JP6852188B2 - 有機発光表示パネル補修方法及び有機発光表示パネル - Google Patents

有機発光表示パネル補修方法及び有機発光表示パネル Download PDF

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Description

本願は、表示パネル技術分野に関し、特に、有機発光表示パネルの補修方法及び有機発光表示パネルに関する。
有機発光表示パネルは、自己発光表示パネルである。現在主流の薄膜トランジスタ液晶表示パネルに比べて、高コントラスト、広視野角、低消費電力、薄型化などの利点を有しており、薄膜トランジスタ液晶表示パネルに続く次世代表示パネルとして期待されている。
有機発光表示パネルの製造工程においては、画素点不良と信号線の断線不良との２種類が製造工程上不可避的に発生する主な欠陥であり、これらの不良が検出された場合には、当該有機発光表示パネルの出荷前に修復する必要がある。
しかしながら、本願の発明者らの長年の研究開発により、従来の技術では、有機発光表示パネルを修復するために、修復する必要がある画素点の有機発光素子を破壊する方法を採用して、当該画素点を暗点化することが一般的である。しかし、画素点の有機発光素子は面積が大きいため、破壊エネルギーが大きく、完全破壊に長い時間がかかる必要があるため、該画素点の修復効率が低い。
本願の解決しようとする技術的課題は、該有機発光表示パネルの補修における消費エネルギーを減少させ、補修効率を向上させることができる有機発光表示パネルの補修方法及び有機発光表示パネルを提供することにある。
上記の技術的課題を解決するために、本願では採用する技術的手段は、有機発光表示パネルの補修方法を提供することである。該有機発光表示パネルは、アレイ状に配置された複数の表示画素を含み、それぞれの表示画素は、少なくとも１つの有機発光ダイオードと、駆動回路とを含み、有機発光ダイオードのカソードが第１基準電圧に接続され、駆動回路が少なくとも１つのスイッチングトランジスタを含み、スイッチングトランジスタの第１通路端が給電線に接続され、給電線を介して第２基準電圧に接続され、スイッチングトランジスタの第２通路端が有機発光ダイオードのアノードに接続され、スイッチングトランジスタの制御端が走査線に接続され、走査線に印加される制御信号に応じて有機発光ダイオードのアノードを選択的に第２基準電圧に接続し、第１基準電圧と第２基準電圧とは有機発光ダイオードが暗状態となるように設定され、該補修方法は、該有機発光表示パネル上の異常輝点を検出することで、該異常輝点に対応する表示画素を補修対象の表示画素とするステップと、該補修対象の表示画素のスイッチングトランジスタの制御端と走査線との接続をレーザ切断法により切断するステップと、該補修対象の表示画素の該スイッチングトランジスタの第１通路端を第２通路端と接続することで、該補修対象の表示画素の該有機発光ダイオードのアノードに第２基準電圧を引続き印加するステップとを含む。
上記の技術的課題を解決するために、本願では採用する他の技術的手段は、有機発光表示パネルの補修方法を提供することである。該有機発光表示パネルは、アレイ状に配置された複数の表示画素を含み、それぞれの表示画素は、少なくとも１つの有機発光ダイオードと、駆動回路とを含み、有機発光ダイオードのカソードが第１基準電圧に接続され、駆動回路が少なくとも１つのスイッチングトランジスタを含み、スイッチングトランジスタの第１通路端が給電線に接続され、給電線を介して第２基準電圧に接続され、スイッチングトランジスタの第２通路端が有機発光ダイオードのアノードに接続され、スイッチングトランジスタの制御端が走査線に接続され、走査線に印加される制御信号に応じて有機発光ダイオードのアノードを選択的に第２基準電圧に接続し、第１基準電圧と第２基準電圧とは有機発光ダイオードが暗状態となるように設定され、該補修方法は、補修対象の表示画素を決定するステップと、補修対象の表示画素のスイッチングトランジスタの制御端と走査線との接続を切断するステップと、補修対象の表示画素のスイッチングトランジスタの第１通路端を第２通路端と接続することで、補修対象の表示画素の有機発光ダイオードのアノードに第２基準電圧を引続き印加するステップとを含む。
