JP2003249375A - 表示装置及び電子機器並びに表示装置の製造方法 - Google Patents
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- H10K85/621—Aromatic anhydride or imide compounds, e.g. perylene tetra-carboxylic dianhydride or perylene tetracarboxylic di-imide
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 電極と陰極とがショートすることなく、しか
も１つの発光層の中で発光量のばらつきが少ない表示装
置を提供する。 【解決手段】 第１、第２バンク層１１２ａ、１１２ｂ
が電極１１１の周縁部上まで延出されるとともに、第１
バンク層１１２ａが第２バンク層１１２ｂよりも電極１
１１の中央側に更に延出されて第１バンク層に第１積層
部１１２ｅが形成されて、バンク部１１２に開口部１１
２ｇが設けられ、機能層１１０は正孔注入／輸送層１１
０ａと発光層１１０ｂとからなり、正孔注入／輸送層１
１０ａは、電極１１１上に形成された平坦部１１０ａ1
と、第１バンク層の第１積層部１１２ｅに形成された周
縁部１１０ａ2とからなることを特徴とする表示装置を
採用する。
も１つの発光層の中で発光量のばらつきが少ない表示装
置を提供する。 【解決手段】 第１、第２バンク層１１２ａ、１１２ｂ
が電極１１１の周縁部上まで延出されるとともに、第１
バンク層１１２ａが第２バンク層１１２ｂよりも電極１
１１の中央側に更に延出されて第１バンク層に第１積層
部１１２ｅが形成されて、バンク部１１２に開口部１１
２ｇが設けられ、機能層１１０は正孔注入／輸送層１１
０ａと発光層１１０ｂとからなり、正孔注入／輸送層１
１０ａは、電極１１１上に形成された平坦部１１０ａ1
と、第１バンク層の第１積層部１１２ｅに形成された周
縁部１１０ａ2とからなることを特徴とする表示装置を
採用する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表示装置及び及び
電子機器並びに表示装置の製造方法に関するものであ
る。
電子機器並びに表示装置の製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、有機蛍光材料等の発光材料をイン
ク化し、当該インク（組成物）を基材上に吐出するイン
クジェット法により、発光材料のパターニングを行う方
法を採用して、陽極及び陰極の間に該発光材料からなる
発光層が挟持された構造のカラー表示装置、特に発光材
料として有機発光材料を用いた有機ＥＬ（エレクトロル
ミネッセンス）表示装置の開発が行われている（特許文
献１参照）。そこで、従来の表示装置（有機ＥＬ表示装
置）を図面を参照して説明する。
ク化し、当該インク（組成物）を基材上に吐出するイン
クジェット法により、発光材料のパターニングを行う方
法を採用して、陽極及び陰極の間に該発光材料からなる
発光層が挟持された構造のカラー表示装置、特に発光材
料として有機発光材料を用いた有機ＥＬ（エレクトロル
ミネッセンス）表示装置の開発が行われている（特許文
献１参照）。そこで、従来の表示装置（有機ＥＬ表示装
置）を図面を参照して説明する。
【０００３】図２７は、従来の表示装置の要部を示す断
面模式図である。図２７に示す表示装置は、基板８０２
上に素子部８１１、陰極８１２が順次積層されて構成さ
れている。また、素子部８１１と基板８０２との間には
回路素子部８１４が備えられている。この従来の表示装
置においては、素子部８１１内に備えられた発光素子９
１０から基板８０２側に発した光が、回路素子部８１４
及び基板８０２を透過して基板８０２の下側（観測者
側）に出射されるとともに、発光素子９１０から基板８
０２の反対側に発した光が陰極８１２により反射され
て、回路素子部８１４及び基板８０２を透過して基板８
０２の下側（観測者側）に出射されるようになってい
る。
面模式図である。図２７に示す表示装置は、基板８０２
上に素子部８１１、陰極８１２が順次積層されて構成さ
れている。また、素子部８１１と基板８０２との間には
回路素子部８１４が備えられている。この従来の表示装
置においては、素子部８１１内に備えられた発光素子９
１０から基板８０２側に発した光が、回路素子部８１４
及び基板８０２を透過して基板８０２の下側（観測者
側）に出射されるとともに、発光素子９１０から基板８
０２の反対側に発した光が陰極８１２により反射され
て、回路素子部８１４及び基板８０２を透過して基板８
０２の下側（観測者側）に出射されるようになってい
る。
【０００４】回路素子部８１４は、基板８０２上に透明
な下地膜８１４と透明なゲート絶縁膜９４２と透明な第
１層間絶縁膜９４４と第２層間絶縁膜９４７とが順次積
層されてなり、下地膜８１４上には島状のシリコン膜９
４１が設けられ、更にゲート絶縁膜９４２上にはゲート
電極９４３（走査線）が設けられている。シリコン膜９
４１には、図示略のチャネル領域とこのチャネル領域を
挟むドレイン領域及びソース領域が設けられ、ゲート電
極９４３はシリコン膜９４１のチャネル領域に対応する
位置に設けられている。また、第２層間絶縁膜９４７上
には平面視略矩形にパターニングされた画素電極９１１
（陽極）が積層されている。そして、第１，第２層間絶
縁膜８４４、８４７を貫通するコンタクトホール９４
５，９４６が形成されており、一方のコンタクトホール
９４５がシリコン膜９４１の図示略のソース領域と画素
電極９１１とを接続し、もう一方のコンタクトホール１
４６が電源線９４８に接続されている。このようにして
回路素子部８１４には、各画素電極９１１に接続された
駆動用の薄膜トランジスタ９１３が形成されている。
な下地膜８１４と透明なゲート絶縁膜９４２と透明な第
１層間絶縁膜９４４と第２層間絶縁膜９４７とが順次積
層されてなり、下地膜８１４上には島状のシリコン膜９
４１が設けられ、更にゲート絶縁膜９４２上にはゲート
電極９４３（走査線）が設けられている。シリコン膜９
４１には、図示略のチャネル領域とこのチャネル領域を
挟むドレイン領域及びソース領域が設けられ、ゲート電
極９４３はシリコン膜９４１のチャネル領域に対応する
位置に設けられている。また、第２層間絶縁膜９４７上
には平面視略矩形にパターニングされた画素電極９１１
（陽極）が積層されている。そして、第１，第２層間絶
縁膜８４４、８４７を貫通するコンタクトホール９４
５，９４６が形成されており、一方のコンタクトホール
９４５がシリコン膜９４１の図示略のソース領域と画素
電極９１１とを接続し、もう一方のコンタクトホール１
４６が電源線９４８に接続されている。このようにして
回路素子部８１４には、各画素電極９１１に接続された
駆動用の薄膜トランジスタ９１３が形成されている。
【０００５】素子部８１１は、複数の画素電極９１１…
上の各々に積層された発光素子９１０と、各画素電極９
１１及び各発光素子９１０の間に備えられて各発光素子
９１０を区画するバンク部９１２を主体として構成され
ている。
上の各々に積層された発光素子９１０と、各画素電極９
１１及び各発光素子９１０の間に備えられて各発光素子
９１０を区画するバンク部９１２を主体として構成され
ている。
【０００６】バンク部９１２は、画素電極９１１の周縁
部上に乗上げるまで形成されることにより、画素電極９
１１の形成位置に対応する開口部９１２ｃが設けられて
いる。バンク部９１２は、例えばフッ素樹脂等の撥液性
の樹脂、またはＣＦ4プラズマ処理等により表面をフッ
素化した樹脂により形成されて撥液性が付与されてお
り、有機ＥＬの材料を含む組成物インク（組成物）をイ
ンクジェットヘッドからインク滴として吐出させた際
に、バンク部９１２の撥液性により開口部９１２ｃに液
滴がパターニングされるようになっている。
部上に乗上げるまで形成されることにより、画素電極９
１１の形成位置に対応する開口部９１２ｃが設けられて
いる。バンク部９１２は、例えばフッ素樹脂等の撥液性
の樹脂、またはＣＦ4プラズマ処理等により表面をフッ
素化した樹脂により形成されて撥液性が付与されてお
り、有機ＥＬの材料を含む組成物インク（組成物）をイ
ンクジェットヘッドからインク滴として吐出させた際
に、バンク部９１２の撥液性により開口部９１２ｃに液
滴がパターニングされるようになっている。
【０００７】発光素子９１０は、画素電極９１１上に形
成された正孔注入／輸送層９１０ａと、正孔注入／輸送
層９１０ａに隣接して配置された発光層９１０ｂとから
構成されている。正孔注入／輸送層９１０ａは、正孔注
入／輸送層形成材料を含む組成物を、画素電極９１１上
に吐出・乾燥することにより得られたものである。
成された正孔注入／輸送層９１０ａと、正孔注入／輸送
層９１０ａに隣接して配置された発光層９１０ｂとから
構成されている。正孔注入／輸送層９１０ａは、正孔注
入／輸送層形成材料を含む組成物を、画素電極９１１上
に吐出・乾燥することにより得られたものである。
【０００８】正孔注入／輸送層９１０ａは、開口部９１
２ｃ内の電極面１１１ａ上に形成されている。この正孔
注入／輸送層９１０ａは、正孔注入／輸送層形成材料を
含む組成物を、画素電極９１１上に吐出して乾燥するこ
とにより得られたものである。画素電極９１１は親液性
に乏しいため、吐出直後の組成物と画素電極９１１との
接触角は大きく、このためこの組成物を乾燥して得られ
た正孔注入／輸送層９１０ａは、図２７に示すように厚
さが周縁側で薄く、中央側で厚くなっている。
２ｃ内の電極面１１１ａ上に形成されている。この正孔
注入／輸送層９１０ａは、正孔注入／輸送層形成材料を
含む組成物を、画素電極９１１上に吐出して乾燥するこ
とにより得られたものである。画素電極９１１は親液性
に乏しいため、吐出直後の組成物と画素電極９１１との
接触角は大きく、このためこの組成物を乾燥して得られ
た正孔注入／輸送層９１０ａは、図２７に示すように厚
さが周縁側で薄く、中央側で厚くなっている。
【０００９】また陰極８１２は、素子部８１１の全面に
形成されており、画素電極９１１と対になって発光素子
９１０に電子を注入する役割を果たす。この陰極９１２
は、複数層により形成されてなり、例えば、フッ化リチ
ウム、カルシウム、Ｍｇ、Ａｇ、Ｂａ等の仕事関数の低
い金属が一般的に用いられる。
形成されており、画素電極９１１と対になって発光素子
９１０に電子を注入する役割を果たす。この陰極９１２
は、複数層により形成されてなり、例えば、フッ化リチ
ウム、カルシウム、Ｍｇ、Ａｇ、Ｂａ等の仕事関数の低
い金属が一般的に用いられる。
【００１０】上記の表示装置は、例えば、回路素子部８
１４上にパターニングされたバンク部９１２を形成した
後に、正孔注入／輸送層形成材料を含む組成物をバンク
部９１２の開口部９１２ｃに吐出・乾燥することにより
正孔注入／輸送層９１０ａを形成し、更に発光層形成材
料を含む組成物を吐出・乾燥することにより正孔注入／
輸送層９１０ａ上に発光層９１０ｂを形成し、最後にバ
ンク部９１２及び発光層９１０ｂ上に陰極８１２を積層
することにより製造される。
１４上にパターニングされたバンク部９１２を形成した
後に、正孔注入／輸送層形成材料を含む組成物をバンク
部９１２の開口部９１２ｃに吐出・乾燥することにより
正孔注入／輸送層９１０ａを形成し、更に発光層形成材
料を含む組成物を吐出・乾燥することにより正孔注入／
輸送層９１０ａ上に発光層９１０ｂを形成し、最後にバ
ンク部９１２及び発光層９１０ｂ上に陰極８１２を積層
することにより製造される。
【００１１】
【特許文献１】特開平１０−１２３７７号公報
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の表示装
置では、正孔注入／輸送層９１０ａ及び発光層９１０ｂ
の周縁側が薄く形成されるため、この部分で画素電極９
１１と陰極８１２とが接近し、場合によっては画素電極
９１１と陰極８１２とがショートするおそれがあった。
また、正孔注入／輸送層９１０ａの正孔輸送効率は、正
孔注入／輸送層９１０ａの厚さに反比例するため、発光
層９１０ｂに注入される正孔は、正孔注入／輸送層９１
０ａの中央側に接する部分で少なく、周縁側に接する部
分で多くなっている。発光層９１０ｂの発光量は、注入
された正孔数に比例するので、１つの発光層の中で発光
量が大きい部分と少ない部分とが生じてしまうという問
題があった。
置では、正孔注入／輸送層９１０ａ及び発光層９１０ｂ
の周縁側が薄く形成されるため、この部分で画素電極９
１１と陰極８１２とが接近し、場合によっては画素電極
９１１と陰極８１２とがショートするおそれがあった。
また、正孔注入／輸送層９１０ａの正孔輸送効率は、正
孔注入／輸送層９１０ａの厚さに反比例するため、発光
層９１０ｂに注入される正孔は、正孔注入／輸送層９１
０ａの中央側に接する部分で少なく、周縁側に接する部
分で多くなっている。発光層９１０ｂの発光量は、注入
された正孔数に比例するので、１つの発光層の中で発光
量が大きい部分と少ない部分とが生じてしまうという問
題があった。
【００１３】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
であって、画素電極と陰極とがショートすることなく、
しかも１つの発光層の中で発光量のばらつきが少なく、
高輝度な表示装置及びその製造方法を提供することを目
的とする。
であって、画素電極と陰極とがショートすることなく、
しかも１つの発光層の中で発光量のばらつきが少なく、
高輝度な表示装置及びその製造方法を提供することを目
的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は以下の構成を採用した。本発明の表示装
置は、基板上に形成された複数の画素電極上の各々に機
能層が形成されてなり、各前記機能層の間にバンク部が
備えられてなる表示装置であり、前記バンク部は、前記
基板側に位置する第１バンク層と、前記第１バンク層の
上に形成された第２バンク層とから形成されてなり、前
記第１バンク層は前記画素電極の一部に重なるように配
置されてなり、前記機能層は、正孔注入／輸送層と、該
正孔注入／輸送層に隣接して形成された発光層とからな
り、前記正孔注入／輸送層は、前記電極の上に形成され
た平坦部と、前記第１バンク層の上であって前記第２バ
ンク層と接するように形成された周縁部とを備えてなる
ことを特徴とする。尚、本発明において、機能層とは、
少なくとも正孔注入／輸送層と発光層を含むものとす
る。また本発明において、発光素子とは、基板上に形成
された電極と、該電極に隣接して形成された機能層と、
該機能層に隣接して形成された対向電極を少なくとも含
むものとする。
めに、本発明は以下の構成を採用した。本発明の表示装
置は、基板上に形成された複数の画素電極上の各々に機
能層が形成されてなり、各前記機能層の間にバンク部が
備えられてなる表示装置であり、前記バンク部は、前記
基板側に位置する第１バンク層と、前記第１バンク層の
上に形成された第２バンク層とから形成されてなり、前
記第１バンク層は前記画素電極の一部に重なるように配
置されてなり、前記機能層は、正孔注入／輸送層と、該
正孔注入／輸送層に隣接して形成された発光層とからな
り、前記正孔注入／輸送層は、前記電極の上に形成され
た平坦部と、前記第１バンク層の上であって前記第２バ
ンク層と接するように形成された周縁部とを備えてなる
ことを特徴とする。尚、本発明において、機能層とは、
少なくとも正孔注入／輸送層と発光層を含むものとす
る。また本発明において、発光素子とは、基板上に形成
された電極と、該電極に隣接して形成された機能層と、
該機能層に隣接して形成された対向電極を少なくとも含
むものとする。
【００１５】係る表示装置によれば、前記正孔注入／輸
送層の周縁部が前記第１バンク層の上に形成されてお
り、この周縁部が第１バンク層によって電極から絶縁さ
れているので、周縁部から発光層に対して正孔が輸送さ
れることがない。これにより、電極からの電流が平坦部
のみに流れ、正孔を平坦部から発光層に輸送させること
ができ、発光層の中央部分を均一に発光させることがで
きる。また、第１バンク層が電極の一部に重なるように
配置されているので、この第１バンク層によって平坦部
の形状をトリミングすることができ、各発光層間の発光
強度のばらつきを抑えることができる。また、周縁部が
第２バンク層に密着しているので、発光層が第２バンク
層に直接に接することがない。従って、第２バンク層に
不純物として含まれる水が発光層側に移行するのを、周
縁部によって阻止することができ、水による発光層の酸
化を防止できる。
送層の周縁部が前記第１バンク層の上に形成されてお
り、この周縁部が第１バンク層によって電極から絶縁さ
れているので、周縁部から発光層に対して正孔が輸送さ
れることがない。これにより、電極からの電流が平坦部
のみに流れ、正孔を平坦部から発光層に輸送させること
ができ、発光層の中央部分を均一に発光させることがで
きる。また、第１バンク層が電極の一部に重なるように
配置されているので、この第１バンク層によって平坦部
の形状をトリミングすることができ、各発光層間の発光
強度のばらつきを抑えることができる。また、周縁部が
第２バンク層に密着しているので、発光層が第２バンク
層に直接に接することがない。従って、第２バンク層に
不純物として含まれる水が発光層側に移行するのを、周
縁部によって阻止することができ、水による発光層の酸
化を防止できる。
【００１６】また本発明の表示装置は、先に記載の表示
装置であって、前記周縁部は、前記電極の中央から離れ
る方向に沿って厚さが増大する形状であることを特徴と
する。係る表示装置によれば、第１バンク層上に不均一
な厚さの周縁部が形成されるため、周縁部から発光層に
正孔が輸送されることがない。これにより、電極からの
電流が均一な厚さの平坦部のみに流れ、正孔を平坦部か
ら発光層に均一に輸送させることができ、発光層におけ
る発光量を一定にすることができる。
装置であって、前記周縁部は、前記電極の中央から離れ
る方向に沿って厚さが増大する形状であることを特徴と
する。係る表示装置によれば、第１バンク層上に不均一
な厚さの周縁部が形成されるため、周縁部から発光層に
正孔が輸送されることがない。これにより、電極からの
電流が均一な厚さの平坦部のみに流れ、正孔を平坦部か
ら発光層に均一に輸送させることができ、発光層におけ
る発光量を一定にすることができる。
【００１７】また本発明の表示装置は、先に記載の表示
装置であって、前記画素電極の表面及び前記第１バンク
層の一部が親液性を有し、前記第２バンク層の上面及び
前記壁面が撥液性を有することを特徴とする。
装置であって、前記画素電極の表面及び前記第１バンク
層の一部が親液性を有し、前記第２バンク層の上面及び
前記壁面が撥液性を有することを特徴とする。
【００１８】係る表示装置によれば、電極の表面及び第
１バンク層の一部が親液性を有するので、機能層が電極
上及び第１バンク層上に所定の厚さで形成され、厚さが
極端に薄くなることがないので、電極と対向電極との短
絡を防止することができる。また、第２バンク層の上面
及び前記壁面が撥液性を有するので、機能層がバンク部
から溢れて形成されることがない。
１バンク層の一部が親液性を有するので、機能層が電極
上及び第１バンク層上に所定の厚さで形成され、厚さが
極端に薄くなることがないので、電極と対向電極との短
絡を防止することができる。また、第２バンク層の上面
及び前記壁面が撥液性を有するので、機能層がバンク部
から溢れて形成されることがない。
【００１９】また本発明の表示装置では、第１バンク層
がＳｉＯ2、ＴｉＯ2のうちのいずれかより形成されてな
ることが好ましく、前記第２バンク層がアクリル樹脂ま
たはポリイミド樹脂のいずれかよりなることが好まし
い。第１バンク層を構成するＳｉＯ2、ＴｉＯ2はフッ素
との親和性に乏しいため、第２バンク層が撥液性に処理
された場合でも、第１バンク層は撥液化されることな
く、親液性を保つことができる。また、第２バンク層を
構成するアクリル樹脂またはポリイミド樹脂はフッ素と
の親和性が比較的良好であるため、撥液性に処理するこ
とにより、表面にフッ素基が導入されて容易に撥液化さ
せることができる。
がＳｉＯ2、ＴｉＯ2のうちのいずれかより形成されてな
ることが好ましく、前記第２バンク層がアクリル樹脂ま
たはポリイミド樹脂のいずれかよりなることが好まし
い。第１バンク層を構成するＳｉＯ2、ＴｉＯ2はフッ素
との親和性に乏しいため、第２バンク層が撥液性に処理
された場合でも、第１バンク層は撥液化されることな
く、親液性を保つことができる。また、第２バンク層を
構成するアクリル樹脂またはポリイミド樹脂はフッ素と
の親和性が比較的良好であるため、撥液性に処理するこ
とにより、表面にフッ素基が導入されて容易に撥液化さ
せることができる。
【００２０】次に本発明の表示装置の製造方法は、基板
上に形成された複数の電極上の各々に機能層が形成され
てなり、各前記機能層の間にバンク部が備えられてなる
表示装置の製造方法であり、前記電極の一部に、第１バ
ンク層を形成する工程と、前記第１バンク層の上に第２
バンク層を形成する工程と、少なくとも前記第１バンク
層の壁面及び前記電極の表面が親液性を有するように加
工する親液化工程と、前記第２バンク層の上面及び壁面
が撥液性を有するように加工する撥液化工程と、正孔注
入／輸送層を形成するための第１組成物を各前記電極上
に吐出する第１液滴吐出工程と、吐出された前記第１組
成物を乾燥させて前記電極上に正孔注入／輸送層を形成
する正孔注入／輸送層形成工程と、発光層を形成するた
めの第２組成物を前記正孔注入／輸送層の上に吐出する
第２液滴吐出工程と、吐出された前記第２組成物を乾燥
させて前記正孔注入／輸送層上に発光層を形成する発光
層形成工程と、前記発光層の上に対向電極を形成する対
向電極形成工程と、を具備してなることを特徴とする。
上に形成された複数の電極上の各々に機能層が形成され
てなり、各前記機能層の間にバンク部が備えられてなる
表示装置の製造方法であり、前記電極の一部に、第１バ
ンク層を形成する工程と、前記第１バンク層の上に第２
バンク層を形成する工程と、少なくとも前記第１バンク
層の壁面及び前記電極の表面が親液性を有するように加
工する親液化工程と、前記第２バンク層の上面及び壁面
が撥液性を有するように加工する撥液化工程と、正孔注
入／輸送層を形成するための第１組成物を各前記電極上
に吐出する第１液滴吐出工程と、吐出された前記第１組
成物を乾燥させて前記電極上に正孔注入／輸送層を形成
する正孔注入／輸送層形成工程と、発光層を形成するた
めの第２組成物を前記正孔注入／輸送層の上に吐出する
第２液滴吐出工程と、吐出された前記第２組成物を乾燥
させて前記正孔注入／輸送層上に発光層を形成する発光
層形成工程と、前記発光層の上に対向電極を形成する対
向電極形成工程と、を具備してなることを特徴とする。
【００２１】係る表示装置の製造方法によれば、バンク
部を第１バンク層と第２バンク層の積層構造とし、更
に、電極及び第１バンク層を親液性にするとともに、第
２バンク層を撥液性にすることで、バンク部に親液性の
領域と撥液性の領域を同時に形成することができる。そ
して、撥液性の第２バンク層の上面では第１，第２組成
物がはじかれるので、各組成物が第２バンク層の上面に
誤って吐出された場合でも、各組成物が上面ではじかれ
て電極上に転がり込む。これにより、吐出した第１，第
２組成物を必ず電極上に充填することができ、電極上に
機能層を確実に形成することができる。
部を第１バンク層と第２バンク層の積層構造とし、更
に、電極及び第１バンク層を親液性にするとともに、第
２バンク層を撥液性にすることで、バンク部に親液性の
領域と撥液性の領域を同時に形成することができる。そ
して、撥液性の第２バンク層の上面では第１，第２組成
物がはじかれるので、各組成物が第２バンク層の上面に
誤って吐出された場合でも、各組成物が上面ではじかれ
て電極上に転がり込む。これにより、吐出した第１，第
２組成物を必ず電極上に充填することができ、電極上に
機能層を確実に形成することができる。
【００２２】本発明の本発明の表示装置においては、前
記第１バンク層をＳｉＯ2、ＴｉＯ2のいずれかより形成
することが好ましく、前記第２バンク層をアクリル樹脂
またはポリイミド樹脂のいずれかより形成することが好
ましい。第１バンク層を構成するＳｉＯ2、ＴｉＯ2はフ
ッ素との親和性に乏しいため、第２バンク層が撥液性に
処理された場合でも、第１バンク層は撥液化されること
なく、親液性を保つことができる。また、第２バンク層
を構成するアクリル樹脂またはポリイミド樹脂はフッ素
との親和性が比較的良好であるため、撥液性に処理する
ことにより、表面にフッ素基が導入されて容易に撥液化
