JP2003229254A

JP2003229254A - 電気光学装置の製造方法と電子機器の製造方法及び電気光学装置並びに電子機器

Info

Publication number: JP2003229254A
Application number: JP2002026136A
Authority: JP
Inventors: Masahiro Uchida; 昌宏内田
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2002-02-01
Filing date: 2002-02-01
Publication date: 2003-08-15

Abstract

(57)【要約】【課題】電極形成時にて生じる放射熱や蒸着源の突沸
等を防ぐことで、これらの熱的ダメージによる素子の特
性低下を防止することができ、また、電極形成の際に基
板に加わる熱を速やかに散逸させることで、基板の温度
上昇に起因する素子の特性低下を防止することができる
電気光学装置の製造方法を提供する。【解決手段】一対の電極間に発光層を有する発光素子
が基板上に形成されてなる電気光学装置の製造方法であ
って、前記一対の電極のうち一方の電極を、段階的に成
膜速度を変化させることにより形成することを特徴とす
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電気光学装置の製
造方法と電子機器の製造方法及び電気光学装置並びに電
子機器に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、平面型の表示装置として、陽極と
陰極との間に発光層が挟持されたカラー表示装置、特に
発光材料として有機発光材料を用いた有機ＥＬ（エレク
トロルミネッセンス）装置の開発が行われている。この
有機ＥＬ装置は、ガラス基板等の透明基板上に、インジ
ウム・スズ酸化物（ＩＴＯ：Indium Tin Oxide）、Ｓｎ
Ｏ₂（酸化スズ）等の透明導電材料からなる陽極、有機
ＥＬ材料からなる発光層、Ａｌ等の高融点金属材料や金
属化合物からなる陰極を順次積層したもので、この発光
層は、例えば、有機蛍光材料等の発光材料をインク化
し、当該インク（組成物）を基材上に吐出するインクジ
ェット法等により、発光材料のパターニングを行う方法
を採用して作製される。

【０００３】この有機ＥＬ装置においては、発光素子か
ら基板側に発した光が、この基板を透過して基板の下側
（観測者側）に出射されるとともに、発光素子から基板
の反対側に発した光が陰極により反射されて前記基板を
透過し、この基板の下側（観測者側）に出射されるよう
になっている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の有機
ＥＬ装置の製造方法では、陰極を、Ａｌ等の高融点金属
材料を所定の一定の蒸着速度で蒸着することにより形成
しているが、蒸着に伴い発生する放射熱が発光素子に悪
影響を及ぼすおそれがあるという問題点があった。特
に、蒸着工程の初期の段階で、上記のような高融点金属
材料の蒸着速度を早い蒸着速度に設定した場合、発光層
に接する領域、あるいは発光層に非常に近い領域に熱が
加わり、発光層に熱的ダメージを与えるおそれがあると
いう問題点があった。この熱的ダメージは、最終的に得
られた有機ＥＬ装置の素子特性の悪化を招く可能性があ
ることから、出来るだけ小さくする必要がある。

【０００５】また、Ａｌ、Ａｇ等の高融点金属材料を蒸
着する際に、蒸着材料が蒸着源に多量に残存する状態で
蒸着源に高い電力を掛けた場合、突沸が生じ、成膜され
る陰極に熱的なダメージを与えるおそれがあるという問
題点があった。この突沸によるダメージは、発光素子の
特性を悪化させ、引いては、有機ＥＬ装置の信頼性を低
下させることになるために、早急に解決することが求め
られていた。

【０００６】さらに、上記の基板は、透明ガラス等の熱
伝導率の悪い材料を用いているものであるから、特に高
融点金属材料を蒸着する際に、基板に加わった熱が散逸
されずに該基板内にこもってしまい、基板の温度が上昇
するという問題点があった。有機ＥＬ装置の場合、基板
の温度上昇は発光層の有機ＥＬ材料に熱的なダメージを
与えるために、ＥＬ素子に悪影響を及ぼすことになる。

【０００７】本発明は上記事情に鑑みてなされたもので
あって、電極等の成膜の際に、成膜過程にて生じる放射
熱や蒸着源の突沸等を防ぐことで、これらの熱的ダメー
ジによる素子の特性低下を防止することができ、また、
成膜の際に基板に加わる熱を速やかに散逸させること
で、基板の温度上昇に起因する素子の特性低下を防止す
ることができる電気光学装置の製造方法と電子機器の製
造方法及び電気光学装置並びに電子機器を提供すること
を目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は以下の構成を採用した。本発明の電気光
学装置の製造方法は、一対の電極間に発光層を有する発
光素子が基板上に形成されてなる電気光学装置の製造方
法であって、前記一対の電極のうち一方の電極を、段階
的に成膜速度を変化させることにより形成することを特
徴とする。

【０００９】この電気光学装置の製造方法では、前記一
対の電極のうち一方の電極を、段階的に成膜速度を変化
させることにより形成することにより、成膜に伴い発生
する放射熱の量が減少し、成膜過程の薄膜に熱的ダメー
ジを与えるおそれがなくなる。これにより、成膜過程の
熱的ダメージによる素子特性の悪化を防止する。これ
は、特に成膜工程の初期の段階において顕著である。ま
た、特に、Ａｌ、Ａｇ等の高融点金属材料を蒸着する際
には、蒸発源において突沸が生じるおそれがなくなり、
蒸着膜に熱的なダメージを与えるおそれがなくなる。

【００１０】また、この電気光学装置の製造方法は、前
記一方の電極を、蒸着法により形成し、前記一方の電極
を形成する電極材料の蒸発速度を段階的に変化させるこ
とを特徴とする。

【００１１】また、この電気光学装置の製造方法は、前
記一方の電極を、蒸着法により形成し、蒸発源と前記発
光層との間隔を段階的に変化させることにより蒸着速度
を段階的に変化させることを特徴とする。

【００１２】また、この電気光学装置の製造方法は、前
記一方の電極を、膜厚方向に複数の領域に区分し、互い
に隣接する２つの領域における成膜速度を異ならせるこ
とを特徴とする。

【００１３】また、本発明の他の電気光学装置の製造方
法は、一対の電極間に発光層を有する発光素子が基板の
一方の面に形成されてなる電気光学装置の製造方法であ
って、前記基板の他方の面に前記基板の熱伝導率より高
い放熱部材が配置された状態で、前記一対の電極のうち
一方の電極を形成することを特徴とする。

【００１４】この電気光学装置の製造方法では、前記基
板の他方の面に前記基板の熱伝導率より高い放熱部材が
配置された状態で、前記一対の電極のうち一方の電極を
形成することにより、電極形成に伴い基板に加わる熱を
放熱部材により速やかに外部に散逸させ、基板内に熱が
こもるのを防止する。これにより、形成過程の電極に基
板側から熱が加わるおそれがなくなり、得られた素子に
熱的なダメージが生じるおそれがなくなる。

【００１５】また、この電気光学装置の製造方法は、前
記放熱部材の少なくとも前記基板に接触する部分は、
銅、銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金から選択
された少なくとも１種により構成されていることを特徴
とする。

【００１６】本発明の電気光学装置は、上述したいずれ
かの電気光学装置の製造方法により製造されてなること
を特徴とする。

【００１７】本発明の電子機器の製造方法は、一対の電
極間に発光層を有する発光素子が基板の一方の面に形成
されてなる電気光学装置と、前記電気光学装置を駆動す
るための駆動回路と、を有してなる電子機器の製造方法
であって、前記一対の電極のうち一方の電極を、段階的
に成膜速度を変化させることにより形成することを特徴
とする。

【００１８】この電子機器の製造方法では、前記一対の
電極のうち一方の電極を、段階的に成膜速度を変化させ
ることにより形成することにより、成膜に伴い発生する
放射熱の量が減少し、成膜過程の薄膜に熱的ダメージを
与えるおそれがなくなる。これにより、成膜過程の熱的
ダメージによる素子特性の悪化を防止する。また、特
に、Ａｌ、Ａｇ等の高融点金属材料を蒸着する際には、
蒸発源において突沸が生じるおそれがなくなり、蒸着膜
に熱的なダメージを与えるおそれがなくなる。

【００１９】本発明の他の電子機器の製造方法は、一対
の電極間に発光層を有する発光素子が基板の一方の面に
形成されてなる電気光学装置と、前記電気光学装置を駆
動するための駆動回路と、を有してなる電子機器の製造
方法であって、前記基板の他方の面に前記基板の熱伝導
率より高い放熱部材が配置された状態で、前記一対の電
極のうち一方の電極を形成することを特徴とする。

【００２０】この電子機器の製造方法では、前記基板の
他方の面に前記基板の熱伝導率より高い放熱部材が配置
された状態で、前記一対の電極のうち一方の電極を形成
することにより、電極形成に伴い基板に加わる熱を放熱
部材により速やかに外部に散逸させ、基板内に熱がこも
るのを防止する。これにより、形成過程の電極に基板側
から熱が加わるおそれがなくなり、得られた素子に熱的
なダメージが生じるおそれがなくなる。

【００２１】本発明の電子機器は、上述したいずれかの
電子機器の製造方法により製造されてなることを特徴と
する。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の電気光学装置の製
造方法と電子機器の製造方法及び電気光学装置並びに電
子機器に係る各実施形態を図面を参照して説明する。本
実施形態では、電気光学装置として有機ＥＬ装置を例に
採り説明する。なお、図１〜図２４において、各層や各
部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各
層や各部材に縮尺は実際のものとは異なるように表して
いる。

【００２３】［第１の実施形態］以下、本発明の第１の
実施形態を図面を参照して説明する。図１は本実施形態
の有機ＥＬ装置の配線構造を示す模式図、図２は本実施
形態の有機ＥＬ装置の構造を示す図であり、図２（ａ）
は同平面図、図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ−Ａ線に沿う
断面図である。

