JP2003272840A - 電気光学装置の製造方法及び電気光学装置の製造装置、電気光学装置、並びに電子機器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 バンクによって区画された領域内に平坦な膜
を容易かつ安定的に形成することができる電気光学装置
の製造方法及びその装置を提供する。 【解決手段】 バンク１０によって区画された領域に液
体材料を配置して膜１２を形成する工程の前に、液体材
料に対する動的接触角θを指標として、バンク１０の表
面を撥液性に加工する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電気光学装置の製
造方法及び電気光学装置の製造装置、電気光学装置、並
びに電子機器に関する。

【０００２】

【従来の技術】有機エレクトロルミネッセンス（以後、
ＥＬと称する）素子を発光素子として備える電気光学装
置（有機ＥＬ表示装置）は、高輝度で自発光であるこ
と、直流低電圧駆動が可能であること、応答が高速であ
ること、固体有機膜による発光であること等から表示性
能に優れており、また、表示装置の薄型化、軽量化、低
消費電力化、大型化が可能であるため、次世代の表示装
置として期待されている。

【０００３】図１９は、有機ＥＬ表示装置の要部の代表
的な構成を示す断面模式図である。有機ＥＬ表示装置
は、基板９００上に、回路素子部９０１、画素電極（陽
極）９０２、発光層を含む有機機能層９０３、対向電極
（陰極）９０４、及び封止部９０５等が順次積層された
構造からなる。このうち画素電極９０２、機能層９０
３、及び対向電極９０４等により、発光素子（有機ＥＬ
素子）が構成される。

【０００４】この表示装置においては、回路素子部９０
１の駆動制御により、画素電極９０２及び対向電極９０
４に挟まれた機能層９０３が発光し、その光が回路素子
部９０１及び基板９００を通過して射出されるととも
に、機能層９０３から基板９００の反対側に発した光が
対向電極９０４により反射されて回路素子部９０１及び
基板９００を通過して射出される。

【０００５】有機ＥＬ素子の形成材料を基板上に配置す
る技術としては、蒸着により成膜する方法、各種コーテ
ィング法により塗布する方法などが知られている。ま
た、粘度の低い液体材料を基板上に配置する際には、隣
接する複数の領域の材料同士が混じらぬように、その領
域を区画する仕切り部材としてのバンク（図１９に示す
符号９１０）を設ける場合が多い。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところが、バンクによ
って区画された領域に液体材料を配置する場合、液体材
料がバンクの表面（壁面）の影響を受け、形成される層
（あるいは膜）の平坦性が損なわれやすい。有機ＥＬ素
子を構成する層の平坦性が低下すると、発光ムラとなっ
て有機ＥＬ表示装置の性能低下を招きやすい。

【０００７】本発明は、上述する事情に鑑みてなされた
ものであり、バンクによって区画された領域内に平坦な
膜を容易かつ安定的に形成することができる電気光学装
置の製造方法及び電気光学装置の製造装置を提供するこ
とを目的とする。また、本発明は、性能が向上した電気
光学装置を提供することを目的とする。また、本発明
は、表示手段の性能が向上した電子機器を提供すること
を目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の電気光学装置の
製造方法は、バンクによって区画された領域に液体材料
を配置して膜を形成する工程を有する電気光学装置の製
造方法において、前記液体材料の配置の前に、前記液体
材料に対する動的接触角を指標として、前記バンクの表
面を撥液性に加工する撥液化工程を有することを特徴と
する。上記の電気光学装置の製造方法によれば、バンク
の表面を撥液性に加工する際に、動的接触角を指標とし
て用いることにより、撥液化の処理条件の管理が容易と
なる。そのため、膜の平坦化に対する撥液化の処理条件
の最適化が確実に行われる。なお、ここでいう撥液性と
は、バンクによって区画された領域に配置される液体材
料に対して非親和性をしめす特性である。

【０００９】具体的には、前記撥液化工程では、例え
ば、プラズマ処理によって前記バンクの表面を撥液性に
加工するとともに、前記動的接触角を指標として、プラ
ズマ処理の処理時間を管理するとよい。プラズマ処理の
処理時間を変化させることによって、バンク表面の撥液
性を制御することが可能である。また、プラズマ処理
は、原料の選択等によって、処理対象の表面に様々な特
性を与えることができるとともに、その制御を行いやす
い。

【００１０】上記電気光学装置の製造方法において、前
記撥液化工程では、前記動的接触角が２９°〜４５°の
範囲内になるように、処理条件を管理するのが好まし
い。動的接触角が２９°未満だと、撥液性が不十分とな
り、バンク近傍の膜厚が厚くなるので好ましくなく、動
的接触角が４５°を超えると、撥液性が高くなりすぎ
て、バンク近傍の膜厚が薄くなるので好ましくない。

【００１１】また、上記電気光学装置の製造方法におい
て、前記撥液化工程の前に、前記バンクの表面を親液性
に加工する親液化工程を有してもよい。撥液化の前にバ
ンクの表面を親液性に加工することにより、撥液化を促
進させることが可能となる。なお、ここでいう撥液性と
は、バンクによって区画された領域に配置される液体材
料に対して非親和性をしめす特性である。

【００１２】本発明の電気光学装置の製造装置は、バン
クによって区画された領域に液体材料を配置して膜を形
成する膜形成装置を備える電気光学装置の製造装置にお
いて、前記バンクの表面を撥液性に加工する撥液化装置
と、該撥液化装置によって撥液性に加工された物体の前
記液体材料に対する動的接触角を測定する測定装置とを
備えることを特徴とする。上記電気光学装置の製造装置
によれば、上記構成により、液体材料に対する動的接触
角を指標として、バンクの表面を撥液性に加工すること
ができる。この場合、前記測定装置の測定結果に基づい
て、前記撥液化装置の処理条件が管理されることによ
り、撥液化の処理条件の最適化が確実に行われ、バンク
の間に形成される膜が安定的に平坦化される。

【００１３】また、上記電気光学装置の製造装置におい
て、前記バンクの表面を撥液性に加工する前に、前記バ
ンクの表面を親液性に加工する親液化装置を備えてもよ
い。撥液化工程の前に、バンクの表面を親液性に加工す
ることにより、撥液化を促進させることが可能となる。

【００１４】本発明の電気光学装置は、上記電気光学装
置の製造装置を用いて製造されたことを特徴とする。上
記電気光学装置によれば、上述した製造装置を用いて電
気光学装置が製造されることから、バンクの間に形成さ
れる膜が安定的に平坦化されるので、その性能の向上が
図られる。

【００１５】本発明の電子機器は、上述した電気光学装
置を表示手段として備えることを特徴とする。上記電子
機器によれば、表示手段の性能の向上を図ることができ
る。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明について詳しく説明
する。図１は、本発明の電気光学装置としての有機ＥＬ
装置の製造方法を概念的に示す図である。本発明の有機
ＥＬ装置の製造方法は、バンク１０によって区画された
領域に液体材料を配置し、その液体材料を乾燥させて膜
１２を形成する工程（図１（ｂ））と、その液体材料の
配置の前に、バンク１０の表面を撥液性に加工する工程
（図１（ａ））とを有する。

【００１７】バンク１０は、基体上に設けられており、
例えば、樹脂等の有機物あるいは無機物からなる。ま
た、液体材料としては、有機ＥＬ装置に用いられる機能
層（発光層や正孔輸送層を含む）の形成材料など、水系
及び有機系のいずれも適用される。

