TW202341467A - 具有發光元件之基板及包含其之顯示裝置 - Google Patents
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- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
- H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
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Abstract
本發明提供一種顯示裝置，其包括：基板、第一及第二波長轉換圖樣以及透光圖樣；基板包括第一發光區、第二發光區和第三發光區；第一波長轉換圖樣與第一發光區重疊；第二波長轉換圖樣與第二發光區重疊；透光圖樣與第三發光區重疊，第一波長轉換圖樣包括第一波長偏移體和第一散射體，第一波長偏移體係配置以將第一光線轉換為第二光線，第二波長轉換圖樣包括第二波長偏移體和第二散射體，第二波長偏移體係配置以將第一光線轉換成第三光線，第一波長轉換圖樣的第一波長偏移體的濃度與第二波長轉換圖樣的第二波長偏移體的濃度的比率為1:1.1至1:1.3。
Description
本揭露係關於一種具有發光元件之基板及包括其之顯示裝置。
隨著多媒體技術的發展，顯示裝置變得越來越重要。因此，例如液晶顯示裝置(LCD)及/或有機發光二極體顯示裝置(OLED)的多種顯示裝置可用於各種電子裝置中。
在顯示裝置中，自發光顯示裝置包括自發光元件，例如有機發光元件。自發光元件可包括兩個相對的電極和介於中間的發射層。對於作為自發光元件的有機發光元件，從兩個電極中提供的電子和電洞在發射層中結合產生激發子，產生的激發子從激發態回復到基態從而發光。
這樣的自發光顯示裝置一般不會使用單獨的光源，例如背光單元，因此自發光顯示裝置通常可以消耗相對較少的功率，可以相對地輕薄，並且可以具有高品質的特性，例如與現有技術的顯示裝置相比，具有相對寬的視角、高亮度及/或對比度、及/或相對快的反應速度。因此，有機發光顯示裝置作為下一代顯示裝置而受到關注。
根據本揭露的實施例的層面係關於一種具有發光元件和具有提高的光轉換效率的波長轉換圖樣的基板。
根據本揭露的實施例的層面針對包括具有提高的光轉換效率的波長轉換圖樣的顯示裝置。
然而，本揭露的各層面不限於本說明書所闡述的那些。通過參考下面提供的本揭露的詳細描述，本揭露的上述和其他層面對於本發明所屬領域中具有通常知識者將變得更加清楚。
根據本揭露的實施例，一基板，包括一第一發光區、一第二發光區和一第三發光區；一第一波長轉換圖樣，與該第一發光區重疊；一第二波長轉換圖樣，與該第二發光區重疊；以及一透光圖樣，與該第三發光區重疊，其中：該第一波長轉換圖樣包括複數個第一波長偏移體和複數個第一散射體，該複數個第一波長偏移體係配置以將一第一光線轉換為一第二光線，該第二波長轉換圖樣包括複數個第二波長偏移體和複數個第二散射體，該複數個第二波長偏移體係配置以將該第一光線轉換成一第三光線，以及該複數個第一波長偏移體的一濃度與該複數個第二波長偏移體的一濃度的一比率為1:1.1至1:1.3。
根據本揭露的另一個實施例，一種具有發光元件的基板，該基板包括：一第一基板，包括一第一發光區、一第二發光區和一第三發光區；一第一波長轉換圖樣，與該第一發光區重疊；一第二波長轉換圖樣，與該第二發光區重疊；以及一透光圖樣，與該第三發光區重疊，其中：該第一波長轉換圖樣包括複數個第一波長偏移體及複數個第一散射體，該複數個第一波長偏移體係配置以將該第一光線轉換為一第二光線，該第二波長轉換圖樣包括複數個第二波長偏移體及複數個第二散射體，該複數個第二波長偏移體係配置以將該第一光線轉換為一第三光線的，該第二波長轉換圖樣中的複數個第二波長偏移體的一濃度為40wt%至45wt%，以及該第一波長轉換圖樣中的該複數個第一波長偏移體的一濃度為35wt%至40wt%。
根據本發明的另一個實施例，一種顯示裝置包括：一第一基板，其中一第一透光區、一第二透光區及一第三透光區被定義在該第一基板上，該第一基板具有一第一表面及與第一表面相對的一第二表面；一第一波長轉換圖樣，位於該第一基板的該第一表面上且與該第一透光區重疊；一第二波長轉換圖樣，位於該第一基板的該第一表面上且與該第二透光區重疊；該透光圖樣位於該第一基板的該第一表面且與該第三透光區重疊，其中：該第一波長轉換圖樣包括一第一基礎樹脂、複數個第一波長偏移體以及複數個第一散射體，該複數個第一波長偏移體分散在第一基礎樹脂中並且係配置以將一第一光線轉換成一第二光線，該複數個第一散射體分散在該第一基礎樹脂中，該第二波長轉換圖樣包括一第二基礎樹脂、複數個第二波長偏移體以及複數個第二散射體，該複數個第二波長偏移體分散在該第二基礎樹脂中並且係配置成將該第一光線轉換成一第三光線，該複數個第二散射體分散在該第二基礎樹脂中，該透光圖樣包括一第三基礎樹脂和複數個第三散射體，該複數個第三散射體分散在該第三基礎樹脂中，該第一波長轉換圖樣和該第二波長轉換圖樣各別的一厚度為8μm至12μm，該第一波長轉換圖樣中的該複數個第一波長偏移體的一濃度與該第二波長轉換圖樣中的該複數個第二波長偏移體的一濃度之間的比率為1:1.1至1:1.3，該複數個第一波長偏移體和複數個第二波長偏移體各別的該濃度係通過感應耦合電漿質譜儀(ICP-MS)測量。
應當注意，本揭露的效果不限於所描述的那些，並且本揭露的其他效果將從描述中顯而易見。
此處所公開的本發明實施例的具體結構和功能描述，僅僅為了說明本發明實施例。在不脫離本揭露的精神和重要特徵的情況下，本揭露可以以許多不同的形式實施。因此，公開本揭露的實施例僅用於說明目的，不應理解為對本揭露的限制。換言之，本揭露僅由請求項及其等同物的範圍限定。
應當理解，當一個元件被稱為與另一個元件相關時，例如「耦合(coupled)」或「連接(connected)」到另一個元件，可以直接耦合或連接到另一個元件，或者中間元件可以存在於它們之間。相反，應當理解，當一個元件被稱為與另一個元件相關時，例如「直接耦合(directly coupled)」或「直接連接(directly connected)」到另一個元件，則不存在中間元件。其他解釋元件之間關係的表述，例如：「介於(between)」、「直接介於(directly between)」、「相鄰於(adjacent to)」或「直接相鄰於(directly adjacent to)」，應以相同方式解釋。
在整個說明書中，相同的元件符號將表示相同或相似的部分。
應當理解，儘管術語「第一(first)」、「第二(second)」、「第三(third)」等可在本說明書中用於描述各種元件、組件、區域、層及/或部分，但這些元件、組件、區域、層及/或部分不應受這些術語的限制。這些術語僅用於將一個元件、組件、區域、層或部分與另一元件、組件、區域、層或部分區分開來。因此，在不脫離本說明書的教導的情況下，下面討論的「第一元件(a first element)」、「組件(component)」、「區域(region)」、「層(layer)」或「部分(section)」可被稱為第二元件、組件、區域、層或部分。
此處使用的術語僅用於描述特定實施例的目的，並不旨在進行限制。除非上下文另有明確說明，如本說明書所用的「一(a)」、「一(an)」、「該(the)」和「至少一個(at least one)」不表示數量限制，旨在包括單數和複數。例如：除非上下文另有明確說明，「一個元件(an element)」與「至少一個元件(at least one element)」具有相同的含義。「至少一個(At least one)」不應被解釋為限制「一(a)」或「一(an)」。「或(or)」意思為「及/或(and/or)」。如本說明書所用，術語「及/或(and/or)」包含一個以上相關所列的項目之任意或所有組合。可進一步理解的是用語「包含(comprises)」及/或「包含(comprising)」或「包含(includes)」及/或「包含(including)」，使用在本說明書時，明確指出陳述特徵(features)、區域(regions)、整數(integers) 、步驟(steps)、操作(operations)、元件(elements)及/或構件(components)的存在，但不排除一個或多個其他特徵、區域、整數、步驟、操作、元件、構件及/或其組合。
此外，例如：「下(lower)」、「底部(bottom)」、「上(upper)」或「頂部(top)」的相關術語可在本說明書中用於描述如圖所示的一個元件與另一元件的關係。應當理解，除了圖式中描繪的方位之外，相對術語旨在涵蓋裝置的不同方位。例如：如果其中一個圖式中的設備被翻轉，則被描述為在其他元件的「下(lower)」側的元件將被定向在其他元件的「上(upper)」側。因此，示例術語「下(lower)」可以包含「下(lower)」和「上(upper)」兩個方向，這取決於圖式中的特定方向。相似地，如果其中一幅圖式中的裝置被翻轉，則被描述為其他元件「下(below)」或「下(beneath)」的元件將被定向為其他元件「上方(above)」。因此，示例的術語「下(below)」或「下(beneath)」可以包含上方和下方的方向。
本說明書使用的術語「約(about)」或「大約(approximately)」包括規定值，並且意思為本發明所屬領域中具有通常知識者考量所討論的測量和相關誤差所確定的與特定數量的測量(即測量系統的局限性)，所確定的特定值的可接受偏差範圍內。例如：「約(about)」可表示在一個或複數個標準偏差內，或在規定值的±30%、20%、10%或5%內。
除非另有定義，否則本文中使用的所有術語(包含技術術語和科學術語)對於本領域具有通常知識者而言，可以根據具體情况理解上述術語的具體含義。除非在本文中另有明確定義，否則所有術語應如同在常用詞典中的定義，且依照相關領域中該術語的含義進行一致的解釋，並且不應理想化或過於正式的解釋。
本文說明的例示性實施例是參考自剖面圖，該剖面圖是理想的實施例的示意圖。如此，來自於圖像的形狀的差異，例如，可以預期是製造技術和/或公差的結果。實施例不應被解釋為限制在本文繪示的區域的具體形狀，而包含例如因製造造成形狀的偏差結果。例如區域被繪示或描述為平坦的，其可能、通常地，具有粗糙及/或非線性特徵。除此之外，圖示的銳角也可被描述成圓角的。因此，附圖描述的區域實際上是示意性的，而且它們的形狀並非意圖描述區域的精確的形狀，且並非意圖限制申請專利範圍。
在下文中，將參照圖式描述本揭露的實施例。
第1圖係示出了本發明的一些實施例的顯示裝置的層疊結構的剖視圖。
第1圖所示的顯示裝置1，第1圖可用於各種電子裝置，包括小型及/或中型電子裝置，例如：平板電腦、智慧型手機、車輛導航單元、照相機、安裝在車輛中的中央資訊顯示裝置(CID)、腕帶類型或種類的電子裝置(例如：智慧型手錶)、個人數位助理(PMP)、便攜式多媒體播放器(PMP)及/或遊戲機，以及中型及/或大型電子裝置，例如：電視、電廣告牌、顯示裝置、個人電腦及/或膝上型電腦。應當理解，上面列出的電子裝置僅僅是示例性的，並且在不脫離根據本揭露的實施例的精神和範圍的情況下，顯示裝置1可以用在各種其他合適的電子裝置中。
顯示裝置1可以包括顯示圖像的顯示區域DA和不顯示圖像的非顯示區域NDA。在一些實施例中，非顯示區域NDA可以位於顯示區域DA周圍，以圍繞顯示區域DA，顯示區域DA上顯示的圖像可由使用者在第三方向Z上從箭頭指示的一側進行觀看。
在一些實施例中，顯示裝置1的堆疊結構可以包括顯示基板10和面向(例如：相對)顯示基板10的色彩轉換基板30，並且如第1圖所示，可以進一步包括用於將顯示基板10結合色彩轉換基板30的密封構件50以及填充物70，以用於填充顯示基板10與色彩轉換基板30之間的空間或區域。
顯示基板10可以包括用於顯示圖像的元件和電路，例如：例如開關元件的像素電路、用於限定稍後將在顯示區域DA中進行更詳細的描述的發光區和非發光區的像素限定層，以及自發光(也稱為自發光)元件。在一些實施例中，自發光元件可包括有機發光二極體、量子點發光二極體、無機基微型發光二極體(例如：MicroLED)中的至少一種，及/或具有奈米尺寸的基於無機物的奈米發光二極體(例如：奈米LED)。在下面的描述中，為了便於說明，將有機發光二極體描述為自發光元件的示例，但是根據本揭露的實施例不限於此。
色彩轉換基板30可以位於顯示基板10上，並且可以朝向顯示基板10。在一些實施例中，色彩轉換基板30可以包括轉換入射光的顏色的色彩轉換圖樣。在一些實施例中，色彩轉換基板30可以包括彩色濾光片(color filter)及/或波長轉換圖樣作為色彩轉換圖樣。在一些實施例中，色彩轉換基板30可以包括(例如：同時)彩色濾光片和波長轉換圖樣。
在非顯示區域NDA中，密封構件50可以位於色彩轉換基板30和顯示基板10之間。密封構件50可以沿著著顯示基板10和色彩轉換基板30的邊緣設置或形成在非顯示區域NDA中，在平面圖中圍繞(例如：包圍)顯示區域DA。顯示基板10和色彩轉換基板30可以經由密封構件50彼此結合。
在一些實施例中，密封件50可以由有機材料製成。例如：密封件50可以由環氧樹脂製成，但本揭露不限於此。在一些其他實施例中，密封構件50可以以包括玻璃及/或類似物的熔塊(frit)的形式來應用(例如：沉積)。
填充物70可以位於被密封件50包圍的顯示基板10與色彩轉換基板30之間的空間中，填充物70可以用來填充顯示基板10和色彩轉換基板30之間的空間。
在一些實施例中，填充物70可以由透光材料製成。在一些實施例中，填充物70可以由有機材料製成。例如：填充物70可以由矽基有機材料、環氧基有機材料、或者由矽基有機材料、環氧基有機材料等混合物製成。
在一些實施例中，填充物70可由具有基本為零的消光係數(extinction coefficient)的材料製成。折射率(refractive index)和消光係數相關，因此，折射率隨著消光係數減小。當折射率為1.7以下時，消光係數可能會收斂到實質上為零。在一些實施例中，填充物70可由具有1.7以下的折射率的材料製成。因此，可以防止或減少自發光元件提供的光在穿過填充物70時被填充物70吸收。在一些實施例中，填充物70可以由具有折射率為1.4至1.6的有機材料製成。
在第1圖式中，顯示裝置1被示出為包括顯示基板10、色彩轉換基板30、密封構件50和填充物70，但是根據一些實施例，密封構件50和填充物70可以被省略，並且除了第二基板310(請參見例如第8圖和第11圖)之外的色彩轉換基板30的元件可以設置在顯示基板10上。
第2圖係根據本揭露的一些實施例的顯示裝置1的平面圖，第3圖係第2圖的Q1部分的放大平面圖，更具體地，根據一個實施例包含在第2圖的顯示裝置中的顯示基板的平面圖，第4圖係第2圖的Q1部分的放大平面圖，更具體地，根據一個實施例包含在第2圖的顯示裝置中的覆蓋轉換基板的平面圖，第5圖係根據不同於第3圖所示的實施例，第2圖的Q1部分的平面圖，第6圖係示出了根據不同於第4圖所示的實施例，包含在第2圖的顯示裝置的覆蓋轉換基板的平面圖，第7圖係第2圖的Q3部分的放大平面圖。
請結合第1圖一併參照第2圖至第7圖，根據一些實施例，如第2圖所示，顯示裝置1在平面圖中可以形成為矩形形狀。顯示裝置1可以包含在第一方向X上延伸的兩側，即第一側邊L1和第三側邊L3，以及在與第一方向X相交或交叉的第二方向Y上延伸的兩側，即第二側邊L2及第四側邊L4。儘管側邊彼此相交的角可以形成直角，但是本揭露不限於此。在一些實施例中，第一側邊L1和第三側邊L3的長度可以不同於第二側邊L2和第四側邊L4的長度。例如：第一側邊L1和第三側邊L3的長度可以大於第二側邊L2和第四側邊L4。平面圖中的顯示裝置1的形狀不限於圖式中所示的形狀。顯示裝置1可以具有圓形或其他合適的形狀。
