JP6594863B2 - 有機ｅｌ表示パネル及び有機ｅｌ表示装置 - Google Patents
有機ｅｌ表示パネル及び有機ｅｌ表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6594863B2 JP6594863B2 JP2016520943A JP2016520943A JP6594863B2 JP 6594863 B2 JP6594863 B2 JP 6594863B2 JP 2016520943 A JP2016520943 A JP 2016520943A JP 2016520943 A JP2016520943 A JP 2016520943A JP 6594863 B2 JP6594863 B2 JP 6594863B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pixel
- emitting layer
- light emitting
- sub
- organic light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 82
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 69
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 53
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 34
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 31
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 15
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 179
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 51
- 239000010408 film Substances 0.000 description 28
- -1 pyrenes Compound Chemical class 0.000 description 17
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 8
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 8
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 6
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 5
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 5
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 4
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- BIXMBBKKPTYJEK-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazin-2-one Chemical class C1=CC=C2OC(=O)N=CC2=C1 BIXMBBKKPTYJEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWZYORZPYCRVAX-UHFFFAOYSA-N 2-(2h-thiopyran-1-ylidene)propanedinitrile Chemical class N#CC(C#N)=S1CC=CC=C1 TWZYORZPYCRVAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Substances 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WDECIBYCCFPHNR-UHFFFAOYSA-N Chrysene Natural products C1=CC=CC2=CC=C3C4=CC=CC=C4C=CC3=C21 WDECIBYCCFPHNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000234435 Lilium Species 0.000 description 1
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N Phenanthrene Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N Stilbene Natural products C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Natural products C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N benzoquinolinylidene Natural products C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3N=C21 DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000332 coumarinyl group Chemical class O1C(=O)C(=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N endo-cyclopentadiene Natural products C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 150000002219 fluoranthenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000002220 fluorenes Chemical class 0.000 description 1
- GNBHRKFJIUUOQI-UHFFFAOYSA-N fluorescein Chemical class O1C(=O)C2=CC=CC=C2C21C1=CC=C(O)C=C1OC1=CC(O)=CC=C21 GNBHRKFJIUUOQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N hexabenzobenzene Natural products C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3)C4=C4C3=CC=C(C=C3)C4=C2C3=C1 VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 150000002790 naphthalenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 150000002916 oxazoles Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 1
- DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N perinone Chemical class C12=NC3=CC=CC=C3N2C(=O)C2=CC=C3C4=C2C1=CC=C4C(=O)N1C2=CC=CC=C2N=C13 DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N pyrazol-3-one Chemical class O=C1C=CN=N1 JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 1
- RQGPLDBZHMVWCH-UHFFFAOYSA-N pyrrolo[3,2-b]pyrrole Chemical class C1=NC2=CC=NC2=C1 RQGPLDBZHMVWCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WVIICGIFSIBFOG-UHFFFAOYSA-N pyrylium Chemical class C1=CC=[O+]C=C1 WVIICGIFSIBFOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical group 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 235000021286 stilbenes Nutrition 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003518 tetracenes Chemical class 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N vinyl-ethylene Natural products C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
- H10K59/352—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels the areas of the RGB subpixels being different
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
- H10K59/353—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
- H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
本発明は、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子を用いた、及びそれを用いた有機ＥＬ表示装置に関し、特に表示パネルの寿命を改善する技術に関する。
近年、デジタルテレビ等の表示装置に用いられる表示パネルとして、基板上に有機発光素子をマトリックス状に複数配列し有機ＥＬ素子を利用したパネル（以後、「有機ＥＬ表示パネル」と略称する）が実用化されている。
有機ＥＬ表示パネルにおいては、赤、緑、青の３色の有機ＥＬ素子がサブ画素を形成し、隣り合う赤、緑、青の３色のサブ画素を組み合わせで１画素が形成している。この有機ＥＬ表示パネルでは、発光効率の向上や有機ＥＬ素子の長寿命化に向けて、赤、緑、青の３色のサブ画素中、寿命が最も短い青色サブ画素の長寿命化が課題となっていた。
