CN113809262A - 显示装置 - Google Patents

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CN113809262A
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CN
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sub
inorganic layer
light
display device
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金容铎
朴哲彦
龙学重
李伦圭
赵尹衡
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Samsung Display Co Ltd
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Abstract

一种显示装置包括：基体；在所述基体上的发光元件；在所述发光元件上的封盖层；薄膜封装层，所述薄膜封装层包括在所述封盖层上的第一无机层、在所述第一无机层上的有机层以及在所述有机层上的第二无机层；以及在所述薄膜封装层上且与所述发光元件重叠的波长转换图案，其中所述第一无机层包括具有不同折射率的两个子无机层。

Description

显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年6月17日提交的韩国专利申请第10-2020-0073592号的优先权和权益，该韩国专利申请的整个公开通过引用而包含于此。
技术领域
本公开涉及一种显示装置。
背景技术
随着多媒体的发展，显示装置变得越来越重要。因此，正在开发诸如液晶显示装置和有机发光二极管显示装置这样的各种显示装置。
在通常可用的显示装置中，自发光显示装置包括诸如有机发光二极管这样的自发光元件。自发光元件可以包括彼此面对(例如重叠)的两个电极以及介于这两个电极之间的发光层。当自发光元件是有机发光二极管时，从这两个电极提供的电子和空穴可以在发光层中复合以产生激子。随着所产生的激子从激发态变为基态，可以发射光。
因为自发光显示装置不需要诸如背光单元这样的光源，因此它们的功耗可以很低，可做得轻薄，并且可以具有宽视角、高的亮度和对比度、以及快的响应速度。由于这些高质量特性，自发光显示装置作为下一代显示装置而引起了人们的注意。
发明内容
作为使显示装置的每个像素唯一地显示一种原色的一种方式，可以在从光源延伸到观看者的光路上在每个像素中放置颜色图案或波长转换图案。
本公开的各方面针对一种具有改善的可靠性和光效率的显示装置。
然而，本公开的各方面不局限于这里所阐述的各方面。通过参考下面给出的对本公开的详细描述，本公开的以上和其它各方面对于本公开所属领域的普通技术人员将变得更加显而易见。
显示装置的实施例包括：基体；基体上的发光元件；发光元件上的封盖层；薄膜封装层，薄膜封装层包括在封盖层上的第一无机层、在第一无机层上的有机层以及在有机层上的第二无机层；以及在薄膜封装层上且与发光元件重叠的波长转换图案，其中第一无机层包括具有不同折射率的两个子无机层。
显示装置的实施例包括：基体；基体上的发光元件；薄膜封装层，薄膜封装层包括在发光元件上的第一无机层、在第一无机层上的第一有机层以及在第一有机层上的第二无机层；在薄膜封装层上且与发光元件重叠的波长转换图案；在波长转换图案上的封盖层；在封盖层上且与波长转换图案重叠的滤色器；在滤色器上且包括第三无机层、在第三无机层上的第二有机层以及在第二有机层上的第四无机层的上薄膜封装层，其中第三无机层包括在滤色器上的第一子无机层以及在第一子无机层上的第二子无机层，并且第一子无机层的折射率与第二子无机层的折射率不同。
附图说明
从以下结合附图对本公开的一些实施例的描述，这些和/或其它方面将变得显而易见且更容易理解，在附图中：
图1是根据实施例的显示装置的示意性透视图；
图2A是沿着图1的线X1-X1’所截取的根据实施例的显示装置的示意性截面图；
图2B是图2A的变形示例的截面图；
图3是图1的部分Q1的放大平面图，更具体地是包含在图1的显示装置中的显示基底的示意性平面图；
图4是图1的部分Q1的放大平面图，更具体地是包含在图1的显示装置中的颜色转换基底的示意性平面图；
图5是图3的变形示例的平面图；
图6是图4的变形示例的平面图；
图7是沿着图3和图4的线X3-X3’所截取的根据实施例的显示装置的截面图；
图8是图7的部分Q3的放大截面图；
图9是图8中所示的结构的变形示例的截面图；
图10是图7的部分Q5的放大截面图；
图11是示出了根据折射率变化的消光系数的变化的曲线图；
图12是图10的变形示例的截面图；
图13是图10的变形示例的截面图；
图14是图10的变形示例的截面图；
图15是示出了根据实施例的显示装置的颜色转换基底中的第三滤色器和颜色图案的示意性布置的平面图；
图16是示出了根据实施例的显示装置的颜色转换基底中的阻光图案的示意性布置的平面图；
图17是示出了根据实施例的显示装置的颜色转换基底中的第一滤色器的示意性布置的平面图；
图18是示出了根据实施例的显示装置的颜色转换基底中的第二滤色器的示意性布置的平面图；
图19是示出了根据实施例的显示装置的颜色转换基底中的堤状图案、第一波长转换图案、第二波长转换图案以及透光图案的示意性布置的平面图；
图20是用于对根据实施例的显示装置的可靠性进行说明的视图；
图21是沿着图3和图4的线X3-X3’所截取的根据实施例的显示装置的截面图；
图22是沿着图3和图4的线X3-X3’所截取的根据实施例的显示装置的截面图；
图23是图22的部分Q7的放大截面图；以及
图24是图23的变形示例的截面图。
具体实施方式
现在将在下文中参考附图对本公开进行更全面地描述，在附图中示出了本公开的一些实施例。然而，本公开可以具体体现为不同形式并且不应被解释为局限于在此所阐述的实施例。而是，提供这些实施例以使得本发明将是彻底和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达本公开的范围。在整个说明书中相同参考数字是指相同组件。在附图中，为了清楚起见，夸大了层和区域的厚度。
这里所使用的术语仅是为了描述所公开的实施例的目的并非旨在对本公开做出限制。如这里所使用的，单数形式“一个”、“一种”和“所述”旨在还包括复数形式，除非上下文另外明确指示出。将进一步理解的是术语“包括(comprises)”和“包含(comprising)”当在本说明书中使用时指定存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或增加一个或多个其它特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或其组。如这里所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项的任何和所有组合。
还将理解的是当元件被称为“在”另一元件“上”时，它可直接在另一元件上，或者还可以存在一个或多个中间元件。相反，当元件被称为“直接在”另一元件“上”时，则不存在中间元件。
将理解的是尽管在这里可以使用术语第一，第二等来描述各种元件，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分。因而，在不脱离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件、组件、区域、层或部分可以被称为第二元件、组件、区域、层或部分。
在这里参考平面和截面图示描述了实施例，所述平面和截面图示是本公开的理想化实施例的示意性图示。因而，可以预期到由于例如制造技术和/或裕度所导致的图示形状的变化。因而，本公开的实施例不应被解释为局限于这里所示的特定的区域形状，而是包括由例如制造所导致的形状偏差。因而，图中所示的区域本质上是示意性的并且它们的形状不是旨在示出装置的区域的精确形状并且不是旨在限制本公开的范围。如这里所使用的，术语“基本上”、“大约”、“大致”及类似术语被用作近似术语而不是程度术语，并且旨在考虑到了本领域普通技术人员将会认识到的测量值或计算值的固有偏差。
此外，这里所述的任何数值范围旨在包括归入在所述范围之内的相同数值精度的所有子范围。例如，范围“1.0至10.0”旨在包括在所述最小值1.0与所述最大值10.0之间(并且包括)的所有子范围，也就是说，诸如例如2.4至7.6这样的具有等于或大于1.0的最小值以及等于或小于10.0的最大值。这里所述的任何最大数值限制旨在包括归入在其中的所有较低数值限制，并且在本说明书中所述的任何最小数值限制旨在包括归入在其中的所有较高数值限制。因此，申请人保留修改本说明书(包括权利要求书)的权利以明确表述归入在这里明确表述的范围之内的任何子范围。
在下文中，将参考附图描述本公开的实施例。如这里所使用的，当描述本公开的实施例时，术语“可以”的使用是指“本公开的一个或多个实施例”。
图1是根据实施例的显示装置1的示意性透视图。图2A是沿着图1的线X1-X1’所截取的根据实施例的显示装置1的示意性截面图。图2B是图2A的变形示例的截面图。
参考图1、图2A和图2B，显示装置1可以应用于各种适当的电子装置，其包括诸如平板个人计算机(PC)、智能电话、汽车导航单元、照相机、汽车中提供的中央信息显示器(CID)、腕表类电子装置(例如腕表电子装置)、个人数字助理(PDA)、便携式多媒体播放器(PMP)以及游戏机这样的中小型电子装置以及诸如电视、外部广告牌、监视器、与监视器集成在一起的台式计算机以及笔记本计算机这样的中大型电子装置。然而，这些仅是示例，并且在不脱离本公开的构思的情况下，显示装置1也可在其它适当的电子装置中使用。
在一些实施例中，显示装置1在平面图中可以是矩形的。显示装置1可以包括在第一方向X上延伸的两个第一侧以及在与第一方向X相交或交叉的第二方向Y上延伸的两个第二侧。显示装置1的第一侧和第二侧相交的角可以是直角。然而，本公开不局限于此。例如，角可以是弯的。在一些实施例中，第一侧的长度可以与第二侧的长度不同，但是本公开不局限于此。显示装置1的平面形状不局限于上述示例并且可以是诸如例如圆形形状或其它形状这样的任何适当形状。
显示装置1可以包括用于显示图像的显示区域DA以及不显示图像的非显示区域NDA。在一些实施例中，非显示区域NDA可以位于显示区域DA周围，并且例如可以围绕显示区域DA。用户可以在与第一方向X和第二方向Y相交或交叉的第三方向Z上的箭头在图中所指向的方向上观看在显示区域DA中显示的图像。例如，可以在第三方向Z上(例如沿着或朝着第三方向Z)显示图像。
就显示装置1的示意性堆叠结构而言，在一些实施例中，如图2A中所示，显示装置1包括显示基底10以及面向显示基底10(例如与显示基底10重叠)的颜色转换基底30，并且可以进一步包括用于使显示基底10和颜色转换基底30以及显示基底10与颜色转换基底30之间的空间中的填料70(例如填充物)相接合的密封部分50。
显示基底10可以包括用于显示图像的元件和电路(例如诸如晶体管这样的像素电路)、用于限定显示区域DA中的发光区域和非发光区域的像素限定层以及自发光元件。在示例性实施例中，自发光元件可以包括有机发光二极管、量子点发光二极管、基于无机材料的微发光二极管(例如微型LED)和/或基于无机材料的纳米发光二极管(例如纳米LED)。为了便于描述起见，下面将以自发光元件为有机发光二极管进行描述。
可以在显示基底10的显示区域DA中限定多个发光区域。例如，如图3中所描述的，可以在显示基底10中限定第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3。第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3可以形成一组(例如“发光区域组”)，并且可以在显示区域DA中限定多个这样的发光区域组。与图1的部分Q1相对应的显示基底10的部分可以表示一个发光区域组。在一些实施例中，可以沿着第一方向X和第二方向Y重复地设置发光区域组。例如，发光区域组可以在由第一方向X和第二方向Y所限定的平面中被彼此布置成矩阵图案。稍后将对第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3进行更详细地描述。
就显示基底10的示意性堆叠结构而言，发光元件ED可以位于第一基体110上，第一封盖层160可以位于发光元件ED上以覆盖发光元件ED，并且薄膜封装层170可以位于第一封盖层160上以覆盖第一封盖层160。稍后将对显示基底10的堆叠结构进行更详细地描述。
发光元件ED可以位于显示区域DA中。在一些实施例中，发光元件ED可以分别与发光区域重叠。每个发光元件ED可以包括阳极AE、位于阳极AE上的发光层OL以及位于发光层OL上的阴极CE。在一些实施例中，阴极CE的一部分也可以位于非显示区域NDA中。例如，阴极CE可以是公共电极以与多个发光元件ED相对应。稍后将对阳极AE、发光层OL以及阴极CE进行更详细地描述。
第一封盖层160可以位于阴极CE上。在一些实施例中，第一封盖层160可以设置在显示区域DA和非显示区域NDA中并且可以覆盖发光元件ED。在一些实施例中，第一封盖层160的端部可以位于比阴极CE的端部相对更靠外的位置，并且第一封盖层160可以覆盖阴极CE。
在一些实施例中，第一封盖层160的端部可以位于比密封部分50相对更远的位置，并且可以与密封部分50间隔开。稍后将对第一封盖层160进行更详细地描述。
薄膜封装层170可以位于第一封盖层160上。在一些实施例中，薄膜封装层170可以设置在显示区域DA和非显示区域NDA中并且可以完全覆盖第一封盖层160。
在一些实施例中，薄膜封装层170可以包括位于第一封盖层160上的第一下无机层171、位于第一下无机层171上的第一有机层173以及位于第一有机层173上的第一上无机层175。在一些实施例中，第一下无机层171的端部和第一上无机层175的端部可以位于比第一有机层173相对更靠外的位置，并且第一下无机层171和第一上无机层175可以在非显示区域NDA中彼此接触。
在一些实施例中，薄膜封装层170的端部可以位于比第一封盖层160的端部相对更靠外的位置。例如，第一下无机层171的端部和第一上无机层175的端部可以位于比第一封盖层160的端部相对更靠外的位置，并且第一下无机层171和第一上无机层175可以完全覆盖第一封盖层160。因此，可以防止或阻挡湿气和/或氧气渗透到第一封盖层160之中并使第一封盖层160变性。
稍后将对薄膜封装层170进行更详细地描述。
颜色转换基底30可以位于显示基底10上并且可以面向显示基底10(例如与显示基底10重叠)。在一些实施例中，颜色转换基底30可以包括用于对入射光的颜色进行转换的颜色图案。在一些实施例中，颜色转换基底30可以包括滤色器和/或波长转换图案作为颜色图案。在一些实施例中，颜色转换基底30可以包括滤色器和波长转换图案这两者。
在显示区域DA中，可以在颜色转换基底30中限定多个透光区域。例如，如在图4中将描述的，可以在颜色转换基底30中限定第一透光区域TA1、第二透光区域TA2和第三透光区域TA3。第一透光区域TA1、第二透光区域TA2和第三透光区域TA3可以形成一组(例如“透光区域组”)，并且可以在显示区域DA中限定多个这样的透光区域组。与图1的部分Q1相对应的颜色转换基底30的部分可以表示一个透光区域组。在一些实施例中，透光区域组可以沿着第一方向X和第二方向Y重复地设置并且可以被设置为与发光区域组相对应。稍后将对第一透光区域TA1、第二透光区域TA2和第三透光区域TA3进行更详细地描述。
密封部分50可以在非显示区域NDA中位于显示基底10与颜色转换基底30之间。密封部分50可以被设置为在非显示区域NDA中沿着显示基底10和颜色转换基底30的边缘以在平面图中在显示区域DA周围(例如围绕显示区域DA)。显示基底10和颜色转换基底30可以通过密封部分50彼此接合。