在一些實施例中，顯示裝置1可以進一步包括柔性電路板FPC和驅動晶片(例如：驅動晶片積體電路)IC。
如圖所示參照第3圖，可以在顯示區域DA中的顯示基板10上限定複數個發光區LA1、LA2和LA3以及非發光區NLA。
在一些實施例中，第一發光區LA1、第二發光區LA2和第三發光區LA3可以被限定在顯示基板10的顯示區域DA中。在發光區LA1、LA2和LA3中，在顯示基板10中產生的光顯示基板10的發光元件從顯示基板10射出(例如：發射)。在非發光區NLA中，沒有光從顯示基板10射出。在一些實施例中，非發光區NLA可以在顯示區域DA內圍繞(例如：包圍)第一發光區LA1、第二發光區LA2和第三發光區LA3。
在一些實施例中，從第一發光區LA1、第二發光區LA2和第三發光區LA3射出(例如：發射)的光可以是第三顏色的光。在一些實施例中，第三顏色的光可以是藍光，並且可以具有在大約440至480nm的範圍內的峰值波長。在本說明書中，峰值波長是指光強度最大時的波長。
在一些實施例中，第一發光區LA1、第二發光區LA2和第三發光區LA3可以形成單個群組(例如：重複單元)，並且可以在顯示區域DA中定義複數個這樣的組。
在一些實施例中，如圖所示。參照第3圖，第一發光區LA1、第二發光區LA2和第三發光區LA3可以沿著第一方向X依序定位。在一些實施例中，在顯示區域DA中，第一發光區LA1、第二發光區LA2和第三發光區LA3可以形成單個組(例如：重複單元)，並且可以沿著第一方向X和第二方向Y重複設置。
然而，應當理解，本揭露不限於此。第一發光區LA1、第二發光區LA2和第三發光區LA3的設置可以以多種方式改變。如第5圖所示，第一發光區LA1和第二發光區LA2可以沿著第一方向X彼此相鄰，而第三發光區LA3可以沿著第二方向Y位於第一發光區LA1和第二發光區LA2的一側。
在下面的描述中，將描述其中第一發光區LA1、第二發光區LA2和第三發光區LA3的示例被設置為如第3圖所示。
如第4圖所示，可以在顯示區域DA中的色彩轉換基板30中限定複數個透光區TA1、TA2和TA3以及擋光區BA。在透光區TA1、TA2和TA3中，從顯示基板10發出的光可以透過色彩轉換基板30以提供到顯示裝置1的外部。在遮光區BA中，從顯示基板10射出(例如：發射)的光不能通過它。
在一些實施例中，第一透光區TA1、第二透光區TA2和第三透光區TA3可以被定義在色彩轉換基板30上。
第一透光區TA1可以具有與第一發光區LA1的尺寸相等的尺寸或者可以與第一發光區LA1重疊。相似地，第二透光區TA2可以具有與第二發光區LA2的尺寸相同的尺寸或者可以與第二發光區LA2重疊，並且第三透光區TA3可以具有與第三發光區LA3的尺寸相同的尺寸或者可以與第三發光區LA3重疊。
在一些實施例中，如第3圖所示，當第一發光區LA1、第二發光區LA2和第三發光區LA3如圖所示沿著第一方向X依序排列時，第一透光區TA1、第二透光區TA2和第三透光區TA3也可以如第4圖所示沿著第一方向X依序排列。
如第5圖所示，當第一發光區LA1和第二發光區LA2在第一方向X上相鄰，而第三發光區LA3在第二方向Y上位於第一發光區LA1和第二發光區LA2的一側時，如第6圖所示，第一透光區TA1和第二透光區TA2可以在第一方向X上彼此相鄰，而第三透光區TA3可以沿著第二方向Y位於第一透光區TA1及第二透光區TA2的一側。
在一些實施例中，顯示基板10提供的第三顏色的光可以穿過第一透光區TA1、第二透光區TA2和第三透光區TA3出射(例如：由此發射)到顯示裝置1外。在以下描述中，從顯示裝置1出射穿過第一透光區TA1的光稱為第一出射光，從顯示裝置1出射的光穿過第二透光區TA2稱為第二出射光，從顯示裝置1出射穿過第三透光區TA3的光稱為第三出射光。第一出射光可以是第一顏色的光，第二出射光可以是不同於第一顏色的第二顏色的光，並且第三出射光可以是第三顏色的光。在一些實施例中，第三顏色的光可以是峰值波長在大約(約)440至(約)480nm範圍內的藍光，並且第一顏色的光可以是峰值波長在大約(約)610至(約)650奈米的範圍。此外，第二顏色的光可以是峰值波長在大約(約)510至(約)550nm範圍內的綠光。
遮光區BA可以位於第一透光區TA1、第二透光區TA2和第三透光區TA3周圍的顯示區域DA中。在一些實施例中，遮光區BA可以圍繞(例如：包圍)第一透光區TA1、第二透光區TA2和第三透光區TA3。此外，遮光區BA也可以位於顯示裝置1的非顯示區域NDA中。
返回到第2圖，堤部(dam)構件DM和密封構件50可以位於顯示裝置1的非顯示區域NDA中。
在形成位於顯示區域DA中的封裝層(encapsulation layer)的過程中，堤部構件DM可以阻擋或減少有機材料(或單體)的溢出，從而防止或實質上防止封裝層中的有機材料朝向顯示裝置1的邊緣延伸(例如：擴散)。
在一些實施例中，堤部構件DM可以形成為在平面圖中完全包圍顯示區域DA。
如上所述，密封構件50可以將顯示基板10結合至色彩轉換基板30。
密封構件50可以位於堤部構件DM外側的非顯示區域NDA中，並且可以形成為當從頂部觀看時(例如：在平面圖中)完全圍繞堤部構件DM和顯示區域DA。
顯示裝置1的非顯示區域NDA可以包括焊墊區PDA，並且複數個連接焊墊PD可以位於焊墊區PDA中。
在一些實施例中，例如：連接焊墊PD可以位於非顯示區域NDA的較長邊附近，並且可以位於非顯示區域NDA中的第一側邊L1附近。連接焊墊PD可以通過連接線等電性連接到位於顯示區域DA中的像素電路等。
顯示裝置1的顯示基板10(例如：參見第1圖)可以包括堤部構件DM和連接焊墊PD。
柔性電路板FPC可以連接到連接焊墊PD，柔性電路板FPC可以與提供訊號、電源等的顯示基板10(請參見例如第1圖)電性連接，以驅動顯示裝置1的電路板。
驅動晶片IC可以電性連接到電路板等，以接收數據和訊號。在一些實施例中，驅動晶片IC可以包括數據驅動晶片，並且可以從電路板接收數據控制訊號和圖像數據，以產生和輸出與圖像數據相關聯的數據電壓。
在一些實施例中，驅動晶片IC可以分別安裝在柔性電路板FPC上。例如：驅動晶片IC可以通過合適的(例如：已知的)覆晶薄膜封裝(COF)技術安裝在柔性電路板FPC上。
驅動晶片IC提供的數據電壓、電路板提供的供電電壓等可以通過柔性電路板FPC和連接焊墊PD (請參見例如第1圖)傳輸到顯示基板10的像素電路。
以下，更詳細地說明顯示裝置1的結構。
第8圖係根據本揭露的一些實施例的顯示裝置沿著第3圖和第4圖的X1-X1'線截取的剖視圖，第9圖係根據一實施例的第8圖的Q4部分的放大剖視圖，第10圖係示出了根據不同於第9圖所示的實施例，第8圖的Q4部分的剖視圖，第11圖係根據本揭露一些實施例的顯示裝置沿著第10圖的X3-X3'線截取的剖視圖。
請結合第1圖至第7圖一併參照第8圖到第11圖，顯示裝置1可以包括如上所述之顯示基板10和色彩轉換基板30，並且可以進一步包括位於顯示基板10和色彩轉換基板30之間的填充物70。
以下將對顯示基板10進行說明。
第一基板110可以由透光材料製成。在一些實施例中，第一基板110可以是玻璃基板及/或塑膠基板。當第一基板110為塑膠基板時，第一基板110可具有可撓性(flexibility)。
在一些實施例中，複數個發光區LA1、LA2和LA3以及非發光區NLA可以限定在顯示區域DA中的第一基板110上，如上所述。
在一些實施例中，顯示裝置1的第一側邊L1、第二側邊L2、第三側邊L3及第四側邊L4可分別與第一基板110的四個側邊相同。換言之，顯示裝置1的第一側邊L1、第二側邊L2、第三側邊L3、第四側邊L4可以分別稱為第一側邊L1、第二側邊L2、第三側邊L3、分別為第一底座110的第四側邊L4和第四側邊L4。
緩衝層111可以進一步位於第一基板110上，緩衝層111可以位於顯示區域DA和非顯示區域NDA中的第一基板110上。緩衝層111可以阻擋外來物質及/或水分滲透通過第一基板110。例如：緩衝層111可以包括例如SiO
2、SiN
x及/或SiON的無機材料，並且可以由單一層或多層所製成。
下遮光層BML可以位於緩衝層111上，下遮光層BML可以阻擋外部光或來自發光元件的光進入半導體層ACT，這將在後面更詳細地描述，從而防止或減少薄膜電晶體TL中由光產生的漏電流，這將在後面更詳細地描述。
在一些實施例中，下遮光層BML可以由阻擋光並且具有導電性的材料製成(例如：導體)。例如：下遮光層BML可以包括例如：銀(Ag)、鎳(Ni)、金(Au)、鉑(Pt)、鋁(Al)、銅(Cu)、鉬(Mo)、鈦(Ti)及/或釹(Nd)的單一金屬材料及/或其合金。在一些實施例中，下遮光層BML可以具有單層或多層結構。舉例而言，當下遮光層BML為多層結構時，下遮光層BML可以是但不限於：鈦(Ti)/銅(Cu)/氧化銦錫(ITO)的堆疊結構或者鈦(Ti)/銅(Cu)/氧化鋁(Al
2O
3)的堆疊結構。
在一些實施例中，顯示基板10可以包括複數個下遮光層BML，下遮光層BML的數量可以等於半導體層ACT的數量。每個下遮光層BML可以與相應的半導體層ACT重疊。在一些實施例中，下遮光層BML的寬度可以大於半導體層ACT的寬度。
在一些實施例中，下遮光層BML可以是圖式中所示的數據線、電源線、與薄膜電晶體TL電性連接的線路的一部分。在一些實施例中，下遮光層BML可以由具有比第二導電層或包含在第二導電層中的源電極SE和汲電極DE低的電阻的材料製成。
第一絕緣層113可以位於下遮光層BML上。在一些實施例中，第一絕緣層113可以位於顯示區域DA和非顯示區域NDA中。第一絕緣層113可以覆蓋下遮光層BML。在一些實施例中，第一絕緣層113可以包括例如SiO
2、SiN
x、SiON、Al
2O
3、TiO
2、Ta
2O、HfO
2、ZrO
2等的無機材料。
半導體層ACT可以位於第一絕緣層113上。在一些實施例中，半導體層ACT可以分別位於顯示區域DA中的第一發光區LA1、第二發光區LA2和第三發光區LA3中。
在一些實施例中，半導體層ACT可以包括氧化物半導體。例如：半導體層ACT可以由Zn氧化物、In-Zn氧化物、Ga-In-Zn氧化物等作為Zn氧化物基材料製成，並且例如可以是IGZO (In-Ga-Zn-O)半導體，其在ZnO中含有銦(In)及/或鎵(Ga)等金屬。然而，應當理解，本揭露不限於此。半導體層ACT可以包括非晶矽或多晶矽。
在一些實施例中，半導體層ACT可以設置為分別與下遮光層BML重疊，從而抑制在半導體層ACT中產生光電流。
第一導電層可以形成在半導體層ACT上，第一導電層可以包括閘電極GE和第一閘極金屬WR1，閘電極GE位於顯示區域DA中，以與相應的半導體層ACT重疊。如圖第11圖所示，第一閘極金屬WR1可以包括將連接焊墊PD(請參見例如第2圖)與位於顯示區域DA(請參見例如第2圖)中的元件電性連接的線的一部分，例如：薄膜電晶體TL、發光元件等。
考慮到與相鄰層的黏合力、在其上層疊的層的表面平整度、可加工性等，閘電極GE和第一閘極金屬WR1可以包括：鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銀(Ag)、鎂(Mg)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)及/或銅(Cu)中的至少一種材料，並且可以由單層或多層製成。
在顯示區域DA中，閘極絕緣層115可以位於半導體層ACT與第一導電層之間或半導體層ACT與閘電極GE之間。在一些實施例中，閘電極GE和閘極絕緣層115可以用作(例如：作為)遮罩(mask)，以用於遮蔽半導體層ACT的通道區，並且閘電極GE的寬度和閘極絕緣層115的寬度可以小於半導體層ACT的寬度。
在一些實施例中，閘極絕緣層115可以不在第一基板110的整個表面上形成為單層，而是可以以部分圖案化的形狀(patterned shape)形成。在一些實施例中，圖案化閘極絕緣層115的寬度可以大於閘電極GE或第一導電層的寬度。
在一些實施例中，閘極絕緣層115可以包括無機材料。例如：閘極絕緣層115可以包括以上列出的無機材料作為第一絕緣層113的材料。
在非顯示區域NDA中，閘極絕緣層115可以位於第一閘極金屬WR1和第一絕緣層113之間。
覆蓋半導體層ACT和閘電極GE的第二絕緣層117可以形成在閘極絕緣層115上方。第二絕緣層117可以位於顯示區域DA和非顯示區域NDA中。在一些實施例中，第二絕緣層117可以用作提供平坦表面的平坦化層。
在一些實施例中，第二絕緣層117可以包括有機材料。例如：第二絕緣層117可以包括光壓克力(PAC)、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚丙烯腈(PAN)、聚醯胺、聚醯亞胺、聚芳醚、雜環聚合物、聚對二甲苯、氟基聚合物、環氧樹脂、苯並環丁烯系列樹脂、矽氧烷系列樹脂或矽烷樹脂中的至少一種，但本發明不限於此。在一些實施例中，第二絕緣層117可以進一步包括無機材料。
第二導電層可以形成在第二絕緣層117上，第二導電層可以包括源電極SE、汲電極DE、電源線VSL和連接焊墊PD的第一焊墊電極PD1。
源電極SE和汲電極DE可以位於顯示區域DA中，並且可以彼此間隔開。
汲電極DE和源電極SE可以各自穿過(例如：穿透)第二絕緣層117，並且連接到半導體層ACT。
在一些實施例中，源電極SE可以穿過(例如：穿透)第一絕緣層113和第二絕緣層117，並且連接到下遮光層BML。當下遮光層BML是傳輸訊號及/或電壓的線路的一部分時，源電極SE可以連接到下遮光層BML並與其電性耦合，並且可以接收施加到線路的電壓。在一些實施例中，當下遮光層BML是浮接圖樣(floating pattern)而不是單獨的線路時，施加到源電極SE等的電壓可以傳輸到下遮光層BML。
在一些實施例中，不同於第8圖中所示的示例，汲電極DE可以穿過(例如：穿透)第一絕緣層113和第二絕緣層117，並且可以連接到下遮光層BML。當下遮光層BML不是接收單獨訊號的線路時，施加到汲電極DE等的電壓可以傳輸到下遮光層BML。
半導體層ACT、閘電極GE、源電極SE和汲電極DE可以形成作為開關元件的薄膜電晶體TL。在一些實施例中，薄膜電晶體TL可以位於第一發光區LA1、第二發光區LA2和第三發光區LA3各別中。在一些實施例中，薄膜電晶體TL的一部分可以位於非發光區NLA中。
電源線VSL可以位於非顯示區域NDA中。施加到陰極CE的供電電壓，例如電壓ELVSS，可以被提供到電壓電源線VSL。
連接焊墊PD的第一焊墊電極PD1可以位於非顯示區域NDA的焊墊區域PDA(請參見例如第2圖)中。在一些實施例中，第一焊墊電極PD1可以穿過(例如：穿透)第二絕緣層117，並且可以電性連接到第一閘極金屬WR1。
源電極SE、汲電極DE、電源線VSL和連接焊墊PD的第一焊墊電極PD1均可以包括鋁(Al)、銅(Cu)、鈦(Ti)等，可由多層或單層製成。在本揭露的一些實施例中，源電極SE、汲電極DE、電源線VSL和連接焊墊PD的第一焊墊電極PD1均可以由Ti/Al/Ti的多層結構製成。
第三絕緣層130可以位於第二絕緣層117上，第三絕緣層130可以覆蓋顯示區域DA中的薄膜電晶體TL，並且可以暴露非顯示區域NDA中的電源線VSL的一部分。
在一些實施例中，第三絕緣層130可以是平坦化層。在一些實施例中，第三絕緣層130可以由有機材料製成。例如：第三絕緣層130可以包括丙烯酸樹脂、環氧樹脂、醯亞胺樹脂、聚酯樹脂等。在一些實施例中，第三絕緣層130可以包括光敏有機材料。
第一陽極AE1、第二陽極AE2和第三陽極AE3可以位於顯示區域DA中的第三絕緣層130上。此外，連接焊墊PD的連接電極CNE和第二焊墊電極PD2可以位於非顯示區域NDA中的第三絕緣層130上。
