JP2003208978A

JP2003208978A - 有機ｅｌ装置の製造方法及びその装置、電気光学装置、並びに電子機器

Info

Publication number: JP2003208978A
Application number: JP2002004939A
Authority: JP
Inventors: Masahiro Uchida; 昌宏内田
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2002-01-11
Filing date: 2002-01-11
Publication date: 2003-07-25

Abstract

(57)【要約】【課題】封止部に様々な機能を容易に付加することが
でき、有機ＥＬ装置の性能の向上を図ることができる有
機ＥＬ装置の製造方法及びその装置を提供する。【解決手段】基板３００上に形成される有機ＥＬ装置
の陰極３０３を蒸着により形成する陰極形成工程と、有
機ＥＬ装置を封止する封止工程とを有し、陰極形成工程
と前記封止工程との間で基板３００の上下を反転させ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、有機ＥＬ装置の製
造方法及びその装置、電気光学装置、並びに電子機器に
関する。

【０００２】

【従来の技術】有機エレクトロルミネッセンス素子（以
後、有機ＥＬ装置と称する）を発光素子とする電気光学
装置（有機ＥＬ表示装置）は、高輝度で自発光であるこ
と、直流低電圧駆動が可能であること、応答が高速であ
ること、固体有機膜による発光であること等から表示性
能に優れており、また、表示装置の薄型化、軽量化、低
消費電力化、大型化が可能であるため、次世代の表示装
置として期待されている。

【０００３】図２７は、有機ＥＬ表示装置の要部を示す
断面模式図である。有機ＥＬ表示装置は、基板９００上
に、回路素子部９０１、画素電極（陽極）９０２、発光
層を含む有機機能層９０３、対向電極（陰極）９０４、
及び封止部９０５等が順次積層された構造からなる。こ
のうち画素電極９０２、機能層９０３、及び対向電極９
０４等により、発光素子（有機ＥＬ装置）が構成され
る。

【０００４】この表示装置においては、回路素子部９０
１の駆動制御により、画素電極９０２及び対向電極９０
４に挟まれた機能層９０３が発光し、その光が回路素子
部９０１及び基板９００を通過して射出されるととも
に、機能層９０３から基板９００の反対側に発した光が
対向電極９０４により反射されて回路素子部９０１及び
基板９００を通過して射出される。

【０００５】上記有機ＥＬ装置を製造する装置及びその
方法においては、上記機能層の形成には、所定パターン
のマスク越しに形成材料を所望の領域（画素領域）に蒸
着する蒸着法が用いられ、また、対向電極（陰極）の形
成にも、蒸着法が用いられるのが一般的である。そのた
め、従来の有機ＥＬ装置の製造方法では、基板の処理対
象面を下向きにした状態で各処理が行われている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】有機ＥＬ装置の実用化
に伴い、有機ＥＬ装置に要求される機能が増す傾向にあ
る。特に、有機ＥＬ装置は自発光型であるため、有機Ｅ
Ｌ装置を封止する封止部にも様々な機能が要求される傾
向にある。

【０００７】本発明は、上述した事情に鑑みてなされた
ものであり、封止部に様々な機能を容易に付加すること
ができ、有機ＥＬ装置の性能の向上を図ることができる
有機ＥＬ装置の製造方法及びその装置を提供することを
目的とする。また、本発明は、性能が向上した有機ＥＬ
装置を備える電気光学装置を提供することを目的とす
る。また、本発明は、表示手段の性能が向上した電子機
器を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の有機ＥＬ装置の
製造方法は、基板上に形成される有機ＥＬ装置の陰極を
蒸着により形成する陰極形成工程と、前記有機ＥＬ装置
を封止する封止工程とを有し、前記陰極形成工程と前記
封止工程との間で前記基板を反転させることを特徴とす
る。上記有機ＥＬ装置の製造方法によれば、上記陰極形
成工程と封止工程との間で基板の上下を反転させること
から、蒸着を行う陰極形成工程では基板の処理対象面を
下向きに、封止工程では基板を上向きにした処理が行わ
れる。封止工程において、基板の処理対象面が上向きに
配されることにより、粘度の低い材料など、封止材料と
して、様々な材料を適用することが可能となる。また、
封止にあたって、自己平坦化機能（セルフレベリング機
能）などの重力作用の利用が可能となる。

【０００９】具体的には、前記封止工程は、前記陰極上
に封止材料を塗布する工程を含むとよい。この場合、重
力作用を利用して、その塗布作業を容易に行うことがで
きる。

【００１０】また、上記有機ＥＬ装置の製造方法におい
ては、前記陰極を蒸着する位置に前記基板を搬送する動
作に伴って前記基板を反転させるのが好ましい。蒸着空
間への基板の搬送時に基板を反転させることにより、反
転動作に伴うスループットの低下が抑制される。

【００１１】本発明の有機ＥＬ装置の製造装置は、基板
上に形成される有機ＥＬ装置の陰極を蒸着により形成す
る陰極形成装置と、前記基板を反転させる基板反転装置
と、前記有機ＥＬ装置を封止する封止装置とを備えるこ
とを特徴とする。上記有機ＥＬ装置の製造装置によれ
ば、上記基板反転装置を備えることにより、封止装置に
おいて基板を上向きにした処理が行われる。基板の処理
対象面が上向きに配されることにより、粘度の低い材料
など、封止材料として、様々な材料を適用することが可
能となる。また、封止にあたって、自己平坦化機能（セ
ルフレベリング機能）などの重力作用の利用が可能とな
る。

【００１２】具体的には、上記有機ＥＬ装置の製造装置
において、前記封止装置が、前記陰極上に封止材料を塗
布する手段を有するとよい。この場合、重力作用を利用
して、その塗布作業を容易に行うことができる。

【００１３】また、上記有機ＥＬ装置の製造装置におい
て、前記基板反転装置は、前記陰極を蒸着する位置に前
記基板を搬送する装置に形成されてなるのが好ましい。
基板を搬送する装置に基板反転装置が形成されることに
より、基板の搬送に伴ってその基板を反転することが可
能となり、反転動作に伴うスループットの低下が抑制さ
れる。

【００１４】本発明の電気光学装置は、上記有機ＥＬ装
置の製造装置を用いて製造された有機ＥＬ装置を備える
ことにより、有機ＥＬ装置の構造の最適化を図り、性能
を向上させることができる。

【００１５】本発明の電子機器は、上述した電気光学装
置を表示手段として備えることを特徴とする。上記電子
機器によれば、表示手段の性能の向上を図ることができ
る。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明について詳しく説明
する。図１は、本発明の有機ＥＬ装置の製造方法の概念
を説明するための図である。有機ＥＬ装置は、ＴＦＴ等
の回路素子が形成された基板３００上に、電極３０１
（陽極）、発光層（有機ＥＬ層）を含む機能層３０２、
及び対向電極３０３（陰極）等を順次積層することによ
り製造され、陰極３０３上に配置される封止部３０４に
より封止される。本発明者は、封止部３０４に要求され
る機能が増す傾向にあるという事実に着目し、陰極３０
３を形成する工程と、封止工程との間で基板３００の上
下を反転させることにより、陰極３０３の形成工程では
基板３００の処理対象面を下向きに、封止工程では基板
３００を上向きにした処理を行うようにした。

【００１７】すなわち、本発明の製造方法においては、
上記基板３００の反転により、陰極３０３の形成工程で
は基板３００を下向きに、封止工程では基板３００を上
向きにした処理を行う。封止工程において、基板３００
の処理対象面が上向きに配されることにより、粘度の低
い材料など、封止部３０４の材料として、様々なものを
適用することが可能となる。また、封止部３０４の材料
配置にあたって、自己平坦化機能（セルフレベリング機
能）などの重力作用の利用が可能となる。なお、陰極３
０３の形成工程では、蒸着法が用いられる。

【００１８】基板３００を上向きにして封止部３０４を
形成する方法としては、スピンコート法や液滴吐出法
（いわゆるインクジェット法）、ディスペンスコート法
などの各種コート法の適用が可能である。これらのコー
ト法では、材料質を溶液に分散させるなどにより、封止
材として様々な材料が適用可能となる。また、上記コー
ト法のうち、液滴吐出法は、材料の使用に無駄が少な
く、しかも所望の位置に所望の量の材料を的確に配置で
きるという利点を有する。

【００１９】図２、図３、及び図４は、封止部３０４の
構造例を模式的に示している。図２の例では、基板３０
０の周縁に封止樹脂３０６が配置され、封止樹脂３０６
を接着材として、陰極３０３を覆うようにガラスや金属
等からなる封止基板（封止缶）３０７が配置されてい
る。封止工程においては、陰極３０３が形成された基板
３００を所定の面上に上向きに支持し、その基板３００
の周縁部に封止樹脂３０６を塗布する。続いて、基板３
００上に封止基板３０７を配置し、基板３００と封止基
板３０７とを貼り合わせる。この例では、基板３００を
支持する面が基板３００の下に配置されることから、封
止用の装置を簡素に構成しやすいという利点がある。

【００２０】図３の例では、陰極１２全体をほぼ覆うよ
うに封止材３０８が塗布され、その封止材３０８の上に
封止基板（封止缶）３０９が配置されている。封止材３
０８としては、例えば、熱硬化樹脂あるいは紫外線硬化
樹脂等からなる樹脂が用いられ、硬化時にガス、溶媒等
が発生しないものが好ましく用いられる。この封止材
は、例えば陰極３０３に対する水又は酸素の侵入を防い
で、陰極の酸化を防止する機能を有する。封止工程にお
いては、上向きに配置された基板３００の陰極３０３全
体を覆うように、封止材３０８を塗布し、さらにその上
に封止基板３０９を配置する。このとき、重力の作用に
よるセルフレベリング機能により、封止材３０８の表面
が平坦化される。つまり、本例のように、基板３００上
にバンク３０５が形成されている場合にも、レベリング
機能を利用した封止材３０８の塗布により、素子表面を
平坦化することができる。なお、膜表面を平坦化するこ
とにより、透過あるいは反射する光の乱れを抑制できる
という利点がある。

