JPWO2014020914A1 - 有機el表示パネルとその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
以下、本発明の態様を具体的に説明するに先立ち、本発明の態様を得るに至った経緯について説明する。
[本発明の一態様の概要]
本発明の有機EL表示パネルは、基板と、前記基板上に形成され、長尺状の第1サブ画素領域と当該第1サブ画素領域と発光色が異なる長尺状の第2サブ画素領域とを区画すると共に、層上部に凹部が複数設けられた隔壁層と、を備え、前記基板を平面視すると、前記第2サブ画素領域は、前記第1サブ画素領域の長手方向を除く方向において前記第1サブ画素領域に隣り合い、前記基板を平面視すると、前記第1サブ画素領域の長手方向の中心から前記第1サブ画素領域の短手方向に仮想線を引いたときの、当該仮想線と前記第1サブ画素領域の縁辺との2つの交点のうち、前記隔壁層に設けられた凹部に近い側の交点を基準点と規定すると、前記第1サブ画素領域の基準点と前記隔壁層に設けられ前記基準点に最も近くに位置する凹部の縁辺との最短距離は、前記第1サブ画素領域の基準点と前記基準点に最も近くに位置する前記第2サブ画素領域の縁辺との最短距離に比べて小さい、ことを特徴とする。
<実施の形態1>
1.全体構成
以下、本発明の実施の形態を、図1、2を参照しつつ、詳細に説明する。
2.有機EL表示パネル1の製造工程
次に、有機EL表示パネルの製造工程について、図5、6の断面図を用いて説明する。
3.効果
以下、隔壁層14に凹部14bを設けることによる効果について、図7〜図10を用いて説明する。なお、本実施の形態では、青色、赤色、緑色の光を発光する発光層15を、それぞれB発光層15B、R発光層15R、G発光層15G、と呼ぶ。また、青色、赤色、緑色の光を発光する有機材料インク15Iを、それぞれ、有機材料インク15BI、有機材料インク15RI、有機材料インク15GI、と呼ぶ。なお、同図を通して、B、R、G有機材料インクを、順に一色ごとに塗布および乾燥させて発光層15を形成する工程を例示する。図7、図8は比較例に係る有機EL表示パネルの製造工程において、赤色の有機材料インクが溢れた場合を説明する、それぞれ模式断面図、模式上面図である。一方、図9、図10は有機EL表示パネル1の製造工程において、赤色の有機材料インクが溢れた場合を説明する、それぞれ模式断面図、模式上面図である。
3−1.比較例
以下、比較例に係る有機材料パネルの製造工程における、発光層の形成工程を示す。
3−2.本実施例
以下、本実施例に係る有機材料パネルの製造工程における、発光層の形成工程を示す。
3−3.効果
この構成では、基準点14P1と凹部14bの開口縁辺との最短距離が、第1サブ画素領域の縁辺と第2サブ画素領域の縁辺との最短距離よりも小さくなっている。そのため、図3に示すように、基準点14P1と凹部14bの開口縁辺との最短距離が、第1サブ画素領域の縁辺と第2サブ画素領域の縁辺との最短距離よりも小さくなっている。そのため、第1サブ画素領域の基準点14P1から溢れた有機材料インクは、第2サブ画素領域に到達するまでに、凹部14bに到達する。従って、有機材料インクが溢れた場合でも、隣のサブ画素領域に有機材料インクが入り込むことを抑制できる。
<実施の形態2>
以下、本発明の実施の形態2は、隔壁層の凹部が陽極とSD電極とのコンタクトホールに形成されている点が、上記実施の形態1と異なる。よって、上記実施の形態1と同一の構成の説明は割愛する。
1.構成
図11の断面図に示すように、有機EL表示パネル201は、ガラス基板221およびTFT(薄膜トランジスタ)224を含むTFT基板225と、TFT基板225上に形成された層間絶縁層226と、層間絶縁層226上にサブ画素領域ごとに設けられた陽極212と、陽極212上に形成されたホール注入層213とを備える。
2.効果
この構成では、陽極212とTFT224とのコンタクトホールに、隔壁層214の凹部214bが形成されている。これにより、隔壁層214の凹部214bを形成する際の位置合わせが必要無く、製造が簡便化できる。
<実施の形態3>
以下、本発明の実施の形態3は、陽極と隔壁層の凹部の底との間に絶縁層が形成されている点が、上記実施の形態2と異なる。よって、上記実施の形態1、2と同一の構成の説明は割愛する。
1.構成
図12に示すように、有機EL表示パネル301は、TFT基板325と、TFT基板325上に形成された層間絶縁層326と、層間絶縁層326上にサブ画素領域ごとに設けられた陽極312と、陽極312上に形成されたホール注入層313とを備える。実施の形態2と同様に、陽極312とTFT324とのコンタクトホールは、パッシベーション膜323にも連通している。コンタクトホールにおいて、ドレイン322が層間絶縁層326の底部に露出した状態となっている。陽極312は、コンタクトホールの内壁に沿っても形成され、底部に露出するTFT324のドレイン322に接続されている。
2.効果
この構成では、隔壁層314の凹部314bの底に、絶縁層328が形成されている。そのため、凹部314内に有機材料インクが入り込み、有機層が形成されたとしても、発光することがなく、隣り合うサブ画素領域における混色を抑制できる。
<変形例>
以上の通り、本発明を実施の形態に基づいて説明したが、本発明は上記実施の形態に限らない。以下に、上記実施の形態の変形例について説明する。
1.インク流出部
上記実施の形態では、隔壁層の幅が均一であり、サブ画素領域の縁辺の中央部から有機材料インクが溢れやすい例を示した。しかしながら、これに限らず、隔壁層の幅が不均一である場合も考えられる。隔壁層の幅が不均一である場合、隔壁層の幅が小さい部分から有機材料インクが溢れると、隣のサブ画素領域に有機材料インクが入り込みやすい。そのため、隔壁層の幅が不均一である場合には、隔壁層の幅が小さい部分であるインク流出部と隔壁層に設けられた凹部の開口縁辺との最短距離が、インク流出部と隣り合うサブ画素領域の縁辺との最短距離よりも小さくなるよう、サブ画素領域と凹部とを配置すればよい。