第一陽極AE1可以與第一發光區LA1重疊並且可以至少部分地延伸到非發光區NLA，第二陽極AE2可以與第二發光區LA2重疊並且可以至少部分地延伸到非發光區NLA，並且第三陽極AE3可以與第三發光區LA3重疊並且可以至少部分地延伸到非發光區NLA-發光區NLA。第一陽極AE1可以穿過(例如：穿透)第三絕緣層130並且可以連接到與第一陽極AE1相關聯的薄膜電晶體TL的汲電極DE。第二陽極AE2可以穿過(例如：穿透)第三絕緣層130並且可以連接到與第二陽極AE2相關聯的薄膜電晶體TL的汲電極DE。第三陽極AE3可以穿過(例如：穿透)第三絕緣層130並且可以連接到與第三陽極AE3相關聯的薄膜電晶體TL的汲電極DE。
在一些實施例中，第一陽極AE1、第二陽極AE2和第三陽極AE3可以是反射電極。在這種情況下，第一陽極AE1、第二陽極AE2和第三陽極AE3可以是一個或複數個金屬層，其包含例如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir及/或Cr。在替代實施例中，第一陽極AE1、第二陽極AE2和第三陽極AE3可以進一步包括堆疊在金屬層上的金屬氧化物層。根據示例實施例，第一陽極AE1、第二陽極AE2和第三陽極AE3可以具有多層結構，例如：ITO/Ag、Ag/ITO、ITO/Mg或ITO/MgF的雙層結構，或ITO/Ag/ITO的三層結構。
連接電極CNE可以電性連接到非顯示區域NDA中的電源線VSL，並且可以與電源線VSL直接接觸。
第二焊墊電極PD2可以位於非顯示區域NDA中的第一焊墊電極PD1上，第二焊墊電極PD2可以與第一焊墊電極PD1直接接觸並電性連接。
在一些實施例中，連接電極CNE和第二焊墊電極PD2可以由與第一陽極AE1、第二陽極AE2和第三陽極AE3相同的材料製成，並且可以與第一陽極一起形成電極AE1、第二陽極AE2和第三陽極AE3採用相同的製造方法。
像素限定層150可以位於第一陽極AE1、第二陽極AE2和第三陽極AE3上。像素限定層150可以包括用於暴露第一陽極AE1的開口、用於暴露第二陽極AE2的開口和用於暴露第三陽極AE3的開口，並且可以限定第一發光區LA1、第二發光區LA2、第三發光區LA3和非發光區NLA。換言之，未被像素限定層150覆蓋的第一陽極AE1的暴露部分可以是第一發光區LA1。相似地，未被像素限定層150覆蓋的第二陽極AE2的暴露部分可以是第二發光區LA2，第三陽極AE3的未被像素限定層150覆蓋的暴露部分可以是第三發光區LA3，像素定義層150可以位於非發光區NLA中。
在一些實施例中，像素限定層150可以包括例如聚丙烯酸酯樹脂、環氧樹脂、酚醛樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚苯醚樹脂、聚苯硫醚樹脂及/或苯並環丁烯(BCB)。
在一些實施例中，像素限定層150可以與稍後將更詳細描述的遮光圖樣250重疊。此外，根據一些實施例，像素限定層150可以與稍後將更詳細描述的擋牆圖樣370重疊。
如圖所示。參照第8圖和第11圖，發射層OL可以位於第一陽極AE1、第二陽極AE2和第三陽極AE3上。
在一些實施例中，發射層OL可以具有跨越複數個發光區LA1、LA2和LA3以及非發光區NLA形成的連續膜的形狀。儘管發射層OL僅位於圖式中的顯示區域DA中，但是根據本揭露的實施例不限於此。在一些替代實施例中，發射層OL的一部分可以進一步位於非顯示區域NDA中。稍後將更詳細地描述發射層OL。
陰極CE可以位於發射層OL上，陰極CE的一部分可以進一步位於非顯示區域NDA中。陰極CE可以電性連接到非顯示區域NDA中的連接電極CNE，並且可以與連接電極CNE接觸。電源線VSL可以位於非顯示區域NDA中。施加到陰極CE的供電電壓，例如電壓ELVSS，可以被提供到電壓電源線VSL。
在一些實施例中，陰極可以是半透射的或透射的。當陰極CE為半透射時，其可包括Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Mo、Ti，或其化合物及/或其混合物，例如：Ag和Mg的混合物。此外，當陰極CE的厚度為幾十至幾百埃時，陰極CE可以是半透射的。
當陰極CE是透射的時，陰極CE可以包括透明導電氧化物(TCO)。例如：陰極CE可以由氧化鎢(W
xO
y)、氧化鈦(TiO
2)、氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦錫鋅、氧化鎂 (MgO)等。
在一些實施例中，陰極CE可以完全覆蓋發射層OL。在一些實施例中，陰極CE的端部可以比發射層OL的端部更靠外側(例如：朝向第一基板110的邊緣)，並且發射層OL的端部可以完全是被陰極CE覆蓋。
第一陽極AE1、發射層OL和陰極CE可以形成第一發光元件ED1，第二陽極AE2、發射層OL和陰極CE可以形成第二發光元件ED2、第三陽極AE3、發射層OL和陰極CE可以形成第三發光元件ED3。第一發光元件ED1、第二發光元件ED2和第三發光元件ED3各別可以發射出射光LE。
如圖所示參照第9圖，最終從發射層OL發射的出射光LE可以是第一分量LE1和第二分量LE2的混合光。出射光LE的第一分量LE1和第二分量LE2各別可以具有等於或大於440nm且小於480nm的峰值波長。換言之，出射光LE可以是藍光。
如圖所示參照第9圖，根據一些實施例，發射層OL可以具有複數個發射層彼此重疊的結構，例如：串聯結構。例如：發射層OL可以包括：第一疊層ST1，包括第一發射層EML1；第二疊層ST2，位於第一疊層ST1上並包括第二發射層EML2；第三疊層ST3，位於第二疊層ST2上，並包括第三發射層EML3、位於第一疊層ST1和第二疊層ST2之間的第一電荷生成層CGL1、以及位於第二疊層ST2和第三疊層ST3之間的第二電荷生成層CGL2。第一疊層ST1、第二疊層ST2和第三疊層ST3可以彼此重疊。
第一發射層EML1、第二發射層EML2和第三發射層EML3可以彼此重疊。
在一些實施例中，第一發射層EML1、第二發射層EML2和第三發射層EML3都可以發射第三顏色的光，例如藍光。例如：第一發射層EML1、第二發射層EML2和第三發射層EML3各別都可以是藍色發射層，並且可以包括有機材料。
在一些實施例中，第一發射層EML1、第二發射層EML2或第三發射層EML3中的至少一個可以發射具有第一峰值波長的第一藍光，並且第一發射層EML1、EML1、EML3中的至少另一個可以發射具有第一峰值波長的第一藍光。第二發射層EML2或第三發射層EML3可以發射具有不同於第一峰值波長的第二峰值波長的第二藍光。例如：選自於第一發射層EML1、第二發射層EML2和第三發射層EML3中的一個可以發射具有第一峰值波長的第一藍光，並且第一發射層EML1、第二發射層EML2或第三發射層EML3中的其他兩個皆可發射具有第二峰值波長的第二藍光。例如：最終從發射層OL發出的出射光LE可以是第一分量LE1和第二分量LE2的混合光，第一分量LE1可以是具有第一峰值波長的第一藍光，第二分量LE2可以是具有第二峰值波長的第二藍光。
在一些實施例中，選自於第一峰值波長和第二峰值波長中的一個的範圍可以等於或大於440nm且小於460nm，並且選自於第一峰值波長和第二峰值波長中的另一個的範圍可以等於或大於440nm且小於460nm。峰值波長可以等於或大於460nm並且小於480nm。然而，應當理解，第一峰值波長的範圍和第二峰值波長的範圍不限於此。例如：第一峰值波長的範圍和第二峰值波長的範圍可以皆(例如：同時)包括460nm。在一些實施例中，選自於第一藍光和第二藍光中的一個可以是深藍色光，而選自於第一藍光和第二藍光中的另一個可以是天藍色光。
在一些實施例中，從發射層OL發射的出射光LE是藍光並且可以包括長波長分量和短波長分量。因此，發射層OL可以最終發射具有廣泛分佈的發射峰的藍光作為出射光LE。以此方式，與發射具有尖銳(例如：較窄)發射峰的藍光的替代發光元件相比，可以在側視角處改善色彩可見度。
在一些實施例中，第一發射層EML1、第二發射層EML2和第三發射層EML3各別都可以包括主體和摻雜劑。主體的材料在本說明書中不受特別限制，只要其通常或適當地使用即可，並且可以包括Alq
3(三(8-羥基喹啉)鋁)、CBP(4,4'-雙(N-咔唑基)-1,1'-聯苯)、PVK(聚(n-乙烯基咔唑))、ADN(9,10-二(萘-2-基)蒽)、TCTA(4,4',4″-三(咔唑-9-基)-三苯胺)、TPBi(1,3,5-三(N-苯基苯並咪唑-2-基)苯)、TBADN(3-叔丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽)、DSA(二苯乙烯基亞芳基，distyrylarylene)、CDBP(4,4'-雙(9-咔唑基)-2,2″-二甲基-聯苯)及MADN(2-甲基-9,10-雙(萘-2-基)蒽)等。
發射藍光的第一發射層EML1、第二發射層EML2和第三發射層EML3各別都可以包括螢火材料，該螢火材料包括選自於由以下所組成的群組中的一種：螺-DPVBi(spiro-DPVBi)、螺-6P(spiro-6P)、DSB(聯苯乙烯基-苯)、DSA(聯苯乙烯基亞芳基)、PFO(聚芴)聚合物和PPV(聚(對亞苯基亞乙烯基))聚合物。作為另一示例，第一發射層EML1、第二發射層EML2和第三發射層EML3各別可以包括磷光材料，該磷光材料包括例如(4,6-F2ppy)2lrpic的有機金屬錯合物。
如上所述，第一發射層EML1、第二發射層EML2或第三發射層EML3中的至少一個可以發射與選自於第一發射層EML1中的至少另一個的波長範圍不同的藍光，第二發射層EML2和第三發射層EML3。為了發射不同波長範圍的藍光，第一發射層EML1、第二發射層EML2和第三發射層EML3可以包括相同的材料並且可以調整共振距離。在一些實施例中，為了發射不同波長範圍的藍光，第一發射層EML1、第二發射層EML2或第三發射層EML3中的至少一個可以包括與它們中的另一個不同的材料。
然而，應當理解，本揭露不限於此。第一發射層EML1、第二發射層EML2和第三發射層EML3各別發射的藍光的峰值波長可以都在440nm到480nm之間，並且可以由相同的材料製成。
替代地，在其他可選的實施例中，第一個發射層選自於第一發射層EML1、第二發射層EML2和第三發射層EML3可以發射具有第一峰值波長的第一藍光，第二個發射層選自於第一發射層EML1、第二發射層EML2和第三發射層EML3可以發射具有不同於第一峰值波長的第二峰值波長的第二藍光，以及第三個發射層選自於第一發射層EML1、第二發射層EML2和第三發射層EML3可以發射具有不同於第一峰值波長和第二峰值波長的第三峰值波長的第三藍光。在其他可選的實施例中，選自於第一峰值波長、第二峰值波長和第三峰值波長的第一個的範圍可以等於或大於440nm且小於460nm，選自於第一峰值波長、第二峰值波長和第三峰值波長的第二波長的範圍可以等於或大於460nm且小於470nm，選自於第一峰值波長、第二峰值波長和第三峰值波長的第三波長的範圍可以等於或大於470nm且小於480nm。
根據其他可選的實施例，從發射層OL發射的出射光LE是藍光並且可以包括長波長分量、中波長分量和短波長分量。因此，發射層OL可以最終發射具有廣泛分佈的發射峰的藍光作為出射光LE，並且可以提高側視角處的色彩可見度。
在根據上述實施例的顯示裝置中，與不採用串聯結構的發光元件相比，藉由複數個發光元件可以彼此堆疊的結構，可以相對地增加發光效率，並且也可以相對地提高顯示裝置的耐用年限(例如：壽命)。
替代地，根據一些可選的實施例，第一發射層EML1、第二發射層EML2或第三發射層EML3中的至少一個可以發射第三顏色的光，例如藍光，並且至少另一個可以發射第三顏色的光。第一發射層EML1、第二發射層EML2或第三發射層EML3可以發射第二顏色的光，例如綠光。在一些其他實施例中，由第一發射層EML1、第二發射層EML2或第三發射層EML3中的至少一個發射的藍光的峰值波長的範圍可以是440nm至480nm或460nm至480奈米。由第一發光材料層EML1、第二發光材料層EML2或第三發光材料層EML3中的至少另一個發射的綠光可以具有在510nm至550nm範圍內的峰值波長。
例如：從第一發射層EML1、第二發射層EML2和第三發射層EML3中選擇的一個可以是發射綠光的綠色發射層，而從第一發射層EML1、第二發射層EML2和第三發射層EML3中選擇的另外兩個可以是可以是發射藍光的藍光發射層。當選自於第一發光材料層EML1、第二發射層EML2和第三發射層EML3中的另外兩個為藍色發射層時，兩個藍色發射層發出的藍色光的峰值波長範圍可以彼此相等或彼此不同。
在一些實施例中，從發射層OL發射的出射光LE可以是作為藍光的第一分量LE1和作為綠光的第二分量LE2的混合光。例如：當第一分量LE1是深藍色光且第二分量LE2是綠色光時，出射光LE可以是天藍色的光。類似於上述實施例，從發射層OL發出的出射光LE可以是藍光和綠光的混合光，並且包括長波長分量和短波長分量。因此，發射層OL可以最終發射具有廣泛分佈的發射峰的藍光作為出射光LE，並且可以提高側視角處的色彩可見度。另外，由於出射光LE的第二分量LE2是綠光，因此，可以補充從顯示裝置1提供到外部的光的綠光分量，從而可以提高顯示裝置1的色彩再現性。
在一些實施例中，選自於第一發射層EML1、第二發射層中的至少一個第二發射層EML2和第三發射層EML3的綠色發射層可以包括主體和摻雜劑。綠色發射層中包含的主體材料在此沒有特別限制，只要其通常使用即可，並且可以包括：Alq
3(三(8-羥基喹啉)鋁)、CBP(4,4'-雙(N-咔唑基))-1,1'-聯苯)、PVK(聚(n-乙烯基咔唑))、ADN(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene) 、TCTA(4,4',4″-三(咔唑-9-基)-三苯胺) 、TPBi(1,3,5-三(N-苯基苯並咪唑-2-基)苯) 、TBADN(3-叔丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽)、DSA(二苯乙烯基亞芳基)、CDBP(4,4'-雙(9-咔唑基)-2,2″-二甲基-聯苯)、MADN(2-甲基-9,10-雙(萘-2-基)蒽)等。
綠色發射層中包含的摻雜劑可包括例如：螢火材料如Alq
3(三-(8-羥基喹啉)鋁(III))及/或磷光材料如Ir(ppy)3(面式-三(2-苯基吡啶)銥)、Ir(ppy)2(acac)(雙(2-苯基吡啶)(乙醯丙酮)銥(III))及/或Ir(mpyp)3(2-苯基-4-甲基-吡啶)銥)。
第一電荷生成層CGL1可以位於第一疊層ST1與第二疊層ST2之間，第一電荷生成層CGL1可以用於將電荷注入每個發射層，第一電荷生成層CGL1可以控制第一疊層ST1與第二疊層ST2之間的電荷平衡。第一電荷生成層CGL1可以包括n型電荷(例如：N-電荷)生成層CGL11和p型電荷(例如：P-電荷)生成層CGL12，p型電荷生成層CGL12可以位於n型電荷生成層CGL11上，並且可以位於n型電荷生成層CGL11與第二疊層ST2之間。
第一電荷生成層CGL1可以具有其中n型電荷生成層CGL11和p型電荷生成層CGL12彼此結合的接面結構(junction structure)。n型電荷生成層CGL11位於比陰極CE更靠近陽極AE1、AE2和AE3的位置。p型電荷生成層CGL12位於比陽極AE1、AE2和AE3更靠近陰極CE的位置。n型電荷生成層CGL11向與陽極AE1、AE2和AE3相鄰的第一發射層EML1提供電子，p型電荷生成層CGL12向包含在第二疊層ST2中的第二發射層EML2提供電洞。通過將第一電荷生成層CGL1定位在第一疊層ST1和第二疊層ST2之間，電荷被供應至每一發射層，以增加發光效率並且降低供電電壓(supply voltage)。
