TWI550846B - 顯示裝置及其修復方法 - Google Patents

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金成俊
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Description

顯示裝置及其修復方法
本申請案主張於2012年5月18日向韓國智慧財產局提出之韓國專利申請號10-2012-0053156之效益，其全部內容於此併入作為參考。
所揭露之技術係有關於一種顯示裝置以及一種修復顯示裝置之方法。
有機發光顯示裝置包括薄膜電晶體(TFT)以及藉由薄膜電晶體驅動而發光以形成影像之有機電致發光元件(後稱為有機EL元件)。換言之，當經由薄膜電晶體供應電流予有機EL元件時，有機EL元件將發光以形成影像。
因為每個連接至薄膜電晶體的布線係各別形成以具有精密的臨界尺寸(CD)，因此部分不同布線可能會不適當地形成，例如在有機發光顯示裝置的製造期間中有可能會發生斷路故障(open failure)。
本發明另一態樣為一種顯示裝置，其包含：複數個單位畫素，各單位畫素包含複數個次畫素，其中各次畫素發出預設顏色之光；複數個掃描布線；自各掃描布線分支且沿第一方向延伸之複數個掃描線，其中各掃描線連接掃描布線之其中之一至相同顏色之相鄰次畫素，且其中各掃描布線之掃描線之數目係相等於各畫素之複數個次畫素之數目；設置於掃描線與掃描布線之間之絕緣層；形成在絕緣層中用以電性連接掃描線與掃描布線之複數個接觸孔；沿著相交於第一方向之第二方向延伸之複數個資料線，其中資料線連接至次畫素；以及沿著第二方向延伸且連接至複數個次畫素之複數個第一電源供應線。
本發明之另一態樣為一種修復顯示裝置之方法，此顯示裝置包含：複數個單位畫素，各單位畫素包含複數個次畫素，其中各次畫素發出預設顏色之光；複數個掃描布線及自各掃描布線分支且沿第一方向延伸之複數個掃描線，其中各掃描線連接掃描布線之其中之一至相同顏色之相鄰次畫素，且其中各掃描布線之掃描線之數目係相等於各畫素之複數個次畫素之數目；沿著相交於第一方向之第二方向延伸之複數個資料線，其中資料線連接至次畫素；以及沿著第二方向延伸且連接至複數個次畫素之第一電源供應線，其中此方法包含偵測一或多個掃描線中之斷路故障；修復具有斷路故障之掃描線；形成絕緣層於掃描線上；形成複數個接觸孔於絕緣層中；以及形成掃描布線於絕緣層上以經由接觸孔而電性連接至掃描線。
1．．．有機發光顯示裝置
10．．．基板
11．．．緩衝層
13．．．第一絕緣層
15．．．第二絕緣層
18．．．第三絕緣層
114．．．第一畫素電極層
119．．．發光層
20．．．相對電極
212．．．主動層
212a．．．汲極區
212b．．．源極區
212c．．．通道區
214．．．第一閘極電極層
215．．．第二閘極電極層
216a．．．汲極電極
216b．．．源極電極
312．．．下電極
314．．．上電極
SP1、SP2、SP3．．．次畫素
S1、S2、S3．．．掃描線
UP．．．單位畫素
A1．．．顯示區域
A2．．．非顯示區域
S．．．掃描布線
IL．．．絕緣層
D1、D2、D3．．．資料線
VDD1．．．第一電源供應線
VDD2、VDD-1、VDD-2、VDD2-3．．．第二電源供應線
GC．．．補償控制訊號線
TP1．．．第一測試墊
TP2．．第二測試墊
CN．．．接觸孔
Cst、CVth．．．電容器
TR1．．．第一薄膜電晶體
TR2．．．第二薄膜電晶體
TR3．．．第三薄膜電晶體
EL．．．有機電致發光元件
上述及其他特徵及優點以及其例示性實施例係參照其附圖而描述，其中：
第1圖係依據實施例之有機發光顯示裝置之平面示意圖；
第2圖係第1圖之區域II中布線結構之示意圖；
第3圖係第1圖之區域III與III’之掃描線之結構示意圖；
第4圖係第3圖之區域IV之剖面放大圖；
第5A圖至第5C圖係繪示依據實施例之第3圖之掃描線之形成過程圖；