【００１８】バンク１０による窪みの内部に、液体材料
によって膜（あるいは層）を形成する場合、液体材料が
バンク１０の表面（壁面）の影響を受け、膜の平坦性が
損なわれやすい。本発明者らは、この一般的な事実と、
バンク１０の間に膜を形成する場合、特に、バンク１０
の壁面の特性に応じて膜の平坦性が大きく変化するとい
う事実に着目し、鋭意検討の結果、バンク１０間に形成
される膜の平坦性は、液体材料に対するバンク１０壁面
の動的接触角θに関係することを解明し、この動的接触
角θを指標として用いることにより、本発明を完成し
た。

【００１９】すなわち、本発明においては、動的接触角
を指標として用いることにより、撥液化の処理条件の管
理を容易にしている。例えば、使用する液体材料に対し
て、膜の平坦化に最適な動的接触角の目標値を予め求め
ておき、以後、バンクの壁面がその動的接触角になるよ
うに、撥液化の処理条件を管理することで、平坦な膜を
容易かつ確実に得ることができる。つまり、実際に膜を
形成しなくても、バンクの動的接触角を測定すること
で、撥液処理後のバンク壁面の特性が膜の平坦化に適し
ているかどうかの判別が可能となり、撥液化の処理条件
の管理が容易となる。したがって、本発明の製造方法で
は、撥液化の処理条件が確実に最適化され、平坦な膜を
安定的に得ることが可能となる。

【００２０】撥液化の方法としては、例えば、プラズマ
処理法（プラズマ重合法）や、共析メッキ法の他に、金
チオールで撥液化する手法、あるいはＦＡＳ（フルオロ
アルキルシラン）で撥液処理する手法など、公知の様々
な手法が採用可能である。このうち、プラズマ処理法
は、原料の選択等によって、処理対象の表面に様々な特
性を与えることができるとともに、その制御を行いやす
いという利点を有する。

【００２１】上記プラズマ処理法では、例えば、テトラ
フルオロメタン（四フッ化炭素）などのフッ素系の処理
ガスをプラズマ化し、それを対象物体の表面に照射する
（ＣＦ4 プラズマ処理）。これにより、対象物体の表面
に、フッ素基が導入されて撥液性が付与される。なお、
処理ガスとしては、テトラフルオロメタン（四フッ化炭
素）に限らず、他のフルオロカーボン系のガスを用いて
もよい。さらに、液体材料に対する撥液性を付与可能な
ものであれば、フッ素系以外の処理ガスを用いてもよ
い。

【００２２】また、上記プラズマ重合法によって対象物
体の表面をフッ素化する場合、対象物体の種類によって
は、その表面を予め親液化あるいは活性化することによ
り、上記フッ素化を促進させることが可能である。こう
した前処理は、例えば、上述したプラズマ重合法におい
て、酸素を処理ガスとして用いることにより実施できる
（Ｏ2 プラズマ処理）。この場合、対象物体の表面に、
プラズマ状態の酸素を照射することにより、その表面が
親液化あるいは活性化される。

【００２３】また、上記プラズマ処理法によって、バン
クに撥液性を付与する場合、プラズマ処理の処理時間を
変化させることにより、液体材料に対するバンク表面の
動的接触角を制御することができる。例えば、プラズマ
状態の処理ガスをバンクの表面に照射する時間を長くす
ると、バンク表面の撥液性が向上し、その動的接触角が
大きくなる。したがって、バンク表面の動的接触角を測
定した結果に基づいて、プラズマ処理の処理時間を管理
することにより、バンク表面の動的接触角を、膜の平坦
化に最適な動的接触角に近づけることができる。

【００２４】動的接触角については、その測定法がいく
つか知られているが、測定対象の物体表面に液滴を形成
するとともに、その液滴を変形させ、その変形時の液滴
周辺部の接触角（前進接触角、後退接触角）を求めるも
のが一般的である。この場合、接触角は、例えばＣＣＤ
カメラなどの観察手段で観察し、その観察結果を解析す
ることにより求めることができる。

【００２５】図２は、動的接触角の測定例を示してお
り、この例では、測定対象の物体１５をステージ１６上
に載置し、物体１５上に液滴を作成し、その液滴にニー
ドル１７を接触させる。その後、ニードル１７をその場
に固定したままでステージ１６を移動させる。このと
き、ステージ１６の移動方向における物体１５の端部の
接触角が動的接触角θ（この例では後退接触角）とな
る。

【００２６】また、動的接触角の測定において、バンク
を直接測定するのではなく、測定対象として、少なくと
も表面部分がバンクと同一材料及び特性を有する物体を
用いて間接的に測定してもよい。例えば、バンクと同一
材料からなる物体の表面を、バンクと同一処理条件で撥
液性に加工し、その処理後の物体表面について、動的接
触角を測定する。これにより、撥液処理後のバンク表面
の動的接触角を間接的に測定することが可能となる。間
接的な測定を用いる場合、有機ＥＬ装置の製造過程にお
いて、その製造処理を中断させることなく、バンクの撥
液性についての確認や、処理条件の管理が可能となる。
そのため、平坦な膜がより安定的に得られる。

【００２７】図３は、本発明の電気光学装置としての有
機ＥＬ装置の製造装置を概念的に示す図である。本発明
の有機ＥＬ装置の製造装置２０は、バンク１０の表面
（壁面）を撥液性に加工する撥液化装置２１と、液体材
料に対する動的接触角を測定する測定装置２２と、バン
ク１０によって区画された領域に液体材料を配置して膜
を形成する膜形成装置２３と、これらを統括的に制御す
る制御装置２４とを備え、上述した本発明の製造方法に
基づいて、有機ＥＬ装置を製造する。つまり、膜形成装
置２３による液体材料の配置の前に、その液体材料に対
する動的接触角を指標として、撥液化装置２１によって
バンク１０の表面を撥液性に加工する。

【００２８】上記製造装置２０では、例えば、膜の平坦
化に最適な動的接触角の目標値が制御装置２４に記憶さ
れている。測定装置２２は、バンク表面の動的接触角を
測定し、その測定結果を制御装置２４に送る。制御装置
２４は、撥液処理後のバンク表面の動的接触角が目標値
に近づくように、処理時間などの撥液化装置２１の処理
条件を定める。なお、動的接触角の測定時、バンクを直
接測定するのではなく、バンクと同一材料からなる物体
を代わりに用いて動的接触角を測定してもよい。撥液化
の処理条件が決定すると、その処理条件に基づいて、撥
液化装置２１により、バンク表面を撥液性に加工する。

【００２９】バンク表面を撥液性に加工した後、膜形成
装置２３によって撥液処理後のバンクの内部に液体材料
を配置する。このとき、バンク表面の撥液性が所望の動
的接触角に加工されているので、バンク間に形成される
膜１２（あるいは層）は良好に平坦化される。なお、平
坦な膜を安定的に得ることを目的として、撥液処理後の
バンク表面（またはそれに代わる物体表面）の動的接触
角を随時測定し、目標値から離れないように撥液化装置
２１の処理条件を管理するのが好ましい。

【００３０】このように、本発明の有機ＥＬ装置の製造
装置２０では、測定装置２２によるバンク表面の動的接
触角の測定結果に基づいて、撥液化装置２１の処理条件
を管理することにより、膜形成装置２３によって得られ
る膜が安定的に平坦化される。なお、撥液化装置２１の
前段に、バンク表面を親液性に加工する親液化装置を備
えることで、撥液化の促進を図ることが可能である。

