JP2003249355A

JP2003249355A - 表示装置の製造方法、表示装置、電子機器の製造方法および電子機器

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Publication number: JP2003249355A
Application number: JP2002050459A
Authority: JP
Inventors: Shunichi Seki; 関　　俊一; Naoki Yamamoto; 直樹山本; Hideyuki Kimura; 秀之木村
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2002-02-26
Filing date: 2002-02-26
Publication date: 2003-09-05

Abstract

(57)【要約】【課題】各機能層を同じ膜厚で形成することが可能な
表示装置の製造方法を提供するとともに、同じ膜厚の機
能層を具備して表示品質に優れた表示装置を提供する。【解決手段】複数層の機能層が一対の電極間に形成さ
れてなる表示装置の製造方法において、前記複数層の機
能層のうち少なくとも１層を、液滴吐出ヘッドに形成さ
れてなる複数のノズルｎ1a、ｎ2ｂから液滴を吐出する
ことにより形成し、前記液滴吐出ヘッドを走査し、１つ
の電極に対応する領域に対して異なるノズルから吐出さ
れた液滴を塗布することを特徴とする表示装置の製造方
法を採用する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、表示装置の製造方
法、表示装置、電子機器の製造方法および電子機器に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、有機蛍光材料等の機能材料をイン
ク化し、当該インク（組成物）を基材上に吐出する液滴
吐出法により、機能材料のパターニングを行う方法を採
用して、一対の電極間に該機能材料からなる機能層が挟
持された構造のカラー表示装置、特に機能材料として有
機発光材料を用いた有機ＥＬ（エレクトロルミネッセン
ス）表示装置の開発が行われている。

【０００３】上述した機能材料のパターニング法とし
て、例えば、基体上に形成したＩＴＯ等からなる画素電
極の周囲にバンク部を形成し、次に画素電極及びこの画
素電極に隣接する前記バンク部の一部を親液性に処理す
るとともにバンク部の残りの部分を撥液性に処理し、次
に機能層の構成材料を含む組成物を画素電極に吐出して
乾燥することにより、画素電極上に機能層を形成する方
法が採用されている。具体的には、複数のノズルが副走
査方向に沿って配列されてなるノズル列を有する液滴吐
出ヘッドを用い、この液滴吐出ヘッドを基板に対して主
走査方向に走査しつつ、前記ノズルから組成物を吐出す
ることにより、画素電極上に機能層を形成する。この従
来の方法によれば、吐出した組成物がバンク部から溢れ
た場合でも、バンク部の撥液処理された部分ではじかれ
て隣接する他の画素電極上に流れ込むことがないので、
正確にパターニングを行うことが可能になる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の方法に
おいては、ノズルによる液滴の吐出量は各ノズル間でバ
ラツキがあり、しかも一の画素電極に対して一つのノズ
ルで複数個の液滴の吐出を行うために、各ノズル間の吐
出量のバラツキが増幅される場合がある。これにより画
素電極間における組成物量のバラツキが大きくなり、各
機能層を同じ膜厚で形成できない場合があった。各機能
層の膜厚に差が生じると、画素毎の発光量を一定に保て
なくなって画像表示に不具合が生じるおそれがあった。

【０００５】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
であって、各機能層を同じ膜厚で形成することが可能な
表示装置の製造方法を提供するとともに、同じ膜厚の機
能層を具備して表示品質に優れた表示装置を提供するこ
とを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は以下の構成を採用した。本発明の表示装
置の製造方法は、複数層の機能層が電極間に形成されて
なる表示装置の製造方法において、前記複数層の機能層
のうち少なくとも１層を、液滴吐出ヘッドに形成されて
なる複数のノズルから液滴を吐出することにより形成
し、前記液滴吐出ヘッドを走査し、１つの電極に対応す
る領域に対して異なるノズルから吐出された液滴を塗布
することを特徴とする。また、前記の液滴吐出ヘッドに
は、複数の前記ノズルが配列されてなるノズル列が形成
され、該ノズル列を主走査方向に対して傾斜させた状態
で走査させることを特徴とする

【０００７】また本発明の表示装置の製造方法は、複数
の電極上の各々に機能層が形成されてなる表示装置の製
造方法であり、複数のノズルから組成物からなる液滴を
吐出して各前記電極上に少なくとも一層の機能層を形成
する機能層形成工程を具備してなり、前記機能層形成工
程において、複数の前記ノズルが配列されてなるノズル
列を主走査方向に対して傾斜させた状態で走査させ、複
数のノズルから前記組成物の液滴を吐出することにより
前記機能層を形成することを特徴とする。

【０００８】上記の表示装置の製造方法によれば、前記
機能層に対して複数のノズルを用いて前記液滴を吐出す
るので、一つのノズルで複数回吐出する場合に比べて、
ノズル間の吐出量のバラツキが相殺されるので、各電極
間における組成物量のバラツキが小さくなり、各機能層
を同じ膜厚で形成することができる。これにより、画素
毎の発光量を一定に保つことができ、表示品質に優れた
表示装置を製造することができる。また、ノズル列を主
走査方向に対して傾斜させた状態で走査させるので、ノ
ズルピッチを電極のピッチに対応させることができる。
また、傾き角度を調整することにより、どのような電極
ピッチに対しても対応させることができる。

【０００９】また本発明の表示装置の製造方法において
は、例えば、前記ノズル列を１回走査し、且つ１の走査
間に複数のノズルから前記液滴を吐出するようにすれば
よい。更に本発明の表示装置の製造方法においては、例
えば、前記ノズル列を複数回走査し且つ複数のノズルか
ら前記滴を吐出するようにしてもよい。更にこの場合、
各走査毎に別のノズルを用いて前記組成物の液滴を吐出
するようにしてもよい。また本発明の表示装置の製造方
法においては、例えば、前記ノズル列を複数回走査し、
各走査毎に異なるノズルを用いて前記液滴を吐出するよ
うにしてもよい。

【００１０】走査の間に複数のノズルから組成物を吐出
する場合は、一の走査の間に前記ノズル列を副走査方向
にシフトさせることが好ましい。また、走査回数を複数
回とし、各走査毎に別のノズルを用いる場合は、走査毎
に前記ノズル列を副走査方向にシフトさせることが好ま
しい。

【００１１】また本発明の表示装置の製造方法は、先に
記載の表示装置の製造方法であり、前記機能層が、少な
くとも正孔注入／輸送層を含むことを特徴とする。また
本発明の表示装置の製造方法は、先に記載の表示装置の
製造方法であり、前記機能層が、少なくとも発光層を含
むことを特徴とする。係る表示装置の製造方法において
は、前記機能層が正孔注入／輸送層または発光層を含む
ものなので、正孔注入／輸送層または発光層をほぼ均一
な膜厚で形成できる。

【００１２】また本発明の表示装置の製造方法において
は、例えば、前記機能層の間にバンク部が形成され、前
記バンク部は、親液性に処理された第１バンク層と、撥
液性に処理された第２バンク層から形成されてなり、前
記第１バンク層を前記電極の一部と重なるように形成す
ることが好ましい。

【００１３】次に本発明の表示装置は、先のいずれかに
記載された表示装置の製造方法により製造されたもので
あることを特徴とする。係る表示装置によれば、上記の
表示装置の製造方法により製造されたものなので、機能
層毎の膜厚のばらつきを低減することができ、表示装置
の表示品質を向上することができる。

【００１４】次に本発明の電子機器の製造方法は、複数
層の機能層が電極間に形成されてなる表示装置と、前記
表示装置を駆動するための駆動回路とを有してなる電子
機器の製造方法であり、前記複数層の機能層のうち少な
くとも１層を、液滴吐出ヘッドに形成されてなる複数の
ノズルから液滴を吐出することにより形成し、前記液滴
吐出ヘッドを走査し、１つの電極に対応する領域に対し
て異なるノズルから吐出された液滴を塗布することを特
徴とする。また、前記の液滴吐出ヘッドには、複数の前
記ノズルが配列されてなるノズル列が形成され、該ノズ
ル列を主走査方向に対して傾斜させた状態で走査させる
ことを特徴とする

【００１５】また本発明の電子機器の製造方法は、複数
の電極上の各々に機能層が形成されてなる表示装置と、
前記表示装置を駆動するための駆動回路とを有してなる
電子機器の製造方法であり、複数のノズルから組成物を
吐出して各前記電極上に少なくとも一層の機能層を形成
する機能層形成工程を具備してなり、前記機能層形成工
程において、複数の前記ノズルが配列されてなるノズル
列を主走査方向に対して傾斜させた状態で走査させつ
つ、一の前記機能層に対して複数のノズルから前記組成
物の液滴を吐出することにより、前記機能層を形成する
ことを特徴とする。

【００１６】上記の電子機器の製造方法によれば、一の
前記機能層に対して複数のノズルを用いて前記液滴を吐
出するので、一つのノズルで複数回吐出する場合に比べ
て、ノズル間の吐出量のバラツキが相殺されるので、電
極間における組成物量のバラツキが小さくなり、各機能
層を同じ膜厚で形成することができる。これにより、画
素毎の発光量を一定に保つことができ、表示品質に優れ
た電子機器を製造することができる。また、ノズル列を
主走査方向に対して傾斜させた状態で走査させるので、
ノズルピッチを電極のピッチに対応させることができ
る。また、傾き角度を調整することにより、どのような
電極ピッチに対しても対応させることができる。

【００１７】また本発明の電子機器の製造方法において
は、例えば、前記機能層の間にバンク部が形成され、前
記バンク部は、前記親液化工程により親液性に処理され
た第１バンク層と、前記撥液化工程により撥液性に処理
された第２バンク層から形成されてなり、前記第１バン
ク層を前記電極の一部と重なるように形成することが好
ましい。

【００１８】次に本発明の電子機器は、先のいずれかに
記載された電子機器の製造方法により製造されたもので
あることを特徴とする。係る電子機器によれば、上記の
電子機器の製造方法により製造されたものなので、機能
層毎の膜厚のばらつきを低減することができ、表示装置
の表示品質を向上することができる。

【００１９】

【発明の実施の形態】（第１の実施形態）以下、本発明
の第１の実施形態の表示装置の製造方法及び表示装置に
ついて説明する。まず、本実施形態の表示装置の製造方
法を説明するに先立ち、この製造方法により製造される
表示装置について説明する。

【００２０】図１に本実施形態の表示装置の配線構造の
平面模式図を示し、図２には本実施形態の表示装置の平
面模式図及び断面模式図を示す。図１に示すように、本
実施形態の表示装置１は、複数の走査線１０１と、走査
線１０１に対して交差する方向に延びる複数の信号線１
０２と、信号線１０２に並列に延びる複数の電源線１０
３とがそれぞれ配線された構成を有するとともに、走査
線１０１及び信号線１０２の各交点付近に、画素領域Ａ
が設けられている。

【００２１】信号線１０２には、シフトレジスタ、レベ
ルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備える
データ側駆動回路１０４が接続されている。また、走査
線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備え
る走査側駆動回路１０５が接続されている。更に、画素
領域Ａの各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲ
ート電極に供給されるスイッチング用の薄膜トランジス
タ１１２と、このスイッチング用の薄膜トランジスタ１
１２を介して信号線１０２から共有される画素信号を保
持する保持容量capと、該保持容量capによって保持され
た画素信号がゲート電極に供給される駆動用の薄膜トラ
ンジスタ１２３と、この駆動用薄膜トランジスタ１２３
を介して電源線１０３に電気的に接続したときに当該電
源線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極（電極）１
１１と、この画素電極１１１と陰極（対向電極（電
極））１２との間に挟み込まれた機能層１１０とが設け
られている。電極１１１と対向電極１２と機能層１１０
により、発光素子が構成されている。

【００２２】係る構成によれば、走査線１０１が駆動さ
れてスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２がオンに
なると、そのときの信号線１０２の電位が保持容量cap
に保持され、該保持容量capに状態に応じて、駆動用の
薄膜トランジスタ１２３のオン・オフ状態が決まる。そ
して、駆動用の薄膜トランジスタ１２３のチャネルを介
して、電源線１０３から画素電極１１１に電流が流れ、
更に機能層１１０を介して陰極１２に電流が流れる。機
能層１１０は、これを流れる電流量に応じて発光する。

【００２３】次に図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すよう
に、本実施形態の表示装置１は、ガラス等からなる透明
な基体２と、マトリックス状に配置された発光素子と、
封止基板を具備している。基体２上に形成された発光素
子は、後述する画素電極と、機能層と、陰極１２により
形成されている。基体２は、例えばガラス等の透明基板
であり、基体２の中央に位置する表示領域２ａと、基体
２の周縁に位置して表示領域２ａの外側に配置された非
表示領域２ｂとに区画されている。表示領域２ａは、マ
トリックス状に配置された発光素子によって形成される
領域であり、有効表示領域とも言う。また、表示領域の
外側に非表示領域２ｂが形成されている。そして，非表
示領域２ｂには、表示領域２ａに隣接するダミー表示領
域２ｄが形成されている。また、図２（ｂ）に示すよう
に、発光素子及びバンク部からなる発光素子部１１と基
体２との間には回路素子部１４が備えられ、この回路素
子部１４に前述の走査線、信号線、保持容量、スイッチ
ング用の薄膜トランジスタ、駆動用の薄膜トランジスタ
１２３等が備えられている。また、陰極１２は、その一
端が基体２上に形成された陰極用配線１ｓ２ａに接続し
ており、この配線の一端部１２ｂがフレキシブル基板５
上の配線５ａに接続されている。また、配線５ａは、フ
レキシブル基板５上に備えられた駆動ＩＣ６（駆動回
路）に接続されている。

