CN219761827U - 包括发光元件的衬底和显示装置 - Google Patents
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Abstract
本公开涉及包括发光元件的衬底和显示装置。显示装置包括：衬底，包括第一发射区域、第二发射区域和第三发射区域；第一波长转换图案，与第一发射区域重叠；第二波长转换图案，与第二发射区域重叠；以及透光图案，与第三发射区域重叠，其中，第一波长转换图案包括配置成将第一光转换为第二光的第一波长移位器、以及第一散射体，第二波长转换图案包括配置成将第一光转换为第三光的第二波长移位器、以及第二散射体，并且第一波长移位器的浓度与第二波长移位器的浓度之间的比率为1:1.3至1:1.1。
Description
技术领域
本公开涉及包括发光元件的衬底和显示装置。
背景技术
随着多媒体技术的发展，显示装置已经变得更加重要。因此，诸如液晶显示装置(LCD)和/或有机发光二极管显示装置(OLED)的各种显示装置可以用于各种电子装置中。
在显示装置中，自发光显示装置包括例如有机发光元件的自发光元件。自发光元件可以包括两个相对电极和插置在它们之间的发射层。对于作为自发光元件的有机发光元件，从两个电极供应的电子和空穴在发射层中复合以产生激子，产生的激子从激发态弛豫到基态从而发射光。
这种自发光显示装置通常可以不利用诸如背光单元的单独光源，并且因此与现有技术的显示装置相比，自发光显示装置可以通常消耗相对少的电力，可以是相对轻的和薄的，并且可以具有诸如相对宽的视角、高亮度和/或对比度、和/或相对快的响应速度的高质量特性。因此，有机发光显示装置作为下一代显示装置受到关注。
实用新型内容
根据本公开的实施方式的方面涉及包括发光元件和具有改善的光转换效率的波长转换图案的衬底。
根据本公开的实施方式的方面涉及包括具有改善的光转换效率的波长转换图案的显示装置。
然而，本公开的方面不限于本文中阐述的方面。通过参考以下给出的本公开的详细描述，本公开的以上和其它方面对于本公开所属领域中的普通技术人员将变得更加显而易见。
根据本公开的实施方式，显示装置包括：衬底，包括第一发射区域、第二发射区域和第三发射区域；第一波长转换图案，与第一发射区域重叠；第二波长转换图案，与第二发射区域重叠；以及透光图案，与第三发射区域重叠，其中，第一波长转换图案包括配置成将第一光转换为第二光的第一波长移位器、以及第一散射体，第二波长转换图案包括配置成将第一光转换为第三光的第二波长移位器、以及第二散射体，并且第一波长移位器的浓度与第二波长移位器的浓度之间的比率为1:1.3至1:1.1。
根据本公开的另一实施方式，衬底包括发光元件，该衬底包括：第一衬底，包括第一发射区域、第二发射区域和第三发射区域；第一波长转换图案，与第一发射区域重叠；第二波长转换图案，与第二发射区域重叠；以及透光图案，与第三发射区域重叠，其中，第一波长转换图案包括配置成将第一光转换为第二光的第一波长移位器、以及第一散射体，第二波长转换图案包括配置成将第一光转换为第三光的第二波长移位器、以及第二散射体，第二波长转换图案中的第二波长移位器的浓度为40wt％至45wt％，以及第一波长转换图案中的第一波长移位器的浓度为35wt％至40wt％。
根据本公开的又一实施方式，显示装置包括：第一衬底，在第一衬底上限定有第一透光区域、第二透光区域和第三透光区域，并且第一衬底具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；第一波长转换图案，在第一衬底的第一表面上并与第一透光区域重叠；第二波长转换图案，在第一衬底的第一表面上并与第二透光区域重叠；以及透光图案，在第一衬底的第一表面上并与第三透光区域重叠，其中，第一波长转换图案包括第一基础树脂、分散在第一基础树脂中并且配置成将第一光转换为第二光的第一波长移位器、以及分散在第一基础树脂中的第一散射体，第二波长转换图案包括第二基础树脂、分散在第二基础树脂中并且配置成将第一光转换为第三光的第二波长移位器、以及分散在第二基础树脂中的第二散射体，透光图案包括第三基础树脂和分散在第三基础树脂中的第三散射体，第一波长转换图案和第二波长转换图案中的每个的厚度为8μm至12μm，第一波长转换图案中的第一波长移位器的浓度与第二波长转换图案中的第二波长移位器的浓度之间的比率为1:1.3至1:1.1，第一波长移位器和第二波长移位器中的每个的浓度通过电感耦合等离子体质谱仪(ICP-MS)测量。
应当注意，本公开的效果不限于描述的效果，并且本公开的其它效果将从描述中显而易见。
附图说明
通过参考附图更详细地描述本公开的示例性实施方式，本公开的以上和其它方面和特征将变得更加显而易见，在附图中：
图1是示出根据本公开的一些实施方式的显示装置的叠层结构的剖视图；
图2是根据本公开的一些实施方式的显示装置的平面图；
图3是图2的部分Q1的放大平面图，更具体地，是根据实施方式的包括在图2的显示装置中的显示衬底的平面图；
图4是图2的部分Q1的放大平面图，更具体地，是根据实施方式包括在图2的显示装置中的颜色转换衬底的平面图；
图5是根据与图3中所示的实施方式不同的实施方式的图2的部分Q1的平面图；
图6是示出根据与图4中所示的实施方式不同的实施方式的包括在图2的显示装置中的颜色转换衬底的平面图；
图7是图2的部分Q3的放大平面图；
图8是沿着图3和图4的线X1-X1'截取的根据本公开的一些实施方式的显示装置的剖视图；
图9是根据实施方式的图8的部分Q4的放大剖视图；
图10是示出根据与图9中所示的实施方式不同的实施方式的图8的部分Q4的剖视图；
图11是沿着图7的线X3-X3'截取的根据本公开的一些实施方式的显示装置的剖视图；
图12是示出根据本公开的一些实施方式的显示装置的颜色转换衬底上的第三滤色器的布局的平面图；
图13是示出根据本公开的一些实施方式的显示装置的颜色转换衬底上的第一滤色器的布局的平面图；
图14是示出根据本公开的一些实施方式的显示装置的颜色转换衬底上的第二滤色器的布局的平面图；
图15是示出根据本公开的一些实施方式的显示装置的颜色转换衬底上的堤图案、第一波长转换图案、第二波长转换图案和透光图案的布局的平面图；
图16是示出针对第二波长转换图案的每个厚度根据第二波长移位器的浓度的第二波长转换图案的相对外部量子产率EQE的图；
图17是示出针对第二波长转换图案的每个厚度根据第二散射体的浓度的第二波长转换图案的相对外部量子产率EQE的图；
图18是示出根据第二波长转换图案的第二波长移位器的浓度在喷墨印刷工艺期间第二波长转换图案材料的粘度的图；
图19是示出针对第一波长转换图案的每个厚度根据第一波长移位器的浓度的第一波长转换图案的相对外部量子产率EQE的图；
图20是示出针对第一波长转换图案的每个厚度根据第一散射体的浓度的第一波长转换图案的相对外部量子产率EQE的图；
图21是示出根据第一波长转换图案的第一波长移位器的浓度在喷墨印刷工艺期间第一波长转换图案材料的粘度的图；以及
图22是示出根据透光图案的第三散射体的浓度的透射率(％)和白角差(WAD)特性的图。
具体实施方式
本文中公开的本公开的实施方式的具体结构和功能描述仅用于说明本实用新型的实施方式的目的。本公开可以以许多不同的形式来实现，而不背离本公开的精神和显著特性。因此，本公开的实施方式仅出于说明性目的而被公开，而不应被解释为限制本公开。即，本公开仅由权利要求及其等同物的范围来限定。
将理解的是，当元件被称为与另一元件相关，诸如“联接”或“连接”到另一元件时，其可以直接联接或直接连接到所述另一元件，或者在它们之间可以存在居间元件。相反，应当理解，当元件被称为与另一元件相关，诸如“直接联接”或“直接连接”到另一元件时，不存在居间元件。解释元件之间的关系的其它表述，诸如“在…之间”、“直接在…之间”、“邻近”或“直接邻近”，应该以相同的方式解释。
在整个说明书中，相同的附图标记将表示相同或相似的部分。
将理解的是，尽管本文中可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应该受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，下面讨论的“第一元件”、“第一组件”、“第一区域”、“第一层”或“第一部分”可以被称为第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分，而不偏离本文中的教导。
本文中使用的术语仅用于描述特定实施方式的目的，而不是旨在进行限制。如本文中所用，“一个”、“一种”、“该”和“至少一个”不表示数量的限制，并且旨在包括单数和复数两者，除非上下文另外清楚地指示。例如，“元件”具有与“至少一个元件”相同的含义，除非上下文另外清楚地指示。“至少一个”不应被解释为限制“一个”或“一”。“或”是指“和/或”。如本文中所用，术语“和/或”包括相关联的所列项目中的一个或多个的任何和所有组合。还将理解的是，当在本说明书中使用时，术语“包括”、“包括有”、“包含”和/或“包含”指定所述特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或组件的存在，但不排除一个或多个其它特征、区域、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组的存在或添加。
此外，本文中可以使用诸如“下部”、“底部”、“上部”或“顶部”的相对术语来描述如附图中所示的一个元件与另一元件的关系。将理解的是，除了附图中描绘的定向之外，相对术语旨在还包括装置的不同定向。例如，如果附图中的一个中的装置被翻转，则被描述为在其它元件的“下”侧上的元件将随之定向在其它元件的“上”侧上。因此，示例性术语“下部”可以包括“下部”和“上部”的定向两者，这取决于附图中的特定定向。类似地，如果附图中的一个中的装置被翻转，则被描述为在其它元件“下方”或“之下”的元件将随之定向为在其它元件“上方”。因此，示例性术语“下方”或“之下”可以包括上方和下方的定向两者。
如本文中所用，术语“约”或“大致”包括所述值和在如本领域中普通技术人员在考虑所讨论的测量和与特定量的测量相关联的误差(即，测量系统的限制)时所确定的特定值的可接受偏差范围内的平均值。例如，“约”可以意指在一个或多个标准偏差内，或在所述值的±30％、±20％、±10％或±5％内。
除非另外限定，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域中的普通技术人员所通常理解的相同的含义。还将理解的是，术语(诸如在常用词典中限定的术语)应当被解释为具有与它们在相关技术和本公开的上下文中的含义一致的含义，并且将不会以理想化的或过于正式的意义来解释，除非在本文中明确地如此限定。
本文中参考作为理想化实施方式的示意性的剖视图来描述示例性实施方式。这样，将预期到由于例如制造技术和/或公差而导致的图示中的形状的变化。因此，本文中描述的实施方式不应被解释为限于如本文中所示的区域的特定形状，而是将包括例如由制造导致的形状上的偏差。例如，示出或描述为平坦的区域通常可以具有粗糙和/或非线性特征。此外，示出的尖角可以是圆化的。因此，附图中所示的区域本质上是示意性的，并且它们的形状不旨在示出区域的精确形状，并且不旨在限制本权利要求的范围。
在下文中，将参考附图描述本公开的实施方式。
图1是示出根据本公开的一些实施方式的显示装置的叠层结构的剖视图。
图1中所示的显示装置1(参见图2)可以用于各种电子装置中，包括诸如平板PC、智能电话、车辆导航单元、相机、安装在车辆中的中心信息显示器(CID)、腕型或腕类电子装置(例如，智能手表)、个人数字助理(PMP)、便携式多媒体播放器(PMP)和/或游戏机的小型和/或中型电子装置以及诸如电视、电子广告牌、监视器、个人计算机和/或膝上型计算机的中型和/或大型电子装置。应当理解，上面列出的电子装置仅仅是说明性的，并且显示装置1可以用于各种其他合适的电子装置中，而不背离根据本公开的实施方式的精神和范围。
显示装置1可以包括显示图像的显示区域DA和不显示图像的非显示区域NDA。在一些实施方式中，非显示区域NDA可以位于显示区域DA周围以围绕显示区域DA。用户可以在第三方向Z上从箭头所指示的一侧看到在显示区域DA上显示的图像。
在一些实施方式中，如图1中所示，显示装置1的叠层结构可以包括显示衬底10和面对(例如，与之相对)显示衬底10的颜色转换衬底30，并且还可以包括用于联接显示衬底10与颜色转换衬底30的密封构件50和用于填充显示衬底10和颜色转换衬底30之间的空间或区域的填充件70。
显示衬底10可以包括用于显示图像的元件和电路(例如，诸如开关元件的像素电路)、用于在显示区域DA中限定稍后将更详细描述的发射区域和非发射区域的像素限定层、以及自发光(也称为自发光的)元件。在一些实施方式中，自发光元件可以包括有机发光二极管、量子点发光二极管、基于无机物的微米发光二极管(例如，微米LED)和具有纳米尺寸的基于无机物的纳米发光二极管(例如，纳米LED)中的至少一种。在以下描述中，为了便于说明，将描述有机发光二极管作为自发光元件的示例，但是根据本公开的实施方式不限于此。
颜色转换衬底30可以位于显示衬底10上并且可以面对显示衬底10。在一些实施方式中，颜色转换衬底30可以包括转换入射光的颜色的颜色转换图案。在一些实施方式中，颜色转换衬底30可以包括滤色器和/或波长转换图案作为颜色转换图案。在一些实施方式中，颜色转换衬底30可以包括滤色器和波长转换图案两者(例如，同时包括)。
在非显示区域NDA中，密封构件50可以位于颜色转换衬底30和显示衬底10之间。密封构件50可以在非显示区域NDA中沿着显示衬底10和颜色转换衬底30的边缘布置或形成，以在平面图中在显示区域DA周围(例如，围绕)。显示衬底10和颜色转换衬底30可以经由密封构件50彼此联接。
在一些实施方式中，密封构件50可以由有机材料制成。例如，密封构件50可以但本公开不限于由环氧树脂制成。在一些其它实施方式中，密封构件50可以以包括玻璃等的玻璃料的形式应用(例如，沉积)。
填充件70可以位于显示衬底10和颜色转换衬底30之间的由密封构件50围绕的空间中。填充件70可以用于填充显示衬底10和颜色转换衬底30之间的空间。