在一些实施例中，密封部分50可以是由有机材料制成的。例如，密封部分50可以是由环氧树脂制成的，但不局限于此。
在一些实施例中，密封部分50可以与显示基底10的薄膜封装层170重叠。例如，如图2A中所示，密封部分50可以在非显示区域NDA中位于薄膜封装层170与颜色转换基底30之间。在一些实施例中，密封部分50可以直接接触薄膜封装层170。例如，如图2A中所示，密封部分50可以与薄膜封装层170的第一下无机层171和第一上无机层175重叠，并且可以直接接触第一上无机层175。
然而，本公开不局限于此。例如，密封部分50与薄膜封装层170之间的关系可以根据图2B中所示的实施例。例如，如图2B中所示，显示基底10’上的密封部分50可以与薄膜封装层170不重叠。例如，如图2B中所示，薄膜封装层170的端部可以位于比密封部分50相对更靠内的位置，并且薄膜封装层170和密封部分50可以彼此不重叠。
下面将以显示基底10具有图2A中所示的结构这样的情况为例进行描述。然而，本公开不局限于此。例如，稍后将描述的实施例的显示基底10’上的密封部分50与薄膜封装层170之间的关系也可根据图2B中所示的实施例。
填料70可以位于显示基底10与颜色转换基底30之间的空间中并且被密封部分50围绕(例如部分或全部围绕)。填料70可以填充显示基底10与颜色转换基底30之间的空间。
在一些实施例中，填料70可以是由能够透光的材料制成的。在一些实施例中，填料70可以是由有机材料制成的。例如，填料70可以是由硅基有机材料、环氧基有机材料或者硅基有机材料和环氧基有机材料的混合物制成的。
在一些实施例中，填料70可以是由具有基本为零的消光系数的材料制成的。折射率(折射指数)和消光系数相关，并且消光系数随着折射率的降低而降低。另外，当折射率为1.7或更小时，消光系数可收敛至基本上为零。在一些实施例中，填料70可以是由折射率为1.7或更小的材料制成的。因此，可防止由自发光元件所提供的光透射通过填料70并被填料70吸收，或者可以减少光的吸收或使其最小化。例如，可以防止由自发光元件提供的并透射通过填料70的光被填料70吸收，或者当光透射通过填料70时，可以减少光的吸收或使其最小化。在一些实施例中，填料70可以是由折射率为1.4至1.6的有机材料制成的。
图3是图1的部分Q1的放大平面图，更具体地是包含在图1的显示装置1中的显示基底10的示意性平面图。图4是图1的部分Q1的放大平面图，更具体地是包含在图1的显示装置1中的颜色转换基底30的示意性平面图。图5是图3的变形示例的平面图。图6是图4的变形示例的平面图。
除了参考图1和图2A之外，还参考图3至图6，可以在显示区域DA中的显示基底10中限定多个发光区域和非发光区域NLA。在一些实施例中，可以在显示区域DA中的显示基底10中限定第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3。第一发光区域LA1、第二发光区域LA2以及第三发光区域LA3中的每一个可以是由显示基底10的发光元件ED所产生的光从显示基底10发射出的区域，并且非发光区域NLA可以是没有光从显示基底10发射出的区域。
在一些实施例中，从第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3发射的光可以是第三颜色的光。在一些实施例中，第三颜色的光可以是蓝色光并且可以具有在约440nm至约480nm范围内的峰值波长。
在一些实施例中，第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3可以形成一组，并且可以在显示区域DA中限定多个这样的组。
在一些实施例中，如图3中所示，第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3可以顺序地沿着第一方向X。在一些实施例中，形成一组的第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3可以沿着第一方向X和第二方向Y被重复地布置在显示区域DA中。
然而，本公开不局限于此，并且第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3的布置可不同地且适当地变化。例如，如图5中所示，第一发光区域LA1和第二发光区域LA2可以沿着第一方向X彼此相邻，并且第三发光区域LA3可以沿着第二方向Y位于第一发光区域LA1和第二发光区域LA2的一侧(例如上侧)上。
将以如图3中所示的第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3的布置情况为例进行说明。
在一些实施例中，显示基底10的非显示区域NDA可以位于显示区域DA周围，并且例如可以围绕显示区域DA。
可以在显示区域DA中的颜色转换基底30中限定多个透光区域和阻光区域BA。每个透光区域可以是从显示基底10发射出的光透射通过颜色转换基底30并被提供到显示装置1外部的区域。阻光区域BA可以是从显示基底10发射出的光不能透射通过颜色转换基底30并被提供到显示装置1外部的区域(例如被阻挡)。
在一些实施例中，可以在颜色转换基底30中限定第一透光区域TA1、第二透光区域TA2和第三透光区域TA3。
第一透光区域TA1可以与第一发光区域LA1相对应和/或可以与第一发光区域LA1重叠。类似地，第二透光区域TA2可以与第二发光区域LA2相对应和/或重叠，并且第三透光区域TA3可以与第三发光区域LA3相对应和/或重叠。
在一些实施例中，如图3中所示，当第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3顺序地(例如被布置成)沿着第一方向X时，如图4中所示，第一透光区域TA1、第二透光区域TA2和第三透光区域TA3可以顺序地(例如被布置成)沿着第一方向X。
在一些实施例中，如图5中所示，当第一发光区域LA1和第二发光区域LA2沿着第一方向X彼此相邻并且第三发光区域LA3沿着第二方向Y而位于第一发光区域LA1和第二发光区域LA2的一侧(例如上侧)上时，如图6中所示，第一透光区域TA1和第二发光区域TA2可以沿着第一方向X彼此相邻，并且第三透光区域TA3可以沿着第二方向Y而位于第一透光区域TA1和第二透光区域TA2的一侧(例如上侧)上。
在一些实施例中，由显示基底10所提供的第三颜色的光可以通过第一透光区域TA1、第二透光区域TA2和第三透光区域TA3而发射出显示装置1。当在第一透光区域TA1中发射出显示装置1的光被称为第一输出光时，在第二透光区域TA2中发射出显示装置1的光被称为第二输出光，并且在第三透光区域TA3中发射出显示装置1的光被称为第三输出光，第一输出光可以是第一颜色的光，第二输出光可以是与第一颜色不同的第二颜色的光，并且第三输出光可以是第三颜色的光。在一些实施例中，如上所述，第三颜色的光可以是具有在约440nm至约480nm范围内的峰值波长的蓝色光，并且第一颜色的光可以是具有在约610nm至约650nm范围内的峰值波长的红色光。另外，第二颜色的光可以是具有在约510nm至约550nm范围内的峰值波长的绿色光。
阻光区域BA可以在显示区域DA中位于颜色转换基底30的第一透光区域TA1、第二透光区域TA2和第三透光区域TA3周围。在一些实施例中，阻光区域BA可以在(例如围绕)第一透光区域TA1、第二透光区域TA2和第三透光区域TA3的周围。
现在将对显示装置1的结构进行更详细地描述。
图7是沿着图3和图4的线X3-X3’所截取的根据实施例的显示装置1的截面图。图8是图7的部分Q3的放大截面图。图9是图8中所示的结构的变形示例的截面图。图10是图7的部分Q5的放大截面图。图11是示出了根据折射率变化的消光系数的变化的曲线图。
除了参考图1和图2A之外，还参考图7至图11，显示装置1可以包括如上所述的显示基底10和颜色转换基底30，并且可以进一步包括位于显示基底10与颜色转换基底30之间的填料70。
现在将描述显示基底10。
第一基体110可以是由透光材料制成的。在一些实施例中，第一基体110可以是玻璃基底和/或塑料基底。当第一基体110是塑料基底时，它可以具有适当的柔性。在一些实施例中，第一基体110可以进一步包括位于玻璃基底和/或塑料基底上的单独的层，例如缓冲层或绝缘层。
在一些实施例中，如上所述，可以在第一基体110中限定第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3以及非发光区域NLA。
如图7中所示，晶体管T1至T3可以位于第一基体110上。在一些实施例中，晶体管T1至T3中的每一个可以是薄膜晶体管。在一些实施例中，第一晶体管T1可以与第一发光区域LA1重叠，第二晶体管T2可以与第二发光区域LA2重叠，并且第三晶体管T3可以与第三发光区域LA3重叠。尽管在图中第一晶体管T1、第二晶体管T2和第三晶体管T3与发光区域LA重叠并且与非发光区域NLA不重叠，但这仅是示例。在实施例中，从第一晶体管T1、第二晶体管T2和第三晶体管T3中选择的至少一个可以与非发光区域NLA重叠。在一些实施例中，第一晶体管T1、第二晶体管T2和第三晶体管T3中的全部与非发光区域NLA重叠并且与发光区域LA不重叠。
用于将信号传送到每个晶体管的多条信号线(例如栅极线、数据线和/或电源线)可以进一步位于第一基体110上。
绝缘层130可以位于第一晶体管T1、第二晶体管T2和第三晶体管T3上。在一些实施例中，绝缘层130可以是平坦化层。在一些实施例中，绝缘层130可以包括(例如是)有机材料。例如，绝缘层130可以包括(例如是)丙烯酸树脂、环氧树脂、酰亚胺树脂和/或酯树脂。在一些实施例中，绝缘层130可以包括(例如是)光敏有机材料。
第一阳极AE1、第二阳极AE2和第三阳极AE3可以位于绝缘层130上。
第一阳极AE1可以与第一发光区域LA1重叠，并且第一阳极AE1的至少一部分可以延伸到非发光区域NLA。第二阳极AE2可以与第二发光区域LA2重叠，并且第二阳极AE2的至少一部分可以延伸到非发光区域NLA。第三阳极AE3可以与第三发光区域LA3重叠，并且第三阳极AE3的至少一部分可以延伸到非发光区域NLA。第一阳极AE1可以穿透第三绝缘层130并且可以耦接(例如连接)到第一晶体管T1，第二阳极AE2可以穿透第三绝缘层130并且可以耦接(例如连接)到第二晶体管T2，并且第三阳极AE3可以穿透第三绝缘层130并且可以耦接(例如连接)到第三晶体管T3。例如，第一阳极AE1、第二阳极AE2和第三阳极AE3可以通过绝缘层130中的各个接触孔而分别耦接(例如连接)到第一晶体管T1、第二晶体管T2和第三晶体管T3。
在一些实施例中，第一阳极AE1、第二阳极AE2和第三阳极AE3可以是反射电极。在这种情况下，第一阳极AE1、第二阳极AE2和第三阳极AE3中的每一个可以是如下金属层，所述金属层包括(例如是)诸如银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)和/或铬(Cr)这样的金属。在实施例中，第一阳极AE1、第二阳极AE2和第三阳极AE3中的每一个可以进一步包括堆叠在金属层上的金属氧化物层。在示例性实施例中，第一阳极AE1、第二阳极AE2和第三阳极AE3中的每一个可以具有诸如ITO/Ag、Ag/ITO、ITO/Mg或ITO/MgF2的两层结构或者ITO/Ag/ITO的三层结构这样的多层结构。
像素限定层150可以位于第一阳极AE1、第二阳极AE2和第三阳极AE3上。例如，像素限定层150可以覆盖第一阳极AE1、第二阳极AE2和第三阳极AE3的一部分(例如边缘)。像素限定层150可以具有暴露出第一阳极AE1(例如第一阳极AE1的中心部分)的开口、暴露出第二阳极AE2(例如第二阳极AE2的中心部分)的开口以及暴露出第三阳极AE3(例如第三阳极AE3的中心部分)的开口，并且可以限定第一发光区域LA1、第二发光区域LA2、第三发光区域LA3和非发光区域NLA。例如，未被像素限定层150覆盖而露出的第一阳极AE1的区域可以是第一发光区域LA1。类似地，未被像素限定层150覆盖而露出的第二阳极AE2的区域可以是第二发光区域LA2，并且未被像素限定层150覆盖而露出的第三阳极AE3的区域可以是第三发光区域LA3。另外，像素限定层150所处的区域可以是非发光区域NLA。
在一些实施例中，像素限定层150可以包括(例如是)诸如聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂和/或苯并环丁烯(BCB)这样的有机绝缘材料。
在一些实施例中，像素限定层150可以与稍后所述的颜色图案250重叠。另外，像素限定层150可以进一步与第一滤色器231和第二滤色器233重叠。
在一些实施例中，像素限定层150还可以与稍后所述的堤状图案370重叠。
如图7中所示，发光层OL可以位于第一阳极AE1、第二阳极AE2和第三阳极AE3上。
在一些实施例中，发光层OL可以呈遍及发光区域LA1至LA3和非发光区域NLA形成的连续层的形状。例如，发光层OL可以是公共层。稍后将对发光层OL进行更详细地描述。
如图7中所示，阴极CE可以位于发光层OL上。
在一些实施例中，阴极CE可以具有半透明或透明性。当阴极CE具有半透明性时，它可以包括(例如是)银(Ag)、镁(Mg)、铜(Cu)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、LiF、钼(Mo)、钛(Ti)或其化合物或混合物(例如Ag和Mg的混合物)或者具有诸如LiF/Ca或LiF/Al的多层结构的材料。另外，当阴极CE的厚度为数十埃至数百埃时，阴极CE可以具有半透明性。
当阴极CE具有透明性时，它可以包括(例如是)透明导电氧化物(TCO)。例如，阴极CE可以包括(例如是)氧化钨(WxOy)、氧化钛(TiO2)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡锌(ITZO)和/或氧化镁(MgO)。
第一阳极AE1、发光层OL和阴极CE可以构成第一发光元件ED1，第二阳极AE2、发光层OL和阴极CE可以构成第二发光元件ED2，并且第三阳极AE3、发光层OL和阴极CE可以构成第三发光元件ED3。第一发光元件ED1、第二发光元件ED2和第三发光元件ED3中的每一个可以发射输出光LE，并且可以将输出光LE提供给颜色转换基底30。
如图8中所示，最终从发光层OL发射的输出光LE可以是第一分量LE1与第二分量LE2的混合物。输出光LE中的第一分量LE1和第二分量LE2中的每一个可以具有440nm至小于480nm(例如等于或大于440nm且小于480nm)的峰值波长(例如在所述范围内的峰值波长)。例如，输出光LE可以是蓝色光。
如图8中所示，在一些实施例中，发光层OL可以具有其中多个发光层重叠的结构，例如可以具有串联结构。例如，发光层OL可以包括：其包括第一发光层EML1的第一堆叠体ST1；位于第一堆叠体ST1上且包括第二发光层EML2的第二堆叠体ST2；位于第二堆叠体ST2上并且包括第三发光层EML3的第三堆叠体ST3；位于第一堆叠体ST1与第二堆叠体ST2之间的第一电荷产生层CGL1；以及位于第二堆叠体ST2与第三堆叠体ST3之间的第二电荷产生层CGL2。第一堆叠体ST1、第二堆叠体ST2和第三堆叠体ST3可以彼此重叠。
第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3可以彼此重叠。