2.有機材料インクの特性
(表面張力)
有機材料インクの表面張力は、好ましくは20mN/m〜70mN/mであって、特に好ましくは25mN/m〜45mN/mである。この範囲の表面張力にすることにより、インク塗布において、インクジェット装置のノズルからインクを吐出させる際の、有機材料インクの液滴の飛行曲がりを抑制できる。具体的には、有機材料インクの表面張力が20mN/m未満であると、有機材料インクのノズル面上での濡れ性が増大し、有機材料インクを吐出する際、有機材料インクがノズル孔の周囲に非対称に付着することがある。この場合、ノズル孔に付着した有機材料インクと吐出しようとする付着物との相互間に引力が働くため、有機材料インクは不均一な力により吐出されることになり、目標位置に到達できない所謂飛行曲がりが生じる頻度が高くなる。また、有機材料インクの表面張力が70mN/mを超えると、ノズル先端での液滴の形状が安定しないため、有機材料インクの吐出径、および吐出タイミングの制御が困難になる。
(固形物濃度)
有機材料インクの固形分濃度は、組成物全体に対して0.01wt%〜10.0wt%が好ましく、0.1wt%〜5、0wt%が更に好ましい。固形分濃度が低すぎると必要な膜厚を得るために吐出回数が多くなってしまい、製造効率が悪くなってしまう。また、固形分濃度が高すぎると粘度が高くなってしまい、吐出性に影響を与える。
(溶媒)
本発明に用いられる発光層、ホール注入層などの発光機能を有する層を構成する有機材料は、有機溶媒に溶解させて有機材料インクの形にして塗布するのが一般的である。有機材料用の溶媒の選択は、有機材料の溶解性や安定性、発光層を形成する場合に重要な有機材料インクの粘度および表面張力、発光層の均一性を保証するために必要な溶媒の沸点などを考慮して行う。
3.有機材料インクの乾燥方法
有機材料インクの乾燥方法としては、真空乾燥およびベーク処理以外にも、不活性ガス中での乾燥が用いられ、他に、有機材料インクの溶媒である程度満たした雰囲気下で、乾燥させる場合もある。
4.層構成
上記実施の形態等では、層構成はトップエミッション型であった。トップエミッション型である場合には、陽極には光を反射する陽極を用いることが好ましく、陰極には実質的に透光性のある陰極を用いることが好ましい。ここで、陰極および陽極は、多層構成とする場合が多い。しかしながら、これに限らず、発光層からの光をガラス基板側からから取り出すいわゆるボトムエミッション型でもよい。さらに、基板に近い方の電極を陰極とする、いわゆるリバース構造をとることも可能である。リバース構造においてもボトムエミッション型、およびトップエミッション型があり、本発明においては、どちらの構造でも効果が期待できる。
5.発光層等
上記実施の形態等では、ホール注入層の上に、有機半導体材料を塗布して、発光層を形成する。また、発光層と陰極との間には、電子注入層が形成される。しかしながら、この構成に限らず、発光層とホール注入層との間に、ホールブロッキング層としてIL層を設けると、発光効率の点でより好ましい。ホールブロッキング層としては、ポリフルオレン系の高分子材料で発光層に用いる材料よりLUMO(最低空軌道)レベルが高いか、もしくは電子の移動度が小さいTFB等が用いられるが、これに限ったものではない。発光層としては、ポリフルオレン系、ポリフエニレンビニレン系、ペンダント型、デンドリマー型、塗布型の低分子系を含め、溶媒に溶解させ、塗布して薄膜を形成出来るものであれば種類を問わない。
6.隔壁層
上記実施の形態等では、隔壁層の上面が平坦であったが、これに限らず、例えば、隔壁層の上面が、凹部側に向かって高さが低くなるよう傾斜させてもよい。これにより、サブ画素領域から有機材料インクが溢れて隔壁層に乗り上げた場合、素早く凹部に有機材料インクを移動させることができる。
7.ホール注入層
ホール注入層として、有機物であればポリチオフェン系のPEDT(ポリ3,4エチレンジオキシチオフェン)等の材料をスピンコート法で、あるいは、インクジェット法、ノズルコート法のいずれかで形成する。ホール注入層としては、ポリアニリン系の材料も用いることが出来る。また、無機物のホール注入層も知られており、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化バナジウム、酸化ルテニウム等が用いられる。その他に、ホール注入層としてフラーレン等の炭素化合物を蒸着して用いることができ、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法によって形成される。
8.陰極
陰極としては、仕事関数の小さい金属もしくは合金が用いられるが、トップエミッション型構造では、本実施の形態では、仕事関数の小さい金属を用いた光透過性の高い超薄膜を形成し、その上部にITO,IZOなどの透光性材料からなる導電膜を積層することで、透明陰極を形成すればよい。この仕事関数の小さい金属からなる超薄膜は、Ba−AIの2層構造に限定されることなく、Ca−AIの2層構造、あるいはLi、Ce、Ca、Ba、In、Mg、Ti等の金属やこれらの酸化物、フッ化物に代表されるハロゲン化物、Mg−Ag合金、Mg−In合金等のMg合金や、AI−Li合金、AI−Sr金、AI−Ba合金等のAI合金等が用いられる。あるいはLiO2/AIやLiF/AI等の積層構造の超薄膜と、透光性導電膜との積層構造も陰極材料として好適である。さらに、TiOxや、MoOx,WOx,TiOx,ZnO等の遷移金属酸化物で酸素欠損をもち、導電性をしめすものを、電子の注入層として使用することが出来る。