在一些实施方式中，填充件70可以由透光材料制成。在一些实施方式中，填充件70可以由有机材料制成。例如，填充件70可以由基于硅的有机材料、基于环氧的有机材料或基于硅的有机材料、基于环氧的有机材料等的混合物制成。
在一些实施方式中，填充件70可以由消光系数基本上为零的材料制成。折射率和消光系数是相关的，并且因此折射率随着消光系数而降低。当折射率为1.7或更小时，消光系数可以收敛到基本上为零。在一些实施方式中，填充件70可以由折射率为1.7或更小的材料制成。因此，能够防止或减少由自发光元件提供的光在穿过填充件70时被填充件70吸收。在一些实施方式中，填充件70可以由折射率为1.4至1.6的有机材料制成。
在图1中，显示装置1被示出为包括显示衬底10、颜色转换衬底30、密封构件50和填充件70，但是根据一些实施方式，可以省略密封构件50和填充件70，并且颜色转换衬底30的除第二基底310(参见图11)之外的元件可以设置在显示衬底10上。
图2是根据本公开的一些实施方式的显示装置1的平面图。图3是图2的部分Q1的放大平面图，更具体地，是包括在图2的显示装置1中的显示衬底的平面图。图4是图2的部分Q1的放大平面图，更具体地，是包括在图2的显示装置中的颜色转换衬底的平面图。图5是示出图3中所示的示例的修改(例如，另一实施方式)的平面图。
图6是示出图4中所示的示例的修改(例如，另一实施方式)的平面图。图7是图2的部分Q3的放大平面图。
结合图1参考图2至图7，根据一些实施方式，显示装置1可以在平面图中形成为矩形形状，如图2中所示。显示装置1可以包括在第一方向X上延伸的两侧(即，第一侧L1和第三侧L3)以及在与第一方向X相交或交叉的第二方向Y上延伸的两侧(即，第二侧L2和第四侧L4)。尽管侧彼此相交的拐角可以形成直角，但是本公开不限于此。在一些实施方式中，第一侧L1和第三侧L3的长度可以不同于第二侧L2和第四侧L4的长度。例如，第一侧L1和第三侧L3可以比第二侧L2和第四侧L4长。显示装置1在平面图中的形状不限于附图中所示的形状。显示装置1可以具有圆形形状或其它合适的形状。
在一些实施方式中，显示装置1还可以包括柔性电路板FPC和驱动器芯片(例如，驱动器芯片集成电路)IC。
如图3中所示，多个发射区域LA1、LA2和LA3以及非发射区域NLA可以在显示区域DA中限定在显示衬底10中。
在一些实施方式中，第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3可以在显示区域DA中限定在显示衬底10中。在发射区域LA1、LA2和LA3中，在显示衬底10的发光元件中产生的光从显示衬底10出射(例如，发射)。在非发射区域NLA中，没有光从显示衬底10出射。在一些实施方式中，非发射区域NLA可以在显示区域DA内在第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3周围(例如，围绕)。
在一些实施方式中，从第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3出射(例如，发射)的光可以是第三颜色的光。在一些实施方式中，第三颜色的光可以是蓝光，并且可以具有在大致440至480nm的范围内的峰值波长。如本文中所用，峰值波长是指其处光的强度最大的波长。
在一些实施方式中，第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3可以形成单个组(例如，重复单元)，并且多个这样的组可以限定在显示区域DA中。
在一些实施方式中，如图3中所示，第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3可以沿着第一方向X顺序地定位。在一些实施方式中，在显示区域DA中，第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3可以形成单个组(例如，重复单元)，并且可以沿着第一方向X和第二方向Y重复地布置。
然而，将理解的是，本公开不限于此。第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3的布置可以以多种方式改变。如图5中所示，第一发射区域LA1和第二发射区域LA2可以沿着第一方向X彼此相邻，而第三发射区域LA3可以沿着第二方向Y位于第一发射区域LA1和第二发射区域LA2的一侧上。
在以下描述中，将描述第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3如图3中所示布置的示例。
如图4中所示，多个透光区域TA1、TA2和TA3以及光阻挡区域BA可以在显示区域DA中限定在颜色转换衬底30中。在透光区域TA1、TA2和TA3中，从显示衬底10发射的光可以透射通过颜色转换衬底30以提供给显示装置1的外部。在光阻挡区域BA中，从显示衬底10出射(例如，发射)的光不能穿过它。
在一些实施方式中，第一透光区域TA1、第二透光区域TA2和第三透光区域TA3可以限定在颜色转换衬底30中。
第一透光区域TA1的尺寸可以等于第一发射区域LA1的尺寸，或者可以与第一发射区域LA1重叠。类似地，第二透光区域TA2的尺寸可以等于第二发射区域LA2的尺寸，或者可以与第二发射区域LA2重叠，并且第三透光区域TA3的尺寸可以等于第三发射区域LA3的尺寸，或者可以与第三发射区域LA3重叠。
在一些实施方式中，如图3中所示，当第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3沿着第一方向X顺序地布置时，第一透光区域TA1、第二透光区域TA2和第三透光区域TA3也可以沿着第一方向X顺序地布置，如图4中所示。
如图5中所示，当第一发射区域LA1和第二发射区域LA2在第一方向X上彼此相邻而第三发射区域LA3在第二方向Y上位于第一发射区域LA1和第二发射区域LA2的一侧上时，第一透光区域TA1和第二透光区域TA2可以在第一方向X上彼此相邻，而第三透光区域TA3可以在第二方向Y上位于第一透光区域TA1和第二透光区域TA2的一侧上，如图6中所示。
在一些实施方式中，从显示衬底10提供的第三颜色的光可以穿过第一透光区域TA1、第二透光区域TA2和第三透光区域TA3以从显示装置1出射(例如，发射)。在以下描述中，通过第一透光区域TA1从显示装置1出射的光被称为第一出射光，通过第二透光区域TA2从显示装置1出射的光被称为第二出射光，并且通过第三透光区域TA3从显示装置1出射的光被称为第三出射光。第一出射光可以是第一颜色的光，第二出射光可以是不同于第一颜色的第二颜色的光，并且第三出射光可以是第三颜色的光。在一些实施方式中，第三颜色的光可以是峰值波长在大致(约)440至(约)480nm的范围内的蓝光，并且第一颜色的光可以是峰值波长在大致(约)610至(约)650nm的范围内的红光。此外，第二颜色的光可以是峰值波长在大致(约)510至(约)550nm的范围内的绿光。
光阻挡区域BA可以在显示区域DA中位于第一透光区域TA1、第二透光区域TA2和第三透光区域TA3周围。在一些实施方式中，光阻挡区域BA可以在第一透光区域TA1、第二透光区域TA2和第三透光区域TA3周围(例如，围绕)。此外，光阻挡区域BA也可以位于显示装置1的非显示区域NDA中。
返回参考图2，坝构件DM和密封构件50可以位于显示装置1的非显示区域NDA中。
坝构件DM可以在形成位于显示区域DA中的封装层的工艺中阻挡或减少有机材料(或单体)的溢出，从而防止或基本上防止封装层中的有机材料朝向显示装置1的边缘延伸(例如，扩展)。
在一些实施方式中，坝构件DM可以形成为在平面图中完全围绕显示区域DA。
如上所述，密封构件50可以联接显示衬底10与颜色转换衬底30。
密封构件50可以在非显示区域NDA中位于坝构件DM外侧上，并且当从顶部(例如，在平面图中)观察时，密封构件50可以形成为完全围绕坝构件DM和显示区域DA。
显示装置1的非显示区域NDA可以包括焊盘区域PDA，并且多个连接焊盘PD可以位于焊盘区域PDA中。
在一些实施方式中，连接焊盘PD可以邻近非显示区域NDA的较长侧定位，并且可以例如在非显示区域NDA中邻近第一侧L1定位。连接焊盘PD可以通过连接线等电连接到位于显示区域DA中的像素电路等。
显示装置1的显示衬底10(例如，参见图1)可以包括坝构件DM和连接焊盘PD。
柔性电路板FPC可以连接到连接焊盘PD。柔性电路板FPC可以电连接显示衬底10(例如，参见图1)与提供用于驱动显示装置1的信号、电力等的电路板。
驱动器芯片IC可以电连接到电路板等以接收数据和信号。在一些实施方式中，驱动器芯片IC可以包括数据驱动器芯片，并且可以从电路板接收数据控制信号和图像数据，以产生和输出与图像数据相关联的数据电压。
在一些实施方式中，驱动器芯片IC可以分别安装在柔性电路板FPC上。例如，驱动器芯片IC可以通过合适的(例如，已知的)膜上芯片(COF)技术安装在柔性电路板FPC上。
从驱动器芯片IC供应的数据电压、从电路板供应的供应电压等可以通过柔性电路板FPC和连接焊盘PD传送到显示衬底10(例如，参见图1)的像素电路。
在下文中，将更详细地描述显示装置1的结构。
图8是沿着图3和图4的线X1-X1'截取的根据本公开的一些实施方式的显示装置的剖视图。图9是图8的部分Q4的放大剖视图。图10是示出图9中所示的结构的示例的修改(例如，另一实施方式)的剖视图。图11是沿着图7的线X3-X3'截取的根据本公开的一些实施方式的显示装置的剖视图。
结合图1至图7参考图8至图11，如上所述，显示装置1可以包括显示衬底10和颜色转换衬底30，并且还可以包括位于显示衬底10和颜色转换衬底30之间的填充件70。
在下文中，将描述显示衬底10。
第一基底110可以由透光材料制成。在一些实施方式中，第一基底110可以是玻璃衬底和/或塑料衬底。当第一基底110是塑料衬底时，第一基底110可以具有柔性。
在一些实施方式中，多个发射区域LA1、LA2和LA3以及非发射区域NLA可以在显示区域DA中限定在以上已描述的第一基底110上。
在一些实施方式中，显示装置1的第一侧L1、第二侧L2、第三侧L3和第四侧L4可以分别与第一基底110的四个侧相同。即，显示装置1的第一侧L1、第二侧L2、第三侧L3和第四侧L4可以分别被称为第一基底110的第一侧L1、第二侧L2、第三侧L3和第四侧L4。
缓冲层111还可以位于第一基底110上。缓冲层111可以在显示区域DA和非显示区域NDA中位于第一基底110上。缓冲层111可以阻挡外来物质和/或湿气渗透通过第一基底110。例如，缓冲层111可以包括诸如SiO2、SiNx和/或SiOxNy的无机材料，并且可以由单层或多层制成。
下光阻挡层BML可以位于缓冲层111上。下光阻挡层BML可以阻挡外部光或来自发光元件的光进入稍后将更详细地描述的半导体层ACT，从而防止或减少稍后将更详细地描述的薄膜晶体管TL中的由光产生的泄漏电流。
在一些实施方式中，下光阻挡层BML可以由阻挡光并具有导电性的材料制成(例如，为导体)。例如，下光阻挡层BML可以包括诸如银(Ag)、镍(Ni)、金(Au)、铂(Pt)、铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)和/或钕(Nd)的金属的单一材料和/或其合金。在一些实施方式中，下光阻挡层BML可以具有单层或多层结构。例如，当下光阻挡层BML具有多层结构时，下光阻挡层BML可以但本公开不限于是钛(Ti)/铜(Cu)/氧化铟锡(ITO)的叠层结构或钛(Ti)/铜(Cu)/铝氧化物(Al2O3)的叠层结构。
在一些实施方式中，显示衬底10可以包括多个下光阻挡层BML。下光阻挡层BML的数量可以等于半导体层ACT的数量。下光阻挡层BML中的每个可以与半导体层ACT中的相应一个重叠。在一些实施方式中，下光阻挡层BML的宽度可以大于半导体层ACT的宽度。
在一些实施方式中，下光阻挡层BML可以是数据线、电压供应线、将薄膜晶体管与附图中所示的薄膜晶体管TL电连接的线等的一部分。在一些实施方式中，下光阻挡层BML可以由具有比第二导电层或包括在第二导电层中的源电极SE和漏电极DE低的电阻的材料制成。
第一绝缘层113可以位于下光阻挡层BML上。在一些实施方式中，第一绝缘层113可以位于显示区域DA和非显示区域NDA中。第一绝缘层113可以覆盖下光阻挡层BML。在一些实施方式中，第一绝缘层113可以包括诸如SiO2、SiNx、SiOxNy、Al2O3、TiO2、Ta2O、HfO2、ZrO2等的无机材料。
半导体层ACT可以位于第一绝缘层113上。在一些实施方式中，半导体层ACT可以在显示区域DA中分别位于第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3中。
在一些实施方式中，半导体层ACT可以包括氧化物半导体。例如，半导体层ACT可以由作为基于Zn氧化物的材料的Zn氧化物、In-Zn氧化物、Ga-In-Zn氧化物等制成，并且可以是例如在ZnO中包括诸如铟(In)和/或镓(Ga)的金属的IGZO(In-Ga-Zn-O)半导体。然而，将理解的是，本公开不限于此。半导体层ACT可以包括非晶硅或多晶硅。
在一些实施方式中，半导体层ACT可以设置成分别与下光阻挡层BML重叠，从而抑制在半导体层ACT中产生光电流。
第一导电层可以形成在半导体层ACT上，并且第一导电层可以包括栅电极GE和第一栅极金属WR1。栅电极GE位于显示区域DA中以与相应的半导体层ACT重叠。如图11中所示，第一栅极金属WR1可以包括将连接焊盘PD(参见例如图2)与位于显示区域DA(参见例如图2)中的元件(例如，薄膜晶体管TL、发光元件等)电连接的线的一部分。
考虑到与相邻层的粘附性、要层压在其上的层的表面平整度、可加工性等，栅电极GE和第一栅极金属WR1可以包括包含铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)的材料中的至少一种，并且可以由单层或多层制成。
在显示区域DA中，栅极绝缘层115可以位于半导体层ACT和第一导电层之间或半导体层ACT和栅电极GE之间。在一些实施方式中，栅电极GE和栅极绝缘层115可以用作(例如，作用为)用于掩蔽半导体层ACT的沟道区域的掩模，并且栅电极GE的宽度和栅极绝缘层115的宽度可以小于半导体层ACT的宽度。