在一些实施例中，第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的每一个可以发射第三颜色的光(例如蓝色光)。例如，第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的每一个可以是蓝色发光层并且可以包括(例如是)有机材料。然而，本公开不局限于此。在实施例中，从第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中选择的至少一个可以包括(例如是)发射蓝色光的无机材料。例如，从第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中选择的至少一个可以是由基于无机材料的发光元件ED制成的或者可以是基于无机材料的发光元件ED的一部分。在一些实施例中，基于无机材料的发光元件ED可以是具有纳米尺寸的宽度的无机发光元件。
在一些实施例中，从第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中选择的至少一个可以发射具有第一峰值波长的第一蓝色光，并且从第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中选择的至少另一个可以发射具有与第一峰值波长不同的第二峰值波长的第二蓝色光。例如，从第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中选择的任何一个可以发射具有第一峰值波长的第一蓝色光，并且从第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中选择的另外两个可以发射具有第二峰值波长的第二蓝色光。例如，最终从发光层OL发射的输出光LE可以是第一分量LE1和第二分量LE2的混合物，第一分量LE1可以是具有第一峰值波长的第一蓝色光，并且第二分量LE2可以是具有第二峰值波长的第二蓝色光。
在一些实施例中，从第一峰值波长和第二峰值波长中选择的任何一个可以在440nm至小于460nm(例如等于或大于440nm且小于460nm)的范围内。从第一峰值波长和第二峰值波长中选择的另一个可以在460nm至480nm的范围内。然而，第一峰值波长的范围和第二峰值波长的范围不局限于该示例。例如，第一峰值波长的范围和第二峰值波长的范围中的每一个可以均包括460nm。在一些实施例中，从第一蓝色光和第二蓝色光中选择的任何一个可以是深蓝色的光，并且从第一蓝色光和第二蓝色光中选择的另一个可以是天蓝色的光。
根据一些实施例，从发光层OL发射的输出光LE是蓝色光并且可以包括长波长分量和短波长分量。因此，发光层OL可以最终(例如第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3可以共同地)发射具有更宽发射峰的蓝色光作为输出光LE，从而与发射具有尖锐发射峰的蓝色光的传统发光元件相比，改善了在侧视角度下的颜色可视性。
在一些实施例中，第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的每一个可以包括(例如是)基质和掺杂剂。基质没有特别限制，只要它是常用的或普遍可用的材料。例如，可以使用三-(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、4,4'-双(N-咔唑基)-1,1'-联苯基(CBP)、聚(n-乙烯基咔唑)(PVK)、9,10-二(萘-2-基)蒽(ADN)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)-三苯胺(TCTA)、1,3,5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、3-叔丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽(TBADN)、二苯乙烯基亚芳基(DSA)、4,4'-双(9-咔唑基)-2,2'-二甲基-联苯基(CDBP)和/或2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(MADN)。
发射蓝色光的第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的每一个可以包括(例如是)如下荧光材料，所述荧光材料含有螺环-DPVBi、螺环-6P、二苯乙烯基-苯(DSB)、二苯乙烯基-亚芳基(DSA)、聚芴(PFO)基聚合物和/或聚(对-亚苯基亚乙烯基)(PPV)基聚合物。在一些实施例中，可以包括含有诸如(4,6-F2ppy)2Irpic这样的有机金属复合物的磷光材料。然而，发射蓝色光的材料不局限于以上示例。
如上所述，从第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中选择的至少一个以及从第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中选择的至少另一个可以发射不同波长范围的蓝色光。为了发射不同波长范围的蓝色光，第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3可以包括(例如是)相同材料，并且可以利用用于调节共振距离的方法。在一些实施例中，为了发射不同波长范围的蓝色光，从第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中选择的至少一个以及从第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中选择的至少另一个可以包括(例如是)不同的材料。
然而，本公开不局限于此。第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的每一个可以发射具有440nm至480nm的峰值波长(例如在440nm至480nm范围内的峰值波长)的蓝色光并且可以是由相同材料制成的。
在一些实施例中，从第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中选择的至少一个可以发射具有第一峰值波长的第一蓝色光，而从第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中选择的另一个可以发射具有与第一峰值波长不同的第二峰值波长的第二蓝色光，并且从第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中选择的剩余一个可以发射具有与第一峰值波长和第二峰值波长不同的第三峰值波长的第三蓝色光。在一些实施例中，从第一峰值波长、第二峰值波长和第三峰值波长中选择的任何一个可以在440nm至小于460nm的范围内(例如等于或大于440nm且小于460nm)。从第一峰值波长、第二峰值波长和第三峰值波长中选择的另一个可以在460nm至小于470nm的范围内(例如等于或大于460nm且小于470nm)，并且从第一峰值波长、第二峰值波长和第三峰值波长中选择的剩余一个可以在470nm至480nm的范围内。
根据一些实施例，从发光层OL发射的输出光LE是蓝色光并且包括长波长分量、中波长分量和短波长分量。因此，发光层OL可以最终(例如第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3可以共同地)发射具有更宽发射峰的蓝色光作为输出光LE并且改善了在侧视角度下的颜色可视性。
根据上述实施例，与不采用串联结构的传统发光元件(即多个发光层堆叠的结构)相比，可提高光效率，并且可延长显示装置的寿命。
在一些实施例中，从第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中选择的至少一个可以发射第三颜色的光(例如蓝色光)，并且从第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中选择的至少另一个可以发射第二颜色的光(例如绿色光)。在一些实施例中，从第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中选择的至少一个发射的蓝色光可以具有在440nm至480nm或460nm至480nm范围内的峰值波长。从第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中选择的至少另一个发射的绿色光可以具有在510nm至550nm范围内的峰值波长。
例如，从第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中选择的任何一个可以是将发射绿色光的绿色发光层，而从第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中选择的其它两个可以是将发射蓝色光的蓝色光发射层。当从第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中选择的其它两个是蓝色发光层时，从两个蓝色发光层发射的蓝色光可以具有相同峰值波长范围或不同峰值波长范围。
根据一些实施例，从发光层OL发射的输出光LE可以是其是蓝色光的第一分量LE1与其是绿色光的第二分量LE2的混合物。例如，当第一分量LE1是深蓝色光并且第二分量LE2是绿色光时，输出光LE可以是具有天蓝色的光。与上述实施例类似，从发光层OL发射的输出光LE可以是蓝色光与绿色光的混合物并且包括长波长分量和短波长分量。因此，发光层OL可以最终(例如第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3可以共同地)发射具有更宽发射峰的蓝色光作为输出光LE并且改善了侧视角度下的颜色可视性。另外，因为输出光LE的第二分量LE2是绿色光，因此可补偿从显示装置1提供给外部的光的绿色光分量。因此，可改善显示装置1的颜色再现性。
在一些实施例中，第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3当中的绿色发光层可以包括(例如是)基质和掺杂剂。包含在绿色发光层中的基质没有特别限制，只要它是常用的或普遍可用的材料。例如，可以使用三-(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、4,4'-双(N-咔唑基)-1,1'-联苯基(CBP)、聚(n-乙烯基咔唑)(PVK)、9,10-二(萘-2-基)蒽(ADN)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)-三苯胺(TCTA)、1,3,5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、3-叔丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽(TBADN)、二苯乙烯基亚芳基(DSA)、4,4'-双(9-咔唑基)-2,2'-二甲基-联苯基(CDBP)、和/或2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(MADN)。
包含在绿色发光层中的掺杂剂可以是例如包括(例如是)三-(8-羟基喹啉)铝(III)(Alq3)的荧光材料和/或诸如fac三(2-苯基吡啶)铱(Ir(ppy)3)、双(2-苯基吡啶)(乙酰丙酮)铱(III)(Ir(ppy)2(acac))和/或2-苯基-4-甲基-吡啶铱(Ir(mpyp)3)这样的磷光材料。
第一电荷产生层CGL1可以位于第一堆叠体ST1与第二堆叠体ST2之间。第一电荷产生层CGL1可以将电荷注入到每个发光层之中(例如第一发光层EML1、第二发光层EML2、第三发光层EML3和/或第四发光层EML4，例如第一发光层EML1和第二发光层EML2)。第一电荷产生层CGL1可以控制第一堆叠体ST1与第二堆叠体ST2之间的电荷平衡。第一电荷产生层CGL1可以包括n型电荷产生层CGL11和p型电荷产生层CGL12。p型电荷产生层CGL12可以设置在n型电荷产生层CGL11上并且可以位于n型电荷产生层CGL11与第二堆叠体ST2之间。
第一电荷产生层CGL1可以具有其中n型电荷产生层CGL11和p型电荷产生层CGL12彼此接触(例如物理或直接接触)这样的结构。n型电荷产生层CGL11被设置为更靠近第一阳极AE1(图7的AE2、图7的AE3)和阴极CE当中的第一阳极AE1(图7的AE2，图7的AE3)。p型电荷产生层CGL12被设置为更靠近第一阳极AE1(图7的AE2，图7的AE3)和阴极CE当中的阴极CE。在一些实施例中，n型电荷产生层CGL11可以比p型电荷产生层CGL12更靠近第一阳极AE1，并且p型电荷产生层CGL2可以比n型电荷产生层CGL11更靠近阴极CE。例如，n型电荷产生层CGL11可以在第一阳极AE1与p型电荷产生层CGL12之间，并且p型电荷产生层CGL12可以在n型电荷产生层CGL11与阴极CE之间。n型电荷产生层CGL11将电子提供给与第一阳极AE1(图7的AE2，图7的AE3)邻近的第一发光层EML1，并且p型电荷产生层CGL12将空穴提供给包含在第二堆叠体ST2中的第二发光层EML2。因为第一电荷产生层CGL1被设置在第一堆叠体ST1与第二堆叠体ST2之间以向每个发光层提供电荷，因此可改善发光效率，并且可降低驱动电压。
第一堆叠体ST1可以位于第一阳极AE1、第二阳极AE2(参见图7)和第三阳极AE3(参见图7)上并且可以进一步包括第一空穴传输层HTL1、第一电子阻挡层BIL1和第一电子传输层ETL1。
第一空穴传输层HTL1可以位于第一阳极AE1、第二阳极AE2(参见图7)和第三阳极AE3(参见图7)上。第一空穴传输层HTL1可以便于空穴的传输并且可以包括(例如是)空穴传输材料。空穴传输材料可以包括(例如是)但不局限于诸如N-苯基咔唑和/或聚乙烯基咔唑这样的咔唑衍生物；芴衍生物；诸如N，N'-双(3-甲基苯基)-N，N'-二苯基-[1,1-联苯基]-4,4'-二胺(TPD)和/或4,4',4"-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)这样的三苯胺衍生物；N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基联苯胺)(NPB)；和/或4,4'-亚环己基双[N,N'-双(4-甲基苯基)苯胺](TAPC)。
第一电子阻挡层BIL1可以位于第一空穴传输层HTL1上并且可以位于第一空穴传输层HTL1与第一发光层EML1之间。第一电子阻挡层BIL1可以包括(例如是)空穴传输材料和/或金属或金属化合物以防止或阻挡由第一发光层EML1所产生的电子进入第一空穴传输层HTL1。在一些实施例中，上述第一空穴传输层HTL1和第一电子阻挡层BIL1可以形成为混合有它们各自的材料的单层。
第一电子传输层ETL1可以位于第一发光层EML1上，并且可以位于第一电荷产生层CGL1与第一发光层EML1之间。在一些实施例中，第一电子传输层ETL1可以包括(例如是)诸如三-(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并)[d]咪唑-2-基)苯基(TPBi)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑(TAZ)、4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4H-1,2,4-三唑(NTAZ)、2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-恶二唑(tBu-PBD)、双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1'-联苯基-4-羟基)铝(BAlq)、铍双(苯并喹啉-10-羟基)(Bebq2)、9,10-二(萘-2-基)蒽(ADN)或者其混合物这样的电子传输材料。然而，本公开不局限于电子传输材料的类型(例如种类)。第二堆叠体ST2可以位于第一电荷产生层CGL1上并且可以进一步包括第二空穴传输层HTL2、第二电子阻挡层BIL2和第二电子传输层ETL2。