第6圖係根據比較例之掃描線之結構示意圖；
第7圖係根據另一實施例之掃描線之結構示意圖；
第8圖係根據實施例之有機發光顯示裝置之次畫素之布線結構之電路圖；以及
第9圖係根據實施例之第1圖之有機發光顯示裝置之各次畫素之部分元件之剖面示意圖。
後續會參照附圖而更詳細地說明例示性實施例。當於此使用，例如「至少其一」之表述前綴於元件清單時，係修飾整個元件清單而非修飾清單中的各別元件。
第1圖係依據實施例之有機發光顯示裝置1之平面示意圖。第2圖係第1圖之區域II中布線結構之示意圖。
參閱第1圖，在本實施例之有機發光顯示裝置1中，在基板10上定義顯示區域A1與非顯示區域A2。參閱第2圖，顯示區域A1包括其中形成影像之複數個單位畫素UP。
每一單位畫素UP包含沿第二方向(Y-軸方向)發出不同顏色之複數個次畫素SP1、SP2及SP3。例如，每一單位畫素UP可包含發出紅色之次畫素、發出綠色之次畫素與發出藍色之次畫素。雖然在本實施例中，這三個次畫素SP1、SP2及SP3形成各單位畫素UP，然而本發明並不限於此。換言之，只要複數個次畫素所發出的光混合成白色或特定顏色，則每一單位畫素UP之次畫素的數量可增加或減少。
在顯示區域A1中，發出相同顏色之次畫素SP1係沿第一方向(X-軸方向)設置。發出不同顏色之次畫素SP1、SP2及SP3則交替地沿垂直於第一方向(X-軸方向)之第二方向(Y-軸方向)設置。發出不同顏色之次畫素SP1、SP2及SP3形成一個單位畫素UP。
在每一單位畫素UP中，自一個掃描布線S分支之第一至第三掃描線S1、S2及S3係排列而沿著第一方向(X-軸方向)延伸。當具有絕緣層IL(參見第3圖與第4圖)設置於其間時，自一個掃描布線S分支之第一至第三掃描線S1、S2及S3以及掃描布線S設置於不同層。
每一第一掃描線S1係連接至其鄰近單位畫素UP發出第一顏色之次畫素SP1。每一第二掃描線S2係連接至其鄰近單位畫素UP發出第二顏色之次畫素SP2。每一第三掃描線S3係連接至其鄰近單位畫素UP發出第三顏色之次畫素SP3。雖然一個單位畫素UP之次畫素SP1、SP2及SP3係分別連接至第一至第三掃描線S1、S2及S3，但第一至第三掃描線S1、S2及S3係自相同掃描布線S分支，且因此相同的掃描訊號會輸入至次畫素SP1、SP2及SP3中。
在每一單位畫素UP中，第一至第三資料線D1、D2與D3係獨立地設置且分別連接至沿著第二方向(Y-軸方向)延伸且發出不同顏色之次畫素SP1、SP2與SP3。換言之，第一資料線D1係連接至發出第一顏色之次畫素SP1，第二資料線D2係連接至發出第二顏色之次畫素SP2，且第三資料線D3係連接至發出第三顏色之次畫素SP3。因此，不同的資料訊號可輸入至每一單位畫素UP之次畫素SP1、SP2與SP3。
在本實施例中，第一至第三資料線D1、D2與D3的長度比第一至第三掃描線S1、S2與S2的長度短。假如第一至第三資料線D1、D2與D3的長度較長，由於布線電阻值與電容值係依據長度，輸入至次畫素SP1、SP2與SP3之資料訊號之強度將會較低。一般而言，有機發光顯示裝置對於資料訊號會比對於掃描訊號更敏感。因此，在本實施例中，可減少或避免輸入至有機發光顯示裝置1之資料訊號之非均勻性。
在顯示區域A1中，第一電源供應線VDD1沿著第二方向(Y-軸方向)延伸且連接至次畫素SP1、SP2與SP3，以供應電源予次畫素SP1、SP2與SP3。在本實施例中，因為第一電源供應線VDD1沿著第二方向(Y-軸方向)設置，所以第一電源供應線VDD1的長度比第一至第三掃描線S1、S2與S3的長度短。其原因在於當第一電源供應線VDD1較長時，第一電源供應線VDD1可能因為所造成之電阻而發生電壓降。