させることができる。
記第１バンク層をＳｉＯ2、ＴｉＯ2のいずれかより形成
することが好ましく、前記第２バンク層をアクリル樹脂
またはポリイミド樹脂のいずれかより形成することが好
ましい。第１バンク層を構成するＳｉＯ2、ＴｉＯ2はフ
ッ素との親和性に乏しいため、第２バンク層が撥液性に
処理された場合でも、第１バンク層は撥液化されること
なく、親液性を保つことができる。また、第２バンク層
を構成するアクリル樹脂またはポリイミド樹脂はフッ素
との親和性が比較的良好であるため、撥液性に処理する
ことにより、表面にフッ素基が導入されて容易に撥液化
させることができる。
【００２３】また本発明の表示装置の製造方法では、前
記電極上および前記第１バンク層の上に前記第１組成物
を吐出し、前記第１バンク層の上であって前記第２バン
ク層に接するように前記周縁部を形成することが好まし
い。また本発明の表示装置の製造方法では、前記周縁部
を、前記電極の中央から離れる方向に沿って厚さが増大
する形状に形成することが好ましい。係る製造方法によ
れば、前記正孔注入／輸送層の周縁部が前記第１バンク
層の上に形成されるので、周縁部が第１バンク層によっ
て電極から絶縁され、これにより周縁部から発光層に対
して正孔が輸送されることがなく、電極からの電流が平
坦部のみに流れ、正孔を平坦部から発光層に輸送させる
ことができ、発光層の中央部分を均一に発光させること
が可能な表示装置を製造できる。
記電極上および前記第１バンク層の上に前記第１組成物
を吐出し、前記第１バンク層の上であって前記第２バン
ク層に接するように前記周縁部を形成することが好まし
い。また本発明の表示装置の製造方法では、前記周縁部
を、前記電極の中央から離れる方向に沿って厚さが増大
する形状に形成することが好ましい。係る製造方法によ
れば、前記正孔注入／輸送層の周縁部が前記第１バンク
層の上に形成されるので、周縁部が第１バンク層によっ
て電極から絶縁され、これにより周縁部から発光層に対
して正孔が輸送されることがなく、電極からの電流が平
坦部のみに流れ、正孔を平坦部から発光層に輸送させる
ことができ、発光層の中央部分を均一に発光させること
が可能な表示装置を製造できる。
【００２４】次に本発明の表示装置の製造方法は、基板
上に形成された複数の電極上の各々に機能層が形成され
てなり、各前記機能層の間にバンク部が備えられてなる
表示装置の製造方法であり、前記電極の一部に重なるよ
うに第１バンク層を形成する工程と、前記第１バンク層
の上に第２バンク層を形成する工程と、正孔注入／輸送
層を形成するための第１組成物を各前記電極上に吐出す
る第１液滴吐出工程と、吐出された前記第１組成物を乾
燥させ前記電極上に正孔注入／輸送層を形成する正孔注
入／輸送層形成工程と、発光層を形成するための第２組
成物を前記正孔注入／輸送層の上に吐出する第２液滴吐
出工程と、吐出された前記第２組成物を乾燥させ、前記
正孔注入／輸送層上に発光層を形成する発光層形成工程
と、前記発光層の上に対向電極を形成する対向電極形成
工程と、を具備してなることを特徴とする。
上に形成された複数の電極上の各々に機能層が形成され
てなり、各前記機能層の間にバンク部が備えられてなる
表示装置の製造方法であり、前記電極の一部に重なるよ
うに第１バンク層を形成する工程と、前記第１バンク層
の上に第２バンク層を形成する工程と、正孔注入／輸送
層を形成するための第１組成物を各前記電極上に吐出す
る第１液滴吐出工程と、吐出された前記第１組成物を乾
燥させ前記電極上に正孔注入／輸送層を形成する正孔注
入／輸送層形成工程と、発光層を形成するための第２組
成物を前記正孔注入／輸送層の上に吐出する第２液滴吐
出工程と、吐出された前記第２組成物を乾燥させ、前記
正孔注入／輸送層上に発光層を形成する発光層形成工程
と、前記発光層の上に対向電極を形成する対向電極形成
工程と、を具備してなることを特徴とする。
【００２５】係る表示装置の製造方法によれば、バンク
部を第１バンク層と第２バンク層の積層構造とし、更
に、電極及び第１バンク層を親液性にするとともに、第
２バンク層を撥液性にすることで、バンク部に親液性の
領域と撥液性の領域を同時に形成することができる。そ
して、撥液性の第２バンク層の上面では第１，第２組成
物がはじかれるので、各組成物が第２バンク層の上面に
誤って吐出された場合でも、各組成物が上面ではじかれ
て電極上に転がり込む。これにより、吐出した第１，第
２組成物を必ず電極上に充填することができ、電極上に
機能層を確実に形成することができる。
部を第１バンク層と第２バンク層の積層構造とし、更
に、電極及び第１バンク層を親液性にするとともに、第
２バンク層を撥液性にすることで、バンク部に親液性の
領域と撥液性の領域を同時に形成することができる。そ
して、撥液性の第２バンク層の上面では第１，第２組成
物がはじかれるので、各組成物が第２バンク層の上面に
誤って吐出された場合でも、各組成物が上面ではじかれ
て電極上に転がり込む。これにより、吐出した第１，第
２組成物を必ず電極上に充填することができ、電極上に
機能層を確実に形成することができる。
【００２６】本発明の本発明の表示装置においては、前
記第１バンク層をＳｉＯ2、ＴｉＯ2のいずれかより形成
することが好ましく、前記第２バンク層をアクリル樹脂
またはポリイミド樹脂のいずれかより形成することが好
ましい。第１バンク層を構成するＳｉＯ2、ＴｉＯ2はフ
ッ素との親和性に乏しいため、第２バンク層が撥液性に
処理された場合でも、第１バンク層は撥液化されること
なく、親液性を保つことができる。また、第２バンク層
を構成するアクリル樹脂またはポリイミド樹脂はフッ素
との親和性が比較的良好であるため、撥液性に処理する
ことにより、表面にフッ素基が導入されて容易に撥液化
させることができる。
記第１バンク層をＳｉＯ2、ＴｉＯ2のいずれかより形成
することが好ましく、前記第２バンク層をアクリル樹脂
またはポリイミド樹脂のいずれかより形成することが好
ましい。第１バンク層を構成するＳｉＯ2、ＴｉＯ2はフ
ッ素との親和性に乏しいため、第２バンク層が撥液性に
処理された場合でも、第１バンク層は撥液化されること
なく、親液性を保つことができる。また、第２バンク層
を構成するアクリル樹脂またはポリイミド樹脂はフッ素
との親和性が比較的良好であるため、撥液性に処理する
ことにより、表面にフッ素基が導入されて容易に撥液化
させることができる。
【００２７】また本発明の本発明の表示装置において
は、前記電極上および前記第１バンク層の上に前記第１
組成物を吐出し、前記第１バンク層の上であって前記第
２バンク層に接するように前記周縁部を形成することが
好ましい。また本発明の本発明の表示装置においては、
前記周縁部を、前記電極の中央から離れる方向に沿って
厚さが増大する形状に形成することが好ましい。係る製
造方法によれば、前記正孔注入／輸送層の周縁部が前記
第１バンク層の上に形成されるので、周縁部が第１バン
ク層によって電極から絶縁され、これにより周縁部から
発光層に対して正孔が輸送されることがなく、電極から
の電流が平坦部のみに流れ、正孔を平坦部から発光層に
輸送させることができ、発光層の中央部分を均一に発光
させることが可能な表示装置を製造できる。
は、前記電極上および前記第１バンク層の上に前記第１
組成物を吐出し、前記第１バンク層の上であって前記第
２バンク層に接するように前記周縁部を形成することが
好ましい。また本発明の本発明の表示装置においては、
前記周縁部を、前記電極の中央から離れる方向に沿って
厚さが増大する形状に形成することが好ましい。係る製
造方法によれば、前記正孔注入／輸送層の周縁部が前記
第１バンク層の上に形成されるので、周縁部が第１バン
ク層によって電極から絶縁され、これにより周縁部から
発光層に対して正孔が輸送されることがなく、電極から
の電流が平坦部のみに流れ、正孔を平坦部から発光層に
輸送させることができ、発光層の中央部分を均一に発光
させることが可能な表示装置を製造できる。
【００２８】次に本発明の電子機器は、表示装置と、前
記表示装置を駆動するための駆動回路と、を有してなる
電子機器であって、前記表示装置は、基板上に形成され
た複数の電極上の各々に機能層が形成されてなり、各前
記機能層の間にバンク部が備えられてなり、前記バンク
部は、前記基板側に位置する第１バンク層と、前記第１
バンク層の上に形成された第２バンク層とから形成され
てなり、前記第１バンク層は前記電極の一部に重なるよ
うに配置されてなり、前記機能層は、前記電極の上に形
成された正孔注入／輸送層と、該正孔注入／輸送層の上
に形成された発光層とからなり、前記正孔注入／輸送層
は、前記電極上に形成された平坦部と、前記第１バンク
層の上であって前記第２バンク層と接するように形成さ
れた周縁部と、を有してなることを特徴とする。係る電
子機器によれば、高輝度であって表示品質に優れた表示
部を有する電子機器を構成することができる。
記表示装置を駆動するための駆動回路と、を有してなる
電子機器であって、前記表示装置は、基板上に形成され
た複数の電極上の各々に機能層が形成されてなり、各前
記機能層の間にバンク部が備えられてなり、前記バンク
部は、前記基板側に位置する第１バンク層と、前記第１
バンク層の上に形成された第２バンク層とから形成され
てなり、前記第１バンク層は前記電極の一部に重なるよ
うに配置されてなり、前記機能層は、前記電極の上に形
成された正孔注入／輸送層と、該正孔注入／輸送層の上
に形成された発光層とからなり、前記正孔注入／輸送層
は、前記電極上に形成された平坦部と、前記第１バンク
層の上であって前記第２バンク層と接するように形成さ
れた周縁部と、を有してなることを特徴とする。係る電
子機器によれば、高輝度であって表示品質に優れた表示
部を有する電子機器を構成することができる。
【００２９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面を
参照して説明する。尚、図１〜図２３において、各層や
各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、
各層や各部材に縮尺は実際のものとは異なるように表し
ている。
参照して説明する。尚、図１〜図２３において、各層や
各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、
各層や各部材に縮尺は実際のものとは異なるように表し
ている。
【００３０】［第１の実施形態］以下、本発明の第１の
実施形態を図面を参照して説明する。図１に本実施形態
の表示装置の配線構造の平面模式図を示し、図２には本
実施形態の表示装置の平面模式図及び断面模式図を示
す。
実施形態を図面を参照して説明する。図１に本実施形態
の表示装置の配線構造の平面模式図を示し、図２には本
実施形態の表示装置の平面模式図及び断面模式図を示
す。
【００３１】図１に示すように、本実施形態の表示装置
１は、複数の走査線１０１と、走査線１０１に対して交
差する方向に延びる複数の信号線１０２と、信号線１０
２に並列に延びる複数の電源線１０３とがそれぞれ配線
された構成を有するとともに、走査線１０１及び信号線
１０２の各交点付近に、画素領域Ａが設けられている。
１は、複数の走査線１０１と、走査線１０１に対して交
差する方向に延びる複数の信号線１０２と、信号線１０
２に並列に延びる複数の電源線１０３とがそれぞれ配線
された構成を有するとともに、走査線１０１及び信号線
１０２の各交点付近に、画素領域Ａが設けられている。
【００３２】信号線１０２には、シフトレジスタ、レベ
ルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備える
データ側駆動回路１０４が接続されている。また、走査
線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備え
る走査側駆動回路１０５が接続されている。更に、画素
領域Ａの各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲ
ート電極に供給されるスイッチング用の薄膜トランジス
タ１１２と、このスイッチング用の薄膜トランジスタ１
１２を介して信号線１０２から共有される画素信号を保
持する保持容量capと、該保持容量capによって保持され
た画素信号がゲート電極に供給される駆動用の薄膜トラ
ンジスタ１２３と、この駆動用薄膜トランジスタ１２３
を介して電源線１０３に電気的に接続したときに当該電
源線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極１１１（電
極）と、この画素電極１１１と陰極１２（対向電極）と
の間に挟み込まれる機能層１１０とが設けられている。
電極１１１と対向電極１２と機能層１１０により、発光
素子が構成されている。
ルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備える
データ側駆動回路１０４が接続されている。また、走査
線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備え
る走査側駆動回路１０５が接続されている。更に、画素
領域Ａの各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲ
ート電極に供給されるスイッチング用の薄膜トランジス
タ１１２と、このスイッチング用の薄膜トランジスタ１
１２を介して信号線１０２から共有される画素信号を保
持する保持容量capと、該保持容量capによって保持され
た画素信号がゲート電極に供給される駆動用の薄膜トラ
ンジスタ１２３と、この駆動用薄膜トランジスタ１２３
を介して電源線１０３に電気的に接続したときに当該電
源線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極１１１（電
極）と、この画素電極１１１と陰極１２（対向電極）と
の間に挟み込まれる機能層１１０とが設けられている。
電極１１１と対向電極１２と機能層１１０により、発光
素子が構成されている。
【００３３】係る構成によれば、走査線１０１が駆動さ
れてスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２がオンに
なると、そのときの信号線１０２の電位が保持容量cap
に保持され、該保持容量capに状態に応じて、駆動用の
薄膜トランジスタ１２３のオン・オフ状態が決まる。そ
して、駆動用の薄膜トランジスタ１２３のチャネルを介
して、電源線１０３から画素電極１１１に電流が流れ、
更に機能層１１０を介して陰極１２に電流が流れる。機
能層１１０は、これを流れる電流量に応じて発光する。
れてスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２がオンに
なると、そのときの信号線１０２の電位が保持容量cap
に保持され、該保持容量capに状態に応じて、駆動用の
薄膜トランジスタ１２３のオン・オフ状態が決まる。そ
して、駆動用の薄膜トランジスタ１２３のチャネルを介
して、電源線１０３から画素電極１１１に電流が流れ、
更に機能層１１０を介して陰極１２に電流が流れる。機
能層１１０は、これを流れる電流量に応じて発光する。
【００３４】次に図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すよう
に、本実施形態の表示装置１は、ガラス等からなる透明
な基板２と、マトリックス状に配置された発光素子を具
備して基板２上に形成された発光素子部１１と、発光素
子部１１上に形成された陰極１２とを具備している。発
光素子部１１と陰極１２とにより表示素子１０が構成さ
れる。基板２は、例えばガラス等の透明基板であり、基
板２の中央に位置する表示領域２ａと、基板２の周縁に
位置して表示領域２ａを囲む非表示領域２ｂとに区画さ
れている。表示領域２ａは、マトリックス状に配置され
た発光素子によって形成される領域であり、表示領域の
外側に非表示領域２ｂが形成されている。そして，非表
示領域２ｂには、表示領域２ａに隣接するダミー表示領
域２ｄが形成されている。また、図２（ｂ）に示すよう
に、発光素子部１１と基板２の間には回路素子部１４が
備えられ、この回路素子部１４に前述の走査線、信号
線、保持容量、スイッチング用の薄膜トランジスタ、駆
動用の薄膜トランジスタ１２３等が備えられている。ま
た、陰極１２は、その一端が発光素子部１１上から基板
２上に形成された陰極用配線１２ａに接続しており、こ
の配線の一端部１２ｂがフレキシブル基板５上の配線５
ａに接続されている。また、配線５ａは、フレキシブル
基板５上に備えられた駆動ＩＣ６（駆動回路）に接続さ
れている。
に、本実施形態の表示装置１は、ガラス等からなる透明
な基板２と、マトリックス状に配置された発光素子を具
備して基板２上に形成された発光素子部１１と、発光素
子部１１上に形成された陰極１２とを具備している。発
光素子部１１と陰極１２とにより表示素子１０が構成さ
れる。基板２は、例えばガラス等の透明基板であり、基
板２の中央に位置する表示領域２ａと、基板２の周縁に
位置して表示領域２ａを囲む非表示領域２ｂとに区画さ
れている。表示領域２ａは、マトリックス状に配置され
た発光素子によって形成される領域であり、表示領域の
外側に非表示領域２ｂが形成されている。そして，非表
示領域２ｂには、表示領域２ａに隣接するダミー表示領
域２ｄが形成されている。また、図２（ｂ）に示すよう
に、発光素子部１１と基板２の間には回路素子部１４が
備えられ、この回路素子部１４に前述の走査線、信号
線、保持容量、スイッチング用の薄膜トランジスタ、駆
動用の薄膜トランジスタ１２３等が備えられている。ま
た、陰極１２は、その一端が発光素子部１１上から基板
２上に形成された陰極用配線１２ａに接続しており、こ
の配線の一端部１２ｂがフレキシブル基板５上の配線５
ａに接続されている。また、配線５ａは、フレキシブル
基板５上に備えられた駆動ＩＣ６（駆動回路）に接続さ
れている。
【００３５】また、図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すよ
うに、回路素子部１４の非表示領域２ｂには、前述の電
源線１０３（１０３Ｒ、１０３Ｇ、１０３Ｂ）が配線さ
れている。また、表示領域２ａの図２（ａ）中両側に
は、前述の走査側駆動回路１０５、１０５が配置されて
いる。この走査側駆動回路１０５、１０５はダミー領域
２ｄの下側の回路素子部１４内に設けられている。更に
回路素子部１４内には、走査側駆動回路１０５、１０５
に接続される駆動回路用制御信号配線１０５ａと駆動回
路用電源配線１０５ｂとが設けられている。更に表示領
域２ａの図２（ａ）中上側には検査回路１０６が配置さ
れている。この検査回路１０６により、製造途中や出荷
時の表示装置の品質、欠陥の検査を行うことができる。
うに、回路素子部１４の非表示領域２ｂには、前述の電
源線１０３（１０３Ｒ、１０３Ｇ、１０３Ｂ）が配線さ
れている。また、表示領域２ａの図２（ａ）中両側に
は、前述の走査側駆動回路１０５、１０５が配置されて
いる。この走査側駆動回路１０５、１０５はダミー領域
２ｄの下側の回路素子部１４内に設けられている。更に
回路素子部１４内には、走査側駆動回路１０５、１０５
に接続される駆動回路用制御信号配線１０５ａと駆動回
路用電源配線１０５ｂとが設けられている。更に表示領
域２ａの図２（ａ）中上側には検査回路１０６が配置さ
れている。この検査回路１０６により、製造途中や出荷
時の表示装置の品質、欠陥の検査を行うことができる。
【００３６】また図２（ｂ）に示すように、発光素子部
１１上には封止部３が備えられている。この封止部３
は、基板２に塗布された封止樹脂６０３と、封止缶６０
４とから構成されている。封止樹脂６０３は、熱硬化樹
脂あるいは紫外線硬化樹脂等からなり、特に、熱硬化樹
脂の１種であるエポキシ樹脂よりなることが好ましい。
この封止樹脂６０３は、基板２の周囲に環状に塗布され
ており、例えば、マイクロディスペンサ等により塗布さ
れたものである。この封止樹脂６０３は、基板２と封止
缶６０４を接合するもので、基板２と封止缶６０４の間
から封止缶６０４内部への水又は酸素の侵入を防いで、
陰極１２または発光素子部１１内に形成された図示略の
発光層の酸化を防止する。封止缶６０４は、ガラス又は
金属からなるもので、封止樹脂６０３を介して基板２に
接合されており、その内側には表示素子１０を収納する
凹部６０４ａが設けられている。また凹部６０４ａには
水、酸素等を吸収するゲッター剤６０５が貼り付けられ
ており、封止缶６０４の内部に侵入した水又は酸素を吸
収できるようになっている。なお、このゲッター剤６０
５は省略しても良い。
１１上には封止部３が備えられている。この封止部３
は、基板２に塗布された封止樹脂６０３と、封止缶６０
４とから構成されている。封止樹脂６０３は、熱硬化樹
脂あるいは紫外線硬化樹脂等からなり、特に、熱硬化樹
脂の１種であるエポキシ樹脂よりなることが好ましい。
この封止樹脂６０３は、基板２の周囲に環状に塗布され
ており、例えば、マイクロディスペンサ等により塗布さ
れたものである。この封止樹脂６０３は、基板２と封止
缶６０４を接合するもので、基板２と封止缶６０４の間
から封止缶６０４内部への水又は酸素の侵入を防いで、
陰極１２または発光素子部１１内に形成された図示略の
発光層の酸化を防止する。封止缶６０４は、ガラス又は
金属からなるもので、封止樹脂６０３を介して基板２に
接合されており、その内側には表示素子１０を収納する
凹部６０４ａが設けられている。また凹部６０４ａには
水、酸素等を吸収するゲッター剤６０５が貼り付けられ
ており、封止缶６０４の内部に侵入した水又は酸素を吸
収できるようになっている。なお、このゲッター剤６０
５は省略しても良い。
【００３７】次に図３には、表示装置における表示領域
の断面構造を拡大した図を示す。この図３には３つの画
素領域Ａが図示されている。この表示装置１は、基板２
上に、ＴＦＴなどの回路等が形成された回路素子部１
４、機能層１１０が形成された発光素子部１１及び陰極
１２が順次積層されて構成されている。この表示装置１
においては、機能層１１０から基板２側に発した光が、
回路素子部１４及び基板２を透過して基板２の下側（観
測者側）に出射されるとともに、機能層１１０から基板
２の反対側に発した光が陰極１２により反射されて、回
路素子部１４及び基板２を透過して基板２の下側（観測
者側）に出射されるようになっている。なお、陰極１２
として、透明な材料を用いることにより陰極側から発光
する光を出射させることができる。透明な材料として
は、ＩＴＯ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｎｉ、もしくはＰｄを用いる
事ができる。膜厚としては７５ｎｍほどの膜厚にする事
が好ましく、この膜厚よりも薄くした方がより好まし
い。
の断面構造を拡大した図を示す。この図３には３つの画
素領域Ａが図示されている。この表示装置１は、基板２
上に、ＴＦＴなどの回路等が形成された回路素子部１
４、機能層１１０が形成された発光素子部１１及び陰極
１２が順次積層されて構成されている。この表示装置１
においては、機能層１１０から基板２側に発した光が、
回路素子部１４及び基板２を透過して基板２の下側（観
測者側）に出射されるとともに、機能層１１０から基板
２の反対側に発した光が陰極１２により反射されて、回
路素子部１４及び基板２を透過して基板２の下側（観測
者側）に出射されるようになっている。なお、陰極１２
として、透明な材料を用いることにより陰極側から発光
する光を出射させることができる。透明な材料として
は、ＩＴＯ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｎｉ、もしくはＰｄを用いる
事ができる。膜厚としては７５ｎｍほどの膜厚にする事
が好ましく、この膜厚よりも薄くした方がより好まし
い。
【００３８】回路素子部１４には、基板２上にシリコン
酸化膜からなる下地保護膜２ｃが形成され、この下地保
護膜２ｃ上に多結晶シリコンからなる島状の半導体膜１
４１が形成されている。尚、半導体膜１４１には、ソー
ス領域１４１ａ及びドレイン領域１４１ｂが高濃度Ｐイ
オン打ち込みにより形成されている。なお、Ｐが導入さ
れなかった部分がチャネル領域１４１ｃとなっている。
更に回路素子部１４には、下地保護膜２ｃ及び半導体膜
１４１を覆う透明なゲート絶縁膜１４２が形成され、ゲ
ート絶縁膜１４２上にはＡｌ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ等
からなるゲート電極１４３（走査線１０１）が形成さ
れ、ゲート電極１４３及びゲート絶縁膜１４２上には透