第一疊層ST1可以位於第一陽極AE1、第二陽極AE2和第三陽極AE3上，並且可以進一步包括第一電洞傳輸層HTL1、第一電子阻擋層BIL1和第一電子傳輸層ETL1。
第一電洞傳輸層HTL1可以位於第一陽極AE1、第二陽極AE2和第三陽極AE3上，第一電洞傳輸層HTL1可以促進電洞傳輸，並且可以包括電洞傳輸材料。電洞傳輸材料可以包括但不限於：一種或多種咔唑衍生物，例如：N-苯基咔唑及/或聚乙烯基咔唑、芴衍生物；三苯胺衍生物，例如：TPD(N,N'-雙(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-[1,1-聯苯]-4,4'-二胺)及/或TCTA(4,4',4″-三(N-咔唑基)三苯胺)、NPB(N,N'-di(1-萘基)-N,N'-二苯基聯苯胺)、TAPC(4,4'-亞環己基 雙[N,N-雙(4-甲基苯基)苯胺])等。
第一電子阻擋層BIL1可以位於第一電洞傳輸層HTL1上，並且可以位於第一電洞傳輸層HTL1與第一發射層EML1之間，第一電子阻擋層BIL1可以包括電洞傳輸材料和金屬及/或金屬化合物，以防止或實質上防止在第一發射層EML1中產生的電子流入至第一電洞傳輸層HTL1。在一些實施例中，上述第一電洞傳輸層HTL1和第一電子阻擋層BIL1可以各自為混合材料的單層。
第一電子傳輸層ETL1可以位於第一發射層EML1上，並且可以位於第一電荷生成層CGL1和第一發射層EML1之間。在一些實施例中，第一電子傳輸層ETL1可以包括電子透明材料例如Alq
3(三(8-羥基喹啉)鋁)、TPBi(1,3,5-三(1-苯基-1H-苯並[d]咪唑)-2-基)苯基)、BCP(2,9-二甲基-4,7-聯苯-1,10-二氮雜菲)、Bphen(4,7-聯苯-1,10-二氮雜)、TAZ(3-(4-聯苯基)-4-苯基-5-叔-丁基苯基-1,2,4-三唑)、NTAZ(4-(萘-1-基)-3,5-聯苯-4H-1,2,4-三唑)、tBu-PBD(2-(4-聯苯基)-5-(4-叔丁基苯基l)-1,3,4-惡二唑)、BAlq(雙(2-甲基-8-喹啉酸-N1,08)-(1,1'-聯苯-4-羟基)鋁)、Bebq2(雙鈹(苯並喹啉-10-醇酸鹽)、ADN(9,10-二(萘-2-基)蒽)或其混合物。然而，需要注意的是，電子傳輸材料的類型不特別限於以上列出的示例，第二疊層ST2可以位於第一電荷生成層CGL1上，並且可以進一步包括第二電洞傳輸層HTL2、第二電子阻擋層BIL2和第二電子傳輸層ETL2。
第二電洞傳輸層HTL2可以位於第一電荷生成層CGL1上。第二電洞傳輸層HTL2可以由與第一電洞傳輸層HTL1相同的材料製成，或者可以包括選自於以上所列材料的一種或多種材料作為包含在第一電洞傳輸層HTL1中的材料。第二電洞傳輸層HTL2可以由單層或多層製成。
第二電子阻擋層BIL2可以位於第二電洞傳輸層HTL2上，並且可以位於第二電洞傳輸層HTL2與第二發射層EML2之間。第二電子阻擋層BIL2可以由與第一電子阻擋層BIL1相同的材料和相同的結構製成，或者可以包括選自於以上列出的材料中的一種或多種材料作為第一電子阻擋層BIL1中包含的材料。
第二電子傳輸層ETL2可以位於第二發射層EML2上，並且可以位於第二電荷生成層CGL2與第二發射層EML2之間。第二電子傳輸層ETL2可以由與第一電子傳輸層ETL1相同的材料和相同的結構製成，或者可以包括選自於以上列出的材料中的一種或多種材料作為第一電子傳輸層ETL1中包含的材料。第二電子傳輸層ETL2可以由單層或多層製成。
第二電荷生成層CGL2可以位於第二疊層ST2上，並且可以位於第二疊層ST2與第三疊層ST3之間。
第二電荷生成層CGL2可以具有與上述第一電荷生成層CGL1相同的結構。例如：第二電荷生成層CGL2可以包括靠近第二疊層ST2的n型電荷生成層CGL21和靠近陰極CE的p型電荷生成層CGL22，p型電荷生成層CGL22可以位於n型電荷生成層CGL21上。
第二電荷生成層CGL2可以具有n型電荷生成層CGL21和p型電荷生成層CGL22彼此結合的接面結構，第一電荷生成層CGL1和第二電荷生成層CGL2可以由不同材料製成或者可以由相同材料製成。
第二疊層ST2可以位於第二電荷生成層CGL2上，並且可以進一步包括第三電洞傳輸層HTL3和第三電子傳輸層ETL3。
第三電洞傳輸層HTL3可以位於第二電荷生成層CGL2上，第三電洞傳輸層HTL3可以由與第一電洞傳輸層HTL1相同的材料製成，或者可包括選自於以上所列材料的一種或多種材料作為包含在第一電洞傳輸層HTL1中的材料。第三電洞傳輸層HTL3可以由單層或多層製成，當第三電洞傳輸層HTL3由多層製成時，這些層可以包括不同的材料。
第三電子傳輸層ETL3可以位於第三發射層EML3上，並且可以位於陰極CE和第三發射層EML3之間。第三電子傳輸層ETL3可以由與第一電子傳輸層ETL1相同的材料和相同的結構製成，或者可以包括選自於以上列出的材料中的一種或多種材料作為包含在第一電子傳輸層ETL1中的材料。第三電子傳輸層ETL3可以由單層或多層製成。當第三電子傳輸層ETL3由多層製成時，這些層可以包括不同的材料。
在一些實施例中，電洞注入層可以進一步位於第一疊層ST1和第一陽極AE1、第二陽極AE2和第三陽極AE3之間，第二疊層ST2和第一電荷生成層CGL1之間，及/或在第三疊層ST3和第二電荷生成層CGL2之間。電洞注入層可以促進電洞注入第一發射層EML1、第二發射層EML2和第三發射層EML3。在一些實施例中，電洞注入層可以由以下材料製成，但本揭露不限於至少一種選自於：CuPc(銅酞菁)、PEDOT(聚(3,4)-乙烯二氧噻吩)、PANI(聚苯胺)和NPD(N,N-二萘基-N,N'-二苯基聯苯胺)。在一些實施例中，電洞注入層可以位於第一疊層ST1和第一陽極AE1、第二陽極AE2和第三陽極AE3之間、第二疊層ST2和第一電荷生成層CGL1之間，以及在第三疊層ST3和第二電荷生成層CGL2之間。
在一些實施例中，電子注入層可以進一步位於第三電子傳輸層ETL3與陰極CE之間、第二電荷生成層CGL2與第二堆疊ST2之間及/或第一電荷生成層CGL1與第一堆疊ST1之間。電子注入層促進電子的注入，並且可以由Alq
3(三(8-羥基喹啉)鋁)、PBD、TAZ、spiro-PBD、BAlq及/或SAlq製成，但本發明不限於此。另外，電子注入層可以是金屬鹵化物化合物，可以是但本發明不限於選自於以下的至少一種：MgF
2、LiF、NaF、KF、RbF、CsF、FrF、LiI、NaI、KI、RbI、CsI、FrI和CaF
2。此外，電子注入層可以包括例如Yb、Sm及/或Eu的鑭系元素材料。在一些實施例中，電子注入層可以包括金屬鹵化物材料以及例如RbI:Yb及/或KI:Yb的鑭系元素材料。當電子注入層包括(例如：同時)金屬鹵化物材料和鑭系元素材料時，電子注入層可以通過金屬鹵化物材料和鑭系元素材料的共沉積形成。在一些實施例中，電子注入層可以位於第三電子傳輸層ETL3與陰極CE之間、第二電荷生成層CGL2與第二疊層ST2之間以及第一電荷生成層CGL1與第一疊層ST1之間。.
除了上述結構之外，發射層OL的結構可以適當改變。例如：發射層OL可以被修改為第10圖中所示的發射層OLa。不同於第9圖中所示的結構，發射層OLa如第10圖中所示可以進一步包括位於第三疊層ST3和第二疊層ST2之間的第四疊層ST4，並且可以進一步包括位於第三疊層ST3與第二疊層ST2之間的第三電荷生成層CGL3。
第四疊層ST4可以包括第四發射層EML4，並且可以進一步包括第四電洞傳輸層HTL4、第三電子阻擋層BIL4和第四電子傳輸層ETL4。
包含在發射層OLa中的第一發射層EML1、第二發射層EML2、第三發射層EML3和第四發射層EML4都可以發射第三顏色的光，例如：藍光。第一發射層EML1、第二發射層EML2、第三發射層EML3或第四發射層EML4中的至少一個可以發射與第一發射層EML1、第二發射層EML2、第三發射層EML3和第四發射層EML4中的至少另一個的波長範圍不同的藍光。
在一些實施例中，第一發射層EML1、第二發射層EML2、第三發射層EML3或第四發射層EML4中的至少一個可以發射綠光，並且第一發射層EML1、第二發射層EML2、第三發射層EML3和第四發射層EML4中的至少另一個可以發射藍光。例如：第一發射層EML1、第二發射層EML2、第三發射層EML3和第四發射層EML4中的一個可以是綠色發射層，而第一發射層EML1、第二發射層EML2、第三發射層EML3和第四發射層EML4中的其他三個可以是藍光發射層。
第四電洞傳輸層HTL4可以位於第二電荷生成層CGL2上，第四電洞傳輸層HTL4可以由與第一電洞傳輸層HTL1相同的材料製成，或者可以包括選自於以上所列材料的一種或多種材料作為包含在第一電洞傳輸層HTL1中的材料，第四電洞傳輸層HTL4可以由單層或多層製成，當第四電洞傳輸層HTL4由多層製成時，這些層可以包括不同的材料。
第三電子阻擋層BIL4可以位於第四電洞傳輸層HTL4上，並且可以位於第四電洞傳輸層HTL4與第四發射層EML4之間。第三電子阻擋層BIL4可以由與第一電子阻擋層BIL1相同的材料和相同的結構製成，或者可以包括選自於以上列出的材料中的一種或多種材料作為包含在第一電子阻擋層BIL1中的材料。在一些替代實施例中，可以省略第三電子阻擋層BIL4。
第四電子傳輸層ELT4可以位於第四發射層EML4上，並且可以位於第三電荷生成層CGL3與第四發射層EML4之間。第四電子傳輸層ETL4可以由與第一電子傳輸層ETL1相同的材料和相同的結構製成，或者可以包括選自於以上列出的材料中的一種或多種材料作為包含在第一電子傳輸層ETL1中的材料。第四電子傳輸層ETL4可以由單層或多層製成。當第四電子傳輸層ETL4由多層製成時，這些層可以包括不同的材料。
第三電荷生成層CGL3可以具有與上述第一電荷生成層CGL1相同的結構。例如：第三電荷生成層CGL3可以包括靠近第二疊層ST2的n型電荷生成層CGL31和靠近陰極CE的p型電荷生成層CGL32。p型電荷生成層CGL32可以位於n型電荷生成層CGL31上。
在一些實施例中，電子注入層可以進一步位於第四疊層ST4與第三電荷生成層CGL3之間。此外，電洞注入層可以進一步位於第四疊層ST4與第二電荷生成層CGL2之間。
在一些實施例中，第9圖中所示的發射層OL和第10圖所示的發射層OLa可以不包括(例如：可以排除)紅光發射層，因此可以不發射第一顏色的光，例如：紅光。換言之，出射光LE可以不包括(例如：可以排除)具有約610nm至650nm的範圍內的峰值波長的光學分量，並且出射光LE可以僅包括具有440nm至550nm的峰值波長的光學分量。
在一些實施例中，如上所述，發光元件ED1、ED2和ED3可以係配置以單個發射層而不包括含有機材料的複數個發射層EML1、EML2和EML3。單一發射層可以包括含有量子點(QD)、微型LED或奈米LED的無機發射層。
如圖所示參照第11圖，堤部構件DM可以位於非顯示區域NDA中的第二絕緣層117上。
阻擋構件DM可以位於比電源線VSL更靠外側(例如：第一基板110的邊緣)。換言之，如圖所示。參照第11圖，電源線VSL可以位於堤部構件DM和顯示區域DA之間。
在一些實施例中，堤部構件DM可以包括複數個堤部。例如：堤部構件DM可以包括複數個堤部。例如：堤部構件DM可包括第一堤部D1和第二堤部D2。
第一堤部D1可以部分地與電源線VSL重疊，並且可以與第三絕緣層130間隔開，而電源線VSL介於第一堤部D1與第三絕緣層130之間。在一些實施例中，第一堤部D1可以包括位於第二絕緣層117上的第一下堤部圖樣D11和位於第一下堤部圖樣D11上的第一上堤部圖樣D12。
第二堤部D2可以位於第一堤部D1的外側(例如：相較於第一堤部D1距離第一基板110的邊緣，第二堤部D2更靠近第一基板110的邊緣)，並且可以與第一堤部D1間隔開。在一些實施例中，第二堤部D2可以包括位於第二絕緣層117上的第二下堤部圖樣D21和位於第二下堤部圖樣D21上的第二上堤部圖樣D22。
在一些實施例中，第一下堤部圖樣D11和第二下堤部圖樣D21可以由與第三絕緣層130相同的材料製成，並且可以與第三絕緣層130一起形成。
在一些實施例中，第一上堤部圖樣D12和第二上堤部圖樣D22可以由與像素限定層150相同的材料製成，並且可以與像素限定層150一起形成。
在一些實施例中，第一堤部D1的高度可以不同於第二堤部D2的高度。例如：第二堤部D2的高度可以大於第一堤部D1的高度。換言之，包含在堤部構件DM中的堤部的高度可以隨著遠離顯示區域DA而逐漸增加。因此，可以更有效地阻止有機物在形成封裝層170所包括的有機層173的過程中溢出，這將在後面描述。
如第8圖和第11圖所示，第一覆蓋層160可以位於陰極CE上。一般地，第一覆蓋層160可以跨越第一發光區LA1、第二發光區LA2、第三發光區LA3和非發光區NLA，從而可以改善視角特性，並且可以增加輸出耦合效率。
第一覆蓋層160可以包括具有合適透光特性的無機材料及/或有機材料。換言之，第一覆蓋層160可以形成為無機層、有機層或包含無機顆粒的有機層。例如：第一覆蓋層160可以包括三胺衍生物、咔唑聯苯衍生物、亞芳基二胺衍生物及/或喹啉鋁絡合物(Alq
3)。
在一些實施例中，第一覆蓋層160可以由高折射材料和低折射材料的混合物製成。在一些實施例中，第一覆蓋層160可以包括具有不同折射率的兩層，例如：高折射率層和低折射率層。
在一些實施例中，第一覆蓋層160可以完全覆蓋陰極CE。在一些實施例中，如第11圖所示，第一覆蓋層160的端部可以比陰極CE的端部更靠外側(例如：第一覆蓋層160的端部更靠近第一基板110的邊緣)，並且陰極CE的端部可以被第一覆蓋層160完全覆蓋。
封裝層170可以位於第一覆蓋層160上。封裝層170保護位於封裝層170下方的元件，例如：發光元件ED1、ED2和ED3免受例如濕氣的外部外來物質的影響。一般地，封裝層170位於第一發光區LA1、第二發光區LA2、第三發光區LA3和非發光區NLA。在一些實施例中，封裝層170可以直接覆蓋陰極CE(例如：沒有第一覆蓋層160)。在一些實施例中，覆蓋陰極CE的覆蓋層(例如：第一覆蓋層160)可以進一步位於封裝層170與陰極CE之間，在這種情況下，封裝層170可以直接覆蓋覆蓋層。封裝層170可以是薄膜封裝層。
在一些實施例中，封裝層170可以包括依序堆疊在第一覆蓋層160上的下無機層171、有機層173和上無機層175。
在一些實施例中，下無機層171可以覆蓋顯示區域DA中的第一發光元件ED1、第二發光元件ED2和第三發光元件ED3。下無機層171可以覆蓋非顯示區域NDA中的堤部構件DM，並且可以延伸到(例如：超出)堤部構件DM的外部。
在一些實施例中，下無機層171可以完全覆蓋第一覆蓋層160。在一些實施例中，下無機層171的端部可以比第一基板110的邊緣更靠近外側(例如：朝向第一基板110的邊緣)。第一覆蓋層160的端部和第一覆蓋層160的端部可以被下無機層171完全覆蓋。
下無機層171可以包括複數個堆疊層。下面將描述下無機層171的更詳細結構。
有機層173可以位於下無機層171上，有機層173可以覆蓋顯示區域DA中的第一發光元件ED1、第二發光元件ED2和第三發光元件ED3。在一些實施例中，有機層173的一部分可以位於非顯示區域NDA中，但可以不位於堤部構件DM之外。儘管有機層173的一部分在圖式中比第一堤部D1更靠近內側，但是本揭露不限於此。在一些可選的實施例中，有機層173的一部分可以容納在第一堤部D1與第二堤部D2之間的空間中，並且有機層173的端部可以位於第一堤部D1與第二堤部D2之間。.
