CN219288079U - 显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请涉及显示装置。包括显示区域和非显示区域的显示装置包括：显示衬底；以及颜色转换衬底，设置在显示衬底上，显示衬底包括：第一基础部分；以及发光元件，在第一基础部分上设置在显示区域中，颜色转换衬底包括：第二基础部分，面对第一基础部分；以及滤色器层，设置在第二基础部分和发光元件之间，显示区域包括发射第一光的第一发光区域，滤色器层包括设置在第一发光区域中的第一滤色器，以及第一滤色器包括至少两层。

Description

显示装置

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年11月25日在韩国知识产权局提交的第10-2021-0164827号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文中。

技术领域

本公开涉及一种显示装置。

背景技术

随着多媒体的发展，显示装置的重要性逐渐增加。为此，已经开发了各种显示装置，诸如液晶显示(LCD)装置和有机发光二极管显示(OLED)装置。

在显示装置中，自发光显示装置可以包括自发光元件，例如有机发光元件。自发光元件可以包括两个相对的电极和插置在其间的发射层。在自发光元件是有机发光元件的情况下，从两个电极提供的电子和空穴在发射层中复合以生成激子，所生成的激子从激发态改变到基态，并且可以发射光。

不需要光源(诸如，背光单元)的自发光显示装置具有低功耗，并且可以是轻量且纤薄的，并且由于其诸如宽视角、高亮度和对比度、以及快速响应速度的高质量特性，其也可以作为下一代显示装置得到关注。

将理解的是，该背景技术部分旨在部分地为理解该技术提供有用的背景。然而，该背景技术部分也可以包括并非是本文中公开的主题的相应有效申请日之前被相关领域的技术人员已知或理解的内容的一部分的概念、构思或认识。

实用新型内容

本公开的方面提供了降低镜面反射率而不劣化颜色特性的显示装置。

然而，本公开的方面不限于本文中阐述的那些。通过参考以下给出的本公开的详细描述，本公开的以上和其它方面对于本公开所属领域的普通技术人员将变得更加显而易见。

根据本公开的一方面，提供了一种显示装置，包括显示区域和非显示区域的显示装置可以包括：显示衬底；以及颜色转换衬底，设置在显示衬底上，其中，显示衬底可以包括：第一基础部分；以及发光元件，在第一基础部分上设置在显示区域中，颜色转换衬底可以包括：第二基础部分，面对第一基础部分；以及滤色器层，设置在第二基础部分和发光元件之间，显示区域可以包括发射第一光的第一发光区域，滤色器层可以包括设置在第一发光区域中的第一滤色器，以及第一滤色器可以包括至少两层。

第一光可以具有在约610nm至约650nm的范围内的峰值波长。

显示区域还可以包括：第二发光区域，发射第二光；第三发光区域，发射第三光；以及非发光区域，将第一发光区域、第二发光区域和第三发光区域分隔开。

第二光可以具有在约510nm至约550nm的范围内的峰值波长，以及第三光可以具有在约440nm至约480nm的范围内的峰值波长。

滤色器层还可以包括：第二滤色器，设置在第二发光区域中；以及第三滤色器，设置在第三发光区域中。

第一滤色器可以包括比第二滤色器和第三滤色器中的每个更多的层。

第一滤色器可以包括基础树脂和分散在基础树脂中的着色剂。

第一滤色器的至少两层可以包括：第一层；以及第二层，设置在第一层和第二基础部分之间，第一层和第二层可以彼此不同，第一层可以包括基础树脂和分散在基础树脂中的着色剂中的第一着色剂，以及第二层可以包括基础树脂和分散在基础树脂中的着色剂中的第二着色剂。

第一着色剂可以以第一含量分散在第一层的基础树脂中，第二着色剂可以以第二含量分散在第二层的基础树脂中，以及第一含量可以大于第二含量。

第一含量可以在约25％至约45％的范围内。

第二含量可以在约8％至约15％的范围内。

第一层可以具有第一厚度，以及第二层可以具有小于第一层的第一厚度的第二厚度。

第一厚度可以在约2000nm至约4000nm的范围内。

第二厚度可以在约500nm至约2000nm的范围内。

滤色器层还可以包括与非发光区域重叠的光阻挡图案，光阻挡图案可以包括：第一光阻挡图案，设置在第二基础部分的表面上；第二光阻挡图案，设置在第一光阻挡图案上；以及第三光阻挡图案，设置在第二光阻挡图案上，第一光阻挡图案和第三滤色器可以包括相同的材料，第二光阻挡图案和第一滤色器的第一层可以包括相同的材料，以及第三光阻挡图案和第二滤色器可以包括相同的材料。

根据本公开的另一方面，提供了一种显示装置，包括显示区域和非显示区域的显示装置可以包括：第一衬底；以及第二衬底，设置在第一衬底上，其中，第一衬底可以包括：第一基础部分；以及发光元件，在第一基础部分上设置在显示区域中，第二衬底可以包括：第二基础部分，面对第一基础部分；以及滤色器层，设置在第二基础部分和发光元件之间，显示区域可以包括发射第一光的第一发光区域，滤色器层可以包括设置在第一发光区域中的第一滤色器，第一滤色器可以包括至少两层，第一滤色器可以包括基础树脂和分散在基础树脂中的着色剂，第一滤色器的至少两层可以包括：第一层；以及第二层，设置在第一层和第二基础部分之间，第一层和第二层可以彼此不同，第一层可以具有第一折射率，以及第二层可以具有小于第一层的第一折射率的第二折射率。

第二基础部分可以具有第三折射率，以及第二折射率可以大于或等于第二基础部分的第三折射率。

第一折射率可以在约1.65至约2.0的范围内，以及第二折射率可以在约1.5至约1.65的范围内。

第二层对于具有在约480nm至约580nm的范围内的波长的光可以具有约10％或更小的透射率。

第二衬底还可以包括设置在滤色器层和发光元件之间的波长转换图案和光透射图案。

其它实施方式的详细内容在详细描述中进行了描述，并且示出在附图中。

根据实施方式，可以提供降低镜面反射率而不劣化颜色特性的显示装置。

然而，实施方式的效果不限于本文中阐述的那些。通过参考本公开和权利要求，实施方式的以上和其它效果对于实施方式所属领域的普通技术人员将变得更加显而易见。

附图说明

通过参考附图详细描述本公开的实施方式，本公开的以上和其它方面和特征将变得更加显而易见，在附图中：

图1是示出根据实施方式的显示装置的示意性堆叠结构的示意性剖视图；

图2是根据实施方式的显示装置的示意性平面图；

图3是图2的部分Q1的放大的示意性平面图，并且例如是包括在图2的显示装置中的显示衬底的示意性平面图；

图4是图2的部分Q1的放大的示意性平面图，并且例如是包括在图2的显示装置中的颜色转换衬底的示意性平面图；

图5是示出图3的修改示例的示意性平面图；

图6是示出图4的修改示例的示意性平面图；

图7是图2的部分Q3的放大的示意性平面图；

图8是图2的部分Q5的放大的示意性平面图；

图9是沿着图3和图4的线X1-X1'截取的根据实施方式的显示装置的示意性剖视图；

图10是图9的部分Q7的放大的示意性剖视图；

图11是示出图10所示的结构的修改示例的示意性剖视图；

图12是沿着图7的线X3-X3'截取的根据实施方式的显示装置的示意性剖视图；

图13是示出根据实施方式的显示装置的颜色转换衬底中的第三滤色器的示意性布置的示意性平面图；

图14是示出根据实施方式的显示装置的颜色转换衬底中的第一滤色器的示意性布置的示意性平面图；

图15是示出根据实施方式的显示装置的颜色转换衬底中的第二滤色器的示意性布置的示意性平面图；

图16是示出根据实施方式的显示装置的颜色转换衬底中的堤部图案、第一波长转换图案、第二波长转换图案和光透射图案的示意性布置的示意性平面图；

图17是图9的区域Q9的放大的示意性剖视图；

图18是示出根据实施方式的外部光在第二基础部分和第一滤色器中的路径的示意图；

图19是示出根据第一着色剂的含量的对每个波长的光的折射率(n)的曲线图；

图20是示出根据第一着色剂的含量的对每个波长的光的消光系数(k)的曲线图；以及

图21和图22是示出根据第一着色剂的含量的对每个波长的光的透射率的曲线图。

具体实施方式

参考结合附图在下面详细描述的实施方式，本公开以及实现其的方法的优势和特征将变得显而易见。然而，本公开不限于将在下面描述的实施方式，而是可以以各种不同的形式来实施，提供这些实施方式以使本公开完整并且允许本公开所属领域的普通技术人员完整地认识到本公开的范围，并且本公开也将由权利要求的范围来限定。

短语“一个元件或层‘在’另一元件或层‘上’”包括一个元件或层直接在另一元件或层上的情况、以及一个元件或层在另一元件或层上且其它层或元件插置在它们之间的情况二者。另一方面，短语“一个元件或层‘直接在’另一元件或层‘上’”指示一个元件或层在另一元件或层上，且在它们之间不插置有其它层或元件。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的部件。

将理解的是，当元件(或区域、层、部分等)在说明书中被称为“在”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“联接到”另一元件时，其可以直接设置在以上提及的另一元件上、直接连接到以上提及的另一元件或直接联接到以上提及的另一元件，或者在它们之间可以设置中间元件。

将理解的是，术语“连接到”或“联接到”可以包括物理连接或联接或者电连接或联接。

如本文中所使用的，单数形式“一”、“一个”和“该”旨在也包括复数形式，除非上下文另有清楚地指示。

在说明书和权利要求书中，出于其含义和解释的目的，术语“和/或”旨在包括术语“和”和“或”的任何组合。例如，“A和/或B”可以理解为意指“A、B、或A和B”。术语“和”和“或”可以以连接词性含义或反意连接词性含义使用，并且可以理解为等同于“和/或”。

在说明书和权利要求书中，出于其含义和解释的目的，短语“…中的至少一个”旨在包括“选自…的组中的至少一个”的含义。例如，“A和B中的至少一个”可以理解为意指“A、B、或A和B”。

可以使用空间相对术语“下方”、“下面”、“下”、“上方”、“上”等来容易地描述如附图中所示的一个(一些)元件或部件和另一(些)元件或部件之间的相关性。空间相对术语将被理解为包括除了附图中所示的方向之外的元件的不同方向的术语。例如，在附图中所示的元件被翻转的情况下，被描述为在另一元件“下方或下面”的元件可以位于另一元件“上方”。因此，术语“下方”可以包括下方和上方的两个方向。

术语“重叠”或“重叠的”意指第一对象可以在第二对象的上方或下方，或者在第二对象的一侧，并且意指第二对象可以在第一对象的上方或下方，或者在第一对象的一侧。另外，术语“重叠”可以包括层叠、堆叠、面对或面向、遍及…延伸、覆盖或部分覆盖，或者可以是如本领域普通技术人员将领会和理解的任何其它合适的术语。

当元件被描述为“不与”另一元件“重叠”或“…成不与”另一元件“重叠”时，其可以包括这些元件彼此间隔开、与彼此偏离、或设定在彼此旁边，或可以包括如本领域普通技术人员将领会和理解的任何其它合适的术语。

术语“面对”和“面向”意指第一元件可以直接或间接地与第二元件相对。在第三元件插置在第一元件和第二元件之间的情况下，第一元件和第二元件可以被理解为彼此间接相对，但仍彼此面对。

术语“包含”、“包含有”、“包括”和/或“包括有”、“具有(has)”、“具有(have)”和/或“具有(having)”及其变形，当在本说明书中使用时，表示所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在，但不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在或添加。

尽管使用第一、第二、第三、第四等来描述各种部件，但是这些部件不受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个部件与另一部件区分开。因此，在本公开的精神内，下面提到的第一部件可以是第二部件、第三部件和第四部件中的任何一个。

本文中描述的实施方式将参考作为理想的示意图的示意性平面图和示意性剖视图来描述。因此，例示性附图的形状可能由于制造技术和/或公差而改变。因此，本公开的实施方式不限于所例示的形式，而是还包括根据制造工艺而产生的形式的变化。因此，附图中所示的区域具有示意性的特性，并且附图中所示的区域的形状旨在示出元件的区域的给定形状，而不是限制本公开的范围。例如，在附图中，为了便于描述且为了清楚，可以夸大元件的大小、厚度、比例和尺寸。相同的附图标记始终表示相同的元件。