第二空穴传输层HTL2可以位于第一电荷产生层CGL1上。第二空穴传输层HTL2可以是由与第一空穴传输层HTL1相同的材料制成的或者可以包括(例如是)从可以包含在第一空穴传输层HTL1中的示例性材料中选择的一种或多种材料。第二空穴传输层HTL2可以是由单层或多层组成的。
第二电子阻挡层BIL2可以位于第二空穴传输层HTL2上并且可以位于第二空穴传输层HTL2与第二发光层EML2之间。第二电子阻挡层BIL2可以具有与第一电子阻挡层BIL1相同的材料和结构或者可以包括(例如是)从可以包含在第一电子阻挡层BIL1中的示例性材料中选择的一种或多种材料。
第二电子传输层ETL2可以位于第二发光层EML2上并且可以位于第二电荷产生层CGL2与第二发光层EML2之间。第二电子传输层ETL2可以包括(例如是)与第一电子传输层ETL1相同的材料和结构或者可以包括(例如是)从可以包含在第一电子传输层ETL1中的示例性材料中选择的一种或多种材料。第二电子传输层ETL2可以是由单层或多层组成的。
第二电荷产生层CGL2可以位于第二堆叠体ST2上并且可以位于第二堆叠体ST2与第三堆叠体ST3之间。
第二电荷产生层CGL2可以具有与上述第一电荷产生层CGL1相同的结构。例如，第二电荷产生层CGL2可以包括被设置为更靠近第二堆叠体ST2的n型电荷产生层CGL21以及被设置为更靠近阴极CE的p型电荷产生层CGL22。p型电荷产生层CGL22可以被设置在n型电荷产生层CGL21上。
第二电荷产生层CGL2可以具有其中n型电荷产生层CGL21和p型电荷产生层CGL22彼此接触(例如物理或直接接触)的结构。第一电荷产生层CGL1和第二电荷产生层CGL2可以是由不同材料或相同材料制成的。
第三堆叠体ST3可以位于第二电荷产生层CGL2上并且可以进一步包括第三空穴传输层HTL3和第三电子传输层ETL3。
第三空穴传输层HTL3可以位于第二电荷产生层CGL2上。第三空穴传输层HTL3可以是由与第一空穴传输层HTL1相同的材料制成的或者可以包括(例如是)从可以包含在第一空穴传输层HTL1中的示例性材料中选择的一种或多种材料。第三空穴传输层HTL3可以是由单层或多层组成的。当第三空穴传输层HTL3是由多层组成时，这些层可以包括(例如是)不同的材料。
第三电子传输层ETL3可以位于第三发光层EML3上并且可以位于阴极CE与第三发光层EML3之间。第三电子传输层ETL3可以具有与第一电子传输层ETL1相同的材料和结构或者可以包括(例如是)从可以包含在第一电子传输层ETL1中的示例性材料中选择的一种或多种材料。第三电子传输层ETL3可以是由单层或多层组成的。当第三电子传输层ETL3是由多层组成时，这些层可以包括(例如是)不同的材料。
空穴注入层可以进一步位于第一堆叠体ST1与第一阳极AE1之间、第二阳极AE2(参见图7)与第三阳极AE3(参见图7)之间、第二堆叠体ST2与第一电荷产生层CGL1之间和/或第三堆叠体ST3与第二电荷产生层CGL2之间。空穴注入层可以便于将空穴注入到第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3之中。在一些实施例中，空穴注入层可以是由但不局限于铜酞菁(CuPc)、聚(3,4-乙烯二氧噻吩)(PEDOT)、聚苯胺(PANI)、N,N-二萘基–N,N’-二苯基联苯胺(NPD)。在一些实施例中，空穴注入层可以位于第一堆叠体ST1与第一阳极AE1之间、第二阳极AE2(参见图7)与第三阳极AE3(参见图7)之间、第二堆叠体ST2与第一电荷产生层CGL1之间和/或第三堆叠体ST3与第二电荷产生层CGL2之间。
电子注入层可以进一步位于第三电子传输层ETL3与阴极CE之间，第二电荷产生层CGL2与第二堆叠体ST2之间和/或第一电荷产生层CGL1与第一堆叠体ST1之间。电子注入层可以便于电子的注入并且可以利用三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、PBD、TAZ、螺-PBD、Balq和/或SAlq，但是本公开不局限于此。另外，电子注入层可以是金属卤化物并且可以是例如MgF2(氟化镁)、LiF(氟化锂)、NaF(氟化钠)、KF(氟化钾)、RbF(氟化铷)、CsF(氟化铯)、FrF(氟化钫)、LiI(碘化锂)、NaI(碘化钠)、KI(碘化钾)、RbI(碘化铷)、CsI(碘化铯)、FrI(碘化钫)和/或CaF2(氟化钙)中的任何一种或多种，但本公开不局限于此。在一些实施例中，电子注入层可以包括(例如是)诸如镱(Yb)、钐(Sm)和/或铕(Eu)这样的镧材料。在一些实施例中，电子注入层可以包括(例如是)金属卤化物材料和诸如RbI:Yb和/或KI:Yb这样的镧材料。当电子注入层包括(例如是)金属卤化物材料和镧材料这两者时，电子注入层可以是通过金属卤化物材料和镧材料的共沉积而形成的。在一些实施例中，电子注入层可以位于第三电子传输层ETL3与阴极CE之间、第二电荷产生层CGL2与第二堆叠体ST2之间和/或第一电荷产生层CGL1与第一堆叠体ST1之间。
还可以根据上述结构来修改发光层OL的结构。例如，发光层OL可以被修改为图9中所示的发光层OLa。在一些实施例中，图9中所示的发光层OLa可以进一步包括位于第三堆叠体ST3与第二堆叠体ST2之间的第四堆叠体ST4并且可以进一步包括位于第三堆叠体ST3与第二堆叠体ST2之间的第三电荷产生层CGL3。例如，第三电荷产生层CGL3可以在第三堆叠体ST3与第四堆叠体ST4之间。
第四堆叠体ST4可以包括第四发光层EML4并且可以进一步包括第四空穴传输层HTL4、第三电子阻挡层BIL4和第四电子传输层ETL4。
包含在发光层OLa中的第一发光层EML1、第二发光层EML2、第三发光层EML3和第四发光层EML4中的每一个可以发射第三颜色的光(例如蓝色光)。从第一发光层EML1、第二发光层EML2、第三发光层EML3和第四发光层EML4中选择的至少一个以及从第一发光层EML1、第二发光层EML2、第三发光层EML3和第四发光层EML4中选择的至少另一个可以发射具有不同峰值波长范围的蓝色光。
在一些实施例中，从第一发光层EML1、第二发光层EML2、第三发光层EML3和第四发光层EML4中选择的至少一个可以发射绿色光，并且从第一发光层EML1、第二发光层EML2、第三发光层EML3和第四发光层EML4中选择的至少另一个可以发射蓝色光。例如，从第一发光层EML1、第二发光层EML2、第三发光层EML3和第四发光层EML4中选择的任何一个可以是绿色发光层，而其它三个发光层可以全是蓝色发光层。
第四空穴传输层HTL4可以位于第二电荷产生层CGL2上。第四空穴传输层HTL4可以是由与第一空穴传输层HTL1相同的材料制成的或者可以包括(例如是)从可以包含在第一空穴传输层HTL1中的示例性材料中选择的一种或多种材料。第四空穴传输层HTL4可以是由单层或多层组成的。当第四空穴传输层HTL4是由多层组成时，这些层可以包括(例如是)不同材料。
第三电子阻挡层BIL4可以位于第四空穴传输层HTL4上并且可以位于第四空穴传输层HTL4与第四发光层EML4之间。第三电子阻挡层BIL4可以包括(例如是)与第一电子阻挡层BIL1相同的材料和结构，或者可以包括(例如是)从可以包含在第一电子阻挡层BIL1中的示例性材料中选择的一种或多种材料。在一些实施例中，可以省略第三电子阻挡层BIL4。
第四电子传输层ETL4可以位于第四发光层EML4上并且可以位于第三电荷产生层CGL3与第四发光层EML4之间。第四电子传输层ETL4可以具有与第一电子传输层ETL1相同的材料和结构，或者可以包括(例如是)从可以包含在第一电子传输层ETL1中的示例性材料中选择的一种或多种材料。第四电子传输层ETL4可以是由单层或多层组成的。当第四电子传输层ETL4是由多层组成时，这些层可以包括(例如是)不同的材料。
第三电荷产生层CGL3可以具有与上述第一电荷产生层CGL1相同的结构。例如，第三电荷产生层CGL3可以包括被设置为更靠近第四堆叠体ST4的n型电荷产生层CGL31以及被设置为更靠近阴极CE的p型电荷产生层CGL32。p型电荷产生层CGL32可以被设置在n型电荷产生层CGL31上。
电子注入层可以进一步位于第四堆叠体ST4与第三电荷产生层CGL3之间。另外，空穴注入层可以进一步位于第四堆叠体ST4与第二电荷产生层CGL2之间。
在一些实施例中，图8中所示的发光层OL和图9中所示的发光层OLa这两者可以不包括红色发光层，并且因而可以不发射第一颜色的光(例如红色光)。例如，在一些实施例中，输出光LE不包括其峰值波长在约610nm至约650nm范围内的光分量。
如图7中所示，第一封盖层160可以位于阴极CE上。第一封盖层160可以设置在所有的第一发光区域LA1、第二发光区域LA2、第三发光区域LA3以及非发光区域NLA中。例如，第一封盖层160可以是公共层。第一封盖层160可以改善视角特性并提高外部发光效率。
在一些实施例中，第一封盖层160可以包括(例如是)有机材料。例如，第一封盖层160可以包括(例如是)三胺衍生物、咔唑联苯基衍生物、亚芳基二胺衍生物和/或三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)。
如图7中所示，薄膜封装层170设置在第一封盖层160上。薄膜封装层170设置在所有的第一发光区域LA1、第二发光区域LA2、第三发光区域LA3以及非发光区域NLA。在一些实施例中，薄膜封装层170可以直接覆盖第一封盖层160。例如，薄膜封装层170可以直接在第一封盖层160上。
在一些实施例中，薄膜封装层170可以包括依次堆叠在第一封盖层160上的第一下无机层171、第一有机层173以及第一上无机层175。
第一下无机层171可以覆盖显示区域DA中的第一发光元件ED1、第二发光元件ED2以及第三发光元件ED3。
第一下无机层171可以包括(例如是)无机材料并且具有多层结构。在一些实施例中，如图10中所示，第一下无机层171可以包括第一子无机层1711和第二子无机层1713。另外，第一下无机层171可以进一步包括第三子无机层1715。
第一子无机层1711可以位于第一封盖层160上。第一子无机层1711可以防止在形成第二子无机层1713的处理中第一封盖层160受到破坏，或者第一子无机层1711可以降低对第一封盖层160的这种损害。例如，第一子无机层1711可以用作用于保护第一封盖层160的保护层。在一些实施例中，第一子无机层1711的压缩应力可以为0MPa至200MPa。
第二子无机层1713可以位于第一子无机层1711上。第二子无机层1713可以防止或阻挡湿气和/或氧气渗透到第一发光元件ED1、第二发光元件ED2以及第三发光元件ED3之中。例如，第二子无机层1713可以用作用于防止或阻挡外部湿气和/或氧气渗透的阻隔层。在一些实施例中，第二子无机层1713的压缩应力可以为0MPa至200MPa。
第三子无机层1715可以位于第二子无机层1713上。第三子无机层1715的上表面可以直接接触第一有机层173。在一些实施例中，可以在与第一有机层173直接接触的第三子无机层1715的上表面上提供不平坦结构SR1。因为在第三子无机层1715的上表面上提供有不平坦结构SR1，因此第三子无机层1715的上表面可以具有比与第二子无机层1713接触的第一子无机层1711的上表面或与第三子无机层1715接触的第二子无机层1713的上表面相对更大的表面粗糙度。
在一些实施例中，不平坦结构SR1可以形成为任何不规则的图案和/或不规则的不平坦形状。因为在第三子无机层1715的上表面上提供有不平坦结构SR1，因此可改善在形成第一有机层173的处理中有机材料的可铺展性，并且有机材料可相对均匀地铺展在第三子无机层1715上。另外，因为不平坦结构SR1增大了第三子无机层1715与第一有机层173之间的接触面积，因此可防止或降低膜分离，并且第一有机层173可更牢固地耦接(例如附着)到第一下无机层171。
在一些实施例中，根据均方根粗糙度Rq，不平坦结构SR1的表面粗糙度可以为5nm至100nm。当不平坦结构SR1的表面粗糙度Rq为5nm至100nm时，可改善第一有机层173与第一下无机层171之间的粘合性以及有机材料的铺展性。
另外，当从发光元件ED发射的输出光LE穿过薄膜封装层170时，可以减少在第一有机层173与第三子无机层1715之间的粗糙界面处的内反射，从而改善光提取效率。另外，当外部光入射到薄膜封装层170上时，它可以在第一有机层173与第三子无机层1715之间的粗糙界面处折射，从而抑制了外部光的反射。光提取效率表示屏幕亮度的改善，并且外部光反射的抑制导致屏幕对比度的改善。
在一些实施例中，由于上述不平坦结构SR1，第三子无机层1715的上表面可以具有40mN/m至80mN/m的表面能。
在一些实施例中，第二子无机层1713的厚度Th13可以大于第一子无机层1711的厚度Th11并且大于第三子无机层1715的厚度Th15。
在一些实施例中，第二子无机层1713的厚度Th13可以是
Figure BDA0003116967360000271
到
Figure BDA0003116967360000272
另外，在一些实施例中，第一子无机层1711的厚度Th11可以具有在
Figure BDA0003116967360000273
到
Figure BDA0003116967360000274
范围内的小于第二子无机层1713的厚度Th13的值。另外，在一些实施例中，第三子无机层1715的厚度Th15可以具有在
Figure BDA0003116967360000275
到
Figure BDA0003116967360000276
范围内的小于第二子无机层1713的厚度Th13的值并且能够实现不平坦结构SR1。在这里，包括不平坦结构SR1的第三子无机层1715的厚度Th15可以表示平均厚度。
在一些实施例中，第二子无机层1713的折射率n13可以大于第一子无机层1711的折射率n11。另外，在一些实施例中，第二子无机层1713的折射率n13可以大于第三子无机层1715的折射率n15。从膜或层的材料观点来看，折射率是用于指示材料密度的物理元素之一。在一些实施例中，第二子无机层1713的折射率n13可以大于第一子无机层1711的折射率n11并且大于第三子无机层1715的折射率n15。因此，第二子无机层1713可以用作阻隔层。
在一些实施例中，第一子无机层1711的折射率n11、第二子无机层1713的折射率n13以及第三子无机层1715的折射率n15中的每一个可以为1.7或更小。
如图11中所示，消光系数(k)随着折射率的增大而增大并且随着折射率的减小而减小。另外，当折射率为1.7时，如图中所示对于具有约370nm至约800nm的波长的光而言消光系数收敛到基本为零。消光系数的降低表示由于光吸收而导致的光损失的降低，这又表示光效率的提高。当第一子无机层1711的折射率n11、第二子无机层1713的折射率n13、以及第三子无机层1715的折射率n15中的每一个为1.7或更小时，可防止或减少由于第一下无机层171的光吸收而导致的光损失。因此，可提高光效率。
在一些实施例中，第二子无机层1713的折射率n13可以是1.5至1.7。另外，在一些实施例中，第一子无机层1711的折射率n11可以是1.3至小于1.7(例如等于或大于1.3且小于1.7)，只要它小于第二子无机层1713的折射率n13。另外，在一些实施例中，第三子无机层1715的折射率n15可以为1.3至小于1.7(例如等于或大于1.3且小于1.7)，只要它小于第二子无机层1713的折射率n13。
在一些实施例中，第一子无机层1711、第二子无机层1713以及第三子无机层1715中的每一个可以是由无机材料制成的并且可以是由氧化物和/或氮氧化物制成的。例如，第一子无机层1711、第二子无机层1713以及第三子无机层1715可以是由氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮氧化铝、氧化钨、氮氧化钨、氧化钛和/或氮氧化钛制成的。