上記の技術的課題を解決するために、本願では採用するもう１つの技術的手段は、有機発光表示パネルを提供することである。該有機発光表示パネルは、アレイ状に配置された複数の表示画素を含み、それぞれの表示画素は、少なくとも１つの有機発光ダイオードと、駆動回路とを含み、有機発光ダイオードのカソードが第１基準電圧に接続され、駆動回路が少なくとも１つのスイッチングトランジスタを含み、スイッチングトランジスタの第１通路端が給電線に接続され、給電線を介して第２基準電圧に接続され、スイッチングトランジスタの第２通路端が有機発光ダイオードのアノードに接続され、スイッチングトランジスタの制御端と走査線との接続が切断され、スイッチングトランジスタの第１通路端と第２通路端とが接続されることで、表示画素の有機発光ダイオードのアノードに第２基準電圧を引続き印加する。
本願の実施例の有益な効果は、従来技術とは異なり、本願の実施例は、補修対象の表示画素に対応する駆動回路のうち有機発光ダイオードのアノードと接続されるスイッチングトランジスタの制御端と走査線との接続線を切断して、該スイッチングトランジスタを無効にした後、該スイッチングトランジスタの第１通路端及び第２通路端を接続することで、該第１通路端の第２基準電圧が該第２通路端により該有機発光ダイオードのアノードに引き続き印加され、該有機発光ダイオードのカソードが第１基準電圧に接続され、該第１基準電圧と該第２基準電圧とが該有機発光ダイオードが暗状態となるように設定される。従って、該補修方法により該有機発光ダイオードを暗状態にし続けることができ、且つ該方法は簡易であり、該有機発光表示パネル補修の消耗エネルギーの低減及び補修効率の向上を可能にする。
図１は、本願の一実施例に係る有機発光表示パネルの構造概略図である。 図２は、図１の実施例の表示画素の修復前の構造概略図である。 図３は、本願に係る有機発光表示パネルの補修方法のフローチャート図である。 図４は、図２の実施例の薄膜トランジスタＴ７及びその周辺回路の構造概略図である。 図５は、図４の実施例の薄膜トランジスタＴ７の構造概略図である。 図６は、図１の実施例の表示画素の構造概略図である。
図１及び図２を参照すると、図１は、本願の一実施例に係る有機発光表示パネルの構造概略図であり、図２は、図１の実施例の表示画素の修復前の構造概略図である。本実施例の有機発光表示パネルは、アレイ状に配置された複数の表示画素１０１を含む。それぞれの表示画素１０１は、少なくとも１つの有機発光ダイオード２０１と、駆動回路２０２とを含む。有機発光ダイオード２０１のカソード２０３は第１基準電圧Ｖｓｓに接続されている。駆動回路２０２は少なくとも１つのスイッチングトランジスタＴ７を含む。スイッチングトランジスタＴ７の第１通路端２０４は給電線２０５に接続され、給電線２０５を介して第２基準電圧Ｖｉに接続されている。スイッチングトランジスタＴ７の第２通路端２０６は有機発光ダイオード２０１のアノード２０７に接続されている。スイッチングトランジスタＴ７の制御端２０８は走査線に接続され、走査線に印加される制御信号に応じて有機発光ダイオード２０１のアノード２０７を選択的に第２基準電圧Ｖｉに接続する。第１基準電圧Ｖｓｓと第２基準電圧Ｖｉとは有機発光ダイオード２０１が暗状態となるように設定される。
一適用ケースにおいて、本実施例は、有機発光ダイオード２０１が駆動されないように、第２基準電圧Ｖｉを、第１基準電圧Ｖｓｓと有機発光ダイオード２０１の駆動電圧との和よりも小さくし、暗状態となっている。
