JP2019207836A - 有機ｅｌ表示パネル、有機ｅｌ表示装置、及び、有機ｅｌ表示パネルの製造方法 - Google Patents

有機ｅｌ表示パネル、有機ｅｌ表示装置、及び、有機ｅｌ表示パネルの製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】リフレクタの機能を高く維持したままインクの濡れ拡がりを改善し、光取り出し効率と、発光効率やパネル寿命とを共に高く維持することのできる有機ＥＬ表示パネルを供給する。【解決手段】基板と、行列状に配された複数の画素電極と、複数の画素電極のそれぞれの上方に配され、１つの画素電極に対して複数の開口が開設された絶縁層と、行方向に隣接する画素電極の間に配される複数の隔壁と、開口のそれぞれの内部において電界発光を生ずる有機発光層を含む有機機能層と、複数の有機機能層の上方に配された透光性の対向電極とを備え、前記複数の開口は、列方向に一列に配されて開口列を形成する複数の第１の開口と、第１の開口に行方向に隣接する第２の開口とを含み、絶縁層において、列方向に隣接する第１の開口の間に位置する部分は、第１の開口と第２の開口との間に位置する部分より、画素電極を基準とした高さが低い部分を有する。【選択図】図１７

Description

本開示は、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子を用いた有機ＥＬ表示パネル、有機ＥＬ表示装置、および、その製造方法に関する。
近年、有機ＥＬ素子を発光素子として用いた照明装置や有機ＥＬ表示装置が普及しつつある。そして、有機ＥＬ表示装置にあって、効率よく光を取り出す技術の開発が求められている。光取り出し効率の向上により、有機ＥＬ素子からの発光量を有効に用いることができるため、省電力化、長寿命化に寄与するからである。
光取り出し効率の向上の方法として、例えば、特許文献２に開示されているように、有機ＥＬ表示装置にリフレクタ（反射構造）を備える構成がある。
一方、機能層を効率よく形成する方法として、例えば、特許文献１に開示されているように、機能性材料を含むインクをインクジェット法等のウェットプロセスで塗布して形成することが行われている。ウェットプロセスでは、機能層を形成する際の位置精度が基板サイズに依存せず、大型パネルの生成や大型基板からの切り出しによる効率の良いパネル生成に適した特徴がある。
特開２０１３−２４０７３３号公報 特開２０１３−１９１５３３号公報
ところが、ウェットプロセスを用いて、リフレクタを備える有機ＥＬ素子を形成しようとしたとき、機能層直下の構造によってはインクが適切に濡れ拡がらないことがある。ウェットプロセスでは、凹凸を有するような領域に塗布することが想定されておらず、有機ＥＬ素子の内部で機能層の膜厚が均等にならないことがあり、その場合に発光効率やパネル寿命が低下することが懸念される。
インクの濡れ拡がりを向上させる手段としては、リフレクタをインクの濡れ拡がる方向に延伸した構造とすることが考えられる。しかしながら、このような構造の場合、インクの濡れ拡がりが向上する反面、リフレクタとして機能する面積が減少するため、リフレクタによる光取り出し効率が十分に向上しない課題がある。
本開示は、リフレクタの機能を高く維持したままインクの濡れ拡がりを改善し、光取り出し効率と、発光効率やパネル寿命とを共に高く維持することのできる有機ＥＬ表示パネルを供給することを目的とする。
本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、複数の画素が行列状に配された有機ＥＬ表示パネルであって、基板と、前記基板上方に行列状に配された複数の画素電極と、前記複数の画素電極のそれぞれの上方に配され、１つの画素電極に対して複数の開口が開設された絶縁層と、行方向に隣接する前記画素電極の間に配される、列方向に延伸する複数の隔壁と、前記複数の画素電極の上方に配され、前記開口のそれぞれの内部において電界発光を生ずる有機発光層を含む有機機能層と、前記複数の有機機能層の上方に配された透光性の対向電極とを備え、前記複数の開口は、列方向に一列に配されて開口列を形成する複数の第１の開口と、前記第１の開口に行方向に隣接する第２の開口とを含み、前記絶縁層において、列方向に隣接する前記第１の開口の間に位置する部分は、前記第１の開口と前記第２の開口との間に位置する部分より、前記画素電極を基準とした高さが低い部分を有することを特徴とする。
本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルによれば、列方向に並ぶ複数の第１の開口の間でインクの流動が可能となるため、画素内におけるインクの濡れ拡がりが改善する。したがって、画素内における機能層の膜厚を均一化することができ、発光効率やパネル寿命を向上させることができる。また、行方向に並ぶ第１の開口と第２の開口との間の絶縁層はリフレクタの機能を十分に発揮し、さらに、列方向に並ぶ複数の第１の開口の間でもリフレクタの機能が維持されるため、光取り出し効率が低下することを抑止することができる。
実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１の回路構成を示す模式ブロック図である。 有機ＥＬ表示装置１に用いる有機ＥＬ表示パネル１０の各サブ画素１００ｓｅにおける回路構成を示す模式回路図である。 有機ＥＬ表示パネル１０の一部を示す模式平面図である。 図３におけるＸ部の拡大平面図であり、（ａ）は、表示パネル１０の１画素１００を示し、（ｂ）は画素１００の各サブ画素１００ａを示す。 図４（ｂ）におけるＡ−Ａで切断した模式断面図である。 図４（ｂ）におけるＢ−Ｂで切断した模式断面図である。 （ａ）は、有機ＥＬ素子１００において、全反射を得るための開口１２２ｚｘｙ壁面の傾斜角をαの算出方法を示した模式図、（ｂ）は、発光した光が開口１２２ｚｘｙ壁面で反射して有効な視野角γ’に届く有効発光範囲Ｌの算出方法を示した模式図である。 有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図４（ｂ）におけるＡ−Ａと同じ位置で切断した模式断面図であり、（ａ）は基板１００ｘの形成工程を示し、（ｂ）はパッシベーション層１１６の形成工程を示し、（ｃ）はコンタクト孔１１６ａの形成工程を示し、（ｄ）は層間絶縁層１１８の形成工程を示し、（ｅ）は画素電極層１１９の形成工程を示す。 有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図４（ｂ）におけるＡ−Ａと同じ位置で切断した模式断面図であり、（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はいずれも絶縁層１２２の形成工程、（ｄ）は列バンク５２２Ｙの形成工程を、それぞれ示す。 有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図４（ｂ）におけるＡ−Ａと同じ位置で切断した模式断面図であり、（ａ）はホール注入層１２０、ホール輸送層１２１の形成工程を示し、（ｂ）は、発光層１２３の形成工程を示し、（ｃ）は電子輸送層１２４、対向電極層１２５、封止層１２６の形成工程を示す。 有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図４（ｂ）におけるＡ−Ａと同じ位置で切断した模式断面図であり、（ａ）は接合層１２７の形成工程を示し、（ｂ）はＣＦ基板１３１の貼り合わせ工程を示す。 有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図４（ｂ）におけるＢ−Ｂと同じ位置で切断した模式断面図であり、（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）はいずれも絶縁層１２２の形成工程を示す。 有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図４（ｂ）におけるＢ−Ｂと同じ位置で切断した模式断面図であり、（ａ）はホール注入層１２０、ホール輸送層１２１の形成工程を示し、（ｂ）、（ｃ）は、発光層１２３の形成工程を示し、（ｄ）は電子輸送層１２４、対向電極層１２５、封止層１２６の形成工程を示す。 有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図４（ｂ）におけるＢ−Ｂと同じ位置で切断した模式断面図であり、（ａ）は接合層１２７の形成工程を示し、（ｂ）はＣＦ基板１３１の貼り合わせ工程を示す。 有機ＥＬ表示パネル１０の製造方法において、基板に対して発光層形成用のインクを塗布する工程を示す図であって、（ａ）はピクセルバンク、（ｂ）はラインバンクの場合である。 （ａ）〜（ｆ）はいずれも、有機ＥＬ表示パネル１０の製造におけるＣＦ基板１３１製造の各工程での状態を示す模式断面図である。 （ａ）〜（ｅ）はいずれも、絶縁層１２２の模式断面図であり、（ａ）は図４（ｂ）におけるＡ−Ａと同じ位置で切断した模式断面図、（ｂ）図４（ｂ）におけるＢ−Ｂと同じ位置で切断した模式断面図、（ｃ）は（ａ）および（ｂ）のＣ−Ｃと同じ位置で切断した模式断面図、（ｄ）は（ａ）および（ｂ）のＤ−Ｄと同じ位置で切断した模式断面図、（ｅ）は（ａ）および（ｂ）のＥ−Ｅと同じ位置で切断した模式断面図である。 絶縁層１２２に行列状に設けられる各開口の下面における直径が４．５μｍであるときの、列方向に隣接する開口の下面間の距離と、開口を区画する絶縁層１２２の部分の最も低い部分の高さとの関係を示すグラフである。 （ａ）、（ｂ）は他の実施の形態に係る絶縁層の模式断面図であり、（ａ）は図１７（ａ）および図１７（ｂ）のＣ−Ｃと同じ位置で切断した模式断面図、（ｂ）は図１７（ａ）および図１７（ｂ）Ｅ−Ｅと同じ位置で切断した模式断面図であり、（ｃ）は他の実施の形態に係る絶縁層の模式断面図であり、図１７（ａ）および図１７（ｂ）のＣ−Ｃと同じ位置に対応する。 （ａ）、（ｂ）は比較例としての絶縁層の模式外観図である。
≪本開示の一態様に到った経緯≫
有機ＥＬ表示パネルの光取り出し効率を向上させる手法として、例えば、特許文献２に開示されているように、リフレクタ（反射構造）を有する構造をとる手法がある。特許文献２では、各画素を構成するサブ画素のそれぞれにリフレクタを備える構造であるが、よりリフレクタの効果を向上させるため、サブ画素内に複数のリフレクタを備える構造が検討されている。この場合、画素電極と機能層との間に画素内絶縁層を設け、サブ画素内にリフレクタを備えるマイクロ画素を複数形成する方法で、リフレクタ構造が形成できる。
一方、例えば、特許文献１に開示されているように、特に大型パネルに対し、発光層やキャリア注入層、キャリア輸送層などの機能層を湿式プロセスで形成することが試みられている。しかしながら、湿式プロセスで機能層を形成する場合、サブ画素全体にわたってインクが均一に濡れ拡がる必要がある。しかしながら、画素内絶縁層の上面のように複数の窪みが存在する面の上方に湿式プロセスにより機能層を設ける場合、画素内絶縁層の上面が機能層材料であるインクの濡れ拡がりを抑止し、特に、画素内絶縁層の窪みが小さいほどインクが濡れ拡がらない。
インクの濡れ拡がりを改善する構成の１つとしては、長尺状の窪みを複数並列する構成がある。具体的には、図２０（ａ）に示すように、画素内絶縁層７２２Ａを平面視したときに、画素内絶縁層７２２Ａに、列方向に延伸する複数の窪み７２２ｚＡが行方向に配された構成である。このような構成により、列方向にインクが流動するため、インクの濡れ拡がりを高くすることができる。特に、サブ画素を区画する撥液性を有する隔壁が列方向に延伸する、いわゆるラインバンク方式では、列方向に間隔を開けて滴下されたインクが列方向に流動することを前提としているため、隔壁の延伸方向と開口の延伸方向とを一致させることで、濡れ拡がりの程度をより向上させることができる。