在一些实施例中，第一子无机层1711、第二子无机层1713和第三子无机层1715可以全部是由相同第一材料的氧化物或相同第一材料的氮氧化物制成的。第一材料可以是从硅(Si)、铝(Al)、钨(W)和钛(Ti)中选择的至少一种。例如，第一子无机层1711、第二子无机层1713和第三子无机层1715可以全部是由氧化硅(SiOx)或氮氧化硅(SiOxNy)制成的。
在一些实施例中，第二子无机层1713可以是由第一材料的氮氧化物制成的，并且第一子无机层1711和第三子无机层1715可以是由第一材料的氧化物或第一材料的氮氧化物制成的。另外，第二子无机层1713中的氧原子含量(例如浓度、％等)可以小于第一子无机层1711中的氧原子含量并且小于第三子无机层1715中的氧原子含量。另外，第二子无机层1713中的氮原子含量可以大于第一子无机层1711中的氮原子含量并且大于第三子无机层1715中的氮原子含量。
在相同材料的氧化物或相同材料的氮氧化物的情况下，折射率会随着氧原子含量的增大而减小，并且折射率和阻隔性能会随着氧原子含量的减小和/或随着氮原子含量的增大而增大。因此，具有比第一子无机层1711和第三子无机层1715中的每一个更好阻隔性能的第二子无机层1713可以具有相对低的氧原子含量和相对高的氮原子含量。
在一些实施例中，第一子无机层1711和第三子无机层1715可以是由氧化硅制成的，并且第二子无机层1713可以是由氮氧化硅制成的。
在一些实施例中，第一子无机层1711和第二子无机层1713可以是由氮氧化硅制成的，并且第三子无机层1715可以是由氧化硅制成的。另外，第二子无机层1713可以具有比第一子无机层1711相对更低的氧原子含量，并且可以具有比第一子无机层1711相对更高的氮原子含量。
在一些实施例中，第一子无机层1711、第二子无机层1713和第三子无机层1715都可以是由氮氧化硅制成的。另外，第二子无机层1713可以具有比第一子无机层1711和第三子无机层1715中的每一个相对更低的氧原子含量，并且可以具有比第一子无机层1711和第三子无机层1715相对更高的氮原子含量。
如图7和图10中所示，第一有机层173可以位于第一下无机层171上。第一有机层173可以在显示区域DA中覆盖第一发光元件ED1、第二发光元件ED2和第三发光元件ED3。
在一些实施例中，第一有机层173可以是由丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、聚异戊二烯、乙烯基树脂、环氧树脂、聚氨酯树脂、纤维素树脂和/或苝树脂制成的。
在一些实施例中，第一有机层173的厚度Th3可以为约2μm至约8μm。
第一上无机层175可以位于第一有机层173上。第一上无机层175可以覆盖第一有机层173。在一些实施例中，第一上无机层175可以在非显示区域NDA中与第一下无机层171直接接触以形成无机-无机接合。
在一些实施例中，第一上无机层175可以是由无机材料制成的并且可以是由氧化物和/或氮氧化物制成的。例如，第一上无机层175可以是由氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮氧化铝、氧化钨、氮氧化钨、氧化钛和/或氮氧化钛制成的。
在一些实施例中，第一上无机层175的折射率可以是1.7或更小，并且第一上无机层175的厚度Th5可以为
Figure BDA0003116967360000301
至
Figure BDA0003116967360000302
因为包含在薄膜封装层170中的无机层具有1.7或更小的折射率，因此消光系数可以收敛到基本上为零。因此，可以防止或减少包含在薄膜封装层170中的无机层中的光损失，并且可改善光效率。
可根据上述结构对薄膜封装层170的结构进行多种多样地且适当地修改。
图12是图10的变形示例的截面图。图13是图10的变形示例的截面图。图14是图10的变形示例的截面图。
参考图12，可以将薄膜封装层170(参见图10)修改为图12中所示的薄膜封装层170_1。薄膜封装层170_1可以包括第一下无机层171、第一有机层173以及第一上无机层175a。
薄膜封装层170_1的第一上无机层175a可以包括第四子无机层1751和第五子无机层1753。
第四子无机层1751可以位于第一有机层173上并且可以阻挡或减少在第一有机层173中所产生的废气。
第五子无机层1753可以位于第四子无机层1751上并且可以用作防止或阻挡外部湿气和/或氧气渗透的阻隔层。
在一些实施例中，第五子无机层1753的厚度Th53可以大于第四子无机层1751的厚度Th51。
在一些实施例中，第五子无机层1753的厚度Th53可以是
Figure BDA0003116967360000303
到
Figure BDA0003116967360000304
另外，在一些实施例中，第四子无机层1751的厚度Th51可以是
Figure BDA0003116967360000305
到
Figure BDA0003116967360000306
只要它小于第五子无机层1753的厚度Th53。
在一些实施例中，第五子无机层1753的折射率n53可以大于第四子无机层1751的折射率n51。
在一些实施例中，第五子无机层1753的折射率n53和第四子无机层1751的折射率n51中的每一个可以为1.7或更小。在一些实施例中，第五子无机层1753的折射率n53可以为1.5至1.7，并且第四子无机层1751的折射率n51可以为1.3至小于1.7(例如等于或大于1.3且小于1.7)，只要它小于第五子无机层1753的折射率n53。
在一些实施例中，第四子无机层1751和第五子无机层1753中的每一个可以是由无机材料制成的并且可以是由氧化物和/或氮氧化物制成的。例如，第四子无机层1751和第五子无机层1753可以是由氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮氧化铝、氧化钨、氮氧化钨、氧化钛和/或氮氧化钛制成的。
在一些实施例中，第四子无机层1751和第五子无机层1753可以全部是由相同第二材料的氧化物或相同第二材料的氮氧化物制成的。第二材料可以包括(例如是)硅(Si)、铝(Al)、钨(W)和/或钛(Ti)。例如，第四子无机层1751和第五子无机层1753可以全部是由氧化硅或氮氧化硅制成的。
在一些实施例中，第五子无机层1753可以是由第二材料的氮氧化物制成的，并且第四子无机层1751可以是由第二材料的氧化物或第二材料的氮氧化物制成的。另外，第五子无机层1753中的氧原子含量可以小于第四子无机层1751中的氧原子含量。另外，第五子无机层1753中的氮原子含量可以大于第四子无机层1751中的氮原子含量。另外，在一些实施例中，第五子无机层1753中的氮原子含量可以大于第三子无机层1715中的氮原子含量。
在一些实施例中，第四子无机层1751可以是由氧化硅制成的，并且第五子无机层1753可以是由氮氧化硅制成的。
在一些实施例中，第四子无机层1751和第五子无机层1753中的每一个可以是由氮氧化硅制成的，并且第五子无机层1753可以具有比第四子无机层1751相对更低的氧原子含量并且可以具有比第四子无机层1751相对更高的氮原子含量。
参考图13，可以将薄膜封装层170(参见图10)修改为图13中所示的薄膜封装层170_2。薄膜封装层170_2可以包括第一下无机层171、第一有机层173和第一上无机层175b。
第一上无机层175b可以包括第五子无机层1753和第六子无机层1755。
第五子无机层1753与以上参考图12描述的相同或相似，并且因而可以不提供对其的详细描述。
第六子无机层1755可以位于第五子无机层1753上。
第六子无机层1755的上表面可以直接接触填料70。在一些实施例中，可以在直接接触填料70的第六子无机层1755的上表面上提供不平坦结构SR2。因为在第六子无机层1755的上表面上提供有不平坦结构SR2，因此第六子无机层1755的上表面可以具有比与接触第六子无机层1755的第五子无机层1753的上表面相对更大的表面粗糙度。
在一些实施例中，不平坦结构SR2可以形成为任何不规则的图案和/或不规则的不平坦形状。因为在第六子无机层1755的上表面上提供有不平坦结构SR2，因此可改善在形成填料70的处理中用于形成填料70的有机材料的铺展性，并且有机材料可相对均匀地铺展在第六子无机层1755上。另外，因为不平坦结构SR2增加了第六子无机层1755与填料70之间的接触面积，因此填料70和第六子无机层1755可更牢固地彼此耦接(例如附着)。
在一些实施例中，根据均方根粗糙度Rq，在第六子无机层1755的上表面上所提供的不平坦结构SR2的表面粗糙度可以为5nm至100nm。当不平坦结构SR2的表面粗糙度Rq为5nm至100nm时，可改善填料70与第六子无机层1755之间的粘合性以及有机材料的铺展性。
另外，不平坦结构SR2通过使外部光折射来减少光的内反射并抑制外部光的反射可改善光提取效率。光提取效率表示屏幕亮度的改善，并且外部光反射的抑制导致屏幕对比度的改善。
在一些实施例中，由于上述不平坦结构SR2，第六子无机层1755的上表面可以具有40mN/m至80mN/m的表面能。
在一些实施例中，第六子无机层1755的厚度Th55可以小于第五子无机层1753的厚度Th53。例如，第六子无机层1755的厚度Th55可以是
Figure BDA0003116967360000321
Figure BDA0003116967360000322
至
Figure BDA0003116967360000323
只要它小于第五子无机层1753的厚度Th53。
在一些实施例中，第六子无机层1755的折射率n55可以是1.7或更小并且可以小于第五子无机层1753的折射率n53。例如，第六子无机层1755的折射率n55可以为1.3至小于1.7(例如等于或大于1.3且小于1.7)，只要它小于第五子无机层1753的折射率n53。
第六子无机层1755可以是由无机材料制成的并且可以是由氧化物和/或氮氧化物制成的。例如，如就图12所描述的，第六子无机层1755可以包括(例如是)可以包含在第四子无机层1751(参见图12)和/或第五子无机层1753中的任何一个或多个示例性材料。
在一些实施例中，当第五子无机层1753是由第二材料的氮氧化物制成时，第六子无机层1755可以是由第二材料的氧化物或第二材料的氮氧化物制成的。当第六子无机层1755是由第二材料的氮氧化物制成时，它可以具有比第五子无机层1753相对更高的氧原子含量并且可以具有比第五子无机层1753相比更低的氮原子含量。例如，第六子无机层1755和第五子无机层1753这两者均可以是由氮氧化硅制成的，并且第六子无机层1755可以包括比第五子无机层1753相对更多的氧原子(例如每原子总数中相对更多的氧原子)，而包括比第五子无机层1753相对更少的氮原子(例如每原子总数中相对更少的氮原子)。
参考图14，可以将薄膜封装层170(参见图10)修改为图14中所示的薄膜封装层170_3。薄膜封装层170_3可以包括第一下无机层171、第一有机层173和第一上无机层175c。
如图14中所示，第一上无机层175c可以进一步包括位于第一有机层173与第五子无机层1753之间的第四子无机层1751。第四子无机层1751、第五子无机层1753和第六子无机层1755分别与上述相同或相似，并且因而可以不提供对其更详细的描述。
除了参考图7之外，现在还将参考图15至图19来描述颜色转换基底30。
图15是示出了根据实施例的显示装置1的颜色转换基底30中的第三滤色器235和颜色图案250的示意性布置的平面图。图16是示出了根据实施例的显示装置1的颜色转换基底30中的阻光图案260的示意性布置的平面图。图17是示出了根据实施例的显示装置1的颜色转换基底30中的第一滤色器231的示意性布置的平面图。图18是示出了根据实施例的显示装置1的颜色转换基底30中的第二滤色器233的示意性布置的平面图。图19是示出了根据实施例的显示装置1的颜色转换基底30中的堤状图案370、第一波长转换图案340、第二波长转换图案350以及透光图案330的示意性布置的平面图。
参考图7和图15至图19，在图7中所示的第二基体310可以是由透光材料制成的。
在一些实施例中，第二基体310可以包括玻璃基底和/或塑料基底。在一些实施例中，第二基体310可以进一步包括位于玻璃基底或塑料基底上的单独层(例如诸如无机层这样的绝缘层)。
在一些实施例中，透光区域TA1至TA3和阻光区域BA可以限定在如上所述的第二基体310中。
如图7中所示，第三滤色器235和颜色图案250可以位于面向显示基底10的第二基体310的表面(例如底表面)上。
第三滤色器235可以与第三发光区域LA3和/或第三透光区域TA3重叠。
第三滤色器235可以仅使第三颜色的光(例如蓝色光)透射过并且阻挡和/或吸收第一颜色的光(例如红色光)和第二颜色的光(例如绿色光)。在一些实施例中，第三滤色器235可以是蓝色滤色器并且可以包括(例如是)诸如蓝色染料和/或蓝色颜料这样的蓝色着色剂。如这里所使用的，术语“着色剂”是涵盖染料和颜料这两者的概念。
颜色图案250可以与非发光区域NLA和/或阻光区域BA重叠。
颜色图案250可以吸收从显示装置1的外部引入到显示装置1之中的光的一部分，从而减少由于外部光而导致的反射光。外部光的相当一部分被反射，这导致显示装置1的色域失真。然而，根据当前实施例，当颜色图案250位于非发光区域NLA和非显示区域NDA中时，可减少由于外部光的反射而导致的颜色失真。
在一些实施例中，颜色图案250可以包括(例如是)诸如蓝色染料和/或蓝色颜料这样的蓝色着色剂。在一些实施例中，颜色图案250可以是由与第三滤色器235相同的材料制成的并且可以与第三滤色器235同时形成。当颜色图案250包括(例如是)蓝色着色剂时，透射通过颜色图案250的外部光或反射光可以是蓝色光。用户眼睛的颜色敏感性会根据光的颜色而变。例如，与绿色波长带的光和红色波长带的光相比，用户可能不那么敏感地感知蓝色波长带的光。因此，因为颜色图案250包括(例如是)蓝色着色剂，因此用户可以相对不太敏感地感知反射光。
在一些实施例中，如图15中所示，颜色图案250被设置在整个阻光区域BA之上。另外，在一些实施例中，如图15中所示，颜色图案250和第三滤色器235可以彼此耦接(例如连接)。
如图7和图16中所示，阻光图案260可以位于面向显示基底10的第二基体310的表面(例如底表面)上。阻光图案260可以与阻光区域BA重叠以阻挡光的透射。在一些实施例中，如图16中所示，阻光图案260可以在平面图中被设置为大致格子形状。
在一些实施例中，阻光图案260可以包括(例如是)有机阻光材料并且可以是通过涂覆有机阻光材料并使其曝光而形成的。
如上所述，外部光可能导致显示装置1的色域失真。然而，根据当前实施例，当阻光图案260位于第二基体310上时，至少一部分外部光被阻光图案260吸收。因此，可减少由于外部光的反射而导致的颜色失真。在一些实施例中，阻光图案260可以防止或减少由于光在邻近透光区域之间的侵入而导致的颜色混合，从而进一步改善色域。
在一些实施例中，阻光图案260可以位于颜色图案250上。例如，阻光图案260可以与第二基体310相对，其中颜色图案250介于它们之间。例如，阻光图案260可以在颜色图案250的下表面上。
因为颜色图案250位于阻光图案260与第二基体310之间，因此在一些实施例中阻光图案260可以不接触第二基体310。
第一滤色器231和第二滤色器233可以位于面向显示基底10的第二基体310的表面(例如底表面)上。
第一滤色器231可以与第一发光区域LA1和/或第一透光区域TA1重叠，并且第二滤色器233可以与第二发光区域LA2和/或第二透光区域TA2重叠。
