴은 상기 제1 서브 화소의 제1 유기 발광 소자의 애노드와 분리된 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제1 서브 화소에 형성된 연결 패턴과 상기 제1 서브 화소의 제1 유기 발광 소자의 애노드는 레이저 컷팅(laser cutting)에 의해 분리된 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치.
  11. 제8항에 있어서,
    동일 서브 화소의 상기 연결 패턴, 상기 제1 유기 발광 소자의 애노드 및 상기 제2 유기 발광 소자의 애노드는 동일한 물질로 형성된 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치.
  12. 제8항에 있어서,
    상기 더미 패턴은 상기 구동 박막 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극과 동일한 물질로 형성된 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치.
  13. 제8항에 있어서,
    상기 제1 서브 화소에 형성된 구동 박막 트랜지스터가 불량인 경우, 상기 제1 서브 화소에 형성된 연결 패턴은 상기 제1 서브 화소의 제1 유기 발광 소자의 애노드 및 상기 제1 서브 화소의 제2 유기 발광 소자의 애노드 둘 모두와 분리된 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치.
  14. 제8항에 있어서,
    상기 구동 박막 트랜지스터 상에 형성된 오버 코팅층을 더 포함하고,
    상기 오버 코팅층은 상기 더미 패턴에 대응하는 위치에 형성된 개구부를 포함하는 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 제1 서브 화소의 제2 유기 발광 소자의 애노드 및 상기 제2 서브 화소의 제1 유기 발광 소자의 애노드는 상기 개구부의 측면 및 상기 더미 패턴과 중첩된 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치.
  16. 제14항에 있어서,
    상기 제1 서브 화소의 제2 유기 발광 소자의 애노드 및 상기 제2 서브 화소의 제1 유기 발광 소자의 애노드는 상기 더미 패턴을 통해 전기적으로 연결된 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 제1 서브 화소의 제2 유기 발광 소자의 애노드 및 상기 제2 서브 화소의 제1 유기 발광 소자의 애노드는 레이저 웰딩(welding)에 의해 상기 더미 패턴과 전기적으로 연결된 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치.
  18. 제8항에 있어서,
    상기 제1 서브 화소 및 상기 제2 서브 화소를 가로지르는 복수의 스캔 라인을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치.
  19. 제8항에 있어서,
    제1 서브 화소와 제2 서브 화소는 동일한 색의 광을 발광하는 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치.
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