9.製品形態
上記実施の形態の有機EL表示パネルは、単独での装置として、そのまま販売経路に流通できる。しかしながら、これに限らず、デジタルテレビ等の表示装置に組み込まれて流通してもよい。
3 駆動回路
5 制御回路
11 TFT基板
12 陽極
13 ホール注入層
14 隔壁層
14a サブ画素領域
14b 凹部
15 発光層
15RI 有機材料インク
16 電子注入層
17 陰極
18 封止層
Claims (9)
- 基板と、
前記基板上に形成され、長尺状の第1サブ画素領域と当該第1サブ画素領域と発光色が異なる長尺状の第2サブ画素領域とを区画すると共に、層上部に凹部が複数設けられた隔壁層と、
を備え、
前記基板を平面視すると、
前記第2サブ画素領域は、前記第1サブ画素領域の長手方向を除く方向において前記第1サブ画素領域に隣り合い、
前記基板を平面視すると、前記第1サブ画素領域の長手方向の中心から前記第1サブ画素領域の短手方向に仮想線を引いたときの、当該仮想線と前記第1サブ画素領域の縁辺との2つの交点のうち、前記隔壁層に設けられた凹部に近い側の交点を基準点と規定すると、
前記第1サブ画素領域の基準点と前記隔壁層に設けられ前記基準点に最も近くに位置する凹部の開口縁辺との最短距離は、前記第1サブ画素領域の基準点と前記基準点に最も近くに位置する前記第2サブ画素領域の縁辺との最短距離に比べて小さい、
ことを特徴とする有機EL表示パネル。 - 前記第2サブ画素領域の長手方向は、前記第1サブ画素領域の長手方向と平行な方向であり、
前記第1サブ画素領域の長手方向の中心と、前記第2サブ画素領域の長手方向の中心とが、前記第1サブ画素領域の短手方向における一直線上には位置しない
ことを特徴とする請求項1記載の有機EL表示パネル。 - 前記隔壁層は、さらに、前記第2サブ画素領域とは反対側で、前記第1サブ画素領域と当該第1サブ画素領域と発光色が異なる長尺状の第3サブ画素領域とを区画し、
前記第3サブ画素領域の長手方向は、前記第1サブ画素領域の長手方向と平行な方向であり、且つ、前記第3サブ画素領域は、前記第1サブ画素領域の長手方向を除く方向において前記第1サブ画素領域に隣り合い、
前記基板を平面視すると、
前記第1サブ画素領域の前記2つの交点のうち前記基準点と異なる交点と前記第1サブ画素領域と前記隔壁層に設けられ前記2つの交点のうち前記基準点と異なる交点に最も近くに位置する凹部の開口縁辺との最短距離は、前記第1サブ画素領域の前記2つの交点のうち前記基準点と異なる交点と前記2つの交点のうち前記基準点と異なる交点に最も近くに位置する前記第3サブ画素領域の縁辺との最短距離に比べて小さい、
ことを特徴とする請求項1記載の有機EL表示パネル。 - 前記第1、第2および第3サブ画素領域には、有機材料を含むインクを塗布し乾燥してなる有機膜が形成されている、
ことを特徴とする請求項3記載の有機EL表示パネル。 - 前記有機膜は有機発光層である、
ことを特徴とする請求項4記載の有機EL表示パネル。 - 前記第1サブ画素領域の長手方向の中心から短手方向に引いた仮想線上に、前記第2および第3サブ画素領域の縁辺の端部が存在する、
ことを特徴とする請求項3記載の有機EL表示パネル。 - 前記凹部は、前記第1および第2サブ画素領域に形成された発光部を駆動するための駆動素子と前記発光部とを電気的に接続するコンタクトホール領域に形成されている、
ことを特徴とする請求項1記載の有機EL表示パネル。 - 長尺状の第1サブ画素領域と、
前記第1サブ画素領域の長手方向を除く方向において前記第1サブ画素領域に隣り合い、且つ、前記第1サブ画素領域と発光色が異なる長尺状の第2サブ画素領域と、
前記第1サブ画素領域と前記第2サブ画素領域と異なる凹部が設けられた隔壁層と、
を備え、
前記基板を平面視すると、
前記第1サブ画素領域の縁辺には、インク流出部が含まれ、
前記第1サブ画素領域のインク流出部と前記隔壁層に設けられた凹部の開口縁辺との最短距離は、前記第1サブ画素領域のインク流出部と前記第2サブ画素領域との最短距離に比べて小さい、
ことを特徴とする有機EL表示パネル。 - 基板を準備する工程と、
基板上に、長尺状の第1および長尺状の第2サブ画素領域を区画すると共に、層上部に凹部が設けられた隔壁層を形成する工程と、
を含み、
前記基板を平面視すると、
前記第1サブ画素領域の長手方向の中心から前記第1サブ画素領域の短手方向に仮想線を引いたときの、当該仮想線と前記第1サブ画素領域の縁辺との2つの交点のうち、前記隔壁層に設けられた凹部に近い側の交点を基準点と規定すると、
前記隔壁層を形成する工程において、前記第1サブ画素領域の基準点と前記隔壁層に設けられ前記基準点に最も近くに位置する凹部の開口縁辺との最短距離は、前記第1サブ画素領域の基準点と前記基準点に最も近くに位置する前記第2サブ画素領域の縁辺との最短距離に比べて小さくなるように、前記凹部を形成する、
ことを特徴とする有機EL表示パネルの製造方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111416062A (zh) * | 2020-04-28 | 2020-07-14 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及显示装置 |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE112014003485B4 (de) * | 2013-08-28 | 2022-11-24 | Mitsubishi Electric Corporation | Stereoskopiebild-Anzeigevorrichtung und Verfahren zum Betreiben derselben |