在一些实施方式中，栅极绝缘层115可以不作为单层形成在第一基底110的整个表面上，而是可以形成为部分图案化的形状。在一些实施方式中，图案化的栅极绝缘层115的宽度可以大于栅电极GE或第一导电层的宽度。
在一些实施方式中，栅极绝缘层115可以包括无机材料。例如，栅极绝缘层115可以包括上面列出的作为第一绝缘层113的材料的无机材料。
在非显示区域NDA中，栅极绝缘层115可以位于第一栅极金属WR1和第一绝缘层113之间。
覆盖半导体层ACT和栅电极GE的第二绝缘层117可以遍及栅极绝缘层115形成。第二绝缘层117可以位于显示区域DA和非显示区域NDA中。在一些实施方式中，第二绝缘层117可以用作提供平坦表面的平坦化层。
在一些实施方式中，第二绝缘层117可以包括有机材料。例如，第二绝缘层117可以包括光丙烯(PAC)、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚丙烯腈(PAN)、聚酰胺、聚酰亚胺、聚芳醚、杂环聚合物、聚对二甲苯、基于氟的聚合物、环氧树脂、苯并环丁烯系列树脂、硅氧烷系列树脂和硅烷树脂中的至少一种，但本公开不限于此。在一些实施方式中，第二绝缘层117也可以包括无机材料。
第二导电层可以形成在第二绝缘层117上，并且第二导电层可以包括源电极SE、漏电极DE、电压供应线VSL以及连接焊盘PD的第一焊盘电极PD1。
源电极SE和漏电极DE可以位于显示区域DA中并且可以彼此间隔开。
漏电极DE和源电极SE可以各自穿过(例如，穿透)第二绝缘层117并连接到半导体层ACT。
在一些实施方式中，源电极SE可以穿过(例如，穿透)第一绝缘层113和第二绝缘层117并连接到下光阻挡层BML。当下光阻挡层BML是传送信号和/或电压的线的一部分时，源电极SE可以连接到下光阻挡层BML并且与下光阻挡层BML电联接，并且可以接收施加到该线的电压。在一些实施方式中，当下光阻挡层BML是浮置图案而不是单独的线时，施加到源电极SE的电压等可以传送到下光阻挡层BML。
在一些实施方式中，与图8中所示的示例不同，漏电极DE可以穿过(例如，穿透)第一绝缘层113和第二绝缘层117，并且可以连接到下光阻挡层BML。当下光阻挡层BML不是接收单独信号的线时，施加到漏电极DE的电压等可以传送到下光阻挡层BML。
半导体层ACT、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE可以形成作为开关元件的薄膜晶体管TL。在一些实施方式中，薄膜晶体管TL可以位于第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3中的每个中。在一些实施方式中，薄膜晶体管TL的一部分可以位于非发射区域NLA中。
电压供应线VSL可以位于非显示区域NDA中。施加到阴极电极CE的供应电压可以供应到电压供应线VSL。
连接焊盘PD的第一焊盘电极PD1可以位于非显示区域NDA的焊盘区域PDA(参见例如图2)中。在一些实施方式中，第一焊盘电极PD1可以穿过(例如，穿透)第二绝缘层117，并且可以电连接到第一栅极金属WR1。
源电极SE、漏电极DE、电压供应线VSL以及连接焊盘PD的第一焊盘电极PD1可以各自包括铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等，并且可以由多层或单层制成。在本公开的一些实施方式中，源电极SE、漏电极DE、电压供应线VSL以及连接焊盘PD的第一焊盘电极PD1可以各自由Ti/Al/Ti的多层结构制成。
第三绝缘层130可以位于第二绝缘层117上。第三绝缘层130可以在显示区域DA中覆盖薄膜晶体管TL，并且可以在非显示区域NDA中暴露电压供应线VSL的一部分。
在一些实施方式中，第三绝缘层130可以是平坦化层。在一些实施方式中，第三绝缘层130可以由有机材料制成。例如，第三绝缘层130可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、酰亚胺树脂、酯树脂等。在一些实施方式中，第三绝缘层130可以包括光敏有机材料。
第一阳极电极AE1、第二阳极电极AE2和第三阳极电极AE3可以在显示区域DA中位于第三绝缘层130上。此外，连接电极CNE以及连接焊盘PD的第二焊盘电极PD2可以在非显示区域NDA中位于第三绝缘层130上。
第一阳极电极AE1可以与第一发射区域LA1重叠，并且可以至少部分地延伸到非发射区域NLA。第二阳极电极AE2可以与第二发射区域LA2重叠并且可以至少部分地延伸到非发射区域NLA，并且第三阳极电极AE3可以与第三发射区域LA3重叠并且可以至少部分地延伸到非发射区域NLA。第一阳极电极AE1可以穿过(例如，穿透)第三绝缘层130，并且可以连接到与第一阳极电极AE1相关联的薄膜晶体管TL的漏电极DE。第二阳极电极AE2可以穿过(例如，穿透)第三绝缘层130，并且可以连接到与第二阳极电极AE2相关联的薄膜晶体管TL的漏电极DE。第三阳极电极AE3可以穿过(例如，穿透)第三绝缘层130并且可以连接到与第三阳极电极AE3相关联的薄膜晶体管TL的漏电极DE。
在一些实施方式中，第一阳极电极AE1、第二阳极电极AE2和第三阳极电极AE3可以是反射电极。在这种情况下，第一阳极电极AE1、第二阳极电极AE2和第三阳极电极AE3可以是包括诸如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir和/或Cr的金属的一个或多个金属层。在替代实施方式中，第一阳极电极AE1、第二阳极电极AE2和第三阳极电极AE3还可以包括堆叠在金属层上的金属氧化物层。根据示例性实施方式，第一阳极电极AE1、第二阳极电极AE2和第三阳极电极AE3可以具有多层结构，例如，ITO/Ag、Ag/ITO、ITO/Mg或ITO/MgF2的两层结构或ITO/Ag/ITO的三层结构。
连接电极CNE可以在非显示区域NDA中电连接到电压供应线VSL，并且可以与电压供应线VSL直接接触。
第二焊盘电极PD2可以在非显示区域NDA中位于第一焊盘电极PD1上。第二焊盘电极PD2可以与第一焊盘电极PD1直接接触并电连接到第一焊盘电极PD1。
在一些实施方式中，连接电极CNE和第二焊盘电极PD2可以由与第一阳极电极AE1、第二阳极电极AE2和第三阳极电极AE3相同的材料制成，并且可以经由相同的制造工艺与第一阳极电极AE1、第二阳极电极AE2和第三阳极电极AE3一起形成。
像素限定层150可以位于第一阳极电极AE1、第二阳极电极AE2和第三阳极电极AE3上。像素限定层150可以包括用于暴露第一阳极电极AE1的开口、用于暴露第二阳极电极AE2的开口和用于暴露第三阳极电极AE3的开口，并且可以限定第一发射区域LA1、第二发射区域LA2、第三发射区域LA3和非发射区域NLA。即，第一阳极电极AE1的未被像素限定层150覆盖的暴露部分可以是第一发射区域LA1。类似地，第二阳极电极AE2的未被像素限定层150覆盖的暴露部分可以是第二发射区域LA2。第三阳极电极AE3的未被像素限定层150覆盖的暴露部分可以是第三发射区域LA3。像素限定层150可以位于非发射区域NLA中。
在一些实施方式中，像素限定层150可以包括有机绝缘材料，诸如聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂和/或苯并环丁烯(BCB)。
在一些实施方式中，像素限定层150可以与稍后将更详细描述的光阻挡图案250重叠。此外，根据一些实施方式，像素限定层150可以与稍后将更详细描述的堤图案370重叠。
如图8和图11中所示，发射层OL可以位于第一阳极电极AE1、第二阳极电极AE2和第三阳极电极AE3上。
在一些实施方式中，发射层OL可以具有横跨多个发射区域LA1、LA2和LA3以及非发射区域NLA形成的连续膜的形状。尽管在附图中发射层OL仅位于显示区域DA中，但是根据本公开的实施方式不限于此。在一些替代实施方式中，发射层OL的一部分还可以位于非显示区域NDA中。稍后将更详细地描述发射层OL。
阴极电极CE可以位于发射层OL上。阴极电极CE的一部分还可以位于非显示区域NDA中。阴极电极CE可以在非显示区域NDA中电连接到连接电极CNE，并且可以与连接电极CNE接触。电压供应线VSL可以位于非显示区域NDA中。施加到阴极电极CE的供应电压可以供应到电压供应线VSL。
在一些实施方式中，阴极电极CE可以是半透射的或透射的。当阴极电极CE是半透射的时，它可以包括Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti或其化合物和/或混合物(例如，Ag和Mg的混合物)，或者具有例如LiF/Ca或LiF/Al的多层结构的材料。此外，当阴极电极CE的厚度为从几十至几百埃时，阴极电极CE可以是半透射的。
当阴极电极CE是透射的时，阴极电极CE可以包括透明导电氧化物(TCO)。例如，阴极电极CE可以由钨氧化物(WxOy)、钛氧化物(TiO2)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、锌氧化物(ZnO)、铟锡锌氧化物、MgO(镁氧化物)等形成。
在一些实施方式中，阴极电极CE可以完全覆盖发射层OL。在一些实施方式中，阴极电极CE的端部可以比发射层OL的端部更靠近外侧(例如，朝向第一基底110的边缘)定位，并且发射层OL的端部可以被阴极电极CE完全覆盖。
第一阳极电极AE1、发射层OL和阴极电极CE可以形成第一发光元件ED1，第二阳极电极AE2、发射层OL和阴极电极CE可以形成第二发光元件ED2，并且第三阳极电极AE3、发射层OL和阴极电极CE可以形成第三发光元件ED3。第一发光元件ED1、第二发光元件ED2和第三发光元件ED3中的每个可以发射出射光LE。
如图9中所示，最终从发射层OL发射的出射光LE可以是第一分量LE1和第二分量LE2的混合光。出射光LE的第一分量LE1和第二分量LE2中的每个可以具有等于或大于440nm且小于480nm的峰值波长。即，出射光LE可以是蓝光。
如图9中所示，根据一些实施方式，发射层OL可以具有其中多个发射层彼此重叠的结构，例如串联结构。例如，发射层OL可以包括：第一叠层ST1，包括第一发射层EML1；第二叠层ST2，位于第一叠层ST1上并包括第二发射层EML2；第三叠层ST3，位于第二叠层ST2上并包括第三发射层EML3；第一电荷产生层CGL1，位于第一叠层ST1和第二叠层ST2之间；以及第二电荷产生层CGL2，位于第二叠层ST2和第三叠层ST3之间。第一叠层ST1、第二叠层ST2和第三叠层ST3可以彼此重叠。
第一发射层EML1、第二发射层EML2和第三发射层EML3可以彼此重叠。
在一些实施方式中，第一发射层EML1、第二发射层EML2和第三发射层EML3可以全部发射第三颜色的光，例如蓝光。例如，第一发射层EML1、第二发射层EML2和第三发射层EML3中的每个可以是蓝光发射层，并且可以包括有机材料。
在一些实施方式中，第一发射层EML1、第二发射层EML2和第三发射层EML3中的至少一个可以发射具有第一峰值波长的第一蓝光，并且第一发射层EML1、第二发射层EML2和第三发射层EML3中的至少另一个可以发射具有不同于第一峰值波长的第二峰值波长的第二蓝光。例如，选自第一发射层EML1、第二发射层EML2和第三发射层EML3中的一个可以发射具有第一峰值波长的第一蓝光，并且第一发射层EML1、第二发射层EML2和第三发射层EML3中的另外两个可以各自发射具有第二峰值波长的第二蓝光。例如，最终从发射层OL发射的出射光LE可以是第一分量LE1和第二分量LE2的混合光，并且第一分量LE1可以是具有第一峰值波长的第一蓝光，并且第二分量LE2可以是具有第二峰值波长的第二蓝光。
在一些实施方式中，选自第一峰值波长和第二峰值波长中的一个的范围可以等于或大于440nm并且小于460nm，并且选自第一峰值波长和第二峰值波长中的另一个的范围可以等于或大于460nm并且小于480nm。然而，将理解的是，第一峰值波长的范围和第二峰值波长的范围不限于此。例如，第一峰值波长的范围和第二峰值波长的范围可以都(例如，同时)包括460nm。在一些实施方式中，选自第一蓝光和第二蓝光中的一个可以是深蓝色的光，而选自第一蓝光和第二蓝光中的另一个可以是天蓝色的光。
在一些实施方式中，从发射层OL发射的出射光LE为蓝光，并且可以包括长波长分量和短波长分量。因此，发射层OL最终可以发射具有宽泛分布的发射峰的蓝光作为出射光LE。以这种方式，与发射具有尖锐(例如，较窄)发射峰的蓝光的替代发光元件相比，可以改善侧视角处的颜色可见度。
在一些实施方式中，第一发射层EML1、第二发射层EML2和第三发射层EML3中的每个可以包括主体和掺杂剂。主体的材料在本文中不受特别限制，只要其被通常或合适地利用即可，并且可以包括Alq3(三(8-羟基喹啉)铝)、CBP(4,4'-双(N-咔唑基)-1,1'-联苯)、PVK(聚(正乙烯基咔唑))、ADN(9,10-二(萘-2-基)蒽)、TCTA(4,4',4”-三(咔唑-9-基)-三苯胺)、TPBi(1,3,5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯)、TBADN(3-叔丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽)、DSA(二苯乙烯基亚芳基)、CDBP(4,4'-双(9-咔唑基)-2,2”-二甲基-联苯)、MADN(2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽)等。
发射蓝光的第一发射层EML1、第二发射层EML2和第三发射层EML3中的每个可以包括荧光材料，该荧光材料包括选自由以下组成的组中的一种：螺-DPVBi、螺-6P、DSB(二苯乙烯基-苯)、DSA(二苯乙烯基-亚芳基)、PFO(聚芴)聚合物和PPV(聚(对亚苯基亚乙烯基))聚合物。作为另一示例，第一发射层EML1、第二发射层EML2和第三发射层EML3中的每个可以包括磷光材料，该磷光材料包括诸如(4,6-F2ppy)2Irpic的有机金属配合物。