上無機層175可位於有機層173上，上無機層175可覆蓋有機層173。在一些實施例中，上無機層175可以在非顯示區域NDA中直接接觸下無機層171，以形成無機/無機接面(inorganic/inorganic junction)。在一些實施例中，上無機層175的端部和下無機層171的端部可以彼此基本對齊。上無機層175可以包括複數個堆疊層，上層無機層175的詳細結構下面將描述。
下無機層171和上無機層175各別可以由氮化矽、氮化鋁、氮化鋯、氮化鈦、氮化鉿、氮化鉭、氧化矽、氧化鋁、氧化鈦、氧化錫、氧化鈰、氮氧化矽(SiON)、氟化鋰等製造而成。
在一些實施例中，有機層173可以由丙烯酸樹脂、甲基丙烯酸樹脂、聚異戊二烯、乙烯基樹脂、環氧樹脂、聚氨酯樹脂、纖維素樹脂及/或苝系樹脂製成。
在下文中，將結合第1圖至第11圖進一步參照第12圖至第15圖描述色彩轉換基板30。
第12圖係示出了根據本揭露的一些實施例的顯示裝置的色彩轉換基板上的第三彩色濾光片的佈局的平面圖，第13圖係示出了根據本揭露的一些實施例的顯示裝置的色彩轉換基板上的第一彩色濾光片的佈局的平面圖，第14圖係示出了根據本揭露的一些實施例的顯示裝置的色彩轉換基板上的第二彩色濾光片的佈局的平面圖，第15圖係示出了根據本揭露一些實施例的顯示裝置的色彩轉換基板上的擋牆(bank)圖樣、第一波長轉換圖樣、第二波長轉換圖樣和透光圖樣的佈局的平面圖。
如第8圖和第11圖所示的第二基板310結構可以由透光材料製成。
在一些實施例中，第二基板310可以包括玻璃基板及/或塑膠基板。在一些實施例中，第二基板310可以進一步包括位於玻璃基板及/或塑膠基板上的單獨層，例如無機薄膜等絕緣層。
在一些實施例中，可以在第二基板310上定義複數個透光區TA1、TA2和TA3以及擋光區BA。當第二基板310包括玻璃基板時，第二基板310的折射率可以約為1.5。
如第8圖和第11圖所示，彩色濾光層可以設置在第二基板310的面向顯示基板10的表面上，彩色濾光層可以包括彩色濾光片231、233和235以及遮光圖樣250。
如第8圖、第11圖和第12圖至第14圖所示，彩色濾光片231、233和235可以分別與透光區TA1、TA2和TA3重疊。遮光圖樣250可以設置為與遮光區BA重疊。換言之，在本實施例中，遮光區BA可以被定義為設置有遮光圖樣250的區域。第一彩色濾光片231可以與第一透光區TA1重疊，第二彩色濾光片233可以與第二透光區TA2重疊，第三彩色濾光片235可以與第三透光區TA3重疊。遮光圖樣250可以設置為與遮光區域BA重疊，以阻擋光的透射。在一些實施例中，當從頂部看時(例如：在平面圖中)，遮光圖樣250可以設置成實質上晶格的形式。根據一個實施例，遮光圖樣250可以包含在第二基板310的表面上的第一遮光圖樣部分235a、在第一遮光圖樣部分235a上的第二遮光圖樣部分231a、以及在第二遮光圖樣部分231a上形成第三遮光圖樣部分233a。第一遮光圖樣部分235a可以包括與第三彩色濾光片235相同的材料，第二遮光圖樣部分231a可以包括與第一彩色濾光片231，並且第三遮光圖樣部分233a相同的材料可以包括與第二彩色濾光片233相同的材料。換言之，遮光圖樣250可以包括第一遮光圖樣部分235a、第二遮光圖樣部分231a和第三遮光圖樣部分235a的結構。遮光圖樣部分233a依序堆疊在遮光區域BA中的第二基板310的一個表面上。在一些實施例中，遮光圖樣250可以包括有機遮光材料，並且可以通過有機遮光材料的塗佈和曝光製程形成。例如：有機遮光材料可以包括黑色矩陣。
第一彩色濾光片231可以用作阻擋藍光和綠光的阻擋濾光器。在一些實施例中，第一彩色濾光片231可以選擇性地透射第一顏色的光(例如：紅光)，同時阻擋或吸收第二顏色的光(例如：綠光)和第三顏色的光(例如：藍光)。例如：第一彩色濾光片231可以是紅色彩色濾光片，並且可以包括紅色著色劑。第一彩色濾光片231可以包括基礎樹脂和分散在基礎樹脂中的紅色著色劑。如將在下面更詳細地描述的，第一彩色濾光片231可以包括至少兩層，該至少兩層可以包括第一層和位於第一層與第二基板310之間的第二層。
第二彩色濾光片233可以用作阻擋藍光和紅光的阻擋濾光器。在一些實施例中，第二彩色濾光片233可以選擇性地透射第二顏色的光(例如：綠光)，同時阻擋或吸收第三顏色的光(例如：藍光)和第一顏色的光(例如：紅燈)。例如：第二彩色濾光片233可以是綠色彩色濾光片，並且可以包括綠色著色劑。
第三彩色濾光片235可以選擇性地透射第三顏色的光(例如藍光)，同時阻擋或吸收第一顏色的光(例如紅光)和第二顏色的光(例如綠光)。在一些實施例中，第三彩色濾光片235可以是藍色彩色濾光片，並且可以包括例如藍色染料及/或藍色顏料的藍色著色劑。如本說明書所用，著色劑包括染料和顏料。
如第8圖和第11圖所示，覆蓋遮光圖樣250、第一彩色濾光片231、第二彩色濾光片233和第三彩色濾光片235的低折射率層391可以位於第二基板310的表面上。在一些實施例中，低折射率層391可以與第一彩色濾光片231、第二彩色濾光片233和第三彩色濾光片235直接接觸。另外，根據一些實施例，低折射率層391也可以是與遮光圖樣250直接接觸。
低折射率層391可具有比波長轉換圖樣340和350以及透光圖樣330低的折射率。例如：低折射率層391可由無機材料製成。例如：低折射率層391的材質可以為氮化矽、氮化鋁、氮化鋯、氮化鈦、氮化鉿、氮化鉭、氧化矽、氧化鋁、氧化鈦、氧化錫、氧化鈰、氮氧化矽等。在一些實施例中，低折射率層391可以包括複數個中空顆粒以降低折射率。
低折射率覆蓋層392可以進一步設置在低折射率層391與波長轉換圖樣340和350之間以及低折射率層391與透光圖樣330之間。在一些實施例中，低折射率覆蓋層392可以與波長轉換圖樣340和350以及透光圖樣330直接接觸。另外，根據一些實施例，低折射率覆蓋層392也可以與擋牆圖樣370直接接觸。
低折射率覆蓋層392可以具有比波長轉換圖樣340和350以及透光圖樣330低的折射率。例如：低折射率覆蓋層392可以由無機材料製成。例如：低折射率覆蓋層392可以由氮化矽、氮化鋁、氮化鋯、氮化鈦、氮化鉿、氮化鉭、氧化矽、氧化鋁、氧化鈦、氧化錫、氧化鈰、氮氧化矽等。在一些實施例中，低折射率覆蓋層392可以包括複數個中空顆粒，以降低折射率。
低折射率覆蓋層392可以防止或減少第一彩色濾光片231、第二彩色濾光片233和第三彩色濾光片235被例如濕氣及/或從外部引入的空氣的雜質損壞及/或污染的情況。此外，低折射率覆蓋層392可以防止或減少第一彩色濾光片231、第二彩色濾光片233和第三彩色濾光片235中包含的著色劑擴散到其他元件(例如：第一波長轉換圖樣340和第二波長轉換圖樣350)中的情況等。
在一些實施例中，低折射率層391和低折射率覆蓋層392可以覆蓋非顯示區域NDA中的遮光圖樣250的側表面。此外，根據一些實施例，低折射率覆蓋層392可以與非顯示區域NDA中的第二基板310直接接觸。
擋牆圖樣370可以位於低折射率覆蓋層392面向顯示基板10的表面上。在一些實施例中，擋牆圖樣370可以直接位於低折射率覆蓋層392的表面上，並且可以是與低折射率覆蓋層392直接接觸。
在一些實施例中，擋牆圖樣370可以設置為覆蓋非發光區NLA或遮光區BA。例如：遮光區BA可以完全覆蓋擋牆圖樣370，並且位於遮光區BA中的遮光圖樣250可以完全覆蓋擋牆圖樣370。遮光圖樣250可以具有面積當從頂部看時(例如：在平面圖中)大於擋牆圖樣370的面積，並且每個彩色濾光片231、233和235的面積可以小於波長轉換圖樣340及350和透光圖樣330的面積。
在一些實施例中，如第15圖所示，當從頂部看時(例如：在平面圖中)，擋牆圖樣370可以限定形成第一波長轉換圖樣340、第二波長轉換圖樣350和透光圖樣330各別的空間。
在一些實施例中，擋牆圖樣370可實施為單一個體的單一圖樣，如第15圖中所示，但本揭露不限於此。在替代實施例中，圍繞(例如：圍繞)第一透光區TA1的擋牆圖樣370的部分、圍繞(例如：圍繞)第二透光區TA2的擋牆圖樣370的部分，以及圍繞(例如：環繞)第三透光區TA3擋牆圖樣370的部分可以形成為彼此分離的單獨圖樣。
當第一波長轉換圖樣340、第二波長轉換圖樣350和透光圖樣330通過利用噴嘴噴射墨水組合物的方法即噴墨印刷方法形成時，擋牆圖樣370可用作作為將噴出的油墨組合物穩定地定位在期望或合適位置的引導件。換言之，擋牆圖樣370可以用作阻擋壁部(barrier rib)。
在一些實施例中，擋牆圖樣370可以與像素限定層150重疊。
如第11圖所示，在一些實施例中，擋牆圖樣370可以進一步位於非顯示區域NDA中。擋牆圖樣370可以與非顯示區域NDA中的遮光圖樣250重疊。
在一些實施例中，擋牆圖樣370可以包括具有光固化能力的有機材料。此外，根據一些實施例，擋牆圖樣370可以包括具有光固化能力，並且包括遮光材料的有機材料。在擋牆圖樣370具有遮光特性的情況下，擋牆圖樣370可以防止或實質上防止光侵入(例如：混合)到顯示區域DA中的相鄰發光區之間。例如：擋牆圖樣370可以阻擋從第二發光元件ED2發射的出射光LE進入與第一發光區LA1重疊的第一波長轉換圖樣340。此外，擋牆圖樣370可以阻擋或防止外部光進入位於非發光區NLA和非顯示區域NDA中的擋牆圖樣370下方的元件。
如第8圖和第11圖所示，第一波長轉換圖樣340、第二波長轉換圖樣350和透光圖樣330可以位於低折射率層391上。在一些實施例中，第一波長轉換圖樣340、第二波長轉換圖樣350和透光圖樣330可以位於顯示區域DA中。
透光圖樣330可以與第三發光區LA3和第三發光元件ED3重疊，透光圖樣330可以位於第三透光區TA3中由擋牆圖樣370限定的空間中。
在一些實施例中，透光圖樣330可以形成為島狀圖樣，如第15圖所示。
透光圖樣330可以透射入射光，由第三發光元件ED3提供的出射光LE可以是如上所述之藍光。作為藍光的出射光LE穿過透光圖樣330和第三彩色濾光片230，並且出射(例如：發射)到顯示裝置1的外部，即從第三發光區LA3發射到顯示裝置1的外部的第三光線L3可以是藍光。
在一些實施例中，透光圖樣330可以包括第三基礎樹脂331，並且可以進一步包括分散在第三基礎樹脂331中的第三散射體333。在下文中，包含在透光圖樣330中的基礎樹脂、散射體及/或波長偏移體和波長轉換圖樣340和350係由「第一(first)」、「第二(second)」和「第三(third)」的序數表示，以區分透光圖樣330和波長轉換的元件圖樣340和350。然而，本說明書中用來表示透光圖樣330和波長轉換圖樣340和350的各個元件的「第一(first)」、「第二(second)」和「第三(third)」的序數不受限制。此外，可以改變其順序，以引用各個元件。
第三基礎樹脂331可以由具有高透射率的材料製成。在一些實施例中，第三基礎樹脂331可以由有機材料形成。例如：第三基礎樹脂331可以包括環氧基樹脂、丙烯酸基樹脂、卡多樹脂(cardo-based resin)及/或醯亞胺基樹脂。
第三散射體333可以具有不同於第三基礎樹脂331的折射率，並且可以與第三基礎樹脂331形成光學界面。例如：第三散射體333可以是光散射體。第三散射體333的材質只要能夠散射至少一部分透射光即可，沒有特別限定。例如：第三散射體333可以是金屬氧化物顆粒或有機顆粒。金屬氧化物的示例可包括：氧化鈦(TiO
2)、氧化鋯(ZrO
2)、氧化鋁(Al
2O
3)、氧化銦(In
2O
3)、氧化鋅(ZnO)、氧化錫(SnO
2)等。有機顆粒的材料的示例可包括：丙烯酸類樹脂、聚氨酯類樹脂等。例如：根據實施例的第三散射體333可包括二氧化鈦(TiO
2)。
第三散射體333可以在隨機方向上散射光，而不管入射光進入的方向如何，而實質上不改變透射穿過透光圖樣330的光的波長。在一些實施例中，透光圖樣330可以直接接觸擋牆圖樣370。
第一波長轉換圖樣340可以與第一發光區LA1、第一發光元件ED1或第一透光區TA1重疊。
在一些實施例中，第一波長轉換圖樣340可以位於第一透光區TA1中由擋牆圖樣370限定的空間中。
在一些實施例中，第一波長轉換圖樣340可以形成為島形圖樣，如第15圖所示。
第一波長轉換圖樣340可以將入射光的峰值波長轉換(convert)或偏移(shift)為另一峰值波長的光線，然後發射該光線。第一波長轉換圖樣340的波長轉換或移動可以通過將在下面更詳細描述的第一波長偏移體345來執行。在一些實施例中，第一波長轉換圖樣340可以將從第一發光元件ED1提供的出射光LE轉換成峰值波長在610至650nm範圍內的紅光。
在一些實施例中，第一波長轉換圖樣340可以包括第一基礎樹脂341和分散在第一基礎樹脂341中的第一波長偏移體345，並且可以進一步包括分散在第一基礎樹脂341中的第一散射體343。
第一基礎樹脂341可以由具有高透射率的材料製成。在一些實施例中，第一基礎樹脂341可以由有機材料形成。在一些實施例中，第一基礎樹脂341可以由與第三基礎樹脂331相同的材料製成，或者可以包括以上作為第三基礎樹脂331的構成材料的示例列出的材料中的至少一種。
第一波長偏移體345的示例可以包括量子點、量子棒及/或磷光體。例如：量子點可以是當電子從傳導帶(conduction band)躍遷到價電帶(valence band)時發出特定顏色的顆粒物質。
量子點可以是半導體奈米晶體材料。量子點具有取決於它們的組成和尺寸的特定帶隙(band gap)，並且可以吸收光然後發射具有固有波長的光。量子點的半導體奈米晶體的示例可以包括：IV族奈米晶體、II-VI族化合物奈米晶體、III-V族化合物奈米晶體、IV-VI族奈米晶體或其組合。
II-VI族化合物可選自於由以下所組成的群組：選自於CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS及其混合物的二元化合物；選自於InZnP、AgInS、CuInS、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnSe、HgZnSe、HgZnSe、MgZnSe、MgZnS及其混合物的三元化合物；以及選自於HgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe及其混合物的四元化合物。