所望により、本実施例の駆動回路２０２は、スイッチＴ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、Ｔ５、Ｔ６及び保持容量Ｃ、即ち７Ｔ１Ｃ回路をさらに含み、該回路は駆動回路２０２のスイッチ移動度、閾値電圧、駆動電圧、及び電源電圧の大きさが表示パネルの性能に与える影響をある程度補償することができる。勿論、他の実施例において、駆動回路２０２は、６Ｔ１Ｃ回路等の他の回路構成を採用してもよい。有機発光表示パネル及びその駆動回路２０２の具体的な動作原理は、本願の保護範囲ではないので、ここでは述べない。
有機発光表示パネルのいずれかの表示画素に表示異常がある場合に、表示画像の表示効果が著しく低下するため、表示異常の表示画素の修復が必要となる。
図３を参照すると、図３は、本願の一実施例に係る有機発光表示パネルの補修方法のフローチャート図である。図２の実施例に基づき、図２の実施例の表示画素を補修対象の表示画素と仮定して、図３の実施例の方法を用いて、該補修対象の表示画素を補修する具体的なステップは、以下の通りである。
ステップ３０１：補修対象の表示画素を決定する。
所望により、本実施例は、該有機発光表示パネル上の異常輝点を特定した後、該異常輝点に対応する表示画素を補修対象の表示画素とする。勿論、他の実施例において、発光輝度の不安定点に対応する表示画素などを、補修対象の表示画素とするなど、他の基準で補修対象の表示画素を決定してもよい。
ステップ３０２：補修対象の表示画素のスイッチングトランジスタＴ７の制御端２０８と走査線との接続を切断する。
所望により、本実施例はレーザ切断法を用いて補修対象の表示画素のスイッチングトランジスタＴ７の制御端２０８と走査線との接続を切断する。レーザ切断法は、スリット幅が狭いため、熱影響部が小さく、スリットの熱変形が小さく、切断精度が高い。勿論、他の実施例では、レーザ切断法の代わりに、ガス熱切断法などを用いることもできる。
ステップＳ３０３：補修対象の表示画素の有機発光ダイオード２０１のアノード２０７に第２基準電圧Ｖｉが引き続き印加されるように、該補修対象の表示画素のスイッチングトランジスタＴ７の第１通路端２０４と第２通路端２０６とを接続する。
所望により、本実施例はレーザ溶接法を用いて補修対象の表示画素のスイッチングトランジスタの第１通路端２０４と第２通路端２０６とを接続する。レーザ溶接法は、周辺部位への熱影響（捩れ変形）を低減することができ、加工物の振動を生じさせないため、スイッチングトランジスタ等の微小部品の精密溶接に好適である。勿論、他の実施例では、レーザ溶接法の代わりにアーク溶接法などを用いてもよい。
従来技術とは異なり、本実施例は、補修対象の表示画素に対応する駆動回路のうち有機発光ダイオードのアノードと接続されるスイッチングトランジスタの制御端と走査線との接続線を切断して、該スイッチングトランジスタを無効にした後、該スイッチングトランジスタの第１通路端及び第２通路端を接続することで、該第１通路端の第２基準電圧が該第２通路端により該有機発光ダイオードのアノードに引き続き印加され、該有機発光ダイオードのカソードが第１基準電圧に接続され、該第１基準電圧と該第２基準電圧とが該有機発光ダイオードが暗状態となるように設定される。従って、該補修方法により該有機発光ダイオードを暗状態にし続けることができ、且つ該方法は簡易であり、該有機発光表示パネル補修の消耗エネルギーの低減及び補修効率の向上を可能にする。
所望により、本実施例のスイッチングトランジスタＴ７は薄膜トランジスタであり、その制御端２０８がゲートであり、第１通路端２０４がソース、第２通路端２０６がドレインである。勿論、他の実施例において、第１通路端２０４はドレインであり、第２通路端２０６はソースであってもよい。
なお、本願の実施例では、第１通路端及び第２通路端がスイッチングトランジスタＴ７のタイプに対応して設けられ、具体的には、図２の実施例では、スイッチングトランジスタＴ７がＰ型薄膜トランジスタであることに対応して、第１通路端２０４がソース、第２通路端２０６がドレインとなっており、そのゲートにローレベルが印加されるとスイッチングトランジスタＴ７がオンされる。他の実施例では、スイッチングトランジスタＴ７がＮ型薄膜トランジスタであることに対応して、第１通路端２０４がドレイン、第２通路端２０６がソースとなっており、そのゲートにハイレベルが印加されるとスイッチングトランジスタＴ７がオンされる。