【００３１】ここで、上記膜形成装置における液体材料
の配置技術、すなわち、バンクによる窪みの内部に液体
材料を配置する技術としては、液滴吐出法（いわゆるイ
ンクジェット法）、ディスペンスコート法、あるいはス
ピンコート法など、各種コート法の適用が可能である。
上記コート法のうち、液滴吐出法は、材料の使用に無駄
が少なく、しかも所望の位置に所望の量の材料を的確に
配置できるという利点を有する。

【００３２】液滴吐出技術（インクジェット法）として
は、帯電制御方式、加圧振動方式、電気機械変換式、電
気熱変換方式、静電吸引方式などが挙げられる。帯電制
御方式は、材料に帯電電極で電荷を付与し、偏向電極で
材料の飛翔方向を制御してノズルから吐出させるもので
ある。また、加圧振動方式は、材料に超高圧を印加して
ノズル先端側に材料を吐出させるものであり、制御電圧
をかけない場合には材料が直進してノズルから吐出さ
れ、制御電圧をかけると材料間に静電的な反発が起こ
り、材料が飛散してノズルから吐出されない。また、電
気機械変換方式（ピエゾ方式）は、ピエゾ素子（圧電素
子）がパルス的な電気信号を受けて変形する性質を利用
したもので、ピエゾ素子が変形することによって材料を
貯留した空間に可撓物質を介して圧力を与え、この空間
から材料を押し出してノズルから吐出させるものであ
る。また、電気熱変換方式は、材料を貯留した空間内に
設けたヒータにより、材料を急激に気化させてバブル
（泡）を発生させ、バブルの圧力によって空間内の材料
を吐出させるものである。静電吸引方式は、材料を貯留
した空間内に微小圧力を加え、ノズルに材料のメニスカ
スを形成し、この状態で静電引力を加えてから材料を引
き出すものである。また、この他に、電場による流体の
粘性変化を利用する方式や、放電火花で飛ばす方式など
の技術も適用可能である。

【００３３】図４は、本発明の電気光学装置をアクティ
ブマトリクス型の表示装置（有機ＥＬ表示装置）に適用
した実施の形態例であり、上記本発明の製造装置を用い
て製造される有機ＥＬ素子を発光素子として備える。ま
た、この表示装置は、薄膜トランジスタを用いたアクテ
ィブ型の駆動方式を採用している。

【００３４】表示装置１００は、基板１２１の上に、回
路素子としての薄膜トランジスタを含む回路素子部１４
６、発光層を含む発光部１４０、陰極１５４、及び封止
部１４７等を順次積層した構造からなる。

【００３５】基板１２１としては、本例ではガラス基板
が用いられる。本発明における基板としては、ガラス基
板の他に、シリコン基板、石英基板、セラミックス基
板、金属基板、プラスチック基板、プラスチックフィル
ム基板等、電気光学装置や回路基板に用いられる公知の
様々な基板が適用される。

【００３６】基板１２１上には、発光領域としての複数
の画素領域１０２がマトリクス状に配列されており、カ
ラー表示を行う場合、例えば、赤（Ｒｅｄ）、緑（Ｇｒ
ｅｅｎ）、青（Ｂｌｕｅ）の各色に対応する画素領域１
０２が所定の配列で並ぶ。各画素領域１０２には、画素
電極１４１が配置され、その近傍には信号線１３２、共
通給電線１３３、走査線１３１及び図示しない他の画素
電極用の走査線等が配置されている。画素領域１０２の
平面形状は、図に示す矩形の他に、円形、長円形など任
意の形状が適用可能である。

【００３７】封止部１４７は、水や酸素の侵入を防いで
陰極１５４あるいは発光部１４０の酸化を防止するもの
であり、基板１２１に塗布される封止樹脂、及び基板１
２１に貼り合わされる封止基板（封止缶）１４８等を含
む。封止樹脂の材料としては、例えば、熱硬化樹脂ある
いは紫外線硬化樹脂等が用いられ、特に、熱硬化樹脂の
１種であるエポキシ樹脂が好ましく用いられる。封止基
板１４８は、ガラスや金属等からなり、基板１２１と封
止基板１４８とはシール剤を介して張り合わされてい
る。基板１２１の内側には乾燥剤が配置されており、基
板間に形成された空間にはＮ2ガスを充填したＮ2ガス充
填層１４９が形成されている。

【００３８】画素領域１０２には、走査線１３１を介し
て走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用の
第１の薄膜トランジスタ１４２と、この薄膜トランジス
タ１４２を介して信号線１３２から供給される画像信号
を保持する保持容量１４５と、保持容量１４５によって
保持された画像信号がゲート電極に供給される駆動用の
第２の薄膜トランジスタ１４３と、この薄膜トランジス
タ１４３を介して共通給電線１３３に電気的に接続した
ときに共通給電線１３３から駆動電流が流れ込む画素電
極１４１（陽極）と、画素電極１４１と対向電極１５４
（陰極）との間に挟み込まれる発光部１４０とが設けら
れている。発光部１４０は、発光層としての有機ＥＬ層
を含む層（機能層）を含み、発光素子である有機ＥＬ素
子は、画素電極１４１、陰極１５４、及び発光部１４０
等を含んで構成される。

【００３９】画素領域１０２では、走査線１３１が駆動
されて第１の薄膜トランジスタ１４２がオンとなると、
そのときの信号線１３２の電位が保持容量１４５に保持
され、この保持容量１４５の状態に応じて、第２の薄膜
トランジスタ１４３の導通状態が決まる。また、第２の
薄膜トランジスタ１４３のチャネルを介して共通給電線
１３３から画素電極１４１に電流が流れ、さらに発光部
１４０を通じて対向電極１５４に電流が流れる。そし
て、このときの電流量に応じて、発光部１４０が発光す
る。

【００４０】本例の表示装置１００においては、発光部
１４０から基板１２１側に発した光が、回路素子部１４
６及び基板１２１を透過して基板１２１の下側（観測者
側）に出射されるとともに、発光部１４０から基板１２
１の反対側に発した光が陰極１５４により反射されて、
その光が回路素子部１４６及び基板１２１を透過して基
板１２１の下側（観測者側）に出射される（バックエミ
ッション型）。なお、陰極１５４として、透明な材料を
用いることにより陰極側から発光する光を出射させるこ
ともできる（トップエミッション型）。この場合、陰極
用の透明な材料としては、ＩＴＯ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｎｉ、
もしくはＰｄを用いる事ができる。また、陰極の膜厚と
しては７５ｎｍほどが好ましく、この膜厚よりも薄くし
た方がより好ましい。

【００４１】図５は、上記表示装置１００における画素
領域１０２近傍の断面構造を拡大した図である。この図
５には３つの画素領域１０２が示されている。回路素子
部１４６には、基板１２１上にシリコン酸化膜からなる
下地保護膜２０１が形成され、この下地保護膜２０１上
に多結晶シリコンからなる島状の半導体膜２０４が形成
されている。なお、半導体膜２０４には、ソース領域２
０４ａ及びドレイン領域２０４ｂが高濃度Ｐイオン打ち
込みにより形成されている。また、Ｐが導入されなかっ
た部分がチャネル領域２０４ｃとなっている。