III-V族化合物可以選自於由以下所組成的群組：選自於GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb及其混合物的二元化合物；選自於GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InNP、InAlP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb及其混合物的三元化合物；以及選自於GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb及其混合物的四元化合物。
IV-VI族化合物可選自於由以下所組成的群組：選自於SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe及其混合物的二元化合物；選自於SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe及其混合物的三元化合物；以及選自於SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe及其混合物的四元化合物。IV族元素可以選自於由Si、Ge及其混合物組成的群組，IV族化合物可以是選自於SiC、SiGe及其混合物的二元化合物。
二元化合物、三元化合物或四元化合物可以以均勻的濃度存在於顆粒中，或者可以以部分不同的濃度存在於相同的顆粒中。此外，它們可以具有核/殼結構，其中一個量子點圍繞(例如：包圍)另一個量子點。在核和殼之間的界面處，可能存在濃度梯度，其中殼中原子的濃度可能朝向核中心降低。
在一些實施例中，量子點可以具有核-殼結構，包括包含上述奈米晶體的核和圍繞(例如：圍繞)核的殼。量子點的殼可以用作保護層，以通過防止或減少核的化學變性的情況來維持半導體性質及/或用作充電層，以賦予量子點電泳性質。外殼可以是單層或多層。在核和殼之間的界面處可以存在殼中原子濃度朝向核中心降低的梯度。量子點的殼的示例可包括金屬或非金屬的氧化物、半導體化合物、其組合等。
例如：金屬或非金屬氧化物的示例可以包括但本揭露不限於：二元化合物，例如：SiO
2、Al
2O
3、TiO
2、ZnO、MnO、Mn
2O
3、Mn
3O
4、CuO、FeO、Fe
2O
3、Fe
3O
4、CoO、Co
3O
4及/或NiO，及/或三元化合物，例如：MgAl
2O
4、CoFe
2O
4、NiFe
2O
4及/或CoMn
2O
4。
半導體化合物的示例可包括但本揭露不限於：CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP、AlSb等。
從第一波長偏移體345輸出的光可具有大約(約)45nm以下、大約(約)40nm以下、或大約(約)30以下的發射波長光譜的半峰全寬(FWHM)。以此方式，可以進一步提高顯示裝置1顯示的顏色的色彩純度和色彩再現性。此外，無論入射光的入射方向如何，從第一波長偏移體345輸出的光都可以在不同的方向上行進。以此方式，可以提高第一透光區TA1中顯示的第一顏色的側面可視性。
從第一發光元件ED1提供的一部分出射光LE可以不被第一波長偏移體345轉換成紅光，而是可以穿過第一波長轉換圖樣340。出射光LE的未被第一波長轉換圖樣340轉換但入射在第一彩色濾光片231上的分量可被第一彩色濾光片231阻擋。另一層面，由第一波長轉換圖樣340轉換出射光LE而來的紅光穿過第一彩色濾光片231射出(例如：發射)到外面。換言之，通過第一透光區TA1出射(例如：發射)到顯示裝置1的外部的第一光線L1可以是紅光。
第一散射體343可以具有與第一基礎樹脂341不同的折射率，並且可以與第一基礎樹脂341形成光學界面。例如：第一散射體343可以是光散射體。第一散射體343實質上與上述的第三散射體333相同。因此，將省略冗餘的描述。
第二波長轉換圖樣350可以位於第二透光區TA2中由擋牆圖樣370限定的空間中。
在一些實施例中，第二波長轉換圖樣350可以形成為島形圖樣，如第15圖所示。
第二波長轉換圖樣350可以將入射光的峰值波長轉換或偏移為另一峰值波長的光然後發射光。第二波長轉換圖樣350的波長轉換或移動可以通過將在下面更詳細描述的第二波長偏移體355來執行。在一些實施例中，第二波長轉換圖樣350可以將從第二發光元件ED2提供的出射光LE轉換成大約510至550nm範圍內的綠光。
在一些實施例中，第二波長轉換圖樣350可以包括第二基礎樹脂351和分散在第二基礎樹脂351中的第二波長偏移體355，並且可以進一步包括分散在第二基礎樹脂351中的第二散射體353。
第二基礎樹脂351可以由具有高透射率的材料製成。在一些實施例中，第二基礎樹脂351可以由有機材料形成。在一些實施例中，第二基礎樹脂351可以由與第三基礎樹脂331相同的材料製成，或者可以包括以上作為第三基礎樹脂331的構成材料的示例所列出的材料中的至少一種。
第二波長偏移體355的示例可以包括：量子點、量子棒及/或磷光體。第二波長偏移體355與第一波長偏移體345實質上相同；因此，將省略冗餘的描述。
在一些實施例中，第一波長偏移體345和第二波長偏移體355可以全部由量子點製成。在這種情況下，形成第二波長偏移體355的量子點的粒徑可以小於形成第一波長偏移體345的量子點的粒徑。
第二散射體353可以具有與第二基礎樹脂351不同的折射率，並且可以與第二基礎樹脂351形成光學界面。例如：第二散射體353可以是光散射體。第二散射體353實質上與上述的第一散射體343相同。因此，將省略冗餘的描述。
從第三發光元件ED3發出的出射光LE可以被提供給第二波長轉換圖樣350。第二波長偏移體355可以將從第三發光元件ED3提供的出射光LE轉換成其峰值波長為約510至550nm的範圍內的綠光。
藍光的出射光LE的一部分可能不會被第二波長偏移體355轉換成綠光，而是會穿過第二波長轉換圖樣350，並且會被第二彩色濾光片233阻擋。另一層面，由第二波長轉換圖樣350從出射光LE轉換的綠光穿過第二彩色濾光片233，以出射(例如：發射)到外部。因此，從第二透光區TA2出射(例如：發射)到顯示裝置1的外部的第二光線L2可以是綠光。
根據一實施例，波長轉換圖樣340和350以及透光圖樣330的厚度t1可以是大約(大約)8μm至(大約)12μm。
與此同時，為了提高顯示裝置1的波長轉換圖樣340和350的光轉換效率，定義了光轉換效率。波長轉換圖樣340和350的光轉換效率可以通過考慮波長轉換圖樣340和350中的波長偏移體345和355的光吸收率(或吸光度)(此處的光為從各發光區LA1、LA2出射的第三顏色的出射光，並且通過波長偏移體345、355轉換波長的光的一部分)、波長偏移體345、355的量子產率、通過波長偏移體345和355轉換波長的光的提取效率來計算。通過波長偏移體345和355轉換波長的光的一部分係其波長在波長偏移體345和355的吸收波長範圍內的光，並且係指光被波長偏移體345和355再次吸收。通過波長偏移體345和355轉換波長的光的提取效率係指從通過透光區TA1和TA2射出的光(例如：強度)與通過波長偏移體345和355轉換波長的光(例如：強度)之比率。
在影響波長轉換圖樣340與350的光轉換效率的因素中，波長偏移體345和355的量子產率是波長偏移體345和355的材料固有特性(例如：當波長偏移體345和355包括InP時，量子產率是90%或更高)，並且其波長通過波長偏移體345和355轉換的光的提取效率係由具有發光元件的基板30的結構決定。因此，為了提高根據本揭露的顯示裝置1的波長轉換圖樣340和350的光轉換效率，需要考慮波長偏移體345和355在波長轉換圖樣340和350中的光吸收率。
作為提高波長轉換圖樣340、350中的波長轉換圖樣345、355的光吸收率的方法之一，可以考慮增加波長轉換圖樣340、350的厚度t1，並且增加波長轉換圖樣340、350的波長偏移體345、355的數量。然而，當波長轉換圖樣340和350的厚度t1增加時，在波長轉換圖樣340和350的製造過程中難以形成適當的錐度(taper)(例如：錐形(taper shaped))，從而難以實現高分辨率。即使當通過增加波長轉換圖樣340和350的厚度t1，並相應地增加波長偏移體345和355的數量來增加波長偏移體345和355的吸光度時，隨著波長轉換圖樣340和350的厚度t1的增加，波長轉換圖樣340和350也增加，使得通過波長偏移體345和355轉換波長的光線L1和L2可以被相鄰的擋牆圖樣370吸收。因此，提高整體光轉換效率是有限的。
作為提高波長轉換圖樣340和350中的波長偏移體345和355的光吸收率的替代方法之一，可以考慮增加波長轉換圖樣340和350中的散射體343和353的密度(或含量或濃度)。當波長轉換圖樣340和350中的散射體343和353的密度(或含量或濃度)增加時，散射體343和353散射未被波長偏移體345和355吸收的第三光線，使得可以增加波長偏移體345和355的光吸收率。然而，當波長轉換圖樣340和350中的散射體343和353的密度(或含量或濃度)大於或等於一定水平時，可能會出現發生散射體343和353的分散性降低的現象，分散性降低的現象可以包含在波長轉換圖樣340和350的上部的散射體343和355之間的乳化(例如凝結)、波長轉換圖樣340和350的下部的沉降、在散射體343和353之間的絮凝和聚結等。
因此，有必要設計合適的散射體343和353的含量(例如：數量或濃度)，以最大化或增加光散射效果，同時最小化或減少上述分散性降低的現象，即使當波長轉換圖樣340和350中的散射體343和353的密度(或含量或濃度)增加。
覆蓋層393可以位於擋牆圖樣370、透光圖樣330、第一波長轉換圖樣340和第二波長轉換圖樣350上。覆蓋層393可以覆蓋透光圖樣330、第一波長轉換圖樣波長轉換圖樣340和第二波長轉換圖樣350。在一些實施例中，覆蓋層393也可以位於非顯示區域NDA中。非顯示區域NDA(請參見例如第1圖)中的覆蓋層393可以與低折射率層391直接接觸，並且可以密封透光圖樣330、第一波長轉換圖樣340、因此，覆蓋層393可以防止或減少透光圖樣330、第一波長轉換圖樣340和第二波長轉換圖樣350被例如濕氣及/或從外部引入的空氣的雜質損壞或污染的情況。
在一些實施例中，第三覆蓋層393可以在非顯示區域NDA中圍繞(例如：包圍)擋牆圖樣370的外表面。此外，第三覆蓋層393可以與非顯示區域NDA中的低折射率覆蓋層392直接接觸。
在一些實施例中，覆蓋層393可以由無機材料製成。在一些實施例中，覆蓋層393可以由與低折射率層391相同的材料製成，或者可以包括以上列出的作為低折射率層391的材料中的至少一種。當低折射率層391和覆蓋層393兩者(例如：同時)由無機材料製成時，低折射率層391和覆蓋層393在非顯示區域NDA中可以彼此直接接觸，以形成無機-無機接面。
如上所述，在非顯示區域NDA中，密封構件50可以位於色彩轉換基板30與顯示基板10之間。
密封構件50可以與封裝層170重疊。例如：密封構件50可以與下無機層171和上無機層175重疊，並且可以不與有機層173重疊。在一些實施例中，密封構件50可以是與封裝層170直接接觸。例如：密封構件50可以直接位於上無機層175上，並且可以與上無機層175直接接觸。
在一些實施例中，位於密封構件50下方的上無機層175和下無機層171可以延伸(例如：超出)到密封構件50的外部。
密封構件50可以與非顯示區域NDA中的遮光圖樣250、第一彩色濾光片231和擋牆圖樣370重疊。在一些實施例中，密封構件50可以與覆蓋擋牆圖樣370的覆蓋層393直接接觸。
密封構件50可以與包括連接到連接焊墊PD的線路等的第一閘極金屬WR1重疊。由於密封構件50設置為與第一閘極金屬WR1重疊，因此可以減小非顯示區域NDA的寬度。
填充物70可以位於由色彩轉換基板30、顯示基板10和密封構件50限定的空間中，如上所述。在一些實施例中，如第8圖和第11圖所示，填充物70可以與封裝層170的覆蓋層393和上無機層175直接接觸。
在下文中，用於提高顯示裝置1的波長轉換圖樣340和350的光轉換效率的波長偏移體345和355的含量(例如：濃度)(%)和散射體343和353的含量(例如：濃度)(%)將結合第1圖至第15圖進一步參照第16圖至第24圖進行更詳細的描述。
第16圖係示出了根據用於第二波長轉換圖樣的每一指示厚度的第二波長偏移體的含量(例如：濃度)下，第二波長轉換圖樣的相對外部量子產率EQE的曲線圖。第17圖係示出了根據用於第二波長轉換圖樣的每個厚度之第三散射體的含量(例如：濃度)下，第二波長轉換圖樣的相對外部量子產率EQE的曲線圖。第18圖係示出了在噴墨打印過程中根據第二波長轉換圖樣的第二波長偏移體的濃度變化下，第二波長轉換圖樣材料的黏度的曲線圖。第19圖係示出了根據第一波長轉換圖樣的每個厚度的第一波長偏移體的濃度下，第一波長轉換圖樣的相對外部量子產率EQE的曲線圖。第20圖係示出了根據第一波長轉換圖樣的每個厚度的第二散射體的濃度下，第一波長轉換圖樣的相對外部量子產率EQE的曲線圖。第21圖示出了在噴墨打印過程中根據第一波長轉換圖樣的第一波長偏移體的含量(例如：濃度)變化下，第一波長轉換圖樣材料的黏度的曲線圖。第22圖係示出了根據透光圖樣的第一散射體的濃度之透射率(%)和白角差(white angle difference, WAD)特性的曲線圖。
首先，參照第8圖和第16圖，圖是橫軸。第16圖的圖表的橫軸表示第二波長轉換圖樣350的第二波長偏移體355的含量(例如：濃度)(%)(或QD wt%)，縱軸表示相對外部量子產率EQE。在下文中，材料(例如：波長偏移體345和355以及散射體333、343和353)的含量(例如：濃度)(%)表示各波長轉換圖樣340、350中材料的重量比(例如：材料的重量與各波長轉換圖樣340、350的總重量的比率)，重量比可通過感應耦合電漿質譜儀(ICP-MS)來測量。感應耦合電漿質譜儀(ICP-MS)是一種分析技術，分析波長轉換圖樣340和350以及透光圖樣330中各元素的含量(例如：濃度)，以獲得含量(例如：濃度)波長偏移體345和355以及散射體333、343和353的分析。該分析技術是本發明所屬領域中具有通常知識者已知的，因此將省略其詳細描述。此外，可以利用熱重分析(TGA)等。熱重分析(TGA)也是本發明所屬領域中具有通常知識者已知的，因此將省略其詳細描述。