在一些实施例中，第一滤色器231可以阻挡和/或吸收第三颜色的光(例如蓝色光)。例如，第一滤色器231可以用作阻挡蓝色光的蓝色光阻挡滤光器。在一些实施例中，第一滤色器231可以仅使第一颜色的光(例如红色光)透射并且阻挡和/或吸收第三颜色的光(例如蓝色光)和第二颜色的光(例如绿色光)。例如，第一滤色器231可以是红色滤色器并且可以包括(例如是)红色着色剂。
第二滤色器233可以阻挡和/或吸收第三颜色的光(例如蓝色光)。例如，第二滤色器233还可以用作蓝色光阻挡滤光器。在一些实施例中，第二滤色器233可以仅使第二颜色的光(例如绿色光)透射并且阻挡和/或吸收第三颜色的光(例如蓝色光)和第一颜色的光(例如红色光)。例如，第二滤色器233可以是绿色滤色器并且可以包括(例如是)绿色着色剂。
在一些实施例中，如图7和图17中所示，第一滤色器231的一部分可以进一步位于阻光区域BA中，并且如图7和图18中所示，第二滤色器233的一部分可以进一步位于阻光区域BA中。例如，第一滤色器231和第二滤色器233中的每一个可以覆盖阻光图案260的底表面的一部分(例如边缘)。
在一些实施例中，第一滤色器231的一部分可以进一步位于第一透光区域TA1与第二透光区域TA2之间的以及第一透光区域TA1与第三透光区域TA3之间的阻挡区域BA中。
在一些实施例中，第二滤色器233的一部分可以进一步位于第一透光区域TA1与第二透光区域TA2之间的以及第二透光区域TA2与第三透光区域TA3之间的阻光区域BA中。
尽管第一滤色器231和第二滤色器233在图中彼此不重叠，但是在一些实施例中，它们可以在第一透光区域TA1与第二透光区域TA2之间的阻光区域BA中彼此重叠。阻光区域BA中的第一滤色器231和第二滤色器233重叠的部分可以用作用于阻挡光透射的阻光构件。
在一些实施例中，第一滤色器231和第二滤色器233可以位于整个阻光区域BA之上并且可以在整个阻光区域BA中彼此重叠。
在一些实施例中，第一滤色器231和第二滤色器233可以在阻光区域BA中与颜色图案250重叠。例如，颜色图案250可以在第一透光区域TA1与第二透光区域TA2之间的阻光区域BA中与第一滤色器231和第二滤色器233重叠。另外，颜色图案250可以在第二透光区域TA2与第三透光区域TA3之间的阻光区域BA中与第二滤色器233重叠。另外，颜色图案250可以在第三透光区域TA3与第一透光区域TA1之间的阻光区域BA中与第一滤色器231重叠。
在阻光区域BA中，第一滤色器231和颜色图案250重叠的部分以及第二滤色器233和颜色图案250重叠的部分可以用作阻光构件。在阻光区域BA中，第一滤色器231和颜色图案250重叠的部分以及第二滤色器233和颜色图案250重叠的部分可以吸收至少一部分外部光，从而减少由于外部光的反射而导致的颜色失真。另外，可以防止或阻挡发射到外部的光侵入到邻近发光区域之间并且从而引起颜色混合。因此，可改善显示装置1的色域。
如图7中所示，第二封盖层391可以位于第二基体310的表面(例如底表面)上以覆盖阻光图案260、颜色图案250、第一滤色器231、第二滤色器233和第三滤色器235。在一些实施例中，第二封盖层391可以直接接触第一滤色器231、第二滤色器233和第三滤色器235。另外，在一些实施例中，第二封盖层391可以直接接触阻光图案260。
第二封盖层391可以防止或阻挡诸如湿气和/或空气这样的杂质从外部(例如从第二封盖层391下方的显示装置1的部分)引入并损坏和/或污染阻光图案260、颜色图案250、第一滤色器231、第二滤色器233和第三滤色器235。另外，第二封盖层391可以防止或阻挡包含在第一滤色器231、第二滤色器233和第三滤色器235之中的着色剂扩散到诸如第一波长转换图案340和第二波长转换图案350这样的其它元件(例如在第二封盖层391下方的显示装置1的元件)。在一些实施例中，第二封盖层391可以是由无机材料制成的。例如，第二封盖层391可以包括(例如是)氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈和/或氮氧化硅。
堤状图案370可以位于面向显示基底10的第二封盖层391的表面(例如底表面)上。在一些实施例中，堤状图案370可以直接位于第二封盖层391的表面上并且可以直接接触第二封盖层391。
在一些实施例中，堤状图案370可以与非发光区域NLA和/或阻光区域BA重叠。在一些实施例中，例如，如图19中所示，堤状图案370可以在平面图中在第一透光区域TA1、第二透光区域TA2和/或第三透光区域TA3周围(例如围绕)。堤状图案370可以分隔其中设置有第一波长转换图案340、第二波长转换图案350和/或透光图案330的空间。
在一些实施例中，如图19中所示，堤状图案370可以形成为一体耦接地(例如连接)的图案，但是本公开不局限于此。在实施例中，在第一透光区域TA1周围(例如围绕)的堤状图案370的一部分、在第二透光区域TA2周围(例如围绕)的堤状图案370的一部分以及在第三透光区域TA3周围(例如围绕)的堤状图案370的一部分可以被形成为彼此分隔(例如彼此分隔开和/或不整体耦接(例如连接))的各个图案。
当通过利用喷嘴喷射油墨组合物的方法(例如喷墨印刷方法)形成了第一波长转换图案340、第二波长转换图案350和透光图案330时，堤状图案370可以用作用于将喷射的油墨组合物稳定地定位在设定位置或期望位置的引导件。例如，堤状图案370可以用作阻隔壁。
在一些实施例中，堤状图案370可以与像素限定层150重叠。
在一些实施例中，堤状图案370可以包括(例如是)具有光固化性的有机材料。另外，在一些实施例中，堤状图案370可以包括(例如是)具有光固化性并且包括(例如是)阻光材料的有机材料。当堤状图案370具有阻光特性时，它可防止或阻挡光侵入到显示区域DA中的相邻(例如邻近)发光区域之间。例如，堤状图案370可以阻挡从第二发光元件ED2发射的输出光LE进入与第一发光区域LA1重叠的第一波长转换图案340。另外，堤状图案370可以阻挡或防止外部光(例如来自显示装置1外部的光)进入位于非发光区域NLA中的堤状图案370下方的元件。
第一波长转换图案340、第二波长转换图案350和透光图案330可以位于第二封盖层391上(例如在其底表面上)。在一些实施例中，第一波长转换图案340、第二波长转换图案350和透光图案330可以位于显示区域DA中。
透光图案330可以与第三发光区域LA3和/或第三发光元件ED3重叠。透光图案330可以位于由第三透光区域TA3中的堤状图案370所限定的空间中。例如，透光图案330可以位于与第三透光区域TA3重叠的堤状图案370的开口中。
在一些实施例中，透光图案330可以形成为如图19中所示的岛形图案。例如，在平面图中，透光图案330可以完全被堤状图案370围绕。尽管在图中透光图案330与阻光区域BA不重叠，但这仅是示例。在一些实施例中，透光图案330的一部分可以与阻光区域BA重叠。
透光图案330可以使入射光透射。如上所述由第三发光元件ED3所提供的输出光LE可以是蓝色光。即就是蓝色光的输出光LE透射通过透光图案330和第三滤色器235并且此后发射到显示装置1的外部。例如，通过第三发光区域LA3从显示装置1发射出的第三光L3可以是蓝色光。
在一些实施例中，透光图案330可以包括第一基体树脂331并且可以进一步包括分散在第一基体树脂331中的第一散射体333。
第一基体树脂331可以是由具有高透光率的材料制成的。在一些实施例中，第一基体树脂331可以是由有机材料制成的。例如，第一基体树脂331可以包括(例如是)诸如环氧树脂、丙烯酸树脂、卡多树脂和/或酰亚胺树脂这样的有机材料。
第一散射体333可以具有与第一基体树脂331不同的折射率并且可以与第一基体树脂331形成光学界面。例如，第一散射体333可以是光散射颗粒。第一散射体333不受到特别限制，只要它是可散射至少一部分透射光(例如进入透光图案330的输出光LE的至少一部分)的材料。例如，第一散射体333可以是金属氧化物颗粒和/或有机颗粒。金属氧化物可以是例如氧化钛(TiO2)、氧化锆(ZrO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化铟(In2O3)、氧化锌(ZnO)和/或氧化锡(SnO2)。有机颗粒的材料可以是例如丙烯酸树脂和/或聚氨酯树脂。第一散射体333可以在实质上不改变透射通过透光图案330的光的波长的情况下在随机或各种方向上散射入射光而与入射光的入射方向无关。
在一些实施例中，透光图案330可以直接接触第二封盖层391和/或堤状图案370。
第一波长转换图案340可以位于第二封盖层391上(例如在第二封盖层391的底表面上)并且可以与第一发光区域LA1、第一发光元件ED1和/或第一透光区域TA1重叠。
在一些实施例中，第一波长转换图案340可以位于由第一透光区域TA1中的堤状图案370所限定的空间中。例如，第一波长转换图案340可以在堤状图案370的开口中。
在一些实施例中，如图19中所示，第一波长转换图案340可以形成为岛形图案。例如，在平面图中，第一波长转换图案340可以完全被堤状图案370围绕。尽管在图中第一波长转换图案340与阻光区域BA不重叠，但这仅是示例。在一些实施例中，第一波长转换图案340的一部分可以与阻光区域BA重叠。
在一些实施例中，第一波长转换图案340可以直接接触第二封盖层391和/或堤状图案370。
第一波长转换图案340可以将入射光的峰值波长转换或变换成另一设定的峰值波长并输出具有所述设定峰值波长的光。在一些实施例中，第一波长转换图案340可以将由第一发光元件ED1所提供的输出光LE转换为峰值波长在610nm至650nm范围内的红色光并输出该红色光。
在一些实施例中，第一波长转换图案340可以包括第二基体树脂341以及分散在第二基体树脂341中的第一波长变换器345，并且可以进一步包括分散在第二基体树脂341中的第二散射体343。
第二基体树脂341可以是由具有高透光率的材料制成的。在一些实施例中，第二基体树脂341可以是由有机材料制成的。在一些实施例中，第二基体树脂341可以是由与第一基体树脂331相同的材料制成的或者可以包括(例如是)从可以包含在第一基体树脂331中的示例性材料中选择的至少一种。
第一波长变换器345可以将入射光(例如进入第一波长转换图案340的输出光LE)的峰值波长转换或变换成另一设定的峰值波长。在一些实施例中，第一波长变换器345可以将第三颜色的输出光LE(其是由第一发光元件ED1所提供的蓝色光)转换为具有在610nm至650nm范围内的设定(例如单个)峰值波长的红色光并输出该红色光。
第一波长变换器345的示例可以包括量子点、量子棒和/或磷光体。例如，量子点可以是用于当电子从导带跃迁到价带时发射设定颜色的光的颗粒材料。
量子点可以是半导体纳米晶体材料。量子点可以根据其组成和尺寸而具有设定带隙。因而，量子点可以吸收光并且此后发射具有设定(例如唯一)波长的光。量子点的半导体纳米晶体的示例包括IV族化合物纳米晶体、II-VI族化合物纳米晶体、III-V族化合物纳米晶体、IV-VI族化合物纳米晶体及其组合。
II-VI族化合物可以是从二元化合物(选自CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS及其混合物)、三元化合物(选自AgInS、CuInS、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgSe、CdHgSe、CdHgSe、CdHgSe、CdHgSe、CdHgSe、CdHgSe、CdHgSe、CdHgSe以及其混合物)以及四元化合物(选自HgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe及其混合物)中选择的。
III-V族化合物可以是从二元化合物(选自GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb及其混合物)、三元化合物(选自GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InNP、InZnP、InAlP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb及其混合物)以及四元化合物(选自GaAlNAs、GaAlNP、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb及其混合物)中选择的。
IV-VI族化合物可以是从二元化合物(选自SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe及其混合物)、三元化合物(选自SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe及其混合物)以及四元化合物(选自SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe及其混合物)中选择的。IV族元素可以是从硅(Si)、锗(Ge)及其混合物中选择的。IV族化合物可以是从碳化硅(SiC)、硅锗(SiGe)及其混合物中选择的二元化合物。
在这里，二元、三元和/或四元化合物可以以均匀的浓度存在于颗粒中或者可以以部分不同的浓度存在于颗粒中。例如，颗粒中二元、三元和/或四元化合物的浓度可以不均匀。另外，它们可以具有一个量子点在另一量子点周围(例如围绕)这样的核/壳结构。核与壳之间的界面可以具有其中存在于壳中的元素的浓度朝着中心(例如壳和/或核的中心)的方向降低这样的浓度梯度。
在一些实施例中，量子点可以具有核-壳结构，其包括含有上述纳米晶体的核以及在核周围(例如围绕)的壳。每个量子点的壳可以用作通过防止或减少核的化学变性来保持半导体特性的保护层和/或可以用作用于向量子点赋予电泳特性的充电层。壳可以是单层或多层。核与壳之间的界面可以具有其中存在于壳中的元素的浓度朝着中心(例如壳和/或核的中心)的方向降低这样的浓度梯度。每个量子点的壳可以是例如金属或非金属氧化物、半导体化合物或其组合。
例如，金属或非金属氧化物可以是但不局限于诸如SiO2、Al2O3、TiO2、ZnO、MnO、Mn2O3、Mn3O4、CuO、FeO、Fe2O3、Fe3O4、CoO、Co3O4、NiO或其组合这样的二元化合物和/或诸如MgAl2O4、CoFe2O4、NiFe2O4、CoMn2O4或其组合这样的三元化合物。
另外，半导体化合物可以是但不局限于CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP、AlSb或其组合。
从第一波长变换器345发射的光可以具有约45nm或更小、约40nm或更小或约30nm或更小的发射波长谱的半最大值全宽(FWHM)。因此，可进一步改善显示装置1的颜色纯度和颜色再现性。另外，从第一波长变换器345发射的光可以沿各种方向辐射，而不管入射光的入射方向如何。因此，可改善(例如增加)在第一透光区域TA1中所显示的第一颜色的侧向可视性(例如视角)。
由第一发光元件ED1所提供的输出光LE的一部分可以透射通过第一波长转换图案340，而不会被第一波长变换器345转换成红色光。在输出光LE中，入射到第一滤色器231上但未被第一波长转换图案340转换的分量可以被第一滤色器231阻挡。另一方面，输出光LE已被第一波长转换图案340转换成的红色光可以透射通过第一滤色器231并且被发射到外部。例如，通过第一透光区域TA1而从显示装置1发射出的第一光L1可以是红色光。
第二散射体343可以具有与第二基体树脂341不同的折射率并且可以与第二基体树脂341形成光学界面。例如，第二散射体343可以是光散射颗粒。第二散射体343的其它细节与第一散射体333基本相同或相似，并且因而可以不提供对其的描述。
第二波长转换图案350可以位于由第二透光区域TA2中的堤状图案370所限定的空间中。例如，第二波长转换图案350可以在堤状图案370的开口中。
在一些实施例中，如图19中所示，第二波长转换图案350可以形成为岛形图案。例如，在平面图中，第二波长转换图案350可以被堤状图案370完全围绕。在一些实施例中，第二波长转换图案350的一部分可以与阻光区域BA重叠。