【００４２】さらに、回路素子部１４６には、下地保護
膜２０１及び半導体膜２０４を覆う透明なゲート絶縁膜
２２０が形成され、ゲート絶縁膜２２０上にはＡｌ、Ｍ
ｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ等からなるゲート電極２２９（走査
線）が形成され、ゲート電極２２９及びゲート絶縁膜２
２０上には透明な第１層間絶縁膜２５０と第２層間絶縁
膜２７０が形成されている。ゲート電極２２９は半導体
膜２０４のチャネル領域２０４ｃに対応する位置に設け
られている。また、第１、第２層間絶縁膜２５０、２７
０を貫通して、半導体膜２０４のソース、ドレイン領域
２０４ａ、２０４ｂにそれぞれ接続されるコンタクトホ
ール２７５、２７６が形成されている。

【００４３】第２層間絶縁膜２７０上には、ＩＴＯ等か
らなる透明な画素電極１４１が所定の形状にパターニン
グされて形成され、一方のコンタクトホール２７５がこ
の画素電極１４１に接続されている。また、もう一方の
コンタクトホール２７６が給電線１３３に接続されてい
る。このように、回路素子部１４６には、各画素電極１
４１に接続された駆動用の薄膜トランジスタ１４３が形
成されている。なお、回路素子部１４６には、前述した
保持容量１４５及びスイッチング用の薄膜トランジスタ
１４２も形成されているが、図５ではこれらの図示を省
略している。

【００４４】発光部１４０は、複数の画素電極１４１…
上の各々の上に積層された機能層２９０と、各画素電極
１４１及び機能層２９０の間に備えられて各機能層２９
０を区画するバンク２８１とを主体に構成されている。
また、機能層２９０上には陰極１５４が配置されてい
る。発光素子である有機ＥＬ素子は、画素電極１４１、
陰極１５４、及び機能層２９０等を含んで構成される。
ここで、画素電極１４１は、例えばＩＴＯにより形成さ
れており、平面視略矩形にパターニングされて形成され
ている。この画素電極１４１の厚さは、５０〜２００ｎ
ｍの範囲が好ましく、１５０ｎｍ程度がよい。また、各
画素電極１４１…の間には、バンク２８１が備えられて
いる。

【００４５】図６は、バンク２８１の平面構造の形態例
を示している。バンク２８１は、複数の画素領域１０２
の境界に位置し、複数の画素領域１０２の配列に対応し
て開口を有して形成されている。図６（ａ）の例では、
バンク２８１は、マトリクス状に配列される複数の画素
領域１０２に対応して格子状に設けられている。また、
図６（ｂ）の例では、バンク２８１は、ストライプ状に
配列される複数の画素領域１０２に対応してストライプ
状に設けられている。なお、画素領域１０２の配列及び
バンク２８１の平面形状はこれに限定されず、例えば一
列ごとにずれた配列となるいわゆるデルタ配列の画素領
域とそれに応じたバンク形状としてもよい。本例では、
バンク２８１は図６（ａ）に示す格子状の平面構造から
なる。

【００４６】図５に戻り、バンク２８１は、アクリル樹
脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶媒性のあるレジス
トから形成された有機物層からなる。このバンク２８１
の厚さ（高さ）は、例えば、０．１〜３．５μｍ程度に
設定される。厚さが０．１μｍ未満では、後述する正孔
注入／輸送層及び発光層の合計厚よりバンク２８１が薄
くなりやすく、発光層がバンク２８１の上部から溢れる
おそれがあるので好ましくない。また、厚さが３．５μ
ｍを越えると、バンク２８１によって形成される段差が
大きくなり、バンク２８１上に形成される陰極１５４の
ステップガバレッジを確保できなくなるので好ましくな
い。また、バンク２８１の厚さを２μｍ以上にすれば、
駆動用の薄膜トランジスタ１４３との絶縁を高めること
ができる点でより好ましい。なお、上記バンクの厚さは
一例であり、本発明はこれに限定されるものではない。

【００４７】また、バンク２８１は、有機物からなるも
のに限らず、他の材料を用いてもよい。例えば、無機物
のバンク層の上に有機物のバンク層を積層した構成とし
てもよい。この場合、無機物のバンク層としては、例え
ば、窒化珪素、酸化窒化珪素、窒化チタン、窒化タンタ
ル等が用いられる。有機物のバンク層の下に無機物のバ
ンク層を設けることにより、有機物のバンク層を通過し
た金属（例えば、アルカリ金属（可動イオン））が薄膜
トランジスタに侵入するのを防止することができる。な
お、バンク２８１が多層に積層された構成である場合、
積層したそれぞれの層が上述した特性（撥液性）を有す
る必要はなく、少なくともいずれか一層（例えば最上層
のバンク層のみ）が撥液性を有していればよい。

【００４８】また、バンク２８１は、液体材料に対する
動的接触角を指標として、その表面（壁面及び上面）が
撥液性に加工されている。撥液性を示す領域は、４フッ
化メタン、テトラフルオロメタン、もしくは四フッ化炭
素を処理ガスとするプラズマ処理によって表面がフッ化
処理（撥液性に処理）されている。本例では、バンク２
８１表面の動的接触角（後退接触角）が２９°〜４５°
の範囲内になっている。

【００４９】機能層２９０は、画素電極１４１上に積層
された正孔注入／輸送層２９０ａと、正孔注入／輸送層
２９０ａ上に隣接して形成された発光層２９０ｂとから
構成されている。なお、発光層２９０ｂに隣接してその
他の機能を有する他の機能層をさらに形成してもよい。
例えば、電子輸送層を形成してもよい。

【００５０】正孔注入／輸送層２９０ａは、正孔を発光
層２９０ｂに注入する機能を有するとともに、正孔を正
孔注入／輸送層２９０ａの内部において輸送する機能を
有する。このような正孔注入／輸送層２９０ａを画素電
極１４１と発光層２９０ｂの間に設けることにより、発
光層２９０ｂの発光効率、寿命等の素子特性が向上す
る。また、発光層２９０ｂでは、正孔注入／輸送層２９
０ａから注入された正孔と、陰極１５４から注入される
電子が再結合し、発光が得られる。

【００５１】発光層２９０ｂは、赤色（Ｒ）に発光する
赤色発光層２９０ｂ1、緑色（Ｇ）に発光する緑色発光
層２９０ｂ2、及び青色（Ｂ）に発光する青色発光層２
９０ｂ3、の３種類を有し、各発光層２９０ｂ1〜２９０
ｂ3がストライプ配置されている。

【００５２】正孔注入／輸送層２９０ａの形成材料とし
ては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン等のポ
リチオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸等の混合
物を用いることができる。また、この他にも、特に限定
されることなく公知の様々な材料が使用可能であり、例
えばピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチル
ベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体等が挙げられ
る。これらの具体的な内容は、例えば、特開昭６３−７
０２５７号、同６３−１７５８６０号公報、特開平２−
１３５３５９号、同２−１３５３６１号、同２−２０９
９８８号、同３−３７９９２号、同３−１５２１８４号
公報などに記載されている。さらに、正孔注入／輸送層
の形成材料として、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）や、
ポリテトラヒドロチオフェニルフェニレンであるポリフ
ェニレンビニレン、１，１−ビス−（４−Ｎ，Ｎ−ジト
リルアミノフェニル）シクロヘキサン、トリス（８−ヒ
ドロキシキノリノール）アルミニウム等も適用される。

