CN107006095B - 显示装置和电子设备 - Google Patents

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Abstract

一种显示装置，包括规则布置的多个像素、为多个像素中的每一个设置的多个第一开口以及在规则布置的多个像素中的每一个的外围的至少一部分中的一个或多个第二开口。

Description

显示装置和电子设备
技术领域
本公开涉及显示装置和电子设备，均包括例如利用有机电致发光(EL) 现象发射光的有机EL器件。
背景技术
近年来，照明设备和将有机电致发光器件(在下文中简称为有机EL 器件)用作发光器件的有机电致发光显示装置已变得广泛。对于有机EL 显示装置，特别强烈地要求开发有效提取光的技术。与需要光源的液晶显示装置相比较，有机EL显示装置通常具有诸如较高的图像可见度、较低的功率消耗、以及器件更快的响应速度的特性。然而，劣化的光提取效率意味着有效利用有机EL器件中的实际发光量，这在功率消耗方面或任何其他方面引起显著的损失。
为了提高光提取效率，例如，PTL 1公开了一种具有反射器(反射结构)的显示装置。这样的显示装置具有设置在其上设置有发光器件的第一基板上并且反射来自发光器件的光以显示面侧的光反射层(第一构件)，以及用其填充第二基板与第一构件之间的间隙的第二构件。第二基板与第一基板相对布置。在显示装置中，第一构件的折射率(n1)和第二构件的折射率(n2)彼此不同，这导致通过第二构件传播的光的至少一部分反射到面向第二构件的第一构件的表面上，从而提高光提取效率。
引用列表
专利文献
[PTL 1]日本未经审查专利申请公开号2013-191533
发明内容
为了利用反射器提高光提取效率，重要的是控制由第一构件形成的反射器的形状。第一构件通常由抗蚀剂制成，但这种由抗蚀剂制成的第一构件在其制造过程中经历变形。这引起了反射器不会实现充分的光提取效果并且可能发生亮度变化的问题。
因此，希望提供每个都确保提高的光提取效率和更少的亮度变化的显示装置和电子设备。
根据本技术的一个实施方式的显示装置，包括：以规则的方式布置的多个像素；多个第一开口，设置在多个像素中的每一个中；以及一个或多个第二开口，设置在以规则的方式布置的多个像素中的每一个的外围边缘的至少一部分中。
根据本技术的一个实施方式的电子设备包括上述显示装置。
在根据本技术的各个实施方式的显示装置和电子设备中，一个或多个第二开口设置在以规则的方式布置的多个像素中的每一个的外围边缘的至少一部分中并且均包括多个第一开口，从而导致第一开口的形状的变化减少。
在根据本技术的各个实施方式的显示装置和电子设备中，一个或多个第二开口设置在以规则的方式布置的多个像素中的每一个的外围边缘的至少一部分中并且均包括多个第一开口。这使得可以控制第一开口的形状，并提高光提取效率。此外，还可以减少亮度变化。应当注意的是在此描述的效果不必是限制性的，并且通过本技术实现的效果可以是在本公开中描述的一个或多个效果。
附图说明
[图1]是示出根据本公开第一实施方式的显示装置的配置的截面图。
[图2]是设置在图1中示出的显示装置的像素电极上的开口的截面图。
[图3]是用于说明当前可用的显示装置中的问题的平面图。
[图4A]是设置在图1中示出的显示装置的像素电极上的开口和虚设开口的实例的平面图。
[图4B]是设置在图1中示出的显示装置的像素电极上的开口和虚设开口的另一实例的平面图。
[图4C]是设置在图1中示出的显示装置的像素电极上的开口和虚设开口的又一实例的平面图。
[图5]是图1中示出的显示区域中的虚设开口的实例的平面图。
[图6]是图1中示出的显示区域中的虚设开口的另一实例的平面图。
[图7]是图1中示出的显示装置的配置的平面图。
[图8]是示出图7中示出的像素驱动电路的实例的示图。
[图9]是用于说明当前可用的显示装置中的问题的示意图。
[图10]是图1中示出的显示区域和外围区域的一部分的平面图。
[图11]是示出根据本公开的第二实施方式的显示装置的截面图。
[图12]是设置在图11中示出的显示装置的像素电极上的开口和虚设开口的实例的平面图。
[图13]是根据本公开的实施例1的变形的显示装置的实例的截面图。
[图14]是根据本公开的变形例1的显示装置的另一实例的截面图。
[图15]是根据本公开的实施例2的变形的显示装置的实例的截面图。
[图16]是根据本公开的变形例2的显示装置的另一实例的截面图。
[图17]是包括上述显示装置中任一个的模块的简化配置的平面图。
[图18A]是从正面看时本公开的应用例1的智能手机的外观的立体图。
[图18B]是从背面看时在图18 A中示出的智能手机的外观的立体图。
[图19A]是本公开的应用例2的平板电脑的外观的实例的立体图。
[图19B]是本公开的应用例2的平板电脑的外观的另一实例的立体图。
[图20]是本公开的应用例3的头戴式显示器的外观的立体图。
[图21A]是示出本公开的应用例4的相机的前侧的立体图。
[图21B]是示出本公开的应用例4的相机的后侧的立体图。
具体实施方式
下文中，参照附图详细描述本发明的一些实施方式。应注意以以下顺序给出描述。
1.第一实施方式
(虚设开口设置在像素电极的外部边缘的实例)
1-1.主要部分配置
1-2.总体配置
1-3.作用和效果
2.第二实施方式
(像素隔离膜设置在虚设开口的底部的实例)
3.变形例
3-1.变形例1(滤色器设置在驱动基板侧上的实例)
3-2.变形例2(利用黑矩阵埋入虚设开口的实例)
4.应用例
[1.第一实施方式]
(1-1.主要部分配置)
图1示出了根据本公开的第一实施方式的显示装置(显示装置1)的截面配置。显示装置1用作高清晰度显示装置(例如，具有2048×1236的像素数)，诸如，用于摄像机使用的电子取景器(EVF)以及头戴式显示器(HMD)，或者用作有机EL电视设备。显示区域110A和外围区域110B 设置在驱动基板11上，并且外围区域110B设置在显示区域110A的外围边缘(参见图7)。显示装置1是顶表面发光(称为顶部发射型)显示装置，其中，利用例如发白光的有机EL器件10和在下文中描述的滤色器32A 从顶表面(驱动基板11的相对侧上的表面)侧发射R(红色)、G(绿色)、以及B(蓝色)的彩色光中任一个。