しかしながら、画素内絶縁層の窪みを列方向に延伸する長尺状とすると、発光面積である窪み底面の面積に対する、リフレクタとなる窪み側面の面積が減少する。特に、列方向については発光面積に対して反射面の面積が少ないため、リフレクタ構造による光取り出し効率は行方向の向上効果に対し列方向の向上効果が低く、パネル全体としてリフレクタ構造による光取り出し効率が十分に向上しない課題が発生する。
リフレクタ構造による光取り出し効率は、発光面積に対する反射面の面積が大きく、かつ、列方向と行方向の構造に等方的であるほど向上する。すなわち、マイクロ画素となる窪みが小さく、数が多く、平面に平行な方向に対して等方的な構成を採用することで向上する。具体的には、図２０（ｂ）に示すように、画素内絶縁層７２２Ｂを平面視したときに、画素内絶縁層７２２Ｂに、円錐台形の複数の窪み７２２ｚＢが行列状に配された構成である。しかしながら、この構成は、上述したようにインクの濡れ拡がりが低いため、特に、列方向において、機能層の形成不良や膜厚むらが発生しやすい。そこで、発明者らは、このような、光取り出し効率の高いリフレクタ構造を用いた上でインクの濡れ拡がりを向上する構成を鋭意検討し、本開示に至ったものである。
≪本開示の態様≫
本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、複数の画素が行列状に配された有機ＥＬ表示パネルであって、基板と、前記基板上方に行列状に配された複数の画素電極と、前記複数の画素電極のそれぞれの上方に配され、１つの画素電極に対して複数の開口が開設された絶縁層と、行方向に隣接する前記画素電極の間に配される、列方向に延伸する複数の隔壁と、前記複数の画素電極の上方に配され、前記開口のそれぞれの内部において電界発光を生ずる有機発光層を含む有機機能層と、前記複数の有機機能層の上方に配された透光性の対向電極とを備え、前記複数の開口は、列方向に一列に配されて開口列を形成する複数の第１の開口と、前記第１の開口に行方向に隣接する第２の開口とを含み、前記絶縁層において、列方向に隣接する前記第１の開口の間に位置する部分は、前記第１の開口と前記第２の開口との間に位置する部分より、前記画素電極を基準とした高さが低い部分を有することを特徴とする。
本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルによれば、列方向に並ぶ複数の第１の開口の間でインクの流動が可能となるため、画素内におけるインクの濡れ拡がりが改善する。したがって、画素内における機能層の膜厚を均一化することができ、発光効率やパネル寿命を向上させることができる。また、行方向に並ぶ第１の開口と第２の開口との間の絶縁層はリフレクタの機能を十分に発揮し、さらに、列方向に並ぶ複数の第１の開口の間でもリフレクタの機能が維持されるため、光取り出し効率が低下することを抑止することができる。
また、別の態様では、前記絶縁層は、前記複数の開口それぞれの周囲において、前記対向電極方向に延びるとともに画素周縁方向に広がる傾斜面を有する、とすることができる。
この別の態様により、傾斜面がリフレクタの反射面として機能するため、光取り出し効率をより向上させることができる。
また、別の態様では、列方向に隣接する前記第１の開口の間に位置する部分は、前記第１の開口と前記第２の開口との間に位置する部分に対し、前記画素電極を基準とした高さが７５％以下である部分を有する、とすることができる。
この別の態様により、列方向に並ぶ複数の第１の開口の間でインクの流動が可能となるため、画素内におけるインクの濡れ拡がりが改善する。したがって、画素内における機能層の膜厚を均一化することができ、発光効率やパネル寿命を向上させることができる。
また、別の態様では、前記第１の開口と前記第２の開口との間に位置する部分は、前記画素電極を基準とした高さが６μｍ以上である、とすることができる。
この別の態様により、リフレクタの反射面の面積を確保することができ、光取り出し効率を十分に向上させることができる。
また、別の態様では、前記第２の開口は、開口が列方向に一列に配され、前記開口列に行方向に隣接する第２の開口列に含まれ、前記絶縁層の底面において、列方向に隣接する前記第１の開口の列方向の距離は、前記第１の開口と前記第２の開口との行方向の距離より小さい、とすることができる。
この別の態様により、複数の開口を行列状に配し、かつ、列方向の開口の間隔を行方向における開口の間隔より小さくすることで、容易に、本実施の形態を実現することができる。
また、別の態様では、前記絶縁層の底面において、列方向に隣接する前記第１の開口の列方向の距離は、前記列方向における前記第１の開口の幅の、０．６５倍より小さい、とすることができる。
この別の態様により、列方向のインクの流動性を確保し、インクの未濡れや列方向における機能層の膜厚ムラを抑止することができる。
また、別の態様では、前記第１の開口は、前記画素電極側が狭い円錐台形状である、とすることができる。
この別の態様により、光取り出し効率を最大化することができる。
また、別の態様では、前記第２の開口は、列方向に延伸するスリット状の開口である、とすることができる。
この別の態様により、第２の開口がインクの濡れ拡がりを補助するため、絶縁層において、列方向に隣接する第１の開口の間に位置する部分を過度に低くせずとも、インクの濡れ拡がりを向上させることができる。
本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示装置は、本開示の一態様、または、別の態様に係る有機ＥＬ表示パネルを備えた有機ＥＬ表示装置である。
本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、複数の画素が行列状に配された有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、基板を準備する工程と、前記基板の上方に、複数の画素電極を行列状に形成する工程と、開口が複数開設された絶縁層を、前記画素電極のそれぞれの上方に形成する工程と、行方向に隣接する画素電極の間に、列方向に延伸する複数の隔壁を形成する工程と、前記基板と塗布装置の少なくとも一方を行方向に走査しながら材料を含むインクを塗布して前記複数の開口内に有機発光層を含む有機機能層を形成する工程と、前記複数の有機機能層の上方に透光性の対向電極を形成する工程とを含み、前記絶縁層を形成する工程において、１つの画素電極上に、複数の開口を列方向に一列に配置した開口列と、前記開口列に含まれるいずれかの開口に列方向に隣接する第２の開口とを形成し、かつ、列方向に隣接する前記第１の開口の間に位置する部分に、前記第１の開口と前記第２の開口との間に位置する部分より、前記画素電極を基準とした高さが低い部分を形成することを特徴とする。
係る構成により、本開示の一態様、または、他の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルを製造できる。
≪実施の形態≫
１ 回路構成
１．１ 表示装置１の回路構成
以下では、実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１（以後、「表示装置１」とする）の回路構成について、図１を用い説明する。
図１に示すように、表示装置１は、有機ＥＬ表示パネル１０（以後、「表示パネル１０」とする）と、これに接続された駆動制御回路部２０とを有する構成である。
表示パネル１０は、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）パネルであって、複数の有機ＥＬ素子が、例えば、マトリクス状に配列され構成されている。駆動制御回路部２０は、４つの駆動回路２１〜２４と制御回路２５とにより構成されている。
なお、表示装置１において、表示パネル１０に対する駆動制御回路部２０の各回路の配置形態については、図１に示した形態に限定されない。
１．２ 表示パネル１０の回路構成
表示パネル１０における、複数の有機ＥＬ素子は、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）に発光する３色のサブ画素（不図示）から構成される。各サブ画素１００ｓｅの回路構成について、図２を用い説明する。
図２は、表示装置１に用いる表示パネル１０の各サブ画素１００ｓｅに対応する有機ＥＬ素子１００における回路構成を示す模式回路図である。表示パネル１０においては、画素１００ｅを構成する有機ＥＬ素子１００がマトリクス上に配されて表示領域を構成している。
図２に示すように、本実施の形態に係る表示パネル１０では、各サブ画素１００ｓｅが２つのトランジスタＴｒ1、Ｔｒ2と一つの容量Ｃ、および発光部としての有機ＥＬ素子部ＥＬとを有し構成されている。トランジスタＴｒ1は、駆動トランジスタであり、トランジスタＴｒ2は、スイッチングトランジスタである。
スイッチングトランジスタＴｒ2のゲートＧ2は、走査ラインＶｓｃｎに接続され、ソースＳ2は、データラインＶｄａｔに接続されている。スイッチングトランジスタＴｒ2のドレインＤ2は、駆動トランジスタＴｒ1のゲートＧ1に接続されている。
駆動トランジスタＴｒ1のドレインＤ1は、電源ラインＶａに接続されており、ソースＳ1は、ＥＬ素子部ＥＬの画素電極層（アノード）に接続されている。ＥＬ素子部ＥＬにおける対向電極層（カソード）は、接地ラインＶｃａｔに接続されている。
なお、容量Ｃは、スイッチングトランジスタＴｒ2のドレインＤ2および駆動トランジスタＴｒ1のゲートＧ1と、電源ラインＶａとを結ぶように設けられている。
表示パネル１０においては、隣接する複数のサブ画素１００ｓｅ（例えば、赤色（Ｒ）と緑色（Ｇ）と青色（Ｂ）の発光色の３つのサブ画素１００ｓｅ）を組合せて１の単位画素１００ｅを構成し、各サブ画素１００ｓｅが分布するように配されて画素領域を構成している。そして、各サブ画素１００ｓｅのゲートＧ2からゲートラインＧＬが各々引き出され、表示パネル１０の外部から接続される走査ラインＶｓｃｎに接続されている。同様に、各サブ画素１００ｓｅのソースＳ2からソースラインＳＬが各々引き出され表示パネル１０の外部から接続されるデータラインＶｄａｔに接続されている。
また、各サブ画素ｓａの電源ラインＶａ及び各サブ画素１００ｓｅの接地ラインＶｃａｔは集約され電源ラインＶａ及び接地ラインＶｃａｔに接続されている。
３．有機ＥＬ表示パネル１０の全体構成
本実施の形態に係る表示パネル１０について、図面を用いて説明する。なお、図面は模式図であって、その縮尺は実際とは異なる場合がある。
図３は、実施の形態に係る表示パネルの一部を示す模式平面図である。図４（ａ）は、表示パネル１０の１画素１００を示す、図３におけるＸ部の拡大平面図である。また、図４（ｂ）は、画素１００の各サブ画素１００ａを示す拡大平面図である。
表示パネル１０は、有機化合物の電界発光現象を利用した有機ＥＬ表示パネルであり、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が形成された基板１００ｘ（ＴＦＴ基板）に、各々が画素を構成する複数の有機ＥＬ素子１００が行列状に配され、上面より光を発するトップエミッション型の構成を有する。図３に示すように、表示パネル１０は、各画素を構成する有機ＥＬ素子１００が行列状に配されている。ここで、本明細書では、図３におけるＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向を、それぞれ表示パネル１０における、行方向、列方向、厚み方向とする。
図３に示すように、表示パネル１０には、複数の画素電極層１１９が基板１００ｘ上に行列上に配され、それらを覆うように絶縁層１２２が積層されている。