【００５３】また、発光層２９０ｂの材料としては、例
えば、［化１］〜［化５］に示す（ポリ）パラフェニレ
ンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフルオ
レン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン
誘導体、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン
系色素、またはこれらの高分子材料にルブレン、ペリレ
ン、９，１０-ジフェニルアントラセン、テトラフェニ
ルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリド
ン等をドープして用いることができる。

【００５４】

【化１】

【００５５】

【化２】

【００５６】

【化３】

【００５７】

【化４】

【００５８】

【化５】

【００５９】陰極１５４は、発光部１４０の全面に形成
されており、画素電極１４１と対になって機能層２９０
に電流を流す役割を果たす。この陰極１５４は、例え
ば、カルシウム層とアルミニウム層とが積層されて構成
されている。このとき、発光層に近い側の陰極には仕事
関数が低いものを設けることが好ましく、特にこの形態
においては発光層２９０ｂに直接に接して発光層２９０
ｂに電子を注入する役割を果たす。また、フッ化リチウ
ムは発光層の材料によっては効率よく発光させるため
に、発光層２９０ｂと陰極１５４との間にＬｉＦを形成
する場合もある。なお、赤色及び緑色の発光層２９０ｂ
1、２９０ｂ2にはフッ化リチウムに限らず、他の材料を
用いてもよい。従ってこの場合は青色（Ｂ）発光層２９
０ｂ3のみにフッ化リチウムからなる層を形成し、他の
赤色及び緑色の発光層２９０ｂ1、２９０ｂ2にはフッ化
リチウム以外のものを積層してもよい。また、赤色及び
緑色の発光層２９０ｂ1、２９０ｂ2上にはフッ化リチウ
ムを形成せず、カルシウムのみを形成してもよい。この
場合、フッ化リチウムの厚さは、例えば２〜５ｎｍの範
囲が好ましく、特に２ｎｍ程度がよい。またカルシウム
のの厚さは、例えば２〜５０ｎｍの範囲が好ましい。ま
た、陰極１５４を形成するアルミニウムは、発光層２９
０ｂから発した光を基板１２１側に反射させるもので、
Ａｌ膜の他、Ａｇ膜、ＡｌとＡｇの積層膜等からなるこ
とが好ましい。また、その厚さは、例えば１００〜１０
００ｎｍの範囲が好ましく、特に２００ｎｍ程度がよ
い。さらにアルミニウム上にＳｉＯ、ＳｉＯ2、ＳｉＮ
等からなる酸化防止用の保護層を設けてもよい。

【００６０】次に、上記有機ＥＬ素子（及び有機ＥＬ表
示装置）の製造方法の一例について、特に、（１）プラ
ズマ処理工程、（２）正孔注入／輸送層形成工程、
（３）発光層形成工程、（４）対向電極（陰極）形成工
程について、図７〜図１７を参照しながら、詳しく説明
する。

【００６１】（１）プラズマ処理工程 プラズマ処理工程には、回路素子としての薄膜トランジ
スタ１４３、画素電極１４１、及びバンク２８１が形成
された基板１２１が投入される。プラズマ処理工程は、
画素電極１４１の表面を活性化すること、バンク２８１
の表面を表面処理することなどを目的としており、画素
電極１４１の表面の親液化処理や、バンク２８１表面の
撥液化処理を行う。

【００６２】プラズマ処理工程は、（ａ）予備加熱工
程、（ｂ）活性化工程（親液化工程）、（ｃ）撥液化工
程、及び（ｄ）冷却工程に大別される。なお、これに限
らず、必要に応じて工程を追加あるいは削除してもよ
い。

【００６３】図７は、プラズマ処理工程で用いられるプ
ラズマ処理装置の構成例を模式的に示している。プラズ
マ処理装置５０は、予備加熱処理室５１、第１プラズマ
処理室５２、第２プラズマ処理室５３、冷却処理室５
４、及びこれらの各処理室５１〜５４に基板を搬送する
搬送装置５５を含む。本例では、各処理室５１〜５４
は、搬送装置５５を中心として放射状に配置されてい
る。

【００６４】プラズマ処理装置では、まず、予備加熱処
理室５１において基板の予備加熱を行い、次に、第１，
第２プラズマ処理室５２，５３において、活性化処理及
び撥液化処理を行う。撥液化処理の後、基板を冷却処理
室５４に搬送し、基板を室温まで冷却する。以下、各処
理について詳細に説明する。

【００６５】（ａ）予備加熱工程 予備加熱工程では、予備加熱処理室５１において、バン
クを含む基板を所定の温度に加熱する。加熱温度は、次
工程であるプラズマ処理の処理温度と同程度に設定さ
れ、例えば７０〜８０℃である。予備加熱は、次のプラ
ズマ処理において、基板の温度変動を抑制し、処理の均
一性を高めることを主な目的としている。加熱手段とし
ては、例えば、基板が搭載されるプレート（ステージ）
にヒータが内蔵された構成のものが用いられる。

【００６６】（ｂ）活性化工程 活性化工程では、基板に対して、大気雰囲気中で酸素を
処理ガスとしてプラズマ処理（Ｏ2プラズマ処理）を行
う。Ｏ2プラズマ処理は、画素電極の仕事関数の調整及
び制御、画素電極表面の洗浄、及び画素電極表面の親液
化などを目的としている。また、Ｏ2プラズマ処理によ
り、画素電極とともにバンク表面が親液化され、次の撥
液化工程において、バンクの撥液化が促進される。

【００６７】図８は、第１プラズマ処理装置５２の要部
構成を模式的に示した図である。図８において、バンク
を含む基板１２１は加熱ヒータ内臓の試料ステージ５６
上に載置され、基板１２１の上側には所定のギャップ間
隔（例えば０．５〜２ｍｍ程度）の距離をおいてプラズ
マ放電電極５７が基板１２１に対向して配置される。基
板１２１は、試料ステージ５６によって加熱されるとと
もに、試料ステージ５６を介して図示矢印方向に所定の
搬送速度で搬送される。この搬送中、基板１２１に対し
てプラズマ状態の酸素が照射される。

【００６８】Ｏ2プラズマ処理の処理条件は、例えば、
プラズマパワー１００〜８００ｋＷ、酸素ガス流量５０
〜１００ｍｌ/ｍｉｎ、搬送速度０．５〜１０ｍｍ／ｓ
ｅｃ、基板温度７０〜９０℃である。なお、試料ステー
ジ５６の加熱は、主として予備加熱された基板の保温の
ために行われる。また、処理雰囲気は、大気雰囲気に限
らず、例えば真空下としてもよい。

【００６９】Ｏ2プラズマ処理により、図９に示すよう
に、画素電極１４１の電極面、バンク２８１の壁面及び
上面が親液処理される。つまり、これらの各面に水酸基
が導入されて親液性が付与される。図９では、親液処理
された部分を一点鎖線で示している。なお、このＯ2プ
ラズマ処理により、上述した画素電極の洗浄、仕事関数
の調整も行われる。

【００７０】（ｃ）撥液処理工程 撥液化工程では、基板に対して、大気雰囲気中でテトラ
フルオロメタンを処理ガスとするプラズマ処理（ＣＦ4
プラズマ処理）を行う。第２プラズマ処理室５３（図７
参照）の要部構成は、図８に示した第１プラズマ処理室
５２とほぼ同じである。すなわち、試料ステージによっ
て基板が加熱及び搬送され、基板に対してプラズマ状態
のテトラフルオロメタン（四フッ化炭素）が照射され
る。