【００２４】また、図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すよ
うに、回路素子部１４の非表示領域２ｂには、前述の電
源線１０３（１０３Ｒ、１０３Ｇ、１０３Ｂ）が配線さ
れている。また、表示領域２ａの図２（ａ）中両側に
は、前述の走査側駆動回路１０５、１０５が配置されて
いる。この走査側駆動回路１０５、１０５はダミー領域
２ｄの下側の回路素子部１４内に設けられている。更に
回路素子部１４内には、走査側駆動回路１０５、１０５
に接続される駆動回路用制御信号配線１０５ａと駆動回
路用電源配線１０５ｂとが設けられている。更に表示領
域２ａの図２（ａ）中上側には検査回路１０６が配置さ
れている。この検査回路１０６により、製造途中や出荷
時の表示装置の品質、欠陥の検査を行うことができる。

【００２５】また図２（ｂ）に示すように、発光素子部
１１上には封止部３が備えられている。この封止部３
は、基体２に塗布された封止樹脂６０３ａと、缶封止基
板６０４とから構成されている。封止樹脂６０３は、熱
硬化樹脂あるいは紫外線硬化樹脂等からなり、特に、熱
硬化樹脂の１種であるエポキシ樹脂よりなることが好ま
しい。この封止樹脂６０３は、基体２の周囲に環状に塗
布されており、例えば、マイクロディスペンサ等により
塗布されたものである。この封止樹脂６０３は、基体２
と封止缶６０４を接合するもので、基体２と缶封止基板
６０４の間から缶封止基板６０４内部への水又は酸素の
侵入を防いで、陰極１２または発光素子部１１内に形成
された図示略の発光層の酸化を防止する。缶封止基板６
０４は、ガラス又は金属からなるもので、封止樹脂６０
３を介して基体２に接合されており、その内側には表示
素子１０を収納する凹部６０４ａが設けられている。ま
た凹部６０４ａには水、酸素等を吸収するゲッター剤６
０５が貼り付けられており、缶封止基板６０４の内部に
侵入した水又は酸素を吸収できるようになっている。な
お、このゲッター剤６０５は省略しても良い。

【００２６】次に図３には、表示装置における表示領域
の断面構造を拡大した図を示す。この図３には３つの画
素領域Ａが図示されている。この表示装置１は、基体２
上に、ＴＦＴなどの回路等が形成された回路素子部１４
と、機能層１１０が形成された発光素子部１１とが順次
積層されて構成されている。この表示装置１において
は、機能層１１０から基体２側に発した光が、回路素子
部１４及び基体２を透過して基体２の下側（観測者側）
に出射されるとともに、機能層１１０から基体２の反対
側に発した光が陰極１２により反射されて、回路素子部
１４及び基体２を透過して基体２の下側（観測者側）に
出射されるようになっている。なお、陰極１２として、
透明な材料を用いることにより陰極側から発光する光を
出射させることができる。透明な材料としては、ＩＴ
Ｏ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｎｉ、もしくはＰｄを用いる事ができ
る。膜厚としては７５ｎｍほどの膜厚にする事が好まし
く、この膜厚よりも薄くした方がより好ましい。

【００２７】回路素子部１４には、基体２上にシリコン
酸化膜からなる下地保護膜２ｃが形成され、この下地保
護膜２ｃ上に多結晶シリコンからなる島状の半導体膜１
４１が形成されている。尚、半導体膜１４１には、ソー
ス領域１４１ａ及びドレイン領域１４１ｂが高濃度Ｐイ
オン打ち込みにより形成されている。なお、Ｐが導入さ
れなかった部分がチャネル領域１４１ｃとなっている。
更に回路素子部１４には、下地保護膜２ｃ及び半導体膜
１４１を覆う透明なゲート絶縁膜１４２が形成され、ゲ
ート絶縁膜１４２上にはＡｌ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ等
からなるゲート電極１４３（走査線１０１）が形成さ
れ、ゲート電極１４３及びゲート絶縁膜１４２上には透
明な第１層間絶縁膜１４４ａと第２層間絶縁膜１４４ｂ
が形成されている。ゲート電極１４３は半導体膜１４１
のチャネル領域１４１ｃに対応する位置に設けられてい
る。また、第１、第２層間絶縁膜１４４ａ、１４４ｂを
貫通して、半導体膜１４１のソース、ドレイン領域１４
１ａ、１４１ｂにそれぞれ接続されるコンタクトホール
１４５，１４６が形成されている。そして、第２層間絶
縁膜１４４ｂ上には、ＩＴＯ等からなる透明な画素電極
１１１が所定の形状にパターニングされて形成され、一
方のコンタクトホール１４５がこの画素電極１１１に接
続されている。また、もう一方のコンタクトホール１４
６が電源線１０３に接続されている。このようにして、
回路素子部１４には、各画素電極１１１に接続された駆
動用の薄膜トランジスタ１２３が形成されている。尚、
回路素子部１４には、前述した保持容量cap及びスイッ
チング用の薄膜トランジスタ１１２も形成されている
が、図３ではこれらの図示を省略している。

【００２８】次に図３に示すように、発光素子部１１
は、複数の画素電極１１１…上の各々に積層された機能
層１１０と、各画素電極１１１及び機能層１１０の間に
備えられて各機能層１１０を区画するバンク部１１２
と、機能層１１０上に形成された陰極１２とを主体とし
て構成されている。これら画素電極（第１電極）１１
１、機能層１１０及び陰極１２（対向電極（電極））に
よって発光素子が構成されている。ここで、画素電極１
１１は、例えばＩＴＯにより形成されてなり、平面視略
矩形にパターニングされて形成されている。この画素電
極１１１の厚さは、５０〜２００ｎｍの範囲が好まし
く、特に１５０ｎｍ程度がよい。この各画素電極１１１
…の間にバンク部１１２が備えられている。

【００２９】バンク部１１２は、図３に示すように、基
体２側に位置する無機物バンク層１１２ａ（第１バンク
層）と基体２から離れて位置する有機物バンク層１１２
ｂ（第２バンク層）とが積層されて構成されている。

【００３０】無機物バンク層、有機物バンク層（１１２
ａ、１１２ｂ）は、画素電極１１１の周縁部上に乗上げ
るように形成されている。平面的には、画素電極１１１
の周囲と無機物バンク層１１２ａとが平面的に重なるよ
うに配置された構造となっている。また、有機物バンク
層１１２ｂも同様であり、画素電極１１１の一部と平面
的に重なるように配置されている。また無機物バンク層
１１２ａは、有機物バンク層１１２ｂよりも画素電極１
１１の中央側に更に形成されている。このようにして、
無機物バンク層１１２ａの各第１積層部１１２ｅが画素
電極１１１の内側に形成されることにより、画素電極１
１１の形成位置に対応する下部開口部１１２ｃが設けら
れている。また、有機物バンク層１１２ｂには、上部開
口部１１２ｄが形成されている。この上部開口部１１２
ｄは、画素電極１１１の形成位置及び下部開口部１１２
ｃに対応するように設けられている。上部開口部１１２
ｄは、図３に示すように、下部開口部１１２ｃより広
く、画素電極１１１より狭く形成されている。また、上
部開口部１１２ｄの上部の位置と、画素電極１１１の端
部とがほぼ同じ位置になるように形成される場合もあ
る。この場合は、図３に示すように、有機物バンク層１
１２ｂの上部開口部１１２ｄの断面が傾斜する形状とな
る。そしてバンク部１１２には、下部開口部１１２ｃ及
び上部開口部１１２ｄが連通することにより、無機物バ
ンク層１１２ａ及び有機物バンク層１１２ｂを貫通する
開口部１１２ｇが形成されている。

【００３１】また、無機物バンク層１１２ａは、例え
ば、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂等の無機材料からなることが好ま
しい。この無機物バンク層１１２ａの膜厚は、５０〜２
００ｎｍの範囲が好ましく、特に１５０ｎｍがよい。膜
厚が５０ｎｍ未満では、無機物バンク層１１２ａが後述
する正孔注入／輸送層より薄くなり、正孔注入／輸送層
の平坦性を確保できなくなるので好ましくない。また膜
厚が２００ｎｍを越えると、下部開口部１１２ｃによる
段差が大きくなって、正孔注入／輸送層上に積層する後
述の発光層の平坦性を確保できなくなるので好ましくな
い。

【００３２】更に、有機物バンク層１１２ｂは、アクリ
ル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶媒性のある材
料から形成されている。この有機物バンク層１１２ｂの
厚さは、０．１〜３．５μｍの範囲が好ましく、特に２
μｍ程度がよい。厚さが０．１μｍ未満では、後述する
正孔注入／輸送層及び発光層の合計厚より有機物バンク
層１１２ｂが薄くなり、発光層が上部開口部１１２ｄか
ら溢れるおそれがあるので好ましくない。また、厚さが
３．５μｍを越えると、上部開口部１１２ｄによる段差
が大きくなり、有機物バンク層１１２ｂ上に形成する陰
極１２のステップガバレッジを確保できなくなるので好
ましくない。また、有機物バンク層１１２ｂの厚さを２
μｍ以上にすれば、駆動用の薄膜トランジスタ１２３と
の絶縁を高めることができる点でより好ましい。

【００３３】また、バンク部１１２には、親液性を示す
領域と、撥液性を示す領域が形成されている。親液性を
示す領域は、無機物バンク層１１２ａの第１積層部１１
２ｅ及び画素電極１１１の電極面１１１ａであり、これ
らの領域は、酸素を処理ガスとするプラズマ処理によっ
て親液性に表面処理されている。また、撥液性を示す領
域は、上部開口部１１２ｄの壁面及び有機物バンク層１
１２の上面１１２ｆであり、これらの領域は、４フッ化
メタン、テトラフルオロメタン、もしくは四フッ化炭素
を処理ガスとするプラズマ処理によって表面がフッ化処
理（撥液性に処理）されている。尚、有機物バンク層
は、フッ素ポリマーを含有する材料により形成しても良
い。

【００３４】次に図３に示すように、機能層１１０は、
画素電極１１１上に積層された正孔注入／輸送層１１０
ａと、正孔注入／輸送層１１０ａ上に隣接して形成され
た発光層１１０ｂとから構成されている。なお、発光層
１１０ｂに隣接して電子注入輸送層などの機能を有する
他の機能層を更に形成しても良い。正孔注入／輸送層１
１０ａは、正孔を発光層１１０ｂに注入する機能を有す
るとともに、正孔を正孔注入／輸送層１１０ａ内部にお
いて輸送する機能を有する。このような正孔注入／輸送
層１１０ａを画素電極１１１と発光層１１０ｂの間に設
けることにより、発光層１１０ｂの発光効率、寿命等の
素子特性が向上する。また、発光層１１０ｂでは、正孔
注入／輸送層１１０ａから注入された正孔と、陰極１２
から注入される電子が発光層で再結合し、発光が得られ
る。

【００３５】正孔注入／輸送層１１０ａは、下部開口部
１１２ｃ内に位置して画素電極面１１１ａ上に形成され
る平坦部１１０ａ1と、上部開口部１１２ｄ内に位置し
て無機物バンク層の第１積層部１１２ｅ上に形成される
周縁部１１０ａ2から構成されている。また、正孔注入
／輸送層１１０ａは、構造によっては、画素電極１１１
上であって、且つ無機物バンク層１１０ａの間（下部開
口部１１０ｃ）にのみ形成されている（前述に記載した
平坦部にのみ形成される形態もある）。この平坦部１１
０ａ1は、その厚さが一定で例えば５０〜７０ｎｍの範
囲に形成される。周縁部１１０ａ2が形成される場合に
おいては、周縁部１１０ａ2は、第１積層部１１２ｅ上
に位置するとともに上部開口部１１２ｄの壁面、即ち有
機物バンク層１１２ｂに密着している。また、周縁部１
１０ａ2の厚さは、電極面１１１ａに近い側で薄く、電
極面１１１ａから離れる方向に沿って増大し、下部開口
部１１２ｄの壁面近くで最も厚くなっている。周縁部１
１０ａ2が上記の様な形状を示す理由としては、正孔注
入／輸送層１１０ａが、正孔注入／輸送層形成材料及び
極性溶媒を含む第１組成物を開口部１１２内に吐出して
から極性溶媒を除去して形成されたものであり、極性溶
媒の揮発が主に無機物バンク層の第１積層部１１２ｅ上
で起こり、正孔注入／輸送層形成材料がこの第１積層部
１１２ｅ上に集中的に濃縮・析出されたためである。