在本实施方式中，开口(开口13A(第一开口)和虚设开口(dummy opening)13B(第二开口))设置在像素电极12上并设置在子像素5R、 5G、以及5B中的每一个的外部边缘处，具体地，在像素电极12的外围边缘。针对配置像素的子像素5R、5G、和5B中的每一个单独形成像素电极12。
设置在像素电极12上的开口13A设置在形成于像素电极12上的像素隔离膜13中并限定像素5R、5G、和5B中的每一个的发光部。多个开口 13A优选地设置在像素电极12中的每一个上，并且例如开口13A采用截锥形。图2示出开口13A的截面形状。像素隔离膜13以高度H的厚度形成，并且像素电极12侧上的直径R1小于开口13A的一部分中的显示面侧上的直径R2。换言之，在像素隔离膜13上，倾斜部分PS设置为围绕开口WIN。倾斜部分PS采用线性形状，并且因此开口13A的截面采样如在图2中示出的梯形形式。
要在下文中描述的包括有机EL器件10的发光层的有机层14设置在开口13A内部。对电极15和保护层16设置在有机层14上，并且由密封层17密封保护层16与布置在显示面侧上的对置基板31之间的间隙。从发光层发射的光朝向设置在开口13A的底部的有机层14的平面方向(法线方向(Z轴方向))行进，或者朝向从Z轴方向移位的方向行进。朝向从Z轴方向移位的方向行进的光的一部分进入像素隔离膜13的倾斜部分，即，开口13A的倾斜部分PS，并由倾斜部分PS反射。在此，像素隔离膜 13和密封层17由具有彼此不同的折射率的材料制成。在倾斜部分PS中，具有彼此不同的折射率的像素隔离膜13和密封层17与包括发光层的有机层14、对电极15、以及插入其间的保护层16相邻设置，并且因此通过折射率的差异反射光。反射光行进到显示面侧以提取到显示装置1的外部。如上所述，通过折射率中的差异由倾斜部分PS反射朝向从Z轴方向移位的方向行进的光来提高将光提取到外部的效率的结构称为反射器结构。
为了使倾斜部分PS有效地反射光，优选用下列方式设置每个参数。即，倾斜角θ优选地满足以下表达式(1)，并且期望满足以下表达式(2)，其中，倾斜部分PS相对于像素电极12的平面方向的倾斜角是θ(单位：度)；像素隔离膜13的组成材料的折射率是n1；密封层17的组成材料的折射率是n2；并且n1与n2之间的量级关系是n1<n2。
(数学式1)
75.2-54(n2-n1)≤θ≤81.0-20(n2-n1)…(1)
76.3-46(n2-n1)≤θ≤77.0-20(n2-n1)…(2)
此外，折射率n1和折射率n2优选地满足1.1≤n2≤1.8且n2-n1≥ 0.20。满足这种条件的材料的实例包括用于像素隔离膜13的丙烯酸类树脂材料和用于密封层17的环氧类树脂材料。
如在下文中详细描述的，利用例如照相平版印刷术形成开口13A。具体地，开口13A以这种方式形成使得涂覆到像素电极12和平坦化层26 上的光致抗蚀剂使用具有对应于开口13A的图案的掩膜暴露并显影，并且然后进行烘烤。在烘烤的过程中，光致抗蚀剂暂时软化，从而引起变形。这样的变形是由开口13A的倾斜角(圆锥角)、光致抗蚀剂的膜厚度、或开口13A的布局引起的，并且很可能形成在最外周的开口13A，换言之，没有面对设置在像素电极12上的多个开口13A中的其他开口13A的部分 (例如，在图3中示出的虚线框内的部分)将会变得扭曲。因此，在子像素5R、5G、和5B中的每一个的外部边缘处的亮度容易变得低于子像素 5R、5G、和5B中的每一个的中心处的亮度。
如上所述，虚设开口13B用于控制设置在像素电极12上的开口13A 的形状，并设置在像素电极12的外围边缘，更具体地，设置在其中没有设置像素电极12的区域的至少一部分中。例如，如在图4A中示出的，作为用于形成的位置，虚设开口13B优选地设置这样的位置，其中，设置在像素电极12上的多个开口13A中的相邻的两个开口之间的间隔间距(W1 和W3)和在最外周处的开口13A与虚设开口13B之间的间隔间距(W2 和W4)彼此相等。换言之，虚设开口13B优选地形成在与设置在像素电极12上的多个开口13A的间距相同的间距处。此外，虚设开口13B可能不必采用与开口13A相同的形状，并且开口13A中相邻的两个开口之间的距离可以基本上等于开口13A与虚设开口13B之间的距离。具体地，如图4B所示，可以设置继续延伸以围绕设置在像素电极12上的开口13A 的虚设开口13B。
应当注意的是，像素电极12可能不必采用大致矩形的形状，并且例如可以采用如图4C所示的形状。
图5和图6中的每一个示出了布置在显示区域110A中的多个像素电极12和虚设开口13B的布局。例如，设置在像素5R、5G、和5B中的每一个的外部边缘的虚设开口13B可以组合用作相邻像素5R、5G、和5B 的虚设开口13B。例如，虚设开口13B可以形成在如在图5中示出的条纹图案或如图6所示的晶格图案中。
(1-2.总体配置)
图7示出了图1中示出的有机EL显示装置1和多个像素5(红色像素5R、绿色像素5G、和蓝色像素5B)布置在显示区域110A中的矩阵图案中的总体配置的实例。此外，在位于显示区域110A的外周(外周侧和外围侧)的外围区域110B中，信号线驱动电路120和扫描线驱动电路130 设置为用于图像显示的驱动器。
像素驱动电路140被设置在显示区域110内部。图8示出像素驱动电路140的实例。像素驱动电路140是形成在像素电极12下方的有源型驱动电路。换言之，像素驱动电路140包括：驱动晶体管Tr1和写入晶体管 Tr2；晶体管Tr1和Tr2之间的电容器(存储电容器)Cs；以及串联连接至第一电源线(Vcc)与第二电源线(GND)之间的驱动晶体管Tr1的有机 EL器件10。驱动晶体管Tr1和写入晶体管Tr2中的每一个均由典型的薄膜晶体管(TFT)配置，并且其配置可以具有例如但不限于倒置交错结构 (所谓的底栅型)或交错结构(顶栅型)。