【００２４】この有機ＥＬ装置１は、図１に示すよう
に、複数の走査線１０１、…と、各走査線１０１に対し
て直角に交差する方向に延びる複数の信号線１０２、…
と、各信号線１０２に並列に延びる複数の電源線１０
３、…とがそれぞれ配線された構成を有するとともに、
走査線１０１と信号線１０２の各交点付近に、画素領域
Ａが設けられている。

【００２５】信号線１０２には、シフトレジスタ、レベ
ルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備える
データ側駆動回路１０４が接続されている。また、走査
線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備え
る走査側駆動回路１０５が接続されている。更に、画素
領域Ａ各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲー
ト電極に供給されるスイッチング用の薄膜トランジスタ
１１２と、このスイッチング用の薄膜トランジスタ１１
２を介して信号線１０２から共有される画素信号を保持
する保持容量１１３と、該保持容量１１３によって保持
された画素信号がゲート電極に供給される駆動用の薄膜
トランジスタ１２３と、この駆動用薄膜トランジスタ１
２３を介して電源線１０３に電気的に接続したときに当
該電源線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極（電
極）１１１と、この画素電極１１１と陰極（対向電極）
１２との間に挟み込まれた機能層１１０とが設けられて
いる。画素電極１１１と陰極１２と機能層１１０によ
り、発光素子が構成されている。

【００２６】この有機ＥＬ装置１によれば、走査線１０
１が駆動されてスイッチング用の薄膜トランジスタ１１
２がオン状態になると、そのときの信号線１０２の電位
が保持容量１１３に保持され、該保持容量１１３の状態
に応じて、駆動用の薄膜トランジスタ１２３のオン・オ
フ状態が決まる。そして、駆動用の薄膜トランジスタ１
２３のチャネルを介して、電源線１０３から画素電極１
１１に電流が流れ、更に機能層１１０を介して陰極１２
に電流が流れる。機能層１１０は、これを流れる電流量
に応じて発光する。

【００２７】この有機ＥＬ装置１は、図２（ａ）及び図
２（ｂ）に示すように、透明な基板２と、この基板２上
に形成されマトリックス状に配置された発光素子を備え
た発光素子部１１とを具備している。この発光素子は、
画素電極１１１と陰極１２と機能層１１０により構成さ
れている。基板２は、例えば、可視光に対して透明なガ
ラス等により構成され、この基板２の表面は、中央に位
置する略矩形状の表示領域２ａと、基板２の周縁に位置
して表示領域２ａを囲む非表示領域２ｂとに区画されて
いる。表示領域２ａは、マトリックス状に配置された発
光素子によって形成される領域であり、この表示領域２
ａの外側に形成される非表示領域２ｂには、表示領域２
ａに隣接するダミー表示領域２ｄが形成されている。

【００２８】また、図２（ｂ）に示すように、発光素子
部１１と基板２の間には回路素子部１４が備えられ、こ
の回路素子部１４に前述の走査線、信号線、保持容量、
スイッチング用の薄膜トランジスタ、駆動用の薄膜トラ
ンジスタ１２３等が備えられている。また、陰極１２
は、その一端が陰極用配線１２ａに接続しており、この
陰極用配線１２ａの一端部が基板２の一端部に設けられ
たフレキシブル基板５上の配線５ａに接続されている。
この配線５ａは、フレキシブル基板５上に備えられた駆
動ＩＣ（駆動回路）６に接続されている。

【００２９】また、回路素子部１４の非表示領域２ｂに
は、前述の電源線１０３（１０３Ｒ、１０３Ｇ、１０３
Ｂ）が配線されている。また、この表示領域２ａの図２
（ａ）中両側には、前述の走査側駆動回路１０５、１０
５が配置されている。この走査側駆動回路１０５、１０
５はダミー領域２ｄの下側の回路素子部１４内に設けら
れている。更に回路素子部１４内には、走査側駆動回路
１０５、１０５に接続される駆動回路用制御信号配線１
０５ａと駆動回路用電源配線１０５ｂとが設けられてい
る。更に、この表示領域２ａの図２（ａ）中上側には検
査回路１０６が配置されている。この検査回路１０６に
より、製造途中や出荷時の表示装置の品質、欠陥の検査
を行うことができる。

【００３０】また、発光素子部１１上には封止部３が備
えられている。この封止部３は、図２（ｂ）に示すよう
に、基板２の周囲に環状に形成された封止樹脂６０３
と、この封止樹脂６０３上に設けられた封止缶６０４と
から構成されている。封止樹脂６０３は、熱硬化型樹脂
あるいは紫外線硬化型樹脂等から構成されたもので、特
に、熱硬化型あるいは紫外線硬化型のエポキシ樹脂が好
適に用いられる。封止樹脂６０３は、例えば、液状もし
くは粘性のある熱硬化型樹脂あるいは紫外線硬化型樹脂
をマイクロディスペンサ等により塗布し、その後、ホッ
トプレート等を用いて加熱あるいは紫外線ランプ等によ
る紫外線照射により硬化させたものである。

【００３１】封止缶６０４は、ガラス又は金属からなる
もので、封止樹脂６０３を介して基板２に接合されてお
り、その内側には表示素子１０を収納する凹部６０４ａ
が形成されている。この凹部６０４ａには、水、酸素等
を吸収するゲッター剤６０５が貼り付けられており、封
止缶６０４の内部に侵入した水、あるいは酸素等のガス
を吸収できるようになっている。なお、このゲッター剤
６０５は省略しても良い。これら封止樹脂６０３及び封
止缶６０４により、基板２と封止缶６０４の間から封止
缶６０４内部への水又は酸素の侵入を防き、陰極１２ま
たは発光素子部１１内に形成された図示略の発光層の酸
化や劣化を防止している。

【００３２】次に、本実施形態の有機ＥＬ装置１の表示
領域について更に詳しく説明する。図３は、この有機Ｅ
Ｌ装置１の表示領域を示す拡大断面図であり、この図３
には３つの画素領域Ａが図示されている。この有機ＥＬ
表示装置１は、基板２上に、ＴＦＴなどの回路等が形成
された回路素子部１４、画素電極１１１と陰極１２と機
能層１１０とを有する発光素子を備えた発光素子部１１
が順次積層されて構成されている。

【００３３】この有機ＥＬ装置１においては、機能層１
１０から基板２側に発した光が、回路素子部１４及び基
板２を透過して基板２の下側（観測者側）に出射される
とともに、機能層１１０から基板２の反対側に発した光
が陰極１２により反射されて、回路素子部１４及び基板
２を透過して基板２の下側（観測者側）に出射されるよ
うになっている。なお、陰極１２に透明な材料を用いる
ことにより、発光する光を陰極１２側から出射させるこ
とができる。透明な材料としては、例えば、インジウム
・スズ酸化物（ＩＴＯ：Indium Tin Oxide）等を用いる
事ができる。

【００３４】また、発光素子部１１は、複数の画素電極
１１１…上の各々に積層された機能層１１０と、各画素
電極１１１及び機能層１１０の間に備えられて各機能層
１１０を区画するバンク部１１２とを主体として構成さ
れ、この機能層１１０上には陰極１２が配置され、これ
ら画素電極１１１、機能層１１０及び陰極１２によって
発光素子部１１が構成されている。ここで、画素電極１
１１は、例えば、ＩＴＯ等の透明導電材料により形成さ
れたもので、平面視略矩形にパターニングされて形成さ
れている。この画素電極１１１の膜厚は、５０〜２００
ｎｍの範囲が好ましく、特に１５０ｎｍ程度の厚みがよ
い。

【００３５】バンク部１１２は、図３に示すように、基
板２側に位置する無機物バンク層１１２ａと、この無機
物バンク層１１２ａ上に積層されて該無機物バンク層１
１２ａより幅の狭い有機物バンク層１１２ｂとにより構
成されている。無機物バンク層１１２ａは、その周縁部
が画素電極１１１の周縁部上に乗上げるように形成され
ている。平面的には、画素電極１１１の周囲と無機物バ
ンク層１１２ａの周囲とが平面的に重なるように配置さ
れた構造となっている。また、有機物バンク層１１２ｂ
も同様に、その一部が画素電極１１１の周縁部と平面的
に重なるように配置されている。

【００３６】この無機物バンク層１１２ａは、有機物バ
ンク層１１２ｂよりも画素電極１１１の中央側に更に形
成されている。このようにして、無機物バンク層１１２
ａの各第１積層部１１２ｅが画素電極１１１の内側に形
成されることにより、画素電極１１１の形成位置に対応
する下部開口部１１２ｃが形成されている。有機物バン
ク層１１２ｂにも同様に、上部開口部１１２ｄが上記の
下部開口部１１２ｃに対応するように形成されている。
この上部開口部１１２ｄは、下部開口部１１２ｃより幅
が広く、画素電極１１１より幅が狭くなるように形成さ
れている。

【００３７】無機物バンク層１１２ａは、例えば、Ｓｉ
Ｏ₂、ＴｉＯ₂等の無機材料が好適に用いられる。この無
機物バンク層１１２ａの膜厚は、５０〜２００ｎｍの範
囲が好ましく、特に１５０ｎｍが好ましい。その理由
は、膜厚が５０ｎｍ未満では、無機物バンク層１１２ａ
が後述する正孔注入／輸送層より薄くなり、正孔注入／
輸送層の平坦性を確保できなくなるからであり、また、
膜厚が２００ｎｍを越えると、下部開口部１１２ｃによ
る段差が大きくなって、正孔注入／輸送層上に積層する
後述の発光層の平坦性を確保できなくなるからである。