これに対し、例えば、特許文献１には、有機ＥＬ表示装置において、赤、緑、青の３色の各サブ画素の発光面積をそれぞれ画素面積の２５％、２５％、５０％とすることにより各サブ画素の輝度半減時間が所定時間を満たすように画素を構成する技術が開示されている。また、特許文献２には、青色のサブ画素を１つとし、赤色、緑色のサブ画素を各々複数とする一方、青色のサブ画素の発光面積を、赤色、緑色のサブ画素の発光面積よりも大きく設定した有機ＥＬ表示装置が開示されている。
しかしながら、上記構成においては、赤、緑、青の３色の各サブ画素の有機発光層が格子状の隔壁によって区画されている。そのため、有機ＥＬ表示パネルの製造工程において有機発光層を形成する際に有機発光層の膜厚がサブ画素毎に不均一となる場合があり、サブ画素毎の輝度むらや信頼性においてさらなる改善が求められていた。
本発明は、上記課題に鑑み、製造が容易てあり有機ＥＬ表示パネルの長寿命化に資する有機ＥＬ表示パネル及びそれを用いた有機ＥＬ表示装置を提供することを目的とする。
本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、赤色サブ画素、緑色サブ画素及び青色サブ画素を含む画素が複数行列状に配された有機ＥＬ表示パネルであって、基板と、前記基板の上方に各々が列方向に延伸するよう並設された複数の隔壁と、前記基板の上方であって隣り合う前記隔壁間の複数の間隙内に、列方向に延伸するよう前記間隙に配された赤色有機発光層、緑色有機発光層、及び青色有機発光層とを備え、前記隔壁は、行方向における前記各色サブ画素の外縁を規定し、基板平面視において、前記青色サブ画素の面積は、前記赤色サブ画素の面積及び前記緑色サブ画素の面積のいずれよりも大きいことを特徴とする。
上記態様に係る有機ＥＬ表示パネルでは、各色有機発光層を形成するためインクが間隙で列方向に連結するため列方向のインク量がばらついても、その後にインクが列方向へ流動でき塗布量が有機発光層の膜厚が平準化されサブ画素毎の有機発光層の電流密度のばらつきを低減しサブ画素毎の輝度半減寿命のばらつきを低減しパネルの寿命を向上できる。また、青色有機発光層を形成する隔壁間隙に塗布するインクの量を赤色及び緑色の隔壁間隙に塗布するインクの量よりも多く制御することにより、容易に青色有機発光層の幅を赤色及び緑色の有機発光層の幅より大きく構成することができる。そのため、有機ＥＬ表示パネルの製造が容易となり、併せて、有機ＥＬ表示パネルの長寿命化を図ることができる。
≪発明を実施するための形態の概要≫
本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、赤色サブ画素、緑色サブ画素及び青色サブ画素を含む画素が複数行列状に配された有機ＥＬ表示パネルであって、基板と、前記基板の上方に各々が列方向に延伸するよう並設された複数の隔壁と、前記基板の上方であって隣り合う前記隔壁間の複数の間隙内に、列方向に延伸するよう前記間隙に配された赤色有機発光層、緑色有機発光層、及び青色有機発光層とを備え、前記隔壁は、行方向における前記各色サブ画素の外縁を規定し、基板平面視において、前記青色サブ画素の面積は、前記赤色サブ画素の面積及び前記緑色サブ画素の面積のいずれよりも大きいことを特徴とする。
本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、赤色サブ画素、緑色サブ画素及び青色サブ画素を含む画素が複数行列状に配された有機ＥＬ表示パネルであって、基板と、前記基板の上方に各々が列方向に延伸するよう並設された複数の隔壁と、前記基板の上方であって隣り合う前記隔壁間の複数の間隙内に、列方向に延伸するよう前記間隙に配された赤色有機発光層、緑色有機発光層、及び青色有機発光層とを備え、前記隔壁は、行方向における前記各色サブ画素の外縁を規定し、基板平面視において、前記青色サブ画素の面積は、前記赤色サブ画素の面積及び前記緑色サブ画素の面積のいずれよりも大きいことを特徴とする。
また、別の態様では、行方向において前記青色サブ画素の長さは、前記赤色サブ画素の長さ及び前記緑色サブ画素の長さのいずれよりも大きい構成であってもよい。
また、別の態様では、行方向において前記青色サブ画素の長さは前記赤色サブ画素の長さに対して１．６５倍以上３．５倍以下である構成であってもよい。
また、別の態様では、行方向において前記赤色サブ画素の長さは２５μｍ以上であり、前記青色サブ画素の長さは１７０μｍ未満である構成であってもよい。
また、別の態様では、行方向において前記緑色サブ画素の長さは前記赤色サブ画素の長さに対して１．００倍以上１．６５倍以下である構成であってもよい。
また、別の態様では、前記基板の上方であって行方向に隣り合う画素と画素との間の領域に列方向に延伸するよう並設された前記対向電極と電気的に接続されたバス配線を備える構成であってもよい。
また、別の態様では、前記基板上方かつ前記赤色有機発光層下方に配された第１画素電極と、前記基板上方かつ前記緑色有機発光層下方に配された第２画素電極と、前記基板上方かつ前記青色有機発光層下方に配された第３画素電極と、前記赤色有機発光層、前記緑色有機発光層及び前記青色有機発光層の上方に、前記第１画素電極、前記第２画素電極及び前記第３画素電極と対向する対向電極とを備えた構成であってもよい。
請求項１から５の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、上記有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、基板を準備する工程と、前記基板の上方に各々が列方向に延伸するよう並設された複数の隔壁を形成する工程と、前記基板の上方であって隣り合う前記第１隔壁間の間隙内に、列方向に配列された複数のノズルからインクを塗布することにより、列方向に延伸するよう前記間隙毎に配された赤色有機発光層、緑色有機発光層、及び青色有機発光層を形成する工程とを有することを特徴とする。
なお、本願において、「上方」とは、絶対的な空間認識における上方向（鉛直上方）を指すものではなく、積層構成における積層順を基に、相対的な位置関係により規定されるものである。また、「上方」という用語は、互いの間に間隔を空けた場合のみならず、互いに密着する場合にも適用する。
≪実施の形態１≫
１．表示装置１の構成
以下では、実施の形態１に係る表示装置１の全体構成について、図１を用い説明する。
１．表示装置１の構成
以下では、実施の形態１に係る表示装置１の全体構成について、図１を用い説明する。
図１に示すように、本実施の形態に係る表示装置１は、有機ＥＬ表示パネル１０と、これに接続された駆動制御回路部３０とを有し構成されている。
有機ＥＬ表示パネル１０は、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）パネルであって、複数の有機ＥＬ素子が、例えば、マトリクス状に配列され構成されている。駆動制御回路部３０は、４つの駆動回路３１〜３４と制御回路３５とにより構成されている。
なお、表示装置１において、有機ＥＬ表示パネル１０に対する駆動制御回路部３０の各回路の配置形態については、図１に示した形態に限定されない。
２．有機ＥＬ表示パネル１０における回路構成
有機ＥＬ表示パネル１０における各サブ画素１０ａの回路構成について、図２を用い説明する。
有機ＥＬ表示パネル１０における各サブ画素１０ａの回路構成について、図２を用い説明する。
図２に示すように、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０では、各サブ画素１０ａが２つのトランジスタＴｒ1、Ｔｒ2と一つの容量Ｃ、および発光部としてのＥＬ素子部ＥＬとを有し構成されている。トランジスタＴｒ1は、駆動トランジスタであり、トランジスタＴｒ2は、スイッチングトランジスタである。
スイッチングトランジスタＴｒ2のゲートＧ2は、走査ラインＶｓｃｎに接続され、ソースＳ2は、データラインＶｄａｔに接続されている。スイッチングトランジスタＴｒ2のドレインＤ2は、駆動トランジスタＴｒ1のゲートＧ1に接続されている。
駆動トランジスタＴｒ1のドレインＤ1は、電源ラインＶａに接続されており、ソースＳ1は、ＥＬ素子部ＥＬのアノードに接続されている。ＥＬ素子部ＥＬにおけるカソードは、接地ラインＶｃａｔに接続されている。
なお、容量Ｃは、スイッチングトランジスタＴｒ2のドレインＤ2および駆動トランジスタＴｒ1のゲートＧ1と、電源ラインＶａとを結ぶように設けられている。
有機ＥＬ表示パネル１０においては、隣接する複数のサブ画素１０ａ（例えば、赤色（Ｒ）と緑色（Ｇ）と青色（Ｂ）の発光色の３つのサブ画素１０ａ）を組合せて１の画素を構成し、各画素がマトリクス状に配されて画素領域を構成している。そして、マトリクス状に配された各画素のゲートＧ2からゲートラインＧＬが各々引き出され、有機ＥＬ表示パネル１０の外部から接続される走査ラインＶｓｃｎに接続されている。同様に、各画素のソースＳ2からソースラインＳＬが各々引き出され有機ＥＬ表示パネル１０の外部から接続されるデータラインＶｄａｔに接続されている。
また、各画素の電源ラインＶａ及び各画素の接地ラインＶｃａｔは集約され電源ラインＶａ及び接地ラインＶｃａｔに接続されている。
２．有機ＥＬ表示パネル１０の構成
本発明の一態様である実施の形態１に係る有機ＥＬ表示パネル１０について、図面を用いて説明する。なお、図面は模式図であって、その縮尺は実際とは異なる場合がある。
本発明の一態様である実施の形態１に係る有機ＥＬ表示パネル１０について、図面を用いて説明する。なお、図面は模式図であって、その縮尺は実際とは異なる場合がある。
＜全体構成＞
図３は、実施の形態１に係る有機ＥＬ表示パネルの一部を示す模式平面図である。図３に示すように、有機ＥＬ表示パネル１０（以下、「パネル１０」という。）は、有機化合物の電界発光現象を利用した有機ＥＬ表示パネルである。パネル１０では、ラインバンクを採用し、各条が列方向（図３の紙面上下方向）に延伸する第１隔壁１６が複数並設されている。また、隣り合う第１隔壁１６間の各々を、間隙２０と定義した場合、パネル１０は、このような第１隔壁１６と間隙２０が交互に多数並んだ構成を有する。
図３は、実施の形態１に係る有機ＥＬ表示パネルの一部を示す模式平面図である。図３に示すように、有機ＥＬ表示パネル１０（以下、「パネル１０」という。）は、有機化合物の電界発光現象を利用した有機ＥＬ表示パネルである。パネル１０では、ラインバンクを採用し、各条が列方向（図３の紙面上下方向）に延伸する第１隔壁１６が複数並設されている。また、隣り合う第１隔壁１６間の各々を、間隙２０と定義した場合、パネル１０は、このような第１隔壁１６と間隙２０が交互に多数並んだ構成を有する。