絶縁層１２２の上限膜厚は、１０μｍ以下の場合は、膜厚ばらつき、ボトム線幅の制御の観点から製造上形状コントロールが可能となり、７μｍ以下の場合には、量産工程での露光量時間増大によるタクト増加を抑え、量産工程での生産性低下を抑制することができる。また、下限膜厚は、膜厚が薄くなるとともにボトム線幅を膜厚とほぼ同程度に細くする必要があり、露光機及び材料の解像限界により決定される。絶縁層１２２の下限膜厚は、１μｍ以上の場合には半導体用のステッパーにより製造可能であり、２μｍ以上の場合にはフラットパネル用ステッパー及びスキャナーにより製造可能である。したがって、絶縁層１２２の厚みは、例えば、１μｍ以上１０μｍ以下、より好ましくは２μｍ以上７μｍ以下であることが好ましい。本実施の形態では、列方向に隣接する開口間の部分が４．５μｍ以上、それ以外の部分で６μｍとした。画素電極層１１９は、平面視において矩形形状であり、光反射材料からなる。行列状に配された画素電極層１１９は、行方向に順に並んだ３つのサブ画素１００ａＲ、Ｇ、Ｂ（Ｒ、Ｇ、Ｂを区別しないときは「１００ａ」とする）に対応する。
行列状に配されている画素電極層１１９の上方には、それぞれの画素電極層１１９の上方に、３つの開口列１２２ｚ１、１２２ｚ２、１２２ｚ３が行方向に並んで開設された絶縁層１２２が積層されている。開口列１２２ｚ１は、厚み方向に下方が細くなったテーパー状の開口１２２ｚ１１、１２２ｚ１２…が列方向に並んで形成される。同様に、開口列１２２ｚ２は、厚み方向に下方が細くなったテーパー状の開口１２２ｚ２１、１２２ｚ２２…が列方向に並んで形成され、開口列１２２ｚ３は、厚み方向に下方が細くなったテーパー状の開口１２２ｚ３１、１２２ｚ３２…が列方向に並んで形成される。なお、開口列を区別しないときは１２２ｚｘ、開口を区別しないときは１２２ｚｘｙと表記する。各開口１２２ｚｘｙは円錐台形であり、厚み方向に切断した断面は、図４（ｂ）に示すように、絶縁層１２２の上面側に拡幅した台形形状である。開口それぞれの断面における深さＤ、上面の直径Ｗｈ、下面の直径Ｗｌは、以下の関係を満たすことが好ましい。
０．５≦Ｗｌ／Ｗｈ≦０．８
０．５≦Ｄ／Ｗｌ≦２．０
また、壁面の傾斜角Ｒは、（Ｗｈ−Ｗｌ）／２Ｄにより定義される。
なお、各開口列１２２ｚｘにおいて、列方向に隣接する開口１２２ｚｘｙは、絶縁層１２２の下面（画素電極１１９側の面）が各々独立している一方で、上面側は一部が重複し繋がった構造となっている。絶縁層１２２の下面における各開口１２２ｚｘｙの内側の円形領域が有機化合物により光を発する領域である発光領域１００ａとなる。
列方向に隣接する２つの画素電極層１１９の列方向外縁および外縁に隣接する領域の上方には、各条が行方向（図３のＸ方向）に延伸する絶縁層１２２Ｘが複数列方向に並設されている。絶縁層１２２Ｘが形成される領域が非発光領域１００ｂとなる。図３に示すように、表示パネル１０では、複数の発光領域１００ａと非発光領域１００ｂとが、列方向に交互に並んで配されている。そして、非発光領域１００ｂには、接続電極層１１７を介して画素電極層１１９に対して電気接続するための画素電極層１１９上のコンタクト領域１１９ｂ（コンタクトウインドウ）が設けられている。
表示パネル１０では、ライン状のバンクを採用しており、絶縁層１２２Ｙ上であって、行方向に隣接する２つの画素電極層１１９の行方向外縁及び外縁に隣接する領域の上方には、各条が列方向（図３のＹ方向）に延伸する絶縁層５２２Ｙが複数行方向に並設されている。
隣り合う列バンク５２２Ｙ間を間隙５２２ｚと定義したとき、表示パネル１０は、列バンク５２２Ｙと間隙５２２ｚとが交互に多数並んだ構成を採る。
表示パネル１０は、赤色に発光する１００ａＲ、緑色に発光する１００ａＧ、青色に発光する１００ａＢ（以後、１００ａＲ、１００ａＧ、１００ａＢを区別しない場合は、「１００ａ」と略称する）の３種類の発光領域１００ａを有する。これに対応して、間隙５２２ｚには、発光領域１００ａＲに対応する赤色間隙５２２ｚＲ、発光領域１００ａＧに対応する緑色間隙５２２ｚＧ、発光領域１００ａＢに対応する青色間隙５２２ｚＢ（以後、間隙５２２ｚＲ、間隙５２２ｚＧ、間隙５２２ｚＢを区別しない場合は、「間隙５２２ｚ」とする）が存在する。そして、行方向に並んだ３つのサブ画素１００ｓｅのそれぞれに対応する発光領域１００ａＲ、１００ａＧ、１００ａＢが１組となりカラー表示における１単位画素１００ｅを構成している。
画素電極層１１９上方には、画素電極層１１９の列方向外縁部と重なる複数の列遮光層１２９Ｙと、画素電極層１１９の列方向外縁部と重なりコンタクト領域１１９ｂ内の一部領域とは重ならない行遮光層１２９Ｘが配されている。
４．表示パネル１０の各部構成
表示パネル１０における有機ＥＬ素子１００の構成を図５、６の模式断面図を用いて説明する。図５は図４（ｂ）におけるＡ−Ａで、図６はＢ−Ｂにおいてそれぞれ切断した模式断面図である。
本実施の形態に係る表示パネル１０は、トップエミッション型の有機ＥＬ表示パネルであって、Ｚ軸方向下方に薄膜トランジスタが形成された基板１００ｘ（ＴＦＴ基板）が構成され、その上に有機ＥＬ素子部が構成されている。
４．１ 基板１００ｘ（ＴＦＴ基板）
図５に示すように、下部基板１００ｐ上には、ゲート電極１０１、１０２が互いに間隔をあけて形成され、ゲート電極１０１、１０２および基板１００ｘの表面を被覆するように、ゲート絶縁層１０３が形成されている。ゲート絶縁層１０３上には、ゲート電極１０１、１０２のそれぞれに対応してチャネル層１０４、１０５が形成されている。そして、チャネル層１０４、１０５およびゲート絶縁層１０３の表面を被覆するように、チャネル保護層１０６が形成されている。
チャネル保護層１０６上には、ゲート電極１０１およびチャネル層１０４に対応して、ソース電極１０７およびドレイン電極１０８が互いに間隔をあけて形成され、同様に、ゲート電極１０２およびチャネル層１０５に対応して、ソース電極１１０およびドレイン電極１０９が互いに間隔をあけて形成されている。
各ソース電極１０７、１１０および各ドレイン電極１０８、１０９の下部には、チャネル保護層１０６を挿通してソース下部電極１１１、１１５およびドレイン下部電極１１２、１１４が設けられている。ソース下部電極１１１およびドレイン下部電極１１２は、Ｚ軸方向下部において、チャネル層１０４に接触し、ドレイン下部電極１１４およびソース下部電極１１５は、Ｚ軸方向下部において、チャネル層１０５に接触している。
また、ドレイン電極１０８とゲート電極１０２とは、ゲート電極層１０３およびチャネル保護層１０６を挿通して設けられたコンタクトプラグ１１３により接続されている。
なお、ゲート電極１０１が図２のゲートＧ2に対応し、ソース電極１０７が図２のソースＳ2に対応し、ドレイン電極１０８が図２のドレインＤ2に対応している。同様に、ゲート電極１０２が図２のゲートＧ1に対応し、ソース電極１１０が図２のソースＳ1に対応し、ドレイン電極１０９が図２のドレインＤ1に対応している。よって、図５におけるＹ軸方向左側にスイッチングトランジスタＴｒ2が形成され、それよりもＹ軸方向右側に駆動トランジスタＴｒ1が形成されている。
ただし、上記した構成は一例であり、各トランジスタＴｒ1、Ｔｒ2の配置形態については、トップゲート式、ボトムゲート式、チャネルエッチ式、エッチストップ式などいずれの構成を用いてもよく、図５に示す構成に限定されるものではない。
ソース電極１０７、１１０およびドレイン電極１０８、１０９およびチャネル保護層１０６の上を被覆するように、パッシベーション層１１６が形成されている。パッシベーション層１１６には、ソース電極１１０の上方の一部にコンタクト孔１１６ａが開設され、コンタクト孔１１６ａの側壁に沿うように接続電極層１１７がこの順に積層されて設けられている。
接続電極層１１７は、Ｚ軸方向下部において、ソース電極１１０に接続され、上部の一部がパッシベーション層１１６の上に乗り上げた状態となっている。接続電極層１１７およびパッシベーション層１１６の上を被覆するように、層間絶縁層１１８が堆積されている。
４．２ 有機ＥＬ素子部
（１）画素電極層１１９
層間絶縁層１１８上には、サブ画素単位で画素電極層１１９が設けられている。画素電極層１１９は、発光層１２３へキャリアを供給するためのものであり、例えば、陽極として機能した場合には、発光層１２３へホールを供給する。また、パネル１０はトップエミッション型であるため、画素電極層１１９は、光反射性を有する。画素電極層１１９の形状は、矩形形状をした平板上であり、行方向に間隔δＸをあけて、間隙５２２ｚのそれぞれにおいて列方向にδＹをあけて基板１００ｘ上に配されている。また、層間絶縁層１１８における接続電極層１１７の上方に開設されたコンタクトホール１１８ａを通して、画素電極層１１９の接続凹部１１９ｃと接続電極層１１７とが接続されている。これにより、接続電極層１１７を介して画素電極層１１９とＴＦＴのソースＳ1とが接続される。接続凹部１１９ｃは、画素電極層１１９の一部を基板１００ｘ方向に凹入された構造である。
画素電極層１１９の列方向外縁部１１９ａ１、ａ２のうち、接続凹部１１９ｃが存在する側の外縁部１９９ａ２を起点とし接続凹部１１９ｃを含む領域までの範囲をコンタクト領域１１９ｂとする。
（２）絶縁層１２２
行列上に配されている画素電極層１１９の少なくとも端縁を被覆するように絶縁物からなる絶縁層１２２が形成されている。
絶縁層１２２には、それぞれの画素電極層１１９について、コンタクト領域１１９ｂを除いた画素電極層１１９の上方に円錐台形の開口１２２ｚｘｙが行列状に開設されている。図５、６に示すように、それぞれの開口１２２ｚｘｙ内では画素電極層１１９の上面に絶縁層１２２が存在せず、これらの開口からは画素電極層１１９が露出し後述するホール注入層１２０に接触している。そのため、これらの開口内において画素電極層１１９からホール注入層１２０への電荷の供給が可能となる。そのため、全ての開口１２２ｚｘｙを含む最小の矩形領域が各色の有機化合物により光を発する領域である発光領域１００ａ、列方向に並んだ発光領域１００ａ間の間隙部分が非発光領域１００ｂとなる。ここで、図６に示すように、行方向に隣接する開口１２２ｚｘｙの間の部分は幅も高さも大きいのに対し、図５に示すように、列方向に隣接する開口１２２ｚｘｙの間の部分は幅も高さも小さい。これにより、後述するように、開口１２２ｚｘｙと絶縁層１２２とが形成するリフレクタ構造の面積の減少を抑制しつつ、インクの濡れ拡がりを向上させて発光層等の膜厚の不均一性を解消することができる。
また、列方向に延伸して行方向に並設される発光領域１００ａ間の間隙部分を絶縁層１２２Ｙとする。そのため、絶縁層１２２Ｙは行方向における各サブ画素１００ｓｅの発光領域１００ａの外縁を規定している。
また、絶縁層１２２における、行方向に延伸して列方向に並設される発光領域１００ａ間の間隙部分を絶縁層１２２Ｘ（非発光領域１００ｂに相当）とする。図４（ａ）に示すように、絶縁層１２２Ｘは、画素電極層１１９におけるコンタクト領域１１９ｂと、画素電極層１１９の列方向外縁部１１９ａ１及び列方向に隣接する画素電極層１１９の列方向外縁部ａ２の上方に配されている。絶縁層１２２Ｘは、画素電極層１１９の外縁部１１９ａ１、ａ２を被覆することにより対向電極層１２５との間の電気的リークを防止するとともに、列方向における各サブ画素１００ｓｅの発光領域１００ａの外縁を規定する。
（３）列バンク５２２Ｙ
列バンク５２２Ｙは、絶縁層１２２Ｙ上方に列方向に延伸して行方向に複数並設されている。列バンク５２２Ｙは、発光層１２３の材料となる有機化合物を含んだインクの行方向への流動を堰き止めて形成される発光層１２３の行方向外縁を規定するものである。列バンク５２２Ｙは、画素電極層１１９の行方向における外縁部１１９ａ３、ａ４上方に存在し、画素電極層１１９の一部と重なった状態で形成されている。列バンク５２２Ｙの形状は、行方向に延伸する線状であり、列方向に平行に切った断面は上方を先細りとする順テーパー台形状である。列バンク５２２Ｙは絶縁層１２２Ｘと直交する行方向に沿った状態で設けられており、列バンク５２２Ｙは絶縁層１２２Ｘの上面よりも高い位置に上面を有する。