如上所述，第一发射层EML1、第二发射层EML2和第三发射层EML3中的至少一个可以发射波长范围不同于选自第一发射层EML1、第二发射层EML2和第三发射层EML3中的至少另一个的波长范围的蓝光。为了发射不同波长范围内的蓝光，第一发射层EML1、第二发射层EML2和第三发射层EML3可以包括相同的材料，并且可以调节共振距离。在一些实施方式中，为了发射不同波长范围内的蓝光，第一发射层EML1、第二发射层EML2和第三发射层EML3中的至少一个可以包括不同于他们中的另一个的材料。
然而，将理解的是，本公开不限于此。由第一发射层EML1、第二发射层EML2和第三发射层EML3中的每个发射的蓝光可以全部具有440nm至480nm的峰值波长，并且可以由相同的材料制成。
替代地，在其它替代实施方式中，选自第一发射层EML1、第二发射层EML2和第三发射层EML3中的第一个可以发射具有第一峰值波长的第一蓝光，选自第一发射层EML1、第二发射层EML2和第三发射层EML3中的第二个可以发射具有不同于第一峰值波长的第二峰值波长的第二蓝光，并且选自第一发射层EML1、第二发射层EML2和第三发射层EML3中的第三个可以发射具有不同于第一峰值波长和第二峰值波长的第三峰值波长的第三蓝光。在其它替代实施方式中，选自第一峰值波长、第二峰值波长和第三峰值波长中的第一个的范围可以等于或大于440nm且小于460nm。选自第一峰值波长、第二峰值波长和第三峰值波长中的第二个的范围可以等于或大于460nm且小于470nm。选自第一峰值波长、第二峰值波长和第三峰值波长中的第三个的范围可以等于或大于470nm且小于480nm。
根据其它替代实施方式，从发射层OL发射的出射光LE为蓝光，并且可以包括长波长分量、中等波长分量和短波长分量。因此，发射层OL最终可以发射具有宽泛分布的发射峰的蓝光作为出射光LE，并且可以改善侧视角处的颜色可见度。
在根据上述实施方式的显示装置中，与不采用串联结构的发光元件相比，由于其中多个发光元件可以彼此堆叠的结构，因此可以相对增加发光效率，并且也可以相对提高显示装置的寿命(例如，使用期)。
替代地，根据一些替代实施方式，第一发射层EML1、第二发射层EML2和第三发射层EML3中的至少一个可以发射第三颜色的光，例如蓝光，并且第一发射层EML1、第二发射层EML2和第三发射层EML3中的至少另一个可以发射第二颜色的光，例如绿光。在一些其它实施方式中，由第一发射层EML1、第二发射层EML2和第三发射层EML3中的至少一个发射的蓝光的峰值波长的范围可以为从440nm至480nm或从460nm至480nm。由第一发射层EML1、第二发射层EML2和第三发射层EML3中的至少另一个发射的绿光可以具有在510nm至550nm的范围内的峰值波长。
例如，选自第一发射层EML1、第二发射层EML2和第三发射层EML3中的一个可以是发射绿光的绿光发射层，而选自第一发射层EML1、第二发射层EML2和第三发射层EML3中的另外两个可以是发射蓝光的蓝光发射层。当选自第一发射层EML1、第二发射层EML2和第三发射层EML3中的另外两个是蓝光发射层时，由两个蓝光发射层发射的蓝光的峰值波长的范围可以彼此相等或彼此不同。
在一些实施方式中，从发射层OL发射的出射光LE可以是第一分量LE1和第二分量LE2的混合光，其中第一分量LE1为蓝光，第二分量LE2为绿光。例如，当第一分量LE1是深蓝色的光并且第二分量LE2是绿光时，出射光LE可以是天蓝色的光。与上述实施方式类似，从发射层OL发射的出射光LE可以是蓝光和绿光的混合光，并且包括长波长分量和短波长分量。因此，发射层OL最终可以发射具有宽泛分布的发射峰的蓝光作为出射光LE，并且可以改善侧视角处的颜色可见度。此外，由于出射光LE的第二分量LE2是绿光，因此可以补充从显示装置1提供到外部的光的绿光分量，并且因此可以提高显示装置1的颜色再现性。
在一些实施方式中，选自第一发射层EML1、第二发射层EML2和第三发射层EML3中的至少一个的绿色发射层可以包括主体和掺杂剂。包括在绿光发射层中的主体的材料在本文中没有特别限制，只要它通常被利用即可，并且可以包括Alq3(三(8-羟基喹啉)铝)、CBP(4,4'-双(N-咔唑基)-1,1'-联苯)、PVK(聚(正乙烯基咔唑))、ADN(9,10-二(萘-2-基)蒽)、TCTA(4,4',4”-三(咔唑-9-基)-三苯胺)、TPBi(1,3,5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯)、TBADN(3-叔丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽)、DSA(二苯乙烯基亚芳基)、CDBP(4,4'-双(9-咔唑基)-2,2”-二甲基-联苯)、MADN(2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽)等。
包括在绿色发射层中的掺杂剂可以包括例如诸如Alq3(三-(8-羟基喹啉)铝(III))的荧光材料和/或诸如Ir(ppy)3(三(2-苯基吡啶)合铱)、Ir(ppy)2(acac)(二(2-苯基吡啶)(乙酰丙酮)合铱(III))和/或Ir(mpyp)3(2-苯基-4-甲基-吡啶铱)的磷光材料。
第一电荷产生层CGL1可以位于第一叠层ST1与第二叠层ST2之间。第一电荷产生层CGL1可以用于将电荷注入到发射层中的每个中。第一电荷产生层CGL1可以控制第一叠层ST1与第二叠层ST2之间的电荷平衡。第一电荷产生层CGL1可以包括n型电荷(例如，N电荷)产生层CGL11和p型电荷(例如，P电荷)产生层CGL12。p型电荷产生层CGL12可以位于n型电荷产生层CGL11上且可以位于n型电荷产生层CGL11与第二叠层ST2之间。
第一电荷产生层CGL1可以具有其中n型电荷产生层CGL11和p型电荷产生层CGL12彼此结合的结结构。相比于阴极电极CE，n型电荷产生层CGL11更靠近阳极电极AE1、AE2和AE3定位。相比于阳极电极AE1、AE2和AE3，p型电荷产生层CGL12更靠近阴极电极CE定位。n型电荷产生层CGL11向与阳极电极AE1、AE2和AE3相邻的第一发射层EML1供应电子，并且p型电荷产生层CGL12向包括在第二叠层ST2中的第二发射层EML2供应空穴。通过将第一电荷产生层CGL1定位在第一叠层ST1和第二叠层ST2之间，将电荷供应给发射层中的每个，以提高发光效率并降低供应电压。
第一叠层ST1可以位于第一阳极电极AE1、第二阳极电极AE2和第三阳极电极AE3上，并且还可以包括第一空穴传输层HTL1、第一电子阻挡层BIL1和第一电子传输层ETL1。
第一空穴传输层HTL1可以位于第一阳极电极AE1、第二阳极电极AE2和第三阳极电极AE3上。第一空穴传输层HTL1可以促进空穴的传输并且可以包括空穴传输材料。空穴传输材料可以包括但不限于诸如N-苯基咔唑和/或聚乙烯咔唑的一种或多种咔唑衍生物、芴衍生物、诸如TPD(N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-[1,1'-联苯]-4,4'-二胺)和/或TCTA(4,4',4”-三(N-咔唑基)三苯胺)、NPB(N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基联苯胺)、TAPC(4,4'-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺])等的三苯胺衍生物。
第一电子阻挡层BIL1可以位于第一空穴传输层HTL1上，并且可以位于第一空穴传输层HTL1和第一发射层EML1之间。第一电子阻挡层BIL1可以包括空穴传输材料和金属和/或金属化合物，以防止或基本上防止在第一发射层EML1中产生的电子流入第一空穴传输层HTL1中。在一些实施方式中，上述第一空穴传输层HTL1和第一电子阻挡层BIL1可以各自是其中材料被混合的单层。
第一电子传输层ETL1可以位于第一发射层EML1上，并且可以位于第一电荷产生层CGL1和第一发射层EML1之间。在一些实施方式中，第一电子传输层ETL1可以包括电子传输材料，诸如Alq3(三(8-羟基喹啉)铝)、TPBi(1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并[d]咪唑-2-基)苯基)、BCP(2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉)、Bphen(4,7-二苯基-1,10-菲咯啉)、TAZ(3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑)、NTAZ(4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4H-1,2,4-三唑)、tBu-PBD(2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-恶二唑)、BAlq(双(2-甲基-8-喹啉喹啉-N1,O8)-(1,1'-联苯-4-羟基)铝)、BeBq2(铍(苯并喹啉-10-醇))、ADN(9,10-二(萘-2-基)蒽)或其混合物。然而，将注意的是，电子传输材料的类型不特别限于以上所列的示例。第二叠层ST2可以位于第一电荷产生层CGL1上，并且还可以包括第二空穴传输层HTL2、第二电子阻挡层BIL2和第二电子传输层ETL2。
第二空穴传输层HTL2可以位于第一电荷产生层CGL1上。第二空穴传输层HTL2可以由与第一空穴传输层HTL1相同的材料制成，或者可以包括选自上面作为包括在第一空穴传输层HTL1中的材料而列出的材料中的一种或多种材料。第二空穴传输层HTL2可以由单层或多层制成。
第二电子阻挡层BIL2可以位于第二空穴传输层HTL2上并且可以位于第二空穴传输层HTL2和第二发射层EML2之间。第二电子阻挡层BIL2可以由与第一电子阻挡层BIL1相同的材料和相同的结构制成，或者可以包括选自上面作为包括在第一电子阻挡层BIL1中的材料而列出的材料中的一种或多种材料。
第二电子传输层ETL2可以位于第二发射层EML2上，并且可以位于第二电荷产生层CGL2和第二发射层EML2之间。第二电子传输层ETL2可以由与第一电子传输层ETL1相同的材料和相同的结构制成，或者可以包括选自上面作为包括在第一电子传输层ETL1中的材料而列出的材料中的一种或多种材料。第二电子传输层ETL2可以由单层或多层制成。
第二电荷产生层CGL2可以位于第二叠层ST2上，并且可以位于第二叠层ST2与第三叠层ST3之间。
第二电荷产生层CGL2可以具有与上述第一电荷产生层CGL1相同的结构。例如，第二电荷产生层CGL2可以包括更靠近第二叠层ST2定位的n型电荷产生层CGL21和更靠近阴极电极CE定位的p型电荷产生层CGL22。p型电荷产生层CGL22可以位于n型电荷产生层CGL21上。
第二电荷产生层CGL2可以具有其中n型电荷产生层CGL21和p型电荷产生层CGL22彼此结合的结结构。第一电荷产生层CGL1和第二电荷产生层CGL2可以由不同的材料制成，或者可以由相同的材料制成。
第三叠层ST3可以位于第二电荷产生层CGL2上，并且还可以包括第三空穴传输层HTL3和第三电子传输层ETL3。
第三空穴传输层HTL3可以位于第二电荷产生层CGL2上。第三空穴传输层HTL3可以由与第一空穴传输层HTL1相同的材料制成，或者可以包括选自上面作为包括在第一空穴传输层HTL1中的材料而列出的材料中的一种或多种材料。第三空穴传输层HTL3可以由单层或多层制成。当第三空穴传输层HTL3由多层制成时，这些层可以包括不同的材料。
第三电子传输层ETL3可以位于第三发射层EML3上，并且可以位于阴极电极CE和第三发射层EML3之间。第三电子传输层ETL3可以由与第一电子传输层ETL1相同的材料和相同的结构制成，或者可以包括选自上面作为包括在第一电子传输层ETL1中的材料而列出的材料中的一种或多种材料。第三电子传输层ETL3可以由单层或多层制成。当第三电子传输层ETL3由多层制成时，这些层可以包括不同的材料。
在一些实施方式中，空穴注入层还可以位于第一叠层ST1与第一阳极电极AE1、第二阳极电极AE2和第三阳极电极AE3之间、第二叠层ST2与第一电荷产生层CGL1之间和/或第三叠层ST3与第二电荷产生层CGL2之间。空穴注入层可以促进空穴注入到第一发射层EML1、第二发射层EML2和第三发射层EML3中。在一些实施方式中，空穴注入层可以但本公开不限于由选自由以下组成的组中的至少一种制成：CuPc(铜酞菁)、PEDOT(聚((3,4)-亚乙基二氧噻吩))、PANI(聚苯胺)和NPD(N,N-二萘基-N,N'-二苯基联苯胺)。在一些实施方式中，空穴注入层可以位于第一叠层ST1与第一阳极电极AE1、第二阳极电极AE2和第三阳极电极AE3之间、第二叠层ST2与第一电荷产生层CGL1之间以及第三叠层ST3与第二电荷产生层CGL2之间。
在一些实施方式中，电子注入层还可以位于第三电子传输层ETL3和阴极电极CE之间、第二电荷产生层CGL2和第二叠层ST2之间和/或第一电荷产生层CGL1和第一叠层ST1之间。电子注入层有利于电子的注入，并且可以但本公开不限于由Alq3(三(8-羟基喹啉)铝)、PBD、TAZ，螺-PBD、BAlq和/或SAlq制成。此外，电子注入层可以是金属卤化物化合物，并且可以但本公开不限于是选自由以下组成的组中的至少一种：MgF2、LiF、NaF、KF、RbF、CsF、FrF、LiI、NaI、KI、RbI、CsI、FrI和CaF2。此外，电子注入层可以包括诸如Yb、Sm和/或Eu的基于镧系元素的材料。在一些实施方式中，电子注入层可以包括金属卤化物材料以及镧系元素材料，诸如RbI:Yb和/或KI:Yb。当电子注入层包括金属卤化物材料和镧系元素材料两者(例如，同时包括)时，电子注入层可以通过金属卤化物材料和镧系元素材料的共沉积来形成。在一些实施方式中，电子注入层可以位于第三电子传输层ETL3和阴极电极CE之间、第二电荷产生层CGL2和第二叠层ST2之间以及第一电荷产生层CGL1和第一叠层ST1之间。
除了上述结构之外，还可以适当地改变发射层OL的结构。例如，发射层OL可以被修改为图10中所示的发射层OLa。与图9中所示的结构不同，图10中所示的发射层OLa还可以包括位于第三叠层ST3和第二叠层ST2之间的第四叠层ST4，并且还可以包括位于第三叠层ST3和第四叠层ST4之间的第三电荷产生层CGL3。