間隙２０のそれぞれでは、複数のサブ画素２１と、隣り合うサブ画素２１同士の間である複数の画素間領域２２とが、列方向に交互に並んでいる。サブ画素２１は、上述の図２におけるサブ画素１０ａに対応する。また、間隙２０内の複数の画素間領域２２には、各条が行方向（図３の紙面左右方向）に延伸する第２隔壁１４が複数並設されている。列方向に設けられた第１隔壁１６と行方向に設けられた第２隔壁１４とは直交している。
本実施の形態では、サブ画素２１には、赤色に発光する赤色サブ画素２１Ｒ、緑色に発光する緑色サブ画素２１Ｇ、青色に発光する青色サブ画素２１Ｂ（以後、２１Ｒ、２１Ｇ、２１Ｂを区別しない場合は、「サブ画素２１」と略称する）が存在する。また、間隙２０には、内部のサブ画素２１がすべて赤色サブ画素２１Ｒである赤色間隙２０Ｒ、緑色サブ画素２１Ｇである緑色間隙２０Ｇ、青色サブ画素２１Ｂである青色間隙２０Ｂ（以後、間隙２０Ｒ、間隙２０Ｇ、間隙２０Ｂを区別しない場合は、「間隙２０」と略称する）が存在する。さらに、赤色サブ画素２１Ｒ、緑色サブ画素２１Ｇ、青色サブ画素２１Ｂの３つのサブ画素２１が行方向に並んで組となっており、１画素２３を構成している。
各色サブ画素２１の列方向における外縁の位置は、後述する第２隔壁１４により規定され、各色サブ画素２１において列方向の同一位置に存在している。また、各色サブ画素２１の行方向における外縁の位置は、後述する各色有機発光層の行方向における外縁により規定される。各色有機発光層の行方向における外縁は第１隔壁１６により規定される。
＜各部構成＞
パネル１０の各部構成を図４及び図５を用いて説明する。図４は、図３におけるＡ−Ａ断面模式図である。図５は、図３におけるＢ−Ｂ断面模式図である。
パネル１０の各部構成を図４及び図５を用いて説明する。図４は、図３におけるＡ−Ａ断面模式図である。図５は、図３におけるＢ−Ｂ断面模式図である。
パネル１０は、一例として、図４及び図５の紙面上側を表示面とする、いわゆるトップエミッション型を採用している。なお、以下においては、図４及び図５の紙面上側をパネル１０の上方として説明する。
パネル１０は、基板１１、画素電極１２、下地層１３、第２隔壁１４、第１隔壁１６、発光層１７、対向電極１８、封止層１９を備える。
（１）基板
基板１１は、基材（不図示）と、基材上に形成された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ） 層（不図示）と、基材上及びＴＦＴ層上に形成された層間絶縁層（不図示）とを有する。
基板１１は、基材（不図示）と、基材上に形成された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ） 層（不図示）と、基材上及びＴＦＴ層上に形成された層間絶縁層（不図示）とを有する。
基材は、パネル１０の支持部材であり、平板状である。基材の材料としては、電気絶縁性を有する材料、例えば、ガラス材料、樹脂材料、半導体材料、絶縁層をコーティングした金属材料などを用いることができる。
ＴＦＴ層は、基材上面に形成された複数のＴＦＴ及び配線からなる。ＴＦＴは、パネル１０の外部回路からの駆動信号に応じ、自身に対応する画素電極１２と外部電源とを電気的に接続するものであり、電極、半導体層、絶縁層などの多層構造からなる。配線は、ＴＦＴ、画素電極１２、外部電源、外部回路などを電気的に接続している。
層間絶縁層は、ＴＦＴ層によって凹凸が存在する基板１１の上面の少なくともサブ画素２１を平坦化するものである。また、層間絶縁層は、配線及びＴＦＴの間を埋め、配線及びＴＦＴの間を電気的に絶縁している。層間絶縁層の材料としては、例えば電気絶縁性を有するポジ型の感光性有機材料、具体的には、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂などを用いることができる。
（２）画素電極
基板１１上の赤色サブ画素２１Ｒに第１画素電極１２Ｒが、緑色サブ画素２１Ｇに第２画素電極１２Ｇが、青色サブ画素２１Ｂに第３画素電極１２Ｂ（以後、第１画素電極１２Ｒ、第２画素電極１２Ｇ、第３画素電極１２Ｂを区別しない場合は、「画素電極１２」と略称する）が各々形成されている。画素電極１２は、発光層１７へキャリアを供給するためのものであり、例えば陽極として機能した場合は、発光層１７へ正孔を供給する。画素電極１２の形状は、平板状であるが、例えば、ＴＦＴとの接続を層間絶縁層に開口したコンタクトホールを通じて行う場合は、コンタクトホールに沿った凹凸部を有する。画素電極１２は、間隙２０のそれぞれにおいて、列方向に間隔をあけて基板１１上に配されている。
基板１１上の赤色サブ画素２１Ｒに第１画素電極１２Ｒが、緑色サブ画素２１Ｇに第２画素電極１２Ｇが、青色サブ画素２１Ｂに第３画素電極１２Ｂ（以後、第１画素電極１２Ｒ、第２画素電極１２Ｇ、第３画素電極１２Ｂを区別しない場合は、「画素電極１２」と略称する）が各々形成されている。画素電極１２は、発光層１７へキャリアを供給するためのものであり、例えば陽極として機能した場合は、発光層１７へ正孔を供給する。画素電極１２の形状は、平板状であるが、例えば、ＴＦＴとの接続を層間絶縁層に開口したコンタクトホールを通じて行う場合は、コンタクトホールに沿った凹凸部を有する。画素電極１２は、間隙２０のそれぞれにおいて、列方向に間隔をあけて基板１１上に配されている。
画素電極１２の材料としては、パネル１０がトップエミッション型であるため、光反射性を有する導電材料、例えば銀、アルミニウム、モリブデンなどの金属や、これらを用いた合金などを用いることが好ましい。
また、基板１１上の行方向に隣り合う画素と画素との間の画素間領域２５に列方向にパネル１０全体に渡って延伸するよう並設されたバス配線部１５が形成されている。バス配線部１５は、後述する対向電極１８の電気抵抗を低減すためのものであり、接続電極と下地層１３を介して電気的に接続されている。バス配線部１５は画素電極１２と同じ材料から構成される。
（３）下地層
下地層１３は、例えば、本実施の形態では正孔注入層であって、画素電極１２の上方に連続したべた膜として形成されている。このように、下地層１３が連続したべた膜として形成されていれば、製造工程の簡略化を図ることができる。
下地層１３は、例えば、本実施の形態では正孔注入層であって、画素電極１２の上方に連続したべた膜として形成されている。このように、下地層１３が連続したべた膜として形成されていれば、製造工程の簡略化を図ることができる。
また、下地層１３は、遷移金属酸化物からなり、正孔注入層として機能する。ここで遷移金属とは、周期表の第３族元素から第１１族元素までの間に存在する元素である。遷移金属の中でも、タングステン、モリブデン、ニッケル、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニオブ、ハフニウム、タンタル等は、酸化した後に高い正孔注入性を有するため好ましい。特に、タングステンは、高い正孔注入性を有する正孔注入層を形成するのに適している。なお、下地層１３は、遷移金属酸化物からなる場合に限定されず、例えば遷移金属の合金等、遷移金属酸化物以外の酸化物からなっていてもよい。また、下地層１３は、正孔注入層に限定されず、画素電極１２と発光層１７との間に形成される層であればどのような層であってもよい。
（４）第２隔壁
第２隔壁１４は、その材料となる有機化合物を含んだインクの列方向への流動を制御するためのものである。第２隔壁１４は、画素電極１２の列方向における周縁部上方に存在し、画素電極１２の一部と重なった状態で形成されている。そのため、上述のとおり列方向における各色サブ画素２１の外縁を規定している。第２隔壁１４の形状は、行方向に延伸する線状であり、列方向の断面は上方を先細りとする順テーパー台形状である。第２隔壁１４は、各第１隔壁１６を貫通するようにして、列方向と直交する行方向に沿った状態で設けられており、各々が第１隔壁１６の上面１６ａよりも低い位置に上面１４ａを有する。
第２隔壁１４は、その材料となる有機化合物を含んだインクの列方向への流動を制御するためのものである。第２隔壁１４は、画素電極１２の列方向における周縁部上方に存在し、画素電極１２の一部と重なった状態で形成されている。そのため、上述のとおり列方向における各色サブ画素２１の外縁を規定している。第２隔壁１４の形状は、行方向に延伸する線状であり、列方向の断面は上方を先細りとする順テーパー台形状である。第２隔壁１４は、各第１隔壁１６を貫通するようにして、列方向と直交する行方向に沿った状態で設けられており、各々が第１隔壁１６の上面１６ａよりも低い位置に上面１４ａを有する。
第２隔壁１４の材料としては、電気絶縁性を有する材料、例えば酸化シリコン、窒化シリコンなどの無機材料、並びに、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂など有機材料などを用いることができる。
（５）第１隔壁
第１隔壁１６は、発光層１７形成時に、インクが間隙２０内において行方向へ流動することを規制するためのものである。第１隔壁１６は、画素電極１２の行方向における周縁部上方に存在し、画素電極１２の一部と重なった状態で形成されている。そのため、上述のとおり行方向における各色サブ画素２１の外縁を規定している。第１隔壁１６の形状は、列方向に延伸する線状であり、行方向の断面は上方を先細りとする順テーパーの台形状である。第１隔壁１６は、各画素電極１２を行方向から挟むように、且つ、各第２隔壁１４を乗り越えるように、下地層１３上に形成されている。
第１隔壁１６は、発光層１７形成時に、インクが間隙２０内において行方向へ流動することを規制するためのものである。第１隔壁１６は、画素電極１２の行方向における周縁部上方に存在し、画素電極１２の一部と重なった状態で形成されている。そのため、上述のとおり行方向における各色サブ画素２１の外縁を規定している。第１隔壁１６の形状は、列方向に延伸する線状であり、行方向の断面は上方を先細りとする順テーパーの台形状である。第１隔壁１６は、各画素電極１２を行方向から挟むように、且つ、各第２隔壁１４を乗り越えるように、下地層１３上に形成されている。
第１隔壁１６の材料としては、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂など有機材料などを用いることができる。なお、第１隔壁１６は、有機溶剤への耐性を有し、エッチング処理やベーク処理に対して過度に変形、変質などをしない材料で形成されることが好ましい。また、表面に撥液性をもたせるために、表面をフッ素処理してもよい。
また、上述のとおり、基板１１上の行方向に隣り合う画素と画素との間の画素間領域２５に列方向にパネル１０全体に渡って延伸するよう並設されたバス配線部１５が形成されている。ここで、画素間領域２５とは、行方向に隣り合う画素と画素の間の領域であって両画素の最も外側に位置する行方向に対向した隔壁同士の間隙をさす。
（６）発光層