為了避免第一電源供應線VDD1發生電壓降，額外的電源供應線更可連接至次畫素SP1、SP2與SP3。在本實施例中，一個單位畫素UP中所包含之次畫素SP1、SP2與SP3係連接至第一電源供應線VDD1，且進一步連接至沿著第一方向(X-軸方向)延伸之第二電源供應線VDD2-1、VDD2-2與VDD2-3。第二電源供應線VDD2-1、VDD2-2與VDD2-3可連續地設置於分別與一個單位畫素UP之次畫素SP1、SP2與SP3連接之第一至第三掃描線S1、S2與S3之間。在本實施例中，每一個第二電源供應線VDD2-1、每一個第二電源供應線VDD2-2與每一個第二電源供應線VDD2-3係分別連接至複數個單位畫素UP所包含之次畫素SP1、次畫素SP2與次畫素SP3，但本發明不限於此。
本實施例之有機發光顯示裝置1可更包含補償控制訊號線GC以補償第三薄膜電晶體TR3(參見第8圖)之臨界電壓。補償控制訊號線GC可沿第二方向(Y-軸方向)延伸以連接至次畫素SP1、SP2與SP3。
一般而言，第一電源供應線VDD1係形成以比第一至第三掃描線S1、S2與S3或第一至第三資料線D1、D2與D3更寬。然而，由於第一至第三掃描線S1、S2與S3(或第一至第三資料線D1、D2與D3)各均具有精密的臨界尺寸(CD)，因此部分布線可能會不適當地形成。例如，在有機發光顯示裝置1的製造期間內有可能會發生斷路故障。
如同前述，因為第一至第三資料線D1、D2與D3係獨立地且分別地連接至每一單位畫素UP所包含之次畫素SP1、SP2與SP3，因此可以獨立地判斷在第一至第三資料線D1、D2與D3中是否發生斷路故障。然而，因為分別連接至每一單位畫素UP所包含之次畫素SP1、SP2與SP3之第一至第三掃描線S1、S2與S3係自一個掃描布線S分支，因此不容易判斷第一、第二或第三掃描線S1、S2或S3是否有斷路故障發生。
第3圖係第1圖之區域III與III’中的掃描線結構之示意圖。第4圖係第3圖之區域IV之剖面放大圖。參閱第3圖，掃描布線S係設置於顯示區域A1之邊界，其中第一至第三掃描線S1、S2與S3係分支自掃描布線S。
參閱第3圖與第4圖，在本實施例中，當其間具有絕緣層IL時，連接至第2圖之次畫素SP1、SP2與SP3之第一至第三掃描線S1、S2與S3以及掃描布線S係形成在不同層中。連接至第2圖之次畫素SP1、SP2與SP3之每一第一至第三掃描線S1、S2與S3與掃描布線S係藉由形成在絕緣層IL中的其中一個接觸孔CN而電性連接。
第5A圖至第5C圖係繪示依據實施例之第3圖之第一至第三掃描線S1、S2與S3之形成過程圖。參閱第5A圖，首先，沿著第一方向(X-軸方向)延伸而形成第一至第三掃描線S1、S2與S3，以分別連接至第2圖之次畫素SP1、SP2與SP3。在此例子中，第一至第三掃描線S1、S2與S3可形成在一層上，其中薄膜電晶體(TFT)(參見第9圖)之第一閘極電極層214與第二閘極電極層215係設置於此層上。
假使如第5A所示，第一掃描線S1發生斷路故障，使用者可藉著以使用分別連接於每一第一至第三掃描線S1、S2與S3之兩端的第一測試墊TP1與第二測試墊TP2來作為電源供應件與電源接收件，而得以量測每一第一至第三掃描線S1、S2與S3之兩端間的電壓之差而檢測出第一掃描線S1之斷路故障。
接著，參閱第5B圖，修復第一掃描線S1之斷路故障。此斷路故障可依據任何不同方法例如化學氣相沉積(CVD)而修復。
後續，參閱第5C圖，在修復第一掃描線S1之斷路故障後，在自掃描布線S(參見第2圖)分支之第一至第三掃描線S1、S2與S3上形成絕緣層IL。隨後，在絕緣層IL中，形成接觸孔CN以暴露出第一至第三掃描線S1、S2與S3之兩側。
參閱回第3圖與第4圖，自其分支出第一至第三掃描線S1、S2與S3的一個掃描布線S係形成在絕緣層IL上，且接著經由第5C圖之接觸孔CN而電性連接至自此掃描布線S所分支之第一至第三掃描線S1、S2與S3。此掃描布線S可形成在第2圖之第一至第三資料線D1、D2與D3及/或第一電源供應線VDD1所設置之層上。
第6圖係根據比較例之第一至第三掃描線S1、S2與S3之結構示意圖。參閱第6圖，掃描布線S與第一至第三掃描線S1、S2與S3係在未使用第3圖與第4圖之絕緣層IL下形成在相同層上以相互連接。