【００３６】また発光層１１０ｂは、正孔注入／輸送層
１１０ａの平坦部１１０ａ1及び周縁部１１０ａ2上に渡
って形成されており、平坦部１１２ａ1上での厚さが５
０〜８０ｎｍの範囲とされている。発光層１１０ｂは、
赤色（Ｒ）に発光する赤色発光層１１０ｂ1、緑色
（Ｇ）に発光する緑色発光層１１０ｂ2、及び青色
（Ｂ）に発光する青色発光層１１０ｂ3、の３種類を有
し、各発光層１１０ｂ1〜１１０ｂ3がストライプ配置さ
れている。

【００３７】上記のように、正孔注入／輸送層１１０ａ
の周縁部１１０ａ2が上部開口部１１２ｄの壁面（有機
物バンク層１１２ｂ）に密着しているので、発光層１１
０ｂが有機物バンク層１１２ｂに直接に接することがな
い。従って、有機物バンク層１１２ｂに不純物として含
まれる水が発光層１１０ｂ側に移行するのを、周縁部１
１０ａ2によって阻止することができ、水による発光層
１１０ｂの酸化を防止できる。また、無機物バンク層の
第１積層部１１２ｅ上に不均一な厚さの周縁部１１０ａ
2が形成されるため、周縁部１１０ａ2が第１積層部１１
２ｅによって画素電極１１１から絶縁された状態とな
り、周縁部１１０ａ2から発光層１１０ｂに正孔が注入
されることがない。これにより、画素電極１１１からの
電流が平坦部１１２ａ1のみに流れ、正孔を平坦部１１
２ａ1から発光層１１０ｂに均一に輸送させることがで
き、発光層１１０ｂの中央部分のみを発光させることが
できるとともに、発光層１１０ｂにおける発光量を一定
にすることができる。また、無機物バンク層１１２ａが
有機物バンク層１１２ｂよりも画素電極１１１の中央側
に更に延出されているので、この無機物バンク層１１２
ａによって画素電極１１１と平坦部１１０ａ1との接合
部分の形状をトリミングすることができ、各発光層１１
０ｂ間の発光強度のばらつきを抑えることができる。

【００３８】更に、画素電極１１１の電極面１１１ａ及
び無機物バンク層の第１積層部１１２ｅが親液性を示す
ので、機能層１１０が画素電極１１１及び無機物バンク
層１１２ａに均一に密着し、無機物バンク１１２ａ上で
機能層１１０が極端に薄くならず、画素電極１１１と陰
極１２との短絡を防止できる。また、有機物バンク層１
１２ｂの上面１１２ｆ及び上部開口部１１２ｄ壁面が撥
液性を示すので、機能層１１０と有機物バンク層１１２
ｂとの密着性が低くなり、機能層１１０が開口部１１２
ｇから溢れて形成されることがない。

【００３９】尚、正孔注入／輸送層形成材料としては、
例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン等のポリチオ
フェン誘導体とポリスチレンスルホン酸等の混合物を用
いることができる。また、発光層１１０ｂの材料として
は、例えば、［化１］〜［化５］が、ポリフルオレン誘
導体、ポリフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾー
ル、ポリチオフェン誘導体、またはこれらの高分子材料
にペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色
素、例えばルブレン、ペリレン、９，１０-ジフェニル
アントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッ
ド、クマリン６、キナクリドン等をドープして用いるこ
とができる。

【００４０】

【化１】

【００４１】

【化２】

【００４２】

【化３】

【００４３】

【化４】

【００４４】

【化５】

【００４５】次に陰極１２は、発光素子部１１の全面に
形成されており、画素電極１１１と対になって機能層１
１０に電流を流す役割を果たす。この陰極１２は、例え
ば、カルシウム層とアルミニウム層とが積層されて構成
されている。このとき、発光層に近い側の陰極には仕事
関数が低いものを設けることが好ましく、特にこの形態
においては発光層１１０ｂに直接に接して発光層１１０
ｂに電子を注入する役割を果たす。また、フッ化リチウ
ムは発光層の材料によっては効率よく発光させるため
に、発光層１１０と陰極１２との間にＬｉＦを形成する
場合もある。尚、赤色及び緑色の発光層１１０ｂ1、１
１１０ｂ2にはフッ化リチウムに限らず、他の材料を用
いても良い。従ってこの場合は青色（Ｂ）発光層１１０
ｂ3のみにフッ化リチウムからなる層を形成し、他の赤
色及び緑色の発光層１１０ｂ1、１１０ｂ2にはフッ化リ
チウム以外のものを積層しても良い。また、赤色及び緑
色の発光層１１０ｂ1、１１０ｂ2上にはフッ化リチウム
を形成せず、カルシウムのみを形成しても良い。尚、フ
ッ化リチウムの厚さは、例えば２〜５ｎｍの範囲が好ま
しく、特に２ｎｍ程度がよい。またカルシウムのの厚さ
は、例えば２〜５０ｎｍの範囲が好ましく、特に２０ｎ
ｍ程度がよい。また、陰極１２を形成するアルミニウム
は、発光層１１０ｂから発した光を基体２側に反射させ
るもので、Ａｌ膜の他、Ａｇ膜、ＡｌとＡｇの積層膜等
からなることが好ましい。また、その厚さは、例えば１
００〜１０００ｎｍの範囲が好ましく、特に２００ｎｍ
程度がよい。更にアルミニウム上にＳｉＯ、ＳｉＯ₂、
ＳｉＮ等からなる酸化防止用の保護層を設けても良い。
尚、このように形成した発光素子上に封止缶６０４を配
置する。図２（ｂ）に示すように、封止缶６０４を封止
樹脂６０３により接着し、表示装置１を形成する。

【００４６】次に、本実施形態の表示装置の製造方法を
図面を参照して説明する。本実施形態の表示装置１の製
造方法は、例えば、(1)バンク部形成工程、(2)プラズマ
処理工程（親液化工程及び撥液化工程を含む）、(3)正
孔注入／輸送層形成工程（機能層形成工程）、(4)発光
層形成工程（機能層形成工程）、(5)対向電極形成工
程、及び(6)封止工程とを具備して構成されている。な
お、製造方法はこれに限られるものではなく必要に応じ
てその他の工程が除かれる場合、また追加される場合も
ある。

【００４７】(1)バンク部形成工程バンク部形成工程では、基体２の所定の位置にバンク部
１１２を形成する工程である。バンク部１１２は、第１
のバンク層として無機物バンク層１１２ａが形成されて
なり、第２のバンク層として有機物バンク層１１２ｂが
形成された構造である。以下に形成方法について説明す
る。

【００４８】(1)-1 無機物バンク層の形成まず、図４に示すように、基体上の所定の位置に無機物
バンク層１１２ａを形成する。無機物バンク層１１２ａ
が形成される位置は、第２層間絶縁膜１４４ｂ上及び電
極(ここでは画素電極)１１１上である。なお、第２層間
絶縁膜１４４ｂは薄膜トランジスタ、走査線、信号線、
等が配置された回路素子部１４上に形成されている。無
機物バンク層１１２ａは、例えば、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂等
の無機物膜を材料として用いることができる。これらの
材料は、例えばＣＶＤ法、コート法、スパッタ法、蒸着
法等によって形成される。更に、無機物バンク層１１２
ａの膜厚は５０〜２００ｎｍの範囲が好ましく、特に１
５０ｎｍがよい。無機物バンク層１１２は、層間絶縁層
１１４及び画素電極１１１の全面に無機物膜を形成し、
その後無機物膜をフォトリソグラフィ法等によりパター
ニングすることにより、開口部を有する無機物バンク層
１１２が形成される。開口部は、画素電極１１１の電極
面１１１ａの形成位置に対応するもので、図４に示すよ
うに下部開口部１１２ｃとして設けられる。このとき、
無機物バンク層１１２ａは画素電極１１１の周縁部（一
部）と重なるように形成される。図４に示すように、画
素電極１１１の一部と無機物バンク層１１２ａとが重な
るように無機物バンク層１１２ａを形成することによ
り、発光層１１０の発光領域を制御することができる。

【００４９】(1)-2 有機物バンク層１１２ｂの形成次に、第２バンク層としての有機物バンク層１１２ｂを
形成する。図５に示すように、無機物バンク層１１２ａ
上に有機物バンク層１１２ｂを形成する。有機物バンク
層１１２ｂとして、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の
耐熱性、耐溶剤性を有する材料を用いる。これらの材料
を用い、有機物バンク層１１２ｂをフォトリソグラフィ
技術等によりパターニングして形成される。なお、パタ
ーニングする際、有機物バンク層１１２ｂに上部開口部
１１２ｄを形成する。上部開口部１１２ｄは、電極面１
１１ａ及び下部開口部１１２ｃに対応する位置に設けら
れる。上部開口部１１２ｄは、図５に示すように、無機
物バンク層１１２ａに形成された下部開口部１１２ｃよ
り広く形成する事が好ましい。更に、有機物バンク層１
１２ｂはテーパーを有する形状が好ましく、有機物バン
ク層の開口部が画素電極１１１の幅より狭く、有機物バ
ンク層１１２ｂの最上面では画素電極１１１の幅とほぼ
同一の幅になるように有機物バンク層を形成する事が好
ましい。これにより、無機物バンク層１１２ａの下部開
口部１１２ｃを囲む第１積層部１１２ｅが、有機物バン
ク層１１２ｂよりも画素電極１１１の中央側に延出され
た形になる。このようにして、有機物バンク層１１２ｂ
に形成された上部開口部１１２ｄ、無機物バンク層１１
２ａに形成された下部開口部１１２ｃを連通させること
により、無機物バンク層１１２ａ及び有機物バンク層１
１２ｂを貫通する開口部１１２ｇが形成される。

【００５０】なお、有機物バンク層１１２ｂの厚さは、
０．１〜３．５μｍの範囲が好ましく、特に２μｍ程度
がよい。このような範囲とする理由は以下の通りであ
る。すなわち、厚さが０．１μｍ未満では、後述する正
孔注入／輸送層及び発光層の合計厚より有機物バンク層
１１２ｂが薄くなり、発光層１１０ｂが上部開口部１１
２ｄから溢れてしまうおそれがあるので好ましくない。
また、厚さが３．５μｍを越えると、上部開口部１１２
ｄによる段差が大きくなり、上部開口部１１２ｄにおけ
る陰極１２のステップガバレッジが確保できなくなるの
で好ましくない。また、有機物バンク層１１２ｂの厚さ
を２μｍ以上にすれば、陰極１２と駆動用の薄膜トラン
ジスタ１２３との絶縁を高めることができる点で好まし
い。

【００５１】(2)プラズマ処理工程次にプラズマ処理工程では、画素電極１１１の表面を活
性化すること、更にバンク部１１２の表面を表面処理す
る事を目的として行われる。特に活性化工程では、画素
電極１１１（ＩＴＯ）上の洗浄、更に仕事関数の調整を
主な目的として行っている。更に、画素電極１１１の表
面の親液化処理（親液化工程）、バンク部１１２表面の
撥液化処理（撥液化工程）を行う。

【００５２】このプラズマ処理工程は、例えば(2)-1予
備加熱工程、(2)-2活性化処理工程（親液化工程）、(2)
-3撥液化処理工程（親液化工程）、及び(2)-4冷却工程
とに大別される。なお、このような工程に限られるもの
ではなく、必要に応じて工程を削減、更なる工程追加も
行われる。

【００５３】まず、図６は、プラズマ処理工程で用いら
れるプラズマ処理装置を示す。図６に示すプラズマ処理
装置５０は、予備加熱処理室５１、第１プラズマ処理室
５２、第２プラズマ処理室５３、冷却処理室５４、これ
らの各処理室５１〜５４に基体２を搬送する搬送装置５
５とから構成されている。各処理室５１〜５４は、搬送
装置５５を中心として放射状に配置されている。

【００５４】まず、これらの装置を用いた概略の工程を
説明する。予備加熱工程は、図６に示す予備加熱処理室
５１において行われる。そしてこの処理室５１により、
バンク部形成工程から搬送された基体２を所定の温度に
加熱する。予備加熱工程の後、親液化工程及び撥液化処
理工程を行う。すなわち、基体は第１，第２プラズマ処
理室５２，５３に順次搬送され、それぞれの処理室５
２，５３においてバンク部１１２にプラズマ処理を行い
親液化する。この親液化処理後に撥液化処理を行う。撥
液化処理の後に基体を冷却処理室に搬送し、冷却処理室
５４おいて基体を室温まで冷却する。この冷却工程後、
搬送装置により次の工程である正孔注入／輸送層形成工
程に基体を搬送する。