基板１１の上方であって隣り合う第１隔壁間１４の間隙２０内に列方向に沿って順に形成された赤色有機発光層１７Ｒ、緑色有機発光層１７Ｇ、及び青色有機発光層１７Ｇ（以後、赤色有機発光層１７Ｒ、緑色有機発光層１７Ｇ、青色有機発光層１７Ｂを区別しない場合は、「発光層１７」と略称する）とが形成されている。発光層１７は、有機化合物からなる層であり、内部で正孔と電子が再結合することで光を発する機能を有する。各発光層１７は、間隙２０内に列方向に延伸するように線状に設けられており、サブ画素２１においては下地層１３の上面１３ａ上に位置し、画素間領域２２においては第２隔壁１４の上面１４ａ及び側面１４ｂ上に位置する。
基板１１の上方であって隣り合う第１隔壁間１４の間隙２０内に列方向に沿って順に形成された赤色有機発光層１７Ｒ、緑色有機発光層１７Ｇ、及び青色有機発光層１７Ｇ（以後、赤色有機発光層１７Ｒ、緑色有機発光層１７Ｇ、青色有機発光層１７Ｂを区別しない場合は、「発光層１７」と略称する）とが形成されている。発光層１７は、有機化合物からなる層であり、内部で正孔と電子が再結合することで光を発する機能を有する。各発光層１７は、間隙２０内に列方向に延伸するように線状に設けられており、サブ画素２１においては下地層１３の上面１３ａ上に位置し、画素間領域２２においては第２隔壁１４の上面１４ａ及び側面１４ｂ上に位置する。
ここで、発光層１７は、画素電極１２からキャリアが供給される部分のみが発光する。したがって、図３に示すように、発光層１７のうち、画素電極１２上にあるサブ画素２１の部分のみが発光し、第２隔壁１４上にある画素間領域２２の部分は発光しない。
なお、図３に示すように、発光層１７は、サブ画素２１だけでなく、隣接する画素間領域２２まで延伸されている。このようにすると、発光層１７の形成時に、サブ画素２１に塗布されたインクが、画素間領域２２に塗布されたインクを通じて列方向に流動でき、列方向のサブ画素２１間でその膜厚を平準化することができる。但し、画素間領域２２では、第２隔壁１４によって、インクの流動が程良く抑制される。よって、列方向に大きな膜厚むらが発生しにくくサブ画素毎の輝度むらが改善される。
また、青色有機発光層を形成する隔壁間隙に塗布するインクの量を赤色及び緑色の隔壁間隙に塗布するインクの量よりも多く制御することにより、容易に青色有機発光層の幅を赤色及び緑色の有機発光層の幅より大きく構成することができる。
発光層１７の材料としては、湿式プロセスを用いて成膜できる発光性の有機材料を用いる。具体的には、例えば、オキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、アンスラセン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属鎖体、２−ビピリジン化合物の金属鎖体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との鎖体、オキシン金属鎖体、希土類鎖体等の蛍光物質（いずれも特開平５−１６３４８８号公報に記載）の化合物、誘導体、錯体など、公知の蛍光物質、燐光物質を用いることができる。
（７）対向電極
赤色有機発光層１７Ｒ、緑色有機発光層１７Ｇ、青色有機発光層１７Ｂの上方に、赤色サブ画素２１Ｒ内において第１画素電極１２Ｒと対向し、緑色サブ画素２１Ｇ内において第２画素電極１２Ｇと対向し、青色サブ画素２１Ｂ内において第３画素電極１２Ｂと対向する対向電極１８とを備えている。対向電極１８は、画素電極１２と対になって発光層１７を挟むことで通電経路を作り、発光層１７へキャリアを供給するものであり、例えば陰極として機能した場合は、発光層１７へ電子を供給する。対向電極１８は、各発光層１７の上面１７ａ及び発光層１７から露出する各第１隔壁１６の表面に沿って形成され、各発光層１７に共通の電極となっている。
赤色有機発光層１７Ｒ、緑色有機発光層１７Ｇ、青色有機発光層１７Ｂの上方に、赤色サブ画素２１Ｒ内において第１画素電極１２Ｒと対向し、緑色サブ画素２１Ｇ内において第２画素電極１２Ｇと対向し、青色サブ画素２１Ｂ内において第３画素電極１２Ｂと対向する対向電極１８とを備えている。対向電極１８は、画素電極１２と対になって発光層１７を挟むことで通電経路を作り、発光層１７へキャリアを供給するものであり、例えば陰極として機能した場合は、発光層１７へ電子を供給する。対向電極１８は、各発光層１７の上面１７ａ及び発光層１７から露出する各第１隔壁１６の表面に沿って形成され、各発光層１７に共通の電極となっている。
対向電極１８の材料としては、パネル１０がトップエミッション型であるため、光透過性を有する導電材料が用いられる。例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用いることができる。
対向電極１８は、基板１１上の行方向に隣り合う画素と画素との間の画素間領域２５に列方向に延伸するよう並設されたバス配線部１５と下地層１３を介して電気的に接続されている。バス配線部１５により、対向電極１８の電気抵抗を低減することができる。
（８）封止層
封止層１９は、発光層１７が水分や空気などに触れて劣化することを抑制するためのものである。封止層１９は、対向電極１８の上面を覆うようにパネル１０全面に渡って設けられている。封止層１９の材料としては、パネル１０がトップエミッション型であるため、例えば窒化シリコン、酸窒化シリコンなどの光透過性材料が用いられる。
封止層１９は、発光層１７が水分や空気などに触れて劣化することを抑制するためのものである。封止層１９は、対向電極１８の上面を覆うようにパネル１０全面に渡って設けられている。封止層１９の材料としては、パネル１０がトップエミッション型であるため、例えば窒化シリコン、酸窒化シリコンなどの光透過性材料が用いられる。
（９）カラーフィルタ、その他
なお、図２及び図３では図示しないが、封止層１９の上にカラーフィルタや上部基板を設置・接合してもよい。これにより、パネル１０の表示色の調整や、剛性向上、水分や空気などの侵入防止などを図ることができる。
なお、図２及び図３では図示しないが、封止層１９の上にカラーフィルタや上部基板を設置・接合してもよい。これにより、パネル１０の表示色の調整や、剛性向上、水分や空気などの侵入防止などを図ることができる。
カラーフィルタは、赤色サブ画素２１Ｒの領域である赤色間隙２０Ｒ、緑色サブ画素２１Ｇの領域である緑色間隙２０Ｇ、青色サブ画素２１Ｂの領域である青色間隙２０Ｂの上方に、赤色フィルタ２４Ｒ、緑色フィルタ２４Ｇ、青色フィルタ２４Ｂが各々形成されている。
カラーフィルタ２４Ｂ、２４Ｇ、２４Ｂは、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する波長の可視光を透過させるために設けられる透明層であり、各色サブ画素から出射された光を透過させて、その色度を矯正する機能を有する。カラーフィルタ２４Ｇ、２４Ｒ、２４Ｂは、具体的には、例えば、複数の開口部をサブ画素２１単位に行列状に形成した隔壁が設けられたカラーフィルタ形成用のカバーガラスに対し、カラーフィルタ材料および溶媒を含有したインクを塗布する工程により形成される。
２．有機ＥＬ表示パネルの製造方法
パネル１０の製造方法について図６及び図７を用いて説明する。図６は、有機ＥＬ表示パネルの製造工程を示すＡ−Ａ断面模式図である。図７は、有機ＥＬ表示パネルの製造工程を示すＢ−Ｂ断面模式図である。
パネル１０の製造方法について図６及び図７を用いて説明する。図６は、有機ＥＬ表示パネルの製造工程を示すＡ−Ａ断面模式図である。図７は、有機ＥＬ表示パネルの製造工程を示すＢ−Ｂ断面模式図である。
（１）基板準備工程
まず、基板１１を用意する。具体的には、例えば、基材にスパッタリング法、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、スピンコート法などによって必要な膜を形成し、フォトリソグラフィー法によって膜をパターニングすることでＴＦＴ層及び層間絶縁層を形成する。この際、必要に応じて、プラズマ処理、イオン注入、ベーキングなどの処理を行ってもよい。
まず、基板１１を用意する。具体的には、例えば、基材にスパッタリング法、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、スピンコート法などによって必要な膜を形成し、フォトリソグラフィー法によって膜をパターニングすることでＴＦＴ層及び層間絶縁層を形成する。この際、必要に応じて、プラズマ処理、イオン注入、ベーキングなどの処理を行ってもよい。
（２）画素電極形成工程
次に、基板１１上に画素電極１２とバス配線部１５とを形成する。具体的には、例えば、まず真空蒸着法又はスパッタリング法によって基板１１上に金属膜を形成する。次に、フォトリソグラフィー法によって金属膜をパターニングし、基板１１上に間隔をあけて列方向に画素電極１２を複数並べ、さらにそのような画素電極１２の列を複数並設する。このようにして、基板１１上に二次元配置された画素電極１２を形成する。
次に、基板１１上に画素電極１２とバス配線部１５とを形成する。具体的には、例えば、まず真空蒸着法又はスパッタリング法によって基板１１上に金属膜を形成する。次に、フォトリソグラフィー法によって金属膜をパターニングし、基板１１上に間隔をあけて列方向に画素電極１２を複数並べ、さらにそのような画素電極１２の列を複数並設する。このようにして、基板１１上に二次元配置された画素電極１２を形成する。
（３）下地層形成工程
次に、図６（ａ）及び図７（ａ）に示すように、画素電極１２を形成後の基板１１上に下地層１３を形成する。具体的には、例えば、スパッタリング法により全ての画素電極１２を覆い隠すようにべた膜の酸化物層（下地層１３）を基板１１上に成膜する。
次に、図６（ａ）及び図７（ａ）に示すように、画素電極１２を形成後の基板１１上に下地層１３を形成する。具体的には、例えば、スパッタリング法により全ての画素電極１２を覆い隠すようにべた膜の酸化物層（下地層１３）を基板１１上に成膜する。
（４）第２隔壁形成工程
次に、図７（ｂ）に示すように、下地層１３上に第２隔壁１４を形成する。具体的には、例えば、ＣＶＤ法によって下地層１３上に、無機絶縁膜（酸化シリコンなど）を形成する。そして、フォトリソグラフィー法によって無機絶縁膜をパターニングし、画素電極１２行のそれぞれを挟む位置に、行方向に延伸するように線状の第２隔壁１４を形成する。
次に、図７（ｂ）に示すように、下地層１３上に第２隔壁１４を形成する。具体的には、例えば、ＣＶＤ法によって下地層１３上に、無機絶縁膜（酸化シリコンなど）を形成する。そして、フォトリソグラフィー法によって無機絶縁膜をパターニングし、画素電極１２行のそれぞれを挟む位置に、行方向に延伸するように線状の第２隔壁１４を形成する。
第２隔壁１４を形成後は、第２隔壁１４の親液性を高めるために、まずは上方からＵＶを照射し、その後ベーク処理を行う。
（５）第１隔壁形成工程
次に、図６（ｂ）及び図７（ｃ）に示すように、下地層１３上の一部及び第２隔壁１４上の一部に第１隔壁１６を形成する。具体的には、例えば、スピンコート法によって、ポジ型の感光性有機材料（アクリル系樹脂など）を塗布する。この際、塗布した材料の膜厚は第２隔壁１４の膜厚よりも大きくする。そして、フォトリソグラフィー法によって感光性有機材料をパターニングし、画素電極１２列のそれぞれを挟む位置に、列方向に延伸するように線状の第１隔壁１６を形成する。