如在本文中使用的“约”或“近似”包括所述值以及如本领域普通技术人员考虑所讨论的测量以及与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)所确定的特定值的可接受变化范围内的平均值。例如，“约”可以意指在一个或多个标准偏差内，或在所述值的±30％、±20％、±10％、±5％内。

除非在本文中另有限定或暗示，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，术语，诸如在常用词典中限定的术语，应被解释为具有与其在相关技术的上下文中的含义一致的含义，并且将不会被解释为理想化的或过于形式的含义，除非在本文中明确地如此限定。

在下文中，将参考附图描述实施方式。

图1是示出根据实施方式的显示装置的示意性堆叠结构的示意性剖视图。

参考图1，在本公开的精神和范围内，显示装置1可以应用于各种电子装置，诸如小型和中型电子设备(诸如，平板个人计算机(PC)、智能电话、汽车导航单元、相机、设置在汽车中的中央信息显示器(CID)、手表型电子装置、个人数字助理(PDA)、便携式多媒体播放器(PMP)和游戏机)、中型和大型电子设备(诸如，电视、外部广告牌、监视器、个人计算机和笔记本计算机)等。这些仅作为示例呈现，并且也可以在不背离本公开的情况下被用于其它电子装置中。

显示装置1可以包括显示图像的显示区域DA和不显示图像的非显示区域NDA。在实施方式中，非显示区域NDA可以位于或设置在显示区域DA周围并且围绕显示区域DA或与显示区域DA相邻。显示在显示区域DA中的图像可以在附图的箭头沿着第三方向Z所指向的方向上被用户看到。

将描述显示装置1的示意性堆叠结构。在实施方式中，如图1所示，显示装置1可以包括显示衬底10和面对显示衬底10的颜色转换衬底30，并且还可以包括联接或连接显示衬底10和颜色转换衬底30的密封构件50、以及填充在显示衬底10和颜色转换衬底30之间的填充件70。

显示衬底10可以包括用于显示图像的器件和电路，例如，诸如开关元件的像素电路、限定显示区域DA中的稍后将描述的发光区域和非发光区域的像素限定层以及自发光元件。在实施方式中，自发光元件可以包括有机发光二极管、量子点发光二极管、基于无机材料的微米发光二极管(例如，微米LED)和具有纳米尺寸的基于无机材料的发光二极管(例如，纳米LED)中的至少一种。在下文中，为了便于说明，将通过示例来描述自发光元件是有机发光元件的情况。

颜色转换衬底30可以定位在显示衬底10上并且可以面对显示衬底10。在实施方式中，颜色转换衬底30可以包括用于对入射光的颜色进行转换的颜色转换图案。在实施方式中，颜色转换衬底30可以包括滤色器和波长转换图案中的至少一个作为颜色转换图案。在实施方式中，颜色转换衬底30可以包括滤色器和波长转换图案二者。

密封构件50可以在非显示区域NDA中定位在显示衬底10和颜色转换衬底30之间。密封构件50可以在非显示区域NDA中沿着显示衬底10和颜色转换衬底30的边缘设置，以在平面图中围绕显示区域DA。显示衬底10和颜色转换衬底30可以通过密封构件50彼此联接或连接。

在实施方式中，密封构件50可以由有机材料制成。例如，密封构件50可以由基于环氧树脂的树脂制成，但不限于此。在其它实施方式中，在本公开的精神和范围内，密封构件50也可以以包括玻璃的玻璃料等的形式应用。

填充件70可以定位在显示衬底10和颜色转换衬底30之间的由密封构件50围绕的空间中。填充件70可以填充在显示衬底10和颜色转换衬底30之间。

在实施方式中，填充件70可以由可透射光的材料制成。在实施方式中，填充件70可以由有机材料制成。例如，填充件70可以由基于硅酮的有机材料、基于环氧的有机材料、或基于硅酮的有机材料和基于环氧的有机材料的混合物制成。

在实施方式中，填充件70可以由消光系数基本上为零的材料制成。在折射率和消光系数之间存在相关性，并且随着折射率的降低，消光系数也降低。在折射率为1.7或更小的情况下，消光系数可以基本上收敛到零。在实施方式中，填充件70可以由折射率为1.7或更小的材料制成，并且因此，可以防止或最小化从自发光元件提供的光在穿过填充件70时被吸收。在实施方式中，填充件70可以由折射率为1.4至1.6的有机材料制成。

图2是根据实施方式的显示装置的示意性平面图，图3是图2的部分Q1的放大的示意性平面图，并且例如是包括在图2的显示装置中的显示衬底的示意性平面图，图4是图2的部分Q1的放大的示意性平面图，并且例如是包括在图2的显示装置中的颜色转换衬底的示意性平面图，图5是示出图3的修改示例的示意性平面图，图6是示出图4的修改示例的示意性平面图，图7是图2的部分Q3的放大的示意性平面图，以及图8是图2的部分Q5的放大的示意性平面图。

除了图1之外，进一步参考图2至图8，在实施方式中，如图2所示，显示装置1在平面图中可以具有矩形形状。显示装置1可以包括在第一方向X上延伸的两个侧边(即，第一侧边L1和第三侧边L3)以及在与第一方向X相交的第二方向Y上延伸的两个侧边(即，第二侧边L2和第四侧边L4)。显示装置1的每个侧边相交的拐角可以是直角，但不限于此。在实施方式中，第一侧边L1和第三侧边L3的长度以及第二侧边L2和第四侧边L4的长度可以彼此不同。例如，第一侧边L1和第三侧边L3可以比第二侧边L2和第四侧边L4相对更长。显示装置1在平面图中的形状不限于示出的形状，并且也可以应用圆形形状或其它形状。将理解的是，本文中公开的形状也可以包括实质为本文中公开的那些形状的形状。

在实施方式中，显示装置1还可以包括柔性电路板FPC和驱动芯片IC。

如图3所示，可以在显示区域DA中在显示衬底10中限定发光区域和非发光区域NLA。

在实施方式中，可以在显示衬底10的显示区域DA中限定第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3。第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3可以是在其中由显示衬底10的发光元件生成的光被发射到显示衬底10的外部的区域，并且非发光区域NLA可以是在其中光不被发射到显示衬底10的外部的区域。在实施方式中，非发光区域NLA可以在显示区域DA中围绕第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3中的每个。

在实施方式中，从第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3发射到外部的光可以是第三颜色的光。在实施方式中，第三颜色的光可以是蓝光，并且可以具有在约440nm至约480nm的范围内的峰值波长。这里，峰值波长意指光具有最大强度的波长。

在实施方式中，第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3可以形成一组，并且可以在显示区域DA中限定多个组。

在实施方式中，如图3所示，第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3可以沿着第一方向X顺序地定位。在实施方式中，第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3可以在显示区域DA中形成一组，并且可以沿着第一方向X和第二方向Y重复地设置。

然而，本公开不限于此，并且第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3的布置可以不同地改变。例如，如图5所示，第一发光区域LA1和第二发光区域LA2可以沿着第一方向X彼此相邻，并且第三发光区域LA3可以沿着第二方向Y定位在第一发光区域LA1和第二发光区域LA2的一侧处。

在下文中，将描述第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3如图3所示的那样设置的情况作为示例。

如图4所示，可以在显示区域DA中在颜色转换衬底30中限定光透射区域和光阻挡区域BA。光透射区域可以是在其中从显示衬底10发射的光穿透颜色转换衬底30并被提供到显示装置1的外部的区域。光阻挡区域BA可以是从显示衬底10发射的光不穿透其的区域。

在实施方式中，可以在颜色转换衬底30中限定第一光透射区域TA1、第二光透射区域TA2和第三光透射区域TA3。

第一光透射区域TA1可以与第一发光区域LA1对应或重叠。类似地，第二光透射区域TA2可以与第二发光区域LA2对应或重叠，并且第三光透射区域TA3可以与第三发光区域LA3对应或重叠。

在实施方式中，在如图3所示第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3沿着第一方向X顺序地定位的情况下，如图4所示，第一光透射区域TA1、第二光透射区域TA2和第三光透射区域TA3可以也沿着第一方向X顺序地定位。

例如，在如图5所示第一发光区域LA1和第二发光区域LA2沿着第一方向X彼此相邻并且第三发光区域LA3沿着第二方向Y定位在第一发光区域LA1和第二发光区域LA2的一侧处的情况下，如图6所示，第一光透射区域TA1和第二光透射区域TA2可以沿着第一方向X彼此相邻，并且第三光透射区域TA3可以沿着第二方向Y定位在第一光透射区域TA1和第二光透射区域TA2的一侧处。

在实施方式中，从显示衬底10提供的第三颜色的光可以穿透第一光透射区域TA1、第二光透射区域TA2和第三光透射区域TA3，并且被提供到显示装置1的外部。在从第一光透射区域TA1发射到显示装置1的外部的光被称为第一发射光的情况下，从第二光透射区域TA2发射到显示装置1的外部的光被称为第二发射光，并且从第三光透射区域TA3发射到显示装置1的外部的光被称为第三发射光。第一发射光可以是第一颜色的光，第二发射光可以是不同于第一颜色的第二颜色的光，并且第三发射光可以是第三颜色的光。在实施方式中，第三颜色的光可以是如上所述的具有在约440nm至约480nm的范围内的峰值波长的蓝光，并且第一颜色的光可以是具有在约610nm至约650nm的范围内的峰值波长的红光。第二颜色的光可以是具有在约510nm至约550nm的范围内的峰值波长的绿光。

在显示区域DA中，光阻挡区域BA可以定位在颜色转换衬底30的第一光透射区域TA1、第二光透射区域TA2和第三光透射区域TA3周围。在实施方式中，光阻挡区域BA可以围绕第一光透射区域TA1、第二光透射区域TA2和第三光透射区域TA3。光阻挡区域BA也可以定位在显示装置1的非显示区域NDA中。

返回参考图2，可以在显示装置1的非显示区域NDA中设置坝构件DM和密封构件50。

坝构件DM可以在形成设置在显示区域DA中的封装层的工艺中阻挡有机材料(或单体)溢出，并且因此，可以防止封装层的有机材料朝向显示装置1的边缘延伸。

在实施方式中，坝构件DM可以设置成在平面图中完全围绕显示区域DA。

如上所述，密封构件50可以将显示衬底10和颜色转换衬底30彼此联接或连接。

密封构件50可以在非显示区域NDA中定位在坝构件DM的外侧，并且可以设置成在平面图中完全围绕坝构件DM和显示区域DA。

显示装置1的非显示区域NDA可以包括焊盘区域PDA，并且连接焊盘PD可以定位在焊盘区域PDA中。

在实施方式中，连接焊盘PD可以定位在与非显示区域NDA的长侧边相邻的部分中，例如，定位在非显示区域NDA的与第一侧边L1相邻的区域中。在本公开的精神和范围内，连接焊盘PD可以通过连接线等电连接到定位在显示区域DA中的像素电路。

显示装置1的显示衬底(图1的10)可以包括以上描述的坝构件DM和连接焊盘PD。

柔性电路板FPC可以连接到连接焊盘PD。柔性电路板FPC可以将显示衬底(图1的10)电连接到提供用于驱动显示装置1的信号、电力等的电路板。

驱动芯片IC可以电连接到电路板等以接收数据和信号。在实施方式中，驱动芯片IC可以是数据驱动芯片，并且可以从电路板等接收数据控制信号和图像数据，并且生成并输出与图像数据对应的数据电压。

在实施方式中，驱动芯片IC可以安装在柔性电路板FPC上。例如，驱动芯片IC可以以膜上芯片(COF)的形式安装在柔性电路板FPC上。

从驱动芯片IC提供的数据电压、从电路板提供的电力等可以经由柔性电路板FPC和连接焊盘PD传输到显示衬底(图1的10)的像素电路。

在下文中，将更详细地描述显示装置1的结构。

图9是沿着图3和图4的线X1-X1'截取的根据实施方式的显示装置的示意性剖视图。图10是图9的部分Q7的放大的示意性剖视图。

图11是示出图10所示的结构的修改示例的示意性剖视图。图12是沿着图7的线X3-X3'截取的根据实施方式的显示装置的示意性剖视图。

除了图1至图8之外，进一步参考图9至图12，如上所述，显示装置1可以包括显示衬底10和颜色转换衬底30，并且还可以包括定位在显示衬底10和颜色转换衬底30之间的填充件70。