第四叠层ST4可以包括第四发射层EML4，并且还可以包括第四空穴传输层HTL4、第三电子阻挡层BIL4和第四电子传输层ETL4。
包括在发射层OLa中的第一发射层EML1、第二发射层EML2、第三发射层EML3和第四发射层EML4可以全部发射第三颜色的光，例如蓝光。第一发射层EML1、第二发射层EML2、第三发射层EML3和第四发射层EML4中的至少一个可以发射波长范围不同于第一发射层EML1、第二发射层EML2、第三发射层EML3和第四发射层EML4中的至少另一个的波长范围的蓝光。
在一些实施方式中，第一发射层EML1、第二发射层EML2、第三发射层EML3和第四发射层EML4中的至少一个可以发射绿光，并且第一发射层EML1、第二发射层EML2、第三发射层EML3和第四发射层EML4中的至少另一个可以发射蓝光。例如，第一发射层EML1、第二发射层EML2、第三发射层EML3和第四发射层EML4中的一个可以是绿光发射层，而第一发射层EML1、第二发射层EML2、第三发射层EML3和第四发射层EML4中的另外三个可以是蓝光发射层。
第四空穴传输层HTL4可以位于第二电荷产生层CGL2上。第四空穴传输层HTL4可以由与第一空穴传输层HTL1相同的材料制成，或者可以包括选自上面作为包括在第一空穴传输层HTL1中的材料而列出的材料中的一种或多种材料。第四空穴传输层HTL4可以由单层或多层制成。当第四空穴传输层HTL4由多层制成时，这些层可以包括不同的材料。
第三电子阻挡层BIL4可以位于第四空穴传输层HTL4上，并且可以位于第四空穴传输层HTL4和第四发射层EML4之间。第三电子阻挡层BIL4可以由与第一电子阻挡层BIL1相同的材料和相同的结构制成，或者可以包括选自上面作为包括在第一电子阻挡层BIL1中的材料而列出的材料中的一种或多种材料。在一些替代实施方式中，可以省略第三电子阻挡层BIL4。
第四电子传输层ETL4可以位于第四发射层EML4上，并且可以位于第三电荷产生层CGL3和第四发射层EML4之间。第四电子传输层ETL4可以由与第一电子传输层ETL1相同的材料和相同的结构制成，或者可以包括选自上面作为包括在第一电子传输层ETL1中的材料而列出的材料中的一种或多种材料。第四电子传输层ETL4可以由单层或多层制成。当第四电子传输层ETL4由多层制成时，这些层可以包括不同的材料。
第三电荷产生层CGL3可以具有与上述第一电荷产生层CGL1相同的结构。例如，第三电荷产生层CGL3可以包括更靠近第四叠层ST4定位的n型电荷产生层CGL31和更靠近阴极电极CE定位的p型电荷产生层CGL32。p型电荷产生层CGL32可以位于n型电荷产生层CGL31上。
在一些实施方式中，电子注入层还可以位于第四叠层ST4和第三电荷产生层CGL3之间。此外，空穴注入层还可以位于第四叠层ST4和第二电荷产生层CGL2之间。
在一些实施方式中，图9中所示的发射层OL和图10中所示的发射层OLa两者可以不包括(例如，可以排除在外)红光发射层，并且因此可以不发射第一颜色的光，例如红光。即，出射光LE可以不包括(例如，可以排除在外)具有在大致610nm至650nm的范围内的峰值波长的光学分量，并且出射光LE可以仅包括具有440nm至550nm的峰值波长的光学分量。
在一些实施方式中，如上所述，发光元件ED1、ED2和ED3可以配置为单发射层，而不包括包含有机材料的多个发射层EML1、EML2和EML3。单发射层可以包括无机发射层，该无机发射层包括量子点(QD)、微米LED或纳米LED。
如图11中所示，坝构件DM可以在非显示区域NDA中位于第二绝缘层117上。
坝构件DM可以比电压供应线VSL更靠近外侧(例如，第一基底110的边缘)定位。换言之，如图11中所示，电压供应线VSL可以位于坝构件DM和显示区域DA之间。
在一些实施方式中，坝构件DM可以包括多个坝。例如，坝构件DM可以包括第一坝D1和第二坝D2。
第一坝D1可以部分地与电压供应线VSL重叠，并且可以与第三绝缘层130间隔开，其中电压供应线VSL插置在它们之间。在一些实施方式中，第一坝D1可以包括位于第二绝缘层117上的第一下坝图案D11和位于第一下坝图案D11上的第一上坝图案D12。
第二坝D2可以位于第一坝D1的外侧上(例如，相比于第一坝D1到第一基底110的边缘，第二坝D2更靠近第一基底110的边缘)，并且可以与第一坝D1间隔开。在一些实施方式中，第二坝D2可以包括位于第二绝缘层117上的第二下坝图案D21和位于第二下坝图案D21上的第二上坝图案D22。
在一些实施方式中，第一下坝图案D11和第二下坝图案D21可以由与第三绝缘层130相同的材料制成，并且可以与第三绝缘层130一起形成。
在一些实施方式中，第一上坝图案D12和第二上坝图案D22可以由与像素限定层150相同的材料制成，并且可以与像素限定层150一起形成。
在一些实施方式中，第一坝D1的高度可以不同于第二坝D2的高度。例如，第二坝D2的高度可以大于第一坝D1的高度。即，包括在坝构件DM中的坝的高度可以远离显示区域DA逐渐增加。因此，能够在形成稍后将描述的封装层170所包括的有机层173的工艺中更有效地阻挡有机物溢出。
如图8和图11中所示，第一封盖层160可以位于阴极电极CE上。第一封盖层160可以公共地横跨第一发射区域LA1、第二发射区域LA2、第三发射区域LA3和非发射区域NLA定位，从而可以改善视角特性并且可以提高外联接效率。
第一封盖层160可以包括具有适当透光特性的有机材料和/或无机材料。换言之，第一封盖层160可以形成为无机层、有机层或包括无机颗粒的有机层。例如，第一封盖层160可以包括三胺衍生物、咔唑联苯衍生物、亚芳基二胺衍生物和/或喹啉铝配合物(Alq3)。
在一些实施方式中，第一封盖层160可以由高折射材料和低折射材料的混合物制成。在一些实施方式中，第一封盖层160可以包括具有不同折射率的两个层，例如高折射率层和低折射率层。
在一些实施方式中，第一封盖层160可以完全覆盖阴极电极CE。在一些实施方式中，如图11中所示，第一封盖层160的端部可以比阴极电极CE的端部更靠近外侧定位(例如，第一封盖层160的端部更靠近第一基底110的边缘)，并且阴极电极CE的端部可以被第一封盖层160完全覆盖。
封装层170可以位于第一封盖层160上。封装层170保护位于封装层170之下的元件(例如发光元件ED1、ED2和ED3)免受诸如湿气的外部杂质的影响。封装层170公共地横跨第一发射区域LA1、第二发射区域LA2、第三发射区域LA3和非发射区域NLA定位。在一些实施方式中，封装层170可以直接覆盖阴极电极CE(例如，没有第一封盖层160)。在一些实施方式中，覆盖阴极电极CE的封盖层(例如，第一封盖层160)还可以位于封装层170和阴极电极CE之间，在这种情况下，封装层170可以直接覆盖封盖层。封装层170可以是薄膜封装层。
在一些实施方式中，封装层170可以包括顺序堆叠在第一封盖层160上的下无机层171、有机层173和上无机层175。
在一些实施方式中，下无机层171可以在显示区域DA中覆盖第一发光元件ED1、第二发光元件ED2和第三发光元件ED3。下无机层171可以在非显示区域NDA中覆盖坝构件DM，并且可以延伸到坝构件DM的外侧(例如，超出坝构件DM)。
在一些实施方式中，下无机层171可以完全覆盖第一封盖层160。在一些实施方式中，下无机层171的端部可以比第一封盖层160的端部更靠近外侧(例如，朝向第一基底110的边缘)定位，并且第一封盖层160的端部可以完全被下无机层171覆盖。
下无机层171可以包括多个堆叠的层。下面将描述下无机层171的更详细的结构。
有机层173可以位于下无机层171上。有机层173可以在显示区域DA中覆盖第一发光元件ED1、第二发光元件ED2和第三发光元件ED3。在一些实施方式中，有机层173的一部分可以位于非显示区域NDA中，但可以不位于坝构件DM外侧。尽管在附图中有机层173的一部分比第一坝D1更靠近内侧定位，但是本公开不限于此。在一些替代实施方式中，有机层173的一部分可以容纳在第一坝D1和第二坝D2之间的空间中，并且有机层173的端部可以位于第一坝D1和第二坝D2之间。
上无机层175可以位于有机层173上。上无机层175可以覆盖有机层173。在一些实施方式中，上无机层175可以在非显示区域NDA中与下无机层171直接接触以形成无机物/无机结。在一些实施方式中，上无机层175的端部和下无机层171的端部可以基本上彼此对准。上无机层175可以包括多个堆叠的层。下面将描述上无机层175的详细结构。
下无机层171和上无机层175中的每个可以由硅氮化物、铝氮化物、锆氮化物、钛氮化物、铪氮化物、钽氮化物、硅氧化物、铝氧化物、钛氧化物、锡氧化物、铈氧化物、硅氮氧化物(SiOxNy)、锂氟化物等制成。
在一些实施方式中，有机层173可以由丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、聚异戊二烯、乙烯基树脂、环氧树脂、氨基甲酸酯树脂、纤维素树脂和/或二萘嵌苯树脂制成。
在下文中，将结合图1至图11进一步参考图12至图15来描述颜色转换衬底30。
图12是示出根据本公开的一些实施方式的显示装置的颜色转换衬底上的第三滤色器的布局的平面图。图13是示出根据本公开的一些实施方式的显示装置的颜色转换衬底上的第一滤色器的布局的平面图。图14是示出根据本公开的一些实施方式的显示装置的颜色转换衬底上的第二滤色器的布局的平面图。图15是示出根据本公开的一些实施方式的显示装置的颜色转换衬底上的堤图案、第一波长转换图案、第二波长转换图案和透光图案的布局的平面图。
图8和图11中所示的第二基底310可以由透光材料制成。
在一些实施方式中，第二基底310可以包括玻璃衬底和/或塑料衬底。在一些实施方式中，第二基底310还可以包括位于玻璃衬底和/或塑料衬底上的单独的层，例如诸如无机膜的绝缘层。
在一些实施方式中，多个透光区域TA1、TA2和TA3以及光阻挡区域BA可以限定在第二基底310上。当第二基底310包括玻璃衬底时，第二基底310的折射率可以是大致1.5。
如图8和图11中所示，滤色器层可以设置在第二基底310的面对显示衬底10的表面上。滤色器层可以包括滤色器231、233和235以及光阻挡图案250。
如图8、图11和图12至图14中所示，滤色器231、233和235可以分别与透光区域TA1、TA2和TA3重叠。光阻挡图案250可以设置成与光阻挡区域BA重叠。即，在本实施方式中，光阻挡区域BA可以被限定为其中设置有光阻挡图案250的区域。第一滤色器231可以与第一透光区域TA1重叠，第二滤色器233可以与第二透光区域TA2重叠，并且第三滤色器235可以与第三透光区域TA3重叠。光阻挡图案250可以设置成与光阻挡区域BA重叠，以阻挡光的透射。在一些实施方式中，当从顶部(例如，在平面图中)观察时，光阻挡图案250可以布置成基本上晶格形式。根据实施方式，光阻挡图案250可以包括在第二基底310的表面上的第一光阻挡图案部分235a、在第一光阻挡图案部分235a上的第二光阻挡图案部分231a、以及在第二光阻挡图案部分231a上的第三光阻挡图案部分233a。第一光阻挡图案部分235a可以包括与第三滤色器235相同的材料，并且第二光阻挡图案部分231a可以包括与第一滤色器231相同的材料，并且第三光阻挡图案部分233a可以包括与第二滤色器233相同的材料。即，光阻挡图案250可以包括其中第一光阻挡图案部分235a、第二光阻挡图案部分231a和第三光阻挡图案部分233a在光阻挡区域BA中在第二基底310的一个表面上顺序地堆叠的结构。在一些实施方式中，光阻挡图案250可以包括有机光阻挡材料，并且可以经由涂覆和暴露有机光阻挡材料的工艺形成。例如，有机光阻挡材料可以包括黑矩阵。
第一滤色器231可以用作阻挡蓝光和绿光的阻挡滤光器。在一些实施方式中，第一滤色器231可以选择性地透射第一颜色的光(例如，红光)，同时阻挡或吸收第二颜色的光(例如，绿光)和第三颜色的光(例如，蓝光)。例如，第一滤色器231可以是红色滤色器并且可以包括红色着色剂。第一滤色器231可以包括基础树脂和分散在基础树脂中的红色着色剂。如下面将更详细描述的，第一滤色器231可以包括至少两个层。该至少两个层可以包括第一层和在第一层和第二基底310之间的第二层。
第二滤色器233可以用作阻挡蓝光和红光的阻挡滤光器。在一些实施方式中，第二滤色器233可以选择性地透射第二颜色的光(例如，绿光)，同时阻挡或吸收第三颜色的光(例如，蓝光)和第一颜色的光(例如，红光)。例如，第二滤色器233可以是绿色滤色器并且可以包括绿色着色剂。
第三滤色器235可以选择性地透射第三颜色的光(例如，蓝光)，同时阻挡或吸收第一颜色的光(例如，红光)和第二颜色的光(例如，绿光)。在一些实施方式中，第三滤色器235可以是蓝色滤色器，并且可以包括蓝色着色剂，诸如蓝色染料和/或蓝色颜料。如本文中所用，着色剂涵盖染料以及颜料。
如图8和图11中所示，覆盖光阻挡图案250、第一滤色器231、第二滤色器233和第三滤色器235的低折射率层391可以位于第二基底310的表面上。在一些实施方式中，低折射率层391可以与第一滤色器231、第二滤色器233和第三滤色器235直接接触。此外，根据一些实施方式，低折射率层391也可以与光阻挡图案250直接接触。
低折射率层391可以具有比波长转换图案340和350以及透光图案330更低的折射率。例如，低折射率层391可以由无机材料制成。例如，低折射率层391可以由硅氮化物、铝氮化物、锆氮化物、钛氮化物、铪氮化物、钽氮化物、硅氧化物、铝氧化物、钛氧化物、锡氧化物、铈氧化物、硅氮氧化等制成。在一些实施方式中，低折射率层391可以包括多个中空颗粒以降低折射率。
低折射率封盖层392还可以设置在低折射率层391与波长转换图案340和350之间以及低折射率层391与透光图案330之间。在一些实施方式中，低折射率封盖层392可以与波长转换图案340和350以及透光图案330直接接触。此外，根据一些实施方式，低折射率封盖层392也可以与堤图案370直接接触。
低折射率封盖层392可以具有比波长转换图案340和350以及透光图案330低的折射率。例如，低折射率封盖层392可以由无机材料制成。例如，低折射率封盖层392可以由硅氮化物、铝氮化物、锆氮化物、钛氮化物、铪氮化物、钽氮化物、硅氧化物、铝氧化物、钛氧化物、锡氧化物、铈氧化物、硅氮氧化等制成。在一些实施方式中，低折射率封盖层392可以包括多个中空颗粒以降低折射率。