次に、図６（ｂ）及び図７（ｃ）に示すように、下地層１３上の一部及び第２隔壁１４上の一部に第１隔壁１６を形成する。具体的には、例えば、スピンコート法によって、ポジ型の感光性有機材料（アクリル系樹脂など）を塗布する。この際、塗布した材料の膜厚は第２隔壁１４の膜厚よりも大きくする。そして、フォトリソグラフィー法によって感光性有機材料をパターニングし、画素電極１２列のそれぞれを挟む位置に、列方向に延伸するように線状の第１隔壁１６を形成する。
なお、印刷法などによって直接第１隔壁１６を形成してもよい。また、第１隔壁１６に対し、アルカリ性溶液、水、有機溶媒、プラズマなどによる表面処理を行って、第１隔壁１６の表面に以降の工程で塗布するインクに対する撥液性を付与してもよい。このようにすることで、以降の発光層形成工程で、インクが第１隔壁１６を超えて流動することを抑制できる。
なお、この工程により、隣り合う第１隔壁１６間の間隙２０が形成され、画素２１と画素間領域２２とがなす列は、それぞれ間隙２０内に存在することになる。
（６）発光層形成工程
次に、図６（ｃ）及び図７（ｄ）に示すように、間隙２０内にインク１７Ａを塗布する。具体的には、例えば、発光層１７の材料となる有機化合物と溶媒とを所定の比率で混合してインク１７Ａを作成し、インクジェット法を用いて、このインク１７Ａを間隙２０内に塗布する。インク１７Ａの上面が、第２隔壁１４の上面１４ａよりも高くなるよう塗布することで、第２隔壁１４を乗り越えるインク１７Ａの流動を可能にしている。そして、インク１７Ａに含まれる溶媒を蒸発乾燥させることにより、発光層１７を形成する。なお、インク１７Ａの塗布方法としては、ディスペンサー法、ノズルコード法、スピンコート法、印刷法などを用いてもよい。発光層１７が第２隔壁１４の上方で途切れるのを防止するために、インク１７Ａは第２隔壁１４の表面（上面１４ａ及び側面１４ｂ）に対して濡れ性の良いものが好ましい。
次に、図６（ｃ）及び図７（ｄ）に示すように、間隙２０内にインク１７Ａを塗布する。具体的には、例えば、発光層１７の材料となる有機化合物と溶媒とを所定の比率で混合してインク１７Ａを作成し、インクジェット法を用いて、このインク１７Ａを間隙２０内に塗布する。インク１７Ａの上面が、第２隔壁１４の上面１４ａよりも高くなるよう塗布することで、第２隔壁１４を乗り越えるインク１７Ａの流動を可能にしている。そして、インク１７Ａに含まれる溶媒を蒸発乾燥させることにより、発光層１７を形成する。なお、インク１７Ａの塗布方法としては、ディスペンサー法、ノズルコード法、スピンコート法、印刷法などを用いてもよい。発光層１７が第２隔壁１４の上方で途切れるのを防止するために、インク１７Ａは第２隔壁１４の表面（上面１４ａ及び側面１４ｂ）に対して濡れ性の良いものが好ましい。
また、本実施の形態では、発光層１７は、赤、緑、青の３色のサブ画素２１を有するため、それぞれ異なるインク１７Ａを用いて形成する。具体的には、例えば、赤、緑、青のいずれかに対応するインク１７Ａのみを吐出するノズル（吐出口）を用いて、３色のインク１７Ａを順に塗布する方法や、赤、緑、青の各色に対応するインク１７Ａを同時に吐出可能な３連ノズルを用いて、３色のインク１７Ａを同時に塗布する方法などがある。
パネル１０では、各色有機発光層のインクと同じ材料から構成することが好ましい。同時に塗布することができ製造が容易となり低コスト化に資するからである。また、青色間隙２０Ｂに塗布するインクの量を制御して赤色の間隙２０Ｒ及び緑色の間隙２０Ｇに塗布するインクの量よりも多くすることにより、容易に青色有機発光層１７Ｂの行方向の長さを赤色有機発光層１７Ｒ及び緑色有機発光層１７Ｇの行方向の長さより大きく構成することができる。この場合、塗布するインクの量により形成する青色間隙２０Ｂの膜厚を制御することができる。
また、ラインバンクを採用したパネル１０であるため、同色のインク１７Ａのみを吐出する複数のノズルを列方向に並べ、列方向と交差する行方向に移動させながら、間隙２０内へインク１７Ａを吐出して発光層１７を形成する方法が好ましい。この方法によると、まず複数のノズルを用いるため、インク１７Ａの塗布時間が短くなり工程を短縮できる。次に、複数のノズルから吐出されたインク１７Ａが間隙２０で列方向に連結するため、各ノズルのインク１７Ａの吐出量がばらついても、その後にインク１７Ａが列方向へ流動でき、塗布量が平準化されることで、サブ画素２１間の膜厚むら、すなわち輝度むらの発生を低減できる。
また、膜厚むらを低減することにより、サブ画素毎の有機発光層１７の電流密度のばらつきを低減しサブ画素毎の輝度半減寿命のばらつきを低減しパネル１０の寿命を向上できる。併せて、後述するようにサブ画素２１の行方向の長さを１３０μｍ程度まで増加した場合でも、第１隔壁１６と接触する有機発光層１７の外縁部分で有機発光層１７の膜形状が凸になるためにリーク電流の増大することを防止できる。これにより、有機発光層１７を介してリーク電流の増大が顕著になることを防止できる。
塗布したインク１７Ａが乾燥すると、図６（ｄ）及び図７（ｅ）に示すように、間隙２０に発光層１７が形成される。間隙２０では、第２隔壁１４に被覆されていない下地層１３が存在する画素２１と、第２隔壁１４が存在する画素間領域２２とに跨って線状の発光層１７を形成することができる。
（７）対向電極形成工程
その後、各発光層１７の上面１７ａ及び発光層１７から露出する各第１隔壁１６の表面に沿って、対向電極１８を形成する。具体的には、例えば、真空蒸着法又はスパッタリング法などによって、各発光層１７の上面１７ａ及び発光層１７から露出する各第１隔壁１６の表面に沿って、ＩＴＯ、ＩＺＯなどの光透過性導電材料からなる膜を形成する。
その後、各発光層１７の上面１７ａ及び発光層１７から露出する各第１隔壁１６の表面に沿って、対向電極１８を形成する。具体的には、例えば、真空蒸着法又はスパッタリング法などによって、各発光層１７の上面１７ａ及び発光層１７から露出する各第１隔壁１６の表面に沿って、ＩＴＯ、ＩＺＯなどの光透過性導電材料からなる膜を形成する。
このとき、対向電極１８は、行方向に隣り合う両画素の最も外側に位置する行方向に対向した隔壁同士の間隙である画素間領域２５にも配設され、基板１１上の画素間領域２５に列方向に延伸するよう並設されたバス配線部１５と下地層１３を介して電気的に接続される。
（８）封止層形成工程
次に、対向電極１８の上面を覆う封止層１９を形成する。具体的には、例えば、スパッタリング法又はＣＶＤ法によって、対向電極１８上に無機絶縁膜（酸化シリコンなど）を形成する。
次に、対向電極１８の上面を覆う封止層１９を形成する。具体的には、例えば、スパッタリング法又はＣＶＤ法によって、対向電極１８上に無機絶縁膜（酸化シリコンなど）を形成する。
３．有機ＥＬ表示パネルの要部構成
（１）各色サブ画素２１の行方向の長さの比率について
パネル１０における各色サブ画素２１において行方向のサブ画素２１の長さ（間隙２０の開口幅）とサブ画素の輝度半減寿命との関係を調べた。図８は、各色サブ画素２１における間隙２０の開口幅とサブ画素の輝度半減寿命との関係を、各色における基準値からの変化率として示した特性図であり、（ａ）は赤、（ｂ）は緑、（ｃ）は青色の各サブ画素の特性を示す。
（１）各色サブ画素２１の行方向の長さの比率について
パネル１０における各色サブ画素２１において行方向のサブ画素２１の長さ（間隙２０の開口幅）とサブ画素の輝度半減寿命との関係を調べた。図８は、各色サブ画素２１における間隙２０の開口幅とサブ画素の輝度半減寿命との関係を、各色における基準値からの変化率として示した特性図であり、（ａ）は赤、（ｂ）は緑、（ｃ）は青色の各サブ画素の特性を示す。
図８（ａ）に示すように、赤色サブ画素２１Ｒでは、開口幅を基準値６０μｍから約３０μｍまで削減すると輝度半減寿命は約３０％に低下する。また、図８（ｂ）に示すように、緑色サブ画素２１Ｇでは、開口幅を基準値６０μｍから約３０μｍまで削減すると輝度半減寿命は約３５％に低下する。また、図８（ｃ）に示すように、青色サブ画素２１Ｂでは、開口幅を基準値６０μｍから約１３０μｍまで増加すると輝度半減寿命は約３８０％に増加する。
ここで、赤、緑、青の３色のサブ画素中、赤色サブ画素と緑色サブ画素の寿命は同等か又は緑色サブ画素の寿命が短く、青色サブ画素の寿命が最も短いことが知られている。したがって、青色サブ画素２１Ｂの開口幅を増加し、赤色サブ画素２１Ｒの開口幅と緑色サブ画素２１Ｇの開口幅を削減することにより、赤、緑、青の３色のサブ画素の輝度半減時間が所定時間を満たすように画素を構成することができる。このため、パネル１０では、行方向において青色有機発光層の長さは、赤色有機発光層の長さ及び緑色有機発光層の長さのいずれよりも大きく構成されている構成とした。
具体的には、赤色サブ画素２１Ｒの開口幅により規定される赤色有機発光層の長さを約３６μｍ以上とすることが好ましい。その理由は、インクジェット法で発光層を塗布する場合、液滴の着弾精度の観点から開口幅の長さを３６μｍ未満にすると正確にサブ画素内に液滴が滴下される確率が低下するからである。その上で、青色サブ画素２１Ｂの開口幅により規定される青色有機発光層の長さは赤色サブ画素２１Ｒの開口幅により規定される赤色有機発光層の長さに対して１．６５（約６０μｍ相当）より大きく３．５（約１３０μｍ相当）以下とすることが好ましい。すなわち、青色サブ画素２１Ｂの開口幅は、赤色サブ画素２１Ｒの開口幅に対し１．６５倍より大きく３．５倍以下とすることが好ましい。
また、緑色有機発光層の長さは赤色有機発光層の長さに対して１．００（約３６μｍ相当）以上１．６５（約６０μｍ相当）以下とすることが好ましい。すなわち、緑色サブ画素２１Ｇの開口幅は赤色サブ画素２１Ｒの開口幅に対し１．００倍以上１．６５倍以下とすることが好ましい。
上述のとおり、各色サブ画素２１の列方向における外縁の位置は、第２隔壁１４により規定され、各色サブ画素２１において列方向の同一位置に存在しているために、列方向において各色サブ画素領域の長さは等しい。そのため、平面視において、青色サブ画素領域の面積は、赤色サブ画素領域の面積及び緑色サブ画素領域の面積のいずれよりも大きい構成となる。
（２）各色サブ画素２１の行方向の長さの上限について
図９は、パネル１０における印加電圧と電流密度の関係を示す実験結果である。パネル１０における各色サブ画素２１において行方向のサブ画素２１の長さ（間隙２０の開口幅）を約１７０μｍ及び１３０μｍとした場合における画素電極１２と対向電極１８間の印加電圧と有機発光層１７の電流密度との関係を示した実験結果である。図９（ａ）は、開口幅１７０μｍのときの電流−電圧特性（ｎ＝５）、図９（ｂ）は、開口幅１３０μｍのときの電流−電圧特性（ｎ＝５）を示す。