【００５５】以下に、それぞれの工程について詳細に説
明する。 (2)-1 予備加熱工程予備加熱工程は予備加熱処理室５１により行う。この処
理室５１において、バンク部１１２を含む基体２を所定
の温度まで加熱する。基体２の加熱方法は、例えば処理
室５１内にて基体２を載せるステージにヒータを取り付
け、このヒータで当該ステージごと基体２を加熱する手
段がとられている。なお、これ以外の方法を採用するこ
とも可能である。予備加熱処理室５１において、例えば
７０℃〜８０℃の範囲に基体２を加熱する。この温度は
次工程であるプラズマ処理における処理温度であり、次
の工程に合わせて基体２を事前に加熱し、基体２の温度
ばらつきを解消することを目的としている。仮に予備加
熱工程を加えなければ、基体２は室温から上記のような
温度に加熱されることになり、工程開始から工程終了ま
でのプラズマ処理工程中において温度が常に変動しなが
ら処理される事になる。したがって、基体温度が変化し
ながらプラズマ処理を行うことは、有機ＥＬ素子の特性
の不均一につながる可能性がある。したがって、処理条
件を一定に保ち、均一な特性を得るために予備加熱を行
うのである。そこで、プラズマ処理工程においては、第
１，第２プラズマ処理装置５２，５３内の試料ステージ
上に基体２を載置した状態で親液化工程または撥液化工
程を行う場合に、予備加熱温度を、親液化工程または撥
液化工程を連続して行う試料ステージ５６の温度にほぼ
一致させることが好ましい。そこで、第１，第２プラズ
マ処理装置５２，５３内の試料ステージが上昇する温
度、例えば７０〜８０℃まで予め基体２を予備加熱する
ことにより、多数の基体にプラズマ処理を連続的に行っ
た場合でも、処理開始直後と処理終了直前でのプラズマ
処理条件をほぼ一定にすることができる。これにより、
基体２の表面処理条件を同一にし、バンク部１１２の組
成物に対する濡れ性を均一化することができ、一定の品
質を有する表示装置を製造することができる。また、基
体２を予め予備加熱しておくことにより、後のプラズマ
処理における処理時間を短縮することができる。

【００５６】(2)-2 活性化処理（親液化工程）つぎに第１プラズマ処理室５２では、活性化処理が行わ
れる。活性化処理には、画素電極１１１における仕事関
数の調整、制御、画素電極表面の洗浄、画素電極表面の
親液化工程が含まれる。親液化工程として、大気雰囲気
中で酸素を処理ガスとするプラズマ処理（Ｏ₂プラズマ
処理）を行う。図７には第１プラズマ処理を模式的に示
した図である。図７に示すように、バンク部１１２を含
む基体２は加熱ヒータ内臓の試料ステージ５６上に載置
され、基体２の上側にはギャップ間隔０．５〜２ｍｍ程
度の距離をおいてプラズマ放電電極５７が基体２に対向
して配置されている。基体２は、試料ステージ５６によ
って加熱されつつ、試料ステージ５６は図示矢印方向に
向けて所定の搬送速度で搬送され、その間に基体２に対
してプラズマ状態の酸素が照射される。Ｏ₂プラズマ処
理の条件は、例えば、プラズマパワー１００〜８００ｋ
Ｗ、酸素ガス流量５０〜１００ｍｌ/ｍｉｎ、板搬送速
度０．５〜１０ｍｍ／ｓｅｃ、基体温度７０〜９０℃の
条件で行われる。なお、試料ステージ５６による加熱
は、主として予備加熱された基体２の保温のために行わ
れる。

【００５７】このＯ₂プラズマ処理により、図８に示す
ように、画素電極１１１の電極面１１１ａ、無機物バン
ク層１１２ａの第１積層部１１２ｅ及び有機物バンク層
１１２ｂの上部開口部１１２ｄの壁面ならびに上面１１
２ｆが親液処理される。この親液処理により、これらの
各面に水酸基が導入されて親液性が付与される。図９で
は、親液処理された部分を一点鎖線で示している。な
お、このＯ₂プラズマ処理は、親液性を付与するのみな
らず、上述の通り画素電極であるＩＴＯ上の洗浄，仕事
関数の調整も兼ねている。

【００５８】(2)-3 撥液処理工程（撥液化工程）つぎに、第２プラズマ処理室５３では、撥液化工程とし
て、大気雰囲気中でテトラフルオロメタンを処理ガスと
するプラズマ処理（ＣＦ₄プラズマ処理）を行う。第２
プラズマ処理室５３の内部構造は図７に示した第１プラ
ズマ処理室５２の内部構造と同じである。即ち、基体２
は、試料ステージによって加熱されつつ、試料ステージ
ごと所定の搬送速度で搬送され、その間に基体２に対し
てプラズマ状態のテトラフルオロメタン（四フッ化炭
素）が照射される。ＣＦ₄プラズマ処理の条件は、例え
ば、プラズマパワー１００〜８００ｋＷ、４フッ化メタ
ンガス流量５０〜１００ｍｌ/ｍｉｎ、基体搬送速度
０．５〜１０２０ｍｍ／ｓｅｃ、基体温度７０〜９０℃
の条件で行われる。なお、加熱ステージによる加熱は、
第１プラズマ処理室５２の場合と同様に、主として予備
加熱された基体２の保温のために行われる。なお、処理
ガスは、テトラフルオロメタン（四フッ化炭素）に限ら
ず、他のフルオロカーボン系のガスを用いることができ
る。

【００５９】ＣＦ₄プラズマ処理により、図９に示すよ
うに、上部開口部１１２ｄ壁面及び有機物バンク層の上
面１１２ｆが撥液処理される。この撥液処理により、こ
れらの各面にフッ素基が導入されて撥液性が付与され
る。図９では、撥液性を示す領域を二点鎖線で示してい
る。有機物バンク層１１２ｂを構成するアクリル樹脂、
ポリイミド樹脂等の有機物はプラズマ状態のフルオロカ
ーボンが照射することで容易に撥液化させることができ
る。また、Ｏ₂プラズマにより前処理した方がフッ素化
されやすい、という特徴を有しており、本実施形態には
特に有効である。尚、画素電極１１１の電極面１１１ａ
及び無機物バンク層１１２ａの第１積層部１１２ｅもこ
のＣＦ₄プラズマ処理の影響を多少受けるが、濡れ性に
影響を与える事は少ない。図９では、親液性を示す領域
を一点鎖線で示している。

【００６０】(2)-4 冷却工程次に冷却工程として、冷却処理室５４を用い、プラズマ
処理のために加熱された基体２を管理温度まで冷却す
る。これは、この以降の工程である液滴吐出工程（機能
層形成工程）の管理温度まで冷却するために行う工程で
ある。この冷却処理室５４は、基体２を配置するための
プレートを有し、そのプレートは基体２を冷却するよう
に水冷装置が内蔵された構造となっている。また、プラ
ズマ処理後の基体２を室温、または所定の温度（例えば
液滴吐出工程を行う管理温度）まで冷却することによ
り、次の正孔注入／輸送層形成工程において、基体２の
温度が一定となり、基体２の温度変化が無い均一な温度
で次工程を行うことができる。したがって、このような
冷却工程を加えることにより、液滴吐出法等の吐出手段
により吐出された材料を均一に形成できる。例えば、正
孔注入／輸送層を形成するための材料を含む第１組成物
を吐出させる際に、第１組成物を一定の容積で連続して
吐出させることができ、正孔注入／輸送層を均一に形成
することができる。

【００６１】上記のプラズマ処理工程では、材質が異な
る有機物バンク層１１２ｂ及び無機物バンク層１１２ａ
に対して、Ｏ₂プラズマ処理とＣＦ₄プラズマ処理とを順
次行うことにより、バンク部１１２に親液性の領域と撥
液性の領域を容易に設けることができる。

【００６２】尚、プラズマ処理工程に用いるプラズマ処
理装置は、図６に示したものに限られず、例えば図１０
に示すようなプラズマ処理装置６０を用いてもよい。図
１０に示すプラズマ処理装置６０は、予備加熱処理室６
１と、第１プラズマ処理室６２と、第２プラズマ処理室
６３と、冷却処理室６４と、これらの各処理室６１〜６
４に基体２を搬送する搬送装置６５とから構成され、各
処理室６１〜６４が、搬送装置６５の搬送方向両側（図
中矢印方向両側）に配置されてなるものである。このプ
ラズマ処理装置６０では、図６に示したプラズマ処理装
置５０と同様に、バンク部形成工程から搬送された基体
２を、予備加熱処理室６１、第１，第２プラズマ処理室
６２，６３、冷却処理室６４に順次搬送して各処理室に
て上記と同様な処理を行った後、基体２を次の正孔注入
／輸送層形成工程に搬送する。また，上記プラズマ装置
は，大気圧下の装置でなくとも，真空下のプラズマ装置
を用いても良い。

【００６３】(3)正孔注入／輸送層形成工程（機能層形
成工程）正孔注入／輸送層形成工程では、液滴吐出としてたとえ
ば液滴吐出装置を用いることにより、正孔注入／輸送層
形成材料を含む第１組成物（組成物）を電極面１１１ａ
上に吐出する。その後に乾燥処理及び熱処理を行い、画
素電極１１１上及び無機物バンク層１１２ａ上に正孔注
入/輸送層１１０ａを形成する。なお、正孔注入/輸送層
１１０ａが形成された無機物バンク層１１２ａをここで
は第１積層部１１２ｅという。この正孔注入／輸送層形
成工程を含めこれ以降の工程は、水、酸素の無い雰囲気
とする事が好ましい。例えば、窒素雰囲気、アルゴン雰
囲気等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。な
お、正孔注入/輸送層１１０ａは第１積層部１１２ｅ上
に形成されないこともある。すなわち、画素電極１１１
上にのみ正孔注入／輸送層が形成される形態もある。液
滴吐出による製造方法は以下の通りである。

【００６４】本実施形態の表示装置の製造方法に好適に
用いられる液滴吐出ヘッドの一例として、図１１のよう
なヘッドＨを例示できる。このヘッドＨは図１１に示す
ように、複数の液滴吐出ヘッドＨ1と、これらの液滴吐
出ヘッドＨ1を支持する支持基板Ｈ7を主として構成され
ている。更に、基体と上記のヘッドＨの配置に関しては
図１２のように配置することが好ましい。図１２に示す
液滴吐出装置において、符号１１１５は基体２を載置す
るステージであり、符号１１１６はステージ１１１５を
図中ｘ軸方向（主走査方向）に案内するガイドレールで
ある。またヘッドＨは、支持部材１１１１を介してガイ
ドレール１１１３により図中ｙ軸方向（副走査方向）に
移動できるようになっており、更にヘッドＨは図中θ軸
方向に回転できるようになっており、液滴吐出ヘッドＨ
1を主走査方向に対して所定の角度に傾けることができ
るようになっている。

【００６５】図１２に示す基体２は、マザー基板に複数
のチップを配置した構造となっている。即ち、１チップ
の領域が１つの表示装置に相当する。ここでは、３つの
表示領域２ａが形成されているが、これに限られるもの
ではない。例えば、基体２上の左側の表示領域２ａに対
して組成物を塗布する場合は、ガイドレール１１１３を
介してヘッドＨを図中左側に移動させるとともに、ガイ
ドレール１１１６を介して基体２を図中上側に移動さ
せ、基体２を走査させながら塗布を行う。次に、ヘッド
Ｈを図中右側に移動させて基体の中央の表示領域２ａに
対して組成物を塗布する。右端にある表示領域２ａに対
しても前記と同様である。尚、図１１に示すヘッドＨ及
び図１２に示す液滴吐出装置は、正孔注入／輸送層形成
工程のみならず、発光層形成工程に用いて良い。

【００６６】図１３には液滴吐出ヘッドＨ1をインク吐
出面の側からみた斜視図を示す。図１３に示すように、
液滴吐出ヘッドＨ1のインク吐出面（基体２との対向
面）には、ヘッドの長さ方向に沿って列状に、且つヘッ
ドの幅方向に間隔をあけて２列でノズルｎが複数設けら
れている。このように、複数のノズルｎが列状に配列さ
れることにより２つのノズル列Ｎ、Ｎが構成されてい
る。１つのノズル列Ｎに含まれるノズルｎの数は例えば
１８０個であり、１つの液滴吐出ヘッドＨ1に３６０個
のノズルｎが形成されている。また、ノズルｎの孔径は
例えば２８μｍであり、ノズルｎ間のピッチは例えば１
４１μｍである。

【００６７】液滴吐出ヘッドＨ1は、例えば、図１４
（ａ）及び図１４（ｂ）に示す内部構造を有する。具体
的には、液滴吐出ヘッドＨ1は、例えばステンレス製の
ノズルプレート２２９と、それに対向する振動板２３１
と、それらを相互に接合する仕切部材２３２とを有す
る。ノズルプレート２２９と振動板２３１との間には、
仕切部材２３２によって複数の組成物室２３３と液溜ま
り室２３４とが形成されている。複数の組成物室２３３
と液溜まり室２３４とは通路２３８を介して互いに連通
している。

【００６８】振動板２３１の適所には組成物供給孔２３
６が形成され、この組成物供給孔２３６に組成物供給装
置２３７が接続される。組成物供給装置２３７は、正孔
注入／輸送層形成材料を含む第１組成物を組成物供給孔
２３６に供給する。供給された第１組成物は液溜まり２
３４に充満し、更に通路２３８を通って組成物室２３３
に充満する。