【００３８】有機物バンク層１１２ｂは、耐熱性、耐溶
媒性を有する有機材料、例えば、アクリル樹脂、ポリイ
ミド樹脂等の耐熱性、耐溶媒性を有する材料が好適に用
いられる。この有機物バンク層１１２ｂの厚みは、０．
１〜３．５μｍの範囲が好ましく、特に２μｍ程度が好
ましい。その理由は、厚みが０．１μｍ未満では、後述
する正孔注入／輸送層及び発光層の合計の厚みより有機
物バンク層１１２ｂの厚みが薄くなり、発光層が上部開
口部１１２ｄから溢れるおそれがあるからであり、ま
た、厚さが３．５μｍを越えると、上部開口部１１２ｄ
による段差が大きくなり、有機物バンク層１１２ｂ上に
形成する陰極１２のステップガバレッジを確保できなく
なるからである。なお、有機物バンク層１１２ｂの厚み
を２μｍ以上とすれば、駆動用の薄膜トランジスタ１２
３との絶縁性を高めることができるので、より好まし
い。

【００３９】このバンク部１１２には、親液性を示す領
域と、撥液性を示す領域が形成されている。親液性を示
す領域は、無機物バンク層１１２ａの第１積層部１１２
ｅ及び画素電極１１１の電極面１１１ａであり、これら
の領域は、酸素を処理ガスとするプラズマ処理によって
表面処理されて親液性とされている。また、撥液性を示
す領域は、上部開口部１１２ｄの側面（壁面）及び有機
物バンク層１１２ｂの上面１１２ｆであり、これらの領
域は、４フッ化メタン、テトラフルオロメタン、もしく
は四フッ化炭素等を処理ガスとするプラズマ処理によっ
て表面がフッ化処理（撥液性処理）されて撥液性とされ
ている。

【００４０】機能層１１０は、画素電極１１１上に積層
された正孔注入／輸送層１１０ａと、この正孔注入／輸
送層１１０ａ上に形成された発光層１１０ｂとから構成
されている。なお、この発光層１１０ｂ上に、他の機能
層を更に形成しても良い。例えば、電子輸送層を形成す
る事も可能である。正孔注入／輸送層１１０ａは、正孔
を発光層１１０ｂに注入し、かつ、この注入された正孔
を該正孔注入／輸送層１１０ａ内において輸送する機能
を有する。このような正孔注入／輸送層１１０ａを画素
電極１１１と発光層１１０ｂの間に形成することによ
り、発光層１１０ｂの発光効率、寿命等の素子特性を向
上させることができる。また、発光層１１０ｂでは、正
孔注入／輸送層１１０ａから注入された正孔と、陰極１
２から注入された電子が励起子（exiton）を形成し、こ
の励起子が再結合することにより発光（ＥＬ）が得られ
る。

【００４１】正孔注入／輸送層１１０ａは、下部開口部
１１２ｃ内に位置して画素電極１１１の電極面１１１ａ
上に形成される平坦部１１０ａ1と、上部開口部１１２
ｄ内に位置して無機物バンク層１１２ａの第１積層部１
１２ｅ上に形成される周縁部１１０ａ2とから構成され
ている。また、正孔注入／輸送層１１０ａは、構造によ
っては、画素電極１１１上であって、かつ、下部開口部
１１０ｃにのみ形成された構成、すなわち平坦部１１０
ａ1のみの構成であってもよい。この平坦部１１０ａ1
は、その厚みが一定、例えば、５０〜７０ｎｍの範囲の
厚みとされている。

【００４２】発光層１１０ｂは、正孔注入／輸送層１１
０ａの平坦部１１０ａ1上及び周縁部１１０ａ2上に渡っ
て形成されており、平坦部１１２ａ1上での厚さが５０
〜８０ｎｍの範囲とされている。発光層１１０ｂは、赤
色（Ｒ）に発光する赤色発光層１１０ｂ1、緑色（Ｇ）
に発光する緑色発光層１１０ｂ2、及び青色（Ｂ）に発
光する青色発光層１１０ｂ3の３種類を有し、各発光層
１１０ｂ1〜１１０ｂ3がストライプ状に配置されてい
る。

【００４３】また、有機物バンク層１１２ｂの上面１１
２ｆが撥液性を示すので、吐出された液滴は選択的に画
素内にパターニングされる。なお、正孔注入／輸送層１
１０ａを形成するための材料としては、例えば、バイト
ロン−ｐ（Bytron-p：バイエル社製）を用いることがで
きる。

【００４４】また、発光層１１０ｂを構成する発光材料
としては、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公
知の発光材料を用いることができる。具体的には、（ポ
リ）フルオレン誘導体（ＰＦ）、（ポリ）パラフェニレ
ンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体
（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリ
ビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導
体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）等のポリシ
ラン系等が好適に用いられる。また、これらの高分子材
料に、ペリレン係色素、クマリン系色素、ローダミン系
色素等の高分子系材料、あるいは、ルブレン、ペリレ
ン、９，１０-ジフェニルアントラセン、テトラフェニ
ルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリド
ン等の低分子材料をドープして用いることができる。

【００４５】陰極１２は、発光素子部１１の全面に形成
されており、画素電極１１１と対になって機能層１１０
に電流を流す役割を果たす。この陰極１２は、例えば、
カルシウム層とアルミニウム層とが積層されて構成され
ている。このとき、発光層に近い側の陰極には仕事関数
が小さいものを設けることが好ましく、特にこの形態に
おいては発光層１１０ｂに直接に接して発光層１１０ｂ
に電流を注入する役割を果たす。

【００４６】この陰極１２は、発光層１１０ｂから発し
た光を基板２側に反射させる機能も有するもので、これ
を構成する材料としては、アルミニウム（Ａｌ）、銀
（Ａｇ）等の光の反射率が高い高反射率材料が好適に用
いられる。この高反射率材料は、Ａｌ膜、Ａｇ膜等の単
層の膜の他、ＡｌとＡｇの積層膜等が好適に用いられ
る。また、その厚さは、例えば１００〜１０００ｎｍの
範囲が好ましく、特に２００ｎｍ程度の厚みが好適であ
る。更に、この膜の上に、ＳｉＯ₂、ＳｉＯ_xＮ_y等から
なる酸素及び水分透過防止用（ガスバリア用）の保護層
を設けても良い。

【００４７】また、発光層の材料によっては効率よく発
光させるために、発光層１１０と陰極１２との間にＬｉ
Ｆ（フッ化リチウム）等のアルカリ金属あるいはアルカ
リ土類金属のフッ化物、酸化物、キレート錯体、または
電子輸送性を有する有機物を用いてもよい。このＬｉＦ
層の厚さは、例えば０．１〜５ｎｍの範囲が好ましく、
また、Ｃａ層の厚さは、例えば１〜５０ｎｍの範囲が好
ましい。この発光素子上には封止缶６０４が配置されて
いる。図２（ｂ）に示すように、封止缶６０４は封止樹
脂６０３により接着されて有機ＥＬ装置１を形成してい
る。

【００４８】次に、本実施形態の有機ＥＬ装置の製造方
法を図面を参照して説明する。本実施形態の有機ＥＬ装
置１の製造方法は、例えば、(1)バンク部形成工程、(2)
プラズマ処理工程、(3)正孔注入／輸送層形成工程、(4)
発光層形成工程、(5)対向電極形成工程、(6)封止工程の
計６工程により構成されている。なお、この製造方法
は、本実施形態に限られるものではなく、必要に応じて
その他の工程が除かれる場合、また追加される場合もあ
る。

【００４９】(1) バンク部形成工程バンク部形成工程は、基板２の所定の位置にバンク部１
１２を形成する工程である。バンク部１１２は、第１の
バンク層として無機物バンク層１１２ａが形成され、第
２のバンク層として有機物バンク層１１２ｂが形成され
た構造である。以下に形成方法について説明する。

【００５０】(1)-1 無機物バンク層１１２ａの形成まず、図４に示すように、基板２上の所定の位置に無機
物バンク層１１２ａを形成する。無機物バンク層１１２
ａが形成される位置は、第２層間絶縁膜１４４ｂ上及び
画素電極１１１上である。なお、第２層間絶縁膜１４４
ｂは薄膜トランジスタ、走査線、信号線、等が配置され
た回路素子部１４上に形成されている。無機物バンク層
１１２ａは、例えば、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂等の無機物膜を
材料として用いることができる。これらの材料は、例え
ば、ＣＶＤ法、コート法、スパッタ法、蒸着法等によっ
て形成される。この無機物バンク層１１２ａの膜厚は５
０〜２００ｎｍの範囲が好ましく、特に１５０ｎｍがよ
い。

【００５１】この無機物バンク層１１２ａは、第２層間
絶縁膜１４４ｂ上及び画素電極１１１上の全面に無機物
膜を形成し、その後、この無機物膜をフォトリソグラフ
ィ法等によりパターニングすることにより、開口部を有
する無機物バンク層１１２ａが形成される。この開口部
は、画素電極１１１の電極面１１１ａの形成位置に対応
するもので、図４に示すように、下部開口部１１２ｃと
して形成される。このとき、無機物バンク層１１２ａ
は、その周縁部の一部が画素電極１１１の周縁部の一部
と重なるように形成される。図４に示すように、画素電
極１１１の周縁部の一部と無機物バンク層１１２ａの周
縁部の一部とが重なるように無機物バンク層１１２ａを
形成することにより、発光層１１０の発光領域を制御す
ることができる。

【００５２】(1)-2 有機物バンク層１１２ｂの形成次いで、図５に示すように、無機物バンク層１１２ａ上
に、第２のバンク層としての有機物バンク層１１２ｂを
形成する。有機物バンク層１１２ｂは、例えば、アクリ
ル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶剤性を有する
有機樹脂を材料として用いることができる。この有機物
バンク層１１２ｂは、無機物バンク層１１２ａ上及び画
素電極１１１上の全面に有機樹脂膜を形成し、その後、
この有機樹脂膜をフォトリソグラフィ法等によりパター
ニングすることにより、開口部を有する有機物バンク層
１１２ｂが形成される。この開口部は、パターニングす
る際に、電極面１１１ａ及び下部開口部１１２ｃに対応
する位置に上部開口部１１２ｄとして形成される。