図９は、パネル１０における印加電圧と電流密度の関係を示す実験結果である。パネル１０における各色サブ画素２１において行方向のサブ画素２１の長さ（間隙２０の開口幅）を約１７０μｍ及び１３０μｍとした場合における画素電極１２と対向電極１８間の印加電圧と有機発光層１７の電流密度との関係を示した実験結果である。図９（ａ）は、開口幅１７０μｍのときの電流−電圧特性（ｎ＝５）、図９（ｂ）は、開口幅１３０μｍのときの電流−電圧特性（ｎ＝５）を示す。
図９（ａ）に示すように、各色サブ画素２１において行方向のサブ画素２１の長さが１７０μｍである場合には、５点のデータ中４点について画素電極１２と対向電極１８間の印加電圧を０Ｖから正又は負にシフトすると電流密度が急激に立ち上がる。これに対し、図９（ｂ）に示すように、サブ画素２１の長さが１３０μｍである場合には、５点のデータとも印加電圧を０Ｖから正又は負にシフトした場合でも電流密度の立ち上がりは比較的緩やかである。この結果から、サブ画素２１の長さが１７０μｍであるサンプルでは、有機発光層１７を介してリーク電流の増大が顕著になることがわかる。第１隔壁１６と接触する有機発光層１７の外縁部分で有機発光層１７の膜形状が凸になるためにリーク電流の増大しているものと考えられる。
このため、行方向においては、行方向において各色有機発光層の長さは１７０μｍ未満であることが好ましい。
（３）各色サブ画素２１の行方向の長さの下限について
図１０は、有機ＥＬ表示パネル１０の各色サブ画素における間隙２０の開口幅と基準定輝度を得るための印加電圧との関係を示す実験結果である。図１０に示すように、本件の実施例においては緑色有機発光層の電圧が最も高くなっている。例えば、緑色有機発光層の開口幅を６０μｍとしたとき、赤色有機発光層の開口幅は２５μｍより小さくなると緑色有機発光層の印加電圧を上回ってしまう。したがって、各色有機発光層の長さは印加電圧の上では２５μｍ以上であることが好ましい。
図１０は、有機ＥＬ表示パネル１０の各色サブ画素における間隙２０の開口幅と基準定輝度を得るための印加電圧との関係を示す実験結果である。図１０に示すように、本件の実施例においては緑色有機発光層の電圧が最も高くなっている。例えば、緑色有機発光層の開口幅を６０μｍとしたとき、赤色有機発光層の開口幅は２５μｍより小さくなると緑色有機発光層の印加電圧を上回ってしまう。したがって、各色有機発光層の長さは印加電圧の上では２５μｍ以上であることが好ましい。
５．効 果
パネル１０では、基板１１の上方に各々が列方向に延伸するよう並設された複数の隔壁１６と、基板１１の上方であって隣り合う第１隔壁間１６の複数の間隙２０内に、列方向に延伸するよう間隙に配された赤色有機発光層１７Ｒ、緑色有機発光層１７Ｇ、及び青色有機発光層１７Ｂとを備え、隔壁１６は、行方向における各色サブ画素２１の外縁を規定し、平面視において、青色サブ画素２１Ｂの面積は、赤色サブ画素２１Ｒの面積及び緑色サブ画素２１Ｇの面積のいずれよりも大きい構成とした。また、別の態様では、行方向において、青色サブ画素２１Ｂの長さは、赤色サブ画素２１Ｒの長さ及び緑色サブ画素２１Ｇの長さのいずれよりも大きい構成としてもよい。
パネル１０では、基板１１の上方に各々が列方向に延伸するよう並設された複数の隔壁１６と、基板１１の上方であって隣り合う第１隔壁間１６の複数の間隙２０内に、列方向に延伸するよう間隙に配された赤色有機発光層１７Ｒ、緑色有機発光層１７Ｇ、及び青色有機発光層１７Ｂとを備え、隔壁１６は、行方向における各色サブ画素２１の外縁を規定し、平面視において、青色サブ画素２１Ｂの面積は、赤色サブ画素２１Ｒの面積及び緑色サブ画素２１Ｇの面積のいずれよりも大きい構成とした。また、別の態様では、行方向において、青色サブ画素２１Ｂの長さは、赤色サブ画素２１Ｒの長さ及び緑色サブ画素２１Ｇの長さのいずれよりも大きい構成としてもよい。
これにより、各色有機発光層を形成するためインクが間隙で列方向に連結するため、列方向のインク量がばらついても、その後にインクが列方向へ流動でき塗布量が有機発光層の膜厚が平準化され、サブ画素２１間の膜厚むらに伴うサブ画素毎の有機発光層１７の電流密度のばらつきを低減しサブ画素毎の輝度半減寿命のばらつきを低減しパネル１０の寿命を向上できる。併せて、サブ画素２１の行方向の長さを１３０μｍ程度まで増加した場合でも、第１隔壁１６と接触する有機発光層１７の外縁部分で有機発光層１７の膜形状が凸になるためにリーク電流の増大することを防止できる。これにより、有機発光層１７を介してリーク電流の増大が顕著になることを防止できる。
また、有機発光層の膜厚が平準化され、サブ画素２１間の膜厚むら、すなわち輝度むらの発生を低減できる。
また、青色有機発光層を形成する隔壁間隙に塗布するインクの量を赤色及び緑色の隔壁間隙に塗布するインクの量よりも多く制御することにより、容易に青色有機発光層の幅を赤色及び緑色の有機発光層の幅より大きく構成することができる。そのため、有機ＥＬ表示パネルの製造が容易となり、併せて、青色有機発光層の低電流化により電流密度の低下を図れ、青色有機発光層の輝度半減寿命を増加することができ有機ＥＬ表示パネルの長寿命化を図ることができる。
≪変形例≫
実施の形態１では、本発明の一態様に係るパネル１０を説明したが、本発明は、その本質的な特徴的構成要素を除き、以上の実施の形態に何ら限定を受けるものではない。例えば、各実施の形態に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で各実施の形態における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本発明に含まれる。以下では、そのような形態の一例として、パネル１０の変形例を説明する。
実施の形態１では、本発明の一態様に係るパネル１０を説明したが、本発明は、その本質的な特徴的構成要素を除き、以上の実施の形態に何ら限定を受けるものではない。例えば、各実施の形態に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で各実施の形態における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本発明に含まれる。以下では、そのような形態の一例として、パネル１０の変形例を説明する。
１．第２隔壁１４を設けない構成
実施の形態１に係るパネル１０では、列方向における各色サブ画素２１の両端に各色サブ画素２１領域の外縁を規定する第２隔壁１４を備えた構成とした。しかしながら、例示したパネル１０において、間隙２０内に第２隔壁１４を設けない構成としてもよい。図１１は、実施の形態１の変形例１に係る有機ＥＬ表示パネル１０Ａを、図３におけるＢ−Ｂ断面と同じ位置で切断した模式図である。１０１１に示すように下地層１３の上面１３ａに第２隔壁１４が形成されておらず、基板１１の上方に各々が列方向に延伸するよう並設された複数の第１隔壁のみが形成されている。この場合、列方向における各色サブ画素２１領域の外縁は画素電極１２の列方向における両端となる。係る変形例１においても、実施の形態１と同様に、各色有機発光層を形成するためインクが間隙で列方向に連結するため、列方向のインク量がばらついても、その後にインクが列方向へより一層流動でき塗布量が有機発光層の膜厚が平準化される。そのため、サブ画素毎の有機発光層１７の電流密度のばらつきをさらに低減しサブ画素毎の輝度半減寿命のばらつきを低減しパネル１０の寿命を向上できる。
実施の形態１に係るパネル１０では、列方向における各色サブ画素２１の両端に各色サブ画素２１領域の外縁を規定する第２隔壁１４を備えた構成とした。しかしながら、例示したパネル１０において、間隙２０内に第２隔壁１４を設けない構成としてもよい。図１１は、実施の形態１の変形例１に係る有機ＥＬ表示パネル１０Ａを、図３におけるＢ−Ｂ断面と同じ位置で切断した模式図である。１０１１に示すように下地層１３の上面１３ａに第２隔壁１４が形成されておらず、基板１１の上方に各々が列方向に延伸するよう並設された複数の第１隔壁のみが形成されている。この場合、列方向における各色サブ画素２１領域の外縁は画素電極１２の列方向における両端となる。係る変形例１においても、実施の形態１と同様に、各色有機発光層を形成するためインクが間隙で列方向に連結するため、列方向のインク量がばらついても、その後にインクが列方向へより一層流動でき塗布量が有機発光層の膜厚が平準化される。そのため、サブ画素毎の有機発光層１７の電流密度のばらつきをさらに低減しサブ画素毎の輝度半減寿命のばらつきを低減しパネル１０の寿命を向上できる。
２．その他の変形例
実施の形態１に係るパネル１０では、各色サブ画素２１である間隙２０の上方に、フィルタ２４が形成されている構成とした。しかしながら、例示したパネル１０において、間隙２０の上方にはフィルタ２４を設けない構成としてもよい。
実施の形態１に係るパネル１０では、各色サブ画素２１である間隙２０の上方に、フィルタ２４が形成されている構成とした。しかしながら、例示したパネル１０において、間隙２０の上方にはフィルタ２４を設けない構成としてもよい。
また、上記実施の形態１では、画素電極１２と対向電極１８の間に、及び発光層１７のみが存在する構成であったが、本発明はこれに限られない。例えば、正孔注入層である下地層１３を用いずに、画素電極１２と対向電極１８の間に発光層１７のみが存在する構成としてもよい。
また、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層などを備える構成や、これらの複数又は全部を同時に備える構成であってもよい。また、これらの層はすべて有機化合物からなる必要はなく、無機物などで構成されていてもよい。
また、上記実施の形態１では、サブ画素２１には、赤色サブ画素２１Ｒ、緑色サブ画素２１Ｇ、青色サブ画素２１Ｂの３種類があったが、本発明はこれに限られない。例えば、発光層が１種類であってもよいし、発光層が赤、緑、青、黄色に発光する４種類であってもよい。
また、上記実施の形態１では、画素２３が、マトリクス状に並んだ構成であったが、本発明はこれに限られない。例えば、画素領域の間隔を１ピッチとするとき、隣り合う間隙同士で画素領域が列方向に半ピッチずれている構成に対しても、本発明は効果を有する。高精細化が進む表示パネルにおいて、多少の列方向のずれは視認上判別が難しく、ある程度の幅を持った直線上（あるいは千鳥状）に膜厚むらが並んでも、視認上は帯状となる。したがって、このような場合も輝度むらが上記千鳥状に並ぶことを抑制することで、表示パネルの表示品質を向上できる。
また、上記実施の形態１では、発光層１７の形成方法としては、印刷法、スピンコート法、インクジェット法などの湿式成膜プロセスを用いる構成であったが、本発明はこれに限られない。例えば、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、イオンプレーティング法、気相成長法等の乾式成膜プロセスを用いることもできる。
また、上記実施の形態１に係るパネル１では、すべての間隙２０に画素電極１２が配されていたが、本発明はこの構成に限られない。例えば、バスバーなどを形成するために、画素電極１２が形成されない間隙２０が存在してもよい。