在像素驱动电路140中，多个信号线120A布置在列方向上，并且多个扫描线130A布置在行方向上。信号线120A中的每一个和扫描线130A 中的每一个的交叉点对应于相应有机EL器件10的任一个(子像素)。信号线120A中的每一个耦合到信号线驱动电路120，且图像信号通过信号线120A从信号线驱动电路120供给到写入晶体管Tr2的源电极。扫描线 130A中的每一个连接到扫描线驱动电路130，且扫描信号通过扫描线 130A顺序地从扫描线驱动电路130供给到写入晶体管Tr2的栅电极。
在下文中，参照图1描述配置显示装置1的每个组成部分。
在显示装置1中，包括显示层20B和TFT层20A的显示部20设置在面对面布置的驱动基板11与对置基板31之间。显示层20B包括设置在驱动基板11(确切地说，平坦化层26)上的有机EL器件10、保护层16、以及密封层17。TFT层20A设置在驱动基板11与显示层20B之间，并且由包括滤色器32A和黑矩阵32B(遮光膜)的对置基板31利用在中间的密封层17密封TFT层20A和显示层20B。有机EL器件10具有其中例如像素电极12、有机层14、和对电极15以这种顺序层叠并且保护层16设置在对电极15上的配置。有机EL器件10是在有机层14内部具有多个不同颜色的发光层的所谓的串联器件。有机层14具有其中例如空穴提供层、第一发光层、电荷产生层、第二发光层、以及电子提供层从像素电极12 侧以这种顺序层叠的配置(未示出那些组成部分的任一个)。
驱动基板11是其中有机EL器件10布置并形成在其一个主表面上的支撑基座。驱动基板11的组成材料可以是在此以前任意已知的材料，并且例如，使用由石英、玻璃、金属箔、或树脂材料制成的膜或薄片。首先，石英和玻璃是优选的。树脂材料的实例包括由聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA) 表示的甲基丙烯酸树脂、聚酯诸如聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBN)、以及聚碳酸酯树脂。然而，必须采用层状结构或者执行表面处理以抑制透水性或者气体渗透性。沟道层21设置在驱动基板11上。栅极绝缘膜22设置在沟道层21上。例如，栅极绝缘膜由氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiNx)制成。栅电极23 设置在对应于沟道层21的栅极绝缘膜22上。例如，栅电极23由钼(Mo) 制成。沟道层21和栅电极23配置驱动晶体管DRTr(例如，图8中的Tr1) 或任何其他元件。应当注意，在该实例中，晶体管配置成所谓的顶栅结构，其中，栅电极23设置在沟道层21的顶部，然而，配置不限于此。可替换地，晶体管可以配置成所谓的底栅结构，其中，沟道层21设置在栅电极 23的顶部。层间绝缘膜24设置在栅电极23和栅极绝缘膜22上。例如，层间绝缘膜24由与栅极绝缘膜22的材料相似的材料制成。在形成有沟道层21的区域的一部分中，一对源电极25A和漏电极25B设置成穿过层间绝缘膜24和栅极绝缘膜22。例如，源电极25A和漏电极25B可各自包括三层钛(Ti)/铝(Al)/钛(Ti)。平坦化层26设置在层间绝缘膜24以及源电极25A和漏电极25B上。例如，平坦化层26由丙烯酸类树脂、聚酰亚胺类树脂、酚醛清漆类树脂、环氧类树脂、降冰片烯类树脂、或设置有分散的颜料的这些树脂中的任一种。连接孔26A形成在平坦化层26中，并且在要在下文中描述的像素电极12与和驱动晶体管DTr的源电极有关的源电极25A和漏电极25B之间进行电连接。
对于像素电极12，为了有效地将孔注入发光层中，优选使用真空能级的电极材料中具有大功函数的组成材料。具体地，例如，铬(Cr)、金(Au)、氧化锡(SnO2)和锑(Sb)的合金、氧化锌(ZnO)和铝(Al)的合金、银(Ag)合金、或那些金属中任一种的氧化物并且合金可以单独使用或者以混合状态使用。
此外，像素电极12可以使用具有优异的光反射率的层(下层)和设置在下层的顶部上的具有透光率和大功函数的层(上层)配置成层叠结构。对于下层的组成材料，优选使用包含Al作为主要成分的合金。作为次要成分，除用作主要成分的A1以外，使用具有小功函数的任何元件。作为这样的次要成分，优选使用镧系元素。镧系元素的功函数不大，然而，包括那些元素改善了阳极的稳定性和阳极的空穴注入特性。可替换地，作为次要成分，可以使用除镧系元素以外的任何元素(诸如硅(Si)和铜(Cu))。
在次要成分是铵(Nd)、镍(Ni)、或可用于稳定A1的钛(Ti)的情况下，配置下层的Al合金层中的次要成分的含量总计优选地为大约10wt％以下。这使得能够维持Al合金层中的反射率，并在有机EL器件的制造过程中使Al合金层保持处于稳定状态。此外，这确保实现处理准确度和化学稳定性。此外，也改善了像素电极12的导电性以及像素电极12与驱动基板11之间的粘附力。应当注意的是上述金属(诸如，Nd)的功函数小，并且因此在普通可得到的胺类材料用于在下文中描述的空穴提供层的情况下空穴注入势垒变得更大。在这种情况下，受体材料诸如7,7,8,8-四氰基-2,3,5,6-四氟醌二甲烷(F4-TCNQ)与胺系材料混合的层，或者使用材料(诸如，聚乙烯聚伸乙基-聚苯乙烯磺酸酯(PEDOT-PSS))的p掺杂层形成在像素电极12的边界面上，这使得能够减小空穴注入势垒并抑制驱动电压升高。此外，要在下文中描述的氮杂苯并菲衍生物的使用允许在抑制驱动电压升高的同时使器件稳定。