當第一掃描線S1如第6圖所示發生斷路故障時，因為第一掃描線S1係經由掃描布線S連接至第二掃描線S2與第三掃描線S3，所以使用者很難藉由以使用安裝於掃描布線S上的第一測試墊TP1與第二測試墊TP2作為電源供應件與電源接收件而得以量測每一第一至第三掃描線S1、S2與S3之兩端間的電壓之差以判斷第一、第二或第三掃描線S1、S2或S3是否發生斷路故障。
相較之下，根據前述實施例，掃描布線S並未形成在自掃描布線S所分支之第一至第三掃描線S1、S2與S3所設置之層上。相反的，在判斷第一、第二或第三掃描線S1、S2或S3是否發生斷路故障與修復斷路故障後，掃描布線S係形成在絕緣層IL上，以經由接觸孔CN而電性連接至第一至第三掃描線S1、S2與S3。因此，可以準確地判斷第一、第二或第三掃描線S1、S2或S3是否發生斷路故障，且可降低修復斷路故障所需的成本及時間。
第7圖係根據另一實施例之第一至第三掃描線S1、S2與S3之結構示意圖。參閱第7圖，自其分支出第一至第三掃描線S1、S2與S3的一個掃描布線S係設置於第1圖之顯示區域A1的邊界。
相似於第3圖之第一至第三掃描線S1、S2與S3之結構，當其間具有絕緣層IL時，連接至第2圖之次畫素SP1、SP2與SP3之第一至第三掃描線S1、S2與S3以及掃描布線S係形成在不同層上，且經由形成在絕緣層IL的接觸孔CN而相互電性連接。然而，本實施例不同於第3圖之實施例之處至少在於每一個接觸孔CN形成於對應至第一與第二測試墊TP1與TP2之其中之一之位置，其中第一與第二測試墊TP1與TP2係安裝在每一第一至第三掃描線S1、S2與S3之兩端。
第8圖係根據本發明之實施例之有機發光顯示裝置1之次畫素之布線組態之電路圖。
參閱第8圖，次畫素包含為切換薄膜電晶體之第一薄膜電晶體TR1；為驅動薄膜電晶體之第二薄膜電晶體TR2；為補償訊號薄膜電晶體之第三薄膜電晶體TR3；為儲存件之電容器Cst與CVth；以及由第一至第三薄膜電晶體 TR1、TR2與TR3所驅動之有機電致發光元件(後稱為有機EL元件)。薄膜電晶體之數目與電容器之數目並不限於第8圖所示。換言之，本發明可應用於包含至少兩個薄膜電晶體與至少一個電容器之有機發光顯示裝置。
第8圖係繪示第2圖之次畫素SP1、SP2與SP3中發出第一顏色之次畫素SP1。換言之，第一薄膜電晶體 TR1被經由第一掃描線S1供應之掃描訊號所開啟，且經由第一資料線D1所供應之資料訊號傳遞予電容器Cst及CVth、以及第二薄膜電晶體 TR2。第二薄膜電晶體 TR2根據第一薄膜電晶體 TR1所傳遞之資料訊號判斷將經由第一電源供應線VDD1與第二電源供應線VDD2供應至有機EL元件之電流量，且隨後供應電流給有機EL元件。第三薄膜電晶體 TR3係連接至補償控制訊號線GC，以補償臨界電壓。
在本實施例中，第二電源供應線VDD2係電性連接至第一電源供應線VDD1。因此，即使第一電源供應線VDD1短路，第二電源供應線VDD2仍可作為旁通線(bypass line)以驅動有機EL元件。
第9圖係根據實施例之第1圖之有機發光顯示裝置1之每一次畫素之部分元件之剖面示意圖。
參閱第1圖與第9圖，為驅動薄膜電晶體之第二薄膜電晶體TR2、儲存電容器Cst、以及有機EL元件EL設置於基板10上。如前述，次畫素更包含第一薄膜電晶體 TR1、第三薄膜電晶體 TR3、補償電容器CVth與各種布線，但後文僅參閱第9圖簡單描述次畫素的部分元件。
基板10可由二氧化矽基透明玻璃材質形成，但不限於此，且亦可由透明塑膠材質形成。緩衝層11可進一步形成在基板10上。此緩衝層11在基板10上提供平坦的表面且避免水氣與外界物質滲入基板10中。
第二薄膜電晶體 TR2之主動層212係形成在緩衝層11上。此主動層212可由無機半導體例如非晶矽或多晶矽所形成。主動層212可由各種材質例如有機半導體或氧化物半導體所形成。主動層212包含源極區212b、汲極區212a與通道區212c。