【００５３】このように、有機物バンク層１１２ｂに形
成された上部開口部１１２ｄと、無機物バンク層１１２
ａに形成された下部開口部１１２ｃとを連通させること
により、無機物バンク層１１２ａ及び有機物バンク層１
１２ｂを貫通する開口部１１２ｇが形成される。なお、
有機物バンク層１１２ｂの厚さは、０．１〜３．５μｍ
の範囲が好ましく、特に２μｍ程度の厚みが好ましい。
有機物バンク層１１２ｂの厚みをこのような範囲に限定
した理由は以下の通りである。

【００５４】すなわち、厚さが０．１μｍ未満では、有
機物バンク層１１２ｂの厚みが、後述する正孔注入／輸
送層１１０ａ及び発光層１１０ｂの合計の厚みより薄く
なり、発光層１１０ｂが上部開口部１１２ｄから溢れて
しまうおそれがあるからであり、また、厚さが３．５μ
ｍを越えると、上部開口部１１２ｄによる段差が大きく
なり、上部開口部１１２ｄにおける陰極１２のステップ
ガバレッジが確保できなくなるからである。また、有機
物バンク層１１２ｂの厚さを２μｍ以上とすれば、陰極
１２と駆動用の薄膜トランジスタ１２３との絶縁性を高
めることができるので好ましい。

【００５５】(2) プラズマ処理工程このプラズマ処理工程は、画素電極１１１の表面を活性
化処理すること、更にバンク部１１２の表面を表面処理
することを目的として行われる。特に、活性化処理工程
は、画素電極１１１を構成する材料であるＩＴＯの表面
洗浄、更に仕事関数の調整を主な目的として行われる。
また、表面処理工程は、画素電極１１１の表面の親液化
処理、及びバンク部１１２の表面の撥液化処理を主な目
的として行われる。このプラズマ処理工程は、例えば、
(2)-1予備加熱工程、(2)-2活性化処理工程（親液化工
程）、(2)-3撥液化処理工程（撥液化工程）、及び(2)-4
冷却工程とに大別される。なお、このような工程に限ら
れるものではなく、必要に応じて工程を削減、更なる工
程追加も行われる。

【００５６】ここで、このプラズマ処理工程において用
いられるプラズマ処理装置について図６に基づき説明す
る。このプラズマ処理装置５０は、予備加熱処理室５
１、第１プラズマ処理室５２、第２プラズマ処理室５
３、冷却処理室５４、これらの各処理室５１〜５４に基
板２を搬送する搬送装置５５とから構成されている。各
処理室５１〜５４は、搬送装置５５を中心として放射状
に配置されている。

【００５７】まず、このプラズマ処理装置を用いて行わ
れるプラズマ処理工程の概略を説明する。予備加熱工程
は、図６に示す予備加熱処理室５１において行われる。
そして、この処理室５１により、バンク部形成工程から
搬送された基板２を所定の温度に加熱する。予備加熱工
程の後、親液化工程及び撥液化処理工程を行う。この予
備加熱処理室５１では、バンク部形成工程から搬送され
てきた基板２を所定の温度に加熱する。この予備加熱工
程の後、活性化処理工程を第１プラズマ処理室５２にて
行う。この第１プラズマ処理室５２では、搬送装置５５
を用いて予備加熱処理室５１から搬送された基板２の画
素電極１１１及びバンク部１１２それぞれの表面にプラ
ズマ処理を施し親液化する。

【００５８】この活性化処理工程の後に、撥液化処理工
程を第２プラズマ処理室５３にて行う。この第２プラズ
マ処理室５３では、搬送装置５５を用いて第１プラズマ
処理室５２から搬送された親液化後の基板２のバンク部
１１２の表面にプラズマ処理を施し撥液化する。この撥
液化処理工程の後に、基板２を冷却処理室５４に搬送
し、室温まで冷却する。この冷却工程後、搬送装置５５
により次の工程である正孔注入／輸送層形成工程へ基板
を搬送する。

【００５９】以下、それぞれの工程について詳細に説明
する。 (2)-1 予備加熱工程予備加熱工程は、次の工程に合わせて基板２を事前に加
熱し、基板２の温度ばらつきを解消することを目的とし
て行う工程であり、予備加熱処理室５１において行われ
る。この処理室５１においては、画素電極１１１及びバ
ンク部１１２を含む基板２を所定の温度まで加熱する。
基板２の加熱方法は、例えば、予備加熱処理室５１内に
配置された基板２載置用のステージにヒーターを取り付
け、このヒーターで当該ステージごと基板２を加熱する
方法が採られている。

【００６０】この予備加熱工程では、基板２を、例え
ば、７０℃〜８０℃の範囲の温度に加熱する。この温度
範囲は、次工程であるプラズマ処理工程における処理温
度であり、次の工程に合わせて基板２を事前に加熱し、
基板２の温度ばらつきを解消することを目的としてい
る。仮に、予備加熱工程を加えなければ、基板２は室温
から上記の温度に急速に加熱されることになり、工程開
始から工程終了までのプラズマ処理工程中において温度
が常に変動しながら処理されることになる。したがっ
て、基板温度が大きく変化する状態でプラズマ処理を施
すことは、有機ＥＬ素子の特性の不均一につながる可能
性があるために、処理条件を一定に保ち、均一な特性を
得るために予備加熱を行うのである。

【００６１】この予備加熱温度は、以降の工程、すなわ
ち第１プラズマ処理装置５２内の試料ステージ上に基板
２を載置した状態で親液化処理を行い、第２プラズマ処
理装置５３内の試料ステージ上に基板２を載置した状態
で撥液化処理を行う場合に、図７に示すような親液化処
理工程及び撥液化処理工程を連続して行う試料ステージ
５６の温度にほぼ一致させることが好ましい。そこで、
予め、基板２を、例えば第１，第２プラズマ処理装置５
２，５３内を相互に移動可能な試料ステージ５６の温
度、例えば７０〜８０℃まで予備加熱することにより、
多数の基板にプラズマ処理を連続的に行った場合でも、
処理開始直後と処理終了直前でのプラズマ処理条件をほ
ぼ一定にすることができる。これにより、基板２の表面
処理条件を同一にし、バンク部１１２の組成物に対する
濡れ性を均一化することができ、一定の品質を有する有
機ＥＬ装置を製造することができる。また、基板２を予
め予備加熱しておくことにより、後のプラズマ処理にお
ける処理時間を短縮することができる。

【００６２】(2)-2 活性化処理工程活性化処理工程は、画素電極１１１における仕事関数の
調整、制御、その表面の洗浄、その表面の親液化工程が
含まれる。親液化工程として、大気雰囲気中で酸素を処
理ガスとするＯ₂プラズマ処理を行う。図７には、この
Ｏ₂プラズマ処理を模式的に示している。図７に示すよ
うに、バンク部１１２を含む基板２を加熱ヒータを内蔵
した試料ステージ５６上に載置し、プラズマ放電電極５
７をギャップ間隔０．５〜２ｍｍ程度の距離をおいて基
板２の上面に対向して配置し、試料ステージ５６内の加
熱ヒータに通電して、この試料ステージ５６上の基板２
を加熱しつつ、この試料ステージ５６を図示矢印方向に
向けて所定の搬送速度で搬送し、この搬送の間に、プラ
ズマ放電電極５７により基板２に対してプラズマ状態の
酸素を照射する。

【００６３】このＯ₂プラズマ処理の条件は、例えば、
プラズマパワー：１００〜８００ｋＷ、酸素ガス流量：
５０〜１００ｍｌ／分、基板搬送速度：０．５〜１０ｍ
ｍ／秒、基板温度：７０〜９０℃の条件下で行われる。
なお、試料ステージ５６による加熱は、主として予備加
熱された基板２の保温のために行われる。このＯ₂プラ
ズマ処理により、図８に示すように、画素電極１１１の
電極面１１１ａ、無機物バンク層１１２ａの第１積層部
１１２ｅ及び有機物バンク層１１２ｂの上部開口部１１
２ｄの側面ならびに上面１１２ｆが親液処理される。こ
の親液処理により、これらの各面に水酸基を導入するこ
とで親液性が付与される。図８では、親液処理された部
分を一点鎖線で示している。

【００６４】(2)-3 撥液処理工程次に、第２プラズマ処理室５３では、撥液化工程とし
て、大気雰囲気中でテトラフルオロメタン（四フッ化メ
タン：ＣＦ₄）を処理ガスとするプラズマ処理（ＣＦ₄プ
ラズマ処理）を行う。第２プラズマ処理室５３の内部構
造は、図７に示した第１プラズマ処理室５２の内部構造
と同様である。即ち、基板２は、試料ステージによって
加熱されつつ、試料ステージごと所定の搬送速度で搬送
され、その間に基板２に対してプラズマ状態のテトラフ
ルオロメタン（四フッ化メタン：ＣＦ₄）が照射され
る。

【００６５】ＣＦ₄プラズマ処理の条件は、例えば、プ
ラズマパワー：１００〜８００ｋＷ、ＣＦ₄ガス流量：
５０〜１００ｍｌ/ｍｉｎ、基板搬送速度：０．５〜１
０ｍｍ／ｓｅｃ、基板温度：７０〜９０℃の条件で行わ
れる。なお、加熱ステージによる加熱は、第１プラズマ
処理室５２の場合と同様に、主として予備加熱された基
体２の保温のために行われる。なお、処理ガスは、テト
ラフルオロメタン（四フッ化メタン）に限らず、他のフ
ルオロカーボン系のガスを用いることができる。