在一些实施例中，第二波长转换图案350可以直接接触第二封盖层391和/或堤状图案370。
第二波长转换图案350可以将入射光(例如进入第二波长转换图案350的输出光LE)的峰值波长转换或变换成另一设定的峰值波长并且输出具有该设定峰值波长的光。在一些实施例中，第二波长转换图案350可以将由第二发光元件ED2所提供的输出光LE转换成在约510nm至约550nm范围内的绿色光并输出该绿色光。
在一些实施例中，第二波长转换图案350可以包括第三基体树脂351以及分散在第三基体树脂351中的第二波长变换器355，并且可以进一步包括分散在第三基体树脂351中的第三散射体353。
第三基体树脂351可以是由具有高透光率的材料制成的。在一些实施例中，第三基体树脂351可以是由有机材料制成的。在一些实施例中，第三基体树脂351可以是由与第一基体树脂331相同的材料制成的或者可以包括(例如是)从可以包含在第一基体树脂331中的示例性材料中选择的至少一种。
第二波长变换器355可以将入射光(例如进入第二波长转换图案350的输出光LE)的峰值波长转换或变换成另一设定的峰值波长。在一些实施例中，第二波长变换器355可以将具有在440nm至480nm范围内的峰值波长的蓝色光转换为具有在510nm至550nm范围内的峰值波长的绿色光。
第二波长变换器355的示例可以包括量子点、量子棒和/或磷光体。第二波长变换器355可以与上述第一波长变换器345基本相同或相似，并且因而可以不提供对其更详细的描述。
在一些实施例中，第一波长变换器345和第二波长变换器355这两者都可以是由量子点组成的。在这种情况下，构成第二波长变换器355的量子点的颗粒大小可以小于构成第一波长变换器345的量子点的颗粒大小。
第三散射体353可以具有与第三基体树脂351不同的折射率并且可以与第三基体树脂351形成光学界面。例如，第三散射体353可以是光散射颗粒。第三散射体353的其它细节与第二散射体343基本相同或相似，并且因而可以不提供对其的描述。
从第二发光元件ED2发射的输出光LE可以被提供给第二波长转换图案350，并且第二波长变换器355可以将由第二发光元件ED2所提供的输出光LE转换成具有在约510nm至约550nm范围内的峰值波长的绿色光并且发射该绿色光。
其是蓝色光的输出光LE的一部分可以透射通过第二波长转换图案350而未被第二波长变换器355转换成绿色光并且可以被第二滤色器233阻挡。另一方面，输出光LE已被第二波长转换图案350转换为的绿色光可以透射通过第二滤色器233并且发射到外部。因此，通过第二透光区域TA2而从显示装置1发射出的第二光L2可以是绿色光。
第三封盖层393可以位于堤状图案370、透光图案330、第一波长转换图案340和第二波长转换图案350上(例如在其底表面上)。第三封盖层393可以覆盖透光图案330、第一波长转换图案340和第二波长转换图案350(例如覆盖其底表面)。在一些实施例中，第三封盖层393也可以位于非显示区域NDA中(参见图1)。在非显示区域NDA中(参见图1)，第三封盖层393可以直接接触第二封盖层391并且密封透光图案330、第一波长转换图案340和第二波长转换图案350。因此，可以防止或阻挡从外部引入诸如湿气和/或空气这样的杂质并损坏或污染透光图案330、第一波长转换图案340和第二波长转换图案350。
在一些实施例中，第三封盖层393可以是由无机材料制成的。在一些实施例中，第三封盖层393可以是由与第二封盖层391相同的材料制成的，或者可以包括(例如是)从在对第二封盖层391的描述中所提到的示例性材料中选择的至少一种。
如上所述，填料70可以位于颜色转换基底30与显示基底10之间的空间中。在一些实施例中，如图7中所示，填料70可以直接接触第三封盖层393和薄膜封装层170。
图20是用于对根据实施例的显示装置1的可靠性进行说明的视图，更具体地说，图20是通过改变薄膜封装层170的结构在85℃的温度和85％的湿度的环境下测试每个显示装置的可靠性而获得的图像。
图20中的第一示例EX1是薄膜封装层170是由两个下无机层、有机层以及具有单层结构的上无机层组成的情况。例如，它是通过从图10的结构中省略第一子无机层1711(参见图10)而获得的结构。与第二子无机层1713相对应的无机层(参见图10)是由氮氧化硅(SiOxNy)制成的并且形成为具有1.62的折射率和0.8μm的厚度，并且与第一上无机层175相对应的无机层(参见图10)是由氮氧化硅(SiOxNy)制成的并且形成为具有1.64的折射率和0.7μm的厚度。
在第一示例EX1中，在85℃的温度和85％的湿度的环境下经过750小时(hr)之后，由于湿气和氧气的渗透，约45％的显示装置1在边缘的部分A1中经历了显示质量的劣化。在1,000小时(hr)之后，由于外部湿气和氧气的渗透，根据第一示例EX1的显示装置1具有100％的缺陷(例如100％的显示装置1具有缺陷)。
图20中的第二示例EX2是与第一示例EX1相比薄膜封装层170进一步包括与第一子无机层1711相对应的无机层(参见图10)这样的情况。除了与第一子无机层1711相对应的元件(参见图10)以及第二子无机层1713的折射率之外，第二示例EX2与第一示例EX1相同。与第一子无机层1711相对应的无机层(参见图10)是由氮氧化硅(SiOxNy)制成的并且形成为具有1.62的折射率和
Figure BDA0003116967360000451
的厚度。与第二子无机层1713相对应的无机层是由氮氧化硅(SiOxNy)制成的并且形成为具有1.64的折射率和0.8μm的厚度。
在第二示例EX2中，即使经过750小时(hr)后，显示装置1也没有缺陷。1,000小时(hr)后，约5％的显示装置1在角A2处颜色略有变化。
图20中的第三示例EX3是与第二示例EX2相比薄膜封装层170进一步包括与第四子无机层1751(参见图12)相对应的无机层这样的情况。除了与第四子无机层1751相对应的元件(参见图12)之外，第三示例EX3与第二示例EX2相同。与第四子无机层1751相对应的无机层(参见图12)是由氮氧化硅(SiOxNy)制成的并且形成为具有1.62的折射率和
Figure BDA0003116967360000461
的厚度。
在第三示例EX3中，即使经过750小时(hr)，显示装置1也没有缺陷。1,000小时(hr)后，约5％的显示装置1在部分A3中有一些缺陷，但在显示装置1的边缘没有湿气或氧气渗透的痕迹。
根据上述实施例，即使通过减小包含在薄膜封装层170中的无机层的折射率来使消光系数收敛至基本为零，因为在起阻隔物作用的无机层之下额外地设置有无机层，因此薄膜封装层170的存储可靠性可保持在极好的水平(例如可改善)。
因此，根据本公开的一个或多个实施例，在保持显示装置1的可靠性的同时可改善显示装置1的光效率。此外，当在薄膜封装层170的无机层上提供了不平坦结构时，有机材料的铺展性改善了，并且两层之间的粘合性改善了。因此，可进一步改善显示装置1的可靠性。
图21是沿着图3和图4的线X3-X3’所截取的根据实施例的显示装置2的截面图。
参考图21，根据当前实施例的显示装置2包括显示基底10、颜色转换基底31和填料70。显示装置2与图7的实施例基本相同或相似，除了颜色转换基底31的配置之外，例如除了颜色转换基底31包括混色防止构件380并且不包括堤坝图案370(参见图7)之外。因此，可以不提供多余的描述，并且将主要描述差异。
第一波长转换图案340、第二波长转换图案350和透光图案330可以位于第二封盖层391上。在一些实施例中，第一波长转换图案340、第二波长转换图案350和透光图案330可以是通过涂覆感光材料并使该感光材料曝光并显影而形成的。
第三封盖层393可以位于第一波长转换图案340、第二波长转换图案350和透光图案330上。在一些实施例中，第三封盖层393可以在阻挡区域BA中直接接触第二封盖层391。
混色防止构件380可以位于面向显示基底10的第三封盖层393的表面(例如底表面)上。例如，第三封盖层393可以在(例如可以覆盖)混色防止构件380的顶部和侧表面上。
混色防止构件380可以位于阻光区域BA中以阻挡光的透射。混色防止构件380可以位于透光图案330与第一波长转换图案340之间以及第一波长转换图案340与第二波长转换图案350之间以防止或减少邻近透光区域之间的颜色混合。
在一些实施例中，混色防止构件380的平面布置可以与图19中所示的堤状图案370(参见图19)的布置基本相同或相似。然而，本公开不局限于此，并且可以对混色防止构件380的平面结构做出多种多样地且适当地变化。
在一些实施例中，混色防止构件380可以包括(例如是)有机阻光材料并且可以是通过涂覆有机阻光材料并使其曝光而形成的。
在一些实施例中，混色防止构件380可以直接接触填料70。
显示装置2的其它元件可以与以上参考图7至图20所描述的显示装置1基本相同。
图22是沿着图3和图4的线X3-X3’所截取的根据实施例的显示装置3的截面图。图23是图22的部分Q7的放大截面图。图24是图23的变形示例的截面图。
参考图22至图24，根据当前实施例的显示装置3与图7的实施例基本上相同或相似，只是显示基底11包括图7中所示的颜色转换基底30(参见图7)的除第二基体310之外的所有元件，并且省略了填料70。因此，下面将主要描述差异。
薄膜封装层170可以位于阴极CE上。在一些实施例中，第一封盖层160可以在阴极CE与薄膜封装层170之间。薄膜封装层170的结构可以与图10中所示的结构基本相同。在一些实施例中，可以将薄膜封装层170的结构适当地修改为图12中所示的薄膜封装层170_1的结构(参见图12)、图13中所示的薄膜封装层170_2的结构(参见图13)或者图14中所示的薄膜封装层170_3的结构(参见图14)。
第二封盖层391可以位于薄膜封装层170上。在一些实施例中，第二封盖层391可以接触薄膜封装层170。在一些实施例中，可以省略第二封盖层391。
堤状图案370、透光图案330、第一波长转换图案340和第二波长转换图案350可以位于第二封盖层391上。堤状图案370可以与非发光区域NLA重叠并且限定与第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3中的每一个相对应的空间。例如，堤状图案370中的开口可以限定第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3。透光图案330、第一波长转换图案340和第二波长转换图案350中的每一个可以位于由堤状图案370所限定的空间中。第一波长转换图案340可以与第一发光区域LA1重叠，第二波长转换图案350可以与第二发光区域LA2重叠，并且透光图案330可以与第三发光区域LA3重叠。
第三封盖层393可以位于透光图案330、第一波长转换图案340和第二波长转换图案350上。在一些实施例中，第三封盖层393也可以位于堤状图案370上。
与第一发光区域LA1重叠的第一滤色器231、与第二发光区域LA2重叠的第二滤色器233、与第三发光区域LA3重叠的第三滤色器235以及与非发光区域NLA重叠的颜色图案250可以位于第三封盖层393上。
在一些实施例中，第一滤色器231的一部分和第二滤色器233的一部分可以与非发光区域NLA重叠，并且颜色图案250可以在非发光区域NLA中位于第一滤色器231和第二滤色器233上。
在一些实施例中，阻光图案260可以在非发光区域NLA中位于颜色图案250与第一滤色器231之间以及颜色图案250与第二滤色器233之间并且可以与非发光区域NLA重叠。在实施例中，可以省略阻光图案260。
上薄膜封装层270可以位于第一滤色器231、第二滤色器233、第三滤色器235和颜色图案250上。
上薄膜封装层270保护位于上薄膜封装层270下方的元件免受诸如湿气的外部异物的影响。
上薄膜封装层270被设置在显示区域DA中的所有的第一发光区域LA1、第二发光区域LA2、第三发光区域LA3和非发光区域NLA中。在一些实施例中，上薄膜封装层270可以在显示区域DA中直接覆盖第一滤色器231、第二滤色器233、第三滤色器235和颜色图案250。
在一些实施例中，上薄膜封装层270可以包括顺序堆叠的第二下无机层271、第二有机层273和第二上无机层275。
在一些实施例中，第二下无机层271可以在显示区域DA中直接覆盖第一滤色器231、第二滤色器233、第三滤色器235和颜色图案250，并且可以在非显示区域NDA中覆盖堤状图案370和颜色图案250。
第二有机层273可以位于第二下无机层271上。第二有机层273可以位于整个显示区域DA之上，并且第二有机层273的一部分可以位于非显示区域NDA中(参见图1)。第二有机层273可以是由与第一有机层173相同的材料制成的或者可以包括(例如是)从可以包含在第一有机层173中的示例性材料中选择的一种或多种材料。
第二上无机层275可以位于第二有机层273上。第二上无机层275可以覆盖第二有机层273。在一些实施例中，第二上无机层275可以在非显示区域NDA中直接接触第二下无机层271(参见图1)以形成无机-无机接合。第二上无机层275可以是由与第一上无机层175相同的材料制成的或者可以包括(例如是)从可以包含在第一上无机层175中的示例性材料中选择的一种或多种材料。
在一些实施例中，第二有机层273的厚度Th3a可以为约2μm至约8μm。
第二下无机层271可以包括(例如是)无机材料并且可以具有多层结构。在一些实施例中，如图24中所示，第二下无机层271可以包括第七子无机层2711和第八子无机层2713。另外，第二下无机层271可以进一步包括第九子无机层2715。
第七子无机层2711可以位于(例如直接在)第一滤色器231、第二滤色器233、第三滤色器235和颜色图案250上。第七子无机层2711可以防止在形成第八子无机层2713的处理中第一滤色器231、第二滤色器233、第三滤色器235和颜色图案250被损坏，或者第七子无机层2711可以减少这种损坏。例如，第七子无机层2711可以用作保护层。
在一些实施例中，第七子无机层2711的压缩应力可以为0MPa至200MPa。
第八子无机层2713可以位于第七子无机层2711上。第八子无机层2713可以防止或阻挡湿气和/或氧气渗透到位于上薄膜封装层270下方的元件之中。在一些实施例中，第八子无机层2713的压缩应力可以为0MPa至200MPa。
第九子无机层2715可以位于第八子无机层2713上。第九子无机层2715的上表面可以直接接触第二有机层273。
可以在第九子无机层2715的上表面上和/或在与第二有机层273接触的表面上提供具有不规则图案的不平坦结构SR1a。因此，可改善第二有机层273的铺展性。根据均方根粗糙度Rq，不平坦结构SR1a的表面粗糙度可以为5nm至100nm。
在一些实施例中，第七子无机层2711的折射率n11a和第九子无机层2715的折射率n15a中的每一个可以小于第八子无机层2713的折射率n13a。例如，第八子无机层2713的折射率n13a可以为1.5至1.7，并且第七子无机层2711的折射率n11a和第九子无机层2715的折射率n15a中的每一个可以为1.3至小于1.7(例如等于或大于1.3且小于1.7)，只要它们小于第八子无机层2713的折射率n13a。
在一些实施例中，第七子无机层2711的厚度Th11a和第九子无机层2715的厚度Th15a中的每一个可以小于第八子无机层2713的厚度Th13a。例如，第八子无机层2713的厚度Th13a可以是
Figure BDA0003116967360000501
到
Figure BDA0003116967360000502
在一些实施例中，第七子无机层2711的厚度Th11a可以是
Figure BDA0003116967360000503
到
Figure BDA0003116967360000504
只要它小于第八子无机层2713的厚度Th13a。在一些实施例中，第九子无机层2715的厚度Th15a可以是