【００７１】ＣＦ4プラズマ処理の処理条件は、例え
ば、プラズマパワー１００〜８００ｋＷ、４フッ化メタ
ンガス流量５０〜１００ｍｌ/ｍｉｎ、基板搬送速度
０．５〜１０ｍｍ／ｓｅｃ、基板温度７０〜９０℃であ
る。他の処理条件が一定のとき、基板の搬送速度を変化
させることにより、プラズマ処理の処理時間を変化させ
ることができる。本例では、正孔注入／輸送層を形成す
るための液体材料（後述する第１組成物）に対するバン
ク表面の動的接触角を指標として、プラズマ処理の処理
時間を管理する。

【００７２】具体的には、上記液体材料に対するバンク
表面の動的接触角としての後退接触角が２９°〜４５°
の範囲内になるように、上記処理時間を管理する。上記
後退接触角の目標値は、正孔注入／輸送層の平坦化に最
適となるように予め求められたものである。バンク表面
の後退接触角が２９°未満だと、撥液性が不十分とな
り、正孔注入／輸送層のバンク近傍の膜厚が厚くなるの
で好ましくない。また、後退接触角が４５°を超える
と、撥液性が高くなりすぎて、正孔注入／輸送層のバン
ク近傍の膜厚が薄くなるので好ましくない。なお、試料
ステージの加熱は、第１プラズマ処理室と同様に、主と
して予備加熱された基板の保温のために行われる。ま
た、処理ガスは、テトラフルオロメタン（四フッ化炭
素）に限らず、他のフルオロカーボン系のガスを用いて
もよい。また、処理雰囲気は、大気雰囲気に限らず、例
えば真空下としてもよい。

【００７３】ＣＦ4プラズマ処理により、図１０に示す
ように、バンク２８１の壁面及び上面が撥液処理され
る。つまり、これらの各面にフッ素基が導入されて撥液
性が付与される。図１０では、撥液性を示す領域を二点
鎖線で示している。バンク２８１を構成するアクリル樹
脂、ポリイミド樹脂等の有機物はプラズマ状態のフルオ
ロカーボンが照射することで容易に撥液化する。また、
この撥液化の前に、Ｏ2プラズマに親液化処理するとフ
ッ素化されやすい、という特徴を有している。なお、画
素電極１４１の電極面もこのＣＦ4プラズマ処理の影響
を多少受けるが、濡れ性に影響を与える事は少ない。図
１０では、親液性を示す領域を一点鎖線で示している。

【００７４】（ｄ）冷却工程 冷却工程では、冷却処理室５４（図７参照）において、
プラズマ処理後の基板を所定の温度まで冷却する。基板
の冷却は、次の正孔注入／輸送層形成工程において、基
板の温度変動を抑制し、処理の均一性を高めることを主
な目的としており、室温あるいは正孔注入／輸送層形成
工程における所定の管理温度まで基板を冷却する。冷却
手段としては、例えば、基板が搭載されるプレート（ス
テージ）に冷却装置が内蔵された構成のものが用いられ
る。

【００７５】（２）正孔注入／輸送層形成工程 次に、正孔注入／輸送層形成工程では、液滴吐出法（イ
ンクジェット法）を用いることにより、正孔注入／輸送
層の形成材料を含む第１組成物を画素電極１４１上に吐
出する。その後、乾燥処理及び熱処理を行い、画素電極
１４１上に正孔注入／輸送層を形成する。この正孔注入
／輸送層形成工程を含めこれ以降の工程は、水、酸素の
無い雰囲気とするのが好ましい。例えば、窒素雰囲気、
アルゴン雰囲気等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ま
しい。

【００７６】インクジェット法による層の形成方法は以
下の通りである。図１１に示すように、画素電極１４１
の周囲には画素領域１０２を区画するバンク２８１が形
成されており、このバンク２８１の開口位置にインクジ
ェットヘッドＨ１の吐出ノズルＨ２を配置する。そし
て、インクジェットヘッドＨ１と基板１２１とを相対的
に移動させながら、吐出ノズルＨ２から１滴当たりの液
量が制御された第１組成物の液滴を画素電極１４１上に
吐出する。

【００７７】吐出された第１組成物の液滴は、親液処理
された画素電極１４１の電極面上に広がり、バンク２８
１間に充填される。本例では、バンク２８１表面（壁面
及び上面）が撥液性に加工されているので、仮に、第１
組成物が所定の吐出位置から外れてバンク２８１の上面
に吐出されたとしても、その上面で第１組成物の液滴が
はじかれ、バンク２８１間に転がり込む。

【００７８】液滴吐出用の装置として、本例では、上述
した電気機械変換方式（ピエゾ方式）を用いた膜形成装
置が用いられる。図１２は、ピエゾ方式による液体材料
の吐出原理を説明するための図である。図１１におい
て、液体材料を収容する液体室３２０に隣接してピエゾ
素子３２１が設置されている。液体室３２０には、液体
材料を収容する材料タンクを含む液体材料供給系３２２
を介して液体材料が供給される。ピエゾ素子３２１は駆
動回路３２３に接続されており、この駆動回路３２３を
介してピエゾ素子３２１に電圧を印加し、ピエゾ素子３
２１を変形させることにより、液体室３２０が変形し、
ノズル３２４から液体材料が吐出される。この場合、印
加電圧の値を変化させることにより、ピエゾ素子３２１
の歪み量が制御される。また、印加電圧の周波数を変化
させることにより、ピエゾ素子３２１の歪み速度が制御
される。ピエゾ方式による液滴吐出は材料に熱を加えな
いため、材料の組成に影響を与えにくいという利点を有
する。

【００７９】上記第１組成物としては、例えば、ポリエ
チレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）等のポリチオ
フェン誘導体とポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）等の
混合物を、極性溶媒に溶解させた組成物を用いることが
できる。極性溶媒としては、例えば、イソプロピルアル
コール（ＩＰＡ）、ノルマルブタノール、γ−ブチロラ
クトン、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、１，３−ジ
メチル−２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）及びその誘導
体、カルビト−ルアセテート、ブチルカルビト−ルアセ
テート等のグリコールエーテル類等を挙げることができ
る。

【００８０】より具体的な第１組成物の組成としては、
例えば、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ混合物：７．２５重量％、
水：５２．７５重量％、メタノール：５重量％、ＩＰ
Ａ：５重量％、ＤＭＩ：５０重量％、γ−グリジルオキ
シプロピルトリメトキシシラン：０・０８重量％であ
る。また、第１組成物の粘度は２〜２０Ｐｓ程度が好ま
しい。なお、本発明において、第１組成物の組成は上記
例に限定されるものではない。また、正孔注入／輸送層
の形成材料として、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各
発光層に対して同じ材料を用いてもよく、各発光層ごと
に変えてもよい。

【００８１】第１組成物の吐出量は、バンクによる窪み
（開口）の大きさ、形成しようとする正孔注入／輸送層
の厚さ、第１組成物中の正孔注入／輸送層形成材料の濃
度等により決定される。また、第１組成物を一度にバン
ク間に配置してもよく、数回に分けて配置してもよい。
この場合、各回における第１組成物の量は同一でもよ
く、各回ごとにその量を変えてもよい。さらに、ある画
素電極に対して毎回同じ位置から第１組成物を吐出して
もよく、各回ごとに位置をずらしながら吐出してもよ
い。

【００８２】続いて、図１３に示すように、画素電極１
４１上に配置された第１組成物を乾燥させる。すなわ
ち、第１組成物に含まれる極性溶媒を蒸発させ、画素電
極１４１上に正孔注入／輸送層２９０ａを形成する。本
例では、バンク２８１表面（壁面及び上面）が撥液性に
加工され、正孔注入／輸送層の平坦化に最適な動的接触
角（後退接触角）になっているので、乾燥処理後におい
て、バンク２８１の間に均一な厚さの正孔注入／輸送層
２９０ａが形成される。

【００８３】乾燥処理は、例えば窒素雰囲気中、室温で
圧力を例えば１３３．３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）程度にして
行う。圧力が低すぎると第１組成物の液滴が突沸するの
で好ましくない。また、温度を室温以上にすると、極性
溶媒の蒸発速度が高まり、平坦な膜を形成する事が困難
となりやすい。また、乾燥処理後、窒素中、好ましくは
真空中で２００℃で１０分程度加熱する熱処理を行うと
よい。これにより、正孔注入／輸送層２９０ａ内に残存
する極性溶媒や水を除去することができる。

【００８４】（３）発光層形成工程 次に、発光層形成工程では、図１４に示すように、上記
正孔注入／輸送層形成工程と同様に、液滴吐出法（イン
クジェット法）を用いることにより、各色（例えばここ
では青色（Ｂ））の発光層の形成材料を含む第２組成物
を正孔注入／輸送層２９０ａ上に吐出する。

【００８５】すなわち、バンク２８１の開口位置にイン
クジェットヘッドＨ３の吐出ノズルＨ４を配置し、イン
クジェットヘッドＨ３と基板１２１とを相対的に移動さ
せながら、吐出ノズルＨ４から１滴当たりの液量が制御
された第２組成物の液滴を正孔注入／輸送層２９０ａ上
に吐出する。

【００８６】発光層形成材料としては、［化１］〜［化
５］に示すポリフルオレン系高分子誘導体や、（ポリ）
パラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導
体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、
ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、
あるいは上記高分子に有機ＥＬ材料をドープして用いる
事ができる。例えば、ルブレン、ペリレン、９，１０-
ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、
ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等をドープす
ることにより用いることができる。

【００８７】第２組成物の吐出量は、バンクによる窪み
（開口）の大きさ、形成しようとする発光層の厚さ、第
２組成物中の発光層形成材料の濃度等により決定され
る。また、第２組成物を一度にバンク間に配置してもよ
く、数回に分けて配置してもよい。この場合、各回にお
ける第１組成物の量は同一でもよく、各回ごとにその量
を変えてもよい。さらに、ある画素電極に対して毎回同
じ位置から第１組成物を吐出してもよく、各回ごとに位
置をずらしながら吐出してもよい。

【００８８】続いて、図１５に示すように、画素電極１
４１上に配置された第２組成物を乾燥させる。すなわ
ち、第２組成物に含まれる溶媒（非極性溶媒）を蒸発さ
せ、正孔注入／輸送層２９０ａ上に発光層２９０ｂ（青
色（Ｂ）の発光層２９０ｂ3）を形成する。また、図１
６に示すように、青色の発光層２９０ｂ3と同様に、正
孔注入／輸送層２９０ａ上に、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）
の発光層２９０ｂ1、２９０ｂ2を形成する。なお、青色
の発光層２９０ｂ3の場合、乾燥処理は、例えば、窒素
雰囲気中、室温で圧力を１３３．３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）
程度として５〜１０分行う条件とする。緑色の発光層２
９０ｂ2、及び赤色の発光層２９０ｂ1の場合、発光層形
成材料の成分数が多いために素早く乾燥させることが好
ましく、例えば、４０℃で窒素の吹き付けを５〜１０分
行う条件とするとよい。その他の乾燥の手段として、遠
赤外線照射法、高温窒素ガス吹付法等を用いてもよい。

【００８９】（４）対向電極（陰極）形成工程 次に対向電極（陰極）形成工程では、図１７に示すよう
に、発光層２９０ｂ及びバンク２８１の全面に陰極１５
４（対向電極）を形成する。陰極１５４は複数の材料を
積層して形成してもよい。例えば、発光層に近い側には
仕事関数が小さい材料を形成することが好ましく、例え
ばＣａ、Ｂａ等を用いることが可能であり、また材料に
よっては下層にＬｉＦ等を薄く形成した方がよい場合も
ある。また、上部側（封止側）には下部側よりも仕事関
数が高い材料、例えばＡｌを用いる事もできる。フッ化
リチウムは、発光層２９０ｂ上のみに形成してもよく、
さらに所定の色に対応して形成する事ができる。例え
ば、青色（Ｂ）発光層２９０ｂ3上のみに形成してもよ
い。この場合、他の赤色（Ｒ）発光層及び緑色（Ｇ）発
光層２９０ｂ1、２９０ｂ2には、カルシウムからなる上
部陰極層が接することとなる。これらの陰極１５４は、
例えば蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等を用いて形成す
ることが可能であるが、熱による発光層２９０ｂの損傷
を防止する上で、本例では蒸着法を用いる。また、陰極
１５４の上部には、Ａｌ膜、Ａｇ膜等を用いることが好
ましい。また、その厚さは、例えば１００〜１０００ｎ
ｍの範囲が好ましく、特に２００〜５００ｎｍ程度がよ
い。また陰極１５４上に、酸化防止のためにＳｉＯ2、
ＳｉＮ等の保護層を設けてもよい。

【００９０】以上の工程により、基板１２１上に発光部
１４０が形成され、有機ＥＬ素子が形成される。この
後、有機ＥＬ素子が形成された基板１２１を封止し、基
板１２１の配線に陰極１５４を接続するとともに、基板
１２１上あるいは外部に設けられる駆動ＩＣ（駆動回
路）に回路素子部１４６の配線を接続することにより、
有機ＥＬ表示装置が完成する。

【００９１】図１８（ａ）〜（ｃ）は、本発明の電子機
器の実施の形態例を示している。本例の電子機器は、上
述した有機ＥＬ表示装置等の本発明の電気光学装置を表
示手段として備えている。図１８（ａ）は、携帯電話の
一例を示した斜視図である。図１８（ａ）において、符
号６００は携帯電話本体を示し、符号６０１は前記の表
示装置を用いた表示部を示している。図１８（ｂ）は、
ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を
示した斜視図である。図１８（ｂ）において、符号７０
０は情報処理装置、符号７０１はキーボードなどの入力
部、符号７０３は情報処理装置本体、符号７０２は前記
の表示装置を用いた表示部を示している。図１８（ｃ）
は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図
１８（ｃ）において、符号８００は時計本体を示し、符
号８０１は前記の表示装置を用いた表示部を示してい
る。図１８（ａ）〜（ｃ）に示すそれぞれの電子機器
は、本発明の電気光学装置を表示手段として備えている
ので、品質の優れた表示を実現することができる。

【００９２】以上、添付図面を参照しながら本発明に係
る好適な実施例について説明したが、本発明は係る例に
限定されないことは言うまでもない。上述した例におい
て示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であ
って、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要
求等に基づき種々変更可能である。