由透明導電材質形成之第一閘極電極層214與第二閘極電極層215係對應於主動層212之通道區212c而依序地設置於主動層212之一區域上，其間為閘極絕緣膜之第一絕緣層13之圖案。如前述，第一閘極電極層214與第二閘極電極層215可形成在連接至次畫素SP1、SP2與SP3(參見第2圖)之第一至第三掃描線S1、S2與S3(參見第3圖)所設置之層上。
源極電極216b與汲極電極216a係設置於第二閘極電極層215上，其間為圖樣及為層間絕緣膜之第二絕緣層15，以分別連接至主動層212之源極區212b與汲極區212a。源極電極216b與汲極電極216a可形成以位在第一至第三資料線D1、D2與D3(參見第3圖)所設置之層上，或位在第3圖之掃描布線S所設置之層上。第二絕緣層15可由用來形成第4圖設置在第一至第三掃描線S1、S2與S3與掃描布線S之間之絕緣層IL之材質所形成。
第三絕緣層18係設置於第二絕緣層15上以覆蓋源極電極216b與汲極電極216a。第三絕緣層18可由有機絕緣膜形成。
第一畫素電極層114藉著使用用於形成第一閘極電極層214之透明導電材質而形成在緩衝層11與第一絕緣層13上。透明導電材質可包含選自由銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In2O3)、銦鎵氧化物(IGO)與氧化鋁鋅(AZO)所組成之群組之至少一材質。
發光層119係形成於第一畫素電極層114上。發光層119所發出的光係穿過由透明導電材質所構成之第一畫素電極層114而發射朝向基板10。
發光層119可由低分子量有機材質或高分子量有機材質所形成。假如發光層119係由低分子量有機材質所形成，則相對於發光層119可堆疊電洞傳輸層(HTL)、電洞注入層(HIL)、電子傳輸層(ETL)與電子注入層(EIL)。假如有需要的話也可以進一步堆疊其他各種層。就此而言，可用的有機材質可包含銅鈦菁(copper phthalocyanine, CuPc)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-聯苯胺(N,N’-Di(naphthalene-1-yl)-N, N’-diphenyl-benzidine, NPB)、三-8-羥基喹啉鋁(tris-8-hydroxyquinoline aluminum, Alq3)等。
假如發光層119係由高分子量有機材質形成，發光層119可包含電洞傳輸層。電洞傳輸層可為聚-(3,4)-乙烯-二氧基噻吩(poly-(3,4)-ethylene-dihydroxy thiophene, PEDOT)或聚苯胺(polyaniline, PANI)。就此而言，可用的有機材質可包含聚對苯乙炔(polyphenylene vinylene, PPV)系聚合物有機材質及聚茀(polyfluorene)系聚合物有機材質。
相對電極20係堆疊於發光層119上以作為共同電極。在本實施例之有機發光顯示裝置中，第一畫素電極層114係作為陽極且相對電極20係作為陰極，或反之亦可。
相對電極20可為包含反射材質之反射電極。就此而言，相對電極20可包含選自由鋁(Al)、鎂(Mg)、鋰(Li)、鈣(Ca)、氟化鋰/鈣(LiF/Ca)與氟化鋰/鋁(LiF/Al)所組成之群組之至少一材質。
因為相對電極20係作為反射電極，因此由發光層119所發出之光會被相對電極20所反射，傳輸穿過由透明導電材質所形成之第一畫素電極層114，且隨後射向基板10。
因為本實施例之有機發光顯示裝置係其中光射向基板10之底部發射型顯示裝置，故第一畫素電極層114可形成而不重疊第一至第三掃描線S1、S2與S3、第一至第三資料線D1、D2與D3、第一電源供應線VDD1以及第二電源供應線VDD2-1、VDD2-2與VDD2-3(參見第2圖)。