明な第１層間絶縁膜１４４ａと第２層間絶縁膜１４４ｂ
が形成されている。ゲート電極１４３は半導体膜１４１
のチャネル領域１４１ｃに対応する位置に設けられてい
る。また、第１、第２層間絶縁膜１４４ａ、１４４ｂを
貫通して、半導体膜１４１のソース、ドレイン領域１４
１ａ、１４１ｂにそれぞれ接続されるコンタクトホール
１４５，１４６が形成されている。そして、第２層間絶
縁膜１４４ｂ上には、ＩＴＯ等からなる透明な画素電極
１１１が所定の形状にパターニングされて形成され、一
方のコンタクトホール１４５がこの画素電極１１１に接
続されている。また、もう一方のコンタクトホール１４
６が電源線１０３に接続されている。このようにして、
回路素子部１４には、各画素電極１１１に接続された駆
動用の薄膜トランジスタ１２３が形成されている。尚、
回路素子部１４には、前述した保持容量cap及びスイッ
チング用の薄膜トランジスタ１４２も形成されている
が、図３ではこれらの図示を省略している。
酸化膜からなる下地保護膜２ｃが形成され、この下地保
護膜２ｃ上に多結晶シリコンからなる島状の半導体膜１
４１が形成されている。尚、半導体膜１４１には、ソー
ス領域１４１ａ及びドレイン領域１４１ｂが高濃度Ｐイ
オン打ち込みにより形成されている。なお、Ｐが導入さ
れなかった部分がチャネル領域１４１ｃとなっている。
更に回路素子部１４には、下地保護膜２ｃ及び半導体膜
１４１を覆う透明なゲート絶縁膜１４２が形成され、ゲ
ート絶縁膜１４２上にはＡｌ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ等
からなるゲート電極１４３（走査線１０１）が形成さ
れ、ゲート電極１４３及びゲート絶縁膜１４２上には透
明な第１層間絶縁膜１４４ａと第２層間絶縁膜１４４ｂ
が形成されている。ゲート電極１４３は半導体膜１４１
のチャネル領域１４１ｃに対応する位置に設けられてい
る。また、第１、第２層間絶縁膜１４４ａ、１４４ｂを
貫通して、半導体膜１４１のソース、ドレイン領域１４
１ａ、１４１ｂにそれぞれ接続されるコンタクトホール
１４５，１４６が形成されている。そして、第２層間絶
縁膜１４４ｂ上には、ＩＴＯ等からなる透明な画素電極
１１１が所定の形状にパターニングされて形成され、一
方のコンタクトホール１４５がこの画素電極１１１に接
続されている。また、もう一方のコンタクトホール１４
６が電源線１０３に接続されている。このようにして、
回路素子部１４には、各画素電極１１１に接続された駆
動用の薄膜トランジスタ１２３が形成されている。尚、
回路素子部１４には、前述した保持容量cap及びスイッ
チング用の薄膜トランジスタ１４２も形成されている
が、図３ではこれらの図示を省略している。
【００３９】次に図３に示すように、発光素子部１１
は、複数の画素電極１１１…上の各々に積層された機能
層１１０と、各画素電極１１１及び機能層１１０の間に
備えられて各機能層１１０を区画するバンク部１１２と
を主体として構成されている。機能層１１０上には陰極
１２が配置されている。これら画素電極１１１、機能層
１１０及び陰極１２によって発光素子が構成されてい
る。ここで、画素電極１１１は、例えばＩＴＯにより形
成されてなり、平面視略矩形にパターニングされて形成
されている。この画素電極１１１の厚さは、例えば５０
〜２００ｎｍの範囲が好ましく、特に１５０ｎｍ程度が
よい。この各画素電極１１１…の間にバンク部１１２が
備えられている。
は、複数の画素電極１１１…上の各々に積層された機能
層１１０と、各画素電極１１１及び機能層１１０の間に
備えられて各機能層１１０を区画するバンク部１１２と
を主体として構成されている。機能層１１０上には陰極
１２が配置されている。これら画素電極１１１、機能層
１１０及び陰極１２によって発光素子が構成されてい
る。ここで、画素電極１１１は、例えばＩＴＯにより形
成されてなり、平面視略矩形にパターニングされて形成
されている。この画素電極１１１の厚さは、例えば５０
〜２００ｎｍの範囲が好ましく、特に１５０ｎｍ程度が
よい。この各画素電極１１１…の間にバンク部１１２が
備えられている。
【００４０】バンク部１１２は、図３に示すように、基
板２側に位置する無機物バンク層１１２ａ（第１バンク
層）と基板２から離れて位置する有機物バンク層１１２
ｂ（第２バンク層）とが積層されて構成されている。
板２側に位置する無機物バンク層１１２ａ（第１バンク
層）と基板２から離れて位置する有機物バンク層１１２
ｂ（第２バンク層）とが積層されて構成されている。
【００４１】無機物、有機物バンク層１１２ａ、１１２
ｂは、画素電極１１１の周縁部上に乗上げるように形成
されている。平面的には、画素電極１１１の周囲と無機
物バンク層１１２ａとが平面的に重なるように配置され
た構造となっている。また、有機物バンク層１１２ｂも
同様であり、画素電極１１１の一部と平面的に重なるよ
うに配置されている。また無機物バンク層１１２ａは、
有機物バンク層１１２ｂよりも画素電極１１１の中央側
に更に形成されている。このようにして、無機物バンク
層１１２ａの各第１積層部１１２ｅが画素電極１１１の
内側に形成されることにより、画素電極１１１の形成位
置に対応する下部開口部１１２ｃが設けられている。ま
た、有機物バンク層１１２ｂには、上部開口部１１２ｄ
が形成されている。この上部開口部１１２ｄは、画素電
極１１１の形成位置及び下部開口部１１２ｃに対応する
ように設けられている。上部開口部１１２ｄは、図３に
示すように、下部開口部１１２ｃより広く、画素電極１
１１より狭く形成されている。また、上部開口部１１２
ｄの上部の位置と、画素電極１１１の端部とがほぼ同じ
位置になるように形成される場合もある。この場合は、
図３に示すように、有機物バンク層１１２ｂの上部開口
部１１２ｄの断面が傾斜する形状となる。そしてバンク
部１１２には、下部開口部１１２ｃ及び上部開口部１１
２ｄが連通することにより、無機物バンク層１１２ａ及
び有機物バンク層１１２ｂを貫通する開口部１１２ｇが
形成されている。
ｂは、画素電極１１１の周縁部上に乗上げるように形成
されている。平面的には、画素電極１１１の周囲と無機
物バンク層１１２ａとが平面的に重なるように配置され
た構造となっている。また、有機物バンク層１１２ｂも
同様であり、画素電極１１１の一部と平面的に重なるよ
うに配置されている。また無機物バンク層１１２ａは、
有機物バンク層１１２ｂよりも画素電極１１１の中央側
に更に形成されている。このようにして、無機物バンク
層１１２ａの各第１積層部１１２ｅが画素電極１１１の
内側に形成されることにより、画素電極１１１の形成位
置に対応する下部開口部１１２ｃが設けられている。ま
た、有機物バンク層１１２ｂには、上部開口部１１２ｄ
が形成されている。この上部開口部１１２ｄは、画素電
極１１１の形成位置及び下部開口部１１２ｃに対応する
ように設けられている。上部開口部１１２ｄは、図３に
示すように、下部開口部１１２ｃより広く、画素電極１
１１より狭く形成されている。また、上部開口部１１２
ｄの上部の位置と、画素電極１１１の端部とがほぼ同じ
位置になるように形成される場合もある。この場合は、
図３に示すように、有機物バンク層１１２ｂの上部開口
部１１２ｄの断面が傾斜する形状となる。そしてバンク
部１１２には、下部開口部１１２ｃ及び上部開口部１１
２ｄが連通することにより、無機物バンク層１１２ａ及
び有機物バンク層１１２ｂを貫通する開口部１１２ｇが
形成されている。
【００４２】また、無機物バンク層１１２ａは、例え
ば、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2等の無機材料からなるこ
とが好ましい。この無機物バンク層１１２ａの膜厚は、
例えば５０〜２００ｎｍの範囲が好ましく、特に１５０
ｎｍがよい。膜厚が５０ｎｍ未満では、無機物バンク層
１１２ａが後述する正孔注入／輸送層より薄くなり、正
孔注入／輸送層の平坦性を確保できなくなるので好まし
くない。また膜厚が２００ｎｍを越えると、下部開口部
１１２ｃによる段差が大きくなって、正孔注入／輸送層
上に積層する後述の発光層の平坦性を確保できなくなる
ので好ましくない。
ば、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2等の無機材料からなるこ
とが好ましい。この無機物バンク層１１２ａの膜厚は、
例えば５０〜２００ｎｍの範囲が好ましく、特に１５０
ｎｍがよい。膜厚が５０ｎｍ未満では、無機物バンク層
１１２ａが後述する正孔注入／輸送層より薄くなり、正
孔注入／輸送層の平坦性を確保できなくなるので好まし
くない。また膜厚が２００ｎｍを越えると、下部開口部
１１２ｃによる段差が大きくなって、正孔注入／輸送層
上に積層する後述の発光層の平坦性を確保できなくなる
ので好ましくない。
【００４３】更に、有機物バンク層１１２ｂは、アクリ
ル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶媒性に優れた
レジストから形成されている。この有機物バンク層１１
２ｂの厚さは、例えば０．１〜３．５μｍの範囲が好ま
しく、特に２μｍ程度がよい。厚さが０．１μｍ未満で
は、後述する正孔注入／輸送層及び発光層の合計厚より
有機物バンク層１１２ｂが薄くなり、発光層が上部開口
部１１２ｄから溢れるおそれがあるので好ましくない。
また、厚さが３．５μｍを越えると、上部開口部１１２
ｄによる段差が大きくなり、有機物バンク層１１２ｂ上
に形成する陰極１２のステップカバレッジを確保できな
くなるので好ましくない。また、有機物バンク層１１２
ｂの厚さを２μｍ以上にすれば、駆動用の薄膜トランジ
スタ１２３との絶縁を高めることができる点でより好ま
しい。
ル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶媒性に優れた
レジストから形成されている。この有機物バンク層１１
２ｂの厚さは、例えば０．１〜３．５μｍの範囲が好ま
しく、特に２μｍ程度がよい。厚さが０．１μｍ未満で
は、後述する正孔注入／輸送層及び発光層の合計厚より
有機物バンク層１１２ｂが薄くなり、発光層が上部開口
部１１２ｄから溢れるおそれがあるので好ましくない。
また、厚さが３．５μｍを越えると、上部開口部１１２
ｄによる段差が大きくなり、有機物バンク層１１２ｂ上
に形成する陰極１２のステップカバレッジを確保できな
くなるので好ましくない。また、有機物バンク層１１２
ｂの厚さを２μｍ以上にすれば、駆動用の薄膜トランジ
スタ１２３との絶縁を高めることができる点でより好ま
しい。
【００４４】また、バンク部１１２には、親液性を示す
領域と、撥液性を示す領域が形成されている。親液性を
示す領域は、無機物バンク層１１２ａの第１積層部１１
２ｅ及び画素電極１１１の電極面１１１ａであり、これ
らの領域は、酸素を処理ガスとするプラズマ処理によっ
て親液性に表面処理されている。また、撥液性を示す領
域は、上部開口部１１２ｄの壁面及び有機物バンク層１
１２の上面１１２ｆであり、これらの領域は、４フッ化
メタンを処理ガスとするプラズマ処理によって表面がフ
ッ化処理（撥液性に処理）されている。
領域と、撥液性を示す領域が形成されている。親液性を
示す領域は、無機物バンク層１１２ａの第１積層部１１
２ｅ及び画素電極１１１の電極面１１１ａであり、これ
らの領域は、酸素を処理ガスとするプラズマ処理によっ
て親液性に表面処理されている。また、撥液性を示す領
域は、上部開口部１１２ｄの壁面及び有機物バンク層１
１２の上面１１２ｆであり、これらの領域は、４フッ化
メタンを処理ガスとするプラズマ処理によって表面がフ
ッ化処理（撥液性に処理）されている。
【００４５】次に図３に示すように、機能層１１０は、
画素電極１１１上に積層された正孔注入／輸送層１１０
ａと、正孔注入／輸送層１１０ａ上に隣接して形成され
た発光層１１０ｂとから構成されている。なお、発光層
１１０ｂに隣接してその他の機能を有する他の機能層を
更に形成しても良い。例えば、電子輸送層を形成する事
も可能である。正孔注入／輸送層１１０ａは、正孔を発
光層１１０ｂに注入する機能を有するとともに、正孔を
正孔注入／輸送層１１０ａ内部において輸送する機能を
有する。このような正孔注入／輸送層１１０ａを画素電
極１１１と発光層１１０ｂの間に設けることにより、発
光層１１０ｂの発光効率、寿命等の素子特性が向上す
る。また、発光層１１０ｂでは、正孔注入／輸送層１１
０ａから注入された正孔と、陰極１２から注入される電
子が発光層で再結合し、発光が行われる。
画素電極１１１上に積層された正孔注入／輸送層１１０
ａと、正孔注入／輸送層１１０ａ上に隣接して形成され
た発光層１１０ｂとから構成されている。なお、発光層
１１０ｂに隣接してその他の機能を有する他の機能層を
更に形成しても良い。例えば、電子輸送層を形成する事
も可能である。正孔注入／輸送層１１０ａは、正孔を発
光層１１０ｂに注入する機能を有するとともに、正孔を
正孔注入／輸送層１１０ａ内部において輸送する機能を
有する。このような正孔注入／輸送層１１０ａを画素電
極１１１と発光層１１０ｂの間に設けることにより、発
光層１１０ｂの発光効率、寿命等の素子特性が向上す
る。また、発光層１１０ｂでは、正孔注入／輸送層１１
０ａから注入された正孔と、陰極１２から注入される電
子が発光層で再結合し、発光が行われる。
【００４６】正孔注入／輸送層１１０ａは、下部開口部
１１２ｃ内に位置して画素電極面１１１ａ上に形成され
る平坦部１１０ａ1と、上部開口部１１２ｄ内に位置し
て無機物バンク層の第１積層部１１２ｅ上に形成される
周縁部１１０ａ2から構成されている。また、正孔注入
／輸送層１１０ａは、構造によっては、画素電極１１１
上であって、且つ無機物バンク層１１０ａの間（下部開
口部１１０ｃ）にのみ形成されている（前述に記載した
平坦部にのみ形成される形態もある）。この平坦部１１
０ａ1は、その厚さがほぼ一定で、例えば５０〜７０ｎ
ｍの範囲に形成される。周縁部１１０ａ2が形成される
場合においては、周縁部１１０ａ2は、無機物バンク層
の第１積層部１１２ｅ上に位置するとともに上部開口部
１１２ｄの壁面、即ち有機物バンク層１１２ｂに接して
いる。また、周縁部１１０ａ2の厚さは、電極面１１１
ａに近い側で薄く、電極面１１１ａから離れる方向に沿
って増大し、下部開口部１１２ｄの壁面近くで最も厚く
なっている。周縁部１１０ａ2が上記の様な形状を示す
理由としては、正孔注入／輸送層１１０ａが、正孔注入
／輸送層形成材料及び極性溶媒を含む第１組成物（組成
物）を開口部１１２内に吐出してから極性溶媒を除去し
て形成されたものであり、極性溶媒の揮発が主に無機物
バンク層の第１積層部１１２ｅ上で起こり、正孔注入／
輸送層形成材料がこの第１積層部１１２ｅ上に集中的に
濃縮・析出されたためである。
１１２ｃ内に位置して画素電極面１１１ａ上に形成され
る平坦部１１０ａ1と、上部開口部１１２ｄ内に位置し
て無機物バンク層の第１積層部１１２ｅ上に形成される
周縁部１１０ａ2から構成されている。また、正孔注入
／輸送層１１０ａは、構造によっては、画素電極１１１
上であって、且つ無機物バンク層１１０ａの間（下部開
口部１１０ｃ）にのみ形成されている（前述に記載した
平坦部にのみ形成される形態もある）。この平坦部１１
０ａ1は、その厚さがほぼ一定で、例えば５０〜７０ｎ
ｍの範囲に形成される。周縁部１１０ａ2が形成される
場合においては、周縁部１１０ａ2は、無機物バンク層
の第１積層部１１２ｅ上に位置するとともに上部開口部
１１２ｄの壁面、即ち有機物バンク層１１２ｂに接して
いる。また、周縁部１１０ａ2の厚さは、電極面１１１
ａに近い側で薄く、電極面１１１ａから離れる方向に沿
って増大し、下部開口部１１２ｄの壁面近くで最も厚く
なっている。周縁部１１０ａ2が上記の様な形状を示す
理由としては、正孔注入／輸送層１１０ａが、正孔注入
／輸送層形成材料及び極性溶媒を含む第１組成物（組成
物）を開口部１１２内に吐出してから極性溶媒を除去し
て形成されたものであり、極性溶媒の揮発が主に無機物
バンク層の第１積層部１１２ｅ上で起こり、正孔注入／
輸送層形成材料がこの第１積層部１１２ｅ上に集中的に
濃縮・析出されたためである。
【００４７】また発光層１１０ｂは、正孔注入／輸送層
１１０ａの平坦部１１０ａ1及び周縁部１１０ａ2上に渡
って形成されており、平坦部１１２ａ1上での厚さが例
えば５０〜８０ｎｍの範囲とされている。発光層１１０
ｂは、赤色（Ｒ）に発光する赤色発光層１１０ｂ1、緑
色（Ｇ）に発光する緑色発光層１１０ｂ2、及び青色
（Ｂ）に発光する青色発光層１１０ｂ3、の３種類を有
し、各発光層１１０ｂ1〜１１０ｂ3がストライプ配置さ
れている。
１１０ａの平坦部１１０ａ1及び周縁部１１０ａ2上に渡
って形成されており、平坦部１１２ａ1上での厚さが例
えば５０〜８０ｎｍの範囲とされている。発光層１１０
ｂは、赤色（Ｒ）に発光する赤色発光層１１０ｂ1、緑
色（Ｇ）に発光する緑色発光層１１０ｂ2、及び青色
（Ｂ）に発光する青色発光層１１０ｂ3、の３種類を有
し、各発光層１１０ｂ1〜１１０ｂ3がストライプ配置さ
れている。
【００４８】上記のように、正孔注入／輸送層１１０ａ
の周縁部１１０ａ2が上部開口部１１２ｄの壁面（有機
物バンク層１１２ｂ）に接しているので、発光層１１０
ｂが有機物バンク層１１２ｂに直接に接することがな
い。従って、有機物バンク層１１２ｂに不純物として含
まれる水が発光層１１０ｂ側に移行するのを、周縁部１
１０ａ2によって阻止することができ、水による発光層
１１０ｂの酸化を防止できる。また、無機物バンク層の
第１積層部１１２ｅ上に不均一な厚さの周縁部１１０ａ
2が形成されるため、周縁部１１０ａ2が第１積層部１１
２ｅによって画素電極１１１から絶縁された状態とな
り、周縁部１１０ａ2から発光層１１０ｂに正孔が注入
されることがない。これにより、画素電極１１１からの
電流が平坦部１１２ａ1のみに流れ、正孔を平坦部１１
２ａ1から発光層１１０ｂに均一に輸送させることがで
き、発光層１１０ｂの中央部分のみを発光させることが
できるとともに、発光層１１０ｂにおける発光量を一定
にすることができる。また、無機物バンク層１１２ａが
有機物バンク層１１２ｂよりも画素電極１１１の中央側
に更に延出されているので、この無機物バンク層１１２
ａによって画素電極１１１と平坦部１１０ａ1との接合
部分の形状をトリミングすることができ、各発光層１１
０ｂ間の発光強度のばらつきを抑えることができる。
の周縁部１１０ａ2が上部開口部１１２ｄの壁面（有機
物バンク層１１２ｂ）に接しているので、発光層１１０
ｂが有機物バンク層１１２ｂに直接に接することがな
い。従って、有機物バンク層１１２ｂに不純物として含
まれる水が発光層１１０ｂ側に移行するのを、周縁部１
１０ａ2によって阻止することができ、水による発光層
１１０ｂの酸化を防止できる。また、無機物バンク層の
第１積層部１１２ｅ上に不均一な厚さの周縁部１１０ａ
2が形成されるため、周縁部１１０ａ2が第１積層部１１
２ｅによって画素電極１１１から絶縁された状態とな
り、周縁部１１０ａ2から発光層１１０ｂに正孔が注入
されることがない。これにより、画素電極１１１からの
電流が平坦部１１２ａ1のみに流れ、正孔を平坦部１１
２ａ1から発光層１１０ｂに均一に輸送させることがで
き、発光層１１０ｂの中央部分のみを発光させることが
できるとともに、発光層１１０ｂにおける発光量を一定
にすることができる。また、無機物バンク層１１２ａが
有機物バンク層１１２ｂよりも画素電極１１１の中央側
に更に延出されているので、この無機物バンク層１１２
ａによって画素電極１１１と平坦部１１０ａ1との接合
部分の形状をトリミングすることができ、各発光層１１
０ｂ間の発光強度のばらつきを抑えることができる。
【００４９】更に、画素電極１１１の電極面１１１ａ及
び無機物バンク層の第１積層部１１２ｅが親液性を示す
ので、機能層１１０が画素電極１１１及び無機物バンク
層１１２ａに均一に密着し、無機物バンク１１２ａ上で
機能層１１０が極端に薄くならず、画素電極１１１と陰
極１２との短絡を防止できる。また、有機物バンク層１
１２ｂの上面１１２ｆ及び上部開口部１１２ｄ壁面が撥
液性を示すので、機能層１１０と有機物バンク層１１２
ｂとの密着性が低くなり、機能層１１０が開口部１１２
ｇから溢れて形成されることがない。
び無機物バンク層の第１積層部１１２ｅが親液性を示す
ので、機能層１１０が画素電極１１１及び無機物バンク
層１１２ａに均一に密着し、無機物バンク１１２ａ上で
機能層１１０が極端に薄くならず、画素電極１１１と陰
極１２との短絡を防止できる。また、有機物バンク層１
１２ｂの上面１１２ｆ及び上部開口部１１２ｄ壁面が撥
液性を示すので、機能層１１０と有機物バンク層１１２
ｂとの密着性が低くなり、機能層１１０が開口部１１２
ｇから溢れて形成されることがない。
【００５０】尚、正孔注入／輸送層形成材料としては、
例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン等のポリチオ
フェン誘導体とポリスチレンスルホン酸等の混合物を用
いることができる。また、発光層１１０ｂの材料として
は、例えば、［化１］〜［化５］に示す（ポリ）パラフ
ェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリ
フルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオ
フェン誘導体、ペリレン係色素、クマリン系色素、ロー
ダミン系色素、またはこれらの高分子材料にルブレン、
ペリレン、９，１０-ジフェニルアントラセン、テトラ
フェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナ
クリドン等をドープして用いることができる。
例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン等のポリチオ
フェン誘導体とポリスチレンスルホン酸等の混合物を用
いることができる。また、発光層１１０ｂの材料として
は、例えば、［化１］〜［化５］に示す（ポリ）パラフ
ェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリ
フルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオ
フェン誘導体、ペリレン係色素、クマリン系色素、ロー
ダミン系色素、またはこれらの高分子材料にルブレン、
ペリレン、９，１０-ジフェニルアントラセン、テトラ
フェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナ
クリドン等をドープして用いることができる。
【００５１】
【化１】
【００５２】
【化２】
【００５３】
【化３】
【００５４】
【化４】
【００５５】
【化５】
【００５６】次に陰極１２は、発光素子部１１の全面に
形成されており、画素電極１１１と対になって機能層１
１０に電流を流す役割を果たす。この陰極１２は、例え
ば、カルシウム層とアルミニウム層とが積層されて構成
されている。このとき、発光層に近い側の陰極には仕事
関数が低いものを設けることが好ましく、特にこの形態
においては発光層１１０ｂに直接に接して発光層１１０
ｂに電子を注入する役割を果たす。また、フッ化リチウ
ムは発光層の材料によっては効率よく発光させるため
に、発光層１１０と陰極１２との間にＬｉＦを形成する
場合もある。尚、赤色及び緑色の発光層１１０ｂ1、１
１１０ｂ2にはフッ化リチウムに限らず、他の材料を用
いても良い。従ってこの場合は青色（Ｂ）発光層１１０
ｂ3のみにフッ化リチウムからなる層を形成し、他の赤
色及び緑色の発光層１１０ｂ1、１１０ｂ2にはフッ化リ
チウム以外のものを積層しても良い。また、赤色及び緑
色の発光層１１０ｂ1、１１０ｂ2上にはフッ化リチウム
を形成せず、カルシウムのみを形成しても良い。尚、フ
ッ化リチウムの厚さは、例えば２〜５ｎｍの範囲が好ま
しく、特に２ｎｍ程度がよい。またカルシウムの厚さ
は、例えば２〜５０ｎｍの範囲が好ましく、特に２０ｎ
ｍ程度がよい。また、陰極１２を形成するアルミニウム
は、発光層１１０ｂから発した光を基板２側に反射させ
るもので、Ａｌ膜の他、Ａｇ膜、ＡｌとＡｇの積層膜等
からなることが好ましい。また、その厚さは、例えば１
００〜１０００ｎｍの範囲が好ましく、特に２００ｎｍ
程度がよい。更にアルミニウム上にＳｉＯ、ＳｉＯ2、
ＳｉＮ等からなる酸化防止用の保護層を設けても良い。
尚、このように形成した発光素子上に封止缶６０４を配
置する。図２（ｂ）に示すように、封止缶６０４を封止
樹脂６０３により接着し、表示装置１を形成する。
形成されており、画素電極１１１と対になって機能層１