【００９３】

【実施例】アクリル樹脂からなるバンクが形成された基
板と、バンクと同じアクリル樹脂からなる平基板とを用
意し、各基板に対して、上述したＣＦ4プラズマ処理を
行った。処理時間は、１．０〜６．６ｓｅｃの間で変化
させた。また、上記ＣＦ4プラズマ処理の後、上記バン
クが形成された基板に対して、上述した正孔注入／輸送
層用の液滴材料を吐出し、バンクによって区画された領
域に正孔注入／輸送層を形成し、その膜厚のプロファイ
ルを測定した。液体材料の組成は、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ
混合物：７．２５重量％、水：５２．７５重量％、メタ
ノール：５重量％、ＩＰＡ：５重量％、ＤＭＩ：５０重
量％、γ−グリジルオキシプロピルトリメトキシシラ
ン：０・０８重量％である。なお、液滴材料の乾燥は、
減圧乾燥の後、２００℃で１０分間のベーキングを行っ
た。

【００９４】その結果、処理時間が１．１７〜１．４ｓ
ｅｃのとき、最も理想的な膜厚のプロファイルが得られ
た。処理時間が１．１７ｓｅｃ未満だと、撥液性が不十
分となり、バンクの壁面近くの膜厚が厚くなるので好ま
しくなく、１．４ｓｅｃを超えると、撥液性が高くなり
すぎて、バンクの壁面近くの膜厚が薄くなるので好まし
くない。

【００９５】一方、上記平基板に対して、上記ＣＦ4プ
ラズマ処理の後、協和界面科学社製ＣＡ−Ｗ接触角測定
装置を用いて、先の図２を用いて説明した測定方法に従
って、上記液体材料に対する動的接触角（後退接触角）
と、静的接触角とを測定した。静的接触角の測定にはθ
／２法を用いた。その結果を以下に示す。

【００９６】上記結果から、動的接触角（後退接触角）
を指標として用いることにより、撥液化の処理条件を管
理できることが確認された。すなわち、動的接触角（後
退接触角）が２９°程度〜４５°程度の範囲内になるよ
うに、プラズマ処理の処理条件を管理することにより、
理想的で平坦な膜厚のプロファイルが得られることが確
認された。これに対し、静的接触角では上記管理は難し
いことがわかった。

【００９７】

【発明の効果】本発明の電気光学装置の製造方法及びそ
の装置によれば、バンクの表面を撥液性に加工する際
に、動的接触角を指標として用いることにより、膜の平
坦化に対する撥液化の処理条件の最適化が確実に行われ
る。したがって、バンクによって区画された領域内に平
坦な膜を容易かつ安定的に形成することができる。

【００９８】また、本発明の電気光学装置によれば、有
機ＥＬ素子の構造を最適化し、その性能の向上を図るこ
とができる。

【００９９】また、本発明の電子機器によれば、上記電
気光学装置を表示手段として備えることから、表示手段
の性能を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の電気光学装置としての有機ＥＬ装置
の製造方法の概念的に示す図である。

【図２】 動的接触角（後退接触角）の測定例を示す図
である。

【図３】 本発明の電気光学装置としての有機ＥＬ装置
の製造装置の実施の形態例を模式的に示す図である。

【図４】 本発明の電気光学装置の実施の形態例である
有機ＥＬ表示装置の構成を模式的に示す図である。

【図５】 有機ＥＬ表示装置における画素領域近傍の断
面構造を拡大した図である。

【図６】 バンクの平面構造の形態例を模式的に示す図
である。

【図７】 プラズマ処理装置の構成例を模式的に示す図
である。

【図８】 プラズマ処理室の構成例を模式的に示す図で
ある。

【図９】 有機ＥＬ装置の製造方法を説明する工程図で
ある。

【図１０】 有機ＥＬ装置の製造方法を説明する工程図
である。

【図１１】 ピエゾ方式による液滴吐出の原理を説明す
るための図である。

【図１２】 有機ＥＬ装置の製造方法を説明する工程図
である。

【図１３】 有機ＥＬ装置の製造方法を説明する工程図
である。

【図１４】 有機ＥＬ装置の製造方法を説明する工程図
である。

【図１５】 有機ＥＬ装置の製造方法を説明する工程図
である。

【図１６】 有機ＥＬ装置の製造方法を説明する工程図
である。

【図１７】 有機ＥＬ装置の製造方法を説明する工程図
である。

【図１８】 本発明の電子機器の実施の形態例を示す図
である。

【図１９】 有機ＥＬ表示装置の要部の代表的な構成を
示す断面模式図である。

【符号の説明】

１０，２８１…バンク、１２…膜、２０…有機ＥＬ装置
の製造装置（電気光学装置の製造装置）、２１…撥液化
装置、２２…測定装置、２３…膜形成装置、２４…制御
装置、１００…有機ＥＬ表示装置、１０２…画素領域、
１２１…基板、θ…動的接触角（後退接触角）。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｂ 33/22 Ｈ０５Ｂ 33/22 Ｚ (72)発明者 関 俊一 長野県諏訪市大和３丁目３番５号 セイコ ーエプソン株式会社内 Ｆターム(参考） 3K007 AB04 AB17 AB18 BA06 BB07 DB03 EA00 FA01 5C094 AA08 AA43 AA55 BA03 BA12 BA27 CA19 CA24 DA13 DB01 DB04 EA04 EA07 EB02 FA01 FA02 FA03 FB01 FB15 FB20 GB10 JA09 5G435 AA04 AA17 BB05 CC09 CC12 EE37 HH01 HH20 KK05

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 バンクによって区画された領域に液体材
   料を配置して膜を形成する工程を有する電気光学装置の
   製造方法において、 前記液体材料の配置の前に、前記液体材料に対する動的
   接触角を指標として、前記バンクの表面を撥液性に加工
   する撥液化工程を有することを特徴とする電気光学装置
   の製造方法。
2. 【請求項２】 前記撥液化工程では、プラズマ処理によ
   って前記バンクの表面を撥液性に加工するとともに、前
   記動的接触角を指標として、プラズマ処理の処理時間を
   管理することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装
   置の製造方法。
3. 【請求項３】 前記撥液化工程では、前記動的接触角と
   しての後退接触角が２９°〜４５°の範囲内になるよう
   に、処理条件を管理することを特徴とする請求項１及び
   請求項２に記載の電気光学装置の製造方法。
4. 【請求項４】 前記撥液化工程の前に、前記バンクの表
   面を親液性に加工する親液化工程を有することを特徴と
   する請求項１から請求項３のうちのいずれかに記載の電
   気光学装置の製造方法。
5. 【請求項５】 バンクによって区画された領域に液体材
   料を配置して膜を形成する膜形成装置を備える電気光学
   装置の製造装置において、 前記バンクの表面を撥液性に加工する撥液化装置と、 該撥液化装置によって撥液性に加工された物体の、前記
   液体材料に対する動的接触角を測定する測定装置とを備
   えることを特徴とする電気光学装置の製造装置。
6. 【請求項６】 前記撥液化装置は、前記測定装置の測定
   結果に基づいて、処理条件が管理されることを特徴とす
   る請求項５に記載の電気光学装置の製造装置。
7. 【請求項７】 前記バンクの表面を撥液性に加工する前
   に、前記バンクの表面を親液性に加工する親液化装置を
   備えることを特徴とする請求項５または請求項６に記載
   の電気光学装置の製造装置。
8. 【請求項８】 請求項５から請求項７のうちのいずれか
   に記載の電気光学装置の製造装置を用いて製造されたこ
   とを特徴とする電気光学装置。
9. 【請求項９】 請求項８に記載の電気光学装置を表示手
   段として備えることを特徴とする電子機器。