（４）ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１
絶縁層１２２、列バンク５２２Ｙ、及び各開口１２２ｚｘｙ内における画素電極層１１９上には、ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１が順に積層され、ホール輸送層１２１はホール注入層１２０に接触している。ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１は、画素電極層１１９から注入されたホールを発光層１２３へ輸送する機能を有する。
（５）発光層１２３
表示パネル１０は、列バンク１２２Ｙとその間隙５２２ｚとが交互に多数並んだ構成を有する。列バンク１２２Ｙにより規定された間隙５２２ｚには、ホール輸送層１２１の上面に発光層１２３が列方向に延伸して形成されている。発光領域１００ａＲに対応する赤色間隙５２２ｚＲ、発光領域１００ａＧに対応する緑色間隙５２２ｚＧ、発光領域１００ａＢに対応する青色間隙５２２ｚＢには、それぞれ各色に発光する発光層１２３が形成されている。
発光層１２３は、有機化合物からなる層であり、内部でホールと電子が再結合することで光を発する機能を有する。間隙５２２ｚ内では、発光層１２３は列方向に延伸するように線状に設けられている。
発光層１２３は、画素電極層１１９からキャリアが供給される部分のみが発光するので、絶縁物である絶縁層１２２が層間に存在する範囲では、有機化合物の電界発光現象が生じない。そのため、発光層１２３は、絶縁層１２２が介在しない各開口１２２ｚｘｙ内に位置する部分のみが発光して、各開口１２２ｚｘｙを含む最小の矩形領域が発光領域１００ａとなる。
発光層１２３のうち絶縁層１２２Ｘ上にある部分は発光せず、この部分は非発光領域１００ｂとなる。すなわち、非発光領域１００ｂとは、行バンク１２２Ｘを平面視方向に投影した領域となる。
（６）電子輸送層１２４
列バンク５２２Ｙ上および列バンク５２２Ｙにより規定された間隙５２２ｚ内には、発光層１２３の上に電子輸送層１２４が形成されている。また、本例では、発光層１２３から露出する各列バンク５２２Ｙ上にも配されている。電子輸送層１２４は、対向電極層１２５から注入された電子を発光層１２３へ輸送する機能を有する。
（７）対向電極層１２５
電子輸送層１２４を被覆するように対向電極層１２５が積層形成されている。対向電極層１２５については、表示パネル１０全体に連続した状態で形成され、ピクセル単位あるいは数ピクセル単位でバスバー配線に接続されていてもよい（図示を省略）。対向電極層１２５は、画素電極層１１９と対になって発光層１２３を挟むことで通電経路を作り、発光層１２３へキャリアを供給するものであり、例えば、陰極として機能した場合は、発光層１２３へ電子を供給する。対向電極層１２５は、電子輸送層１２４の表面に沿って形成され、各発光層１２３に共通の電極となっている。
対向電極層１２５は、表示パネル１０がトップエミッション型であるため、光透過性を有する導電材料が用いられる。例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用いることができる。また、銀（Ａｇ）またはアルミニウム（Ａｌ）などを薄膜化した電極を用いてもよい。
（８）封止層１２６
対向電極層１２５を被覆するように、封止層１２６が積層生成されている。封止層１２６は、発光層１２３が水分や空気などに触れて劣化することを抑制するためのものである。封止層１２６は、対向電極層１２５の上面を覆うように、表示パネル１０全面にわたって設けられている。封止層１２６の材料としては、表示パネル１０がトップエミッション型であるため、例えば、窒化シリコン、酸窒化シリコンなどの光透過性材料が用いられる。
（９）接合層１２７
封止層１２６のＺ軸方向上方には、上部基板１３０のＺ軸方向下側の主面にカラーフィルタ層１２８および遮光層１２９が形成されたＣＦ基板１３１が配されており、接合層１２７により接合されている。接合層１２７は、基板１００ｘから封止層１２６までの各層からなる背面パネルとＣＦ基板１３１とを貼り合わせるとともに、各層が水分や空気に晒されることを防止する機能を有する。
また、表示パネル１０において、接合層１２７の屈折率をｎ1、絶縁層１２２の屈折率をｎ2としたとき、１．１≦ｎ1≦１．８、および、｜ｎ1−ｎ2｜≧０．２０を満たしており、かつ、リフレクタ傾斜面の傾きをθとしたとき、ｎ2＜ｎ1、および、７５．２−５４（ｎ1−ｎ2）≦θ≦８１．０−２０（ｎ1−ｎ2）であることが好ましい。
（１０）上部基板１３０
接合層１２７の上に、上部基板１３０にカラーフィルタ層１２８、遮光層１２９が形成されたＣＦ基板１３１が設置・接合されている。上部基板１３０には、表示パネル１０がトップエミッション型であるため、例えば、カバーガラス、透明樹脂フィルムなどの光透過性材料が用いられる。また、上部基板１３０により、表示パネル１０の剛性向上、水分や空気などの侵入防止などを図ることができる。
（１１）カラーフィルタ層１２８
上部基板１３０には画素の各色発光領域１００ａに対応する位置にカラーフィルタ層１２８が形成されている。カラーフィルタ層１２８は、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する波長の可視光を透過させるために設けられる透明層であり、各色画素から出射された光を透過させて、その色度を矯正する機能を有する。例えば、本例では、赤色間隙５２２ｚＲ内の発光領域１００ａＲ、緑色間隙５２２ｚＧ内の発光領域１００ａＧ、青色間隙５２２ｚＢ内の発光領域１００ａＢの上方に、赤色、緑色、青色のフィルタ層１２８Ｒ、１２８Ｇ、１２８Ｂが各々形成されている。カラーフィルタ層１２８は、具体的には、例えば、複数の開口部を画素単位で行列上に形成したカラーフィルタ形成用のカバーガラスからなる上部基板１３０に対し、カラーフィルタ材料および溶媒を含有したインクを塗布する工程により形成される。
（１２）遮光層１２９
上部基板１３０には、各画素の発光領域１００ａ間の境界に対応する位置に遮光層１２９が形成されている。
遮光層１２９は、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する波長の可視光を透過させないために設けられる黒色樹脂層であって、例えば、光吸収性および遮光性に優れる黒色顔料を含む樹脂材料からなる。遮光層１２９は、表示パネル１０内部への外光の入射を防止する、上部基板１３０越しに内部部品が透けて見えることを防止する、外光の照り返しを抑えて表示パネル１０のコントラストを向上させる、などの目的で形成される。外光の照り返しとは、上部基板１３０の上方から表示パネル１０に進入した外光が画素電極層１１９で反射することで上部基板１３０から再び出射される現象である。
また、遮光層１２９は、各色画素から出射される光のうち隣接画素に漏れ出る光を遮断し、画素境界が不明瞭になることを防止し、また、画素から出射される光の色純度を高める機能を有する。
遮光層１２９には、列方向に延伸して行方向に複数並設されている列遮光層１２９Ｙと、行方向に延伸して列方向に複数並設されている行遮光層１２９Ｘとがあり、列遮光層１２９Ｙと行遮光層１２９Ｘとは格子状をなしている。有機ＥＬ素子１００では、列遮光層１２９Ｙは、図６に示すように、絶縁層１２２Ｙと重なる位置に配され、行遮光層１２９Ｘは、図５に示すように、絶縁層１２２Ｘと重なる位置に配されている。
４．３ 各部の構成材料
図５、６に示す各部の構成材料について、一例を示す。
（１）基板１００ｘ（ＴＦＴ基板）
基板１００ｘ０は、公知のＴＦＴ基板の材料を用いることができる
下部基板１００ｐとしては、例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板、硫化モリブデン、銅、亜鉛、アルミニウム、ステンレス、マグネシウム、鉄、ニッケル、金、銀などの金属基板、ガリウム砒素基などの半導体基板、プラスチック基板等を採用することができる。
プラスチック材料としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂いずれの樹脂を用いてもよい。例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリアミド、ポリイミド（ＰＩ）ポリカーボネート、アクリル系樹脂、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリアセタール、その他フッ素系樹脂、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等が挙げられ、これらのうち１種、または２種以上を積層した積層体を用いることができる。
ゲート電極１０１、１０２としては、例えば、銅（Ｃｕ）とモリブデン（Ｍｏ）との積層体を採用している。ただし、他の金属材料を採用することも可能である。
ゲート絶縁層１０３としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ2）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）など、電気絶縁性を有する材料であれば、公知の有機材料や無機材料のいずれも用いることができる。
チャネル層１０４、１０５としては、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）から選択される少なくとも一種を含む酸化物半導体を採用することができる。
チャネル保護層１０６としては、例えば、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、あるいは酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）を用いることができる。
ソース電極１０７、１１０、ドレイン電極１０８、１０９としては、例えば、銅マンガン（ＣｕＭｎ）と銅（Ｃｕ）とモリブデン（Ｍｏ）の積層体を採用することができる。
また、ソース下部電極１１１、１１５およびドレイン下部電極１１２、１１４についても、同様の材料を用い構成することができる。
パッシベーション層１１６は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ2）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、またはこれらの積層体等を用いることもできる。
接続電極層１１７としては、例えば、モリブデン（Ｍｏ）と銅（Ｃｕ）と銅マンガン（ＣｕＭｎ）との積層体を採用することができる。ただし、導電性を有する材料から適宜選択することが可能である。
層間絶縁層１１８は、例えば、ポリイミド、ポリアミド、アクリル系樹脂材料などの有機化合物を用い形成されており、層厚は、例えば、２０００［ｎｍ］〜８０００［ｎｍ］の範囲とすることができる。
（２）画素電極層１１９
画素電極層１１９は、金属材料から構成されている。トップエミッション型の本実施の形態に係る表示パネル１０の場合には、その表面部が高い反射性を有することが好ましい。本実施の形態に係る表示パネル１０では、画素電極層１１９は、金属層、合金層、透明導電膜の中から選択される複数の膜を積層させた構造であってもよい。金属層としては、例えば、銀（Ａｇ）またはアルミニウム（Ａｌ）を含む金属材料から構成することができる。合金層としては、例えば、ＡＰＣ（銀、パラジウム、銅の合金）、ＡＲＡ（銀、ルビジウム、金の合金）、ＭｏＣｒ（モリブデンとクロムの合金）、ＮｉＣｒ（ニッケルとクロムの合金）等を用いることができる。透明導電層の構成材料としては、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用いることができる。