他の実施例では、薄膜トランジスタの代わりに金属−酸化物−半導体（ｍｅｔａｌ−ｏｘｉｄ−ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ，ＭＯＳ）電界効果トランジスタを用いることもできる。
所望により、図４を参照すると、図４は、図２の実施例の薄膜トランジスタＴ７及びその周辺回路の構造概略図である。本実施例は、薄膜トランジスタＴ７のゲート４０１を走査線４０２と同層で設けて走査線４０２よりも突出させ、ゲート４０１の走査線４０２に対して突出している部分４０３を切断することにより、薄膜トランジスタＴ７と走査線との間の配線を切断し、薄膜トランジスタＴ７を無効とする。本実施例の突出部分４０３を設けることで、ゲート４０１と走査線４０２との断線をより容易に行うことができる。
所望により、図５を参照すると、図５は、図４の実施例の薄膜トランジスタＴ７の構造概略図である。本実施例は、ソース５０２とドレイン５０３との間のキャリアの移動を可能にするために、半導体パターン５０１をさらに含む。ゲート５０４は、半導体パターン５０１と絶縁されて重なるように配置される。ソース５０２及びドレイン５０３は、ゲート５０４の両側の半導体パターンとそれぞれ電気的に接続される。ゲート５０４の走査線５０５から切断された部分を、薄膜トランジスタＴ７のソース５０２とドレイン５０３とを接続するように、ゲート５０４の両側の半導体パターンとそれぞれ電気的に接続することができる。
所望により、本実施例の半導体パターン５０１は、延在方向が走査線５０５の延在方向と互いに平行に配置された第１パターン領域５０６を含み、ゲート５０４は、走査線５０５の延在方向と垂直で走査線５０５から突出して、第１パターン領域５０６と部分的に重なる。半導体パターン５０１の第１パターン領域５０６と走査線５０５との間の間隔領域内でゲート５０４を切断することができる。勿論、他の実施例では、ゲート５０４の他の部分からゲート５０４を切断してもよい。
所望により、本実施例の給電線５０７の延在方向と走査線５０５の延在方向とが互いに平行に配置され、半導体パターン５０１は第２パターン領域５０８をさらに含み、第１パターン領域５０６と第２パターン領域５０８との互いに隣り合う端部同士が接続され、第１パターン領域５０６と第２パターン領域５０８との互いに離れた端部は、ソース５０２及びドレイン５０３を介してアノード５０９及び給電線５０７にそれぞれ接続されている。
所望により、本実施例の第２パターン領域５０８の延在方向が第１パターン領域と垂直であることで、半導体パターン５０１がＬ字状に配置されている。
所望により、アノード５０９が給電線５０７と同層に配置され、ゲート５０４がトップゲート形態で半導体パターン５０１の上方に配置される。勿論、他の実施例では、トップゲート形態の代わりにボトムゲート形態などを採用してもよい。
なお、本願の実施例は、半導体パターンの形状、半導体パターン、ゲート、ドレイン、ソース、走査線、給電線及び有機発光ダイオードアノード相互間の設置方式及び接続方式を制限するものではない。
図１及び図６を参照すると、図１は、本願の一実施例に係る有機発光表示パネルの構造概略図であり、図６は、図１の実施例の表示画素の構造概略図である。本願の実施例は、アレイ状に配置された複数の表示画素１０１を含む。それぞれの表示画素１０１は、少なくとも１つの有機発光ダイオード６０１と、駆動回路６０２とを含む。有機発光ダイオード６０１のカソード６０３は第１基準電圧Ｖｓｓに接続されている。駆動回路６０２は少なくとも１つのスイッチングトランジスタＴ７を含む。スイッチングトランジスタＴ７の第１通路端６０４は給電線６０５に接続され、給電線６０５を介して第２基準電圧Ｖｉに接続されている。スイッチングトランジスタＴ７の第２通路端６０６は、有機発光ダイオード６０１のアノード６０７に接続されている。スイッチングトランジスタＴ７の制御端６０８と走査線との接続が切断され、スイッチングトランジスタＴ７の第１通路端６０４と第２通路端６０６とが接続されることで、該表示画素の有機発光ダイオード６０１のアノード６０７に第２基準電圧Ｖｉを引き続き印加する。