【００６９】ノズルプレート２２９には、組成物室２３
３から第１組成物をジェット状に噴射するためのノズル
ｎが設けられている。また、振動板２３１の組成物室２
３３を形成する面の裏面には、組成物室２３３に対応さ
せて組成物加圧体２３９が取り付けられている。この組
成物加圧体２３９は、図１４（ｂ）に示すように、圧電
素子２４１並びにこれを挟持する一対の電極２４２ａ及
び２４２ｂを有する。圧電素子２４１は電極２４２ａ、
２４２ｂへの通電によって矢印Ｃで示す外側へ突出する
ように撓み変形し、これにより組成物室２３３の容積が
増大する。すると、増大した容積分に相当する第１組成
物が液溜まり２３４から通路２３８を通って組成物室２
３３に流入する。

【００７０】次に圧電素子２４１への通電を解除する
と、圧電素子２４１と振動板２３１はともに元の形状に
戻る。これにより、組成物室２３３も元の容積に戻るた
め組成物室２３３の内部にある第１組成物の圧力が上昇
し、ノズルｎから基体２へ向けて第１組成物が液滴１１
０ｃとなって噴出する。

【００７１】図１５には、基体２に対して液滴吐出ヘッ
ドＨ1を走査させた状態を示す。図１５に示すように、
液滴吐出ヘッドＨ1は、図中Ｘ方向に沿う方向に相対的
に移動しながら第１組成物を吐出するが、その際、ノズ
ル列Ｎの配列方向Ｚが、主走査方向（Ｘ方向に沿う方
向）に対して傾斜した状態になっている。図１６には、
図１５の要部を液滴吐出ヘッドＨ1側から見た拡大図を
示す。図１６では、図中Ｙ方向（副走査方向）に沿って
配置された３つの画素領域Ａ1〜Ａ3が図示されている。
そして、液滴吐出ヘッドＨ1の一部に設けられた符号ｎ1
a〜ｎ3bで表される６つのノズルが図示されている。６
つのノズルのうちのノズルｎ1a、ｎ2a、ｎ3aの３つは、
液滴吐出ヘッドＨ1が図示Ｘ方向に移動した場合に各画
素領域Ａ1〜Ａ3上にそれぞれ位置するように配置されて
おり、残りの３つのノズルｎ1b、ｎ2b、ｎ3bは、液滴吐
出ヘッドＨ1が図示Ｘ方向に移動した場合に隣接する画
素領域Ａ1〜Ａ3の間に位置するように配置されている。
尚、これら６つのノズルｎ1a〜ｎ3bは、いずれも１のノ
ズル列Ｎに含まれるものである。この液滴吐出ヘッドＨ
1は、図示略の駆動手段により、図示Ｙ方向及び図示Ｙ
方向の反対方向にシフトできるようになっている。この
ように、液滴吐出ヘッドＨ1のノズル列Ｎを主走査方向
に対して傾けて配置することにより、ノズルピッチを画
素領域Ａのピッチに対応させることができる。また、傾
き角度調整することにより、どのような画素領域Ａのピ
ッチに対しても対応させることができる。

【００７２】次に、液滴吐出ヘッドＨ1を走査して各画
素領域Ａ1…に正孔注入／輸送層１１０ａを形成する工
程について説明する。この工程には、（１）液滴吐出ヘ
ッドＨ1の走査を１回で行う方法、（２）液滴吐出ヘッ
ドＨ1の走査を複数回で行い、かつ各走査中において複
数のノズルを用いる方法、（３）液滴吐出ヘッドＨ1の
走査を複数回で行い、かつ各走査毎に別のノズルを用い
る方法、の３つの工程がある。以下、（１）〜（３）の
方法を順次説明する。

【００７３】（１）液滴吐出ヘッドＨ1の走査を１回で
行う方法図１７は、液滴吐出ヘッドＨ1の１回の走査で各画素領
域Ａ1…に正孔注入／輸送層１１０ａを形成する場合の
工程を示す工程図である。図１７（ａ）は、液滴吐出ヘ
ッドＨ1が図１６における位置から図示Ｘ方向に沿って
走査した後の状態を示し、図１７（ｂ）は図１７（ａ）
に示す状態から液滴吐出ヘッドＨ1が僅かに図示Ｘ方向
に走査するとともに、図示Ｙ方向の反対方向にシフトし
た状態を示し、図１７（ｃ）は図１７（ｂ）に示す状態
から液滴吐出ヘッドＨ1が僅かに図示Ｘ方向に走査する
とともに、図示Ｙ方向にシフトした状態を示している。
また図２０には画素領域Ａ及び液滴吐出ヘッドの断面模
式図を示している。

【００７４】図１７（ａ）では、液滴吐出ヘッドＨ1に
形成された各ノズルのうち、３つのノズルｎ1a〜ｎ3aか
ら正孔注入／輸送層形成材料を含む第１組成物を画素領
域Ａ1〜Ａ3に吐出する。尚、本実施形態では液滴吐出ヘ
ッドＨ1を走査することにより第１組成物を吐出する
が、基体２を走査することによっても可能である。更
に、液滴吐出ヘッドＨ1と基体２とを相対的に移動させ
ることによっても第１組成物を吐出させることができ
る。なお、これ以降の液滴吐出ヘッドを用いて行う工程
では上記の点は同様である。液滴吐出ヘッドＨ1による
吐出は以下の通りである。すなわち、図１７（ａ）及び
図２０に示すように、液滴吐出ヘッドＨ1に形成されて
なるノズルｎ1a〜ｎ3aを電極面１１１ａに対向して配置
し、ノズルｎ1a〜ｎ3aから最初の第１組成物の液滴１１
０ｃ1を吐出する。画素領域Ａ1〜Ａ3は、画素電極１１
１と当該画素電極１１１の周囲を区画するバンク１１２
から形成されており、これらの画素領域Ａ1〜Ａ3に対
し、ノズルｎ1a〜ｎ3aから１滴当たりの液量が制御され
た最初の第１組成物の液滴１１０ｃ1を吐出する。次に
図１７（ｂ）に示すように、液滴吐出ヘッドＨ1を図示
Ｘ方向に僅かに走査させるとともに、図示Ｙ方向の反対
方向にシフトさせることによってノズルｎ1b〜ｎ3bを各
画素領域Ａ1〜Ａ3上に位置させる。そして、各ノズルｎ
1b〜ｎ3bから第１組成物の２滴目の液滴１１０ｃ2を画
素領域Ａ1〜Ａ3に向けて吐出する。更に図１７（ｃ）に
示すように、液滴吐出ヘッドＨ1を図示Ｘ方向に僅かに
走査させるとともに、図示Ｙ方向にシフトさせることに
よってノズルｎ1a〜ｎ3aを再び各画素領域Ａ1〜Ａ3上に
位置させる。そして、各ノズルｎ1a〜ｎ3aから第１組成
物の３滴目の液滴１１０ｃ3を画素領域Ａ1〜Ａ3に向け
て吐出する。このようにして、液滴吐出ヘッドＨ1を図
示Ｘ方向に沿って走査させつつ、図示Ｙ方向に沿って僅
かにシフトさせることにより、一の画素領域Ａに対して
２つのノズルから第１組成物の液滴を順次吐出する。一
の画素領域Ａに対して吐出する液滴の数は、例えば６〜
２０滴の範囲とすることができるが、この範囲は画素の
面積によって代わるものであり、この範囲より多くても
少なくても構わない。各画素領域（電極面１１１ａ上）
に吐出する第１組成物の全量は、下部、上部開口部１１
２ｃ、１１２ｄの大きさ、形成しようとする正孔注入／
輸送層の厚さ、第１組成物中の正孔注入／輸送層形成材
料の濃度等により決定される。

【００７５】このように、１回の走査で正孔注入／輸送
層を形成する場合において、第１組成物の吐出のたびに
ノズルの切替えを行い、各画素領域Ａ1〜Ａ3に対して各
々２つのノズルから第１組成物を吐出するので、従来の
ように、１の画素領域Ａに対して１つのノズルで複数回
吐出する場合と比較して、ノズル間の吐出量のバラツキ
が相殺されるので、各画素電極１１１…における第１組
成物の吐出量のバラツキが小さくなり、正孔注入／輸送
層を同じ膜厚で形成することができる。これにより、画
素毎の発光量を一定に保つことができ、表示品質に優れ
た表示装置を製造することができる。

【００７６】（２）液滴吐出ヘッドＨ1の走査を複数回
で行い、かつ各走査中において複数のノズルを用いる方
法図１８は、液滴吐出ヘッドＨ1の３回の走査で各画素領
域Ａ1…に正孔注入／輸送層１１０ａを形成する場合の
工程を示す工程図である。図１８（ａ）は、液滴吐出ヘ
ッドＨ1による１回目の走査後の状態を示し、図１８
（ｂ）は２回目の走査後の状態を示し、図１８（ｃ）は
３回目の走査後の状態を示す。

【００７７】１回目の走査では、図１６に示した液滴吐
出ヘッドＨ1の各ノズルのうち、ノズルｎ1a〜ｎ3aを各
画素領域Ａ1〜Ａ3に対向させて第１組成物の最初の液滴
１１０ｃ1を吐出し、更に液滴吐出ヘッドＨ1を副走査方
向に僅かにシフトさせてノズルｎ1b〜ｎ3bを各画素領域
Ａ1〜Ａ3に対向させて第１組成物の２滴目の液滴１１０
ｃ2を吐出する。これにより、図１８（ａ）に示すよう
に、各画素領域Ａ1〜Ａ3に２つの液滴１１０ｃ1，１１
０ｃ2が吐出される。各液滴１１０ｃ1，１１０ｃ2は、
図１８（ａ）に示すように相互に間隔を空けて吐出して
もよく、重ねて吐出してもよい。

【００７８】次に２回目の走査では、１回目の場合と同
様に、ノズルｎ1a〜ｎ3aを各画素領域Ａ1〜Ａ3に対向さ
せて第１組成物の３滴目の液滴１１０ｃ3を吐出し、更
に液滴吐出ヘッドＨ1を副走査方向に僅かにシフトさせ
てノズルｎ1b〜ｎ3bから第１組成物の４滴目の液滴１１
０ｃ4を吐出する。これにより図１８（ｂ）に示すよう
に、各画素領域Ａ1〜Ａ3に更に２つの液滴１１０ｃ3，
１１０ｃ4が吐出される。尚、３滴目及び４滴目の液滴
１１０ｃ3，１１０ｃ4は、図１８（ｂ）に示すように、
１滴目及び２滴目の液滴１１０ｃ1，１１０ｃ2と重なら
ないように吐出しても良く、重ねて吐出しても良い。

【００７９】更に３回目の走査では、１、２回目の場合
と同様に、ノズルｎ1a〜ｎ3aを各画素領域Ａ1〜Ａ3に対
向させて第１組成物の５滴目の液滴１１０ｃ5を吐出
し、更に液滴吐出ヘッドＨ1を副走査方向に僅かにシフ
トさせてノズルｎ1b〜ｎ3bから第１組成物の６滴目の液
滴１１０ｃ6を吐出する。これにより図１８（ｃ）に示
すように、各画素領域Ａ1〜Ａ3に更に２つの液滴１１０
ｃ5，１１０ｃ6が吐出される。尚、５滴目及び６滴目の
液滴１１０ｃ5，１１０ｃ6は、図１８（ｃ）に示すよう
に、他の液滴１１０ｃ1〜１１０ｃ4と重ならないように
吐出しても良く、重ねて吐出しても良い。

【００８０】このように、複数回の走査で正孔注入／輸
送層を形成する場合において、各走査中にノズルの切替
えを行い、各画素領域Ａ1〜Ａ3に対して各々２つのノズ
ルから第１組成物を吐出するので、従来のように、１の
画素領域Ａに対して１つのノズルで複数回吐出する場合
と比較して、ノズル間の吐出量のバラツキが相殺される
ので、各画素電極１１１…における第１組成物の吐出量
のバラツキが小さくなり、正孔注入／輸送層を同じ膜厚
で形成することができる。これにより、画素毎の発光量
を一定に保つことができ、表示品質に優れた表示装置を
製造することができる。

【００８１】（３）液滴吐出ヘッドＨ1の走査を複数回
で行い、かつ各走査毎に別のノズルを用いる方法図１９は、液滴吐出ヘッドＨ1の２回の走査で各画素領
域Ａ1…に正孔注入／輸送層１１０ａを形成する場合の
工程を示す工程図である。図１９（ａ）は、液滴吐出ヘ
ッドＨ1による１回目の走査後の状態を示し、図１９
（ｂ）は２回目の走査後の状態を示す。更に図１９
（ｃ）は１、２回目の走査後の別の状態を示す。

【００８２】１回目の走査では、図１６に示した液滴吐
出ヘッドＨ1の各ノズルのうち、ノズルｎ1a〜ｎ3aを各
画素領域Ａ1〜Ａ3に対向させて第１組成物の最初の液滴
１１０ｃ1、２、３滴目の液滴１１０ｃ2、１１０ｃ3を
順次吐出する。これにより、図１９（ａ）に示すよう
に、各画素領域Ａ1〜Ａ3に３つの液滴１１０ｃ1，１１
０ｃ2、１１０ｃ3が吐出される。各液滴１１０ｃ1，１
１０ｃ2、１１０ｃ3は、図１９（ａ）に示すように相互
に間隔を空けて吐出してもよく、相互に重ねて吐出して
もよい。