（３）絶縁層１２２
絶縁層１２２は、樹脂等の有機材料を用い形成されており絶縁性を有する。絶縁層１２２の形成に用いる有機材料の例としては、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂等が挙げられる。または、絶縁層１２２は、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの無機材料を用い形成されてもよい。
（４）列バンク５２２Ｙ
列バンク５２２Ｙは、樹脂等の有機材料を用い形成されており絶縁性を有する。列バンク５２２Ｙの形成に用いる有機材料の例としては、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等があげられる。列バンク５２２Ｙは、有機溶剤耐性を有することが好ましい。さらに、列バンク５２２Ｙは、製造工程中において、エッチング処理、ベーク処理など施されることがあるので、それらの処理に対して過度に変形、変質などをしないような耐性の高い材料で形成されることが好ましい。また、表面に撥水性をもたせるために、表面をフッ素処理してもよい。また、列バンク５２２Ｙの形成にフッ素を含有した材料を用いてもよい。
（５）ホール注入層１２０
ホール注入層１２０は、例えば、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）などの酸化物、あるいは、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料からなる層である。
ホール注入層１２０を遷移金属の酸化物から構成する場合には、複数の酸化数をとるためこれにより複数の準位をとることができ、その結果、ホール注入が容易になり駆動電圧を低減することができる。
（６）ホール輸送層１２１
ホール輸送層１２１は、例えば、ポリフルオレンやその誘導体、あるいはポリアリールアミンやその誘導体などの高分子化合物などを用いることができる。
（７）発光層１２３
発光層１２３は、上述のように、ホールと電子とが注入され再結合されることにより励起状態が生成され発光する機能を有する。発光層１２３の形成に用いる材料は、湿式印刷法を用い製膜できる発光性の有機材料を用いることが必要である。
具体的には、例えば、オキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体などの蛍光物質で形成されることが好ましい。
（８）電子輸送層１２４
電子輸送層１２４は、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などを用い形成されている。また、電子注入性を向上させるため、これらの有機材料にアルカリ金属、または、アルカリ土類金属を共蒸着することで金属材料をドープしてもよい。また、フッ化ナトリウム（ＮａＦ）などのアルカリ金属のフッ化物を用いてもよいし、アルカリ金属のフッ化物と有機層との積層構造であってもよい。
（９）対向電極層１２５
対向電極層１２５は、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）若しくは酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用い形成される。また、銀（Ａｇ）又はアルミニウム（Ａｌ）などを薄膜化した電極を用いてもよい。
（１０）封止層１２６
封止層１２６は、発光層１２３などの有機層が水分に晒されたり、空気に晒されたりすることを抑制する機能を有し、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの透光性材料を用い形成される。また、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの材料を用い形成された層の上に、アクリル樹脂、シリコーン樹脂などの樹脂材料からなる封止樹脂層を設けてもよい。
封止層１２６は、トップエミッション型である本実施の形態に係る表示パネル１０の場合においては、光透過性の材料で形成されることが必要となる。
（１１）接合層１２７
接合層１２７の材料は、例えば、樹脂接着剤等からなる。接合層１２７は、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂などの透光性材料樹脂材料を採用することができる。
（１２）上部基板１３０
上部基板１３０としては、例えば、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板等の透光性材料を採用することができる。
（１３）カラーフィルタ層１２８
カラーフィルタ層１２８としては、公知の樹脂材料（例えば市販製品として、ＪＳＲ株式会社製カラーレジスト）等を採用することができる。
（１４）遮光層１２９
遮光層１２９としては、紫外線硬化樹脂（例えば紫外線硬化アクリル樹脂）材料を主成分とし、これに黒色顔料を添加してなる樹脂材料からなる。黒色顔料としては、例えば、カーボンブラック顔料、チタンブラック顔料、金属酸化顔料、有機顔料などの遮光性材料を採用することができる。
４．４ リフレクタ構造による光取り出し効率を向上
表示パネル１０では、開口１２２ｚｘｙが開設された絶縁層１２２と絶縁層１２２の開口１２２ｚｘｙに裏面を凸入された接合層１２７からなるリフレクタ（反射構造）と両部材間に存在する発光層１２３とを備え、厚み方向に切断した開口１２２ｚｘｙの断面のプロファイルは、上方に拡幅した台形形状であり、接合層１２７の屈折率をｎ1、絶縁層１２２の屈折率をｎ2としたとき、
１．１≦ｎ1≦１．８ （式１）
｜ｎ1−ｎ2｜≧０．２０ （式２）
を満たすことを特徴とする。ｎ2は、１．４以上１．６以下であることが好ましい。
また、さらに、開口１２２ｚｘｙの深さＤ、絶縁層１２２の上面側の直径Ｗh、絶縁層１２２の下面側の直径Ｗlは、
０．５≦Ｗl／Ｗh≦０．８ （式３）
０．５≦Ｄ／Ｗl≦２．０ （式４）
関係を満たすことが好ましい。
係る形状、屈折率条件とすることにより、絶縁層１２２の開口１２２ｚｘｙによるリフレクタ構造により発光層１２３からの光取り出し効率を向上することができる。その結果、発明者らの検討によると、リフレクタ構造が無い場合に対しサブ画素当りの輝度を１．２〜１．５倍に増加することができる。
図７（ａ）は、リフレクタ構造を用いた有機ＥＬ素子１００において、全反射を得るための開口１２２ｚｘｙ壁面の傾斜角をαの算出方法を示した模式図、（ｂ）は、発光した光が開口１２２ｚｘｙ壁面で反射して有効な視野角γ’に届く有効発光範囲Ｌの算出方法を示した模式図である。
図７（ａ）において、開口１２２ｚｘｙ壁面への入射角をφとすると、
φ＝２（９０−α）＝１８０−２α （式５）
α＝９０−φ／２ （式６）
全反射を得るための傾斜角αzは、
αz＝ｓｉｎ-1（ｎ2／ｎ1） （式７）
より算出される。
図７（ｂ）において、発光した光が開口１２２ｚｘｙ壁面で反射して有効な視野角γ’に届く有効発光範囲Ｌは、
γ＝ｓｉｎ-1（ｓｉｎγ｀／ｎ1）） （式８）
β＝９０−φ−γ （式９）
Ｌ＝ｈ（１／ｔａｎβ−１／ｔａｎα） （式１０）
より算出される。
例えば、ｎ1＝１．８、α＝７０°、γ｀＝２０°、ｈ＝５μｍの場合、φ＝４０°、γ＝１１°、β＝３９°、Ｌ＝４．４μｍとなる。
５．表示パネル１０の製造方法
表示パネル１０の製造方法について、図面を用い説明する。図８（ａ）〜（ｅ）、図９（ａ）〜（ｄ）、図１０（ａ）〜（ｃ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図４（ｂ）におけるＡ−Ａと同じ位置で切断した模式断面図であり、図１２（ａ）〜（ｄ）、図１３（ａ）〜（ｄ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図４（ｂ）におけるＢ−Ｂと同じ位置で切断した模式断面図である。
（１）基板１００ｘ（ＴＦＴ基板）の形成
先ず、ソース電極１０７、１１０およびドレイン電極１０８、１０９までが形成された基板１００ｘ０を準備する（図８（ａ））。基板１００ｘ０は、公知のＴＦＴの製造方法により製造することができる。
次に、ソース電極１０７、１０８およびドレイン電極１０８、１０９およびチャネル保護層１０６を被覆するように、例えば、プラズマＣＶＤ法あるいはスパッタリング法を用いて、パッシベーション層１１６を積層形成する（図８（ｂ））。
次に、パッシベーション層１１６におけるソース電極１１０上の箇所に、ドライエッチング法を用い、コンタクト孔１１６ａを開設する（図８（ｃ））。コンタクト孔１１６ａは、その底部にソース電極１１０の表面１１０ａが露出するように形成される。
次に、パッシベーション層１１６に開設されたコンタクトコンタクト孔１１６ａの内壁に沿って接続電極層１１７を形成する。接続電極層１１７の上部は、その一部がパッシベーション層１１６上に配される。接続電極層１１７の形成は、例えば、スパッタリング法を用いることができ、金属膜を成膜した後、フォトリソグラフィ法およびウェットエッチング法を用いパターニングすることがなされる。さらに、接続電極層１１７およびパッシベーション層１１６を被覆するように、上記有機材料を塗布し、表面を平坦化することにより層間絶縁層１１８を積層形成する（図８（ｄ））。
（２）画素電極層１１９の形成
層間絶縁層１１８における接続電極層１１７上にコンタクト孔を開設し、画素電極層１１９を形成する（図８（ｅ））。画素電極層１１９の形成は、スパッタリング法あるいは真空蒸着法などを用い金属膜を形成した後、フォトリソグラフィ法およびエッチング法を用いパターニングすることでなされる。なお、画素電極層１１９は、接続電極層１１７と電気的に接続された状態となる。
（３）絶縁層１２２の形成
スピンコート法などの塗布法を用いて、例えば、アクリル系樹脂からなるフォトレジスト膜１２２Ｒを形成した後（図９（ａ）、図１２（ａ））、乾燥し、溶媒をある程度揮発させてから、所定の開口部が施されたフォトマスクＰＭを重ね、その上から紫外線照射を行い感光性樹脂等からなるフォトレジストにフォトマスクＰＭが有するパターンを転写する（図９（ｂ）、図１２（ｂ））。
本実施の形態では、フォトマスクＰＭは、例えば、各開口１２２ｚｘｙ（図中の縦縞部分）に対応する光を透過させる透過部を備えたポジ型のフォトマスクを使用する。これにより、開口１２２ｚｘｙに対応する透過部の形状に対応した開口のパターンがフォトレジストに作成される。
次に、フォトレジストの現像により、絶縁層１２２Ｘ、１２２Ｙ、開口１２２ｚｘｙをパターニングした絶縁層１２２を形成し、キュア、焼成を行う（図１０（ｃ）、図１３（ｃ））。これにより、透過部に対応する開口１２２ｚｘｙは絶縁層１２２が除去される。このとき、開口部１２２ｚｘｙを厚み方向に切断した断面は、上述のとおり絶縁層１２２の上面１２２Ｘｂ側に拡幅した台形形状となる。他方、露光されない部分は絶縁層１２２が残存する。その結果、絶縁層１２２は、絶縁層１２２Ｘ、１２２Ｙにより各画素を規定する領域を囲繞し、各開口１２２ｚｘｙの底部に画素電極層１１９の表面が露出するようにパターニングされる。また、列方向に隣接する開口１２２ｚｘｙの距離は、行方向に隣接する開口１２２ｚｘｙの距離よりも小さい。したがって、列方向に隣接する開口１２２ｚｘｙを区画する絶縁層の部分は、絶縁層１２２Ｙよりも低くなる。具体的には、サブ画素を区画する絶縁層１２２ＹをＹ方向と直交する面で切断した断面形状と、行方向に隣接する開口１２２ｚｘｙを区画する絶縁層１２２の部分をＸ方向で切断した断面形状は台形形状となる一方列方向に隣接する開口１２２ｚｘｙを区画する絶縁層１２２の部分をＹ方向と直交する面で切断した断面形状は、Ｚ方向の厚みが小さい三角形状となる。