对于上层的组成材料，可以使用Al合金的氧化物、钼(Mo)的氧化物、锆(Zr)的氧化物、Cr的氧化物、以及钽(Ta)的氧化物。例如，在上层是包含镧系元素作为次要成分的Al合金的氧化层(包含自然氧化膜) 的情况下，镧系元素的氧化物具有高透光率，并且因此提高了包含这种氧化物的上层的透光率。因此，下层的表面上的反射率保持在高水平。此外，将材料(诸如，ITO(氧化铟锡)或IZO(氧化铟锌))的透明导电层用作上层改善像素电极12的电子注入特性。应当注意的是ITO和IZO中的每一个具有大功函数，并且因此通过使用与驱动基板11接触的一侧上的层 (即，下层)的ITO或IZO可以提高载流子注入效率并改善像素电极12 与驱动基板11之间的粘附力。
应当注意的是，在利用有机EL器件10配置的显示装置的驱动方法是矩阵方法的情况下，像素电极12设置在基于像素图案化并耦合至设置在驱动基板11上的驱动晶体管DRTr的状态。在这种情况下，显示装置配置成使得像素隔离膜13设置在像素电极12上，并且从像素隔离膜13的开口13A暴露每一个像素的像素电极12的表面。
像素隔离膜13用于确保像素电极12和对电极15的绝缘性能，并限定发光区域的期望形状。此外，像素隔离膜13还具有在制造过程中在利用喷墨法、喷嘴涂敷法、或任何其他等同的方法涂覆的时候使用的隔板的功能。例如，像素隔离膜13的折射率优选地小于要在下文中描述的密封层17的折射率。作为像素隔离膜13的组成材料，例如，可以视情况选择丙烯酸类树脂、聚酰亚胺类树脂、氟类树脂、硅类树脂、氟类聚合物、硅类聚合物、酚醛清漆类树脂、环氧类树脂、降冰片烯类树脂、具有分散的颜料的那些树脂材料中的任一种、或任何其他等效材料。像素隔离膜13 的厚度为例如从0.1μm到10μm(包括端点)，并且在这种情况下开口13A 的宽度(WIN)优选地等于像素隔离膜13的厚度。通过采用这种形状，从与开口13A的倾斜角和折射率n1和n2的关系中改善光提取效率。
空穴提供层是提高将空穴注入到发光层中的效率的缓冲层，并且防止泄漏。空穴提供层的厚度优选地为例如从5nm到60nm(包括端点)，取决于有机EL器件10的总体配置，具体地，要在下文中描述的与电子提供层的关系。
在相邻层的电极(像素电极12和对电极15)和材料方面，可以视情况选择空穴提供层的组成材料。以下材料中的任一种可以用作组成材料。要使用的材料的实例包括苯精、苯乙烯基胺、三苯胺、卟啉、三亚苯、氮杂苯并菲、四氰基醌二甲烷、三唑、味唑、氧二氮茂、聚芳基胺、苯二胺、芳基胺、噁唑、精蒽、芴酮、腙、对称二苯代乙烯、或这些材料的衍生物中的任一种、或杂环共轭类单体、低聚物、或聚合物(诸如，聚硅烷类化合物、乙烯基咔唑类化合物、噻吩类化合物、或苯胺类化合物)。
此外，具体材料的实例包括a-萘基苯基苯二胺、卟啉、金属四苯基卟啉、金属萘酞菁、六氰基氮杂苯并菲、7,7,8,8-四氰基醌二甲烷(TCNQ)、 F4-TCNQ、四氰基4,4,4-三(3-甲基苯基苯胺基)三苯胺、N,N,N’,N’-四(p-toryl) 对-苯二胺、N,N,N’,N’-四苯基-4,4’-二氨基联苯、N-苯基咔唑、4对聚氨基二苯乙烯(4-di-p-torylaminostilbene)、聚(对位苯乙烯类化合物)、聚(噻吩亚乙烯(thiphenevinylene))以及聚(2,2’-噻吩吡咯)。
发光层是当将电场施加于像素电极12和对电极15时从像素电极12 侧注入的空穴和从对电极15侧注入的电子重新结合的区域。优选地，发光层的组成材料具有电荷注入功能(当施加电场时，能够从像素电极12 和空穴提供层注入空穴并从对电极15和电子提供层注入电子的功能)、输送功能(使用电场力输送注入空穴和电子的功能)、以及发光功能(提供将电子和空穴再结合的场从而导致发光的功能)。
如上所述，本实施方式的有机EL器件10是以这样的方式配置的有机 EL器件：第一发光层和第二发光层与其间的电荷产生层相层叠以发出白光。第一发光层和第二发光层发出彼此不同颜色的光，并且例如，设置发出蓝光的蓝色发光层且发出黄光的黄色发光层。可替换地，黄色发光层可以用两层发红光的红色发光层和发绿光的绿色发光层替代。
电荷产生层用于耦合第一发光层和第二发光层。例如，电荷产生层具有层叠使用具有电子施主特性的材料的层和使用具有电子受体特性的材料的层的配置。作为具有电子施主特性的材料，例如，可以使用掺杂有N 型掺杂剂的具有电子迁移特性的材料。N型掺杂材料的实例包括碱金属、碱土金属、这些金属的氧化物、复合氧化物、氟化物、以及有机络合物。作为具有电子受体特性的材料，例如，使用掺杂有P型掺杂剂的具有空穴输送性的材料。对于具有空穴输送性的材料，例如，可以使用描述空穴提供层引用的材料中的任一种。P型掺杂的材料的实例包括7,7,8,8-四氰基 -2,3,5,6-四氟醌二甲烷(F4-TCNQ)和六氮氰基苯并菲(HAT-6CN)。电荷产生层的厚度优选地为例如从1nm到100nm(包括端点)，取决于有机EL器件10的总体配置，并且更优选地从10nm到50nm(包括端点)。
应当注意的是在此描述了两个发光层其间层叠有电荷产生层的情况，然而，层叠配置不限于此，并且可以层叠三个以上的层。随着层叠的层的数量增加，可以进一步提高发光效率。如同在本变形例中在两个发光层层叠的情况下，理论上发光效率不变，并且电流效率cd/A提高两倍。此外，在层叠三层的情况下，电流效率cd/A提高三倍。
电子提供层可用于将从对电极15注入的电子输送至发光层中的每一个。电子提供层具有例如包括层叠具有电子迁移特性的材料的层(电子输送层，未示出)和包括具有电子注入特性的材料的层(电子注入层，未示出)的配置。电子提供层的厚度优选地为例如从10nm到50nm(包括端点)，这取决于有机EL器件10的总体配置。在采用电子输送层和电子注入层的层叠结构的情况下，电子输送层的厚度优选地为例如从10nm至 200nm(包括端点)，并且更优选地，从20nm至180nm(包括端点)。此外，电子注入层的厚度优选地为例如5nm以上。这使得甚至对于具有显著不规则性的像素能够执行充分的电子注入。
对于电子输送层的组成材料，优选使用与对电极15具有优异的电子输送能力和高接触特性的有机材料。例如，优选使用咪唑衍生物，以及具有一个或多个菲咯啉环的菲咯啉衍生物。这使电子到发光层的供应稳定。