また、上記実施の形態１では、パネル１０がトップエミッション型の構成であったが、ボトムエミッション型を採用することもできる。その場合には、各構成について、適宜の変更が可能である。
また、上記実施の形態１では、パネル１０がアクティブマトリクス型の構成であったが、本発明はこれに限られず、例えば、パッシブマトリクス型の構成であってもよい。具体的には、第１隔壁の延伸方向と平行な線状の電極と、第１隔壁の延伸方向と直交する線状の電極とを発光層を挟むようにそれぞれ複数並設すればよい。このとき、第１隔壁の延伸方向と直交する線状の電極を下部側とすれば、各間隙では、複数の下部側の電極が、互いに間隔をあけて第１隔壁の延伸方向に並び、本発明の一態様となる。その場合には、各構成について、適宜の変更が可能である。なお、上記実施の形態１では、基板１１がＴＦＴ層を有する構成であったが、上記パッシブマトリクス型の例などから分かるように、基板１１はＴＦＴ層を有する構成に限られない。
本発明に係る有機ＥＬ表示パネル、及び有機ＥＬ表示装置は、テレビジョンセット、パーソナルコンピュータ、携帯電話などの装置、又はその他表示パネルを有する様々な電子機器に広く利用することができる。
１ 有機ＥＬ表示装置
１０、１０Ａ有機ＥＬ表示パネル
１１ 基板
１２ 画素電極
１３ 下地層
１４ 第２隔壁
１５ バス配線部
１６ 第１隔壁
１７ 発光層
１８ 対向電極
１９ 封止層
２０ 間隙
２１ サブ画素領域
２２ 画素間領域
２３ 画素
２４ フィルタ
１０、１０Ａ有機ＥＬ表示パネル
１１ 基板
１２ 画素電極
１３ 下地層
１４ 第２隔壁
１５ バス配線部
１６ 第１隔壁
１７ 発光層
１８ 対向電極
１９ 封止層
２０ 間隙
２１ サブ画素領域
２２ 画素間領域
２３ 画素
２４ フィルタ
Claims (5)
- 赤色サブ画素、緑色サブ画素及び青色サブ画素を含む画素が複数行列状に配された有機ＥＬ表示パネルであって、
基板と、
前記基板の上方に各々が列方向に延伸するよう並設された複数の隔壁と、
前記基板の上方であって隣り合う前記隔壁間の複数の間隙内に、列方向に延伸するよう前記間隙に配された赤色有機発光層、緑色有機発光層、及び青色有機発光層とを備え、
前記隔壁は、行方向における前記各色サブ画素の外縁を規定し、
基板平面視において、前記青色サブ画素の面積は、前記赤色サブ画素の面積及び前記緑色サブ画素の面積のいずれよりも大きく、
行方向において前記赤色サブ画素の長さは３６μｍ以上であり、前記青色サブ画素の長さは１３０μｍ未満であり、
行方向において前記青色サブ画素の長さは前記赤色サブ画素の長さに対して１．６５倍以上３．５倍以下であり、
列方向に隣接する前記赤色サブ画素において前記間隙内に配された前記赤色有機発光層、列方向に隣接する前記緑色サブ画素において前記間隙内に配された前記緑色有機発光層、及び、列方向に隣接する前記青色サブ画素において前記間隙内に配された前記青色有機発光層は、それぞれ列方向に連続しており、
画素を構成する前記赤色サブ画素、前記緑色サブ画素及び前記青色サブ画素内の前記赤色有機発光層、前記緑色有機発光層、及び前記青色有機発光層それぞれの列方向の長さは同一であり、
前記基板上方かつ前記赤色有機発光層下方に配された第１画素電極と、
前記基板上方かつ前記緑色有機発光層下方に配された第２画素電極と、
前記基板上方かつ前記青色有機発光層下方に配された第３画素電極と、
前記赤色有機発光層、前記緑色有機発光層及び前記青色有機発光層の上方に、前記第１画素電極、前記第２画素電極及び前記第３画素電極と対向する対向電極とを備え、
前記基板の上方であって行方向に隣り合う画素と画素との間の領域に行及び列方向のうち列方向に延伸するよう並設されており、前記対向電極と電気的に接続されたバス配線を備える
有機ＥＬ表示パネル。 - 行方向において前記青色サブ画素の長さは、前記赤色サブ画素の長さ及び前記緑色サブ画素の長さのいずれよりも大きい
請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネル。 - 行方向において前記緑色サブ画素の長さは前記赤色サブ画素の長さに対して１．００倍以上１．６５倍以下である
請求項２に記載の有機ＥＬ表示パネル。 - 前記間隙内に、列方向における前記各色サブ画素の外縁を規定する行方向に延伸した隔壁は配されていない
請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネル。 - 請求項１又は４に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、
基板を準備する工程と、
前記基板の上方に各々が列方向に延伸するよう並設された複数の隔壁を形成する工程と、
前記基板の上方であって隣り合う前記隔壁間の間隙内に、前記間隙内でインクが列方向に連通可能な状態において、列方向に配列された複数のノズルから赤色、緑色、又は青色の有機発光材料を含むインクを同時に塗布することにより、塗布されたインクを列方向に連通させ、列方向に延伸するよう前記間隙毎に配された赤色有機発光層、緑色有機発光層、及び青色有機発光層を形成する工程とを有する
有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014107375 | 2014-05-23 | ||
| JP2014107375 | 2014-05-23 | ||
| PCT/JP2015/002560 WO2015178028A1 (ja) | 2014-05-23 | 2015-05-21 | 有機ｅｌ表示パネル及び有機ｅｌ表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2015178028A1 JPWO2015178028A1 (ja) | 2017-04-20 |
| JP6594863B2 true JP6594863B2 (ja) | 2019-10-23 |
Family
ID=54553709
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016520943A Active JP6594863B2 (ja) | 2014-05-23 | 2015-05-21 | 有機ｅｌ表示パネル及び有機ｅｌ表示装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20170069697A1 (ja) |
| JP (1) | JP6594863B2 (ja) |
| WO (1) | WO2015178028A1 (ja) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016081562A (ja) * | 2014-10-09 | 2016-05-16 | ソニー株式会社 | 表示装置、表示装置の製造方法および電子機器 |
| JP6741431B2 (ja) * | 2016-01-25 | 2020-08-19 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 表示パネル及びその製造方法 |
| KR102537440B1 (ko) * | 2016-03-18 | 2023-05-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
| TWI574094B (zh) * | 2016-07-28 | 2017-03-11 | 友達光電股份有限公司 | 顯示面板 |
| JP6804249B2 (ja) * | 2016-09-23 | 2020-12-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布装置、塗布方法、および有機ｅｌディスプレイ |
| CN109860223B (zh) * | 2017-11-30 | 2021-01-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素界定层、显示基板、显示装置、喷墨打印方法 |
| CN108281474B (zh) * | 2018-03-28 | 2019-05-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光显示面板及其制作方法、显示装置 |
| KR20200069692A (ko) * | 2018-12-07 | 2020-06-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
| KR20200080012A (ko) * | 2018-12-26 | 2020-07-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 |
| WO2020143026A1 (zh) * | 2019-01-11 | 2020-07-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素排列结构、显示基板及显示装置 |
| CN113287369B (zh) * | 2019-01-15 | 2024-09-13 | 索尼半导体解决方案公司 | 显示设备、显示设备的制造方法以及电子仪器 |
| CN109920833B (zh) * | 2019-03-27 | 2020-11-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置 |
| KR20210086170A (ko) * | 2019-12-31 | 2021-07-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| CN111739920B (zh) * | 2020-06-30 | 2024-03-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及制备方法、显示设备 |
| JP7006978B2 (ja) * | 2020-07-27 | 2022-01-24 | 株式会社Joled | 表示パネル |
| CN117769303A (zh) * | 2020-10-27 | 2024-03-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板和显示装置 |
| WO2024109196A1 (zh) * | 2022-11-22 | 2024-05-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板以及显示装置 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100293436B1 (ko) * | 1998-01-23 | 2001-08-07 | 구본준, 론 위라하디락사 | 횡전계방식액정표시장치 |