電容器Cst之下電極312與上電極314係設置於基板10與緩衝層11上，且第一絕緣層13係設置於下電極312與上電極314之間。下電極312係由用於形成第二薄膜電晶體TR2之主動層212之材質所形成。上電極314包含與第一畫素電極層114相同材質之透明導電材質。
第一絕緣層13係設置於下電極312上，但非設置於上電極314之邊界上。第二絕緣層15係設置於第一絕緣層13上以暴露出整個上電極314，使得上電極314整個接觸第三絕緣層18。
雖未繪示，密封構件(未繪示)可設置於相對電極20上以面對基板10之表面。此密封構件係保護發光層119免於外部水氣或氧氣。密封構件可由玻璃或塑膠形成，或可具有其中相互重疊之有機材質及無機材質之結構。
根據本發明之實施例之顯示裝置及其修復方法具有下述優點。
第一，當任何掃描線的斷路故障被檢測出並修復後，掃描布線不是形成在自此掃描布線分支之掃描線所設置之層上，而是形成在額外的絕緣層上，且經由絕緣層中的接觸孔而電性連接掃描線。因此，可準確地檢測出具有斷路故障的掃描線，且降低修復斷路故障所需的成本及時間。
第二，根據實施例，每一單位畫素之次畫素各包含自一個掃描布線分支之掃描線、獨立地連接至次畫素之資料線、垂直於掃描線而設置之第一電源供應線、以及垂直地連接至第一電源供應線之第二電源供應線。因此，可降低或避免第一電源供應線產生電壓降。
雖然本發明已參照其例示性實施例而特別地顯示與描述，然而熟習此技藝者將明瞭可對其進行各種形式或細節上之變更。
S1、S2、S3．．．掃描線
S．．．掃描布線
IL．．．絕緣層
CN．．．接觸孔

Claims (24)

  1. 一種顯示裝置，其包含：
    複數個單位畫素，各包含複數個次畫素，其中各該次畫素發出一預設顏色之光；
    複數個掃描布線；
    複數個掃描線，分支自各該複數個掃描布線且沿一第一方向延伸，其中各該掃描線連接該複數個掃描布線之其中之一至相同顏色之相鄰該次畫素，且其中各該掃描布線之該複數個掃描線之數目係相等於各該單位畫素之該複數個次畫素之數目；
    一絕緣層，設置於該複數個掃描線與該掃描布線之間；
    複數個接觸孔，形成在該絕緣層中，用以電性連接該複數個掃描線與該掃描布線；
    複數個資料線，沿著相交該第一方向之一第二方向延伸，其中該複數個資料線連接至該複數個次畫素；以及
    複數個第一電源供應線，沿著該第二方向延伸且連接至該複數個次畫素。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中各該複數個單位畫素所包含之該複數個次畫素係依序沿該第二方向排列。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之顯示裝置，其中該複數個資料線各連接至相同顏色之該複數個次畫素。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該掃描布線係設置於該複數個資料線所設置之一層上。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該掃描布線係設置於該複數個第一電源供應線所設置之一層上。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該複數個資料線比該複數個掃描線短。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該複數個第一電源供應線比該複數個掃描線短。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其更包含複數個第二電源供應線沿著該第一方向延伸且連接至該複數個第一電源供應線。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其更包含複數個測試墊位於各該複數個掃描線之兩端。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之顯示裝置，其中該複數個接觸孔分別形成於對應該複數個測試墊之位置。