【００８３】次に２回目の走査では、液滴吐出ヘッドＨ
1を副走査方向に僅かにシフトさせてノズルｎ1b〜ｎ3b
各画素領域Ａ1〜Ａ3に対向させて第１組成物の４、５，
６滴目の液滴１１０ｃ4、１１０ｃ5、１１０ｃ6を順次
吐出する。これにより図１９（ｂ）に示すように、各画
素領域Ａ1〜Ａ3に更に３つの液滴１１０ｃ4，１１０ｃ
5，１１０ｃ6が吐出される。尚、４〜６滴目の液滴１１
０ｃ4，１１０ｃ5、１１０ｃ6は、図１９（ｂ）に示す
ように、１〜３滴目の液滴１１０ｃ1〜１１０ｃ3の間を
うめるように吐出しても良く、１〜３滴目の液滴１１０
ｃ1〜１１０ｃ3に重ねて吐出しても良い。

【００８４】更に図１９（ｃ）は１、２回目の走査後の
別の状態を示す。図１９（ｃ）においては、走査回数を
２回とし、１回目の走査で１〜３滴目の液滴を吐出し、
２回目の走査で液滴吐出ヘッドＨ1をシフトさせて別の
ノズルから４〜６滴目の液滴を吐出する点については、
図１９（ａ）及び（ｂ）の場合と同様である。図１９
（ａ）及び（ｂ）との相違点は、各液滴の吐出位置が異
なることである。即ち図１９（ｃ）では、１回目の走査
により各画素領域Ａ1〜Ａ3の図中下半分の領域に液滴１
１０ｃ1〜１１０ｃ3を吐出し、２回目の走査により各画
素領域Ａ1〜Ａ3の図中上半分の領域に液滴１１０ｃ4〜
１１０ｃ6を吐出している。

【００８５】尚、図１８及び図１９においては、一の画
素領域Ａに対して吐出する液滴の数をそれぞれ６滴とし
たが、６〜２０滴の範囲としてもよく、またこの範囲は
画素の面積によって代わるものであるから、この範囲よ
り多くても少なくても構わない。各画素領域（電極面１
１１ａ上）に吐出する第１組成物の全量は、下部、上部
開口部１１２ｃ、１１２ｄの大きさ、形成しようとする
正孔注入／輸送層の厚さ、第１組成物中の正孔注入／輸
送層形成材料の濃度等により決定される。

【００８６】このように、複数回の走査で正孔注入／輸
送層を形成する場合において、各走査毎にノズルの切替
えを行い、各画素領域Ａ1〜Ａ3に対して各々２つのノズ
ルから第１組成物を吐出するので、従来のように、１の
画素領域Ａに対して１つのノズルで複数回吐出する場合
と比較して、ノズル間の吐出量のバラツキが相殺される
ので、各画素電極１１１…における第１組成物の吐出量
のバラツキが小さくなり、正孔注入／輸送層を同じ膜厚
で形成することができる。これにより、画素毎の発光量
を一定に保つことができ、表示品質に優れた表示装置を
製造することができる。

【００８７】尚、液滴吐出ヘッドＨ1の走査を複数回行
う際には、液滴吐出ヘッドＨ1の走査方向を各回毎に同
一の方向としても良く、反対方向としても良い。

【００８８】図２０に示すように、吐出された第１組成
物の液滴１１０ｃは、最終的には親液処理された電極面
１１１ａ及び第１積層部１１２ｅ上に広がり、下部、上
部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に充填される。仮に、第
１組成物の液滴１１０ｃが所定の吐出位置からはずれて
上面１１２ｆ上に吐出されたとしても、上面１１２ｆが
第１組成物滴１１０ｃで濡れることがなく、はじかれた
第１組成物滴１１０ｃが下部、上部開口部１１２ｃ、１
１２ｄ内に転がり込む。

【００８９】ここで用いる第１組成物としては、例え
ば、ポリエチレンジオキシチオフェン(PEDOT)等のポリ
チオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸(PSS)等の
混合物を、極性溶媒に溶解させた組成物を用いることが
できる。極性溶媒としては、例えば、イソプロピルアル
コール(IPA)、ノルマルブタノール、γ−ブチロラクト
ン、Ｎ−メチルピロリドン(NMP)、１，３−ジメチル−
２−イミダゾリジノン(DMI)及びその誘導体、カルビト
−ルアセテート、ブチルカルビト−ルアセテート等のグ
リコールエーテル類等を挙げることができる。より具体
的な第１組成物の組成としては、PEDOT/PSS混合物(PEDO
T/PSS=1:20)：２２．４重量％、PSS：１．４４重量％、
IPA：１０重量％、NMP：２７．０重量％、DMI：５０重
量％のものを例示できる。尚、第１組成物の粘度は２〜
２０Ｐｓ程度が好ましく、特に４〜１２ｃＰｓ程度が良
い。上記の第１組成物を用いることにより、吐出ノズル
Ｈ2に詰まりが生じることがなく安定吐出できる。な
お、正孔注入／輸送層形成材料は、赤（Ｒ）、緑
（Ｇ）、青（Ｂ）の各発光層１１０ｂ1〜１１０ｂ3に対
して同じ材料を用いても良く、各発光層毎に変えても良
い。

【００９０】次に、図２１に示すような乾燥工程を行
う。乾燥工程を行う事により、吐出後の第１組成物を乾
燥処理し、第１組成物に含まれる極性溶媒を蒸発させ、
正孔注入／輸送層１１０ａを形成する。乾燥処理を行う
と、第１組成物滴１１０ｃに含まれる極性溶媒の蒸発
が、主に無機物バンク層１１２ａ及び有機物バンク層１
１２ｂに近いところで起き、極性溶媒の蒸発に併せて正
孔注入／輸送層形成材料が濃縮されて析出する。これに
より図２１に示すように、第１積層部１１２ｅ上に、正
孔注入／輸送層形成材料からなる周縁部１１０ａ2が形
成される。この周縁部１１０ａ2は、上部開口部１１２
ｄの壁面（有機物バンク層１１２ｂ）に密着しており、
その厚さが電極面１１１ａに近い側では薄く、電極面１
１１ａから離れた側、即ち有機物バンク層１１２ｂに近
い側で厚くなっている。

【００９１】また、これと同時に、乾燥処理によって電
極面１１１ａ上でも極性溶媒の蒸発が起き、これにより
電極面１１１ａ上に正孔注入／輸送層形成材料からなる
平坦部１１０ａ1が形成される。電極面１１１ａ上では
極性溶媒の蒸発速度がほぼ均一であるため、正孔注入／
輸送層の形成材料が電極面１１１ａ上で均一に濃縮さ
れ、これにより均一な厚さの平坦部１１０ａが形成され
る。このようにして、周縁部１１０ａ2及び平坦部１１
０ａ1からなる正孔注入／輸送層１１０ａが形成され
る。なお、周縁部１１０ａ2には形成されず、電極面１
１１ａ上のみに正孔注入／輸送層が形成される形態であ
っても構わない。

【００９２】上記の乾燥処理は、例えば窒素雰囲気中、
室温で圧力を例えば１３３．３〜１３．３Ｐａ（１〜
０．１Ｔｏｒｒ）程度にして行う。急激に圧力を低下さ
せると第１組成物滴１１０ｃが突沸してしまうので好ま
しくない。また、温度を高温にしてしまうと、極性溶媒
の蒸発速度が高まり、平坦な膜を形成する事ができな
い。したがって、３０℃〜８０℃の範囲が好ましい。乾
燥処理後は、窒素中、好ましくは真空中で２００℃で１
０分程度加熱する熱処理を行うことで、正孔注入／輸送
層１１０ａ内に残存する極性溶媒や水を除去することが
好ましい。

【００９３】上記の正孔注入／輸送層形成工程では、吐
出された第１組成物滴１１０ｃが、下部、上部開口部１
１２ｃ、１１２ｄ内に満たされる一方で、撥液処理され
た有機物バンク層１１２ｂで第１組成物がはじかれて下
部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に転がり込む。こ
れにより、吐出した第１組成物滴１１０ｃを必ず下部、
上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に充填することがで
き、電極面１１１ａ上に正孔注入／輸送層１１０ａを形
成することができる。

【００９４】また、上記の正孔注入／輸送層形成工程に
よれば、各画素領域Ａごとに最初に吐出する第１組成物
の液滴１１０ｃ1を有機物バンク層１１２ｂの壁面１１
２ｈに接触させるので、この液滴が壁面１１２ｈから第
１積層部１１２ｅ及び電極面１１１ａに転がり込むた
め、第１組成物の液滴１１０ｃを画素電極１１１の周囲
に優先的に濡れ広げて第１組成物をむらなく塗布するこ
とができ、これにより正孔注入輸送層１１０ａをほぼ均
一な膜厚で形成できる。

【００９５】(4)発光層形成工程次に発光層形成工程は、表面改質工程、発光層形成材料
吐出工程、および乾燥工程、とからなる。まず、正孔注
入/輸送層１１０ａの表面を表面改質するために表面改
質工程を行う。この工程にについては、以下に詳述す
る。次に、前述の正孔注入/輸送層形成工程と同様、液
滴吐出法により第２組成物を正孔注入／輸送層１１０ａ
上に吐出する。その後、吐出した第２組成物を乾燥処理
（及び熱処理）して、正孔注入／輸送層１１０ａ上に発
光層１１０ｂを形成する。

【００９６】次に発光層形成工程として、液滴吐出法に
より、発光層形成材料を含む第２組成物を正孔注入／輸
送層１１０ａ上に吐出した後に乾燥処理して、正孔注入
／輸送層１１０ａ上に発光層１１０ｂを形成する。図２
２に、液滴吐出方法の概略を示す。図２２に示すよう
に、液滴吐出ヘッドＨ5と基体２とを相対的に移動し、
液滴吐出ヘッドに形成された吐出ノズルＨ６から各色
（たとえばここでは青色（Ｂ））発光層形成材料を含有
する第２組成物が吐出される。吐出の際には、下部、上
部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に位置する正孔注入／輸
送層１１０ａに吐出ノズルを対向させ、液滴吐出ヘッド
Ｈ5と基体２とを相対移動させながら、第２組成物が吐
出される。吐出ノズルＨ6から吐出される液量は１滴当
たりの液量が制御されている。このように液量が制御さ
れた液（第２組成物滴１１０ｅ）が吐出ノズルから吐出
され、この第２組成物滴１１０ｅを正孔注入／輸送層１
１０ａ上に吐出する。発光層形成工程は、正孔注入／輸
送層形成工程と同様に、一の画素領域に対して複数のノ
ズルにより第２組成物の吐出を行う。

【００９７】即ち、図１７、図１８及び図１９に示した
場合と同様に、液滴吐出ヘッドＨ5を走査して各正孔注
入／輸送層１１０ａ上に発光層１１０ｂを形成する。こ
の工程には、（４）液滴吐出ヘッドＨ5の走査を１回で
行う方法、（５）液滴吐出ヘッドＨ5の走査を複数回で
行い、かつ各走査中において複数のノズルを用いる方
法、（６）液滴吐出ヘッドＨ5の走査を複数回で行い、
かつ各走査毎に別のノズルを用いる方法、の３つの工程
がある。以下、（４）〜（６）の方法を簡略に説明す
る。

【００９８】（４）液滴吐出ヘッドＨ5の走査を１回で
行う方法この方法では、図１７の場合と同様に、液滴吐出ヘッド
Ｈ5の１回の走査で画素領域（正孔注入／輸送層１１０
ａ上）に発光層を形成する。即ち、図１７（ａ）と同様
に、液滴吐出ヘッドＨ5のノズルｎ1a〜ｎ3aを各正孔注
入／輸送層１１０ａに対向して配置し、ノズルｎ1a〜ｎ
3aから最初の第２組成物の液滴を吐出する。次に図１７
（ｂ）と同様に、液滴吐出ヘッドＨ5を主走査方向に僅
かに走査させるとともに、副走査方向の反対方向にシフ
トさせることによってノズルｎ1b〜ｎ3bを各正孔注入／
輸送層１１０ａ上に位置させ、各ノズルｎ1b〜ｎ3bから
第２組成物の２滴目の液滴を吐出する。更に図１７
（ｃ）と同様に、液滴吐出ヘッドＨ5を主走査方向に僅
かに走査させるとともに、副走査方向にシフトさせるこ
とによってノズルｎ1a〜ｎ3aを再び各正孔注入／輸送層
１１０ａ上に位置させ、各ノズルｎ1a〜ｎ3aから第２組
成物の３滴目の液滴を各正孔注入／輸送層１１０ａに向
けて吐出する。このようにして、液滴吐出ヘッドＨ5を
主走査方向に沿って走査させつつ、副走査方向に沿って
僅かにシフトさせることにより、一の画素領域Ａ（正孔
注入／輸送層１１０ａ）に対して２つのノズルから第２
組成物の液滴を順次吐出する。一の画素領域に対して吐
出する液滴の数は、例えば６〜２０滴の範囲とすること
ができるが、この範囲は画素の面積によって代わるもの
であり、この範囲より多くても少なくても構わない。各
画素領域（正孔注入／輸送層１１０ａ）に吐出する第２
組成物の全量は、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ
の大きさ、形成しようとする発光層の厚さ、第２組成物
中の発光層形成材料の濃度等により決定される。