对于电子注入层的组成材料，可以使用碱土金属(诸如，钙(Ca)和钡(Ba))，或碱金属(诸如，锂、钠和铯)。可替换地，可以单独或作为混合物使用这些金属中任一种的氧化物、复合氧化物、或氟化物或者这样的金属中的任一种、氧化物、复合氧化物、以及氟化物的合金可以用于提高稳定性。
对电极15的组成材料可以是具有小功函数和透光率的材料。具体材料的实例包括碱金属氧化物(诸如，LiO2、Cs2O3、Cs2SO4、MgF、LiF、以及CaF2)、碱金属氟化物、碱土金属氧化物、以及碱土氟化物。作为备选方案，可以使用透光反射材料(诸如，包含铝(Al)、钙(Ca)、或镁(Mg) 的合金(例如，MgAg))。对电极15可以由包含上述材料中的任一种的单层或包含上述材料中任一种的多个层层叠的结构配置。在这种层叠结构的情况下，例如，形成IZO膜或透明SiNx膜作为上层使得能够改善电极的导电性，并抑制劣化。
应当注意的是，针对配置像素5中的每一个的子像素5R、5G、和5B 中的每一个可以独立地形成对电极15。可替换地，对电极15可以形成为待用作多个像素5的共用电极的显示区域110内部的固态膜的形状。此外，在有机EL器件是腔体结构的情况下，半透射和半反射材料优选地用于对电极15。因此，从对电极15侧提取经历像素电极12侧上的反光表面与对电极15侧上的反光表面之间的多重干扰的发射光。在这种情况下，由待提取的光的波长限定像素电极12侧上的反光表面与对电极15侧上的反光表面之间的光学距离，并且每个层的厚度被设为满足这样的光学距离。在这样的顶部发射有机EL器件中，以主动方式使用腔体结构使得能够提高将光提取到外部的效率，并执行发射频谱的控制。
保护层16具有例如1μm至3μm(包括端点)的厚度，并可以由绝缘材料或导电材料制成。对于绝缘材料，优选无机无定形绝缘材料，诸如，非晶硅(α-Si)、非晶碳化硅(α-SiC)、非晶氮化硅(α-Si1-XNX)、以及非晶碳(α-C)。由于这种无机无定形绝缘材料不由晶粒组成，无机无定形绝缘材料具有低水渗透性，并且因此用作优异的保护膜。此外，使用氮化硅 (通常，Si3N4)膜、氧化硅(通常SiO2)膜、氮化硅氧化物(SiNxOy：组成比X>Y)膜、氮氧化硅(SiOxNy：组成比X>Y)膜、CN(碳纳米管)膜(即，包含类似DLC的碳的膜作为主要成分)，或者任何其他等效膜。
密封层17几乎均匀地形成在保护层16上作为粘合层。用于密封层17 的材料的实例包括丙烯酸类树脂、聚酰亚胺类树脂、氟类树脂、硅类树脂、氟类聚合物、硅类聚合物、酚醛清漆类树脂、环氧类树脂、降冰片烯类树脂、或设置有分散的颜料的这些树脂中任一种。密封层17的折射率优选地大于像素隔离膜13的折射率(n1)。正如前面提到的那样，在密封层17 的折射率是n2的情况下，优选使用满足1.1≤n2≤1.8且n2-n1≥0.20的材料。
对置基板31设置在有机EL器件10的对电极15侧上以与密封层17 一起密封有机EL器件10。对置基板31由诸如对于有机EL器件10生成的光透明的玻璃的材料制成。对置基板31设置有例如用作黑矩阵32B和滤色器32A的遮光膜。对置基板31提取有机EL器件10生成的光，并吸收有机EL器件10之间的布线图案反射的任何外部光，从而对比度的改进。
滤色器32A具有以这种顺序布置的红色滤色器、绿色滤色器、以及蓝色滤色器。例如，红色滤色器、绿色滤色器、以及蓝色滤色器紧紧地形成为矩形形状。红色滤色器、绿色滤色器、以及蓝色滤色器中的每一个由与颜料混合的树脂制成，并通过选择颜料调整使得期望红色、绿色、或蓝色波长带的透光率升高，并且任何其他波长带的透光率降低。应当注意的是，在设置在子像素5R、5G、和5B中的每一个中的有机EL器件10上，布置有相应颜色的滤色器。
黑矩阵32B由例如与染色剂混合并具有1以上的光密度的黑色树脂膜或者利用薄膜的干扰的薄膜滤波器制成。可以更便宜并且更加容易地形成由黑色树脂膜配置的黑矩阵32B，因此黑矩阵是优选的。通过堆叠一个或多个薄膜配置薄膜滤波器，并且利用薄膜的干扰减弱光，一个或多个薄膜中的每一个由例如金属、金属氮化物、金属氧化物制成。薄膜滤波器的具体实例是Cr和氧化铬(III)(Cr2O3)交替地层叠的滤波器。
在此，可以使用干法形成有机层14，诸如，真空蒸发方法、离子束方法(EB方法)、分子束外延方法(MBE方法)、溅射方法、以及OVPD(有机气相沉积)方法。有机层14设置在配置有机EL器件10的像素电极12 与对电极15之间。
此外，除上述方法之外，还可以使用湿法技术形成有机层14，湿法技术为，诸如，涂敷法(包括激光转移法、旋涂法、浸涂法、刮墨刀法、放电涂敷法和喷雾涂敷法)、以及印刷法(包括，喷墨法、胶板印刷法、凸版印刷法、凹板印刷法、丝网印刷法、以及微凹版涂敷法)。可替换地，还允许根据每个有机层或每个构件的特性混合使用干法和湿法。
例如，可以下面的方式制造显示装置1。
首先，TFT层20A使用当前可用的技术形成在驱动基板11上，并且此后形成显示层20B。首先，例如，使用真空蒸发法和蚀刻法将具有例如 AlNd/Ag的层叠结构的像素电极12形成在TFT层20A的平坦化层26上。应当注意的是，像素电极12通过接触插栓(未示出)与TFT的源极/漏极区电耦合。源电极25A和漏电极25B与信号提供电路(未示出)耦合。
接下来，使用例如光刻法形成具有开口13A和虚设开口13B的像素隔离膜13。应当注意，作为另一个形成像素隔离膜13的方法，可以使用诸如SiO2、SiNx、SiON、以及Al2O3的无机材料，并且可以使用光刻和蚀刻将像素隔离膜13形成在整个表面上。作为以下步骤，例如，使用气相沉积法将有机层14形成在包括暴露于开口13A的底部的像素电极12的顶部的像素隔离膜13上，并且此后对电极15形成在显示区域110A的整个表面上。用对电极15覆盖配置设置在显示区域110A中的所有的有机EL 器件10的有机层14的整个表面。对电极15通过像素隔离膜13和有机层 14与像素电极12电隔离。使用真空蒸发方法或溅射方法形成对电极15，真空蒸发方法或溅射方法是确保成膜粒子的小能量达到能量对有机层14 没有影响的程度的膜形成方法。此外，通过在与用于形成有机层14相同的真空蒸发系统中连续形成对电极15且不会将有机层14暴露在空气中，可以防止由空气中的湿气和氧气引起的有机层14劣化。
接下来，保护层16形成在对电极15的整个表面上，并且此后进一步形成密封层17，从而获得包括像素隔离膜13和密封层17的光反射层(反射器结构)。随后，其上形成有滤色器32A和黑矩阵32B的对置基板31 利用其间的密封层17与光反射层粘合。这样的步骤使得显示装置1完成。
在显示装置1中，通过来自扫描线驱动电路130的写入晶体管Tr2的栅电极将扫描信号提供至子像素5R、5G、和5B中的每一个，并且通过来自信号线驱动电路120的写入晶体管Tr2将图像信号保持在存储电容器 Cs中。换言之，控制驱动晶体管Tr1根据保持在存储电容器Cs中的信号导通或关闭，从而将驱动电流Id注入到有机EL器件中以使空穴和电子重新组合，从而导致发光。在底表面发光(底部发射)的情况下，光穿过像素电极12和驱动基板11以进行提取，并且在顶表面发光(顶部发射)的情况下光穿过对电极15、滤色器32A、以及对置基板31以进行提取。
(1-3.作用和效果)
正如前面提到的那样，有机EL显示装置通常期望高图像质量，并且例如，已开发具有内置反射器的有机EL显示装置来提高光提取效率。反射器包括第一构件和第二构件。第一构件设置在第一基板上以将来自发光器件的光反射到显示面侧。用第二构件填充与第一基板相对布置的第二基板与光反射结构之间的间隙，并且第二构件的折射率与第一构件的折射率不同。可以通过反射通过第一构件的表面上的第二构件传播的光来提高光提取效率。
为了有效地利用反射器提高光提取效率，重要的是控制待由第一构件形成的反射器的形状。然而，由光致抗蚀剂制成的第一构件的问题是在其制造过程中光致抗蚀剂变形，并且在多个反射器中出现变化。具体地，例如，如在图9的(A)中示出的，在使用照相平版印刷术处理第一构件的情况下，通过利用在基板111上具有图案开口的掩膜进行暴露和显影而使具有期望形状的第一构件图案化。然而，由于在显影之后的烘烤法，如在图9的(B)中示出的，第一构件变形。这是因为作为第一构件的光致抗蚀剂在烘烤法中软化，并且由于要照现在的样子硬化的表面张力的影响而变得变形。由于表面张力引起的这种变形随着区域增大而变得更糟。换言之，在多个反射器形成在基板111上的情况下，在最外周的反射器的形状的变形变得最糟。
相反，在本实施方式中，虚设开口13B设置在其中设置有多个开口 13A的像素电极12的外部边缘。这使得能够减小由开口13A的布局的变化引起的开口13A的形状的变化。
如上所述，在本实施方式的显示装置1中，作为反射器结构，虚设开口13B设置在其中设置有多个开口13A的像素电极12的外部边缘。因此，设置在像素电极12上的多个开口13A的布局(换言之，开口13A的外围图案)的变化减少，这使得能够抑制开口13A的形状出现变化。这使得能够提高光提取效率，并减少由开口13A的变化引起的亮度的变化。
应当注意，在上述中第一实施方式中，如在图4A至图4C中示出的，虚设开口13B设置在子像素5R、5G、和5B中的每一个的外部边缘。然而，例如，如图10所示，虚设开口13B可以仅形成在以这样的方式配置使得布置多个像素的显示区域110A的外部边缘(例如，外围区域110B)。在如图10所示以高清晰度布置像素的情况下，例如，设置在一个像素中的红色像素5R的像素电极12上的开口13AR与邻近一个像素的像素中的开口(例如，设置在绿色像素5G的像素电极12上的开口13AG)之间的间隔间距基本上等于一个像素中的开口13AR与开口13AG之间的间隔间距。在这种情况下，设置在像素电极12上的多个开口13AR中的变化，具体地，开口13AR在最外周发生变形减少。在这种情况下，如图10所示，通过仅在以布置多个像素的方式配置的显示区域110A的外围边缘形成虚设开口13B，在显示区域110A的外缘部分中的亮度劣化降低以实现整个显示区域110A亮度均匀。应当注意的是，在此引用其中虚设开口13B 设置在外围区域110B中的实例；然而，虚设开口13B可不必形成在外围区域110B中。具体地，虚设开口13B可以形成在发光区域的外部边缘，即，由设置在子像素5R、5G、和5B中的每一个上的开口13A形成的非发光区域。在这种情况下，虚设开口13B中的每一个的一部分或全部可以设置在显示区域110A内部。
在下文中，提供对本公开的第二实施方式和变形例(变形例1和2) 的描述。与上述第一实施方式中的那些基本相同的任何组成部分用相同的参考标号表示，并且适当地省略了相关描述。
[2.第二实施方式]
图11是示出根据本公开的第二实施方式的显示装置2的截面配置。显示装置1用作高清晰度显示装置(例如，具有2048′1236的像素数)，诸如，电子取景器(EVF)以及头戴式显示器(HMD)，或者用作有机EL 电视设备。图12是像素电极12、开口13A、以及虚设开口33B的位置关系的平面图。在本实施方式中的显示装置2中，虚设开口33B中的每一个的至少一部分设置在像素电极12上，并且虚设开口33B中的每一个在其底部具有像素隔离膜33。这与上述第一实施方式不同。
例如，如在图11和图12中示出的，虚设开口33B中的每一个的至少一部分设置为在像素电极12上延伸。虚设开口33B各自在其底部具有像素隔离膜33，从而防止在与像素电极12重叠的部分中发光。或许唯独必要的是像素隔离膜33在虚设开口33B的底部处的厚度(H)以使得能够防止在虚设开口33B中发光。此外，虚设开口33B与开口13A之间的距离优选地基本上等于开口13A之间的距离，并且虚设开口33B的截面形状优选接近开口13A的形状。因此，优选地，虚设开口33B的深度(D) 尽可能大。
作为形成虚设开口33B的方法，例如，存在这样一种方法，即，在像素隔离膜33图案化时使用半色调掩膜连同开口13A一起对虚设开口33B 执行一次暴露。此外，还可以通过使用多个掩膜调整开口13A和虚设开口 33B的相应曝光量形成虚设开口33B。
如上所述，在本实施方式的显示装置2中，设置为在像素电极12上延伸的虚设开口33B配置成例如使用半暴露方法使像素隔离膜33仍在底部的结构。因此，即使在相邻像素之间没有充足的间隔间距的显示装置中，可以减小各自用作反射器结构的开口13A的形状的变化。这使得能够提高利用反射器结构提取光的效率，并且提供其中亮度变化减少的显示装置2。
[3.变形例]
(3-1.变形例1)
图13示出根据本公开的第一实施方式的变形例1的显示装置1A的截面配置。图14示出根据本公开的第二实施方式的变形例1的显示装置2A 的截面配置。如同上述第一实施方式和第二实施方式一样，显示装置1A 和显示装置2A中的任一个在具有各自用作反射器结构的开口13A的像素电极12的外部边缘处具有虚设开口13B(33B)。然而，本变形例与第一实施方式和第二实施方式中的任一个的不同之处在于滤色器32A和黑矩阵32B设置在驱动基板11侧上，具体地，设置在密封层17侧上。例如，对置基板31使用其间的丙烯酸树脂或环氧树脂利用粘合层18粘合在滤色器32A和黑矩阵32B上。
在显示装置1A和显示装置2A中的任一个中，除在上述第一实施方式和第二实施方式中的效果之外，可以缩短有机EL器件10的发光层与滤色器32A和黑矩阵32B中的每一个之间的距离。这确保视角特性改善的效果，并且可以抑制由来自相邻像素的光侵入引起的颜色混合的出现。此外，在将驱动基板11和对置基板31彼此粘合在一起的过程中，消除了将对应于彩色像素(子像素；红色像素5R、绿色像素5G、以及蓝色像素5B) 的滤色器33AR、33Ag、以及33AB对准的必要性。此外，没必要使用照相平版印刷技术在对置基板31上形成滤色器，这减轻了对置基板31所需的耐热性(热变形)和耐化学性(耐溶剂性和耐碱性)。因此，对置基板 31的材料选择的自由度提高，从而允许成本降低。
(3-2.变形例2)
图15示出根据本公开的第一实施方式的变形例2的显示装置1B的截面配置。图16示出根据本公开的第二实施方式的变形例2的显示装置2B 的截面配置。如同上述第一实施方式和第二实施方式一样，显示装置1B 和显示装置2B中的任一个在具有各自用作反射器结构的开口13A的像素电极12的外部边缘处具有虚设开口13B(33B)。然而，本变形例与第一实施方式和第二实施方式中任一个的不同之处在于滤色器32A和黑矩阵 32B设置在驱动基板11侧上，并且用黑矩阵32B填充虚设开口13B和33B 中的每一个。
在显示装置1B和显示装置2B中的任一个中，除了在上述第一实施方式和第二实施方式中的效果之外，实现这样的效果，即，通过用黑矩阵 32B填充虚设开口13B和33B中的每一个遮挡来自相邻像素的光的侵入，从而使得能够防止出现颜色混合。此外，滤色器32A和黑矩阵32B设置在驱动基板11侧上；因此，实现了与上述变形例1的那些效果相似的效果。
[4.应用例]
(模块及其应用例)
在上述实施方式及其变形例中提到的显示装置1、2、1A、1B、2A以及2B中任一个可适用于各个领域中的电子设备的显示装置，这些显示装置显示外部输入的图像信号或者内部生成的图像信号作为静止图像或移动图像。电子设备的实例包括电视设备、数码相机、笔记本个人计算机、移动终端(诸如，移动电话)以及摄像机。具体地，将显示装置1、2、1A、 1B、2A以及2B中任一个适当地应用于移动设备的小型到中型显示器。下面将描述实施例。
(模块)
例如，显示装置1、2、1A、1B、2A以及2B中任一个组装于在下文中描述的根据应用例1至3的各个电子设备中作为如在图16中示出的模块。例如，通过将从保护层30和密封基板40暴露的区域210设置在驱动基板11的一侧上并使信号线驱动电路120和扫描线驱动电路130的布线图案延伸以在暴露的区域210中形成外部连接端子(未示出)配置该模块。用于信号输入与输出的FPC(软性印刷电路)220可以提供至外部连接端子。
(应用例1)
图18A和图18B各自示出根据应用例1的智能手机320的外观。例如，智能手机320在前侧具有显示部321和操作部322，在后侧具有照相机323，并且上述实施方式和实施例中的显示装置1、2、1A、1B、2A以及2B中任一个安装在显示部321中。
(应用例2)
图19A和图19B各自示出平板电脑的外观配置。例如，平板电脑包括显示部410(显示装置1)、非显示部(壳体)420、以及操作部430。操作部430可设置在非显示部420的前侧上，如图19A所示，或者可设置在非显示部420的顶表面上，如图19B所示。显示装置1、2、1A、1B、2A 以及2B中任一个可以安装在PDA或具有与在图19A和图19B中示出的平板电脑的配置相似的配置任何其他类似的设备中。
(应用例3)
图20示出根据应用例3的头戴式显示器500的外观。头戴式显示器 500具有显示部510(显示装置1、2、1A、1B、2A以及2B中任一个)和安装部520。
(应用例4)
图21A和图21B各自示出根据应用例4的数码相机的外观配置，并分别示出前侧和后侧。例如，数码相机具有用于闪光的发光部610、取景器620(显示装置1、2、1A、1B、2A以及2B中任一个)、菜单开关630、快门按钮640以及显示部650。
迄今参照第一和第二实施方式、变形例1和2以及应用例描述了本公开内容；然而，本公开不限于此，并可以各种方式进行修改。
例如，在上述第一实施方式中，开口13A示出为圆形；然而，开口 13A的形状不限于此，并且开口13A可以采用矩形形状。此外，像素电极 12上的多个开口13A的布局也没有具体限制，并且例如，所谓的紧密堆积布置可适用。
此外，例如，每层的材料和厚度、形成每层的方法和条件不限于在上述实施方式和实施例中描述的那些，并且每层可在任何其他条件下通过任何其他方法由具有任何其他厚度的任何其他材料制成。
此外，在上述实施方式和实施例中，通过引用有机EL器件10的配置的具体实例提供描述；然而，不必提供所有的层，并且可以进一步提供任何其他层。