此外，外部量子產率EQE具有類似於波長轉換圖樣340和350的光轉換效率的含義。為了容易地顯示出根據圖表上的變量的變化下的光轉換效率，即第16圖中表的第二波長轉換圖樣350的厚度t1與第二波長偏移體355的含量(wt%)(例如：濃度)的變化，假設當散射體353的含量(wt%)(例如：濃度)為3(即3 wt%)時，第二波長轉換圖樣350的外部量子產率為100%，第二波長偏移體355的含量(wt%)(例如：濃度)為34(即34wt%)，厚度t1為8μm，根據厚度t1下的第二波長轉換圖樣350的外部量子效率以及第二波長偏移體355的含量(wt%)(例如：濃度)的變化係相對於100%的外部量子產率來表示。
同樣地，在第17圖中，假設當第二波長偏移體355的含量(wt%)(例如：濃度)為45(即45wt%)時，外部量子產率為100%，散射體353的含量(wt%)(例如：濃度)為1.5(即1.5wt%)，厚度t1為12μm。如第19圖所示，假設當散射體343的含量(wt%)(例如：濃度)為4(即4wt%)時，外部量子產率為100%，第一波長偏移體345為31(即31wt%)，厚度t1為8μm。
在第20圖中，假設當第一波長偏移體345的含量(wt%)(例如：濃度)為36(即36wt%)時，外部量子產率為100%，散射體353的含量(wt%)(例如：濃度)為1.0(即1.0wt%)，厚度t1為12μm。
如第16圖所示，第二波長偏移體355的含量(wt%)(例如：濃度)與光轉換效率成比率。換言之，當第二波長偏移體355的數量增加時，光轉換效率增加。另外，可以看出，第二波長轉換圖樣350的厚度t1也與光轉換效率成正比。換言之，當第二波長轉換圖樣350的厚度t1增加時，光轉換效率增加。根據實施例的第二波長偏移體355的光吸收率可以低於第一波長偏移體345的光吸收率。因此，當通過增加在第二波長轉換圖樣350中的第二波長偏移體355的密度(例如：濃度或重量比)或者增加第二波長轉換圖樣350的厚度t1來增加第二波長偏移體355的數量時，可以提高第二波長轉換圖樣350的光轉換效率。此外，由此可見，無論第二波長轉換圖樣350的厚度(t1)如何，當第二波長偏移體355的含量(wt%)(例如：濃度)為40(即40wt%)以上時，第二波長轉換圖樣350的第二波長偏移體355的光轉換效率會急劇增加。因此，第二波長偏移體355的含量(wt%)(例如：濃度)較佳為40(即40wt%)以上。
然後，請參照第8圖和第17圖，第17圖的水平軸表示第二散射體353的含量(例如：數量)(TiO
2，wt%)，縱軸表示第二波長轉換圖樣350的相對外部量子產率(relative EQE)。如第17圖所示，在第二散射體353的含量(例如：濃度)(TiO
2，wt%)為1至5(即1至5wt%)的區段中，無論第二波長轉換圖樣350的厚度t1如何，光轉換效率都會增加。可見，第二波長轉換圖樣350的光轉換效率從第二散射體353的含量(例如：濃度)(TiO
2，wt%)超過5(即5 wt%)的區段開始下降。如上所述，在第二散射體353的含量(例如：濃度)(TiO
2，wt%)為1至5(即1至5wt%)的區段中，不被第二波長偏移體355吸收的第三光線(例如：藍光)被第二散射體353散射，從而增加第二波長偏移體355的光吸收率，但是從第二散射體353的含量(例如：濃度)(TiO
2，wt%)超過5(即5 wt%)的區段中，會出現第二散射體353之間的分散性降低的現象，這可能導致第二波長轉換圖樣350的光轉換效率降低。此外，如第17圖所示，對於第二波長轉換圖樣350的每個厚度t1(8μm、10μm和12μm)，在第二散射體353的含量(wt%)(例如：濃度)為2(即2wt%)至小於3(即3wt%)，根據第二散射體353的含量(wt%)(例如：濃度)的第二波長轉換圖樣350的相對外部量子產率的增加率逐漸減小，而在第二散射體353的含量(wt%)(例如：濃度)大於或等於3(即3wt%)且小於或等於5(即5wt%)，根據第二散射體353的含量(wt%)(例如：濃度)的第二波長轉換圖樣350的相對外部量子產率的增加率逐漸增加。因此，第二波長轉換圖樣350的第二散射體353的含量(wt%)(例如：濃度)較佳為3至5(即3至5wt%)。
請參照第8圖和第18圖，第18圖的水平軸表示第二波長轉換圖樣350的第二波長偏移體355的含量(例如：濃度)(G-QD，wt%)，縱軸表示當通過噴墨印刷製程形成第二波長轉換圖樣350時的第二波長轉換圖樣材料固化前的黏度(cps)。一般而言，在通過噴墨印刷製程噴射第二波長轉換圖樣材料的情況下，當第二波長轉換圖樣材料的黏度(cps)大約(about)35cps以上時，具有高黏度的第二波長轉換圖樣材料變得難以從噴墨印刷製程中使用的打印頭的噴嘴噴射(或噴出)，從而導致第二波長轉換圖樣材料的噴射失敗。因此，根據一個實施例的第二波長偏移體355的含量(wt%)(例如：濃度)較佳為約(about)45(即45wt%)以下。
接著，第19圖的曲線圖的水平軸表示第一波長轉換圖樣340的第一波長偏移體345的含量(例如：濃度)(%)(或QD wt%)，縱軸表示相對外部量子產率EQE。在第19圖中，第一散射體343(TiO
2)的含量(wt%)(例如：濃度)固定為4(即4 wt%)。
如第19圖所示，第一波長偏移體345的含量(wt%)(例如：濃度)與相對外部量子產率成比率。另外，可以看出，第一波長轉換圖樣340的厚度t1也與相對外部量子效率成正比。如在第二波長轉換圖樣350中，當通過增加第一波長轉換圖樣340中的第一波長轉換圖樣345的密度或增加第一波長轉換圖樣340的厚度t1來增加第一波長轉換圖樣345的數量時，可以增加第一波長轉換圖樣340的相對外部量子產率。
此外，較佳地，第一波長轉換圖樣340在第一波長轉換圖樣340的厚度t1(8μm至12μm)的範圍內具有均勻的光轉換效率，同時增加第一波長轉換圖樣340的光轉換效率。考慮到這一事實，第一波長偏移體345的含量(wt%)(例如：濃度)較佳為35至40(即35至40wt%)。在此，對於第一波長轉換圖樣340的厚度t1的範圍(8μm至12μm)的均勻光轉換效率係指根據第一波長轉換圖樣340的厚度t1(8μm至12μm)在第一波長偏移體345的特定含量(wt%)(例如：濃度)下的相對外部量子產率的差異為約2%以下(y2與y1之間的相對外部量子產率的變化率d1為2%以下)。
然後，請參照第8圖和第20圖，第20圖的水平軸表示第一散射體343的含量(例如：濃度)(TiO
2，wt%)，縱軸表示第一波長轉換圖樣340的相對外部量子產率(relative EQE)。第一波長偏移體345的含量(例如：濃度)(R-GD，wt%)被固定為36(例如：36wt%)。如第20圖所示，當第一散射體343的含量(例如：濃度)(TiO
2，wt%)為1至3.5(例如：1至3.5wt%)時，無論第一波長轉換圖樣340的厚度t1如何，皆增加了光轉換效率；當第一波長轉換圖樣340的厚度t1為10μm時，相對外部量子產率在大約(約)4.5%時飽和。當第一波長轉換圖樣340的厚度t1為8μm時，相對外部量子產率在約(about)5.0%時飽和。此外，較佳地，第一波長轉換圖樣340在第一波長轉換圖樣340的厚度t1(8μm至12μm)的範圍內具有均勻的光轉換效率，同時增加第一波長轉換圖樣340的光轉換效率。滿足該條件的第一波長轉換圖樣340的第一散射體343的含量(wt%)(例如：濃度)較佳為3至6(例如：3至6wt%)，更佳為3至5(例如：3至5wt%)。在一個實施例中，根據第一波長轉換圖樣340的厚度t1的相對外部量子產率的變化率可以被最小化或減小的範圍可以是大約3到6(例如：3到6wt%)，更佳3至5(例如：3至5wt%)。在此，較佳將相對外部量子產率的變化率調整為5%以下(y4與y3的相對外部量子效率的變化率d2為5%以下)。
請參照第8圖和第21圖中，第21圖的橫軸表示第一波長轉換圖樣340的第一波長偏移體345的含量(例如：濃度)(R-QD，wt%)，縱軸表示當通過噴墨印刷製程形成第一波長轉換圖樣340時第一波長轉換圖樣材料固化前的黏度(cps)。通常地，在通過噴墨印刷製程噴射第一波長轉換圖樣材料的情況下，當第一波長轉換圖樣材料的黏度(cps)約為28cps以上時，第一波長轉換圖樣材料變得難以噴出。噴墨印刷製程中使用的印刷頭的噴嘴噴出(或噴射)的黏性較高，從而導致第一波長轉換圖樣材料噴射失敗。因此，根據一個實施例的第一波長偏移體345的含量(wt%)(例如：濃度)較佳為大約40(例如：40wt%)以下。
同時，在第二波長偏移體355的含量(wt%)(例如：濃度)大於第一波長偏移體345的含量(wt%)(例如：濃度)的情況下，含量(wt%)第一波長偏移體345的含量(例如：濃度)可以較佳為35至40(例如：35至40wt%)以下，並且第二波長偏移體355的含量(例如：濃度)較佳為40至45(例如：40至45wt%)。如上所述，由於第二波長偏移體的吸光度355對於第三光線的吸光度低於第一波長偏移體345對於第三光線的吸光度，第二波長偏移體355的含量(wt%)(例如：濃度)大於第一波長偏移體345的含量(wt%)(例如：濃度)。換言之，通過將第二波長偏移體355的含量(wt%)(例如：濃度)設計成大於第一波長偏移體345的含量(wt%)(例如：濃度)，第二波長偏移體355的較低吸光度與第一波長偏移體345對於第三光線的吸光度相比，對於第三光線的波長偏移體355可以被補償。在一些實施例中，為了補償第二波長偏移體355對第三光線的吸光度與第一波長偏移體345對第三光線的吸光度相比的較低吸光度，第一波長轉換圖樣340中的第一波長偏移體345的含量(wt%)(例如：濃度)和第二波長轉換圖樣350中的第二波長偏移體355的含量(wt%)(例如：濃度)的比率可以是1:1.1到1:1.3。
接著，請參照第8圖和第22圖，第22圖的水平軸表示第一散射體(TiO
2)333的濃度(或含量(例如：數量)、重量比(wt%))，縱軸表示第三透光區域TA3中與顯示裝置1的顯示面垂直的直線與白光的路徑夾角為0°的情況下的亮度、第三透光區域TA3中與顯示裝置1的顯示面垂直的直線與白光的入射路徑夾角為60°的情況下的亮度以及第三透光區域TA3的透射率(%)之間的比率(白角差(WAD)特性)。
如第22圖所示，隨著第三散射體333的含量(wt%)(例如：濃度)增加，顯示裝置1的顯示面的垂直線與白光的入射路徑的夾角為0°的情況下的亮度以及顯示裝置1顯示面的垂直線與白光的入射路徑夾角為60°的情況下的亮度之間的比率(以下簡稱為正面亮度比(%))增加，並且隨著第三散射體333的含量(wt%)(例如：濃度)增加，第三透光區TA3中的透射率(%)降低。根據第三散射體333的含量(wt%)(例如：濃度)的增加而使第三透光區TA3中的透射率(%)的降低可能是由於透光圖樣330的透明度隨著透光圖樣330中第三散射體333的含量(wt%)(例如：濃度)增加而減少所導致。此外，根據第三散射體333的含量(wt%)(例如：濃度)的增加而使正面亮度比的增加可能是由於從第三發射區域LA入射的第三光線被第三散射體333散射的程度增加所導致。在根據實施例的顯示裝置1的第三透光區TA3中，正面亮度比(%)較佳為70以上，並且第三區域的透射率(%)透光面積TA3較佳為68以上。滿足這些條件的第三散射體333的含量(wt%)(例如：濃度)可以是4.5至9(例如：4.5至9 wt%)。在一些實施例中，第三散射體333在透光圖樣330中的含量(wt%)(例如：濃度)與第二散射體353在第二散射體330中的含量(wt%)(例如：濃度)之間的比率以及波長轉換圖樣350中的第三散射體333的含量(wt%)(例如：濃度)與第一波長轉換圖樣340中的第一散射體343的含量(wt%)(例如：濃度)之間的比率可以分別為1:1.2至1:1.7。換言之，當透光圖樣330中的第三散射體333的含量(wt%)(例如：濃度)與第二波長轉換圖樣350中的第二散射體353的含量(wt%)(例如：濃度)之間的比率以及透光圖樣330中的第三散射體333的含量(wt%)(例如：濃度)與第一波長轉換圖樣340中的第一散射體343的含量(wt%)(例如：濃度)之間的比率各自為1:1.2以上，可以在顯示裝置1的第三透光區TA3中實現高正面亮度比。當透光圖樣330中的第三散射體333的含量(wt%)(例如：濃度)與第二波長轉換圖樣350中的第二散射體353的含量(wt%)(例如：濃度)的比率以及透光圖樣330中的第三散射體333的含量(wt%)(例如：濃度)與第一波長轉換圖樣340中的第一散射體343的含量(例如：濃度)各自為1∶1.7以下，就第三透光區TA3中的透光效率而言，可以實現一定水平以上的透射率(%)。
根據本發明的實施例，可以提高波長轉換圖樣的光轉換效率。
在描述本揭露的實施例時使用「可以（may）」係指「本揭露的一個或複數個實施例」。
如本說明書所用，術語「實質上(substantially)」、「大約(about)」和類似術語用作近似詞而非度量，並且用於解釋固有誤差、測量、計算及/或提供數值，且可以被本發明所屬領域中具有通常知識者所認可。
此處引用的任何數值範圍都是有意的d包括包含在該範圍內的具有相同數值精度的所有子範圍。例如：「1.0至10.0」的範圍旨在包含在所列舉的最小值1.0和所列舉的最大值10.0之間(並包含在內)的所有子範圍，即具有等於或大於1.0的最小值，並且等於或小於10.0的最大值，例如2.4至7.6。本說明書所述之任何最大數值限制旨在包括其中包含的所有較低數值限制，並且本說明書中所述之任何最小數值限制旨在包括其中包含的所有較高數值限制。因此，申請人保留修改本說明書(包括請求項)以明確列舉包含在本說明書明確列舉的範圍內的任何子範圍的權利。