【００２１】図４の例では、陰極１２全体をほぼ覆うよ
うに第１封止材３１０が配置され、その第１封止材３１
０の上に第２封止材３１１が配置され、その第２封止材
３１１の上に封止基板３１２が配置されている。第１封
止材３１０は、例えば、水や酸素あるいは金属の侵入を
防止する封止作用を強化する機能や、光の取り出し効率
を向上させる光学的な機能（屈折率の改善など）などの
特定の機能を有する。封止工程においては、上向きに配
置された基板３００の陰極３０３全体を覆うように第１
封止材３１０を塗布し、さらにその上に第２封止材３１
１を塗布し、最後に封止基板３１２を配置する。第１封
止材３１０の塗布では、例えば、比較的薄い膜を陰極３
０３上に形成し、第２封止材３１１の塗布では、バンク
３０５による凹凸が埋まるように比較的厚い膜を形成す
る。封止工程において基板３００が上向きに配置される
ことにより、薄い膜から厚い膜まで様々な膜厚に対応し
た塗布を行える。したがって、封止用の膜に特定の機能
を容易に付加さることができる。

【００２２】図５は、本発明の有機ＥＬ装置の製造装置
の実施の形態例を模式的に示している。以下、この製造
装置について搬送系を主体に説明する。詳しい処理工程
については後述する。図５において、本例の有機ＥＬ装
置の製造装置２０は、機能層形成装置２１、対向電極
（陰極）形成装置２２、及び封止装置２３を備えて構成
されている。

【００２３】機能層形成装置２１は、有機ＥＬ装置の機
能層を形成する際の前処理を行うプラズマ処理装置２
５、機能層の一部である正孔注入／輸送層を形成する正
孔注入／輸送層形成装置２６、及び同じく機能層の一部
である発光層を形成する発光層形成装置２７を備えて構
成されている。また、これらの複数の装置に含まれる搬
送系は略直線状に連続的に配置されており、処理系はそ
の搬送系の両側に分けて配置されている。

【００２４】図６に示すように、搬送系においては、多
関節型の搬送アームを備える複数の振り分け装置３０，
３１，…３６が互いに間隔を空けて直線状に配置されて
おり、その複数の振り分け装置３０，３１，…３６の間
に、基板の受け渡しを行う受け渡し装置４０，４１，…
４６が配置されている。つまり、複数の振り分け装置３
０，３１，…３６と、複数の受け渡し装置４０，４１，
…４６とがほぼ交互に直列に接続されている。

【００２５】図７は、上記振り分け装置、及び受け渡し
装置を含む搬送系の構成例を概略的に示している。図７
において、振り分け装置は、水平方向、垂直方向、及び
垂直軸周りの回転方向に移動自在な他関節型のロボット
アーム（搬送アーム３７Ａ）を有しており、搬送アーム
３７Ａには、基板２を保持するための複数の吸着孔３８
が設けられている。吸着孔３８は不図示の真空ポンプに
接続されており、圧力差を利用して基板を吸着保持す
る。また、受け渡し装置は、基板２を支持するための複
数のピン４７を有し、この複数のピン４７の高さは、複
数のピン４７上に基板２を搭載した際に基板２の下に搬
送アーム３７Ａを挿入できる空間が形成される高さであ
る。基板２の受け渡しにあたっては、まず、第１の搬送
アーム３７Ａが移動して複数のピン４７の上方に基板２
を搬送し、その後、搬送アーム３７Ａが下降して基板２
を複数のピン４７上に搭載する。第１の搬送アーム３７
Ａは、基板２の搭載が完了すると、複数のピン４７から
離れる。次に、第２の搬送アーム３７Ｂが基板２の下に
移動し、その後上昇して複数のピン４７から基板２を受
け取る。なお、本発明は、搬送系の構成として上記した
構成に限定されない。上記例では、搬送アームが垂直方
向に移動することにより複数のピンに対して基板の受け
渡しや受け取りを行う構成となっているが、複数のピン
を上下に移動させる機構を設け、複数のピンの上下移動
により上記基板の受け渡しや受け取りを行う構成として
もよい。さらに、基板の位置を整える整列機構を設けて
もよい。また、本発明の搬送系は、多関節型の搬送アー
ムを備えることにより、搬送系の両側の装置に基板を容
易に振り分けることができるという利点を有するが、こ
れに限らず、ローラコンベアを備えるもの等、他の形態
の搬送手段を用いてもよい。

【００２６】図６に戻り、プラズマ処理装置２５は、予
備加熱処理室５１、第１プラズマ処理室５２、第２プラ
ズマ処理室５３、及び冷却処理室５４を備えている。予
備加熱処理室５１と冷却処理室５４とは同一箇所で多段
に配置されている。また、予備加熱処理室５１／冷却処
理室５４、第１プラズマ処理室５２、及び第２プラズマ
処理室５３は、振り分け装置３０を中心として放射状に
配置されている。処理対象の基板は基板投入部４８を介
して投入され、振り分け装置３０に受け渡される。振り
分け装置３０は、予備加熱処理室５１、第１プラズマ処
理室５２、第２プラズマ処理室５３、及び冷却処理室５
４に順次基板を搬入するとともに、処理後の基板を各処
理室から搬出する。プラズマ処理装置２５で処理された
基板は、振り分け装置３０、及び受け渡し装置４０を介
して正孔注入／輸送層形成装置２６に送られる。

【００２７】正孔注入／輸送層形成装置２６は、正孔注
入／輸送層の形成材料を含む組成物を基板上に塗布する
塗布処理室７０の他に、予備加熱処理室７１、加熱処理
室７２、及び冷却処理室７３を備えている。加熱処理室
７２と冷却処理室７３とは同一箇所で多段に配置されて
いる。また、進行方向に向かって振り分け装置３１，３
２の一方の側（ここでは右側）に塗布処理室７０が配置
され、他方の側（ここでは左側）に、予備加熱処理室７
１、及び加熱処理室７２／冷却処理室７３が配置されて
いる。振り分け装置３１は、受け渡し装置４０から基板
を受け取ると、塗布処理室７０、及び予備加熱処理室７
１に順次基板を搬入するとともに、処理後の基板を各処
理室から搬出し、受け渡し装置４１に受け渡す。また、
振り分け装置３２は、受け渡し装置４１から基板を受け
取ると、その基板を加熱処理室７２／冷却処理室７３に
搬入し、処理後の基板を搬出する。正孔注入／輸送層形
成装置２６で処理された基板は、振り分け装置３２、及
び受け渡し装置４２，４３を介して発光層形成装置２７
に送られる。

【００２８】ここで、受け渡し装置４２は、複数の基板
を一時的に保持するバッファ部を有している。バッファ
部に保持された基板は不図示の搬送装置により随時取り
出され、受け渡し装置４３に受け渡される。受け渡し装
置４３も同様に、複数の基板を一時的に保持するバッフ
ァ部を有しており、バッファ部に保持された基板は振り
分け装置３４によって随時取り出される。本例では、受
け渡し装置４２においてカセットに基板を収納し、その
カセットを受け渡し装置４３に搬送する。

【００２９】発光層形成装置２７は、赤（Ｒ）、緑
（Ｇ）、青（Ｂ）のいずれかの色に対応して、発光層の
形成材料を含む組成物を基板上に塗布する塗布処理室７
５，７６，７７を備えている。また、各塗布処理室７
５，７６，７７ごとに、加熱処理室７８，７９，８０、
及び冷却処理室８１，８２，８３を備えている。各加熱
処理室と各冷却処理室とは同一箇所で多段に配置されて
いる。また、進行方向に向かって振り分け装置３４，３
５，３６の右側に塗布処理室７５，７６，７７が配置さ
れ、同左側に、加熱処理室７８，７９，８０／冷却処理
室８１，８２，８３が配置されている。振り分け装置３
４は、受け渡し装置４３から基板を受け取ると、塗布処
理室７５、加熱処理室７８／冷却処理室８１に順次基板
を搬入するとともに、処理後の基板を各処理室から搬出
し、受け渡し装置４４に受け渡す。同様に、振り分け装
置３５、振り分け装置３６においても各処理室に対して
基板の搬出入を順次行う。発光層形成装置２７で処理さ
れた基板は、振り分け装置３６、及び受け渡し装置４６
を介して対向電極（陰極）形成装置に送られる。

【００３０】なお、上記機能層形成装置２１では、進行
方向に向かって搬送系２１の右側に塗布処理室７０，７
５，７６，７７がまとめて配置され、同左側に、加熱装
置及び冷却処理装置７８〜８３がまとめて配置されてい
る。そのため、複数の処理装置の間で熱や振動等の相互
影響が生じても、機能的に同列なもの同士であることか
ら、その影響による不都合が生じにくい。しかも、熱源
を有する加熱処理室７８，７９，８０と、塗布処理室７
０，７５，７６，７７とが搬送系２１の両側に分けて配
置されているので、加熱処理室の熱の影響が塗布処理室
に及びにくい。そのため、熱による塗布材料の粘度変化
や、塗布機構の熱変化が起こりにくく、品質の向上を図
りやすいという利点を有する。

【００３１】図８は、対向電極（陰極）形成装置２２、
及び封止装置２３を示している。図８において、対向電
極形成装置２２は、第１蒸着処理室８４、第２蒸着処理
室８５、及び基板搬出入用の搬送系を備えている。対向
電極の形成にあたっては、第１蒸着処理室８４、第２蒸
着処理室８５のうちの少なくとも一方が選択的に使用さ
れる。搬送系は、受け渡し装置６０，６１、基板反転装
置６２、及び振り分け装置６３からなる。