なお、絶縁層１２２を無機材料で形成する場合は、ＣＶＤ法を用いて酸化金属、窒化金属（例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ））からなるフォトレジスト膜１２２Ｒを形成した後（図９（ａ）、図１２（ａ））、乾燥し、溶媒をある程度揮発させてから、所定の開口部が施されたフォトマスクＰＭを重ね、その上から紫外線照射を行い感光性樹脂等からなるフォトレジストにフォトマスクＰＭが有するパターンを転写する（図９（ｂ）、図１２（ｂ））。そして、フォトレジストを現像した後、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ；Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）法によって絶縁層１２２Ｘ、１２２Ｙ、開口１２２ｚｘｙをパターニングした絶縁層１２２を形成する（図１０（ｃ）、図１３（ｃ））。
（４）列バンク５２２Ｙの形成
列バンク５２２Ｙの形成は、先ず、絶縁層１２２上に、スピンコート法などを用い、列バンク５２２Ｙの構成材料（例えば、感光性樹脂材料）からなる膜５２２ＹＲを積層形成する（図９（ｃ）、図１２（ｃ））。そして、樹脂膜をパターニングして間隙５２２ｚを開設して列バンク５２２Ｙを形成する（図１２（ｄ））。間隙５２２ｚの形成は、樹脂膜の上方にマスクを配して露光し、その後で現像することによりなされる。列バンク５２２Ｙは、絶縁層１２２Ｙの上面に沿って列方向に延設され、行方向に間隙５２２ｚを介して並設される。
（５）ホール注入層１２０およびバンク１２２の形成
画素電極層１１９、絶縁層１２２、列バンク５２２Ｙ上に対して、ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１を形成する（図１０（ａ）、図１３（ａ））。ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１は、スパッタリング法を用い酸化金属（例えば、酸化タングステン）からなる膜を形成した後、フォトリソグラフィ法およびエッチング法を用い各画素単位にパターニングしてもよい。
（６）発光層１２３、および電子輸送層１２４の形成
列バンク５２２Ｙで規定された各間隙５２２ｚ内に、ホール輸送層１２１側から順に、発光層１２３、および電子輸送層１２４を積層形成する。
発光層１２３の形成は、インクジェット法を用い、構成材料を含むインクを列バンク５２２Ｙにより規定される間隙５２２ｚ内に塗布した後、焼成することによりなされる。
発光層１２３の形成では、先ず、液滴吐出装置を用いて発光層１２３の形成するための溶液の塗布を行う。すなわち、基板１００ｘ上には、赤色発光層、緑色発光層、青色発光層が、図１３（ｂ）の紙面横方向に繰り返し並んで形成される。この工程では、サブ画素形成領域となる間隙５２２ｚに、インクジェット法によりＲ、Ｇ、Ｂいずれかの有機発光層の材料を含むインク１２３ＲＩ、１２３ＧＩ、１２３ＢＩをそれぞれ充填し（図１３（ｂ））、充填したインクを減圧下で乾燥させ、ベーク処理することによって、発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂを形成する（（図１０（ｂ）、図１３（ｃ））。
（発光層形成用の溶液塗布方法）
インクジェット法を用いて、発光層１２３を形成する工程を量産的に行う方法について説明する。図１５（ａ）、（ｂ）は、基板に対して発光層形成用のインクを塗布する工程を示す図であり、（ａ）は列バンク５２２Ｙ間の間隙５２２ｚに一様に塗布する場合、（ｂ）は絶縁層１２２Ｘと１２２Ｙとで規定される格子状の領域に塗布する場合である。
発光層１２３の形成時には、発光層１２３を形成するための溶液である３色のインク（赤色インク１２３ＲＩ、緑色インク１２３ＧＩ、青色インク１２３ＢＩ）を用いて、赤色発光層、緑色発光層、青色発光層を、複数のラインバンク間の各領域に形成する。
説明を簡略にするため、ここでは、複数の基板に対してまず一色のインクを塗布し、次に、その複数の基板に別の色のインクを塗布し、次にその複数の基板に３色目のインクを塗布する方法で、３色のインクを順次塗布することとする。
そして、以下の説明では、複数の基板に対して、３色の中の一色のインク（赤色インク）を塗布する工程について代表的に説明する。
［絶縁層１２２Ｘと１２２Ｙとで規定される格子状の領域に塗布する場合］
絶縁層１２２Ｘと１２２Ｙとで規定される格子状の領域に塗布する。
本塗布方法では、図１５（ａ）に示すように、各サブ画素１００ｓｅの長手方向がＹ方向、各サブ画素１００ｓｅの幅方向がＸ方向となるように基板１００ｘを載置して、インクジェットヘッド６２２をＸ方向に走査しながら、絶縁層１２２Ｘと１２２Ｙとで規定される格子状の領域内に設定された着弾目標に向けて各吐出口からインクを吐出する。図１５（ａ）では、赤色のサブ画素１００ｓｅ領域に赤色のインクを塗布する目標位置が示されている。
ただし、インクジェットヘッド６２２が備える複数の吐出口６２４ｄ１の中で、絶縁層１２２Ｘと絶縁層１２２Ｘとの間の領域上を通過する吐出口だけを使用し、絶縁層１２２Ｘの領域上を通る吐出口（図１５（ａ）中に×をつけた吐出口）は常に使用しない。図１５（ａ）に示す例では、１つのサブ画素の領域に対して７個の着弾目標が設定され、７個の吐出口６２４ｄ１からインク滴が吐出される。
基板１００ｘに対してインクの塗布が終わると、次に、その基板に別の色のインクを塗布し、次にその基板に３色目のインクを塗布する工程が繰り返し行われ、３色のインクを順次塗布する。
上記において、複数の基板１００ｘに対してインクの塗布が終わると、次に、その複数の基板に別の色のインクを塗布し、次にその複数の基板に３色目のインクを塗布する工程が繰り返し行われ、３色のインクを順次塗布してもよい。
［列バンク５２２Ｙ間の間隙５２２ｚに一様に塗布する場合］
発光層１２３は、発光領域１００ａだけでなく、隣接する非発光領域１００ｂまで連続して延伸されてもよい。このようにすると、発光層１２３の形成時に、発光領域１００ａに塗布されたインクが、非発光領域１００ｂに塗布されたインクを通じて列方向に流動でき、列方向の画素間でその膜厚を平準化することができる。但し、非発光領域１００ｂでは、絶縁層１２２Ｘによって、インクの流動が程良く抑制される。よって、列方向に大きな膜厚むらが発生しにくく画素毎の輝度むらが改善される。
本塗布方法では、図１５（ｂ）に示すように、基板１００ｘは、列バンク５２２ＹがＹ方向に沿った状態で液滴吐出装置の作業テーブル上に載置され、Ｙ方向に沿って複数の吐出口６２４ｄ１がライン状に配置されたインクジェットヘッド６２２をＸ方向に走査しながら、各吐出口６２４ｄ１から列バンク５２２Ｙ同士の間隙５２２ｚ内に設定された着弾目標を狙ってインクを着弾させることによって行う。
本塗布方法では、インクジェットヘッド６２２が備える全ての吐出口６２４ｄ１を使用する点が異なる。
なお、赤色インクを塗布する領域は、ｘ方向に隣接して並ぶ３つの領域の中の１つである。
基板１００ｘに対してインクの塗布が終わると、次に、その基板に別の色のインクを塗布し、さらに、その基板に３色目のインクを塗布する工程が繰り返し行われ、３色のインクを順次塗布する。
（７）電子輸送層１２４、対向電極層１２５および封止層１２６の形成
スパッタリング法などを用い電子輸送層１２４を形成する。その後、電子輸送層１２４を被覆するように、対向電極層１２５および封止層１２６を順に積層形成する（図１０（ｃ）、図１３（ｄ））。対向電極層１２５および封止層１２６は、ＣＶＤ法、スパッタリング法などを用い形成できる。
（８）ＣＦ基板１３１の形成
次に、図面を用いてＣＦ基板１３１の製造工程を例示する。図１６（ａ）〜（ｆ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造におけるＣＦ基板１３１製造の各工程での状態を示す模式断面図である。
紫外線硬化樹脂（例えば紫外線硬化アクリル樹脂）材料を主成分とし、これに黒色顔料を添加してなる遮光層１２９の材料を溶媒に分散させ、遮光層ペースト１２９Ｒを調整し、透明な上部基板１３０の一方の面に塗布する（図１６（ａ））。
塗布した遮光層ペースト１２９Ｒを乾燥し、溶媒をある程度揮発させてから、所定の開口部が施されたパターンマスクＰＭ１を重ね、その上から紫外線照射を行う（図１６（ｂ））。
その後、塗布・溶媒除去した遮光層ペースト１２９Ｒを焼成し、パターンマスクＰＭ１及び未硬化の遮光層ペースト１２９Ｒを除去して現像し、キュアすると、矩形状の断面形状の遮光層１２９が完成する（図１６（ｃ））。
次に、遮光層１２９を形成した上部基板１３０表面に、紫外線硬化樹脂成分を主成分とするカラーフィルタ層１２８（例えば、Ｇ）の材料を溶媒に分散させ、ペースト１２８Ｒを塗布し、溶媒を一定除去した後、所定のパターンマスクＰＭ２を載置し、紫外線照射を行う（図１６（ｄ））。
その後はキュアを行い、パターンマスクＰＭ２及び未硬化のペースト１２８Ｒを除去して現像すると、カラーフィルタ層１２８（Ｇ）が形成される（図１６（ｅ））。
この図１７（ｄ）、（ｅ）の工程を各色のカラーフィルタ材料について同様に繰り返すことで、カラーフィルタ層１２８（Ｒ）、１２８（Ｂ）を形成する。なお、ペースト１２８Ｒを用いる代わりに市販されているカラーフィルタ製品を利用してもよい。
以上でＣＦ基板１３１が形成される。
（９）ＣＦ基板１３１と背面パネルとの貼り合わせ
次に、有機ＥＬ表示パネルの製造におけるＣＦ基板１３１と背面パネルとの貼り合わせ工程について説明する。図１１（ａ）〜（ｂ）は、図４（ｂ）におけるＡ−Ａと同じ位置で切断した模式断面図、図１４（ａ）〜（ｂ）は、図４（ｂ）におけるＢ−Ｂと同じ位置で切断した模式断面図である。
まず、基板１００ｘから封止層１２６までの各層からなる背面パネルに、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂などの透光性紫外線硬化型樹脂を主成分とする接合層１２７の材料を塗布する（図１１（ａ）、図１４（ａ））。
続いて、塗布した材料に紫外線照射を行い、背面パネルとＣＦ基板１３１との相対的位置関係を合せた状態で両基板を貼り合わせる。このとき、両者の間にガスが入らないように注意する。その後、両基板を焼成して封止工程を完了すると、有機ＥＬ表示パネル１０が完成する（図１１（ｂ）、図１４（ｂ））。
６．表示パネル１０のリフレクタ形状について
（１）リフレクタ形状とインクの濡れ拡がりとの関係
図１７を用いて、実施の形態に係るリフレクタ構造と、機能層を形成するためのインクの濡れ拡がり具合との関係を説明する。
図１７（ａ）は、サブ画素１００ｓｅに係る絶縁層１２２をＹ軸と垂直な面で切断した断面図であり、図１７（ｂ）は、サブ画素１００ｓｅに係る絶縁層１２２をＸ軸と垂直な面で切断した断面図である。また、図１７（ｃ）は、サブ画素１００ｓｅに係る絶縁層１２２を、図１７（ａ）および（ｂ）のＣ−Ｃに沿ってＺ軸と垂直な面で切断した断面図である。同様に、図１７（ｄ）は、サブ画素１００ｓｅに係る絶縁層１２２を、図１７（ａ）および（ｂ）のＤ−Ｄに沿って、図１７（ｅ）は、サブ画素１００ｓｅに係る絶縁層１２２を、図１７（ａ）および（ｂ）のＥ−Ｅに沿って、それぞれ、Ｚ軸と垂直な面で切断した断面図である。
上述したように、それぞれの開口１２２ｚｘｙは、それぞれ、円錐台状の開口である。そして、図１７（ａ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）に示すように、行方向に隣接する開口は、絶縁層１２２の上面においても、下面においても分離している。具体的には、図１７（ａ）、（ｅ）に示すように、各開口１２２ｚｘｙは、絶縁層１２２の下面において、行方向に所定の間隔ａを開けて配されている。そして、図１７（ａ）、（ｃ）、（ｄ）に示すように、行方向に隣接する開口を区画する絶縁層１２２の部分は、絶縁層１２２の厚みと等しい高さｈ1を有している。