低折射率封盖层392可以防止或减少第一滤色器231、第二滤色器233和第三滤色器235被从外部引入的诸如湿气和/或空气的杂质损坏和/或污染的情况。此外，低折射率封盖层392可以防止或减少包括在第一滤色器231、第二滤色器233和第三滤色器235中的着色剂扩散到例如第一波长转换图案340和第二波长转换图案350等的其它元件中的情况。
在一些实施方式中，低折射率层391和低折射率封盖层392可以在非显示区域NDA中覆盖光阻挡图案250的侧表面。此外，根据一些实施方式，低折射率封盖层392可以在非显示区域NDA中与第二基底310直接接触。
堤图案370可以位于低折射率封盖层392的面对显示衬底10的表面上。在一些实施方式中，堤图案370可以直接位于低折射率封盖层392的表面上，并且可以与低折射率封盖层392直接接触。
在一些实施方式中，堤图案370可以设置成与非发射区域NLA或光阻挡区域BA重叠。例如，光阻挡区域BA可以完全覆盖堤图案370，并且位于光阻挡区域BA中的光阻挡图案250可以完全覆盖堤图案370。当从顶部(例如，在平面图中)观察时，光阻挡图案250可以具有比堤图案370的面积大的面积，并且滤色器231、233和235中的每个的面积可以小于波长转换图案340和350以及透光图案330的面积。
在一些实施方式中，如图15中所示，当从顶部(例如，在平面图中)观察时，堤图案370可以第一透光区域TA1、第二透光区域TA2和第三透光区域TA3周围(例如，围绕)。堤图案370可以限定形成第一波长转换图案340、第二波长转换图案350和透光图案330中的每个的空间。
在一些实施方式中，如图15中所示，堤图案370可以实现为作为单个件的单个图案，但本公开不限于此。在替代实施方式中，堤图案370的在第一透光区域TA1周围(例如，围绕)的一部分、堤图案370的在第二透光区域TA2周围(例如，围绕)的一部分、以及堤图案370的在第三透光区域TA3周围(例如，围绕)的一部分可以形成为彼此分离的单独图案。
当第一波长转换图案340、第二波长转换图案350和透光图案330通过利用喷嘴喷射油墨组合物的方法(即喷墨印刷方法)形成时，堤图案370可以用作将喷射的油墨组合物稳定地定位在所需位置或合适位置处的引导件。即，堤图案370可以用作阻障肋。
在一些实施方式中，堤图案370可以与像素限定层150重叠。
如图11中所示，在一些实施方式中，堤图案370还可以位于非显示区域NDA中。堤图案370可以在非显示区域NDA中与光阻挡图案250重叠。
在一些实施方式中，堤图案370可以包括具有光固化性的有机材料。此外，根据一些实施方式，堤图案370可以包括具有光固化性并且包括光阻挡材料的有机材料。在堤图案370具有光阻挡特性的情况下，堤图案370可以防止或基本上防止光在显示区域DA中的相邻发射区域之间侵入(例如，混合)。例如，堤图案370可以阻挡从第二发光元件ED2发射的出射光LE进入与第一发射区域LA1重叠的第一波长转换图案340。此外，堤图案370可以阻挡或防止外部光进入在非发射区域NLA和非显示区域NDA中位于堤图案370之下的元件。
如图8和图11中所示，第一波长转换图案340、第二波长转换图案350和透光图案330可以位于低折射率层391上。在一些实施方式中，第一波长转换图案340、第二波长转换图案350和透光图案330可以位于显示区域DA中。
透光图案330可以与第三发射区域LA3和第三发光元件ED3重叠。透光图案330可以在第三透光区域TA3中位于由堤图案370限定的空间中。
在一些实施方式中，透光图案330可以形成为岛状图案，如图15中所示。
透光图案330可以透射入射光。如上所述，由第三发光元件ED3提供的出射光LE可以是蓝光。作为蓝光的出射光LE穿过透光图案330和第三滤色器235并出射(例如，发射)到显示装置1的外部。即，从第三发射区域LA3发射到显示装置1的外部的第三光LC3可以是蓝光。
在一些实施方式中，透光图案330可以包括第三基础树脂331，并且还可以包括分散在第三基础树脂331中的第三散射体333。在下文中，包括在透光图案330和波长转换图案340和350中的基础树脂、散射体和/或波长移位器由“第一”、“第二”和“第三”的序数表示，以将透光图案330和波长转换图案340和350的元件区分开。然而，如本文中所用的指代透光图案330以及波长转换图案340和350的相应元件的“第一”、“第二”和“第三”的序数不限于此，并且其顺序可以改变以指代相应元件。
第三基础树脂331可以由具有高透光率的材料制成。在一些实施方式中，第三基础树脂331可以由有机材料形成。例如，第三基础树脂331可以包括基于环氧的树脂、基于丙烯酸的树脂、基于卡多(cardo)的树脂和/或基于酰亚胺的树脂。
第三散射体333可以具有与第三基础树脂331的折射率不同的折射率，并且可以与第三基础树脂331形成光学界面。例如，第三散射体333可以是光散射体。第三散射体333的材料没有特别限制，只要它们可以散射透射光的至少一部分即可。例如，第三散射体333可以是金属氧化物颗粒或有机颗粒。金属氧化物的示例可以包括钛氧化物(TiO2)、锆氧化物(ZrO2)、铝氧化物(Al2O3)、铟氧化物(In2O3)、锌氧化物(ZnO)、锡氧化物(SnO2)等。有机颗粒的材料的示例可以包括基于丙烯酸的树脂、基于氨基甲酸酯的树脂等。例如，根据本实施方式的第三散射体333可以包括钛氧化物(TiO2)。
第三散射体333可以在随机方向上散射光，而不管入射光到来的方向如何，而基本上不改变透射通过透光图案330的光的波长。在一些实施方式中，透光图案330可以与堤图案370直接接触。
第一波长转换图案340可以与第一发射区域LA1、第一发光元件ED1或第一透光区域TA1重叠。
在一些实施方式中，第一波长转换图案340可以在第一透光区域TA1中位于由堤图案370限定的空间中。
在一些实施方式中，如图15中所示，第一波长转换图案340可以形成为岛状图案。
第一波长转换图案340可以将入射光的峰值波长转换或移位为另一峰值波长的光并且然后发射该光。通过第一波长转换图案340的波长转换或移位可以通过下面将更详细地描述的第一波长移位器345来执行。在一些实施方式中，第一波长转换图案340可以将从第一发光元件ED1提供的出射光LE转换为峰值波长在610至650nm的范围内的红光。
在一些实施方式中，第一波长转换图案340可以包括第一基础树脂341和分散在第一基础树脂341中的第一波长移位器345，并且还可以包括分散在第一基础树脂341中的第一散射体343。
第一基础树脂341可以由具有高透光率的材料制成。在一些实施方式中，第一基础树脂341可以由有机材料形成。在一些实施方式中，第一基础树脂341可以由与第三基础树脂331相同的材料制成，或者可以包括上面列出的作为第三基础树脂331的构成材料的示例的材料中的至少一种。
第一波长移位器345的示例可以包括量子点、量子棒和/或磷光体。例如，量子点可以是当电子从导带跃迁到价带时发射特定颜色的光的颗粒物质。
量子点可以是半导体纳米晶体材料。量子点根据其组成和尺寸具有特定的带隙，并且可以吸收光，并且然后发射具有固有波长的光。量子点的半导体纳米晶体的示例可以包括IV族纳米晶体、II-VI族化合物纳米晶体、III-V族化合物纳米晶体、IV-VI族化合物纳米晶体或其组合。
II-VI族化合物可以选自由以下组成的组：选自由CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS及其混合物组成的组的二元化合物；选自由AgInS、CuInS、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS及其混合物组成的组的三元化合物；以及选自由HgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe及其混合物组成的组的四元化合物。
III-V族化合物可以选自由以下组成的组：选自由GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb及其混合物组成的组的二元化合物；选自由GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InNP、InAlP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb及其混合物组成的组的三元化合物；以及选自由GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb及其混合物组成的组的四元化合物。
IV-VI族化合物可以选自由以下组成的组：选自由SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe及其混合物组成的组的二元化合物；选自由SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe及其混合物组成的组的三元化合物；以及选自由SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe及其混合物组成的组的四元化合物。IV族元素可以选自由Si、Ge及其混合物组成的组。IV族化合物可以是选自由SiC、SiGe及其混合物组成的组的二元化合物。
二元化合物、三元化合物或四元化合物可以以均匀的浓度存在于颗粒中，或者可以以部分不同的浓度存在于相同的颗粒中。此外，它们可以具有其中一个量子点在另一量子点周围(例如，围绕)的核-壳结构。在核与壳之间的界面处，可以存在壳中原子的浓度可以朝向核的中心降低的浓度梯度。
在一些实施方式中，量子点可以具有核-壳结构，其包括包含前述纳米晶体的核和在核周围(例如，围绕)的壳。量子点的壳可以用作用于通过防止或减少核的化学变性的情况来保持半导体特性的保护层和/或用作用于向量子点赋予电泳特性的充电层。壳可以是单层或多层。在核与壳之间的界面处，可以存在壳中原子的浓度朝向核的中心降低的梯度。量子点的壳的示例可以包括金属或非金属的氧化物、半导体化合物、其组合等。
例如，金属或非金属氧化物的示例可以包括但本公开不限于诸如SiO2、Al2O3、TiO2、ZnO、MnO、Mn2O3、Mn3O4、CuO、FeO、Fe2O3、Fe3O4、CoO、Co3O4和/或NiO的二元化合物和/或诸如MgAl2O4、CoFe2O4。NiFe2O4和/或CoMn2O4的三元化合物。
半导体化合物的示例可以包括但本公开不限于CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP、AlSb等。
从第一波长移位器345输出的光可以具有大致(约)45nm或更小、大致(约)40nm或更小、或大致(约)30nm或更小的发射波长光谱的半峰全宽(FWHM)。以这种方式，可以进一步提高由显示装置1显示的颜色的颜色纯度和颜色再现性。此外，从第一波长移位器345输出的光可以在不同的方向上传播，而与入射光的入射方向无关。通过这种方式，可以改善在第一透光区域TA1中显示的第一颜色的侧部可见度。
从第一发光元件ED1提供的出射光LE的一部分可以不被第一波长移位器345转换为红光，而是可以穿过第一波长转换图案340。出射光LE的未被第一波长转换图案340转换而是入射到第一滤色器231上的分量可以被第一滤色器231阻挡。另一方面，由第一波长转换图案340从出射光LE转换的红光穿过第一滤色器231以出射(例如，发射)到外部。即，通过第一透光区域TA1出射(例如，发射)到显示装置1的外部的第一光LC1可以是红光。
第一散射体343可以具有与第一基础树脂341的折射率不同的折射率，并且可以与第一基础树脂341形成光学界面。例如，第一散射体343可以是光散射体。第一散射体343基本上与上述第三散射体333相同；并且因此，将省略冗余描述。
第二波长转换图案350可以在第二透光区域TA2中位于由堤图案370限定的空间中。
在一些实施方式中，如图15中所示，第二波长转换图案350可以形成为岛状图案。
第二波长转换图案350可以将入射光的峰值波长转换或移位为另一峰值波长的光并且然后发射该光。通过第二波长转换图案350的波长转换或移位可以通过下面将更详细地描述的第二波长移位器355来执行。在一些实施方式中，第二波长转换图案350可以将从第二发光元件ED2提供的出射光LE转换为在大致510至550nm的范围内的绿光。
在一些实施方式中，第二波长转换图案350可以包括第二基础树脂351和分散在第二基础树脂351中的第二波长移位器355，并且还可以包括分散在第二基础树脂351中的第二散射体353。
第二基础树脂351可以由具有高透光率的材料制成。在一些实施方式中，第二基础树脂351可以由有机材料形成。在一些实施方式中，第二基础树脂351可以由与第三基础树脂331相同的材料制成，或者可以包括上面列出的作为第三基础树脂331的构成材料的示例的材料中的至少一种。
第二波长移位器355的示例可以包括量子点、量子棒和/或磷光体。第二波长移位器355基本上与第一波长移位器345相同；并且因此，将省略冗余描述。
在一些实施方式中，第一波长移位器345和第二波长移位器355全部可以由量子点制成。在这种情况下，形成第二波长移位器355的量子点的粒度可以小于形成第一波长移位器345的量子点的粒度。
第二散射体353可以具有与第二基础树脂351的折射率不同的折射率，并且可以与第二基础树脂351形成光学界面。例如，第二散射体353可以是光散射体。第二散射体353基本上与上述第一散射体343相同；并且因此，将省略冗余描述。
从第二发光元件ED2发射的出射光LE可以提供给第二波长转换图案350。第二波长移位器355可以将从第三发光元件ED3提供的出射光LE转换为峰值波长在大致510nm至550nm的范围内的绿光。
作为蓝光的出射光LE的一部分可以不被第二波长移位器355转换成绿光，而是可以穿过第二波长转换图案350，其可以被第二滤色器233阻挡。另一方面，由第二波长转换图案350从出射光LE转换的绿光穿过第二滤色器233以出射(例如，发射)到外部。因此，从第二透光区域TA2出射(例如，发射)到显示装置1的外部的第二光LC2可以是绿光。