| TW468283B (en) * | 1999-10-12 | 2001-12-11 | Semiconductor Energy Lab | EL display device and a method of manufacturing the same |
| JP3891753B2 (ja) * | 2000-02-22 | 2007-03-14 | シャープ株式会社 | 有機発光素子の製造方法 |
| TW594637B (en) * | 2002-09-13 | 2004-06-21 | Sanyo Electric Co | Electroluminescence display device and method of pattern layout for the electroluminescence display device |
| JP2005222928A (ja) * | 2004-01-07 | 2005-08-18 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置 |
| JP3921480B2 (ja) * | 2004-10-22 | 2007-05-30 | シャープ株式会社 | 表示素子 |
| US7923919B2 (en) * | 2004-10-28 | 2011-04-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Organic electroluminescent panel and production method thereof, and color filter substrate and production method thereof |
| JP2009259570A (ja) * | 2008-04-16 | 2009-11-05 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器 |
| KR101023133B1 (ko) * | 2009-03-19 | 2011-03-18 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| US20110233572A1 (en) * | 2009-06-04 | 2011-09-29 | Panasonic Corporation | Organic el display panel and method for manufacturing same |
| KR20110019498A (ko) * | 2009-08-20 | 2011-02-28 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기전계발광 표시장치 |
| JP2011054513A (ja) * | 2009-09-04 | 2011-03-17 | Seiko Epson Corp | 光学装置の製造方法 |
| KR101257734B1 (ko) * | 2010-09-08 | 2013-04-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 |
| WO2012132862A1 (ja) * | 2011-03-29 | 2012-10-04 | 凸版印刷株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイとその製造方法 |
| JP2012221811A (ja) * | 2011-04-11 | 2012-11-12 | Canon Inc | 表示装置 |
| JP2013206864A (ja) * | 2012-03-29 | 2013-10-07 | Toppan Printing Co Ltd | 有機ｅｌ素子 |
| CN103219359A (zh) * | 2013-03-29 | 2013-07-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光阵列基板及其制作方法、显示装置 |
-
2015
- 2015-05-21 JP JP2016520943A patent/JP6594863B2/ja active Active
- 2015-05-21 WO PCT/JP2015/002560 patent/WO2015178028A1/ja active Application Filing
- 2015-05-21 US US15/309,238 patent/US20170069697A1/en not_active Abandoned
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2015178028A1 (ja) | 2015-11-26 |
| JPWO2015178028A1 (ja) | 2017-04-20 |
| US20170069697A1 (en) | 2017-03-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6594863B2 (ja) | 有機ｅｌ表示パネル及び有機ｅｌ表示装置 | |
| WO2015178029A1 (ja) | 有機ｅｌ表示パネル及び有機ｅｌ表示装置 | |
| EP2563097B1 (en) | Organic el display panel and organic el display device equipped with same, and production method for organic el display panel | |
| US11228005B2 (en) | Organic el display panel having dummy light emitting layers and method for manufacturing organic el display panel having dummy light emitting layers | |
| JP6612446B2 (ja) | 有機ｅｌ表示パネル及びその製造方法 | |
| JP2018206710A (ja) | 有機ｅｌ表示パネル及び有機ｅｌ表示パネルの製造方法 | |
| WO2015155971A1 (ja) | 有機発光デバイスおよびその製造方法 | |
| US10714549B2 (en) | Organic EL display panel manufacturing method and organic EL display panel | |
| JP6233888B2 (ja) | 有機発光デバイスとその製造方法 | |
| JP2018026278A (ja) | 有機ｅｌ表示パネル、及び有機ｅｌ表示パネルの製造方法 | |
| WO2017200023A1 (ja) | 有機ｅｌ表示パネル及びその製造方法 | |
| JP2018055936A (ja) | 有機ｅｌ表示パネル、及び有機ｅｌ表示パネルの製造方法 | |
| JP2019192337A (ja) | 有機ｅｌ表示パネル、有機ｅｌ表示装置、及び、有機ｅｌ表示パネルの製造方法 | |
| JP2019207836A (ja) | 有機ｅｌ表示パネル、有機ｅｌ表示装置、及び、有機ｅｌ表示パネルの製造方法 | |
| JP7474040B2 (ja) | 自発光型表示パネル | |
| WO2017204150A1 (ja) | 有機ｅｌ表示パネル、有機ｅｌ表示装置、及び、その製造方法 | |
| JP2019125501A (ja) | 有機ｅｌ表示パネル及びその製造方法 | |
| JP6232660B2 (ja) | 有機発光デバイスの機能層の形成方法及び有機発光デバイスの製造方法 | |
| JP6019372B2 (ja) | 発光素子及び発光パネル | |
| JP2015207527A (ja) | 有機発光デバイスの機能層の形成方法及び有機発光デバイスの製造方法 | |
| JP2015207526A (ja) | 有機発光デバイスの機能層の形成方法 | |
| JP2018156882A (ja) | 有機ｅｌ表示パネル、及び有機ｅｌ表示パネルの製造方法 | |
| JP6337088B2 (ja) | 有機ｅｌ表示パネル及び有機ｅｌ表示装置 | |
| JP2016015292A (ja) | 有機ｅｌ表示装置 | |
| JP2020113529A (ja) | 有機ｅｌ表示パネル、及び有機ｅｌ表示パネルの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20161026 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20171107 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180109 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180703 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180903 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190129 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190401 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190827 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190925 |
|
| R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6594863 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S303 | Written request for registration of pledge or change of pledge |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316303 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| S803 | Written request for registration of cancellation of provisional registration |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316803 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |