JP6781805B2 - 表示装置および電子機器 - Google Patents

Description

本開示は、有機層を含む自発光型の発光素子を有する表示装置、およびそのような表示装置を備えた電子機器に関する。

有機材料の有機エレクトロルミネセンス（ＥＬ；Electro Luminescence）現象を利用して発光する有機ＥＬ素子は、陽極と陰極との間に有機正孔輸送層や有機発光層を積層させた有機層を設けて構成されており、低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な発光素子として注目されている。ところが、この有機ＥＬ素子を用いた表示装置（有機ＥＬ表示装置）では、吸湿によって有機ＥＬ素子における有機層の劣化が生じ、有機ＥＬ素子における発光輝度が低下したり発光が不安定になったりするなど、経時的な安定性が低くかつ寿命が短いといった問題があった。

そこで、例えば特許文献１には、基板における有機ＥＬ素子やその他の回路が形成された素子形成面側に、封止のためのカバー材を配置し、基板とカバー材との周縁部をシール材で封止するようにした有機ＥＬ表示装置が提案されている。また、この特許文献１には、水蒸気などの浸入を防ぐ保護膜として、シール材の外側を硬質な炭素膜で覆う構成も提案されている。このような構成により、基板上に形成された有機ＥＬ素子が外部から完全に遮断され、有機ＥＬ素子の酸化による劣化を促す水分や酸素等の物質が外部から浸入することを防ぐことが可能となっている。

また、この他にも、基板における有機ＥＬ素子やその他の回路が形成された素子形成面側に、接着剤を介して封止のためのカバー材を貼り合わせるようにした、完全固体型の有機ＥＬ表示装置も提案されている。

さらに、表示領域を囲む位置（表示領域の外縁側）に、上記した有機絶縁膜をその内部領域側と外部領域側に分離する分離溝を形成するようにした有機ＥＬ表示装置も提案されている（例えば、特許文献２，３参照）。このような分離溝を設けることにより、有機絶縁膜における上記外部領域側に存在する水分が、この有機絶縁膜内を通過して内部領域側（表示領域側）に浸入することが回避される。したがって、表示装置内に取り残された水分が有機絶縁膜を通過することに起因した有機層（有機ＥＬ素子）の劣化を抑えることが可能となっている。

特開２００２−９３５７６号公報 特開２００６−５４１１１号公報 特開２００８−２８３２２２号公報

ところで最近では、いわゆるタブレット型パーソナルコンピュータ（ＰＣ）やスマートフォン（多機能型携帯電話）などの携帯型情報端末機器にも有機ＥＬ表示装置が搭載されるようになっている。こうした携帯型情報端末は、携帯性確保のため、本体の寸法をあまり大きくすることができない。その一方、使用者における視認性および操作性確保の観点から、できるだけ有効画面領域を大きく確保する必要がある。したがって、携帯型情報端末の本体における、有効画面領域以外の周辺領域の占有面積をできるだけ縮小する、いわゆる狭額縁化が望まれる。

しかしながら、特許文献２，３に提案されている構造では、例えば白色有機ＥＬ素子等の場合のように、有機層等を成膜する際にエリアマスクを使用する場合、狭額縁化が困難であった。すなわち、エリアマスクのアライメントずれ（マスクずれ領域）と膜の回り込み（テーパー領域）とを考慮すると、実際には、上記した分離溝を、表示領域から十分に離れた位置に形成する必要がある。このため、額縁を広く取る必要が生じ（表示領域と周辺領域との間の距離を広くする必要が生じ）、狭額縁化が困難となってしまう。加えて、表示領域と周辺領域との間の距離を広くする必要が生じることから、この領域（分離溝の内部領域）における有機絶縁層内に含まれる水分が有機層へ侵入することに起因して、有機層が劣化してしまうことになる。

本開示はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、水分による発光素子の劣化を抑え、高い信頼性を有すると共により大きな有効画面領域を有する表示装置、およびそのような表示装置を備えた電子機器を提供することにある。

本開示の第１の表示装置は、以下の各構成要素を有するものである。
（１）第１の基板。
（２）前記第１の基板上における表示領域に配列され、第１電極層と発光層と第２電極層との積層構造を各々含む複数の発光素子。
（３）第１の基板と発光層との間の階層に位置する第１の無機層。
（４）複数の発光層を覆う第２の無機層。
（５）第１の基板と第１電極層との間の階層に位置する第１の有機層。
（６）第１電極層と第２の無機層との間の階層に位置する第２の有機層。
（７）第１の有機層および第２の有機層を貫くと共に表示領域を取り囲むように設けられた分離溝。
ここで、第１の無機層および第２の無機層は、分離溝において第１の有機層の外縁および第２の有機層の外縁の双方を封止する第１の封止部と、その第１の封止部から見て複数の発光素子と反対側において第１の有機層の外縁および第２の有機層の外縁の双方を封止する第２の封止部とを含んでいる。

本開示の電子機器は、上記本開示の表示装置を備えたものである。

本開示の表示装置および電子機器によれば、簡素な構造でありながら周辺領域から表示領域への水分浸入を効果的に防止することができる。よって、水分による発光素子の劣化を抑え、高い信頼性を実現すると共に狭額縁化をも図ることができる。

本開示の一実施の形態に係る表示装置の構成を表す図である。 図１に示した画素駆動回路の一例を表す図である。 図１に示した表示領域の構成を表す平面図である。 図１に示した表示領域の構成を表す断面図である。 図１に示した表示領域の構成を表す他の断面図である。 図４および図５に示した有機層を拡大して表す断面図である。 第１の変形例としての表示装置の要部構成を表す断面図である。 第２の変形例としての表示装置の要部構成を表す断面図である。 第３の変形例としての表示装置の要部構成を表す断面図である。 第４の変形例としての表示装置の要部構成を表す断面図である。 第５の変形例としての表示装置の要部構成を表す拡大断面図である。 第６の変形例としての表示装置の要部構成を表す断面図である。 上記実施の形態等の表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。 表示装置の第１の適用例としてのテレビジョン装置の外観を表す斜視図である。 表示装置の第２の適用例としてのデジタルカメラにおける外観を表す第１の斜視図である。 表示装置の第２の適用例としてのデジタルカメラにおける外観を表す第２の斜視図である。 表示装置の第３の適用例としてのノート型パーソナルコンピュータの外観を表す斜視図である。 表示装置の第４の適用例としてのビデオカメラの外観を表す斜視図である 。 表示装置の第５の適用例としての携帯電話機における、閉じた状態の外観を表す正面図、左側面図、右側面図、上面図、下面図である。 表示装置の第５の適用例としての携帯電話機における、開いた状態の正面図および側面図である。 表示装置を用いた第６の適用例としてのタブレット型ＰＣにおける外観を表す第１の斜視図である。 表示装置を用いた第６の適用例としてのタブレット型ＰＣにおける外観を表す第２の斜視図である。 第７の変形例としての表示装置の要部構成を表す断面図である。 第８の変形例としての表示装置の要部構成を表す断面図である。 第９の変形例としての表示装置の要部構成を表す拡大断面図である。 第１０の変形例としての表示装置の要部構成を表す断面図である。 第１１の変形例としての表示装置の要部構成を表す断面図である。 第１２の変形例としての表示装置の要部構成を表す断面図である。 第１３の変形例としての表示装置の要部構成を表す断面図である。 第１３の変形例としての表示装置の要部構成を表す他の断面図である。 図２２Ａ，２２Ｂに示した表示装置の製造方法を説明するための斜視図である。 第１４の変形例としての表示装置の要部構成を表す断面図である。 第１４の変形例としての表示装置の要部構成を表す他の断面図である。 第１５の変形例としての表示装置の要部構成を表す断面図である。 図２５に示した表示装置の製造方法を説明するための斜視図である。 第１６の変形例としての表示装置の要部構成を表す断面図である。

以下、本開示の実施の形態および適用例について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．実施の形態（図１〜図１０）：表示装置
２．表示装置の適用例（図１１〜１７）：電子機器

＜実施の形態＞
［有機ＥＬ表示装置の全体構成例］
図１は、本開示の一実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１（以下、単に表示装置１という。）の全体構成例を表すものである。表示装置１は、有機ＥＬテレビジョン装置などとして用いられるものであり、基板１１１の上に表示領域１１０Ａが設けられている。この表示領域１１０Ａ内には、複数のサブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂがマトリクス状に配置されている。サブ画素１０Ｒは赤色を表示し、サブ画素１０Ｇは緑色を表示し、サブ画素１０Ｂは青色を表示する。ここでは、同色を表示するサブ画素をＹ方向に一列に並べ、それをＸ方向に順に繰り返し配置するようにしている。したがって、Ｘ方向に並ぶ３つのサブ画素の組み合わせが一つの画素（ピクセル）を構成している。また、表示領域１１０Ａの周辺（外縁側，外周側）に位置する周辺領域１１０Ｂには、映像表示用のドライバ（後述する周辺回路１２Ｂ）である信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０が設けられている。

信号線駆動回路１２０は、信号供給源（図示せず）から供給される輝度情報に応じた映像信号の信号電圧を、信号線１２０Ａを介して選択された画素に供給するものである。

走査線駆動回路１３０は、入力されるクロックパルスに同期してスタートパルスを順にシフト（転送）するシフトレジスタなどによって構成されている。走査線駆動回路１３０は、各画素への映像信号の書き込みに際し行単位でそれらを走査し、各走査線１３０Ａに走査信号を順次供給するものである。

表示領域１１０Ａ内には、画素駆動回路１４０が設けられている。図２は、この画素駆動回路１４０の一例（サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの画素回路の一例）を表したものである。画素駆動回路１４０は、後述する第１電極層１３の下層（後述の画素駆動回路形成層１１２）に形成されたアクティブ型の駆動回路である。この画素駆動回路１４０は、駆動トランジスタＴｒ１および書込トランジスタＴｒ２と、それらの間のキャパシタ（保持容量）Ｃｓとを有している。画素駆動回路１４０はまた、第１の電源ライン（Ｖｃｃ）および第２の電源ライン（ＧＮＤ）の間において、駆動トランジスタＴｒ１に直列に接続された白色有機ＥＬ素子１０Ｗ（以下、単にＥＬ素子１０Ｗという。）を有している。すなわち、サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂにはそれぞれ、このＥＬ素子１０Ｗが設けられている。駆動トランジスタＴｒ１および書込トランジスタＴｒ２は、一般的な薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Thin Film Transistor）により構成され、その構成は例えば逆スタガ構造（いわゆるボトムゲート型）でもよいしスタガ構造（トップゲート型）でもよく、特に限定されない。

画素駆動回路１４０において、列方向には信号線１２０Ａが複数配置され、行方向には走査線１３０Ａが複数配置されている。各信号線１２０Ａと各走査線１３０Ａとの交差点が、サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのいずれか１つに対応している。各信号線１２０Ａは、信号線駆動回路１２０と接続され、この信号線駆動回路１２０から信号線１２０Ａを介して書込トランジスタＴｒ２のソース電極に画像信号が供給されるようになっている。各走査線１３０Ａは走査線駆動回路１３０と接続され、この走査線駆動回路１３０から走査線１３０Ａを介して書込トランジスタＴｒ２のゲート電極に走査信号が順次供給されるようになっている。

［表示装置の平面構成例］
図３に、ＸＹ平面に広がる表示領域１１０Ａの一構成例を表す。ここでは、第２電極層１６、充填層１８および封止基板１９（いずれも後出）を取り去った状態の表示領域１１０Ａと、それを取り囲む周辺領域１１０Ｂとを、上方から眺めた平面構成を模式的に表す。図３に示したように、表示領域１１０Ａには、複数のＥＬ素子１０ＷがＸ方向およびＹ方向に並び、全体としてマトリックス状に配列されている。より詳細には、開口規定絶縁膜２４によって相互に分離され、輪郭が規定された発光部２０を各々含むＥＬ素子１０Ｗが、サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに対応して１つずつ配置されている。

図３において、発光部２０を取り囲む破線で示した矩形は有機層１４が形成された領域を表す。さらに、有機層１４が形成された領域を取り囲む破線で示した矩形は、第１電極層１３が形成された領域を表す。第１電極層１３の一部には、例えば駆動トランジスタＴｒ１のソース電極との導通を図るコンタクト部１２４が設けられている。なお、Ｘ方向およびＹ方向に並ぶサブ画素の数は任意に設定されるものであり、図３に示した数に限定されるものではない。また、例えば黄色および白色を表示するサブ画素をさらに設け、１つの画素が４以上のＥＬ素子１０Ｗを含むようにしてもよい。

［表示装置１の断面構成］
図４は、表示領域１１０Ａと周辺領域１１０Ｂとの境界近傍における、図３に示したＩＶ−ＩＶ線に沿ったＸＺ断面の概略構成を示すものである。また図５は、図３に示した表示領域１１０Ａの、Ｖ−Ｖ線に沿った断面図である。さらに図６は、図４および図５に示した有機層１４の断面の一部を拡大して表したものである。

本実施の形態の表示装置１は、前述したＥＬ素子１０Ｗと後述するカラーフィルタとを用いることによってＲ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）のいずれかの色光が上面（基板１１１と対向する封止基板１９）から出射される、上面発光型（いわゆるトップエミッション型）の表示装置である。図４に示したように、表示領域１１０Ａでは、基板１１１に画素駆動回路形成層１１２が設けられてなる基体１１の上に、ＥＬ素子１０Ｗを含む発光素子形成層１２が形成されている。ＥＬ素子１０Ｗの上には、防湿膜１７、充填層１８および封止基板１９がこの順に設けられている。表示領域１１０Ａと周辺領域１１０Ｂとは、封止基板１９の、基板１１１と対向する対向面１９Ｓにおける周縁部に沿って設けられたシール部２３によって仕切られている。ＥＬ素子１０Ｗは、画素駆動回路形成層１１２の最上層である平坦化膜２１８の上に、アノード電極としての第１電極層１３、発光層１４Ｃ（後出）を含む有機層１４、およびカソード電極としての第２電極層１６が各々順に積層されたものである。有機層１４および第１電極層１３は、開口規定絶縁膜２４によってＥＬ素子１０Ｗごとに分離されている。なお、平坦化膜２１８および開口規定絶縁膜２４は、いずれも、例えばポリイミド、アクリルまたはシロキサン等のパターン精度が良い有機材料により構成されている。一方、第２電極層１６は、全てのＥＬ素子１０Ｗに共通して設けられている。なお、図４では、画素駆動回路形成層１１２における駆動トランジスタＴｒ１および書込トランジスタＴｒ２などの詳細な構成については図示を省略した。

基体１１は、基板１１１に、画素駆動回路１４０を含む画素駆動回路形成層１１２が設けられたものである。基板１１１はＥＬ素子１０Ｗが配列形成される支持体であって、例えば、石英、ガラス、金属箔、もしくは樹脂製のフィルムやシートなどが用いられる。この中でも石英やガラスが好ましく、樹脂製の場合には、その材質としてポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）に代表されるメタクリル樹脂類、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリブチレンナフタレート（ＰＢＮ)などのポリエステル類、もしくはポリカーボネート樹脂などが挙げられるが、透水性や透ガス性を抑える積層構造、表面処理を行うことが必要である。基板１１１の表面には、第１階層の金属層として、駆動トランジスタＴｒ１のゲート電極である金属層２１１Ｇと、書込トランジスタＴｒ２のゲート電極である金属層２２１Ｇ（図５）と、信号線１２０Ａ（図５）とがそれぞれ設けられている。これら金属層２１１Ｇ，２２１Ｇおよび信号線１２０Ａは、窒化ケイ素や酸化ケイ素などからなるゲート絶縁膜２１２によって覆われている。

ゲート絶縁膜２１２上の、金属層２１１Ｇ，２２１Ｇに対応する領域には、アモルファスシリコンなどの半導体薄膜からなるチャネル層２１３，２２３が設けられている。チャネル層２１３，２２３上には、その中心領域であるチャネル領域２１３Ｒ，２２３Ｒを占めるように絶縁性のチャネル保護膜２１４，２２４が設けられており、その両側の領域には、ｎ型アモルファスシリコンなどのｎ型半導体薄膜からなるドレイン電極２１５Ｄ，２２５Ｄおよびソース電極２１５Ｓ，２２５Ｓが設けられている。これらドレイン電極２１５Ｄ，２２５Ｄおよびソース電極２１５Ｓ，２２５Ｓは、チャネル保護膜２１４，２２４によって互いに分離されており、それらの端面がチャネル領域２１３Ｒ，２２３Ｒを挟んで互いに離間している。さらに、ドレイン電極２１５Ｄ，２２５Ｄおよびソース電極２１５Ｓ，２２５Ｓをそれぞれ覆うように、第２階層の金属層として、ドレイン配線としての金属層２１６Ｄ，２２６Ｄおよびソース配線としての金属層２１６Ｓ，２２６Ｓが設けられている。金属層２１６Ｄ，２２６Ｄおよび金属層２１６Ｓ，２２６Ｓは、例えばチタン（Ｔｉ）層、アルミニウム（Ａｌ）層、およびチタン層を順に積層した構造を有するものである。第２階層の金属層としては、上記の金属層２１６Ｄ，２２６Ｄおよび金属層２１６Ｓ，２２６Ｓのほか、走査線１３０Ａ（図示せず）が設けられている。金属層２１６Ｓは、周辺領域１１０ＢにおいてＦＰＣなどの外部との接続配線３１と接続されている（図４）。

画素駆動回路１４０は、例えば酸化シリコン（ＳｉＯx）、窒化シリコン（ＳｉＮx）、酸化窒化シリコン（ＳｉＮxＯy）、酸化チタン（ＴｉＯx）または酸化アルミニウム（ＡｌxＯy）などの、水分透過性が低い無機材料からなる保護膜（パッシベーション膜）２１７によって全体的に覆われており、その上には、絶縁性を有する平坦化膜２１８が設けられている。平坦化膜２１８は、その表面が極めて高い平坦性を有するものであることが望まれる。また、平坦化膜２１８および保護膜２１７の一部領域には、微細なコンタクト部１２４が設けられている（図４）。コンタクト部１２４には第１電極層１３が充填されており、駆動トランジスタＴｒ１のソース電極を構成する金属層２１６Ｓとの導通がなされている。

平坦化膜２１８の上に形成された下部電極である第１電極層１３は反射層としての機能も兼ねており、できるだけ高い反射率を有する材料によって構成することが発光効率を高める上で望ましい。そのため、第１電極層１３は、例えばアルミニウム（Ａｌ）やアルミニウムネオジウム合金（ＡｌＮｄ）などの高反射率材料によって構成される。第１電極層１３は、例えば、積層方向の厚み（以下、単に厚みと言う）が１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下のものである。第１電極層１３の構成材料としては、上記材料に限られず、クロム（Ｃｒ），金（Ａｕ），白金（Ｐｔ），ニッケル（Ｎｉ），銅（Ｃｕ），タングステン（Ｗ）あるいは銀（Ａｇ）などの金属元素の単体または合金でもよい。また、これらの金属元素の単体または合金よりなる金属膜と、インジウムとスズの酸化物（ＩＴＯ）、ＩｎＺｎＯ（インジウム亜鉛オキシド）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）とアルミニウム（Ａｌ）との化合物などの透明導電膜との積層構造を有していてもよい。

開口規定絶縁膜２４は、隣り合うＥＬ素子１０Ｗにおける第１電極層１３および有機層１４同士の隙間、すなわち、発光部２０同士の隙間を埋めるように設けられている。また、開口規定絶縁膜２４は隔壁とも呼ばれ、第１電極層１３と、第２電極層１６との絶縁性を確保すると共に、ＥＬ素子１０Ｗの発光部２０の輪郭を正確に画定するものでもある。すなわち、開口規定絶縁膜２４によって発光領域が規定される。開口規定絶縁膜２４は、さらに、後述する製造工程においてインクジェットまたはノズルコート方式による塗布を行う際の隔壁としての機能も有している。なお、有機層１４ないし第２電極層１６は、開口だけでなく開口規定絶縁膜２４の上にも設けられていてもよいが、発光が生じるのは開口規定絶縁膜２４の開口に相当する発光部２０のみである。

有機層１４は、開口規定絶縁膜２４によって画定された発光部２０に全面に亘って隙間無く形成されている。有機層１４は、例えば図６に示したように、第１電極層１３の側から正孔注入層１４Ａ、正孔輸送層１４Ｂ、発光層１４Ｃ、電子輸送層１４Ｄが順に積層された構成を有する。但し、発光層１４Ｃ以外の層は、必要に応じて設ければよい。

正孔注入層１４Ａは、発光層１４Ｃへの正孔注入効率を高めるためのものであると共に、リークを防止するためのバッファ層である。正孔注入層１４Ａの厚みは例えば５ｎｍ〜１００ｎｍであることが好ましく、より好ましくは８ｎｍ〜５０ｎｍである。正孔注入層１４Ａの構成材料は、電極や隣接する層の材料との関係で適宜選択すればよく、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリフェニレンビニレン、ポリチエニレンビニレン、ポリキノリン、ポリキノキサリンおよびそれらの誘導体、芳香族アミン構造を主鎖又は側鎖に含む重合体などの導電性高分子、金属フタロシアニン（銅フタロシアニン等）、カーボンなどが挙げられる。正孔注入層１４Ａに用いられる材料が高分子材料である場合には、その高分子材料の重量平均分子量（Ｍｗ）は１万〜３０万の範囲であればよく、特に５０００〜２０万程度が好ましい。また、２０００〜１万程度のオリゴマーを用いてもよいが、Ｍｗが５０００未満では正孔輸送層以後の層を形成する際に、正孔注入層が溶解してしまうおそれがある。また３０万を超えると材料がゲル化し、成膜が困難になるおそれがある。正孔注入層１４Ａの構成材料として使用される典型的な導電性高分子としては、例えばポリアニリン、オリゴアニリンおよびポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）などのポリジオキシチオフェンが挙げられる。この他、エイチ・シー・スタルク製Nafion(商標)で市販されているポリマー、または商品名Liquion(商標)で溶解形態で市販されているポリマーや、日産化学製エルソース（商標）や、綜研化学製導電性ポリマーベラゾール（商標）などがある。

正孔輸送層１４Ｂは、発光層１４Ｃへの正孔輸送効率を高めるためのものである。正孔輸送層１４Ｂの厚みは、素子の全体構成にもよるが、例えば１０ｎｍ〜２００ｎｍであることが好ましく、さらに好ましくは１５ｎｍ〜１５０ｎｍである。正孔輸送層１４Ｂを構成する高分子材料としては、有機溶媒に可溶な発光材料、例えば、ポリビニルカルバゾール、ポリフルオレン、ポリアニリン、ポリシランまたはそれらの誘導体、側鎖または主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリピロールなどを用いることができる。正孔輸送層１４Ｂに用いられる材料が高分子材料である場合には、その重量平均分子量（Ｍｗ）は５万〜３０万であることが好ましく、特に、１０万〜２０万であることが好ましい。Ｍｗが５万未満では、発光層１４Ｃを形成するときに、高分子材料中の低分子成分が脱落し、正孔注入層１４Ａ，正孔輸送層１４Ｂにドットが生じるため、有機ＥＬ素子の初期性能が低下したり、素子の劣化を引き起こしたりするおそれがある。一方、３０万を越えると、材料がゲル化するため、成膜が困難になるおそれがある。なお、重量平均分子量（Ｍｗ）は、テトラヒドロフランを溶媒として、ゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ；Gel Permeation Chromatography）により、ポリスチレン換算の重量平均分子量を求めた値である。

発光層１４Ｃは、電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものである。発光層１４Ｃの厚みは、素子の全体構成にもよるが、例えば１０ｎｍ〜２００ｎｍであることが好ましく、さらに好ましくは１５ｎｍ〜１５０ｎｍである。発光層１４Ｃは高分子（発光）材料に低分子材料が添加された混合材料により構成されている。ここで低分子材料とは、モノマーまたはこのモノマーを２〜１０個結合したオリゴマーとし、５万以下の重量平均分子量を有するものが好ましい。なお、重量平均分子量が上記範囲を超えた低分子材料を必ずしも除外するものではない。発光層１４Ｃは、例えばインクジェット等の塗付法により形成してもよい。その際、高分子材料および低分子材料を例えばトルエン、キシレン、アニソール、シクロヘキサノン、メシチレン（１，３，５−トリメチルベンゼン）、ブサイドクメン(１，２，４−トリメチルベンゼン)、ジハイドロベンゾフラン、１，２，３，４−テトラメチルベンゼン、テトラリン、シクロヘキシルベンゼン、１−メチルナフタレン、ｐ−アニシルアルコール、ジメチルナフタレン、3-メチルビフェニル、４−メチルビフェニル、３−イソプロピルビフェニル、モノイソプロピルナフタレンなどの有機溶媒に少なくとも1種類以上使って溶解し、この混合溶液を用いて形成する。発光層１４Ｃを構成する高分子材料としては、例えばポリフルオレン系高分子誘導体や、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリチオフェン誘導体、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、あるいは上記高分子に有機ＥＬ材料をドープしたものが挙げられる。ドープ材料としては、例えばルブレン、ペリレン、９，１０ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６等を用いることができる。

また、発光層１４Ｃを構成する高分子材料に低分子材料を添加することが好ましい。発光層１４Ｃに添加する低分子材料は、低分子化合物が同じ反応または類似の反応を連鎖的に繰り返すことにより生じた高分子量の重合体または縮合体の分子からなる化合物以外のものであって、分子量が実質的に単一であるものを指す。また加熱による分子間の新たな化学結合は生じず、単分子で存在する。このような低分子材料の重量平均分子量（Ｍｗ）は５万以下であることが好ましい。これは分子量の大きい、例えば５万以上の材料に比べてある程度小さい分子量の材料のほうが多様な特性を有し、正孔または電子の移動度やバンドギャップあるいは溶媒への溶解度などを調整しやすいためである。また、低分子材料の添加量は、発光層１４Ｃに用いられる高分子材料：低分子材料の混合比率が、その重量比で１０：１以上１：２以下になるようにすることが好ましい。高分子材料：低分子材料の混合比率が１０：１未満では、低分子材料の添加による効果が低くなるためである。また、この混合比率が１：２を超える場合には、発光材料としての高分子材料が有する特性が得られにくくなるためである。このような低分子材料としては、例えば、ベンジン、スチリルアミン、トリフェニルアミン、ポルフィリン、トリフェニレン、アザトリフェニレン、テトラシアノキノジメタン、トリアゾール、イミダゾール、オキサジアゾール、ポリアリールアルカン、フェニレンジアミン、アリールアミン、オキサゾール、アントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベンあるいはこれらの誘導体、または、ポリシラン系化合物、ビニルカルバゾール系化合物、チオフェン系化合物あるいはアニリン系化合物等の複素環式共役系のモノマーあるいはオリゴマーを用いることができる。さらに具体的な材料としては、α−ナフチルフェニルフェニレンジアミン、ポルフィリン、金属テトラフェニルポルフィリン、金属ナフタロシアニン、ヘキサシアノアザトリフェニレン、７,７,８,８−テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）、７,７,８,８−テトラシアノ−２，３，５，６-テトラフルオロキノジメタン（Ｆ４−ＴＣＮＱ）、テトラシアノ４、４、４−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’、Ｎ’−テトラキス（ｐ−トリル）ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’、Ｎ’−テトラフェニル−４、４’−ジアミノビフェニル、Ｎ−フェニルカルバゾール、４−ジ−ｐ−トリルアミノスチルベン、ポリ（パラフェニレンビニレン）、ポリ（チオフェンビニレン）、ポリ（２、２’−チエニルピロール）などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。なお、発光層１４Ｃに添加する低分子材料は１種類だけでなく、複数種類を混合して用いてもよい。

発光層１４Ｃを構成する発光性ゲスト材料としては、発光効率が高い材料、例えば、低分子蛍光材料、りん光色素あるいは金属錯体等の有機発光材料が用いられる。ここで青色の発光性ゲスト材料とは、発光の波長範囲が約４００ｎｍ〜４９０ｎｍの範囲にピークを有する化合物を示す。このよう化合物として、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ナフタセン誘導体、スチリルアミン誘導体、ビス（アジニル）メテンホウ素錯体などの有機物質が用いられる。なかでも、アミノナフタレン誘導体、アミノアントラセン誘導体、アミノクリセン誘導体、アミノピレン誘導体、スチリルアミン誘導体、ビス（アジニル）メテンホウ素錯体から選択されることが好ましい。

電子輸送層１４Ｄは、発光層１４Ｃへの電子輸送効率を高めるためのものである。電子輸送層１４Ｄの材料としては、例えば、キノリン、ペリレン、フェナントロリン、ビススチリル、ピラジン、トリアゾール、オキサゾール、フラーレン、オキサジアゾール、フルオレノン、またはこれらの誘導体や金属錯体が挙げられる。具体的には、トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム（略称Ａｌｑ3 ）、アントラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、アントラセン、ペリレン、ブタジエン、クマリン、Ｃ６０、アクリジン、スチルベン、１，１０−フェナントロリンまたはそれらの誘導体や金属錯体が挙げられる。

電子輸送層１４Ｄと第２電極層１６との間には、ＬｉＦ，Ｌｉ₂Ｏなどよりなる電子注入層（図示せず）を設けてもよい。この電子注入層は、電子注入効率を高めるためのものであり、電子輸送層１４Ｄの全面に設けられている。このような電子注入層の材料としては、例えばリチウム（Ｌｉ）の酸化物である酸化リチウム（Ｌｉ₂Ｏ）や、セシウム（Ｃｓ）の複合酸化物である炭酸セシウム（Ｃｓ₂ＣＯ₃ ）、さらにはこれらの酸化物及び複合酸化物の混合物を用いることができる。また、電子注入層は、このような材料に限定されることはなく、例えば、カルシウム（Ｃａ）、バリウム（Ｂａ）等のアルカリ土類金属、リチウム、セシウム等のアルカリ金属、さらにはインジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）等の仕事関数の小さい金属、さらにはこれらの金属の酸化物及び複合酸化物、フッ化物等を、単体でまたはこれらの金属および酸化物及び複合酸化物、フッ化の混合物や合金として安定性を高めて使用してもよい。

なお、有機層１４は、発光層１４Ｃと接するように、他の正孔輸送層をさらに有していてもよい。この他の正孔輸送層は蒸着法を用いて形成するため、低分子材料、特にモノマーを用いることが好ましい。オリゴマーまたは高分子材料のような重合された分子は蒸着中分解が起こるおそれがあるためである。なお、他の正孔輸送層に用いる低分子材料は分子量の異なる２種以上の材料を混合して用いてもよい。他の正孔輸送層に用いられる低分子材料としては、発光層１４Ｃにおいて説明した低分子材料と同様に、例えば、ベンジン、スチリルアミン、トリフェニルアミン、ポルフィリン、トリフェニレン、アザトリフェニレン、テトラシアノキノジメタン、トリアゾール、イミダゾール、オキサジアゾール、ポリアリールアルカン、フェニレンジアミン、アリールアミン、オキサゾール、アントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベンあるいはこれらの誘導体、または、ポリシラン系化合物、ビニルカルバゾール系化合物、チオフェン系化合物あるいはアニリン系化合物等の複素環式共役系のモノマー、オリゴマーまたはポリマーを用いることができる。さらに具体的な材料としては、α−ナフチルフェニルフェニレンジアミン、ポルフィリン、金属テトラフェニルポルフィリン、金属ナフタロシアニン、ヘキサシアノアザトリフェニレン、７,７,８,８−テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）、７,７,８,８−テトラシアノ−２，３，５，６−テトラフルオロキノジメタン（Ｆ４−ＴＣＮＱ）、テトラシアノ４、４、４−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’、Ｎ’−テトラキス（ｐ−トリル）ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’、Ｎ’−テトラフェニル−４、４’−ジアミノビフェニル、Ｎ−フェニルカルバゾール、４−ジ−ｐ−トリルアミノスチルベン、ポリ（パラフェニレンビニレン）、ポリ（チオフェンビニレン）、ポリ（２、２’−チエニルピロール）などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。

第２電極層１６は、２以上もしくは全てのＥＬ素子１０Ｗに共通に設けられた共通電極であり、各ＥＬ素子１０Ｗにおける第１電極層１３と対向配置されている。第２電極層１６は、有機層１４のみならず、開口規定絶縁膜２４をも覆うように形成されており、例えば、２ｎｍ以上１５ｎｍ以下の厚さを有する。第２電極層１６は、発光層で発生した光に対して透光性を有する導電性材料により構成された透明電極である。したがって、その構成材料としては、例えば、ＩＴＯ、インジウムと亜鉛（Ｚｎ）と酸素とを含む化合物（例えばＩＺＯ）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）などが好ましい。また、第２電極層１６は、例えば、アルミニウム（Ａｌ），マグネシウム（Ｍｇ），カルシウム（Ｃａ），ナトリウム（Ｎａ）などの金属元素の単体または合金により構成された半透過性反射膜であってもよい。例えばマグネシウムと銀との合金（ＭｇＡｇ合金）、またはアルミニウム（Ａｌ）とリチウム（Ｌｉ）との合金（ＡｌＬｉ合金）が好適である。中でも、Ｍｇ−Ａｇ合金の場合、膜厚比でＭｇ：Ａｇ＝２０：１〜１：１の範囲であることが望ましい。また、第２電極層１６は、アルミキノリン錯体、スチリルアミン誘導体、フタロシアニン誘導体等の有機発光材料を含有した混合層でもよい。この場合には、さらに第３層としてＭｇＡｇのような光透過性を有する層を別途有していてもよい。

ＥＬ素子１０Ｗを覆う防湿膜１７は、例えば酸化シリコン（ＳｉＯx）、窒化シリコン（ＳｉＮx）、酸化窒化シリコン（ＳｉＮxＯy）、酸化チタン（ＴｉＯx）または酸化アルミニウム（ＡｌxＯy）などの、吸湿性が低い無機材料からなる。あるいはアルミニウムなどの金属材料を用いてもよい。防湿膜１７を設けることにより、ＥＬ素子１０Ｗが外気と遮断され、外部環境からＥＬ素子１０Ｗ内部への水分浸入が防止される。防湿膜１７は、第２電極層１６だけでなく、開口規定絶縁膜２４および平坦化膜２１８（後出）をも覆うようにほぼ一様に形成されている。すなわち、防湿膜１７は、表示領域１１０Ａから周辺領域１１０Ｂに至るまで連続的にＥＬ素子１０Ｗ、開口規定絶縁膜２４および平坦化膜２１８を覆っている。但し、防湿膜１７は、周辺領域１１０Ｂにおいて少なくとも開口規定絶縁膜２４および平坦化膜２１８を覆っていればよい。上述したように、開口規定絶縁膜２４および平坦化膜２１８は、いずれも吸湿性の高い有機材料により構成されているので、これらを通じてＥＬ素子１０Ｗの内部へ水分が浸入するのを防ぐ必要があるからである。なお、開口規定絶縁膜２４が周辺領域１１０Ｂに存在しない場合、防湿膜１７は平坦化膜２１８を覆っていればよい。また、防湿膜１７は、単層構造であってもよいが、厚さを大きくする場合には多層構造としてもよい。防湿膜１７における内部応力を緩和するためである。

充填層１８は、防湿膜１７の上にほぼ一様に形成された透明な樹脂層であり、接着層としても機能するものである。この充填層１８は、例えばエポキシ樹脂またはアクリル樹脂などからなり、好ましくは、充填層１８は熱硬化型樹脂または紫外線硬化型樹脂などからなる。充填層１８は、基体１１と封止基板１９との間に封止されている。

シール部２３は、封止基板１９端縁部に設けられ、表示領域１１０Ａを取り囲むように環状をなしている。シール部２３は、基板１１１と封止基板１９との間の各層を外部から封止するための部材である。このようなシール部２３もまた、例えばエポキシ樹脂またはアクリル樹脂などの非導電性材料からなる。但し、導電性の接着材料により形成してもよい。その場合、シール部２３は、充填層１８の流出を防ぐと共に第２電極層１６の電圧降下を低減する補助配線としての機能を果たすことができる。

封止基板１９は、充填層１８およびシール部２３とともに、ＥＬ素子１０Ｗを封止するものである。封止基板１９は、サブ画素１０Ｒ，サブ画素１０Ｇ，サブ画素１０Ｂから出射される各色光に対して高い透過性を有する透明ガラスなどの材料により構成されている。この封止基板１９における基板１１１側の面上には、例えば、赤色フィルタ，緑色フィルタおよび青色フィルタからなるカラーフィルタ（図示せず）と、ＢＭ層（遮光膜）とが設けられている。これにより、サブ画素１０Ｒ，サブ画素１０Ｇ，サブ画素１０Ｂ内の各ＥＬ素子１０Ｗから発せられた白色光が、上記した各色のカラーフィルタを透過することによって、赤色光，緑色光，青色光がそれぞれ出射されるようになっている。また、サブ画素１０Ｒ，サブ画素１０Ｇ，サブ画素１０Ｂ内ならびにその間の配線において反射された外光を吸収し、コントラストを改善するようになっている。また、表示領域１１０Ａと周辺領域１１０Ｂとの間の領域における対向面１９Ｓには、バーニア３２およびブラックマトリクス３３が設けられていてもよい。バーニア３２は封止基板１９を貼り合わせる際の位置決めに使用するものである。また、ブラックマトリクス３３は、不要光を遮光するものである。赤色フィルタ，緑色フィルタおよび青色フィルタは、それぞれ例えば矩形形状で隙間なく形成されている。これら赤色フィルタ，緑色フィルタおよび青色フィルタは、顔料を混入した樹脂によりそれぞれ構成されており、顔料を選択することにより、目的とする赤，緑あるいは青の波長域における光透過率が高く、他の波長域における光透過率が低くなるように調整されている。さらに、カラーフィルタにおける透過率の高い波長範囲と、共振器構造から取り出したい光のスペクトルのピーク波長λとは一致している。これにより、封止基板１９から入射する外光のうち、取り出したい光のスペクトルのピーク波長λに等しい波長を有するもののみがカラーフィルタを透過し、その他の波長の外光がＥＬ素子１０Ｗに侵入することが防止される。

遮光膜は、例えば黒色の着色剤を混入した光学濃度が１以上の黒色の樹脂膜、または薄膜の干渉を利用した薄膜フィルタにより構成されている。このうち黒色の樹脂膜により構成するようにすれば、安価で容易に形成することができるので好ましい。薄膜フィルタは、例えば、金属，金属窒化物あるいは金属酸化物よりなる薄膜を１層以上積層し、薄膜の干渉を利用して光を減衰させるものである。薄膜フィルタとしては、具体的には、クロムと酸化クロム（ＩＩＩ）（Ｃｒ₂Ｏ₃）とを交互に積層したものが挙げられる。

この表示装置１は、例えば次のようにして製造することができる。以下、図４〜図６などを参照して、本実施の形態の表示装置の製造方法について説明する。

まず、上述した材料よりなる基板１１１の上に、駆動トランジスタＴｒ１および書込トランジスタＴｒ２を含む画素駆動回路１４０を形成する。具体的には、まず、基板１１１上に例えばスパッタリングにより金属膜を形成する。そののち、例えばフォトリソグラフィ法やドライエッチング、あるいはウェットエッチングによりその金属膜をパターニングすることで、基板１１１上に金属層２１１Ｇ，２２１Ｇと、信号線１２０Ａの一部とを形成する。次いで、全面をゲート絶縁膜２１２によって覆う。さらに、ゲート絶縁膜２１２の上に、チャネル層、チャネル保護膜、ドレイン電極およびソース電極、ならびに、金属層２１６Ｄ，２２６Ｄおよび金属層２１６Ｓ，２２６Ｓを順に、所定形状に形成する。ここで、金属層２１６Ｄ，２２６Ｄおよび金属層２１６Ｓ，２２６Ｓの形成と併せて、信号線１２０Ａの一部、走査線１３０Ａを第２の金属層として各々形成する。その際、金属層２２１Ｇと走査線１３０Ａとを接続する接続部、金属層２２６Ｄと信号線１２０Ａとを接続する接続部、金属層２２６Ｓと金属層２１１Ｇとを接続する接続部を予め形成しておく。そののち、全体を保護膜２１７で覆うことにより、画素駆動回路１４０を完成させる。その際、保護膜２１７における金属層２１６Ｓ上の所定位置に、ドライエッチングなどにより開口を形成しておく。

画素駆動回路１４０を形成したのち、スピンコート法などにより、例えばポリイミドを主成分とする感光性樹脂を全面に亘って塗布する。次に、その感光性樹脂に対しフォトリソグラフィ処理を施すことにより、コンタクト部１２４を有する平坦化膜２１８を形成する。具体的には、例えば所定位置に開口を有するマスクを用いた選択的な露光および現像により、保護膜２１７に設けられた開口と連通するコンタクト部１２４を形成する。そののち、平坦化膜２１８を必要に応じて焼成してもよい。これにより画素駆動回路形成層１１２を得る。

さらに、上述した所定の材料よりなる第１電極層１３を形成する。具体的には、例えばスパッタリングによって上述の材料からなる金属膜を全面成膜したのち、その積層膜上に所定のマスクを用いて所定形状のレジストパターン（図示せず）を形成する。さらにそのレジストパターンをマスクとして用い、金属膜の選択的なエッチングを行う。その際、第１電極層１３については、平坦化膜２１８の表面を覆うと共にコンタクト部１２４を充填するように形成する。

こののち、隣り合う第１電極層１３同士の隙間を充填するように開口規定絶縁膜２４を形成する。具体的には、例えば第１電極層１３上および平坦化膜２１８上に、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition；化学気相成長）法により、ＳｉＯ₂等の無機絶縁材料を成膜し、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いてパターニングすることにより、下部開口規定絶縁膜を形成する。下部開口規定絶縁膜の所定位置、詳しくは画素の発光領域を囲む位置に、上述した感光性樹脂よりなる上部開口規定絶縁膜を形成する。これにより、上部開口規定絶縁膜および下部開口規定絶縁膜よりなる開口規定絶縁膜２４が形成される。

開口規定絶縁膜２４を形成したのち、基体１１における第１電極層１３および開口規定絶縁膜２４を形成した側の表面を酸素プラズマ処理し、その表面に付着した有機物等の汚染物を除去して濡れ性を向上させる。具体的には、基体１１を所定温度、例えば７０〜８０℃程度に加熱し、続いて大気圧下で酸素を反応ガスとするプラズマ処理（Ｏ₂プラズマ処理）を行う。

プラズマ処理を行ったのち、撥水化処理（撥液化処理）を行うことにより、特に上部開口規定絶縁膜の上面及び側面の濡れ性を低下させる。具体的には、大気圧下で４フッ化メタンを反応ガスとするプラズマ処理（ＣＦ₄プラズマ処理）を行い、その後、プラズマ処理のために加熱された基体１１を室温まで冷却することで、上部開口規定絶縁膜の上面及び側面を撥液化し、その濡れ性を低下させる。なお、このＣＦ4プラズマ処理においては、第１電極層１３の露出面および下部開口規定絶縁膜についても多少の影響を受けるが、第１電極層１３の材料であるＩＴＯおよび下部開口規定絶縁膜の構成材料であるＳｉＯ₂などはフッ素に対する親和性に乏しいため、酸素プラズマ処理で濡れ性が向上した面は濡れ性がそのままに保持される。

次いで、第１電極層１３のうち、上部開口規定絶縁膜に囲まれた領域内の露出している部分を完全に覆うように上述した所定の材料および厚みの正孔注入層１４Ａ、正孔輸送層１４Ｂ、発光層１４Ｃ、電子輸送層１４Ｄを、例えば蒸着法によって順に積層することで有機層１４を形成する。さらに、有機層１４を挟んで第１電極層１３と対向するように全面に亘って第２電極層１６を形成する。そののち、第２電極層１６を所定形状にパターニングすることでＥＬ素子１０Ｗを得る。

正孔注入層１４Ａは、蒸着により形成するのみならず、スピンコート法や液滴吐出法などの塗布法により形成してもよい。その場合、特に、上部開口規定絶縁膜に囲まれた領域に正孔注入層１４Ａの形成材料を選択的に配する必要上、液滴吐出法であるインクジェット方式や、ノズルコート方式を用いることが好ましい。

こののち、全体を覆うように、下地に対して影響を及ぼすことのない程度に、成膜粒子のエネルギーが小さい成膜方法、例えば蒸着法やＣＶＤ法により、上述した材料よりなる防湿膜１７を形成する。例えば、アモルファス窒化シリコンからなる防湿膜１７を形成する場合には、ＣＶＤ法によって２〜３μｍの膜厚に形成する。この際、有機層１４の劣化による輝度の低下を防止するため、成膜温度を常温に設定すると共に、防湿膜１７の剥がれを防止するために膜のストレスが最小になる条件で成膜することが望ましい。また、電子輸送層１４Ｄ，電子注入層１４Ｅ，第２電極層１６および防湿膜１７の形成は、望ましくは、大気に暴露されることなく同一の成膜装置内において連続して行われる。これにより大気中の水分による有機層１４の劣化が防止される。

最後に、防湿膜１７の上に充填層１８を設け、シール部２３を介して封止基板１９を貼り合わせる。以上により、表示装置１が完成する。

［表示装置１の作用・効果］
この表示装置１では、各画素に対して走査線駆動回路１３０から書込トランジスタＴｒ２のゲート電極を介して走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路１２０から画像信号が書込トランジスタＴｒ２を介して保持容量Ｃｓに保持される。すなわち、この保持容量Ｃｓに保持された信号に応じて駆動トランジスタＴｒ１がオンオフ制御され、これにより、ＥＬ素子１０Ｗに駆動電流Ｉｄが注入され、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。この光は、表示装置１が上面発光型（トップエミッション型）であることから、第２電極層１６、防湿膜１７、充填層１８、各色のカラーフィルタ（図示せず）および封止基板１９を透過して取り出される。このようにして、表示装置１において映像表示（カラー映像表示）がなされる。

ところで、従来の有機ＥＬ表示装置では、吸湿によって有機層の劣化が生じ、ＥＬ素子における発光輝度が低下し、あるいは発光が不安定になるなど、経時的な安定性を欠き、寿命が短いといった問題が指摘されていた。

これに対し、本実施の形態では、防湿膜１７によって周辺領域１１０Ｂにおける平坦化膜２１８を覆うようにした。このため、ＥＬ素子１０Ｗの下地となる平坦化膜２１８が、水分を含む外気から十分に遮蔽される。その結果、簡素な構造でありながら周辺領域１１０Ｂから表示領域１１０Ａへの水分浸入を効果的に防止することができる。よって、水による発光素子の劣化を抑え、高い動作信頼性を実現できる。さらに、例えば特許文献２，３に提案されている構造のように、表示領域と周辺領域との間の距離を広くする必要もないことから、狭額縁化をも図ることができる。

＜変形例＞
続いて、上記実施の形態の変形例（変形例１〜６）について説明する。なお、上記実施の形態における構成要素と同一のものには同一の符号を付し、適宜説明を省略する。

［変形例１］
図７は、変形例１としての表示装置１Ａの断面構成を表す。本変形例は、保護膜２１７と平坦化膜２１８との間に防湿膜２５を、平坦化膜２１８と開口規定絶縁膜２４との間に防湿膜２６をそれぞれ設けるようにしたものであり、他は上記実施の形態と同様の構成を有する。防湿膜２５，２６は、いずれも防湿膜１７と同様に吸湿性が低い無機材料からなり、平坦化膜２１８の端縁もしくは開口規定絶縁膜２４の端縁から表示領域１１０Ａへ向かうように延在している。防湿膜１７に加え、防湿膜２５，２６を設けることにより、外部環境からＥＬ素子１０Ｗ内部への水分浸入が確実に防止される。保護膜２１７と平坦化膜２１８との境界部分、もしくは平坦化膜２１８と開口規定絶縁膜２４との境界部分を伝播してＥＬ素子１０Ｗへ至る水分を確実に遮断できるからである。

［変形例２〜５］
図８，図９Ａ，図９Ｂは、それぞれ、変形例２〜５としての有機ＥＬ表示装置（以下、単に表示装置）１Ｂ，１Ｃ１，１Ｃ２の断面構成を表す。また、図９Ｃは、変形例５としての表示装置１Ｃ３の要部を拡大した断面構成を表す。本変形例２〜５は、いずれもシール部２３と対応する領域に分離溝２７を設けるようにしたものであり、他は上記実施の形態と同様の構成を有する。分離溝２７は、シール部２３と同様に、ＸＹ平面において環状をなすように表示領域１１０Ａを取り囲むように延在している。分離溝２７は、表示領域１１０Ａに設けられた開口規定絶縁膜２４および平坦化膜２１８と、周辺領域１１０Ｂに設けられた開口規定絶縁膜２４および平坦化膜２１８とを分離するものであり、その底部は保護膜２１７に到達している。分離溝２７においては、防湿膜１７（表示装置１Ｃ３では防湿膜２９）が充填されている。特に表示装置１Ｂ（変形例２）では、分離溝２７の内壁面を防湿膜１７が直接覆っている。また、表示装置１Ｃ１，１Ｃ２，１Ｃ３（変形例３〜５）では、分離溝２７における内壁面および底面を覆うように金属層２８がさらに設けられている。なお、この金属層２８は、図９Ｂに示した表示装置１Ｃ２のように、例えば第２電極層１６と同種の材料からなり、第２電極層１６と一体化されたものであってもよい。あるいは、図９Ａ，９Ｃにそれぞれ示した表示装置１Ｃ１，１Ｃ３のように、金属層２８を第２電極層１６と別体として形成する場合、第２電極層１６と異なる材料を選択してもよい。また、表示装置１Ｃ３のように、表示領域１１０Ａにおける開口規定絶縁膜２４および第２電極層１６を覆う防湿膜１７とは別体として、分離溝２７の内部を充填し、かつ周辺領域１１０Ｂにおける保護膜２１７および平坦化膜２１８を覆う３層構造の防湿膜２９を設けるようにしてもよい。防湿膜２９は、保護膜２１７および平坦化膜２１８の上に、第１〜第３の層２９１〜２９３が順に積層されたものである。第１および第３の層２９１，２９３は、例えば窒化シリコン（ＳｉＮx）などからなる窒化膜であり、第２の層２９２は、例えば酸化シリコン（ＳｉＯx）などの酸化物膜である。また、表示装置１Ｂ，１Ｃ１，１Ｃ２，１Ｃ３では、分離溝２７を複数設けるようにしてもよい。

表示装置１Ｂ，１Ｃ１，１Ｃ２では、防湿膜１７に加え、分離溝２７を設けるようにしたので、外部環境からＥＬ素子１０Ｗ内部への水分浸入がより確実に防止される。水分の伝播経路となる保護膜２１７および平坦化膜２１８が、表示領域１１０Ａと周辺領域１１０Ｂとで分断されているためである。

［変形例６］
図１０は、変形例６としての表示装置１Ｄの断面構成を表す。本変形例の表示装置１Ｄは、防湿膜１７の替わりに防湿膜３４を有する点を除き、他は上記実施の形態と同様の構成である。防湿膜３４は、基板１１１の端面から封止基板１９の端面に亘って連続して設けられ、それら基板１１１と封止基板１９とによって挟まれたＥＬ素子１０Ｗを含む領域を封止するものである。防湿膜３４は、例えば防湿膜１７と同様の無機材料からなる。

表示装置１Ｄでは、防湿膜３４を設けるようにしたので、外部環境からＥＬ素子１０Ｗ内部への水分浸入が確実に防止される。周辺領域１１０Ｂにおける平坦化膜２１８および開口規定絶縁膜２４が防湿膜３４によって覆われ、水分を含む外気から十分に遮蔽されるからである。さらに、防湿膜３４を導電性の無機材料によって形成した場合、それを信号線として利用することもできる。このような導電性材料としては、例えば白金（Ｐｔ），金（Ａｕ），銀（Ａｇ），クロム（Ｃｒ），タングステン（Ｗ），ニッケル（Ｎｉ），銅（Ｃｕ），鉄（Ｆｅ），コバルト（Ｃｏ），タンタル（Ｔａ），アルミニウム（Ａｌ），ネオジム（Ｎｄ）あるいはモリブデン（Ｍｏ）などの金属元素の単体または合金から構成されている。例えば、このような合金として、銀を主成分とし、０．３重量％〜１重量％のパラジウム（Ｐｄ）および０．３重量％〜１重量％の銅を含有するＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金や、Ａｌ−Ｎｄ合金を用いることができる。その際、外部との接続を行うＦＰＣなどの接続配線３１の一端を防湿膜３４に埋め込むようにしてもよい。なお、防湿膜３４を、シール部２３と共通化してもよい。

＜適用例＞
以下、上記実施の形態および変形例で説明した表示装置（表示装置１，１Ａ〜１Ｄ）の適用例について説明する。上記実施の形態等の表示装置は、テレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなどのあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。すなわち、上記実施の形態等の表示装置は、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。

（モジュール）
上記実施の形態等の表示装置は、例えば、図１１に示したようなモジュールとして、後述する第１〜第６の適用例１〜６などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、基板１１１の一辺に、封止基板１９等から露出した領域２１０を設け、この露出した領域２１０に、信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０の配線を延長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）２２０が設けられていてもよい。

（適用例１）
図１２は、上記実施の形態等の表示装置が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００は、上記実施の形態等に係る表示装置により構成されている。

（適用例２）
図１３Ａ，１３Ｂは、上記実施の形態等の表示装置が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、その表示部４２０は、上記実施の形態等に係る表示装置により構成されている。

（適用例３）
図１４は、上記実施の形態等の表示装置が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、その表示部５３０は、上記実施の形態等に係る表示装置により構成されている。

（適用例４）
図１５は、上記実施の形態等の表示装置が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有しており、その表示部６４０は、上記実施の形態等に係る表示装置により構成されている。

（適用例５）
図１６Ａ，１６Ｂは、上記実施の形態等の表示装置が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０は、上記実施の形態等に係る表示装置により構成されている。

（適用例６）
図１７Ａ，１７Ｂは、いわゆるタブレット型パーソナルコンピュータ（ＰＣ）の外観構成を表している。このタブレット型ＰＣは、例えば、表示部８１０と、それを保持する筐体などの非表示部８２０と、電源スイッチなどの操作部８３０とを備えている。なお、操作部８３０は、図１７Ａに示したように非表示部８２０の前面に設けられていてもよいし、図１７Ｂに示したように上面に設けられていてもよい。表示部８１０は、映像表示機能のほか、位置入力機能（ポインティング機能）を備えたタッチスクリーン（タッチパネル）である。

＜その他の変形例＞
以上、実施の形態およびいくつかの変形例を挙げて本技術を説明したが、本技術は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態等では、周辺領域１１０Ｂにおける平坦化膜２１８などを防湿膜１７，２９によって覆うことで、ＥＬ素子１０Ｗ内部への水分浸入を防止するようにした本開示はこれに限定されるものではない。例えば図１８に示した表示装置１Ｅのように、防湿膜１７の替わりにシール部２３と対応する領域に分離溝２７を設けると共に、シール部２３を金属材料によって形成し、シール部２３の一部が分離溝２７を充填するようにしてもよい（第７の変形例）。シール部２３に適用される金属材料としては、例えば白金（Ｐｔ），金（Ａｕ），銀（Ａｇ），クロム（Ｃｒ），タングステン（Ｗ），ニッケル（Ｎｉ），銅（Ｃｕ），鉄（Ｆｅ），コバルト（Ｃｏ），タンタル（Ｔａ），アルミニウム（Ａｌ），ネオジム（Ｎｄ）あるいはモリブデン（Ｍｏ）などの 金属元素の単体または合金が挙げられる。より具体的には、銀を主成分とし、０．３重量％〜１重量％の パラジウム（Ｐｄ）および０．３重量％〜１重量％の銅を含有するＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金や、 Ａｌ−Ｎｄ合金を用いることができる。 または、ジュメット線（鉄ニッケル合金線を心材とした銅線（銅被覆鉄ニッケル合金線））をシール部２３に適用してもよい。

表示装置１Ｅでは、金属材料からなるシール部２３の一部によって充填された分離溝２７を設けるようにしたので、外部環境からＥＬ素子１０Ｗ内部への水分浸入がより確実に防止される。さらに、シール部２３を配線として利用することもできる。シール部２３は、例えば、マスクを用い、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法あるいはメッキ法等を用いて形成することができる。 また、ジュメット線を用いる場合には、ジュメット線をバーナーなどにより加熱して所定位置に溶着することでシール部２３を形成すればよい。なお、シール部２３を形成する際、外部との接続を行うＦＰＣなどの引出線（図示せず）の一端をシール部２３に埋め込むようにしてもよい。

また、本技術では、例えば図１９Ａに示した表示装置１Ｆ１のように、シール部２３と対応する領域に分離溝２７を設けると共に、その分離溝２７の内面を金属層２８によって覆い、さらに分離溝２７の内部を防湿膜１７で充填するようにしてもよい（第８の変形例）。あるいは図１９Ｂに示した表示装置１Ｆ２のように、防湿膜１７とは別体として、分離溝２７の内部を充填する３層構造の防湿膜２９を設けるようにしてもよい。防湿膜２９は、第１〜第３の層２９１〜２９３が順に積層されたものである。第１および第３の層２９１，２９３は、例えば窒化シリコン（ＳｉＮx）などからなる窒化膜であり、第２の層２９２は、例えば酸化シリコン（ＳｉＯx）などの酸化物膜である（第９の変形例）。あるいは、図２０に示した表示装置１Ｇのように、２つの分離溝２７Ａ，２７Ｂを設け、内部を金属層２８で充填してもよい（第１０の変形例）。

本技術では、例えば図２１Ａに示した表示装置１Ｈ１のように、表示領域１１０Ａにおける開口規定絶縁膜２４と有機層１４との間に、防湿膜１７を設けるようにしてもよい。これにより、表示領域１１０Ａにおける開口規定絶縁膜２４に含まれる水分によってＥＬ素子１０Ｗが劣化するのを防ぐことができる（第１１の変形例）。さらに、図２１Ｂに示した表示装置１Ｈ２のように平坦化膜２１８と開口規定絶縁膜２４との間にも防湿膜２６を設けるとよい（第１２の変形例）。なお、表示装置１Ｈ１，１Ｈ２を形成するには、開口規定絶縁膜２４を形成したのち、その開口規定絶縁膜２４を覆うように防湿性かつ絶縁性を有する所定の材料（例えばＳｉＮ）を、ＣＶＤ法、リソグラフィー法、エッチングで形成する。 そののち、有機層１４を例えば蒸着法で形成したのち、第２電極層１６を形成することで表示装置１Ｈ１，１Ｈ２を得る。

また、本技術では、例えば図２２Ａ，２２Ｂに示した表示装置１Ｊ（第１３の変形例）のように、防湿膜１７の替わりに、高い防湿性を有する絶縁性樹脂からなる防湿膜３５を設けるようにしてもよい。表示装置１Ｊでは、防湿膜３５が、基板１１１の端面から封止基板１９の端面に亘って連続して設けられ、それら基板１１１と封止基板１９とによって挟まれたＥＬ素子１０Ｗを含む領域を封止する。表示装置１Ｊは、例えば図２３に示したように封止基板１９の外縁に沿って所定の樹脂を塗布したのち、それを硬化させて防湿膜３５を形成することで得られる。また、例えば図２４Ａ，２４Ｂに示した表示装置１Ｋ（第１４の変形例）のように、樹脂層３５１を形成したのち、さらにスパッタリング等により無機材料を樹脂層３５１の上に堆積させ、無機層３５２を形成することで２層構造の防湿膜３５としてもよい。なお、樹脂層を形成することなく、直接、無機材料や金属材料を堆積させることで防湿膜３５を形成してもよい。そのような無機材料としては、酸化シリコン（ＳｉＯx）、窒化シリコン（ＳｉＮx）、酸窒化シリコン（ＳｉＮxＯy）、炭化シリコン（ＳｉＣx）、酸化チタン（ＴｉＯx）または酸化アルミニウム（ＡｌxＯy）などの、吸湿性が低い無機材料が好適である。また、金属材料としては、白金（Ｐｔ），金（Ａｕ），銀（Ａｇ），クロム（Ｃｒ），タングステン（Ｗ），ニッケル（Ｎｉ），銅（Ｃｕ），鉄（Ｆｅ），コバルト（Ｃｏ），タンタル（Ｔａ），チタン（Ｔｉ），アルミニウム（Ａｌ），ネオジム（Ｎｄ）あるいはモリブデン（Ｍｏ）などの 金属元素の単体または合金、例えば、銀を主成分とし、０．３重量％〜１重量％の パラジウム（Ｐｄ）および０．３重量％〜１重量％の銅を含有するＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金や、 Ａｌ−Ｎｄ合金、ジュメット線（鉄ニッケル合金線を心材とした銅線（銅被覆鉄ニッケル合金線））などが好適である。また、例えば図２５に示した表示装置１Ｌ（第１５の変形例）のように、防湿膜３７によって基板１１１と封止基板１９との間のＥＬ素子１０Ｗを含む領域を封止してもよい。表示装置１Ｌは、基板１１１の外縁に沿ってフリットガラスを塗布したのち、例えば図２６に示したようにそのフリットガラスに対しレーザを照射するなどしてガラスからなる防湿膜３７を形成し基板１１１と封止基板１９とを溶接することで得られる。また、例えば図２７に示した表示装置１Ｍ（第１６の変形例）のように基板１１１および封止基板１９の端面を凹部形状に加工したのち、防湿膜３５，３７を形成してもよい。

また、本技術では、防湿膜１７の替わりにシール部２３と対応する領域に分離溝２７を設けると共に、その分離溝２７の内面を金属層２８と３層構造の防湿膜によって覆うようにしてもよい。そのような３層構造の防湿膜は、例えば窒化シリコン（ＳｉＮx）などからなる一対の窒化物膜、もしくは炭化シリコン（ＳｉＣx）などからなる一対の炭化物膜によって酸化シリコン（ＳｉＯx）などの酸化物膜を挟んだものである。または、酸化シリコン（ＳｉＯx）などからなる一対の酸化物膜により、窒化シリコン（ＳｉＮx）などからなる窒化物膜もしくは炭化シリコン（ＳｉＣx）などからなる炭化物膜を挟んだものである。そのような３層構造の防湿膜は、例えば窒化シリコン（ＳｉＮx）などからなる一対の窒化物膜によって酸化シリコン（ＳｉＯx）などの酸化物膜を挟んだものである。なお、その３層構造の防湿膜を周辺領域１１０Ｂにまで延在し、平坦化膜２１８などを防湿膜３４によって覆うようにすると、より防湿性能が向上するので好ましい。

また、上記実施の形態では、全ての有機発光素子を、白色光を発するものとし、別途設けたカラーフィルタにより各色光を取り出す場合について例示したが、本技術はこれに限定されない。例えば有機層１４を所定の材料を用いて塗り分けることで赤色光、緑色光および青色光をそれぞれ発する有機発光素子を設けるようにしてもよい。

さらには、黄色光および青色光をそれぞれ発する有機発光素子１０Ｙ，１０Ｂと赤色、緑色、青色および黄色のカラーフィルタとを併用することで、赤色光、緑色光、青色光および黄色光を取り出すようにした表示装置であってもよい。あるいは、黄色光および青色光をそれぞれ発する有機発光素子１０Ｙ，１０Ｂと赤色、緑色および青色のカラーフィルタとを併用することで、赤色光、緑色光および青色光を取り出すようにした表示装置であってもよい。

また、本技術は、上記実施の形態において説明した各層の材料や積層順序、あるいは成膜方法などに限定されるものではない。例えば、上記実施の形態においては、第１電極層１３をアノード、第２電極層１６をカソードとする場合について説明したが、第１電極層１３をカソード、第２電極層１６をアノードとしてもよい。なお、第１電極層１３がカソードとして使われる場合には、第１電極層１３は正孔注入性の高い材料により構成されていることが望ましい。但し、アルミニウム合金のように、表面の酸化皮膜の存在や、仕事関数が大きくないことによる正孔注入障壁が問題となる材料においても、適切な正孔注入層を設けることによって第１電極層１３として使用することが可能である。さらに、上記実施の形態では、発光部２０の構成を具体的に挙げて説明したが、他の層をさらに備えていてもよい。例えば、第１電極層１３と有機層１４との間に、酸化クロム（ＩＩＩ）（Ｃｒ₂Ｏ₃），ＩＴＯ（Indium-Tin Oxide：インジウム（Ｉｎ）およびスズ（Ｓｎ）の酸化物混合膜）などからなる正孔注入用薄膜層を備えていてもよい。

１０Ｗ…白色有機ＥＬ素子、１１…基体、１１１…基板、１１２…画素駆動回路形成層、１２…発光素子形成層、１３…第１電極層、１４…有機層、１４Ａ…正孔注入層、１４Ｂ…正孔輸送層、１４Ｃ…発光層、１４Ｄ…電子輸送層、１６…第２電極層、１７，２５，２６，２９，３４，３５…防湿膜、１８…充填層、１９…封止基板、２０…発光部、２１…間隙部、２２…導電膜パターン、２３…シール部、２４…開口規定絶縁膜、１２４…コンタクト部、２７…分離溝、２８…金属層、１１０Ａ…表示領域、１１０Ｂ…周辺領域、１２０…信号線駆動回路、１２０Ａ…信号線、１３０…走査線駆動回路、１３０Ａ…走査線、１４０…画素駆動回路、２１７…保護膜（パッシベーション膜）、２１８…平坦化膜、Ｃｓ…キャパシタ（保持容量）、Ｔｒ１…駆動トランジスタ、Ｔｒ２…書込トランジスタ。

Claims (9)

1. 第１の基板と、
   前記第１の基板上における表示領域に配列され、第１電極層と発光層と第２電極層との積層構造を各々含む複数の発光素子と、
   前記第１の基板と前記発光層との間の階層に位置する第１の無機層と、
   複数の前記発光層を覆う第２の無機層と、
   前記第１の基板と前記第１電極層との間の階層に位置する第１の有機層と、
   前記第１電極層と前記第２の無機層との間の階層に位置する第２の有機層と、
   前記第１の有機層および前記第２の有機層を貫くと共に前記表示領域を取り囲むように設けられた分離溝と
   を有し、
   前記第１の無機層および前記第２の無機層は、
   前記分離溝において前記第１の有機層の外縁および前記第２の有機層の外縁の双方を封止する第１の封止部と、
   前記第１の封止部から見て前記複数の発光素子と反対側において前記第１の有機層の外縁および前記第２の有機層の外縁の双方を封止する第２の封止部と
   を含んでいる
   表示装置。
2. 前記第２の無機層の、前記第１の有機層と反対側に設けられた第３の有機層をさらに有し、
   前記第２の封止部は、前記第３の有機層の外縁よりも外側に位置する
   請求項１記載の表示装置。
3. 前記第２の無機層の、前記第１の有機層と反対側に設けられた第３の有機層をさらに有し、
   前記第１の封止部は、前記第３の有機層の外縁よりも外側に位置する
   請求項１または請求項２記載の表示装置。
4. 前記第２の無機層の、前記第１の有機層と反対側に設けられた第３の有機層をさらに有し、
   前記第１の封止部は、前記第３の有機層の外縁よりも内側に位置する
   請求項１または請求項２記載の表示装置。
5. 前記第３の有機層の、前記第２の無機層と反対側に設けられた第２の基板をさらに有し、
   前記第２の基板の外端は、前記第１の封止部よりも外側に位置する
   請求項２から請求項４のいずれか１項に記載の表示装置。
6. 第１の基板と、
   前記第１の基板上における表示領域に配列され、第１電極層と発光層と第２電極層との積層構造を各々含む複数の発光素子と、
   前記第１の基板と前記発光層との間の階層に位置する第１の無機層と、
   前記第１の基板と前記第１電極層との間の階層に位置する第１の有機層と、
   前記第１電極層と前記第２電極層との間の階層に位置する第２の有機層と、
   前記複数の発光素子を覆う透明な第３の有機層と、
   前記透明な第３の有機層を覆う透明な第２の無機層と、
   前記透明な第２の無機層とともに前記透明な第３の有機層の外側を覆う第３の無機層と
   を有し、
   前記第３の無機層は、前記第１の無機層とともに前記第１の有機層の外縁および前記第２の有機層の外縁の双方を封止する
   表示装置。
7. 前記透明な第３の有機層と前記第３の無機層との間に設けられ、前記透明な第２の無機層によって覆われた第４の有機層をさらに有する
   請求項６に記載の表示装置。
8. 前記第３の無機層は、導電性材料を含む
   請求項７記載の表示装置。
9. 表示装置を備えた電子機器であって、
   前記表示装置は、
   第１の基板と、
   前記第１の基板上における表示領域に配列され、第１電極層と発光層と第２電極層との積層構造を各々含む複数の発光素子と、
   前記第１の基板と前記発光層との間の階層に位置する第１の無機層と、
   複数の前記発光層を覆う第２の無機層と、
   前記第１の基板と前記第１電極層との間の階層に位置する第１の有機層と、
   前記第１電極層と前記第２の無機層との間の階層に位置する第２の有機層と、
   前記第１の有機層および前記第２の有機層を貫くと共に前記表示領域を取り囲むように設けられた分離溝と
   を有し、
   前記第１の無機層および前記第２の無機層は、
   前記分離溝において前記第１の有機層の外縁および前記第２の有機層の外縁の双方を封止する第１の封止部と、
   前記第１の封止部から見て前記複数の発光素子と反対側において前記第１の有機層の外縁および前記第２の有機層の外縁の双方を封止する第２の封止部と
   を含んでいる
   電子機器。
   

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