KR102181978B1 (ko) * | 2014-08-22 | 2020-11-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
JP6539848B2 (ja) * | 2014-10-20 | 2019-07-10 | 株式会社Joled | 表示パネルの製造方法 |
JP2016085923A (ja) * | 2014-10-28 | 2016-05-19 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
CN104795429B (zh) * | 2015-04-13 | 2017-09-01 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Oled显示器件 |
CN104779268B (zh) * | 2015-04-13 | 2016-07-06 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Oled显示器件 |
JP6615001B2 (ja) * | 2016-02-24 | 2019-12-04 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置およびその製造方法 |
JP6641242B2 (ja) * | 2016-07-05 | 2020-02-05 | キヤノントッキ株式会社 | 蒸着装置及び蒸発源 |
CN108538882B (zh) * | 2017-03-02 | 2020-05-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN107393949B (zh) * | 2017-09-01 | 2024-06-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、显示面板、阵列基板和显示面板的制造方法 |
JP6957294B2 (ja) * | 2017-09-28 | 2021-11-02 | キヤノン株式会社 | 表示装置、電子機器、及び表示装置の製造方法 |
KR102432663B1 (ko) * | 2017-11-30 | 2022-08-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계 발광 표시장치 |
KR20200071511A (ko) * | 2018-12-11 | 2020-06-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 |
KR102648575B1 (ko) * | 2018-12-12 | 2024-03-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
JP2019133959A (ja) * | 2019-05-21 | 2019-08-08 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
CN110993646B (zh) * | 2019-11-08 | 2022-07-12 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled背板的制备方法及oled背板 |
CN111192905A (zh) * | 2020-01-08 | 2020-05-22 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光二极体显示器件及其制造方法 |
CN111509015A (zh) * | 2020-04-27 | 2020-08-07 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
KR20210142031A (ko) * | 2020-05-14 | 2021-11-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
US11424270B2 (en) * | 2020-06-02 | 2022-08-23 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Flexible display device and manufacturing method thereof |
JP2021039956A (ja) * | 2020-12-08 | 2021-03-11 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
WO2022163123A1 (ja) * | 2021-02-01 | 2022-08-04 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
CN115474443A (zh) * | 2021-03-24 | 2022-12-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制造方法、显示装置 |
US20220367831A1 (en) * | 2021-04-23 | 2022-11-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-Emitting Device, Light-Emitting Apparatus, Electronic Appliance, and Lighting Device |
US11973068B2 (en) * | 2021-10-28 | 2024-04-30 | PlayNitride Display Co., Ltd. | Micro LED display device and method forming the same |
Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004095290A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-03-25 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及びその製造方法、電子機器 |
JP2004117689A (ja) * | 2002-09-25 | 2004-04-15 | Hitachi Ltd | 表示装置 |
US20050162596A1 (en) * | 2004-01-28 | 2005-07-28 | Hee-Joon Kim | Liquid crystal display and a method for manufacturing the same |
JP2005316467A (ja) * | 2004-04-14 | 2005-11-10 | Au Optronics Corp | ディスプレイの画素アレイ及びディスプレイ |
JP2005345766A (ja) * | 2004-06-03 | 2005-12-15 | Shoka Kagi Kofun Yugenkoshi | 画素の発光領域と回路領域の配列方法 |
JP2006228648A (ja) * | 2005-02-21 | 2006-08-31 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、電子機器 |
US20080174712A1 (en) * | 2007-01-24 | 2008-07-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panel |
JP2009272276A (ja) * | 2008-05-12 | 2009-11-19 | Seiko Epson Corp | 有機el装置 |
US20100002172A1 (en) * | 2008-07-01 | 2010-01-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal display including color filters, and manufacturing method thereof |
JP2010009753A (ja) * | 2008-06-24 | 2010-01-14 | Panasonic Corp | 有機el表示装置及びその製造方法 |
JP2010033931A (ja) * | 2008-07-30 | 2010-02-12 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、発光装置および表示装置 |
JP2011170981A (ja) * | 2010-02-16 | 2011-09-01 | Toppan Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
WO2012017498A1 (ja) * | 2010-08-06 | 2012-02-09 | パナソニック株式会社 | 有機el表示パネルとその製造方法 |
WO2012086111A1 (ja) * | 2010-12-20 | 2012-06-28 | パナソニック株式会社 | 有機elディスプレイパネル及びその製造方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1187062A (ja) | 1997-09-01 | 1999-03-30 | Seiko Epson Corp | 電界発光素子 |
JP4191276B2 (ja) * | 1998-01-09 | 2008-12-03 | 富士通株式会社 | 表示装置 |
JP3613257B2 (ja) * | 2001-05-02 | 2005-01-26 | セイコーエプソン株式会社 | カラー表示用基板、カラーフィルタ用基板、カラー発光用基板、カラー表示用基板の製造方法、電気光学装置、電子機器 |
US8002615B2 (en) * | 2006-04-11 | 2011-08-23 | Halla Climate Control Corporation | Blower for vehicle |
KR101187205B1 (ko) * | 2006-06-09 | 2012-10-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
JP4439589B2 (ja) * | 2007-12-28 | 2010-03-24 | パナソニック株式会社 | 有機elデバイスおよび有機elディスプレイパネル、ならびにそれらの製造方法 |
JP2011009017A (ja) | 2009-06-24 | 2011-01-13 | Panasonic Corp | 有機elディスプレイパネル |
US8872166B2 (en) * | 2009-11-26 | 2014-10-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Organic EL device |
JP5624047B2 (ja) * | 2010-06-30 | 2014-11-12 | パナソニック株式会社 | 有機el表示パネルとその製造方法 |
JP5677448B2 (ja) | 2010-10-15 | 2015-02-25 | パナソニック株式会社 | 有機発光パネルとその製造方法、および有機表示装置 |