【００９９】このように、１回の走査で発光層を形成す
る場合において、第２組成物の吐出のたびにノズルの切
替えを行い、画素領域に対して２つのノズルから第２組
成物を吐出するので、従来のように、１の画素領域に対
して１つのノズルで複数回吐出する場合と比較して、ノ
ズル間の吐出量のバラツキが相殺されるので、各画素領
域における第２組成物の吐出量のバラツキが小さくな
り、発光層を同じ膜厚で形成することができる。これに
より、画素毎の発光量を一定に保つことができ、表示品
質に優れた表示装置を製造することができる。

【０１００】（５）液滴吐出ヘッドＨ1の走査を複数回
で行い、かつ各走査中において複数のノズルを用いる方
法この方法では、まず図１８（ａ）と同様に、１回目の走
査として、ノズルｎ1a〜ｎ3aを各画素領域に対向させて
第２組成物の最初の液滴を吐出し、更に液滴吐出ヘッド
Ｈ5を副走査方向に僅かにシフトさせてノズルｎ1b〜ｎ3
bを各画素領域に対向させて第２組成物の２滴目の液滴
を吐出する。これにより、図１８（ａ）と同様に、各画
素領域に２つの液滴が吐出される。各液滴は、図１８
（ａ）と同様に相互に間隔を空けて吐出してもよく、重
ねて吐出してもよい。

【０１０１】次に２回目の走査では、１回目の場合と同
様に、ノズルｎ1a〜ｎ3aを各画素領域に対向させて第２
組成物の３滴目の液滴を吐出し、更に液滴吐出ヘッドＨ
5を副走査方向に僅かにシフトさせてノズルｎ1b〜ｎ3b
から第２組成物の４滴目の液滴を吐出する。これにより
図１８（ｂ）と同様に、各画素領域に更に２つの液滴が
吐出される。尚、３滴目及び４滴目の液滴は、１滴目及
び２滴目の液滴と重ならないように吐出しても良く、重
ねて吐出しても良い。

【０１０２】更に３回目の走査では、１、２回目の場合
と同様に、ノズルｎ1a〜ｎ3aを各画素領域に対向させて
第２組成物の５滴目の液滴を吐出し、更に液滴吐出ヘッ
ドＨ5を副走査方向に僅かにシフトさせてノズルｎ1b〜
ｎ3bから第２組成物の６滴目の液滴を吐出する。これに
より図１８（ｃ）と同様に、各画素領域に更に２つの液
滴が吐出される。尚、５滴目及び６滴目の液滴は、他の
液滴と重ならないように吐出しても良く、重ねて吐出し
ても良い。

【０１０３】このように、複数回の走査で発光層を形成
する場合において、各走査中にノズルの切替えを行い、
各画素領域に対して各々２つのノズルから第２組成物を
吐出するので、従来のように、１の画素領域に対して１
つのノズルで複数回吐出する場合と比較して、ノズル間
の吐出量のバラツキが相殺されるので、第２組成物の吐
出量のバラツキが小さくなり、発光層を同じ膜厚で形成
することができる。これにより、画素毎の発光量を一定
に保つことができ、表示品質に優れた表示装置を製造す
ることができる。

【０１０４】（６）液滴吐出ヘッドＨ5の走査を複数回
で行い、かつ各走査毎に別のノズルを用いる方法この方法では、まず図１９（ａ）と同様に、１回目の走
査において、液滴吐出ヘッドＨ5のノズルｎ1a〜ｎ3aを
各画素領域に対向させて第２組成物の最初の液滴及び
２、３滴目の液滴を順次吐出する。これにより、図１９
（ａ）と同様に、各画素領域に３つの液滴が吐出され
る。各液滴は、図１９（ａ）と同様に相互に間隔を空け
て吐出してもよく、相互に重ねて吐出してもよい。

【０１０５】次に２回目の走査では、液滴吐出ヘッドＨ
5を副走査方向に僅かにシフトさせてノズルｎ1b〜ｎ3b
各画素領域に対向させて第２組成物の４、５，６滴目の
液滴を順次吐出する。これにより図１９（ｂ）と同様
に、各画素領域に更に３つの液滴が吐出される。尚、４
〜６滴目の液滴は、１〜３滴目の液滴の間をうめるよう
に吐出しても良く、１〜３滴目の液滴に重ねて吐出して
も良い。

【０１０６】更に別の方法として、図１９（ｃ）と同様
に、１回目の走査により各画素領域の半分の領域に液滴
を吐出し、２回目の走査により各画素領域のもう半分の
領域に液滴を吐出してもよい。

【０１０７】尚、一の画素領域に対して吐出する第２組
成物の液滴の数をそれぞれ６滴としたが、６〜２０滴の
範囲としてもよく、またこの範囲は画素の面積によって
代わるものであるから、この範囲より多くても少なくて
も構わない。各画素領域（正孔注入／輸送層１１０ａ）
に吐出する第２組成物の全量は、下部、上部開口部１１
２ｃ、１１２ｄの大きさ、形成しようとする発光層の厚
さ、第２組成物中の発光層形成材料の濃度等により決定
される。

【０１０８】このように、複数回の走査で発光層を形成
する場合において、各走査毎にノズルの切替えを行い、
各画素領域に対して各々２つのノズルから第２組成物を
吐出するので、従来のように、１の画素領域に対して１
つのノズルで複数回吐出する場合と比較して、ノズル間
の吐出量のバラツキが相殺されるので、各画素領域にお
ける第２組成物の吐出量のバラツキが小さくなり、発光
層を同じ膜厚で形成することができる。これにより、画
素毎の発光量を一定に保つことができ、表示品質に優れ
た表示装置を製造することができる。

【０１０９】尚、液滴吐出ヘッドＨ5の走査を複数回行
う際には、正孔注入／輸送層形成工程と同様に、液滴吐
出ヘッドＨ5の走査方向を各回毎に同一の方向としても
良く、反対方向としても良い。

【０１１０】また、発光層１１０ｂの材料としては、例
えば、［化１］〜［化５］が、ポリフルオレン誘導体、
ポリフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリ
チオフェン誘導体、またはこれらの高分子材料にペリレ
ン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、例えば
ルブレン、ペリレン、９，１０-ジフェニルアントラセ
ン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリ
ン６、キナクリドン等をドープして用いることができ
る。

【０１１１】非極性溶媒としては、正孔注入／輸送層１
１０ａに対して不溶なものが好ましく、例えば、シクロ
へキシルベンゼン、ジハイドロベンゾフラン、トリメチ
ルベンゼン、テトラメチルベンゼン等を用いることがで
きる。このような非極性溶媒を発光層１１０ｂの第２組
成物に用いることにより、正孔注入／輸送層１１０ａを
再溶解させることなく第２組成物を塗布できる。

【０１１２】図２２に示すように、吐出された第２組成
物１１０ｅは、正孔注入／輸送層１１０ａ上に広がって
下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に満たされる。
その一方で、撥液処理された上面１１２ｆでは第１組成
物滴１１０ｅが所定の吐出位置からはずれて上面１１２
ｆ上に吐出されたとしても、上面１１２ｆが第２組成物
滴１１０ｅで濡れることがなく、第２組成物滴１１０ｅ
が下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に転がり込
む。

【０１１３】次に、第２の組成物を所定の位置に吐出し
終わった後、吐出後の第２組成物滴１１０ｅを乾燥処理
することにより発光層１１０ｂ３が形成される。すなわ
ち、乾燥により第２組成物に含まれる非極性溶媒が蒸発
し、図２３に示すような青色（Ｂ）発光層１１０ｂ3が
形成される。なお、図２３においては青に発光する発光
層が１つのみ図示されているが、図１やその他の図より
明らかなように本来は発光素子がマトリックス状に形成
されたものであり、図示しない多数の発光層（青色に対
応）が形成されている。

【０１１４】続けて、図２４に示すように、前述した青
色（Ｂ）発光層１１０ｂ3の場合と同様の工程を用い、
赤色（Ｒ）発光層１１０ｂ1を形成し、最後に緑色
（Ｇ）発光層１１０ｂ2を形成する。なお、発光層１１
０ｂの形成順序は、前述の順序に限られるものではな
く、どのような順番で形成しても良い。例えば、発光層
形成材料に応じて形成する順番を決める事も可能であ
る。

【０１１５】また、発光層の第２組成物の乾燥条件は、
青色１１０ｂ3の場合、例えば、窒素雰囲気中、室温で
圧力を１３３．３〜１３．３Ｐａ（１〜０．１Ｔｏｒ
ｒ）程度として５〜１０分行う条件とする。圧力が低す
ぎると第２組成物が突沸してしまうので好ましくない。
また、温度を高温にすると、非極性溶媒の蒸発速度が高
まり、発光層形成材料が上部開口部１１２ｄ壁面に多く
付着してしまうので好ましくない。好ましくは、３０℃
〜８０℃の範囲が良い。また緑色発光層１１０ｂ2、お
よび赤色発光層ｂ１の場合、発光層形成材料の成分数が
多いために素早く乾燥させることが好ましく、例えば、
４０℃で窒素の吹き付けを５〜１０分行う条件とするの
がよい。その他の乾燥の手段としては、遠赤外線照射
法、高温窒素ガス吹付法等を例示できる。このようにし
て、画素電極１１１上に正孔注入／輸送層１１０ａ及び
発光層１１０ｂが形成される。

【０１１６】(5)対向電極（陰極）形成工程次に対向電極形成工程では、図２５に示すように、発光
層１１０ｂ及び有機物バンク層１１２ｂの全面に陰極１
２（対向電極）を形成する。なお，陰極１２は複数の材
料を積層して形成しても良い。例えば、発光層に近い側
には仕事関数が小さい材料を形成することが好ましく、
例えばＣａ、Ｂａ等を用いることが可能であり、また材
料によっては下層にＬｉＦ等を薄く形成した方が良い場
合もある。また、上部側（封止側）には下部側よりも仕
事関数が高い材料、例えばＡｌを用いる事もできる。こ
れらの陰極１２は、例えば蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ
法等で形成することが好ましく、特に蒸着法で形成する
ことが、熱による発光層１１０ｂの損傷を防止できる点
で好ましい。また、フッ化リチウムは、発光層１１０ｂ
上のみに形成しても良く、更に所定の色に対応して形成
する事ができる。例えば、青色（Ｂ）発光層１１０ｂ3
上のみに形成しても良い。この場合、他の赤色（Ｒ）発
光層及び緑色（Ｇ）発光層１１０ｂ1、１１０ｂ2には、
カルシウムからなる上部陰極層１２ｂが接することとな
る。

【０１１７】また陰極１２の上部には、蒸着法、スパッ
タ法、ＣＶＤ法等により形成したＡｌ膜、Ａｇ膜等を用
いることが好ましい。また、その厚さは、例えば１００
〜１０００ｎｍの範囲が好ましく、特に２００〜５００
ｎｍ程度がよい。また陰極１２上に、酸化防止のために
ＳｉＯ₂、ＳｉＮ等の保護層を設けても良い。

【０１１８】(6)封止工程最後に封止工程は、発光素子が形成された基体２と封止
基板３ｂとを封止樹脂３ａにより封止する工程である。
たとえば、熱硬化樹脂または紫外線硬化樹脂からなる封
止樹脂３ａを基体２の全面に塗布し、封止樹脂３ａ上に
封止用基板３ｂを積層する。この工程により基体２上に
封止部３を形成する。封止工程は、窒素、アルゴン、ヘ
リウム等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。大
気中で行うと、陰極１２にピンホール等の欠陥が生じて
いた場合にこの欠陥部分から水や酸素等が陰極１２に侵
入して陰極１２が酸化されるおそれがあるので好ましく
ない。更に、図２に例示した基板５の配線５ａに陰極１
２を接続するとともに、駆動ＩＣ６に回路素子部１４の
配線を接続することにより、本実施形態の表示装置１が
得られる。

【０１１９】［第２の実施形態］次に、第１の実施形態
の表示装置を備えた電子機器の具体例について説明す
る。図２６（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図で
ある。図２６（ａ）において、符号６００は携帯電話本
体を示し、符号６０１は前記の表示装置を用いた表示部
を示している。図２６（ｂ）は、ワープロ、パソコンな
どの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。
図２６（ｂ）において、符号７００は情報処理装置、符
号７０１はキーボードなどの入力部、符号７０３は情報
処理装置本体、符号７０２は前記の表示装置を用いた表
示部を示している。図２６（ｃ）は、腕時計型電子機器
の一例を示した斜視図である。図２６（ｃ）において、
符号８００は時計本体を示し、符号８０１は前記の表示
装置を用いた表示部を示している。図２６（ａ）〜
（ｃ）に示すそれぞれの電子機器は、前記の第１の実施
形態の表示装置を用いた表示部を備えたものであり、先
の第１の実施形態の表示装置の特徴を有するので、高輝
度であって表示品質に優れた効果を有する電子機器とな
る。これらの電子機器を製造するには、第１の実施形態
と同様にして、図２に示すような駆動ＩＣ６（駆動回
路）を備えた表示装置１を構成し、この表示装置１を、
携帯電話、携帯型情報処理装置、腕時計型電子機器に組
み込むことにより製造される。

【０１２０】なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態
に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない
範囲において種々の変更を加えることが可能である。図
２７には、本発明に係る他の例の表示装置の断面模式図
を示す。図２７に示す表示装置は、基体２と、基体２上
に形成された表示素子１０と、基体２の周囲に環状に塗
布された封止樹脂６０３と、表示素子１０上に備えられ
た封止部３とを具備して構成されている。

【０１２１】基体２及び表示素子１０は、第１の実施形
態に係る基体２及び表示素子１０と同じものである。表
示素子１０は、発光素子部１１と、該発光素子部１１上
に形成された陰極１２とを主体として構成されている。

【０１２２】また図２７に示すように、発光素子部１１
上には封止部３が備えられている。この封止部３は、陰
極１２上に塗布された熱硬化樹脂あるいは紫外線硬化樹
脂等からなる封止樹脂３ａと、封止樹脂３ａ上に配置さ
れた封止基板３ｂとからなる。なお、封止樹脂３ａとし
ては、硬化時にガス、溶媒等が発生しないものが好まし
い。この封止部３は、少なくとも発光素子部１１上にあ
る陰極１２をほぼ覆うように形成されており、陰極１２
及び発光層を含む機能層に対する水又は酸素の侵入を防
いで、陰極１２または発光層の酸化を防止する。尚、封
止基板３ｂは、封止樹脂３ａに接合されて封止樹脂３ａ
を保護するものであり、ガラス板、金属板若しくは樹脂
板のいずれかであることが好ましい。

【０１２３】また図２８には、本発明に係る別の例の表
示装置の断面模式図を示す。図２８に示す表示装置は、
基体２と、基体２上に形成された表示素子１０と、表示
素子１０の全面に塗布された封止樹脂３ａと、封止樹脂
３ａ上に備えられた封止用基板３ｂとを具備して構成さ
れている。

【０１２４】基体２、表示素子１０、封止樹脂３ａ及び
封止用基板３ｂは、第１の実施形態に係る基体２、表示
素子１０、封止材３及び封止用基板４と同じものであ
る。

【０１２５】また、図２８に示すように、封止材３と陰
極１２の間には保護層７１４が形成されている。保護層
７１４は、ＳｉＯ₂、ＳｉＮ等からなるものであり、厚
さが１００〜２００ｎｍの範囲とされている。この保護
層７１４は、陰極１２及び発光層を含む機能層に対する
水又は酸素の侵入を防いで、陰極１２または発光層の酸
化を防止する。上記の表示装置によれば、水及び酸素の
侵入を効果的に防いで陰極１２または発光層の酸化を防
止することにより、表示装置の高輝度化及び長寿命化を
図ることができる。

【０１２６】また、第１の実施形態においては、Ｒ、
Ｇ、Ｂの各発光層１１０ｂをストライプ配置した場合に
ついて説明したが、本発明はこれに限られず、様々な配
置構造を採用しても良い。例えば図２９（ａ）に示すよ
うなストライプ配置の他、図２９（ｂ）に示すようなモ
ザイク配置や、図２９（ｃ）に示すようなデルタ配置と
することができる。

【０１２７】

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明の
表示装置の製造方法によれば、一の前記機能層に対して
複数のノズルを用いて前記液滴を吐出するので、一つの
ノズルで複数回吐出する場合に比べて、ノズル間の吐出
量のバラツキが相殺されるので、各電極間における組成
物量のバラツキが小さくなり、各機能層を同じ膜厚で形
成することができる。これにより、画素毎の発光量を一
定に保つことができ、表示品質に優れた表示装置を製造
することができる。また、ノズル列を主走査方向に対し
て傾斜させた状態で走査させるので、ノズルピッチを電
極のピッチに対応させることができる。また、傾き角度
を調整することにより、どのような電極ピッチに対して
も対応させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態の表示装置の配線構
造の平面模式図。

【図２】本発明の第１の実施形態の表示装置を示す図
であって、（ａ）は表示装置の平面模式図、（ｂ）は
（ａ）のＡＢ線に沿う断面模式図。

【図３】本発明の第１の実施形態の表示装置の要部を
示す図。

【図４】本発明の第１の実施形態の表示装置の製造方
法を説明する工程図。

【図５】本発明の第１の実施形態の表示装置の製造方
法を説明する工程図。

【図６】本発明の第１の実施形態の表示装置の製造に
用いるプラズマ処理装置の一例を示す平面模式図。

【図７】図６に示したプラズマ処理装置の第１プラズ
マ処理室の内部構造を示す模式図。

【図８】本発明の第１の実施形態の表示装置の製造方
法を説明する工程図。

【図９】本発明の第１の実施形態の表示装置の製造方
法を説明する工程図。

【図１０】本発明の第１の実施形態の表示装置の製造
に用いるプラズマ処理装置の別の例を示す平面模式図。

【図１１】本発明の第１の実施形態の表示装置を製造
する際に用いるヘッドを示す平面図。

【図１２】本発明の第１の実施形態の表示装置を製造
する際に用いる液滴吐出装置を示す平面図。

【図１３】本発明の第１の実施形態の表示装置を製造
する際に用いる液滴吐出ヘッドの一例を示す斜視図。

【図１４】図１３に示す液滴吐出ヘッドの内部構造を
示す図であり、（ａ）は斜視図であり、（ｂ）は（ａ）
のＪ-Ｊ線に沿う断面図。

【図１５】基体に対する液滴吐出ヘッドの配置状態を
示す平面図。

【図１６】図１５の要部を示す拡大図。

【図１７】液滴吐出ヘッドの１回の走査で正孔注入／
輸送層を形成する場合の工程を示す工程図。

【図１８】液滴吐出ヘッドの３回の走査で正孔注入／
輸送層１１０ａを形成する場合の工程を示す工程図。

【図１９】液滴吐出ヘッドの２回の走査で正孔注入／
輸送層１１０ａを形成する場合の工程を示す工程図。

【図２０】本発明の第１の実施形態の表示装置の製造
方法を説明する工程図。

【図２１】本発明の第１の実施形態の表示装置の製造
方法を説明する工程図。

【図２２】本発明の第１の実施形態の表示装置の製造
方法を説明する工程図。

【図２３】本発明の第１の実施形態の表示装置の製造
方法を説明する工程図。

【図２４】本発明の第１の実施形態の表示装置の製造
方法を説明する工程図。

【図２５】本発明の第１の実施形態の表示装置の製造
方法を説明する工程図。

【図２６】本発明の第１の実施形態の表示装置の製造
方法を説明する工程図。

【図２７】本発明の第１の実施形態の表示装置の製造
方法を説明する工程図。

【図２８】本発明の第２の実施形態である電子機器を
示す斜視図。

【図２９】本発明に係る他の例の表示装置を示す断面
模式図。

【図３０】本発明に係る別の例の表示装置を示す断面
模式図。

【図３１】発光層の配置を示す平面模式図であって、
（ａ）がストライプ配置、（ｂ）がモザイク配置、
（ｃ）がデルタ配置を示す図。

【符号の説明】

１表示装置２基体２ａ表示領域２ｂ非表示領域３封止部６ａ駆動ＩＣ（駆動回路）１０表示素子１１発光素子部１２陰極（（電極（電極）（発光素子））１１０機能層（発光素子）１１０ａ正孔注入／輸送層（機能層）１１０ａ1 平坦部１１０ａ2 周縁部１１０ｂ発光層（機能層）１１０ｃ第１組成物の液滴（組成物の液滴）１１０ｃ1 最初の液滴１１１画素電極（（電極）発光素子）１１１ａ電極面１１２バンク部１１２ａ第１バンク層（無機物バンク層）１１２ｂ第２バンク層（有機物バンク層）１１２ｃ下部開口部（無機物バンク層側の開口部（壁
面））１１２ｄ上部開口部（有機物バンク層側の開口部（壁
面））１１２ｅ上面（無機物バンク層の上面）１１２ｆ上面（有機物バンク層の上面）１１２ｇ開口部６００携帯電話本体（電子機器）７００情報処理装置（電子機器）８００時計本体（電子機器）Ａ画素領域ｎ、ｎ1a、ｎ1b、ｎ2a、ｎ2b、ｎ3a、ｎ3b ノズル N ノズル列Ｘ主走査方向Ｙ副走査方向

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者木村秀之長野県諏訪市大和３丁目３番５号セイコーエプソン株式会社内Ｆターム(参考） 2C056 FA04 FA10 FB01 HA22 3K007 AB11 AB18 DB03 FA01

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】複数層の機能層が電極間に形成されてな
る表示装置の製造方法において、前記複数層の機能層のうち少なくとも１層を、液滴吐出
ヘッドに形成されてなる複数のノズルから液滴を吐出す
ることにより形成し、前記液滴吐出ヘッドを走査し、１つの電極に対応する領
域に対して異なるノズルから吐出された液滴を塗布する
ことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項２】複数の前記ノズルが配列されてなるノズ
ル列を主走査方向に対して傾斜させた状態で走査させる
ことを特徴とする請求項１に記載の表示装置の製造方
法。
【請求項３】複数の電極上の各々に機能層が形成され
てなる表示装置の製造方法であり、複数のノズルから組成物からなる液滴を吐出して各前記
電極上に少なくとも一層の機能層を形成する機能層形成
工程を具備してなり、前記機能層形成工程において、複数の前記ノズルが配列
されてなるノズル列を主走査方向に対して傾斜させた状
態で走査させ、複数のノズルから前記組成物の液滴を吐
出することにより前記機能層を形成することを特徴とす
る表示装置の製造方法。
【請求項４】前記ノズル列を１回走査し、且つ１走査
間に複数のノズルから前記液滴を吐出することを特徴と
する請求項１または請求項３に記載の表示装置の製造方
法。
【請求項５】前記ノズル列を複数回走査し、且つ複数
のノズルから前記液滴を吐出することを特徴とする請求
項１または請求項３に記載の表示装置の製造方法。
【請求項６】前記ノズル列を複数回走査し、各走査毎
に異なるノズルを用いて前記液滴を吐出することを特徴
とする請求項１、請求項３または請求項５に記載の表示
装置の製造方法。
【請求項７】走査の間に前記ノズル列を副走査方向に
シフトさせることにより、複数のノズルから前記液滴を
吐出することを特徴とする請求項４または請求項５に記
載の表示装置の製造方法。
【請求項８】走査毎に前記ノズル列を副走査方向にシ
フトさせることにより、走査毎に異なるノズルを用いる
ことを特徴とする請求項５または請求項６に記載の表示
装置の製造方法。
【請求項９】前記機能層が、少なくとも正孔注入／輸
送層を含むことを特徴とする請求項１ないし請求項８の
いずれかに記載の表示装置の製造方法。
【請求項１０】前記機能層が、少なくとも発光層を含
むことを特徴とする請求項１ないし請求項８のいずれか
に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１１】前記機能層の間にバンク部が形成さ
れ、前記バンク部は、親液性に処理された第１バンク層
と、撥液性に処理された第２バンク層から形成されてな
り、前記第１バンク層を前記電極の一部と重なるように形成
することを特徴とする請求項３ないし請求項１０のいず
れかに記載の表示装置の製造方法。
【請求項１２】請求項１ないし請求項１１のいずれか
に記載された表示装置の製造方法により製造されたもの
であることを特徴とする表示装置。
【請求項１３】複数層の機能層が電極間に形成されて
なる表示装置と、前記表示装置を駆動するための駆動回
路とを有してなる電子機器の製造方法であり、前記複数層の機能層のうち少なくとも１層を、液滴吐出
ヘッドに形成されてなる複数のノズルから液滴を吐出す
ることにより形成し、前記液滴吐出ヘッドを走査し、１つの電極に対応する領
域に対して異なるノズルから吐出された液滴を塗布する
ことを特徴とする電子機器の製造方法。
【請求項１４】複数の前記ノズルが配列されてなるノ
ズル列を主走査方向に対して傾斜させた状態で走査させ
ることを特徴とする請求項１３に記載の電子機器の製造
方法。
【請求項１５】複数の電極上の各々に機能層が形成さ
れてなる表示装置と、前記表示装置を駆動するための駆
動回路とを有してなる電子機器の製造方法であり、複数のノズルから組成物を吐出して各前記電極上に少な
くとも一層の機能層を形成する機能層形成工程を具備し
てなり、前記機能層形成工程において、複数の前記ノズルが配列
されてなるノズル列を主走査方向に対して傾斜させた状
態で走査させ、複数のノズルから前記組成物の液滴を吐
出することにより前記機能層を形成することを特徴とす
る電子機器の製造方法。
【請求項１６】前記機能層の間にバンク部が形成さ
れ、前記バンク部は、前記親液化工程により親液性に処
理された第１バンク層と、前記撥液化工程により撥液性
に処理された第２バンク層から形成されてなり、前記第１バンク層を前記電極の一部と重なるように形成
することを特徴とする請求項１３ないし請求項１５のい
ずれかに記載の電子機器の製造方法。
【請求項１７】請求項１３ないし請求項１６のいずれ
かに記載された電子機器の製造方法により製造されたも
のであることを特徴とする電子機器。