１０に電流を流す役割を果たす。この陰極１２は、例え
ば、カルシウム層とアルミニウム層とが積層されて構成
されている。このとき、発光層に近い側の陰極には仕事
関数が低いものを設けることが好ましく、特にこの形態
においては発光層１１０ｂに直接に接して発光層１１０
ｂに電子を注入する役割を果たす。また、フッ化リチウ
ムは発光層の材料によっては効率よく発光させるため
に、発光層１１０と陰極１２との間にＬｉＦを形成する
場合もある。尚、赤色及び緑色の発光層１１０ｂ1、１
１１０ｂ2にはフッ化リチウムに限らず、他の材料を用
いても良い。従ってこの場合は青色（Ｂ）発光層１１０
ｂ3のみにフッ化リチウムからなる層を形成し、他の赤
色及び緑色の発光層１１０ｂ1、１１０ｂ2にはフッ化リ
チウム以外のものを積層しても良い。また、赤色及び緑
色の発光層１１０ｂ1、１１０ｂ2上にはフッ化リチウム
を形成せず、カルシウムのみを形成しても良い。尚、フ
ッ化リチウムの厚さは、例えば２〜５ｎｍの範囲が好ま
しく、特に２ｎｍ程度がよい。またカルシウムの厚さ
は、例えば２〜５０ｎｍの範囲が好ましく、特に２０ｎ
ｍ程度がよい。また、陰極１２を形成するアルミニウム
は、発光層１１０ｂから発した光を基板２側に反射させ
るもので、Ａｌ膜の他、Ａｇ膜、ＡｌとＡｇの積層膜等
からなることが好ましい。また、その厚さは、例えば１
００〜１０００ｎｍの範囲が好ましく、特に２００ｎｍ
程度がよい。更にアルミニウム上にＳｉＯ、ＳｉＯ2、
ＳｉＮ等からなる酸化防止用の保護層を設けても良い。
尚、このように形成した発光素子上に封止缶６０４を配
置する。図２（ｂ）に示すように、封止缶６０４を封止
樹脂６０３により接着し、表示装置１を形成する。
【００５７】次に、本実施形態の表示装置の製造方法を
図面を参照して説明する。本実施形態の表示装置１の製
造方法は、例えば、(1)バンク部形成工程、(2)プラズマ
処理工程、(3)正孔注入／輸送層形成工程（第１液滴吐
出工程を含む）、(4)発光層形成工程（第２液滴吐出工
程を含む）、(5)対向電極形成工程、及び(6)封止工程と
を具備して構成されている。なお、製造方法はこれに限
られるものではなく必要に応じてその他の工程が除かれ
る場合、また追加される場合もある。
図面を参照して説明する。本実施形態の表示装置１の製
造方法は、例えば、(1)バンク部形成工程、(2)プラズマ
処理工程、(3)正孔注入／輸送層形成工程（第１液滴吐
出工程を含む）、(4)発光層形成工程（第２液滴吐出工
程を含む）、(5)対向電極形成工程、及び(6)封止工程と
を具備して構成されている。なお、製造方法はこれに限
られるものではなく必要に応じてその他の工程が除かれ
る場合、また追加される場合もある。
【００５８】(1)バンク部形成工程
バンク部形成工程では、基板２の所定の位置にバンク部
１１２を形成する工程である。バンク部１１２は、第１
のバンク層として無機物バンク層１１２ａが形成されて
なり、第２のバンク層として有機物バンク層１１２ｂが
形成された構造である。以下に形成方法について説明す
る。
１１２を形成する工程である。バンク部１１２は、第１
のバンク層として無機物バンク層１１２ａが形成されて
なり、第２のバンク層として有機物バンク層１１２ｂが
形成された構造である。以下に形成方法について説明す
る。
【００５９】(1)-1 無機物バンク層の形成
まず、図４に示すように、基板上の所定の位置に無機物
バンク層１１２ａを形成する。無機物バンク層１１２ａ
が形成される位置は、第２層間絶縁膜１４４ｂ上及び電
極(ここでは画素電極)１１１上である。なお、第２層間
絶縁膜１４４ｂは薄膜トランジスタ、走査線、信号線、
等が配置された回路素子部１４上に形成されている。無
機物バンク層１１２ａは、例えば、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2等
の無機物膜を材料として用いることができる。これらの
材料は、例えばＣＶＤ法、コート法、スパッタ法、蒸着
法等によって形成される。更に、無機物バンク層１１２
ａの膜厚は５０〜２００ｎｍの範囲が好ましく、特に１
５０ｎｍがよい。無機物バンク層１１２は、層間絶縁層
１４４及び画素電極１１１の全面に無機物膜を形成し、
その後無機物膜をフォトリソグラフィ法等によりパター
ニングすることにより、開口部を有する無機物バンク層
１１２が形成される。開口部は、画素電極１１１の電極
面１１１ａの形成位置に対応するもので、図４に示すよ
うに下部開口部１１２ｃとして設けられる。このとき、
無機物バンク層１１２ａは画素電極１１１の周縁部と重
なるように形成される。図４に示すように、画素電極１
１１の周縁部と無機物バンク層１１２ａとが重なるよう
に無機物バンク層１１２ａを形成することにより、発光
層１１０の発光領域を制御することができる。
バンク層１１２ａを形成する。無機物バンク層１１２ａ
が形成される位置は、第２層間絶縁膜１４４ｂ上及び電
極(ここでは画素電極)１１１上である。なお、第２層間
絶縁膜１４４ｂは薄膜トランジスタ、走査線、信号線、
等が配置された回路素子部１４上に形成されている。無
機物バンク層１１２ａは、例えば、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2等
の無機物膜を材料として用いることができる。これらの
材料は、例えばＣＶＤ法、コート法、スパッタ法、蒸着
法等によって形成される。更に、無機物バンク層１１２
ａの膜厚は５０〜２００ｎｍの範囲が好ましく、特に１
５０ｎｍがよい。無機物バンク層１１２は、層間絶縁層
１４４及び画素電極１１１の全面に無機物膜を形成し、
その後無機物膜をフォトリソグラフィ法等によりパター
ニングすることにより、開口部を有する無機物バンク層
１１２が形成される。開口部は、画素電極１１１の電極
面１１１ａの形成位置に対応するもので、図４に示すよ
うに下部開口部１１２ｃとして設けられる。このとき、
無機物バンク層１１２ａは画素電極１１１の周縁部と重
なるように形成される。図４に示すように、画素電極１
１１の周縁部と無機物バンク層１１２ａとが重なるよう
に無機物バンク層１１２ａを形成することにより、発光
層１１０の発光領域を制御することができる。
【００６０】(1)-2 有機物バンク層１１２ｂの形成
次に、第２のバンク層としての有機物バンク層１１２ｂ
を形成する。図５に示すように、無機物バンク層１１２
ａ上に有機物バンク層１１２ｂを形成する。有機物バン
ク層１１２ｂとして、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等
の耐熱性、耐溶剤性を有する材料を用いる。これらの材
料を用い、有機物バンク層１１２ｂをフォトリソグラフ
ィ技術等によりパターニングして形成される。なお、パ
ターニングする際、有機物バンク層１１２ｂに上部開口
部１１２ｄを形成する。上部開口部１１２ｄは、電極面
１１１ａ及び下部開口部１１２ｃに対応する位置に設け
られる。上部開口部１１２ｄは、図５に示すように、無
機物バンク層１１２ａに形成された下部開口部１１２ｃ
より広く形成する事が好ましい。更に、有機物バンク層
１１２ｂはテーパーを有する形状が好ましく、有機物バ
ンク層１１２ｂの最低面では画素電極１１１の幅より狭
く、有機物バンク層１１２ｂの最上面では画素電極１１
１の幅とほぼ同一の幅に形成する事が好ましい。これに
より、無機物バンク層１１２ａの下部開口部１１２ｃを
囲む第１積層部１１２ｅが、有機物バンク層１１２ｂよ
りも画素電極１１１の中央側に延出された形になる。こ
のようにして、有機物バンク層１１２ｂに形成された上
部開口部１１２ｄ、無機物バンク層１１２ａに形成され
た下部開口部１１２ｃを連通させることにより、無機物
バンク層１１２ａ及び有機物バンク層１１２ｂを貫通す
る開口部１１２ｇが形成される。
を形成する。図５に示すように、無機物バンク層１１２
ａ上に有機物バンク層１１２ｂを形成する。有機物バン
ク層１１２ｂとして、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等
の耐熱性、耐溶剤性を有する材料を用いる。これらの材
料を用い、有機物バンク層１１２ｂをフォトリソグラフ
ィ技術等によりパターニングして形成される。なお、パ
ターニングする際、有機物バンク層１１２ｂに上部開口
部１１２ｄを形成する。上部開口部１１２ｄは、電極面
１１１ａ及び下部開口部１１２ｃに対応する位置に設け
られる。上部開口部１１２ｄは、図５に示すように、無
機物バンク層１１２ａに形成された下部開口部１１２ｃ
より広く形成する事が好ましい。更に、有機物バンク層
１１２ｂはテーパーを有する形状が好ましく、有機物バ
ンク層１１２ｂの最低面では画素電極１１１の幅より狭
く、有機物バンク層１１２ｂの最上面では画素電極１１
１の幅とほぼ同一の幅に形成する事が好ましい。これに
より、無機物バンク層１１２ａの下部開口部１１２ｃを
囲む第１積層部１１２ｅが、有機物バンク層１１２ｂよ
りも画素電極１１１の中央側に延出された形になる。こ
のようにして、有機物バンク層１１２ｂに形成された上
部開口部１１２ｄ、無機物バンク層１１２ａに形成され
た下部開口部１１２ｃを連通させることにより、無機物
バンク層１１２ａ及び有機物バンク層１１２ｂを貫通す
る開口部１１２ｇが形成される。
【００６１】なお、有機物バンク層１１２ｂの厚さは、
０．１〜３．５μｍの範囲が好ましく、特に２μｍ程度
がよい。このような範囲とする理由は以下の通りであ
る。すなわち、厚さが０．１μｍ未満では、後述する正
孔注入／輸送層及び発光層の合計厚より有機物バンク層
１１２ｂが薄くなり、発光層１１０ｂが上部開口部１１
２ｄから溢れてしまうおそれがあるので好ましくない。
また、厚さが３．５μｍを越えると、上部開口部１１２
ｄによる段差が大きくなり、上部開口部１１２ｄにおけ
る陰極１２のステップカバレッジが確保できなくなるの
で好ましくない。また、有機物バンク層１１２ｂの厚さ
を２μｍ以上にすれば、陰極１２と駆動用の薄膜トラン
ジスタ１２３との絶縁を高めることができる点で好まし
い。
０．１〜３．５μｍの範囲が好ましく、特に２μｍ程度
がよい。このような範囲とする理由は以下の通りであ
る。すなわち、厚さが０．１μｍ未満では、後述する正
孔注入／輸送層及び発光層の合計厚より有機物バンク層
１１２ｂが薄くなり、発光層１１０ｂが上部開口部１１
２ｄから溢れてしまうおそれがあるので好ましくない。
また、厚さが３．５μｍを越えると、上部開口部１１２
ｄによる段差が大きくなり、上部開口部１１２ｄにおけ
る陰極１２のステップカバレッジが確保できなくなるの
で好ましくない。また、有機物バンク層１１２ｂの厚さ
を２μｍ以上にすれば、陰極１２と駆動用の薄膜トラン
ジスタ１２３との絶縁を高めることができる点で好まし
い。
【００６２】(2)プラズマ処理工程
次にプラズマ処理工程では、画素電極１１１の表面を活
性化すること、更にバンク部１１２の表面を表面処理す
る事を目的として行われる。特に活性化工程では、画素
電極１１１（ＩＴＯ）上の洗浄、更に仕事関数の調整を
主な目的として行っている。更に、画素電極１１１の表
面の親液化処理、バンク部１１２表面の撥液化処理を行
う。
性化すること、更にバンク部１１２の表面を表面処理す
る事を目的として行われる。特に活性化工程では、画素
電極１１１（ＩＴＯ）上の洗浄、更に仕事関数の調整を
主な目的として行っている。更に、画素電極１１１の表
面の親液化処理、バンク部１１２表面の撥液化処理を行
う。
【００６３】このプラズマ処理工程は、例えば(2)-1予
備加熱工程、(2)-2活性化処理工程（親液性にする親液
化工程）、(2)-3撥液化処理工程、及び(2)-4冷却工程と
に大別される。なお、このような工程に限られるもので
はなく、必要に応じて工程を削減、更なる工程追加も行
われる。
備加熱工程、(2)-2活性化処理工程（親液性にする親液
化工程）、(2)-3撥液化処理工程、及び(2)-4冷却工程と
に大別される。なお、このような工程に限られるもので
はなく、必要に応じて工程を削減、更なる工程追加も行
われる。
【００６４】まず、図６は、プラズマ処理工程で用いら
れるプラズマ処理装置を示す。図６に示すプラズマ処理
装置５０は、予備加熱処理室５１、第１プラズマ処理室
５２、第２プラズマ処理室５３、冷却処理室５４、これ
らの各処理室５１〜５４に基板２を搬送する搬送装置５
５とから構成されている。各処理室５１〜５４は、搬送
装置５５を中心として放射状に配置されている。
れるプラズマ処理装置を示す。図６に示すプラズマ処理
装置５０は、予備加熱処理室５１、第１プラズマ処理室
５２、第２プラズマ処理室５３、冷却処理室５４、これ
らの各処理室５１〜５４に基板２を搬送する搬送装置５
５とから構成されている。各処理室５１〜５４は、搬送
装置５５を中心として放射状に配置されている。
【００６５】まず、これらの装置を用いた概略の工程を
説明する。予備加熱工程は、図６に示す予備加熱処理室
５１において行われる。そしてこの処理室５１により、
バンク部形成工程から搬送された基板２を所定の温度に
加熱する。予備加熱工程の後、親液化工程及び撥液化処
理工程を行う。すなわち、基板は第１，第２プラズマ処
理室５２，５３に順次搬送され、それぞれの処理室５
２，５３においてバンク部１１２にプラズマ処理を行い
親液化する。この親液化処理後に撥液化処理を行う。撥
液化処理の後に基板を冷却処理室に搬送し、冷却処理室
５４おいて基板を室温まで冷却する。この冷却工程後、
搬送装置により次の工程である正孔注入／輸送層形成工
程に基板を搬送する。
説明する。予備加熱工程は、図６に示す予備加熱処理室
５１において行われる。そしてこの処理室５１により、
バンク部形成工程から搬送された基板２を所定の温度に
加熱する。予備加熱工程の後、親液化工程及び撥液化処
理工程を行う。すなわち、基板は第１，第２プラズマ処
理室５２，５３に順次搬送され、それぞれの処理室５
２，５３においてバンク部１１２にプラズマ処理を行い
親液化する。この親液化処理後に撥液化処理を行う。撥
液化処理の後に基板を冷却処理室に搬送し、冷却処理室
５４おいて基板を室温まで冷却する。この冷却工程後、
搬送装置により次の工程である正孔注入／輸送層形成工
程に基板を搬送する。
【００６６】以下に、それぞれの工程について詳細に説
明する。 (2)-1 予備加熱工程 予備加熱工程は予備加熱処理室５１により行う。この処
理室５１において、バンク部１１２を含む基板２を所定
の温度まで加熱する。基板２の加熱方法は、例えば処理
室５１内にて基板２を載せるステージにヒータを取り付
け、このヒータで当該ステージごと基板２を加熱する手
段がとられている。なお、これ以外の方法を採用するこ
とも可能である。予備加熱処理室５１において、例えば
７０℃〜８０℃の範囲に基板２を加熱する。この温度は
次工程であるプラズマ処理における処理温度であり、次
の工程に合わせて基板２を事前に加熱し、基板２の温度
ばらつきを解消することを目的としている。仮に予備加
熱工程を加えなければ、基板２は室温から上記のような
温度に加熱されることになり、工程開始から工程終了ま
でのプラズマ処理工程中において温度が常に変動しなが
ら処理される事になる。したがって、基板温度が変化し
ながらプラズマ処理を行うことは、特性の不均一につな
がる可能性がある。したがって、処理条件を一定に保
ち、均一な特性を得るために予備加熱を行うのである。
明する。 (2)-1 予備加熱工程 予備加熱工程は予備加熱処理室５１により行う。この処
理室５１において、バンク部１１２を含む基板２を所定
の温度まで加熱する。基板２の加熱方法は、例えば処理
室５１内にて基板２を載せるステージにヒータを取り付
け、このヒータで当該ステージごと基板２を加熱する手
段がとられている。なお、これ以外の方法を採用するこ
とも可能である。予備加熱処理室５１において、例えば
７０℃〜８０℃の範囲に基板２を加熱する。この温度は
次工程であるプラズマ処理における処理温度であり、次
の工程に合わせて基板２を事前に加熱し、基板２の温度
ばらつきを解消することを目的としている。仮に予備加
熱工程を加えなければ、基板２は室温から上記のような
温度に加熱されることになり、工程開始から工程終了ま
でのプラズマ処理工程中において温度が常に変動しなが
ら処理される事になる。したがって、基板温度が変化し
ながらプラズマ処理を行うことは、特性の不均一につな
がる可能性がある。したがって、処理条件を一定に保
ち、均一な特性を得るために予備加熱を行うのである。
【００６７】そこで、プラズマ処理工程においては、第
１，第２プラズマ処理装置５２，５３内の試料ステージ
上に基板２を載置した状態で親液化工程または撥液化工
程を行う場合に、予備加熱温度を、親液化工程または撥
液化工程を連続して行う試料ステージ５６の温度にほぼ
一致させることが好ましい。そこで、第１，第２プラズ
マ処理装置５２，５３内の試料ステージが上昇する温
度、例えば７０〜８０℃まで予め基板２を予備加熱する
ことにより、多数の基板にプラズマ処理を連続的に行っ
た場合でも、処理開始直後と処理終了直前でのプラズマ
処理条件をほぼ一定にすることができる。これにより、
基板２間の表面処理条件を同一にし、バンク部１１２の
組成物に対する濡れ性を均一化することができ、一定の
品質を有する表示装置を製造することができる。また、
基板２を予め予備加熱しておくことにより、後のプラズ
マ処理における処理時間を短縮することができる。
１，第２プラズマ処理装置５２，５３内の試料ステージ
上に基板２を載置した状態で親液化工程または撥液化工
程を行う場合に、予備加熱温度を、親液化工程または撥
液化工程を連続して行う試料ステージ５６の温度にほぼ
一致させることが好ましい。そこで、第１，第２プラズ
マ処理装置５２，５３内の試料ステージが上昇する温
度、例えば７０〜８０℃まで予め基板２を予備加熱する
ことにより、多数の基板にプラズマ処理を連続的に行っ
た場合でも、処理開始直後と処理終了直前でのプラズマ
処理条件をほぼ一定にすることができる。これにより、
基板２間の表面処理条件を同一にし、バンク部１１２の
組成物に対する濡れ性を均一化することができ、一定の
品質を有する表示装置を製造することができる。また、
基板２を予め予備加熱しておくことにより、後のプラズ
マ処理における処理時間を短縮することができる。
【００６８】(2)-2 活性化処理
つぎに第１プラズマ処理室５２では、活性化処理が行わ
れる。活性化処理には、画素電極１１１における仕事関
数の調整、制御、画素電極表面の洗浄、画素電極表面の
親液化処理が含まれる。親液化処理として、大気雰囲気
中で酸素を処理ガスとするプラズマ処理（Ｏ2プラズマ
処理）を行う。図７には第１プラズマ処理を模式的に示
した図である。図７に示すように、バンク部１１２を含
む基板２は加熱ヒータ内臓の試料ステージ５６上に載置
され、基板２の上側にはギャップ間隔０．５〜２ｍｍ程
度の距離をおいてプラズマ放電電極５７が基板２に対向
して配置されている。基板２は、試料ステージ５６によ
って加熱されつつ、試料ステージ５６は図示矢印方向に
向けて所定の搬送速度で搬送され、その間に基板２に対
してプラズマ状態の酸素が照射される。Ｏ2プラズマ処
理の条件は、例えば、プラズマパワー１００〜８００ｋ
Ｗ、酸素ガス流量５０〜１００ｍｌ/ｍｉｎ、板搬送速
度０．５〜１０ｍｍ／ｓｅｃ、基板温度７０〜９０℃の
条件で行われる。なお、試料ステージ５６による加熱
は、主として予備加熱された基板２の保温のために行わ
れる。
れる。活性化処理には、画素電極１１１における仕事関
数の調整、制御、画素電極表面の洗浄、画素電極表面の
親液化処理が含まれる。親液化処理として、大気雰囲気
中で酸素を処理ガスとするプラズマ処理（Ｏ2プラズマ
処理）を行う。図７には第１プラズマ処理を模式的に示
した図である。図７に示すように、バンク部１１２を含
む基板２は加熱ヒータ内臓の試料ステージ５６上に載置
され、基板２の上側にはギャップ間隔０．５〜２ｍｍ程
度の距離をおいてプラズマ放電電極５７が基板２に対向
して配置されている。基板２は、試料ステージ５６によ
って加熱されつつ、試料ステージ５６は図示矢印方向に
向けて所定の搬送速度で搬送され、その間に基板２に対
してプラズマ状態の酸素が照射される。Ｏ2プラズマ処
理の条件は、例えば、プラズマパワー１００〜８００ｋ
Ｗ、酸素ガス流量５０〜１００ｍｌ/ｍｉｎ、板搬送速
度０．５〜１０ｍｍ／ｓｅｃ、基板温度７０〜９０℃の
条件で行われる。なお、試料ステージ５６による加熱
は、主として予備加熱された基板２の保温のために行わ
れる。
【００６９】このＯ2プラズマ処理により、図８に示す
ように、画素電極１１１の電極面１１１ａ、無機物バン
ク層１１２ａの第１積層部１１２ｅ及び有機物バンク層
１１２ｂの上部開口部１１２ｄの壁面ならびに上面１１
２ｆが親液処理される。この親液処理により、これらの
各面に水酸基が導入されて親液性が付与される。図９で
は、親液処理された部分を一点鎖線で示している。な
お、このＯ2プラズマ処理は、親液性を付与するのみな
らず、上述の通り画素電極であるＩＴＯ上の洗浄，仕事
関数の調整も兼ねている。
ように、画素電極１１１の電極面１１１ａ、無機物バン
ク層１１２ａの第１積層部１１２ｅ及び有機物バンク層
１１２ｂの上部開口部１１２ｄの壁面ならびに上面１１
２ｆが親液処理される。この親液処理により、これらの
各面に水酸基が導入されて親液性が付与される。図９で
は、親液処理された部分を一点鎖線で示している。な
お、このＯ2プラズマ処理は、親液性を付与するのみな
らず、上述の通り画素電極であるＩＴＯ上の洗浄，仕事
関数の調整も兼ねている。
【００７０】(2)-3 撥液処理工程
つぎに、第２プラズマ処理室５３では、撥液化工程とし
て、大気雰囲気中でテトラフルオロメタンを処理ガスと
するプラズマ処理（ＣＦ4プラズマ処理）を行う。第２
プラズマ処理室５３の内部構造は図７に示した第１プラ
ズマ処理室５２の内部構造と同じである。即ち、基板２
は、試料ステージによって加熱されつつ、試料ステージ
ごと所定の搬送速度で搬送され、その間に基板２に対し
てプラズマ状態のテトラフルオロメタン（四フッ化炭
素）が照射される。ＣＦ4プラズマ処理の条件は、例え
ば、プラズマパワー１００〜８００ｋＷ、４フッ化メタ
ンガス流量５０〜１００ｍｌ/ｍｉｎ、基板搬送速度
０．５〜１０ｍｍ／ｓｅｃ、基板温度７０〜９０℃の条
件で行われる。なお、加熱ステージによる加熱は、第１
プラズマ処理室５２の場合と同様に、主として予備加熱
された基板２の保温のために行われる。なお、処理ガス
は、テトラフルオロメタン（四フッ化炭素）に限らず、
他のフルオロカーボン系のガスを用いることができる。
て、大気雰囲気中でテトラフルオロメタンを処理ガスと
するプラズマ処理（ＣＦ4プラズマ処理）を行う。第２
プラズマ処理室５３の内部構造は図７に示した第１プラ
ズマ処理室５２の内部構造と同じである。即ち、基板２
は、試料ステージによって加熱されつつ、試料ステージ
ごと所定の搬送速度で搬送され、その間に基板２に対し
てプラズマ状態のテトラフルオロメタン（四フッ化炭
素）が照射される。ＣＦ4プラズマ処理の条件は、例え
ば、プラズマパワー１００〜８００ｋＷ、４フッ化メタ
ンガス流量５０〜１００ｍｌ/ｍｉｎ、基板搬送速度
０．５〜１０ｍｍ／ｓｅｃ、基板温度７０〜９０℃の条
件で行われる。なお、加熱ステージによる加熱は、第１
プラズマ処理室５２の場合と同様に、主として予備加熱
された基板２の保温のために行われる。なお、処理ガス
は、テトラフルオロメタン（四フッ化炭素）に限らず、
他のフルオロカーボン系のガスを用いることができる。
【００７１】ＣＦ4プラズマ処理により、図９に示すよ
うに、上部開口部１１２ｄ壁面及び有機物バンク層の上
面１１２ｆが撥液処理される。この撥液処理により、こ
れらの各面にフッ素基が導入されて撥液性が付与され
る。図９では、撥液性を示す領域を二点鎖線で示してい
る。有機物バンク層１１２ｂを構成するアクリル樹脂、
ポリイミド樹脂等の有機物はプラズマ状態のフルオロカ
ーボンが照射することで容易に撥液化させることができ
る。また、Ｏ2プラズマにより前処理した方がフッ素化
されやすい、という特徴を有しており、本実施形態には
特に有効である。尚、画素電極１１１の電極面１１１ａ
及び無機物バンク層１１２ａの第１積層部１１２ｅもこ
のＣＦ4プラズマ処理の影響を多少受けるが、濡れ性に
影響を与える事は少ない。図９では、親液性を示す領域
を一点鎖線で示している。
うに、上部開口部１１２ｄ壁面及び有機物バンク層の上
面１１２ｆが撥液処理される。この撥液処理により、こ
れらの各面にフッ素基が導入されて撥液性が付与され
る。図９では、撥液性を示す領域を二点鎖線で示してい
る。有機物バンク層１１２ｂを構成するアクリル樹脂、
ポリイミド樹脂等の有機物はプラズマ状態のフルオロカ
ーボンが照射することで容易に撥液化させることができ
る。また、Ｏ2プラズマにより前処理した方がフッ素化
されやすい、という特徴を有しており、本実施形態には
特に有効である。尚、画素電極１１１の電極面１１１ａ
及び無機物バンク層１１２ａの第１積層部１１２ｅもこ
のＣＦ4プラズマ処理の影響を多少受けるが、濡れ性に
影響を与える事は少ない。図９では、親液性を示す領域
を一点鎖線で示している。
【００７２】(2)-4 冷却工程
次に冷却工程として、冷却処理室５４を用い、プラズマ
処理のために加熱された基板２を管理温度まで冷却す
る。これは、この以降の工程であるインクジェット工程
（液滴吐出工程）の管理温度まで冷却するために行う工
程である。この冷却処理室５４は、基板２を配置するた
めのプレートを有し、そのプレートは基板２を冷却する
ように水冷装置が内蔵された構造となっている。また、
プラズマ処理後の基板２を室温、または所定の温度（例
えばインクジェット工程を行う管理温度）まで冷却する
ことにより、次の正孔注入／輸送層形成工程において、
基板２の温度が一定となり、基板２の温度変化が無い均
一な温度で次工程を行うことができる。したがって、こ
のような冷却工程を加えることにより、インクジェット
法等の吐出手段により吐出された材料を均一に形成でき
る。例えば、正孔注入／輸送層を形成するための材料を
含む第１組成物を吐出させる際に、第１組成物を一定の
容積で連続して吐出させることができ、正孔注入／輸送
層を均一に形成することができる。
処理のために加熱された基板２を管理温度まで冷却す
る。これは、この以降の工程であるインクジェット工程
（液滴吐出工程）の管理温度まで冷却するために行う工
程である。この冷却処理室５４は、基板２を配置するた
めのプレートを有し、そのプレートは基板２を冷却する
ように水冷装置が内蔵された構造となっている。また、
プラズマ処理後の基板２を室温、または所定の温度（例
えばインクジェット工程を行う管理温度）まで冷却する
ことにより、次の正孔注入／輸送層形成工程において、
基板２の温度が一定となり、基板２の温度変化が無い均
一な温度で次工程を行うことができる。したがって、こ
のような冷却工程を加えることにより、インクジェット
法等の吐出手段により吐出された材料を均一に形成でき
る。例えば、正孔注入／輸送層を形成するための材料を
含む第１組成物を吐出させる際に、第１組成物を一定の
容積で連続して吐出させることができ、正孔注入／輸送
層を均一に形成することができる。
【００７３】上記のプラズマ処理工程では、材質が異な
る有機物バンク層１１２ｂ及び無機物バンク層１１２ａ
に対して、Ｏ2プラズマ処理とＣＦ4プラズマ処理とを順
次行うことにより、バンク部１１２に親液性の領域と撥
液性の領域を容易に設けることができる。
る有機物バンク層１１２ｂ及び無機物バンク層１１２ａ
に対して、Ｏ2プラズマ処理とＣＦ4プラズマ処理とを順
次行うことにより、バンク部１１２に親液性の領域と撥
液性の領域を容易に設けることができる。
【００７４】尚、プラズマ処理工程に用いるプラズマ処
理装置は、図６に示したものに限られず、例えば図１０
に示すようなプラズマ処理装置６０を用いてもよい。図
１０に示すプラズマ処理装置６０は、予備加熱処理室６
１と、第１プラズマ処理室６２と、第２プラズマ処理室
６３と、冷却処理室６４と、これらの各処理室６１〜６
４に基板２を搬送する搬送装置６５とから構成され、各
処理室６１〜６４が、搬送装置６５の搬送方向両側（図
中矢印方向両側）に配置されてなるものである。このプ
ラズマ処理装置６０では、図６に示したプラズマ処理装
置５０と同様に、バンク部形成工程から搬送された基板
２を、予備加熱処理室６１、第１，第２プラズマ処理室
６２，６３、冷却処理室６４に順次搬送して各処理室に
て上記と同様な処理を行った後、基板２を次の正孔注入
／輸送層形成工程に搬送する。また，上記プラズマ装置
は，大気圧下の装置でなくとも，真空下のプラズマ装置
を用いても良い。
理装置は、図６に示したものに限られず、例えば図１０
に示すようなプラズマ処理装置６０を用いてもよい。図
１０に示すプラズマ処理装置６０は、予備加熱処理室６
１と、第１プラズマ処理室６２と、第２プラズマ処理室
６３と、冷却処理室６４と、これらの各処理室６１〜６
４に基板２を搬送する搬送装置６５とから構成され、各
処理室６１〜６４が、搬送装置６５の搬送方向両側（図
中矢印方向両側）に配置されてなるものである。このプ
ラズマ処理装置６０では、図６に示したプラズマ処理装
置５０と同様に、バンク部形成工程から搬送された基板
２を、予備加熱処理室６１、第１，第２プラズマ処理室
６２，６３、冷却処理室６４に順次搬送して各処理室に
て上記と同様な処理を行った後、基板２を次の正孔注入
／輸送層形成工程に搬送する。また，上記プラズマ装置
は，大気圧下の装置でなくとも，真空下のプラズマ装置
を用いても良い。
【００７５】(3)正孔注入／輸送層形成工程
次に発光素子形成工程では、電極（ここでは画素電極１
１１）上に正孔注入／輸送層を形成する。正孔注入／輸
送層形成工程では、液滴吐出としてたとえばインクジェ
ット装置を用いることにより、正孔注入／輸送層形成材
料を含む第１組成物（組成物）を電極面１１１ａ上に吐
出する（第１液滴吐出工程）。その後に乾燥処理及び熱
処理を行い、画素電極１１１上及び無機物バンク層１１
２ａ上に正孔注入/輸送層１１０ａを形成する。なお、
正孔注入/輸送層１１０ａが形成された無機物バンク層
１１２ａをここでは第１積層部１１２ｅという。この正
孔注入／輸送層形成工程を含めこれ以降の工程は、水、
酸素の無い雰囲気とする事が好ましい。例えば、窒素雰
囲気、アルゴン雰囲気等の不活性ガス雰囲気で行うこと
が好ましい。
１１）上に正孔注入／輸送層を形成する。正孔注入／輸
送層形成工程では、液滴吐出としてたとえばインクジェ
ット装置を用いることにより、正孔注入／輸送層形成材
料を含む第１組成物（組成物）を電極面１１１ａ上に吐
出する（第１液滴吐出工程）。その後に乾燥処理及び熱
処理を行い、画素電極１１１上及び無機物バンク層１１
２ａ上に正孔注入/輸送層１１０ａを形成する。なお、
正孔注入/輸送層１１０ａが形成された無機物バンク層
１１２ａをここでは第１積層部１１２ｅという。この正
孔注入／輸送層形成工程を含めこれ以降の工程は、水、
酸素の無い雰囲気とする事が好ましい。例えば、窒素雰
囲気、アルゴン雰囲気等の不活性ガス雰囲気で行うこと
が好ましい。
【００７６】なお、正孔注入/輸送層１１０ａは第１積
層部１１２ｅ上に形成されないこともある。すなわち、
画素電極１１１上にのみ正孔注入／輸送層が形成される
形態もある。インクジェットによる製造方法は以下の通
りである。図１１に示すように、インクジェットヘッド
Ｈ1に形成されてなる複数のノズルから正孔注入／輸送
層形成材料を含む第１組成物を吐出する。ここではイン
クジェットヘッドを走査することにより各画素毎に組成
物を充填しているが、基板２を走査することによっても
可能である。更に、インクジェットヘッドと基板２とを
相対的に移動させることによっても組成物を充填させる
ことができる。なお、これ以降のインクジェットヘッド
を用いて行う工程では上記の点は同様である。インクジ
ェットヘッドによる吐出は以下の通りである。すなわ
ち、インクジェットヘッドＨ1に形成されてなる吐出ノ
ズルＨ2を電極面１１１ａに対向して配置し、ノズルＨ2
から第１組成物を吐出する。画素電極１１１の周囲には
下部開口部１１２ｃを区画するバンク１１２が形成され
ており、この下部開口部１１２ｃ内に位置する画素電極
面１１１ａにインクジェットヘッドＨ1を対向させ、こ
のインクジェットヘッドＨ1と基板２とを相対移動させ
ながら、吐出ノズルＨ2から１滴当たりの液量が制御さ
れた第１組成物滴１１０ｃを電極面１１１ａ上に吐出す
る。
層部１１２ｅ上に形成されないこともある。すなわち、
画素電極１１１上にのみ正孔注入／輸送層が形成される
形態もある。インクジェットによる製造方法は以下の通
りである。図１１に示すように、インクジェットヘッド
Ｈ1に形成されてなる複数のノズルから正孔注入／輸送
層形成材料を含む第１組成物を吐出する。ここではイン
クジェットヘッドを走査することにより各画素毎に組成
物を充填しているが、基板２を走査することによっても
可能である。更に、インクジェットヘッドと基板２とを
相対的に移動させることによっても組成物を充填させる
ことができる。なお、これ以降のインクジェットヘッド
を用いて行う工程では上記の点は同様である。インクジ
ェットヘッドによる吐出は以下の通りである。すなわ
ち、インクジェットヘッドＨ1に形成されてなる吐出ノ
ズルＨ2を電極面１１１ａに対向して配置し、ノズルＨ2
から第１組成物を吐出する。画素電極１１１の周囲には
下部開口部１１２ｃを区画するバンク１１２が形成され
ており、この下部開口部１１２ｃ内に位置する画素電極
面１１１ａにインクジェットヘッドＨ1を対向させ、こ
のインクジェットヘッドＨ1と基板２とを相対移動させ
ながら、吐出ノズルＨ2から１滴当たりの液量が制御さ
れた第１組成物滴１１０ｃを電極面１１１ａ上に吐出す
る。
【００７７】ここで用いる第１組成物としては、例え
ば、ポリエチレンジオキシチオフェン(PEDOT)等のポリ
チオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸(PSS)等の
混合物を、極性溶媒に溶解させた組成物を用いることが
できる。極性溶媒としては、例えば、イソプロピルアル
コール(IPA)、ノルマルブタノール、γ−ブチロラクト
ン、Ｎ−メチルピロリドン(NMP)、１，３−ジメチル−
２−イミダゾリジノン(DMI)及びその誘導体、カルビト
−ルアセテート、ブチルカルビト−ルアセテート等のグ
リコールエーテル類等を挙げることができる。より具体
的な第１組成物の組成としては、PEDOT/PSS混合物(PEDO
T/PSS=1:20)：１２．５２重量％、PSS：１．４４重量
％、IPA：１０重量％、NMP：２７．４８重量％、DMI：
５０重量％のものを例示できる。尚、第１組成物の粘度
は２〜２０Ｐｓ程度が好ましく、特に４〜１５ｃＰｓ程
度が良い。上記の第１組成物を用いることにより、吐出
ノズルＨ2に詰まりが生じることがなく安定吐出でき
る。なお、正孔注入／輸送層形成材料は、赤（Ｒ）、緑
（Ｇ）、青（Ｂ）の各発光層１１０ｂ1〜１１０ｂ3に対
して同じ材料を用いても良く、各発光層毎に変えても良
い。
ば、ポリエチレンジオキシチオフェン(PEDOT)等のポリ
チオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸(PSS)等の
混合物を、極性溶媒に溶解させた組成物を用いることが
できる。極性溶媒としては、例えば、イソプロピルアル
コール(IPA)、ノルマルブタノール、γ−ブチロラクト
ン、Ｎ−メチルピロリドン(NMP)、１，３−ジメチル−
２−イミダゾリジノン(DMI)及びその誘導体、カルビト
−ルアセテート、ブチルカルビト−ルアセテート等のグ
リコールエーテル類等を挙げることができる。より具体
的な第１組成物の組成としては、PEDOT/PSS混合物(PEDO
T/PSS=1:20)：１２．５２重量％、PSS：１．４４重量
％、IPA：１０重量％、NMP：２７．４８重量％、DMI：
５０重量％のものを例示できる。尚、第１組成物の粘度
は２〜２０Ｐｓ程度が好ましく、特に４〜１５ｃＰｓ程
度が良い。上記の第１組成物を用いることにより、吐出
ノズルＨ2に詰まりが生じることがなく安定吐出でき
る。なお、正孔注入／輸送層形成材料は、赤（Ｒ）、緑
（Ｇ）、青（Ｂ）の各発光層１１０ｂ1〜１１０ｂ3に対
して同じ材料を用いても良く、各発光層毎に変えても良
い。
【００７８】図１１に示すように、吐出された第１組成
物滴１１０ｃは、親液処理された電極面１１１ａ及び第
１積層部１１２ｅ上に広がり、下部、上部開口部１１２
ｃ、１１２ｄ内に充填される。仮に、第１組成物滴１１
０ｃが所定の吐出位置からはずれて上面１１２ｆ上に吐
出されたとしても、上面１１２ｆが第１組成物滴１１０
ｃで濡れることがなく、はじかれた第１組成物滴１１０
ｃが下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に転がり込
む。
物滴１１０ｃは、親液処理された電極面１１１ａ及び第
１積層部１１２ｅ上に広がり、下部、上部開口部１１２
ｃ、１１２ｄ内に充填される。仮に、第１組成物滴１１
０ｃが所定の吐出位置からはずれて上面１１２ｆ上に吐
出されたとしても、上面１１２ｆが第１組成物滴１１０
ｃで濡れることがなく、はじかれた第１組成物滴１１０
ｃが下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に転がり込
む。
【００７９】電極面１１１ａ上に吐出する第１組成物量
は、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄの大きさ、形
成しようとする正孔注入／輸送層の厚さ、第１組成物中
の正孔注入／輸送層形成材料の濃度等により決定され
る。また、第１組成物滴１１０ｃは１回のみならず、数
回に分けて同一の電極面１１１ａ上に吐出しても良い。
この場合、各回における第１組成物の量は同一でも良
く、各回毎に第１組成物を変えても良い。更に電極面１
１１ａの同一箇所のみならず、各回毎に電極面１１１ａ
内の異なる箇所に第１組成物を吐出しても良い。
は、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄの大きさ、形
成しようとする正孔注入／輸送層の厚さ、第１組成物中
の正孔注入／輸送層形成材料の濃度等により決定され
る。また、第１組成物滴１１０ｃは１回のみならず、数
回に分けて同一の電極面１１１ａ上に吐出しても良い。
この場合、各回における第１組成物の量は同一でも良
く、各回毎に第１組成物を変えても良い。更に電極面１
１１ａの同一箇所のみならず、各回毎に電極面１１１ａ
内の異なる箇所に第１組成物を吐出しても良い。
【００８０】インクジェットヘッドの構造については、
図１４のようなヘッドＨを用いる事ができる。更に、基
板とインクジェットヘッドの配置に関しては図１５のよ
うに配置することが好ましい。図１４中、符号Ｈ7は前
記のインクジェットヘッドＨ1を支持する支持基板であ
り、この支持基板Ｈ7上に複数のインクジェットヘッド
Ｈ1が備えられている。インクジェットヘッドＨ1のイン
ク吐出面（基板との対向面）には、ヘッドの長さ方向に
沿って列状に、且つヘッドの幅方向に間隔をあけて２列
で吐出ノズルが複数（例えば、１列１８０ノズル、合計
３６０ノズル）設けられている。また、このインクジェ
ットヘッドＨ1は、吐出ノズルを基板側に向けるととも
に、Ｘ軸（またはＹ軸）に対して所定角度傾いた状態で
略Ｘ軸方向に沿って列状に、且つＹ方向に所定間隔をあ
けて２列に配列された状態で平面視略矩形状の支持板２
０に複数（図１４では１列６個、合計１２個）位置決め
されて支持されている。また図１５に示すインクジェッ
ト装置において、符号１１１５は基板２を載置するステ
ージであり、符号１１１６はステージ１１１５を図中ｘ
軸方向（主走査方向）に案内するガイドレールである。
またヘッドＨは、支持部材１１１１を介してガイドレー
ル１１１３により図中ｙ軸方向（副主走査方向）に移動
できるようになっており、更にヘッドＨは図中θ軸方向
に回転できるようになっており、インクジェットヘッド
Ｈ1を主走査方向に対して所定の角度に傾けることがで
きるようになっている。このように、インクジェットヘ
ッドを走査方向に対して傾けて配置することにより、ノ
ズルピッチを画素ピッチに対応させることができる。ま
た、傾き角度調整することにより、どのような画素ピッ
チに対しても対応させることができる。
図１４のようなヘッドＨを用いる事ができる。更に、基
板とインクジェットヘッドの配置に関しては図１５のよ
うに配置することが好ましい。図１４中、符号Ｈ7は前
記のインクジェットヘッドＨ1を支持する支持基板であ
り、この支持基板Ｈ7上に複数のインクジェットヘッド
Ｈ1が備えられている。インクジェットヘッドＨ1のイン
ク吐出面（基板との対向面）には、ヘッドの長さ方向に
沿って列状に、且つヘッドの幅方向に間隔をあけて２列
で吐出ノズルが複数（例えば、１列１８０ノズル、合計
３６０ノズル）設けられている。また、このインクジェ
ットヘッドＨ1は、吐出ノズルを基板側に向けるととも
に、Ｘ軸（またはＹ軸）に対して所定角度傾いた状態で
略Ｘ軸方向に沿って列状に、且つＹ方向に所定間隔をあ
けて２列に配列された状態で平面視略矩形状の支持板２
０に複数（図１４では１列６個、合計１２個）位置決め
されて支持されている。また図１５に示すインクジェッ
ト装置において、符号１１１５は基板２を載置するステ
ージであり、符号１１１６はステージ１１１５を図中ｘ
軸方向（主走査方向）に案内するガイドレールである。
またヘッドＨは、支持部材１１１１を介してガイドレー
ル１１１３により図中ｙ軸方向（副主走査方向）に移動
できるようになっており、更にヘッドＨは図中θ軸方向
に回転できるようになっており、インクジェットヘッド
Ｈ1を主走査方向に対して所定の角度に傾けることがで
きるようになっている。このように、インクジェットヘ
ッドを走査方向に対して傾けて配置することにより、ノ
ズルピッチを画素ピッチに対応させることができる。ま
た、傾き角度調整することにより、どのような画素ピッ
チに対しても対応させることができる。
【００８１】図１５に示す基板２は、マザー基板に複数
のチップを配置した構造となっている。即ち、１チップ
の領域が１つの表示装置に相当する。ここでは、３つの
表示領域２ａが形成されているが、これに限られるもの
ではない。例えば、基板２上の左側の表示領域２ａに対
して組成物を塗布する場合は、ガイドレール１１１３を
介してヘッドＨを図中左側に移動させるとともに、ガイ
ドレール１１１６を介して基板２を図中上側に移動さ
せ、基板２を走査させながら塗布を行う。次に、ヘッド
Ｈを図中右側に移動させて基板の中央の表示領域２ａに
対して組成物を塗布する。右端にある表示領域２ａに対
しても前記と同様である。尚、図１４に示すヘッドＨ及
び図１５に示すインクジェット装置は、正孔注入／輸送
層形成工程のみならず、発光層形成工程に用いて良い。
のチップを配置した構造となっている。即ち、１チップ
の領域が１つの表示装置に相当する。ここでは、３つの
表示領域２ａが形成されているが、これに限られるもの
ではない。例えば、基板２上の左側の表示領域２ａに対
して組成物を塗布する場合は、ガイドレール１１１３を
介してヘッドＨを図中左側に移動させるとともに、ガイ
ドレール１１１６を介して基板２を図中上側に移動さ
せ、基板２を走査させながら塗布を行う。次に、ヘッド
Ｈを図中右側に移動させて基板の中央の表示領域２ａに
対して組成物を塗布する。右端にある表示領域２ａに対
しても前記と同様である。尚、図１４に示すヘッドＨ及
び図１５に示すインクジェット装置は、正孔注入／輸送
層形成工程のみならず、発光層形成工程に用いて良い。
【００８２】次に、図１２に示すような乾燥工程を行
う。乾燥工程を行う事により、吐出後の第１組成物を乾
燥処理し、第１組成物に含まれる極性溶媒を蒸発させ、
正孔注入／輸送層１１０ａを形成する。乾燥処理を行う
と、第１組成物滴１１０ｃに含まれる極性溶媒の蒸発
が、主に無機物バンク層１１２ａ及び有機物バンク層１
１２ｂに近いところで起き、極性溶媒の蒸発に併せて正
孔注入／輸送層形成材料が濃縮されて析出する。これに
より図１３に示すように、第１積層部１１２ｅ上に、正
孔注入／輸送層形成材料からなる周縁部１１０ａ2が形
成される。この周縁部１１０ａ2は、上部開口部１１２
ｄの壁面（有機物バンク層１１２ｂ）に密着しており、
その厚さが電極面１１１ａに近い側では薄く、電極面１
１１ａから離れた側、即ち有機物バンク層１１２ｂに近
い側で厚くなっている。
う。乾燥工程を行う事により、吐出後の第１組成物を乾
燥処理し、第１組成物に含まれる極性溶媒を蒸発させ、
正孔注入／輸送層１１０ａを形成する。乾燥処理を行う
と、第１組成物滴１１０ｃに含まれる極性溶媒の蒸発
が、主に無機物バンク層１１２ａ及び有機物バンク層１
１２ｂに近いところで起き、極性溶媒の蒸発に併せて正
孔注入／輸送層形成材料が濃縮されて析出する。これに
より図１３に示すように、第１積層部１１２ｅ上に、正
孔注入／輸送層形成材料からなる周縁部１１０ａ2が形
成される。この周縁部１１０ａ2は、上部開口部１１２
ｄの壁面（有機物バンク層１１２ｂ）に密着しており、
その厚さが電極面１１１ａに近い側では薄く、電極面１
１１ａから離れた側、即ち有機物バンク層１１２ｂに近
い側で厚くなっている。
【００８３】また、これと同時に、乾燥処理によって電
極面１１１ａ上でも極性溶媒の蒸発が起き、これにより
電極面１１１ａ上に正孔注入／輸送層形成材料からなる
平坦部１１０ａ1が形成される。電極面１１１ａ上では
極性溶媒の蒸発速度がほぼ均一であるため、正孔注入／
輸送層の形成材料が電極面１１１ａ上で均一に濃縮さ
れ、これにより均一な厚さの平坦部１１０ａが形成され
る。このようにして、周縁部１１０ａ2及び平坦部１１
０ａ1からなる正孔注入／輸送層１１０ａが形成され
る。なお、周縁部１１０ａ2には形成されず、電極面１
１１ａ上のみに正孔注入／輸送層が形成される形態であ
っても構わない。
極面１１１ａ上でも極性溶媒の蒸発が起き、これにより
電極面１１１ａ上に正孔注入／輸送層形成材料からなる
平坦部１１０ａ1が形成される。電極面１１１ａ上では
極性溶媒の蒸発速度がほぼ均一であるため、正孔注入／
輸送層の形成材料が電極面１１１ａ上で均一に濃縮さ
れ、これにより均一な厚さの平坦部１１０ａが形成され
る。このようにして、周縁部１１０ａ2及び平坦部１１
０ａ1からなる正孔注入／輸送層１１０ａが形成され
る。なお、周縁部１１０ａ2には形成されず、電極面１
１１ａ上のみに正孔注入／輸送層が形成される形態であ
っても構わない。
【００８４】上記の乾燥処理は、例えば窒素雰囲気中、
室温で圧力を例えば１３３．３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）程度
にして行う。圧力が低すぎると第１組成物滴１１０ｃが
突沸してしまうので好ましくない。また、温度を室温以
上にすると、極性溶媒の蒸発速度が高まり、平坦な膜を
形成する事ができない。乾燥処理後は、窒素中、好まし
くは真空中で２００℃で１０分程度加熱する熱処理を行
うことで、正孔注入／輸送層１１０ａ内に残存する極性
溶媒や水を除去することが好ましい。
室温で圧力を例えば１３３．３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）程度
にして行う。圧力が低すぎると第１組成物滴１１０ｃが
突沸してしまうので好ましくない。また、温度を室温以
上にすると、極性溶媒の蒸発速度が高まり、平坦な膜を
形成する事ができない。乾燥処理後は、窒素中、好まし
くは真空中で２００℃で１０分程度加熱する熱処理を行
うことで、正孔注入／輸送層１１０ａ内に残存する極性
溶媒や水を除去することが好ましい。
【００８５】上記の正孔注入／輸送層形成工程では、吐
出された第１組成物滴１１０ｃが、下部、上部開口部１
１２ｃ、１１２ｄ内に満たされる一方で、撥液処理され
た有機物バンク層１１２ｂで第１組成物がはじかれて下
部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に転がり込む。こ
れにより、吐出した第１組成物滴１１０ｃを必ず下部、
上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に充填することがで
き、電極面１１１ａ上に正孔注入／輸送層１１０ａを形
成することができる。
出された第１組成物滴１１０ｃが、下部、上部開口部１
１２ｃ、１１２ｄ内に満たされる一方で、撥液処理され
た有機物バンク層１１２ｂで第１組成物がはじかれて下
部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に転がり込む。こ
れにより、吐出した第１組成物滴１１０ｃを必ず下部、
上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に充填することがで
き、電極面１１１ａ上に正孔注入／輸送層１１０ａを形
成することができる。
【００８６】(4)発光層形成工程
次に発光層形成工程は、表面改質工程、発光層形成材料
吐出工程（第２液滴吐出工程）および乾燥工程、とから
なる。まず、正孔注入/輸送層１１０ａの表面を表面改
質するために表面改質工程を行う。この工程について
は、以下に詳述する。次に、前述の正孔注入/輸送層形
成工程と同様、インクジェット法により第２組成物を正
孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出する。その後、吐出し
た第２組成物を乾燥処理（及び熱処理）して、正孔注入
／輸送層１１０ａ上に発光層１１０ｂを形成する。
吐出工程（第２液滴吐出工程）および乾燥工程、とから
なる。まず、正孔注入/輸送層１１０ａの表面を表面改
質するために表面改質工程を行う。この工程について
は、以下に詳述する。次に、前述の正孔注入/輸送層形
成工程と同様、インクジェット法により第２組成物を正
孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出する。その後、吐出し
た第２組成物を乾燥処理（及び熱処理）して、正孔注入
／輸送層１１０ａ上に発光層１１０ｂを形成する。
【００８７】発光層形成工程では、正孔注入／輸送層１
１０ａの再溶解を防止するために、発光層形成の際に用
いる第２組成物の溶媒として、正孔注入／輸送層１１０
ａに対して不溶な非極性溶媒を用いる。しかしその一方
で正孔注入／輸送層１１０ａは、非極性溶媒に対する親
和性が低いため、非極性溶媒を含む第２組成物を正孔注
入／輸送層１１０ａ上に吐出しても、正孔注入／輸送層
１１０ａと発光層１１０ｂとを密着させることができな
くなるか、あるいは発光層１１０ｂを均一に塗布できな
いおそれがある。そこで、非極性溶媒ならびに発光層形
成材料に対する正孔注入／輸送層１１０ａの表面の親和
性を高めるために、発光層形成の前に表面改質工程を行
うことが好ましい。
１０ａの再溶解を防止するために、発光層形成の際に用
いる第２組成物の溶媒として、正孔注入／輸送層１１０
ａに対して不溶な非極性溶媒を用いる。しかしその一方
で正孔注入／輸送層１１０ａは、非極性溶媒に対する親
和性が低いため、非極性溶媒を含む第２組成物を正孔注
入／輸送層１１０ａ上に吐出しても、正孔注入／輸送層
１１０ａと発光層１１０ｂとを密着させることができな
くなるか、あるいは発光層１１０ｂを均一に塗布できな
いおそれがある。そこで、非極性溶媒ならびに発光層形
成材料に対する正孔注入／輸送層１１０ａの表面の親和
性を高めるために、発光層形成の前に表面改質工程を行
うことが好ましい。
【００８８】そこで、表面改質工程について説明する。
表面改質工程は、発光層形成の際に用いる第２組成物の
非極性溶媒と同一溶媒またはこれに類する溶媒である表
面改質材を、インクジェット法（液滴吐出法）、スピン
コート法またはディップ法により正孔注入／輸送層１１
０ａ上に塗布した後に乾燥することにより行う。
表面改質工程は、発光層形成の際に用いる第２組成物の
非極性溶媒と同一溶媒またはこれに類する溶媒である表
面改質材を、インクジェット法（液滴吐出法）、スピン
コート法またはディップ法により正孔注入／輸送層１１
０ａ上に塗布した後に乾燥することにより行う。
【００８９】インクジェット法による塗布は、図１３に
示すように、インクジェットヘッドＨ3に、表面改質材
を充填し、インクジェットヘッドＨ3に形成された吐出
ノズルＨ4から表面改質材を吐出する。前述の正孔注入/
輸送層形成工程と同様に、吐出ノズルH4を基板２（すな
わち、正孔注入／輸送層１１０ａが形成された基板２）
に対向させ、インクジェットヘッドＨ3と基板２とを相
対移動させながら、吐出ノズルＨ4から表面改質材１１
０ｄを正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出することによ
り行う。
示すように、インクジェットヘッドＨ3に、表面改質材
を充填し、インクジェットヘッドＨ3に形成された吐出
ノズルＨ4から表面改質材を吐出する。前述の正孔注入/
輸送層形成工程と同様に、吐出ノズルH4を基板２（すな
わち、正孔注入／輸送層１１０ａが形成された基板２）
に対向させ、インクジェットヘッドＨ3と基板２とを相
対移動させながら、吐出ノズルＨ4から表面改質材１１
０ｄを正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出することによ
り行う。
【００９０】また、スピンコート法による塗布は、基板
２を例えば回転ステージ上に載せ、上方から表面改質材
を基板２上に滴下した後、基板２を回転させて表面改質
材を基板２上の正孔注入／輸送層１１０ａの全体に広げ
ることにより行う。なお、表面改質材は撥液化処理され
た上面１１２ｆ上にも一時的に広がるが、回転による遠
心力で飛ばされてしまい、正孔注入／輸送層１１０ａ上
のみに塗布される。更にディップ法による塗布は、基板
２を例えば表面改質材に浸積させた後に引き上げて、表
面改質材を正孔注入／輸送層１１０ａの全体に広げるこ
とにより行う。この場合も表面改質材が撥液処理された
上面１１２ｆ上に一時的に広がるが、引き上げの際に表
面改質材が上面１１２ｆからはじかれて正孔注入／輸送
層１１０ａのみに塗布される。
２を例えば回転ステージ上に載せ、上方から表面改質材
を基板２上に滴下した後、基板２を回転させて表面改質
材を基板２上の正孔注入／輸送層１１０ａの全体に広げ
ることにより行う。なお、表面改質材は撥液化処理され
た上面１１２ｆ上にも一時的に広がるが、回転による遠
心力で飛ばされてしまい、正孔注入／輸送層１１０ａ上
のみに塗布される。更にディップ法による塗布は、基板
２を例えば表面改質材に浸積させた後に引き上げて、表
面改質材を正孔注入／輸送層１１０ａの全体に広げるこ
とにより行う。この場合も表面改質材が撥液処理された
上面１１２ｆ上に一時的に広がるが、引き上げの際に表
面改質材が上面１１２ｆからはじかれて正孔注入／輸送
層１１０ａのみに塗布される。
【００９１】ここで用いる表面改質材としては、第２組
成物の非極性溶媒と同一なものとして例えば、シクロへ
キシルベンゼン、ジハイドロベンゾフラン、トリメチル
ベンゼン、テトラメチルベンゼン等を例示でき、第２組
成物の非極性溶媒に類するものとして例えば、トルエ
ン、キシレン等を例示できる。特に、インクジェット法
により塗布する場合には、ジハイドロベンゾフラン、ト
リメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン、シクロヘキ
シルベンゼン、またはこれらの混合物，特に第２組成物
と同じ溶媒混合物等を用いることが好ましく、スピンコ
ート法またはディップ法による場合は、トルエン、キシ
レン等が好ましい。
成物の非極性溶媒と同一なものとして例えば、シクロへ
キシルベンゼン、ジハイドロベンゾフラン、トリメチル
ベンゼン、テトラメチルベンゼン等を例示でき、第２組
成物の非極性溶媒に類するものとして例えば、トルエ
ン、キシレン等を例示できる。特に、インクジェット法
により塗布する場合には、ジハイドロベンゾフラン、ト
リメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン、シクロヘキ
シルベンゼン、またはこれらの混合物，特に第２組成物
と同じ溶媒混合物等を用いることが好ましく、スピンコ
ート法またはディップ法による場合は、トルエン、キシ
レン等が好ましい。
【００９２】次に、図１６に示すように、塗布領域を乾
燥させる。乾燥工程は、インクジェット法で塗布した場
合はホットプレート上に基板２を載せて例えば２００℃
以下の温度で加熱して乾燥蒸発させることが好ましい。
スピンコート法またはディップ法による場合は、基板２
に窒素を吹き付けるか、あるいは基板を回転させて基板
２表面に気流を発生させることで乾燥させることが好ま
しい。
燥させる。乾燥工程は、インクジェット法で塗布した場
合はホットプレート上に基板２を載せて例えば２００℃
以下の温度で加熱して乾燥蒸発させることが好ましい。
スピンコート法またはディップ法による場合は、基板２
に窒素を吹き付けるか、あるいは基板を回転させて基板
２表面に気流を発生させることで乾燥させることが好ま
しい。
【００９３】尚、表面改質材の塗布を、正孔注入／輸送
層入層形成工程の乾燥処理の後に行い、塗布後の表面改
質材を乾燥させた後に、正孔注入／輸送層形成工程の熱
処理を行っても良い。
層入層形成工程の乾燥処理の後に行い、塗布後の表面改
質材を乾燥させた後に、正孔注入／輸送層形成工程の熱
処理を行っても良い。
【００９４】このような表面改質工程を行うことで、正
孔注入／輸送層１１０ａの表面が非極性溶媒になじみや
すくなり、この後の工程で、発光層形成材料を含む第２
組成物を正孔注入／輸送層１１０ａに均一に塗布するこ
とができる。
孔注入／輸送層１１０ａの表面が非極性溶媒になじみや
すくなり、この後の工程で、発光層形成材料を含む第２
組成物を正孔注入／輸送層１１０ａに均一に塗布するこ
とができる。
【００９５】尚、上記の表面改質材に、正孔輸送性材料
として一般に用いられる前記の化合物２等を溶解して組
成物とし、この組成物をインクジェット法により正孔注
入／輸送層上に塗布して乾燥させることにより、正孔注
入／輸送層上に極薄の正孔輸送層を形成しても良い。
として一般に用いられる前記の化合物２等を溶解して組
成物とし、この組成物をインクジェット法により正孔注
入／輸送層上に塗布して乾燥させることにより、正孔注
入／輸送層上に極薄の正孔輸送層を形成しても良い。
【００９６】正孔注入／輸送層の大部分は、後の工程で
塗布する発光層１１０ｂに溶け込むが、一部が正孔注入
／輸送層１１０ａと発光層１１０ｂの間に薄膜状に残存
し、これにより正孔注入／輸送層１１０ａと発光層１１
０ｂとの間のエネルギー障壁を下げて正孔の移動を容易
にし、発光効率を向上させることができる。
塗布する発光層１１０ｂに溶け込むが、一部が正孔注入
／輸送層１１０ａと発光層１１０ｂの間に薄膜状に残存
し、これにより正孔注入／輸送層１１０ａと発光層１１
０ｂとの間のエネルギー障壁を下げて正孔の移動を容易
にし、発光効率を向上させることができる。
【００９７】次に発光層形成工程として、インクジェッ
ト法（液滴吐出法）により、発光層形成材料を含む第２
組成物を正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出した後に乾
燥処理して、正孔注入／輸送層１１０ａ上に発光層１１
０ｂを形成する。
ト法（液滴吐出法）により、発光層形成材料を含む第２
組成物を正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出した後に乾
燥処理して、正孔注入／輸送層１１０ａ上に発光層１１
０ｂを形成する。
【００９８】図１７に、インクジェットによる吐出方法
を示す。図１７に示すように、インクジェットヘッドＨ
5と基板２とを相対的に移動し、インクジェットヘッド
に形成された吐出ノズルＨ６から各色（たとえばここで
は青色（Ｂ））発光層形成材料を含有する第２組成物が
吐出される。吐出の際には、下部、上部開口部１１２
ｃ、１１２ｄ内に位置する正孔注入／輸送層１１０ａに
吐出ノズルを対向させ、インクジェットヘッドＨ5と基
板２とを相対移動させながら、第２組成物が吐出され
る。吐出ノズルＨ6から吐出される液量は１滴当たりの
液量が制御されている。このように液量が制御された液
（第２組成物滴１１０ｅ）が吐出ノズルから吐出され、
この第２組成物滴１１０ｅを正孔注入／輸送層１１０ａ
上に吐出する。
を示す。図１７に示すように、インクジェットヘッドＨ
5と基板２とを相対的に移動し、インクジェットヘッド
に形成された吐出ノズルＨ６から各色（たとえばここで
は青色（Ｂ））発光層形成材料を含有する第２組成物が
吐出される。吐出の際には、下部、上部開口部１１２
ｃ、１１２ｄ内に位置する正孔注入／輸送層１１０ａに
吐出ノズルを対向させ、インクジェットヘッドＨ5と基
板２とを相対移動させながら、第２組成物が吐出され
る。吐出ノズルＨ6から吐出される液量は１滴当たりの
液量が制御されている。このように液量が制御された液
（第２組成物滴１１０ｅ）が吐出ノズルから吐出され、
この第２組成物滴１１０ｅを正孔注入／輸送層１１０ａ
上に吐出する。
【００９９】発光層形成材料としては、［化１］〜［化
５］に示すポリフルオレン系高分子誘導体や、（ポリ）
パラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導
体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、
ペリレン係色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、
あるいは上記高分子に有機ＥＬ材料をドープして用いる
事ができる。例えば、ルブレン、ペリレン、９，１０-
ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、
ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等をドープす
ることにより用いることができる。
５］に示すポリフルオレン系高分子誘導体や、（ポリ）
パラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導
体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、
ペリレン係色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、
あるいは上記高分子に有機ＥＬ材料をドープして用いる
事ができる。例えば、ルブレン、ペリレン、９，１０-
ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、
ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等をドープす
ることにより用いることができる。
【０１００】非極性溶媒としては、正孔注入／輸送層１
１０ａに対して不溶なものが好ましく、例えば、シクロ
へキシルベンゼン、ジハイドロベンゾフラン、トリメチ
ルベンゼン、テトラメチルベンゼン等を用いることがで
きる。このような非極性溶媒を発光層１１０ｂの第２組
成物に用いることにより、正孔注入／輸送層１１０ａを
再溶解させることなく第２組成物を塗布できる。
１０ａに対して不溶なものが好ましく、例えば、シクロ
へキシルベンゼン、ジハイドロベンゾフラン、トリメチ
ルベンゼン、テトラメチルベンゼン等を用いることがで
きる。このような非極性溶媒を発光層１１０ｂの第２組
成物に用いることにより、正孔注入／輸送層１１０ａを
再溶解させることなく第２組成物を塗布できる。
【０１０１】図１７に示すように、吐出された第２組成
物１１０ｅは、正孔注入／輸送層１１０ａ上に広がって
下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に満たされる。
その一方で、撥液処理された上面１１２ｆでは第１組成
物滴１１０ｅが所定の吐出位置からはずれて上面１１２
ｆ上に吐出されたとしても、上面１１２ｆが第２組成物
滴１１０ｅで濡れることがなく、第２組成物滴１１０ｅ
が下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に転がり込
む。
物１１０ｅは、正孔注入／輸送層１１０ａ上に広がって
下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に満たされる。
その一方で、撥液処理された上面１１２ｆでは第１組成
物滴１１０ｅが所定の吐出位置からはずれて上面１１２
ｆ上に吐出されたとしても、上面１１２ｆが第２組成物
滴１１０ｅで濡れることがなく、第２組成物滴１１０ｅ
が下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に転がり込
む。
【０１０２】各正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出する
第２組成物量は、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ
の大きさ、形成しようとする発光層１１０ｂの厚さ、第
２組成物中の発光層材料の濃度等により決定される。ま
た、第２組成物１１０ｅは１回のみならず、数回に分け
て同一の正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出しても良
い。この場合、各回における第２組成物の量は同一でも
良く、各回毎に第２組成物の液量を変えても良い。更に
正孔注入／輸送層１１０ａの同一箇所のみならず、各回
毎に正孔注入／輸送層１１０ａ内の異なる箇所に第２組
成物を吐出配置しても良い。
第２組成物量は、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ
の大きさ、形成しようとする発光層１１０ｂの厚さ、第
２組成物中の発光層材料の濃度等により決定される。ま
た、第２組成物１１０ｅは１回のみならず、数回に分け
て同一の正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出しても良
い。この場合、各回における第２組成物の量は同一でも
良く、各回毎に第２組成物の液量を変えても良い。更に
正孔注入／輸送層１１０ａの同一箇所のみならず、各回
毎に正孔注入／輸送層１１０ａ内の異なる箇所に第２組
成物を吐出配置しても良い。
【０１０３】次に、第２の組成物を所定の位置に吐出し
終わった後、吐出後の第２組成物滴１１０ｅを乾燥処理
することにより発光層１１０ｂ３が形成される。すなわ
ち、乾燥により第２組成物に含まれる非極性溶媒が蒸発
し、図１８に示すような青色（Ｂ）発光層１１０ｂ3が
形成される。なお、図１８においては青に発光する発光
層が１つのみ図示されているが、図１やその他の図より
明らかなように本来は発光素子がマトリックス状に形成
されたものであり、図示しない多数の発光層（青色に対
応）が形成されている。
終わった後、吐出後の第２組成物滴１１０ｅを乾燥処理
することにより発光層１１０ｂ３が形成される。すなわ
ち、乾燥により第２組成物に含まれる非極性溶媒が蒸発
し、図１８に示すような青色（Ｂ）発光層１１０ｂ3が
形成される。なお、図１８においては青に発光する発光
層が１つのみ図示されているが、図１やその他の図より
明らかなように本来は発光素子がマトリックス状に形成
されたものであり、図示しない多数の発光層（青色に対
応）が形成されている。
【０１０４】続けて、図１９に示すように、前述した青
色（Ｂ）発光層１１０ｂ3の場合と同様の工程を用い、
赤色（Ｒ）発光層１１０ｂ1を形成し、最後に緑色
（Ｇ）発光層１１０ｂ2を形成する。なお、発光層１１
０ｂの形成順序は、前述の順序に限られるものではな
く、どのような順番で形成しても良い。例えば、発光層
形成材料に応じて形成する順番を決める事も可能であ
る。
色（Ｂ）発光層１１０ｂ3の場合と同様の工程を用い、
赤色（Ｒ）発光層１１０ｂ1を形成し、最後に緑色
（Ｇ）発光層１１０ｂ2を形成する。なお、発光層１１
０ｂの形成順序は、前述の順序に限られるものではな
く、どのような順番で形成しても良い。例えば、発光層
形成材料に応じて形成する順番を決める事も可能であ
る。
【０１０５】また、発光層の第２組成物の乾燥条件は、
青色１１０ｂ3の場合、例えば、窒素雰囲気中、室温で
圧力を１３３．３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）程度として５〜１
０分行う条件とする。圧力が低すぎると第２組成物が突
沸してしまうので好ましくない。また、温度を室温以上
にすると、非極性溶媒の蒸発速度が高まり、発光層形成
材料が上部開口部１１２ｄ壁面に多く付着してしまうの
で好ましくない。また緑色発光層１１０ｂ2、および赤
色発光層１１０ｂ１の場合、発光層形成材料の成分数が
多いために素早く乾燥させることが好ましく、例えば、
４０℃で窒素の吹き付けを５〜１０分行う条件とするの
がよい。その他の乾燥の手段としては、遠赤外線照射
法、高温窒素ガス吹付法等を例示できる。このようにし
て、画素電極１１１上に正孔注入／輸送層１１０ａ及び
発光層１１０ｂが形成される。
青色１１０ｂ3の場合、例えば、窒素雰囲気中、室温で
圧力を１３３．３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）程度として５〜１
０分行う条件とする。圧力が低すぎると第２組成物が突
沸してしまうので好ましくない。また、温度を室温以上
にすると、非極性溶媒の蒸発速度が高まり、発光層形成
材料が上部開口部１１２ｄ壁面に多く付着してしまうの
で好ましくない。また緑色発光層１１０ｂ2、および赤
色発光層１１０ｂ１の場合、発光層形成材料の成分数が
多いために素早く乾燥させることが好ましく、例えば、
４０℃で窒素の吹き付けを５〜１０分行う条件とするの
がよい。その他の乾燥の手段としては、遠赤外線照射
法、高温窒素ガス吹付法等を例示できる。このようにし
て、画素電極１１１上に正孔注入／輸送層１１０ａ及び
発光層１１０ｂが形成される。
【０１０６】(5)対向電極（陰極）形成工程
次に対向電極形成工程では、図２０に示すように、発光
層１１０ｂ及び有機物バンク層１１２ｂの全面に陰極１
２（対向電極）を形成する。なお，陰極１２は複数の材
料を積層して形成しても良い。例えば、発光層に近い側
には仕事関数が小さい材料を形成することが好ましく、
例えばＣａ、Ｂａ等を用いることが可能であり、また材
料によっては下層にＬｉＦ等を薄く形成した方が良い場
合もある。また、上部側（封止側）には下部側よりも仕
事関数が高い材料、例えばＡｌを用いる事もできる。こ
れらの陰極１２は、例えば蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ
法等で形成することが好ましく、特に蒸着法で形成する
ことが、熱による発光層１１０ｂの損傷を防止できる点
で好ましい。また、フッ化リチウムは、発光層１１０ｂ
上のみに形成しても良く、更に所定の色に対応して形成
する事ができる。例えば、青色（Ｂ）発光層１１０ｂ3
上のみに形成しても良い。この場合、他の赤色（Ｒ）発
光層及び緑色（Ｇ）発光層１１０ｂ1、１１０ｂ2には、
カルシウムからなる上部陰極層１２ｂが接することとな
る。
層１１０ｂ及び有機物バンク層１１２ｂの全面に陰極１
２（対向電極）を形成する。なお，陰極１２は複数の材
料を積層して形成しても良い。例えば、発光層に近い側
には仕事関数が小さい材料を形成することが好ましく、
例えばＣａ、Ｂａ等を用いることが可能であり、また材
料によっては下層にＬｉＦ等を薄く形成した方が良い場
合もある。また、上部側（封止側）には下部側よりも仕
事関数が高い材料、例えばＡｌを用いる事もできる。こ
れらの陰極１２は、例えば蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ
法等で形成することが好ましく、特に蒸着法で形成する
ことが、熱による発光層１１０ｂの損傷を防止できる点
で好ましい。また、フッ化リチウムは、発光層１１０ｂ
上のみに形成しても良く、更に所定の色に対応して形成
する事ができる。例えば、青色（Ｂ）発光層１１０ｂ3
上のみに形成しても良い。この場合、他の赤色（Ｒ）発
光層及び緑色（Ｇ）発光層１１０ｂ1、１１０ｂ2には、
カルシウムからなる上部陰極層１２ｂが接することとな
る。
【０１０７】また陰極１２の上部には、蒸着法、スパッ
タ法、ＣＶＤ法等により形成したＡｌ膜、Ａｇ膜等を用
いることが好ましい。また、その厚さは、例えば１００
〜１０００ｎｍの範囲が好ましく、特に２００〜５００
ｎｍ程度がよい。また陰極１２上に、酸化防止のために
ＳｉＯ2、ＳｉＮ等の保護層を設けても良い。
タ法、ＣＶＤ法等により形成したＡｌ膜、Ａｇ膜等を用
いることが好ましい。また、その厚さは、例えば１００
〜１０００ｎｍの範囲が好ましく、特に２００〜５００
ｎｍ程度がよい。また陰極１２上に、酸化防止のために
ＳｉＯ2、ＳｉＮ等の保護層を設けても良い。
【０１０８】(6)封止工程
最後に封止工程は、発光素子が形成された基板２と封止
基板３ｂとを封止樹脂３ａにより封止する工程である。
たとえば、熱硬化樹脂または紫外線硬化樹脂からなる封
止樹脂３ａを基板２の全面に塗布し、封止樹脂３ａ上に
封止用基板３ｂを積層する。この工程により基板２上に
封止部３を形成する。封止工程は、窒素、アルゴン、ヘ
リウム等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。大
気中で行うと、陰極１２にピンホール等の欠陥が生じて
いた場合にこの欠陥部分から水や酸素等が陰極１２に侵
入して陰極１２が酸化されるおそれがあるので好ましく
ない。更に、図２に例示した基板５の配線５ａに陰極１
２を接続するとともに、駆動ＩＣ６に回路素子部１４の
配線を接続することにより、本実施形態の表示装置１が
得られる。
基板３ｂとを封止樹脂３ａにより封止する工程である。
たとえば、熱硬化樹脂または紫外線硬化樹脂からなる封
止樹脂３ａを基板２の全面に塗布し、封止樹脂３ａ上に
封止用基板３ｂを積層する。この工程により基板２上に
封止部３を形成する。封止工程は、窒素、アルゴン、ヘ
リウム等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。大
気中で行うと、陰極１２にピンホール等の欠陥が生じて
いた場合にこの欠陥部分から水や酸素等が陰極１２に侵
入して陰極１２が酸化されるおそれがあるので好ましく
ない。更に、図２に例示した基板５の配線５ａに陰極１
２を接続するとともに、駆動ＩＣ６に回路素子部１４の
配線を接続することにより、本実施形態の表示装置１が
得られる。
【０１０９】［第２の実施形態］次に、本発明の第２の
実施形態を図面を参照して説明する。なお、以下の説明
では、上記第１実施形態と同様の部位については同じ符
号を付し、その説明を一部省略する。図２１は第２の実
施形態の表示装置を示す断面図である。
実施形態を図面を参照して説明する。なお、以下の説明
では、上記第１実施形態と同様の部位については同じ符
号を付し、その説明を一部省略する。図２１は第２の実
施形態の表示装置を示す断面図である。
【０１１０】本実施形態の表示装置は、図２１に示すよ
うに、基板２′と、マトリックス状に配置された発光素
子を具備して基板２′上に形成された発光素子部１１
と、発光素子部１１上に形成された陰極１２′とを具備
している。発光素子部１１と陰極１２′とにより表示素
子１０′が構成される。本実施形態の表示装置は封止部
３′側が表示面として構成された所謂トップエミッショ
ン型の構造を有しており、基板２′としては、透明基板
（又は半透明基板）及び不透明基板のいずれを用いるこ
ともできる。透明又は半透明な基板としては、例えばガ
ラス、石英、樹脂（プラスチック、プラスチックフィル
ム）等が挙げられ、特に、安価なソーダガラス基板が好
適に用いられる。不透明な基板としては、例えばアルミ
ナ等のセラミックやステンレススチール等の金属シート
に表面酸化等の絶縁処理を施したものの他に、熱硬化性
樹脂、熱可塑性樹脂等が挙げられる。また、基板２′
は、中央に位置する表示領域２ａと、基板２′の周縁に
位置して表示領域２ａを囲む非表示領域２ｂとに区画さ
れている。
うに、基板２′と、マトリックス状に配置された発光素
子を具備して基板２′上に形成された発光素子部１１
と、発光素子部１１上に形成された陰極１２′とを具備
している。発光素子部１１と陰極１２′とにより表示素
子１０′が構成される。本実施形態の表示装置は封止部
３′側が表示面として構成された所謂トップエミッショ
ン型の構造を有しており、基板２′としては、透明基板
（又は半透明基板）及び不透明基板のいずれを用いるこ
ともできる。透明又は半透明な基板としては、例えばガ
ラス、石英、樹脂（プラスチック、プラスチックフィル
ム）等が挙げられ、特に、安価なソーダガラス基板が好
適に用いられる。不透明な基板としては、例えばアルミ
ナ等のセラミックやステンレススチール等の金属シート
に表面酸化等の絶縁処理を施したものの他に、熱硬化性
樹脂、熱可塑性樹脂等が挙げられる。また、基板２′
は、中央に位置する表示領域２ａと、基板２′の周縁に
位置して表示領域２ａを囲む非表示領域２ｂとに区画さ
れている。
【０１１１】表示領域２ａは、マトリックス状に配置さ
れた発光素子によって形成される領域であり、表示領域
の外側に非表示領域２ｂが形成されている。そして，非
表示領域２ｂには、表示領域２ａに隣接するダミー表示
領域２ｄが形成されている。また、発光素子部１１と基
板２′の間には回路素子部１４が備えられ、この回路素
子部１４には、上記第１実施形態と同様に、走査線、信
号線、保持容量、スイッチング用の薄膜トランジスタ、
駆動用の薄膜トランジスタ１２３等が備えられている。
れた発光素子によって形成される領域であり、表示領域
の外側に非表示領域２ｂが形成されている。そして，非
表示領域２ｂには、表示領域２ａに隣接するダミー表示
領域２ｄが形成されている。また、発光素子部１１と基
板２′の間には回路素子部１４が備えられ、この回路素
子部１４には、上記第１実施形態と同様に、走査線、信
号線、保持容量、スイッチング用の薄膜トランジスタ、
駆動用の薄膜トランジスタ１２３等が備えられている。
【０１１２】また、陰極１２′は、その一端が発光素子
部１１上から基板２′上に形成された陰極用配線１２ａ
に接続しており、この配線の一端部がフレキシブル基板
（図示略）上の配線に接続されている。また、配線は、
フレキシブル基板上に備えられた図示しない駆動ＩＣ
（駆動回路）に接続されている。また、回路素子部１４
の非表示領域２ｂには、前述の第１実施形態において説
明した電源線１０３（１０３Ｒ、１０３Ｇ、１０３Ｂ）
が配線されている。また、表示領域２ａの両側には、前
述の走査側駆動回路１０５、１０５が配置されている。
この走査側駆動回路１０５、１０５はダミー領域２ｄの
下側の回路素子部１４内に設けられている。更に回路素
子部１４内には、走査側駆動回路１０５、１０５に接続
される駆動回路用制御信号配線１０５ａと駆動回路用電
源配線１０５ｂとが設けられている。
部１１上から基板２′上に形成された陰極用配線１２ａ
に接続しており、この配線の一端部がフレキシブル基板
（図示略）上の配線に接続されている。また、配線は、
フレキシブル基板上に備えられた図示しない駆動ＩＣ
（駆動回路）に接続されている。また、回路素子部１４
の非表示領域２ｂには、前述の第１実施形態において説
明した電源線１０３（１０３Ｒ、１０３Ｇ、１０３Ｂ）
が配線されている。また、表示領域２ａの両側には、前
述の走査側駆動回路１０５、１０５が配置されている。
この走査側駆動回路１０５、１０５はダミー領域２ｄの
下側の回路素子部１４内に設けられている。更に回路素
子部１４内には、走査側駆動回路１０５、１０５に接続
される駆動回路用制御信号配線１０５ａと駆動回路用電
源配線１０５ｂとが設けられている。
【０１１３】また、発光素子部１１上には封止部３′が
備えられている。この封止部３′は、基板２′に塗布さ
れた封止樹脂６０３と、封止缶６０４′とから構成され
ている。封止樹脂６０３は、熱硬化樹脂あるいは紫外線
硬化樹脂等からなり、特に、熱硬化樹脂の１種であるエ
ポキシ樹脂よりなることが好ましい。この封止樹脂６０
３は、基板２′の周囲に環状に塗布されており、例え
ば、マイクロディスペンサ等により塗布されたものであ
る。この封止樹脂６０３は、基板２′と封止缶６０４′
を接合するもので、基板２′と封止缶６０４′の間から
封止缶６０４′内部への水又は酸素の侵入を防いで、陰
極１２′または発光素子部１１内に形成された図示略の
発光層の酸化を防止する。
備えられている。この封止部３′は、基板２′に塗布さ
れた封止樹脂６０３と、封止缶６０４′とから構成され
ている。封止樹脂６０３は、熱硬化樹脂あるいは紫外線
硬化樹脂等からなり、特に、熱硬化樹脂の１種であるエ
ポキシ樹脂よりなることが好ましい。この封止樹脂６０
３は、基板２′の周囲に環状に塗布されており、例え
ば、マイクロディスペンサ等により塗布されたものであ
る。この封止樹脂６０３は、基板２′と封止缶６０４′
を接合するもので、基板２′と封止缶６０４′の間から
封止缶６０４′内部への水又は酸素の侵入を防いで、陰
極１２′または発光素子部１１内に形成された図示略の
発光層の酸化を防止する。
【０１１４】封止缶６０４′は、ガラスや樹脂等の透光
性部材からなり、封止樹脂６０３を介して基板２′に接
合され、その内側には表示素子１０′を収納する凹部６
０４ａが設けられている。なお、凹部６０４ａには、必
要に応じて、水や酸素等を吸収するゲッター剤を設けて
もよい。このゲッター剤は、例えばに凹部６０４内の非
表示領域２ｂに設けられることで、表示に影響を及ぼさ
ないようにすることができる。図２２には、表示装置に
おける表示領域の断面構造を拡大した図を示す。この図
２２には３つの画素領域が図示されている。この表示装
置は、基板２′上に、ＴＦＴなどの回路等が形成された
回路素子部１４、機能層１１０が形成された発光素子部
１１及び陰極１２が順次積層されて構成されている。
性部材からなり、封止樹脂６０３を介して基板２′に接
合され、その内側には表示素子１０′を収納する凹部６
０４ａが設けられている。なお、凹部６０４ａには、必
要に応じて、水や酸素等を吸収するゲッター剤を設けて
もよい。このゲッター剤は、例えばに凹部６０４内の非
表示領域２ｂに設けられることで、表示に影響を及ぼさ
ないようにすることができる。図２２には、表示装置に
おける表示領域の断面構造を拡大した図を示す。この図
２２には３つの画素領域が図示されている。この表示装
置は、基板２′上に、ＴＦＴなどの回路等が形成された
回路素子部１４、機能層１１０が形成された発光素子部
１１及び陰極１２が順次積層されて構成されている。
【０１１５】この表示装置においては、機能層１１０か
ら封止部３′側に発した光が、封止缶６０４′の上側
（観察者側）に出射されるとともに、機能層１１０から
基板２′側に発した光が画素電極１１１′により反射さ
れて、封止部３′側（観察者側）に出射されるようにな
っている。このため、陰極１２′には、例えばＩＴＯ、
Ｐｔ、Ｉｒ、Ｎｉ、もしくはＰｄ等の透明な材料が用い
られる。膜厚としては７５ｎｍほどの膜厚にする事が好
ましく、この膜厚よりも薄くした方がより好ましい。ま
た、画素電極１１１′には、例えばＡｌやＡｇ等の高反
射率の金属材料を用いることが好ましく、これにより、
基板２′側に発した光を封止部３′側に効率的に出射さ
せることができる。発光素子部１１は、複数の画素電極
１１１′…上の各々に積層された機能層１１０と、各画
素電極１１１′及び機能層１１０の間に備えられて各機
能層１１０を区画するバンク部１１２とを主体として構
成されている。機能層１１０上には陰極１２が配置され
ている。これら画素電極１１１′、機能層１１０及び陰
極１２′によって発光素子が構成されている。ここで、
画素電極１１１′は、例えばＩＴＯにより形成されてな
り、平面視略矩形にパターニングされて形成されてい
る。この画素電極１１１′の厚さは、例えば５０〜２０
０ｎｍの範囲が好ましく、特に１５０ｎｍ程度がよい。
この各画素電極１１１′…の間にバンク部１１２が備え
られている。
ら封止部３′側に発した光が、封止缶６０４′の上側
（観察者側）に出射されるとともに、機能層１１０から
基板２′側に発した光が画素電極１１１′により反射さ
れて、封止部３′側（観察者側）に出射されるようにな
っている。このため、陰極１２′には、例えばＩＴＯ、
Ｐｔ、Ｉｒ、Ｎｉ、もしくはＰｄ等の透明な材料が用い
られる。膜厚としては７５ｎｍほどの膜厚にする事が好
ましく、この膜厚よりも薄くした方がより好ましい。ま
た、画素電極１１１′には、例えばＡｌやＡｇ等の高反
射率の金属材料を用いることが好ましく、これにより、
基板２′側に発した光を封止部３′側に効率的に出射さ
せることができる。発光素子部１１は、複数の画素電極
１１１′…上の各々に積層された機能層１１０と、各画
素電極１１１′及び機能層１１０の間に備えられて各機
能層１１０を区画するバンク部１１２とを主体として構
成されている。機能層１１０上には陰極１２が配置され
ている。これら画素電極１１１′、機能層１１０及び陰
極１２′によって発光素子が構成されている。ここで、
画素電極１１１′は、例えばＩＴＯにより形成されてな
り、平面視略矩形にパターニングされて形成されてい
る。この画素電極１１１′の厚さは、例えば５０〜２０
０ｎｍの範囲が好ましく、特に１５０ｎｍ程度がよい。
この各画素電極１１１′…の間にバンク部１１２が備え
られている。
【０１１６】バンク部１１２は、基板２側に位置する無
機物バンク層１１２ａ（第１バンク層）と基板２から離
れて位置する有機物バンク層１１２ｂ（第２バンク層）
とが積層されて構成されている。
機物バンク層１１２ａ（第１バンク層）と基板２から離
れて位置する有機物バンク層１１２ｂ（第２バンク層）
とが積層されて構成されている。
【０１１７】無機物、有機物バンク層１１２ａ、１１２
ｂは、画素電極１１１′の周縁部上に乗上げるように形
成されている。平面的には、画素電極１１１′の周囲と
無機物バンク層１１２ａとが平面的に重なるように配置
された構造となっている。また、有機物バンク層１１２
ｂも同様であり、画素電極１１１′の一部と平面的に重
なるように配置されている。また無機物バンク層１１２
ａは、有機物バンク層１１２ｂよりも画素電極１１１′
の中央側に更に形成されている。このようにして、無機
物バンク層１１２ａの各第１積層部１１２ｅが画素電極
１１１の内側に形成されることにより、画素電極１１１
の形成位置に対応する下部開口部１１２ｃが設けられて
いる。
ｂは、画素電極１１１′の周縁部上に乗上げるように形
成されている。平面的には、画素電極１１１′の周囲と
無機物バンク層１１２ａとが平面的に重なるように配置
された構造となっている。また、有機物バンク層１１２
ｂも同様であり、画素電極１１１′の一部と平面的に重
なるように配置されている。また無機物バンク層１１２
ａは、有機物バンク層１１２ｂよりも画素電極１１１′
の中央側に更に形成されている。このようにして、無機
物バンク層１１２ａの各第１積層部１１２ｅが画素電極
１１１の内側に形成されることにより、画素電極１１１
の形成位置に対応する下部開口部１１２ｃが設けられて
いる。
【０１１８】また、有機物バンク層１１２ｂには、上部
開口部１１２ｄが形成されている。この上部開口部１１
２ｄは、画素電極１１１の形成位置及び下部開口部１１
２ｃに対応するように設けられている。上部開口部１１
２ｄは、図２２に示すように、下部開口部１１２ｃより
広く、画素電極１１１′より狭く形成されている。ま
た、上部開口部１１２ｄの上部の位置と、画素電極１１
１′の端部とがほぼ同じ位置になるように形成される場
合もある。この場合は、図２２に示すように、有機物バ
ンク層１１２ｂの上部開口部１１２ｄの断面が傾斜する
形状となる。そしてバンク部１１２には、下部開口部１
１２ｃ及び上部開口部１１２ｄが連通することにより、
無機物バンク層１１２ａ及び有機物バンク層１１２ｂを
貫通する開口部１１２ｇが形成されている。
開口部１１２ｄが形成されている。この上部開口部１１
２ｄは、画素電極１１１の形成位置及び下部開口部１１
２ｃに対応するように設けられている。上部開口部１１
２ｄは、図２２に示すように、下部開口部１１２ｃより
広く、画素電極１１１′より狭く形成されている。ま
た、上部開口部１１２ｄの上部の位置と、画素電極１１
１′の端部とがほぼ同じ位置になるように形成される場
合もある。この場合は、図２２に示すように、有機物バ
ンク層１１２ｂの上部開口部１１２ｄの断面が傾斜する
形状となる。そしてバンク部１１２には、下部開口部１
１２ｃ及び上部開口部１１２ｄが連通することにより、
無機物バンク層１１２ａ及び有機物バンク層１１２ｂを
貫通する開口部１１２ｇが形成されている。
【０１１９】また、無機物バンク層１１２ａは、例え
ば、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2等の無機材料からなるこ
とが好ましい。この無機物バンク層１１２ａの膜厚は、
例えば５０〜２００ｎｍの範囲が好ましく、特に１５０
ｎｍがよい。膜厚が５０ｎｍ未満では、無機物バンク層
１１２ａが後述する正孔注入／輸送層より薄くなり、正
孔注入／輸送層の平坦性を確保できなくなるので好まし
くない。また膜厚が２００ｎｍを越えると、下部開口部
１１２ｃによる段差が大きくなって、正孔注入／輸送層
上に積層する後述の発光層の平坦性を確保できなくなる
ので好ましくない。
ば、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2等の無機材料からなるこ
とが好ましい。この無機物バンク層１１２ａの膜厚は、
例えば５０〜２００ｎｍの範囲が好ましく、特に１５０
ｎｍがよい。膜厚が５０ｎｍ未満では、無機物バンク層
１１２ａが後述する正孔注入／輸送層より薄くなり、正
孔注入／輸送層の平坦性を確保できなくなるので好まし
くない。また膜厚が２００ｎｍを越えると、下部開口部
１１２ｃによる段差が大きくなって、正孔注入／輸送層
上に積層する後述の発光層の平坦性を確保できなくなる
ので好ましくない。
【０１２０】更に、有機物バンク層１１２ｂは、アクリ
ル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶媒性に優れた
レジストから形成されている。この有機物バンク層１１
２ｂの厚さは、例えば０．１〜３．５μｍの範囲が好ま
しく、特に２μｍ程度がよい。厚さが０．１μｍ未満で
は、後述する正孔注入／輸送層及び発光層の合計厚より
有機物バンク層１１２ｂが薄くなり、発光層が上部開口
部１１２ｄから溢れるおそれがあるので好ましくない。
また、厚さが３．５μｍを越えると、上部開口部１１２
ｄによる段差が大きくなり、有機物バンク層１１２ｂ上
に形成する陰極１２のステップカバレッジを確保できな
くなるので好ましくない。また、有機物バンク層１１２
ｂの厚さを２μｍ以上にすれば、駆動用の薄膜トランジ
スタ１２３との絶縁を高めることができる点でより好ま
しい。
ル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶媒性に優れた
レジストから形成されている。この有機物バンク層１１
２ｂの厚さは、例えば０．１〜３．５μｍの範囲が好ま
しく、特に２μｍ程度がよい。厚さが０．１μｍ未満で
は、後述する正孔注入／輸送層及び発光層の合計厚より
有機物バンク層１１２ｂが薄くなり、発光層が上部開口
部１１２ｄから溢れるおそれがあるので好ましくない。
また、厚さが３．５μｍを越えると、上部開口部１１２
ｄによる段差が大きくなり、有機物バンク層１１２ｂ上
に形成する陰極１２のステップカバレッジを確保できな
くなるので好ましくない。また、有機物バンク層１１２
ｂの厚さを２μｍ以上にすれば、駆動用の薄膜トランジ
スタ１２３との絶縁を高めることができる点でより好ま
しい。
【０１２１】また、バンク部１１２には、親液性を示す
領域と、撥液性を示す領域が形成されている。親液性を
示す領域は、無機物バンク層１１２ａの第１積層部１１
２ｅ及び画素電極１１１の電極面１１１ａであり、これ
らの領域は、酸素を処理ガスとするプラズマ処理によっ
て親液性に表面処理されている。また、撥液性を示す領
域は、上部開口部１１２ｄの壁面及び有機物バンク層１
１２の上面１１２ｆであり、これらの領域は、４フッ化
メタンを処理ガスとするプラズマ処理によって表面がフ
ッ化処理（撥液性に処理）されている。
領域と、撥液性を示す領域が形成されている。親液性を
示す領域は、無機物バンク層１１２ａの第１積層部１１
２ｅ及び画素電極１１１の電極面１１１ａであり、これ
らの領域は、酸素を処理ガスとするプラズマ処理によっ
て親液性に表面処理されている。また、撥液性を示す領
域は、上部開口部１１２ｄの壁面及び有機物バンク層１
１２の上面１１２ｆであり、これらの領域は、４フッ化
メタンを処理ガスとするプラズマ処理によって表面がフ
ッ化処理（撥液性に処理）されている。
【０１２２】機能層１１０は、画素電極１１１′上に積
層された正孔注入／輸送層１１０ａと、正孔注入／輸送
層１１０ａ上に隣接して形成された発光層１１０ｂとか
ら構成されている。なお、発光層１１０ｂに隣接してそ
の他の機能を有する他の機能層を更に形成しても良い。
例えば、電子輸送層を形成する事も可能である。正孔注
入／輸送層１１０ａは、正孔を発光層１１０ｂに注入す
る機能を有するとともに、正孔を正孔注入／輸送層１１
０ａ内部において輸送する機能を有する。このような正
孔注入／輸送層１１０ａを画素電極１１１′と発光層１
１０ｂの間に設けることにより、発光層１１０ｂの発光
効率、寿命等の素子特性が向上する。また、発光層１１
０ｂでは、正孔注入／輸送層１１０ａから注入された正
孔と、陰極１２′から注入される電子が発光層で再結合
し、発光が行われる。
層された正孔注入／輸送層１１０ａと、正孔注入／輸送
層１１０ａ上に隣接して形成された発光層１１０ｂとか
ら構成されている。なお、発光層１１０ｂに隣接してそ
の他の機能を有する他の機能層を更に形成しても良い。
例えば、電子輸送層を形成する事も可能である。正孔注
入／輸送層１１０ａは、正孔を発光層１１０ｂに注入す
る機能を有するとともに、正孔を正孔注入／輸送層１１
０ａ内部において輸送する機能を有する。このような正
孔注入／輸送層１１０ａを画素電極１１１′と発光層１
１０ｂの間に設けることにより、発光層１１０ｂの発光
効率、寿命等の素子特性が向上する。また、発光層１１
０ｂでは、正孔注入／輸送層１１０ａから注入された正
孔と、陰極１２′から注入される電子が発光層で再結合
し、発光が行われる。
【０１２３】正孔注入／輸送層１１０ａは、下部開口部
１１２ｃ内に位置して画素電極面１１１ａ上に形成され
る平坦部１１０ａ1と、上部開口部１１２ｄ内に位置し
て無機物バンク層の第１積層部１１２ｅ上に形成される
周縁部１１０ａ2から構成されている。また、正孔注入
／輸送層１１０ａは、構造によっては、画素電極１１
１′上であって、且つ無機物バンク層１１０ａの間（下
部開口部１１０ｃ）にのみ形成されている（前述に記載
した平坦部にのみ形成される形態もある）。この平坦部
１１０ａ1は、その厚さがほぼ一定で、例えば５０〜７
０ｎｍの範囲に形成される。
１１２ｃ内に位置して画素電極面１１１ａ上に形成され
る平坦部１１０ａ1と、上部開口部１１２ｄ内に位置し
て無機物バンク層の第１積層部１１２ｅ上に形成される
周縁部１１０ａ2から構成されている。また、正孔注入
／輸送層１１０ａは、構造によっては、画素電極１１
１′上であって、且つ無機物バンク層１１０ａの間（下
部開口部１１０ｃ）にのみ形成されている（前述に記載
した平坦部にのみ形成される形態もある）。この平坦部
１１０ａ1は、その厚さがほぼ一定で、例えば５０〜７
０ｎｍの範囲に形成される。
【０１２４】周縁部１１０ａ2が形成される場合におい
ては、周縁部１１０ａ2は、無機物バンク層の第１積層
部１１２ｅ上に位置するとともに上部開口部１１２ｄの
壁面、即ち有機物バンク層１１２ｂに接している。ま
た、周縁部１１０ａ2の厚さは、電極面１１１ａに近い
側で薄く、電極面１１１ａから離れる方向に沿って増大
し、下部開口部１１２ｄの壁面近くで最も厚くなってい
る。周縁部１１０ａ2が上記の様な形状を示す理由とし
ては、正孔注入／輸送層１１０ａが、正孔注入／輸送層
形成材料及び極性溶媒を含む第１組成物（組成物）を開
口部１１２内に吐出してから極性溶媒を除去して形成さ
れたものであり、極性溶媒の揮発が主に無機物バンク層
の第１積層部１１２ｅ上で起こり、正孔注入／輸送層形
成材料がこの第１積層部１１２ｅ上に集中的に濃縮・析
出されたためである。
ては、周縁部１１０ａ2は、無機物バンク層の第１積層
部１１２ｅ上に位置するとともに上部開口部１１２ｄの
壁面、即ち有機物バンク層１１２ｂに接している。ま
た、周縁部１１０ａ2の厚さは、電極面１１１ａに近い
側で薄く、電極面１１１ａから離れる方向に沿って増大
し、下部開口部１１２ｄの壁面近くで最も厚くなってい
る。周縁部１１０ａ2が上記の様な形状を示す理由とし
ては、正孔注入／輸送層１１０ａが、正孔注入／輸送層
形成材料及び極性溶媒を含む第１組成物（組成物）を開
口部１１２内に吐出してから極性溶媒を除去して形成さ
れたものであり、極性溶媒の揮発が主に無機物バンク層
の第１積層部１１２ｅ上で起こり、正孔注入／輸送層形
成材料がこの第１積層部１１２ｅ上に集中的に濃縮・析
出されたためである。
【０１２５】また発光層１１０ｂは、正孔注入／輸送層
１１０ａの平坦部１１０ａ1及び周縁部１１０ａ2上に渡
って形成されており、平坦部１１２ａ1上での厚さが例
えば５０〜８０ｎｍの範囲とされている。発光層１１０
ｂは、赤色（Ｒ）に発光する赤色発光層１１０ｂ1、緑
色（Ｇ）に発光する緑色発光層１１０ｂ2、及び青色
（Ｂ）に発光する青色発光層１１０ｂ3、の３種類を有
し、各発光層１１０ｂ1〜１１０ｂ3がストライプ配置さ
れている。なお、回路素子部１４の構成については、上
記第１実施形態と同様であるため、説明を省略する。
１１０ａの平坦部１１０ａ1及び周縁部１１０ａ2上に渡
って形成されており、平坦部１１２ａ1上での厚さが例
えば５０〜８０ｎｍの範囲とされている。発光層１１０
ｂは、赤色（Ｒ）に発光する赤色発光層１１０ｂ1、緑
色（Ｇ）に発光する緑色発光層１１０ｂ2、及び青色
（Ｂ）に発光する青色発光層１１０ｂ3、の３種類を有
し、各発光層１１０ｂ1〜１１０ｂ3がストライプ配置さ
れている。なお、回路素子部１４の構成については、上
記第１実施形態と同様であるため、説明を省略する。
【０１２６】したがって、本実施形態の表示装置でも、
上記第１実施形態と同様に、発光層１１０ｂにおける発
光量を面内で均一化することができる。また、図２１で
は、ＴＦＴ１２３をバンク部１１２の下層側（即ち、隣
接する発光層の間の領域）に配置した構造を示したが、
本実施形態のように発光層１１０ｂからの光を封止部
３′側から取り出す場合には、画素の開口率は画素電極
１１１′の下層側に配置される回路構造に影響されない
ため、回路素子部１４の配線やＴＦＴ１２３と画素電極
１１１′とが平面視で重なるように配置することも可能
である。これにより、画素電極１１１′を最大限広くす
るとともに、配線の太さを十分に太くすることで、高輝
度且つ大画面表示を実現することができる。なお、本実
施形態の表示装置の製造方法は、第１の実施形態の表示
装置の製造方法と略同様であり、異なる点は、画素電極
１１１′，陰極１２′，封止缶６０４′の材料のみであ
る。したがって、本実施形態の表示装置は、上記相違点
を除いて、第１実施形態の製造方法と同様な手順で製造
される。
上記第１実施形態と同様に、発光層１１０ｂにおける発
光量を面内で均一化することができる。また、図２１で
は、ＴＦＴ１２３をバンク部１１２の下層側（即ち、隣
接する発光層の間の領域）に配置した構造を示したが、
本実施形態のように発光層１１０ｂからの光を封止部
３′側から取り出す場合には、画素の開口率は画素電極
１１１′の下層側に配置される回路構造に影響されない
ため、回路素子部１４の配線やＴＦＴ１２３と画素電極
１１１′とが平面視で重なるように配置することも可能
である。これにより、画素電極１１１′を最大限広くす
るとともに、配線の太さを十分に太くすることで、高輝
度且つ大画面表示を実現することができる。なお、本実
施形態の表示装置の製造方法は、第１の実施形態の表示
装置の製造方法と略同様であり、異なる点は、画素電極
１１１′，陰極１２′，封止缶６０４′の材料のみであ
る。したがって、本実施形態の表示装置は、上記相違点
を除いて、第１実施形態の製造方法と同様な手順で製造
される。
【０１２７】［第３の実施形態］次に、第１又は第２の
実施形態の表示装置を備えた電子機器の具体例について
説明する。図２３（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜
視図である。図２３（ａ）において、符号６００は携帯
電話本体を示し、符号６０１は前記の表示装置を用いた
表示部を示している。図２３（ｂ）は、ワープロ、パソ
コンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図で
ある。図２３（ｂ）において、符号７００は情報処理装
置、符号７０１はキーボードなどの入力部、符号７０３
は情報処理装置本体、符号７０２は前記の表示装置を用
いた表示部を示している。図２３（ｃ）は、腕時計型電
子機器の一例を示した斜視図である。図２３（ｃ）にお
いて、符号８００は時計本体を示し、符号８０１は前記
の表示装置を用いた表示部を示している。図２３（ａ）
〜（ｃ）に示すそれぞれの電子機器は、前記の第１又は
第２の実施形態の表示装置を用いた表示部を備えたもの
であり、先の第１又は第２の実施形態の表示装置の特徴
を有するので、高輝度であって表示品質に優れた効果を
有する電子機器となる。これらの電子機器を製造するに
は、第１又は第２の実施形態と同様にして、図２に示す
ような駆動ＩＣ６（駆動回路）を備えた表示装置１を構
成し、この表示装置１を、携帯電話、携帯型情報処理装
置、腕時計型電子機器に組み込むことにより製造され
る。
実施形態の表示装置を備えた電子機器の具体例について
説明する。図２３（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜
視図である。図２３（ａ）において、符号６００は携帯
電話本体を示し、符号６０１は前記の表示装置を用いた
表示部を示している。図２３（ｂ）は、ワープロ、パソ
コンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図で
ある。図２３（ｂ）において、符号７００は情報処理装
置、符号７０１はキーボードなどの入力部、符号７０３
は情報処理装置本体、符号７０２は前記の表示装置を用
いた表示部を示している。図２３（ｃ）は、腕時計型電
子機器の一例を示した斜視図である。図２３（ｃ）にお
いて、符号８００は時計本体を示し、符号８０１は前記
の表示装置を用いた表示部を示している。図２３（ａ）
〜（ｃ）に示すそれぞれの電子機器は、前記の第１又は
第２の実施形態の表示装置を用いた表示部を備えたもの
であり、先の第１又は第２の実施形態の表示装置の特徴
を有するので、高輝度であって表示品質に優れた効果を
有する電子機器となる。これらの電子機器を製造するに
は、第１又は第２の実施形態と同様にして、図２に示す
ような駆動ＩＣ６（駆動回路）を備えた表示装置１を構
成し、この表示装置１を、携帯電話、携帯型情報処理装
置、腕時計型電子機器に組み込むことにより製造され
る。
【０１２８】なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態
に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない
範囲において種々の変更を加えることが可能である。図
２４には、本発明に係る他の例の表示装置の断面模式図
を示す。図２４に示す表示装置は、基板２と、基板２上
に形成された表示素子１０と、基板２の周囲に環状に塗
布された封止樹脂６０３と、表示素子１０上に備えられ
た封止缶６０４とを具備して構成されている。
に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない
範囲において種々の変更を加えることが可能である。図
２４には、本発明に係る他の例の表示装置の断面模式図
を示す。図２４に示す表示装置は、基板２と、基板２上
に形成された表示素子１０と、基板２の周囲に環状に塗
布された封止樹脂６０３と、表示素子１０上に備えられ
た封止缶６０４とを具備して構成されている。
【０１２９】基板２及び表示素子１０は、第１又は第２
の実施形態に係る基板及び表示素子と同じものである。
表示素子１０は、発光素子部１１と、該発光素子部１１
上に形成された陰極１２とを主体として構成されてい
る。
の実施形態に係る基板及び表示素子と同じものである。
表示素子１０は、発光素子部１１と、該発光素子部１１
上に形成された陰極１２とを主体として構成されてい
る。
【０１３０】また図２４に示すように、発光素子部１１
上には封止部３が備えられている。この封止部３は、陰
極１２上に塗布された熱硬化樹脂あるいは紫外線硬化樹
脂等からなる封止樹脂３ａと、封止樹脂３ａ上に配置さ
れた封止基板３ｂとからなる。なお、封止樹脂３ａとし
ては、硬化時にガス、溶媒等が発生しないものが好まし
い。この封止部３は、少なくとも発光素子部１１上にあ
る陰極１２をほぼ覆うように形成されており、陰極１２
及び発光素子部１１に対する水又は酸素の侵入を防い
で、陰極１２または発光素子部１１内に形成された後述
する発光層の酸化を防止する。尚、封止基板３ｂは、封
止樹脂３ａに接合されて封止樹脂３ａを保護するもので
あり、ガラス板、金属板若しくは樹脂板のいずれかであ
ることが好ましい。
上には封止部３が備えられている。この封止部３は、陰
極１２上に塗布された熱硬化樹脂あるいは紫外線硬化樹
脂等からなる封止樹脂３ａと、封止樹脂３ａ上に配置さ
れた封止基板３ｂとからなる。なお、封止樹脂３ａとし
ては、硬化時にガス、溶媒等が発生しないものが好まし
い。この封止部３は、少なくとも発光素子部１１上にあ
る陰極１２をほぼ覆うように形成されており、陰極１２
及び発光素子部１１に対する水又は酸素の侵入を防い
で、陰極１２または発光素子部１１内に形成された後述
する発光層の酸化を防止する。尚、封止基板３ｂは、封
止樹脂３ａに接合されて封止樹脂３ａを保護するもので
あり、ガラス板、金属板若しくは樹脂板のいずれかであ
ることが好ましい。
【０１３１】また図２５には、本発明に係る別の例の表
示装置の断面模式図を示す。図２５に示す表示装置は、
基板２と、基板２上に形成された表示素子１０と、表示
素子１０の全面に塗布された封止樹脂３ａと、封止樹脂
３ａ上に備えられた封止用基板３ｂとを具備して構成さ
れている。
示装置の断面模式図を示す。図２５に示す表示装置は、
基板２と、基板２上に形成された表示素子１０と、表示
素子１０の全面に塗布された封止樹脂３ａと、封止樹脂
３ａ上に備えられた封止用基板３ｂとを具備して構成さ
れている。
【０１３２】基板２、表示素子１０、封止樹脂３ａ及び
封止用基板３ｂは、第１又は第２の実施形態に係る基
板、表示素子、封止材及び封止用基板と同じものであ
る。表示素子１０は、発光素子部１１と、該発光素子部
１１上に形成された陰極１２とを主体として構成されて
いる。
封止用基板３ｂは、第１又は第２の実施形態に係る基
板、表示素子、封止材及び封止用基板と同じものであ
る。表示素子１０は、発光素子部１１と、該発光素子部
１１上に形成された陰極１２とを主体として構成されて
いる。
【０１３３】また、図２５に示すように、封止材３と陰
極１２の間には保護層７１３が形成されている。保護層
７１３は、ＳｉＯ2、ＳｉＮ等からなるものであり、厚
さが１００〜２００ｎｍの範囲とされている。この保護
層７１３は、陰極１２及び発光素子部１１に対する水又
は酸素の侵入を防いで、陰極１２または発光素子部１１
内に形成された図示略の発光層の酸化を防止する。上記
の表示装置によれば、水及び酸素の侵入を効果的に防い
で陰極１２または発光層の酸化を防止することにより、
表示装置の高輝度化及び長寿命化を図ることができる。
極１２の間には保護層７１３が形成されている。保護層
７１３は、ＳｉＯ2、ＳｉＮ等からなるものであり、厚
さが１００〜２００ｎｍの範囲とされている。この保護
層７１３は、陰極１２及び発光素子部１１に対する水又
は酸素の侵入を防いで、陰極１２または発光素子部１１
内に形成された図示略の発光層の酸化を防止する。上記
の表示装置によれば、水及び酸素の侵入を効果的に防い
で陰極１２または発光層の酸化を防止することにより、
表示装置の高輝度化及び長寿命化を図ることができる。
【０１３４】また、第１の実施形態においては、Ｒ、
Ｇ、Ｂの各発光層１１０ｂをストライプ配置した場合に
ついて説明したが、本発明はこれに限られず、様々な配
置構造を採用しても良い。例えば図２６（ａ）に示すよ
うなストライプ配置の他、図２６（ｂ）に示すようなモ
ザイク配置や、図２６（ｃ）に示すようなデルタ配置と
することができる。
Ｇ、Ｂの各発光層１１０ｂをストライプ配置した場合に
ついて説明したが、本発明はこれに限られず、様々な配
置構造を採用しても良い。例えば図２６（ａ）に示すよ
うなストライプ配置の他、図２６（ｂ）に示すようなモ
ザイク配置や、図２６（ｃ）に示すようなデルタ配置と
することができる。
【０１３５】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明の
表示装置によれば、前記正孔注入／輸送層が、電極上に
形成された平坦部と、第１バンク層の一部上に形成され
た周縁部とからなり、周縁部が第１バンク層によって電
極から絶縁された状態なので、周縁部から発光層に対し
て正孔が輸送されることがない。これにより、電極から
の電流が平坦部のみに流れ、正孔を平坦部から発光層に
輸送させることができ、発光層の中央部分を均一に発光
させることができる。また、第１バンク層が第２バンク
層よりも電極の中央側に更に延出されているので、この
第１バンク層によって平坦部の形状をトリミングするこ
とができ、各発光層間の発光強度のばらつきを抑えるこ
とができる。また、本発明の表示装置の製造方法によれ
ば、バンク部を第１バンク層と第２バンク層の積層構造
とし、このバンク部に対してプラズマ状態の酸素及びフ
ルオロカーボンガスを順次照射することにより、電極及
び第１バンク層の表面を親液性にするとともに、第２バ
ンク層の表面を撥液性にすることが可能になり、これに
よりバンク部に親液性の領域と撥液性の領域を同時に形
成することができる。そして、撥液性の第２バンク層の
上面では第１，第２組成物がはじかれて付着しないの
で、各組成物が第２バンク層の上面に誤って吐出された
場合でも、第１，第２組成物が上面ではじかれて電極上
に転がり込む。これにより、吐出した各組成物を必ず電
極上内に充填することができ、電極上に機能層を確実に
形成することができる。
表示装置によれば、前記正孔注入／輸送層が、電極上に
形成された平坦部と、第１バンク層の一部上に形成され
た周縁部とからなり、周縁部が第１バンク層によって電
極から絶縁された状態なので、周縁部から発光層に対し
て正孔が輸送されることがない。これにより、電極から
の電流が平坦部のみに流れ、正孔を平坦部から発光層に
輸送させることができ、発光層の中央部分を均一に発光
させることができる。また、第１バンク層が第２バンク
層よりも電極の中央側に更に延出されているので、この
第１バンク層によって平坦部の形状をトリミングするこ
とができ、各発光層間の発光強度のばらつきを抑えるこ
とができる。また、本発明の表示装置の製造方法によれ
ば、バンク部を第１バンク層と第２バンク層の積層構造
とし、このバンク部に対してプラズマ状態の酸素及びフ
ルオロカーボンガスを順次照射することにより、電極及
び第１バンク層の表面を親液性にするとともに、第２バ
ンク層の表面を撥液性にすることが可能になり、これに
よりバンク部に親液性の領域と撥液性の領域を同時に形
成することができる。そして、撥液性の第２バンク層の
上面では第１，第２組成物がはじかれて付着しないの
で、各組成物が第２バンク層の上面に誤って吐出された
場合でも、第１，第２組成物が上面ではじかれて電極上
に転がり込む。これにより、吐出した各組成物を必ず電
極上内に充填することができ、電極上に機能層を確実に
形成することができる。
【図１】 本発明の第１の実施形態の表示装置の配線構
造の平面模式図である。
造の平面模式図である。
【図２】 本発明の第１の実施形態の表示装置を示す図
であって、（ａ）は表示装置の平面模式図であり、
（ｂ）は（ａ）のＡＢ線に沿う断面模式図である。
であって、（ａ）は表示装置の平面模式図であり、
（ｂ）は（ａ）のＡＢ線に沿う断面模式図である。
【図３】 本発明の第１の実施形態の表示装置の要部を
示す図である。
示す図である。
【図４】 本発明の第１の実施形態の表示装置の製造方
法を説明する工程図である。
法を説明する工程図である。
【図５】 本発明の第１の実施形態の表示装置の製造方
法を説明する工程図である。
法を説明する工程図である。
【図６】 本発明の第１の実施形態の表示装置の製造に
用いるプラズマ処理装置の一例を示す平面模式図であ
る。
用いるプラズマ処理装置の一例を示す平面模式図であ
る。
【図７】 図６に示したプラズマ処理装置の第１プラズ
マ処理室の内部構造を示す模式図である。
マ処理室の内部構造を示す模式図である。
【図８】 本発明の第１の実施形態の表示装置の製造方
法を説明する工程図である。
法を説明する工程図である。
【図９】 本発明の第１の実施形態の表示装置の製造方
法を説明する工程図である。
法を説明する工程図である。
【図１０】 本発明の第１の実施形態の表示装置の製造
に用いるプラズマ処理装置の別の例を示す平面模式図で
ある。
に用いるプラズマ処理装置の別の例を示す平面模式図で
ある。
【図１１】 本発明の第１の実施形態の表示装置の製造
方法を説明する工程図である。
方法を説明する工程図である。
【図１２】 本発明の第１の実施形態の表示装置の製造
方法を説明する工程図である。
方法を説明する工程図である。
【図１３】 本発明の第１の実施形態の表示装置の製造
方法を説明する工程図である。
方法を説明する工程図である。
【図１４】 本発明の第１の実施形態の表示装置を製造
する際に用いるヘッドを示す平面図である。
する際に用いるヘッドを示す平面図である。
【図１５】 本発明の第１の実施形態の表示装置を製造
する際に用いるインクジェット装置を示す平面図であ
る。
する際に用いるインクジェット装置を示す平面図であ
る。
【図１６】 本発明の第１の実施形態の表示装置の製造
方法を説明する工程図である。
方法を説明する工程図である。
【図１７】 本発明の第１の実施形態の表示装置の製造
方法を説明する工程図である。
方法を説明する工程図である。
【図１８】 本発明の第１の実施形態の表示装置の製造
方法を説明する工程図である。
方法を説明する工程図である。
【図１９】 本発明の第１の実施形態の表示装置の製造
方法を説明する工程図である。
方法を説明する工程図である。
【図２０】 本発明の第１の実施形態の表示装置の製造
方法を説明する工程図である。
方法を説明する工程図である。
【図２１】 本発明の第２の実施形態の表示装置を示す
断面図であり、図２（ｂ）に対応する図である。
断面図であり、図２（ｂ）に対応する図である。
【図２２】 本発明の第２の実施形態の表示装置の要部
を示す図であり、図３に対応する図である。
を示す図であり、図３に対応する図である。
【図２３】 本発明の第３の実施形態である電子機器を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図２４】 本発明に係る他の例の表示装置を示す断面
模式図である。
模式図である。
【図２５】 本発明に係る別の例の表示装置を示す断面
模式図である。
模式図である。
【図２６】 発光層の配置を示す平面模式図であって、
（ａ）がストライプ配置、（ｂ）がモザイク配置、
（ｃ）がデルタ配置を示す図である。
（ａ）がストライプ配置、（ｂ）がモザイク配置、
（ｃ）がデルタ配置を示す図である。
【図２７】 従来の表示装置の要部を示す断面図であ
る。
る。
１ 表示装置
２，２′ 基板
２ａ 表示領域
２ｂ 非表示領域
３ 封止部
６ 駆動ＩＣ（駆動回路）
１０，１０′ 表示素子
１１ 発光素子部
１２，１２′ 陰極（（対向電極（発光素子））
１１０ 機能層（発光素子）
１１０ａ 正孔注入／輸送層（機能層）
１１０ａ1 平坦部
１１０ａ2 周縁部
１１０ｂ 発光層（機能層）
１１１，１１１′ 画素電極（（電極）発光素子）
１１１ａ 電極面
１１２ バンク部
１１２ａ 第１バンク層（無機物バンク層）
１１２ｂ 第２バンク層（有機物バンク層）
１１２ｃ 下部開口部（無機物バンク層側の開口部（壁
面）） １１２ｄ 上部開口部（有機物バンク層側の開口部（壁
面）） １１２ｅ 上面（無機物バンク層の上面） １１２ｆ 上面（有機物バンク層の上面） １１２ｇ 開口部 Ａ 画素領域
面）） １１２ｄ 上部開口部（有機物バンク層側の開口部（壁
面）） １１２ｅ 上面（無機物バンク層の上面） １１２ｆ 上面（有機物バンク層の上面） １１２ｇ 開口部 Ａ 画素領域
Claims (16)
- 【請求項１】 基板上に形成された複数の電極上の各々
に機能層が形成されてなり、各前記機能層の間にバンク
部が備えられてなる表示装置であり、 前記バンク部は、前記基板側に位置する第１バンク層
と、前記第１バンク層の上に形成された第２バンク層と
から形成されてなり、前記第１バンク層は前記電極の一
部に重なるように配置されてなり、 前記機能層は、正孔注入／輸送層と、該正孔注入／輸送
層に隣接して形成された発光層とを有してなり、 前記正孔注入／輸送層は、前記電極の上に形成された平
坦部と、前記第１バンク層の上であって前記第２バンク
層と接するように形成された周縁部とを備えてなること
を特徴とする表示装置。 - 【請求項２】 前記周縁部は、前記電極の中央から離れ
る方向に沿って厚さが増大する形状であることを特徴と
する請求項１に記載の表示装置。 - 【請求項３】 前記電極の表面及び前記第１バンク層の
一部が親液性を有し、前記第２バンク層の上面及び前記
壁面が撥液性を有することを特徴とする請求項１または
請求項２に記載の表示装置。 - 【請求項４】 前記第１バンク層がＳｉＯ2、ＴｉＯ2の
いずれかより形成されてなることを特徴とする請求項１
ないし請求項３のいずれかに記載の表示装置。 - 【請求項５】 前記第２バンク層がアクリル樹脂または
ポリイミド樹脂のいずれかよりなることを特徴とする請
求項１ないし請求項３のいずれかに記載の表示装置。 - 【請求項６】 基板上に形成された複数の電極上の各々
に機能層が形成されてなり、各前記機能層の間にバンク
部が備えられてなる表示装置の製造方法であり、 前記電極の一部に重なるように第１バンク層を形成する
工程と、 前記第１バンク層の上に第２バンク層を形成する工程
と、 少なくとも前記第１バンク層の壁面及び前記電極の表面
が親液性を有するように加工する親液化工程と、 前記第２バンク層の上面及び壁面が撥液性を有するよう
に加工する撥液化工程と、 正孔注入／輸送層を形成するための第１組成物を各前記
電極上に吐出する第１液滴吐出工程と、 吐出された前記第１組成物を乾燥させて前記電極上に正
孔注入／輸送層を形成する正孔注入／輸送層形成工程
と、 発光層を形成するための第２組成物を前記正孔注入／輸
送層の上に吐出する第２液滴吐出工程と、 吐出された前記第２組成物を乾燥させて前記正孔注入／
輸送層上に発光層を形成する発光層形成工程と、 前記発光層の上に対向電極を形成する対向電極形成工程
と、を具備してなることを特徴とする表示装置の製造方
法。 - 【請求項７】 前記第１バンク層がＳｉＯ2、ＴｉＯ2の
いずれかよりなることを特徴とする請求項６に記載の表
示装置の製造方法。 - 【請求項８】 前記第２バンク層がアクリル樹脂または
ポリイミド樹脂のいずれかよりなることを特徴とする請
求項６に記載の表示装置の製造方法。 - 【請求項９】 前記電極上および前記第１バンク層の上
に前記第１組成物を吐出し、前記第１バンク層の上であ
って前記第２バンク層に接するように前記周縁部を形成
することを特徴とする請求項６に記載の表示装置の製造
方法。 - 【請求項１０】 前記周縁部を、前記電極の中央から離
れる方向に沿って厚さが増大する形状に形成することを
特徴とする請求項９に記載の表示装置の製造方法。 - 【請求項１１】 基板上に形成された複数の電極上の各
々に機能層が形成されてなり、各前記機能層の間にバン
ク部が備えられてなる表示装置の製造方法であり、 前記電極の一部に重なるように第１バンク層を形成する
工程と、 前記第１バンク層の上に第２バンク層を形成する工程
と、 正孔注入／輸送層を形成するための第１組成物を各前記
電極上に吐出する第１液滴吐出工程と、 吐出された前記第１組成物を乾燥させ前記電極上に正孔
注入／輸送層を形成する正孔注入／輸送層形成工程と、 発光層を形成するための第２組成物を前記正孔注入／輸
送層の上に吐出する第２液滴吐出工程と、 吐出された前記第２組成物を乾燥させ、前記正孔注入／
輸送層上に発光層を形成する発光層形成工程と、 前記発光層の上に対向電極を形成する対向電極形成工程
と、 を具備してなることを特徴とする表示装置の製造方法。 - 【請求項１２】 前記第１バンク層がＳｉＯ2、ＴｉＯ2
いずれかよりなることを特徴とする請求項１１に記載の
表示装置の製造方法。 - 【請求項１３】前記第２バンク層がアクリル樹脂または
ポリイミド樹脂のいずれかよりなることを特徴とする請
求項１１に記載の表示装置の製造方法。 - 【請求項１４】 前記電極上および前記第１バンク層の
上に前記第１組成物を吐出し、前記第１バンク層の上で
あって前記第２バンク層に接するように前記周縁部を形
成することを特徴とする請求項１１に記載の表示装置の
製造方法。 - 【請求項１５】 前記周縁部を、前記電極の中央から離
れる方向に沿って厚さが増大する形状に形成することを
特徴とする請求項１４に記載の表示装置の製造方法。 - 【請求項１６】 表示装置と、前記表示装置を駆動する
ための駆動回路と、を有してなる電子機器であって、 前記表示装置は、基板上に形成された複数の電極上の各
々に機能層が形成されてなり、各前記機能層の間にバン
ク部が備えられてなり、 前記バンク部は、前記基板側に位置する第１バンク層
と、前記第１バンク層の上に形成された第２バンク層と
から形成されてなり、前記第１バンク層は前記電極の一
部に重なるように配置されてなり、 前記機能層は、前記電極の上に形成された正孔注入／輸
送層と、該正孔注入／輸送層の上に形成された発光層と
からなり、 前記正孔注入／輸送層は、前記電極上に形成された平坦
部と、前記第１バンク層の上であって前記第２バンク層
と接するように形成された周縁部と、を有してなること
を特徴とする電子機器。
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