在下文中，将描述显示衬底10。

第一基础部分110可以由半透明材料制成。在实施方式中，第一基础部分110可以是玻璃衬底或塑料衬底。在第一基础部分110是塑料衬底的情况下，第一基础部分110可以具有柔性。

如上所述，在实施方式中，可以在显示区域DA中的第一基础部分110中限定发光区域LA1、LA2和LA3以及非发光区域NLA。

在实施方式中，显示装置1的第一侧边L1、第二侧边L2、第三侧边L3和第四侧边L4可以与第一基础部分110的四个侧边相同。例如，显示装置1的第一侧边L1、第二侧边L2、第三侧边L3和第四侧边L4也可以被称为第一基础部分110的第一侧边L1、第二侧边L2、第三侧边L3和第四侧边L4。

缓冲层111可以进一步定位在第一基础部分110上。缓冲层111可以设置在第一基础部分110上，并且可以设置在显示区域DA和非显示区域NDA中。缓冲层111可以阻挡渗透过第一基础部分110的异物(诸如，水分)。例如，缓冲层111可以包括诸如SiO₂、SiN_x或SiON的无机材料，并且可以形成为单层或多层。

下部光阻挡层BML可以定位在缓冲层111上。下部光阻挡层BML可以阻挡外部光或来自发光元件的光流入稍后将描述的半导体层ACT，从而防止由光生成泄漏电流或减少稍后将描述的薄膜晶体管TL中的泄漏电流。

在实施方式中，下部光阻挡层BML可以由阻挡光并具有导电性的材料形成。例如，下部光阻挡层BML可以包括诸如银(Ag)、镍(Ni)、金(Au)、铂(Pt)、铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)和钕(Nd)的金属中的单一材料或其合金。在实施方式中，下部光阻挡层BML可以具有单层或多层结构。例如，在下部光阻挡层BML具有多层结构的情况下，下部光阻挡层BML可以是钛(Ti)/铜(Cu)/氧化铟锡(ITO)的堆叠结构或钛(Ti)/铜(Cu)/氧化铝(Al₂O₃)的堆叠结构，但不限于此。

在实施方式中，可以设置多个下部光阻挡层BML以对应于多个半导体层ACT并且可以与半导体层ACT重叠。在实施方式中，下部光阻挡层BML的宽度可以比半导体层ACT的宽度宽。

在实施方式中，下部光阻挡层BML可以是数据线、电力供应线或将薄膜晶体管(未示出)和图中示出的薄膜晶体管TL彼此电连接的线的一部分。在实施方式中，下部光阻挡层BML可以由具有比第二导电层或包括在第二导电层中的源电极SE和漏电极DE低的电阻的材料形成。

第一绝缘层113可以定位在下部光阻挡层BML上。在实施方式中，第一绝缘层113可以定位在显示区域DA和非显示区域NDA中。第一绝缘层113可以覆盖下部光阻挡层BML或与之重叠。在实施方式中，在本公开的精神和范围内，第一绝缘层113可以包括无机材料，诸如SiO₂、SiN_x、SiON、Al₂O₃、TiO₂、Ta₂O、HfO₂、ZrO₂等。

半导体层ACT可以定位在第一绝缘层113上。在实施方式中，半导体层ACT可以设置成分别对应于显示区域DA中的第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3。

在实施方式中，半导体层ACT可以包括氧化物半导体。例如，半导体层ACT是基于Zn氧化物的材料，并且可以由Zn氧化物、In-Zn氧化物、Ga-In-Zn氧化物等形成，并且可以是其中ZnO包含诸如铟(In)和镓(Ga)的金属的In-Ga-Zn-O(IGZO)半导体。然而，半导体层ACT不限于此，也可以包括非晶硅或多晶硅。

在实施方式中，半导体层ACT可以设置成与每个下部光阻挡层BML重叠，从而抑制半导体层ACT中光电流的生成。

第一导电层可以设置在半导体层ACT上，并且第一导电层可以包括栅电极GE和第一栅极金属WR1。栅电极GE可以定位在显示区域DA中，并且可以设置成与半导体层ACT重叠。如图12所示，第一栅极金属WR1可以包括电连接连接焊盘PD和定位在显示区域DA中的元件(例如，薄膜晶体管TL和发光元件)的线中的一部分。

栅电极GE和第一栅极金属WR1可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中的一种或多种，并且在本公开的精神和范围内，考虑到与相邻层的粘附性、堆叠的多个层的表面平坦度、可加工性等，可以由单层或多层结构形成。

栅极绝缘层115可以定位在半导体层ACT和第一导电层之间，或者在显示区域DA中可以定位在半导体层ACT和栅电极GE之间。在实施方式中，栅电极GE和栅极绝缘层115可以用作用于掩蔽半导体层ACT的沟道区域的掩模，并且栅电极GE和栅极绝缘层115的宽度可以比半导体层ACT的宽度窄。

在实施方式中，栅极绝缘层115可以不形成为设置在第一基础部分110的前表面上的单层，而是可以具有部分图案化的形状。在实施方式中，图案化的栅极绝缘层115的宽度可以比栅电极GE或第一导电层的宽度宽。

在实施方式中，栅极绝缘层115可以包括无机材料。例如，栅极绝缘层115可以包括作为对第一绝缘层113的描述中的示例的无机材料。

在非显示区域NDA中，栅极绝缘层115可以定位在第一栅极金属WR1和第一绝缘层113之间。

覆盖半导体层ACT和栅电极GE或与之重叠的第二绝缘层117可以定位在栅极绝缘层115上。第二绝缘层117可以定位在显示区域DA和非显示区域NDA中。在实施方式中，第二绝缘层117可以用作提供平坦表面的平坦化层。

在实施方式中，第二绝缘层117可以包括有机材料。例如，第二绝缘层117可以包括光学丙烯酸(PAC)、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚丙烯腈(PAN)、聚酰胺、聚酰亚胺、聚芳醚、杂环聚合物、聚对二甲苯、基于氟的聚合物、环氧树脂、苯并环丁烯系列树脂、硅氧烷系列树脂和硅烷树脂中的至少一种，但不限于此。

第二导电层可以定位在第二绝缘层117上，并且第二导电层可以包括源电极SE、漏电极DE、电压供应线VSL和连接焊盘PD的第一焊盘电极PD1。

源电极SE和漏电极DE可以定位在显示区域DA中，并且可以设置成彼此间隔开。

漏电极DE和源电极SE可以各自穿透第二绝缘层117并且可以连接到半导体层ACT。

在实施方式中，源电极SE可以穿透第一绝缘层113和第二绝缘层117，并且也可以连接到下部光阻挡层BML。在下部光阻挡层BML是传输信号或电压的线的一部分的情况下，源电极SE可以连接到或者电联接或电连接到下部光阻挡层BML以接收提供给该线的电压等。例如，在下部光阻挡层BML是浮置图案而不是单独的线的情况下，提供给源电极SE的电压等可以被传输到下部光阻挡层BML。

例如，与图9所示的不同，漏电极DE可以穿透第一绝缘层113和第二绝缘层117，并且也可以连接到下部光阻挡层BML。在下部光阻挡层BML不是向其提供单独信号的线的情况下，施加到漏电极DE的电压等也可以被传输到下部光阻挡层BML。

以上描述的半导体层ACT、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE可以形成作为开关元件的薄膜晶体管TL。在实施方式中，薄膜晶体管TL可以分别定位在第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3中。在实施方式中，薄膜晶体管TL的一部分也可以定位在非发光区域NLA中。

电压供应线VSL可以定位在非显示区域NDA中。提供给阴极电极CE的驱动电压(例如，低电势电压)可以被提供给电压供应线VSL。

连接焊盘PD的第一焊盘电极PD1可以是非显示区域NDA的焊盘区域(图2的PDA)。在实施方式中，第一焊盘电极PD1可以穿透第二绝缘层117并且可以电连接到第一栅极金属WR1。

源电极SE、漏电极DE、电压供应线VSL和连接焊盘PD的第一焊盘电极PD1可以包括铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等，并且可以具有多层或单层结构。在实施方式中，源电极SE、漏电极DE、电压供应线VSL和连接焊盘PD的第一焊盘电极PD1可以具有Ti/Al/Ti的多层结构。

第三绝缘层130可以定位在第二绝缘层117上。第三绝缘层130可以在显示区域DA中覆盖薄膜晶体管TL或与之重叠，并且可以在非显示区域NDA中暴露电压供应线VSL的一部分。

在实施方式中，第三绝缘层130可以是平坦化层。在实施方式中，第三绝缘层130可以由有机材料制成。例如，在本公开的精神和范围内，第三绝缘层130可以包括丙烯酸树脂、基于环氧的树脂、基于酰亚胺的树脂、基于酯的树脂等。在实施方式中，第三绝缘层130可以包括光敏有机材料。

第一阳极电极AE1、第二阳极电极AE2和第三阳极电极AE3可以在显示区域DA中定位在第三绝缘层130上。连接电极CNE可以在非显示区域NDA中定位在第三绝缘层130上。

第一阳极电极AE1可以与第一发光区域LA1重叠，并且其至少一部分可以延伸到非发光区域NLA。第二阳极电极AE2可以与第二发光区域LA2重叠，并且其至少一部分可以延伸到非发光区域NLA，并且第三阳极电极AE3可以与第三发光区域LA3重叠，并且其至少一部分可以延伸到非发光区域NLA。第一阳极电极AE1可以穿透第三绝缘层130并且可以连接到与第一阳极电极AE1对应的薄膜晶体管TL的漏电极DE，第二阳极电极AE2可以穿透第三绝缘层130并且可以连接到与第二阳极电极AE2对应的薄膜晶体管TL的漏电极DE，并且第三阳极电极AE3可以穿透第三绝缘层130并且可以连接到与第三阳极电极AE3对应的薄膜晶体管TL的漏电极DE。

在实施方式中，第一阳极电极AE1、第二阳极电极AE2和第三阳极电极AE3可以是反射电极，并且第一阳极电极AE1、第二阳极电极AE2和第三阳极电极AE3可以是包括诸如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir和Cr的金属的金属层。在实施方式中，第一阳极电极AE1、第二阳极电极AE2和第三阳极电极AE3还可以包括堆叠在金属层上的金属氧化物层。在实施方式中，第一阳极电极AE1、第二阳极电极AE2和第三阳极电极AE3可以具有多层结构，例如ITO/Ag、Ag/ITO、ITO/Mg或ITO/MgF₂的两层结构、或诸如ITO/Ag/ITO的三层结构。

连接电极CNE可以在非显示区域NDA中电连接到电压供应线VSL，并且可以与电压供应线VSL直接接触。

第二焊盘电极PD2可以在非显示区域NDA中定位在第一焊盘电极PD1上。第二焊盘电极PD2可以与第一焊盘电极PD1直接接触以电连接到第一焊盘电极PD1。

在实施方式中，连接电极CNE和第二焊盘电极PD2可以由与第一阳极电极AE1、第二阳极电极AE2和第三阳极电极AE3相同的材料或类似的材料制成，并且可以在第一阳极电极AE1、第二阳极电极AE2和第三阳极电极AE3的制造工艺期间一起形成。

像素限定层150可以定位在第一阳极电极AE1、第二阳极电极AE2和第三阳极电极AE3上。像素限定层150可以包括暴露第一阳极电极AE1的开口、暴露第二阳极电极AE2的开口和暴露第三阳极电极AE3的开口，并且可以限定第一发光区域LA1、第二发光区域LA2、第三发光区域LA3和非发光区域NLA。例如，第一阳极电极AE1的不被像素限定层150覆盖或不与之重叠并且被像素限定层150暴露的区域可以对应于第一发光区域LA1。类似地，第二阳极电极AE2的不被像素限定层150覆盖或不与之重叠并且被像素限定层150暴露的区域可以对应于第二发光区域LA2，并且第三阳极电极AE3的不被像素限定层150覆盖或不与之重叠并且被像素限定层150暴露的区域可以对应于第三发光区域LA3。其中定位有像素限定层150的区域可以对应于非发光区域NLA。

在实施方式中，像素限定层150可以包括有机绝缘材料，诸如聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂或苯并环丁烯(BCB)。

在实施方式中，像素限定层150可以与稍后将描述的光阻挡图案250重叠。在实施方式中，像素限定层150还可以与稍后将描述的堤部图案370重叠。

如图9和图12所示，发光层OL可以定位在第一阳极电极AE1、第二阳极电极AE2和第三阳极电极AE3上。

在实施方式中，发光层OL可以具有遍及发光区域LA1、LA2和LA3以及非发光区域NLA形成的连续膜形状。尽管在附图中示出发光层OL仅定位在显示区域DA中，但是本公开不限于此。在其它实施方式中，发光层OL的一部分还可以定位在非显示区域NDA中。稍后将给出发光层OL的更详细的描述。

阴极电极CE可以定位在发光层OL上。阴极电极CE的一部分可以进一步定位在非显示区域NDA中。阴极电极CE可以电连接到连接电极CNE，并且可以在非显示区域NDA中与连接电极CNE接触。提供给电压供应线VSL的驱动电压(例如，低电势电压)可以经由连接电极CNE传输到阴极电极CE。

在实施方式中，阴极电极CE可以具有半透射性或透射性。在阴极电极CE具有半透射性的情况下，阴极电极CE可以包括Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti或其化合物或混合物(例如，Ag和Mg的混合物)或者具有诸如LiF/Ca或LiF/Al的多层结构的材料。在阴极电极CE具有数十至数百埃的厚度的情况下，阴极电极CE可以具有半透射性。

在阴极电极CE具有透射性的情况下，阴极电极CE可以包括透明导电氧化物(TCO)。例如，在本公开的精神和范围内，阴极电极CE可以包括氧化钨(W_xO_x)、氧化钛(TiO₂)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡锌(ITZO)、氧化镁(MgO)等。

在实施方式中，阴极电极CE可以完全覆盖发光层OL或与之完全重叠。在实施方式中，如图12所示，与发光层OL的端部分相比，阴极电极CE的端部分可以定位在相对外侧，并且发光层OL的端部分可以被阴极电极CE完全覆盖或与之完全重叠。

第一阳极电极AE1、发光层OL和阴极电极CE可以构成第一发光器件ED1，第二阳极电极AE2、发光层OL和阴极电极CE可以构成第二发光器件ED2，并且第三阳极电极AE3、发光层OL和阴极电极CE可以构成第三发光器件ED3。第一发光器件ED1、第二发光器件ED2和第三发光器件ED3中的每个可以发射发射光LE。

如图10所示，从发光层OL发射的发射光LE可以是混合有第一分量LE1和第二分量LE2的混合光。发射光LE的第一分量LE1和第二分量LE2中的每个的峰值波长可以是约440nm或更大且约480nm或更小。例如，发射光LE可以是蓝光。

如图10所示，在实施方式中，发光层OL可以具有多个发光层设置成彼此重叠的结构，例如具有串联结构。例如，发光层OL可以包括：第一叠层ST1，包括第一发光层EML1；第二叠层ST2，定位在第一叠层ST1上并且包括第二发光层EML2；第三叠层ST3，定位在第二叠层ST2上并且包括第三发光层EML3；第一电荷生成层CGL1，定位在第一叠层ST1和第二叠层ST2之间；以及第二电荷生成层CGL2，定位在第二叠层ST2和第三叠层ST3之间。第一叠层ST1、第二叠层ST2和第三叠层ST3可以设置成彼此重叠。

第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3可以设置成彼此重叠。

在实施方式中，第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3全部可以发射第三颜色的光，例如蓝光。例如，第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的每个可以是蓝色发光层，并且可以包括有机材料。

在实施方式中，第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的至少一个可以发射具有第一峰值波长的第一蓝光，并且第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的至少另一个可以发射具有不同于第一峰值波长的第二峰值波长的第二蓝光。例如，第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的任何一个可以发射具有第一峰值波长的第一蓝光，并且第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的另外两个可以发射具有第二峰值波长的第二蓝光。例如，从发光层OL发射的发射光LE可以是混合有第一分量LE1和第二分量LE2的混合光，并且第一分量LE1可以是具有第一峰值波长的第一蓝光，并且第二分量LE2可以是具有第二峰值波长的第二蓝光。

在实施方式中，第一峰值波长和第二峰值波长中的一个可以具有约440nm或更大且小于约460nm的范围，并且第一峰值波长和第二峰值波长中的另一个可以具有约460nm或更大且约480nm或更小的范围。然而，第一峰值波长的范围和第二峰值波长的范围不限于此。例如，第一峰值波长的范围和第二峰值波长的范围二者都可以包括约460nm。在实施方式中，第一蓝光和第二蓝光中的任何一个可以是深蓝色的光，并且第一蓝光和第二蓝光中的另一个可以是天蓝色的光。

根据实施方式，从发光层OL发射的发射光LE是蓝光，并且可以包括长波长分量和短波长分量。因此，发光层OL可以发射具有更宽分布的发射峰值的蓝光作为发射光LE。由此，与发射具有尖锐发射峰值的蓝光的传统发光器件相比，其优势在于，可以改善侧视角处的颜色可视性。

在实施方式中，第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的每个可以包括主体和掺杂剂。主体不受特别限制，只要它是常用材料即可，并且例如，可以使用Alq₃(三(8-羟基喹啉根合)铝)、CBP(4,4'-双(N-咔唑基)-1,1'-联苯)、PVK(聚(n-乙烯基咔唑))、ADN(9,10-二(萘-2-基)蒽)、TCTA(4,4',4”-三(咔唑-9-基)-三苯胺)、TPBi(1,3,5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯)、TBADN(3-叔丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽)、DSA(二苯乙烯基亚芳基化物)、CDBP(4,4'-双(9-咔唑基)-2,2'-二甲基-联苯)、MADN(2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽)等。

发射蓝光的第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的每个可以包括荧光材料，所述荧光材料包括选自由例如螺-DPVBi(螺-4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1'-联苯)、螺-6P、二苯乙烯基-苯(DSB)、二苯乙烯基-亚芳基化物(DSA)、基于聚芴(PFO)的聚合物和基于聚(对苯乙炔)(PPV)的聚合物构成的组中的任何一种。作为另一示例，第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的每个也可以包括包含诸如(4,6-F₂ppy)₂Irpic的有机金属配合物的磷光材料。

如上所述，第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的至少一个发射与第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的另一个的波长带不同的波长带中的蓝光。为了发射不同波长带中的蓝光，第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3可以包括相同的材料或类似的材料，并且可以使用调节谐振距离的方法。例如，为了发射不同波长带中的蓝光，第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的至少一个以及第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的另一个也可以包括不同的材料。

然而，第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3不限于此，并且从第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的每个发射的蓝光也可以具有在约440nm至约480nm的范围内的峰值波长，并且第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3也可以由相同的材料或类似的材料制成。

例如，在实施方式中，第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的至少一个可以发射具有第一峰值波长的第一蓝光，第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的另一个可以发射具有不同于第一峰值波长的第二峰值波长的第二蓝光，并且第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的剩余一个可以发射具有不同于第一峰值波长和第二峰值波长的第三峰值波长的第三蓝光。在其它实施方式中，第一峰值波长、第二峰值波长和第三峰值波长中的任何一个可以具有约440nm或更大且小于约460nm的范围。第一峰值波长、第二峰值波长和第三峰值波长中的另一个可以具有约460nm或更大且小于约470nm的范围，并且第一峰值波长、第二峰值波长和第三峰值波长中的剩余一个可以具有约470nm或更大且约480nm或更小的范围。

根据其它实施方式，从发光层OL发射的发射光LE是蓝光，并且可以包括长波长分量、中间波长分量和短波长分量。因此，发光层OL可以发射具有更宽分布的发射峰值的蓝光作为发射光LE，并且可以改善侧视角处的颜色可视性。

根据以上描述的实施方式，与不采用串联结构(例如，多个发光层可在其中彼此堆叠的结构)的常规发光器件相比，优势在于，增加光效率并且改善显示装置的寿命。

例如，在其它实施方式中，第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的至少一个可以发射第三颜色的光(例如，蓝光)，并且第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的至少另一个可以发射第二颜色的光(例如，绿光)。在其它实施方式中，由第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的至少一个发射的蓝光的峰值波长可以具有约440nm或更大且约480nm或更小、或者约460nm或更大且约480nm或更小的范围。从第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的至少另一个发射的绿光可以具有在约510nm至约550nm的范围内的峰值波长。

例如，第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的任何一个可以是发射绿光的绿色发光层，并且第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的另外两个可以是发射蓝光的蓝色发光层。在第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的另外两个是蓝色发光层的情况下，由两个蓝色发光层发射的蓝光的峰值波长范围可以相同，或者由两个蓝色发光层发射的蓝光的峰值波长范围可以彼此不同。

根据其它实施方式，从发光层OL发射的发射光LE可以是混合有为蓝光的第一分量LE1和为绿光的第二分量LE2的混合光。例如，在第一分量LE1是深蓝光并且第二分量LE2是绿光的情况下，发射光LE可以是具有天蓝色的光。类似于以上描述的实施方式，从发光层OL发射的发射光LE是蓝光和绿光的混合光，并且可以包括长波长分量和短波长分量。因此，发光层OL可以发射具有更宽分布的发射峰值的蓝光作为发射光LE，并且可以改善侧视角处的颜色可视性。由于发射光LE的第二分量LE2是绿光，因此可以在从显示装置1向外提供的光中补充绿光分量，从而可以改善显示装置1的颜色再现性。

在其它实施方式中，第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的绿色发光层可以包括主体和掺杂剂。绿色发光层中包括的主体不受特别限制，只要它是常用材料即可，并且例如，可以使用Alq₃(三(8-羟基喹啉根合)铝)、CBP(4,4'-双(N-咔唑基)-1,1'-联苯)、PVK(聚(n-乙烯基咔唑))、ADN(9,10-二(萘-2-基)蒽)、TCTA(4,4',4”-三(咔唑-9-基)-三苯胺)、TPBi(1,3,5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯)、TBADN(3-叔丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽)、DSA(二苯乙烯基亚芳基化物)、CDBP(4,4'-双(9-咔唑基)-2,2'-二甲基-联苯)、MADN(2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽)等。

例如，包括在绿色发光层中的掺杂剂可以是包括Alq₃(三(8-羟基喹啉根合)铝(III))的荧光材料，或可以是包括Ir(ppy)₃(三(2-苯基吡啶)合铱)、Ir(ppy)₂(acac)(双(2-苯基吡啶)(乙酰丙酮)铱(III))、Ir(mpyp)3(2-苯基-4-甲基-吡啶铱)等的磷光材料。

第一电荷生成层CGL1可以定位在第一叠层ST1和第二叠层ST2之间。第一电荷生成层CGL1可以用于将电荷注入到与其相邻的叠层的每个发光层中。第一电荷生成层CGL1可以用于调整第一叠层ST1与第二叠层ST2之间的电荷平衡。第一电荷生成层CGL1可以包括n型电荷生成层CGL11和p型电荷生成层CGL12。p型电荷生成层CGL12可以设置在n型电荷生成层CGL11上，并且可以定位在n型电荷生成层CGL11和第二叠层ST2之间。

第一电荷生成层CGL1可以具有n型电荷生成层CGL11和p型电荷生成层CGL12在其中彼此结合的结构。n型电荷生成层CGL11设置成比p型电荷生成层CGL12更靠近阳极电极AE1、AE2和AE3以及阴极电极CE中的阳极电极AE1、AE2和AE3。p型电荷生成层CGL12设置成比n型电荷生成层CGL11更靠近阳极电极AE1、AE2和AE3以及阴极电极CE中的阴极电极CE。n型电荷生成层CGL11向与阳极电极AE1、AE2和AE3相邻的第一发光层EML1提供电子，并且p型电荷生成层CGL12向包括在第二叠层ST2中的第二发光层EML2提供空穴。第一电荷生成层CGL1可以设置在第一叠层ST1和第二叠层ST2之间，以向与其相邻的叠层的发光层中的每个提供电荷，从而提高发光效率并降低驱动电压。

第一叠层ST1可以定位在第一阳极电极AE1、第二阳极电极AE2和第三阳极电极AE3上，并且还可以包括第一空穴传输层HTL1、第一电子阻挡层BIL1和第一电子传输层ETL1。

第一空穴传输层HTL1可以定位在第一阳极电极AE1、第二阳极电极AE2和第三阳极电极AE3上。第一空穴传输层HTL1用于平稳地传输空穴并且可以包括空穴传输材料。空穴传输材料可以包括基于咔唑的衍生物(诸如，N-苯基咔唑和聚乙烯咔唑)、基于芴的衍生物、基于三苯胺的衍生物(诸如，TPD(N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-[1,1-联苯基]-4,4'-二胺)、TCTA(4,4',4”-三(咔唑-9-基)-三苯胺)等)、NPB(N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基联苯胺)、TAPC(4,4'-亚环己基双[N,N-双(4-甲基苯基)苯胺])等，但不限于此。

第一电子阻挡层BIL1可以定位在第一空穴传输层HTL1上，并且可以定位在第一空穴传输层HTL1和第一发光层EML1之间。第一电子阻挡层BIL1可以包括空穴传输材料和金属或金属化合物以防止在第一发光层EML1中生成的电子流入第一空穴传输层HTL1中。在实施方式中，以上描述的第一空穴传输层HTL1和第一电子阻挡层BIL1也可以由其中混合有相应材料的单层形成。

第一电子传输层ETL1可以定位在第一发光层EML1上，并且可以定位在第一电荷生成层CGL1和第一发光层EML1之间。在实施方式中，第一电子传输层ETL1可以包括电子传输材料，诸如Alq₃(三(8-羟基喹啉根合)铝)、TPBi(1,3,5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯)、BCP(2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉)、Bphen(4,7-二苯基-1,10-菲咯啉)、TAZ(3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑)、NTAZ(4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4H-1,2,4-三唑)、tBu-PBD(2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑)、BAlq(双(2-甲基-8-喹啉根合-N1,O8)-(1,1'-联苯-4-根合)铝)、Bebq2((苯并喹啉-10-根合)铍)、ADN(9,10-二(萘-2-基)蒽)、及其混合物。然而，本公开不受限于电子传输材料的类型。第二叠层ST2可以定位在第一电荷生成层CGL1上，并且还可以包括第二空穴传输层HTL2、第二电子阻挡层BIL2和第二电子传输层ETL2。

第二空穴传输层HTL2可以定位在第一电荷生成层CGL1上。第二空穴传输层HTL2可以由与第一空穴传输层HTL1相同的材料或类似的材料制成，或者也可以包括选自例如作为包括在第一空穴传输层HTL1中的材料的材料中的一种或多种材料。第二空穴传输层HTL2可以由单层或多层制成。

第二电子阻挡层BIL2可以定位在第二空穴传输层HTL2上，并且可以定位在第二空穴传输层HTL2和第二发光层EML2之间。第二电子阻挡层BIL2可以由与第一电子阻挡层BIL1相同的材料或类似的材料制成，并且制成为与第一电子阻挡层BIL1相同的结构，或者也可以包括选自例如作为包括在第一电子阻挡层BIL1中的材料的材料中的一种或多种材料。

第二电子传输层ETL2可以定位在第二发光层EML2上，并且可以定位在第二电荷生成层CGL2和第二发光层EML2之间。第二电子传输层ETL2可以由与第一电子传输层ETL1相同的材料或类似的材料制成，并且制成为与第一电子传输层ETL1相同的结构，或者也可以包括选自例如作为包括在第一电子传输层ETL1中的材料的材料中的一种或多种材料。第二电子传输层ETL2可以由单层或多层制成。

第二电荷生成层CGL2可以定位在第二叠层ST2上，并且定位在第二叠层ST2和第三叠层ST3之间。

第二电荷生成层CGL2可以具有与以上描述的第一电荷生成层CGL1相同的结构。例如，第二电荷生成层CGL2可以包括n型电荷生成层CGL21和p型电荷生成层CGL22，其中，n型电荷生成层CGL21设置成相比于p型电荷生成层CGL22更靠近第二叠层ST2，p型电荷生成层CGL22设置成相比于n型电荷生成层CGL21更靠近阴极电极CE。p型电荷生成层CGL22可以设置在n型电荷生成层CGL21上。

第二电荷生成层CGL2可以具有n型电荷生成层CGL21和p型电荷生成层CGL22在其中彼此结合的结构。第一电荷生成层CGL1和第二电荷生成层CGL2也可以由不同的材料制成，或者也可以由相同的材料或类似的材料制成。

第三叠层ST3可以定位在第二电荷生成层CGL2上，并且还可以包括第三空穴传输层HTL3和第三电子传输层ETL3。

第三空穴传输层HTL3可以设置在第二电荷生成层CGL2上。第三空穴传输层HTL3可以由与第一空穴传输层HTL1相同的材料或类似的材料制成，或者也可以包括选自例如作为包括在第一空穴传输层HTL1中的材料的材料中的一种或多种材料。第三空穴传输层HTL3可以由单层或多层制成。在第三空穴传输层HTL3由多层制成的情况下，每个层也可以包括不同的材料。

第三电子传输层ETL3可以设置在第三发光层EML3上，并且可以定位在阴极电极CE和第三发光层EML3之间。第三电子传输层ETL3可以由与第一电子传输层ETL1相同的材料或类似的材料制成，并且制成为与第一电子传输层ETL1相同的结构，或者还可以包括选自例如作为包括在第一电子传输层ETL1中的材料的材料中的一种或多种材料。第三电子传输层ETL3可以由单层或多层制成。在第三电子传输层ETL3由多层制成的情况下，每个层也可以包括不同的材料。

尽管在附图中未示出，但是空穴注入层可以进一步定位在第一叠层ST1与第一阳极电极AE1、第二阳极电极AE2和第三阳极电极AE3之间、第二叠层ST2与第一电荷生成层CGL1之间、以及第三叠层ST3与第二电荷生成层CGL2之间的至少一个中。空穴注入层可以用于将空穴更平稳地注入到第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中。在实施方式中，空穴注入层可以由选自CuPc(铜酞菁)、PEDOT(聚(3,4)-亚乙基二氧基噻吩)、PANI(聚苯胺)和NPD(N,N-二萘基-N,N'-二苯基联苯胺)中的一种或多种制成，但不限于此。在实施方式中，空穴注入层可以分别定位在第一叠层ST1与第一阳极电极AE1、第二阳极电极AE2和第三阳极电极AE3之间、第二叠层ST2与第一电荷生成层CGL1之间、以及第三叠层ST3与第二电荷生成层CGL2之间。

尽管在附图中未示出，但是电子注入层也可以进一步定位在第三电子传输层ETL3与阴极电极CE之间、第二电荷生成层CGL2与第二叠层ST2之间、以及第一电荷生成层CGL1与第一叠层ST1之间的至少一个中。电子注入层用于平稳地注入电子，并且可以包括但不限于Alq₃(三(8-羟基喹啉根合)铝)、PBD(2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑)、TAZ、螺-PBD(螺-2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑)、BAlq或SAlq(铝(III)双(2-甲基-8-喹啉))。电子注入层可以是金属卤化物化合物，并且可以是例如选自由MgF₂、LiF、NaF、KF、RbF、CsF、FrF、LiI、NaI、KI、RbI、CsI、FrI和CaF₂构成的组中的至少一种，但不限于此。电子注入层还可以包括基于镧系元素的材料，诸如包括Yb、Sm或Eu的材料。例如，在本公开的精神和范围内，电子注入层可以同时包括金属卤化物材料和基于镧系元素的材料，诸如RbI:Yb、KI:Yb等。在电子注入层可以包括金属卤化物材料和基于镧系元素的材料二者的情况下，可以通过金属卤化物材料和基于镧系元素的材料的共沉积来形成电子注入层。在实施方式中，电子注入层也可以分别定位在第三电子传输层ETL3与阴极电极CE之间、第二电荷生成层CGL2与第二叠层ST2之间、以及第一电荷生成层CGL1与第一叠层ST1之间。

除了以上描述的结构之外，可以修改发光层OL的结构。例如，发光层OL可以像图11所示的发光层OLa那样变形。与图10所示的结构不同，图11所示的发光层OLa还可以包括定位在第三叠层ST3和第二叠层ST2之间的第四叠层ST4，并且还可以包括定位在第三叠层ST3和第二叠层ST2之间的第三电荷生成层CGL3。

第四叠层ST4可以包括第四发光层EML4，并且还可以包括第四空穴传输层HTL4、第三电子阻挡层BIL3和第四电子传输层ETL4。

包括在发光层OLa中的第一发光层EML1、第二发光层EML2、第三发光层EML3和第四发光层EML4可以各自发射第三颜色的光，例如蓝光。第一发光层EML1、第二发光层EML2、第三发光层EML3和第四发光层EML4中的至少一个与第一发光层EML1、第二发光层EML2、第三发光层EML3和第四发光层EML4中的至少另一个可以发射具有不同的峰值波长范围的蓝光。

例如，第一发光层EML1、第二发光层EML2、第三发光层EML3和第四发光层EML4中的至少一个可以发射绿光，并且第一发光层EML1、第二发光层EML2、第三发光层EML3和第四发光层EML4中的至少另一个可以发射蓝光。例如，第一发光层EML1、第二发光层EML2、第三发光层EML3和第四发光层EML4中的任何一个可以是绿色发光层，并且其它三个发光层全部可以是蓝色发光层。

第四空穴传输层HTL4可以定位在第二电荷生成层CGL2上。第四空穴传输层HTL4可以由与第一空穴传输层HTL1相同的材料或类似的材料制成，或者还可以包括选自例如作为包括在第一空穴传输层HTL1中的材料的材料中的一种或多种材料。第四空穴传输层HTL4可以由单层或多层制成。在第四空穴传输层HTL4由多层制成的情况下，每个层也可以包括不同的材料。

第四电子阻挡层BIL4可以定位在第四空穴传输层HTL4上，并且可以定位在第四空穴传输层HTL4和第四发光层EML4之间。第四电子阻挡层BIL4可以由与第一电子阻挡层BIL1相同的材料或类似的材料制成，并且制成为与第一电子阻挡层BIL1相同的结构，或者也可以包括选自例如作为包括在第一电子阻挡层BIL1中的材料的材料中的一种或多种材料。在其它实施方式中，也可以省略第四电子阻挡层BIL4。

第四电子传输层ETL4可以定位在第四发光层EML4上，并且可以定位在第三电荷生成层CGL3和第四发光层EML4之间。第四电子传输层ETL4可以由与第一电子传输层ETL1相同的材料或类似的材料制成，并且制成为与第一电子传输层ETL1相同的结构，或者也可以包括选自例如作为包括在第一电子传输层ETL1中的材料的材料中的一种或多种材料。第四电子传输层ETL4可以由单层或多层制成。在第四电子传输层ETL4由多层制成的情况下，每个层也可以包括不同的材料。

第三电荷生成层CGL3可以具有与以上描述的第一电荷生成层CGL1相同的结构。例如，第三电荷生成层CGL3可以包括n型电荷生成层CGL31和p型电荷生成层CGL32，其中，n型电荷生成层CGL31设置成相比于p型电荷生成层CGL32更靠近第二叠层ST2，p型电荷生成层CGL32设置成相比于n型电荷生成层CGL31更靠近阴极电极CE。p型电荷生成层CGL32可以设置在n型电荷生成层CGL31上。

尽管在附图中未示出，但是电子注入层可以进一步定位在第四叠层ST4和第三电荷生成层CGL3之间。空穴注入层可以进一步定位在第四叠层ST4和第二电荷生成层CGL2之间。

在实施方式中，图10所示的发光层OL和图11所示的发光层OLa可以共同不包括红色发光层，并且因此可以不发射第一颜色的光，例如红光。例如，发射光LE可以不包括具有在约610nm至约650nm的范围内的峰值波长的光分量，并且发射光LE可以仅包括具有在约440nm至约550nm的范围内的峰值波长的光分量。

如图12所示，坝构件DM可以在非显示区域NDA中定位在第二绝缘层117上。

与电压供应线VSL相比，坝构件DM可以定位在相对外侧。换言之，如图12所示，电压供应线VSL可以定位在坝构件DM和显示区域DA之间。

在实施方式中，坝构件DM可以包括坝。例如，坝构件DM可以包括多个坝。例如，坝构件DM可以包括第一坝D1和第二坝D2。

第一坝D1可以与电压供应线VSL部分地重叠，并且可以与第三绝缘层130间隔开，且电压供应线VSL插置在它们之间。在实施方式中，第一坝D1可以包括定位在第二绝缘层117上的第一下坝图案D11和定位在第一下坝图案D11上的第一上坝图案D12。

第二坝D2可以定位在第一坝D1的外侧，并且可以与第一坝D1间隔开。在实施方式中，第二坝D2可以包括定位在第二绝缘层117上的第二下坝图案D21和定位在第二下坝图案D21上的第二上坝图案D22。

在实施方式中，第一下坝图案D11和第二下坝图案D21可以由与第三绝缘层130相同的材料或类似的材料制成，并且可以与第三绝缘层130同时形成。

在实施方式中，第一上坝图案D12和第二上坝图案D22可以由与像素限定层150相同的材料或类似的材料制成，并且可以与像素限定层150同时形成。

在实施方式中，第一坝D1和第二坝D2可以具有不同的高度。例如，第二坝D2的高度可以高于第一坝D1的高度。例如，随着距显示区域DA的距离增加，包括在坝构件DM中的坝的高度可以逐渐增加，并且因此，在形成包括在稍后将描述的封装层170中的有机层173的工艺中，可以更有效地阻挡有机材料的溢出。

如图9和图12所示，第一封盖层160可以定位在阴极电极CE上。第一封盖层160可以公共地设置在第一发光区域LA1、第二发光区域LA2、第三发光区域LA3和非发光区域NLA中，并且可以改善视角特性并提高外部光发射效率。

第一封盖层160可以包括具有光透射率的无机材料和有机材料中的至少一种。例如，第一封盖层160可以由无机层形成，或者可以由有机层形成，或者也可以由包括无机颗粒的有机层形成。例如，第一封盖层160可以包括三胺衍生物、咔唑联苯衍生物、芳二胺衍生物、或铝奎宁合成物(例如，Alq₃)。

第一封盖层160可以由高折射率材料和低折射率材料的混合物形成。例如，第一封盖层160可以包括具有不同折射率的两个层，例如高折射率层和低折射率层。

在实施方式中，第一封盖层160可以完全覆盖阴极电极CE或与之完全重叠。在实施方式中，如图12所示，与阴极电极CE的端部分相比，第一封盖层160的端部分可以定位在相对外侧，并且阴极电极CE的端部分可以被第一封盖层160完全覆盖或与之完全重叠。

封装层170可以设置在第一封盖层160上。封装层170保护定位在封装层170下方的部件(例如，发光器件ED1、ED2和ED3)不受异物(诸如，水分)的影响。封装层170公共地设置在第一发光区域LA1、第二发光区域LA2、第三发光区域LA3和非发光区域NLA中。在实施方式中，封装层170可以覆盖或直接覆盖阴极电极CE或与之重叠。在实施方式中，覆盖阴极电极CE或与之重叠的第一封盖层160可以进一步设置在封装层170和阴极电极CE之间，并且封装层170可以覆盖或直接覆盖第一封盖层160或者与之重叠。封装层170可以是薄膜封装层。

在实施方式中，封装层170可以包括在第一封盖层160上顺序地彼此堆叠的下无机层171、有机层173和上无机层175。

在实施方式中，下无机层171可以在显示区域DA中覆盖第一发光器件ED1、第二发光器件ED2和第三发光器件ED3或与之重叠。下无机层171可以在非显示区域NDA中覆盖坝构件DM或与之重叠，并且可以延伸到坝构件DM的外侧。

在实施方式中，下无机层171可以完全覆盖第一封盖层160或与之完全重叠。在实施方式中，与第一封盖层160的端部分相比，下无机层171的端部分可以定位在相对外侧，并且第一封盖层160的端部分可以完全被下无机层171覆盖或与之完全重叠。

下无机层171可以包括堆叠的多个层。稍后将描述下无机层171的更详细的结构。

有机层173可以定位在下无机层171上。有机层173可以在显示区域DA中覆盖第一发光器件ED1、第二发光器件ED2和第三发光器件ED3或与之重叠。在实施方式中，有机层173的一部分可以定位在非显示区域NDA中，但是可以不定位在坝构件DM的外侧。有机层173的一部分被示出为定位在第一坝D1的内侧，但不限于此。在实施方式中，有机层173的一部分可以容纳在第一坝D1和第二坝D2之间的空间中，并且有机层173的端部分也可以定位在第一坝D1和第二坝D2之间的区域中。

上无机层175可以定位在有机层173上。上无机层175可以覆盖有机层173或与之重叠。在实施方式中，上无机层175可以在非显示区域NDA中与下无机层171直接接触以形成无机-无机结合部。在实施方式中，上无机层175的端部分和下无机层171的端部分可以基本上对准。上无机层175可以包括堆叠的多个层。稍后将描述上无机层175的更详细的结构。

在实施方式中，在本公开的精神和范围内，下无机层171和上无机层175中的每个可以由氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈、氮氧化硅(SiON)、氟化锂等制成。

在实施方式中，在本公开的精神和范围内，有机层173可以由基于丙烯酸的树脂、基于甲基丙烯酸的树脂、聚异戊二烯、基于乙烯的树脂、基于环氧的树脂、基于氨基甲酸酯的树脂、基于纤维素的树脂、基于二萘嵌苯的树脂等制成。

在下文中，除了图1至图12之外，将进一步参考图13至图16来描述颜色转换衬底30。

图13是示出根据实施方式的显示装置的颜色转换衬底中的第三滤色器的示意性布置的示意性平面图。图14是示出根据实施方式的显示装置的颜色转换衬底中的第一滤色器的示意性布置的示意性平面图。图15是示出根据实施方式的显示装置的颜色转换衬底中的第二滤色器的示意性布置的示意性平面图。图16是示出根据实施方式的显示装置的颜色转换衬底中的堤部图案、第一波长转换图案、第二波长转换图案和光透射图案的示意性布置的示意性平面图。

图9和图12所示的第二基础部分310可以由半透明材料制成。

在实施方式中，第二基础部分310可以包括玻璃衬底或塑料衬底。在实施方式中，第二基础部分310还可以包括定位在玻璃衬底或塑料衬底上的单独的层，例如诸如无机膜的绝缘层。

如上所述，在实施方式中，可以在第二基础部分310中限定光透射区域TA1、TA2和TA3以及光阻挡区域BA。在第二基础部分310可以包括玻璃衬底的情况下，第二基础部分310的折射率可以是约1.5。

如图9和图12所示，滤色器层可以设置在第二基础部分310的面对显示衬底10的一个表面或一表面上。滤色器层可以包括滤色器231、233和235以及光阻挡图案250。

如图9、图12和图13至图15所示，滤色器231、233和235可以设置成分别与光透射区域TA1、TA2和TA3重叠。光阻挡图案250可以设置成与光阻挡区域BA重叠。第一滤色器231可以与第一光透射区域TA1重叠，第二滤色器233可以与第二光透射区域TA2重叠，并且第三滤色器235可以与第三光透射区域TA3重叠。光阻挡图案250可以设置成与光阻挡区域BA重叠以阻挡光透射。在实施方式中，光阻挡图案250可以在平面图中设置成大致的网格形状。

在实施方式中，光阻挡图案250可以包括在第二基础部分310的一个表面或一表面上的第一光阻挡图案部分250c、在第一光阻挡图案部分250c上的第二光阻挡图案部分250a、以及在第二光阻挡图案部分250a上的第三光阻挡图案部分250b。第一光阻挡图案部分250c可以包括与第三滤色器235相同的材料或类似的材料，第二光阻挡图案部分250a可以包括与第一滤色器231相同的材料或类似的材料，并且第三光阻挡图案部分250b可以包括与第二滤色器233相同的材料或类似的材料。例如，光阻挡图案250可以包括这样的结构：第一光阻挡图案部分250c、第二光阻挡图案部分250a和第三光阻挡图案部分250b可以在光阻挡区域BA上从第二基础部分310的一个表面或一表面顺序地堆叠。在光阻挡图案250具有第一光阻挡图案部分250c、第二光阻挡图案部分250a和第三光阻挡图案部分250b可以在光阻挡区域BA上从第二基础部分310的一个表面或一表面顺序地堆叠的结构的情况下，在外部光入射在光阻挡区域BA上的情况下，除了第三颜色的光之外的第一颜色的光和第二颜色的光在穿过第一光阻挡图案部分250c时被第一光阻挡图案部分250c吸收，并且第三颜色的光在穿过第二光阻挡图案部分250a和第三光阻挡图案部分250b时也可以被吸收。然而，虽然未示出，但是可以存在未透射穿过第一光阻挡图案部分250c并且在第一光阻挡图案部分250c和第二基础部分310之间的界面处反射到外部的一些光。所述光可以是第三颜色的光。

在其它实施方式中，光阻挡图案250可以包括有机光阻挡材料，并且可以通过有机光阻挡材料的涂覆工艺、曝光工艺等形成。例如，有机光阻挡材料可以包括黑色矩阵。

在实施方式中，第二光阻挡图案部分250a可以包括与第一滤色器231的第一层231b(参见图17)相同的材料或类似的材料，并且可以通过与第一层231b相同的工艺形成。

第一滤色器231可以用作阻挡蓝光和绿光的阻挡滤光器。在实施方式中，第一滤色器231可以选择性地透射第一颜色的光(例如，红光)，并且可以阻挡或吸收第二颜色的光(例如，绿光)和第三颜色的光(例如，蓝光)。例如，第一滤色器231可以是红色滤色器并且可以包括红色着色剂。第一滤色器231可以包括基础树脂和分散在基础树脂中的红色着色剂。如稍后将描述的，第一滤色器231可以包括至少两层。所述至少两层可以包括第一层231b以及在第一层231b和第二基础部分310之间的第二层。

第二滤色器233可以用作阻挡蓝光和红光的阻挡滤光器。在实施方式中，第二滤色器233可以选择性地透射第二颜色的光(例如，绿光)，并且可以阻挡或吸收第三颜色的光(例如，蓝光)和第一颜色的光(例如，红光)。例如，第二滤色器233可以是绿色滤色器并且可以包括绿色着色剂。

第三滤色器235可以选择性地透射第三颜色的光(例如，蓝光)，并且可以阻挡或吸收第一颜色的光(例如，红光)和第二颜色的光(例如，绿光)。在实施方式中，第三滤色器235可以是蓝色滤色器，并且可以包括诸如蓝色染料或蓝色颜料的蓝色着色剂。在本说明书中，着色剂可以包括染料和颜料二者。

在实施方式中，光阻挡图案250可以被省略，或者也可以具有以上描述的滤色器231、233和235可在光阻挡区域BA上彼此堆叠的结构。

如图9和图12所示，覆盖光阻挡图案250、第一滤色器231、第二滤色器233和第三滤色器235或与之重叠的第二封盖层391可以定位在第二基础部分310的一个表面或一表面上。在实施方式中，第二封盖层391可以与第一滤色器231、第二滤色器233和第三滤色器235直接接触。在实施方式中，第二封盖层391也可以与光阻挡图案250直接接触。

第二封盖层391可以防止诸如水分或空气的杂质从外部渗入，以损坏或污染光阻挡图案250、第一滤色器231、第二滤色器233和第三滤色器235。第二封盖层391可以防止包括在第一滤色器231、第二滤色器233和第三滤色器235中的着色剂扩散到不同于第一滤色器231、第二滤色器233和第三滤色器235的配置(例如，光透射图案330、第一波长转换图案340和第二波长转换图案350)中。在实施方式中，第二封盖层391可以由无机材料制成。例如，第二封盖层391可以包括氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈和氮氧化硅。

在实施方式中，第二封盖层391可以在非显示区域NDA中覆盖光阻挡图案250的侧表面或与之重叠。在实施方式中，第二封盖层391可以在非显示区域NDA中与第二基础部分310直接接触。

堤部图案370可以定位在第二封盖层391的面对显示衬底10的一个表面或一表面上。在实施方式中，堤部图案370可以定位在第二封盖层391的一个表面或一表面上或直接定位在第二封盖层391的一个表面或一表面上，并且可以与第二封盖层391直接接触。