【００６６】このＣＦ₄プラズマ処理により、図９に示
すように、上部開口部１１２ｄの側面及び有機物バンク
層の上面１１２ｆが撥液処理される。この撥液処理によ
り、これらの各面にフッ素基が導入されて撥液性が付与
される。図９では、撥液性を示す領域を二点鎖線で示し
ている。有機物バンク層１１２ｂを構成するアクリル樹
脂、ポリイミド樹脂等の有機物はプラズマ状態のフルオ
ロカーボンが照射することで容易に撥液化させることが
できる。また、Ｏ₂プラズマにより前処理した方がフッ
素化されやすい、という特徴を有しており、本実施形態
には特に有効である。尚、画素電極１１１の電極面１１
１ａ及び無機物バンク層１１２ａの第１積層部１１２ｅ
もこのＣＦ₄プラズマ処理の影響を多少受けるが、濡れ
性に影響を与える事は少ない。図９では、親液性を示す
領域を一点鎖線で示している。

【００６７】(2)-4 冷却工程次に、冷却工程として、冷却処理室５４を用い、プラズ
マ処理のために加熱された基板２を管理温度まで冷却す
る。これは、この以降の工程であるインクジェット工程
（機能層形成工程）の管理温度まで冷却するために行う
工程である。この冷却処理室５４は、基板２を配置する
ためのプレートを有し、そのプレートは基板２を冷却す
るように水冷装置が内蔵された構造となっている。ま
た、プラズマ処理後の基板２を室温、または所定の温度
（例えばインクジェット工程を行う管理温度）まで冷却
することにより、次の正孔注入／輸送層形成工程におい
て、基板２の温度が一定となり、基板２の温度変化が無
い均一な温度で次工程を行うことができる。したがっ
て、このような冷却工程を加えることにより、インクジ
ェット法等の吐出手段により吐出された材料を均一に形
成できる。例えば、正孔注入／輸送層を形成するための
材料を含む第１組成物を吐出させる際に、第１組成物を
一定の容積で連続して吐出させることができ、正孔注入
／輸送層を均一に形成することができる。

【００６８】上記のプラズマ処理工程では、材質が異な
る有機物バンク層１１２ｂ及び無機物バンク層１１２ａ
に対して、Ｏ₂プラズマ処理とＣＦ₄プラズマ処理とを順
次行うことにより、バンク部１１２に親液性の領域と撥
液性の領域を容易に設けることができる。なお、プラズ
マ処理工程に用いるプラズマ処理装置は、図６に示した
ものに限られず、例えば図１０に示すようなプラズマ処
理装置６０を用いてもよい。図１０に示すプラズマ処理
装置６０は、予備加熱処理室６１と、第１プラズマ処理
室６２と、第２プラズマ処理室６３と、冷却処理室６４
と、これらの各処理室６１〜６４に基体２を搬送する搬
送装置６５とから構成され、各処理室６１〜６４が、搬
送装置６５の搬送方向両側（図中矢印方向両側）に配置
されてなるものである。

【００６９】このプラズマ処理装置６０では、図６に示
したプラズマ処理装置５０と同様に、バンク部形成工程
から搬送された基板２を、予備加熱処理室６１、第１、
第２プラズマ処理室６２，６３、冷却処理室６４に順次
搬送して各処理室にて上記と同様な処理を行った後、基
板２を次の正孔注入／輸送層形成工程に搬送する。ま
た，上記プラズマ処理は、大気圧下でなくとも、真空下
あるいは減圧下で行っても良い。

【００７０】(3) 正孔注入／輸送層形成工程次に、正孔注入／輸送層形成工程として、電極（ここで
は画素電極１１１）上に正孔注入／輸送層を形成する。
正孔注入／輸送層形成工程では、液滴吐出としてたとえ
ばインクジェット装置を用いることにより、正孔注入／
輸送層形成材料を含む第１組成物（組成物）を電極面１
１１ａ上に吐出する。その後に乾燥処理及び熱処理を行
い、画素電極１１１上及び無機物バンク層１１２ａ上に
正孔注入/輸送層１１０ａを形成する。なお、正孔注入/
輸送層１１０ａが形成された無機物バンク層１１２ａを
ここでは第１積層部１１２ｅという。

【００７１】この正孔注入／輸送層形成工程を含めこれ
以降の工程は、水、酸素の無い雰囲気とする事が好まし
い。例えば、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気等の不活性ガ
ス雰囲気で行うことが好ましい。なお、正孔注入/輸送
層１１０ａは第１積層部１１２ｅ上に形成されないこと
もある。すなわち、画素電極１１１上にのみ正孔注入／
輸送層が形成される形態もある。インクジェットによる
製造方法は以下の通りである。

【００７２】本実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法に好
適に用いられるインクジェットヘッドの一例として、図
１１のようなヘッドＨを例示できる。このヘッドＨは図
１１に示すように、複数のインクジェットヘッドＨ1
と、これらのインクジェットヘッドＨ1を支持する支持
基板Ｈ7を主として構成されている。更に、基体と上記
のヘッドＨの配置に関しては図１２のように配置するこ
とが好ましい。図１２に示すインクジェット装置におい
て、符号１１１５は基体２を載置するステージであり、
符号１１１６はステージ１１１５を図中ｘ軸方向（主走
査方向）に案内するガイドレールである。またヘッドＨ
は、支持部材１１１１を介してガイドレール１１１３に
より図中ｙ軸方向（副走査方向）に移動できるようにな
っており、更にヘッドＨは図中θ軸方向に回転できるよ
うになっており、インクジェットヘッドＨ1を主走査方
向に対して所定の角度に傾けることができるようになっ
ている。

【００７３】図１２に示す基板２は、マザー基板に複数
のチップを配置した構造となっている。即ち、１チップ
の領域が１つの表示装置に相当する。ここでは、３つの
表示領域２ａが形成されているが、これに限られるもの
ではない。例えば、基板２上の左側の表示領域２ａに対
して組成物を塗布する場合は、ガイドレール１１１３を
介してヘッドＨを図中左側に移動させるとともに、ガイ
ドレール１１１６を介して基体２を図中上側に移動さ
せ、基体２を走査させながら塗布を行う。次に、ヘッド
Ｈを図中右側に移動させて基体の中央の表示領域２ａに
対して組成物を塗布する。右端にある表示領域２ａに対
しても前記と同様である。尚、図１１に示すヘッドＨ及
び図１２に示すインクジェット装置は、正孔注入／輸送
層形成工程のみならず、発光層形成工程に用いて良い。

【００７４】ここで用いる第１組成物としては、例え
ば、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）等
のポリチオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸（Ｐ
ＳＳ）等の混合物を極性溶媒に溶解させた組成物を用い
ることができる。極性溶媒としては、例えば、イソプロ
ピルアルコール（ＩＰＡ）、ｎ−ブチルアルコール、γ
−ブチロラクトン、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、
１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）及
びその誘導体、カルビトールアセテート、ブチルカルビ
トールアセテート等のグリコール類等を挙げることがで
きる。

【００７５】より具体的な第１組成物の組成としては、
ＰＥＤＩＴ／ＰＳＳ混合物（ＰＥＤＩＴ／ＰＳＳ＝１：
２０）：１２．５２重量％、ＰＳＳ：１．４４重量％、
ＩＰＡ：１０重量％、ＮＭＰ：２７．４８重量％、ＤＭ
Ｉ：５０重量％のものを例示できる。尚、第１組成物の
粘度は２〜２０Ｐｓ程度が好ましく、特に４〜１５ｃＰ
ｓ程度が良い。上記の第１組成物を用いることにより、
吐出ノズルＨ2に詰まりが生じることがなく安定吐出で
きる。なお、正孔注入／輸送層形成材料は、赤（Ｒ）、
緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各発光層１１０ｂ1〜１１０ｂ3に
対して同じ材料を用いても良く、各発光層毎に変えても
良い。

【００７６】図１３に示すように、吐出された第１組成
物の液滴１１０ｃは、最終的には親液処理された電極面
１１１ａ及び第１積層部１１２ｅ上に広がり、下部、上
部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に充填される。仮に、第
１組成物の液滴１１０ｃが所定の吐出位置からはずれて
上面１１２ｆ上に吐出されたとしても、上面１１２ｆが
第１組成物滴１１０ｃで濡れることがなく、はじかれた
第１組成物滴１１０ｃが下部、上部開口部１１２ｃ、１
１２ｄ内に転がり込む。

【００７７】電極面１１１ａ上に吐出する第１組成物の
全量は、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄの大き
さ、形成しようとする正孔注入／輸送層の厚さ、第１組
成物中の正孔注入／輸送層形成材料の濃度等により決定
される。

【００７８】次いで、図１４に示すような乾燥工程を行
う。乾燥工程を行う事により、吐出後の第１組成物を乾
燥処理し、第１組成物に含まれる極性溶媒を蒸発させ、
正孔注入／輸送層１１０ａを形成する。乾燥処理を行う
と、第１組成物滴１１０ｃに含まれる極性溶媒の蒸発
が、主に無機物バンク層１１２ａ及び有機物バンク層１
１２ｂに近いところで起き、極性溶媒の蒸発に併せて正
孔注入／輸送層形成材料が濃縮されて析出する。これに
より図１５に示すように、第１積層部１１２ｅ上に、正
孔注入／輸送層形成材料からなる周縁部１１０ａ2が形
成される。この周縁部１１０ａ2は、上部開口部１１２
ｄの壁面（有機物バンク層１１２ｂ）に密着しており、
その厚さが電極面１１１ａに近い側では薄く、電極面１
１１ａから離れた側、即ち有機物バンク層１１２ｂに近
い側で厚くなっている。