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中各該複數個次畫素包括一第一電極、一第二電極以及設置於該第一電極與該第二電極之間之一有機發光層。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之顯示裝置，其中該第一電極係一透明電極，且該第二電極係一反射電極。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之顯示裝置，其中該複數個掃描線、該複數個資料線與該複數個第一電源供應線不會與該複數個第一電極重疊。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其更包含複數個第二電源供應線沿著該第一方向延伸且連接至該複數個第一電源供應線。
  15. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其更包含複數個補償控制訊號線沿著該第二方向延伸以連接至該複數個次畫素。
  16. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中各該複數個次畫素包含至少兩個薄膜電晶體(TFTs)與至少一個電容器。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之顯示裝置，其中：
    各該至少兩個薄膜電晶體包含一主動層、一閘極電極、一源極電極與一汲極電極；以及
    該絕緣層係設置於該閘極電極與該源極電極之間，以及該閘極電極與該汲極電極之間。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之顯示裝置，其中：
    該複數個掃描線係設置於該閘極電極所設置之一層上；以及
    該掃描布線設置於該源極電極與該汲極電極所設置之一層上。
  19. 一種修復顯示裝置之方法，該顯示裝置包含：
    複數個單位畫素，各包含複數個次畫素，其中各該次畫素發出一預設顏色之光；複數個掃描布線；以及自各該複數個掃描布線分支且沿一第一方向延伸之複數個掃描線，其中各該掃描線連接該複數個掃描布線之其中之一至相同顏色之相鄰該次畫素，且其中各該掃描布線之該複數個掃描線之數目係相等於各該單位畫素之該複數個次畫素之數目；
    複數個資料線，沿著相交於該第一方向之一第二方向延伸，其中該複數個資料線連接至該複數個次畫素；以及
    複數個第一電源供應線，沿著該第二方向延伸且連接至該複數個次畫素，其中該方法包含：
    偵測一或多個該複數個掃描線中之一斷路故障；
    修復具有該斷路故障之該掃描線；
    形成一絕緣層於該複數個掃描線上；
    形成複數個接觸孔於該絕緣層中；以及
    形成該掃描布線於該絕緣層上以經由該複數個接觸孔而電性連接至該複數個掃描線。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之方法，其中該斷路故障係藉由判斷各該複數個掃描線之兩端之電壓之差而偵測出。
  21. 如申請專利範圍第19項所述之方法，其中：
    各該複數個掃描線包含設置於其兩端之複數個測試墊；以及
    藉由判斷施加至該複數個測試墊之電壓之差而偵測出該斷路故障。
  22. 如申請專利範圍第21項所述之方法，其中該複數個接觸孔形成於對應該複數個測試墊之位置。
  23. 如申請專利範圍第19項所述之方法，其中該複數個掃描布線係形成於該複數個資料線所設置之一層上。
  24. 如申請專利範圍第19項所述之方法，其中該複數個掃描布線係形成於該複數個第一電源供應線所設置之一層上。
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