在实施方式中，堤部图案370可以设置成与非发光区域NLA或光阻挡区域BA重叠。在实施方式中，在图16所示，在平面图中，堤部图案370可以围绕第一光透射区域TA1、第二光透射区域TA2和第三光透射区域TA3。堤部图案370可以分隔其中设置有第一波长转换图案340，第二波长转换图案350和光透射图案330的空间。

在实施方式中，堤部图案370可以形成为如图16所示的一体连接的一个图案，但不限于此。在实施方式中，堤部图案370的围绕第一光透射区域TA1的部分、堤部图案370的围绕第二光透射区域TA2的部分、以及堤部图案370的围绕第三光透射区域TA3的部分也可以是彼此分离的单独图案。

在第一波长转换图案340、第二波长转换图案350和光透射图案330通过使用喷嘴(例如，通过喷墨印刷方法)排放油墨组合物而形成的情况下，堤部图案370可以用作用于将排放的油墨组合物稳定地定位在期望位置处的引导件。例如，堤部图案370可以用作分隔件。

在实施方式中，堤部图案370可以与像素限定层150重叠。

如图12所示，在实施方式中，堤部图案370还可以定位在非显示区域NDA中。堤部图案370可以在非显示区域NDA中与光阻挡图案250重叠。

在实施方式中，堤部图案370可以包括具有光固化性的有机材料。在实施方式中，堤部图案370可以包括具有光固化性的有机材料，并且包括光阻挡材料。在堤部图案370具有光阻挡特性的情况下，可以防止光在显示区域DA中在彼此相邻的发光区域之间穿透。例如，堤部图案370可以防止从第二发光器件ED2发射的发射光LE入射在与第一发光区域LA1重叠的第一波长转换图案340上。堤部图案370可以阻挡或防止外部光在非发光区域NLA和非显示区域NDA中穿透到定位在堤部图案370下方的部件中。

如图9和图12所示，第一波长转换图案340、第二波长转换图案350和光透射图案330可以定位在第二封盖层391上。在实施方式中，第一波长转换图案340、第二波长转换图案350和光透射图案330可以定位在显示区域DA中。

光透射图案330可以与第三发光区域LA3或第三发光器件ED3重叠。光透射图案330可以在第三光透射区域TA3中定位在由堤部图案370分隔开的空间中。

在实施方式中，光透射图案330可以具有如图16所示的岛状图案。尽管附图示出光透射图案330不与光阻挡区域BA重叠，但这仅是示例。在其它实施方式中，光透射图案330的一部分可以与光阻挡区域BA重叠。

光透射图案330可以透射入射光。如上所述，从第三发光器件ED3提供的发射光LE可以是蓝光。为蓝光的发射光LE穿过光透射图案330和第三滤色器235并被发射到显示装置1的外部。例如，从第三发光区域LA3发射到显示装置1的外部的第三光LL3可以是蓝光。

在实施方式中，光透射图案330可以包括第一基础树脂331，并且还可以包括分散在第一基础树脂331中的第一散射体333。

第一基础树脂331可以由具有高的光透射率的材料制成。在实施方式中，第一基础树脂331可以由有机材料制成。例如，第一基础树脂331可以包括有机材料，诸如基于环氧的树脂、丙烯酸树脂、基于碳的树脂或基于酰亚胺的树脂。

第一散射体333可以具有与第一基础树脂331的折射率不同的折射率，并且可以与第一基础树脂331形成光学界面。例如，第一散射体333可以是光散射颗粒。第一散射体333不受特别限制，只要它是散射透射光中的至少一部分的材料即可，并且可以是例如金属氧化物颗粒或有机颗粒。金属氧化物的示例可以包括氧化钛(TiO₂)、氧化锆(ZrO₂)、氧化铝(Al₂O₃)、氧化铟(In₂O₃)、氧化锌(ZnO)、氧化锡(SnO₂)等，并且在本公开的精神和范围内，有机颗粒的材料的示例可以包括丙烯酸树脂、基于氨基甲酸酯的树脂等。第一散射体333可以在基本上不转换穿过光透射图案330的光的波长的情况下，不考虑入射光的入射方向，在随机方向上散射光。

在实施方式中，光透射图案330可以与第二封盖层391和堤部图案370直接接触。

第一波长转换图案340可以设置在第二封盖层391上，并且可以与第一发光区域LA1、第一发光器件ED1或第一光透射区域TA1重叠。

在实施方式中，第一波长转换图案340可以在第一光透射区域TA1中定位在由堤部图案370分隔开的空间中。

在实施方式中，第一波长转换图案340可以以如图16所示的岛状图案的形式形成。尽管附图示出第一波长转换图案340不与光阻挡区域BA重叠，但这仅是示例。在其它实施方式中，第一波长转换图案340的一部分也可以与光阻挡区域BA重叠。

在实施方式中，第一波长转换图案340可以与第二封盖层391和堤部图案370直接接触。

第一波长转换图案340可以将具有一峰值波长的入射光转换或变换成具有另一特定或给定峰值波长的光，并且发射具有另一特定或给定峰值波长的光。在实施方式中，第一波长转换图案340可以将从第一发光器件ED1提供的发射光LE转换成具有在约610nm至约650nm的范围内的峰值波长的红光，并且发射上述红光。

在实施方式中，第一波长转换图案340可以包括第二基础树脂341和分散在第二基础树脂341中的第一波长变换器345，并且还可以包括分散在第二基础树脂341中的第二散射体343。

第二基础树脂341可以由具有高的光透射率的材料制成。在实施方式中，第二基础树脂341可以由有机材料制成。在实施方式中，第二基础树脂341可以由与第一基础树脂331相同的材料或类似的材料制成，或者可以包括例如作为第一基础树脂331的构成材料的材料中的至少一种。

第一波长变换器345可以将入射光的峰值波长转换或变换成另一特定或给定峰值波长。在实施方式中，第一波长变换器345可以将第三颜色的发射光LE(其是从第一发光器件ED1提供的蓝光)转换成具有在约610nm至约650nm的范围内的单个峰值波长的红光，并且发射上述红光。

第一波长变换器345可以是例如量子点、量子棒或磷光体。例如，量子点可以是当电子从导带跃迁到价带时，发射特定或给定颜色的光的颗粒物质。

量子点可以是半导体纳米晶体材料。量子点可以根据其构成和大小具有特定或给定带隙，以吸收光并发射具有独特波长的光。量子点的半导体纳米晶体的示例可以包括IV族元素/化合物纳米晶体、II-VI族化合物纳米晶体、III-V族化合物纳米晶体、IV-VI族化合物纳米晶体或其组合。

II-VI族化合物可以选自由以下构成的组：二元化合物，选自由CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS及其混合物构成的组；三元化合物，选自由InZnP、AgInS、CuInS、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS及其混合物构成的组；以及四元化合物，选自由HgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe及其混合物构成的组。

III-V族化合物可以选自由以下构成的组：二元化合物，选自由GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb及其混合物构成的组；三元化合物，选自由GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InNP、InAlP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb及其混合物构成的组；以及四元化合物，选自由GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPS、GaAlNP及其混合物构成的组。

IV-VI族化合物可以选自由以下构成的组：二元化合物，选自由SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe及其混合物构成的组；三元化合物，选自由SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe及其混合物构成的组；以及四元化合物，选自由SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe及其混合物构成的组。IV族元素可以选自由Si、Ge及其混合物构成的组。IV族化合物可以是选自SiC、SiGe及其混合物构成的组的二元化合物。

二元化合物、三元化合物或四元化合物可以以均匀的浓度存在于颗粒中，或者可以以部分不同的浓度分布的状态存在于相同颗粒中。量子点可以具有一个量子点围绕另一量子点的核-壳结构。核和壳之间的界面可以具有存在于壳中的元素的浓度朝向中心降低的浓度梯度。

在实施方式中，量子点可以具有核-壳结构，其包括包含以上描述的纳米晶体的核和围绕所述核的壳。量子点的壳可以用作用于通过防止核的化学改性来保持半导体特性的保护层和/或用于向量子点赋予电泳特性的充电层。壳可以是单层或多层。核和壳之间的界面可以具有存在于壳中的元素的浓度朝向中心降低的浓度梯度。量子点的壳的示例可以包括金属或非金属氧化物、半导体化合物或其组合。

例如，金属或非金属氧化物可以是诸如SiO₂、Al₂O₃、TiO₂、ZnO、MnO、Mn₂O₃、Mn₃O₄、CuO、FeO、Fe₂O₃、Fe₃O₄、CoO、Co₃O₄、NiO等的二元化合物、或诸如MgAl₂O₄、CoFe₂O₄、NiFe₂O₄、CoMn₂O₄等的三元化合物，但本公开不限于此。

半导体化合物的示例可以包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP、AlSb等，但本公开不限于此。

由第一波长变换器345发射的光可以具有约45nm或更小、或约40nm或更小、或约30nm或更小的发射波长光谱半峰全宽(FWHM)，并且由此，可以进一步改善由显示装置1呈现的颜色的颜色纯度和颜色再现性。由第一波长变换器345发射的光可以在多个方向上发射，而与入射光的入射方向无关。由此，可以改善在第一光透射区域TA1中呈现的第一颜色的侧面可视性。

从第一发光器件ED1提供的发射光LE中的一部分可以发射穿过第一波长转换图案340，而不被第一波长变换器345转换成红光。发射光LE中的在不被第一波长转换图案340转换情况下入射到第一滤色器231的分量可以被第一滤色器231阻挡。另一方面，发射光LE中的由第一波长转换图案340转换的红光穿过第一滤色器231并被发射到外部。例如，通过第一光透射区域TA1发射到显示装置1的外部的第一光LL1可以是红光。

第二散射体343可以具有与第二基础树脂341的折射率不同的折射率，并且可以与第二基础树脂341形成光学界面。例如，第二散射体343可以是光散射颗粒。第二散射体343的其它详细描述与第一散射体333的那些基本上相同或类似，并且因此将被省略。

第二波长转换图案350可以在第二光透射区域TA2中定位在由堤部图案370分隔开的空间中。

在实施方式中，第二波长转换图案350可以以如图16所示的岛状图案的形式形成。在实施方式中，与附图中所示的不同，第二波长转换图案350的一部分也可以与光阻挡区域BA重叠。

在实施方式中，第二波长转换图案350可以与第二封盖层391和堤部图案370直接接触。

第二波长转换图案350可以将具有一峰值波长的入射光转换或变换成具有另一特定或给定峰值波长的光，并发射具有另一特定或给定峰值波长的光。在实施方式中，第二波长转换图案350可以将从第二发光器件ED2提供的发射光LE转换成具有约510nm至约550nm的范围的绿光，并且发射上述绿光。

在实施方式中，第二波长转换图案350可以包括第三基础树脂351和分散在第三基础树脂351中的第二波长变换器355，并且还可以包括分散在第三基础树脂351中的第三散射体353。

第三基础树脂351可以由具有高的光透射率的材料制成。在实施方式中，第三基础树脂351可以由有机材料制成。在实施方式中，第三基础树脂351可以由与第一基础树脂331相同的材料或类似的材料制成，或者可以包括例如作为第一基础树脂331的构成材料的材料中的至少一种。

第二波长变换器355可以将入射光的峰值波长转换或变换成另一特定或给定峰值波长。在实施方式中，第二波长变换器355可以将具有在约440nm至约480nm的范围内的峰值波长的蓝光转换成具有在约510nm至约550nm的范围内的峰值波长的绿光。

第二波长变换器355可以是例如量子点、量子棒或磷光体。第二波长变换器355的更详细的描述与以上在第一波长变换器345的描述中给出的那些基本上相同或类似，并且因此将被省略。

在实施方式中，第一波长变换器345和第二波长变换器355二者可以由量子点形成。构成第二波长变换器355的量子点的颗粒大小可以小于构成第一波长变换器345的量子点的颗粒大小。

第三散射体353可以具有与第三基础树脂351的折射率不同的折射率，并且可以与第三基础树脂351形成光学界面。例如，第三散射体353可以是光散射颗粒。第三散射体353的其它详细描述与第二散射体343的那些基本上相同或类似，并且因此将被省略。