此外，在上述实施方式和实施例中，提供了对有源矩阵显示装置的情况的描述；然而，本公开还可适用于无源矩阵显示装置。此外，有源矩阵驱动器的像素驱动电路的配置不限于在上述实施方式中提到的配置，并且可以在适当的情况下添加电容器或晶体管。在这种情况下，根据像素驱动电路的修改，除了上述信号线驱动电路120和扫描线驱动电路130以外，可以添加必要的驱动电路。
应当注意的是本文中描述的效果仅仅是举例说明并且是非限制性的，并且本公开的效果可以是其他效果，或者可以进一步包括其他效果。
应注意，本技术可以被配置如下。
(1)一种显示装置，包括：
以规则的方式布置的多个像素；
多个第一开口，设置在多个所述像素中的每一个中；以及
一个或多个第二开口，设置在以规则的方式布置的多个所述像素中的每一个的外围边缘的至少一部分中。
(2)根据(1)所述的显示装置，其中，
所述像素中的每一个具有多个子像素，并且
为所述子像素中的每一个设置两个以上的所述第一开口，并且一个或多个所述第二开口设置在所述子像素中的每一个的外部边缘的至少一部分中。
(3)根据(2)所述的显示装置，其中，所述子像素中的每一个具有基本上为矩形的形状，并且一个或多个所述第二开口被设置于所述子像素中的每一个的各边上。
(4)根据(2)或(3)所述的显示装置，其中，以与设置在所述子像素中的每一个中的两个以上的所述第一开口的间距相同的间距设置所述第二开口。
(5)根据(3)所述的显示装置，其中，设置在所述子像素中的每一个的各边的所述第二开口彼此相连。
(6)根据(2)到(5)中任一项所述的显示装置，其中，所述第二开口以条纹图案设置在所述子像素之间。
(7)根据(2)到(5)中任一项所述的显示装置，其中，所述第二开口以晶格图案设置在所述子像素之间。
(8)根据(2)到(7)中任一项所述的显示装置，其中，
所述子像素中的每一个具有发光器件，在所述发光器件中，第一电极、包括发光层的有机层以及第二电极以此顺序层叠于基板上，并且
所述第一开口设置在所述第一电极上，并且所述第二开口设置在所述第一电极的外部边缘处。
(9)根据(1)到(8)中任一项所述的显示装置，其中，
所述显示装置具有布置了多个所述像素的显示区域以及设置在所述显示区域的外围边缘的外围区域，并且
所述第二开口设置在所述外围区域中。
(10)根据(1)到(8)中任一项所述的显示装置，其中，所述第一开口形成在发光区域中，在所述发光区域中设置了多个所述像素，并且所述第二开口形成在非发光区域中。
(11)一种设置有显示装置的电子设备，显示装置包括：
以规则的方式布置的多个像素；
多个第一开口，设置在所述多个像素中的每一个中；以及
一个或多个第二开口，设置在以规则的方式布置的所述多个像素中的每一个的外围边缘的至少一部分中。
本申请要求基于2014年12月11日向日本专利局提交的日本专利申请号2014-251197的优先权，通过引用将该申请的全部内容结合于此。
本领域普通技术人员能够理解，根据设计需求和其他影响因素，可以有各种修改、合并、子合并和替换。然而，可以理解，这都包括在所附权利要求及其等同物的范围内。

Claims (10)

1.一种显示装置，包括：
以规则的方式布置的多个像素；
多个第一开口，设置在多个所述像素中的每一个中；以及
一个或多个第二开口，设置在以规则的方式布置的多个所述像素中的每一个的外围边缘的至少一部分中，
其中，所述像素中的每一个具有多个子像素，并且
为所述子像素中的每一个设置两个以上的所述第一开口，并且一个或多个所述第二开口设置在所述子像素中的每一个的外部边缘的至少一部分中。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述子像素中的每一个具有矩形形状，并且一个或多个所述第二开口被设置于所述子像素中的每一个的各边上。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，以与设置在所述子像素中的每一个中的两个以上的所述第一开口的间距相同的间距设置所述第二开口。
4.根据权利要求2所述的显示装置，其中，设置在所述子像素中的每一个的各边的所述第二开口彼此相连。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二开口以条纹图案设置在所述子像素之间。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二开口以晶格图案设置在所述子像素之间。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述子像素中的每一个具有发光器件，在所述发光器件中，第一电极、包括发光层的有机层以及第二电极以此顺序层叠于基板上，并且
所述第一开口设置在所述第一电极上，并且所述第二开口设置在所述第一电极的外部边缘处。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述显示装置具有布置了多个所述像素的显示区域以及设置在所述显示区域的外围边缘的外围区域，并且
所述第二开口设置在所述外围区域中。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一开口形成在发光区域中，在所述发光区域中设置了多个所述像素，并且所述第二开口形成在非发光区域中。
10.一种设置有显示装置的电子设备，所述显示装置包括：
以规则的方式布置的多个像素；
多个第一开口，设置在所述多个像素中的每一个中；以及
一个或多个第二开口，设置在以规则的方式布置的所述多个像素中的每一个的外围边缘的至少一部分中，
其中，所述像素中的每一个具有多个子像素，并且
为所述子像素中的每一个设置两个以上的所述第一开口，并且一个或多个所述第二开口设置在所述子像素中的每一个的外部边缘的至少一部分中。
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