【００７９】また、これと同時に、乾燥処理によって電
極面１１１ａ上でも極性溶媒の蒸発が起き、これにより
電極面１１１ａ上に正孔注入／輸送層形成材料からなる
平坦部１１０ａ1が形成される。電極面１１１ａ上では
極性溶媒の蒸発速度がほぼ均一であるため、正孔注入／
輸送層の形成材料が電極面１１１ａ上で均一に濃縮さ
れ、これにより均一な厚さの平坦部１１０ａが形成され
る。このようにして、周縁部１１０ａ2及び平坦部１１
０ａ1からなる正孔注入／輸送層１１０ａが形成され
る。なお、周縁部１１０ａ2には形成されず、電極面１
１１ａ上のみに正孔注入／輸送層が形成される形態であ
っても構わない。

【００８０】上記の乾燥処理は、例えば、窒素雰囲気
中、室温で、圧力を例えば１３３．３Ｐａ（１Ｔｏｒ
ｒ）程度にして行う。圧力が低すぎると第１組成物滴１
１０ｃが突沸してしまうので好ましくない。また、温度
を室温以上にすると、極性溶媒の蒸発速度が高まり、平
坦な膜を形成する事ができない。乾燥処理後は、窒素
中、好ましくは真空中で２００℃で１０分程度加熱する
熱処理を行うことで、正孔注入／輸送層１１０ａ内に残
存する極性溶媒や水を除去することが好ましい。

【００８１】(4) 発光層形成工程この発光層形成工程は、発光層形成材料吐出工程および
乾燥工程により構成される。まず、発光層形成材料吐出
工程を行う。インクジェット法（液滴吐出法）により、
発光層形成材料を含む第２組成物を正孔注入／輸送層１
１０ａ上に吐出した後に乾燥処理して、正孔注入／輸送
層１１０ａ上に発光層１１０ｂを形成する。図１５に、
インクジェットによる吐出方法の概略を示す。図１５に
示すように、インクジェットヘッドＨ5と基体２とを相
対的に移動し、インクジェットヘッドに形成された吐出
ノズルＨ６から各色（たとえばここでは青色（Ｂ））発
光層形成材料を含有する第２組成物が吐出される。

【００８２】吐出の際には、下部、上部開口部１１２
ｃ、１１２ｄ内に位置する正孔注入／輸送層１１０ａに
吐出ノズルを対向させ、インクジェットヘッドＨ5と基
体２とを相対移動させながら、第２組成物が吐出され
る。吐出ノズルＨ6から吐出される液量は１滴当たりの
液量が制御されている。このように液量が制御された液
（第２組成物滴１１０ｅ）が吐出ノズルから吐出され、
この第２組成物滴１１０ｅを正孔注入／輸送層１１０ａ
上に吐出する。発光層形成工程は、正孔注入／輸送層形
成工程と同様に、最初の液滴をバンク部１１２に当てる
ように吐出する。２つ目の液滴は、１つ目の液滴と重な
るように吐出しても良いし、間隔を空けて吐出しても良
い。更に１つの画素領域に対し、２回の走査に分けても
良い。

【００８３】即ち、図１５に示すように、１つの開口部
１１２ｇに対して吐出する最初の第２組成物の液滴は、
有機質バンク層１１２ｂの傾斜した壁面１１２ｈに接触
させるように吐出する。有機質バンク層１１２ｂの壁面
１１２ｈは先の撥液化工程によって撥液性に処理されて
いるので、吐出された液滴は壁面１１２ｈに接触するも
のの直ちにはじかれ、この壁面１１２ｈ上を転がって正
孔注入／輸送層１１０ａ上に転がり落ちる。なお、この
最初の液滴は、有機質バンク層１１２ｂの壁面１１２ｈ
の少なくとも一部に接触すれば良く、壁面１１２ｈと同
時に有機物バンク層の上面１１２ｆに接するように吐出
しても構わない。

【００８４】続いて、２つ目以降の液滴は、図１５と同
様に、直前の液滴と重なり合わない程度の間隔を空けて
吐出する。即ち、各液滴の滴下時の間隔Ｄを、各液滴の
直径ｄより広くする（Ｄ＞ｄ）ことが好ましい。尚、こ
の場合は１回の走査で吐出できる液滴の数が限られるの
で、十分な膜厚の発光層１１２ｂを形成するためには、
１つの画素領域Ａに対するインクジェットヘッドＨ5の
走査を複数回行うことが好ましい。

【００８５】また、図１５と同様に、２つ目以降の液滴
を、直前の液滴と重なり合う程度の間隔で吐出してもよ
い。即ち、各液滴の滴下時の間隔Ｄを、各液滴の直径ｄ
より狭く（Ｄ＜ｄ）しても良い。尚、この場合は１回の
走査で吐出できる液滴の数に制限がないので、十分な膜
厚の発光層１１２ｂを形成するために、１つの画素領域
Ａに対するインクジェットヘッドＨ5の走査を１回とし
てもよく、複数回としてもよい。インクジェットヘッド
Ｈ5の走査を複数回行う場合は、前述と同様に、各走査
回毎にインクジェットヘッドＨ5を副走査方向にシフト
させ、特定のノズルから別のノズルに切り替えて吐出を
行うことが好ましい。このように一つの画素領域Ａに対
して複数のノズルを用いて吐出を行った場合は、上記と
同様に、誤差拡散の効果により各画素領域Ａ毎に形成さ
れる発光層１１２ｂの膜厚を均一にできる。

【００８６】特に、１つの画素領域Ａに対するインクジ
ェットヘッドＨ5の走査を２回で行うとした場合は、１
回目と２回目の走査方向を反対方向としても良く、同じ
方向としてもよい。１，２回目の走査方向を反対方向と
した場合は、１回目の走査で画素領域Ａの半分の領域ま
で第１組成物を吐出し、２回目の走査で残りの半分の領
域に吐出すればよい。また、１回目の走査により形成さ
れた領域をうめるように、２回目の走査を行うこともで
きる。更に、１，２回目の走査方向を同一方向とした場
合は、１回目の走査で各液滴同士が接触しない程度に間
隔を空けて吐出し、２回目の走査で吐出済みの液滴の間
を埋めるように吐出すればよい。もちろん、１つの画素
領域を２つの領域に分けて吐出を行うことも可能であ
る。

【００８７】発光層形成材料としては、（ポリ）フルオ
レン系高分子誘導体や、（ポリ）パラフェニレンビニレ
ン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾ
ール、ポリチオフェン誘導体、ペリレン係色素、クマリ
ン系色素、ローダミン系色素、あるいは上記高分子に有
機ＥＬ材料をドープして用いる事ができる。例えば、ル
ブレン、ペリレン、９，１０-ジフェニルアントラセ
ン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリ
ン６、キナクリドン等をドープすることにより用いるこ
とができる。

【００８８】非極性溶媒としては、正孔注入／輸送層１
１０ａに対して不溶なものが好ましく、例えば、シクロ
へキシルベンゼン、ジハイドロベンゾフラン、トリメチ
ルベンゼン、テトラメチルベンゼン等を用いることがで
きる。このような非極性溶媒を発光層１１０ｂの第２組
成物に用いることにより、正孔注入／輸送層１１０ａを
再溶解させることなく第２組成物を塗布できる。

【００８９】図１５に示すように、吐出された第２組成
物１１０ｅは、正孔注入／輸送層１１０ａ上に広がって
下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に満たされる。
その一方で、撥液処理された上面１１２ｆでは第１組成
物滴１１０ｅが所定の吐出位置からはずれて上面１１２
ｆ上に吐出されたとしても、上面１１２ｆが第２組成物
滴１１０ｅで濡れることがなく、第２組成物滴１１０ｅ
が下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に転がり込
む。

【００９０】各正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出する
第２組成物量は、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ
の大きさ、形成しようとする発光層１１０ｂの厚さ、第
２組成物中の発光層材料の濃度等により決定される。ま
た、第２組成物１１０ｅは１回のみならず、数回に分け
て同一の正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出しても良
い。この場合、各回における第２組成物の量は同一でも
良く、各回毎に第２組成物の液量を変えても良い。更に
正孔注入／輸送層１１０ａの同一箇所のみならず、各回
毎に正孔注入／輸送層１１０ａ内の異なる箇所に第２組
成物を吐出配置しても良い。

【００９１】次に、第２の組成物を所定の位置に吐出し
終わった後、吐出後の第２組成物滴１１０ｅを乾燥処理
することにより発光層１１０ｂ３が形成される。すなわ
ち、乾燥により第２組成物に含まれる非極性溶媒が蒸発
し、図１６に示すような青色（Ｂ）発光層１１０ｂ3が
形成される。なお、図１６においては青に発光する発光
層が１つのみ図示されているが、図１やその他の図より
明らかなように本来は発光素子がマトリックス状に形成
されたものであり、図示しない多数の発光層（青色に対
応）が形成されている。

【００９２】続けて、図１７に示すように、前述した青
色（Ｂ）発光層１１０ｂ3の場合と同様の工程を用い、
赤色（Ｒ）発光層１１０ｂ1を形成し、最後に緑色
（Ｇ）発光層１１０ｂ2を形成する。なお、発光層１１
０ｂの形成順序は、前述の順序に限られるものではな
く、どのような順番で形成しても良い。例えば、発光層
形成材料に応じて形成する順番を決める事も可能であ
る。

【００９３】また、発光層の第２組成物の乾燥条件は、
青色１１０ｂ3の場合、例えば、窒素雰囲気中、室温で
圧力を１３３．３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）程度として５〜１
０分行う条件とする。圧力が低すぎると第２組成物が突
沸してしまうので好ましくない。また、温度を室温以上
にすると、非極性溶媒の蒸発速度が高まり、発光層形成
材料が上部開口部１１２ｄ壁面に多く付着してしまうの
で好ましくない。また緑色発光層１１０ｂ2、および赤
色発光層ｂ１の場合、発光層形成材料の成分数が多いた
めに素早く乾燥させることが好ましく、例えば、４０℃
で窒素の吹き付けを５〜１０分行う条件とするのがよ
い。その他の乾燥の手段としては、遠赤外線照射法、高
温窒素ガス吹付法等を例示できる。このようにして、画
素電極１１１上に正孔注入／輸送層１１０ａ及び発光層
１１０ｂが形成される。