一方、図１７（ｂ）に示すように、列方向に隣接する開口は、絶縁層１２２の下面において分離しているが、上面において分離していない。具体的には、図１７（ｂ）、（ｅ）に示すように、各開口１２２ｚｘｙは、絶縁層１２２の下面において、列方向に、間隔ａより小さい所定の間隔ｂを開けて配されている。しかしながら、図１７（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）に示すように、列方向に隣接する開口を区画する絶縁層１２２の部分は、絶縁層１２２の厚みｈ1より低い高さｈ2の部分を有している。そして、図１７（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）に示すように、列方向に隣接する開口は、高さがｈ2より低い部分では分離しているが、高さがｈ2からｈ1の範囲においては連通した構造となっている。
以上説明したように、実施の形態に係る絶縁層１２２では、各開口１２２ｚｘｙは、高さがｈ2より低い部分で分離しているが、高さがｈ2からｈ1の範囲においては、行方向にのみ分離し、列方向には連通している。つまり、機能層の材料インクを塗布した際、インクの液面が高さｈ1を超えている状態においては、インクの列方向の流れを確保することができる。したがって、図２０（ｂ）に示す構造と比べて、列方向におけるインクの未濡れ、開口間のインク量のムラ等を抑止することができる。
なお、高さｈ2は、図１８に示すように、高さｈ1の約７５％以下であることが好ましい。図１８は、各開口１２２ｚｘｙの絶縁層下面における直径が４．５μｍ、絶縁層１２２の高さｈ1が６．２μｍである場合を示している。このとき、高さｈ2は、４．６μｍ以下であることが好ましい。これにより、列方向のインクの流れを確保でき、未濡れを抑止することができる。このとき、以下に示すように、間隔ｂを、各開口１２２ｚｘｙの絶縁層下面における直径の０．６５倍以下とすることで、高さｈ2を、高さｈ1の７５％以下とすることができる。具体的には、直径が４．５μｍのときの間隔ｂを２．０μｍとすることで、容易に本構造を形成することができる。
（２）リフレクタ形状と光取り出し効率との関係
実施の形態に係る絶縁層１２２では、各開口１２２ｚｘｙは、高さがｈ2より低い部分で分離している。すなわち、高さがｈ2より低い部分では、リフレクタ構造は開口の全周に渡って形成されている。また、高さがｈ2からｈ1の範囲において、各開口１２２ｚｘｙは、列方向には連通しているが、行方向には分離している。つまり、高さがｈ2からｈ1の範囲では、リフレクタ構造は主として開口の行方向側面に形成されている。したがって、実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０では、図２０（ａ）に示す構造と比べて、発光面積に対してリフレクタ構造の占める面積の比が大きく、光取り出し効率が高い。
なお、発光面積に対するリフレクタ構造の占める面積の比は、高さｈ2が大きいほど大きくなる。一方で、上述したように、高さｈ2が低いほど、未濡れを抑止することができる。したがって、高さｈ2は過度に低くないことが好ましく、特に、リフレクタによる光取り出し効率の確保のために、高さｈ2が高さｈ1の２０％以上であることが好ましい。
（３）絶縁層１２２の製造方法
上述したように、絶縁層１２２は、ＣＶＤ法を用いて酸化金属、窒化金属からなるフォトレジスト膜１２２Ｒを形成した後、乾燥し、溶媒をある程度揮発させてから、所定の開口部が施されたフォトマスクＰＭを重ね、その上から紫外線照射を行い感光性樹脂等からなるフォトレジストにフォトマスクＰＭが有するパターンを転写し、フォトレジストを現像した後、反応性イオンエッチング法によってパターニングすることで形成される。
例えば、フォトレジスト膜１２２Ｒがポジ型である場合は、開口に対応する部分が光透過部となったマスク、具体的には、絶縁層１２２の底面である図１７（ｃ）と同様の形状のマスクを用いて露光を行う。この露光により、開口の底面となる部分については、マスクと同じ形状に開口が形成される。また、開口の上面となる部分については、マスクの光透過部と光遮蔽部との界面における回折による周辺露光により、マスクの光透過部より広い範囲が露光させる。このとき、列方向に隣接する開口については、その間隔が短くなっているため、遮蔽部の直下に当たる絶縁層１２２の上層部分が周辺露光により除去領域となる。したがって、現像及び反応性イオンエッチング法によりパターニングを行うことで、隣接する開口を区画する絶縁層１２２の部分は、対応する、隣接する光透過部間の遮蔽部より幅が狭く、上面側が狭いテーパー形状となる。また、隣接する光透過部間の遮蔽部が所定の大きさより小さい場合には、上述したように、周辺露光によって、遮蔽部直下となる、隣接する開口を区画する絶縁層１２２の部分の上部が形成されず、当該部分の高さが低くなる。これにより、列方向に隣接する開口については、その高さが高さｈ1より低いｈ2の部分を形成することができる。
なお、ここではフォトレジスト膜１２２Ｒがポジ型である場合について説明したが、ネガ型であっても同様である。また、絶縁層１２２の材料がフォトレジストでなく、絶縁層１２２にフォトレジスト層を形成してパターニングし、その後絶縁層１２２をエッチングすることにより形成する場合においても、エッチング工程において、絶縁層１２２の下面をパターンと同形に形成し、上面をパターンより広くエッチングする、いわゆる「オーバーエッチング」により、形成することができる。
（４）まとめ
以上説明したように、実施の形態に係るリフレクタ形状では、１つの画素内に存在する複数の開口について、列方向に隣接する開口を区画する絶縁層１２２の部分の一部が低く形成される。そのため、特に塗布法で形成される機能層について、未濡れを抑止し膜厚のバラつきを抑止することができる。したがって、発光しないマイクロ画素の発生を抑止し、マイクロ画素間で電気的特性が異なることを抑止することができる。すなわち、有機ＥＬ素子の高効率化、長寿命化を図ることができる。また、実施の形態に係るリフレクタ形状では、１つの開口を囲繞するリフレクタ構造が、列方向にも行方向にも形成されている。したがって、列方向に延伸するスリット状の開口と比較して、発光面積に対するリフレクタ構造の占める面積の比が大きく、光取り出し効率が高い。
さらに、実施の形態に係るリフレクタ形状は、フォトリソグラフ法により容易に形成することが可能であるため、低コストで実現することができる。
７．その他の開口の形状
実施の形態に係るリフレクタ形状では、複数の開口１２２ｚｘｙが行列状に配された形状であるとしたが、例えば、以下のような形状であってもよい。
例えば、平面視したときに、列方向に隣接する開口の上部が連通するように配された円錐形上の開口からなる開口列と、列方向に延伸するスリット状の開口とが、行方向に並ぶ構成であるとしてもよい。配置としては、例えば、絶縁層の上面が図１９（ａ）、下面が図１９（ｂ）となるように、行列状に配された円錐台形状の開口に対し、列方向に延伸するスリット状の開口が行方向外周側に配される、としてもよい。このとき、絶縁層の下面において、列方向に隣接する円錐台形の開口間の距離ｂは、行方向に隣接する開口間の距離ａより小さい。
または、例えば、図１９（ｃ）に示すように、列方向に隣接する開口の上部が連通するように配された円錐形上の開口からなる開口列と、列方向に延伸するスリット状の開口とが、行方向に交互に並ぶ配置であるとしてもよい。
上記のように、列方向に隣接する開口の上部が連通するように配された円錐形上の開口からなる開口列と、列方向に延伸するスリット状の開口とが行方向に並ぶ配列とすることで、列方向における機能層の材料インクの流れが向上する。さらに、列方向に隣接する開口の上部が連通するように配された円錐形上の開口からなる開口列が存在することにより、図２１（ａ）の構成と比べ、光取り出し効率を向上させることができる。
なお、開口の配置は上述した場合に限られず、列方向に隣接する開口の上部が連通するように配された円錐形上の開口からなる開口列と、列方向に延伸するスリット状の開口とが行方向に並列する限り、任意の配置であってよい。
≪その他の変形例≫
実施の形態では、本実施の形態に係る表示パネル１０を説明したが、本発明は、その本質的な特徴的構成要素を除き、以上の実施の形態に何ら限定を受けるものではない。例えば、各実施の形態に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で各実施の形態における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本発明に含まれる。以下では、そのような形態の一例として、パネル１０の変形例を説明する。
（１）実施の形態に係る表示パネル１０では、各開口１２２ｚｘｙは下方側が狭い円錐台形であるとしている。しかしながら、各開口１２２ｚｘｙは、下方側が狭い構造であればよく、円錐台形を列方向または行方向に延伸した構成であってもよい。また、開口１２２ｚｘｙの上面および下面は円形に限らず、四角形、六角形、八角形など（すなわち、角錐台形）であってもよい。なお、開口１２２ｚｘｙの上面および下面は等方的であることが好ましいため、円形または正多角形であることがより好ましい。
実施の形態に係る表示パネル１０では、列方向に隣接する各開口１２２ｚｘｙを区画する絶縁層１２２の部分は、絶縁層１２２の厚みｈ1より低い高さｈ2の部分を有しているとしている。しかしながら、列方向に隣接する各開口１２２ｚｘｙを区画する絶縁層１２２の部分は、その一部が絶縁層１２２の厚みｈ1より低い高さｈ2の部分を有していればよく、それ以外の部分の厚みがｈ2以上ｈ1以下であってもよい。なお、ｈ2の値はｈ1の２０％以上であることが好ましい。
（２）実施の形態に係る表示パネル１０では、基板１００ｘから封止層１２６までの各層からなる背面パネルの上に、遮光層１２９Ｘ及び１２９Ｙが配されたＣＦ基板１３１が設置・接合される構成としている。しかしながら、例示した表示パネル１０において、遮光層１２９Ｘ及び１２９Ｙを背面パネルに直接設ける構成としてもよい。
（３）表示パネル１０では、発光層１２３は、行バンク上を列方向に連続して延伸している構成としている。しかしながら、上記構成において、発光層１２３は、行バンク上において画素ごとに断続している構成としてもよい。
（４）表示パネル１０では、行方向に隣接する列バンク５２２Ｙ間の間隙５２２ｚに配されたサブ画素１００ｓｅの発光層１２３が発する光の色は互いに異なる構成とし、列方向に隣接する行バンク１２２Ｘ間の間隙５２２ｚに配されたサブ画素１００ｓｅの発光層１２３が発する光の色は同じである。しかしながら、上記構成において、行方向に隣接するサブ画素１００ｓｅの発光層１２３が発する光の色は同じであり、列方向に隣接するサブ画素１００ｓｅの発光層１２３が発する光の色が互いに異なる構成としてもよい。また、行列方向の両方において隣接するサブ画素１００ｓｅの発光層１２３が発する光の色が互いに異なる構成としてもよい。
（５）表示パネル１０では、基板１００ｘから封止層１２６までの各層からなる背面パネルの上に、接合層１２７を介してＣＦ基板１３１を設置・接合される構成としている。さらに、背面パネルの上とＣＦ基板１３１との間に、フォトスペーサを介在させる構成としてもよい。
（６）実施の形態および変形例に係る各有機ＥＬ表示パネルでは、接合層１２７の屈折率をｎ1、絶縁層１２２の屈折率をｎ2としたとき、１．１≦ｎ1≦１．８、および、｜ｎ1−ｎ2｜≧０．２０を満たしており、かつ、リフレクタ傾斜面の傾きをθとしたとき、ｎ2＜ｎ1、および、７５．２−５４（ｎ1−ｎ2）≦θ≦８１．０−２０（ｎ1−ｎ2）であるものとした。しかしながら、絶縁層１２２から接合層１２７までの複数の層のうち、２つの層において、カラーフィルタ層１２８側の層の屈折率をｎ3、画素電極層１１９側の層の屈折率をｎ4としたとき、１．１≦ｎ3≦１．８、および、｜ｎ3−ｎ4｜≧０．２０を満たしており、かつ、リフレクタ傾斜面の傾きをθとしたとき、ｎ4＜ｎ3、および、７５．２−５４（ｎ3−ｎ4）≦θ≦８１．０−２０（ｎ3−ｎ4）であってもよい。