【００３２】図９は、対向電極形成装置２２における搬
送系の構成例を基板反転装置６２を主体に示している。
図９において、基板反転装置６２は、水平方向、垂直方
向、水平軸周りの回転方向、及び垂直軸周りの回転方向
に移動自在な多関節型のロボットアーム（搬送アーム６
４）を有しており、搬送アーム６４には、基板２を保持
するための複数の吸着孔６５が設けられている。吸着孔
６５は不図示の真空ポンプに接続されており、圧力差を
利用して基板を吸着保持する。基板の搬出入にあたって
は、まず、発光層形成装置から搬送された基板２が受け
渡し装置６０に受け渡される（図９（ａ））。基板反転
装置６２は、受け渡し装置６０から基板２を受け取る
と、基板２の上下を反転させ、基板２の処理対象面（素
子面）を下に向ける（図９（ｂ））。この反転時、基板
２は、吸着孔６５に真空吸着され、搬送アーム６４から
の落下が防止される。次に、基板反転装置６２は、上下
反転させた基板２を受け渡し装置６１に受け渡す（図９
（ｃ））。振り分け装置６３は、受け渡し装置６１から
基板２を受け取ると、上下反転状態のまま、先の図８に
示した第１蒸着処理室８４、及び第２蒸着処理室８５の
いずれかに基板２を搬入する。なお、基板反転装置６２
の構成は、上述したものに限定されず様々な形態が適用
可能である。また、基板反転装置６２に代えて、振り分
け装置６３に反転機構を設けてもよい。

【００３３】図１０は、蒸着処理室８４，８５の構成例
を模式的に示している。蒸着処理室８４，８５は、処理
室内を真空状態に制御する真空制御部８６、蒸着処理用
の基板を保持する基板保持部８７、及び材料を加熱する
加熱部８８を有し、蒸着時には真空制御部８６によって
室内が真空圧に制御される。基板保持部８７は、基板２
の縁部を支持する部材（マスク）を含み、この部材に
は、蒸着用のパターンに対応する開口が設けられてい
る。基板２は、加熱部８８の上方でかつ処理対象面を下
向きにした状態に配置される。真空圧に制御された処理
室内で、加熱部８８によって材料源が加熱されることに
より、蒸発した材料が基板２に付着し、対向電極（陰
極）が形成される。

【００３４】図８に戻り、振り分け装置６３は、上下反
転状態のまま、第１蒸着処理室８４、及び第２蒸着処理
室８５のいずれかに基板を搬入するとともに、処理後の
基板を各処理室から搬出し、受け渡し装置６１に受け渡
す。受け渡し装置６１に受け渡された蒸着処理後の基板
は、上下反転状態のままである。基板反転装置６２は、
先の搬入手順と逆の手順で基板を上下反転させながら、
基板の搬出動作を行う。すなわち、基板反転装置６２
は、受け渡し装置６１から基板を受け取ると、基板の上
下を反転させ、基板の処理対象面（素子面）を上に向け
る。そして、その基板２を受け渡し装置６０に受け渡
す。受け渡し装置６０に受け渡された基板は、封止装置
２３に送られる。

【００３５】封止装置２３は、接着用の封止樹脂を塗布
する封止樹脂塗布処理室８６、基板と封止基板とを貼り
合わせる貼り合わせ処理室８７、及び基板搬出入用の搬
送系を備えている。搬送系は、受け渡し装置６４，６
５、及び振り分け装置６６からなる。振り分け装置６６
は、受け渡し装置６４から基板を受け取ると、封止樹脂
塗布処理室８６、及び貼り合わせ処理室８７に順次基板
を搬入するとともに、処理後の基板を各処理室から搬出
し、受け渡し装置６５に受け渡す。

【００３６】このように、本例の製造装置２０では、対
向電極（陰極）形成装置２２と封止装置２３との間で基
板の上下を反転させる基板反転装置６２を備え、この基
板反転装置６２により、対向電極（陰極）を蒸着する空
間に基板を搬出入する動作に伴って基板の上下を反転さ
せる。これにより、封止装置２３において基板を上向き
にした処理が行われ、様々な封止材が使用できるなど、
前述した様々な利点が得られる。

【００３７】また、本例の製造装置２０では、搬出入動
作に伴って基板の反転を行うことから、動作に無駄が少
なく、反転動作に伴うスループットの低下が防止され
る。しかも、基板反転装置６２が対向電極形成装置２２
に備えられており、対向電極形成装置２２の前後の工程
のそれぞれにおいて基板の処理対象面を上向きにした処
理が行われる。基板反転機構を設ける場所は対向電極形
成装置２２に限らず、例えば、機能層形成装置２１（発
光層形成装置２７）の出口や、封止装置２３の入口でも
よいが、本例のように、複数の工程で基板を上向きにし
て処理を行う場合には、下向きの基板に対して処理を行
う装置（対向電極形成装置２２）に基板反転機構を設け
ることで、前後の装置に対する基板の反転をまとめて行
うことができ、装置の省スペース化を図ることができ
る。

【００３８】なお、上記製造装置２０においては、処理
対象となる基板が配される空間を、水、酸素が排除され
た雰囲気とする事が好ましい。例えば、窒素雰囲気、ア
ルゴン雰囲気等の不活性ガス雰囲気で行うことが好まし
い。これにより、基板上に形成される層の酸化等の劣化
が防止される。

【００３９】図１１は、本発明の電気光学装置を有機Ｅ
Ｌ装置を用いたアクティブマトリクス型の表示装置（有
機ＥＬ表示装置）に適用した実施の形態例であり、上記
製造装置２０を用いて製造される有機ＥＬ装置を発光素
子として備えるものである。また、この表示装置１は、
薄膜トランジスタを用いたアクティブ型の駆動方式を採
用している。

【００４０】表示装置１は、基板２の上に、回路素子と
しての薄膜トランジスタを含む回路素子部１４、発光層
を含む機能層１１０、陰極１２、及び封止部３等を順次
積層した構造からなる。

【００４１】基板２としては、本例ではガラス基板が用
いられる。本発明における基板としては、ガラス基板の
他に、シリコン基板、石英基板、セラミックス基板、金
属基板、プラスチック基板、プラスチックフィルム基板
等、電気光学装置や回路基板に用いられる公知の様々な
基板が適用される。基板２上には、発光領域としての複
数の画素領域Ａがマトリクス状に配列されており、カラ
ー表示を行う場合、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青
（Ｂ）の各色に対応する画素領域Ａが所定の配列で並
ぶ。各画素領域Ａには、画素電極１１１が配置され、そ
の近傍には信号線１３２、電源線１３３、走査線１３１
及び図示しない他の画素電極用の走査線等が配置されて
いる。画素領域Ａの平面形状は、図に示す矩形の他に、
円形、長円形など任意の形状が適用される。

【００４２】また、封止部３は、水や酸素の侵入を防い
で陰極１２あるいは機能層１１０の酸化を防止するもの
であり、基板２に塗布される封止樹脂、及び基板２に貼
り合わされる封止基板３ｂ（封止缶）等を含む。封止樹
脂の材料としては、例えば、熱硬化樹脂あるいは紫外線
硬化樹脂等が用いられ、特に、熱硬化樹脂の１種である
エポキシ樹脂が好ましく用いられる。封止樹脂は、基板
２の周縁に環状に塗布されており、例えば、マイクロデ
ィスペンサ等により塗布される。封止基板３ｂは、ガラ
スや金属等からなり、基板２と封止基板３ｂとは封止樹
脂を介して張り合わされる。

【００４３】図１２は、上記表示装置１の回路構造を示
ししている。図１２において、基板２上には、複数の走
査線１３１と、走査線１３１に対して交差する方向に延
びる複数の信号線１３２と、信号線１３２に並列に延び
る複数の電源線１３３とが配線されている。また、走査
線１３１及び信号線１３２の各交点ごとに上記画素領域
Ａが形成されている。信号線１３２には、例えば、シフ
トレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログ
スイッチを含むデータ側駆動回路１０３が接続されてい
る。また、走査線１３１には、シフトレジスタ及びレベ
ルシフタを含む走査側駆動回路１０４が接続されてい
る。

【００４４】画素領域Ａには、走査線１３１を介して走
査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用の第１
の薄膜トランジスタ１２３と、この薄膜トランジスタ１
２３を介して信号線１３２から供給される画像信号を保
持する保持容量１３５と、保持容量１３５によって保持
された画像信号がゲート電極に供給される駆動用の第２
の薄膜トランジスタ１２４と、この薄膜トランジスタ１
２４を介して電源線１３３に電気的に接続したときに電
源線１３３から駆動電流が流れ込む画素電極１１１（陽
極）と、画素電極１１１と対向電極１２（陰極）との間
に挟み込まれる機能層１１０とが設けられている。機能
層１１０は、発光層としての有機ＥＬ層を含む。

【００４５】画素領域Ａでは、走査線１３１が駆動され
て第１の薄膜トランジスタ１２３がオンとなると、その
ときの信号線１３２の電位が保持容量１３５に保持さ
れ、この保持容量１３５の状態に応じて、第２の薄膜ト
ランジスタ１２４の導通状態が決まる。また、第２の薄
膜トランジスタ１２４のチャネルを介して電源線１３３
から画素電極１１１に電流が流れ、さらに機能層１１０
を通じて対向電極１２（陰極）に電流が流れる。そし
て、このときの電流量に応じて、機能層１１０が発光す
る。

【００４６】図１３は、表示装置１における表示領域の
断面構造を拡大した図である。この図１３には３つの画
素領域Ａが図示されている。表示装置１は、基板２上
に、ＴＦＴなどの回路等が形成された回路素子部１４、
機能層１１０が形成された発光素子部１１及び陰極１２
が順次積層されて構成されている。表示装置１において
は、機能層１１０から基板２側に発した光が、回路素子
部１４及び基板２を透過して基板２の下側（観測者側）
に出射されるとともに、機能層１１０から基板２の反対
側に発した光が陰極１２により反射されて、回路素子部
１４及び基板２を透過して基板２の下側（観測者側）に
出射されるようになっている。なお、陰極１２として、
透明な材料を用いることにより陰極側から発光する光を
出射させることができる。透明な材料としては、ＩＴ
Ｏ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｎｉ、もしくはＰｄを用いる事ができ
る。膜厚としては７５ｎｍほどの膜厚にする事が好まし
く、この膜厚よりも薄くした方がより好ましい。

【００４７】回路素子部１４には、基板２上にシリコン
酸化膜からなる下地保護膜２ｃが形成され、この下地保
護膜２ｃ上に多結晶シリコンからなる島状の半導体膜１
４１が形成されている。なお、半導体膜１４１には、ソ
ース領域１４１ａ及びドレイン領域１４１ｂが高濃度Ｐ
イオン打ち込みにより形成されている。なお、Ｐが導入
されなかった部分がチャネル領域１４１ｃとなってい
る。さらに回路素子部１４には、下地保護膜２ｃ及び半
導体膜１４１を覆う透明なゲート絶縁膜１４２が形成さ
れ、ゲート絶縁膜１４２上にはＡｌ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔ
ｉ、Ｗ等からなるゲート電極１４３（走査線）が形成さ
れ、ゲート電極１４３及びゲート絶縁膜１４２上には透
明な第１層間絶縁膜１４４ａと第２層間絶縁膜１４４ｂ
が形成されている。ゲート電極１４３は半導体膜１４１
のチャネル領域１４１ｃに対応する位置に設けられてい
る。また、第１、第２層間絶縁膜１４４ａ、１４４ｂを
貫通して、半導体膜１４１のソース、ドレイン領域１４
１ａ、１４１ｂにそれぞれ接続されるコンタクトホール
１４５，１４６が形成されている。そして、第２層間絶
縁膜１４４ｂ上には、ＩＴＯ等からなる透明な画素電極
１１１が所定の形状にパターニングされて形成され、一
方のコンタクトホール１４５がこの画素電極１１１に接
続されている。また、もう一方のコンタクトホール１４
６が電源線１３３に接続されている。このようにして、
回路素子部１４には、各画素電極１１１に接続された駆
動用の薄膜トランジスタ１２３が形成されている。な
お、回路素子部１４には、前述した保持容量１３５及び
スイッチング用の薄膜トランジスタ１２４も形成されて
いるが、図１３ではこれらの図示を省略している。

【００４８】発光素子部１１は、複数の画素電極１１１
…上の各々に積層された機能層１１０と、各画素電極１
１１及び機能層１１０の間に備えられて各機能層１１０
を区画するバンク部１１２とを主体として構成されてい
る。機能層１１０上には陰極１２が配置されている。発
光素子である有機ＥＬ装置は、画素電極１１１、陰極１
２、及び機能層１１０等を含んで構成される。ここで、
画素電極１１１は、例えばＩＴＯにより形成されてな
り、平面視略矩形にパターニングされて形成されてい
る。この画素電極１１１の厚さは、５０〜２００ｎｍの
範囲が好ましく、特に１５０ｎｍ程度がよい。この各画
素電極１１１…の間にバンク部１１２が備えられてい
る。

【００４９】バンク部１１２は、図１３に示すように、
基板２側に位置する無機物バンク層１１２ａ（第１バン
ク層）と基板２から離れて位置する有機物バンク層１１
２ｂ（第２バンク層）とが積層されて構成されている。

【００５０】無機物バンク層、有機物バンク層（１１２
ａ、１１２ｂ）は、画素電極１１１の周縁部上に乗上げ
るように形成されている。平面的には、画素電極１１１
の周囲と無機物バンク層１１２ａとが平面的に重なるよ
うに配置された構造となっている。また、有機物バンク
層１１２ｂも同様であり、画素電極１１１の一部と平面
的に重なるように配置されている。また無機物バンク層
１１２ａは、有機物バンク層１１２ｂよりも画素電極１
１１の中央側にさらに形成されている。このようにし
て、無機物バンク層１１２ａの各第１積層部１１２ｅが
画素電極１１１の内側に形成されることにより、画素電
極１１１の形成位置に対応する下部開口部１１２ｃが設
けられている。また、有機物バンク層１１２ｂには、上
部開口部１１２ｄが形成されている。この上部開口部１
１２ｄは、画素電極１１１の形成位置及び下部開口部１
１２ｃに対応するように設けられている。上部開口部１
１２ｄは、図１３に示すように、下部開口部１１２ｃよ
り広く、画素電極１１１より狭く形成されている。ま
た、上部開口部１１２ｄの上部の位置と、画素電極１１
１の端部とがほぼ同じ位置になるように形成される場合
もある。この場合は、図１３に示すように、有機物バン
ク層１１２ｂの上部開口部１１２ｄの断面が傾斜する形
状となる。そしてバンク部１１２には、下部開口部１１
２ｃ及び上部開口部１１２ｄが連通することにより、無
機物バンク層１１２ａ及び有機物バンク層１１２ｂを貫
通する開口部１１２ｇが形成されている。

【００５１】また、無機物バンク層１１２ａは、例え
ば、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2等の無機材料からなることが好ま
しい。この無機物バンク層１１２ａの膜厚は、５０〜２
００ｎｍの範囲が好ましく、特に１５０ｎｍがよい。膜
厚が５０ｎｍ未満では、無機物バンク層１１２ａが後述
する正孔注入／輸送層より薄くなり、正孔注入／輸送層
の平坦性を確保できなくなるので好ましくない。また膜
厚が２００ｎｍを越えると、下部開口部１１２ｃによる
段差が大きくなって、正孔注入／輸送層上に積層する後
述の発光層の平坦性を確保できなくなるので好ましくな
い。

【００５２】さらに、有機物バンク層１１２ｂは、アク
リル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶媒性のある
レジストから形成されている。この有機物バンク層１１
２ｂの厚さは、０．１〜３．５μｍの範囲が好ましく、
特に２μｍ程度がよい。厚さが０．１μｍ未満では、後
述する正孔注入／輸送層及び発光層の合計厚より有機物
バンク層１１２ｂが薄くなり、発光層が上部開口部１１
２ｄから溢れるおそれがあるので好ましくない。また、
厚さが３．５μｍを越えると、上部開口部１１２ｄによ
る段差が大きくなり、有機物バンク層１１２ｂ上に形成
する陰極１２のステップガバレッジを確保できなくなる
ので好ましくない。また、有機物バンク層１１２ｂの厚
さを２μｍ以上にすれば、駆動用の薄膜トランジスタ１
２３との絶縁を高めることができる点でより好ましい。

【００５３】また、バンク部１１２には、親液性を示す
領域と、撥液性を示す領域が形成されている。親液性を
示す領域は、無機物バンク層１１２ａの第１積層部１１
２ｅ及び画素電極１１１の電極面１１１ａであり、これ
らの領域は、酸素を処理ガスとするプラズマ処理によっ
て親液性に表面処理されている。また、撥液性を示す領
域は、上部開口部１１２ｄの壁面及び有機物バンク層１
１２ｂの上面１１２ｆであり、これらの領域は、４フッ
化メタン、テトラフルオロメタン、もしくは四フッ化炭
素を処理ガスとするプラズマ処理によって表面がフッ化
処理（撥液性に処理）されている。

【００５４】図１３に示すように、機能層１１０は、画
素電極１１１上に積層された正孔注入／輸送層１１０ａ
と、正孔注入／輸送層１１０ａ上に隣接して形成された
発光層１１０ｂとから構成されている。なお、発光層１
１０ｂに隣接してその他の機能を有する他の機能層をさ
らに形成しても良い。例えば、電子輸送層を形成する事
も可能である。正孔注入／輸送層１１０ａは、正孔を発
光層１１０ｂに注入する機能を有するとともに、正孔を
正孔注入／輸送層１１０ａ内部において輸送する機能を
有する。このような正孔注入／輸送層１１０ａを画素電
極１１１と発光層１１０ｂの間に設けることにより、発
光層１１０ｂの発光効率、寿命等の素子特性が向上す
る。また、発光層１１０ｂでは、正孔注入／輸送層１１
０ａから注入された正孔と、陰極１２から注入される電
子が発光層で再結合し、発光が得られる。

【００５５】正孔注入／輸送層１１０ａは、下部開口部
１１２ｃ内に位置して画素電極面１１１ａ上に形成され
る平坦部１１０ａ1と、上部開口部１１２ｄ内に位置し
て無機物バンク層の第１積層部１１２ｅ上に形成される
周縁部１１０ａ2から構成されている。また、正孔注入
／輸送層１１０ａは、構造によっては、画素電極１１１
上であって、且つ無機物バンク層１１２ａの間（下部開
口部１１２ｃ）にのみ形成されている（前述に記載した
平坦部にのみ形成される形態もある）。この平坦部１１
０ａ1は、その厚さが一定で例えば５０〜７０ｎｍの範
囲に形成される。周縁部１１０ａ2が形成される場合に
おいては、周縁部１１０ａ2は、第１積層部１１２ｅ上
に位置するとともに上部開口部１１２ｄの壁面、即ち有
機物バンク層１１２ｂに密着している。また、周縁部１
１０ａ2の厚さは、電極面１１１ａに近い側で薄く、電
極面１１１ａから離れる方向に沿って増大し、下部開口
部１１２ｃの壁面近くで最も厚くなっている。周縁部１
１０ａ2が上記の様な形状を示す理由としては、正孔注
入／輸送層１１０ａが、正孔注入／輸送層形成材料及び
極性溶媒を含む第１組成物を開口部１１２内に吐出して
から極性溶媒を除去して形成されたものであり、極性溶
媒の揮発が主に無機物バンク層の第１積層部１１２ｅ上
で起こり、正孔注入／輸送層形成材料がこの第１積層部
１１２ｅ上に集中的に濃縮・析出されたためである。

【００５６】また発光層１１０ｂは、正孔注入／輸送層
１１０ａの平坦部１１０ａ1及び周縁部１１０ａ2上に渡
って形成されており、平坦部１１２ａ1上での厚さが５
０〜８０ｎｍの範囲とされている。発光層１１０ｂは、
赤色（Ｒ）に発光する赤色発光層１１０ｂ1、緑色
（Ｇ）に発光する緑色発光層１１０ｂ2、及び青色
（Ｂ）に発光する青色発光層１１０ｂ3、の３種類を有
し、各発光層１１０ｂ1〜１１０ｂ3がストライプ配置さ
れている。

【００５７】上記のように、正孔注入／輸送層１１０ａ
の周縁部１１０ａ2が上部開口部１１２ｄの壁面（有機
物バンク層１１２ｂ）に密着しているので、発光層１１
０ｂが有機物バンク層１１２ｂに直接に接することがな
い。従って、有機物バンク層１１２ｂに不純物として含
まれる水が発光層１１０ｂ側に移行するのを、周縁部１
１０ａ2によって阻止することができ、水による発光層
１１０ｂの酸化を防止できる。また、無機物バンク層の
第１積層部１１２ｅ上に不均一な厚さの周縁部１１０ａ
2が形成されるため、周縁部１１０ａ2が第１積層部１１
２ｅによって画素電極１１１から絶縁された状態とな
り、周縁部１１０ａ2から発光層１１０ｂに正孔が注入
されることがない。これにより、画素電極１１１からの
電流が平坦部１１２ａ1のみに流れ、正孔を平坦部１１
２ａ1から発光層１１０ｂに均一に輸送させることがで
き、発光層１１０ｂの中央部分のみを発光させることが
できるとともに、発光層１１０ｂにおける発光量を一定
にすることができる。また、無機物バンク層１１２ａが
有機物バンク層１１２ｂよりも画素電極１１１の中央側
にさらに延出されているので、この無機物バンク層１１
２ａによって画素電極１１１と平坦部１１０ａ1との接
合部分の形状をトリミングすることができ、各発光層１
１０ｂ間の発光強度のばらつきを抑えることができる。

【００５８】さらに、画素電極１１１の電極面１１１ａ
及び無機物バンク層の第１積層部１１２ｅが親液性を示
すので、機能層１１０が画素電極１１１及び無機物バン
ク層１１２ａに均一に密着し、無機物バンク１１２ａ上
で機能層１１０が極端に薄くならず、画素電極１１１と
陰極１２との短絡を防止できる。また、有機物バンク層
１１２ｂの上面１１２ｆ及び上部開口部１１２ｄ壁面が
撥液性を示すので、機能層１１０と有機物バンク層１１
２ｂとの密着性が低くなり、機能層１１０が開口部１１
２ｇから溢れて形成されることがない。

【００５９】なお、正孔注入／輸送層形成材料として
は、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン等のポリ
チオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸等の混合物
を用いることができる。また、発光層１１０ｂの材料と
しては、例えば、［化１］〜［化５］が、ポリフルオレ
ン誘導体か、その他に（ポリ）パラフェニレンビニレン
誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導
体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、
またはこれらの高分子材料にペリレン系色素、クマリン
系色素、ローダミン系色素、ルブレン、ペリレン、９，
１０-ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジ
エン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等をド
ープして用いることができる。

【００６０】

【化１】

【００６１】

【化２】

【００６２】

【化３】

【００６３】

【化４】

【００６４】

【化５】

【００６５】陰極１２は、発光素子部１１の全面に形成
されており、画素電極１１１と対になって機能層１１０
に電流を流す役割を果たす。この陰極１２は、例えば、
カルシウム層とアルミニウム層とが積層されて構成され
ている。このとき、発光層に近い側の陰極には仕事関数
が低いものを設けることが好ましく、特にこの形態にお
いては発光層１１０ｂに直接に接して発光層１１０ｂに
電子を注入する役割を果たす。また、フッ化リチウムは
発光層の材料によっては効率よく発光させるために、発
光層１１０ｂと陰極１２との間にＬｉＦを形成する場合
もある。なお、赤色及び緑色の発光層１１０ｂ1、１１
１０ｂ2にはフッ化リチウムに限らず、他の材料を用い
ても良い。従ってこの場合は青色（Ｂ）発光層１１０ｂ
3のみにフッ化リチウムからなる層を形成し、他の赤色
及び緑色の発光層１１０ｂ1、１１０ｂ2にはフッ化リチ
ウム以外のものを積層しても良い。また、赤色及び緑色
の発光層１１０ｂ1、１１０ｂ2上にはフッ化リチウムを
形成せず、カルシウムのみを形成しても良い。なお、フ
ッ化リチウムの厚さは、例えば２〜５ｎｍの範囲が好ま
しく、特に２ｎｍ程度がよい。またカルシウムのの厚さ
は、例えば２〜５０ｎｍの範囲が好ましい。また、陰極
１２を形成するアルミニウムは、発光層１１０ｂから発
した光を基板２側に反射させるもので、Ａｌ膜の他、Ａ
ｇ膜、ＡｌとＡｇの積層膜等からなることが好ましい。
また、その厚さは、例えば１００〜１０００ｎｍの範囲
が好ましく、特に２００ｎｍ程度がよい。さらにアルミ
ニウム上にＳｉＯ、ＳｉＯ2、ＳｉＮ等からなる酸化防
止用の保護層を設けても良い。

【００６６】次に、先の図５に示した有機ＥＬ装置の製
造装置２０を用いて有機ＥＬ装置及び有機ＥＬ表示装置
１を製造する方法について図１４〜図２５を参照して詳
しく説明する。本例の有機ＥＬ装置の製造方法は、
（１）プラズマ処理工程、（２）正孔注入／輸送層形成
工程、（３）発光層形成工程、（４）対向電極（陰極）
形成工程、及び（７）封止工程を含む。なお、製造方法
はこれに限られるものではなく必要に応じてその他の工
程が除かれる場合、また追加される場合もある。また、
製造装置２０には、回路素子としての薄膜トランジスタ
が形成された基板２上に画素電極１１１、及びバンク部
１１２が形成されたものが投入される。

【００６７】（１）プラズマ処理工程プラズマ処理工程では、画素電極１１１の表面を活性化
すること、さらにバンク部１１２の表面を表面処理する
事を目的として行われる。特に活性化工程では、画素電
極１１１（ＩＴＯ）上の洗浄、さらに仕事関数の調整を
主な目的として行っている。さらに、画素電極１１１の
表面の親液化処理、バンク部１１２表面の撥液化処理を
行う。

【００６８】プラズマ処理工程は、(1)-1予備加熱工
程、(1)-2活性化処理工程（親液性にする親液化工
程）、(1)-3撥液化処理工程、及び(1)-4冷却工程とに大
別される。なお、このような工程に限られるものではな
く、必要に応じて工程を削減、更なる工程追加も行われ
る。

【００６９】まず、図６に示すプラズマ処理装置２５を
用いた概略の工程を説明する。予備加熱工程は、図６に
示す予備加熱処理室５１において行われる。そしてこの
処理室５１により、バンク部形成工程から搬送された基
板２を所定の温度に加熱する。予備加熱工程の後、親液
化工程及び撥液化処理工程を行う。すなわち、基板は第
１，第２プラズマ処理室５２，５３に順次搬送され、そ
れぞれの処理室５２，５３においてバンク部１１２にプ
ラズマ処理を行い親液化する。この親液化処理後に撥液
化処理を行う。撥液化処理の後に基板を冷却処理室に搬
送し、冷却処理室５４おいて基板を室温まで冷却する。
この冷却工程後、搬送装置により次の工程である正孔注
入／輸送層形成工程に基板を搬送する。

【００７０】以下に、それぞれの工程について詳細に説
明する。 (1)-1 予備加熱工程予備加熱工程は予備加熱処理室５１により行う。この処
理室５１において、バンク部１１２を含む基板２を所定
の温度まで加熱する。基板２の加熱方法は、例えば処理
室５１内にて基板２を載せるステージにヒータを取り付
け、このヒータで当該ステージごと基板２を加熱する手
段がとられている。なお、これ以外の方法を採用するこ
とも可能である。予備加熱処理室５１において、例えば
７０℃〜８０℃の範囲に基板２を加熱する。この温度は
次工程であるプラズマ処理における処理温度であり、次
の工程に合わせて基板２を事前に加熱し、基板２の温度
ばらつきを解消することを目的としている。仮に予備加
熱工程を加えなければ、基板２は室温から上記のような
温度に加熱されることになり、工程開始から工程終了ま
でのプラズマ処理工程中において温度が常に変動しなが
ら処理される事になる。したがって、基板温度が変化し
ながらプラズマ処理を行うことは、特性の不均一につな
がる可能性がある。したがって、処理条件を一定に保
ち、均一な特性を得るために予備加熱を行うのである。

【００７１】そこで、プラズマ処理工程においては、第
１，第２プラズマ処理装置５２，５３内の試料ステージ
上に基板２を載置した状態で親液化工程または撥液化工
程を行う場合に、予備加熱温度を、親液化工程または撥
液化工程を連続して行う試料ステージ５６の温度にほぼ
一致させることが好ましい。そこで、第１，第２プラズ
マ処理装置５２，５３内の試料ステージが上昇する温
度、例えば７０〜８０℃まで予め基板２を予備加熱する
ことにより、多数の基板にプラズマ処理を連続的に行っ
た場合でも、処理開始直後と処理終了直前でのプラズマ
処理条件をほぼ一定にすることができる。これにより、
基板２の表面処理条件を同一にし、バンク部１１２の組
成物に対する濡れ性を均一化することができ、一定の品
質を有する表示装置を製造することができる。また、基
板２を予め予備加熱しておくことにより、後のプラズマ
処理における処理時間を短縮することができる。

【００７２】(1)-2 活性化処理つぎに第１プラズマ処理室５２では、活性化処理が行わ
れる。活性化処理には、画素電極１１１における仕事関
数の調整、制御、画素電極表面の洗浄、画素電極表面の
親液化処理が含まれる。親液化処理として、大気雰囲気
中で酸素を処理ガスとするプラズマ処理（Ｏ2プラズマ
処理）を行う。図１４は第１プラズマ処理を模式的に示
した図である。図１４に示すように、バンク部１１２を
含む基板２は加熱ヒータ内臓の試料ステージ５６上に載
置され、基板２の上側にはギャップ間隔０．５〜２ｍｍ
程度の距離をおいてプラズマ放電電極５７が基板２に対
向して配置されている。基板２は、試料ステージ５６に
よって加熱されつつ、試料ステージ５６は図示矢印方向
に向けて所定の搬送速度で搬送され、その間に基板２に
対してプラズマ状態の酸素が照射される。Ｏ2プラズマ
処理の条件は、例えば、プラズマパワー１００〜８００
ｋＷ、酸素ガス流量５０〜１００ｍｌ/ｍｉｎ、板搬送
速度０．５〜１０ｍｍ／ｓｅｃ、基板温度７０〜９０℃
の条件で行われる。なお、試料ステージ５６による加熱
は、主として予備加熱された基板２の保温のために行わ
れる。

【００７３】このＯ2プラズマ処理により、図１５に示
すように、画素電極１１１の電極面１１１ａ、無機物バ
ンク層１１２ａの第１積層部１１２ｅ及び有機物バンク
層１１２ｂの上部開口部１１２ｄの壁面ならびに上面１
１２ｆが親液処理される。この親液処理により、これら
の各面に水酸基が導入されて親液性が付与される。図１
６では、親液処理された部分を一点鎖線で示している。
なお、このＯ2プラズマ処理は、親液性を付与するのみ
ならず、上述の通り画素電極であるＩＴＯ上の洗浄，仕
事関数の調整も兼ねている。

【００７４】(1)-3 撥液処理工程つぎに、第２プラズマ処理室５３では、撥液化工程とし
て、大気雰囲気中でテトラフルオロメタンを処理ガスと
するプラズマ処理（ＣＦ4プラズマ処理）を行う。第２
プラズマ処理室５３の内部構造は図１４に示した第１プ
ラズマ処理室５２の内部構造と同じである。即ち、基板
２は、試料ステージによって加熱されつつ、試料ステー
ジごと所定の搬送速度で搬送され、その間に基板２に対
してプラズマ状態のテトラフルオロメタン（四フッ化炭
素）が照射される。ＣＦ4プラズマ処理の条件は、例え
ば、プラズマパワー１００〜８００ｋＷ、４フッ化メタ
ンガス流量５０〜１００ｍｌ/ｍｉｎ、基板搬送速度
０．５〜１０ｍｍ／ｓｅｃ、基板温度７０〜９０℃の条
件で行われる。なお、加熱ステージによる加熱は、第１
プラズマ処理室５２の場合と同様に、主として予備加熱
された基板２の保温のために行われる。なお、処理ガス
は、テトラフルオロメタン（四フッ化炭素）に限らず、
他のフルオロカーボン系のガスを用いることができる。

【００７５】ＣＦ4プラズマ処理により、図１６に示す
ように、上部開口部１１２ｄ壁面及び有機物バンク層の
上面１１２ｆが撥液処理される。この撥液処理により、
これらの各面にフッ素基が導入されて撥液性が付与され
る。図１６では、撥液性を示す領域を二点鎖線で示して
いる。有機物バンク層１１２ｂを構成するアクリル樹
脂、ポリイミド樹脂等の有機物はプラズマ状態のフルオ
ロカーボンが照射することで容易に撥液化させることが
できる。また、Ｏ2プラズマにより前処理した方がフッ
素化されやすい、という特徴を有しており、本実施形態
には特に有効である。なお、画素電極１１１の電極面１
１１ａ及び無機物バンク層１１２ａの第１積層部１１２
ｅもこのＣＦ4プラズマ処理の影響を多少受けるが、濡
れ性に影響を与える事は少ない。図１６では、親液性を
示す領域を一点鎖線で示している。

【００７６】(1)-4 冷却工程次に冷却工程として、冷却処理室５４を用い、プラズマ
処理のために加熱された基板２を管理温度まで冷却す
る。これは、この以降の工程であるインクジェット工程
（液滴吐出工程）の管理温度まで冷却するために行う工
程である。この冷却処理室５４は、基板２を配置するた
めのプレートを有し、そのプレートは基板２を冷却する
ように水冷装置が内蔵された構造となっている。また、
プラズマ処理後の基板２を室温、または所定の温度（例
えばインクジェット工程を行う管理温度）まで冷却する
ことにより、次の正孔注入／輸送層形成工程において、
基板２の温度が一定となり、基板２の温度変化が無い均
一な温度で次工程を行うことができる。したがって、こ
のような冷却工程を加えることにより、インクジェット
法等の吐出手段により吐出された材料を均一に形成でき
る。例えば、正孔注入／輸送層を形成するための材料を
含む第１組成物を吐出させる際に、第１組成物を一定の
容積で連続して吐出させることができ、正孔注入／輸送
層を均一に形成することができる。

【００７７】上記のプラズマ処理工程では、材質が異な
る有機物バンク層１１２ｂ及び無機物バンク層１１２ａ
に対して、Ｏ2プラズマ処理とＣＦ4プラズマ処理とを順
次行うことにより、バンク部１１２に親液性の領域と撥
液性の領域を容易に設けることができる。また，上記プ
ラズマ装置は，大気圧下の装置でなくとも，真空下のプ
ラズマ装置を用いても良い。

【００７８】（２）正孔注入／輸送層形成工程次に正孔注入／輸送層形成工程では、先の図６に示した
正孔注入／輸送層形成装置２６を用いて電極（ここでは
画素電極１１１）上に正孔注入／輸送層を形成する。正
孔注入／輸送層形成工程では、液滴吐出法（インクジェ
ット法）を用いることにより、正孔注入／輸送層形成材
料を含む第１組成物（組成物）を電極面１１１ａ上に吐
出する。その後に乾燥処理及び熱処理を行い、画素電極
１１１上及び無機物バンク層１１２ａ上に正孔注入/輸
送層１１０ａを形成する。なお、正孔注入/輸送層１１
０ａが形成された無機物バンク層１１２ａをここでは第
１積層部１１２ｅという。この正孔注入／輸送層形成工
程を含めこれ以降の工程は、水、酸素の無い雰囲気とす
る事が好ましい。例えば、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気
等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。

【００７９】なお、正孔注入/輸送層１１０ａは第１積
層部１１２ｅ上に形成されないこともある。すなわち、
画素電極１１１上にのみ正孔注入／輸送層が形成される
形態もある。

【００８０】インクジェット法による層の形成方法は以
下の通りである。図１７に示すように、インクジェット
ヘッドＨ1に形成された複数のノズルから正孔注入／輸
送層形成材料を含む第１組成物を吐出する。ここではイ
ンクジェットヘッドを走査することにより各画素毎に組
成物を充填しているが、基板２を走査することによって
も可能である。さらに、インクジェットヘッドと基板２
とを相対的に移動させることによっても組成物を充填さ
せることができる。なお、これ以降のインクジェットヘ
ッドを用いて行う工程では上記の点は同様である。

【００８１】インクジェットヘッドによる吐出は以下の
通りである。すなわち、インクジェットヘッドＨ1に形
成されてなる吐出ノズルＨ2を電極面１１１ａに対向し
て配置し、ノズルＨ2から第１組成物を吐出する。画素
電極１１１の周囲には下部開口部１１２ｃを区画するバ
ンク部１１２が形成されており、この下部開口部１１２
ｃ内に位置する画素電極面１１１ａにインクジェットヘ
ッドＨ1を対向させ、このインクジェットヘッドＨ1と基
板２とを相対移動させながら、吐出ノズルＨ2から１滴
当たりの液量が制御された第１組成物滴１１０ｃを電極
面１１１ａ上に吐出する。

【００８２】ここで用いる第１組成物としては、例え
ば、ポリエチレンジオキシチオフェン(PEDOT)等のポリ
チオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸(PSS)等の
混合物を、極性溶媒に溶解させた組成物を用いることが
できる。極性溶媒としては、例えば、イソプロピルアル
コール(IPA)、ノルマルブタノール、γ−ブチロラクト
ン、Ｎ−メチルピロリドン(NMP)、１，３−ジメチル−
２−イミダゾリジノン(DMI)及びその誘導体、カルビト
−ルアセテート、ブチルカルビト−ルアセテート等のグ
リコールエーテル類等を挙げることができる。より具体
的な第１組成物の組成としては、PEDOT/PSS混合物(PEDO
T/PSS=1:20)：１２．５２重量％、PSS：１．４４重量
％、IPA：１０重量％、NMP：２７．４８重量％、DMI：
５０重量％のものを例示できる。なお、第１組成物の粘
度は２〜２０Ｐｓ程度が好ましく、特に４〜１５ｃＰｓ
程度が良い。上記の第１組成物を用いることにより、吐
出ノズルＨ2に詰まりが生じることがなく安定吐出でき
る。なお、正孔注入／輸送層形成材料は、赤（Ｒ）、緑
（Ｇ）、青（Ｂ）の各発光層１１０ｂ1〜１１０ｂ3に対
して同じ材料を用いても良く、各発光層毎に変えても良
い。

【００８３】図１７に示すように、吐出された第１組成
物滴１１０ｃは、親液処理された電極面１１１ａ及び第
１積層部１１２ｅ上に広がり、下部、上部開口部１１２
ｃ、１１２ｄ内に充填される。仮に、第１組成物滴１１
０ｃが所定の吐出位置からはずれて上面１１２ｆ上に吐
出されたとしても、上面１１２ｆが第１組成物滴１１０
ｃで濡れることがなく、はじかれた第１組成物滴１１０
ｃが下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に転がり込
む。

【００８４】電極面１１１ａ上に吐出する第１組成物量
は、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄの大きさ、形
成しようとする正孔注入／輸送層の厚さ、第１組成物中
の正孔注入／輸送層形成材料の濃度等により決定され
る。また、第１組成物滴１１０ｃは１回のみならず、数
回に分けて同一の電極面１１１ａ上に吐出しても良い。
この場合、各回における第１組成物の量は同一でも良
く、各回毎に第１組成物を変えても良い。さらに電極面
１１１ａの同一箇所のみならず、各回毎に電極面１１１
ａ内の異なる箇所に第１組成物を吐出しても良い。

【００８５】インクジェットヘッドの構造については、
図１８のようなヘッドＨを用いる事ができる。さらに、
基板とインクジェットヘッドの配置に関しては図１９の
ように配置することが好ましい。図１９中、符号Ｈ7は
前記のインクジェットヘッドＨ1を支持する支持基板で
あり、この支持基板Ｈ7上に複数のインクジェットヘッ
ドＨ1が備えられている。インクジェットヘッドＨ1のイ
ンク吐出面（基板との対向面）には、ヘッドの長さ方向
に沿って列状に、且つヘッドの幅方向に間隔をあけて２
列で吐出ノズルが複数（例えば、１列１８０ノズル、合
計３６０ノズル）設けられている。また、このインクジ
ェットヘッドＨ1は、吐出ノズルを基板側に向けるとと
もに、Ｘ軸（またはＹ軸）に対して所定角度傾いた状態
で略Ｘ軸方向に沿って列状に、且つＹ方向に所定間隔を
あけて２列に配列された状態で平面視略矩形状の支持板
２０に複数（図１９では１列６個、合計１２個）位置決
めされて支持されている。また図１９に示すインクジェ
ット装置において、符号１１１５は基板２を載置するス
テージであり、符号１１１６はステージ１１１５を図中
ｘ軸方向（主走査方向）に案内するガイドレールであ
る。またヘッドＨは、支持部材１１１１を介してガイド
レール１１１３により図中ｙ軸方向（副主走査方向）に
移動できるようになっており、さらにヘッドＨは図中θ
軸方向に回転できるようになっており、インクジェット
ヘッドＨ1を主走査方向に対して所定の角度に傾けるこ
とができるようになっている。このように、インクジェ
ットヘッドを走査方向に対して傾けて配置することによ
り、ノズルピッチを画素ピッチに対応させることができ
る。また、傾き角度調整することにより、どのような画
素ピッチに対しても対応させることができる。

【００８６】また、図１９に示す基板２は、マザー基板
に複数のチップを配置した構造となっている。即ち、１
チップの領域が１つの表示装置に相当する。ここでは、
３つの表示領域２ａが形成されているが、これに限られ
るものではない。例えば、基板２上の左側の表示領域２
ａに対して組成物を塗布する場合は、ガイドレール１１
１３を介してヘッドＨを図中左側に移動させるととも
に、ガイドレール１１１６を介して基板２を図中上側に
移動させ、基板２を走査させながら塗布を行う。次に、
ヘッドＨを図中右側に移動させて基板の中央の表示領域
２ａに対して組成物を塗布する。右端にある表示領域２
ａに対しても前記と同様である。なお、図１８に示すヘ
ッドＨ及び図１９に示すインクジェット装置は、正孔注
入／輸送層形成工程のみならず、発光層形成工程にも用
いるとよい。

【００８７】次に、図２０に示すような乾燥工程を行
う。乾燥工程を行う事により、吐出後の第１組成物を乾
燥処理し、第１組成物に含まれる極性溶媒を蒸発させ、
正孔注入／輸送層１１０ａを形成する。乾燥処理を行う
と、第１組成物滴１１０ｃに含まれる極性溶媒の蒸発
が、主に無機物バンク層１１２ａ及び有機物バンク層１
１２ｂに近いところで起き、極性溶媒の蒸発に併せて正
孔注入／輸送層形成材料が濃縮されて析出する。これに
より図２１に示すように、第１積層部１１２ｅ上に、正
孔注入／輸送層形成材料からなる周縁部１１０ａ2が形
成される。この周縁部１１０ａ2は、上部開口部１１２
ｄの壁面（有機物バンク層１１２ｂ）に密着しており、
その厚さが電極面１１１ａに近い側では薄く、電極面１
１１ａから離れた側、即ち有機物バンク層１１２ｂに近
い側で厚くなっている。

【００８８】また、これと同時に、乾燥処理によって電
極面１１１ａ上でも極性溶媒の蒸発が起き、これにより
電極面１１１ａ上に正孔注入／輸送層形成材料からなる
平坦部１１０ａ1が形成される。電極面１１１ａ上では
極性溶媒の蒸発速度がほぼ均一であるため、正孔注入／
輸送層の形成材料が電極面１１１ａ上で均一に濃縮さ
れ、これにより均一な厚さの平坦部１１０ａ1が形成さ
れる。このようにして、周縁部１１０ａ2及び平坦部１
１０ａ1からなる正孔注入／輸送層１１０ａが形成され
る。なお、周縁部１１０ａ2には形成されず、電極面１
１１ａ上のみに正孔注入／輸送層が形成される形態であ
っても構わない。

【００８９】上記の乾燥処理は、例えば窒素雰囲気中、
室温で圧力を例えば１３３．３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）程度
にして行う。圧力が低すぎると第１組成物滴１１０ｃが
突沸してしまうので好ましくない。また、温度を室温以
上にすると、極性溶媒の蒸発速度が高まり、平坦な膜を
形成する事ができない。乾燥処理後は、窒素中、好まし
くは真空中で２００℃で１０分程度加熱する熱処理を行
うことで、正孔注入／輸送層１１０ａ内に残存する極性
溶媒や水を除去することが好ましい。

【００９０】上記の正孔注入／輸送層形成工程では、吐
出された第１組成物滴１１０ｃが、下部、上部開口部１
１２ｃ、１１２ｄ内に満たされる一方で、撥液処理され
た有機物バンク層１１２ｂで第１組成物がはじかれて下
部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に転がり込む。こ
れにより、吐出した第１組成物滴１１０ｃを必ず下部、
上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に充填することがで
き、電極面１１１ａ上に正孔注入／輸送層１１０ａを形
成することができる。

【００９１】（３）発光層形成工程次に発光層形成工程は、発光層形成材料吐出工程、およ
び乾燥工程、とからなり、先の図６に示した発光層形成
装置２７を用いて行われる。

【００９２】発光層形成工程として、インクジェット法
（液滴吐出法）により、発光層形成材料を含む第２組成
物を正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出した後に乾燥処
理して、正孔注入／輸送層１１０ａ上に発光層１１０ｂ
を形成する。

【００９３】図２２に、インクジェットによる吐出方法
を示す。図２２に示すように、インクジェットヘッドＨ
5と基板２とを相対的に移動し、インクジェットヘッド
に形成された吐出ノズルＨ６から各色（たとえばここで
は青色（Ｂ））発光層形成材料を含有する第２組成物が
吐出される。吐出の際には、下部、上部開口部１１２
ｃ、１１２ｄ内に位置する正孔注入／輸送層１１０ａに
吐出ノズルを対向させ、インクジェットヘッドＨ5と基
板２とを相対移動させながら、第２組成物が吐出され
る。吐出ノズルＨ6から吐出される液量は１滴当たりの
液量が制御されている。このように液量が制御された液
（第２組成物滴１１０ｅ）が吐出ノズルから吐出され、
この第２組成物滴１１０ｅを正孔注入／輸送層１１０ａ
上に吐出する。

【００９４】発光層形成材料としては、［化１］〜［化
５］に示すポリフルオレン系高分子誘導体や、（ポリ）
パラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導
体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、
ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、
あるいは上記高分子に有機ＥＬ材料をドープして用いる
事ができる。例えば、ルブレン、ペリレン、９，１０-
ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、
ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等をドープす
ることにより用いることができる。

【００９５】非極性溶媒としては、正孔注入／輸送層１
１０ａに対して不溶なものが好ましく、例えば、シクロ
へキシルベンゼン、ジハイドロベンゾフラン、トリメチ
ルベンゼン、テトラメチルベンゼン等を用いることがで
きる。このような非極性溶媒を発光層１１０ｂの第２組
成物に用いることにより、正孔注入／輸送層１１０ａを
再溶解させることなく第２組成物を塗布できる。

【００９６】図２２に示すように、吐出された第２組成
物１１０ｅは、正孔注入／輸送層１１０ａ上に広がって
下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に満たされる。
その一方で、撥液処理された上面１１２ｆでは第１組成
物滴１１０ｅが所定の吐出位置からはずれて上面１１２
ｆ上に吐出されたとしても、上面１１２ｆが第２組成物
滴１１０ｅで濡れることがなく、第２組成物滴１１０ｅ
が下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に転がり込
む。

【００９７】各正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出する
第２組成物量は、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ
の大きさ、形成しようとする発光層１１０ｂの厚さ、第
２組成物中の発光層材料の濃度等により決定される。ま
た、第２組成物１１０ｅは１回のみならず、数回に分け
て同一の正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出しても良
い。この場合、各回における第２組成物の量は同一でも
良く、各回毎に第２組成物の液量を変えても良い。さら
に正孔注入／輸送層１１０ａの同一箇所のみならず、各
回毎に正孔注入／輸送層１１０ａ内の異なる箇所に第２
組成物を吐出配置しても良い。

【００９８】次に、第２の組成物を所定の位置に吐出し
終わった後、吐出後の第２組成物滴１１０ｅを乾燥処理
することにより発光層１１０ｂ３が形成される。すなわ
ち、乾燥により第２組成物に含まれる非極性溶媒が蒸発
し、図２３に示すような青色（Ｂ）発光層１１０ｂ3が
形成される。なお、図２３においては青に発光する発光
層が１つのみ図示されているが、図１１やその他の図よ
り明らかなように本来は発光素子がマトリックス状に形
成されたものであり、図示しない多数の発光層（青色に
対応）が形成されている。

【００９９】続けて、図２４に示すように、前述した青
色（Ｂ）発光層１１０ｂ3の場合と同様の工程を用い、
赤色（Ｒ）発光層１１０ｂ1を形成し、最後に緑色
（Ｇ）発光層１１０ｂ2を形成する。なお、発光層１１
０ｂの形成順序は、前述の順序に限られるものではな
く、どのような順番で形成しても良い。例えば、発光層
形成材料に応じて形成する順番を決める事も可能であ
る。

【０１００】また、発光層の第２組成物の乾燥条件は、
青色１１０ｂ3の場合、例えば、窒素雰囲気中、室温で
圧力を１３３．３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）程度として５〜１
０分行う条件とする。圧力が低すぎると第２組成物が突
沸してしまうので好ましくない。また、温度を室温以上
にすると、非極性溶媒の蒸発速度が高まり、発光層形成
材料が上部開口部１１２ｄ壁面に多く付着してしまうの
で好ましくない。また緑色発光層１１０ｂ2、および赤
色発光層１１０ｂ1の場合、発光層形成材料の成分数が
多いために素早く乾燥させることが好ましく、例えば、
４０℃で窒素の吹き付けを５〜１０分行う条件とするの
がよい。その他の乾燥の手段としては、遠赤外線照射
法、高温窒素ガス吹付法等を例示できる。このようにし
て、画素電極１１１上に正孔注入／輸送層１１０ａ及び
発光層１１０ｂが形成される。

【０１０１】（４）対向電極（陰極）形成工程次に対向電極形成工程では、図２５に示すように、発光
層１１０ｂ及び有機物バンク層１１２ｂの全面に陰極１
２（対向電極）を形成する。陰極１２は複数の材料を積
層して形成しても良い。例えば、発光層に近い側には仕
事関数が小さい材料を形成することが好ましく、例えば
Ｃａ、Ｂａ等を用いることが可能であり、また材料によ
っては下層にＬｉＦ等を薄く形成した方が良い場合もあ
る。また、上部側（封止側）には下部側よりも仕事関数
が高い材料、例えばＡｌを用いる事もできる。フッ化リ
チウムは、発光層１１０ｂ上のみに形成しても良く、さ
らに所定の色に対応して形成する事ができる。例えば、
青色（Ｂ）発光層１１０ｂ3上のみに形成しても良い。
この場合、他の赤色（Ｒ）発光層及び緑色（Ｇ）発光層
１１０ｂ1、１１０ｂ2には、カルシウムからなる上部陰
極層が接することとなる。これらの陰極１２は、例えば
蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等を用いて形成すること
が可能であるが、熱による発光層１１０ｂの損傷を防止
する上で、本例では蒸着法を用いる。すなわち、先の図
８に示した第１蒸着処理室８４、及び第２蒸着処理室８
５に基板２を下向きに配置し、材料を加熱して蒸発させ
ることにより、陰極１２を形成する。このとき、第１蒸
着処理室８４と第２蒸着処理室８５とで、異なる材料を
用い、双方の処理室に基板を順次搬入して蒸着を行うこ
とで積層膜を形成できる。また、陰極１２の上部には、
Ａｌ膜、Ａｇ膜等を用いることが好ましい。また、その
厚さは、例えば１００〜１０００ｎｍの範囲が好まし
く、特に２００〜５００ｎｍ程度がよい。また陰極１２
上に、酸化防止のためにＳｉＯ2、ＳｉＮ等の保護層を
設けても良い。

【０１０２】（５）封止工程最後に封止工程は、先の図８に示した封止装置２３を用
いて、発光素子が形成された基板２と封止基板３ｂとを
封止材（封止樹脂など）を介して封止する。本例では、
先の図８に示した封止樹脂塗布処理室８６を用いて、熱
硬化樹脂または紫外線硬化樹脂からなる封止樹脂を基板
２の周縁部に塗布し、貼り合わせ処理室８７を用いて、
封止樹脂上に封止基板３ｂを配置する。この工程により
先の図２に示した構成の封止部が形成される。封止工程
は、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス雰囲気で
行うことが好ましい。大気中で行うと、陰極１２にピン
ホール等の欠陥が生じていた場合にこの欠陥部分から水
や酸素等が陰極１２に侵入して陰極１２が酸化されるお
それがあるので好ましくない。

【０１０３】以上のプロセスにより、有機ＥＬ装置が完
成する。この後、基板２の配線に陰極１２を接続すると
ともに、基板２上あるいは外部に設けられる駆動ＩＣ
（駆動回路）に回路素子部１４（図１１参照）の配線を
接続することにより、本例の有機ＥＬ表示装置１が完成
する。

【０１０４】図２６（ａ）〜（ｃ）は、本発明の電子機
器の実施の形態例を示している。本例の電子機器は、上
述した有機ＥＬ表示装置等の本発明の電気光学装置を表
示手段として備えている。図２６（ａ）は、携帯電話の
一例を示した斜視図である。図２６（ａ）において、符
号６００は携帯電話本体を示し、符号６０１は前記の表
示装置を用いた表示部を示している。図２６（ｂ）は、
ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を
示した斜視図である。図２６（ｂ）において、符号７０
０は情報処理装置、符号７０１はキーボードなどの入力
部、符号７０３は情報処理装置本体、符号７０２は前記
の表示装置を用いた表示部を示している。図２６（ｃ）
は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図
２６（ｃ）において、符号８００は時計本体を示し、符
号８０１は前記の表示装置を用いた表示部を示してい
る。図２６（ａ）〜（ｃ）に示すそれぞれの電子機器
は、本発明の電気光学装置を表示手段として備えている
ので、品質の優れた表示を実現することができる。

【０１０５】以上、添付図面を参照しながら本発明に係
る好適な実施例について説明したが、本発明は係る例に
限定されないことは言うまでもない。上述した例におい
て示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であ
って、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要
求等に基づき種々変更可能である。

【０１０６】

【発明の効果】本発明の有機ＥＬ装置の製造方法及びそ
の装置によれば、陰極形成工程と封止工程との間で基板
の上下を反転させることにより、封止材料として、様々
な材料を適用することが可能となる。したがって、封止
部に様々な機能を容易に付加することができ、有機ＥＬ
装置の性能の向上を図ることができる。

【０１０７】また、本発明の電気光学装置によれば、有
機ＥＬ装置の構造を最適化し、その性能の向上を図るこ
とができる。

【０１０８】また、本発明の電子機器によれば、上記電
気光学装置を表示手段として備えることから、表示手段
の性能を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の有機ＥＬ装置の製造方法の概念を説
明するための図である。

【図２】封止部の構造例を模式的に示す図である。

【図３】封止部の構造例を模式的に示す図である。

【図４】封止部の構造例を模式的に示す図である。

【図５】本発明の有機ＥＬ装置の製造装置の実施の形
態例を模式的に示す図である。

【図６】機能層形成装置の構成を模式的に示す図であ
る。

【図７】振り分け装置及び受け渡し装置を含む搬送系
の構成例を概略的に示す図であり、（ａ）は平面図、
（ｂ）は側面図である。

【図８】対向電極（陰極）形成装置、及び封止装置を
模式的に示す図である。

【図９】対向電極形成装置における搬送系の構成例を
示す図である。

【図１０】蒸着処理室の構成例を模式的に示す図であ
る。

【図１１】本発明の電気光学装置の実施の形態例であ
る有機ＥＬ表示装置の構成を模式的に示す図である。

【図１２】アクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置
の回路の一例を示す回路図である。

【図１３】有機ＥＬ表示装置における表示領域の断面
構造を拡大した図である。

【図１４】プラズマ処理装置の第１プラズマ処理室の
内部構造を示す模式図である。

【図１５】有機ＥＬ装置の製造方法を説明する工程図
である。

【図１６】有機ＥＬ装置の製造方法を説明する工程図
である。

【図１７】有機ＥＬ装置の製造方法を説明する工程図
である。

【図１８】液滴吐出用のヘッド（インクジェットヘッ
ド）を示す平面図である。

【図１９】液滴吐出装置（インクジェット装置）を示
す平面図である。

【図２０】有機ＥＬ装置の製造方法を説明する工程図
である。

【図２１】有機ＥＬ装置の製造方法を説明する工程図
である。

【図２２】有機ＥＬ装置の製造方法を説明する工程図
である。

【図２３】有機ＥＬ装置の製造方法を説明する工程図
である。

【図２４】有機ＥＬ装置の製造方法を説明する工程図
である。

【図２５】有機ＥＬ装置の製造方法を説明する工程図
である。

【図２６】本発明の電子機器の実施の形態例を示す図
である。

【図２７】電子素子の一例としての有機ＥＬ装置を備
える有機ＥＬ表示装置の断面模式図である。

【符号の説明】

１…有機ＥＬ表示装置（電気光学装置）、２，３００…
基板（基体）、３，３０４…封止部、１２，３０３…陰
極（対向電極）、２０…製造装置、２１…機能層形成装
置、２２…対向電極形成装置（陰極形成装置）、２３…
封止装置、２５…プラズマ処理装置、２６…正孔注入／
輸送層形成装置、２７…発光層形成装置、６２…基板反
転装置、７０，７５，７６，７７…塗布処理室（塗布装
置）、７２，７３，７８，７９，８０…加熱処理室（加
熱装置）、１１０，３０２…機能層、１１０ａ…正孔注
入／輸送層、１１０ｂ…発光層、１１１，３０１…画素
電極（電極）、１１２，３０５…バンク部、３ｂ，３０
６，３０７，３０９…封止基板、３０６，３０８，３１
０，３１１…封止材。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に形成される有機ＥＬ装置の陰極
を蒸着により形成する陰極形成工程と、前記有機ＥＬ装
置を封止する封止工程とを有し、前記陰極形成工程と前記封止工程との間で前記基板を反
転させることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項２】前記封止工程は、前記陰極上に封止材料
を塗布する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載
の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項３】前記陰極を蒸着する位置に前記基板を搬
送する動作に伴って前記基板を反転させることを特徴と
する請求項１または請求項２に記載の有機ＥＬ装置の製
造方法。
【請求項４】基板上に形成される有機ＥＬ装置の陰極
を蒸着により形成する陰極形成装置と、前記基板を反転
させる基板反転装置と、前記有機ＥＬ装置を封止する封
止装置とを備えることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造
装置。
【請求項５】前記封止装置は、前記陰極上に封止材料
を塗布する手段を有することを特徴とする請求項３に記
載の有機ＥＬ装置の製造装置。
【請求項６】前記基板反転装置は、前記陰極を蒸着す
る位置に前記基板を搬送する装置に形成されてなること
を特徴とする請求項４または請求項５に記載の有機ＥＬ
装置の製造装置。
【請求項７】請求項４乃至請求項６のいずれかに記載
の有機ＥＬ装置の製造装置を用いて製造された有機ＥＬ
装置を備えた電気光学装置。
【請求項８】請求項７に記載の電気光学装置を表示手
段として備えることを特徴とする電子機器。