【００９４】(5)対向電極（陰極）形成工程対向電極形成工程は、図１８に示すように、発光層１１
０ｂ及び有機物バンク層１１２ｂの全面に陰極１２（対
向電極）を形成する。この陰極１２を構成する材料（対
向電極材料）としては、Ａｌ、Ａｇ等の高融点金属が好
適に用いられる。また、その厚さは、例えば１００〜１
０００ｎｍの範囲が好ましく、特に２００〜５００ｎｍ
程度がよい。この陰極材料は、蒸着法、スパッタ法、Ｃ
ＶＤ法等、各種の成膜方法を用いて成膜することができ
るが、熱による発光層１１０ｂの損傷を防止することが
できる点で、蒸着法が特に好ましい。

【００９５】蒸着法により陰極材料を成膜する場合、発
光層１１０ｂ及び有機物バンク層１１２ｂへの熱的ダメ
ージを軽減するために、また、蒸着物の突沸（スプラッ
シュ）を防ぐために、陰極材料の蒸着速度を変化させ
る。図１９は、膜厚に対する蒸着速度の制御の一例を示
す図であり、この図では、蒸着時期を３つの領域に区分
し、それぞれの領域に対応して蒸着速度を設定してい
る。具体的には、蒸着初期、例えば、膜厚が０〜１００
Åの間は１Å／ｓｅｃの低速で蒸着し、蒸着中期、例え
ば、膜厚が１００〜３００Åの間は４Å／ｓｅｃの中速
で蒸着し、蒸着後期、例えば、膜厚が３００Å〜目的膜
厚の間は６Å／ｓｅｃの高速で蒸着する。

【００９６】蒸着速度を変化させる方法としては、例え
ば、膜厚センサ等を用いて成膜しつつある薄膜の膜厚を
モニタリングし、この膜厚の測定値に対応して陰極材料
の蒸発源を加熱するヒーターの電力（電圧もしくは電
流）を制御し、蒸発源からの陰極形成材料の蒸発量を変
化させる方法が採られる。また、蒸発源と基板２との間
隔を可変することで、陰極材料の蒸着速度、すなわち膜
厚の成膜速度を変化させる方法を採ることもできる。こ
の場合、予め蒸発源または基板２、あるいはこれら双方
を相対移動可能な構造としておき、蒸発源（または基板
２）を基板２（または蒸発源）に対して段階的に近づけ
ることで、陰極材料の蒸着速度を変化させることができ
る。

【００９７】この制御方法では、陰極材料を成膜する際
の蒸着速度を段階的に制御、すなわち蒸着初期では蒸着
速度を低速とし、蒸着が進行するにしたがって蒸着速度
を段階的に速めるので、特に蒸着初期における放射熱の
量が減少し、発光層１１０ｂ及び有機物バンク層１１２
ｂへの熱的ダメージを防止することができる。したがっ
て、この熱的ダメージによる素子特性の悪化を防止する
ことができる。また、Ａｌ、Ａｇ等の高融点金属材料を
蒸着する際、蒸発源に多量の蒸着材料が残存する状態で
あっても、必要以上の電力を引加することがなくなるの
で、蒸発源において突沸が生じるのを防止することがで
き、蒸着される陰極材料への熱的なダメージを防止する
ことができる。

【００９８】なお，陰極１２は複数の材料を積層した多
層構造としてもよい。例えば、発光層に近い側にＣａ、
Ｂａ等の仕事関数が小さい材料からなる導電層を形成し
た構成としてもよい。また、材料によっては、陰極１２
の下方にＬｉＦ等からなる薄層を形成してもよい。この
ＬｉＦ薄層は、発光層１１０ｂ上のみに形成しても良
く、更に所定の色に対応して形成することもできる。例
えば、青色（Ｂ）発光層１１０ｂ3上のみに形成しても
良い。また、陰極１２上に、酸化防止のためにＳｉ
Ｏ₂、Ｓｉ₃Ｎ₄等の保護層を設けても良い。

【００９９】(6)封止工程封止工程は、発光素子が形成された基板２と封止基板３
ｂとを封止樹脂３ａにより封止する工程である。例え
ば、熱硬化型樹脂または紫外線硬化型樹脂からなる封止
樹脂３ａを基板２の全面に塗布し、封止樹脂３ａ上に封
止用基板３ｂを積層する。この工程により基板２上に封
止部３を形成する。封止工程は、窒素、アルゴン、ヘリ
ウム等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。大気
中で行うと、陰極１２にピンホール等の欠陥が生じてい
た場合にこの欠陥部分から水や酸素等が陰極１２に侵入
して陰極１２が酸化されるおそれがあるので好ましくな
い。更に、図２に例示した基板５の配線５ａに陰極１２
を接続するとともに、駆動ＩＣ６に回路素子部１４の配
線を接続することにより、本実施形態の有機ＥＬ装置１
が得られる。

【０１００】本実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法によ
れば、発光層上に陰極を形成する際に、陰極材料を蒸着
する際の蒸着速度を低速から、中速、高速へと段階的に
変化させるので、蒸着に伴い発生する放射熱の量を減少
させることができ、蒸着過程において発光層等の薄膜へ
の熱的ダメージを防止することができ、蒸着過程の熱的
ダメージによる素子特性の悪化を防止することができ
る。また、Ａｌ、Ａｇ等の高融点金属材料を蒸着する際
においても、蒸発源は蒸着速度に対応させて段階的に加
熱されるので、突沸等が生じるおそれがなくなり、陰極
等の蒸着膜に熱的なダメージを与えるおそれがない。

【０１０１】［第２の実施形態］以下、本発明の第２の
実施形態を図面を参照して説明する。図２０は本実施形
態の有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す模式図であり、
有機ＥＬとしての機能を有する発光層及び有機物バンク
層が形成された基板２０１の全面に蒸着法により陰極
（対向電極）を形成する対向電極形成工程の例である。
この工程では、基板２０１を固基板ホルダ２０２に固定
し、この基板２０１の蒸着面（成膜面）２０１ａとは反
対側の面、すなわち基板２０１の裏面２０１ｂに放熱板
（放熱部材）２０３を接触させる。

【０１０２】放熱板２０３は、少なくとも基板２０１に
接触する側の面が、この基板２０１を構成する透明ガラ
スより熱伝導率の高い材料、例えば、Ｃｕ、Ｃｕ合金、
Ａｌ、Ａｌ合金等の金属材料により構成されて、基板２
０１に蓄積される熱を速やかに外方へ散逸させることの
できる構成であればよく、具体的には、放熱板２０３全
体を上記の金属または合金により構成したもの、放熱板
２０３を積層構造とし、基板２０１に接触する側の１層
あるいは複数層を上記の金属または合金により構成した
もの等が好適に用いられる。

【０１０３】この対向電極形成工程では、基板２０１の
蒸着面（成膜面）、すなわち発光層及び有機物バンク層
が形成された面を基板ホルダ２０２に対向させた状態
で、この基板２０１を基板ホルダ２０２に固定し、この
基板２０１の裏面に放熱板２０３を接触させ、この基板
ホルダ２０２をマスクとして上記の発光層及び有機物バ
ンク層を含む基板２０１の蒸着面全面に陰極材料を蒸着
２０４する。

【０１０４】放熱板２０３は基板２０１の裏面に接触し
ていればよいので、この放熱板２０３を基板２０１の裏
面に単に載置した構成としてもよいが、密着性をより高
めて放熱性を向上させるために、図２２に示すように、
基板ホルダ２０２で放熱板２０３を基板２０１とともに
固定した構成、あるいは、治具等を用いて基板２０１の
裏面に放熱板２０３を密着固定する構成とすれば、なお
効果的である。

【０１０５】蒸着材料が蒸着される際に、この蒸着材料
の有する運動エネルギーの一部が熱エネルギーに変換さ
れて基板２０１内に蓄積されることとなるが、この蓄積
される熱は放熱板２０３を介して外方へ速やかに散逸さ
れるので、基板２０１内にこもってしまうおそれがな
い。したがって、蒸着の際に、基板２０１に形成された
発光層及び有機物バンク層等の薄膜に基板２０１側から
熱が加わるおそれがなくなり、得られた素子に熱的なダ
メージが生じるおそれがなくなる。

【０１０６】なお、上記の対向電極形成工程に、上述し
た第１の実施形態の対向電極形成工程にて用いられた陰
極材料の蒸着速度を変化させる方法を加えれば、上記の
効果に加え、発光層１１０ｂ及び有機物バンク層１１２
ｂへの熱的ダメージを軽減することができ、蒸着物の突
沸を防ぐことができる。

【０１０７】［第３の実施形態］以下、第１の実施形態
の有機ＥＬ表示装置を備えた電子機器の具体例について
説明する。図２１（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜
視図である。図２１（ａ）において、符号６００は携帯
電話本体を示し、符号６０１は前記の有機ＥＬ表示装置
を用いた表示部を示している。図２１（ｂ）は、ワープ
ロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した
斜視図である。図２１（ｂ）において、符号７００は情
報処理装置、符号７０１はキーボードなどの入力部、符
号７０２は前記の有機ＥＬ表示装置を用いた表示部、符
号７０３は情報処理装置本体を示している。図２１
（ｃ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図であ
る。図２１（ｃ）において、符号８００は時計本体を示
し、符号８０１は前記の有機ＥＬ表示装置を用いた表示
部を示している。