（７）その他の変形例
実施の形態に係る表示パネル１０では、サブ画素１００ｓｅには、赤色画素、緑色画素、青色画素の３種類があったが、本発明はこれに限られない。例えば、発光層が１種類でありサブ画素が１種類のみであってもよいし、発光層が赤、緑、青、黄色に発光する４種類であり、サブ画素が４種類であってもよい。また、１種類のサブ画素が２以上の発光層を有していてもよく、例えば、黄色に発光するサブ画素が赤色発光層と緑色発光層とを備えていてもよい。また、カラーフィルタとの組み合わせにより、発光層の種類数より多い種類のサブ画素を実現してもよく、例えば、白色の発光層と、赤色透過フィルタ、緑色透過フィルタ、青色透過フィルタのそれぞれとを組み合わせて、赤色画素、緑色画素、青色画素のそれぞれを実現してもよい。また、単位画素１００ｅは必ずしも複数のサブ画素１００ｓｅからなる必要はない。例えば、単位画素１００ｅは１のサブ画素１００ｓｅからなり、単位画素１００ｅが実施の形態に係るサブ画素１００ｓｅと同一の構造を有していてもよい。
また、上記実施の形態では、単位画素１００ｅおよび単位画素１００ｅを構成するサブ画素１００ｓｅが、マトリクス状に並んだ構成であったが、本発明はこれに限られない。例えば、画素領域の間隔を１ピッチとするとき、隣り合う間隙同士で画素領域が列方向に半ピッチずれている構成であってもよい。
また、表示パネル１０では、すべての間隙５２２ｚに画素電極層１１９が配されていたが、本発明はこの構成に限られない。例えば、バスバーなどを形成するために、画素電極層１１９が形成されない間隙５２２ｚが存在してもよい。
また、表示パネル１０では、各色サブ画素１００ｓｅである間隙５２２ｚの上方に、カラーフィルタ層１２８が形成されている構成とした。しかしながら、例示した表示パネル１０において、間隙５２２ｚの上方にはカラーフィルタ層１２８を設けない構成としてもよい。
また、上記実施の形態では、画素電極層１１９と対向電極層１２５の間に、ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１、発光層１２３及び電子輸送層１２４が存在する構成であったが、本発明はこれに限られない。例えば、ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１及び電子輸送層１２４を用いずに、画素電極層１１９と対向電極層１２５との間に発光層１２３のみが存在する構成としてもよい。また、例えば、ホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層、電子注入層などを備える構成や、これらの複数又は全部を同時に備える構成であってもよい。また、これらの層はすべて有機化合物からなる必要はなく、無機物などで構成されていてもよい。また、ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１、電子輸送層１２４の形成方法は、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、イオンプレーティング法、気相成長法等の乾式成膜プロセスであってもよい。さらに、ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１が乾式成膜プロセスで形成される場合、画素電極層１１９、ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１、絶縁層１２２、発光層１２３の順に積層されてもよい。
上記の形態では、ＥＬ素子部の下部にアノードである画素電極層１１９が配され、ＴＦＴのソース電極１１０に画素電極層１１９を接続する構成を採用したが、ＥＬ素子部の下部に対向電極層、上部にアノードが配された構成を採用することもできる。この場合には、ＴＦＴにおけるドレインに対して、下部に配されたカソードを接続することになる。
また、上記実施の形態では、一つのサブ画素１００ｓｅに対して２つのトランジスタＴｒ１、Ｔｒ２が設けられてなる構成を採用したが、本発明はこれに限定を受けるものではない。例えば、一つのサブピクセルに対して一つのトランジスタを備える構成でもよいし、三つ以上のトランジスタを備える構成でもよい。
さらに、上記実施の形態では、トップエミッション型のＥＬ表示パネルを一例としたが、本発明はこれに限定を受けるものではない。例えば、ボトムエミッション型の表示パネルなどに適用することもできる。その場合には、各構成について、適宜の変更が可能である。
また、上記実施の形態では、表示パネル１０がアクティブマトリクス型の構成であったが、本発明はこれに限られず、例えば、パッシブマトリクス型の構成であってもよい。具体的には、列方向と平行な線状の電極と、行方向と平行な線状の電極とを発光層１２３を挟むようにそれぞれ複数並設すればよい。その場合には、各構成について、適宜の変更が可能である。なお、上記実施の形態では、基板１００ｘがＴＦＴ層を有する構成であったが、上記パッシブマトリクス型の例などから分かるように、基板１００ｘはＴＦＴ層を有する構成に限られない。
≪補足≫
以上で説明した実施の形態は、いずれも本発明の好ましい一具体例を示すものである。実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、工程、工程の順序などは一例であり、本発明を限定する主旨ではない。また、実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない工程については、より好ましい形態を構成する任意の構成要素として説明される。
また、上記の工程が実行される順序は、本発明を具体的に説明するために例示するためのものであり、上記以外の順序であってもよい。また、上記工程の一部が、他の工程と同時（並列）に実行されてもよい。
また、発明の理解の容易のため、上記各実施の形態で挙げた各図の構成要素の縮尺は実際のものと異なる場合がある。また本発明は上記各実施の形態の記載によって限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。
また、各実施の形態及びその変形例の機能のうち少なくとも一部を組み合わせてもよい。
さらに、本実施の形態に対して当業者が思いつく範囲内の変更を施した各種変形例も本発明に含まれる。
本発明に係る有機ＥＬ表示パネル、及び有機ＥＬ表示装置は、テレビジョンセット、パーソナルコンピュータ、携帯電話などの装置、又はその他表示パネルを有する様々な電子機器に広く利用することができる。
１ 表示装置
１０ 有機ＥＬ表示パネル
２０ 駆動制御回路部
２１ 駆動回路
２５ 制御回路
１００ 有機ＥＬ素子
１００ｓｅ サブ画素
１００ｘ 基板
１１９ 画素電極層
１２０ ホール注入層
１２１ ホール輸送層
１２２ 絶縁層
１２２Ｘ 行バンク
１２２ｚｘｙ 開口
１２３ 発光層
１２４ 電子輸送層
１２５ 対向電極層
１２６ 封止層
１２７ 接合層
１２８ カラーフィルタ層
１２９ 遮光層
１３０ 上部基板
１３１ ＣＦ基板
５２２Ｙ 列バンク

Claims (10)

  1. 複数の画素が行列状に配された有機ＥＬ表示パネルであって、
    基板と、
    前記基板上方に行列状に配された複数の画素電極と、
    前記複数の画素電極のそれぞれの上方に配され、１つの画素電極に対して複数の開口が開設された絶縁層と、
    行方向に隣接する前記画素電極の間に配される、列方向に延伸する複数の隔壁と、
    前記複数の画素電極の上方に配され、前記開口のそれぞれの内部において電界発光を生ずる有機発光層を含む有機機能層と、
    前記複数の有機機能層の上方に配された透光性の対向電極とを備え、
    前記複数の開口は、列方向に一列に配されて開口列を形成する複数の第１の開口と、前記第１の開口に行方向に隣接する第２の開口とを含み、
    前記絶縁層において、列方向に隣接する前記第１の開口の間に位置する部分は、前記第１の開口と前記第２の開口との間に位置する部分より、前記画素電極を基準とした高さが低い部分を有する
    ことを特徴とする有機ＥＬ表示パネル。
  2. 前記絶縁層は、前記複数の開口それぞれの周囲において、前記対向電極方向に延びるとともに画素周縁方向に広がる傾斜面を有する
    ことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネル。
  3. 列方向に隣接する前記第１の開口の間に位置する部分は、前記第１の開口と前記第２の開口との間に位置する部分に対し、前記画素電極を基準とした高さが７５％以下である部分を有する
    ことを特徴とする請求項１または２に記載の有機ＥＬ表示パネル。
  4. 前記第１の開口と前記第２の開口との間に位置する部分は、前記画素電極を基準とした高さが６μｍ以上である
    ことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
  5. 前記第２の開口は、開口が列方向に一列に配され、前記開口列に行方向に隣接する第２の開口列に含まれ、
    前記絶縁層の底面において、列方向に隣接する前記第１の開口の列方向の距離は、前記第１の開口と前記第２の開口との行方向の距離より小さい
    ことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
  6. 前記絶縁層の底面において、列方向に隣接する前記第１の開口の列方向の距離は、前記列方向における前記第１の開口の幅の、０．６５倍より小さい
    ことを特徴とする請求項５に記載の有機ＥＬ表示パネル。
  7. 前記第１の開口は、前記画素電極側が狭い円錐台形状である
    ことを特徴とする請求項５または６に記載の有機ＥＬ表示パネル。
  8. 前記第２の開口は、列方向に延伸するスリット状の開口である
    ことを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
  9. 請求項１から８のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネルを備えた有機ＥＬ表示装置。
  10. 複数の画素が行列状に配された有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、
    基板を準備する工程と、
    前記基板の上方に、複数の画素電極を行列状に形成する工程と、
    開口が複数開設された絶縁層を、前記画素電極のそれぞれの上方に形成する工程と、
    行方向に隣接する画素電極の間に、列方向に延伸する複数の隔壁を形成する工程と、
    前記基板と塗布装置の少なくとも一方を行方向に走査しながら材料を含むインクを塗布して前記複数の開口内に有機発光層を含む有機機能層を形成する工程と、
    前記複数の有機機能層の上方に透光性の対向電極を形成する工程と
    を含み、
    前記絶縁層を形成する工程において、１つの画素電極上に、複数の開口を列方向に一列に配置した開口列と、前記開口列に含まれるいずれかの開口に列方向に隣接する第２の開口とを形成し、かつ、列方向に隣接する前記第１の開口の間に位置する部分に、前記第１の開口と前記第２の開口との間に位置する部分より、前記画素電極を基準とした高さが低い部分を形成する
    ことを特徴とする有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
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