Figure BDA0003116967360000505
到
Figure BDA0003116967360000506
只要它小于第八子无机层2713的厚度Th13a。
在一些实施例中，第八子无机层2713可以是由诸如硅、铝、钨和/或钛这样的第三材料的氮氧化物制成的，并且第七子无机层2711和第九子无机层2715中的每一个可以是由第三材料的氧化物或第三材料的氮氧化物制成的。另外，第八子无机层2713中的氧原子含量可以小于第七子无机层2711中的氧原子含量和/或第九子无机层2715中的氧原子含量。在一些实施例中，第八子无机层2713中的氮原子含量可以大于第七子无机层2711中的氮原子含量和/或第九子无机层2715中的氮原子含量。例如，第七子无机层2711、第八子无机层2713和第九子无机层2715都可以是由氮氧化硅制成的。另外，第八子无机层2713可以具有比第七子无机层2711和/或第九子无机层2715相对更低的氧原子含量，并且第八子无机层2713可以具有比第七子无机层2711和/或第九子无机层2715相对更高的氮原子含量。
参考图24，可以将上薄膜封装层270(参见图23)修改为图24中所示的上薄膜封装层270_1。上薄膜封装层270_1可以包括第二下无机层271、第二有机层273和第二上无机层275a。
第二上无机层275a可以包括第十子无机层2751和第十一子无机层2753。
第十子无机层2751可以位于第二有机层273上，并且可以阻挡或减少在第二有机层273中所产生的废气。
第十一子无机层2753可以位于第十子无机层2751上，并且可以用作用于防止或阻挡外部湿气和/或氧气渗透的阻隔层。
在一些实施例中，第十子无机层2751的厚度Th51a、折射率n51a和材料可以分别与上面在图12中所描述的第四子无机层1751(参见图12)的厚度Th51(参见图12)、折射率n51(参见图12)和材料基本上相同。
在一些实施例中，第十一子无机层2753的厚度Th53a、折射率n53a和材料可以分别与上面在图12中所描述的第五子无机层1753(参见图12)的厚度Th53(参见图12)、折射率n53(参见图12)和材料基本上相同。
此外，第十子无机层2751的厚度Th51a与第十一子无机层2753的厚度Th53a之间的关系、第十子无机层2751的折射率n51a与第十一子无机层2753的折射率n53a之间的关系以及包含在第十子无机层2751中的无机材料与包含在第十一子无机层2753中的无机材料之间的关系(例如氧原子含量大小关系与氮原子含量大小关系)可以与上面在图12中所描述的第四子无机层1751(参见图12)与第五子无机层1753(参见图12)之间的关系相同，并且因而可以不提供对其的详细描述。
根据上述实施例的显示装置可防止或阻挡湿气和/或氧气从外部渗透，同时防止或抑制薄膜封装层的无机层吸收光。因此，可改善光效率。另外，因为可防止在形成用作阻隔物的无机层的处理中位于薄膜封装层下方的元件被损坏或者减少这种损坏，因此可改善显示装置的可靠性。此外，因为与有机层接触的薄膜封装层的无机层具有不平坦结构，因此可改善在形成有机层的处理中有机材料的延展性，可改善层间的粘合性，从而进一步改善显示装置的可靠性。
根据本公开的实施例，可以提供一种具有改善的显示质量和可靠性的显示装置。
然而，本公开的实施例的各方面不限于这里所阐述的方面。通过参考权利要求，本公开的实施例的以上及其它方面对于实施例所属领域的普通技术人员来说将变得更加显而易见。
尽管已经出于说明性目的公开了本公开的一些实施例，但是本领域普通技术人员将理解的是在不脱离如在所附权利要求及其等同物中所公开的本公开的范围和精神的情况下各种适当的修改、增加和/或替换是可能的。

Claims (26)

1.一种显示装置，其中，所述显示装置包括：
基体；
在所述基体上的发光元件；
在所述发光元件上的封盖层；
薄膜封装层，所述薄膜封装层包括在所述封盖层上的第一无机层、在所述第一无机层上的有机层以及在所述有机层上的第二无机层；以及
在所述薄膜封装层上且与所述发光元件重叠的波长转换图案，
其中所述第一无机层包括具有不同折射率的两个子无机层。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一无机层包括在所述封盖层上的第一子无机层以及在所述第一子无机层上的第二子无机层，并且所述第二子无机层的折射率大于所述第一子无机层的折射率。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一子无机层的所述折射率和所述第二子无机层的所述折射率各自为1.7或更小。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述第二子无机层的所述折射率为1.5至1.7，并且所述第一子无机层的所述折射率为1.3至小于1.7。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述封盖层包括有机材料，并且所述第一子无机层直接接触所述封盖层。
6.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第二子无机层的厚度大于所述第一子无机层的厚度。
7.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一子无机层和所述第二子无机层中的每一个包括氧原子，并且所述第一子无机层的氧原子含量大于所述第二子无机层的氧原子含量。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述第一子无机层和所述第二子无机层中的每一个进一步包括氮原子，并且所述第二子无机层的氮原子含量大于所述第一子无机层的氮原子含量。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述第一子无机层和所述第二子无机层是由氮氧化硅制成的。
10.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一无机层进一步包括在所述第二子无机层上并与所述有机层接触的第三子无机层，并且所述第三子无机层包括与所述有机层接触的不平坦结构。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，与所述有机层接触的所述第三子无机层的表面的表面粗糙度大于与所述第二子无机层接触的所述第一子无机层的表面的表面粗糙度。
12.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述不平坦结构的均方根表面粗糙度为5nm至100nm。
13.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述第三子无机层的折射率小于所述第二子无机层的折射率，并且所述第三子无机层的厚度小于所述第二子无机层的厚度。
14.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二无机层包括在所述有机层上的第一子无机层以及在所述第一子无机层上的第二子无机层，并且
其中所述第一子无机层的折射率和所述第二子无机层的折射率各自为1.7或更小，所述第二子无机层的所述折射率大于所述第一子无机层的所述折射率，并且所述第二子无机层的厚度大于所述第一子无机层的厚度。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述第一子无机层和所述第二子无机层是由氮氧化硅制成的，所述第一子无机层的氧原子含量大于所述第二子无机层的氧原子含量，并且所述第二子无机层的氮原子含量大于所述第一子无机层的氮原子含量。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述显示装置进一步包括在所述波长转换图案与所述薄膜封装层之间的填料，
其中所述第二无机层进一步包括在所述第二子无机层与所述填料之间的第三子无机层，并且所述第三子无机层包括与所述填料接触的不平坦结构。
17.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述第三子无机层的折射率小于所述第二子无机层的所述折射率，并且所述第三子无机层的厚度小于所述第二子无机层的所述厚度。
18.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示装置进一步包括在所述波长转换图案与所述薄膜封装层之间的填料，
其中所述第二无机层包括在所述有机层上的第一子无机层以及在所述第一子无机层上且与所述填料接触的第二子无机层，所述第二子无机层包括与所述填料接触的不平坦结构，并且所述不平坦结构的均方根表面粗糙度为5nm至100nm。
19.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述发光元件包括彼此重叠的第一发光层、第二发光层和第三发光层，并且所述第一发光层、所述第二发光层和所述第三发光层中的每一个发射具有在440nm至550nm范围内的峰值波长的光，并且
其中从所述第一发光层、所述第二发光层和所述第三发光层中选择的至少一个将发射具有第一峰值波长的光，并且从所述第一发光层、所述第二发光层和所述第三发光层中选择的另一个将发射具有与所述第一峰值波长不同的第二峰值波长的光。
20.一种显示装置，其中，所述显示装置包括：
基体；
在所述基体上的发光元件；
薄膜封装层，所述薄膜封装层包括在所述发光元件上的第一无机层、在所述第一无机层上的第一有机层以及在所述第一有机层上的第二无机层；
在所述薄膜封装层上且与所述发光元件重叠的波长转换图案；
在所述波长转换图案上的封盖层；
在所述封盖层上且与所述波长转换图案重叠的滤色器；以及
上薄膜封装层，所述上薄膜封装层在所述滤色器上并且包括第三无机层、在所述第三无机层上的第二有机层以及在所述第二有机层上的第四无机层，
其中所述第三无机层包括在所述滤色器上的第一子无机层以及在所述第一子无机层上的第二子无机层，并且所述第一子无机层的折射率与所述第二子无机层的折射率不同。
21.根据权利要求20所述的显示装置，其中，所述第二子无机层的所述折射率大于所述第一子无机层的所述折射率，并且所述第一子无机层的所述折射率和所述第二子无机层的所述折射率各自为1.7或更小。
22.根据权利要求21所述的显示装置，其中，所述第二子无机层的所述折射率为1.5至1.7，并且所述第一子无机层的所述折射率为1.3至小于1.7。
23.根据权利要求22所述的显示装置，其中，所述滤色器包括有机材料，并且所述第一子无机层直接接触所述滤色器。
24.根据权利要求22所述的显示装置，其中，所述第三无机层进一步包括在所述第二子无机层上并与所述第二有机层接触的第三子无机层，并且所述第三子无机层包括与所述第二有机层接触的不平坦结构。
25.根据权利要求24所述的显示装置，其中，所述第三子无机层的折射率小于所述第二子无机层的所述折射率。
26.根据权利要求24所述的显示装置，其中，所述第四无机层包括在所述第二有机层上的第四子无机层以及在所述第四子无机层上的第五子无机层，并且
其中所述第四子无机层的折射率和所述第五子无机层的折射率各自为1.7或更小，所述第五子无机层的所述折射率大于所述第四子无机层的所述折射率，并且所述第五子无机层的厚度大于所述第四子无机层的厚度。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024040511A1 (zh) * 2022-08-25 2024-02-29 京东方科技集团股份有限公司 显示面板和显示装置

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220023892A (ko) 2020-08-21 2022-03-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20230173253A (ko) * 2022-06-16 2023-12-27 삼성디스플레이 주식회사 색변환 기판, 이를 포함하는 표시 장치, 및 색변환 기판의 제조 방법

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101842586B1 (ko) 2011-04-05 2018-03-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
US10147906B2 (en) 2014-02-06 2018-12-04 Emagin Corporation High efficacy seal for organic light emitting diode displays
CN205900543U (zh) 2016-05-18 2017-01-18 武汉华星光电技术有限公司 一种oled显示面板
KR102512274B1 (ko) 2016-08-12 2023-03-22 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR102601483B1 (ko) * 2016-09-21 2023-11-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
JP2018073567A (ja) * 2016-10-27 2018-05-10 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102376594B1 (ko) * 2017-09-04 2022-03-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조방법
US10678091B2 (en) * 2017-10-25 2020-06-09 Samsung Display Co., Ltd. Color conversion element and display device including the same
KR102579289B1 (ko) * 2017-10-25 2023-09-18 삼성디스플레이 주식회사 색변환 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102448066B1 (ko) 2017-12-22 2022-09-28 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시 장치
KR20190093131A (ko) 2018-01-30 2019-08-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20200032294A (ko) * 2018-09-17 2020-03-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20200059369A (ko) * 2018-11-20 2020-05-29 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널
KR20200097373A (ko) * 2019-02-07 2020-08-19 삼성디스플레이 주식회사 양자점 색 변환 필터를 구비하는 유기발광 표시장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024040511A1 (zh) * 2022-08-25 2024-02-29 京东方科技集团股份有限公司 显示面板和显示装置

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