本実施例の表示画素は、図２の実施例の表示画素を上述した補修方法により補修したものであり、具体的な補修方法及び駆動回路構成は上述した実施例で詳述した通りであるので、ここでは繰り返さない。
従来技術とは異なり、本実施例の表示画素に対応する駆動回路のうち有機発光ダイオードのアノードと接続されるスイッチングトランジスタの制御端と走査線との接続線を切断して、該スイッチングトランジスタの第１通路端及び第２通路端を接続することで、該第１通路端の第２基準電圧が該第２通路端により該有機発光ダイオードのアノードに引き続き印加され、該有機発光ダイオードのカソードが第１基準電圧に接続され、該第１基準電圧と該第２基準電圧とが該有機発光ダイオードが暗状態となるように設定される。したがって、該有機発光ダイオードが常に暗状態になることができ、有機発光表示パネルの表示効果を改善することができる。
以上の説明は、単に本願の実施形態に過ぎず、本願の保護範囲を限定するものではない。本願の明細書及び添付図面の内容を利用した同等の構造又は同等のプロセスの変更、又は他の関連する技術分野に直接又は間接的に適用したものは、いずれも本願の保護範囲内に包含されるものである。

Claims (15)

  1. 有機発光表示パネルの補修方法であって、
    前記有機発光表示パネルは、アレイ状に配置された複数の表示画素を含み、それぞれの前記表示画素は、少なくとも１つの有機発光ダイオードと、駆動回路とを含み、前記有機発光ダイオードのカソードが第１基準電圧に接続され、前記駆動回路が少なくとも１つのスイッチングトランジスタを含み、前記スイッチングトランジスタの第１通路端が給電線に接続され、前記給電線を介して第２基準電圧に接続され、前記スイッチングトランジスタの第２通路端が前記有機発光ダイオードのアノードに接続され、前記スイッチングトランジスタの制御端が走査線に接続され、前記走査線に印加される制御信号に応じて前記有機発光ダイオードのアノードを選択的に前記第２基準電圧に接続し、前記第１基準電圧と前記第２基準電圧とは前記有機発光ダイオードが暗状態となるように設定され、
    前記補修方法は、
    前記有機発光表示パネル上の異常輝点を特定し、前記異常輝点に対応する表示画素を補修対象の表示画素とするステップと、
    前記補修対象の表示画素の前記スイッチングトランジスタの前記制御端と前記走査線との接続をレーザ切断法により切断するステップと、
    前記第２基準電圧が前記補修対象の表示画素の前記有機発光ダイオードのアノードに引続き印加されるように、前記補修対象の表示画素の前記スイッチングトランジスタの第１通路端と前記第２通路端とを接続するステップと、
    を含み、
    前記スイッチングトランジスタは薄膜トランジスタであり、前記制御端が前記薄膜トランジスタのゲートであり、前記第１通路端が前記薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方であり、前記第２通路端が前記薄膜トランジスタのソース及びドレインの他方であり、前記ゲートが前記走査線と同層に設けられて、前記走査線から突出しており、
    前記補修対象の表示画素の前記スイッチングトランジスタの前記制御端と前記走査線との接続を切断する前記ステップは、
    前記ゲートの前記走査線に対する突出部分を切断して、前記ゲートと前記走査線との接続を切断することを含む、
    有機発光表示パネルの補修方法。
  2. 前記薄膜トランジスタは半導体パターンをさらに含み、前記ゲートが前記半導体パターンと絶縁されて重畳配置され、前記ソース及びドレインが前記ゲートの両側の前記半導体パターンとそれぞれ電気的に接続され、
    前記補修対象の表示画素の前記スイッチングトランジスタの第１通路端と第２通路端とを接続する前記ステップは、