根據此處描述的本發明的實施例的電子裝置、顯示裝置及/或任何其他相關設備或組件可以利用任何合適的硬件、固件(例如專用積體電路)、軟件或組合來實現軟件、固件和硬件。例如：該裝置的各種組件可以形成在一個積體電路(IC)晶片上或形成在單獨的IC晶片上。此外，該裝置的各種組件可以在柔性印刷電路膜、載帶封裝(TCP)、印刷電路板(PCB)上實現，或者形成在一個基板上。此外，設備的各種組件可以是進程或線程，在一個或複數個計算設備中運行在一個或複數個處理器上，執行計算機程序指令並與其他系統組件交互以執行本說明書描述的各種功能。計算機程序指令存儲在存儲器中，該存儲器可以在使用標準存儲器設備(例如隨機存取存儲器(RAM))的計算設備中實現。計算機程序指令也可以存儲在其他非暫時性計算機可讀介質中，例如CD-ROM、閃存驅動器等。此外，本發明所屬領域中具有通常知識者應該認識到，各種計算設備的功能可以組合或集成到單個計算設備中，或者特定計算設備的功能可以分佈在一個或複數個其他計算設備上而不背離本揭露的實施例的範圍。
然而，實施例的效果不限於這裡闡述的效果。實施例的上述和其他效果對於本發明所屬領域中具有通常知識者通過參考請求項將變得更加明顯。
雖然已經結合目前被認為是實用的示例性實施例描述了本揭露，但是應當理解，本揭露不限於所公開的實施例，相反，旨在涵蓋各種修改和等同物包含在所附請求項及其等同物的精神和範圍內的設置。
1:顯示裝置
10:顯示基板
30:色彩轉換基板
50:密封構件
70:填充物
110:第一基板
111:緩衝層
113:第一絕緣層
115:閘極絕緣層
117:第二絕緣層
130:第三絕緣層
150:像素限定層
160:第一覆蓋層
170:封裝層
171:下無機層
173:有機層
175:上無機層
231:第一彩色濾光片
231a:第二遮光圖樣部分
233:第二彩色濾光片
233a:第三遮光圖樣部分
235:第三彩色濾光片
235a:第一遮光圖樣部分
250:遮光圖樣
310:第二基板
330:透光圖樣
331:第三基礎樹脂
333:第三散射體
340:第一波長轉換圖樣
341:第一基礎樹脂
343:第一散射體
345:第一波長偏移體
350:第二波長轉換圖樣
351:第二基礎樹脂
353:第二散射體
355:第二波長偏移體
370:擋牆圖樣
391:低折射率層
392:低折射率覆蓋層
393:第三覆蓋層
ACT:半導體層
AE1~AE3:第一至第三陽極
BA:遮光區
BIL1~BIL4:第一至第四電子阻擋層
BML:下遮光層
CE:陰極
CGL1~CGL3:第一至第三電荷生成層
CGL11、CGL21:n型電荷生成層
CGL12、CGL22:p型電荷生成層
CNE:連接電極
D1~D2:第一至第二堤部
D11:第一下堤部圖樣
D12:第一上堤部圖樣
D21:第二下堤部圖樣
D22:第二上堤部圖樣
DA:顯示區域
DE:漏電極
DM:堤部構件
ED1~ED3:第一至第三發光元件
EML1~EML4:第一至第四發射層
ELVSS:電壓
EQE:相對外部量子產率
ETL1~ETL4:第一至第四電子傳輸層
FPC:柔性電路板
HTL1~HTL4:第一至第四電洞傳輸層
IC:驅動晶片
L1~L4:第一至第四側邊
LA1~LA3:第一至第三發光區
NDA:非顯示區域
NLA:非發光區
LE:出射光
LE1~LE2:第一至第二分量
OL:發射層
OLa:發射層
PD:連接焊墊
PD1~PD2:第一至第二焊墊電極
PDA:焊墊區
Q1-Q4:部分
SE:源電極
ST1~ST4:第一至第四疊層
t1:厚度
TA1~TA3:第一至第三透光區
TL:薄膜電晶體
VSL:電源線
WR1:第一閘極金屬
X:第一方向
X1-X1'~X3-X3':線
Y:第二方向
Z:第三方向
通過參考圖式更詳細地描述其示例實施例，本揭露的上述和其他層面和特徵將變得更加清楚，其中：
第1圖係示出了本發明的一些實施例的顯示裝置的層疊結構的剖視圖；
第2圖係根據本揭露的一些實施例的顯示裝置的平面圖；
第3圖係第2圖的Q1部分的放大平面圖，更具體地，根據一個實施例包含在第2圖的顯示裝置中的顯示基板的平面圖；
第4圖係第2圖的Q1部分的放大平面圖，更具體地，根據一個實施例包含在第2圖的顯示裝置中的覆蓋轉換基板的平面圖；
第5圖係根據不同於第3圖所示的實施例，第2圖的Q1部分的平面圖；
第6圖係示出了根據不同於第4圖所示的實施例，包含在第2圖的顯示裝置的覆蓋轉換基板的平面圖；
第7圖係第2圖的Q3部分的放大平面圖；
第8圖係根據本揭露的一些實施例的顯示裝置沿著第3圖和第4圖的X1-X1'線截取的剖視圖；
第9圖係根據一實施例的第8圖的Q4部分的放大剖視圖；
第10圖係示出了根據不同於第9圖所示的實施例，第8圖的Q4部分的剖視圖；
第11圖係根據本揭露一些實施例的顯示裝置沿著第10圖的X3-X3'線截取的剖視圖；
第12圖係示出了根據本揭露的一些實施例的顯示裝置的色彩轉換基板上的第三彩色濾光片的佈局的平面圖；
第13圖係示出了根據本揭露的一些實施例的顯示裝置的色彩轉換基板上的第一彩色濾光片的佈局的平面圖；
第14圖係示出了根據本揭露的一些實施例的顯示裝置的色彩轉換基板上的第二彩色濾光片的佈局的平面圖；
第15圖係示出了根據本揭露一些實施例的顯示裝置的色彩轉換基板上的擋牆(bank)圖樣、第一波長轉換圖樣、第二波長轉換圖樣和透光圖樣的佈局的平面圖；
第16圖係示出了根據用於第二波長轉換圖樣的每個厚度之第二波長偏移體的濃度下，第二波長轉換圖樣的相對外部量子產率EQE的曲線圖；
第17圖係示出了根據用於第二波長轉換圖樣的每個厚度之第三散射體的濃度下，第二波長轉換圖樣的相對外部量子產率EQE的曲線圖；
第18圖係示出了在噴墨打印過程中根據第二波長轉換圖樣的第二波長偏移體的濃度變化下，第二波長轉換圖樣材料的黏度的曲線圖；
第19圖係示出了根據第一波長轉換圖樣的每個厚度的第一波長偏移體的濃度下，第一波長轉換圖樣的相對外部量子產率EQE的曲線圖；
第20圖係示出了根據第一波長轉換圖樣的每個厚度的第二散射體的濃度下，第一波長轉換圖樣的相對外部量子產率EQE的曲線圖；
第21圖示出了在噴墨打印過程中根據第一波長轉換圖樣的第一波長偏移體的濃度變化下，第一波長轉換圖樣材料的黏度的曲線圖；以及
第22圖係示出了根據透光圖樣的第一散射體的濃度之透射率(%)和白角差(white angle difference, WAD)特性的曲線圖。
1:顯示裝置
10:顯示基板
30:色彩轉換基板
50:密封構件
70:填充物
DA:顯示區域
NDA:非顯示區域
Z:第三方向
Claims (26)
- 一種顯示裝置，其包括： 一基板，包括一第一發光區、一第二發光區和一第三發光區； 一第一波長轉換圖樣，與該第一發光區重疊； 一第二波長轉換圖樣，與該第二發光區重疊；以及 一透光圖樣，與該第三發光區重疊， 其中： 該第一波長轉換圖樣包括複數個第一波長偏移體和複數個第一散射體，該複數個第一波長偏移體係配置以將一第一光線轉換為一第二光線， 該第二波長轉換圖樣包括複數個第二波長偏移體和複數個第二散射體，該複數個第二波長偏移體係配置以將該第一光線轉換成一第三光線，以及 該第一波長轉換圖樣中的該複數個第一波長偏移體的一濃度與該第二波長轉換圖樣中的該複數個第二波長偏移體的一濃度的一比率為1:1.1至1:1.3。
- 根據請求項1所述之顯示裝置，其中該複數個第二波長偏移體的一重量大於該複數個第一波長偏移體的一重量。
- 根據請求項1所述之顯示裝置，其中該複數個第二波長偏移體對該第三光線的一吸光度小於該複數個第一波長偏移體對該第二光線的一吸光度。
- 根據請求項1所述之顯示裝置，其中該第二波長轉換圖樣中的該複數個第二散射體的該濃度佔該第二波長轉換圖樣的一總重量的3wt%至5wt%。
- 根據請求項4所述之顯示裝置，其中該第一波長轉換圖樣中的該複數個第一散射體的該濃度佔該第一波長轉換圖樣的該總重量的3wt%至6wt%。
- 根據請求項1所述之顯示裝置，其中該透光圖樣包括複數個第三散射體，該透光圖樣中的該複數個第三散射體的一濃度分別大於該第二波長轉換圖樣中的該複數個第二散射體的該濃度和該第一波長轉換圖樣中的該複數個第一散射體的該濃度。
- 根據請求項6所述之顯示裝置，其中該透光圖樣中的該第三散射體的該濃度為4.5wt%至9wt%。
- 根據請求項6所述之顯示裝置，其中該透光圖樣中的該複數個第三散射體的該濃度與該第二波長轉換圖樣中的該複數個第二散射體的該濃度之間的一比率以及該透光圖樣中的複數個第三散射體的該濃度與該第一波長轉換圖樣中的複數個第一散射體的該濃度之間的一比率各別為1:1.2至1:1.7。
- 根據請求項6所述之顯示裝置，其中該顯示裝置的一顯示表面的一法線與白光的一入射路徑的一夾角為0°的情況下的亮度以及該顯示裝置的該顯示表面的該法線與該白光的該入射路徑為60°的情況下的該亮度為75%以上。
- 根據請求項1所述之顯示裝置，其中第一波長轉換圖樣和第二波長轉換圖樣各別的厚度為8μm至12μm。
- 根據請求項1所述之顯示裝置，其中該複數個第一波長偏移體的該濃度和該複數個第二波長偏移體的該濃度各自通過感應耦合電漿質譜儀(ICP-MS)測量。
- 一種具有發光元件的基板，其包含： 一第一基板，包括一第一發光區、一第二發光區和一第三發光區； 一第一波長轉換圖樣，與該第一發光區重疊； 一第二波長轉換圖樣，與該第二發光區重疊；以及 一透光圖樣，與該第三發光區重疊， 其中： 該第一波長轉換圖樣包括複數個第一波長偏移體及複數個第一散射體，該複數個第一波長偏移體係配置以將一第一光線轉換為一第二光線， 該第二波長轉換圖樣包括複數個第二波長偏移體及複數個第二散射體，該複數個第二波長偏移體係配置以將該第一光線轉換為一第三光線的， 該第二波長轉換圖樣中的複數個第二波長偏移體的一濃度為40wt%至45wt%，以及 該第一波長轉換圖樣中的該複數個第一波長偏移體的一濃度為35wt%至40wt%。
- 根據請求項12所述之基板，其中該第二波長轉換圖樣中的該複數個第二波長偏移體的一重量大於該第一波長轉換圖樣中的該複數個第一波長偏移體的一重量。
- 根據請求項13所述之基板，其中該複數個第二波長偏移體對該第三光線的一吸光度小於該複數個第一波長偏移體對該第二光線的一吸光度。
- 根據請求項12所述之基板，其中該第二波長轉換圖樣中該複數個第二散射體的該濃度為3wt%至5wt%，該第一波長轉換圖樣中該複數個第一散射體的該濃度為3wt%至6wt%。
- 根據請求項12所述之基板，其中該透光圖樣包括複數個第三散射體，並且該透光圖樣中的該複數個第三散射體的一濃度分別大於該第二波長轉換圖樣中的該複數個第二散射體的該濃度以及該第一波長轉換圖樣中的該複數個第一散射體的該濃度。
- 根據請求項16所述之基板，其中該透光圖樣中的該複數個第三散射體的該濃度為4.5wt%至9wt%。
- 根據請求項16所述之基板，其中該透光圖樣中的該複數個第三散射體的該濃度與該第二波長轉換圖樣中的該複數個第二散射體的該濃度之間的一比率以及該透光圖樣中的該複數個第三散射體與該第一波長轉換圖樣中的該複數個第一散射體的該濃度之間的比率各別為1:1.2至1:1.7。
- 根據請求項16所述之基板，其中在具有該基板的一顯示裝置中，在該顯示裝置的一顯示表面的一法線與白光的一入射路徑之間的角度為0°的情況下的亮度以及該顯示裝置的該顯示表面的該法線與該白光的該入射路徑為60°的情況下的該亮度為75%以上。
- 根據請求項12所述之基板，其中該複數個第一波長偏移體的該濃度和該複數個第二波長偏移體的該濃度各自通過感應耦合電漿質譜儀(ICP-MS)測量。
- 一種顯示裝置，其包括： 一第一基板，其中一第一透光區、一第二透光區及一第三透光區被定義在該第一基板上，該第一基板具有一第一表面及與第一表面相對的一第二表面； 一第一波長轉換圖樣，位於該第一基板的該第一表面上且與該第一透光區重疊； 一第二波長轉換圖樣，位於該第一基板的該第一表面上且與該第二透光區重疊；以及 一透光圖樣，位於該第一基板的該第一表面且與該第三透光區重疊， 其中： 該第一波長轉換圖樣包括一第一基礎樹脂、複數個第一波長偏移體以及複數個第一散射體，該複數個第一波長偏移體分散在第一基礎樹脂中並且係配置以將一第一光線轉換成一第二光線，該複數個第一散射體分散在該第一基礎樹脂中， 該第二波長轉換圖樣包括一第二基礎樹脂、複數個第二波長偏移體以及複數個第二散射體，該複數個第二波長偏移體分散在該第二基礎樹脂中並且係配置成將該第一光線轉換成一第三光線，該複數個第二散射體分散在該第二基礎樹脂中， 該透光圖樣包括一第三基礎樹脂和複數個第三散射體，該複數個第三散射體分散在該第三基礎樹脂中， 該第一波長轉換圖樣和該第二波長轉換圖樣各別的一厚度為8μm至12μm， 該第一波長轉換圖樣中的該複數個第一波長偏移體的一濃度與該第二波長轉換圖樣中的該複數個第二波長偏移體的一濃度之間的比率為1:1.1至1:1.3，該複數個第一波長偏移體和複數個第二波長偏移體各別的該濃度係通過感應耦合電漿質譜儀(ICP-MS)測量。
- 根據請求項21所述之顯示裝置，其中該複數個第二波長偏移體對該第三光線的一吸光度小於該複數個第一波長偏移體對該第二光線的一吸光度。
- 根據請求項21所述之顯示裝置，其中該第二波長轉換圖樣中該複數個第二散射體的該濃度為3wt%至5wt%，該第一波長轉換圖樣中該複數個第一散射體的該濃度為3wt%至6wt%。
- 根據請求項21所述之顯示裝置，其中該透光圖樣中的該複數個第三散射體的一濃度分別大於該第二波長轉換圖樣中的該複數個第二散射體的該濃度以及該第一波長轉換圖樣中的該複數個第一散射體的該濃度，並且該透光圖樣中的該複數個第三散射體的該濃度為4.5wt%至9wt%。
- 根據請求項23所述之顯示裝置，其中該透光圖樣中的該複數個第三散射體的該濃度與該第二波長轉換圖樣中的該複數個第二散射體的該濃度之間的一比率以及該透光圖樣中的該複數個第三散射體與該第一波長轉換圖樣中的該複數個第一散射體的該濃度之間的比率各別為1:1.2至1:1.7。
- 根據請求項24所述之顯示裝置，其中在具有該第一基板的一顯示裝置中，在該顯示裝置的一顯示表面的一法線與白光的一入射路徑之間的角度為0°的情況下的亮度以及該顯示裝置的該顯示表面的該法線與該白光的該入射路徑為60°的情況下的該亮度為75%以上。
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