从第二发光器件ED2发射的发射光LE可以被提供给第二波长转换图案350，并且第二波长变换器355可以将从第二发光器件ED2提供的发射光LE转换成具有在约510nm至约550nm的范围内的峰值波长的绿光并发射绿光。

一些或一定数量的发射光LE(其是蓝光)可以穿过第二波长转换图案350而不被第二波长变换器355转换成绿光，其可被第二滤色器233阻挡。另一方面，发射光LE中的由第二波长转换图案350转换的绿光穿过第二滤色器233并被发射到外部。因此，从第二光透射区域TA2发射到显示装置1的外部的第二光LL2可以是绿光。

第三封盖层393可以定位在堤部图案370、光透射图案330、第一波长转换图案340和第二波长转换图案350上。第三封盖层393可以覆盖光透射图案330、第一波长转换图案340和第二波长转换图案350或与之重叠。在实施方式中，第三封盖层393也可以定位在非显示区域NDA中。在非显示区域NDA中，第三封盖层393可以与第二封盖层391直接接触，并且可以密封光透射图案330、第一波长转换图案340和第二波长转换图案350。因此，可以防止诸如水分或空气的杂质从外部渗入以损坏或污染光透射图案330、第一波长转换图案340和第二波长转换图案350。

在实施方式中，第三封盖层393可以在非显示区域NDA中覆盖堤部图案370的外侧表面或与之重叠。第三封盖层393可以在非显示区域NDA中与第二封盖层391直接接触。

在实施方式中，第三封盖层393可以由无机材料制成。在实施方式中，第三封盖层393可以由与第二封盖层391相同的材料或类似的材料制成，或者可以包括在第二封盖层391的描述中提到的材料中的至少一种。在第二封盖层391和第三封盖层393二者由无机材料制成的情况下，第二封盖层391和第三封盖层393可以在非显示区域NDA中彼此直接接触以形成无机-无机结合部。

如上所述，密封构件50可以在非显示区域NDA中定位在颜色转换衬底30和显示衬底10之间。

密封构件50可以与封装层170重叠。作为示例，密封构件50可以与下无机层171和上无机层175重叠，并且可以不与有机层173重叠。在实施方式中，密封构件50可以与封装层170直接接触。作为示例，密封构件50可以定位在上无机层175上或直接定位在上无机层175上并与上无机层175直接接触。

在实施方式中，定位在密封构件50之下或下方的上无机层175和下无机层171可以延伸到密封构件50的外侧，并且上无机层175的端部分和下无机层171的端部分可以定位在密封构件50和显示装置1的侧边(例如，如图12中所示的第一侧边L1)之间。

密封构件50可以在非显示区域NDA中与光阻挡图案250和堤部图案370重叠。在实施方式中，密封构件50可以与覆盖堤部图案370或与之重叠的第三封盖层393直接接触。

密封构件50可以与包括连接到连接焊盘PD的线的第一栅极金属WR1重叠。当密封构件50被设置成与第一栅极金属WR1重叠时，可以减小非显示区域NDA的宽度。

如上所述，填充件70可以定位在颜色转换衬底30、显示衬底10和密封构件50之间的空间中。在实施方式中，如图9和图12所示，填充件70可以直接与第三封盖层393和封装层170的上无机层175接触。

在下文中，将更详细地描述根据实施方式的第一滤色器231。

图17是图9的区域Q9的放大的示意性剖视图。图18是示出根据实施方式的外部光在第二基础部分和第一滤色器中的路径的示意图。图19是示出根据第一着色剂的含量的对每个波长的光的折射率(n)的曲线图。图20是示出根据第一着色剂的含量的对每个波长的光的消光系数(k)的曲线图。图21和图22是示出根据第一着色剂的含量的对每个波长的光的透射率的曲线图。图19和图20示出了根据第一滤色器的第一着色剂的含量的对每个波长的光的折射率(n)和消光系数(k)。

参考图17，如上所述，根据实施方式的第一滤色器231可以包括至少两层。至少两层可以包括在第二封盖层391上的第一层231b、以及在第一层231b和第二基础部分310之间的第二层231a。第一滤色器231可以包括基础树脂和分散在基础树脂中的着色剂。着色剂可以是红色着色剂。第一层231b可以包括基础树脂和着色剂中的第一着色剂，并且第二层231a可以包括基础树脂和着色剂中的第二着色剂。第一层231b可以是不同于第二层231a的层。例如，第一层231b和第二层231a可以不是以相同的工艺形成，而是可以通过单独的工艺形成。例如，在第二基础部分310上涂覆第二层材料层，并且在第二层材料层上涂覆第一层材料层之后，可以通过曝光和显影形成图17的第一层231b和第二层231a。在实施方式中，在通过涂覆、曝光和显影在第二基础部分310上涂覆第二层材料层来形成第二层231a之后，第一层231b也可以通过喷墨方法在第二层231a上形成第一层材料层来形成。根据上述工艺，由于第一层231b和第二层231a彼此不同，因此可以在第一层231b和第二层231a之间的界面处设置气隙AG，如图17的放大图所示。

第一着色剂可以以第一含量分散在第一层231b的基础树脂中，第二着色剂可以以第二含量分散在第二层231a的基础树脂中，并且第一含量可以大于第二含量。例如，第一含量可以在约25％至约45％的范围内，并且第二含量可以在约8％至约15％的范围内。

如图19和图20所示，可以看出，第一滤色器的折射率(n)和消光系数(k)大致随着着色剂PWC的含量增加而更高。第一滤色器的折射率(n)和消光系数(k)与镜面反射率有关。例如，当第一滤色器的折射率(n)和消光系数(k)降低时，第一滤色器的镜面反射率可以降低。根据实施方式，第二着色剂在靠近外部光入射到其的第二基础部分310的第二层231a中的第二含量在约8％至约15％的范围内，而第一着色剂在第一层231b中的第一含量在约25％至约45％的范围内，并且因此，第二层231a可以起到降低相对于从第二基础部分310入射的外部光的镜面反射率的作用。由于第一含量而导致的第一层231b的折射率(或第一折射率)可以大于由于第二含量而导致的第二层231a的折射率(或第二折射率)。换言之，第二层231a的折射率可以小于第一层231b的折射率。第二层231a的折射率可以等于或大于第二基础部分310的折射率。第一折射率可以在约1.65至约2.0的范围内，并且第二折射率可以在约1.5至约1.65的范围内。

第一层231b可以具有第一厚度T1，并且第二层231a可以具有小于第一厚度T1的第二厚度T2。第一厚度T1可以在约2000nm至约4000nm的范围内，并且第二厚度T2可以在约500nm至约2000nm的范围内。

如上所述，第一滤色器231需要满足选择性地透射第一颜色的光(例如，红光)和阻挡或吸收第二颜色的光(例如，绿光)和第三颜色的光(例如，蓝光)的颜色特性。例如，作为满足第一滤色器231的颜色特性的标准，基于CIE1931颜色坐标系，Rx、Ry和Rz可以分别是0.6965、0.3005和7.51。第一滤色器231的CIE1931颜色坐标系的坐标可以通过图21至图22所示的根据波长(单位为nm)的透射率来提取。基于CIE1931颜色坐标系，其中Rx、Ry和Rz分别是0.6965、0.3005和7.51的图可以是图22的目标的图。如图21和图22所示，确定出：与第一着色剂的含量为10％(PWC 10％)的情况相比，第一着色剂的含量为40％(PWC 40％)的情况与目标的图更一致，并且确定出：与第一着色剂的含量为40％(PWC 40％)的情况相比，第一层中的第一着色剂的含量为40％并且第二层中的第二着色剂的含量为10％(PWC 10％+PWC 40％)的情况与目标的图更一致。

如上所述，根据实施方式的第一滤色器231的第一层231b中的第一着色剂的第一含量可以在约25％至约45％的范围内，并且其第二层231a中的第二着色剂的第二含量可以在约8％至约15％的范围内。结果，确定出：由于根据实施方式的第一滤色器231的第一层231b中的第一着色剂的第一含量在约25％至约45％的范围内，并且其第二层231a中的第二着色剂的第二含量在约8％至约15％的范围内，因此也可以确保第一滤色器231的颜色特性。

此外，如图18所示，在第一光LL1入射穿过第二基础部分310的情况下，第一光LL1中的一部分在第二基础部分310和第二层231a之间的界面处被反射(例如，反射光L11)，并且另一部分可以穿过第二层231a(例如，透射光L12)并且在第一层231b和第二层231a之间的界面处被反射(例如，反射光L13)。如上所述，基于根据实施方式的显示装置，由于第二层231a中的第二着色剂的第二含量在约8％至约15％的范围内，因此可以降低第一光LL1在第二基础部分310和第二层231a之间的界面处被反射的程度(例如，减少反射光L11的量)。然而，仍存在第一光LL1中的另一部分穿过第二层231a(例如，透射光L12)并且在第一层231b和第二层231a之间的界面处被反射(例如，反射光L13)，并且通过将根据实施方式的第二层231a对于具有在约480nm至约580nm的范围内的波长的光的光透射率设计为约10％或更小，也可以显著降低第一光LL1中的另一部分穿过第二层231a(例如，透射光L12)并且在第一层231b和第二层231a之间的界面处被反射(例如，反射光L13)的程度。

尽管已经出于说明的目的公开了实施方式，但是本领域技术人员将理解，在不背离本公开的范围和精神以及如所附权利要求中所公开的内容的情况下，各种修改、添加和替换是可能的。

Claims (10)

1.显示装置，包括显示区域和非显示区域，其特征在于，所述显示装置包括：

显示衬底；以及

颜色转换衬底，设置在所述显示衬底上，其中，

所述显示衬底包括：

第一基础部分；以及

发光元件，在所述第一基础部分上设置在所述显示区域中，

所述颜色转换衬底包括：

第二基础部分；以及

滤色器层，设置在所述第二基础部分和所述发光元件之间，

所述显示区域包括发射第一光的第一发光区域，

所述滤色器层包括设置在所述第一发光区域中的第一滤色器，以及

所述第一滤色器包括至少两层。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第一光具有在610nm至650nm的范围内的峰值波长。

3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述显示区域还包括：

第二发光区域，发射第二光；

第三发光区域，发射第三光；以及

非发光区域，将所述第一发光区域、所述第二发光区域和所述第三发光区域分隔开。

4.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，

所述第二光具有在510nm至550nm的范围内的峰值波长，以及

所述第三光具有在440nm至480nm的范围内的峰值波长。

5.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，所述滤色器层还包括：

第二滤色器，设置在所述第二发光区域中；以及

第三滤色器，设置在所述第三发光区域中。

6.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，所述第一滤色器包括比所述第二滤色器和所述第三滤色器中的每个更多的层。

7.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，所述第一滤色器包括基础树脂和分散在所述基础树脂中的着色剂。

8.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于，

所述第一滤色器的所述至少两层包括：

第一层；以及

第二层，设置在所述第一层和所述第二基础部分之间，

所述第一层和所述第二层彼此不同，

所述第一层包括所述基础树脂和分散在所述基础树脂中的所述着色剂中的第一着色剂，以及

所述第二层包括所述基础树脂和分散在所述基础树脂中的所述着色剂中的第二着色剂。

9.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，

所述第一着色剂以第一含量分散在所述第一层的所述基础树脂中，

所述第二着色剂以第二含量分散在所述第二层的所述基础树脂中，以及

所述第一含量大于所述第二含量。

10.显示装置，包括显示区域和非显示区域，其特征在于，所述显示装置包括：

第一衬底；以及

第二衬底，设置在所述第一衬底上，其中，

所述第一衬底包括：

第一基础部分；以及

发光元件，在所述第一基础部分上设置在所述显示区域中，

所述第二衬底包括：

第二基础部分；以及

滤色器层，设置在所述第二基础部分和所述发光元件之间，

所述显示区域包括发射第一光的第一发光区域，

所述滤色器层包括设置在所述第一发光区域中的第一滤色器，

所述第一滤色器包括至少两层，

所述第一滤色器包括基础树脂和分散在所述基础树脂中的着色剂，

所述第一滤色器的所述至少两层包括：

第一层；以及

第二层，设置在所述第一层和所述第二基础部分之间，

所述第一层和所述第二层彼此不同，

所述第一层具有第一折射率，以及

所述第二层具有小于所述第一层的所述第一折射率的第二折射率。

Images