    前記ゲートの前記走査線から切断された部分を、前記ゲートの両側の前記半導体パターンにそれぞれ電気的に接続することを含む、
    請求項１に記載の補修方法。
  3. 前記半導体パターンは、延在方向が前記走査線の延在方向と互いに平行に配置される第１パターン領域を含み、前記ゲートが前記走査線の延在方向と垂直で前記走査線から突出して、前記第１パターン領域と部分的に重なり、
    前記ゲートの前記走査線に対する突出部分を切断する前記ステップは、
    前記半導体パターンの前記第１パターン領域と前記走査線との間隔領域で前記ゲートを切断することを含む、
    請求項２に記載の補修方法。
  4. 前記給電線の延在方向と前記走査線の延在方向とは互いに平行に設けられ、前記半導体パターンは第２パターン領域をさらに含み、前記第１パターン領域と前記第２パターン領域との互いに隣り合う端部同士が接続され、前記第１パターン領域と前記第２パターン領域との互いに離れた端部が前記ソース及び前記ドレインを介して前記アノード及び前記給電線にそれぞれ接続される、
    請求項３に記載の補修方法。
  5. 前記第２パターン領域の延在方向が前記第１パターン領域と垂直であることで、前記半導体パターンがＬ字状に配置されている、
    請求項４に記載の補修方法。
  6. 前記アノードが前記給電線と同層に設けられ、前記ゲートが前記半導体パターンの上方にトップゲート形態で設けられている、
    請求項２に記載の補修方法。
  7. 有機発光表示パネルの補修方法であって、
    前記有機発光表示パネルは、アレイ状に配置された複数の表示画素を含み、それぞれの前記表示画素は、少なくとも１つの有機発光ダイオードと、駆動回路とを含み、前記有機発光ダイオードのカソードが第１基準電圧に接続され、前記駆動回路が少なくとも１つのスイッチングトランジスタを含み、前記スイッチングトランジスタの第１通路端が給電線に接続され、前記給電線を介して第２基準電圧に接続され、前記スイッチングトランジスタの第２通路端が前記有機発光ダイオードのアノードに接続され、前記スイッチングトランジスタの制御端が走査線に接続され、前記走査線に印加される制御信号に応じて前記有機発光ダイオードのアノードを選択的に前記第２基準電圧に接続し、前記第１基準電圧と前記第２基準電圧とは前記有機発光ダイオードが暗状態となるように設定され、
    前記補修方法は、
    補修対象の前記表示画素を決定するステップと、
    前記補修対象の表示画素の前記スイッチングトランジスタの前記制御端と前記走査線との接続を切断するステップと、
    前記第２基準電圧が前記補修対象の表示画素の前記有機発光ダイオードのアノードに引続き印加されるように、前記補修対象の表示画素の前記スイッチングトランジスタの第１通路端と前記第２通路端とを接続するステップと、
    を含み、
    前記スイッチングトランジスタは薄膜トランジスタであり、前記制御端が前記薄膜トランジスタのゲートであり、前記第１通路端が前記薄膜トランジスタのソース及びドレイン
    の一方であり、前記第２通路端が前記薄膜トランジスタのソース及びドレインの他方であり、前記ゲートが前記走査線と同層に設けられて、前記走査線から突出しており、
    前記補修対象の表示画素の前記スイッチングトランジスタの前記制御端と前記走査線との接続を切断する前記ステップは、
    前記ゲートの前記走査線に対する突出部分を切断して、前記ゲートと前記走査線との接続を切断することを含む、
    有機発光表示パネルの補修方法。
  8. 補修対象の前記表示画素を決定する前記ステップは、
    前記有機発光表示パネル上の異常輝点を特定することと、
    前記異常輝点に対応する前記表示画素を前記補修対象の表示画素とすることとを含む、
    請求項７に記載の補修方法。
  9. 前記補修対象の表示画素の前記スイッチングトランジスタの前記制御端と前記走査線との接続を切断する前記ステップは、