根据实施方式，波长转换图案340和350以及透光图案330的厚度t1可以为大致(约)8μm至(约)12μm。
同时，为了提高显示装置1的波长转换图案340和350的光转换效率，限定了光转换效率。波长转换图案340和350的光转换效率可以通过考虑波长转换图案340和350中的波长移位器345和355的光吸收率(或吸收率)(这里，光是从发射区域LA1和LA2中的每个发射的第三颜色的出射光LE以及其波长通过波长移位器345和355转换的光的一部分)、波长移位器345和355的量子产率以及其波长通过波长移位器345和355转换的光的提取效率来计算。其波长通过波长移位器345和355转换的光的一部分是波长在波长移位器345和355的吸收波长范围内的光，并且是指被波长移位器345和355再次吸收的光。其波长通过波长移位器345和355转换的光的提取效率是指通过透光区域TA1和TA2出射的光(例如，强度)与其波长通过波长移位器345和355转换的光(例如，强度)的比率。
在涉及波长转换图案340和350的光转换效率的因素中，波长移位器345和355的量子产率是波长移位器345和355的材料本征特性(例如，当波长移位器345和355包括InP时，量子产率为90％或更高)，并且其波长通过波长移位器345和355转换的光的提取效率由颜色转换衬底30的结构确定。因此，为了提高根据本公开的显示装置1的波长转换图案340和350的光转换效率，有必要考虑波长转换图案340和350中的波长移位器345和355的光吸收率。
作为用于提高波长转换图案340和350中的波长移位器345和355的光吸收率的方法中的一个，可以考虑增加波长转换图案340和350的厚度t1以及增加波长转换图案340和350中的波长移位器345和355的数量。然而，当波长转换图案340和350的厚度t1增加时，难以在波长转换图案340和350的制造工艺期间形成适当的锥形(例如，锥形形状)，从而难以实现高分辨率。即使当通过增加波长转换图案340和350的厚度t1来增加波长移位器345和355的吸收率并且因此增加波长移位器345和355的数量时，与波长转换图案340和350相邻的堤图案370的厚度也随着波长转换图案340和350的厚度t1的增加而增加，使得其波长通过波长移位器345和355转换的光LC1和LC2可能被相邻的堤图案370吸收。因此，在提高总光转换效率方面存在限制。
作为用于提高波长转换图案340和350中的波长移位器345和355的光吸收率的替代方法中的一个，可以考虑增加波长转换图案340和350中的散射体343和353的密度(或含量或浓度)。当波长转换图案340和350中的散射体343和353的密度(或含量或浓度)增加时，散射体343和353散射未被波长移位器345和355吸收的光，从而可以增加波长移位器345和355的光吸收率。然而，当波长转换图案340和350中的散射体343和353的密度(或含量或浓度)大于或等于某一水平时，可能出现其中散射体343和353的分散性降低的现象。分散性降低的现象可以包括在波长转换图案340和350的上部上的散射体343和353之间的乳状沉淀(例如，凝结)、到波长转换图案340和350的下部的沉降、散射体343和353之间的絮凝和聚结等。
因此，有必要设计散射体343和353的适当含量(例如，量或浓度)以最大化或增加光散射效应，同时最小化或减少即使在波长转换图案340和350中的散射体343和353的密度(或含量或浓度)增加时的上述分散性降低的现象。
封盖层393可以位于堤图案370、透光图案330、第一波长转换图案340和第二波长转换图案350上。封盖层393可以覆盖透光图案330、第一波长转换图案340和第二波长转换图案350。在一些实施方式中，封盖层393也可以位于非显示区域NDA中。封盖层393在非显示区域NDA(参见例如图1)中可以与低折射率层391直接接触，并且可以密封透光图案330、第一波长转换图案340和第二波长转换图案350。因此，封盖层393可以防止或减少透光图案330、第一波长转换图案340和第二波长转换图案350被从外部引入的诸如湿气和/或空气的杂质损坏或污染的情况。
在一些实施方式中，封盖层393可以在非显示区域NDA中在堤图案370的外表面周围(例如，围绕)。此外，封盖层393可以在非显示区域NDA中与低折射率封盖层392直接接触。
在一些实施方式中，封盖层393可以由无机材料制成。在一些实施方式中，封盖层393可以由与低折射率层391相同的材料制成，或者可以包括上面作为低折射率层391的材料而列出的材料中的至少一种。当低折射率层391和封盖层393两者(例如，同时)由无机材料制成时，在非显示区域NDA中，低折射率层391和封盖层393可以彼此直接接触以形成无机-无机结。
如上所述，在非显示区域NDA中，密封构件50可以位于颜色转换衬底30和显示衬底10之间。
密封构件50可以不与封装层170重叠，但是本实施方式不限于此。在其它实施方式中，密封构件50可以与封装层170重叠。例如，密封构件50可以与下无机层171和上无机层175重叠，并且可以不与有机层173重叠。在一些实施方式中，密封构件50可以与封装层170直接接触。例如，密封构件50可以直接位于上无机层175上，并且可以与上无机层175直接接触。
在一些实施方式中，位于密封构件50下方的上无机层175和下无机层171可以延伸到密封构件50的外侧(例如，超出密封构件50)。
密封构件50可以在非显示区域NDA中与光阻挡图案250和堤图案370重叠。在一些实施方式中，密封构件50可以与覆盖堤图案370的封盖层393直接接触。
密封构件50可以与包括连接到连接焊盘PD的线等的第一栅极金属WR1重叠。当密封构件50设置成与第一栅极金属WR1重叠时，可以减小非显示区域NDA的宽度。
如上所述，填充件70可以位于由颜色转换衬底30、显示衬底10和密封构件50限定的空间中。在一些实施方式中，如图8和图11中所示，填充件70可以与封盖层393以及封装层170的上无机层175直接接触。
在下文中，将结合图1至图15进一步参考图16至图22更详细地描述用于提高显示装置1的波长转换图案340和350的光转换效率的波长移位器345和355的含量(例如，浓度)(％)以及散射体343和353的含量(例如，浓度)(％)。
图16是示出针对第二波长转换图案的每个指示厚度根据第二波长移位器的含量(例如，浓度)的第二波长转换图案的相对外部量子产率EQE的图。图17是示出针对第二波长转换图案的每个指示厚度根据第二散射体的含量(例如，浓度)的第二波长转换图案的相对外部量子产率EQE的图。图18是示出根据第二波长转换图案的第二波长移位器的含量(例如，浓度)在喷墨印刷工艺期间第二波长转换图案材料的粘度的图。图19是示出针对第一波长转换图案的每个指示的厚度根据第一波长移位器的含量(例如，浓度)的第一波长转换图案的相对外部量子产率EQE的图。图20是示出针对第一波长转换图案的每个指示厚度根据第一散射体的含量(例如，浓度)的第一波长转换图案的相对外部量子产率EQE的图。图21是示出根据第一波长转换图案的第一波长移位器的含量(例如，浓度)在喷墨印刷工艺期间第一波长转换图案材料的粘度的图。图22是示出根据透光图案的第三散射体的浓度的透射率(％)和白角差(WAD)特性的图。
首先，参考图8和16，图16的图的水平轴表示第二波长转换图案350的第二波长移位器355的含量(例如，浓度)(％)(或QD wt％)，以及竖直轴表示相对外部量子产率EQE。在下文中，材料(例如，波长移位器345和355以及散射体333、343和353)的含量(例如，浓度)(％)表示波长转换图案340和350中的每个中的材料的重量比(例如，材料的重量与相应的波长转换图案340和350的总重量之间的比率)，并且重量比可以通过电感耦合等离子体质谱仪(ICP-MS)测量。电感耦合等离子体质谱仪(ICP-MS)是分析波长转换图案340和350以及透光图案330中的每个元件的含量(例如，浓度)以获得波长移位器345和355以及散射体333、343和353的含量(例如，浓度)的分析技术。这种分析技术对于本领域中技术人员是已知的，并且因此将省略对其的详细描述。此外，可以利用热重分析(TGA)等。热重分析(TGA)对于本领域中技术人员也是已知的，并且因此将省略其详细描述。
此外，外部量子产率EQE具有类似于波长转换图案340和350的光转换效率的含义。为了容易地示出根据图上的变量(即，第二波长转换图案350的厚度t1)以及图16中的第二波长移位器355的含量(wt％)(例如，浓度)的变化的光转换效率的变化，当第二散射体353的含量(wt％)(例如，浓度)为3(即，3wt％)，第二波长移位器355的含量(wt％)(例如，浓度)为34(即，34wt％)，并且厚度t1为8μm时，假定第二波长转换图案350的外部量子产率EQE为100％，并且根据厚度t1和第二波长移位器355的含量(wt％)(例如，浓度)的变化的第二波长转换图案350的外部量子产率EQE相对于100％的外部量子产率EQE进行呈现。
类似地，在图17中，当第二波长移位器355的含量(wt％)(例如，浓度)为45(即，45wt％)，第二散射体353的含量(wt％)(例如，浓度)为1.5(即，1.5wt％)，并且厚度t1为10μm时，假定外部量子产率EQE为100％，并且在图19中，当第一散射体343的含量(wt％)(例如，浓度)为4(即，4wt％)，第一波长移位器345的含量(wt％)(例如，浓度)为31(即，31wt％)，并且厚度t1为8μm时，假定外部量子产率EQE为100％。
在图20中，当第一波长移位器345的含量(wt％)(例如，浓度)为36(即，36wt％)，第一散射体343的含量(wt％)(例如，浓度)为1.0(即，1.0wt％)，并且厚度t1为12μm时，假定外部量子产率EQE为100％。
如在图16中可以看出，第二波长移位器355的含量(wt％)(例如，浓度)与光转换效率成比例。即，当第二波长移位器355的量增加时，光转换效率增加。此外，可以看出，第二波长转换图案350的厚度t1也与光转换效率成比例。即，当第二波长转换图案350的厚度t1增加时，光转换效率增加。根据实施方式的第二波长移位器355可以具有比第一波长移位器345低的光吸收率。因此，当通过增加第二波长转换图案350中的第二波长移位器355的密度(例如，浓度或重量比)或增加第二波长转换图案350的厚度t1来增加第二波长移位器355的数量时，可以增加第二波长转换图案350的光转换效率。此外，可以看出，不考虑第二波长转换图案350的厚度t1，当第二波长移位器355的含量(wt％)(例如，浓度)为40(即，40wt％)或更大时，第二波长转换图案350的第二波长移位器355的光转换效率急剧增加。因此，第二波长移位器355的含量(wt％)(例如，浓度)优选为40(即，40wt％)或更大。
然后，参考图8和图17，图17的水平轴表示第二散射体353的含量(例如，量)(TiO2，wt％)，以及竖直轴表示第二波长转换图案350的相对外部量子产率(相对EQE)。如在图17中可以看出，在第二散射体353的含量(例如，浓度)(TiO2，wt％)为1至5(即，1wt％至5wt％)的部分中，无论第二波长转换图案350的厚度t1如何，光转换效率都增加，并且可以看出，第二波长转换图案350的光转换效率从其中第二散射体353的含量(例如，浓度)(TiO2，wt％)超过5(即，5wt％)的部分起降低。如上所述，在第二散射体353的含量(例如，浓度)(TiO2，wt％)为1至5(即，1wt％至5wt％)的部分中，未被第二波长移位器355吸收的光(例如，蓝光)被第二散射体353散射，从而增加第二波长移位器355的光吸收率。但是从第二散射体353的含量(例如，浓度)(TiO2，wt％)超过5(即，5wt％)的部分开始，出现第二散射体353之间的分散性降低的现象，这可能导致第二波长转换图案350的光转换效率的降低。此外，如图17中所示，对于第二波长转换图案350的每个厚度t1(8μm、10μm和12μm)，在第二散射体353的含量(wt％)(例如，浓度)为2(即2wt％)至小于3(即3wt％)的部分中，根据第二散射体353的含量(wt％)(例如，浓度)的第二波长转换图案350相对外部量子产率EQE的增加速率逐渐降低，而在第二散射体353的含量(wt％)(例如，浓度)大于或等于3(即，3wt％)且小于或等于5(即，5wt％)的部分中，根据第二散射体353的含量(wt％)(例如，浓度)的第二波长转换图案350相对外部量子产率EQE的增加速率逐渐增加。因此，第二波长转换图案350的第二散射体353的含量(wt％)(例如，浓度)优选为3至5(即，3wt％至5wt％)。
参考图8和图18，图18的水平轴表示第二波长转换图案350的第二波长移位器355的含量(例如，浓度)(G-QD，wt％)，以及竖直轴表示当通过喷墨印刷工艺形成第二波长转换图案350时第二波长转换图案材料固化之前的粘度(cps)。通常，在通过喷墨印刷工艺喷射第二波长转换图案材料的情况下，当第二波长转换图案材料的粘度(cps)为大致(约)35cps或更高时，具有高粘度的第二波长转换图案材料变得难以从喷墨印刷工艺中利用的印刷头的喷嘴射出(或喷射)，从而发生第二波长转换图案材料的喷射失败。因此，根据实施方式的第二波长移位器355的含量(wt％)(例如，浓度)优选地为大致(约)45(即，45wt％)或更低。
随后，图19的图的水平轴表示第一波长转换图案340的第一波长移位器345的含量(例如，浓度)(％)(或QD wt％)，以及竖直轴表示相对外部量子产率EQE。在图19中，第一散射体343(TiO2)的含量(wt％)(例如，浓度)固定为4(即，4wt％)。
如在19中可以看出，第一波长移位器345的含量(wt％)(例如，浓度)与相对外部量子产率EQE成比例。此外，可以看出，第一波长转换图案340的厚度t1也与相对外部量子产率EQE成比例。如在第二波长转换图案350中，当通过增加第一波长转换图案340中的第一波长移位器345的密度或增加第一波长转换图案340的厚度t1来增加第一波长移位器345的数量时，可以增加第一波长转换图案340的相对外部量子产率EQE。