CN102960066B (zh) | 2010-10-15 | 2015-09-30 | 株式会社日本有机雷特显示器 | 有机发光面板及其制造方法以及有机显示装置 |
CN103026791B (zh) | 2011-06-08 | 2016-03-02 | 株式会社日本有机雷特显示器 | 发光面板、发光面板的制造方法以及成膜系统 |
US9236422B2 (en) | 2011-08-03 | 2016-01-12 | Joled Inc. | Display panel and production method for same |
TW201321871A (zh) * | 2011-11-29 | 2013-06-01 | Au Optronics Corp | 顯示面板及其製作方法 |
-
2013
- 2013-08-01 US US14/411,708 patent/US9698347B2/en active Active
- 2013-08-01 WO PCT/JP2013/004676 patent/WO2014020914A1/ja active Application Filing
- 2013-08-01 JP JP2014528005A patent/JP6519911B2/ja active Active
Patent Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004095290A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-03-25 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及びその製造方法、電子機器 |
JP2004117689A (ja) * | 2002-09-25 | 2004-04-15 | Hitachi Ltd | 表示装置 |
US20050162596A1 (en) * | 2004-01-28 | 2005-07-28 | Hee-Joon Kim | Liquid crystal display and a method for manufacturing the same |
JP2005316467A (ja) * | 2004-04-14 | 2005-11-10 | Au Optronics Corp | ディスプレイの画素アレイ及びディスプレイ |
JP2005345766A (ja) * | 2004-06-03 | 2005-12-15 | Shoka Kagi Kofun Yugenkoshi | 画素の発光領域と回路領域の配列方法 |
JP2006228648A (ja) * | 2005-02-21 | 2006-08-31 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、電子機器 |
US20080174712A1 (en) * | 2007-01-24 | 2008-07-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panel |
JP2009272276A (ja) * | 2008-05-12 | 2009-11-19 | Seiko Epson Corp | 有機el装置 |
JP2010009753A (ja) * | 2008-06-24 | 2010-01-14 | Panasonic Corp | 有機el表示装置及びその製造方法 |
US20100002172A1 (en) * | 2008-07-01 | 2010-01-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal display including color filters, and manufacturing method thereof |
JP2010033931A (ja) * | 2008-07-30 | 2010-02-12 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、発光装置および表示装置 |
JP2011170981A (ja) * | 2010-02-16 | 2011-09-01 | Toppan Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
WO2012017498A1 (ja) * | 2010-08-06 | 2012-02-09 | パナソニック株式会社 | 有機el表示パネルとその製造方法 |
WO2012086111A1 (ja) * | 2010-12-20 | 2012-06-28 | パナソニック株式会社 | 有機elディスプレイパネル及びその製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111416062A (zh) * | 2020-04-28 | 2020-07-14 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及显示装置 |
CN111416062B (zh) * | 2020-04-28 | 2022-05-31 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20150171327A1 (en) | 2015-06-18 |
JP6519911B2 (ja) | 2019-05-29 |
US9698347B2 (en) | 2017-07-04 |
WO2014020914A1 (ja) | 2014-02-06 |
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