    前記補修対象の表示画素の前記スイッチングトランジスタの前記制御端と前記走査線との接続をレーザ切断法により切断することを含み、
    前記補修対象の表示画素の前記スイッチングトランジスタの第１通路端と第２通路端とを接続する前記ステップは、
    前記補修対象の表示画素の前記スイッチングトランジスタの第１通路端と第２通路端とをレーザ溶着法により接続することを含む、
    請求項７に記載の補修方法。
  10. 前記薄膜トランジスタは半導体パターンをさらに含み、前記ゲートが前記半導体パターンと絶縁されて重畳配置され、前記ソース及びドレインが前記ゲートの両側の前記半導体パターンとそれぞれ電気的に接続され、
    前記補修対象の表示画素の前記スイッチングトランジスタの第１通路端と第２通路端とを接続する前記ステップは、
    前記ゲートの前記走査線から切断された部分を、前記ゲートの両側の前記半導体パターンにそれぞれ電気的に接続することを含む、
    請求項７に記載の補修方法。
  11. 前記半導体パターンは、延在方向が前記走査線の延在方向と互いに平行に配置される第１パターン領域を含み、前記ゲートが前記走査線の延在方向と垂直で前記走査線から突出して、前記第１パターン領域と部分的に重なり、
    前記ゲートの前記走査線に対する突出部分を切断する前記ステップは、
    前記半導体パターンの前記第１パターン領域と前記走査線との間隔領域で前記ゲートを切断することを含む、
    請求項１０に記載の補修方法。
  12. 前記給電線の延在方向と前記走査線の延在方向とは互いに平行に設けられ、前記半導体パターンは第２パターン領域をさらに含み、前記第１パターン領域と前記第２パターン領域との互いに隣り合う端部同士が接続され、前記第１パターン領域と前記第２パターン領域との互いに離れた端部が前記ソース及び前記ドレインを介して前記アノード及び前記給電線にそれぞれ接続される、
    請求項１１に記載の補修方法。
  13. 前記第２パターン領域の延在方向が前記第１パターン領域と垂直であることで、前記半導体パターンがＬ字状に配置されている、
    請求項１２に記載の補修方法。
  14. 前記アノードが前記給電線と同層に設けられ、前記ゲートが前記半導体パターンの上方にトップゲート形態で設けられている、
    請求項１０に記載の補修方法。
  15. 有機発光表示パネルであって、
    アレイ状に配置された複数の表示画素を含み、それぞれの前記表示画素は、少なくとも１つの有機発光ダイオードと、駆動回路とを含み、前記有機発光ダイオードのカソードが第１基準電圧に接続され、前記駆動回路が少なくとも１つのスイッチングトランジスタを含み、前記スイッチングトランジスタの第１通路端が給電線に接続され、前記給電線を介して第２基準電圧に接続され、前記スイッチングトランジスタの第２通路端が前記有機発光ダイオードのアノードに接続され、前記スイッチングトランジスタの制御端と走査線との接続が切断され、前記スイッチングトランジスタの第１通路端と前記第２通路端とが接続されることで、前記表示画素の前記有機発光ダイオードのアノードに前記第２基準電圧を引続き印加し、
    前記スイッチングトランジスタは薄膜トランジスタであり、前記制御端が前記薄膜トランジスタのゲートであり、前記第１通路端が前記薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方であり、前記第２通路端が前記薄膜トランジスタのソース及びドレインの他方であり、前記ゲートが前記走査線と同層に設けられて、前記走査線から突出しており、
    前記ゲートの前記走査線に対する突出部分を切断して、前記ゲートと前記走査線との接続を切断することで、前記スイッチングトランジスタの前記制御端と前記走査線との接続が切断される、
    有機発光表示パネル。
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