此外，优选地，对于第一波长转换图案340的厚度t1(8μm至12μm)的范围，第一波长转换图案340具有均匀的光转换效率，同时第一波长转换图案340的光转换效率。考虑到这一事实，第一波长移位器345的含量(wt％)(例如，浓度)优选为35至40(即，35wt％至40wt％)。这里，对于第一波长转换图案340的厚度t1的范围(8μm至12μm)的均匀光转换效率是指，在第一波长移位器345的特定含量(wt％)(例如，浓度)下，根据第一波长转换图案340的厚度t1(8μm至12μm)的相对外部量子产率EQE的差为大致2％或更小(y2和y1之间的相对外部量子产率EQE的变化率d1为2％或更小)。
然后，参考图8和图20，图20的水平轴表示第一散射体343的含量(例如，浓度)(TiO2，wt％)，以及竖直轴表示第一波长转换图案340的相对外部量子产率(相对EQE)。第一波长移位器345的含量(例如，浓度)(R-GD，wt％)固定为36(例如，36wt％)。如在图20中可以看出，当第一散射体343的含量(例如，浓度)(TiO2，wt％)为1至3.5(例如，1wt％至3.5wt％)时，光转换效率增加，而与第一波长转换图案340的厚度t1无关；当第一波长转换图案340的厚度t1为10μm时，相对外部量子产率EQE在大致(约)4.5wt％处饱和；并且当第一波长转换图案340的厚度t1为8μm时，相对外部量子产率EQE在大致(约)5.0wt％处饱和。此外，优选地，对于第一波长转换图案340的厚度t1(8μm至12μm)的范围，第一波长转换图案340具有均匀的光转换效率，同时增加第一波长转换图案340的光转换效率。满足这种条件的第一波长转换图案340的第一散射体343的含量(wt％)(例如，浓度)优选为3至6(例如，3wt％至6wt％)，更优选为3至5(例如，3wt％至5wt％)。在实施方式中，其中可以最小化或降低根据第一波长转换图案340的厚度t1的相对外部量子产率EQE的变化速率的范围可以为约3至6(例如，3wt％至6wt％)，更优选3至5(例如，3wt％至5wt％)。这里，优选地，将相对外部量子产率EQE的变化率调整为5％或更小(y4和y3之间的相对外量子产率EQE的变化率d2为5％或更小)。
参考图8和图21，图21的水平轴表示第一波长转换图案340的第一波长移位器345的含量(例如，浓度)(R-QD，wt％)，以及竖直轴表示当通过喷墨印刷工艺形成第一波长转换图案340时第一波长转换图案材料固化之前的粘度(cps)。通常，在通过喷墨印刷工艺喷射第一波长转换图案材料的情况下，当第一波长转换图案材料的粘度(cps)为大致28cps或更高时，具有高粘度的第一波长转换图案材料变得难以从喷墨印刷工艺中利用的印刷头的喷嘴射出(或喷射)，从而发生第一波长转换图案材料的喷射失败。因此，根据实施方式的第一波长移位器345的含量(wt％)(例如，浓度)优选为约40(例如，40wt％)或更低。
同时，在第二波长移位器355的含量(wt％)(例如，浓度)大于第一波长移位器345的含量(wt％)(例如，浓度)的条件下，第一波长移位器345的含量(wt％)(例如，浓度)可以优选为35至40(例如，35wt％至40wt％)或更小，并且第二波长移位器355的含量(wt％)(例如，浓度)优选为40至45(例如，40wt％至45wt％)。如上所述，第二波长移位器355的含量(wt％)(例如，浓度)大于第一波长移位器345的含量(wt％)(例如，浓度)，因为第二波长移位器355对光的吸收率低于第一波长移位器345对光的吸收率。即，通过将第二波长移位器355的含量(wt％)(例如，浓度)设计为大于第一波长移位器345的含量(wt％)(例如，浓度)，可以补偿第二波长移位器355对光的吸收率比第一波长移位器345对光的吸收率低。在一些实施方式中，为了补偿第二波长移位器355对光的吸收率比第一波长移位器345对光的吸收率低，第一波长转换图案340中的第一波长移位器345的含量(wt％)(例如，浓度)与第二波长转换图案350中的第二波长移位器355的含量(wt％)(例如，浓度)之间的比率可以为1:1.3至1:1.1。
接下来，参考图8和图22，图22的水平轴表示第一散射体(TiO2)333的浓度(或含量(例如，量)、重量比(wt％))，以及竖直轴表示在第三透光区域TA3中垂直于显示装置1的显示表面的线与白光的入射路径之间的角度为0°的情况下的亮度与在第三透光区域TA3中垂直于显示装置1的显示表面的线与白光的入射路径之间的角度为60°的情况下的亮度之间的比率(白角差(WAD)特性)以及第三透光区域TA3中的透射率(％)。
如在图22中可以看出，随着第三散射体333的含量(wt％)(例如，浓度)增加，在垂直于显示装置1的显示表面的线与白光的入射路径之间的角度为0°的情况下的亮度与在垂直于显示装置1的显示表面的线与白光的入射路径之间的角度为60°的情况下的亮度之间的比率(下文中称为正面亮度比(％))增加，并且随着第三散射体333的含量(wt％)(例如，浓度)增加，第三透光区域TA3中的透射率(％)降低。根据第三散射体333的含量(wt％)(例如，浓度)的增加，第三透光区域TA3中的透射率(％)的降低可以由透光图案330的透明度引起，该透光图案330的透明度随着透光图案330中的第三散射体333的含量(wt％)(例如，浓度)的增加而降低。此外，根据第三散射体333的含量(wt％)(例如，浓度)的增加，正面亮度比的增加可以由从第三发射区域LA3入射的光通过第三散射体333的散射程度的增加而引起。在根据实施方式的显示装置1的第三透光区域TA3中，正面亮度比(％)优选为75或更大，并且第三透光区域TA3中的透射率(％)优选为68或更大。满足这种条件的第三散射体333的含量(wt％)(例如，浓度)可以为4.5至9(例如，4.5wt％至9wt％)。在一些实施方式中，透光图案330中的第三散射体333的含量(wt％)(例如，浓度)与第二波长转换图案350中的第二散射体353的含量(wt％)(例如，浓度)之间的比率、以及透光图案330中的第三散射体333的含量(wt％)(例如，浓度)与第一波长转换图案340中的第一散射体343的含量(wt％)(例如，浓度)之间的比率可以分别为1:1.7至1:1.2。即，当透光图案330中的第三散射体333的含量(wt％)(例如，浓度)与第二波长转换图案350中的第二散射体353的含量(wt％)(例如，浓度)之间的比率、以及透光图案330中的第三散射体333的含量(wt％)(例如，浓度)与第一波长转换图案340中的第一散射体343的含量(wt％)(例如，浓度)之间的比率各自为1:1.2或更小时，可以在显示装置1的第三透光区域TA3中实现高正面亮度比。当透光图案330中的第三散射体333的含量(wt％)(例如，浓度)与第二波长转换图案350中的第二散射体353的含量(wt％)(例如，浓度)之间的比率、以及透光图案330中的第三散射体333的含量(wt％)(例如，浓度)与第一波长转换图案340中的第一散射体343的含量(wt％)(例如，浓度)之间的比率各自为1:1.7或更大时，就第三透光区域TA3中的透光效率而言，可以实现高于某一水平的透射率(％)。
根据本实用新型的实施方式，可以提高波长转换图案的光转换效率。
当描述本公开的实施方式时，“可以”的使用是指“本公开的一个或多个实施方式”。
如本文中所用，术语“基本上”、“约”和类似术语用作近似术语而不是用作程度术语，并且旨在解释本领域中普通技术人员将认识到的测量值或计算值的固有偏差。
本文中所述的任何数值范围旨在包括包含在所述范围内的相同数值精度的所有子范围。例如，“1.0至10.0”的范围旨在包括在所述最小值1.0和所述最大值10.0之间(并且包括1.0和10.0)的所有子范围，即，具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值，诸如例如2.4至7.6。本文中所述的任何最大数值限制旨在包括其中所包含的所有较低数值限制，并且本说明书中所述的任何最小数值限制旨在包括其中所包含的所有较高数值限制。因此，申请人保留修改本说明书(包括权利要求书)的权利，以明确地叙述包含在本文中明确叙述的范围内的任何子范围。
本文中描述的根据本实用新型的实施方式的电子设备、显示装置和/或任何其它相关装置或组件可以利用任何合适的硬件、固件(例如，专用集成电路)、软件、或软件、固件和硬件的组合来实现。例如，装置的各种组件可以形成在一个集成电路(IC)芯片上或者单独的IC芯片上。此外，装置的各种组件可以在柔性印刷电路膜、载带封装(TCP)，印刷电路板(PCB)上实现或者形成在一个衬底上。此外，装置的各种组件可以是在一个或多个计算装置中在一个或多个处理器上运行的进程或线程，执行计算机程序指令并且与用于执行本文中描述的各种功能的其它系统组件交互。计算机程序指令存储在存储器中，该存储器可以使用标准存储器装置(诸如例如随机存取存储器(RAM))在计算装置中实现。计算机程序指令也可以存储在其它非暂时性计算机可读介质中，诸如例如CD-ROM、闪存驱动器等。此外，本领域中技术人员应当认识到，各种计算装置的功能可以被组合或集成到单个计算装置中，或者特定计算装置的功能可以分布在一个或多个其他计算装置上，而不背离本公开的实施方式的范围。
然而，实施方式的效果不限于本文中阐述的效果。通过参考权利要求书，实施方式的以上和其它效果对于实施方式所属领域中的普通技术人员将变得更加显而易见。
虽然已经结合当前被认为是实际示例性实施方式的实施方式描述了本公开，但是将理解的是，本公开不限于所公开的实施方式，而是相反，旨在覆盖包括在所附权利要求及其等同物的精神和范围内的各种修改和等同布置。
Claims (10)
1.一种显示装置，其特征在于，包括：
衬底，包括第一发射区域、第二发射区域和第三发射区域；
第一波长转换图案，与所述第一发射区域重叠；
第二波长转换图案，与所述第二发射区域重叠；以及
透光图案，与所述第三发射区域重叠，
其中：
所述第一波长转换图案包括配置成将第一光转换为第二光的第一波长移位器、以及第一散射体，
所述第二波长转换图案包括配置成将所述第一光转换为第三光的第二波长移位器、以及第二散射体，以及
所述第一波长转换图案中的所述第一波长移位器的浓度与所述第二波长转换图案中的所述第二波长移位器的浓度之间的比率为1:1.3至1:1.1。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第二波长转换图案中的所述第二波长移位器的重量比大于所述第一波长转换图案中的所述第一波长移位器的重量比。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第二波长移位器对所述第三光的吸收率小于所述第一波长移位器对所述第二光的吸收率。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，基于所述第二波长转换图案的总重量，所述第二波长转换图案中的所述第二散射体的浓度为3wt％至5wt％，以及基于所述第一波长转换图案的总重量，所述第一波长转换图案中的所述第一散射体的浓度为3wt％至6wt％。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述透光图案包括第三散射体，并且所述透光图案中的所述第三散射体的浓度小于所述第二波长转换图案中的所述第二散射体的浓度和所述第一波长转换图案中的所述第一散射体的浓度中的每个。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，所述透光图案中的所述第三散射体的所述浓度为4.5wt％至9wt％。
7.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，所述透光图案中的所述第三散射体的所述浓度与所述第二波长转换图案中的所述第二散射体的所述浓度之间的比率以及所述透光图案中的所述第三散射体的所述浓度与所述第一波长转换图案中的所述第一散射体的所述浓度之间的比率中的每个为1:1.7至1:1.2。
8.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，在垂直于所述显示装置的显示表面的线与白光的入射路径之间的角度为0°的情况下的亮度与在垂直于所述显示装置的所述显示表面的所述线与所述白光的入射路径之间的角度为60°的情况下的亮度之间的比率为75％或更大。
9.一种包括发光元件的衬底，其特征在于，所述衬底还包括：
第一衬底，包括第一发射区域、第二发射区域和第三发射区域；
第一波长转换图案，与所述第一发射区域重叠；
第二波长转换图案，与所述第二发射区域重叠；以及
透光图案，与所述第三发射区域重叠，
其中：
所述第一波长转换图案包括配置成将第一光转换为第二光的第一波长移位器、以及第一散射体，
所述第二波长转换图案包括配置成将所述第一光转换为第三光的第二波长移位器、以及第二散射体，
所述第二波长转换图案中的所述第二波长移位器的浓度为40wt％至45wt％，以及
所述第一波长转换图案中的所述第一波长移位器的浓度为35wt％至40wt％。
10.一种显示装置，其特征在于，包括：
第一衬底，在所述第一衬底上限定有第一透光区域、第二透光区域和第三透光区域，并且所述第一衬底具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；
第一波长转换图案，在所述第一衬底的所述第一表面上并与所述第一透光区域重叠；
第二波长转换图案，在所述第一衬底的所述第一表面上并与所述第二透光区域重叠；以及
透光图案，在所述第一衬底的所述第一表面上并与所述第三透光区域重叠，
其中：
所述第一波长转换图案包括第一基础树脂、分散在所述第一基础树脂中并且配置成将第一光转换为第二光的第一波长移位器、以及分散在所述第一基础树脂中的第一散射体，
所述第二波长转换图案包括第二基础树脂、分散在所述第二基础树脂中并且配置成将所述第一光转换为第三光的第二波长移位器、以及分散在所述第二基础树脂中的第二散射体，
所述透光图案包括第三基础树脂和分散在所述第三基础树脂中的第三散射体，
所述第一波长转换图案中的所述第一波长移位器的浓度与所述第二波长转换图案中的所述第二波长移位器的浓度之间的比率为1:1.3至1:1.1，所述第一波长移位器和所述第二波长移位器中的每个的所述浓度通过电感耦合等离子体质谱仪测量。
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