【０１０８】図２１（ａ）〜（ｃ）に示すそれぞれの電
子機器は、前記の第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置を
用いた表示部を備えたものであり、先の第１の実施形態
の有機ＥＬ表示装置の特徴を有するので、高輝度であっ
て表示品質に優れた効果を有する電子機器となる。これ
らの電子機器を製造するには、第１の実施形態と同様に
して、図２に示すような駆動ＩＣ６（駆動回路）を備え
た有機ＥＬ表示装置１を構成し、この有機ＥＬ表示装置
１を、携帯電話、携帯型情報処理装置、腕時計型電子機
器に組み込むことにより製造される。

【０１０９】なお、本発明は，上記各実施の形態に限定
されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲に
おいて種々の変更を加えることが可能である。図２２
は、本発明に係る他の例の有機ＥＬ装置を示す断面図で
あり、この有機ＥＬ装置は、基板２と、基板２上に形成
された表示素子１０と、表示素子１０の全面に塗布され
た封止樹脂３ａと、封止樹脂３ａ上に備えられた封止用
基板３ｂとを具備して構成されている。基板２、表示素
子１０、封止樹脂３ａ及び封止用基板３ｂは、第１の実
施形態に係る基板２、表示素子１０、封止材３及び封止
用基板４と同じものである。表示素子１０は、発光素子
部１１と、該発光素子部１１上に形成された陰極１２と
を主体として構成されている。この有機ＥＬ装置によれ
ば、水及び酸素の侵入を効果的に防いで陰極１２または
発光層の酸化、腐食等を防止することにより、有機ＥＬ
装置の高輝度化及び長寿命化を図ることができる。

【０１１０】図２３は、本発明に係る別の他の例の有機
ＥＬ装置を示す断面図であり、この有機ＥＬ装置は、封
止材３と陰極１２の間に保護層７１４を形成した構成で
ある。保護層７１４は、ＳｉＯ₂、Ｓｉ₃Ｎ₄等からなる
ものであり、厚さが１００〜２００ｎｍの範囲とされて
いる。この保護層７１４は、陰極１２及び発光素子部１
１に対する水又は酸素の侵入を防いで、陰極１２または
発光素子部１１内に形成された図示略の発光層の酸化、
腐食等を防止する。上記の有機ＥＬ装置によれば、水及
び酸素の侵入を効果的に防いで陰極１２または発光層の
酸化、腐食等を防止することにより、有機ＥＬ表示装置
の高輝度化及び長寿命化を図ることができる。

【０１１１】また、第１の実施形態においては、Ｒ、
Ｇ、Ｂの各発光層１１０ｂをストライプ配置した場合に
ついて説明したが、本発明はこれに限られず、様々な配
置構造を採用しても良い。例えば図２４（ａ）に示すよ
うなストライプ配置の他、図２４（ｂ）に示すようなモ
ザイク配置や、図２４（ｃ）に示すようなデルタ配置と
することができる。

【０１１２】

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明の
電気光学装置の製造方法によれば、発光素子を構成する
一対の電極のうち一方の電極を、段階的に成膜速度を変
化させることにより形成するので、成膜に伴い発生する
放射熱の量を減少させることができ、成膜過程の薄膜へ
の熱的ダメージを防止することができる。したがって、
成膜過程の熱的ダメージによる素子特性の悪化を防止す
ることができる。また、Ａｌ、Ａｇ等の高融点金属材料
を蒸着する際においても、蒸発源における突沸を防止す
ることができ、蒸着膜への熱的なダメージを防止するこ
とができる。したがって、成膜過程の熱的ダメージによ
る素子特性の悪化を防止することができる。

【０１１３】本発明の表示装置の他の製造方法によれ
ば、基板の他方の面に前記基板の熱伝導率より高い放熱
部材が配置された状態で、前記一対の電極のうち一方の
電極を形成するので、電極の形成に伴い基板に加わる熱
を放熱部材により速やかに外部に散逸させることで、基
板内に熱がこもるのを防止することができる。したがっ
て、電極形成時に基板側から熱が加わるのを防止するこ
とができ、得られた素子に熱的なダメージが生じるのを
防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態の有機ＥＬ装置の配
線構造を示す模式図である。

【図２】本発明の第１の実施形態の有機ＥＬ装置を示
す図であって、（ａ）は有機ＥＬ表示装置の平面図、
（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線に沿う断面図である。

【図３】本発明の第１の実施形態の有機ＥＬ装置の要
部を示す断面図である。

【図４】本発明の第１の実施形態の有機ＥＬ装置の製
造方法を示す過程図である。

【図５】本発明の第１の実施形態の有機ＥＬ装置の製
造方法を示す過程図である。

【図６】本発明の第１の実施形態の有機ＥＬ装置の製
造の際に用いられるプラズマ処理装置の一例を示す模式
図である。

【図７】図６に示すプラズマ処理装置の第１プラズマ
処理室の内部構造を示す模式図である。

【図８】本発明の第１の実施形態の有機ＥＬ装置の製
造方法を示す過程図である。

【図９】本発明の第１の実施形態の有機ＥＬ装置の製
造方法を示す過程図である。

【図１０】本発明の第１の実施形態の有機ＥＬ装置の
製造の際に用いられるプラズマ処理装置の他の例を示す
模式図である。

【図１１】本発明の第１の実施形態の有機ＥＬ装置を
製造する際に用いられるインクジェットヘッドを示す平
面図である。

【図１２】本発明の第１の実施形態の有機ＥＬ装置を
製造する際に用いられるインクジェット装置を示す平面
図である。

【図１３】本発明の第１の実施形態の有機ＥＬ装置の
製造方法を示す過程図である。

【図１４】本発明の第１の実施形態の有機ＥＬ装置の
製造方法を示す過程図である。

【図１５】本発明の第１の実施形態の有機ＥＬ装置の
製造方法を示す過程図である。

【図１６】本発明の第１の実施形態の有機ＥＬ装置の
製造方法を示す過程図である。

【図１７】本発明の第１の実施形態の有機ＥＬ装置の
製造方法を示す過程図である。

【図１８】本発明の第１の実施形態の有機ＥＬ装置の
製造方法を示す過程図である。

【図１９】本発明の第１の実施形態の有機ＥＬ装置の
製造方法における蒸着速度と膜厚との関係を示す図であ
る。

【図２０】本発明の第２の実施形態の有機ＥＬ装置の
製造方法を示す模式図である。

【図２１】本発明の第２の実施形態の電子機器を示す
斜視図である。

【図２２】本発明に係る他の例の有機ＥＬ装置を示す
断面図である。

【図２３】本発明に係る別の他の例の有機ＥＬ装置を
示す断面図である。

【図２４】本発明に係るさらに別の他の例の有機ＥＬ
表示装置を示す断面図である。

【符号の説明】

１表示装置２基板２ａ表示領域２ｂ非表示領域３封止部６ａ駆動ＩＣ（駆動回路）１０表示素子１１発光素子部１２陰極（（対向電極）１１０機能層１１０ａ正孔注入／輸送層１１０ａ1 平坦部１１０ａ2 周縁部１１０ｂ発光層１１１画素電極１１１ａ電極面１１２バンク部１１２ａ無機物バンク層１１２ｂ有機物バンク層１１２ｃ下部開口部１１２ｄ上部開口部１１２ｅ上面１１２ｆ上面１１２ｇ開口部２０１基板２０１ａ蒸着面（成膜面）２０１ｂ裏面（蒸着面（成膜面）とは反対側の面）２０２基板ホルダ２０３放熱板（放熱部材）Ａ画素領域

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一対の電極間に発光層を有する発光素子
が基板上に形成されてなる電気光学装置の製造方法であ
って、前記一対の電極のうち一方の電極を、段階的に成膜速度
を変化させることにより形成することを特徴とする電気
光学装置の製造方法。
【請求項２】前記一方の電極を、蒸着法により形成
し、前記一方の電極を形成する電極材料の蒸発速度を段
階的に変化させることを特徴とする請求項１記載の電気
光学装置の製造方法。
【請求項３】前記一方の電極を、蒸着法により形成
し、蒸発源と前記発光層との間隔を段階的に変化させる
ことにより蒸着速度を段階的に変化させることを特徴と
する請求項１記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】前記一方の電極を、膜厚方向に複数の領
域に区分し、互いに隣接する２つの領域における成膜速
度を異ならせることを特徴とする請求項１記載の電気光
学装置の製造方法。
【請求項５】一対の電極間に発光層を有する発光素子
が基板の一方の面に形成されてなる電気光学装置の製造
方法であって、前記基板の他方の面に前記基板の熱伝導率より高い放熱
部材が配置された状態で、前記一対の電極のうち一方の
電極を形成することを特徴とする電気光学装置の製造方
法。
【請求項６】前記放熱部材の少なくとも前記基板に接
触する部分は、銅、銅合金、アルミニウム、アルミニウ
ム合金から選択された少なくとも１種により構成されて
いることを特徴とする請求項５記載の電気光学装置の製
造方法。
【請求項７】請求項１ないし６のいずれか１項記載の
電気光学装置の製造方法により製造されてなることを特
徴とする電気光学装置。
【請求項８】一対の電極間に発光層を有する発光素子
が基板の一方の面に形成されてなる電気光学装置と、前
記電気光学装置を駆動するための駆動回路と、を有して
なる電子機器の製造方法であって、前記一対の電極のうち一方の電極を、段階的に成膜速度
を変化させることにより形成することを特徴とする電子
機器の製造方法。
【請求項９】一対の電極間に発光層を有する発光素子
が基板の一方の面に形成されてなる電気光学装置と、前
記電気光学装置を駆動するための駆動回路と、を有して
なる電子機器の製造方法であって、前記基板の他方の面に前記基板の熱伝導率より高い放熱
部材が配置された状態で、前記一対の電極のうち一方の
電極を形成することを特徴とする電子機器の製造方法。
【請求項１０】請求項８または９記載の電子機器の製
造方法により製造されてなることを特徴とする電子機
器。